JP5742619B2 - EUVL reflective mask manufacturing apparatus and EUVL mask blank manufacturing apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスク（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用反射型マスク」という。）、および、該ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造に用いられるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用マスクブランクス」という。）の製造装置に関する。
なお、本発明でいうＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。
The present invention relates to a reflective mask for EUV (Extreme Ultraviolet) lithography (hereinafter referred to as “reflective mask for EUVL” in the present specification) used in semiconductor manufacturing and the like, and the reflective type for EUVL. The present invention relates to an apparatus for manufacturing a reflective mask blank for EUV lithography (hereinafter referred to as “EUVL mask blank” in the present specification) used for manufacturing a mask.
The EUV light referred to in the present invention refers to light in the wavelength band of the soft X-ray region or the vacuum ultraviolet region, specifically, light having a wavelength of about 0.2 to 100 nm.
従来から、光リソグラフィ技術においては、ウェハ上に微細な回路パターンを転写して集積回路を製造するための露光装置が広く利用されている。集積回路の高集積化および高機能化に伴い、集積回路の微細化が進み、露光装置には深い焦点深度で高解像度の回路パターンをウェハ面上に結像させることが求められ、露光光源の短波長化が進められている。露光光源は、従来のｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）やＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）から進んでＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が用いられている。また、さらに回路パターンの線幅が７０ｎｍ以下となる次世代の集積回路に対応するため、ＡｒＦエキシマレーザを用いた液浸露光技術や二重露光技術が用いられているが、これも線幅が４５ｎｍ世代までしかカバーできないと見られている。 Conventionally, in an optical lithography technique, an exposure apparatus for manufacturing an integrated circuit by transferring a fine circuit pattern onto a wafer has been widely used. As integrated circuits become highly integrated and highly functional, miniaturization of integrated circuits advances, and the exposure apparatus is required to form a high-resolution circuit pattern on the wafer surface with a deep focal depth. Short wavelength is being promoted. As an exposure light source, an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) is used, proceeding from conventional g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm), or KrF excimer laser (wavelength 248 nm). Further, in order to cope with the next generation integrated circuit in which the line width of the circuit pattern is 70 nm or less, an immersion exposure technique and a double exposure technique using an ArF excimer laser are used. It is expected to cover only the 45nm generation.
このような流れにあって、露光光源としてＥＵＶ光（極端紫外光）のうち代表的には波長１３ｎｍの光を用いたリソグラフィ技術が、回路パターンの線幅が３２ｎｍ以降の世代にわたって適用可能と見られ注目されている。ＥＵＶリソグラフィ（以下、本明細書では「ＥＵＶＬ」と略する）の像形成原理は、投影光学系を用いてマスクパターンを転写する点では、従来のフォトリソグラフィーと同じである。しかし、ＥＵＶ光のエネルギー領域では光を透過する材料がないために、屈折光学系は用いることができず、光学系はすべて反射光学系となる。 In such a flow, it is considered that lithography technology using light having a wavelength of 13 nm, typically EUV light (extreme ultraviolet light) as an exposure light source, can be applied over generations having a circuit pattern line width of 32 nm or later. It is attracting attention. The principle of image formation of EUV lithography (hereinafter abbreviated as “EUVL” in this specification) is the same as that of conventional photolithography in that a mask pattern is transferred using a projection optical system. However, since there is no material that transmits light in the energy region of EUV light, the refractive optical system cannot be used, and all the optical systems are reflective optical systems.
反射光学系に用いられるＥＵＶＬ用反射型マスクは、（１）基材、（２）基材上に形成された反射層、（３）反射層上に形成された吸収体層、から基本的に構成されるＥＵＶＬ用マスクブランクスの吸収体層をパターニングしたものである。
ＥＵＶＬ用マスクブランクスの反射層としては、低屈折層であるモリブデン（Ｍｏ）層と高屈折層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
吸収体層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
また、ＥＵＶＬ用マスクブランクスには、上述した反射層および吸収体層に加えて、吸収体層へのパターニングの際に、反射層を保護するための保護層や、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収体層上に形成されるマスクパターンの検査光に対する低反射層といった他の構成要素が設けられる場合もある。
ＥＵＶマスクブランクスの製造時において、反射層、吸収体層、保護層、および、低反射層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法といったスパッタリング法を用いて基体上に成膜される。
A reflective mask for EUVL used in a reflective optical system basically includes (1) a base material, (2) a reflective layer formed on the base material, and (3) an absorber layer formed on the reflective layer. The absorber layer of the mask blank for EUVL to be configured is patterned.
