JP5790254B2 - Electronic component, manufacturing method thereof, and connector - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品とその製造方法、及びコネクタに関する。   The present invention relates to an electronic component, a manufacturing method thereof, and a connector.

半導体チップを搭載した半導体パッケージと配線基板との電気的な接続方法の一つに、LGA(Land Grid Array)コネクタを用いるLGA方式がある。LGAコネクタは、シート状のフレームと、当該フレームを貫通してその両面から突出する複数のコラムと呼ばれる柱状端子とを有する。   One of the electrical connection methods between a semiconductor package on which a semiconductor chip is mounted and a wiring board is an LGA method using an LGA (Land Grid Array) connector. The LGA connector has a sheet-like frame and a plurality of columnar terminals called columns that penetrate the frame and protrude from both sides.

このようなLGAコネクタが半導体パッケージと配線基板との間に挟まれ、上記のコラムの一端と他端とがそれぞれ半導体パッケージと配線基板とに当接する。そして、バネ等の付勢力を利用して半導体パッケージを配線基板に向けて押圧することにより、コラムを介して半導体パッケージと配線基板とが電気的に接続される。   Such an LGA connector is sandwiched between the semiconductor package and the wiring board, and one end and the other end of the column are in contact with the semiconductor package and the wiring board, respectively. Then, the semiconductor package and the wiring board are electrically connected through the column by pressing the semiconductor package toward the wiring board using an urging force such as a spring.

ここで、コラムは上記の半導体パッケージの電極パッド数に応じて複数設けられるが、電極パッドと非接触のコラムが存在すると、半導体パッケージと配線基板との電気的な接続が不良となってしまう。   Here, a plurality of columns are provided in accordance with the number of electrode pads of the semiconductor package. However, if there is a non-contact column with the electrode pads, the electrical connection between the semiconductor package and the wiring board becomes poor.

特開平７−１５３５１４号公報JP-A-7-153514 特開２００８−５９８３１号公報JP 2008-59831 A 特開２００７−１６５１４９号公報JP 2007-165149 A

電子部品とその製造方法、及びコネクタにおいて、パッケージ基板とコネクタとを電気的に良好に接続することを目的とする。   In an electronic component, a manufacturing method thereof, and a connector, an object is to electrically connect a package substrate and the connector in an excellent manner.

以下の開示の一観点によれば、パッケージ基板と、バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタとを有し、前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続され、複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくした電子部品が提供される。 According to one aspect discussed herein, includes a package substrate, and a connector which is electrically connected to the package substrate through the spring, the connector includes a frame having a plurality of through holes are formed, A plurality of columnar terminals inserted into each of the plurality of through-holes, one end of the columnar terminal being connected to the spring, and of the plurality of columnar terminals, closer to the outer peripheral edge of the frame An electronic component in which the number of turns of the spring connected to a part of the columnar terminals is smaller than the number of turns of the spring connected to the other columnar terminals is provided.

また、その開示の他の観点によれば、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の端子と、前記接続対象と複数の前記端子の各々との間に配置された複数のバネとを有し、複数の前記端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたコネクタが提供される。 According to another aspect of the disclosure, a frame in which a plurality of through holes are formed, a plurality of terminals that are inserted into each of the plurality of through holes and are electrically connected to a connection target, and the connection A plurality of springs disposed between the target and each of the plurality of terminals, and the winding of the spring connected to a part of the terminals near the outer peripheral edge of the frame among the plurality of terminals A connector is provided in which the number is less than the number of turns of the spring connected to the other terminal .

更に、その開示の別の観点によれば、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の柱状電極と、前記接続対象と複数の前記柱状電極の各々との間に配置された複数のバネとを有し、複数の前記柱状電極のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたコネクタを用い、パッケージ基板と前記コネクタの柱状電極とを、前記バネを介して電気的に接続する工程を有する電子部品の製造方法が提供される。 Further, according to another aspect of the disclosure, a frame in which a plurality of through holes are formed, a plurality of columnar electrodes that are inserted into each of the plurality of through holes and are electrically connected to a connection target; A plurality of springs arranged between the connection target and each of the plurality of columnar electrodes, and connected to a part of the columnar electrodes near the outer peripheral edge of the frame among the plurality of columnar electrodes; step of connecting a number of turns of the spring, using a connector with less than the number of turns of the spring to be connected to the other of the columnar electrodes, the columnar electrodes of the package substrate and the connector, electrically via the spring A method of manufacturing an electronic component having the above is provided.

以下の開示によれば、パッケージ基板の反りにバネが追従するため、その反り量の如何を問わずにパッケージ基板とコネクタとを電気的に良好に接続することができ、これらの接続信頼性を向上させることができる。   According to the following disclosure, since the spring follows the warpage of the package substrate, the package substrate and the connector can be electrically connected to each other regardless of the amount of warpage, and the connection reliability thereof can be improved. Can be improved.

図１は、電子部品の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic component. 図２（ａ）、（ｂ）は、半導体パッケージの製造途中の断面図である。2A and 2B are cross-sectional views in the course of manufacturing a semiconductor package. 図３は、反りが生じたパッケージ基板とLGAコネクタの拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the warped package substrate and the LGA connector. 図４は、第１実施形態に係る電子部品の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the electronic component according to the first embodiment. 図５は、第１実施形態に係るLGAコネクタとその周囲の拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the LGA connector and its surroundings according to the first embodiment. 図６（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その１）である。6A and 6B are enlarged cross-sectional views (part 1) in the course of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図７（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その２）である。7A and 7B are enlarged cross-sectional views (part 2) in the middle of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図８（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その３）である。FIGS. 8A and 8B are enlarged cross-sectional views (part 3) in the course of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図９（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その４）である。FIGS. 9A and 9B are enlarged cross-sectional views (part 4) in the middle of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図１０は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図（その５）である。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view (part 5) in the middle of manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 図１１は、第２実施形態に係る電子部品の拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of an electronic component according to the second embodiment. 図１２は、第２実施形態の他の例に係る電子部品の拡大断面図である。FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of an electronic component according to another example of the second embodiment. 図１３は、第２実施形態においてバネの巻き数の調節方法の一例を示す模式図である。FIG. 13 is a schematic diagram illustrating an example of a method for adjusting the number of turns of a spring in the second embodiment. 図１４は、第２実施形態の別の例に係る電子部品の拡大断面図である。FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of an electronic component according to another example of the second embodiment.

本実施形態の説明に先立ち、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。   Prior to the description of the present embodiment, preliminary matters serving as the basis of the present embodiment will be described.

図１は、電子部品の断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of an electronic component.

この電子部品１０は、配線基板１、ボルスタープレート２、LGAコネクタ５、半導体パッケージ１１、ヒートスプレッダ１５、及びヒートシンクベース１６を有する。   The electronic component 10 includes a wiring board 1, a bolster plate 2, an LGA connector 5, a semiconductor package 11, a heat spreader 15, and a heat sink base 16.

このうち、配線基板１は、サーバ等の電子機器においてシステムボードとして供せられるものであって、一方の主面には銅膜をパターニングしてなる第１の電極パッド６が形成され、他方の主面にはボルスタープレート２が固着される。   Among these, the wiring board 1 is provided as a system board in an electronic device such as a server, and a first electrode pad 6 formed by patterning a copper film is formed on one main surface, and the other The bolster plate 2 is fixed to the main surface.

