JP2014141602A - 基材と他の基材との接合に用いられる接合膜、接合膜の形成方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基材と他の基材との接合を優れた密着性をもって接合することができる接合膜、かかる接合膜を製造することができる接合膜の製造方法、かかる接合膜を備える接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供すること。
【解決手段】接合膜は、基材上に設けられ、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基としてメチル基とを含み、前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、他の基材との接着性が発現するものであり、前記メチル基の含有量は、当該接合膜の厚さ方向において、前記基材の反対側よりも前記基材側で少なくなっている。
【選択図】なし

Description

本発明は、基材と他の基材との接合に用いられる接合膜、接合膜の形成方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置に関するものである。

例えば、インクジェットプリンタのような液滴吐出装置には、液滴を吐出するための液滴吐出ヘッドが備えられている。このような液滴吐出ヘッドとしては、例えば、インクを液滴として吐出するノズルに連通し、インクを収容するインク室（キャビティー）と、このインク室の壁面を変形させる駆動用の圧電素子とを備えるものが知られている。
このような液滴吐出ヘッドにあっては、駆動用の圧電素子を伸縮させることにより、インク室の一部（振動板）を変位させる。これにより、インク室の容積を変化させて、ノズルからインク液滴が吐出される。

ところで、この液滴吐出ヘッドは、ノズルが形成されたノズルプレートと、インク室が形成された基板と、インク室の容積を変化させる振動板と、歪みにより振動板を振動させる圧電素子とを有しており、これらを接合することによって組み立てられている。
また、振動板は、圧電素子の歪みにより振動する振動フィルムと、圧電素子の歪みを振動フィルムに伝播する支持板とを有しており、これら同士を互いに接合することによって組み立てられている（例えば、特許文献１等参照。）。

このような各種部材（基材）の組み立て（接合）は、通常、ビスフェノール系、ノボラック系のようなエポキシ系接着剤や、ウレタン系接着剤等の各種接着剤で構成される接着層を介して行われている。
ここで、例えば、インク室と振動板との接着層を介した接合や、インク室とノズルプレートとの接着層を介した接合では、接着層（接合膜）がインク室に貯留されるインクと長時間接することとなる。

そのため、各種部材（各種基材）と接着層との間での密着力が不十分であると、インクに含まれる溶媒が各種部材と接着剤との間に浸潤し、これに起因して、接着剤が各種部材から剥離すると言う問題が生じる。
したがって、各種部材と接着層との密着力を向上させることを目的に、上述したような接着剤で構成される接着層に代えて、シロキサン結合を含むＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを有する接合膜を介して、各種部材同士を接合することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。

しかしながら、このような接合膜を用いた各種部材同士の接合によっても、各種部材の種類、形状、さらには接触するインク（溶媒）の種類等によっては、前記密着力を十分に向上させることができず、より優れた密着性をもって接合し得ることが求められている。
また、このような液滴吐出ヘッドが備える各種部材同士の接合に限らず、半導体素子、圧電素子、光学素子、ＭＥＭＳ部品およびセンサー部品等が備える各種部材同士の接合においても、優れた密着性を発揮させることができる接合膜の開発が求められている。

特開２００８−４２１２９号公報 特開２００９−３５７２０号公報

本発明の目的は、基材と他の基材との接合を優れた密着性をもって接合することができる接合膜、かかる接合膜を製造することができる接合膜の製造方法、かかる接合膜を備える接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を提供することにある。

このような目的は、下記の本適用例により達成される。
［本適用例１］
本適用例の接合膜は、基材上に設けられ、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基としてメチル基とを含む接合膜であって、
前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーが付与され、前記領域の少なくとも表面の前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離して、前記メチル基の含有量が、当該接合膜の厚さ方向において、前記基材の反対側よりも前記基材側で少なくなっていることを特徴とする。
接合膜をかかる構成を有するものとすることで、基材と他の基材との間に接合膜を介在させることにより、基材と他の基材とを優れた密着性をもって接合することができる。

［本適用例２］
本適用例の接合膜では、前記基材側に位置する第１の層と、前記基材の反対側に位置する第２の層とを有し、前記第１の層と前記第２の層とが積層された積層体で構成され、
前記第１の層中における前記メチル基の含有量は、前記第２の層中における前記メチル基の含有量よりも少ないことが好ましい。
接合膜をかかる構成の積層体とすることで、この膜を、メチル基の含有量が、接合膜の厚さ方向において、基材の反対側よりも基材側で少なくなっているものと容易にすることができる。

［本適用例３］
本適用例の接合膜では、前記第１の層は、その厚さ方向において、前記基材側からその反対側に向かって前記メチル基の含有量が増加し、
前記第２の層は、その厚さ方向において、前記メチル基の含有量が一定であることが好ましい。
これにより、第１の層は、基材との界面および第２の層との界面の双方に対して優れた密着性を発揮するものとなるため、これらの界面における接合膜の剥離を抑制または防止することができる。

［本適用例４］
本適用例の接合膜では、プラズマ重合により形成されたものであることが好ましい。
プラズマ重合法によれば、緻密で均質な接合膜を効率よく成膜することができる。これにより、接合膜は、他の基材に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で成膜された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、接合体の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。

［本適用例５］
本適用例の接合膜の形成方法は、前記基材上に、プラズマ重合法を用いて、原料ガスとしてのポリオルガノシロキサン中の分子を重合させることにより、前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させて前記接合膜を得る際に、
前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させる条件を経時的に変化させることを特徴とする。
これにより、基材および他の基材の双方に対して優れた密着性を発揮する接合膜を形成することができる。

［本適用例６］
本適用例の接合膜の形成方法では、経時的に変化させる前記条件は、前記原料ガスの流量であることが好ましい。
これにより、接合膜の厚さ方向において、メチル基の含有量が基材の反対側よりも基材側で少なくなっている接合膜を、容易かつ確実に成膜することができる。

［本適用例７］
本適用例の接合体は、本適用例の接合膜を介して、前記基材と前記他の基材とが接合されてなることを特徴とする。
これにより、優れた密着性をもって基材と他の基材とが接合された接合体を得ることができる。

［本適用例８］
本適用例の液滴吐出ヘッドは、本適用例の接合膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出ヘッドを得ることができる。
［本適用例９］
本適用例の液滴吐出装置は、本適用例の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液滴吐出装置を得ることができる。

本発明の液滴吐出ヘッドをインクジェット式記録ヘッドに適用した実施形態を示す縦断面図である。 図１に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。 本発明の接合膜のエネルギー付与前の表面付近の状態を示す部分拡大図である。 本発明の接合膜のエネルギー付与後の表面付近の状態を示す部分拡大図である。 本発明の接合膜の形成に用いられる成膜装置（プラズマ重合装置）を模式的に示す縦断面図である。 基板上に接合膜を作製する方法を説明するための図（縦断面図）である。