As the reflective layer of the mask blank for EUVL, the layer surface is irradiated with EUV light by alternately laminating a molybdenum (Mo) layer which is a low refractive layer and a silicon (Si) layer which is a high refractive layer. A Mo / Si multilayer reflective film with increased light reflectivity is usually used.
For the absorber layer, a material having a high absorption coefficient for EUV light, specifically, a material mainly composed of chromium (Cr) or tantalum (Ta) is used.
In addition to the above-described reflective layer and absorber layer, EUVL mask blanks have a protective layer for protecting the reflective layer and a contrast at the time of mask pattern inspection in patterning the absorber layer. Other components such as a low reflection layer for inspection light of a mask pattern formed on the absorber layer may be provided for the purpose of improvement.
At the time of manufacturing EUV mask blanks, the reflective layer, the absorber layer, the protective layer, and the low reflective layer are formed on the substrate using a sputtering method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method.
ＥＵＶＬ用マスクブランクスの製造時に実施されるスパッタリング法を用いた成膜や、ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造時に実施される吸収体層のパターニングといった、ＥＵＶＬ用マスクブランクスおよびＥＵＶＬ用反射型マスクの製造時に実施される各種処理は、一般的なクリーンルーム空間の清浄度を超えた、超高清浄な雰囲気で実施することが求められる。
このような超高清浄な雰囲気は、半導体製造装置に使用されるクリーンルーム内の局所クリーン化技術により達成される。この技術は、特許文献１、２に記載されているように、クリーンルーム内に送給された清浄外気の一部をフィルタによりさらに清浄化し、清浄化された空気を、個別ダクトを用いて超高清浄な雰囲気が要求される部位（具体的には、半導体製造装置内）に供給するものである。超高清浄な雰囲気を維持するため、清浄化された空気が供給される部位（具体的には、半導体製造装置内）の圧力は、クリーンルーム空間の圧力よりもやや高い圧力に維持されている。
When manufacturing EUVL mask blanks and EUVL reflective masks, such as film formation using a sputtering method performed at the time of manufacturing EUVL mask blanks and absorber layer patterning performed at the time of manufacturing EUVL reflective masks Various processes to be performed are required to be performed in an ultra-high clean atmosphere exceeding the cleanliness of a general clean room space.
Such an ultra-high clean atmosphere is achieved by a local cleaning technique in a clean room used in a semiconductor manufacturing apparatus. As described in Patent Documents 1 and 2, this technology further cleans a part of clean outside air fed into a clean room with a filter, and uses the individual duct to clean the cleaned air. It is supplied to a part (specifically, in a semiconductor manufacturing apparatus) where a clean atmosphere is required. In order to maintain an ultra-high clean atmosphere, the pressure of the portion to which the purified air is supplied (specifically, in the semiconductor manufacturing apparatus) is maintained at a pressure slightly higher than the pressure in the clean room space.
ＥＵＶＬ用反射型マスクの製造装置やＥＵＶＬ用マスクブランクスの製造装置（以下、総称した「ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置」という。）に、クリーンルーム内の局所クリーン化技術を適用する場合、クリーンルーム内に送給された清浄外気の一部を、フィルタを用いてさらに清浄化し、個別ダクトを用いてＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置に供給することになる。そして、超高清浄な雰囲気を維持するため、ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置内の圧力は、クリーンルーム空間の圧力よりもやや高い圧力に維持することとなる。 When applying a local cleaning technology in a clean room to an EUVL reflective mask manufacturing apparatus or an EUVL mask blank manufacturing apparatus (hereinafter referred to collectively as an EUVL mask (mask blank) manufacturing apparatus), A part of the clean outside air fed into the clean room is further cleaned using a filter and supplied to an EUVL mask (mask blank) manufacturing apparatus using an individual duct. In order to maintain an ultra-high clean atmosphere, the pressure in the EUVL mask (mask blank) manufacturing apparatus is maintained at a pressure slightly higher than the pressure in the clean room space.