そのボルスタープレート２にはネジ孔２ａが形成されており、そのネジ孔２ａに連通する貫通孔１ａが配線基板１に設けられる。   A screw hole 2 a is formed in the bolster plate 2, and a through hole 1 a communicating with the screw hole 2 a is provided in the wiring board 1.

ボルスタープレート２の材料は特に限定されない。半導体パッケージ１１で発生した熱を速やかに外部に逃がすべく、ステンレス等の熱伝導率の高い金属をボルスタープレート２の材料として使用するのが好ましい。   The material of the bolster plate 2 is not particularly limited. In order to quickly release the heat generated in the semiconductor package 11 to the outside, it is preferable to use a metal having high thermal conductivity such as stainless steel as the material of the bolster plate 2.

一方、LGAコネクタ５は、フレーム３と柱状端子４とを有する。このうち、フレーム３は、樹脂を材料とするものであって、複数の貫通孔３ａを備える。そして、その貫通孔３ａの各々に上記の柱状端子４が挿入される。   On the other hand, the LGA connector 5 has a frame 3 and columnar terminals 4. Among these, the frame 3 is made of resin and includes a plurality of through holes 3a. Then, the columnar terminal 4 is inserted into each of the through holes 3a.

柱状端子４は、ゴムに銀等の導電性フィラーを分散させてなる導電性ゴムや導電性エストラマを材料とし、第１の電極パッド６と対向する位置に設けられる。   The columnar terminal 4 is made of a conductive rubber or conductive elastomer obtained by dispersing a conductive filler such as silver in rubber, and is provided at a position facing the first electrode pad 6.

半導体パッケージ１１は、LGAコネクタ５の接続対象となるものであって、パッケージ基板８と半導体チップ９とを有する。   The semiconductor package 11 is a connection target of the LGA connector 5 and includes a package substrate 8 and a semiconductor chip 9.

このうち、パッケージ基板８は、セラミック製又はプラスチック製のコア基材上に配線層を形成してなる配線基板であって、その表面に銅膜をパターニングしてなる第２の電極パッド７を備える。   Among these, the package substrate 8 is a wiring substrate formed by forming a wiring layer on a ceramic or plastic core base material, and includes a second electrode pad 7 formed by patterning a copper film on the surface thereof. .

一方、半導体チップ９は、例えばCPU等の能動素子であって、はんだバンプ１２を介してパッケージ基板８と電気的かつ機械的に接続される。そして、パッケージ基板８と半導体チップ９との間には、これらの接続強度を高めるためにアンダーフィル樹脂１３が充填される。   On the other hand, the semiconductor chip 9 is an active element such as a CPU, and is electrically and mechanically connected to the package substrate 8 via the solder bumps 12. An underfill resin 13 is filled between the package substrate 8 and the semiconductor chip 9 in order to increase the connection strength.

半導体チップ９で発生した熱は、ヒートスプレッダ１５を介して外部に逃がされる。そのヒートスプレッダ１５による放熱効率を高めるため、ヒートスプレッダの材料としては熱伝導性に優れた銅を使用するのが好ましい。   The heat generated in the semiconductor chip 9 is released to the outside through the heat spreader 15. In order to increase the heat dissipation efficiency of the heat spreader 15, it is preferable to use copper having excellent thermal conductivity as the material of the heat spreader.

ヒートシンクベース１６は、ヒートスプレッダ１５を支持すべく設けられ、例えばアルミニウム板を加工してなる。   The heat sink base 16 is provided to support the heat spreader 15 and is formed by processing, for example, an aluminum plate.

そして、これらヒートスプレッダ１５とヒートシンクベース１６とには貫通孔１５ａ、１６ａが形成され、これらの貫通孔１５ａ、１６ａとバネ１８とにネジ１７が挿通される。   Through holes 15 a and 16 a are formed in the heat spreader 15 and the heat sink base 16, and screws 17 are inserted into the through holes 15 a and 16 a and the spring 18.

実使用下においては、ボルスタープレート２のネジ孔２ａにネジ１７を螺入し、バネ１８の付勢力によってヒートシンクベース１６を配線基板１側に押し付ける。これにより、第１の電極パッド６と第２の電極パッド７とが柱状端子４を介して電気的に接続されることになる。   Under actual use, the screw 17 is screwed into the screw hole 2 a of the bolster plate 2, and the heat sink base 16 is pressed against the wiring board 1 by the urging force of the spring 18. As a result, the first electrode pad 6 and the second electrode pad 7 are electrically connected via the columnar terminal 4.

ところで、上記のように配線基板１と半導体パッケージ１１とはLGAコネクタ５により電気的に接続されるが、実使用下においてはこれらの間に接続不良が発生することがある。   By the way, the wiring board 1 and the semiconductor package 11 are electrically connected by the LGA connector 5 as described above, but a connection failure may occur between them in actual use.

このように接続不良が発生する一因として半導体パッケージ１１の反りがある。その反りについて図２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。   One cause of the occurrence of such a connection failure is the warpage of the semiconductor package 11. The warpage will be described with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b).

図２（ａ）、（ｂ）は、半導体パッケージ１１の製造途中の断面図である。   2A and 2B are cross-sectional views of the semiconductor package 11 being manufactured.

半導体パッケージ１１の製造に際しては、図２（ａ）に示すように、はんだバンプ１２を加熱してリフローすることにより、はんだバンプ１２によりパッケージ基板８と半導体チップ９とを接続する。   When manufacturing the semiconductor package 11, the package substrate 8 and the semiconductor chip 9 are connected by the solder bump 12 by heating and reflowing the solder bump 12 as shown in FIG.

パッケージ基板８は樹脂を主にしてなるのに対し、半導体チップ９はシリコンを主にしてなるため、材料の相違に起因して半導体パッケージ８と半導体チップ９とは異なる熱膨張率を示す。   Since the package substrate 8 is mainly made of resin, the semiconductor chip 9 is mainly made of silicon. Therefore, the semiconductor package 8 and the semiconductor chip 9 exhibit different coefficients of thermal expansion due to the difference in materials.

但し、このようにリフローをしている時は、パッケージ基板８と半導体チップ９との熱膨張の差が溶融したはんだバンプ１２で吸収されるため、熱膨張率差が原因の反りは半導体パッケージ１１に生じない。   However, during reflowing in this way, the difference in thermal expansion between the package substrate 8 and the semiconductor chip 9 is absorbed by the melted solder bumps 12, so that the warpage caused by the difference in thermal expansion coefficient is the semiconductor package 11. Does not occur.

一方、図２（ｂ）は、はんだバンプ１２が冷えて固化した状態における半導体パッケージ１１の断面図である。   On the other hand, FIG. 2B is a cross-sectional view of the semiconductor package 11 in a state where the solder bumps 12 are cooled and solidified.

