JP5834148B2 - 高分子側鎖の分析方法および分析装置 - Google Patents

高分子側鎖の分析方法および分析装置 Download PDF

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Description

本明細書は、2012年6月18日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2012−0064919号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。
本明細書は、高分子側鎖の分析方法および分析装置に関するものである。より具体的には、高分子の側鎖の個数を分析する方法および装置に関するものである。
高分子の物性は、分子量(Molecular Weight)および分子量が分布されている程度(Molecular Weight Distribution)と共に、高分子構造に最も大きな影響を受ける。高分子の構造のうち、最も簡単な構造は線状構造である。線状構造は、言葉どおり、高分子をなす単量体(monomer)が線状に結合して主鎖(main chain)をなしている形態を指す。このような線状構造に対して様々な種類の鎖が分枝されて側鎖を有することができる。このような側鎖は、高分子の物性に影響を与えることがある。
前記側鎖のうち、長鎖(LCB、long chain branch)は、高分子の強度(strength)またはガラス転移温度(glass temperature)などに影響を与えることがある。
一方、前記側鎖のうち、短鎖(atactic short chain branch)は、高分子の配列を良くしないため、高分子の強度(strength)を低減することがある。
このように、高分子の物性に大きな影響を与える側鎖の存在を確認し、その個数を正確に測定することは、高分子の物性特性を分析する上で重要である。
高分子を分析して得られた分子量(Molecular Weight)と粘度(Intrinsic viscosity)に対するログスケール(log scale)グラフの線形の相関性により高分子に分枝された側鎖の個数を測定することができる。側鎖を有する高分子は、分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフにおいて、線状高分子のように原点から一定の傾きを有する直線で増加し、ある地点で傾きが減少する最大直線区間を示す臨界点が存在する。高分子内に存在する側鎖が多いほど、最大直線区間を示す臨界点以降において線状高分子のログスケール(log scale)グラフと傾きとの差が大きくなる。
一般に、側鎖を有する高分子の側鎖の個数を算出するための方法として、基準(reference)として線状高分子のログスケール(log scale)グラフと、側鎖のある高分子のログスケール(log scale)グラフとを比較し、臨界点以降において基準グラフとの差によって発生する面積を用いて高分子の側鎖の個数を算出する。
この時、正確度の高い高分子の側鎖の個数を算出するためには、前記最大直線区間を示す臨界点を正確に探すことが重要である。
本明細書は、高分子側鎖の分析方法および分析装置に関するものである。より具体的には、高分子の側鎖の個数を分析する方法および装置を提供しようとする。
本明細書は、1)高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフを表示するステップと、
2)前記グラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標または原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算し、予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えるかを判断するステップと、
3)計算された回帰式の説明力(R)の値が予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えると、計算された回帰式の説明力(R)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出するステップとを含むことを特徴とする高分子側鎖の分析方法を提供する。
また、本明細書は、前記方法を実行するためのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。
さらに、本明細書は、高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフを表示する表示部と、
前記グラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標または原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算し、予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えるかを判断する分析部と、
計算された回帰式の説明力(R)の値が予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えると、計算された回帰式の説明力(R)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出する第1算出部とを含むことを特徴とする高分子側鎖の分析装置を提供する。
本明細書の一実施態様によれば、高分子の側鎖の個数が少なくても、高分子の側鎖の有無が分かるという利点がある。
本明細書の一実施態様によれば、高分子の側鎖の個数が少なくても、高分子の側鎖の個数を算出できるという利点がある。
基準の線状高分子のグラフを用いた高分子の側鎖の個数計算方法に関する図である。 基準の線状高分子がない場合における高分子の側鎖の個数計算方法に関する図である。 回帰式の説明力(R)が0.9990の高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフである。 本発明の一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法を説明した図である。 回帰式の説明力(R)が0.9858の高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフである。 図5のグラフを、本発明の一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法で算出された回帰式の説明力(R)とLog(Mw)の最大値に対するグラフである。 図3のグラフを、本発明の一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法で算出された回帰式の説明力(R)とLog(Mw)の最大値に対するグラフである。 本発明の一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法で計算した回帰式の説明力(R)と相対誤差に対するグラフである。 本発明の一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法のフローチャートである。