しかしながら、ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置にクリーンルーム内の局所クリーン化技術を適用した場合に、扉の開閉等によるクリーンルーム内での圧力変動により、ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置内に異物が侵入し、製造されるＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）に異物が付着する場合があることが明らかになった。
上述したように、ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置内の圧力は、クリーンルーム空間の圧力よりもやや高い圧力に維持されている。しかしながら、扉の開閉等によるクリーンルーム内での圧力変動によって、両者の圧力差が一時的に喪失したり、両者の圧力差が一時的に逆転する場合がある。特に、１）製造装置が複数のクリーンルームにまたがって設けられており、該製造装置に存在する複数の開口部がそれぞれ異なるクリーンルーム内に位置している場合、２）製造装置が設置されているクリーンルームと扉を介して隣接しているクリーンルームの空間の圧力が、製造装置が設置されているクリーンルーム空間の圧力より高くなっている場合、３）製造設備が設置されているクリーンルームに複数の扉があり、それらの扉の開閉が同時に行われた場合には、製造装置内とクリーンルーム空間との圧力差の一時的な喪失や逆転が助長されやすい。
However, when the local clean technology in the clean room is applied to the EUVL mask (mask blanks) manufacturing device, the EUVL mask (mask blanks) manufacturing device is subject to pressure fluctuations in the clean room due to opening and closing of the door. It has been clarified that foreign matter may intrude into the EUVL and the foreign matter may adhere to the manufactured EUVL mask (mask blank).
As described above, the pressure in the EUVL mask (mask blank) manufacturing apparatus is maintained at a pressure slightly higher than the pressure in the clean room space. However, due to pressure fluctuations in the clean room due to opening and closing of the door, the pressure difference between the two may be temporarily lost, or the pressure difference between the two may be temporarily reversed. In particular, 1) When the manufacturing apparatus is provided over a plurality of clean rooms, and the plurality of openings existing in the manufacturing apparatus are located in different clean rooms, 2) The clean room in which the manufacturing apparatus is installed And the pressure in the clean room space adjacent to the door through the door is higher than the pressure in the clean room space where the manufacturing equipment is installed. 3) There are multiple doors in the clean room where the manufacturing equipment is installed. When the doors are opened and closed simultaneously, temporary loss or reversal of the pressure difference between the manufacturing apparatus and the clean room space is easily promoted.
さらに、製造装置の開口部を開閉する場合も、開口部の開閉動作に伴う圧力変動によって、製造装置内とクリーンルーム空間との圧力差が一時的に喪失したり、両者の圧力差が一時的に逆転する場合がある。特に、開口部の形状が開き戸の形状をしている場合には、両者の圧力差の一時的な喪失や逆転が助長されやすい。 Furthermore, when opening and closing the opening of the manufacturing apparatus, the pressure difference between the inside of the manufacturing apparatus and the clean room space is temporarily lost due to the pressure fluctuation accompanying the opening and closing operation of the opening, or the pressure difference between the two is temporarily It may reverse. In particular, when the shape of the opening is the shape of a hinged door, temporary loss or reversal of the pressure difference between the two tends to be promoted.
ＥＵＶリソグラフィではＥＵＶＬ用マスクのパターン寸法に対し、転写対象であるウェハ上の寸法は非常に小さい。したがって、縮小転写後に欠点にならない許容の異物サイズが、従来の透過光学系のリソグラフィに比べて、ＥＵＶＬ用マスクに関しては非常に小さい。
その結果、従来の半導体製造装置では問題にならなかった扉の開閉等によるクリーンルームでの圧力変動によって、ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置内に異物が侵入し、製造されるＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）に許容できないサイズの異物が付着する問題がしばしば見つかった。
In EUV lithography, the dimension on the wafer to be transferred is very small compared to the pattern dimension of the EUVL mask. Therefore, the allowable foreign material size that does not become a defect after the reduction transfer is very small for the EUVL mask as compared with the lithography of the conventional transmission optical system.