リフローが終了して半導体パッケージ１１が冷えると、パッケージ基板８と半導体チップ９とが異なる熱収縮量で収縮することになる。しかし、固化したはんだバンプ１２は、パッケージ基板８と半導体チップ９との熱収縮量の差を吸収できないため、半導体パッケージ１１が半導体チップ９を上にして凸状に反ってしまう。   When the reflow is completed and the semiconductor package 11 cools, the package substrate 8 and the semiconductor chip 9 contract with different thermal contraction amounts. However, since the solidified solder bump 12 cannot absorb the difference in thermal shrinkage between the package substrate 8 and the semiconductor chip 9, the semiconductor package 11 warps in a convex shape with the semiconductor chip 9 facing up.

パッケージ基板８の反りの量ΔDは、パッケージ基板８と半導体チップ９との材料や大きさによって変わるが、典型的には、１００μm〜２００μm程度である。   The warp amount ΔD of the package substrate 8 varies depending on the material and size of the package substrate 8 and the semiconductor chip 9, but is typically about 100 μm to 200 μm.

図３は、このように反りが生じたパッケージ基板８とLGAコネクタ５との拡大断面図である。   FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the package substrate 8 and the LGA connector 5 that have warped in this manner.

図３に示すように、柱状端子４は、円錐の頂点を平坦化した形状の突出部４ｘを有し、本来ならその突出部４ｘの平坦な端部４ａが電極パッド７に当接する。   As shown in FIG. 3, the columnar terminal 4 has a protruding portion 4 x having a shape in which the apex of the cone is flattened, and the flat end portion 4 a of the protruding portion 4 x normally contacts the electrode pad 7.

しかし、上記のようにパッケージ基板８に反りが生じたことでその端部４ａが第２の電極パッド７から離れてしまい、柱状端子４によって第１の電極パッド６と第２の電極パッド７とを電気的に接続することができなくなってしまう。   However, the warp of the package substrate 8 as described above causes the end 4a to move away from the second electrode pad 7, and the columnar terminal 4 causes the first electrode pad 6 and the second electrode pad 7 to be separated from each other. Cannot be electrically connected.

特に、パッケージ基板８は上側に凸状に反るため、パッケージ基板８の中央付近においてこのような接続不良が発生し易い。   In particular, since the package substrate 8 is warped upwardly, such a connection failure is likely to occur near the center of the package substrate 8.

以下、本実施形態について説明する。   Hereinafter, this embodiment will be described.

（第１実施形態）
図４は、第１実施形態に係る電子部品の断面図である。なお、図４において、図１で説明したのと同じ要素には図１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。 (First embodiment)
FIG. 4 is a cross-sectional view of the electronic component according to the first embodiment. In FIG. 4, the same elements as those described in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1, and the description thereof is omitted below.

この電子部品２０においては、つるまき型の複数の導電性のバネ２１を介してLGAコネクタ５とパッケージ基板８とが電気的に接続される。   In the electronic component 20, the LGA connector 5 and the package substrate 8 are electrically connected via a plurality of helical springs 21.

図５は、LGAコネクタ５とその周囲の拡大断面図である。   FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the LGA connector 5 and its surroundings.

LGAコネクタ５のフレーム３の材料は特に限定されない。本実施形態では、ポリイミドやガラスクロスを含有する樹脂等の絶縁性材料をフレーム３の材料として使用する。   The material of the frame 3 of the LGA connector 5 is not particularly limited. In this embodiment, an insulating material such as a resin containing polyimide or glass cloth is used as the material of the frame 3.

また、フレーム３の大きさも特に限定されないが、フレーム３の厚みは約１．９５mm程度とし得る。また、貫通孔３ａは、ドリル加工やレーザ加工によって形成され、その直径は約０．７５mmである。なお、隣接する貫通孔３ａの中心間距離は、例えば１．２７mm程度である。   Further, the size of the frame 3 is not particularly limited, but the thickness of the frame 3 can be about 1.95 mm. The through hole 3a is formed by drilling or laser processing and has a diameter of about 0.75 mm. The distance between the centers of the adjacent through holes 3a is, for example, about 1.27 mm.

更に、その貫通孔３ａの内面と開口端縁とには導電膜３１として銅膜が形成され、開口端縁の導電膜３１上には貴金属膜３４として金膜が形成される。   Further, a copper film is formed as the conductive film 31 on the inner surface and the opening edge of the through hole 3a, and a gold film is formed as the noble metal film 34 on the conductive film 31 at the opening edge.

そのような貫通孔３ａに柱状端子４が挿入される。柱状端子４の材料は、純金属と比較して導電性が劣る導電性ゴムや導電性エストラマであるが、貫通孔３ａ内の導電膜３１によってその柱状端子４の導電性を補うことができる。   The columnar terminal 4 is inserted into such a through hole 3a. The material of the columnar terminal 4 is conductive rubber or conductive elastomer which is inferior in conductivity compared to pure metal, but the conductivity of the columnar terminal 4 can be supplemented by the conductive film 31 in the through hole 3a.

更に、貫通孔３ａの内面と比較して大気に触れ易い貫通孔３ａの開口端縁に貴金属膜３４を形成したことで、当該開口端縁における導電膜３１が大気との接触で腐食するのを防止できる。   Furthermore, since the noble metal film 34 is formed on the opening edge of the through hole 3a that is more accessible to the atmosphere than the inner surface of the through hole 3a, the conductive film 31 at the opening edge is corroded by contact with the atmosphere. Can be prevented.

上記の柱状端子４は一方の端部４ａと他方の端部４ｂとを備えており、当該他方の端部４ｂが第１の電極パッド６に当接する。なお、一方の端部４ａから他方の端部４ｂまでの柱状端子４の長さは約２．４mm程度である。   The columnar terminal 4 includes one end 4 a and the other end 4 b, and the other end 4 b contacts the first electrode pad 6. The length of the columnar terminal 4 from the one end 4a to the other end 4b is about 2.4 mm.

そして、第２の電極パッド７の表面には第１の導電性接着剤２２が塗布されており、その第１の導電性接着剤２２によってバネ２１と第２の電極パッド７とが接続される。更に、柱状端子４の一方の端部４ａには、第２の導電性接着剤２３によってバネ２１が接続される。   The first conductive adhesive 22 is applied to the surface of the second electrode pad 7, and the spring 21 and the second electrode pad 7 are connected by the first conductive adhesive 22. . Furthermore, a spring 21 is connected to one end 4 a of the columnar terminal 4 by a second conductive adhesive 23.

これら第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３とは、導電性を有するため、バネ２１と第２の電極パッド７とを電気的に接続したり、バネ２１と柱状端子４とを電気的に接続するのに供される。   Since the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 have conductivity, the spring 21 and the second electrode pad 7 are electrically connected, or the spring 21 and the columnar terminal are connected. 4 is used for electrical connection.

更に、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３とは緩衝材としても供され、バネ２１との接触によって第２のパッド７や柱状端子４の端部４ａの表面に傷がつくのを防止できる。   Further, the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 are also used as a cushioning material, and contact with the spring 21 on the surface of the second pad 7 or the end 4 a of the columnar terminal 4. Can prevent scratches.

