JP5834981B2 - Solid state laser equipment - Google Patents

Solid state laser equipment Download PDF

Info

Publication number
JP5834981B2
JP5834981B2 JP2012026932A JP2012026932A JP5834981B2 JP 5834981 B2 JP5834981 B2 JP 5834981B2 JP 2012026932 A JP2012026932 A JP 2012026932A JP 2012026932 A JP2012026932 A JP 2012026932A JP 5834981 B2 JP5834981 B2 JP 5834981B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustooptic
solid
state laser
heater
turned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012026932A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013165143A (en
Inventor
直也 石垣
直也 石垣
東條 公資
公資 東條
進吾 宇野
進吾 宇野
次郎 齊川
次郎 齊川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2012026932A priority Critical patent/JP5834981B2/en
Publication of JP2013165143A publication Critical patent/JP2013165143A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5834981B2 publication Critical patent/JP5834981B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

本発明は、固体レーザ装置に関し、特に、第3高調波を出力する固体パルスレーザ装置に関する。   The present invention relates to a solid-state laser device, and more particularly to a solid-state pulse laser device that outputs a third harmonic.

半導体レーザを有する固体レーザ装置では、より大きな出力を得るために、共振器内にQスイッチ素子を配置し、ジャイアントパルスを発生させる方法が知られている。このQスイッチの手法の一つとして、音響光学素子(AO素子)を用いたAOQスイッチが知られている(特許文献1)。   In a solid-state laser device having a semiconductor laser, a method of generating a giant pulse by arranging a Q switch element in a resonator is known in order to obtain a larger output. As one of the methods of this Q switch, an AOQ switch using an acousto-optic element (AO element) is known (Patent Document 1).

このAOQスイッチは、音響光学媒体中に超音波を伝搬させ、音響光学媒体を透過するレーザ光を回折することにより、共振器内のロスを制御してスイッチング作用をなすものである。   The AOQ switch controls the loss in the resonator by propagating an ultrasonic wave in the acoustooptic medium and diffracting the laser light transmitted through the acoustooptic medium, thereby performing a switching action.

従来の音響光学素子を用いた固体パルスレーザ装置の動作原理は次のように行われる。   The operation principle of a solid-state pulse laser device using a conventional acousto-optic element is performed as follows.

(1)音響光学素子をオンし、共振器のロスを高くすることにより、共振器のゲインを充分に高くする。 (1) The gain of the resonator is sufficiently increased by turning on the acoustooptic device and increasing the loss of the resonator.

(2)音響光学素子をオフして、共振器のロスを急激に低くして、レーザ媒質に蓄えられたエネルギーを短時間でレーザ出力として取り出す。パルスレーザ出力後に、(1)の処理に戻る。 (2) The acousto-optic element is turned off, the loss of the resonator is sharply reduced, and the energy stored in the laser medium is taken out as a laser output in a short time. After the pulse laser output, the processing returns to (1).

特開2010−251448号公報JP 2010-251448 A

しかしながら、音響光学素子がオンしたときには、一般に10W前後のRF信号が音響光学素子に印加されるため、大きな発熱を伴い、素子温度は上昇する。また、音響光学素子がオフすると、発熱がなくなり、素子温度は急激に低下する。このため、音響光学素子温度の変動幅が大きく、レーザ特性が悪化する要因となっていた。   However, when the acoustooptic element is turned on, an RF signal of approximately 10 W is generally applied to the acoustooptic element, and thus the element temperature rises with a large amount of heat generation. Further, when the acousto-optic element is turned off, heat generation is lost and the element temperature rapidly decreases. For this reason, the fluctuation range of the acousto-optic element temperature is large, which has been a cause of deterioration in laser characteristics.

本発明の課題は、音響光学素子における発熱量を一定にして、素子温度の変動幅を小さく抑制することにより、レーザ特性を安定化させることができる固体レーザ装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a solid-state laser device capable of stabilizing laser characteristics by keeping the amount of heat generated in an acousto-optic element constant and suppressing the fluctuation range of element temperature to be small.