以下、本発明の接合膜、接合膜の形成方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜インクジェット式記録ヘッド＞
まず、本発明の接合膜を説明するのに先立って、本発明の接合膜を備える液滴吐出ヘッド（本発明の液滴吐出ヘッド）について説明する。

なお、以下では、本発明の液滴吐出ヘッドを、インクジェット式記録ヘッドに適用した場合を一例に説明する。
図１は、本発明の液滴吐出ヘッドをインクジェット式記録ヘッドに適用した実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示すインクジェット式記録ヘッド１（以下、単に「ヘッド１」と言うこともある。）は、図２に示すようなインクジェットプリンタ（本発明の液滴吐出装置）９に搭載されている。
図２に示すインクジェットプリンタ９は、装置本体９２を備えており、上部後方に記録用紙Ｐを設置するトレイ９２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口９２２と、上部面に操作パネル９７とが設けられている。

操作パネル９７は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体９２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット９３を備える印刷装置（印刷手段）９４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置９４に送り込む給紙装置（給紙手段）９５と、印刷装置９４および給紙装置９５を制御する制御部（制御手段）９６とを有している。

制御部９６の制御により、給紙装置９５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット９３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット９３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット９３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。

印刷装置９４は、ヘッドユニット９３と、ヘッドユニット９３の駆動源となるキャリッジモータ９４１と、キャリッジモータ９４１の回転を受けて、ヘッドユニット９３を往復動させる往復動機構９４２とを備えている。
ヘッドユニット９３は、その下部に、多数のノズル孔１１を備えるヘッド１と、ヘッド１にインクを供給するインクカートリッジ９３１と、ヘッド１およびインクカートリッジ９３１を搭載したキャリッジ９３２とを有している。

なお、インクカートリッジ９３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
往復動機構９４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸９４３と、キャリッジガイド軸９４３と平行に延在するタイミングベルト９４４とを有している。

キャリッジ９３２は、キャリッジガイド軸９４３に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト９４４の一部に固定されている。
キャリッジモータ９４１の作動により、プーリを介してタイミングベルト９４４を正逆走行させると、キャリッジガイド軸９４３に案内されて、ヘッドユニット９３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド１から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。

給紙装置９５は、その駆動源となる給紙モータ９５１と、給紙モータ９５１の作動により回転する給紙ローラ９５２とを有している。
給紙ローラ９５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ９５２ａと駆動ローラ９５２ｂとで構成され、駆動ローラ９５２ｂは給紙モータ９５１に連結されている。これにより、給紙ローラ９５２は、トレイ９２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置９４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ９２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。

制御部９６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置９４や給紙装置９５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部９６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、印刷装置９４（キャリッジモータ９４１）を駆動する駆動回路、給紙装置９５（給紙モータ９５１）を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。

また、ＣＰＵには、例えば、インクカートリッジ９３１のインク残量、ヘッドユニット９３の位置等を検出可能な各種センサー等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部９６は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。ＣＰＵは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサーからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により印刷装置９４および給紙装置９５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。

以下、ヘッド１について、図１を参照しつつ詳述する。
図１に示すように、ヘッド１は、ノズルプレート１０と、ノズルプレート上に設けられた吐出液貯留室形成基材（基材）２０と、吐出液貯留室形成基材２０上に設けられた振動フィルム３０と、振動フィルム３０上に設けられた支持板４０と、支持板４０上に設けられた圧電素子（振動手段）５０およびケースヘッド６０とを有している。なお、本実施形態では、このヘッド１は、ピエゾジェット式ヘッドを構成する。

吐出液貯留室形成基材２０（以下、省略して「基材２０」と言う。）には、インクを貯留する複数の吐出液貯留室（圧力室）２１が形成され、さらに、各吐出液貯留室２１に連通し、各吐出液貯留室２１にインクを供給する吐出液供給室２２が形成されている。
図１に示すように、各吐出液貯留室２１および吐出液供給室２２は、それぞれ、平面視において、ほぼ長方形状をなし、各吐出液貯留室２１の幅（短辺）は、吐出液供給室２２の幅（短辺）より細幅となっている。
また、各吐出液貯留室２１は、吐出液供給室２２に対して、ほぼ垂直をなすように配置されており、各吐出液貯留室２１および吐出液供給室２２は、平面視において全体として、櫛状をなしている。

基材２０を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのようなシリコン材料、ステンレス鋼のような金属材料、石英ガラスのようなガラス材料、アルミナのようなセラミックス材料、グラファイトのような炭素材料、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、シリコーン樹脂のような樹脂材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、上記のような材料に、酸化処理（酸化膜形成）、めっき処理、不働態化処理、窒化処理等の各処理を施した材料でもよい。

これらの中でも、基材２０の構成材料は、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐インク性（耐薬品性）に優れることから、長時間にわたってインクに曝されたとしても、基材２０が変質及び劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い基材２０が得られる。このため、吐出液貯留室２１や吐出液供給室２２の容積の精度が高くなり、高品位の印字が可能なヘッド１が得られる。

また、吐出液供給室２２は、後述するケースヘッド６０に設けられた吐出液供給路６１と連通して複数の吐出液貯留室２１にインクを供給する共通のインク室として機能するリザーバー７０の一部を構成する。
基材２０の下面（振動フィルム３０と反対側の面；一方の面）には、接合膜１５を介して、吐出液貯留室２１および吐出液供給室２２を覆うようにノズルプレート１０が接合（接着）されている。

本実施形態では、この接合膜１５が、後述する本発明の接合膜で構成されており、かかる構成とすることで、接合膜１５のインクに含まれる溶媒に対する耐性（耐溶剤性）が向上するため、接合膜１５がインクに接触することに起因する膨潤を的確に防止または抑制することができる。また、接合膜１５の基材２０およびノズルプレート１０に対する密着性が向上しているため、接合膜１５のインクに含まれる溶媒に接触したとしても、接合膜１５と基材２０およびノズルプレート１０との間で剥離が生じるのを確実に抑制または防止することができる。

ノズルプレート１０には、各吐出液貯留室２１に対応するように、それぞれノズル孔１１が形成（穿設）されている。このノズル孔１１から、吐出液貯留室２１に貯留されたインク（吐出液）を押し出すことにより、インクが液滴として吐出されることとなる。
また、ノズルプレート１０は、各吐出液貯留室２１や吐出液供給室２２の内壁面の下面を構成している。すなわち、ノズルプレート１０と、基材２０および振動フィルム３０とにより、各吐出液貯留室２１や吐出液供給室２２を画成している。