以下、本明細書をより詳細に説明する。
本明細書は、1)高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフを表示するステップと、
2)前記グラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標または原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算し、予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えるかを判断するステップと、
3)計算された回帰式の説明力(R)の値が予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えると、計算された回帰式の説明力(R)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出するステップとを含むことを特徴とする高分子側鎖の分析方法を提供する。
前記ステップ1)のグラフは、ゲル透過クロマトグラフィー(Gel Permeation Chromatography、GPC)を測定して得られ、これにのみ限定されない。
本特許で用いられる前記回帰式の説明力(R)は、線形回帰式で表す場合の線形性を示す値であり、完璧に線形に増加する直線の場合、回帰式の説明力(R)の値は1で、回帰式の説明力(R)が1より小くなるほど、線形性が低下することを表す。
本特許において、回帰式の説明力(R)は、線形回帰式の場合を示し、設定した回帰式がどれだけ元の資料をよく説明するかを示す。回帰式の説明力(R)は、0.0から1.0の間の値を有するが、1.0の値を有すると、線形回帰式が正確に元の資料(分子量と粘度のログスケールグラフ)を完璧に説明することを意味する。すなわち、回帰式の説明力(R)が1.0であれば、分子量と粘度のログスケールグラフが完璧な線形の関係を有することを表す。
前記ステップ2)において、予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値は、0.9ないし0.9999であり得るが、これに限定されない。
前記ステップ2)は、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を初期値(A1)に設定するステップと、
測定されたグラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算し、前記初期値(A1)より大きいかを判断するステップと、
計算された回帰式の説明力(R)の値が前記初期値(A1)より大きければ、初期値(A1)を計算された回帰式の説明力(R)の値に代替するステップとを含むことができる。
一方、計算された回帰式の説明力(R)の値が前記初期値(A1)より大きくなければ、初期値(A1)を維持するステップを含むことができる。
前記ステップ2)は、前記グラフのうち、座標データの個数がNの時、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりkだけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算するステップを含むことができる。この時、前記kは整数で、1≦k<Nである。
前記計算された回帰式の説明力(R)の値が予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えなければ、k/Nの値を計算し、予め設定された比率値と等しいか大きいかを判断するステップを含むことができる。
前記計算されたk/Nの値が予め設定された比率値より小さければ、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりk+1だけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算するステップを含むことができる。
この場合、回帰式の説明力(R)を計算するデータの座標が1個減少する。特に、原点から最も遠い側からデータの座標が1個減少する。
前記計算されたk/Nの値が予め設定された比率値と等しいか大きければ、計算された回帰式の説明力(R)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出するステップを含むことができる。
前記予め設定された比率値は、0.4ないし0.8であり得るが、これに限定されない。
本明細書は、前記ステップ3)で算出された回帰式の説明力(R)の値を、回帰分析法を用いて補正するステップをさらに含むことができる。
前記補正するステップは、前記ステップ3)で算出された回帰式の説明力(R)の値と、原点に最も近い座標と原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値(A2)との差が、予め設定された比較値と等しいか小さいかを判断するステップを含むことができる。
前記予め設定された比較値は、10−1ないし10−5であり得るが、これに限定されない。
前記ステップ3)で算出された回帰式の説明力(R)の値と、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値(A2)との差が、予め設定された比較値と等しいか小さければ、前記回帰式の説明力(R)の値(A2)を用いて補正された最大直線区間を示す臨界点として算出するステップを含むことができる。
