JP5819133B2

JP5819133B2 - Gate valve

Info

Publication number: JP5819133B2
Application number: JP2011176809A
Authority: JP
Inventors: 吉田　勉; 勉吉田; 延博吉田
Original assignee: Nippon Valqua Industries Ltd
Current assignee: Nippon Valqua Industries Ltd
Priority date: 2011-08-12
Filing date: 2011-08-12
Publication date: 2015-11-18
Anticipated expiration: 2031-08-12
Also published as: JP2013041711A

Description

本発明は、ゲート弁に関し、特に、シール部材の劣化を抑制可能なゲート弁に関する。 The present invention relates to a gate valve, and more particularly to a gate valve capable of suppressing deterioration of a seal member.

半導体装置の製造工程における成膜工程やエッチング工程において、プラズマ処理が広く用いられている。このようなプラズマ処理を行なうために、プロセスチャンバを有するプラズマ処理装置が用いられる。 Plasma processing is widely used in a film forming process and an etching process in a semiconductor device manufacturing process. In order to perform such plasma processing, a plasma processing apparatus having a process chamber is used.

このようなプラズマ処理装置は、プロセスチャンバに対してウエハの出し入れを行なうためのトランスファチャンバを備えており、プロセスチャンバとトランスファチャンバとの間には、ゲート弁が設けられている。プロセスチャンバ内でプラズマ処理が為されている時、ゲート弁は閉じた状態にある。上記プラズマ処理が終了した後、ゲート弁が開けられる。これにより、プロセスチャンバとトランスファチャンバとの間で、ウエハの出し入れが可能となる。 Such a plasma processing apparatus includes a transfer chamber for loading / unloading a wafer into / from the process chamber, and a gate valve is provided between the process chamber and the transfer chamber. The gate valve is closed when plasma processing is being performed in the process chamber. After the plasma treatment is finished, the gate valve is opened. Thereby, the wafer can be taken in and out between the process chamber and the transfer chamber.

プラズマ処理を行なう際、プラズマ中でイオンやラジカルが発生する。このイオンやラジカルは、ゲート弁のシール部材を劣化させる。シール部材の劣化が大きくなると、シールエラー（気密性が確保できないこと）やダストエラー（プロセスチャンバ内にダストが混入すること）が生じることが懸念されるため、これらのエラーが発生する前に、定期的に、シール部材を含むゲート弁の交換を行なう必要がある。 When plasma treatment is performed, ions and radicals are generated in the plasma. These ions and radicals deteriorate the seal member of the gate valve. When deterioration of the seal member becomes large, there is a concern that a seal error (insufficient airtightness) or a dust error (mixing of dust into the process chamber) may occur, so before these errors occur, It is necessary to periodically replace the gate valve including the seal member.

しかし、ゲート弁の交換を行なう際には、プラズマ処理装置を停止させなければならず、交換の頻度が高いほど、プラズマ処理装置による製品の生産効率は低下する。また、ゲート弁の交換の頻度が高いほど、その交換のためのコストが増大する。生産効率の低下およびコストの増大を抑制するためには、シール部材の長寿命化を図る必要がある。 However, when replacing the gate valve, the plasma processing apparatus must be stopped. The higher the replacement frequency, the lower the product production efficiency of the plasma processing apparatus. In addition, the higher the frequency of replacement of the gate valve, the higher the cost for the replacement. In order to suppress a decrease in production efficiency and an increase in cost, it is necessary to extend the life of the seal member.

特開平１１−２３３２９０号公報（特許文献１）では、プラズマがゲートバルブと筐体との隙間に入り込んでＯ−リングが劣化することを防止するために、アッシング室からのプラズマを遮蔽するように遮蔽リングを設けることが示されている。 In Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-233290 (Patent Document 1), in order to prevent the plasma from entering the gap between the gate valve and the casing and deteriorating the O-ring, the plasma from the ashing chamber is shielded. It is shown that a shielding ring is provided.

特開平１１−２３３２９０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-233290

ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁においては、イオンやラジカルがゲート弁に向かって飛来したときに、それらが上部側（流れの曲がりが緩やかな側）に回り込みやすい。したがって、下部側（流れの曲がりが急な側）に対して、上部側においてシール部材の劣化がおこりやすい。この結果、下部側においては、シール部材の劣化がさほど進んでいない場合でも、上部側の劣化によってシールエラーやダストエラーが生じる可能性が生じ、ゲート弁の交換頻度が高くなる。 In a gate valve that is driven to open and close obliquely with respect to the direction in which the wafer is taken in and out, when ions and radicals fly toward the gate valve, they tend to wrap around to the upper side (side where the flow is gently bent). . Therefore, the seal member is likely to be deteriorated on the upper side with respect to the lower side (the side on which the flow is sharply bent). As a result, even if the deterioration of the seal member has not progressed so much on the lower side, there is a possibility that a seal error or dust error may occur due to the deterioration on the upper side, and the frequency of replacement of the gate valve is increased.

