JP5832826B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

この発明は、処理液によって基板を処理する装置および方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate with a processing liquid. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photo Mask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates and the like are included.

特許文献1は、底面に多数の吐出孔を形成した筒状体の一次側開口に供給配管を接続し、その筒状体の二次側開口に排出配管を接続した構成の洗浄ヘッドを開示している。供給配管は、洗浄液供給源に接続され、その経路途中には圧送ポンプが介装されている。排出配管の経路途中にはバルブ(以下「二次側バルブ」という。)が介装されている。圧送ポンプは常時連続運転され、洗浄ヘッドが退避位置で待機しているとき、退避位置から基板上の洗浄位置に移動しているとき、および洗浄液を基板に供給すべきときのいずれにおいても、洗浄ヘッドに洗浄液が給送されている(特許文献1の段落0046)。基板に洗浄液を供給して洗浄処理を行うときは、二次側バルブが閉止される。これにより、筒状体内部の洗浄液の液圧が上昇し、それによって、吐出孔から洗浄液が吐出される。   Patent Document 1 discloses a cleaning head having a configuration in which a supply pipe is connected to a primary side opening of a cylindrical body in which a large number of discharge holes are formed on the bottom surface, and a discharge pipe is connected to a secondary side opening of the cylindrical body. ing. The supply pipe is connected to a cleaning liquid supply source, and a pressure pump is interposed in the path. A valve (hereinafter referred to as “secondary valve”) is provided in the middle of the discharge pipe. The pump is continuously operated at all times, cleaning the cleaning head when it is waiting at the retracted position, moving from the retracted position to the cleaning position on the substrate, and when the cleaning liquid should be supplied to the substrate. A cleaning liquid is fed to the head (paragraph 0046 of Patent Document 1). When the cleaning liquid is supplied to the substrate and the cleaning process is performed, the secondary side valve is closed. Thereby, the liquid pressure of the cleaning liquid inside the cylindrical body is increased, and thereby the cleaning liquid is discharged from the discharge hole.

特開2011−29315号公報JP 2011-29315 A

特許文献1には、二次側バルブが開かれているときは、筒状体の内部に送給された洗浄液はそのまま排出配管から装置外部に排出される、と説明されている。
しかし、実際には、圧送ポンプから洗浄液が送給されているとき、吐出孔から全く洗浄液が出ないわけではなく、筒状体の内部の液圧および重力によって、少量の洗浄液が吐出孔から漏れ落ちることは避けられない。したがって、洗浄ヘッドを退避位置から洗浄位置に移動するとき、および洗浄ヘッドを洗浄位置から退避位置に移動するときに、基板上に洗浄液が落下して、基板処理品質を悪化させるおそれがある。
Patent Document 1 describes that when the secondary side valve is opened, the cleaning liquid fed into the cylindrical body is directly discharged from the discharge pipe to the outside of the apparatus.
However, in reality, when the cleaning liquid is being supplied from the pressure pump, the cleaning liquid does not come out from the discharge hole at all, and a small amount of cleaning liquid leaks from the discharge hole due to the liquid pressure and gravity inside the cylindrical body. It is inevitable to fall. Therefore, when the cleaning head is moved from the retracted position to the cleaning position, and when the cleaning head is moved from the cleaning position to the retracted position, the cleaning liquid may fall on the substrate, thereby deteriorating the substrate processing quality.

この問題は、供給配管の経路途中にバルブ(以下「一次側バルブ」という。)を設け、洗浄液を吐出しないときには、その一次側バルブを閉じておくことによって解決できる。一次側バルブを閉じると、圧送ポンプから送られてくる洗浄液の行き先がなくなり、供給配管内の圧力が過大になるおそれがある。したがって、一次側バルブを閉じるときには、圧送ポンプの運転を停止しなければならない。   This problem can be solved by providing a valve (hereinafter referred to as “primary side valve”) in the course of the supply piping and closing the primary side valve when the cleaning liquid is not discharged. If the primary side valve is closed, there is no destination of the cleaning liquid sent from the pressure pump, and the pressure in the supply pipe may be excessive. Therefore, when closing the primary side valve, the operation of the pressure pump must be stopped.

ところが、このような構成では、基板処理に要する時間が長くなり、生産性が悪化するという別の問題が生じる。すなわち、洗浄ヘッドを基板上の洗浄位置まで移動させた後に、一次側バルブを開き、二次側バルブを閉じて、圧送ポンプの運転を開始することになるから、筒状体の内部の液圧が上昇するまで、吐出孔からの液吐出が始まらない。すなわち、液吐出前の準備時間(圧込め時間。たとえば2秒程度)が必要になる。さらに、洗浄ヘッドによる処理を終えて、洗浄ヘッドを退避位置に戻すときには、その前に、圧送ポンプの運転を停止し、二次側バルブを開き、一次側バルブを閉じて、筒状体の内部の液圧が下降するまで待機しなければならない。すなわち、処理終了後の後処理時間(圧抜き時間。たとえば15秒程度)が必要になる。したがって、洗浄ヘッドから洗浄液を吐出する実際の洗浄処理時間に加えて、圧込め時間および圧抜き時間が必要であるので、基板処理時間が長くなり、生産性が悪化してしまう。   However, such a configuration causes another problem that the time required for substrate processing becomes long and productivity deteriorates. That is, after the cleaning head is moved to the cleaning position on the substrate, the primary side valve is opened, the secondary side valve is closed, and the operation of the pressure feed pump is started. The liquid discharge from the discharge hole does not start until the rise. That is, preparation time (pressing time, for example, about 2 seconds) before liquid discharge is required. Furthermore, when the cleaning head is finished and the cleaning head is returned to the retracted position, the operation of the pressure pump is stopped, the secondary valve is opened, the primary valve is closed, and the interior of the cylindrical body is closed. You must wait until the fluid pressure drops. That is, post-processing time after completion of processing (pressure release time, for example, about 15 seconds) is required. Therefore, in addition to the actual cleaning processing time for discharging the cleaning liquid from the cleaning head, the pressing time and the pressure releasing time are required, so that the substrate processing time becomes long and the productivity deteriorates.

そこで、この発明の目的は、基板上への処理液の落下を回避でき、かつすぐれた生産性を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of avoiding the dropping of the processing liquid onto the substrate and realizing excellent productivity.

上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、処理液によって基板を処理する第1処理ユニットおよび第2処理ユニットを有する基板処理装置であって、処理液を加圧して送り出すポンプと、前記ポンプに接続された処理液供給路と、前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと、前記第1ノズルに接続された第1排液路と、前記第2ノズルに接続された第2排液路と、前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、前記第2排液路に介装された第2二次側バルブと、前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開く制御手段とを含む、基板処理装置である。 The invention described in claim 1 for achieving the above object is a substrate processing apparatus having a first processing unit and a second processing unit for processing a substrate with a processing liquid, wherein the pump is configured to pressurize and send the processing liquid. A treatment liquid supply path connected to the pump; a first branch path branched from the treatment liquid supply path; a second branch path branched from the treatment liquid supply path; and the first branch path; A first nozzle disposed in the first processing unit, a second nozzle connected to the second branch path and disposed in the second processing unit, and a first primary interposed in the first branch path A side valve, a second primary valve interposed in the second branch path, a first drain path connected to the first nozzle, and a second drain path connected to the second nozzle , A first secondary valve interposed in the first drainage passage, A second secondary side valve interposed in 2 drains, when closing the first primary valve, while maintaining the pump driving state, the second primary valve and the second secondary And a control means for opening the side valve .

この構成によれば、第1一次側バルブが開かれているとき、ポンプから加圧して送り出された処理液は、第1処理ユニットに配置された第1ノズルに供給される。また、第2一次側バルブが開かれているとき、ポンプから加圧して送り出された処理液は、第2処理ユニットに配置された第2ノズルに供給される。したがって、第1一次側バルブおよび第2一次側バルブの一方を選択して開くことによって、一つのポンプを第1および第2処理ユニットでの処理に共用できるから、構成が簡単になり、基板処理装置のコストを削減できる。そして、第1一次側バルブを閉じるときには、第2一次側バルブが開かれ、ポンプは駆動状態に保持される。よって、第1ノズルからの処理液吐出がただちに停止される一方で、第2ノズルからは、必要に応じて速やかに処理液を吐出させることができる。つまり、ポンプが駆動状態に保持されるので、圧込め時間および圧抜き時間をいずれも解消できるから、第1および第2処理ユニットにおける基板処理時間を短縮して、基板処理の生産性を向上できる。しかも、第1一次側バルブを閉じるとき、第2一次側バルブが開かれるので、処理液供給路等で液圧が過大になるおそれもない。また、第1一次側バルブを閉じることによって、第1ノズルから処理液が出なくなるから、第1ノズルから基板上への処理液の落下を回避できる。このように、この発明により、基板上への処理液の落下を回避しつつ優れた生産性を実現でき、併せて、構成の簡素化およびコストの削減も可能な基板処理装置を提供できる。   According to this configuration, when the first primary side valve is opened, the processing liquid pressurized and sent out from the pump is supplied to the first nozzle disposed in the first processing unit. Further, when the second primary side valve is opened, the processing liquid pressurized and sent out from the pump is supplied to the second nozzle disposed in the second processing unit. Accordingly, by selecting and opening one of the first primary side valve and the second primary side valve, one pump can be shared for processing in the first and second processing units, so that the configuration is simplified and the substrate processing is performed. The cost of the apparatus can be reduced. When the first primary side valve is closed, the second primary side valve is opened, and the pump is held in the driving state. Therefore, while the processing liquid discharge from the first nozzle is immediately stopped, the processing liquid can be quickly discharged from the second nozzle as necessary. That is, since the pump is held in the drive state, both the press-in time and the pressure-release time can be eliminated, so that the substrate processing time in the first and second processing units can be shortened and the substrate processing productivity can be improved. . In addition, when the first primary side valve is closed, the second primary side valve is opened, so there is no possibility that the liquid pressure becomes excessive in the processing liquid supply path or the like. Further, by closing the first primary side valve, the processing liquid does not come out from the first nozzle, so that it is possible to avoid the processing liquid from dropping from the first nozzle onto the substrate. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of realizing excellent productivity while avoiding the dropping of the processing liquid onto the substrate, and also capable of simplifying the configuration and reducing the cost.

さらに、この発明では、第1一次側バルブを閉じるとき、第2一次側バルブおよび第2二次側バルブが開かれる。これにより、ポンプから送り出された処理液は、処理液供給路から第2分岐路に向かい、第2ノズルを通って第2排液路へと排出される。したがって、ポンプを駆動状態に保持したまま、配管内の圧力上昇を回避しつつ、第1一次側バルブを閉じて、第1ノズルから処理液が漏れ出ることを防止できる。第2二次側バルブが開かれるので、第2ノズル内の圧力が高まらないから、第2ノズルからは処理液が吐出されない。ただし、多少の処理液が漏出するおそれがあるので、第2ノズルは基板上から退避させておくことが好ましい。 Further, in the present invention, when the first primary side valve is closed, the second primary side valve and the second secondary side valve are opened. Thereby, the processing liquid sent out from the pump goes to the second branch path from the processing liquid supply path, and is discharged to the second drain path through the second nozzle. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid from leaking from the first nozzle by closing the first primary valve while avoiding a pressure increase in the pipe while keeping the pump in a driving state. Since the second secondary valve is opened, the pressure in the second nozzle does not increase, so that the processing liquid is not discharged from the second nozzle. However, it is preferable that the second nozzle is retracted from the substrate because some processing liquid may leak out.

請求項記載の発明は、前記第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第1ノズル移動機構をさらに含み、前記制御手段は、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じる、請求項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させるときに第1一次側バルブが閉じられるので、第1ノズルから処理液が漏出しない。したがって、基板上に不用意に処理液が落下することを回避できるので、基板処理品質を向上できる。しかも、ポンプは駆動状態に保持されるから、退避位置から処理位置まで移動させた後は、第1一次側バルブを開けば、ただちに第1ノズルから処理液の吐出を開始できる。したがって、基板処理に要する時間を短縮して、生産性を向上できる。
The invention according to claim 2 further includes a first nozzle moving mechanism for moving the first nozzle between a retracted position and a processing position, and the control means is configured such that the first nozzle moving mechanism causes the first nozzle to move. when moving between said processing position and said retracted position, closes the first primary side valve, a substrate processing apparatus according to claim 1.
According to this configuration, since the first primary valve is closed when the first nozzle is moved between the retracted position and the processing position, the processing liquid does not leak from the first nozzle. Accordingly, it is possible to prevent the processing liquid from inadvertently dropping on the substrate, so that the substrate processing quality can be improved. Moreover, since the pump is held in the drive state, after the first primary side valve is opened after the movement from the retracted position to the processing position, the discharge of the processing liquid from the first nozzle can be started immediately. Therefore, the time required for substrate processing can be shortened and productivity can be improved.

前記制御手段は、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記処理位置から前記退避位置に移動させるときも、前記第1一次側バルブを閉じることが好ましい。これにより、処理後の基板上に処理液が不用意に落下することを回避できる。
請求項記載の発明は、前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有している、請求項またはに記載の基板処理装置である。
The control means preferably closes the first primary valve also when the first nozzle moving mechanism moves the first nozzle from the processing position to the retracted position. Thereby, it can avoid that a process liquid falls carelessly on the board | substrate after a process.
According to a third aspect of the present invention, the first nozzle includes a first primary side opening connected to the first branch passage, a first secondary side opening connected to the first drainage passage, and a plurality of first openings. A first treatment liquid head having a hollow first nozzle body formed with a discharge hole and discharging a droplet of a treatment liquid from the plurality of first discharge holes; and the second nozzle A hollow second nozzle in which a second primary side opening connected to the second branch path, a second secondary side opening connected to the second drainage path, and a plurality of second discharge holes are formed. has a body, has the form of a second treatment liquid head which ejects droplets of the treatment liquid from the plurality of second discharge holes, a substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.

この構成によれば、第1および第2ノズルは、中空のノズル本体に対して一次側開口から処理液が導入され、二次側開口から処理液が排出されるとともに、ノズル本体に形成された複数の吐出孔から処理液の液滴を吐出する処理液ヘッドの形態を有している。したがって、二次側バルブを閉じた状態で一次側バルブを開くと、ノズル本体の内部空間における液圧が高まり、吐出孔から処理液の液滴が吐出される。一次側バルブおよび二次側バルブの両方を開くと、ノズル本体内における液圧が高まらないので、一次側開口から供給された処理液はノズル本体の内部を通過して二次側開口へと流出し、吐出孔からは処理液が吐出されない。ただし、処理液が漏れ出る可能性があるので、一次側バルブおよび二次側バルブの両方を開くときには、基板上から退避した位置にノズルを配置しておくことが好ましい。この発明では、第1一次側バルブを閉じるときには、第2一次側バルブおよび第2二次側バルブが開かれるので、第1ノズルからは処理液が吐出されず、第2ノズルからは吐出孔から処理液がわずかに漏れ出る程度となる。第2ノズルでは、一次側および二次側のバルブがいずれも開かれるので、配管内における過大な液圧上昇は生じない。したがって、第1および第2ノズルの両方を処理液が吐出しない状態としつつ、ポンプの駆動状態を保持できる。このとき、第1ノズルが基板上に配置されたり、基板上で移動されたりしても、第1ノズルから基板上に処理液が落下したりしない。   According to this configuration, the first and second nozzles are formed in the nozzle body while the processing liquid is introduced into the hollow nozzle body from the primary side opening and the processing liquid is discharged from the secondary side opening. It has a form of a processing liquid head that discharges droplets of processing liquid from a plurality of discharge holes. Therefore, when the primary side valve is opened while the secondary side valve is closed, the liquid pressure in the internal space of the nozzle body is increased, and droplets of the processing liquid are discharged from the discharge holes. When both the primary side valve and the secondary side valve are opened, the liquid pressure in the nozzle body does not increase, so the processing liquid supplied from the primary side opening passes through the nozzle body and flows out to the secondary side opening. However, the processing liquid is not discharged from the discharge holes. However, since the processing liquid may leak out, it is preferable to arrange the nozzle at a position retracted from the substrate when both the primary side valve and the secondary side valve are opened. In the present invention, when the first primary valve is closed, the second primary valve and the second secondary valve are opened, so that the processing liquid is not discharged from the first nozzle and from the discharge hole from the second nozzle. The processing liquid will leak slightly. In the second nozzle, since both the primary side valve and the secondary side valve are opened, an excessive increase in the hydraulic pressure in the pipe does not occur. Therefore, the pump drive state can be maintained while the processing liquid is not discharged from both the first and second nozzles. At this time, even if the first nozzle is disposed on the substrate or moved on the substrate, the processing liquid does not drop from the first nozzle onto the substrate.

請求項記載の発明は、処理液によって基板を処理する第1処理ユニット、第2処理ユニットおよび第3処理ユニットを有する基板処理装置であって、処理液を加圧して送り出すポンプと、前記ポンプに接続された処理液供給路と、前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、前記処理液供給路から分岐した第3分岐路と、前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、前記第3分岐路に接続され、前記第3処理ユニットに配置された第3ノズルと、前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと、前記第3分岐路に介装された第3一次側バルブと、前記第1ノズルに接続された第1排液路と、前記第2ノズルに接続された第2排液路と、前記第3ノズルに接続された第3排液路と、前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、前記第2排液路に介装された第2二次側バルブと、前記第3排液路に介装された第3二次側バルブと、前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開く制御手段とを含む、基板処理装置である。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a first processing unit, a second processing unit, and a third processing unit for processing a substrate with a processing liquid, wherein the pump is configured to pressurize and send the processing liquid; , A first branch path branched from the processing liquid supply path, a second branch path branched from the processing liquid supply path, and a third branch path branched from the processing liquid supply path A first nozzle connected to the first branch path and disposed in the first processing unit; a second nozzle connected to the second branch path and disposed in the second processing unit; A third nozzle connected to the three branch path and disposed in the third processing unit, a first primary valve interposed in the first branch path, and a second nozzle interposed in the second branch path A primary valve and the third branch. A third primary-side valve, said a first drainage path connected to the first nozzle, the second drain path connected to the second nozzle, third drains connected to said third nozzle A first secondary valve interposed in the first drainage path, a second secondary valve interposed in the second drainage path, and a third drainage path. When the third secondary valve and the first primary valve are closed, the second primary valve and the second secondary valve, or the third primary are kept while the pump is kept in the driving state. A substrate processing apparatus including a side valve and control means for opening the third secondary valve .