前記ステップ3)で算出された回帰式の説明力(R)の値と、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点にmだけより近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値(A2)との差が、予め設定された比較値より大きければ、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりm+1だけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)との値を計算し、前記回帰式の説明力(R)の値(A2)を代替するステップを含むことができる。
この時、前記mは整数で、1≦m<Nである。
本明細書にかかる高分子側鎖の分析方法によって算出された臨界点を用いて高分子の側鎖の個数を算出することができる。
前記高分子の側鎖の個数を算出する方法は、当該技術分野において一般に使用される方法を選択することができる。
例えば、図1に示されるように、基準(reference)として線状高分子のログスケール(log scale)グラフと、側鎖のある高分子のログスケール(log scale)グラフとを比較し、臨界点以降において基準グラフとの差によって発生する面積を用いて高分子の側鎖の個数を算出する。
一方、基準とすることができる線状高分子がない場合には、図2に示されるように、ログスケール(log scale)グラフにおいて、傾きが急激に減少する最大直線区間を示す臨界点を求めて最大線形区間を選定し、この領域に対して傾きを計算する。前記最大線形区間の傾きを用いて最大直線区間を示す臨界点以降に外挿(extrapolation)する。これを基準(reference)として側鎖のある高分子のログスケール(log scale)グラフとの差に対する面積を計算し、これにより、高分子の側鎖の個数を算出する。
側鎖のある高分子のログスケール(log scale)グラフにおいて、原点と臨界点との間の直線を延長して外挿したグラフを基準(reference)グラフとし、臨界点以降において基準グラフとの差によって発生する面積を用いて高分子の側鎖の個数を算出する。
前記高分子の側鎖は、高分子の主鎖に分枝されている枝を意味し、その長さは特に限定しない。
前記側鎖のうち、長鎖(LCB、long chain branch)は、高分子の強度(strength)またはガラス転移温度(glass temperature)などに影響を与えることがある。
一方、前記側鎖のうち、短鎖(atactic short chain branch)は、高分子の配列を良くしないため、高分子の強度(strength)を低減することがある。
側鎖の少ない高分子の場合には、高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフがほぼ完全な線形性傾向を示す。
前記側鎖の少ない高分子は、高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフにおいて、直観的に最大直線区間を示す臨界点を探すのに困難がある高分子をいい、特に側鎖の個数を限定しないが、例えば、主鎖の炭素数1000個あたり0.01〜1個であり得る。
例えば、図3に示された高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフをみると、回帰式の説明力(R)が0.9990の、線形に近いグラフが示されていることが分かる。
高分子の側鎖の個数が少ない場合には、図3に示されるように、測定された全体グラフの全体区間がすでに線形に近いため、高分子の側鎖の個数が少ないほど、最大直線区間を示す臨界点に対する誤差が大きくなる。
しかし、本明細書の一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法は、高分子の側鎖の個数が少なくても、正確度の高い最大直線区間を示す臨界点を探すことができるという利点がある。
以下、本一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法を、図4ないし図6および図10を通じて説明する。
図4に示されるように、側鎖のある高分子のログスケール(log scale)グラフは大きく最大直線区間を示す臨界点を中心として傾きが異なる2つの直線からなっている。1つの直線は、最大線形区間を示す直線Aと、他の1つの直線は、最大直線区間を示す臨界点以降に最大線形区間に比べて傾きが減少する領域の直線Bである。全体区間に対する線形性は大きく直線Aによって最も大きな影響を受け、最大直線区間を示す臨界点以降に表れる直線Bにより、全体区間は直線Aに比べて線形性が低下する。このため、直線Bに属するデータが存在しなければ、全体区間に対する線形性は、最大線形区間の線形性と正確に同一である。
したがって、全体区間でLog(Mw)の最大値を1つずつ減少させていくと、直線Bに属しているデータが1つずつ減少するにつれ、ますます最大線形区間の直線Aに近くなるため、線形性が増加する。回帰式の説明力(R)は線形性を示すので、Log(Mw)の最大値が最大直線区間を示す臨界点に到達した時、回帰式の説明力(R)の値が1に近い最大値を示す。
図4のa)は、回帰式の説明力(R)が0.9952の高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフであり、b)は、Log(Mw)の最大値を1つずつ減少させていくと、全体区間で直線Bの領域がますます減少するため、全体的に線形性が増加し、この時の回帰式の説明力(R)は1.0近傍で次第に増加する。c)は、Log(Mw)の最大値を減少させて最大直線区間を示す臨界点に到達した場合で、全体区間は正確に直線Aのみが存在するため、この区間に対する回帰式の説明力(R)は1.0に最も近い最大値を有することになる。
本明細書の一実施態様によれば、高分子の側鎖の個数が少なくても、高分子の側鎖の有無が分かるという利点がある。
本明細書の一実施態様によれば、高分子の側鎖の個数が少なくても、高分子の側鎖の個数を算出できるという利点がある。
図10は、本発明の一実施態様にかかる高分子側鎖の分析方法のフローチャート(flow chart)で、1つの例示であり、これに限定されない。
本明細書は、方法を実行するためのプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。
本明細書は、高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフを表示する表示部と、
前記グラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標または原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算し、予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えるかを判断する分析部と、