特許文献１に記載の発明は、ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに駆動されるゲート弁に関するものではなく、斜め駆動における特有の課題を解決できるものではない。 The invention described in Patent Document 1 does not relate to a gate valve that is driven obliquely with respect to the direction in which the wafer is taken in and out, and cannot solve a specific problem in the oblique drive.

なお、特許文献１に記載の発明では、アッシング室を構成する筐体に遮蔽リングを固定しているため、ゲート弁を開けてウエハの出し入れを行なう際に、遮蔽リングが出し入れの妨げになる可能性がある。 In the invention described in Patent Document 1, since the shielding ring is fixed to the casing constituting the ashing chamber, the shielding ring may hinder the loading / unloading when the gate valve is opened and the wafer is loaded / unloaded. There is sex.

本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a seal on the side where plasma tends to circulate in a gate valve that is opened / closed obliquely with respect to a direction in which a wafer is taken in / out. It is in suppressing deterioration of a member.

本発明に係るゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲートに設けられ、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する斜め方向に開閉駆動されるゲート弁である。 The gate valve according to the present invention is a gate valve that is provided at a gate where a wafer is taken in and out of a chamber of a plasma processing apparatus and is driven to open and close in an oblique direction that obliquely intersects the wafer loading and unloading direction.

上記ゲート弁は、本体部と、本体部に設けられ、ゲート弁が閉じたときに、ゲートの周縁部に当接するシール部と、本体部におけるシール部が設けられる面から突出し、シール部の前方において、プラズマが回り込みやすい側に隙間の狭隘部を形成する突出部とを備える。 The gate valve is provided on the main body portion, the main body portion, and protrudes from the surface of the main body portion where the seal portion abuts on the peripheral edge of the gate when the gate valve is closed, and the front surface of the seal portion. And a projecting part that forms a narrow part of the gap on the side on which the plasma easily circulates.

１つの実施態様では、上記ゲート弁において、突出部は、本体部におけるシール部が設けられる面に沿ってスライド移動可能に本体部に組み付けられ、突出部は、狭隘部の幅が所定の幅となるように突出部を位置決めするための位置決めブロックを受け入れる凹部を有する。 In one embodiment, in the gate valve, the protrusion is assembled to the main body so as to be slidable along a surface of the main body on which the seal portion is provided, and the protrusion has a narrow portion with a predetermined width. And a recess for receiving a positioning block for positioning the protrusion.

１つの実施態様では、上記ゲート弁において、本体部は、狭隘部の幅が所定の幅となった状態で本体部に対して突出部を仮止めする仮止め手段を設ける第１部分と、仮止め手段により仮止めされた突出部を本体部に対して固定する固定手段を設ける第２部分とを含む。 In one embodiment, in the gate valve, the main body portion includes a first portion provided with a temporary fixing means for temporarily fixing the protruding portion to the main body portion in a state where the width of the narrow portion is a predetermined width; And a second portion provided with a fixing means for fixing the protruding portion temporarily fixed by the stopping means to the main body portion.

本発明によれば、ウエハが出し入れされる方向に対して斜めに開閉駆動されるゲート弁において、プラズマが回り込みやすい側のシール部材の劣化を抑制することができる。 According to the present invention, in the gate valve that is opened / closed obliquely with respect to the direction in which the wafer is taken in / out, it is possible to suppress the deterioration of the seal member on the side where the plasma is easily circulated.

本発明の実施の形態１に係るゲート弁の周辺を示す図であり、（ａ）は、ゲート弁が開いた状態を示し、（ｂ）は、ゲート弁が閉じた状態を示す。It is a figure which shows the periphery of the gate valve which concerns on Embodiment 1 of this invention, (a) shows the state which the gate valve opened, (b) shows the state which the gate valve closed. 斜め方向に動作するゲート弁周辺のプラズマの流れを説明する図である。It is a figure explaining the flow of the plasma around the gate valve which operate | moves in the diagonal direction. 本発明の実施の形態１に係るゲート弁周辺のプラズマの流れを説明する図である。It is a figure explaining the flow of the plasma around the gate valve which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図３に示す「ａ」の隙間と「ｂ」の隙間との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the clearance gap of "a" shown in FIG. 3, and the clearance gap of "b". 本発明の実施の形態１に係るゲート弁の形状を示す図であり、（ａ）は天面側から見た図、（ｂ）は側面側から見た図、（ｃ）は底面側から見た図である。It is a figure which shows the shape of the gate valve which concerns on Embodiment 1 of this invention, (a) is the figure seen from the top | upper surface side, (b) is the figure seen from the side surface side, (c) is seen from the bottom face side. It is a figure. 本発明の実施の形態１に係るゲート弁の周辺を示す図（図５におけるＶI−ＶI断面に対応）である。It is a figure (corresponding to the VI-VI section in Drawing 5) which shows the circumference of the gate valve concerning Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施の形態１に係るゲート弁における突出部の位置決め方法の各ステップを示す図である。It is a figure which shows each step of the positioning method of the protrusion part in the gate valve which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態２に係るゲート弁の形状を示す図であり、（ａ）は天面側から見た図、（ｂ）は側面側から見た図、（ｃ）は底面側から見た図である。It is a figure which shows the shape of the gate valve concerning Embodiment 2 of this invention, (a) is the figure seen from the top | upper surface side, (b) is the figure seen from the side surface side, (c) is seen from the bottom face side. It is a figure. 本発明の実施の形態２に係るゲート弁の周辺を示す図である。It is a figure which shows the periphery of the gate valve which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態２に係るゲート弁における突出部の位置決め方法の各ステップを示す図である。It is a figure which shows each step of the positioning method of the protrusion part in the gate valve which concerns on Embodiment 2 of this invention. 変形例１に係るゲート弁の周辺を示す図である。It is a figure which shows the periphery of the gate valve which concerns on the modification 1. FIG. 変形例２に係るゲート弁の周辺を示す図である。It is a figure which shows the periphery of the gate valve which concerns on the modification 2. FIG. 変形例３に係るゲート弁の周辺を示す図である。It is a figure which shows the periphery of the gate valve which concerns on the modification 3. FIG.