この構成によれば、第1一次側バルブが開かれているとき、ポンプから加圧して送り出された処理液は、第1処理ユニットに配置された第1ノズルに供給される。また、第2一次側バルブが開かれているとき、ポンプから加圧して送り出された処理液は、第2処理ユニットに配置された第2ノズルに供給される。そして、第3一次側バルブが開かれているとき、ポンプから加圧して送り出された処理液は、第3処理ユニットに配置された第3ノズルに供給される。したがって、第1一次側バルブ、第2一次側バルブおよび第3一次側バルブのいずれか一つを選択して開くことによって、一つのポンプを第1、第2および第3処理ユニットでの処理に共用できるから、構成が簡単になり、基板処理装置のコストを削減できる。そして、第1一次側バルブを閉じるときには、第2一次側バルブまたは第3一次側バルブが開かれ、ポンプは駆動状態に保持される。よって、第1ノズルからの処理液吐出がただちに停止される一方で、第2ノズルまたは第3ノズルからは、必要に応じて速やかに処理液を吐出させることができる。つまり、ポンプが駆動状態に保持されるので、圧込め時間および圧抜き時間をいずれも解消できるから、第1、第2および第3処理ユニットにおける基板処理時間を短縮して、基板処理の生産性を向上できる。しかも、第1一次側バルブを閉じるとき、第2一次側バルブまたは第3一次側バルブが開かれるので、処理液供給路等で液圧が過大になるおそれもない。また、第1一次側バルブを閉じることによって、第1ノズルから処理液が出なくなるから、第1ノズルから基板上への処理液の落下を回避できる。このように、この発明により、基板上への処理液の落下を回避しつつ優れた生産性を実現でき、併せて、構成の簡素化およびコストの削減も可能な基板処理装置を提供できる。   According to this configuration, when the first primary side valve is opened, the processing liquid pressurized and sent out from the pump is supplied to the first nozzle disposed in the first processing unit. Further, when the second primary side valve is opened, the processing liquid pressurized and sent out from the pump is supplied to the second nozzle disposed in the second processing unit. And when the 3rd primary side valve is opened, the processing liquid pressurized and sent out from the pump is supplied to the 3rd nozzle arranged at the 3rd processing unit. Accordingly, by selecting and opening any one of the first primary side valve, the second primary side valve, and the third primary side valve, one pump can be processed in the first, second, and third processing units. Since it can be shared, the configuration is simplified and the cost of the substrate processing apparatus can be reduced. When the first primary side valve is closed, the second primary side valve or the third primary side valve is opened, and the pump is held in the driving state. Therefore, while the processing liquid discharge from the first nozzle is immediately stopped, the processing liquid can be quickly discharged from the second nozzle or the third nozzle as necessary. That is, since the pump is held in the driving state, both the press-in time and the pressure-release time can be eliminated. Therefore, the substrate processing time in the first, second, and third processing units is shortened, and the substrate processing productivity is reduced. Can be improved. Moreover, when the first primary side valve is closed, the second primary side valve or the third primary side valve is opened, so that there is no possibility that the liquid pressure becomes excessive in the processing liquid supply path or the like. Further, by closing the first primary side valve, the processing liquid does not come out from the first nozzle, so that it is possible to avoid the processing liquid from dropping from the first nozzle onto the substrate. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of realizing excellent productivity while avoiding the dropping of the processing liquid onto the substrate, and also capable of simplifying the configuration and reducing the cost.

また、この発明では、第1一次側バルブを閉じるとき、第2一次側バルブおよび第2二次側バルブの組、または第3一次側バルブおよび第3二次側バルブの組が開かれる。これらの組のいずれか一方の組のバルブが開かれてもよく、またそれらの両方の組のバルブが開かれてもよい。第1一次側バルブを閉じると、ポンプから送り出された処理液は、処理液供給路から第2または第3分岐路に向かい、第2または第3ノズルを通って第2または第3排液路へと排出される。したがって、ポンプを駆動状態に保持したまま、配管内の圧力上昇を回避しつつ、第1一次側バルブを閉じて、第1ノズルから処理液が漏れ出ることを防止できる。第2一次側バルブおよび第2二次側バルブの組、または第3一次側バルブおよび第3二次側バルブの組が開かれるので、第2ノズル内および第3ノズル内のいずれにおいても圧力が高まらないから、第2ノズルおよび第3ノズルのいずれからも処理液が吐出されない。ただし、多少の処理液が漏出するおそれがあるので、第2ノズルおよび第3ノズルのうち、一次側バルブを開いたノズルについては、基板上から退避させておくことが好ましい。
請求項記載の発明は、前記制御手段が、前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第3一次側バルブを開く、請求項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第2一次側バルブを閉じるときには、第1一次側バルブまたは第3一次側バルブが開かれ、ポンプは駆動状態に保持される。よって、第2ノズルからの処理液吐出がただちに停止される一方で、第1ノズルまたは第3ノズルからは、必要に応じて速やかに処理液を吐出させることができる。これにより、基板処理の生産性を向上できる。しかも、第2一次側バルブを閉じるとき、第1一次側バルブまたは第3一次側バルブが開かれるので、処理液供給路等で液圧が過大になるおそれもない。また、第2一次側バルブを閉じることによって、第2ノズルから処理液が出なくなるから、第2ノズルから基板上への処理液の落下を回避できる。
In the present invention, when the first primary side valve is closed, the set of the second primary side valve and the second secondary side valve or the set of the third primary side valve and the third secondary side valve is opened. Either one of these sets of valves may be opened, or both sets of valves may be opened. When the first primary side valve is closed, the processing liquid sent out from the pump goes from the processing liquid supply path to the second or third branch path, passes through the second or third nozzle, and the second or third drainage path. Is discharged. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid from leaking from the first nozzle by closing the first primary valve while avoiding a pressure increase in the pipe while keeping the pump in a driving state. Since the set of the second primary side valve and the second secondary side valve, or the set of the third primary side valve and the third secondary side valve is opened, pressure is applied in both the second nozzle and the third nozzle. Since the height is not increased, the processing liquid is not discharged from either the second nozzle or the third nozzle. However, since some processing liquid may leak, it is preferable that the nozzles of the second nozzle and the third nozzle that open the primary side valve are retracted from the substrate.
The invention according to claim 5 opens the first primary valve or the third primary valve while holding the pump in the driving state when the control means closes the second primary valve. A substrate processing apparatus according to claim 4 .
According to this configuration, when the second primary side valve is closed, the first primary side valve or the third primary side valve is opened, and the pump is held in the driving state. Therefore, while the processing liquid discharge from the second nozzle is immediately stopped, the processing liquid can be discharged quickly from the first nozzle or the third nozzle as necessary. Thereby, productivity of substrate processing can be improved. In addition, when the second primary side valve is closed, the first primary side valve or the third primary side valve is opened, so there is no possibility that the liquid pressure becomes excessive in the processing liquid supply path or the like. Further, by closing the second primary side valve, the processing liquid does not come out from the second nozzle, so that the processing liquid can be prevented from dropping from the second nozzle onto the substrate.

請求項記載の発明は、前記制御手段が、前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第2一次側バルブを開く、請求項またはに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第3一次側バルブを閉じるときには、第1一次側バルブまたは第2一次側バルブが開かれ、ポンプは駆動状態に保持される。よって、第3ノズルからの処理液吐出がただちに停止される一方で、第1ノズルまたは第2ノズルからは、必要に応じて速やかに処理液を吐出させることができる。これにより、基板処理の生産性を向上できる。しかも、第3一次側バルブを閉じるとき、第1一次側バルブまたは第2一次側バルブが開かれるので、処理液供給路等で液圧が過大になるおそれもない。また、第3一次側バルブを閉じることによって、第3ノズルから処理液が出なくなるから、第3ノズルから基板上への処理液の落下を回避できる。
According to a sixth aspect of the present invention, when the control means closes the third primary side valve, the first primary side valve or the second primary side valve is opened while the pump is kept in a driving state. A substrate processing apparatus according to claim 4 or 5 .
According to this configuration, when the third primary side valve is closed, the first primary side valve or the second primary side valve is opened, and the pump is held in the driving state. Accordingly, the discharge of the processing liquid from the third nozzle is immediately stopped, while the processing liquid can be quickly discharged from the first nozzle or the second nozzle as necessary. Thereby, productivity of substrate processing can be improved. In addition, when the third primary side valve is closed, the first primary side valve or the second primary side valve is opened, so there is no possibility that the liquid pressure becomes excessive in the processing liquid supply path or the like. Further, by closing the third primary side valve, the processing liquid does not come out from the third nozzle, so that the processing liquid can be prevented from dropping from the third nozzle onto the substrate.

請求項記載の発明は、前記制御手段が、前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開く、請求項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第2一次側バルブを閉じるとき、第1一次側バルブおよび第1二次側バルブの組、または第3一次側バルブおよび第3二次側バルブの組が開かれる。これらの組のいずれか一方の組のバルブが開かれてもよく、またそれらの両方の組のバルブが開かれてもよい。第2一次側バルブを閉じると、ポンプから送り出された処理液は、処理液供給路から第1または第3分岐路に向かい、第1または第3ノズルを通って第1または第3排液路へと排出される。したがって、ポンプを駆動状態に保持したまま、配管内の圧力上昇を回避しつつ、第2一次側バルブを閉じて、第2ノズルから処理液が漏れ出ることを防止できる。第1一次側バルブおよび第1二次側バルブの組、または第3一次側バルブおよび第3二次側バルブの組が開かれるので、第1ノズル内および第3ノズル内のいずれにおいても圧力が高まらないから、第1ノズルおよび第3ノズルのいずれからも処理液が吐出されない。ただし、多少の処理液が漏出するおそれがあるので、第1ノズルおよび第3ノズルのうち、一次側バルブを開いたノズルについては、基板上から退避させておくことが好ましい。
According to a seventh aspect of the present invention, when the control means closes the second primary valve, the first primary valve and the first secondary valve, or The substrate processing apparatus according to claim 4 , wherein the third primary side valve and the third secondary side valve are opened.
According to this configuration, when the second primary side valve is closed, the set of the first primary side valve and the first secondary side valve or the set of the third primary side valve and the third secondary side valve is opened. Either one of these sets of valves may be opened, or both sets of valves may be opened. When the second primary side valve is closed, the processing liquid sent out from the pump goes from the processing liquid supply path to the first or third branch path, passes through the first or third nozzle, and the first or third drainage path. Is discharged. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid from leaking from the second nozzle by closing the second primary valve while avoiding an increase in pressure in the pipe while keeping the pump in a driving state. Since the first primary side valve and the first secondary side valve group or the third primary side valve and the third secondary side valve group is opened, pressure is applied in both the first nozzle and the third nozzle. Since the height is not increased, the processing liquid is not discharged from either the first nozzle or the third nozzle. However, since some of the processing liquid may leak, it is preferable that the nozzle that opens the primary side valve among the first nozzle and the third nozzle is retracted from the substrate.

請求項記載の発明は、前記制御手段が、前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開く、請求項またはに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第3一次側バルブを閉じるとき、第1一次側バルブおよび第1二次側バルブの組、または第2一次側バルブおよび第2二次側バルブの組が開かれる。これらの組のいずれか一方の組のバルブが開かれてもよく、またそれらの両方の組のバルブが開かれてもよい。第3一次側バルブを閉じると、ポンプから送り出された処理液は、処理液供給路から第1または第2分岐路に向かい、第1または第2ノズルを通って第1または第2排液路へと排出される。したがって、ポンプを駆動状態に保持したまま、配管内の圧力上昇を回避しつつ、第3一次側バルブを閉じて、第3ノズルから処理液が漏れ出ることを防止できる。第1一次側バルブおよび第1二次側バルブの組、または第2一次側バルブおよび第2二次側バルブの組が開かれるので、第1ノズル内および第2ノズル内のいずれにおいても圧力が高まらないから、第1ノズルおよび第2ノズルのいずれからも処理液が吐出されない。ただし、多少の処理液が漏出するおそれがあるので、第1ノズルおよび第2ノズルのうち、一次側バルブを開いたノズルについては、基板上から退避させておくことが好ましい。
According to an eighth aspect of the present invention, when the control means closes the third primary side valve, the first primary side valve and the first secondary side valve or opening said second primary-side valve and said second secondary side valve, a substrate processing apparatus according to claim 4 or 7.
According to this configuration, when the third primary side valve is closed, the set of the first primary side valve and the first secondary side valve or the set of the second primary side valve and the second secondary side valve is opened. Either one of these sets of valves may be opened, or both sets of valves may be opened. When the third primary side valve is closed, the processing liquid sent out from the pump is directed from the processing liquid supply path to the first or second branch path, and passes through the first or second nozzle to the first or second drainage path. Is discharged. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid from leaking from the third nozzle by closing the third primary side valve while avoiding a pressure increase in the pipe while keeping the pump in a driving state. Since the set of the first primary side valve and the first secondary side valve or the set of the second primary side valve and the second secondary side valve is opened, pressure is applied in both the first nozzle and the second nozzle. Since the height does not increase, the processing liquid is not discharged from either the first nozzle or the second nozzle. However, since some of the processing liquid may leak, it is preferable that the nozzle that opens the primary side valve among the first nozzle and the second nozzle is retracted from the substrate.

請求項記載の発明は、前記第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第1ノズル移動機構と、前記第2ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第2ノズル移動機構と、前記第3ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第3ノズル移動機構とをさらに含み、前記制御手段が、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じ、前記第2ノズル移動機構が前記第2ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第2一次側バルブを閉じ、前記第3ノズル移動機構が前記第3ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第3一次側バルブを閉じる、請求項に係る請求項に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 9 is a first nozzle moving mechanism for moving the first nozzle between the retracted position and the processing position, and a second nozzle for moving the second nozzle between the retracted position and the processing position. A moving mechanism; and a third nozzle moving mechanism for moving the third nozzle between a retracted position and a processing position, wherein the control means causes the first nozzle moving mechanism to move the first nozzle to the retracted position. And when the second nozzle moving mechanism moves the second nozzle between the retracted position and the processing position, the first primary valve is closed. closing the second primary side valve, when said third nozzle moving mechanism moves the third nozzle between said processing position and said retracted position, closes the third primary valve, to claim 7 group of claim 8 according It is a processing apparatus.

この構成によれば、第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させるときに第1一次側バルブが閉じられるので、第1ノズルから処理液が漏出しない。したがって、基板上に不用意に処理液が落下することを回避できるので、基板処理品質を向上できる。しかも、ポンプは駆動状態に保持されるから、第1ノズルが処理位置に達した後は、第1一次側バルブを開けば、ただちに第1ノズルから処理液の吐出を開始できる。また、処理が終了した後は、ただちに第1一次側バルブを閉じて第1ノズルを退避位置に速やかに戻すことができる。同様に、第2ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させるときには、第2一次側バルブが閉じられるので、第2ノズルから処理液が漏出しない。したがって、基板上に不用意に処理液が落下することを回避できるので、基板処理品質を向上できる。しかも、ポンプは駆動状態に保持されるから、第2ノズルが処理位置に達した後は、第2一次側バルブを開けば、ただちに第2ノズルから処理液の吐出を開始できる。また、処理が終了した後は、直ちに第2一次側バルブを閉じて第2ノズルを退避位置に速やかに戻すことができる。さらに、第3ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させるときには、第3一次側バルブが閉じられるので、第3ノズルから処理液が漏出しない。したがって、基板上に不用意に処理液が落下することを回避できるので、基板処理品質を向上できる。しかも、ポンプは駆動状態に保持されるから、第3ノズルが処理位置に達した後は、第3一次側バルブを開けば、ただちに第3ノズルから処理液の吐出を開始できる。また、処理が終了した後は、ただちに第3一次側バルブを閉じて第3ノズルを退避位置に速やかに戻すことができる。このようにして、基板処理に要する時間を短縮して、生産性を向上できる。   According to this configuration, since the first primary valve is closed when the first nozzle is moved between the retracted position and the processing position, the processing liquid does not leak from the first nozzle. Accordingly, it is possible to prevent the processing liquid from inadvertently dropping on the substrate, so that the substrate processing quality can be improved. In addition, since the pump is maintained in the driving state, after the first nozzle reaches the processing position, the discharge of the processing liquid from the first nozzle can be started immediately by opening the first primary side valve. In addition, immediately after the process is completed, the first primary valve can be closed and the first nozzle can be quickly returned to the retracted position. Similarly, when the second nozzle is moved between the retracted position and the processing position, the second primary side valve is closed, so that the processing liquid does not leak from the second nozzle. Accordingly, it is possible to prevent the processing liquid from inadvertently dropping on the substrate, so that the substrate processing quality can be improved. In addition, since the pump is maintained in the driving state, after the second nozzle reaches the processing position, the discharge of the processing liquid from the second nozzle can be started immediately by opening the second primary side valve. Moreover, after the process is completed, the second primary valve can be immediately closed and the second nozzle can be quickly returned to the retracted position. Furthermore, when the third nozzle is moved between the retracted position and the processing position, the third primary side valve is closed, so that the processing liquid does not leak from the third nozzle. Accordingly, it is possible to prevent the processing liquid from inadvertently dropping on the substrate, so that the substrate processing quality can be improved. Moreover, since the pump is held in the drive state, after the third nozzle reaches the processing position, the discharge of the processing liquid from the third nozzle can be started immediately by opening the third primary side valve. In addition, immediately after the process is completed, the third primary valve can be closed and the third nozzle can be quickly returned to the retracted position. In this way, productivity required can be improved by shortening the time required for substrate processing.

