JP5831870B2 - Chuck table and processing apparatus including the chuck table - Google Patents

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本発明は、剛体からなる支持基板と、該支持基板より小さい面積を有し支持基板上に固定された板状物とからなる板状物ユニットを保持するチャックテーブル、及び該チャックテーブルを備えた加工装置に関する。   The present invention includes a chuck table for holding a plate-like object unit comprising a support substrate made of a rigid body and a plate-like object having an area smaller than the support substrate and fixed on the support substrate, and the chuck table. It relates to a processing apparatus.

半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウエーハは個々の半導体チップ(デバイス)に分割される。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips (devices) by cutting the semiconductor wafer along a street with a cutting device.

分割される半導体ウエーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削されて所定の厚さに加工される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。   The semiconductor wafer to be divided is ground to the predetermined thickness by grinding the back surface before cutting along the street. In recent years, in order to achieve a reduction in weight and size of electrical equipment, it has been required to make the wafer thinner, for example, about 50 μm.

このように薄く研削されたウエーハは反りが発生し易く、ハンドリングが困難になるため、例えば特開2004−207606号公報に開示されるような剛体からなる支持基板上にウエーハを貼着した後、支持基板をチャックテーブルで吸引保持しウエーハに研削や切削等の加工を施す場合がある。   Since a wafer that has been thinly ground in this way is likely to be warped and difficult to handle, for example, after attaching the wafer on a support substrate made of a rigid body as disclosed in JP-A-2004-207606, In some cases, the support substrate is sucked and held by a chuck table and the wafer is subjected to processing such as grinding or cutting.

切削装置、研削装置等の加工装置のチャックテーブルとしては、ウエーハ等の被加工物を吸引保持する形態のものが多く、例えば特開昭9−162269号公報に開示されるようなポーラスセラミックス等の多孔材質からなる吸引保持部が金属から形成された枠体に嵌合されたチャックテーブルが広く使用されている。   As a chuck table of a processing apparatus such as a cutting apparatus or a grinding apparatus, there are many forms that suck and hold a workpiece such as a wafer, such as a porous ceramic disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 9-162269. A chuck table in which a suction holding portion made of a porous material is fitted to a frame body made of metal is widely used.

特開2004−207606号公報JP 2004-207606 A 特開2001−135598号公報JP 2001-135598 A 特開昭9−162269号公報JP-A-9-162269

上述したような従来のチャックテーブルは、複数の材質をそれぞれ加工し、互いに組み合わせて製造するため、製造工数がかかるとともに非常に高価である。そこで、単一材質からなるチャックテーブルに被加工物を吸引保持するための吸引孔を突設することで、製造工数や製造費用を抑えることが考えられる。   Since the conventional chuck table as described above is manufactured by processing a plurality of materials and combining them with each other, it takes a lot of manufacturing steps and is very expensive. In view of this, it is conceivable to reduce the number of manufacturing steps and the manufacturing cost by providing a suction hole for sucking and holding a workpiece on a chuck table made of a single material.

しかし、このようなチャックテーブルで剛体からなる支持基板上に貼着された板状物を吸引保持すると、吸引孔部分に局所的な吸引力が作用して支持基板が僅かに撓み、高精度に被加工物を加工できないという問題があった。   However, if a plate-like object stuck on a support substrate made of a rigid body is sucked and held by such a chuck table, a local suction force acts on the suction hole portion, and the support substrate is slightly bent, so that the accuracy is high. There was a problem that the workpiece could not be processed.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、剛体からなる支持基板に貼着された被加工物を高精度に加工可能なチャックテーブル、及び該チャックテーブルを備えた加工装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a chuck table capable of processing a workpiece adhered to a support substrate made of a rigid body with high accuracy, and the chuck table. It is providing the processing apparatus provided with.

請求項1記載の発明によると、剛体からなる支持基板と、該支持基板より小さい面積を有し該支持基板上に固定された板状物とからなる板状物ユニットを保持するチャックテーブルであって、該板状物ユニットの該支持基板側を保持する保持面と、該保持面上に該板状物ユニットが保持された際、該支持基板の外周縁より内側且つ板状物の外周縁より外側の該保持面上に形成された吸引溝と、一端が該吸引溝に連通し他端が吸引源に連通する吸引路と、具備し、単一材質から形成されたことを特徴とするチャックテーブルが提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a chuck table for holding a plate-like object unit comprising a support substrate made of a rigid body and a plate-like object having an area smaller than that of the support substrate and fixed on the support substrate. A holding surface for holding the support substrate side of the plate- like object unit, and when the plate- like object unit is held on the holding surface , the outer edge of the plate-like object is inside the outer periphery of the support substrate. A suction groove formed on the outer holding surface, a suction path having one end communicating with the suction groove and the other end communicating with a suction source, and formed from a single material. A chuck table is provided.