以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。 Embodiments of the present invention will be described below. Note that the same or corresponding portions are denoted by the same reference numerals, and the description thereof may not be repeated.

なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。 Note that in the embodiments described below, when referring to the number, amount, and the like, the scope of the present invention is not necessarily limited to the number, amount, and the like unless otherwise specified. In the following embodiments, each component is not necessarily essential for the present invention unless otherwise specified.

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係るゲート弁の周辺を示す図である。図１（ａ），（ｂ）は、各々、ゲート弁が開いた状態、閉じた状態を示す。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a view showing the periphery of the gate valve according to the first embodiment. FIGS. 1A and 1B show a state where the gate valve is opened and a state where the gate valve is closed, respectively.

本実施の形態に係るゲート弁は、プラズマ処理装置のチャンバに対してウエハが出し入れされるゲート１０に設けられるものであり、図１に示すように、ウエハの出し入れの方向に対して、典型的には４５度の角度で斜めに交差する斜め方向（矢印ＤＲ１，ＤＲ２方向）に開閉駆動されるものである。 The gate valve according to the present embodiment is provided in the gate 10 where the wafer is taken in and out of the chamber of the plasma processing apparatus. As shown in FIG. Is driven to open and close in an oblique direction (arrows DR1 and DR2 directions) obliquely intersecting at an angle of 45 degrees.

上記ゲート弁は、図１（ａ）に示すように、典型的には、プロセスチャンバとトランスファチャンバとの間のゲート１０に設けられるが、当該ゲート弁が設けられる位置は、これに限定されない。本実施の形態に係るゲート弁は、トランスファチャンバとロードロックチャンバとの間のゲートに設けられてもよいし、ロードロックチャンバと大気開放部との間のゲートに設けられてもよい。 As shown in FIG. 1A, the gate valve is typically provided in the gate 10 between the process chamber and the transfer chamber, but the position where the gate valve is provided is not limited thereto. The gate valve according to the present embodiment may be provided at the gate between the transfer chamber and the load lock chamber, or may be provided at the gate between the load lock chamber and the atmosphere opening portion.

本実施の形態に係るゲート弁は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、本体部１と、本体部１の主面に設けられたシール部２と、本体部１の主面から突出する突出部３とを備える。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the gate valve according to the present embodiment includes a main body portion 1, a seal portion 2 provided on the main surface of the main body portion 1, and a main surface of the main body portion 1. And a protruding portion 3 protruding from the center.

ゲート弁の大きさは、一例として、たとえば２００〜４００ｍｍ程度（全長）である。
本体部１は、たとえばアルミニウムなどにより構成される。本体部１は、エアシリンダによって矢印ＤＲ１方向および矢印ＤＲ２方向に駆動される。具体的には、本体部１が矢印ＤＲ１方向に駆動されることによってゲート弁が開き、本体部１が矢印ＤＲ２方向に駆動されることによってゲート弁が閉じる。 As an example, the size of the gate valve is, for example, about 200 to 400 mm (full length).
The main body 1 is made of, for example, aluminum. The main body 1 is driven by the air cylinder in the directions indicated by the arrows DR1 and DR2. Specifically, the gate valve opens when the main body 1 is driven in the direction of the arrow DR1, and the gate valve closes when the main body 1 is driven in the direction of the arrow DR2.

シール部２は、たとえばゴムやエラストマなどの弾性材により構成される。シール部２は、ゲート弁が閉じたときに、図１（ａ）に示すように、プロセスチャンバを構成する筐体２０の開口（ゲート）の周縁部に当接する。シール部２は、本体部１に接着されていてもよいし、本体部１に設けた溝に嵌合されていてもよい。 The seal portion 2 is made of an elastic material such as rubber or elastomer. When the gate valve is closed, the seal portion 2 comes into contact with the peripheral portion of the opening (gate) of the housing 20 constituting the process chamber, as shown in FIG. The seal portion 2 may be bonded to the main body portion 1 or may be fitted into a groove provided in the main body portion 1.