請求項10記載の発明は、前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有しており、前記第3ノズルが、前記第3分岐路に接続された第3一次側開口と前記第3排液路に接続された第3二次側開口と複数の第3吐出孔とが形成された中空の第3ノズル本体を有し、前記複数の第3吐出孔から処理液の液滴を吐出する第3処理液ヘッドの形態を有している、請求項のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 According to a tenth aspect of the present invention, the first nozzle includes a first primary side opening connected to the first branch path, a first secondary side opening connected to the first drainage path, and a plurality of first nozzles. A first treatment liquid head having a hollow first nozzle body formed with a discharge hole and discharging a droplet of a treatment liquid from the plurality of first discharge holes; and the second nozzle A hollow second nozzle in which a second primary side opening connected to the second branch path, a second secondary side opening connected to the second drainage path, and a plurality of second discharge holes are formed. A second processing liquid head configured to discharge a droplet of the processing liquid from the plurality of second discharge holes, wherein the third nozzle is connected to the third branch path; 3 a hollow third nozzle body having a primary side opening, a third secondary side opening connected to the third drainage passage, and a plurality of third discharge holes. It has the form of a third treatment liquid head for ejecting the treatment liquid droplets from the plurality of third ejecting holes, a substrate processing apparatus according to any one of claims 4-9.

この構成によれば、第1、第2および第3ノズルは、中空のノズル本体に対して一次側開口から処理液が導入され、二次側開口から処理液が排出されるとともに、ノズル本体に形成された複数の吐出孔から処理液の液滴を吐出する処理液ヘッドの形態を有している。したがって、二次側バルブを閉じた状態で一次側バルブを開くと、ノズル本体の内部空間における液圧が高まり、吐出孔から処理液の液滴が吐出される。一次側バルブおよび二次側バルブの両方を開くと、ノズル本体内における液圧が高まらないので、一次側開口から供給された処理液はノズル本体の内部を通過して二次側開口へと流出し、吐出孔からは処理液が吐出されない。ただし、処理液が漏れ出る可能性があるので、一次側バルブおよび二次側バルブの両方を開くときには、基板上から退避した位置にノズルを配置しておくことが好ましい。この発明では、第1一次側バルブを閉じるときには、第2一次側バルブおよび第2二次側バルブの組、または第3一次側バルブおよび第3二次側バルブの組が開かれるので、第1ノズルからは処理液が吐出されず、一次側バルブが開かれた第2ノズルまたは第3ノズルからは吐出孔から処理液がわずかに漏れ出る程度となる。第2ノズルまたは第3ノズルに関して、一次側および二次側のバルブがいずれも開かれるので、配管内における過大な液圧上昇は生じない。したがって、第1、第2ノズルおよび第3ノズルのいずれからも処理液が吐出しない状態としつつ、ポンプの駆動状態を保持することもできる。このとき、第1ノズルが基板上に配置されたり、基板上で移動されたりしても、第1ノズルから基板上に処理液が落下したりしない。   According to this configuration, the first, second, and third nozzles introduce the treatment liquid from the primary side opening to the hollow nozzle body, discharge the treatment liquid from the secondary side opening, and supply the treatment liquid to the nozzle body. It has a form of a processing liquid head for discharging droplets of the processing liquid from the plurality of formed discharge holes. Therefore, when the primary side valve is opened while the secondary side valve is closed, the liquid pressure in the internal space of the nozzle body is increased, and droplets of the processing liquid are discharged from the discharge holes. When both the primary side valve and the secondary side valve are opened, the liquid pressure in the nozzle body does not increase, so the processing liquid supplied from the primary side opening passes through the nozzle body and flows out to the secondary side opening. However, the processing liquid is not discharged from the discharge holes. However, since the processing liquid may leak out, it is preferable to arrange the nozzle at a position retracted from the substrate when both the primary side valve and the secondary side valve are opened. In the present invention, when the first primary valve is closed, the set of the second primary valve and the second secondary valve, or the set of the third primary valve and the third secondary valve is opened. The processing liquid is not discharged from the nozzle, and the processing liquid slightly leaks from the discharge hole from the second nozzle or the third nozzle in which the primary side valve is opened. Regarding the second nozzle or the third nozzle, both the primary side valve and the secondary side valve are opened, so that an excessive increase in hydraulic pressure in the pipe does not occur. Therefore, it is possible to maintain the driving state of the pump while the processing liquid is not discharged from any of the first, second, and third nozzles. At this time, even if the first nozzle is disposed on the substrate or moved on the substrate, the processing liquid does not drop from the first nozzle onto the substrate.

前記第1ノズルは、前記ノズル本体に固定され、前記第1ノズル本体の内部空間に溜められた処理液に振動を付与する第1圧電素子をさらに有していてもよい。同様に、前記第2ノズルは、前記ノズル本体に固定され、前記第2ノズル本体の内部空間に溜められた処理液に振動を付与する第2圧電素子をさらに有していてもよい。さらに同様に、前記第3ノズルは、前記ノズル本体に固定され、前記第3ノズル本体の内部空間に溜められた処理液に振動を付与する第3圧電素子をさらに有していてもよい。これにより、ノズル本体に形成された吐出孔から流出する液流が、圧電素子の振動によって分断されるので、良好な液滴を吐出させることができる。すなわち、一定周波数で圧電素子を駆動すれば、粒径の揃った液滴を吐出できる。   The first nozzle may further include a first piezoelectric element that is fixed to the nozzle body and imparts vibration to the processing liquid stored in the internal space of the first nozzle body. Similarly, the second nozzle may further include a second piezoelectric element that is fixed to the nozzle body and imparts vibrations to the processing liquid stored in the internal space of the second nozzle body. Similarly, the third nozzle may further include a third piezoelectric element that is fixed to the nozzle body and imparts vibration to the processing liquid stored in the internal space of the third nozzle body. Thereby, since the liquid flow flowing out from the discharge hole formed in the nozzle body is divided by the vibration of the piezoelectric element, a good droplet can be discharged. That is, if the piezoelectric element is driven at a constant frequency, droplets having a uniform particle diameter can be ejected.

請求項11記載の発明は、処理液によって基板を処理する第1処理ユニットおよび第2処理ユニットを有する基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記基板処理装置が、処理液を加圧して送り出すポンプと、前記ポンプに接続された処理液供給路と、前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと、前記第1ノズルに接続された第1排液路と、前記第2ノズルに接続された第2排液路と、前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、前記第2排液路に介装された第2二次側バルブとを含み、前記基板処理方法が、前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開くステップを含む、基板処理方法である。この方法は、請求項1の基板処理装置に対応している。 The invention described in claim 11 is a substrate processing method executed in a substrate processing apparatus having a first processing unit and a second processing unit for processing a substrate with a processing liquid, wherein the substrate processing apparatus adds a processing liquid. A pump that pumps out, a processing liquid supply path connected to the pump, a first branch path branched from the processing liquid supply path, a second branch path branched from the processing liquid supply path, and the first branch A first nozzle disposed in the first processing unit, a second nozzle disposed in the second processing unit and disposed in the second branch unit, and a first nozzle disposed in the first processing unit. The first primary side valve, the second primary side valve interposed in the second branch path, the first drainage path connected to the first nozzle, and the second primary side valve connected to the second nozzle. 2 drainage channels and the first drainage channel. A first secondary side valve, and a second secondary side valve interposed in the second drainage path, the substrate processing method, when closing the first primary side valve, drives said pump The substrate processing method includes a step of opening the second primary side valve and the second secondary side valve while maintaining the state. This method corresponds to the substrate processing apparatus of claim 1.

請求項12記載の発明は、前記基板処理装置が、前記第1ノズルを退避位置から処理位置まで移動させる第1ノズル移動機構をさらに含み、前記基板処理方法は、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置から前記処理位置まで移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じるステップを含む、請求項11に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項の基板処理装置に対応している。 The invention according to claim 12 further includes a first nozzle moving mechanism for moving the first nozzle from a retracted position to a processing position, and the substrate processing method is characterized in that the first nozzle moving mechanism includes the first nozzle moving mechanism. The substrate processing method according to claim 11 , further comprising a step of closing the first primary valve when moving the first nozzle from the retracted position to the processing position. This method corresponds to the substrate processing apparatus of claim 2 .

請求項13記載の発明は、前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有している、請求項11または12に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項の基板処理装置に対応している。 According to a thirteenth aspect of the present invention, the first nozzle includes a first primary side opening connected to the first branch passage, a first secondary side opening connected to the first drainage passage, and a plurality of first openings. A first treatment liquid head having a hollow first nozzle body formed with a discharge hole and discharging a droplet of a treatment liquid from the plurality of first discharge holes; and the second nozzle A hollow second nozzle in which a second primary side opening connected to the second branch path, a second secondary side opening connected to the second drainage path, and a plurality of second discharge holes are formed. has a body, has the form of a second treatment liquid head which ejects droplets of the treatment liquid from the plurality of second discharge holes, a substrate processing method according to claim 11 or 12. This method corresponds to the substrate processing apparatus of the third aspect .

請求項14記載の発明は、処理液によって基板を処理する第1処理ユニット、第2処理ユニットおよび第3処理ユニットを有する基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記基板処理装置は、処理液を加圧して送り出すポンプと、前記ポンプに接続された処理液供給路と、前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、前記処理液供給路から分岐した第3分岐路と、前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、前記第3分岐路に接続され、前記第3処理ユニットに配置された第3ノズルと、前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと、前記第3分岐路に介装された第3一次側バルブと、前記第1ノズルに接続された第1排液路と、前記第2ノズルに接続された第2排液路と、前記第3ノズルに接続された第3排液路と、前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、前記第2排液路に介装された第2二次側バルブと、前記第3排液路に介装された第3二次側バルブとを含み、前記基板処理方法は、前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開くステップを含む、基板処理方法である。この方法は、請求項の基板処理装置に対応している。 The invention described in claim 14 is a substrate processing method executed in a substrate processing apparatus having a first processing unit, a second processing unit, and a third processing unit for processing a substrate with a processing liquid, wherein the substrate processing apparatus includes: A pump for pressurizing and feeding the processing liquid, a processing liquid supply path connected to the pump, a first branch path branched from the processing liquid supply path, and a second branch path branched from the processing liquid supply path A third branch path branched from the processing liquid supply path, a first nozzle connected to the first branch path, arranged in the first processing unit, connected to the second branch path, and the second branch path. A second nozzle disposed in the processing unit, a third nozzle connected to the third branch path and disposed in the third processing unit, and a first primary valve interposed in the first branch path; , Via the second branch A second primary valve that is, a third primary side valve interposed in the third branch passage, a first drainage path connected to said first nozzle, the second being connected to said second nozzle 2 drainage passages, a third drainage passage connected to the third nozzle, a first secondary valve interposed in the first drainage passage, and a second drainage passage. A second secondary side valve and a third secondary side valve interposed in the third drainage path , wherein the substrate processing method is configured to turn off the pump when closing the first primary side valve. The substrate processing method includes a step of opening the second primary side valve and the second secondary side valve, or the third primary side valve and the third secondary side valve while maintaining the driving state. This method corresponds to the substrate processing apparatus of claim 4 .

請求項15記載の発明は、前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第3一次側バルブを開くステップをさらに含む、請求項14に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項の基板処理装置に対応している。
請求項16記載の発明は、前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第2一次側バルブを開くステップをさらに含む、請求項14または15に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項7の基板処理装置に対応している。
The invention according to claim 15 further includes the step of opening the first primary valve or the third primary valve while holding the pump in a driving state when the second primary valve is closed. Item 15. The substrate processing method according to Item 14 . This method corresponds to the substrate processing apparatus of claim 5 .
The invention according to claim 16 further includes the step of opening the first primary valve or the second primary valve while holding the pump in a driving state when the third primary valve is closed. Item 16. The substrate processing method according to Item 14 or 15 . This method corresponds to the substrate processing apparatus of the seventh aspect.

請求項17記載の発明は、前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開くステップを含む、請求項14に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項の基板処理装置に対応している。
請求項18記載の発明は、前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開くステップを含む、請求項14または17に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項の基板処理装置に対応している。
According to a seventeenth aspect of the present invention, when the second primary side valve is closed, the first primary side valve and the first secondary side valve or the third primary side are kept while the pump is kept in a driving state. The substrate processing method according to claim 14 , comprising the step of opening a valve and the third secondary valve. This method corresponds to the substrate processing apparatus of the seventh aspect .
According to an eighteenth aspect of the present invention, when the third primary side valve is closed, the first primary side valve and the first secondary side valve or the second primary side are kept while the pump is kept in a driving state. includes a valve and then opening the second secondary valve is a substrate processing method according to claim 14 or 17. This method corresponds to the substrate processing apparatus of the eighth aspect .

請求項19記載の発明は、前記基板処理装置は、前記第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第1ノズル移動機構と、前記第2ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第2ノズル移動機構と、前記第3ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第3ノズル移動機構とをさらに含み、前記基板処理方法が、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じるステップと、前記第2ノズル移動機構が前記第2ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第2一次側バルブを閉じるステップと、前記第3ノズル移動機構が前記第3ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第3一次側バルブを閉じるステップとを含む、請求項17に係る請求項18に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項の基板処理装置に対応している。 According to a nineteenth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes: a first nozzle moving mechanism that moves the first nozzle between a retracted position and a processing position; and the second nozzle between the retracted position and the processing position. And a third nozzle moving mechanism for moving the third nozzle between a retracted position and a processing position, and the substrate processing method includes: the first nozzle moving mechanism: A step of closing the first primary valve when the first nozzle is moved between the retracted position and the processing position; and the second nozzle moving mechanism moves the second nozzle to the retracted position and the processing position. The second primary valve is closed, and when the third nozzle moving mechanism moves the third nozzle between the retracted position and the processing position, the first primary valve is closed. 3 Primary Closing the valve and a step, which is a substrate processing method according to claim 18 according to claim 17. This method corresponds to the substrate processing apparatus of the ninth aspect .

請求項20記載の発明は、前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有しており、前記第3ノズルが、前記第3分岐路に接続された第3一次側開口と前記第3排液路に接続された第3二次側開口と複数の第3吐出孔とが形成された中空の第3ノズル本体を有し、前記複数の第3吐出孔から処理液の液滴を吐出する第3処理液ヘッドの形態を有している、請求項1419のいずれか一項に記載の基板処理方法である。この方法は、請求項10の基板処理装置に対応している。 The invention according to claim 20 is characterized in that the first nozzle has a first primary side opening connected to the first branch path, a first secondary side opening connected to the first drainage path, and a plurality of first nozzles. A first treatment liquid head having a hollow first nozzle body formed with a discharge hole and discharging a droplet of a treatment liquid from the plurality of first discharge holes; and the second nozzle A hollow second nozzle in which a second primary side opening connected to the second branch path, a second secondary side opening connected to the second drainage path, and a plurality of second discharge holes are formed. A second processing liquid head configured to discharge a droplet of the processing liquid from the plurality of second discharge holes, wherein the third nozzle is connected to the third branch path; 3 a hollow third nozzle body having a primary side opening, a third secondary side opening connected to the third drainage passage, and a plurality of third discharge holes. It has the form of a third treatment liquid head for ejecting the treatment liquid droplets from the plurality of third ejecting holes, a substrate processing method according to any one of claims 14-19. This method corresponds to the substrate processing apparatus of claim 10 .

図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を説明するための概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram for explaining the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は、第1〜第3処理ユニットの共通の構成例を説明するための図解的な断面図である。FIG. 2 is an illustrative sectional view for explaining a common configuration example of the first to third processing units. 図3Aは液滴吐出用ノズルおよび保護液ノズルの模式的な側面図であり、図3Bは液滴吐出用ノズルおよび保護液ノズルの模式的な平面図である。FIG. 3A is a schematic side view of the droplet discharge nozzle and the protective liquid nozzle, and FIG. 3B is a schematic plan view of the droplet discharge nozzle and the protective liquid nozzle. 図4Aおよび図4Bは、第1〜第3一次側バルブおよび第1〜第3二次側バルブの開閉動作を説明するためのタイミング表である。4A and 4B are timing charts for explaining opening and closing operations of the first to third primary side valves and the first to third secondary side valves. 図5は、第1〜第3処理ユニットにおける処理の進行例(実施例)を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a progress example (example) of processing in the first to third processing units. 図6は、比較例の構成における処理の進行例を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an example of processing progress in the configuration of the comparative example.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を説明するための概念図である。この基板処理装置は、第1処理ユニット1、第2処理ユニット2および第3処理ユニット3を備えている。第1、第2および第3処理ユニット1,2,3は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットである。基板処理装置は、さらに、処理液供給源4から処理液を汲み出し、その処理液を加圧して送り出すポンプ5と、ポンプ5に接続された処理液供給路6とを備えている。処理液供給路6から、第1分岐路11、第2分岐路12および第3分岐路13が分岐している。第1処理ユニット1には、第1分岐路11に接続された第1ノズルN1が配置されている。また、第2処理ユニット2には、第2分岐路12に接続された第2ノズルN2が配置されている。さらに、第3処理ユニット3には、第3分岐路13に接続された第3ノズルN3が配置されている。第1ノズルN1には第1排液路21が接続されており、第2ノズルN2には第2排液路22が接続されており、第3ノズルN3には第3排液路23が接続されている。第1分岐路11には第1一次側バルブP1が介装されており、第2分岐路12には第2一次側バルブP2が介装されており、第3分岐路13には第3一次側バルブP3が介装されている。さらに、第1排液路21には第1二次側バルブS1が介装されており、第2排液路22には第2二次側バルブS2が介装されており、第3排液路23には第3二次側バルブS3が介装されている。第1、第2および第3排液路21,22,23は、ドレン配管24に合流している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a conceptual diagram for explaining the overall configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus includes a first processing unit 1, a second processing unit 2, and a third processing unit 3. The first, second, and third processing units 1, 2, and 3 are single wafer processing units that process the substrate W one by one. The substrate processing apparatus further includes a pump 5 that pumps the processing liquid from the processing liquid supply source 4, pressurizes and sends the processing liquid, and a processing liquid supply path 6 connected to the pump 5. A first branch path 11, a second branch path 12, and a third branch path 13 are branched from the processing liquid supply path 6. In the first processing unit 1, a first nozzle N1 connected to the first branch path 11 is disposed. The second processing unit 2 is provided with a second nozzle N2 connected to the second branch path 12. Further, the third processing unit 3 is provided with a third nozzle N3 connected to the third branch path 13. A first drain path 21 is connected to the first nozzle N1, a second drain path 22 is connected to the second nozzle N2, and a third drain path 23 is connected to the third nozzle N3. Has been. A first primary side valve P1 is interposed in the first branch path 11, a second primary side valve P2 is interposed in the second branch path 12, and a third primary path is provided in the third branch path 13. A side valve P3 is interposed. Further, a first secondary side valve S1 is interposed in the first drainage path 21, and a second secondary side valve S2 is interposed in the second drainage path 22, so that the third drainage A third secondary valve S3 is interposed in the path 23. The first, second and third drainage passages 21, 22 and 23 merge with the drain pipe 24.

