JP5768231B2 - Mems測定方法 - Google Patents
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Description
め、さらに可動部における振動状態の固定部振動状態に対する差分を求めて、可動部各位置の真の振動状態を得ることにより、MEMSにおける複数箇所の同じ時点での振動状態を適切に検出できることに加え、起振部の不要な振動成分が合成された形で求められた結果から可動部の振動成分のみを取出して、正しいMEMS可動部の振動特性を取得でき、起振部側からの影響を受けることなく正確なMEMS可動部各部の振動状態を測定して、そのMEMSの構造に基づいてあらわれる可動部の振動の特徴を確実に把握でき、この振動の特徴からMEMSの評価を正確に行える。
前記各図において本実施形態に係るMEMS測定方法に用いる測定装置1は、MEMS80の形成されたウェーハ90を支持しつつ振動させる起振部10と、光の周波数がそれぞれ異なる多数のレーザ光を同時発生させる光源部20と、この光源部20からのレーザ光より、光の周波数を所定周波数だけシフトさせた参照光を得る周波数シフト部30と、前記光源部20からの各レーザ光をその周波数ごとに進行方向を変化させてウェーハ90上のMEMS80に向わせる分光部40と、光源部20と分光部40の間で、分光部40に向うレーザ光を透過させる一方、MEMS80から反射された反射光を所定方向に反射するビームスプリッタ50と、このビームスプリッタ50で反射されたMEMS80からの反射光と前記参照光とを組合わせて干渉させた干渉光を検出して検出信号を出力する光検出部60と、検出信号を各レーザ光の周波数成分ごとに分析し、MEMS80における各レーザ光の照射位置での変位を求める信号処理部70とを備える構成である。
のレーザ光を発生させる公知の装置であり、詳細な説明を省略する。光コム発生器22における各サイドバンドの周波数間隔は適宜調整され、分光部40を経てMEMS80に各レーザ光が測定に適した間隔で照射されるよう設定される。この光コム発生器22を用いて、一つのレーザ光から光コム、すなわち基本周波数のレーザ光のサイドバンドとして周波数の異なる多数のレーザ光を得て、そのまま各レーザ光をMEMS80に照射できることから、MEMS80の多数箇所に対し効率よく周波数の異なるレーザ光を同時照射して測定が行え、光の周波数の異なる多数のレーザ光源を用いる必要はなく、光源部20の構成を簡略化できる。
れの解析処理は、公知のレーザドップラ振動計と同様に、ドップラシフトに基づく各レーザ光の反射前後における周波数変化を利用して実行されるものである。
れた反射光は、分光部40に戻ってこれを入射側へ透過し、再度ビームスプリッタ50に達して反射され、光検出部60に向う。
ータを用いている。そして、測定に際しては、測定対象のMEMSを含むウェーハを起振部のステージ部に取付け、ステージ部の下側に位置するピエゾアクチュエータに対し矩形波状に電圧を印加し、アクチュエータで生じた微小振動をMEMSに加え、MEMSの振動状態を測定装置で測定するようにした。
10 起振部
11 振動台
20 光源部
21 レーザ光源
22 光コム発生器
30 周波数シフト部
40 分光部
50 レーザスプリッタ
60 光検出部
70 信号処理部
80 MEMS
90 ウェーハ
Claims (4)
- 測定対象物であるMEMSにレーザ光を照射し、MEMSからの反射光のドップラシフトに基づき、MEMSにおける照射位置の振動状態を測定するMEMS測定方法において、
MEMS全体に起振部で振動を加え、
光の周波数がそれぞれ異なる多数のレーザ光を光源部で同時に発生させ、
前記光源部からビームスプリッタを透過して一様に入射した各レーザ光を、分光部で周波数ごとに進行方向を変化させ、周波数ごとに異なる照射位置として、MEMSの可動部における多数の測定対象箇所と、当該可動部に隣接する固定部にそれぞれ同時に照射し、
MEMSから反射されて分光部を透過した反射光、及び、MEMSに照射されるレーザ光に対し光の周波数を所定周波数だけシフトさせて発生させた参照光を、それぞれ光検出部に入射させ、当該光検出部で前記反射光と参照光とを組合わせて干渉させた干渉光を検出し、当該干渉光に応じた検出信号を出力させ、
当該検出信号を信号処理部で各レーザ光の周波数成分ごとに分析し、検出信号より抽出される各レーザ光の反射前後におけるドップラシフトに基づく周波数変化から、MEMSにおける各レーザ光の照射位置での振動状態を求めると共に、
前記信号処理部で、MEMSの可動部における各照射位置での構造に基づく特有の振動状態について、MEMSの固定部における構造に基づく特有の振動状態との差分を求め、得られた差分を可動部における前記各照射位置での真の振動状態とすることを
特徴とするMEMS測定方法。 - 前記請求項1に記載のMEMS測定方法において、
前記光源部として、レーザ光源が、所定周波数のレーザ光を発生させると共に、当該レーザ光から、光コム発生器が、レーザ光の周波数を中心に等周波数間隔で多数のサイドバンドとしての周波数の異なるレーザ光を発生させることを
特徴とするMEMS測定方法。 - 前記請求項1又は2に記載のMEMS測定方法において、
前記分光部として回折格子を用い、入射した各レーザ光をMEMSに対しレーザ光照射位置がMEMSの可動部と固定部にわたって一直線状に並ぶ状態で進行させることを
特徴とするMEMS測定方法。 - 前記請求項3に記載のMEMS測定方法において、
前記各レーザ光を、MEMSに対し各レーザ光の照射位置が一直線状に並んだ方向と直交する向きへの走査を伴いつつ照射することを
特徴とするMEMS測定方法。
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