突出部３は、たとえばアルミニウム合金、ステンレス、セラミックなどにより構成される。突出部３は、本体部１におけるシール部２が設けられる面から突出する。すなわち、突出部３は、プロセスチャンバの内部に向かって本体部１から突出する。 The protrusion 3 is made of, for example, an aluminum alloy, stainless steel, ceramic, or the like. The protruding portion 3 protrudes from the surface of the main body portion 1 where the seal portion 2 is provided. That is, the protrusion 3 protrudes from the main body 1 toward the inside of the process chamber.

プラズマ処理を行なう際、プラズマ中でイオンやラジカルが発生する。発生したイオンやラジカルは、図１（ｂ）中の「プラズマ」の矢印で示すように、ゲート弁にも向かう。このイオンやラジカルは、シール部２の劣化の要因となる。 When plasma treatment is performed, ions and radicals are generated in the plasma. The generated ions and radicals also travel to the gate valve, as indicated by the “plasma” arrow in FIG. These ions and radicals cause deterioration of the seal portion 2.

図２は、本実施の形態のように、ウエハの出し入れの方向に対して斜めに交差する方向に動作するゲート弁周辺のプラズマの流れを説明する図である。なお、図２に示す例では、上述した突出部３は設けられていない。また、図２および後述の図３においては、図１（ａ），（ｂ）における矢印ＤＲ１、矢印ＤＲ２を合わせて矢印ＤＲ３として示している。 FIG. 2 is a diagram for explaining the plasma flow around the gate valve that operates in a direction that obliquely intersects the wafer loading / unloading direction, as in this embodiment. In addition, in the example shown in FIG. 2, the protrusion part 3 mentioned above is not provided. In FIG. 2 and FIG. 3 to be described later, the arrows DR1 and DR2 in FIGS. 1A and 1B are collectively shown as an arrow DR3.

図２に示すように、斜め方向（矢印ＤＲ３方向）に開閉駆動されるゲート弁においては、プラズマ（イオンやラジカル）がゲート弁に向かって飛来したとき、流れの曲がりが緩やかな側（図２における上側）と流れの曲がりが急な側（図２における下側）とが生じる。ここで、プラズマは、流れの曲がりが緩やかな側に回り込みやすい。したがって、流れの曲がりが急な側に対して、流れの曲がりが緩やかな側においてシール部材の劣化がおこりやすい（一例では、３倍程度の速さで劣化が進行する。）。この結果、単一のシール部２において、シール部２の劣化の速度が不均一となり、一部ではシール部２の劣化がさほど進んでいない場合でも、他の部分ではシール部２の劣化が進むことにより、シール部２の交換が必要となる場合がある。この結果、シール部２の交換の頻度が高くなりやすい。 As shown in FIG. 2, in a gate valve that is opened and closed in an oblique direction (in the direction of arrow DR3), when plasma (ions or radicals) flies toward the gate valve, the flow is bent gently (FIG. 2). The upper side in FIG. 2 and the steep side of the flow (lower side in FIG. 2) are generated. Here, the plasma tends to go around to the side where the bending of the flow is gentle. Therefore, the seal member is likely to be deteriorated on the side where the flow curve is gentle compared to the side where the flow curve is steep (in one example, the deterioration progresses about three times faster). As a result, in the single seal portion 2, the deterioration rate of the seal portion 2 becomes non-uniform, and even when the deterioration of the seal portion 2 does not progress so much in some portions, the deterioration of the seal portion 2 proceeds in other portions. As a result, the seal part 2 may need to be replaced. As a result, the frequency of replacement of the seal part 2 tends to increase.

これに対し、本実施の形態に係るゲート弁では、上述した突出部３を設けることにより、プラズマの流れの曲がりが緩やかな側のシール部２の前方において、筐体２０と突出部３との間に狭隘部３０が形成される。狭隘部３０にはプラズマが入り込みにくいので、図３の上部において、プラズマがシール部２に到達しにくくなる。この結果、シール部２の劣化の不均一性が緩和される。 On the other hand, in the gate valve according to the present embodiment, by providing the protrusion 3 described above, the casing 20 and the protrusion 3 are positioned in front of the seal portion 2 on the side where the bending of the plasma flow is gentle. A narrow portion 30 is formed therebetween. Since it is difficult for plasma to enter the narrow portion 30, it is difficult for the plasma to reach the seal portion 2 in the upper part of FIG. 3. As a result, the nonuniformity of deterioration of the seal portion 2 is alleviated.