上記の課題を解決するために、本発明に係る固体レーザ装置は、励起光を発生させる半導体レーザと、前記半導体レーザからの励起光に応じて誘導放出光を発生する固体レーザ媒質と、前記固体レーザ媒質を含む共振器内に配置され、前記共振器内のロスを制御してジャイアントパルスを発生させる音響光学素子と、前記音響光学素子上に配置され、前記音響光学素子を加熱するヒータと、前記音響光学素子にRF信号を入力し前記音響光学素子をオン/オフさせる音響光学素子駆動回路と、前記音響光学素子がオフされたときに前記ヒータを駆動し前記音響光学素子がオンされたときに前記ヒータを停止するヒータ駆動回路とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a solid-state laser device according to the present invention includes a semiconductor laser that generates excitation light, a solid-state laser medium that generates stimulated emission light in response to excitation light from the semiconductor laser, and the solid-state laser device. An acoustooptic element disposed in a resonator including a laser medium and controlling a loss in the resonator to generate a giant pulse; a heater disposed on the acoustooptic element and heating the acoustooptic element; An acoustooptic device driving circuit that inputs an RF signal to the acoustooptic device to turn the acoustooptic device on / off, and a heater that is driven when the acoustooptic device is turned off and the acoustooptic device is turned on And a heater drive circuit for stopping the heater.

本発明に係る固体レーザ装置によれば、音響光学素子にヒータを取り付け、音響光学素子がオフされたときにヒータが駆動され音響光学素子がオンされたときにヒータが停止されるので、音響光学素子がオフされたときでも、RF信号により音響光学素子がオンした時の発熱と同等の熱を音響光学素子に加えることができる。従って、音響光学素子における発熱量を一定にして、素子温度の変動幅を小さく抑制することにより、レーザ特性を安定化させることができる。 According to the solid-state laser apparatus according to the present invention, fitted with a heater to acousto-optic device, the heater is stopped when the heater is an acousto-optic element is driven is turned on when the acousto-optic device is turned off Runode acoustooptic Even when the element is turned off, heat equivalent to the heat generated when the acoustooptic element is turned on by the RF signal can be applied to the acoustooptic element. Accordingly, the laser characteristics can be stabilized by keeping the amount of heat generated in the acousto-optic element constant and suppressing the fluctuation range of the element temperature to be small.

本発明の実施例1に係る固体レーザ装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the solid-state laser apparatus which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例1に係る固体レーザ装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the solid-state laser apparatus which concerns on Example 1 of this invention. 従来の固体レーザ装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。It is a timing chart for demonstrating operation | movement of the conventional solid-state laser apparatus.

以下、本発明の固体レーザ装置の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the solid-state laser device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施例1に係る固体レーザ装置の構成を示すブロック図である。この固体レーザ装置は、半導体レーザ1、2つの集光レンズ2、ミラー3、固体レーザ媒質4、音響光学素子5、ミラー6、ヒータ7、音響光学素子駆動回路8、ヒータ駆動回路9を備えている。   FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a solid-state laser apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. This solid-state laser device includes a semiconductor laser 1, two condenser lenses 2, a mirror 3, a solid-state laser medium 4, an acoustooptic device 5, a mirror 6, a heater 7, an acoustooptic device drive circuit 8, and a heater drive circuit 9. Yes.

なお、固体レーザ媒質4、音響光学素子5、ミラー3,6から構成される部分を共振器と呼ぶ。   A portion composed of the solid-state laser medium 4, the acoustooptic device 5, and the mirrors 3 and 6 is called a resonator.

半導体レーザ1は、例えばレーザダイオードによって構成されており、励起光を発生する。集光レンズ2は、レーザダイオードで発生されたレーザ光を集束する。半導体レーザ1で発生された励起光は、ミラー3を透過して固体レーザ媒質4に照射される。   The semiconductor laser 1 is constituted by a laser diode, for example, and generates excitation light. The condenser lens 2 focuses the laser light generated by the laser diode. Excitation light generated by the semiconductor laser 1 passes through the mirror 3 and is irradiated onto the solid-state laser medium 4.

固体レーザ媒質4は、レーザ発振の元となる物質であり、例えば、YAGレーザと呼ばれる固体レーザにおいては、イットリウム、アルミニウムおよびガーネット(Yttrium Aluminum Garnet)などといった物質が用いられる。この固体レーザ媒質4は、半導体レーザ1から励起光が照射されることにより誘導放出光を発生する。この固体レーザ媒質4で発生された誘導放出光は、音響光学素子5に送られる。   The solid-state laser medium 4 is a substance that causes laser oscillation. For example, in a solid-state laser called a YAG laser, substances such as yttrium, aluminum, and garnet (Yttrium Aluminum Garnet) are used. The solid-state laser medium 4 generates stimulated emission light when irradiated with excitation light from the semiconductor laser 1. The stimulated emission light generated by the solid-state laser medium 4 is sent to the acousto-optic element 5.