このようなノズルプレート１０を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの中でも、ノズルプレート１０の構成材料は、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐インク性に優れることから、長時間にわたってインクに曝されたとしても、ノズルプレート１０が変質及び劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いノズルプレート１０が得られる。このため、信頼性の高いヘッド１が得られる。

なお、ノズルプレート１０の構成材料は、線膨張係数が３００℃以下で２．５〜４．５［×１０⁻⁶／℃］程度であるものが好ましい。
また、ノズルプレート１０の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１ｍｍ程度であるのが好ましい。
また、ノズルプレート１０の下面には、必要に応じて、撥液処理を施すのが好ましい。これにより、ノズル孔から吐出されるインク滴が意図しない方向に吐出されるのを防止することができる。
基材２０の上面（他方の面）には、接合膜２５を介して、吐出液貯留室２１および吐出液供給室２２を覆うように振動フィルム３０が接着されている。

本実施形態では、この接合膜２５も、前述した接合膜１５と同様に、本発明の接合膜で構成される。これにより、接合膜２５のインクに含まれる溶媒に対する耐性（耐溶剤性）が向上するため、接合膜２５がインクに接触することに起因する膨潤を的確に防止または抑制することができる。また、接合膜２５の基材２０および振動フィルム３０に対する密着性が向上しているため、接合膜２５のインクに含まれる溶媒に接触したとしても、接合膜２５と基材２０および振動フィルム３０との間で剥離が生じるのを確実に抑制または防止することができる。

また、振動フィルム３０は、各吐出液貯留室２１や吐出液供給室２２の内壁面の上面を構成している。すなわち、振動フィルム３０と、基材２０およびノズルプレート１０とにより、各吐出液貯留室２１や吐出液供給室２２を画成している。そして、振動フィルム３０が基材２０と確実に接合されていることにより、各吐出液貯留室２１や吐出液供給室２２の液密性を確保している。

さらに、振動フィルム３０は、弾性変形する機能を有するものである。したがって、圧電素子５０で発生した歪みにより、支持板４０を介して振動フィルム３０を変位（振動）させることで、吐出液貯留室２１の容積を変化させることができ、その結果、インクが吐出される。
振動フィルム３０を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。

これらの中でも、振動フィルム３０の構成材料は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、アラミド樹脂のような樹脂材料、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐インク性に優れることから、長時間にわたってインクに曝されたとしても、振動フィルム３０が変質及び劣化するのを確実に防止することができる。このため、吐出液貯留室２１内および吐出液供給室２２内に、長期間にわたってインクを貯留することができる。さらに、これらは、高速で弾性変形することが可能な材料であるため、吐出液貯留室２１の容積を高速に変化させることができ、その結果、インクを高精度に吐出することができる。
振動フィルム３０の上面には、接合膜３５を介して、振動フィルム３０の一部に対応するように支持板４０が接着されている。

本実施形態では、この接合膜３５も、前述した接合膜１５と同様に、本発明の接合膜で構成される。これにより、接合膜３５のインクに含まれる溶媒に対する耐性（耐溶剤性）が向上するため、接合膜３５がインクに接触することに起因する膨潤を的確に防止または抑制することができる。また、接合膜３５の支持板４０および振動フィルム３０に対する密着性が向上しているため、接合膜２５のインクに含まれる溶媒に接触したとしても、接合膜３５と支持板４０および振動フィルム３０との間で剥離が生じるのを確実に抑制または防止することができる。

支持板４０は、圧電素子５０で発生した歪みを、このものを介して、振動フィルム３０に伝播する機能を有するものである。これにより、圧電素子５０に歪みを発生させることで、振動フィルム３０に変位が生じ、その結果、各吐出液貯留室２１における容積変化を確実に生じさせることができる。
支持板４０を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの中でも、支持板４０の構成材料は、シリコン材料またはステンレス鋼（ＳＵＳ）であるのが好ましい。このような材料は、優れた強度を有するものである。そのため、圧電素子５０で発生した歪みが、より確実に、振動フィルム３０に伝播されることから、インクがより高精度に吐出されることとなる。

なお、本実施形態では、上述した振動フィルム３０と支持板４０とが接合膜３５を介して接合された積層体により、吐出液貯留室２１および吐出液供給室２２を覆う振動板（封止板）が構成される。
支持板４０の上面の一部（図１では、支持板４０の上面の中央部付近）に、圧電素子（振動手段）５０が接合されている。

圧電素子５０は、圧電材料で構成された圧電体層５１と、この圧電体層５１に電圧を印加する電極膜５２との積層体で構成されている。このような圧電素子５０では、電極膜５２を介して圧電体層５１に電圧を印加することにより、圧電体層５１に電圧に応じた歪みが発生する（逆圧電効果）。この歪みが支持板４０を介して振動フィルム３０に撓み（振動）をもたらし、吐出液貯留室２１の容積を変化させる。かかる構成の圧電素子５０が支持板４０と確実に接合されていることにより、圧電素子５０に発生した歪みを、支持板４０を介して振動フィルム３０の変位へと確実に変換することができ、その結果、各吐出液貯留室２１が確実に容積変化することとなる。

また、圧電体層５１と電極膜５２との積層方向は、特に限定されず、支持板４０に対して平行な方向であっても、直交する方向であってもよい。なお、圧電体層５１と電極膜５２との積層方向が、図１に示すように、支持板４０に対して直交する方向である場合、このように配置された圧電素子５０を特にＭＬＰ（Multi Layer Piezo）と言う。圧電素子５０がＭＬＰであれば、支持板４０の変位量を大きくとることができるので、インクの吐出量の調整幅が大きいという利点がある。

圧電素子５０のうち、支持板４０に隣接する（接触する）面は、圧電素子５０の配置方法によって異なるが、圧電体層が露出した面、電極膜が露出した面、または圧電体層と電極膜の双方が露出した面のいずれかである。
圧電素子５０のうち、圧電体層５１を構成する材料としては、例えば、チタン酸バリウム、ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等が挙げられる。

一方、電極膜５２を構成する材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、またはこれらを含む合金等の各種金属材料が挙げられる。
ここで、前述した支持板４０は、圧電素子５０に対応する位置を取り囲むように環状に形成された凹部５３を有している。すなわち、支持板４０は、振動フィルム３０上に、その一部に対応するように設けられており、圧電素子５０に対応する位置では、支持板４０の一部が、この環状の凹部５３を隔てて島状に孤立している。このような島状をなす部分に圧電素子５０を接合する構成とすることで、圧電素子５０で発生した歪みをより確実に、振動フィルム３０に伝播することができるため、振動フィルム３０における撓みがより確実に生じることとなる。