特に、点線円内に示すように、銅膜をパターニングしてなる第２の電極パッド７の上に銅の腐食防止のために金めっき膜７ｘを形成する場合、その金めっき膜７ｘに傷がつくと第２の電極パッド７とバネ２１との接触抵抗が上昇してしまう。上記した第１の導電性接着剤２２は、その金めっき膜７ｘに傷が付くのを防止してこのような接触抵抗の上昇を防止するのにも資することになる。   In particular, as shown in the dotted circle, when the gold plating film 7x is formed on the second electrode pad 7 formed by patterning the copper film to prevent copper corrosion, the gold plating film 7x is scratched. As a result, the contact resistance between the second electrode pad 7 and the spring 21 increases. The first conductive adhesive 22 described above also serves to prevent the gold plating film 7x from being scratched and to prevent such an increase in contact resistance.

また、バネ２１によって柱状電極４と第２の電極パッド７との接触圧力が緩和されるため、柱状電極４と第２の電極パッド７とが直接接触してこれらの表面が損傷するのも防止できる。   Further, since the contact pressure between the columnar electrode 4 and the second electrode pad 7 is relieved by the spring 21, it is possible to prevent the columnar electrode 4 and the second electrode pad 7 from directly contacting and damaging their surfaces. it can.

第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３としては、例えば銀ペースト使用し得る。この場合、バネ２１と第２の電極パッド７との接続、及びバネ２１と柱状端子４の一方の端部４ａとの接続では、銀ペーストによる接続後に加熱等をして、銀ペーストを固化させたうえで、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３として機能させても良い。   As the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23, for example, a silver paste can be used. In this case, in the connection between the spring 21 and the second electrode pad 7 and the connection between the spring 21 and one end 4a of the columnar terminal 4, the silver paste is solidified by heating after the connection with the silver paste. In addition, the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 may function.

また、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３は、導電フィラーを含む接着剤であっても良い。導電フィラーとしては、金粉、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミ粉、メッキ粉、カーボン粉、及びグラファイト粉のいずれかを使用し得る。この場合においても、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３で接着後に加熱等を行い、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３を固化させても良い。   Further, the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 may be an adhesive containing a conductive filler. As the conductive filler, any of gold powder, silver powder, copper powder, nickel powder, aluminum powder, plating powder, carbon powder, and graphite powder can be used. Even in this case, heating or the like is performed after bonding with the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 to solidify the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23. May be.

バネ２１のサイズは特に限定されないが、本実施形態ではバネ２１の直径を約３０μm〜７０μmとし、その長さを約３００μmとする。更に、バネ２１の螺旋のピッチを約５０μmとする。   The size of the spring 21 is not particularly limited, but in this embodiment, the diameter of the spring 21 is about 30 μm to 70 μm and the length is about 300 μm. Further, the helical pitch of the spring 21 is set to about 50 μm.

バネ２１の材料も限定されない。本実施形態では、超弾性合金をバネ２１の材料として使用する。そのような超弾性合金としてはNiTi合金やCu-Zn合金がある。   The material of the spring 21 is not limited. In this embodiment, a superelastic alloy is used as the material of the spring 21. Such superelastic alloys include NiTi alloys and Cu-Zn alloys.

なお、柱状端子４とバネ２１との接触抵抗は５０mΩ以下であって実用上は問題ない。更に、パッケージ基板８の反りが原因で各バネ２１に印加される荷重にはばらつきが生じるが、それが原因で発生する柱状端子４とバネ２１との接触抵抗のばらつきはパッケージ基板８の面内で数mΩ以下であり、これも実用上は問題ない値である。   The contact resistance between the columnar terminal 4 and the spring 21 is 50 mΩ or less, which is not a problem in practical use. Furthermore, the load applied to each spring 21 varies due to the warpage of the package substrate 8, but the variation in contact resistance between the columnar terminal 4 and the spring 21 caused by this is in-plane with the package substrate 8. The value is several mΩ or less, which is also a practically no problem value.

以上説明した本実施形態によれば、バネ２１により柱状端子４とパッケージ基板８とを電気的に接続する。   According to the present embodiment described above, the columnar terminal 4 and the package substrate 8 are electrically connected by the spring 21.

既述のように、製造時の熱によってパッケージ基板８には反りが発生するが、その反りの量は実使用下におけるパッケージ基板８の温度によって変化する。このように反り量が変化しても、本実施形態ではバネ２１が伸縮することによって柱状端子４とパッケージ基板８との電気的な接続状態を維持することができ、LGAコネクタ５とパッケージ基板８とが接続不良を起こすのを防止できる。   As described above, warpage occurs in the package substrate 8 due to heat during manufacturing, and the amount of warpage varies depending on the temperature of the package substrate 8 under actual use. Even if the amount of warpage changes in this way, in this embodiment, the spring 21 expands and contracts, whereby the electrical connection state between the columnar terminal 4 and the package substrate 8 can be maintained, and the LGA connector 5 and the package substrate 8 can be maintained. Can prevent poor connection.

更に、パッケージ基板８は半導体チップ９を上にして凸状に反るため、その反りが生じたときの柱状端子４と第２の電極パッド７との間隔D（図５参照）は、パッケージ基板８の周縁領域で小さく、パッケージ基板８の中心領域で大きくなる傾向がある。このように間隔Dがパッケージ基板８の面内で異なる場合でも、間隔Dの変化に各バネ２１が追従するため、パッケージ基板８の全面においてLGAコネクタ５とパッケージ基板８との電気的な接続を良好に維持することができる。   Further, since the package substrate 8 warps in a convex shape with the semiconductor chip 9 facing upward, the distance D (see FIG. 5) between the columnar terminal 4 and the second electrode pad 7 when the warp occurs is the package substrate. 8 tends to be small in the peripheral region and large in the central region of the package substrate 8. Thus, even when the distance D is different within the surface of the package substrate 8, each spring 21 follows the change of the distance D, so that the LGA connector 5 and the package substrate 8 are electrically connected to the entire surface of the package substrate 8. It can be maintained well.

また、半導体チップ９で発生した熱をバネ２１を介してLGAコネクタ５に逃がすこともできるので、半導体チップ９の冷却不足もある程度解消することができる。   In addition, since heat generated in the semiconductor chip 9 can be released to the LGA connector 5 via the spring 21, insufficient cooling of the semiconductor chip 9 can be solved to some extent.

特に、バネ２１の材料である超弾性合金の変態温度を室温（２０℃〜３０℃）よりも低くすると、実使用下で半導体パッケージ１１の温度が室温以上となった場合でも、バネ２１を常に弾性領域で変形させることができる。   In particular, if the transformation temperature of the superelastic alloy that is the material of the spring 21 is lower than room temperature (20 ° C. to 30 ° C.), even if the temperature of the semiconductor package 11 becomes room temperature or higher under actual use, the spring 21 is always kept It can be deformed in the elastic region.

塑性領域中で伸縮を繰り返すとバネ２１は歪の蓄積によって切断してしまうが、このように弾性領域で変形させることでバネ２１が切断する危険性を低減でき、実使用下において常に安定してLGAコネクタ５とパッケージ基板８とを電気的に接続することができる。   If the expansion and contraction are repeated in the plastic region, the spring 21 is cut by the accumulation of strain. However, by deforming in the elastic region in this way, the risk of the spring 21 being cut can be reduced, and it is always stable under actual use. The LGA connector 5 and the package substrate 8 can be electrically connected.