第1、第2および第3処理ユニット1,2,3は、それぞれ、基板Wを水平姿勢で保持して鉛直軸線回りに回転させる基板保持回転機構としてのスピンチャックC1,C2,C3を備えている。第1、第2および第3処理液ノズルN1,N2,N3は、それぞれ、スピンチャックC1,C2,C3に保持された基板Wの上面に処理液を供給するように構成されている。第1、第2および第3処理ユニット1,2,3には、それぞれ、第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3を処理位置と退避位置との間で移動させるための第1、第2および第3ノズル移動機構M1,M2,M3が備えられている。処理位置とは、第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3が、スピンチャックC1,C2,C3に保持された基板Wの上方に位置し、基板Wに対して処理液を供給する位置である。退避位置とは、スピンチャックC1,C2,C3に保持された基板Wの上方空間から離れた位置であり、たとえば、スピンチャックC1,C2,C3の側方の位置であってもよい。   The first, second, and third processing units 1, 2, and 3 include spin chucks C1, C2, and C3 as substrate holding and rotating mechanisms that hold the substrate W in a horizontal posture and rotate it around a vertical axis, respectively. Yes. The first, second, and third processing liquid nozzles N1, N2, and N3 are configured to supply the processing liquid to the upper surface of the substrate W held by the spin chucks C1, C2, and C3, respectively. The first, second, and third processing units 1, 2, 3, respectively, have a first for moving the first, second, and third nozzles N1, N2, N3 between the processing position and the retracted position, respectively. Second and third nozzle moving mechanisms M1, M2 and M3 are provided. The processing position means that the first, second and third nozzles N1, N2, and N3 are positioned above the substrate W held by the spin chucks C1, C2, and C3, and supply the processing liquid to the substrate W. Position. The retracted position is a position away from the upper space of the substrate W held by the spin chucks C1, C2, and C3, and may be a position on the side of the spin chucks C1, C2, and C3, for example.

基板処理装置は、さらに、ポンプ5の動作、バルブP1〜P3,S1〜S3の開閉、スピンチャックC1〜C3の動作、第1、第2および第3ノズル移動機構M1〜M3の動作などを制御するための制御手段として、制御装置7を備えている。制御装置7は、マイクロコンピュータおよび必要なメモリその他の記憶媒体を備えている。制御装置7は、予め設定された基板処理手順(レシピ)に従って、処理ユニット1,2,3における基板処理動作を実行させる。   The substrate processing apparatus further controls the operation of the pump 5, the opening and closing of the valves P1 to P3, S1 to S3, the operations of the spin chucks C1 to C3, the operations of the first, second and third nozzle moving mechanisms M1 to M3. As a control means for this purpose, a control device 7 is provided. The control device 7 includes a microcomputer and necessary memory and other storage media. The control device 7 causes the substrate processing operation in the processing units 1, 2, 3 to be executed in accordance with a substrate processing procedure (recipe) set in advance.

図2は、処理ユニット1,2,3の共通の構成例を説明するための図解的な断面図である。
処理ユニット1,2,3は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理ユニットである。処理ユニット1,2,3は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャックC1,C2,C3(以下総称するときには「スピンチャックC」という。)と、スピンチャックCを取り囲む筒状のカップ15と、基板Wにリンス液を供給するリンス液ノズル16と、前述のノズルN1,N2,N3(以下総称するときには「ノズルN」という。)と、基板Wに保護液を供給する保護液ノズル17とを備えている。ノズルNは、基板Wに処理液の液滴を衝突させる液滴ノズルの形態を有する。
FIG. 2 is a schematic sectional view for explaining a common configuration example of the processing units 1, 2, 3.
The processing units 1, 2, and 3 are single-wafer type substrate processing units that process disk-like substrates W such as semiconductor wafers one by one. The processing units 1, 2, and 3 include spin chucks C1, C2, and C3 (hereinafter collectively referred to as “spin chuck C”) that hold and rotate the substrate W horizontally, and a cylindrical cup that surrounds the spin chuck C. 15, a rinsing liquid nozzle 16 for supplying a rinsing liquid to the substrate W, the aforementioned nozzles N 1, N 2, N 3 (hereinafter collectively referred to as “nozzle N”), and a protective liquid nozzle for supplying a protective liquid to the substrate W 17. The nozzle N has a form of a droplet nozzle that causes a droplet of the processing liquid to collide with the substrate W.

スピンチャックCは、基板Wを水平に保持して当該基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線L1まわりに回転可能なスピンベース18と、このスピンベース18を回転軸線L1まわりに回転させるスピンモータ19とを含む。スピンチャックCは、基板Wを水平方向に挟んで当該基板Wを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)を吸着することにより当該基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図2には、挟持式のチャックを図解的に示す。   The spin chuck C holds the substrate W horizontally and can rotate around a vertical rotation axis L1 passing through the center of the substrate W, and a spin motor 19 that rotates the spin base 18 around the rotation axis L1. Including. The spin chuck C may be a chuck that holds the substrate W horizontally with the substrate W held in the horizontal direction, or by adsorbing the back surface (lower surface) of the substrate W that is a non-device forming surface. A vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used. FIG. 2 schematically shows a clamping chuck.

リンス液ノズル16は、リンス液バルブ30が介装されたリンス液供給管31に接続されている。リンス液バルブ30が開かれると、基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル16からリンス液が吐出される。その一方で、リンス液バルブ30が閉じられると、リンス液ノズル16からのリンス液の吐出が停止される。リンス液ノズル16に供給されるリンス液としては、純水(脱イオン水)、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水や、希釈濃度(たとえば、10〜100ppm程度)の塩酸水などを例示することができる。   The rinse liquid nozzle 16 is connected to a rinse liquid supply pipe 31 in which a rinse liquid valve 30 is interposed. When the rinse liquid valve 30 is opened, the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 16 toward the center of the upper surface of the substrate W. On the other hand, when the rinse liquid valve 30 is closed, the discharge of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 16 is stopped. As the rinsing liquid supplied to the rinsing liquid nozzle 16, pure water (deionized water), carbonated water, electrolytic ionic water, hydrogen water, ozone water, hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 to 100 ppm), etc. It can be illustrated.

ノズルNは、この実施形態では、インクジェット方式によって多数の液滴を噴射するインクジェットノズルであり、処理液ヘッドの形態を有している。ノズルNは、分岐路11,12,13(以下総称するときには分岐路10)という。)を介して処理液供給路6に接続されている。分岐路10には、前述のように、一次側バルブP1,P2,P3(以下総称するときには「一次側バルブP」という。)が介装されている。さらに、ノズルNは、排液路21,22,23(以下総称するときには「排液路20」という。)を介してドレン配管24に接続されている。前述のように、排液路20には、二次側バルブS1,S2,S3(以下総称するときには「二次側バルブS」という。)が介装されている。   In this embodiment, the nozzle N is an inkjet nozzle that ejects a large number of droplets by an inkjet method, and has a form of a treatment liquid head. The nozzle N is referred to as a branch path 11, 12, 13 (hereinafter referred to as a branch path 10 when collectively referred to). ) To the processing liquid supply path 6. As described above, the primary side valves P1, P2, and P3 (hereinafter, collectively referred to as “primary side valves P”) are interposed in the branch path 10. Further, the nozzle N is connected to the drain pipe 24 via drainage paths 21, 22 and 23 (hereinafter collectively referred to as “drainage path 20”). As described above, the drainage passage 20 is provided with secondary side valves S1, S2, S3 (hereinafter collectively referred to as “secondary side valve S”).

ポンプ5は、前述のように、当該基板処理装置の運転中に常時駆動されている。そして、常時、所定圧力(たとえば、10MPa以下)で処理液を処理液供給路6に供給している。ノズルNに供給される処理液としては、たとえば、純水や、炭酸水や、SC−1(NHOHとHとを含む混合液)などが挙げられる。
また、ノズルNは、その内部に配置された圧電素子34(piezo element)を含む。圧電素子19は、配線35を介して駆動回路36に接続されている。駆動回路36は、たとえば、インバータを含む。駆動回路36は、交流電圧を圧電素子34に印加する。交流電圧が圧電素子34に印加されると、印加された交流電圧の周波数に対応する周波数で圧電素子34が振動する。制御装置7は、駆動回路36を制御することにより、圧電素子34に印加される交流電圧の周波数を任意の周波数(たとえば、数百KHz〜数MHz)に変更することができる。したがって、圧電素子34の振動の周波数は、制御装置7によって制御される。
As described above, the pump 5 is always driven during operation of the substrate processing apparatus. Then, the processing liquid is always supplied to the processing liquid supply path 6 at a predetermined pressure (for example, 10 MPa or less). Examples of the processing liquid supplied to the nozzle N include pure water, carbonated water, and SC-1 (mixed liquid containing NH 4 OH and H 2 O 2 ).
Further, the nozzle N includes a piezoelectric element 34 (piezo element) disposed therein. The piezoelectric element 19 is connected to the drive circuit 36 via the wiring 35. Drive circuit 36 includes, for example, an inverter. The drive circuit 36 applies an alternating voltage to the piezoelectric element 34. When an AC voltage is applied to the piezoelectric element 34, the piezoelectric element 34 vibrates at a frequency corresponding to the frequency of the applied AC voltage. The control device 7 can change the frequency of the AC voltage applied to the piezoelectric element 34 to an arbitrary frequency (for example, several hundred KHz to several MHz) by controlling the drive circuit 36. Therefore, the frequency of vibration of the piezoelectric element 34 is controlled by the control device 7.

処理ユニット1,2,3は、ノズル移動機構M1,M2,M3(以下総称するときには「ノズル移動機構M」という。)をさらに含む。ノズル移動機構Mは、ノズルNを保持するノズルアーム40と、ノズルアーム40に接続された回動機構41と、回動機構41に接続された昇降機構42とを含む。回動機構41は、たとえば、モータを含む。昇降機構42は、たとえば、ボールねじ機構と、このボールねじ機構を駆動するモータとを含む。回動機構41は、スピンチャックCの周囲に設けられた鉛直な回転軸線L2まわりにノズルアーム40を回動させる。ノズルNは、ノズルアーム40と共に回転軸線L2まわりに回動する。これにより、ノズルNが水平方向に移動する。一方、昇降機構42は、回動機構41を鉛直方向に昇降させる。ノズルNおよびノズルアーム40は、回動機構41と共に鉛直方向に昇降する。これにより、ノズルNが鉛直方向に移動する。   The processing units 1, 2, and 3 further include nozzle moving mechanisms M1, M2, and M3 (hereinafter collectively referred to as “nozzle moving mechanism M”). The nozzle moving mechanism M includes a nozzle arm 40 that holds the nozzle N, a rotating mechanism 41 connected to the nozzle arm 40, and an elevating mechanism 42 connected to the rotating mechanism 41. The rotation mechanism 41 includes, for example, a motor. The elevating mechanism 42 includes, for example, a ball screw mechanism and a motor that drives the ball screw mechanism. The rotation mechanism 41 rotates the nozzle arm 40 around a vertical rotation axis L2 provided around the spin chuck C. The nozzle N rotates around the rotation axis L2 together with the nozzle arm 40. Thereby, the nozzle N moves in the horizontal direction. On the other hand, the elevating mechanism 42 elevates and lowers the rotating mechanism 41 in the vertical direction. The nozzle N and the nozzle arm 40 move up and down together with the rotation mechanism 41 in the vertical direction. As a result, the nozzle N moves in the vertical direction.

回動機構41は、スピンチャックCの上方を含む水平面内でノズルNを水平に移動させる。より具体的には、回動機構41は、スピンチャックCに保持された基板Wの上方において、基板Wの回転中心を通る円弧状の軌跡に沿ってノズルNを水平に移動させる。ノズルNがスピンチャックCに保持された基板Wの上方に位置する状態で、昇降機構42がノズルNを降下させると、ノズルNが基板Wの上面に近接する。ノズルNが基板Wの上面に近接している状態で、制御装置7が、回動機構41を制御してノズルアーム40を回動させ、かつスピンモータ19を制御して基板Wを回転させることにより、ノズルNから吐出される液滴によって基板Wの上面全域を走査できる。   The rotation mechanism 41 moves the nozzle N horizontally in a horizontal plane including the upper side of the spin chuck C. More specifically, the rotation mechanism 41 moves the nozzle N horizontally along an arc-shaped locus passing through the center of rotation of the substrate W above the substrate W held by the spin chuck C. When the lifting mechanism 42 lowers the nozzle N in a state where the nozzle N is positioned above the substrate W held by the spin chuck C, the nozzle N comes close to the upper surface of the substrate W. In a state where the nozzle N is close to the upper surface of the substrate W, the control device 7 controls the rotation mechanism 41 to rotate the nozzle arm 40 and controls the spin motor 19 to rotate the substrate W. Thus, the entire upper surface of the substrate W can be scanned with the droplets ejected from the nozzle N.

保護液ノズル17は、ノズルアーム40に保持されている。したがって、ノズルNおよび保護液ノズル17は、互いの位置関係が一定に保たれた状態で移動する。保護液ノズル17は、保護液バルブ43および流量調整バルブ44が介装された保護液供給管45に接続されている。保護液バルブ43が開かれると、基板Wの上面に向けて保護液ノズル17から保護液が吐出される。保護液ノズル17からの保護液の吐出速度は、制御装置7が流量調整バルブ44の開度を調整することにより変更される。保護液ノズル17に供給される保護液としては、たとえば、リンス液や、SC−1などの薬液が挙げられる。   The protective liquid nozzle 17 is held by the nozzle arm 40. Therefore, the nozzle N and the protective liquid nozzle 17 move in a state where the mutual positional relationship is kept constant. The protective liquid nozzle 17 is connected to a protective liquid supply pipe 45 in which a protective liquid valve 43 and a flow rate adjusting valve 44 are interposed. When the protective liquid valve 43 is opened, the protective liquid is discharged from the protective liquid nozzle 17 toward the upper surface of the substrate W. The discharge speed of the protective liquid from the protective liquid nozzle 17 is changed by the control device 7 adjusting the opening degree of the flow rate adjusting valve 44. Examples of the protective liquid supplied to the protective liquid nozzle 17 include a rinse liquid and a chemical liquid such as SC-1.

ノズルNによって基板Wの表面に液滴を供給するときには、保護液ノズル17からの保護液の吐出も同時に行われる。したがって、基板Wの表面に保護液の液膜が形成された状態で、ノズルNからの液滴が吐出される。これにより、基板Wの表面のパターンを保護液で保護しながら、ノズルNから吐出された液滴の衝撃によって基板W表面の異物を除去できる。   When the droplets are supplied to the surface of the substrate W by the nozzle N, the protective liquid is simultaneously discharged from the protective liquid nozzle 17. Accordingly, the droplets from the nozzle N are ejected in a state where the protective liquid film is formed on the surface of the substrate W. Thereby, the foreign matter on the surface of the substrate W can be removed by the impact of the droplets discharged from the nozzles N while protecting the pattern on the surface of the substrate W with the protective liquid.

図3AはノズルN(N1,N2,N3)および保護液ノズル17の模式的な側面図であり、図3BはノズルN(N1,N2,N3)および保護液ノズル17の模式的な平面図である。図3Bにおいて、ノズルNは、その下面Na(基板Wに対向する対向面)だけが示されている。
ノズルNは、処理液の液滴を噴射するノズル本体46と、ノズル本体46を覆うカバー47と、カバー47によって覆われた圧電素子34と、ノズル本体46とカバー47との間に介在するシール48とを含む。ノズル本体46およびカバー47は、いずれも耐薬性を有する材料によって形成されている。ノズル本体46は、たとえば、石英によって形成されている。カバー47は、たとえば、フッ素系の樹脂によって形成されている。シール48は、たとえば、EPDM(エチレン−プロピレン−ジエンゴム)などの弾性材料によって形成されている。ノズル本体46は、中空に形成されており、高圧(内部の液圧)に耐えうる強度を有している。ノズル本体46の一部と圧電素子34とは、カバー47の内部に収容されている。配線35の端部は、たとえば半田によって、カバー47の内部で圧電素子34に接続されている。カバー47の内部は、シール48によって密閉されている。
3A is a schematic side view of the nozzle N (N1, N2, N3) and the protective liquid nozzle 17, and FIG. 3B is a schematic plan view of the nozzle N (N1, N2, N3) and the protective liquid nozzle 17. is there. In FIG. 3B, only the lower surface Na (opposing surface facing the substrate W) of the nozzle N is shown.
The nozzle N includes a nozzle body 46 that ejects droplets of the processing liquid, a cover 47 that covers the nozzle body 46, a piezoelectric element 34 that is covered by the cover 47, and a seal that is interposed between the nozzle body 46 and the cover 47. 48. The nozzle body 46 and the cover 47 are both made of a chemical resistant material. The nozzle body 46 is made of, for example, quartz. The cover 47 is made of, for example, a fluorine resin. The seal 48 is made of an elastic material such as EPDM (ethylene-propylene-diene rubber). The nozzle body 46 is hollow and has a strength that can withstand high pressure (internal fluid pressure). A part of the nozzle body 46 and the piezoelectric element 34 are accommodated in the cover 47. An end of the wiring 35 is connected to the piezoelectric element 34 inside the cover 47 by, for example, solder. The inside of the cover 47 is sealed with a seal 48.