また、圧電素子５０の電極膜５２は、図示しない駆動ＩＣと電気的に接続されている。これにより、圧電素子５０の動作を駆動ＩＣによって制御することができる。
また、支持板４０の上面の一部（図１では、凹部５３を隔てて、島状をなす部分を取り囲む部分）には、ケースヘッド６０が接合されている。このように、ケースヘッド６０と支持板４０とが接合されることで、ノズルプレート１０、基材２０、振動フィルム３０および支持板４０の積層体で構成された、いわゆるキャビティー部分を補強し、キャビティー部分のよじれや反り等を確実に抑制することができる。

ケースヘッド６０を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの中でも、ケースヘッド６０の構成材料は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ザイロンのような変性ポリフェニレンエーテル樹脂（「ザイロン」は登録商標）またはステンレス鋼であるのが好ましい。これらの材料は、十分な剛性を備えていることから、ヘッド１を支持するケースヘッド６０の構成材料として好適である。

また、振動フィルム３０、接合膜３５および支持板４０は、吐出液供給室２２に対応する位置に貫通孔２３を有する。この貫通孔２３により、ケースヘッド６０に設けられた吐出液供給路６１と吐出液供給室２２とが連通している。なお、吐出液供給路６１と吐出液供給室２２とにより、複数の吐出液貯留室２１にインクを供給する共通のインク室として機能するリザーバー７０の一部を構成する。

このようなヘッド１では、図示しない外部吐出液供給手段からインクを取り込み、リザーバー７０からノズル孔１１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣからの記録信号により、各吐出液貯留室２１に対応するそれぞれの圧電素子５０を動作させる。これにより、圧電素子５０の逆圧電効果によって支持板４０を介して振動フィルム３０に撓み（振動）が生じる。その結果、例えば、各吐出液貯留室２１内の容積が収縮すると、各吐出液貯留室２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１からインクが液滴として押し出される（吐出される）。

このようにして、ヘッド１において、印刷したい位置の圧電素子５０に、駆動ＩＣを介して電圧を印加すること、すなわち、吐出信号を順次入力することにより、任意の文字が図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド１は、前述したような構成のものに限らず、例えば、振動手段としての圧電素子５０に代えて、静電アクチュエータを備えるものであってもよい。

ただし、本実施形態のように、振動手段が圧電素子で構成されていることにより、振動フィルム３０に発生する撓みの程度を容易に制御することができる。これにより、インク滴の大きさを容易に制御することができる。
なお、本実施形態では、接合膜１５、２５、３５のいずれもが、本発明の接合膜で構成されることとしたが、本発明では、この場合に限らず、これら接合膜１５、２５、３５のうちの少なくとも１層が、本発明の接合膜で構成されていればよい。

＜接合膜＞
さて、上述のとおり、本実施形態では、接合膜１５、２５、３５に、本発明の接合膜が適用される。
以下、この接合膜について説明する。
なお、以下では、接合膜１５、２５、３５を介して接合される、基材２０および支持板４０と、ノズルプレート１０および振動フィルム３０とを、それぞれ総称して、「基材」と、「他の基材」と言い、接合膜１５、２５、３５のうち接合膜１５を代表にして、基材２上に形成した接合膜１５に発現した接着性をもって他の基材と接合する場合について説明する。

図３は、本発明の接合膜のエネルギー付与前の表面付近の状態を示す部分拡大図、図４は、本発明の接合膜のエネルギー付与後の表面付近の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図３、４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
接合膜１５は、図３、４に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含むＳｉ骨格３０１と、このシロキサン結合３０２に結合する脱離基であるメチル基３０３とを含み、メチル基３０３の含有量は、この接合膜１５の厚さ方向において、基材２の反対側よりも基材２側で少なくなっている。

かかる構成の接合膜１５は、シロキサン結合３０２を含むＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜である。そのため、接合膜１５自体が接合強度、耐インク性および寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる接合体においても、接合強度、耐インク性および寸法精度が高いものとなる。
このような接合膜１５は、その少なくとも一部の領域（全ての領域も含む）にエネルギーが付与されると、かかる領域に位置するメチル基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、その結果、図４に示すように、接合膜１５の表面および内部に、活性手３０４が生じ、これにより、接合膜１５の表面の前記領域に接着性が発現するものである。かかる接着性が発現すると、接合膜１５は、他の基材に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。

さらに、この接合膜１５では、メチル基３０３の含有量が、その厚さ方向において、基材２側で少なく、基材２の反対側（他の基材側）で多くなっている。したがって、前記のように、接合膜１５へのエネルギーの付与によりメチル基３０３をＳｉ骨格３０１から脱離させて、その表面に接着性を発現させる際に、より確実にメチル基３０３を脱離させることができる。そのため、表面に発現する接着性をもって、他の基材をより強固に接合することができる。また、メチル基３０３が多量に含まれることで、接合膜１５の表面では、その強度が基材２側と比較して低くなっている。そのため、接合すべき他の基材に対する追従性が向上することから、かかる観点からも、他の基材をより強固に接合することができるようになる。さらに、基材２側でメチル基３０３の含有量を少なく設定することで、基材２上への接合膜１５の成膜時において、優れた密着性を有する接合膜１５を基材２上に形成することができる。以上のことから、接合膜１５を介した基材２と他の基材との接合がより優れた密着性をもって接合され、その結果、接合膜１５を介して基材２と他の基材とが接合された接合体は、各種溶媒を含有するインクに対して優れた耐インク性を発揮するものとなる。

また、このような接合膜１５は、流動性を有しない固体状のものとなる。このため、接合膜１５の厚さや形状がほとんど変化しない。これにより、接合膜１５を介して基材２と他の基材とが接合された接合体の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
このような接合膜１５は、単一の層で構成され、この層中において基材２側からその反対側に向かって、メチル基３０３の含有量が連続的に変化するものであっても良いが、基材２側に位置する第１の層と、基材２の反対側に位置する第２の層とを有し、第１の層と第２の層とが積層された積層体で構成されており、第１の層中におけるメチル基３０３の含有量が、第２の層中におけるメチル基３０３の含有量よりも少なくなっているのが好ましい。接合膜１５をかかる構成の積層体とすることで、この膜を、メチル基３０３の含有量が、接合膜１５の厚さ方向において、基材２の反対側よりも基材２側で少なくなっているものと容易にすることができる。