なお、バネ２１の材料として形状記憶合金を使用することも考えられる。但し、この場合は、高温時に弾性領域で変形したときのバネ２１の歪が、バネ２１が冷えて塑性領域に入ったときにも残ってしまうので、歪が原因でバネ２１が切断してしまう危険性がある。   It is also conceivable to use a shape memory alloy as the material of the spring 21. However, in this case, the strain of the spring 21 when deformed in the elastic region at a high temperature remains even when the spring 21 cools and enters the plastic region, so the spring 21 is cut due to the strain. There is a risk.

次に、本実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing an electronic component according to this embodiment will be described.

図６〜図１０は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の拡大断面図である。   6 to 10 are enlarged cross-sectional views in the course of manufacturing the electronic component according to the present embodiment.

まず、図６（ａ）に示すように、厚さが約１．９５mmの樹脂製のフレーム３に対してドリル加工又はレーザ加工を行うことにより直径が約０．７５mmの貫通孔３ａを複数形成する。   First, as shown in FIG. 6A, a plurality of through holes 3a having a diameter of about 0.75 mm are formed by drilling or laser processing the resin frame 3 having a thickness of about 1.95 mm. To do.

続いて、図６（ｂ）に示すように、フレーム３の露出面の全面に導電膜３１として無電解銅めっき膜を１μm程度の厚さに形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 6B, an electroless copper plating film is formed to a thickness of about 1 μm as the conductive film 31 on the entire exposed surface of the frame 3.

次に、図７（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。   Next, steps required until a sectional structure shown in FIG.

まず、フレーム３の両主面側にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して、貫通孔３ａに重なる窓３２ａを備えた第１のレジストパターン３２を形成する。   First, a photoresist is applied to both main surface sides of the frame 3, and is exposed and developed to form a first resist pattern 32 having a window 32a overlapping the through hole 3a.

そして、導電膜３１を給電層にしながら貫通孔３ａ内に露出する導電膜３１の上に電解銅めっき膜を形成することにより、貫通孔３ａ内の導電膜３１を２０μm程度の厚さにまで厚膜化する。   Then, by forming an electrolytic copper plating film on the conductive film 31 exposed in the through hole 3a while using the conductive film 31 as a power feeding layer, the conductive film 31 in the through hole 3a is thickened to a thickness of about 20 μm. Turn into a film.

その後に、第１のレジストパターン３２は除去される。   Thereafter, the first resist pattern 32 is removed.

次いで、図７（ｂ）に示すように、フレーム３の両主面側において、貫通孔３ａの周囲を除く領域に第２のレジストパターン３３を形成する。なお、第２のレジストパターン３３は、貫通孔３ａ内にも充填される。   Next, as shown in FIG. 7B, the second resist pattern 33 is formed in the region excluding the periphery of the through hole 3 a on both main surface sides of the frame 3. The second resist pattern 33 is also filled in the through hole 3a.

そして、導電膜３１を給電層にしながら、第２のレジストパターン３３で覆われていない部分の導電膜３１上に、貴金属膜３４として電解金めっき膜を２μm程度の厚さに形成する。   Then, an electrolytic gold plating film is formed as a noble metal film 34 to a thickness of about 2 μm on a portion of the conductive film 31 not covered with the second resist pattern 33 while using the conductive film 31 as a power feeding layer.

その後に、第２のレジストパターン３３は除去される。   Thereafter, the second resist pattern 33 is removed.

次に、図８（ａ）に示すように、貴金属膜３４をマスクにして導電膜３１をウエットエッチングすることにより、貴金属膜３４で覆われていない部分のフレーム３の両主面を露出させる。   Next, as shown in FIG. 8A, wet etching is performed on the conductive film 31 using the noble metal film 34 as a mask, thereby exposing both main surfaces of the frame 3 that are not covered with the noble metal film 34.

なお、貫通孔３ａ内においては、図７（ａ）の工程において導電膜３１を予め厚膜化してあるので、本工程のウエットエッチングで貫通孔３ａ内の導電膜３１が除去されることはない。   In the through hole 3a, since the conductive film 31 is thickened in advance in the process of FIG. 7A, the conductive film 31 in the through hole 3a is not removed by the wet etching in this process. .

続いて、図８（ｂ）に示すように、複数の貫通孔３ａの各々に柱状端子４を挿入する。柱状端子４は、直径が貫通孔３ａのそれよりも大きい突出部４ｘを有するが、柱状端子４の材料である導電性ゴムが弾力性を有するので、その突出部４ｘを潰すことにより貫通孔３ａに簡単に柱状端子４を挿入することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 8B, the columnar terminal 4 is inserted into each of the plurality of through holes 3a. The columnar terminal 4 has a protruding portion 4x having a diameter larger than that of the through-hole 3a. However, since the conductive rubber that is the material of the columnar terminal 4 has elasticity, the through-hole 3a is crushed by crushing the protruding portion 4x. The columnar terminal 4 can be inserted easily.

ここまでの工程により、フレーム３と柱状端子４とを備えたLGAコネクタ５の基本構造が完成したことになる。   The basic structure of the LGA connector 5 including the frame 3 and the columnar terminals 4 is completed through the steps so far.

この後は、そのLGAコネクタ５を半導体パッケージ１１に接続する工程に移る。   Thereafter, the process proceeds to a step of connecting the LGA connector 5 to the semiconductor package 11.

まず、図９（ａ）に示すように、半導体パッケージ１１が備えるパッケージ基板８を用意し、そのパッケージ基板８の各々の第２の電極パッド７の上に第１の導電性接着剤２２を塗布する。   First, as shown in FIG. 9A, a package substrate 8 included in the semiconductor package 11 is prepared, and a first conductive adhesive 22 is applied on each second electrode pad 7 of the package substrate 8. To do.

第１の導電性接着剤２２の種類は特に限定されない。但し、熱硬化工程を省くという観点からすると、熱硬化が不要な室温で接着性を有する樹脂に銀フィラーを分散させてなるペーストを第１の導電性接着剤２２として使用するのが好ましい。   The type of the first conductive adhesive 22 is not particularly limited. However, from the viewpoint of omitting the thermosetting step, it is preferable to use, as the first conductive adhesive 22, a paste obtained by dispersing a silver filler in a resin having adhesiveness at room temperature that does not require thermosetting.

次に、図９（ｂ）に示すように、柱状端子４の一方の端部４ａに、第１の導電性接着剤２２と同一種類の第２の導電性接着剤２３とを塗布する。   Next, as shown in FIG. 9B, a second conductive adhesive 23 of the same type as the first conductive adhesive 22 is applied to one end 4 a of the columnar terminal 4.

続いて、図１０に示すように、パッケージ基板８の第２の電極パッド７を柱状端子４に対向させる。そして、第１の導電性接着剤２２により第２の電極パッド７とバネ２１とを接続すると共に、第２の導電性接着剤２３により柱状端子４とバネ２１とを接続する。   Subsequently, as shown in FIG. 10, the second electrode pad 7 of the package substrate 8 is opposed to the columnar terminal 4. Then, the second electrode pad 7 and the spring 21 are connected by the first conductive adhesive 22, and the columnar terminal 4 and the spring 21 are connected by the second conductive adhesive 23.