計算された回帰式の説明力(R)の値が予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えると、計算された回帰式の説明力(R)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出する第1算出部とを含むことを特徴とする高分子側鎖の分析装置を提供する。
前記分析部は、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を初期値(A1)に設定し、
測定されたグラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算し、前記初期値(A1)より大きいかを判断し、
計算された回帰式の説明力(R)の値が前記初期値(A1)より大きければ、初期値(A1)を計算された回帰式の説明力(R)の値に代替することができる。
前記分析部は、前記グラフのうち、座標データの個数がNの時、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりkだけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算する第1計算部を含む。この時、前記kは整数で、1≦k<Nである。
前記分析部は、前記計算部で計算された回帰式の説明力(R)の値が予め設定された回帰式の説明力(R)の基準値を超えなければ、k/Nの値を計算し、予め設定された比率値と等しいか大きいかを判断する比較部を含むことができる。
前記分析部は、前記比較部で計算されたk/Nの値が予め設定された比率値より小さければ、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりk+1だけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値を計算する第2計算部を含むことができる。
前記分析部は、前記比較部で計算されたk/Nの値が予め設定された比率値と等しいか大きければ、計算された回帰式の説明力(R)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出する第2算出部を含むことができる。
前記第1算出部で算出された回帰式の説明力(R)の値を補正する補正部をさらに含むことができる。
前記補正部は、前記第1算出部で算出された回帰式の説明力(R)の値と、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R)の値との差が、予め設定された比較値と等しいか小さいかを判断する。
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明する。下記の実施例は本発明を説明するためのものであって、本発明の範囲は、下記の特許請求の範囲に記載された範囲およびその置換および変更を含み、実施例の範囲に限定されない。
<実施例>
<試験例>
(1)誤差の推定による妥当性の検証(回帰式の説明力(R)が0.9858)
図5に示されたグラフは、回帰式の説明力(R)が0.9858であり、最大直線区間を示す臨界点はLog(Mw)=6.0のグラフである。
前記グラフに対して、本発明にかかる高分子側鎖の分析方法によりLog(Mw)の最大値を減少させて回帰式の説明力(R)を測定した結果は、図6に示されており、図から明らかなように、Log(Mw)の最大値を減少させると、全体区間の線形性の増加によって回帰式の説明力(R)がますます増加する。そうしてLog(Mw)=6.0に至るにつれ、回帰式の説明力(R)が1.0となり、それ以降は1.0の値にとどまる。
すなわち、最大直線区間を示す臨界点のLog(Mw)=6.0で最大の回帰式の説明力(R)を有する。
したがって、本発明にかかる高分子側鎖の分析方法により求められた最大直線区間を示す臨界点を正確に探したことが分かる。
(2)誤差の推定による妥当性の検証(回帰式の説明力(R)が0.9990)
図3に示されたグラフは、回帰式の説明力(R)が0.9990であり、最大直線区間を示す臨界点はLog(Mw)=6.0のグラフである。前記グラフに対して、本発明にかかる高分子側鎖の分析方法によりLog(Mw)の最大値を減少させて回帰式の説明力(R)を測定した結果は、図7に示されており、求められた最大直線区間を示す臨界点はLog(Mw)=6.1である。
これは、相対誤差(relative error)が1.7%と比較的少ない誤差範囲で正確度の高い臨界点を求めることができた。
(3)誤差の推定による妥当性の検証
前記(1)および(2)のような実験を、回帰式の説明力(R)が0.9898、0.9933、0.9958、0.9978および0.9998に対しても実施し、回帰式の説明力(R)に対する相対誤差のグラフを、図8に示した。
回帰式の説明力(R)が0.9958の地点までは、相対誤差が0%と正確に最大線形区間に対する臨界点を計算できることが分かる。また、回帰式の説明力(R)が0.9958を超える場合には、相対誤差が発生しはじめ、ほぼ線形(回帰式の説明力(R)=0.9998)になると、相対誤差が最大5%となる。
このように、全体区間がほぼ線形の場合にも、最大5%の相対誤差の範囲内で正確に最大線形区間に対する臨界点を計算できることが分かる。

Claims (17)

  1. 高分子側鎖の分析方法であって、
    1)高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフを表示するステップと、
    2)前記グラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標または原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算し、予め設定された回帰式の説明力(R2)の基準値を超えるかを判断するステップと、
    3)計算された回帰式の説明力(R2)の値が予め設定された回帰式の説明力(R2)の基準値を超えると、計算された回帰式の説明力(R2)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出するステップとを含んでなることを特徴とする、高分子側鎖の分析方法。
  2. 前記ステップ2)が、
    原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を初期値(A1)に設定するステップと、