この第１の層におけるメチル基３０３の含有量は、０．０３［Ａｂｓ］以上、０．１５［Ａｂｓ］以下であるのが好ましく、０．０７［Ａｂｓ］以上、０．１２［Ａｂｓ］以下であるのがより好ましい。これにより、基材２上への接合膜１５の成膜時において、優れた密着性を有する第１の層を基材２上に形成することができる。
また、第２の層におけるメチル基３０３の含有量は、０．１６［Ａｂｓ］以上、０．２５［Ａｂｓ］以下であるのが好ましく、０．１６［Ａｂｓ］以上、０．２０［Ａｂｓ］以下であるのがより好ましい。接合膜（第２の層）１５へのエネルギーの付与によりメチル基３０３をＳｉ骨格３０１から脱離させて、その表面に接着性を発現させる際に、第２の層におけるメチル基３０３の含有量をかかる範囲内に設定することにより、より確実にメチル基３０３を脱離させることができることから、表面に発現する接着性をもって、他の基材をより強固に接合することができるようになる。

なお、各層の厚さ方向におけるメチル基３０３の含有量は、クラスターイオンビーム（GCTB）搭載飛行時間型２次イオン質量分析（TOF−SIMS）装置を用いて測定することができ、メチル基３０３の吸光度で相対的に表すことができる。GCTB搭載TOF−SIMS装置によれば、１００ｎｍ程度の分解能で、厚さ方向におけるメチル基３０３の含有量を優れた精度で測定することができる。

また、このような第１の層は、その膜厚が５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるのが好ましく、２５０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することで、第１の層としての機能を確実に発揮させて、優れた密着性をもって第１の層を基材２に接合することができる。
さらに、第２の層は、その膜厚が５００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下であるのが好ましく、５００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することで、第２の層としての機能を確実に発揮させて、接合すべき他の基材に対する追従性をより向上させることができるため、他の基材をさらに強固に接合することができるようになる。

また、このような接合膜１５において、第１の層は、その厚さ方向において、基材２側からその反対側に向かってメチル基３０３の含有量が増加しているグラデーション層であり、第２の層は、その厚さ方向において、メチル基３０３の含有量（メチル基量）が一定となっている単一層であることが好ましい。これにより、第１の層を、基材２との界面および第２の層との界面の双方に対して優れた密着性を発揮するものとすることができる。そのため、これらの界面における接合膜１５の剥離を確実に抑制または防止することができる。

なお、本明細書中では、「各層の厚さ方向において、メチル基３０３の含有量が一定となっている」とは、例えばGCTB搭載TOF−SIMS装置を用いて、１００ｎｍ程度の分解能で、厚さ方向におけるメチル基３０３の含有量を測定した際に、異なる厚さで測定されたメチル基量の小数点第３位を四捨五入した値同士が同一である場合のことを言う。これに対して、「各層の厚さ方向において、基材２側からその反対側に向かってメチル基３０３の含有量が増加している」とは、異なる厚さで測定されたメチル基量の小数点第３位を四捨五入した値同士が異なり、かつ、基材２側の値よりも基材２の反対側の値の方が大きくなっている場合のことを言うこととする。

また、グラデーション層である第１層は、メチル基３０３の含有量が連続的に変化する単一層で構成されるものであっても良いし、メチル基３０３の含有量がそれぞれ異なる複数の層が積層された積層体で構成されるものであっても良い。
さらに、接合膜１５おいて、特に、接合膜１５を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜１５は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜１５自体が強固なものとなる。また、かかる接合膜１５は、基材（基板）２および他の基材（他の基板）４に対して、特に高い接合強度を示すものとなる。

また、接合膜１５中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜１５の安定性が高くなり、基材２と他の基材とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜１５中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、接合膜１５中において、Ｓｉ骨格３０１はランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述したＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜１５の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。
このＳｉ骨格３０１の結晶化度は、例えば、Ｘ線回折法等を用いて求めることができる。

また、接合膜１５は、その構造中にＳｉ−Ｈ結合を含んでいるのが好ましい。このＳｉ−Ｈ結合は、プラズマ重合法によってシランが重合反応する際に重合物中に必然的に生じるものであるが、このとき、Ｓｉ−Ｈ結合がシロキサン結合の生成が規則的に行われるのを阻害すると考えられる。このため、シロキサン結合は、Ｓｉ−Ｈ結合を避けるように形成されることとなり、Ｓｉ骨格３０１の原子構造の規則性が低下する。このようにして、プラズマ重合法によれば、結晶化度の低いＳｉ骨格３０１を効率よく形成することができる。
このＳｉ−Ｈ結合は、例えば、赤外光吸収スペクトルを用いて求めることができる。

一方、接合膜１５中のＳｉ−Ｈ結合の含有率が多ければ多いほど結晶化度が低くなるわけではない。具体的には、接合膜１５の赤外光吸収スペクトルにおいて、シロキサン結合に帰属するピークの強度を１としたとき、Ｓｉ−Ｈ結合に帰属するピークの強度は、０．００１〜０．２程度であるのが好ましく、０．００２〜０．０５程度であるのがより好ましく、０．００５〜０．０２程度であるのがさらに好ましい。Ｓｉ−Ｈ結合のシロキサン結合に対する割合が前記範囲内であることにより、接合膜１５中の原子構造は、相対的にランダムなものとなる。このため、Ｓｉ−Ｈ結合のピーク強度がシロキサン結合のピーク強度に対して前記範囲内にある場合、接合膜１５は、接合強度、耐インク性および寸法精度において特に優れたものとなる。

また、Ｓｉ骨格３０１に結合するメチル基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜１５に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。このメチル基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合している。

すなわち、接合膜１５の赤外光吸収スペクトルにおいて、シロキサン結合に帰属するピークの強度を１としたとき、メチル基３０３に帰属するピークの強度は、０．０５〜０．４５程度であるのが好ましく、０．１〜０．４程度であるのがより好ましく、０．２〜０．３程度であるのがさらに好ましい。メチル基３０３のピーク強度がシロキサン結合のピーク強度に対する割合が前記範囲内であることにより、メチル基３０３がシロキサン結合の生成を必要以上に阻害するのを防止しつつ、接合膜１５中に必要かつ十分な数の活性手が生じるため、接合膜１５に十分な接着性が生じる。また、接合膜１５には、メチル基３０３に起因する十分な耐候性および耐インク性が発現する。
このような特徴を有する接合膜１５の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。

ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜１５は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜１５は、基材２に対して特に強固に被着するとともに、他の基材に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、基材２と他の基材とを強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。

なお、この撥水性（非接着性）は、主に、ポリオルガノシロキサン中に含まれたメチル基３０３による作用である。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜１５は、エネルギーを付与されることにより、表面に接着性が発現するとともに、表面以外の部分においては、前述したメチル基３０３による作用・効果が得られるという利点も有する。したがって、接合膜１５は、耐候性および耐インク性に優れたものとなり、例えば、薬品類等に長期にわたって曝されるような基板の接合に際して、有効に用いられるものとなる。これにより、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドに本発明を適用する際には、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜１５を備えることにより、耐久性および耐インク性に優れたものとすることができる。