この状態を所定時間維持することにより第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３とが固化し、柱状端子４とパッケージ基板８とが電気的かつ機械的に接続されることになる。   By maintaining this state for a predetermined time, the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 are solidified, and the columnar terminals 4 and the package substrate 8 are electrically and mechanically connected. become.

なお、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３としては銀ペーストを使用し得る。この場合、バネ２１と第２の電極パッド７との接続、及びバネ２１と端部４ａとの接続では、銀ペーストによる接続後に加熱等をして、銀ペーストを固化させたうえで、その銀ペーストを第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３として機能させても良い。   Note that a silver paste can be used as the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23. In this case, in the connection between the spring 21 and the second electrode pad 7 and the connection between the spring 21 and the end 4a, the silver paste is solidified by heating after the connection with the silver paste to solidify the silver paste. The paste may function as the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23.

また、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３は、導電フィラーを含む接着剤であっても良い。導電フィラーとしては、金粉、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミ粉、メッキ粉、カーボン粉、グラファイト粉のいずれかを使用し得る。この場合においても、第１の導電性接着剤２２と第２の導電性接着剤２３による接着後に加熱等を行い、第１の導電性接着剤２２及び第２の導電性接着剤２３を固化させても良い。   Further, the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 may be an adhesive containing a conductive filler. As the conductive filler, any of gold powder, silver powder, copper powder, nickel powder, aluminum powder, plating powder, carbon powder, and graphite powder can be used. Even in this case, heating or the like is performed after bonding with the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23 to solidify the first conductive adhesive 22 and the second conductive adhesive 23. May be.

この後は、図４に示したように、バネ１８の付勢力によってLGAコネクタ５を配線基板１に押し当て、本実施形態に係る電子部品２０の基本構造を完成させる。   Thereafter, as shown in FIG. 4, the LGA connector 5 is pressed against the wiring board 1 by the biasing force of the spring 18 to complete the basic structure of the electronic component 20 according to the present embodiment.

（第２実施形態）
図１１は、本実施形態に係る電子部品２０の拡大断面図である。なお、図１１において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。 (Second Embodiment)
FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of the electronic component 20 according to the present embodiment. In FIG. 11, the same elements as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and description thereof is omitted below.

図１１では、フレーム３の外周縁部３ｘ寄りの周縁領域Iと、フレーム３の中心付近の中心領域IIとを併記してある。   In FIG. 11, a peripheral area I near the outer peripheral edge 3 x of the frame 3 and a central area II near the center of the frame 3 are shown together.

既述のように、実使用下ではパッケージ基板８は上向きに凸に反るため、周縁領域Iでは中心領域IIと比較してパッケージ基板８が柱状端子４に近接する。更に、周縁領域Iの第２の電極パッド７は、ネジ１７とバネ１８（図４参照）とに近いため当該バネ１８の付勢力を強く受け、それにより柱状端子４と十分な押圧力で接触する。   As described above, since the package substrate 8 warps upward in actual use, the package substrate 8 is closer to the columnar terminal 4 in the peripheral region I than in the central region II. Further, since the second electrode pad 7 in the peripheral region I is close to the screw 17 and the spring 18 (see FIG. 4), the second electrode pad 7 is strongly subjected to the urging force of the spring 18 and thereby contacts the columnar terminal 4 with sufficient pressing force. To do.

これらにより、周縁領域Iにおいては、バネ２１を介して柱状端子４とパッケージ基板８とを接続する実益に乏しい場合がある。   As a result, in the peripheral region I, there are cases where the actual benefit of connecting the columnar terminal 4 and the package substrate 8 via the spring 21 is poor.

そこで、本実施形態では、複数の柱状端子４のうち、フレーム３の外周縁部３ｘ寄りの一部の柱状端子４にバネ２１を接続せず、バネ１８（図４参照）の弾性力でその柱状端子４をパッケージ基板８の第２の電極パッド７に直接接続する。このように第２の電極パッド７と直接接続する柱状端子４の数は、例えば、外周縁部３ｘから数えて内側に４個程度とする。   Therefore, in the present embodiment, the spring 21 is not connected to a part of the columnar terminals 4 near the outer peripheral edge 3x of the frame 3 among the plurality of columnar terminals 4, and the elastic force of the spring 18 (see FIG. 4) The columnar terminal 4 is directly connected to the second electrode pad 7 of the package substrate 8. Thus, the number of the columnar terminals 4 directly connected to the second electrode pads 7 is, for example, about four on the inner side when counted from the outer peripheral edge 3x.

これにより、第１実施形態と比較してバネ２１の個数を低減でき、部品点数の削減による電子部品２０のコストダウンを実現できる。   Thereby, compared with 1st Embodiment, the number of the springs 21 can be reduced and the cost reduction of the electronic component 20 by reduction of a number of parts is realizable.

なお、本実施形態はこれに限定されない。図１２は、本実施形態の他の例に係る電子部品２０の拡大断面図である。   Note that the present embodiment is not limited to this. FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of an electronic component 20 according to another example of the present embodiment.

なお、図１２において、図１１と同じ要素には図１１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   In FIG. 12, the same elements as those in FIG. 11 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 11, and the description thereof is omitted below.

本例では、複数の柱状端子４のうち、フレーム３の外周縁部３ｘ寄りの一部の柱状端子４に接続するバネ２１の巻き数を、中心領域IIにおける他のバネ２１の巻き数よりも少なくする。バネ２１の巻き数は特に限定されないが、中心領域IIにおける巻き数を６とする場合、外周縁部３ｘ寄りのバネ２１の巻き数を３程度とする。   In this example, among the plurality of columnar terminals 4, the number of turns of the spring 21 connected to a part of the columnar terminals 4 near the outer peripheral edge 3 x of the frame 3 is larger than the number of turns of the other springs 21 in the central region II. Reduce. The number of turns of the spring 21 is not particularly limited, but when the number of turns in the center region II is 6, the number of turns of the spring 21 near the outer peripheral edge 3x is about 3.

また、巻き数を少なくしたバネ２１と接続される柱状端子４の数は、例えば、外周縁部３ｘから数えて内側に４個程度とする。   In addition, the number of columnar terminals 4 connected to the springs 21 with a reduced number of turns is, for example, about four on the inner side when counted from the outer peripheral edge 3x.

このように巻き数を少なくすることで、周辺領域Iにおいてパッケージ基板８と近接している柱状端子４にバネ２１から強い弾性力が印加されるのを防止することができる。   By reducing the number of turns in this way, it is possible to prevent a strong elastic force from being applied from the spring 21 to the columnar terminals 4 that are close to the package substrate 8 in the peripheral region I.

バネ２１の巻き数の調節方法は特に限定されない。図１３は、バネ２１の巻き数の調節方法の一例を示す模式図である。   The method for adjusting the number of turns of the spring 21 is not particularly limited. FIG. 13 is a schematic diagram illustrating an example of a method for adjusting the number of turns of the spring 21.

