JP5806776B2 - ストレージシステム - Google Patents
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Description
本実施形態のストレージシステムは、それぞれが異なるボリュームの入出力(I/O)を担当するプロセッサを含む。各プロセッサは、ローカルメモリが割り当てられている。本実施形態のストレージシステムは、異なるボリュームを担当する複数のプロセッサがアクセス可能な共有メモリを有する。ローカルメモリ及び共有メモリは、典型的には揮発性半導体メモリである。
本実施形態は、ストレージ階層仮想化機能を有するストレージシステム10を説明する。本実施形態のストレージシステム10は、複数のプールボリューム(実ボリューム)を含むプールを構築する。プールは、ストレージシステム10内の性能の異なる複数のメディアを含み、アクセス性能によって複数の階層に階層化される。各階層は、1又は複数のプールボリュームで構成されている。
以下において、本発明を非同期リモートコピーに適用した例を説明する。以下においては、第1実施形態及び第2実施形態との差異を主に説明する。図32は、本実施形態の計算機システムの構成を模式的に示すブロック図である。本実施形態のストレージシステムは、第1ストレージシステム10A及び第2ストレージシステム10Bを含む。典型的には、第1ストレージシステム10A及び第2ストレージシステム10Bは異なるサイトに設置されており、データネットワーク(例えばSAN)190A、データネットワーク(例えばSAN)190B及び広域ネットワークを介して通信可能に接続する。
以下において、本発明を非同期ローカルコピーに適用した例を説明する。以下においては、上記他の実施形態と異なる点を主に説明する。図40は、本実施形態のローカルメモリ122に格納されている制御情報を示している。ローカルメモリ122には、LMローカルコピー差分管理テーブル340及びLMローカルコピー差分領域間引き動作管理テーブル350が格納されている。
本実施形態において、スイッチにより結合した複数のストレージモジュールを含むストレージシステムに本発明を適用した例を説明する。本実施形態は、主に上記他の実施形態と異なる点を説明する。図49は、本実施形態の計算機システムの構成を模式的に示す。ストレージモジュール10C及びストレージモジュール10Dは、モジュール間パス(スイッチ)195(Xパスとも呼ぶ)により通信可能に接続されている。
本実施形態は、MPPK120が、複数の異なる種別のデバイスに分散している複数の共有メモリ領域にアクセス可能な構成を説明する。本実施形態において、上記他の実施形態と異なる点について主に説明する。
本実施形態のストレージシステムは、ホストデータのキャッシングによるアクセス性能の向上に基づき、低ヒット率フラグのON/OFFを決定する。低ヒット率フラグは第1実施形態で説明した通りである。アクセス性能は、例えば、レスポンスタイムやスループットで表される。以下に説明する構成は、レスポンスタイムを使用する。
ヒット率×(当該メディアのレスポンスタイム−CMPKレスポンスタイム)/100
Claims (17)
- それぞれが、複数の不揮発性半導体メモリを含む複数の記憶ドライブに基づいて構成される複数のボリュームと、
前記複数のボリュームのデータを一時的に格納するキャッシュメモリと、
複数のプロセッサパッケージと、
共有メモリと、を含み、
前記複数のプロセッサパッケージそれぞれは、前記複数のボリュームに含まれる1つのボリュームに対する入出力を担当するプロセッサと、前記1つのボリュームのデータキャッシング制御情報を格納するローカルメモリと、を含み、
前記共有メモリは、前記複数のプロセッサパッケージそれぞれのローカルメモリに格納されたデータキャッシング制御情報を格納し、前記プロセッサによってアクセス可能であり、
第1プロセッサパッケージに含まれ、第1ボリュームを担当する第1プロセッサは、計算機からの前記第1ボリュームへのリードコマンドを受信すると、前記第1プロセッサパッケージに含まれる第1ローカルメモリに格納されたデータキャッシング制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記データキャッシング制御情報の更新を前記共有メモリに反映するか否か、及び前記リードコマンドにおけるリードデータを前記キャッシュメモリに格納するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記第1ボリュームの記憶領域を提供する記憶ドライブに前記リードデータが格納されている場合に、前記リードデータを前記キャッシュメモリに格納することなく、かつ前記共有メモリに前記データキャッシング制御情報の更新を反映することなく、前記第1ボリュームの記憶領域を提供する記憶ドライブから読み出された前記リードデータを前記計算機に送信することを決定する、ストレージシステム。 - 異なる制御情報を担当する複数のプロセッサと、
前記複数のプロセッサのそれぞれに割り当てられており、割り当てられたプロセッサが担当する制御情報を格納するローカルメモリと、