図３の例では、狭隘部３０における筐体２０と突出部３との間に「ａ」の隙間が設けられている。また、ゲート弁の本体部１と筐体２０との間には、「ｂ」の隙間が設けられている。「ｂ」の隙間は、シール部２によって封止される。 In the example of FIG. 3, a gap “a” is provided between the housing 20 and the protrusion 3 in the narrow portion 30. Further, a gap “b” is provided between the main body 1 of the gate valve and the housing 20. The gap “b” is sealed by the seal portion 2.

プラズマの進入を抑制する観点からは、「ａ」の隙間はできるだけ小さいことが好ましい。しかし、「ｂ」の隙間に対して「ａ」の幅が小さすぎる場合、シール部２が筐体２０に接触する前に筐体２０と突出部３とが接触することで、「ｂ」の隙間をシール部２によって封止することができなくなることが懸念される。また、筐体２０と突出部３とが接触することで、ダストエラーが生じることが懸念される。 From the viewpoint of suppressing the entrance of plasma, the gap “a” is preferably as small as possible. However, when the width of “a” is too small with respect to the gap of “b”, the case 20 and the protrusion 3 come into contact with each other before the seal portion 2 comes into contact with the case 20. There is a concern that the gap cannot be sealed by the seal portion 2. Moreover, there is a concern that dust errors may occur due to the contact between the housing 20 and the protruding portion 3.

「ｂ」の隙間は、シール部２の突出高さによって規定される。シール部２の突出高さは、未使用の状態で最も高く、劣化が進むことで低下する。すなわち、「ｂ」の隙間は、プラズマ処理装置の使用に伴なって変化（減少）する。 The gap “b” is defined by the protruding height of the seal portion 2. The protruding height of the seal portion 2 is the highest in an unused state, and decreases as the deterioration progresses. That is, the gap “b” changes (decreases) with the use of the plasma processing apparatus.

本実施の形態では、図４に示すように、シール部２の劣化が進んで「ｂ」の隙間が零となった場合にも、「接触防止マージン」として、所定量の「ａ」の隙間（図４の例では０．２ｍｍ程度）を確保できるように、初期状態における「ａ」と「ｂ」の隙間を決定している。なお、シール部２がプラズマによるダメージを受けることによって、「ｂ」の隙間は減少するが、これに伴なって「ａ」の隙間も減少する。「ａ」の隙間が減少することによって、狭隘部３０にはプラズマが進入しにくくなる。したがって、本実施の形態に係るゲート弁によれば、シール部２の劣化が進むにつれて、ダメージを受けやすい側へのプラズマの進入が抑制されやすくなり、シール部２の長寿命化がより効果的に実現される。 In the present embodiment, as shown in FIG. 4, even when the deterioration of the seal portion 2 progresses and the gap “b” becomes zero, the “contact prevention margin” has a predetermined amount of “a” gap. The gap between “a” and “b” in the initial state is determined so as to ensure (in the example of FIG. 4 about 0.2 mm). In addition, although the gap of “b” is reduced due to the plasma part being damaged by the plasma, the gap of “a” is also reduced accordingly. By reducing the gap “a”, it becomes difficult for plasma to enter the narrow portion 30. Therefore, according to the gate valve according to the present embodiment, as the deterioration of the seal portion 2 progresses, it becomes easier to prevent the plasma from entering the damage-sensitive side, and the life of the seal portion 2 is more effective. To be realized.

上述したとおり、「ａ」の隙間および「ｂ」の隙間の関係は、ゲート弁の動作およびシール部２の劣化と密接に関連するため、これらを適切に規定するために、初期状態において突出部３の位置決めを正確に行なうことは非常に重要である。図５〜図７を用いて、本実施の形態に係るゲート弁における突出部の位置決め方法について説明する。 As described above, the relationship between the gap “a” and the gap “b” is closely related to the operation of the gate valve and the deterioration of the seal portion 2. It is very important to accurately position 3. A method for positioning the protrusion in the gate valve according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図５は、本実施の形態に係るゲート弁の形状を示す図であり、（ａ）は天面側（突出部３側）から見た図、（ｂ）は側面側から見た図、（ｃ）は底面側から見た図である。図６は、図５におけるＶI−ＶI断面に対応するゲート弁の周辺を示す図である。図７は、突出部３の位置決め方法の各ステップを示す図である。 5A and 5B are diagrams showing the shape of the gate valve according to the present embodiment, in which FIG. 5A is a diagram viewed from the top surface side (the protruding portion 3 side), and FIG. 5B is a diagram viewed from the side surface side. c) is a view from the bottom side. FIG. 6 is a view showing the periphery of the gate valve corresponding to the VI-VI cross section in FIG. FIG. 7 is a diagram showing each step of the method for positioning the protrusion 3.