音響光学素子5は、Qスイッチを構成し、音響光学素子駆動回路8から入力されるRF信号にしたがって、固体レーザ媒質4で発生された誘導放出光の基本波を変調することにより共振器内のロスを制御し、パルス幅の狭いピークの大きなパルス(ジャイアントパルス)を出力する。   The acoustooptic device 5 constitutes a Q switch, and modulates the fundamental wave of the stimulated emission light generated in the solid-state laser medium 4 in accordance with the RF signal input from the acoustooptic device drive circuit 8, thereby causing the inside of the resonator. The loss is controlled, and a pulse with a narrow peak and a large peak (giant pulse) is output.

AOQ駆動回路8は、RF信号を生成し、RF信号を音響光学素子5に送るとともに、音響光学素子5をオン/オフさせる。   The AOQ drive circuit 8 generates an RF signal, sends the RF signal to the acoustooptic element 5, and turns the acoustooptic element 5 on and off.

音響光学素子5の上には、ヒータ7が取り付けられている。ヒータ駆動回路9は、音響光学素子5がオフされたときにヒータ7を駆動する。ヒータ駆動回路9は、音響光学素子駆動回路8に同期しており、音響光学素子5がオンのときにヒータ7はオフとなり、音響光学素子5がオフのときにヒータ7はオンとなる。   A heater 7 is attached on the acoustooptic device 5. The heater drive circuit 9 drives the heater 7 when the acoustooptic device 5 is turned off. The heater drive circuit 9 is synchronized with the acoustooptic device drive circuit 8, and when the acoustooptic device 5 is turned on, the heater 7 is turned off, and when the acoustooptic device 5 is turned off, the heater 7 is turned on.

次に、上記のように構成される本発明の実施例1に係る固体レーザ装置の動作を、図2に示すタイミングチャートを参照しながら説明する。   Next, the operation of the solid-state laser device according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to the timing chart shown in FIG.

まず、固体レーザ装置が起動されると、半導体レーザ1は、励起光を発生して固体レーザ媒質4を照射する。これにより、固体レーザ媒質4は、誘導放出光を発生し、音響光学素子5に送る。   First, when the solid state laser device is activated, the semiconductor laser 1 generates excitation light and irradiates the solid state laser medium 4. Thereby, the solid-state laser medium 4 generates stimulated emission light and sends it to the acoustooptic device 5.

これと並行して、音響光学素子駆動回路8は、図2に示すようなデューティ比を有するRF信号を生成して音響光学素子5に与える。   In parallel with this, the acoustooptic device drive circuit 8 generates an RF signal having a duty ratio as shown in FIG.

図2に示すように、音響光学素子駆動回路8から出力されるRF信号のオン期間では、共振器内でのロスがゲインより大きくなってレーザ発振が行われず、固体レーザ媒質4のゲインが上がっていく。この状態からRF信号がオフ期間になると、その立ち下がりからレーザ発振可能な状態になり、図2に示すように、ゲインが最大になった固体レーザ媒質4から音響光学素子5を経由してレーザパルスが出力される。   As shown in FIG. 2, in the on period of the RF signal output from the acousto-optic device drive circuit 8, the loss in the resonator is larger than the gain and laser oscillation is not performed, and the gain of the solid-state laser medium 4 is increased. To go. When the RF signal is turned off from this state, laser oscillation is enabled from the falling edge, and the laser is transmitted from the solid laser medium 4 having the maximum gain through the acoustooptic device 5 as shown in FIG. A pulse is output.

また、図2に示すように、RF信号がオンのときには、ヒータ信号はオフとなり、この場合には、RF信号のエネルギーにより音響光学素子5の素子温度が上昇する。次に、RF信号がオフのときには、ヒータ信号はオンとなるので、ヒータ7の加熱により音響光学素子5の素子温度が上昇する。   As shown in FIG. 2, when the RF signal is on, the heater signal is turned off. In this case, the element temperature of the acoustooptic device 5 is increased by the energy of the RF signal. Next, since the heater signal is turned on when the RF signal is off, the element temperature of the acousto-optic element 5 rises due to the heating of the heater 7.