ノズル本体46は、中空に形成されており、処理液が供給される一次側開口としての供給口49と、処理液を排出する二次側開口としての排出口50と、供給口49と排出口50とを接続する処理液流通路51と、処理液流通路51に接続された複数の吐出孔52とを含む。処理液流通路51は、ノズル本体46の内部空間を区画している。供給口49、排出口50、および吐出孔52は、ノズル本体46の表面で開口している。供給口49および排出口50は、吐出孔52よりも上方に位置している。ノズル本体46の下面は、ノズルNの下面Naを形成しており、たとえば、水平な平坦面である。複数の吐出孔52は、その下面Naで開口している。吐出孔52は、たとえば数μm〜数十μmの直径を有する微細孔である。分岐路10および排液路20は、それぞれ、供給口49および排出口50に接続されている。   The nozzle body 46 is formed in a hollow shape, and includes a supply port 49 as a primary side opening through which a processing liquid is supplied, a discharge port 50 as a secondary side opening through which the processing liquid is discharged, a supply port 49 and a discharge port. And a plurality of discharge holes 52 connected to the processing liquid flow passage 51. The processing liquid flow passage 51 defines an internal space of the nozzle body 46. The supply port 49, the discharge port 50, and the discharge hole 52 are opened on the surface of the nozzle body 46. The supply port 49 and the discharge port 50 are located above the discharge hole 52. The lower surface of the nozzle body 46 forms the lower surface Na of the nozzle N, and is, for example, a horizontal flat surface. The plurality of discharge holes 52 are opened at the lower surface Na. The discharge holes 52 are fine holes having a diameter of several μm to several tens of μm, for example. The branch path 10 and the drainage path 20 are connected to a supply port 49 and a discharge port 50, respectively.

図3Bに示すように、複数の吐出孔52は、複数(たとえば、4つ)の列Lを構成している。各列Lは、等間隔で配列された多数(たとえば、10個以上)の吐出孔52によって構成されている。各列Lは、水平な長手方向D1に沿って直線状に延びている。各列Lは、直線状に限らず、曲線状であってもよい。4つの列Lは、平行である。4つの列Lのうちの2つの列Lは、長手方向D1に直交する水平な方向に隣接している。同様に、残り2つの列Lも、長手方向D1に直交する水平な方向に隣接している。隣接する2つの列Lは、対をなしている。対の2つの列Lにおいて、一方の列Lを構成する複数の吐出孔52(図3Bの吐出孔52a)と、他方の列Lを構成する複数の吐出孔52(図3Bの吐出孔52b)とは、長手方向D1にずれている。ノズルNは、鉛直方向から見たときに、たとえば、4つの列LがノズルNの移動軌跡に交差するようにノズルアーム40に保持されている。   As shown in FIG. 3B, the plurality of ejection holes 52 constitutes a plurality (for example, four) of rows L. Each row L is constituted by a large number (for example, 10 or more) of ejection holes 52 arranged at equal intervals. Each row L extends linearly along the horizontal longitudinal direction D1. Each row L is not limited to a straight line, but may be a curved line. The four rows L are parallel. Two of the four rows L are adjacent to each other in a horizontal direction orthogonal to the longitudinal direction D1. Similarly, the remaining two rows L are adjacent to each other in the horizontal direction orthogonal to the longitudinal direction D1. Two adjacent rows L form a pair. In a pair of two rows L, a plurality of discharge holes 52 (discharge holes 52a in FIG. 3B) constituting one row L and a plurality of discharge holes 52 (discharge holes 52b in FIG. 3B) constituting the other row L. Is shifted in the longitudinal direction D1. The nozzle N is held by the nozzle arm 40 so that, for example, the four rows L intersect the movement locus of the nozzle N when viewed from the vertical direction.

一次側ノズルPが開かれているとき、分岐路10を介して供給口49に供給された処理液は、処理液流通路51に供給される。このとき、二次側バルブSが閉じられていると、処理液流通路51での処理液の圧力(液圧)が高いので、液圧によって各吐出孔52から処理液が噴射される。さらに、二次側バルブSが閉じられている状態で、交流電圧が圧電素子34に印加されると、処理液流通路51を流れる処理液に圧電素子34の振動が付与され、各吐出孔52から噴射される処理液が、この振動によって分断される。そのため、二次側バルブSが閉じられている状態で、交流電圧が圧電素子34に印加されると、処理液の液滴が各吐出孔52から噴射される。これにより、粒径が均一な多数の処理液の液滴が均一な速度で同時に噴射される。   When the primary nozzle P is open, the processing liquid supplied to the supply port 49 via the branch path 10 is supplied to the processing liquid flow passage 51. At this time, when the secondary side valve S is closed, the pressure (fluid pressure) of the treatment liquid in the treatment liquid flow passage 51 is high, so that the treatment liquid is ejected from each discharge hole 52 by the liquid pressure. Further, when an AC voltage is applied to the piezoelectric element 34 with the secondary side valve S closed, vibration of the piezoelectric element 34 is imparted to the processing liquid flowing through the processing liquid flow passage 51, and each discharge hole 52. The processing liquid sprayed from is divided by this vibration. Therefore, when an alternating voltage is applied to the piezoelectric element 34 with the secondary valve S closed, a droplet of the processing liquid is ejected from each discharge hole 52. Thereby, a large number of droplets of the treatment liquid having a uniform particle size are simultaneously ejected at a uniform speed.

一方、二次側バルブSが開かれている状態では、処理液流通路51に供給された処理液が、排出口50から排液路20に排出されるから、処理液流通路51での液圧が十分に高くならない。そのため、処理液流通路51に供給された処理液は、微細孔である吐出孔52から噴射されずに、排出口50から排液路20に排出される。ただし、微量の処理液が、吐出孔52から漏れ出る場合がある。   On the other hand, in the state where the secondary side valve S is opened, the processing liquid supplied to the processing liquid flow path 51 is discharged from the discharge port 50 to the drainage path 20, so that the liquid in the processing liquid flow path 51 is The pressure is not high enough. Therefore, the processing liquid supplied to the processing liquid flow passage 51 is discharged from the discharge port 50 to the liquid discharge path 20 without being ejected from the discharge holes 52 that are fine holes. However, a small amount of processing liquid may leak from the discharge hole 52.

基板Wの上面に処理液の液滴を衝突させるときは、制御装置7が、ノズル移動機構M(図3参照)によってノズルNを移動させることにより、ノズルNの下面Na(ノズル本体46の下面)を基板Wの上面に近接させる。そして、制御装置7は、ノズルNの下面Naが基板Wの上面に対向している状態で、一次側バルブPを開き、二次側バルブSを閉じて、処理液流通路51の圧力を上昇させると共に、圧電素子34を駆動することにより、処理液流通路51内の処理液に振動を加える。これにより、粒径が均一な多数の処理液の液滴が均一な速度で同時に噴射されて基板Wの上面に供給される。ノズルNから噴射された多数の液滴は、基板Wの上面内の2つの噴射領域T1に吹き付けられる。すなわち、一方の噴射領域T1は、一方の対の2つの列Lの直下の領域であり、この2つの列Lを構成する吐出孔52から噴射された処理液の液滴は、一方の噴射領域T1に吹き付けられる。同様に、他方の噴射領域T1は、他方の対の2つの列Lの直下の領域であり、この2つの列Lを構成する吐出孔52から噴射された処理液の液滴は、他方の噴射領域T1に吹き付けられる。各噴射領域T1は、長手方向D1に延びる平面視長方形状であり、2つの噴射領域T1は、平行である。   When the processing liquid droplets collide with the upper surface of the substrate W, the control device 7 moves the nozzle N by the nozzle moving mechanism M (see FIG. 3), so that the lower surface Na of the nozzle N (the lower surface of the nozzle body 46). ) Is brought close to the upper surface of the substrate W. Then, the control device 7 opens the primary side valve P and closes the secondary side valve S in a state where the lower surface Na of the nozzle N faces the upper surface of the substrate W, and increases the pressure of the processing liquid flow passage 51. At the same time, the piezoelectric element 34 is driven to vibrate the processing liquid in the processing liquid flow passage 51. Thereby, a large number of droplets of the processing liquid having a uniform particle diameter are simultaneously ejected at a uniform speed and supplied to the upper surface of the substrate W. A large number of droplets ejected from the nozzle N are sprayed onto the two ejection regions T1 in the upper surface of the substrate W. That is, one ejection region T1 is a region immediately below one pair of the two rows L, and the droplets of the processing liquid ejected from the ejection holes 52 constituting the two rows L are in one ejection region. Sprayed to T1. Similarly, the other ejection area T1 is an area immediately below the other pair of two rows L, and the droplets of the processing liquid ejected from the ejection holes 52 constituting the two rows L are ejected from the other ejection area. Sprayed onto the region T1. Each injection region T1 has a rectangular shape in plan view extending in the longitudinal direction D1, and the two injection regions T1 are parallel to each other.

保護液ノズル17は、保護液を吐出する吐出口53を有している。保護液ノズル17は、吐出口53から基板W上の狙い位置P1に向かう吐出方向D2に保護液を吐出する。狙い位置P1は、基板Wの回転方向Drに関して噴射領域T1よりも上流側の位置である。吐出方向D2は、吐出口53から狙い位置P1に向かう方向であると共に、平面視において吐出口53からノズルNに向かう方向である。吐出方向D2は、長手方向D1に対して傾いている。   The protective liquid nozzle 17 has a discharge port 53 for discharging the protective liquid. The protective liquid nozzle 17 discharges the protective liquid in the discharge direction D2 from the discharge port 53 toward the target position P1 on the substrate W. The target position P1 is a position upstream of the injection region T1 with respect to the rotation direction Dr of the substrate W. The discharge direction D2 is a direction from the discharge port 53 toward the target position P1, and is a direction from the discharge port 53 toward the nozzle N in plan view. The discharge direction D2 is inclined with respect to the longitudinal direction D1.

保護液ノズル17から吐出された保護液は、狙い位置P1において基板Wの上面に衝突することによって方向転換し、基板W上で広がりながら噴射領域T1の方へ基板Wの上面に沿って流れる。これにより、ノズルNと基板Wの上面との間に保護液が進入し、噴射領域T1に保護液が供給される。
図4Aおよび図4Bは、第1〜第3一次側バルブP1〜P3および第1〜第3二次側バルブS1〜S3の開閉動作を説明するためのタイミング表である。制御装置7は、バルブP1〜P3,S1〜S3を、図4Aまたは図4Bに示すように開閉させる。この例では、制御単位時間としての一ステップは、たとえば5秒間である。
The protective liquid discharged from the protective liquid nozzle 17 changes its direction by colliding with the upper surface of the substrate W at the target position P1, and flows along the upper surface of the substrate W toward the ejection region T1 while spreading on the substrate W. As a result, the protective liquid enters between the nozzle N and the upper surface of the substrate W, and the protective liquid is supplied to the ejection region T1.
4A and 4B are timing charts for explaining the opening / closing operations of the first to third primary side valves P1 to P3 and the first to third secondary side valves S1 to S3. The control device 7 opens and closes the valves P1 to P3 and S1 to S3 as shown in FIG. 4A or 4B. In this example, one step as the control unit time is, for example, 5 seconds.

まず、図4Aに示す第1動作例について説明する。
ステップ1,2は、待機状態である。ステップ3は、第1処理ユニット1において、第1ノズルN1を退避位置から処理位置まで移動させる第1ノズル移動ステップである。ステップ4−9は、第1処理ユニット1において第1ノズルN1から処理液の液滴を吐出させる第1ノズル処理ステップである。ステップ10は、第1ノズルN1を処理位置から退避位置に移動させる第1ノズル移動ステップであり、同時に、第2処理ユニット2において第2ノズルN2を退避位置から処理位置へと移動させる第2ノズル移動ステップである。ステップ11−16は、第2処理ユニット2において第2ノズルN2から処理液の液滴を吐出させる第2ノズル処理ステップである。ステップ17は、第2ノズルN2を処理位置から退避位置に移動させる第2ノズル移動ステップであり、同時に、第3処理ユニット3において第3ノズルN3を退避位置から処理位置へと移動させる第3ノズル移動ステップである。ステップ18−23は、第3処理ユニット3において第3ノズルN3から処理液の液滴を吐出させる第3ノズル処理ステップである。ステップ24は、第3ノズルN3を処理位置から退避位置に移動させる第3ノズル移動ステップであり、同時に、第1処理ユニット1において第1ノズルN1を退避位置から処理位置へと移動させる第1ノズル移動ステップである。ステップ24の後、ステップ4に戻ることにより、第1、第2および第3処理ユニット1,2,3における基板処理を循環的に繰り返し実行することができる。基板処理を中断して待機状態とするときには、ステップ1に戻ればよい。
First, the first operation example shown in FIG. 4A will be described.
Steps 1 and 2 are in a standby state. Step 3 is a first nozzle moving step in the first processing unit 1 for moving the first nozzle N1 from the retracted position to the processing position. Step 4-9 is a first nozzle processing step in which droplets of the processing liquid are ejected from the first nozzle N1 in the first processing unit 1. Step 10 is a first nozzle moving step for moving the first nozzle N1 from the processing position to the retracted position, and at the same time, the second nozzle for moving the second nozzle N2 from the retracted position to the processing position in the second processing unit 2. It is a moving step. Step 11-16 is a second nozzle processing step for causing the processing liquid droplets to be ejected from the second nozzle N 2 in the second processing unit 2. Step 17 is a second nozzle moving step for moving the second nozzle N2 from the processing position to the retracted position. At the same time, in the third processing unit 3, the third nozzle N3 is moved from the retracted position to the processing position. It is a moving step. Step 18-23 is a third nozzle processing step in which droplets of the processing liquid are ejected from the third nozzle N3 in the third processing unit 3. Step 24 is a third nozzle moving step for moving the third nozzle N3 from the processing position to the retracted position. At the same time, in the first processing unit 1, the first nozzle for moving the first nozzle N1 from the retracted position to the processing position. It is a moving step. By returning to step 4 after step 24, the substrate processing in the first, second, and third processing units 1, 2, and 3 can be cyclically repeated. When the substrate processing is interrupted to enter the standby state, the process returns to step 1.

ステップ1,2(待機状態)では、第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3は、いずれもそれぞれの退避位置に位置していて、制御装置7は、第1、第2および第3一次側バルブP1,P2,P3および第1、第2および第3二次側バルブS1,S2,S3を、いずれも開状態に制御している。また、制御装置7は、基板処理装置の運転中、常時、ポンプ5を運転状態に保持している。このとき、ポンプ5から送り出された処理液は、処理液供給路6から第1、第2および第3分岐路11,12,13に分岐し、それぞれ、第1、第2および第3一次側バルブP1,P2,P3、第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3、ならびに第1、第2および第3二次側バルブS1,S2,S3をそれぞれ通って、第1、第2および第3排液路21,22,23からドレン配管24に合流して排液される。第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3の吐出孔52から少量の処理液が漏れ出るおそれがあるが、第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3は、いずれも退避位置にあるので、基板W上に処理液が落下するおそれはない。   In Steps 1 and 2 (standby state), the first, second, and third nozzles N1, N2, and N3 are all located at their retracted positions, and the control device 7 performs the operations of the first, second, and second nozzles. The three primary side valves P1, P2, P3 and the first, second, and third secondary side valves S1, S2, S3 are all controlled to be in the open state. Further, the control device 7 always keeps the pump 5 in an operating state during the operation of the substrate processing apparatus. At this time, the processing liquid sent out from the pump 5 branches from the processing liquid supply path 6 to the first, second, and third branch paths 11, 12, and 13, respectively, the first, second, and third primary sides, respectively. First, second and second valves P1, P2, P3, first, second and third nozzles N1, N2, N3, and first, second and third secondary valves S1, S2, S3, respectively. The third drainage passages 21, 22 and 23 join the drain pipe 24 and are drained. Although a small amount of processing liquid may leak from the discharge holes 52 of the first, second, and third nozzles N1, N2, and N3, the first, second, and third nozzles N1, N2, and N3 are all retracted. Since it is in the position, there is no possibility that the processing liquid falls on the substrate W.

ステップ3(第1ノズル移動ステップ)においては、制御装置7は、第1一次側バルブP1を閉じ、第2および第3一次側バルブP2,P3、ならびに第1、第2および第3二次側バルブS1,S2,S3をいずれも開状態に制御する。したがって、第1ノズルN1には処理液が供給されないので、この第1ノズルN1からは処理液が漏れ出なくなる。この状態で、制御装置7は、第1ノズル移動機構M1を制御して、第1ノズルN1を退避位置から処理位置へと移動させる。このとき、ポンプ5から送り出された処理液は、処理液供給路6から第2および第3分岐路12,13に分岐し、それぞれ、第2および第3一次側バルブP2,P3、第2および第3ノズルN2,N3、ならびに第2および第3二次側バルブS2,S3をそれぞれ通って、第2および第3排液路22,23からドレン配管24に合流して排液される。したがって、第1一次側バルブP1を閉じても、配管内の液圧が過大になることはない。第2および第3ノズルN2,N3の吐出孔52から少量の処理液が漏れ出るおそれがあるが、第2および第3ノズルN2,N3は、いずれも退避位置にあるので、基板W上に処理液が落下するおそれはない。ステップ3では、第1二次側バルブS1は閉状態とされてもよいが、図4Aにはそれらを開状態に制御する例を示す。   In step 3 (first nozzle movement step), the control device 7 closes the first primary side valve P1, and controls the second and third primary side valves P2 and P3, and the first, second and third secondary sides. Valves S1, S2, and S3 are all controlled to be in an open state. Accordingly, since the processing liquid is not supplied to the first nozzle N1, the processing liquid does not leak from the first nozzle N1. In this state, the control device 7 controls the first nozzle moving mechanism M1 to move the first nozzle N1 from the retracted position to the processing position. At this time, the processing liquid sent out from the pump 5 branches from the processing liquid supply path 6 to the second and third branch paths 12 and 13, respectively, and the second and third primary side valves P2, P3, second and third, respectively. Through the third nozzles N2 and N3 and the second and third secondary valves S2 and S3, respectively, the second and third drainage passages 22 and 23 join the drain pipe 24 and are drained. Therefore, even if the first primary valve P1 is closed, the hydraulic pressure in the pipe does not become excessive. Although a small amount of processing liquid may leak from the discharge holes 52 of the second and third nozzles N2 and N3, both the second and third nozzles N2 and N3 are in the retracted position, and thus the processing is performed on the substrate W. There is no risk of the liquid falling. In step 3, the first secondary valve S <b> 1 may be closed, but FIG. 4A shows an example of controlling them to the open state.