図５〜図７の例において、突出部３は、本体部１における天面（シール部２が設けられる面）に沿ってスライド移動可能に設けられている。図５，図６に示すように、突出部３には、逆三角形の断面形状を有する凹部３Ａが設けられている。図５（ａ），（ｂ）に示すように、本体部１の両端部には、突出部３が設けられておらず、当該両端部には、クリップ４が設けられている。後述するとおり、クリップ４は、狭隘部３０の幅が所定の幅となった状態で本体部１に対して突出部３を仮止めする「仮止め手段」として機能する。 5-7, the protrusion part 3 is provided so that a slide movement is possible along the top | upper surface (surface in which the seal | sticker part 2 is provided) in the main-body part 1. As shown in FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, the protrusion 3 is provided with a recess 3 A having an inverted triangular cross-sectional shape. As shown in FIGS. 5A and 5B, the projecting portions 3 are not provided at both ends of the main body 1, and the clips 4 are provided at both ends. As will be described later, the clip 4 functions as “temporary fixing means” for temporarily fixing the protruding portion 3 to the main body portion 1 in a state in which the width of the narrow portion 30 becomes a predetermined width.

凹部３Ａは、突出部３の幅方向全体にわたって形成される。凹部３Ａが形成される部分では、狭隘部３０が形成されないことになるが、凹部３Ａの前方および後方に形成された狭隘部３０によってプラズマの進入を抑制することが可能である。 The recess 3A is formed over the entire width direction of the protrusion 3. In the portion where the recess 3A is formed, the narrow portion 30 is not formed, but it is possible to suppress the entrance of plasma by the narrow portion 30 formed in front and rear of the recess 3A.

図７（ａ）に示すように、突出部３の凹部３Ａには、突出部３を位置決めするための位置決めブロック３Ｂが嵌合している。ゲート弁を開いた状態で、突出部３および位置決めブロック３Ｂは、本体部１の幅方向中心に対して、矢印Ａ方向にスライドした位置にある。 As shown in FIG. 7A, a positioning block 3 B for positioning the protrusion 3 is fitted in the recess 3 A of the protrusion 3. With the gate valve opened, the protrusion 3 and the positioning block 3B are in a position slid in the arrow A direction with respect to the center in the width direction of the main body 1.

なお、位置決めブロック３Ｂは、樹脂、または金属に樹脂を貼り合わせたものから構成される。位置決めブロック３Ｂの表面を樹脂とすることで、位置決めブロック３Ｂと金属の筐体２０とが接触したときに金属のパーティクルが発生することを抑制できる。また、筐体２０に傷をつけることを防止できる。 The positioning block 3B is made of a resin or a material obtained by bonding a resin to a metal. By using resin as the surface of the positioning block 3B, it is possible to suppress the generation of metal particles when the positioning block 3B and the metal casing 20 come into contact with each other. In addition, the housing 20 can be prevented from being damaged.

図７（ａ）に示す状態から、図７（ｂ）に示すように、ゲート弁を矢印Ｂ方向に駆動する。位置決めブロック３Ｂが筐体２０に接触することによって、突出部３および位置決めブロック３Ｂは矢印Ｃ方向にスライド移動する。 From the state shown in FIG. 7A, the gate valve is driven in the direction of arrow B as shown in FIG. When the positioning block 3B comes into contact with the housing 20, the protrusion 3 and the positioning block 3B slide in the direction of arrow C.

位置決めブロック３Ｂは、初期状態における狭隘部３０の隙間（「ａ」）に相当する分だけ、突出部３の表面（図７（ｃ）における上側の面）から突出している。したがって、図７（ｃ）に示すように、シール部２が筐体２０に押し付けられて、ゲート弁が完全に閉じられたとき、位置決めブロック３Ｂは、突出部３と筐体２０との間の狭隘部３０の隙間が、所定の値（「ａ」）となる。クリップ４は、この状態で突出部３を本体部１に対して固定（仮止め）する。 The positioning block 3B protrudes from the surface of the protrusion 3 (the upper surface in FIG. 7C) by an amount corresponding to the gap (“a”) of the narrow portion 30 in the initial state. Therefore, as shown in FIG. 7C, when the seal portion 2 is pressed against the housing 20 and the gate valve is completely closed, the positioning block 3B is located between the protruding portion 3 and the housing 20. The gap between the narrow portions 30 becomes a predetermined value (“a”). In this state, the clip 4 fixes (temporarily fixes) the protrusion 3 to the main body 1.

図７（ｃ）に示す状態から、図７（ｄ）に示すように、ゲート弁を再び開き、位置決めブロック３Ｂを取り除いた上で、ボルト５によって突出部３を本体１に固定する。すなわち、ボルト５は、クリップ４により仮止めされた突出部３を本体部１に対して固定する「固定手段」として機能する。その後、クリップ４を取り除く。これにより、狭隘部３０の幅が所定の幅となるように突出部３が位置決めされた状態で、突出部３が本体部１に固定される。 From the state shown in FIG. 7C, as shown in FIG. 7D, the gate valve is opened again, the positioning block 3 B is removed, and the protrusion 3 is fixed to the main body 1 with the bolt 5. That is, the bolt 5 functions as a “fixing means” that fixes the protrusion 3 temporarily fixed by the clip 4 to the main body 1. Thereafter, the clip 4 is removed. Thereby, the protrusion 3 is fixed to the main body 1 in a state where the protrusion 3 is positioned so that the width of the narrow portion 30 becomes a predetermined width.