As a result, EUVL masks (manufactured by EUVL masks (mask blanks)) are produced due to pressure fluctuations in a clean room caused by opening and closing of a door, which has not been a problem in conventional semiconductor manufacturing apparatuses, and are manufactured. Problems have often been found where unacceptable foreign matter adheres to (mask blanks).
特許文献１、２に記載の局所クリーン化技術では、半導体製造装置内の圧力をクリーンルーム空間の圧力よりもやや高い圧力に維持するために、微差圧ダンパが設けられているが、扉の開閉等によるクリーンルームでの圧力変動のような、きわめて短時間の圧力変動には通常対応することができない。また、このようなきわめて短時間の圧力変動に対応可能な微差圧ダンパを設けた場合、微差圧ダンパの可動部が短い時間周期で頻繁に動作を繰り返すことになるので、かえって異物の発生源となるおそれがある。 In the local cleaning technology described in Patent Documents 1 and 2, a slight differential pressure damper is provided to maintain the pressure in the semiconductor manufacturing apparatus at a pressure slightly higher than the pressure in the clean room space. For example, pressure fluctuations in a very short time, such as pressure fluctuations in a clean room due to, etc., cannot usually be dealt with. In addition, when a micro differential pressure damper that can handle such a very short time pressure fluctuation is provided, the moving part of the micro differential pressure damper repeats its operation frequently in a short time period. May be a source.
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、クリーンルームでのきわめて短時間の圧力変動による影響が抑制されたＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an EUVL mask (mask blank) manufacturing apparatus in which the influence of pressure fluctuation in a clean room is suppressed in order to solve the above-described problems of the prior art.
上記した目的を達成するため、本発明は、全面垂直層流で清浄空気が循環されるクリーンルームのワーキングエリア内に設置された、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクまたはＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクスの製造装置であって、
前記製造装置は、前記クリーンルームのワーキングエリアに導入された清浄空気をさらに清浄化し、超清浄化空気として前記製造装置内に導入するためのファンフィルタユニット、搬出入用の開口部、および、前記製造装置内の圧力を前記クリーンルームのワーキングエリア内の圧力に対し陽圧に維持しつつ、前記超清浄化空気を前記製造装置から排気するための排気用の開口部を有し、
前記製造装置内での超清浄化空気の流通方向において、前記搬出入用の開口部より下流側、かつ、前記排気用の開口部よりも上流側の位置に、呼吸機構用の開口部が設けられており、該呼吸機構用の開口部が、前記製造装置内の圧力と、前記クリーンルームのワーキングエリア内の圧力と、の圧力差の変動に応じて、前記製造装置への清浄空気の導入または前記製造装置から超清浄化空気の排気を行う呼吸機構を有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクまたはＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクスの製造装置を提供する。
In order to achieve the above-described object, the present invention provides an apparatus for manufacturing a reflective mask for EUV lithography or a reflective mask blank for EUV lithography installed in a working area of a clean room in which clean air is circulated in a vertical laminar flow over the entire surface. Because
The manufacturing apparatus further purifies the clean air introduced into the working area of the clean room and introduces it into the manufacturing apparatus as ultra-clean air, an opening for carrying in and out, and the manufacturing While maintaining the pressure in the apparatus at a positive pressure relative to the pressure in the working area of the clean room, it has an exhaust opening for exhausting the ultra-cleaned air from the manufacturing apparatus,
In the flow direction of the ultra-clean air in the manufacturing apparatus, an opening for the breathing mechanism is provided at a position downstream of the opening for loading and unloading and upstream of the opening for exhaust. The opening for the breathing mechanism is configured to introduce clean air into the manufacturing apparatus or to change the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus and the pressure in the working area of the clean room. An apparatus for manufacturing a reflective mask for EUV lithography or a reflective mask blank for EUV lithography, comprising a breathing mechanism for exhausting ultra-cleaned air from the manufacturing apparatus.