前記複数のプロセッサがアクセス可能であり、前記複数のプロセッサにおける第1プロセッサが担当する制御情報を格納する共有メモリと、を含み、
前記第1プロセッサは、割り当てられている第1ローカルメモリにおいて制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映することを決定した前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステムであって、
前記ストレージシステムは、複数のボリュームを提供するアクセス性能が異なる複数種別の不揮発性記憶領域と、キャッシュ領域とを含み、
前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報及び前記共有メモリにおける前記制御情報は、それぞれ、前記複数のボリュームにおける前記第1プロセッサが担当する第1ボリュームのデータキャッシング制御情報を含み、
前記第1プロセッサは、前記第1ボリュームを提供する不揮発性記憶領域の種別に基づいて、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定する、ストレージシステム。 - 前記第1プロセッサは、当該第1プロセッサの負荷、前記キャッシュ領域の負荷及び前記第1ボリュームのキャッシュヒット率の少なくとも一つに基づいて、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定する、請求項2に記載のストレージシステム。
- 異なる制御情報を担当する複数のプロセッサと、
前記複数のプロセッサのそれぞれに割り当てられており、割り当てられたプロセッサが担当する制御情報を格納するローカルメモリと、
前記複数のプロセッサがアクセス可能であり、前記複数のプロセッサにおける第1プロセッサが担当する制御情報を格納する共有メモリと、を含み、
前記第1プロセッサは、割り当てられている第1ローカルメモリにおいて制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映することを決定した前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステムであって、
前記共有メモリにおける前記制御情報はカウントされる数値を含み、
前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報は、前記数値の前回の更新からの変化を示す差分値を含み、
前記第1プロセッサは、前記差分値が規定数に達すると、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報に基づいて前記共有メモリにおける前記制御情報に含まれる前記数値を更新する、ストレージシステム。 - 異なる制御情報を担当する複数のプロセッサと、
前記複数のプロセッサのそれぞれに割り当てられており、割り当てられたプロセッサが担当する制御情報を格納するローカルメモリと、
前記複数のプロセッサがアクセス可能であり、前記複数のプロセッサにおける第1プロセッサが担当する制御情報を格納する共有メモリと、を含み、
前記第1プロセッサは、割り当てられている第1ローカルメモリにおいて制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映することを決定した前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステムであって、
前記ストレージシステムはボリュームを提供する1以上の不揮発性記憶領域を含み、
前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報及び前記共有メモリにおける前記制御情報は、それぞれ、前記ボリュームにおける記憶領域へのアクセス数の情報を含み、
前記第1プロセッサは、前記ボリュームにおける前記記憶領域へのアクセスに応答して前記第1ローカルメモリにおける前記アクセス数の情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおけるアクセス数の情報の更新回数が規定値に達すると、前記第1ローカルメモリにおける前記アクセス数の情報の更新を、前記共有メモリにおける前記アクセス数の情報に反映する、ストレージシステム。 - 異なる制御情報を担当する複数のプロセッサと、
前記複数のプロセッサのそれぞれに割り当てられており、割り当てられたプロセッサが担当する制御情報を格納するローカルメモリと、
前記複数のプロセッサがアクセス可能であり、前記複数のプロセッサにおける第1プロセッサが担当する制御情報を格納する共有メモリと、を含み、
前記第1プロセッサは、割り当てられている第1ローカルメモリにおいて制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映することを決定した前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステムであって、