本実施の形態によれば、上述の方法により、突出部３を正確に位置決めすることができる。結果として、シール部２の劣化を効果的に抑制することができる。 According to the present embodiment, the protrusion 3 can be accurately positioned by the above-described method. As a result, deterioration of the seal part 2 can be effectively suppressed.

（実施の形態２）
図８は、実施の形態２に係るゲート弁の形状を示す図であり、（ａ）は天面側（突出部３側）から見た図、（ｂ）は側面側から見た図、（ｃ）は底面側から見た図である。また、図９は、本実施の形態に係るゲート弁の周辺を示す図であり、図１０は、上記ゲート弁における突出部３の位置決め方法の各ステップを示す図である。 (Embodiment 2)
8A and 8B are diagrams illustrating the shape of the gate valve according to the second embodiment, where FIG. 8A is a diagram viewed from the top surface side (the protruding portion 3 side), and FIG. c) is a view from the bottom side. Moreover, FIG. 9 is a figure which shows the periphery of the gate valve based on this Embodiment, and FIG. 10 is a figure which shows each step of the positioning method of the protrusion part 3 in the said gate valve.

図８〜図１０を参照して、本実施の形態に係るゲート弁は、実施の形態１に係るゲート弁の変形例であって、基本的な構造は実施の形態１と同様であるが、ア）突出部３の形状、および、イ）突出部３の位置決め機構において実施の形態１と異なる特徴を有する。より具体的には、以下に説明する。 8 to 10, the gate valve according to the present embodiment is a modification of the gate valve according to the first embodiment, and the basic structure is the same as that of the first embodiment. A) The shape of the protrusion 3 and b) the positioning mechanism of the protrusion 3 have features different from those of the first embodiment. More specifically, it will be described below.

図８（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態では、本体部１の両端においても、突出部３が設けられている。すなわち、本実施の形態では、突出部３を設ける領域が拡大されている。したがって、本実施の形態では、実施の形態１におけるクリップ４は設置されない。 As shown in FIGS. 8A and 8B, in the present embodiment, the protruding portions 3 are also provided at both ends of the main body portion 1. That is, in the present embodiment, the region where the protrusion 3 is provided is enlarged. Therefore, in the present embodiment, the clip 4 in the first embodiment is not installed.

また、図９を参照して、本実施の形態では、隙間「ａ」は０〜２．０ｍｍ程度となるように調整するのに対し、隙間「ｃ」は最小でも０．７５ｍｍを確保して、突出部３の下端と筐体２０との接触を回避している。 Referring to FIG. 9, in this embodiment, the gap “a” is adjusted to be about 0 to 2.0 mm, while the gap “c” is at least 0.75 mm. The contact between the lower end of the protruding portion 3 and the housing 20 is avoided.

以上の理由により、本実施の形態では、実施の形態１とは異なる位置決め方法が必要となる。図１０に示すように、本実施の形態では、ボルト６Ａ、ＰＴＦＥなどからなるワッシャ６Ｂおよびスプリング６Ｃを含む仮止め機構６を用いている。 For the above reason, the present embodiment requires a positioning method different from that of the first embodiment. As shown in FIG. 10, in this embodiment, a temporary fixing mechanism 6 including a washer 6B and a spring 6C made of a bolt 6A, PTFE, or the like is used.

まず、図１０（ａ）に示すように、仮止め機構６によって突出部３を本体部１に仮止めした状態で、実施の形態１と同様に、位置決めブロック３Ｂを用いた位置決めを行なう。ここで、ボルト６Ａは突出部３に形成された長穴に挿入されており、突出部３は、所定の荷重が作用したときには本体部１に対してスライド移動可能である。突出部３は、所定の位置までスライド移動した状態で、ボルト６Ａにより仮止めされる。なお、スプリング６Ｃは、ボルト６Ａに張力を付与している。 First, as shown in FIG. 10A, positioning using the positioning block 3B is performed in the same manner as in the first embodiment in a state where the protruding portion 3 is temporarily fixed to the main body portion 1 by the temporary fixing mechanism 6. Here, the bolt 6 A is inserted into a long hole formed in the protruding portion 3, and the protruding portion 3 is slidable relative to the main body portion 1 when a predetermined load is applied. The protruding portion 3 is temporarily fixed by a bolt 6A in a state of sliding to a predetermined position. The spring 6C applies tension to the bolt 6A.