この方法では、バネ２１を引き伸ばした状態で切断する。切断後は、バネ２１は自身の弾性力によって縮む。これにより、バネ２１は切断前と比較してΔLだけ短くなるが、その長さΔLがパッケージ基板８の反り量ΔD（図２（ｂ）参照）である１００μm〜２００μm程度の値に等しくなるようにバネ２１の切断長Xを設定する。   In this method, the spring 21 is cut in a stretched state. After cutting, the spring 21 contracts due to its own elastic force. As a result, the spring 21 is shortened by ΔL as compared to before cutting, but the length ΔL is equal to a warpage amount ΔD (see FIG. 2B) of the package substrate 8 of about 100 μm to 200 μm. Is set to the cutting length X of the spring 21.

このように切断する際にバネ２１を引き伸ばすと、バネ２１の螺旋ピッチが広くなるため、バネ２１の隣接する螺旋間に切断用の工具を挿入し易くなり、バネ２１の巻き数の調節が容易になる。   When the spring 21 is stretched when cutting in this way, the spiral pitch of the spring 21 is widened, so that it becomes easy to insert a cutting tool between the adjacent spirals of the spring 21 and the number of turns of the spring 21 can be easily adjusted. become.

更に、バネ２１の材料として超弾性合金を利用するため、切断時にバネ２１を延ばしてもバネ２１が塑性変形することがなく、切断後のバネ２１の螺旋ピッチを切断前と同一にすることができる。   Furthermore, since a superelastic alloy is used as the material of the spring 21, even if the spring 21 is extended at the time of cutting, the spring 21 is not plastically deformed, and the helical pitch of the spring 21 after cutting can be made the same as that before cutting. it can.

なお、このように周縁領域Iのバネ２１の巻き数を調節するのに代えて、図１４に示されるような柱状電極４を採用してもよい。   Instead of adjusting the number of turns of the spring 21 in the peripheral region I in this way, a columnar electrode 4 as shown in FIG. 14 may be employed.

図１４は、本実施形態の別の例に係る電子部品２０の拡大断面図である。   FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of an electronic component 20 according to another example of the present embodiment.

なお、図１４において、図１１と同じ要素には図１１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。   14, the same elements as those in FIG. 11 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 11, and description thereof will be omitted below.

図１４の例では、周辺領域Iにおける柱状電極４の突起部４ｘの長さL1を、中心領域IIにおける他の柱状電極４の突起部４ｘの長さL2よりも短くする。このように長さを短くする柱状端子４の数は、例えば、外周縁部３ｘから数えて内側に４個程度とする。 In the example of FIG. 14, the length L 1 of the protrusion 4 x of the columnar electrode 4 in the peripheral region I is shorter than the length L 2 of the protrusion 4 x of the other columnar electrode 4 in the central region II. Thus, the number of the columnar terminals 4 whose length is shortened is, for example, about four on the inner side from the outer peripheral edge 3x.

長さL1、L2の差（L2−L1）は特に限定されないが、当該差がパッケージ基板８の反り量ΔD（図２（ｂ）参照）に等しくなるようにするのが好ましい。 The difference between the lengths L 1 and L 2 (L 2 −L 1 ) is not particularly limited, but it is preferable that the difference be equal to the warpage amount ΔD of the package substrate 8 (see FIG. 2B).

また、周縁領域Iのバネ２１の長さと巻き数とは、中心領域IIのバネ２１におけるのと同じである。   The length and the number of turns of the spring 21 in the peripheral region I are the same as those in the spring 21 in the central region II.

このように長さL1を長さL2よりも短くすることにより、パッケージ基板８が反った場合であっても、周辺領域Iと中心領域IIとの各々のバネ２１の長さを略同一にすることができる。そのため、バネ２１から柱状電極４に印加される押圧力をパッケージ基板８の面内において略一定にすることができると共に、周辺領域Iの柱状電極４にバネ２１から不必要に強い弾性力が印加されるのを防止できる。 Thus, by making the length L 1 shorter than the length L 2 , the lengths of the springs 21 in the peripheral region I and the central region II are substantially the same even when the package substrate 8 is warped. Can be. Therefore, the pressing force applied from the spring 21 to the columnar electrode 4 can be made substantially constant in the plane of the package substrate 8 and an unnecessarily strong elastic force is applied from the spring 21 to the columnar electrode 4 in the peripheral region I. Can be prevented.

以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。   The following additional notes are disclosed for each embodiment described above.

（付記１） パッケージ基板と、
バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタと、
を有することを特徴とする電子部品。 (Appendix 1) Package substrate,
A connector electrically connected to the package substrate via a spring;
An electronic component comprising:

（付記２） 前記バネと前記パッケージ基板とを接続する第１の導電性接着剤と、
前記バネと前記コネクタとを接続する第２の導電性接着剤とを更に有することを特徴とする付記１に記載の電子部品。 (Appendix 2) a first conductive adhesive connecting the spring and the package substrate;
The electronic component according to appendix 1, further comprising a second conductive adhesive that connects the spring and the connector.

（付記３） 前記コネクタは、
複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、
前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続されたことを特徴とする付記１又は付記２に記載の電子部品。 (Appendix 3) The connector is
A frame in which a plurality of through holes are formed;
A plurality of columnar terminals inserted into each of the plurality of through holes;
The electronic component according to Appendix 1 or 2, wherein one end of the columnar terminal is connected to the spring.

（付記４） 複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の柱状端子に前記バネを接続せず、前記一部の柱状端子を前記パッケージ基板に直接接続したことを特徴とする付記３に記載の電子部品。   (Supplementary Note 4) Of the plurality of columnar terminals, the spring is not connected to some columnar terminals near the outer peripheral edge of the frame, and the some columnar terminals are directly connected to the package substrate. The electronic component according to Supplementary Note 3.

（付記５） 複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の柱状端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくすることを特徴とする付記３に記載の電子部品。   (Supplementary Note 5) Among the plurality of columnar terminals, the number of turns of the spring connected to a part of the columnar terminals near the outer peripheral edge of the frame is larger than the number of turns of the spring connected to the other columnar terminals. The electronic component as set forth in Appendix 3, wherein the electronic component is reduced.

（付記６） 前記貫通孔の内面に導電膜が形成されたことを特徴とする付記３乃至付記５のいずれかに記載の電子部品。   (Supplementary note 6) The electronic component according to any one of supplementary notes 3 to 5, wherein a conductive film is formed on an inner surface of the through hole.

（付記７） 接続対象に電気的に接続される端子と、
前記接続対象と前記端子との間に配置されたバネと、
を有することを特徴とするコネクタ。 (Appendix 7) a terminal electrically connected to the connection target;
A spring disposed between the connection object and the terminal;
A connector comprising:

（付記８） 前記端子は柱状端子であり、前記柱状端子の一方の端部に導電性接着剤を介して前記バネが接続されたことを特徴とする付記７に記載のコネクタ。   (Supplementary note 8) The connector according to supplementary note 7, wherein the terminal is a columnar terminal, and the spring is connected to one end of the columnar terminal via a conductive adhesive.