請求項2記載の発明によると、請求項1記載のチャックテーブルと、該チャックテーブルを吸引保持する環状吸引溝と、該環状吸引溝を吸引源に選択的に連通する第1吸引路と、該チャックテーブルの前記吸引路に連通する凹部と、該凹部を吸引源に選択的に連通する第2吸引路とを有し、該チャックテーブルを吸引保持するテーブルベースと、該テーブルベースを介して該チャックテーブルで吸引保持された板状物ユニットの板状物に加工を施す加工手段と、を具備した加工装置が提供される。 According to the invention of claim 2, the chuck table of claim 1, an annular suction groove for sucking and holding the chuck table, a first suction path for selectively communicating the annular suction groove with a suction source, and A table base having a recess communicating with the suction path of the chuck table and a second suction path selectively communicating the recess with a suction source; and a table base for sucking and holding the chuck table; There is provided a processing device including processing means for processing the plate-like object of the plate-like object unit that is sucked and held by the chuck table.

本発明のチャックテーブルは、支持基板の外周縁より内側且つ板状物の外周縁より外側の保持面に吸引溝が形成されているため、板状物に対応する領域には局部的な吸引力が作用せず、板状物を高精度に加工することができる。   In the chuck table of the present invention, suction grooves are formed on the holding surface on the inner side of the outer peripheral edge of the support substrate and on the outer side of the outer peripheral edge of the plate-like object. Does not act, and the plate-like object can be processed with high accuracy.

本発明のチャックテーブルを具備した研削装置の斜視図である。It is a perspective view of the grinding device provided with the chuck table of the present invention. 本発明実施形態のチャックテーブルの斜視図である。It is a perspective view of the chuck table of an embodiment of the present invention. 実施形態に係るチャックテーブルの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the chuck table which concerns on embodiment. ウエーハユニットの研削方法を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the grinding method of a wafer unit.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のチャックテーブルを備えた研削装置2の斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方には二つのコラム6a,6bが垂直に立設されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a grinding apparatus 2 having a chuck table of the present invention. Reference numeral 4 denotes a base of the grinding apparatus 2, and two columns 6 a and 6 b are vertically provided behind the base 4.

コラム6aには、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って粗研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されている。粗研削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。   A pair of guide rails (only one is shown) 8 extending in the vertical direction is fixed to the column 6a. A rough grinding unit 10 is mounted along the pair of guide rails 8 so as to be movable in the vertical direction. The rough grinding unit 10 is attached to a moving base 12 whose housing 20 moves up and down along a pair of guide rails 8.

粗研削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル21(図4参照)と、スピンドル21を回転駆動するサーボモータ22と、スピンドル21の先端に固定されたホイールマウント23と、ホイールマウント23に着脱可能に装着された研削ホイール24とを含んでいる。研削ホイール24は、ホイール基台25と、ホイール基台25の下面外周に固着された複数の研削砥石26とから構成される。   The rough grinding unit 10 includes a housing 20, a spindle 21 (see FIG. 4) rotatably accommodated in the housing 20, a servo motor 22 that rotationally drives the spindle 21, and a wheel mount fixed to the tip of the spindle 21. 23 and a grinding wheel 24 detachably attached to the wheel mount 23. The grinding wheel 24 includes a wheel base 25 and a plurality of grinding wheels 26 fixed to the outer periphery of the lower surface of the wheel base 25.

粗研削ユニット10は、粗研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される粗研削ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。   The rough grinding unit 10 includes a rough grinding unit feed mechanism 18 including a ball screw 14 and a pulse motor 16 that move the rough grinding unit 10 up and down along a pair of guide rails 8. When the pulse motor 16 is pulse-driven, the ball screw 14 rotates and the moving base 12 is moved in the vertical direction.

他方のコラム6bにも、上下方向に伸びる一対のガイドレール(一本のみ図示)19が固定されている。この一対のガイドレール19に沿って仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動可能に装着されている。   A pair of guide rails 19 (only one is shown) 19 extending in the vertical direction are also fixed to the other column 6b. A finish grinding unit 28 is mounted along the pair of guide rails 19 so as to be movable in the vertical direction.