即ち、音響光学素子5の素子温度の変化を抑制することで、パルスが発生する瞬間の音響光学素子5の温度のばらつきが小さくなり、出力安定度が向上する。RF信号のオフとヒータ7のオンとの間のオフセット時間Δt2は、固体レーザ装置の構成や使用環境によって微調整して、最適化することができる。   That is, by suppressing the change in the element temperature of the acoustooptic element 5, the temperature variation of the acoustooptic element 5 at the moment when the pulse is generated is reduced, and the output stability is improved. The offset time Δt2 between the RF signal being turned off and the heater 7 being turned on can be finely adjusted and optimized depending on the configuration and use environment of the solid-state laser device.

また、オフセット時間Δt2は、RF信号の立ち下がり時刻からレーザパルスの立ち上がり時刻までの時間Δt1よりも小さく設定されている。
なお、図3は、従来の固体レーザ装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。従来の固体レーザ装置では、図3に示すように、音響光学素子5がオフとなってから、レーザのパルス光が発振するまでの間にはディレイタイムがあり、その間に音響光学素子5の温度が低下し始める。このため、素子温度が変化している最中にパルスレーザ発振が行われることになる。
The offset time Δt2 is set smaller than the time Δt1 from the falling time of the RF signal to the rising time of the laser pulse.
FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the conventional solid-state laser device. In the conventional solid-state laser device, as shown in FIG. 3, there is a delay time from when the acoustooptic element 5 is turned off to when the pulsed light of the laser oscillates, during which the temperature of the acoustooptic element 5 is present. Begins to decline. Therefore, pulse laser oscillation is performed while the element temperature is changing.

また、パルス発生のタイミングにはジッターがあるので、パルスが発生する瞬間の音響光学素子5の温度が1ショット毎ばらつくため、出力安定性が悪化する要因となっていた。   Further, since there is jitter in the timing of pulse generation, the temperature of the acoustooptic device 5 at the moment when the pulse is generated varies from shot to shot, which is a factor that deteriorates output stability.

以上説明したように、本発明の実施例1に係る固体レーザ装置によれば、音響光学素子5にヒータ7を取り付け、音響光学素子5がオフされたときにヒータ7が駆動されるので、音響光学素子5がオフされたときでも、RF信号により音響光学素子5がオンした時の発熱と同等の熱を音響光学素子5に加えることができる。従って、音響光学素子5における発熱量を一定にして、素子温度の変動幅を小さく抑制することにより、レーザ特性を安定化させることができる。   As described above, according to the solid-state laser device according to the first embodiment of the present invention, the heater 7 is attached to the acoustooptic element 5 and the heater 7 is driven when the acoustooptic element 5 is turned off. Even when the optical element 5 is turned off, heat equivalent to the heat generated when the acoustooptic element 5 is turned on by the RF signal can be applied to the acoustooptic element 5. Accordingly, the laser characteristics can be stabilized by keeping the amount of heat generated in the acousto-optic element 5 constant and suppressing the fluctuation range of the element temperature to be small.

なお、本発明は前述した実施例1の固体レーザ装置に限定されるものではない。例えば、音響光学素子5とミラー6との間に、非線形光学素子を設けても良い。この場合には、音響光学素子5から出力されたパルスレーザは、非線形光学素子に送られる。非線形光学素子は、音響光学素子5から出力されたパルスレーザの基本波の波長を変換して出力する。   In addition, this invention is not limited to the solid-state laser apparatus of Example 1 mentioned above. For example, a nonlinear optical element may be provided between the acoustooptic element 5 and the mirror 6. In this case, the pulse laser output from the acoustooptic device 5 is sent to the nonlinear optical device. The nonlinear optical element converts the wavelength of the fundamental wave of the pulse laser output from the acoustooptic element 5 and outputs the converted signal.

本発明は、固体パルスレーザ装置に利用できる。   The present invention can be used for a solid-state pulse laser device.

1 半導体レーザ
2 集光レンズ
3,6 ミラー
4 固体レーザ媒質
5 音響光学素子
7 ヒータ
8 音響光学素子駆動回路
9 ヒータ駆動回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser 2 Condensing lens 3, 6 Mirror 4 Solid-state laser medium 5 Acoustooptic device 7 Heater 8 Acoustooptic device drive circuit 9 Heater drive circuit

Claims (3)