また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜１５は、接着性に特に優れることから、本発明の接合膜に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。
このような接合膜１５を介した他の基材の基材２に対する接合強度は、そのダイシェア強度が、１５ＭＰａ以上であるのが好ましく、１７ＭＰａ以上、２２ＭＰａ以下であるのがより好ましい。接合膜１５を上述したような構成のものとすることで、ダイシェア強度を前記範囲内のものに容易に設定することが可能となる。

なお、このダイシェア強度は、MIL−STD−833（Method2019.7）に準拠して、他の基材側からせん断応力をかけた時のせん断強度として測定することができる。
このような接合膜１５では、その形成方法（成膜方法）は、特に限定されないが、プラズマ重合法であるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、緻密で均質な接合膜１５を効率よく成膜することができる。これにより、接合膜１５は、他の基材に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、プラズマ重合法で成膜された接合膜１５は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、接合体の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。

以下、プラズマ重合法を用いた接合膜の成膜方法、すなわち本発明の接合膜の形成方法について説明するが、この接合膜の成膜方法（形成方法）に先立って、まず、かかる方法に用いられる成膜装置（プラズマ重合装置）について説明する。
＜成膜装置＞
図５は、本発明の接合膜の形成に用いられる成膜装置（プラズマ重合装置）を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図５に示す成膜装置（プラズマ重合装置）１００は、チャンバー１０１と、基材２を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。

チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。
図５に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。

チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。
なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。

第１の電極１３０は、板状をなしており、基材２を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図５に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。

第１の電極１３０の基材２を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図５に示すように、基材２を鉛直方向に沿って支持することができる。
また、第１の電極１３０には、図示しない温度調整手段が設けられており、この温度調整手段の作動により、基材２を所望の温度に設定することができる。

第２の電極１４０は、基材２を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。

このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。なお、この周波数および高周波電力の出力が適宜設定し得るよう構成されている。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。

図５に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。

貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、成膜装置１００により、重合して基材２の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、気化装置１９２により気化する膜材料の気化量を適宜設定することにより、膜材料の流量を所望の大きさに設定することができる。また、原料ガスについては、後に詳述する。

ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。

拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基材２の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。

また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。
以上のような構成の成膜装置１００を用いて、本発明の接合膜の形成方法を適用することで、基材２上に接合膜１５が形成される。

以下、その形成方法について説明する。
＜接合膜の形成方法＞
図６は、基材上に接合膜を作製する方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本発明の接合膜の形成方法は、上述した接合膜１５を形成するために用いられ、基材２上に、プラズマ重合法を用いて、原料ガスとしてのポリオルガノシロキサン中の分子を重合させることにより、前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させて接合膜１５を得る際に、前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させる条件を経時的に変化させる方法である。
このように、前記条件を経時的に変化させることにより、形成される接合膜１５を、その厚さ方向において、メチル基の含有量が基材２の反対側よりも基材２側で少なくなっているものとすることができる。したがって、この接合膜１５は、基材２および他の基材の双方に対して優れた密着性を発揮するものとなる。

以下、この本発明の接合膜の形成方法の各工程について、詳述する。
なお、前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させる際に、経時的に変化させる条件としては、原料ガスの流量、高周波電力の出力および基材２の温度等が挙げられるが、中でも、原料ガスの流量であるのが好ましい。これにより、接合膜１５の厚さ方向において、メチル基３０３の含有量が基材２の反対側よりも基材２側で少なくなっている接合膜１５を、容易かつ確実に成膜することができる。
したがって、以下では、前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させる際に、原料ガスの流量を経時的に変化させる場合を一例に説明する。

＜１＞ まず、基材２を用意し、必要に応じて、接合膜１５を形成すべき基材２の上面に表面処理を施す。
この表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ処理等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

＜２＞ 次に、基材２を成膜装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
＜３＞ 次に、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される（図６（ａ）参照）。

ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を０〜７０％程度に設定するのが好ましく、１〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、０〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。

＜４＞ 次に、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、図６（ｂ）に示すように、重合物が基材２に付着及び堆積する。これにより、基材２上にプラズマ重合膜で構成された接合膜１５が形成される（図６（ｃ）参照）。

本実施形態では、この重合物がプラズマ重合法により基材２に付着及び堆積する際に、原料ガスの流量を経時的に変化させ、これにより、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）を変化させる。より具体的には、前述したような範囲内の原料ガスの流量が大きくなるように経時的に変化させ、これにより、混合ガス中における原料ガスの混合比が大きくなるように変化させる。このようにして、接合膜１５が形成される過程において、原料ガスの流量を経時的に変化させることにより、得られる接合膜１５は、その厚さ方向において、基材２の反対側よりも基材２側でメチル基３０３の含有量が少なくなっているものとなる。その結果、この接合膜１５は、基材２および他の基材の双方に対して優れた密着性を発揮する。

また、プラズマの作用により、基材２の表面が活性化・清浄化される。このため、原料ガスの重合物が基材２の表面に堆積し易くなり、接合膜１５の安定した成膜が可能になる。かかる観点からも、プラズマ重合法によれば、基材２の構成材料によらず、基材２と接合膜１５との密着強度をより高めることができる。
原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサンが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜１５は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。

本工程におけるプラズマ重合の際には、上述した供給するガスのうち、原料ガスの流量を、最終的には１〜５０ｃｃｍ程度の範囲内で増加させるのが好ましく、１０〜３０ｃｃｍ程度の範囲内で増加させるのがより好ましい。これにより、得られる接合膜１５を、その厚さ方向において、基材２の反対側よりも基材２側でメチル基３０３の含有量がより確実に少なくなっているものとすることができる。
また、プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。

さらに、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１００Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．１〜５０Ｗ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましく、１〜４０Ｗ／ｃｍ^２程度であるのがさらに好ましい。高周波の出力密度を前記範囲内とすることにより、高周波の出力密度が高過ぎて原料ガスに必要以上のプラズマエネルギーが付加されるのを確実に防止することができる。

また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０^−５〜１３３３Ｐａ（１×１０^−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０^−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０^−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。

また、基材２の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
なお、原料ガスの流量を経時的に変化させる場合に代えて、高周波電力の出力または基材２の温度を経時的に変化させて接合膜１５を形成する場合には、本工程＜４＞において、原料ガスの流量を一定とし、高周波電力の出力または基材２の温度を経時的に変化させるようにすればよい。
以上のようにして、基材２上に接合膜１５を成膜することができる。
この接合膜１５に接着性を発現させた後、この接着性をもって他の基材と接合することで、接合膜１５を介して基材２と他の基材とが接合された接合体を得ることができるが、以下、この接合体の形成方法について説明する。