仕上げ研削ユニット28は、そのハウジング36が一対のガイドレール19に沿って上下方向に移動する図示しない移動基台に取り付けられている。仕上げ研削ユニット28は、ハウジング36と、ハウジング36中に回転可能に収容された図示しないスピンドルと、スピンドルを回転駆動するサーボモータ38と、スピンドルの先端に固定されたホイールマウントと、ホイールマウントに着脱可能に装着された仕上げ研削用の研削砥石42を有する研削ホイール40を含んでいる。   The finish grinding unit 28 is attached to a moving base (not shown) in which the housing 36 moves in the vertical direction along the pair of guide rails 19. The finish grinding unit 28 includes a housing 36, a spindle (not shown) rotatably accommodated in the housing 36, a servo motor 38 that rotationally drives the spindle, a wheel mount fixed to the tip of the spindle, and a detachable attachment to the wheel mount. A grinding wheel 40 having a grinding wheel 42 for finish grinding, which is mounted as possible, is included.

仕上げ研削ユニット28は、仕上げ研削ユニット28を一対の案内レール19に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される仕上げ研削ユニット送り機構34を備えている。パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、仕上げ研削ユニット28が上下方向に移動される。   The finish grinding unit 28 includes a finish grinding unit feed mechanism 34 including a ball screw 30 that moves the finish grinding unit 28 in the vertical direction along the pair of guide rails 19 and a pulse motor 32. When the pulse motor 32 is driven, the ball screw 30 rotates and the finish grinding unit 28 is moved in the vertical direction.

研削装置2は、コラム6a,6bの前側においてハウジング4の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル44を具備している。ターンテーブル44は比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印45で示す方向に回転される。   The grinding device 2 includes a turntable 44 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the housing 4 on the front side of the columns 6a and 6b. The turntable 44 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is rotated in a direction indicated by an arrow 45 by a rotation drive mechanism (not shown).

ターンテーブル44には、互いに円周方向に120°離間して3個のチャックテーブル46が水平面内で回転可能に配置されている。ターンテーブル44に配設された3個のチャックテーブル46は、ターンテーブル44が適宜回転することにより、ウエーハ搬入・搬出領域A、粗研削加工領域B、仕上げ研削加工領域C、及びウエーハ搬入・搬出領域Aに順次移動される。   On the turntable 44, three chuck tables 46 are arranged so as to be rotatable in a horizontal plane, spaced from each other by 120 ° in the circumferential direction. The three chuck tables 46 arranged on the turntable 44 are rotated in accordance with the turntable 44, so that the wafer loading / unloading area A, rough grinding area B, finish grinding area C, and wafer loading / unloading are performed. The region A is sequentially moved.

ハウジング4の前側部分には、ウエーハカセット50と、リンク51及びハンド52を有するウエーハ搬送ロボット54と、複数の位置決めピン58を有する位置決めテーブル56と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)60と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)62と、研削されたウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナ洗浄装置64と、スピンナ洗浄装置64で洗浄及びスピン乾燥された研削後のウエーハを収容する収容カセット66が配設されている。   In the front portion of the housing 4, a wafer cassette 50, a wafer transfer robot 54 having a link 51 and a hand 52, a positioning table 56 having a plurality of positioning pins 58, a wafer carry-in mechanism (loading arm) 60, and a wafer carry-out A mechanism (unloading arm) 62, a spinner cleaning device 64 that cleans and spin-drys the ground wafer, and a storage cassette 66 that stores the ground wafer that has been cleaned and spin-dried by the spinner cleaning device 64 are provided. ing.

次に、図2及び図3を参照して、本発明実施形態のチャックテーブル46の詳細構造について説明する。チャックテーブル46は、図3及び図4に示すように、剛体からなる支持基板13と、支持基板13より小さい面積を有し支持基板13上に固定されたウエーハ11とからなるウエーハユニット15を保持するのに特に適している。支持基板13はシリコン、ガラス等から形成される。ウエーハ11の表面に形成されたデバイスを保護するためウエーハ11はその表面を下にして支持基板13上に貼着される。   Next, with reference to FIG.2 and FIG.3, the detailed structure of the chuck table 46 of this embodiment is demonstrated. As shown in FIGS. 3 and 4, the chuck table 46 holds a wafer unit 15 including a support substrate 13 made of a rigid body and a wafer 11 having an area smaller than the support substrate 13 and fixed on the support substrate 13. Especially suitable for doing. The support substrate 13 is made of silicon, glass or the like. In order to protect the device formed on the surface of the wafer 11, the wafer 11 is stuck on the support substrate 13 with the surface down.