前記ストレージシステムは、プライマリボリュームと、当該プライマリボリュームとコピーペアを構成するセカンダリボリュームと、前記プライマリボリュームの更新データを前記セカンダリボリュームにコピーする前に前記更新データを更新順序に従って格納するジャーナルボリュームと、前記ジャーナルボリュームにおける更新データの順序を示すシーケンス番号を含むジャーナル管理情報と、をさらに含み、
前記共有メモリにおける前記制御情報は、前記ジャーナル管理情報における先頭シーケンス番号を示す値を含み、
前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報は、前記ジャーナル管理情報における先頭シーケンス番号を示す値と、前記第1ローカルメモリにおける前記値が示す先頭シーケンス番号と前記共有メモリにおける前記値が示す先頭シーケンス番号との差分を示す値と、を含み、
前記第1プロセッサは、前記ジャーナルボリュームへの更新データの格納に応答して、前記第1ローカルメモリにおける前記先頭シーケンス番号を示す値と前記差分を示す値とを更新し、
前記第1プロセッサは、前記差分を示す値が規定値に達すると、前記第1ローカルメモリにおける前記先頭シーケンス番号を示す値の更新を、前記共有メモリにおける前記先頭シーケンス番号を示す値に反映する、ストレージシステム。 - 障害発生に起因して前記第1プロセッサの担当を引きついだ第2プロセッサは、前記共有メモリにおける前記先頭シーケンス番号を示す値を取得し、前記ジャーナル管理情報において、前記取得した値が示す先頭シーケンス番号より先のシーケンス番号領域を検索して、前記ジャーナル管理情報における先頭シーケンス番号を特定する、請求項6に記載のストレージシステム。
- 異なる制御情報を担当する複数のプロセッサと、
前記複数のプロセッサのそれぞれに割り当てられており、割り当てられたプロセッサが担当する制御情報を格納するローカルメモリと、
前記複数のプロセッサがアクセス可能であり、前記複数のプロセッサにおける第1プロセッサが担当する制御情報を格納する共有メモリと、を含み、
前記第1プロセッサは、割り当てられている第1ローカルメモリにおいて制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映することを決定した前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステムであって、
前記ストレージシステムは、プライマリボリュームと、前記プライマリボリュームとコピーペアを構成するセカンダリボリュームと、を含み、
前記共有メモリにおける前記制御情報は、それぞれが前記プライマリボリュームの複数の部分領域のそれぞれに対応し、前記プライマリボリュームと前記セカンダリボリュームとの間に差が存在するか否かを示す複数の差分フラグを含み、
前記第1ローカルメモリにおける制御情報は、それぞれが前記プライマリボリュームの前記複数の部分領域のそれぞれに対応し、前記プライマリボリュームと前記セカンダリボリュームとの間に差が存在するか否かを示す複数の差分フラグを含み、
前記第1ローカルメモリにおける制御情報は、それぞれが前記第1ローカルメモリにおける前記複数の差分フラグの一部の複数の差分フラグに対応し、当該一部の複数の差分フラグの更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを示す、複数の反映制御フラグを含み、
前記第1プロセッサは、前記反映制御フラグが反映を指示する差分フラグの更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステム。 - 前記複数の反映制御フラグのそれぞれは、対応する複数の差分フラグにおいて、差が存在することを示す差分フラグの比率が規定値に達している場合に、前記対応する複数の差分フラグの更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映しないことを示す、請求項8に記載のストレージシステム。
- 障害発生に起因して前記第1プロセッサの担当を引きついだ第2プロセッサは、
前記共有メモリにおける前記複数の反映制御フラグを参照し、
前記参照した反映制御フラグにおいて、前記共有メモリにおける前記制御情報に更新を反映しないことを示す反映制御フラグを特定し、
前記特定した反映制御フラグに対応する前記プライマリボリュームの領域における全データを、前記セカンダリボリュームにコピーする、請求項8に記載のストレージシステム。 - 前記ストレージシステムは、スイッチを含むパスにより接続された第1ストレージモジュールと第2ストレージモジュールとを含み、
前記第1プロセッサ及び前記第1ローカルメモリは前記第1ストレージモジュール内に実装され、
前記共有メモリは前記第2ストレージモジュール内に実装され、
前記第1プロセッサは、前記パスにおける負荷に基づいて前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定する、請求項3に記載のストレージシステム。 - 異なる制御情報を担当する複数のプロセッサと、
前記複数のプロセッサのそれぞれに割り当てられており、割り当てられたプロセッサが担当する制御情報を格納するローカルメモリと、