励起光を発生させる半導体レーザと、
前記半導体レーザからの励起光に応じて誘導放出光を発生する固体レーザ媒質と、
前記固体レーザ媒質を含む共振器内に配置され、前記共振器内のロスを制御してジャイアントパルスを発生させる音響光学素子と、
前記音響光学素子上に配置され、前記音響光学素子を加熱するヒータと、
前記音響光学素子にRF信号を入力し前記音響光学素子をオン/オフさせる音響光学素子駆動回路と、
前記音響光学素子がオフされたときに前記ヒータを駆動し前記音響光学素子がオンされたときに前記ヒータを停止するヒータ駆動回路と、
を備えることを特徴とする固体レーザ装置。
A semiconductor laser for generating excitation light;
A solid-state laser medium that generates stimulated emission light in response to excitation light from the semiconductor laser;
An acoustooptic device disposed in a resonator including the solid-state laser medium and controlling a loss in the resonator to generate a giant pulse;
A heater disposed on the acoustooptic device and heating the acoustooptic device;
An acoustooptic device driving circuit for inputting an RF signal to the acoustooptic device to turn on / off the acoustooptic device;
A heater drive circuit that drives the heater when the acoustooptic element is turned off and stops the heater when the acoustooptic element is turned on ;
A solid-state laser device comprising:
前記固体レーザ媒質からの基本波を波長変換し高調波を出力する波長変換素子を備えることを特徴とする請求項1記載の固体レーザ装置。   The solid-state laser device according to claim 1, further comprising a wavelength conversion element that converts a wavelength of a fundamental wave from the solid-state laser medium and outputs a harmonic. 前記RF信号のオフと前記ヒータの駆動との間のオフセット時間は、前記RF信号の立ち下がり時刻から前記パルスの立ち上がり時刻までの時間よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項1又は2記載の固体レーザ装置。The offset time between turning off the RF signal and driving the heater is set to be shorter than the time from the falling time of the RF signal to the rising time of the pulse. 3. The solid-state laser device according to 2.
JP2012026932A 2012-02-10 2012-02-10 Solid state laser equipment Active JP5834981B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012026932A JP5834981B2 (en) 2012-02-10 2012-02-10 Solid state laser equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012026932A JP5834981B2 (en) 2012-02-10 2012-02-10 Solid state laser equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013165143A JP2013165143A (en) 2013-08-22
JP5834981B2 true JP5834981B2 (en) 2015-12-24

Family

ID=49176331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012026932A Active JP5834981B2 (en) 2012-02-10 2012-02-10 Solid state laser equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5834981B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111922509B (en) * 2020-08-10 2022-03-15 廊坊元拓科技有限公司 Q-switched laser scanning processing device and signal control method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04206979A (en) * 1990-11-30 1992-07-28 Hoya Corp Q-switched solid-state laser
JPH0645680A (en) * 1990-12-26 1994-02-18 Hoya Corp Solid state laser
JPH05198870A (en) * 1991-08-30 1993-08-06 Hoya Corp Semiconductor laser pumping solid laser equipment
JPH06273705A (en) * 1993-03-22 1994-09-30 Tokin Corp Acousto-optic modulating element
JPH11125800A (en) * 1997-10-23 1999-05-11 Mitsubishi Electric Corp Optical element temperature distribution controller

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013165143A (en) 2013-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6309032B2 (en) Laser light source device and laser pulse light generation method
WO2013008772A1 (en) Pulse laser oscillator and method for controlling pulse laser oscillation
WO2015122374A2 (en) Laser light-source apparatus and laser pulse light generating method
TW200810301A (en) Laser pulse generating device and method, and laser working apparatus and method
JP5895543B2 (en) Pulse laser equipment
JP6508058B2 (en) Light source device and wavelength conversion method
JP5834981B2 (en) Solid state laser equipment
JP6341308B2 (en) Solid state pulse laser equipment
JP2018184849A (en) Laser ignition device
JP2014103287A (en) Solid-state laser device
JP6338879B2 (en) Laser light source device
JP6163861B2 (en) Solid state pulse laser equipment
JP7079953B2 (en) Wavelength conversion method, wavelength conversion device and laser light source device
JP6588707B2 (en) Laser light source device and laser pulse light generation method
WO2016125919A2 (en) Laser light-source apparatus and laser pulse light generating method
JP5165210B2 (en) Q-switched laser device
JP2022118758A (en) Laser light source device and control method of laser light source device
JP5439836B2 (en) Solid state laser equipment
JP2007242974A (en) Semiconductor-laser exciting solid laser device
JP6273716B2 (en) Solid state laser equipment
JP2009176944A (en) Fiber laser device and control method
JP6332055B2 (en) Pulse laser equipment
WO2022230045A1 (en) Laser device, and laser processing device
JP2011053314A (en) Light source device
JP2008141127A (en) Semiconductor laser excitation solid-state laser device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140502

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151006

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151019

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5834981

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151