JP5828369B2 - 接合方法及び接合体 - Google Patents
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Description
・接着強度が低い。
・寸法精度が低い。
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する。
また、多くの場合、接着強度を高めるためにプライマーを用いる必要があり、そのためのコストと手間が接着工程の高コスト化・複雑化を招いている。
・接合される部材の材質に制約がある。
・接合プロセスにおいて高温(例えば、700〜800℃程度)での熱処理を伴う。
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる。
・表面の凹凸に制約がある(例えばRaで10nm以下)。
図1は、接合体の構造を示す模式断面図である。である。まず、接合体の概略構成について説明する。接合体100は、表面粗さRaが10nm以上ある第1基材1を備えている。第1基材1上にはポリシルセスキオキサン膜3が設置され、ポリシルセスキオキサン膜3と重ねてポリオルガノシロキサン膜4が設置されている。ポリオルガノシロキサン膜4はシロキサン(Si−O)結合を含みランダムな原子構造を有するSi骨格と該Si骨格に結合するアルキル基とを含んだ膜となっている。
(1)本実施形態によれば、第1被着体15のある表面にポリシルセスキオキサン膜3が設置されている。従って、第1基材1の表面が粗いときにも表面粗さを小さくすることが可能となる。第2基材2は第1基材1より表面粗さが小さいので、第2被着体16の表面粗さは第1基材1より小さくなる。そして、ポリシルセスキオキサン膜3と平坦なポリオルガノシロキサン膜4とが接して配置されている。従って、平坦化されたポリシルセスキオキサン膜3の表面分子とポリオルガノシロキサン膜4の表面分子とが接触する確率が高くなっている。その結果、密着性の高い接合ができる。
次に、接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について図3を用いて説明する。図3(a)は、インクジェット式記録ヘッドを示す概略分解斜視図である。図3(b)は、インクジェット式記録ヘッドの構成を示す模式断面図である。本実施形態が実施形態1と異なるところは、インクジェット式記録ヘッドの部品が接合体となっている点にある。尚、実施形態1と同じ点については説明を省略する。
(1)本実施形態によれば、インク室基板6とノズル板5とが密着良く接合されている。さらに、インク室基板6と振動板7とが密着良く接合されている。従って、ノズル板5とインク室基板6、振動板7とインク室基板6との被着面の表面粗さが大きいときにもリークの無い接合ができる。
(変形例1)
前記実施形態1では、ステップS2の第2工程において、ポリシルセスキオキサン膜3の表面に紫外線を照射した。さらに、ステップS4の第4工程において、ポリオルガノシロキサン膜4の表面に紫外線を照射した。ポリシルセスキオキサン膜3及びポリオルガノシロキサン膜4に対してエネルギーを付与する方法はこれに限らない。エネルギーの付与はプラズマ放電をもちいて行っても良い。このとき、接合膜の最表面のみを処理することができる。その結果、成膜した膜質を著しく低下させる事無く活性化することができる。さらに好適には大気圧プラズマであることが好ましい。また大気圧プラズマでは真空装置も不要となり、簡単に表面処理を行うことが可能になる。
Claims (11)
- 第1基材に設置されたポリシルセスキオキサン膜と、
第2基材に設置されたシロキサン(Si−O)結合を含みランダムな原子構造を有するSi骨格と該Si骨格に結合するアルキル基とを含むポリオルガノシロキサン膜と、を有し、
前記第1基材の前記ポリシルセスキオキサン膜が設置された面の表面粗さRaは10nm以上で、かつ前記第2基材の前記ポリオルガノシロキサン膜が設置された面の表面粗さRaは10nm未満であり、
前記第1基材と前記第2基材とは、前記ポリシルセスキオキサン膜と前記ポリオル
ガノシロキサン膜とを介して接合されていることを特徴とする接合体。 - 請求項1に記載の接合体であって、
前記ポリシルセスキオキサン膜は、エポキシ基、ポリエステル基、アクリル基、アルキ
ル基からなる群から選ばれる少なくとも1つ以上の有機成分を有していることを特徴とす
る接合体。 - 請求項1または2に記載の接合体であって、
前記ポリオルガノシロキサン膜は、Si−Hを含み、該ポリオルガノシロキサン膜の赤
外吸収スペクトルにおいて、シロキサン結合に帰属するピーク強度を1としたとき、Si
−Hに帰属するピーク強度が0.001〜0.2であることを特徴とする接合体。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の接合体であって、
前記第2基材に設置される前記ポリオルガノシロキサン膜を構成する原子からH原子を除いたうち、Si原子の含有率とO原子の含有率の合計が、10〜90原子%であることを特徴とする接合体。 - 請求項1ないし4のいずれか一項に記載の接合体であって、
前記第2基材に設置される前記ポリオルガノシロキサン膜が結晶化しない、もしくは
結晶化度が45%以下であることを特徴とする接合体。 - 第1基材の一部にポリシルセスキオキサン膜を成膜する第1工程と、
前記ポリシルセスキオキサン膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記ポ
リシルセスキオキサン膜の表面の分子結合を切って大気中の水分と反応させることにより
シラノール基を発現させる第2工程と、
第2基材の一部にポリオルガノシロキサン膜を成膜する第3工程と、
前記ポリオルガノシロキサン膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記ポ
リオルガノシロキサン膜に存在するアルキル基をSi骨格から脱離させ、前記ポリオルガ
ノシロキサン膜に接着性を発現させる第4工程と、
前記ポリオルガノシロキサン膜と前記ポリシルセスキオキサン膜とを貼り合わせる第5
工程と、を含むことを特徴とする接合方法。 - 請求項6に記載の接合方法であって、
前記ポリシルセスキオキサン膜を成膜する前記第1工程はポリシルセスキオキサン溶液
を塗布後、加熱重合を用いて成膜されることを特徴とする接合方法。 - 請求項6または7に記載の接合方法であって、
前記ポリオルガノシロキサン膜はプラズマ重合により成膜されることを特徴とする接合
方法。 - 請求項6ないし8のいずれか一項に記載の接合方法であって、
前記エネルギーの付与は、波長126nm〜300nmの紫外線照射によることを特徴
とする接合方法。 - 請求項6ないし8のいずれかに記載の接合方法であって、
前記エネルギーの付与はプラズマ放電によることを特徴とする接合方法。 - 請求項6ないし8のいずれか一項に記載の接合方法であって、
前記エネルギーの付与は、コロナ放電によることを特徴とする接合方法。
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