（付記９） 貫通孔が形成されたフレームを更に有し、
前記貫通孔に前記柱状端子が挿入されたことを特徴とする付記８に記載のコネクタ。 (Additional remark 9) It further has the flame | frame in which the through-hole was formed,
The connector according to appendix 8, wherein the columnar terminal is inserted into the through hole.

（付記１０） パッケージ基板とコネクタの柱状電極とを、バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。   (Additional remark 10) The manufacturing method of the electronic component characterized by having the process of electrically connecting a package board | substrate and the columnar electrode of a connector via a spring.

１…配線基板、２…ボルスタープレート、２ａ…ネジ孔、３…フレーム、３ａ、１５ａ、１６ａ…貫通孔、３ｘ…外周縁部、４…柱状端子、４ａ、４ｂ…端部、４ｘ…突出部、５…LGAコネクタ、６…第１の電極パッド、７…第２の電極パッド、７ｘ…金めっき膜、８…パッケージ基板、９…半導体チップ、１０、２０…電子部品、１１…半導体パッケージ、１２…はんだバンプ、１３…アンダーフィル樹脂、１５…ヒートスプレッダ、１６…ヒートシンクベース、１７…ネジ、１８、２１…バネ、２２…第１の導電性接着剤、２３…第２の導電性接着剤、３１…導電膜、３２…第１のレジストパターン、３２ａ…窓、３３…第２のレジストパターン、３４…貴金属膜。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board, 2 ... Bolster plate, 2a ... Screw hole, 3 ... Frame, 3a, 15a, 16a ... Through-hole, 3x ... Outer peripheral edge part, 4 ... Columnar terminal, 4a, 4b ... End part, 4x ... Projection part DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 ... LGA connector, 6 ... 1st electrode pad, 7 ... 2nd electrode pad, 7x ... Gold plating film, 8 ... Package substrate, 9 ... Semiconductor chip, 10, 20 ... Electronic component, 11 ... Semiconductor package, DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Solder bump, 13 ... Underfill resin, 15 ... Heat spreader, 16 ... Heat sink base, 17 ... Screw, 18, 21 ... Spring, 22 ... 1st conductive adhesive, 23 ... 2nd conductive adhesive, 31 ... conductive film, 32 ... first resist pattern, 32a ... window, 33 ... second resist pattern, 34 ... noble metal film.

Claims (6)

パッケージ基板と、
バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタとを有し、
前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続され、複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたことを特徴とする電子部品。 A package substrate;
And a connector which is electrically connected to the package substrate through the spring,
The connector has a frame in which a plurality of through holes are formed, and a plurality of columnar terminals inserted into each of the plurality of through holes, and one end of the columnar terminal is connected to the spring, Of the plurality of columnar terminals, the number of turns of the spring connected to a part of the columnar terminals near the outer peripheral edge of the frame is less than the number of turns of the spring connected to the other columnar terminals. Electronic parts characterized by パッケージ基板と、A package substrate;
バネを介して前記パッケージ基板と電気的に接続されているコネクタとを有し、A connector electrically connected to the package substrate via a spring;
前記コネクタは、複数の貫通孔が形成されたフレームと、複数の前記貫通孔の各々に挿入された複数の柱状端子とを有し、前記柱状端子の一方の端部が前記バネに接続され、複数の前記柱状端子のうち、前記フレームの周辺領域における前記柱状端子の突起部の長さを前記フレームの中心領域における前記柱状端子の突起部の長さよりも短くしたことを特徴とする電子部品。The connector has a frame in which a plurality of through holes are formed, and a plurality of columnar terminals inserted into each of the plurality of through holes, and one end of the columnar terminal is connected to the spring, Of the plurality of columnar terminals, the length of the protruding portion of the columnar terminal in the peripheral region of the frame is shorter than the length of the protruding portion of the columnar terminal in the central region of the frame. 複数の貫通孔が形成されたフレームと、A frame in which a plurality of through holes are formed;
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の端子と、A plurality of terminals inserted into each of the plurality of through holes and electrically connected to a connection target;
前記接続対象と複数の前記端子の各々との間に配置された複数のバネとを有し、A plurality of springs disposed between the connection object and each of the plurality of terminals;
複数の前記端子のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記端子に接続する前記バネの巻き数を、他の前記端子に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたことを特徴とするコネクタ。Of the plurality of terminals, the number of turns of the spring connected to a part of the terminals near the outer peripheral edge of the frame is less than the number of turns of the spring connected to the other terminals. Connector. 複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の端子と、
前記接続対象と複数の前記端子の各々との間に配置された複数のバネとを有し、
複数の前記端子のうち、前記フレームの周辺領域における前記端子の突起部の長さを前記フレームの中心領域における他の前記端子の突起部の長さよりも短くしたことを特徴とするコネクタ。 A frame in which a plurality of through holes are formed;
A plurality of terminals inserted into each of the plurality of through holes and electrically connected to a connection target;
And a plurality of springs disposed between each of the connection object and the plurality of terminals,
Of the plurality of terminals, the length of the protruding portion of the terminal in the peripheral region of the frame is shorter than the length of the protruding portion of the other terminal in the central region of the frame . 複数の貫通孔が形成されたフレームと、
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の柱状電極と、
前記接続対象と複数の前記柱状電極の各々との間に配置された複数のバネとを有し、
複数の前記柱状電極のうち、前記フレームの外周縁部寄りの一部の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数を、他の前記柱状電極に接続する前記バネの巻き数よりも少なくしたコネクタを用い、
パッケージ基板と前記コネクタの柱状電極とを、前記バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 A frame in which a plurality of through holes are formed;
A plurality of columnar electrodes inserted into each of the plurality of through-holes and electrically connected to a connection target;
A plurality of springs disposed between the connection object and each of the plurality of columnar electrodes;
A connector in which the number of turns of the spring connected to a part of the columnar electrodes near the outer peripheral edge of the frame is less than the number of turns of the spring connected to the other columnar electrodes among the plurality of columnar electrodes. Use
A columnar electrodes of the package substrate and the connector, a method of manufacturing an electronic component, characterized by comprising the step of electrically connected through the spring. 複数の貫通孔が形成されたフレームと、A frame in which a plurality of through holes are formed;
複数の前記貫通孔の各々に挿入され、接続対象に電気的に接続される複数の柱状電極と、A plurality of columnar electrodes inserted into each of the plurality of through-holes and electrically connected to a connection target;
前記接続対象と複数の前記柱状電極の各々との間に配置された複数のバネとを有し、A plurality of springs disposed between the connection object and each of the plurality of columnar electrodes;
複数の前記柱状電極のうち、前記フレームの周辺領域における前記柱状電極の突起部の長さを前記フレームの中心領域における他の前記柱状電極の突起部の長さよりも短くしたコネクタを用い、Among the plurality of columnar electrodes, using a connector in which the length of the protruding portion of the columnar electrode in the peripheral region of the frame is shorter than the length of the protruding portion of the other columnar electrode in the central region of the frame,
パッケージ基板と前記コネクタの柱状電極とを、前記バネを介して電気的に接続する工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。A method of manufacturing an electronic component comprising a step of electrically connecting a package substrate and a columnar electrode of the connector via the spring.
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