チャックテーブル46はその全体がセラミックスから形成されており、ウエーハユニット15の支持基板13側を保持する保持面46aと、チャックテーブル46に保持された支持基板13の外周縁より内側且つウエーハ11の外周縁より外側の保持面46aに形成された環状吸引溝74と、一端が環状吸引溝74に連通した複数の吸引孔76とを有している。 The chuck table 46 is entirely made of ceramics, and includes a holding surface 46 a for holding the support unit 13 side of the wafer unit 15, an inner side of the outer peripheral edge of the support substrate 13 held by the chuck table 46, and the outside of the wafer 11. An annular suction groove 74 formed in the holding surface 46 a outside the peripheral edge and a plurality of suction holes 76 having one end communicating with the annular suction groove 74 are provided.

チャックテーブル46はSUS等の金属から形成されたテーブルベース72上に搭載されている。テーブルベース72は、吸引孔76の他端が連通する凹部78と、凹部78の概略中央部に形成された吸引路80を有しており、吸引路80は切替バルブ82を介して吸引源84に接続されている。   The chuck table 46 is mounted on a table base 72 formed of a metal such as SUS. The table base 72 has a recess 78 that communicates with the other end of the suction hole 76, and a suction path 80 formed in the approximate center of the recess 78. The suction path 80 is connected to a suction source 84 via a switching valve 82. It is connected to the.

テーブルベース72は更に、チャックテーブル46を吸引保持する環状吸引溝86と、環状吸引溝86に連通した吸引路88を有している。吸引路88は切替バルブ90を介して吸引源84に接続されている。   The table base 72 further has an annular suction groove 86 for sucking and holding the chuck table 46 and a suction path 88 communicating with the annular suction groove 86. The suction path 88 is connected to the suction source 84 via the switching valve 90.

切替バルブ90を図示した位置に切り替えると、環状吸引溝86が吸引源84に接続されて、チャックテーブル46がテーブルベース72に吸引保持される。一方、切替バルブ82を図示した位置に切換えることにより、環状吸引溝74が吸引孔76、凹部78、吸引路80を介して吸引源84に接続され、ウエーハユニット15の支持基板13がチャックテーブル46に吸引保持される。   When the switching valve 90 is switched to the illustrated position, the annular suction groove 86 is connected to the suction source 84 and the chuck table 46 is sucked and held by the table base 72. On the other hand, by switching the switching valve 82 to the illustrated position, the annular suction groove 74 is connected to the suction source 84 via the suction hole 76, the recess 78, and the suction path 80, and the support substrate 13 of the wafer unit 15 is connected to the chuck table 46. Is sucked in.

環状吸引溝74はチャックテーブル46に保持されたウエーハユニット15の支持基板13の外周縁より内側で且つウエーハ11の外周縁より外側の保持面46aに形成されているため、ウエーハ11に対応した領域には局部的な吸引力が作用することなく、ウエーハユニット15はチャックテーブル46に吸引保持される。   Since the annular suction groove 74 is formed on the holding surface 46a on the inner side of the outer peripheral edge of the support substrate 13 of the wafer unit 15 held on the chuck table 46 and on the outer side of the outer peripheral edge of the wafer 11, the region corresponding to the wafer 11 is formed. In this case, the wafer unit 15 is sucked and held on the chuck table 46 without a local suction force acting.

次に、図4を参照して、ウエーハユニット15の粗研削工程について説明する。チャックテーブル46でウエーハユニット15を吸引保持した後、ターンテーブル40を反時計回りに回転してウエーハユニット15を保持したチャックテーブル46を図4に示す粗研削加工領域に位置付ける。   Next, the rough grinding process of the wafer unit 15 will be described with reference to FIG. After the wafer unit 15 is sucked and held by the chuck table 46, the turntable 40 is rotated counterclockwise to position the chuck table 46 holding the wafer unit 15 in the rough grinding region shown in FIG.

そして、チャックテーブル46を例えば矢印a方向に300rpmで回転しつつ、研削ホイール21を矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、粗研削ユニット送り機構18を作動して粗研削用の研削砥石26をウエーハ11の裏面11bに接触させる。   Then, while rotating the chuck table 46 in the direction of the arrow a at 300 rpm, for example, the grinding wheel 21 is rotated in the direction of the arrow b at 6000 rpm, for example, and the rough grinding unit feed mechanism 18 is operated to rotate the grinding wheel 26 for rough grinding. The wafer 11 is brought into contact with the back surface 11 b of the wafer 11.

更に、研削ホイール24を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の裏面11bの研削を遂行する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージによってウエーハユニット15のウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハを所望の厚みに研削する。   Further, the grinding wheel 24 is ground and fed by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed, and the back surface 11b of the wafer 11 is ground. The wafer is ground to a desired thickness while measuring the thickness of the wafer 11 of the wafer unit 15 with a contact-type or non-contact-type thickness measurement gauge.