＜接合体の形成方法＞
［１］まず、基材２上に形成された接合膜１５の表面に対してエネルギーを付与する。
エネルギーが付与されると、接合膜１５では、メチル基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、メチル基３０３が脱離した後には、接合膜１５の表面および内部に活性手が生じる。これにより、接合膜１５の表面に、他の基材との接着性が発現する。このような状態の接合膜１５は、他の基材と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。

ここで、接合膜１５に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、エネルギー線を照射する方法、接合膜１５を加熱する方法、接合膜１５に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。
また、本実施形態では、接合膜１５にエネルギーを付与する方法として、特に、接合膜１５にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜１５に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。

このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜１５中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１とメチル基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜１５の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜１５に接着性を発現させることができる。

なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜１５の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜１５との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。

また、紫外線を照射する時間は、接合膜１５の表面付近のメチル基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜１５の内部のメチル基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜１５の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。

また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
また、接合膜１５に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜１５に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による基材２の変質及び劣化を防止することができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。

さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の接合膜１５は、図３に示すように、Ｓｉ骨格３０１とメチル基３０３とを有している。かかる接合膜１５にエネルギーが付与されると、メチル基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図４に示すように、接合膜１５の表面に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜１５の表面に接着性が発現する。

ここで、接合膜１５を「活性化させる」とは、接合膜１５の表面および内部のメチル基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。

したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、他の基材に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜１５に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。
また、本実施形態では、接合膜１５に他の基材を貼り合わせる前に、あらかじめ、接合膜１５に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、接合膜１５に他の基材を貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行われるようにしてもよい。

［３］次に、他の基材（他の被着体）を用意する。そして、活性化させた接合膜１５と他の基材とが密着するように、基材２上に形成された接合膜１５に他の基材を貼り合わせる。これにより、接合膜１５を介して基材２と他の基材とが接合された接合体が得られる。
このようにして得られた接合体では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、接合膜１５を介して接合膜１５と他の基材とが接合されている。このため、接合体は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。

また、この接合体では、接合膜１５を介して基材２と他の基材とが接合されており、接合膜１５において、メチル基３０３の含有量が、その厚さ方向において、基材２側で少なく、基材２の反対側（他の基材側）で多くなっている。そのため、この接合体は、より優れた密着性をもって接合され、その結果、各種溶媒を含有するインクに対して優れた耐インク性を発揮するものとなる。

以上のようにして、接合体（本発明の接合体）を得ることができる。
なお、接合体を得た後、この接合体に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を図ることができる。

［４Ａ］得られた接合体を、基材２と他の基材とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、基材２の表面および他の基材の表面に、それぞれ接合膜１５の表面がより近接し、接合体における接合強度をより高めることができる。
また、接合体を加圧することにより、接合体中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、接合体を加圧する際の圧力は、接合体が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して接合体における接合強度を高めることができる。

なお、この圧力は、基材２および他の基材の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、基材２および他の基材の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、基材２および他の基材の各構成材料によっては、基材２および他の基材に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。

［４Ｂ］得られた接合体を加熱する。
これにより、接合体における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体が熱によって変質及び劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。

また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、接合体を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体の接合強度を特に高めることができる。

［４Ｃ］得られた接合体に紫外線を照射する。
これにより、接合膜１５と基材２および他の基材との間に形成される化学結合を増加させ、基材２および他の基材と接合膜１５との間の接合強度をそれぞれ高めることができる。その結果、接合体の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。

また、本工程［４Ｃ］を行う場合、基材２および他の基材のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、接合膜１５に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。

以上、本発明の接合膜、接合膜の形成方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、本発明の接合膜の形成方法では、前記実施形態の構成に限定されず、工程の順序が前後してもよい。また、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよく、不要な工程を削除してもよい。

また、本発明の接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置において、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
また、前記実施形態では、インクジェット式記録ヘッド１が備える基材２０、支持板４０のような基材と、ノズルプレート１０、振動フィルム３０のような他の基材との密着性を向上させるために本発明の接合膜を用いてこれら同士を接合する場合について説明したが、このような場合に限定されず、これらとは異なる基材と他の基材との接合に、本発明の接合膜を適用することができる。

このような基材と他の基材とを備えるものとしては、例えば、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサー、加速度センサーのようなセンサー部品、半導体基板とそれに搭載される半導体素子等が挙げられる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．接合体の製造
（実施例１）
＜１＞ まず、基材として、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、その他の基材として、縦１０．５ｍｍ×横１０．５ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意した。
そして、単結晶シリコン基板を図５に示す成膜装置１００のチャンバー１０１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。

＜２＞ 次に、表面処理を行った面に、平均厚さ１３００ｎｍのプラズマ重合膜（接合膜）を成膜した。
また、成膜条件は以下に示す通りとした。

＜成膜条件＞
・原料ガスの組成 ：オクタメチルトリシロキサン
・キャリアガスの組成：アルゴン
・キャリアガスの流量：２０ｓｃｃｍ
・高周波電力の出力 ：１５０Ｗ
・チャンバー内圧力 ：４Ｐａ（低真空）
・基板温度 ：４０℃

また、原料ガスの流量は、成膜開始から３０ｓｅｃまでを、１ｓｃｃｍとし、その後、１５ｓｅｃ毎に２０ｓｃｃｍとなるまで１ｓｃｃｍずつ上昇させた後、２０ｓｃｃｍで１２００ｓｅｃの間一定に保った。
このようにして単結晶シリコン基板上に成膜されたプラズマ重合膜は、オクタメチルトリシロキサン（原料ガス）の重合物で構成されており、シロキサン結合を有するＳｉ骨格と、脱離基としてのメチル基とを含んでおり、単結晶シリコン基板側に位置するメチル基の含有率が変化する厚さ３００ｎｍのグラデーション層と、表面側に位置するメチル基の含有率が一定の厚さ１０００ｎｍの単一層とからなる積層体で構成されるものである。

＜３＞ 次に、得られたプラズマ重合膜（接合膜）に以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成 ：大気（空気）
・雰囲気ガスの温度 ：２０℃
・雰囲気ガスの圧力 ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長 ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間 ：５分

＜４＞ 次に、紫外線を照射してから１分後に、単結晶シリコン基板上のプラズマ重合膜の紫外線を照射した面と、ガラス基板とが接触するように、接合膜が介在するようにして単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせることで、接合体を得た。
＜５＞ 次に、得られた接合体を３ＭＰａで加圧しつつ、８０℃で加熱し、１５分間維持した。これにより、接合体の接合強度の向上を図った。
（実施例２）
前記工程＜２＞において、平均厚さ１３００ｎｍのプラズマ重合膜（接合膜）を成膜する際の条件を、以下のように変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。