前記複数のプロセッサがアクセス可能であり、前記複数のプロセッサにおける第1プロセッサが担当する制御情報を格納する共有メモリと、を含み、
前記第1プロセッサは、割り当てられている第1ローカルメモリにおいて制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映することを決定した前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステムであって、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリの負荷に基づいて、前記共有メモリにおける制御情報の少なくとも一部の情報の格納領域を、前記共有メモリから異なる種別のデバイスの記憶領域に変更することを決定し、
前記第1プロセッサは、前記他のデバイスの前記記憶領域における前記少なくとも一部の情報を、前記第1ローカルメモリにおける更新に同期して更新する、ストレージシステム。 - 前記少なくとも一部の情報は、前記第1プロセッサが担当する第1ボリュームのデータキャッシング制御情報を含み、
前記第1ローカルメモリにおける前記第1ボリュームのデータキャッシング制御情報の更新を前記共有メモリに反映しないことを決定する条件は、前記第1プロセッサの負荷が第1閾値以上であることを含み、
前記他のデバイスの前記記憶領域は、前記ストレージシステムにおいてボリュームを提供する不揮発性記憶装置の記憶領域であり、
前記少なくとも一部の情報の格納場所を、前記第2共有メモリに変更することを決定する条件は、前記第1プロセッサの負荷が前記第1閾値よりも小さい第2閾値よりも小さいことを含む、請求項12に記載のストレージシステム。 - 異なる制御情報を担当する複数のプロセッサと、
前記複数のプロセッサのそれぞれに割り当てられており、割り当てられたプロセッサが担当する制御情報を格納するローカルメモリと、
前記複数のプロセッサがアクセス可能であり、前記複数のプロセッサにおける第1プロセッサが担当する制御情報を格納する共有メモリと、を含み、
前記第1プロセッサは、割り当てられている第1ローカルメモリにおいて制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定し、
前記第1プロセッサは、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映することを決定した前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を、前記共有メモリにおける前記制御情報に反映する、ストレージシステムであって、
前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報及び前記共有メモリにおける前記制御情報は、それぞれ、前記複数のボリュームにおける前記第1プロセッサが担当する第1ボリュームのデータキャッシング制御情報を含み、
前記第1プロセッサは、前記第1ボリュームのデータキャッシングによるアクセス性能の向上に基づき、前記第1ローカルメモリにおける前記制御情報の更新を前記共有メモリにおける前記制御情報に反映するか否かを決定する、ストレージシステム。 - 前記複数の不揮発性半導体メモリそれぞれは、フラッシュメモリである、請求項1に記載のストレージシステム。
- それぞれが、複数の不揮発性半導体メモリを含む複数の記憶ドライブに基づいて構成される複数のボリュームと、
前記複数のボリュームのデータを一時的に格納するキャッシュメモリと、
複数のプロセッサパッケージと、
共有メモリと、を含み、
前記複数のプロセッサパッケージそれぞれは、前記複数のボリュームに含まれる1つのボリュームに対する入出力を担当するプロセッサと、前記1つのボリュームのデータキャッシング制御情報を格納するローカルメモリと、を含み、
前記共有メモリは、前記複数のプロセッサパッケージそれぞれのローカルメモリに格納されたデータキャッシング制御情報を格納し、前記プロセッサによってアクセス可能であり、
第1プロセッサパッケージに含まれ、第1ボリュームを担当する第1プロセッサは、計算機からの前記第1ボリュームへのリードコマンドを受信すると、前記第1プロセッサパッケージに含まれる第1ローカルメモリに格納されたデータキャッシング制御情報を更新し、
前記第1プロセッサは、前記第1ボリュームの記憶領域を提供する記憶ドライブに、前記リードコマンドにおけるリードデータが格納されているか否かを判定し、
前記第1プロセッサは、前記第1ボリュームの記憶領域を提供する記憶ドライブに前記リードデータが格納されている場合に、前記リードデータを前記キャッシュメモリに格納することなく、かつ前記共有メモリに前記データキャッシング制御情報の更新を反映することなく、前記第1ボリュームの記憶領域を提供する記憶ドライブから読み出された前記リードデータを前記計算機に送信することを決定する、ストレージシステム。 - 前記複数の不揮発性半導体メモリそれぞれは、フラッシュメモリである、請求項16に記載のストレージシステム。
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