図１０（ａ）に示す状態から、図１０（ｂ）に示すように、ゲート弁を開き、位置決めブロック３Ｂを取り除いた上で、ボルト７によって突出部３を本体１に固定する。すなわち、ボルト７は、仮止め機構６により仮止めされた突出部３を本体部１に対して固定する「固定手段」として機能する。その後、仮止め機構６を取り除く。これにより、実施の形態１と同様に、狭隘部３０の幅が所定の幅となるように突出部３が位置決めされた状態で、突出部３が本体部１に固定される。 From the state shown in FIG. 10A, as shown in FIG. 10B, the gate valve is opened, the positioning block 3 B is removed, and the protruding portion 3 is fixed to the main body 1 with the bolt 7. That is, the bolt 7 functions as a “fixing means” that fixes the protrusion 3 temporarily fixed by the temporary fixing mechanism 6 to the main body 1. Thereafter, the temporary fixing mechanism 6 is removed. Thereby, like Embodiment 1, the protrusion part 3 is fixed to the main-body part 1 in the state which the protrusion part 3 was positioned so that the width | variety of the narrow part 30 may become predetermined width | variety.

本実施の形態によれば、上述の方法により、実施の形態１と同様に、突出部３を正確に位置決めすることができる。 According to the present embodiment, the protrusion 3 can be accurately positioned by the above-described method, as in the first embodiment.

（変形例）
以下に、実施の形態１，２に係るゲート弁のさらなる変形例について説明する。 (Modification)
Below, the further modification of the gate valve which concerns on Embodiment 1, 2 is demonstrated.

図１１に示すように、突出部３に対向する筐体２０に段差部２０Ａを設けることにより、狭隘部３０を屈曲させることもできる。イオンは直進性が高いため、図１１に示すような屈曲部を設けることにより、その進入を効果的に抑制することが可能である。 As shown in FIG. 11, the narrowed portion 30 can be bent by providing the step portion 20 A in the housing 20 facing the protruding portion 3. Since ions have high straightness, it is possible to effectively suppress their entry by providing a bent portion as shown in FIG.

また、突出部３の形状は、狭隘部３０を形成可能なものであればよく、実施の形態１，２に示すものに限定されない。たとえば、図１２，図１３に示すように、狭隘部３０をより長くするような変形例が考えられる。狭隘部３０を長くすることで、シール部２にまで達するイオンやラジカルの量をさらに低減することが可能となり、シール部２の劣化をさらに効果的に抑制することが可能である。 Moreover, the shape of the protrusion part 3 should just be what can form the narrow part 30, and is not limited to what is shown in Embodiment 1,2. For example, as shown in FIGS. 12 and 13, a modification in which the narrow portion 30 is made longer can be considered. By making the narrowed portion 30 longer, the amount of ions and radicals reaching the seal portion 2 can be further reduced, and deterioration of the seal portion 2 can be more effectively suppressed.

また、上述の例では、本体部１と突出部３とを別部材として設ける例について説明したが、本体部１と突出部３とを一体に設けることも可能である。 Moreover, although the example which provides the main-body part 1 and the protrusion part 3 as a separate member was demonstrated in the above-mentioned example, the main-body part 1 and the protrusion part 3 can also be provided integrally.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

１本体部、２シール部材、３突出部、３Ａ凹部、３Ｂ位置決めブロック、４クリップ（仮止め機構）、５ボルト、６仮止め機構、６Ａボルト、６Ｂワッシャ、６Ｃスプリング、１０ゲート、２０筐体、２０Ａ段差部、３０狭隘部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Main body part, 2 Seal member, 3 Protrusion part, 3A recessed part, 3B Positioning block, 4 Clip (temporary fixing mechanism), 5 bolt, 6 Temporary fixing mechanism, 6A bolt, 6B washer, 6C spring, 10 gate, 20 Case 20A Stepped portion, 30 Narrow portion.

Claims

A gate valve that is provided at a gate through which a wafer is taken in and out of a chamber of a plasma processing apparatus and is driven to open and close in an oblique direction obliquely intersecting with the direction of taking in and out the wafer;
The main body,
A seal portion that is provided in the main body and abuts against a peripheral edge of the gate when the gate valve is closed;
The protruding from the surface on which the sealing portion is provided at the main body portion in said gate, in front of the seal portion, and a projecting portion forming a narrow portion of the gap plasma wraparound easy side gate valve.

A gate valve that is provided at a gate through which a wafer is taken in and out of a chamber of a plasma processing apparatus and is driven to open and close in an oblique direction obliquely intersecting with the direction of taking in and out the wafer;
The main body,
A seal portion that is provided in the main body and abuts against a peripheral edge of the gate when the gate valve is closed;
Projecting from the surface of the main body where the seal portion is provided, and in front of the seal portion, a projecting portion that forms a narrow portion of a gap on the side where plasma is likely to wrap around,
The protrusion is assembled to the main body so as to be slidable along a surface of the main body where the seal portion is provided.
The protrusion, the width of the narrow portion has a recess for receiving the positioning block for positioning the projecting portion to a predetermined width, Gate valve.

The main body is
A first portion provided with a temporary fixing means for temporarily fixing the protruding portion to the main body in a state where the width of the narrow portion is a predetermined width;
The gate valve according to claim 2, further comprising: a second portion provided with a fixing means for fixing the protruding portion temporarily fixed by the temporary fixing means to the main body portion.