ステップ4−9(第1ノズル処理ステップ)では、制御装置7は、第1一次側バルブP1を開いて第1二次側バルブS1を閉じる。さらに、制御装置7は、第2および第3一次側バルブP2,P3を閉じる。第2および第3二次側バルブS2,S3は、開状態でもよいし閉状態でもよいが、図4Aには、それらを開状態に制御する例を示す。このようにして、第1ノズルN1において、第1一次側バルブP1が開かれ第2二次側バルブS1が閉じられるので、ノズル本体46の内部空間の液圧が高まる。その結果、第1ノズルN1の吐出孔52から液滴が吐出され、スピンチャックC1に保持された基板W上に供給される。第2および第3一次側バルブP2,P3が閉じられることにより、第2または第3ノズルN2,N3を通る流路はいずれも遮断されるので、第1ノズルN1に対して十分な液圧の処理液を供給できる。   In step 4-9 (first nozzle processing step), the control device 7 opens the first primary valve P1 and closes the first secondary valve S1. Further, the control device 7 closes the second and third primary side valves P2 and P3. The second and third secondary side valves S2 and S3 may be in an open state or a closed state. FIG. 4A shows an example of controlling them to an open state. In this way, in the first nozzle N1, the first primary valve P1 is opened and the second secondary valve S1 is closed, so that the hydraulic pressure in the internal space of the nozzle body 46 increases. As a result, droplets are discharged from the discharge holes 52 of the first nozzle N1 and supplied onto the substrate W held by the spin chuck C1. Since the second and third primary valves P2 and P3 are closed, the flow paths passing through the second or third nozzles N2 and N3 are both blocked, so that a sufficient hydraulic pressure is applied to the first nozzle N1. Treatment liquid can be supplied.

ステップ10(第1ノズル移動ステップおよび第2ノズル移動ステップ)においては、制御装置7は、第1一次側バルブP1および第2一次側バルブP2を閉じ、第3一次側バルブP3、ならびに第1、第2および第3二次側バルブS1,S2,S3を開状態に制御する。したがって、第1ノズルN1および第2ノズルN2には処理液が供給されないので、これらの第1ノズルN1および第2ノズルN2からは処理液が漏れ出なくなる。この状態で、制御装置7は、第1ノズル移動機構M1を制御して、第1ノズルN1を処理位置からへ退避位置と移動させる。また、制御装置7は、第2ノズル移動機構M2を制御して、第2ノズルN2を退避位置から処理位置へと移動させる。このとき、ポンプ5から送り出された処理液は、処理液供給路6から第3分岐路13に分岐し、第3一次側バルブP3、第3ノズルN3、および第3二次側バルブS3を順に通って、第3排液路22からドレン配管24へと排液される。したがって、第1一次側バルブP1および第2一次側バルブP2を閉じても、配管内の液圧が過大になることはない。第3ノズルN3の吐出孔52から少量の処理液が漏れ出るおそれがあるが、第3ノズルN3は、退避位置にあるので、基板W上に処理液が落下するおそれはない。ステップ10では、第1二次側バルブS1および第2二次側バルブS2は閉状態とされてもよいが、図4Aにはそれらを開状態に制御する例を示す。   In step 10 (first nozzle moving step and second nozzle moving step), the control device 7 closes the first primary valve P1 and the second primary valve P2, the third primary valve P3, and the first, The second and third secondary side valves S1, S2, S3 are controlled to be opened. Accordingly, since the processing liquid is not supplied to the first nozzle N1 and the second nozzle N2, the processing liquid does not leak from the first nozzle N1 and the second nozzle N2. In this state, the control device 7 controls the first nozzle moving mechanism M1 to move the first nozzle N1 from the processing position to the retracted position. Further, the control device 7 controls the second nozzle moving mechanism M2 to move the second nozzle N2 from the retracted position to the processing position. At this time, the processing liquid sent out from the pump 5 branches from the processing liquid supply path 6 to the third branch path 13, and the third primary side valve P3, the third nozzle N3, and the third secondary side valve S3 are sequentially supplied. Then, the liquid is drained from the third drainage path 22 to the drain pipe 24. Therefore, even if the first primary valve P1 and the second primary valve P2 are closed, the hydraulic pressure in the pipe does not become excessive. Although a small amount of processing liquid may leak from the ejection hole 52 of the third nozzle N3, the third nozzle N3 is in the retracted position, so there is no possibility that the processing liquid will fall on the substrate W. In step 10, the first secondary valve S1 and the second secondary valve S2 may be closed. FIG. 4A shows an example of controlling them to the open state.

ステップ11−16(第2ノズル処理ステップ)では、制御装置7は、第2一次側バルブP2を開いて第2二次側バルブS2を閉じる。さらに、制御装置7は、第1および第3一次側バルブP1,P3を閉じる。第1および第3二次側バルブS1,S3は、開状態でもよいし閉状態でもよいが、図4Aには、それらを開状態に制御する例を示す。このようにして、第2ノズルN2において、第2一次側バルブP2が開かれ第2二次側バルブS2が閉じられるので、ノズル本体46の内部空間の液圧が高まる。その結果、第2ノズルN2の吐出孔52から液滴が吐出され、スピンチャックC2に保持された基板W上に供給される。第1および第3一次側バルブP1,P3が閉じられることにより、第1または第3ノズルN1,N3を通る流路はいずれも遮断されるので、第2ノズルN2に対して十分な液圧の処理液を供給できる。   In step 11-16 (second nozzle processing step), the control device 7 opens the second primary valve P2 and closes the second secondary valve S2. Furthermore, the control device 7 closes the first and third primary valves P1, P3. The first and third secondary valves S1 and S3 may be in an open state or a closed state. FIG. 4A shows an example of controlling them to an open state. In this way, in the second nozzle N2, the second primary side valve P2 is opened and the second secondary side valve S2 is closed, so that the hydraulic pressure in the internal space of the nozzle body 46 increases. As a result, droplets are discharged from the discharge holes 52 of the second nozzle N2 and supplied onto the substrate W held by the spin chuck C2. Since the first and third primary valves P1 and P3 are closed, the flow paths passing through the first or third nozzles N1 and N3 are both blocked, so that a sufficient hydraulic pressure is applied to the second nozzle N2. Treatment liquid can be supplied.

ステップ17(第2ノズル移動ステップおよび第3ノズル移動ステップ)においては、制御装置7は、第2一次側バルブP2および第3一次側バルブP3を閉じ、第1一次側バルブP1、ならびに第1、第2および第3二次側バルブS1,S2,S3を開状態に制御する。したがって、第2ノズルN2および第3ノズルN3には処理液が供給されないので、これらの第2ノズルN2および第3ノズルN3からは処理液が漏れ出なくなる。この状態で、制御装置7は、第2ノズル移動機構M2を制御して、第2ノズルN2を処理位置からへ退避位置と移動させる。また、制御装置7は、第3ノズル移動機構M3を制御して、第3ノズルN3を退避位置から処理位置へと移動させる。このとき、ポンプ5から送り出された処理液は、処理液供給路6から第1分岐路11に分岐し、第1一次側バルブP1、第1ノズルN1、および第1二次側バルブS1を順に通って、第1排液路21からドレン配管24へと排液される。したがって、第2一次側バルブP2および第3一次側バルブP3を閉じても、配管内の液圧が過大になることはない。第1ノズルN1の吐出孔52から少量の処理液が漏れ出るおそれがあるが、第1ノズルN1は、退避位置にあるので、基板W上に処理液が落下するおそれはない。ステップ17では、第2二次側バルブS2および第3二次側バルブS3は閉状態とされてもよいが、図4Aにはそれらを開状態に制御する例を示す。   In step 17 (second nozzle moving step and third nozzle moving step), the control device 7 closes the second primary side valve P2 and the third primary side valve P3, the first primary side valve P1, and the first, The second and third secondary side valves S1, S2, S3 are controlled to be opened. Accordingly, since the processing liquid is not supplied to the second nozzle N2 and the third nozzle N3, the processing liquid does not leak from the second nozzle N2 and the third nozzle N3. In this state, the control device 7 controls the second nozzle moving mechanism M2 to move the second nozzle N2 from the processing position to the retracted position. Further, the control device 7 controls the third nozzle moving mechanism M3 to move the third nozzle N3 from the retracted position to the processing position. At this time, the processing liquid sent out from the pump 5 branches from the processing liquid supply path 6 to the first branch path 11, and the first primary side valve P1, the first nozzle N1, and the first secondary side valve S1 are sequentially arranged. Then, the liquid is drained from the first drainage path 21 to the drain pipe 24. Therefore, even if the second primary side valve P2 and the third primary side valve P3 are closed, the hydraulic pressure in the pipe does not become excessive. Although a small amount of processing liquid may leak from the discharge hole 52 of the first nozzle N1, the first nozzle N1 is in the retracted position, so there is no possibility that the processing liquid will fall on the substrate W. In step 17, the second secondary side valve S2 and the third secondary side valve S3 may be closed, but FIG. 4A shows an example of controlling them to the open state.

ステップ18−23(第3ノズル処理ステップ)では、制御装置7は、第3一次側バルブP3を開いて第3二次側バルブS3を閉じる。さらに、制御装置7は、第1および第2一次側バルブP1,P2を閉じる。第1および第2二次側バルブS1,S2は、開状態でもよいし閉状態でもよいが、図4Aには、それらを開状態に制御する例を示す。このようにして、第3ノズルN3において、第3一次側バルブP3が開かれ第3二次側バルブS3が閉じられるので、ノズル本体46の内部空間の液圧が高まる。その結果、第3ノズルN3の吐出孔52から液滴が吐出され、スピンチャックC3に保持された基板W上に供給される。第1および第2一次側バルブP1,P2が閉じられることにより、第1または第2ノズルN1,N2を通る流路はいずれも遮断されるので、第3ノズルN3に対して十分な液圧の処理液を供給できる。   In step 18-23 (third nozzle processing step), the control device 7 opens the third primary side valve P3 and closes the third secondary side valve S3. Further, the control device 7 closes the first and second primary side valves P1, P2. The first and second secondary valves S1 and S2 may be in an open state or a closed state. FIG. 4A shows an example of controlling them to an open state. In this way, in the third nozzle N3, the third primary valve P3 is opened and the third secondary valve S3 is closed, so that the hydraulic pressure in the internal space of the nozzle body 46 increases. As a result, droplets are discharged from the discharge hole 52 of the third nozzle N3 and supplied onto the substrate W held by the spin chuck C3. Since the first and second primary valves P1 and P2 are closed, the flow paths passing through the first or second nozzles N1 and N2 are both blocked, so that a sufficient hydraulic pressure is applied to the third nozzle N3. Treatment liquid can be supplied.

ステップ24(第3ノズル移動ステップおよび第1ノズル移動ステップ)においては、制御装置7は、第1一次側バルブP1および第3一次側バルブP3を閉じ、第2一次側バルブP2、ならびに第1、第2および第3二次側バルブS1,S2,S3を開状態に制御する。したがって、第1ノズルN1および第3ノズルN3には処理液が供給されないので、これらの第1ノズルN1および第3ノズルN3からは処理液が漏れ出なくなる。この状態で、制御装置7は、第3ノズル移動機構M3を制御して、第3ノズルN3を処理位置から退避位置へと移動させる。また、制御装置7は、第1ノズル移動機構M1を制御して、第1ノズルN1を退避位置から処理位置へと移動させる。このとき、ポンプ5から送り出された処理液は、処理液供給路6から第2分岐路12に分岐し、第2一次側バルブP2、第2ノズルN2、および第2二次側バルブS2を順に通って、第2排液路22からドレン配管24へと排液される。したがって、第1一次側バルブP1および第3一次側バルブP3を閉じても、配管内の液圧が過大になることはない。第2ノズルN2の吐出孔52から少量の処理液が漏れ出るおそれがあるが、第2ノズルN2は、退避位置にあるので、基板W上に処理液が落下するおそれはない。ステップ24では、第1二次側バルブS1および第3二次側バルブS3は閉状態とされてもよいが、図4Aにはそれらを開状態に制御する例を示す。   In step 24 (third nozzle moving step and first nozzle moving step), the control device 7 closes the first primary valve P1 and the third primary valve P3, the second primary valve P2, and the first, The second and third secondary side valves S1, S2, S3 are controlled to be opened. Accordingly, since the processing liquid is not supplied to the first nozzle N1 and the third nozzle N3, the processing liquid does not leak from the first nozzle N1 and the third nozzle N3. In this state, the control device 7 controls the third nozzle moving mechanism M3 to move the third nozzle N3 from the processing position to the retracted position. Further, the control device 7 controls the first nozzle moving mechanism M1 to move the first nozzle N1 from the retracted position to the processing position. At this time, the processing liquid sent out from the pump 5 branches from the processing liquid supply path 6 to the second branch path 12, and the second primary side valve P2, the second nozzle N2, and the second secondary side valve S2 are sequentially arranged. Then, the liquid is drained from the second drainage path 22 to the drain pipe 24. Therefore, even if the first primary side valve P1 and the third primary side valve P3 are closed, the hydraulic pressure in the pipe does not become excessive. Although a small amount of processing liquid may leak from the discharge hole 52 of the second nozzle N2, the second nozzle N2 is in the retracted position, so there is no possibility that the processing liquid will fall on the substrate W. In step 24, the first secondary side valve S1 and the third secondary side valve S3 may be closed, but FIG. 4A shows an example of controlling them to the open state.

次に、図4Bに示す第2動作例について説明する。この第2動作例では、一つの処理ユニットにおける処理ステップの実行中において、同時に、別の処理ユニットにおいて、ノズルを退避位置から処理位置に移動させるノズル移動ステップが並行して行われる。そして、当該別の処理ユニットにおける処理ステップの実行中において、同時に、前記一つの処理ユニットにおいて、ノズルを処理位置から退避位置に移動させるノズル移動ステップが並行して行われる。以下、図4Aの第1動作例との相違を具体的に説明する。   Next, a second operation example shown in FIG. 4B will be described. In the second operation example, during the execution of the processing step in one processing unit, simultaneously, the nozzle movement step for moving the nozzle from the retracted position to the processing position is performed in parallel in another processing unit. During the execution of the processing step in the other processing unit, a nozzle moving step for moving the nozzle from the processing position to the retracted position is simultaneously performed in the one processing unit. Hereinafter, a difference from the first operation example of FIG. 4A will be specifically described.

図4Bに示す第2動作例では、第1動作例において説明したステップ10,17,24が省かれる。すなわち、第1処理ユニット1における処理ステップ4−9が終了すると、第1処理ユニット2における処理ステップ11−16が即座に開始される。さらに、第2処理ユニット2における処理ステップ11−16が終了すると、第3処理ユニット3における処理ステップ18−23が即座に開始される。さらに、第3処理ユニット3における処理ステップ18−23が終了すると、第1処理ユニット1における処理ステップ4−9が即座に開始される。ただし、第2処理ユニット3における処理ステップの後、待機状態とするときは、ステップ24が実行される。   In the second operation example shown in FIG. 4B, steps 10, 17, and 24 described in the first operation example are omitted. That is, when the processing step 4-9 in the first processing unit 1 is completed, the processing step 11-16 in the first processing unit 2 is immediately started. Further, when the processing step 11-16 in the second processing unit 2 is completed, the processing step 18-23 in the third processing unit 3 is immediately started. Further, when the processing step 18-23 in the third processing unit 3 is completed, the processing step 4-9 in the first processing unit 1 is immediately started. However, step 24 is executed when the standby state is set after the processing step in the second processing unit 3.

一方、第1処理ユニット1における処理ステップ4−9のうちの最後のステップ9(またはそれ以前のステップ)において、第2処理ユニット2においては、第2ノズルN2を退避位置から処理位置まで移動させるための第2ノズル移動ステップが並行して行われる。すなわち、制御装置7は、第1処理ユニット1において第1ノズルN1を用いた基板処理が行われている間に、第2ノズル移動機構M2を制御して、第2ノズルN2を退避位置から処理位置まで移動させる。このとき、第2一次側バルブP2は閉状態に制御されているから、第2ノズルN2から基板W上に処理液が落下することはない。さらに、第2処理ユニット2における処理ステップ11−16のうちの最初のステップ11(またはそれ以後のステップ)において、第1処理ユニット1においては、第1ノズルN1を処理位置から退避位置まで移動させるための第1ノズル移動ステップが並行して行われる。すなわち、制御装置7は、第2処理ユニット2において第2ノズルN2を用いた基板処理が行われている間に、第1ノズル移動機構M1を制御して、第1ノズルN1を処理位置から退避位置まで移動させる。このとき、第1一次側バルブP1は閉状態に制御されているから、第1ノズルN1から基板W上に処理液が落下することはない。   On the other hand, in the last step 9 (or previous step) of the processing steps 4-9 in the first processing unit 1, the second processing unit 2 moves the second nozzle N2 from the retracted position to the processing position. The second nozzle moving step is performed in parallel. That is, the control device 7 controls the second nozzle moving mechanism M2 while the substrate processing using the first nozzle N1 is being performed in the first processing unit 1, and processes the second nozzle N2 from the retracted position. Move to position. At this time, since the second primary side valve P2 is controlled to be closed, the processing liquid does not fall on the substrate W from the second nozzle N2. Further, in the first step 11 (or subsequent steps) of the processing steps 11-16 in the second processing unit 2, in the first processing unit 1, the first nozzle N1 is moved from the processing position to the retracted position. The first nozzle moving step is performed in parallel. That is, the control device 7 controls the first nozzle moving mechanism M1 while the substrate processing using the second nozzle N2 is performed in the second processing unit 2, and retracts the first nozzle N1 from the processing position. Move to position. At this time, since the first primary valve P1 is controlled to be closed, the processing liquid does not fall on the substrate W from the first nozzle N1.