＜成膜条件＞
・原料ガスの組成 ：オクタメチルトリシロキサン
・原料ガスの流量 ：２０ｓｃｃｍ
・キャリアガスの組成：アルゴン
・キャリアガスの流量：２０ｓｃｃｍ
・チャンバー内圧力 ：４Ｐａ（低真空）
・基板温度 ：４０℃

また、高周波電力の出力は、成膜開始から１５ｓｅｃまでを、７００Ｗとし、その後、下記の表１の条件でグラデーション層を形成したのち、１５０Ｗで１２００ｓｅｃの間一定に保ち単一層を形成することでグラデーション層と単一層とが積層された積層体からなる接合膜を形成した。

このようにして単結晶シリコン基板上に成膜されたプラズマ重合膜は、オクタメチルトリシロキサン（原料ガス）の重合物で構成されており、シロキサン結合を有するＳｉ骨格と、脱離基としてのメチル基とを含んでおり、単結晶シリコン基板側に位置するメチル基の含有率が変化する厚さ３００ｎｍのグラデーション層と、表面側に位置するメチル基の含有率が一定の厚さ１０００ｎｍの単一層とからなる積層体で構成されるものである。

（比較例１）
成膜時間を７８０ｓｅｃ、高周波電力の出力を２５０Ｗとし、原料ガスの流量を、成膜開始から終了まで２０ｓｃｃｍの一定に保って、メチル基の含有率が一定の厚さ１３００ｎｍの単一層からなる単層体で構成されるプラズマ重合膜（接合膜）を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。

（比較例２）
高周波電力の出力を２００Ｗとして、メチル基の含有率が一定の厚さ１３００ｎｍの単一層からなる単層体で構成されるプラズマ重合膜（接合膜）を形成したこと以外は、前記比較例１と同様にして接合体を得た。
（比較例３）
高周波電力の出力を１５０Ｗとして、メチル基の含有率が一定の厚さ１３００ｎｍの単一層からなる単層体で構成されるプラズマ重合膜（接合膜）を形成したこと以外は、前記比較例１と同様にして接合体を得た。

２．接合体の評価
２−１．接合強度（ダイシェア強度）の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ接合強度（ダイシェア強度）を測定した。
この接合強度の測定は、MIL−STD−833（Method2019.7）に準拠して、ガラス基板側から０．１ｍｍ／秒の速度でせん断応力をかけた時のせん断強度として測定した。

２−２．接合膜中のメチル基量の評価
各実施例および各比較例で得られた接合体における接合膜ついて、それぞれ、膜中のメチル基量を測定した。
このメチル基量の測定は、クラスターイオンビーム（GCTB）搭載飛行時間型２次イオン質量分析（TOF−SIMS）装置を用いて、各実施例および各比較例の接合体について、それぞれ単結晶シリコン基板側から１００ｎｍ、２００ｎｍおよび５００ｎｍの位置について行なった。
以下、上記における各評価結果を表２に示す。

表２から明らかなように、各実施例で得られた接合体は、１５ＭＰａ以上の接合強度を有し、接合膜を、その厚さ方向において、単結晶シリコン基板の反対側よりも単結晶シリコン基板側でメチル基量が少なくなっているものとすることで、優れた密着性を有していることが判った。
これに対して、各比較例で得られた接合体は、接合膜中におけるメチル基量が一定であり、これに起因して、十分な接合強度が得られたとは言えない結果となった。

１……インクジェット式記録ヘッド １０……ノズルプレート １１……ノズル孔 １５、２５、３５……接合膜 １００……成膜装置 １０１……チャンバー １０２……接地線 １０３……供給口 １０４……排気口 １３０……第１の電極 １３９……静電チャック １４０……第２の電極 １７０……ポンプ １７１……圧力制御機構 １８０……電源回路 １８２……高周波電源 １８３……マッチングボックス １８４……配線 １９０……ガス供給部 １９１……貯液部 １９２……気化装置 １９３……ガスボンベ １９４……配管 １９５……拡散板 ２……基材 ２０……吐出液貯留室形成基材 ２１……吐出液貯留室 ２２……吐出液供給室 ２３……貫通孔 ３０……振動フィルム ３０１……Ｓｉ骨格 ３０２……シロキサン結合 ３０３……メチル基 ３０４……活性手 ４０……支持板 ５０……圧電素子 ５１……圧電体層 ５２……電極膜 ５３……凹部 ６０……ケースヘッド ６１……吐出液供給路 ７０……リザーバー ９……インクジェットプリンタ ９２……装置本体 ９２１……トレイ ９２２……排紙口 ９３……ヘッドユニット ９３１……インクカートリッジ ９３２……キャリッジ ９４……印刷装置 ９４１……キャリッジモータ ９４２……往復動機構 ９４３……キャリッジガイド軸 ９４４……タイミングベルト ９５……給紙装置 ９５１……給紙モータ ９５２……給紙ローラ ９５２ａ……従動ローラ ９５２ｂ……駆動ローラ ９６……制御部 ９７……操作パネル Ｐ……記録用紙

Claims (9)

1. 基材上に設けられ、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基としてメチル基とを含む接合膜であって、
   前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーが付与され、前記領域の少なくとも表面の前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離して、前記メチル基の含有量が、当該接合膜の厚さ方向において、前記基材の反対側よりも前記基材側で少なくなっていることを特徴とする接合膜。
2. 前記基材側に位置する第１の層と、前記基材の反対側に位置する第２の層とを有し、前記第１の層と前記第２の層とが積層された積層体で構成され、
   前記第１の層中における前記メチル基の含有量は、前記第２の層中における前記メチル基の含有量よりも少ない請求項１に記載の接合膜。
3. 前記第１の層は、その厚さ方向において、前記基材側からその反対側に向かって前記メチル基の含有量が増加し、
   前記第２の層は、その厚さ方向において、前記メチル基の含有量が一定である請求項２に記載の接合膜。
4. 前記接合膜は、プラズマ重合により形成されたものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の接合膜。
5. 接合膜の形成方法であって、
   基材上に、プラズマ重合法を用いて、原料ガスとしてのポリオルガノシロキサン中の分子を重合させることにより、前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させて前記接合膜を得る際に、
   前記ポリオルガノシロキサンの重合物を付着及び堆積させる条件を経時的に変化させることを特徴とする接合膜の形成方法。
6. 経時的に変化させる前記条件は、前記原料ガスの流量である請求項５に記載の接合膜の形成方法。
7. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の接合膜を介して、前記基材と前記他の基材とが接合されてなることを特徴とする接合体。
8. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の接合膜を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
9. 請求項８に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。

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