    測定されたグラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算し、前記初期値(A1)より大きいかを判断するステップと、
    計算された回帰式の説明力(R2)の値が前記初期値(A1)より大きければ、初期値(A1)を計算された回帰式の説明力(R2)の値に代替するステップとを含むことを特徴とする、請求項1に記載の高分子側鎖の分析方法。
  3. 前記ステップ2)が、前記グラフのうち、座標データの個数がNの時、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりk〔前記kは整数で、1≦k<Nである〕だけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算するステップを含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の高分子側鎖の分析方法。
  4. 前記ステップ2)で計算された回帰式の説明力(R2)の値が予め設定された回帰式の説明力(R2)の基準値を超えなければ、k/Nの値を計算し、予め設定された比率値と等しいか大きいかを判断するステップを含むことを特徴とする、請求項3に記載の高分子側鎖の分析方法。
  5. 前記計算されたk/Nの値が予め設定された比率値より小さければ、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりk+1だけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算するステップを含むことを特徴とする、請求項4に記載の高分子側鎖の分析方法。
  6. 前記計算されたk/Nの値が予め設定された比率値と等しいか大きければ、計算された回帰式の説明力(R2)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出するステップを含むことを特徴とする、請求項4に記載の高分子側鎖の分析方法。
  7. 前記ステップ3)で算出された回帰式の説明力(R2)の値を、回帰分析法を用いて補正するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1〜の何れか一項に記載の高分子側鎖の分析方法。
  8. 前記補正するステップが、前記ステップ3)で算出された回帰式の説明力(R2)の値と、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値との差が、予め設定された比較値と等しいか小さいかを判断するステップを含むことを特徴とする、請求項7に記載の高分子側鎖の分析方法。
  9. 請求項1〜8の何れか一項に記載の方法を実行するためのプログラムが記録された、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
  10. 高分子側鎖の分析装置であって、
    高分子の分子量と粘度に対するログスケール(log scale)グラフを表示する表示部と、
    前記グラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標または原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算し、予め設定された回帰式の説明力(R2)の基準値を超えるかを判断する分析部と、 計算された回帰式の説明力(R2)の値が予め設定された回帰式の説明力(R2)の基準値を超えると、計算された回帰式の説明力(R2)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出する第1算出部とを含むことを特徴とする、高分子側鎖の分析装置。
  11. 前記分析部が、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を初期値(A1)に設定し、
    測定されたグラフの総座標のうち、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算し、前記初期値(A1)より大きいかを判断し、
    計算された回帰式の説明力(R2)の値が前記初期値(A1)より大きければ、初期値(A1)を計算された回帰式の説明力(R2)の値に代替することを特徴とする、請求項10に記載の高分子側鎖の分析装置。
  12. 前記分析部が、前記グラフのうち、座標データの個数がNの時、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりk〔前記kは整数であり、1≦k<Nである〕だけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算する第1計算部を含みことを特徴とする、請求項10又は11に記載の高分子側鎖の分析装置。
  13. 前記分析部が、前記計算部で計算された回帰式の説明力(R2)の値が予め設定された回帰式の説明力(R2)の基準値を超えなければ、k/Nの値を計算し、予め設定された比率値と等しいか大きいかを判断する比較部を含むことを特徴とする、請求項12に記載の高分子側鎖の分析装置。
  14. 前記分析部が、前記比較部で計算されたk/Nの値が予め設定された比率値より小さければ、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標よりk+1だけ原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値を計算する第2計算部を含むことを特徴とする、請求項13に記載の高分子側鎖の分析装置。
  15. 前記分析部が、前記比較部で計算されたk/Nの値が予め設定された比率値と等しいか大きければ、計算された回帰式の説明力(R2)の値を用いて最大直線区間を示す臨界点として算出する第2算出部を含むことを特徴とする、請求項13に記載の高分子側鎖の分析装置。
  16. 前記第1算出部で算出された回帰式の説明力(R2)の値を補正する補正部をさらに含むことを特徴とする、請求項10〜15の何れか一項に記載の高分子側鎖の分析装置。
  17. 前記補正部が、前記第1算出部で算出された回帰式の説明力(R2)の値と、原点に最も近い座標と、原点から最も遠い座標より原点により近い座標との間の回帰式の説明力(R2)の値との差が、予め設定された比較値と等しいか小さいかを判断することを特徴とする、請求項16に記載の高分子側鎖の分析装置。
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