同様に、第2処理ユニット2における処理ステップ11−16のうちの最後のステップ16(またはそれ以前のステップ)において、第3処理ユニット3においては、第3ノズルN3を退避位置から処理位置まで移動させるための第3ノズル移動ステップが並行して行われる。すなわち、制御装置7は、第2処理ユニット2において第2ノズルN2を用いた基板処理が行われている間に、第3ノズル移動機構M3を制御して、第3ノズルN3を退避位置から処理位置まで移動させる。このとき、第3一次側バルブP3は閉状態に制御されているから、第3ノズルN3から基板W上に処理液が落下することはない。さらに、第3処理ユニット3における処理ステップ18−23のうちの最初のステップ18(またはそれ以後のステップ)において、第2処理ユニット2においては、第2ノズルN2を処理位置から退避位置まで移動させるための第2ノズル移動ステップが並行して行われる。すなわち、制御装置7は、第3処理ユニット3において第3ノズルN3を用いた基板処理が行われている間に、第2ノズル移動機構M2を制御して、第2ノズルN2を処理位置から退避位置まで移動させる。このとき、第2一次側バルブP2は閉状態に制御されているから、第2ノズルN2から基板W上に処理液が落下することはない。   Similarly, in the last step 16 (or previous step) of the processing steps 11-16 in the second processing unit 2, the third processing unit 3 moves the third nozzle N3 from the retracted position to the processing position. The third nozzle moving step for performing the operation is performed in parallel. That is, the control device 7 controls the third nozzle moving mechanism M3 to process the third nozzle N3 from the retracted position while the substrate processing using the second nozzle N2 is performed in the second processing unit 2. Move to position. At this time, since the third primary side valve P3 is controlled to be closed, the processing liquid does not fall on the substrate W from the third nozzle N3. Furthermore, in the first step 18 (or subsequent steps) of the processing steps 18-23 in the third processing unit 3, the second processing unit 2 moves the second nozzle N2 from the processing position to the retracted position. The second nozzle moving step is performed in parallel. That is, the control device 7 controls the second nozzle moving mechanism M2 while the substrate processing using the third nozzle N3 is being performed in the third processing unit 3, and retracts the second nozzle N2 from the processing position. Move to position. At this time, since the second primary side valve P2 is controlled to be closed, the processing liquid does not fall on the substrate W from the second nozzle N2.

さらに同様に、第3処理ユニット3における処理ステップ18−23のうちの最後のステップ23(またはそれ以前のステップ)において、第1処理ユニット1においては、第1ノズルN1を退避位置から処理位置まで移動させるための第1ノズル移動ステップが並行して行われる。すなわち、制御装置7は、第3処理ユニット3において第3ノズルN3を用いた基板処理が行われている間に、第1ノズル移動機構M1を制御して、第1ノズルN1を退避位置から処理位置まで移動させる。このとき、第1一次側バルブP1は閉状態に制御されているから、第1ノズルN1から基板W上に処理液が落下することはない。さらに、第1処理ユニット1における処理ステップ4−9のうちの最初のステップ4(またはそれ以後のステップ)において、第3処理ユニット3においては、第3ノズルN3を処理位置から退避位置まで移動させるための第3ノズル移動ステップが並行して行われる。すなわち、制御装置7は、第1処理ユニット1において第1ノズルN1を用いた基板処理が行われている間に、第3ノズル移動機構M3を制御して、第3ノズルN3を処理位置から退避位置まで移動させる。このとき、第3一次側バルブP3は閉状態に制御されているから、第3ノズルN3から基板W上に処理液が落下することはない。   Similarly, in the last step 23 (or previous step) of the processing steps 18-23 in the third processing unit 3, the first processing unit 1 moves the first nozzle N1 from the retracted position to the processing position. The first nozzle moving step for moving is performed in parallel. That is, the control device 7 controls the first nozzle moving mechanism M1 to process the first nozzle N1 from the retracted position while the substrate processing using the third nozzle N3 is performed in the third processing unit 3. Move to position. At this time, since the first primary valve P1 is controlled to be closed, the processing liquid does not fall on the substrate W from the first nozzle N1. Further, in the first step 4 (or subsequent steps) of the processing steps 4-9 in the first processing unit 1, in the third processing unit 3, the third nozzle N3 is moved from the processing position to the retracted position. The third nozzle moving step is performed in parallel. That is, the control device 7 controls the third nozzle moving mechanism M3 while the substrate processing using the first nozzle N1 is performed in the first processing unit 1, and retracts the third nozzle N3 from the processing position. Move to position. At this time, since the third primary side valve P3 is controlled to be closed, the processing liquid does not fall on the substrate W from the third nozzle N3.

ステップ23の後、待機状態とするときには、ステップ24(第3ノズルN3の退避位置への移動)の実行後に、ステップ1に戻ればよい。
図5は、第1〜第3処理ユニット1,2,3における処理の進行例(実施例)を説明するための図である。各処理ユニット1,2,3において基板Wに対して実行される全処理時間が95秒間であり、そのうちノズルN1,N2,N3を用いたスプレー処理が30秒(6ステップ分)であるものとする。残りの65秒間には、たとえば、別のノズルを用いて基板W上に処理液を供給する液処理(薬液処理またはリンス処理)や、スピンチャックC1,C2,C3を高速回転させて基板W上の液を振り切るスピンドライ処理などが行われる。
When the standby state is set after step 23, it is only necessary to return to step 1 after executing step 24 (movement of the third nozzle N3 to the retracted position).
FIG. 5 is a diagram for explaining a progress example (example) of processing in the first to third processing units 1, 2, 3. The total processing time executed on the substrate W in each processing unit 1, 2 and 3 is 95 seconds, of which spray processing using the nozzles N1, N2 and N3 is 30 seconds (6 steps). To do. In the remaining 65 seconds, for example, liquid processing (chemical processing or rinsing processing) for supplying a processing liquid onto the substrate W using another nozzle, or the spin chucks C1, C2, and C3 are rotated at high speed on the substrate W. A spin dry process is performed to shake off the liquid.

図5に示された処理の進行例は、図4Bの動作例に従うものである。すなわち、第1処理ユニット1における処理ステップ(スプレー処理)の終了直後から、第2処理ユニット2における処理ステップ(スプレー処理)が始まっている。また、第2処理ユニット2における処理ステップ(スプレー処理)の終了直後から、第3処理ユニット3における処理ステップ(スプレー処理)が始まっている。第1、第2および第3処理ユニット1,2,3における処理ステップ(スプレー処理)の合計時間は90秒(=30秒×3)であるので、全処理時間の95秒に対して5秒間の余裕がある。こうして、ポンプ5を3つの処理ユニット1,2,3で共用しながら、基板Wに対する処理を効率的に行って生産性の向上を図ることができる。   The progress example of the process shown in FIG. 5 follows the operation example of FIG. 4B. That is, the processing step (spray processing) in the second processing unit 2 starts immediately after the end of the processing step (spray processing) in the first processing unit 1. Further, immediately after the end of the processing step (spray processing) in the second processing unit 2, the processing step (spray processing) in the third processing unit 3 starts. Since the total time of the processing steps (spray processing) in the first, second and third processing units 1, 2 and 3 is 90 seconds (= 30 seconds × 3), 5 seconds with respect to 95 seconds of the total processing time. I can afford. Thus, while the pump 5 is shared by the three processing units 1, 2, and 3, the substrate W can be efficiently processed to improve productivity.

図6は、比較例の構成における処理の進行例を説明するための図である。この比較例では、第1ノズルN1を退避位置と処理位置との間で移動させるとき、第2ノズルN2を退避位置と処理位置との間で移動させるとき、および第3ノズルN3を退避位置と処理位置との間で移動させるときに、ポンプ5が停止させられる。そして、ノズルが退避位置から処理位置に移動した後に、ポンプ5が作動開始し、圧込めステップ(たとえば5秒)の後に、基板Wに対する液滴の吐出が始まる。さらに、液滴による処理ステップ(スプレー処理)の終了後には、ポンプ5の動作が停止させられ、ノズル内の液滴の圧力を抜いて処理液が出ない状態とするための圧抜きステップ(たとえば5秒)が行われる。したがって、第1処理ユニット1での処理ステップと第2処理ユニット2での処理ステップとの間に、圧込めステップおよび圧抜きステップ(合計10秒間)が必要となる。同様に、第2処理ユニット2での処理ステップと第3処理ユニット3での処理ステップとの間に、圧込めステップおよび圧抜きステップ(合計10秒間)が必要となる。よって、図5の例と比較すると、一つの処理ユニットにおいて一枚の基板Wの処理に要する時間が10秒間長くなる。しかも、第2処理ユニット2での処理ステップおよび圧抜きステップの終了から第1処理ユニット1における次の圧込めステップの開始までに5ステップ分(25秒間)の余裕しかないので、この期間内に第3処理ユニット3での処理ステップを完了することができない。したがって、3つの処理ユニット1,2,3でポンプ5を共有するには、各処理ユニット1,2,3で待ち時間が生じることは避けられない。よって、図5のプロセス例に比較すると、生産性が良くない。   FIG. 6 is a diagram for explaining an example of processing progress in the configuration of the comparative example. In this comparative example, the first nozzle N1 is moved between the retracted position and the processing position, the second nozzle N2 is moved between the retracted position and the processing position, and the third nozzle N3 is moved to the retracted position. When moving between the processing positions, the pump 5 is stopped. Then, after the nozzle moves from the retracted position to the processing position, the pump 5 starts to operate, and after the press-in step (for example, 5 seconds), the discharge of droplets onto the substrate W starts. Further, after the processing step (spray processing) using the liquid droplets is finished, the operation of the pump 5 is stopped, and the pressure releasing step (for example, for releasing the pressure of the liquid droplets in the nozzle so that the processing liquid does not come out) 5 seconds). Therefore, a pressing step and a depressurizing step (10 seconds in total) are required between the processing step in the first processing unit 1 and the processing step in the second processing unit 2. Similarly, a compression step and a depressurization step (10 seconds in total) are required between the processing step in the second processing unit 2 and the processing step in the third processing unit 3. Therefore, as compared with the example of FIG. 5, the time required for processing one substrate W in one processing unit is increased by 10 seconds. Moreover, there is only a margin of 5 steps (25 seconds) from the end of the processing step and the depressurization step in the second processing unit 2 to the start of the next press-in step in the first processing unit 1, so that within this period The processing step in the third processing unit 3 cannot be completed. Therefore, in order to share the pump 5 among the three processing units 1, 2, 3, it is inevitable that a waiting time is generated in each processing unit 1, 2, 3. Therefore, productivity is not good compared with the process example of FIG.

以上のように、この実施形態によれば、第1一次側バルブP1、第2一次側バルブP2および第3一次側バルブP3のいずれか一つを選択して開くことによって、一つのポンプ5を第1、第2および第3処理ユニット1,2,3での処理に共用できるから、構成が簡単になり、基板処理装置のコストを削減できる。そして、いずれかのノズルNに対応した一次側バルブPを閉じるときには、別のノズルNに対応した一次側バルブPおよび二次側バルブSの組が開かれて、ポンプ5は駆動状態に保持される。たとえば、第1一次側バルブP1を閉じるときには、第2一次側バルブP2および第2二次側バルブS2の組、または第3一次側バルブP3および第3二次側バルブS2の組が開かれ、ポンプ5は駆動状態に保持される。よって、一次側バルブPを閉じたノズルNからの処理液吐出がただちに停止される一方で、他のノズルNからは、必要に応じて速やかに処理液を吐出させることができる。つまり、ポンプ5が駆動状態に保持されるので、圧込め時間および圧抜き時間をいずれも解消できるから、第1、第2および第3処理ユニット1,2,3における基板処理時間を短縮して、基板処理の生産性を向上できる。しかも、一つのノズルNの一次側バルブPを閉じるときに、別のノズルNの一次側ノズルPおよび二次側ノズルSの組を開くので、処理液供給路6等での液圧が過大になるおそれもない。また、一次側バルブを閉じることによって、それに対応するノズルNから処理液が出なくなるから、当該ノズルNから基板W上への処理液の落下を回避できる。このようにして、基板W上への処理液の落下を回避しつつ優れた生産性を実現でき、併せて、構成の簡素化およびコストの削減も可能な基板処理装置を提供できる。   As described above, according to this embodiment, by selecting and opening any one of the first primary valve P1, the second primary valve P2, and the third primary valve P3, one pump 5 can be opened. Since the process can be shared by the first, second and third processing units 1, 2 and 3, the configuration is simplified and the cost of the substrate processing apparatus can be reduced. When the primary side valve P corresponding to one of the nozzles N is closed, the set of the primary side valve P and the secondary side valve S corresponding to another nozzle N is opened, and the pump 5 is held in a driving state. The For example, when closing the first primary valve P1, the set of the second primary valve P2 and the second secondary valve S2, or the set of the third primary valve P3 and the third secondary valve S2, is opened. The pump 5 is kept in a driving state. Therefore, while the processing liquid discharge from the nozzle N which closed the primary side valve P is stopped immediately, the processing liquid can be discharged from the other nozzles N as soon as necessary. That is, since the pump 5 is maintained in the driving state, both the press-in time and the pressure-release time can be eliminated, so that the substrate processing time in the first, second and third processing units 1, 2, 3 can be shortened. The productivity of substrate processing can be improved. Moreover, when the primary valve P of one nozzle N is closed, the set of the primary nozzle P and the secondary nozzle S of another nozzle N is opened, so that the liquid pressure in the processing liquid supply path 6 and the like is excessive. There is no risk of becoming. Further, by closing the primary side valve, the processing liquid does not come out from the corresponding nozzle N, so that the processing liquid can be prevented from dropping from the nozzle N onto the substrate W. In this way, it is possible to provide a substrate processing apparatus that can realize excellent productivity while avoiding the dropping of the processing liquid onto the substrate W, and can simplify the configuration and reduce the cost.

また、この実施形態では、ノズルNを退避位置と処理位置との間で移動させる期間に、当該ノズルNに対応した一次側バルブPが閉じられる。これにより、当該ノズルNから処理液が漏出しないから、ノズルNの移動中に、基板W上に不用意に処理液が落下することを回避でき、基板処理品質を向上できる。しかも、ポンプは駆動状態に保持されるから、ノズルNを退避位置から処理位置まで移動させた後は、当該ノズルNに対応する一次側バルブPを開けば、ただちにそのノズルNから処理液の吐出を開始できる。また、ノズルNによる処理が終了した後は、ただちにそのノズルに対応する一次側バルブPを閉じて、そのノズルNを速やかに退避位置に戻すことができる。このようにして、基板処理に要する時間を短縮して、生産性を向上できる。   In this embodiment, the primary valve P corresponding to the nozzle N is closed during the period in which the nozzle N is moved between the retracted position and the processing position. Accordingly, since the processing liquid does not leak from the nozzle N, it is possible to avoid the processing liquid from inadvertently dropping on the substrate W during the movement of the nozzle N, and the substrate processing quality can be improved. In addition, since the pump is held in the driving state, after the nozzle N is moved from the retracted position to the processing position, when the primary valve P corresponding to the nozzle N is opened, the processing liquid is immediately discharged from the nozzle N. Can start. Further, immediately after the processing by the nozzle N is completed, the primary valve P corresponding to the nozzle can be closed and the nozzle N can be quickly returned to the retracted position. In this way, productivity required can be improved by shortening the time required for substrate processing.

以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに別の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、3つの処理ユニット1,2,3で一つのポンプ5が共有される例を示したが、2つの処理ユニットで一つのポンプを共有したり、4つ以上の処理ユニットで一つのポンプを共有したりしてもよい。さらに、前述の実施形態では、複数の吐出孔52を有する処理液ヘッドの形態を有するノズルNを例示したが、より少ない数の吐出孔(たとえば一つの吐出孔)を有するノズルを用いてもよい。また、前述の実施形態では、基板Wを保持する基板保持機構としてのスピンチャックCを備えた処理ユニット1,2,3を例示したが、基板Wを非回転状態で保持する別の形態の基板保持機構を用いてもよい。さらに、前述の実施形態では、円形の基板Wを例示したが、角形等の別の形状の基板の処理のためにこの発明が適用されてもよい。さらに、前述の実施形態の説明に用いた図面では、一次側バルブP1,P2,P3が個別に示されているが、これらは、一つのバルブユニットに一体化されていてもよい。同様に、二次側バルブS1,S2,S3も、個別のユニットであってもよいし、統合された一つのバルブユニットであってもよい。   As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, in the above-described embodiment, an example in which one processing unit 1, 2, and 3 share one pump 5 has been described. However, two processing units share one pump or four or more processing units. A unit may share a single pump. Furthermore, in the above-described embodiment, the nozzle N having the form of the treatment liquid head having the plurality of discharge holes 52 is exemplified, but a nozzle having a smaller number of discharge holes (for example, one discharge hole) may be used. . In the above-described embodiment, the processing units 1, 2, and 3 including the spin chuck C as a substrate holding mechanism that holds the substrate W are exemplified. However, another form of substrate that holds the substrate W in a non-rotating state. A holding mechanism may be used. Furthermore, in the above-described embodiment, the circular substrate W is illustrated, but the present invention may be applied to processing a substrate having another shape such as a square. Furthermore, although the primary side valves P1, P2, and P3 are individually shown in the drawings used for the description of the above-described embodiment, these may be integrated into one valve unit. Similarly, the secondary side valves S1, S2, and S3 may be individual units or may be a single integrated valve unit.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