粗研削の終了したウエーハはターンテーブル44を反時計回り方向に更に120度回転することにより、仕上げ研削加工領域Cに位置づけられ、仕上げ研削砥石42を有する仕上げ研削ユニット28による仕上げ研削が実施される。   The wafer after the rough grinding is positioned in the finish grinding region C by rotating the turntable 44 further 120 degrees counterclockwise, and finish grinding is performed by the finish grinding unit 28 having the finish grinding wheel 42. .

上述したように本実施形態のチャックテーブル46は、保持面46aに形成された環状溝74によりウエーハ11の外周縁より外側の支持基板13を吸引保持するため、ウエーハ11に対応した領域には局部的な吸引力が作用しない。よって、粗研削ユニット10による粗研削及び仕上げ研削ユニット28による仕上げ研削を高精度に実施することができる。   As described above, the chuck table 46 of the present embodiment sucks and holds the support substrate 13 outside the outer peripheral edge of the wafer 11 by the annular groove 74 formed in the holding surface 46a. Does not work. Therefore, rough grinding by the rough grinding unit 10 and finish grinding by the finish grinding unit 28 can be performed with high accuracy.

また、本実施形態のチャックテーブル46はセラミックスの単体から形成され、チャックテーブル46にウエーハ11を吸引保持するための環状吸引溝74及び吸引孔76を形成したため、製造工数や製造費用を従来のチャックテーブルに比較して低く抑えることができる。   Further, the chuck table 46 of the present embodiment is formed of a single piece of ceramics, and the annular suction groove 74 and the suction hole 76 for sucking and holding the wafer 11 are formed on the chuck table 46. Compared to a table, it can be kept low.

上述した実施形態では、本発明のチャックテーブル46を研削装置に適用した例について説明したが、本発明のチャックテーブル46は切削装置、バイト切削装置、レーザ加工装置等の他の加工装置にも同様に適用することができる。   In the above-described embodiment, the example in which the chuck table 46 of the present invention is applied to a grinding device has been described. However, the chuck table 46 of the present invention is also applicable to other processing devices such as a cutting device, a cutting tool, a laser processing device, and the like. Can be applied to.

10 粗研削ユニット
11 ウエーハ
13 支持基板
15 ウエーハユニット
28 仕上げ研削ユニット
44 ターンテーブル
46 チャックテーブル
46a 保持面
72 テーブルベース
74 環状吸引溝
76 吸引孔
78 凹部
80 吸引路
84 吸引源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Rough grinding unit 11 Wafer 13 Support substrate 15 Wafer unit 28 Finish grinding unit 44 Turntable 46 Chuck table 46a Holding surface 72 Table base 74 Annular suction groove 76 Suction hole 78 Recess 80 Suction path 84 Suction source

Claims (2)

剛体からなる支持基板と、該支持基板より小さい面積を有し該支持基板上に固定された板状物とからなる板状物ユニットを保持するチャックテーブルであって、
該板状物ユニットの該支持基板側を保持する保持面と、
該保持面上に該板状物ユニットが保持された際、該支持基板の外周縁より内側且つ板状物の外周縁より外側の該保持面上に形成された吸引溝と、
一端が該吸引溝に連通し他端が吸引源に連通する吸引路と、具備し、
単一材質から形成されたことを特徴とするチャックテーブル。
A chuck table for holding a plate-like object unit comprising a support substrate made of a rigid body and a plate-like object having an area smaller than the support substrate and fixed on the support substrate,
A holding surface for holding the support substrate side of the plate unit;
When the plate unit is held on the holding surface, a suction groove formed on the holding surface inside the outer peripheral edge of the support substrate and outside the outer peripheral edge of the plate-like object;
A suction path with one end communicating with the suction groove and the other end communicating with a suction source ;
A chuck table formed of a single material .
請求項1記載のチャックテーブルと、
該チャックテーブルを吸引保持する環状吸引溝と、該環状吸引溝を吸引源に選択的に連通する第1吸引路と、該チャックテーブルの前記吸引路に連通する凹部と、該凹部を吸引源に選択的に連通する第2吸引路とを有し、該チャックテーブルを吸引保持するテーブルベースと
該テーブルベースを介して該チャックテーブルで吸引保持された板状物ユニットの板状物に加工を施す加工手段と、
を具備した加工装置。
A chuck table according to claim 1;
An annular suction groove for sucking and holding the chuck table, a first suction path that selectively communicates the annular suction groove with a suction source, a recess that communicates with the suction path of the chuck table, and the recess as a suction source A second base for selectively communicating, a table base for sucking and holding the chuck table ;
Processing means for processing the plate-like object of the plate-like object unit that is sucked and held by the chuck table via the table base ;
A processing apparatus comprising:
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