N ノズル
N1 第1ノズル
N2 第2ノズル
N3 第3ノズル
P 一次側バルブ
P1 第1一次側バルブ
P2 第2一次側バルブ
P3 第3一次側バルブ
S 二次側バルブ
S1 第1二次側バルブ
S2 第2二次側バルブ
S3 第3二次側バルブ
C スピンチャック
C1 スピンチャック
C2 スピンチャック
C3 スピンチャック
M ノズル移動機構
M1 第1ノズル移動機構
M2 第2ノズル移動機構
M3 第3ノズル移動機構
1 第1処理ユニット
2 第2処理ユニット
3 第3処理ユニット
4 処理液供給源
5 ポンプ
6 処理液供給路
7 制御装置
10 分岐路
11 第1分岐路
12 第2分岐路
13 第3分岐路
20 排液路
21 第1排液路
22 第2排液路
23 第3排液路
24 ドレン配管
34 圧電素子
36 駆動回路
40 ノズルアーム
41 回動機構
42 昇降機構
46 ノズル本体
49 供給口
50 排出口
51 処理液流通路
52 吐出孔
N Nozzle N1 First nozzle N2 Second nozzle N3 Third nozzle P Primary side valve P1 First primary side valve P2 Second primary side valve P3 Third primary side valve S Secondary side valve S1 First secondary side valve S2 First 2 Secondary valve S3 Third secondary valve C Spin chuck C1 Spin chuck C2 Spin chuck C3 Spin chuck M Nozzle movement mechanism M1 First nozzle movement mechanism M2 Second nozzle movement mechanism M3 Third nozzle movement mechanism 1 First processing Unit 2 second processing unit 3 third processing unit 4 processing liquid supply source 5 pump 6 processing liquid supply path 7 control device 10 branch path 11 first branch path 12 second branch path 13 third branch path 20 drainage path 21 first 1 drainage path 22 second drainage path 23 third drainage path 24 drain piping 34 piezoelectric element 36 drive circuit 40 nozzle arm 41 times Moving mechanism 42 Elevating mechanism 46 Nozzle body 49 Supply port 50 Discharge port 51 Treatment liquid flow path 52 Discharge hole

Claims (20)

処理液によって基板を処理する第1処理ユニットおよび第2処理ユニットを有する基板処理装置であって、
処理液を加圧して送り出すポンプと、
前記ポンプに接続された処理液供給路と、
前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、
前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、
前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、
前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、
前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、
前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと、
前記第1ノズルに接続された第1排液路と、
前記第2ノズルに接続された第2排液路と、
前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、
前記第2排液路に介装された第2二次側バルブと、
前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開く制御手段と
を含む、基板処理装置。
A substrate processing apparatus having a first processing unit and a second processing unit for processing a substrate with a processing liquid,
A pump for pressurizing and feeding the processing liquid;
A treatment liquid supply path connected to the pump;
A first branch path branched from the treatment liquid supply path;
A second branch path branched from the processing liquid supply path;
A first nozzle connected to the first branch path and disposed in the first processing unit;
A second nozzle connected to the second branch path and disposed in the second processing unit;
A first primary valve interposed in the first branch path;
A second primary side valve interposed in the second branch path;
A first drainage channel connected to the first nozzle;
A second drainage path connected to the second nozzle;
A first secondary valve interposed in the first drainage path;
A second secondary side valve interposed in the second drainage path;
And a control means for opening the second primary valve and the second secondary valve while keeping the pump in a driving state when the first primary valve is closed.
前記第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第1ノズル移動機構をさらに含み、
前記制御手段は、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じる、請求項に記載の基板処理装置。
A first nozzle moving mechanism for moving the first nozzle between a retracted position and a processing position;
2. The substrate processing according to claim 1 , wherein the control unit closes the first primary valve when the first nozzle moving mechanism moves the first nozzle between the retracted position and the processing position. 3. apparatus.
前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、
前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有している、請求項またはに記載の基板処理装置。
The first nozzle is a hollow in which a first primary side opening connected to the first branch path, a first secondary side opening connected to the first drainage path, and a plurality of first discharge holes are formed. A first processing liquid head that discharges liquid droplets of the processing liquid from the plurality of first discharge holes,
The second nozzle is a hollow in which a second primary side opening connected to the second branch passage, a second secondary side opening connected to the second drainage passage, and a plurality of second discharge holes are formed. the second has a nozzle body, has the form of a second treatment liquid head which ejects droplets of the treatment liquid from the plurality of second discharge holes, the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.
処理液によって基板を処理する第1処理ユニット、第2処理ユニットおよび第3処理ユニットを有する基板処理装置であって、
処理液を加圧して送り出すポンプと、
前記ポンプに接続された処理液供給路と、
前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、
前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、
前記処理液供給路から分岐した第3分岐路と、
前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、
前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、
前記第3分岐路に接続され、前記第3処理ユニットに配置された第3ノズルと、
前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、
前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと、
前記第3分岐路に介装された第3一次側バルブと、
前記第1ノズルに接続された第1排液路と、
前記第2ノズルに接続された第2排液路と、
前記第3ノズルに接続された第3排液路と、
前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、
前記第2排液路に介装された第2二次側バルブと、
前記第3排液路に介装された第3二次側バルブと、
前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開く制御手段と
を含む、基板処理装置。
A substrate processing apparatus having a first processing unit, a second processing unit, and a third processing unit for processing a substrate with a processing liquid,
A pump for pressurizing and feeding the processing liquid;
A treatment liquid supply path connected to the pump;
A first branch path branched from the treatment liquid supply path;
A second branch path branched from the processing liquid supply path;
A third branch path branched from the treatment liquid supply path;
A first nozzle connected to the first branch path and disposed in the first processing unit;
A second nozzle connected to the second branch path and disposed in the second processing unit;
A third nozzle connected to the third branch path and disposed in the third processing unit;
A first primary valve interposed in the first branch path;
A second primary side valve interposed in the second branch path;
A third primary side valve interposed in the third branch path;
A first drainage channel connected to the first nozzle;
A second drainage path connected to the second nozzle;
A third drainage channel connected to the third nozzle;
A first secondary valve interposed in the first drainage path;
A second secondary side valve interposed in the second drainage path;
A third secondary valve interposed in the third drainage path;
When the first primary valve is closed, the second primary valve and the second secondary valve, or the third primary valve and the third secondary side are maintained while the pump is maintained in a driving state. A substrate processing apparatus including control means for opening a valve .
前記制御手段が、前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第3一次側バルブを開く、請求項に記載の基板処理装置。 5. The substrate processing according to claim 4 , wherein when the second primary side valve is closed, the control unit opens the first primary side valve or the third primary side valve while maintaining the pump in a driving state. 6. apparatus. 前記制御手段が、前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第2一次側バルブを開く、請求項またはに記載の基板処理装置。 Said control means, when closing the third primary valve, while maintaining the pump driving state, opening the first primary side valve or the second primary side valve, according to claim 4 or 5 Substrate processing equipment. 前記制御手段が、前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開く、請求項に記載の基板処理装置。 When the control means closes the second primary side valve, the first primary side valve and the first secondary side valve, or the third primary side valve and the The substrate processing apparatus according to claim 4 , wherein the third secondary side valve is opened. 前記制御手段が、前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開く、請求項またはに記載の基板処理装置。 When the control means closes the third primary side valve, the first primary side valve and the first secondary side valve, or the second primary side valve and the The substrate processing apparatus of Claim 4 or 7 which opens a 2nd secondary side valve | bulb. 前記第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第1ノズル移動機構と、
前記第2ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第2ノズル移動機構と、
前記第3ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第3ノズル移動機構と
をさらに含み、
前記制御手段が、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じ、前記第2ノズル移動機構が前記第2ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第2一次側バルブを閉じ、前記第3ノズル移動機構が前記第3ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第3一次側バルブを閉じる、請求項に係る請求項に記載の基板処理装置。
A first nozzle moving mechanism for moving the first nozzle between a retracted position and a processing position;
A second nozzle moving mechanism for moving the second nozzle between a retracted position and a processing position;
A third nozzle moving mechanism for moving the third nozzle between a retracted position and a processing position;
The control means closes the first primary valve when the first nozzle moving mechanism moves the first nozzle between the retracted position and the processing position, and the second nozzle moving mechanism When the second nozzle is moved between the retracted position and the processing position, the second primary valve is closed, and the third nozzle moving mechanism moves the third nozzle between the retracted position and the processing position. when moving between, closing said third primary-side valve, the substrate processing apparatus of claim 8 according to claim 7.
前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、
前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有しており、
前記第3ノズルが、前記第3分岐路に接続された第3一次側開口と前記第3排液路に接続された第3二次側開口と複数の第3吐出孔とが形成された中空の第3ノズル本体を有し、前記複数の第3吐出孔から処理液の液滴を吐出する第3処理液ヘッドの形態を有している、請求項のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The first nozzle is a hollow in which a first primary side opening connected to the first branch path, a first secondary side opening connected to the first drainage path, and a plurality of first discharge holes are formed. A first processing liquid head that discharges liquid droplets of the processing liquid from the plurality of first discharge holes,
The second nozzle is a hollow in which a second primary side opening connected to the second branch passage, a second secondary side opening connected to the second drainage passage, and a plurality of second discharge holes are formed. A second processing liquid head for discharging liquid droplets of the processing liquid from the plurality of second discharge holes,
The third nozzle is a hollow in which a third primary side opening connected to the third branch passage, a third secondary side opening connected to the third drainage passage, and a plurality of third discharge holes are formed. A third processing liquid head having a third nozzle main body and discharging a liquid droplet of the processing liquid from the plurality of third discharge holes, according to any one of claims 4 to 9. Substrate processing equipment.
処理液によって基板を処理する第1処理ユニットおよび第2処理ユニットを有する基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記基板処理装置が、
処理液を加圧して送り出すポンプと、
前記ポンプに接続された処理液供給路と、
前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、
前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、
前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、
前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、
前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、
前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと
前記第1ノズルに接続された第1排液路と、
前記第2ノズルに接続された第2排液路と、
前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、
前記第2排液路に介装された第2二次側バルブとを含み、
前記基板処理方法が、前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開くステップを含む、基板処理方法。
A substrate processing method executed in a substrate processing apparatus having a first processing unit and a second processing unit for processing a substrate with a processing liquid,
The substrate processing apparatus is
A pump for pressurizing and feeding the processing liquid;
A treatment liquid supply path connected to the pump;
A first branch path branched from the treatment liquid supply path;
A second branch path branched from the processing liquid supply path;
A first nozzle connected to the first branch path and disposed in the first processing unit;
A second nozzle connected to the second branch path and disposed in the second processing unit;
A first primary valve interposed in the first branch path;
A second primary side valve interposed in the second branch path ;
A first drainage channel connected to the first nozzle;
A second drainage path connected to the second nozzle;
A first secondary valve interposed in the first drainage path;
A second secondary side valve interposed in the second drainage path ,
The substrate processing method includes a step of opening the second primary valve and the second secondary valve while holding the pump in a driving state when the first primary valve is closed. .
前記基板処理装置が、前記第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第1ノズル移動機構をさらに含み、
前記基板処理方法は、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じるステップを含む、請求項11に記載の基板処理方法。
The substrate processing apparatus further includes a first nozzle moving mechanism that moves the first nozzle between a retracted position and a processing position,
The substrate processing method, when the first nozzle moving mechanism moves the first nozzle between said processing position and said retracted position, comprising the step of closing the first primary valve, to claim 11 The substrate processing method as described.
前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、
前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有している、請求項11または12に記載の基板処理方法。
The first nozzle is a hollow in which a first primary side opening connected to the first branch path, a first secondary side opening connected to the first drainage path, and a plurality of first discharge holes are formed. A first processing liquid head that discharges liquid droplets of the processing liquid from the plurality of first discharge holes,
The second nozzle is a hollow in which a second primary side opening connected to the second branch passage, a second secondary side opening connected to the second drainage passage, and a plurality of second discharge holes are formed. the second has a nozzle body, has the form of a second treatment liquid head which ejects droplets of the treatment liquid from the plurality of second discharge holes, the substrate processing method according to claim 11 or 12.
処理液によって基板を処理する第1処理ユニット、第2処理ユニットおよび第3処理ユニットを有する基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
処理液を加圧して送り出すポンプと、
前記ポンプに接続された処理液供給路と、
前記処理液供給路から分岐した第1分岐路と、
前記処理液供給路から分岐した第2分岐路と、
前記処理液供給路から分岐した第3分岐路と、
前記第1分岐路に接続され、前記第1処理ユニットに配置された第1ノズルと、
前記第2分岐路に接続され、前記第2処理ユニットに配置された第2ノズルと、
前記第3分岐路に接続され、前記第3処理ユニットに配置された第3ノズルと、
前記第1分岐路に介装された第1一次側バルブと、
前記第2分岐路に介装された第2一次側バルブと、
前記第3分岐路に介装された第3一次側バルブと
前記第1ノズルに接続された第1排液路と、
前記第2ノズルに接続された第2排液路と、
前記第3ノズルに接続された第3排液路と、
前記第1排液路に介装された第1二次側バルブと、
前記第2排液路に介装された第2二次側バルブと、
前記第3排液路に介装された第3二次側バルブとを含み、
前記基板処理方法は、前記第1一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開くステップを含む、基板処理方法。
A substrate processing method executed in a substrate processing apparatus having a first processing unit, a second processing unit, and a third processing unit for processing a substrate with a processing liquid,
The substrate processing apparatus includes:
A pump for pressurizing and feeding the processing liquid;
A treatment liquid supply path connected to the pump;
A first branch path branched from the treatment liquid supply path;
A second branch path branched from the processing liquid supply path;
A third branch path branched from the treatment liquid supply path;
A first nozzle connected to the first branch path and disposed in the first processing unit;
A second nozzle connected to the second branch path and disposed in the second processing unit;
A third nozzle connected to the third branch path and disposed in the third processing unit;
A first primary valve interposed in the first branch path;
A second primary side valve interposed in the second branch path;
A third primary side valve interposed in the third branch path ;
A first drainage channel connected to the first nozzle;
A second drainage path connected to the second nozzle;
A third drainage channel connected to the third nozzle;
A first secondary valve interposed in the first drainage path;
A second secondary side valve interposed in the second drainage path;
A third secondary valve interposed in the third drainage path ,
In the substrate processing method, when the first primary side valve is closed, the second primary side valve and the second secondary side valve, or the third primary side valve and the pump are kept in a driving state. A substrate processing method comprising the step of opening the third secondary valve .
前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第3一次側バルブを開くステップをさらに含む、請求項14に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 14 , further comprising the step of opening the first primary valve or the third primary valve while holding the pump in a driving state when the second primary valve is closed. . 前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブまたは前記第2一次側バルブを開くステップをさらに含む、請求項14または15に記載の基板処理方法。 16. The substrate according to claim 14 , further comprising the step of opening the first primary valve or the second primary valve while holding the pump in a driving state when closing the third primary valve. Processing method. 前記第2一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第3一次側バルブおよび前記第3二次側バルブを開くステップを含む、請求項14に記載の基板処理方法。 When the second primary side valve is closed, the first primary side valve and the first secondary side valve, or the third primary side valve and the third secondary side are maintained while the pump is kept in a driving state. The substrate processing method according to claim 14 , comprising the step of opening a valve. 前記第3一次側バルブを閉じるときに、前記ポンプを駆動状態に保持したまま、前記第1一次側バルブおよび前記第1二次側バルブ、または前記第2一次側バルブおよび前記第2二次側バルブを開くステップを含む、請求項14または17に記載の基板処理方法。 When the third primary valve is closed, the first primary valve and the first secondary valve, or the second primary valve and the second secondary side are maintained while the pump is maintained in a driving state. The substrate processing method of Claim 14 or 17 including the step which opens a valve | bulb. 前記基板処理装置は、
前記第1ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第1ノズル移動機構と、
前記第2ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第2ノズル移動機構と、
前記第3ノズルを退避位置と処理位置との間で移動させる第3ノズル移動機構と
をさらに含み、
前記基板処理方法が、前記第1ノズル移動機構が前記第1ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第1一次側バルブを閉じるステップと、前記第2ノズル移動機構が前記第2ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第2一次側バルブを閉じるステップと、前記第3ノズル移動機構が前記第3ノズルを前記退避位置と前記処理位置との間で移動させるときに、前記第3一次側バルブを閉じるステップとを含む、請求項17に係る請求項18に記載の基板処理方法。
The substrate processing apparatus includes:
A first nozzle moving mechanism for moving the first nozzle between a retracted position and a processing position;
A second nozzle moving mechanism for moving the second nozzle between a retracted position and a processing position;
A third nozzle moving mechanism for moving the third nozzle between a retracted position and a processing position;
The substrate processing method includes a step of closing the first primary valve when the first nozzle moving mechanism moves the first nozzle between the retracted position and the processing position; and the second nozzle moving Closing a second primary valve when the mechanism moves the second nozzle between the retracted position and the processing position; and the third nozzle moving mechanism moves the third nozzle to the retracted position. wherein when moving between a processing position and a step of closing said third primary-side valve, the substrate processing method according to claim 18 according to claim 17.
前記第1ノズルが、前記第1分岐路に接続された第1一次側開口と前記第1排液路に接続された第1二次側開口と複数の第1吐出孔とが形成された中空の第1ノズル本体を有し、前記複数の第1吐出孔から処理液の液滴を吐出する第1処理液ヘッドの形態を有しており、
前記第2ノズルが、前記第2分岐路に接続された第2一次側開口と前記第2排液路に接続された第2二次側開口と複数の第2吐出孔とが形成された中空の第2ノズル本体を有し、前記複数の第2吐出孔から処理液の液滴を吐出する第2処理液ヘッドの形態を有しており、
前記第3ノズルが、前記第3分岐路に接続された第3一次側開口と前記第3排液路に接続された第3二次側開口と複数の第3吐出孔とが形成された中空の第3ノズル本体を有し、前記複数の第3吐出孔から処理液の液滴を吐出する第3処理液ヘッドの形態を有している、請求項1419のいずれか一項に記載の基板処理方法。
The first nozzle is a hollow in which a first primary side opening connected to the first branch path, a first secondary side opening connected to the first drainage path, and a plurality of first discharge holes are formed. A first processing liquid head that discharges liquid droplets of the processing liquid from the plurality of first discharge holes,
The second nozzle is a hollow in which a second primary side opening connected to the second branch passage, a second secondary side opening connected to the second drainage passage, and a plurality of second discharge holes are formed. A second processing liquid head for discharging liquid droplets of the processing liquid from the plurality of second discharge holes,
The third nozzle is a hollow in which a third primary side opening connected to the third branch passage, a third secondary side opening connected to the third drainage passage, and a plurality of third discharge holes are formed. a third nozzle body, has the form of a third treatment liquid head for ejecting the treatment liquid droplets from the plurality of third ejecting hole, according to any one of claims 14-19 Substrate processing method.
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