本発明の製造装置において、前記呼吸機構は、一端が前記呼吸機構用の開口部と連通し、他端が前記クリーンルームのワーキングエリアへの清浄空気の導入部付近に位置する、清浄空気の導入管を有することが好ましい。
ここで、前記導入管にはフィルタが設けられていてもよい。
In the manufacturing apparatus of the present invention, the breathing mechanism has one end communicating with the opening for the breathing mechanism and the other end positioned near the introduction portion of the clean air into the working area of the clean room. It is preferable to have.
Here, the introduction pipe may be provided with a filter.
本発明の製造装置において、前記排気用の開口部は、前記製造装置内の圧力と、前記クリーンルームのワーキングエリア内の圧力と、の圧力差に応じて、開口面積を調節できることが好ましい。 In the manufacturing apparatus of the present invention, it is preferable that the opening area for exhaust can adjust the opening area according to a pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus and the pressure in the working area of the clean room.
本発明の製造装置において、前記呼吸機構用の開口部の開口面積をＳ１、前記排気用の開口部の開口面積をＳ２、前記搬出入用の開口部の開口時の開口面積をＳ３とするとき、これらが以下に示す関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＜Ｓ２、 Ｓ１＜Ｓ３
In the manufacturing apparatus of the present invention, when the opening area of the opening for the breathing mechanism is S1, the opening area of the opening for exhaust is S2, and the opening area at the time of opening the opening for loading / unloading is S3 These preferably satisfy the relationship shown below.
S1 <S2, S1 <S3
また、本発明の製造装置において、前記呼吸機構は、前記製造装置からの超清浄化空気の排気を防止するための逆止弁を有していることが好ましい。 Moreover, the manufacturing apparatus of this invention WHEREIN: It is preferable that the said breathing mechanism has a non-return valve for preventing the discharge | emission of the super-cleaning air from the said manufacturing apparatus.
本発明のＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置では、クリーンルームの扉部の開閉等によって、製造装置内の圧力と、クリーンルームのワーキングエリア内の圧力と、圧力差にきわめて短時間の変動が生じた場合であっても、製造装置に設けられた呼吸機構が受動的な圧力ダンパとして機能することで、該きわめて短時間の圧力差の変動による影響を抑制することができる。すなわち、圧力差のきわめて短時間の変動が生じた場合であっても、製造装置内の圧力をワーキングエリア内の圧力に対し陽圧に維持することができ、製造装置内に異物が侵入することを防止でき、製造されるＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）への異物の付着を防止できる。
また、本発明においては、製造装置内の圧力がワーキングエリア内の圧力に対し負圧となる場合であっても、負圧側への圧力変動がきわめて短時間であり、かつ、比較的軽微であるので、負圧側への圧力変動による影響を最小限に抑制し、製造装置内に異物が侵入することを防止でき、製造されるＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）への異物の付着を防止できる。具体的には、例えば負圧側への圧力変動の発生時間が１０秒以内であり、かつ、負圧側への圧力変動を−１Ｐａ／秒以下である。
製造装置内の圧力をワーキングエリア内の圧力に対し大幅に高い圧力に設定することでも、製造装置内の圧力がワーキングエリア内の圧力に対し常に陽圧に維持することは可能であるが、製造装置に大量の超清浄化空気を導入する必要があるため、設備維持費を安くすることができない。また、製造装置への超清浄化空気の導入量に対して、製造装置からの超清浄化空気の排気量が極端に少ない状態になるため、製造装置内に発生した異物が該製造装置内で滞留・循環する現象が発生し、かえってＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）への異物の付着を生じさせるおそれがある。
In the EUVL mask (mask blanks) manufacturing apparatus of the present invention, the pressure in the manufacturing apparatus, the pressure in the working area of the clean room, and the pressure difference fluctuate in a very short time due to the opening and closing of the door of the clean room. Even in this case, the respiration mechanism provided in the manufacturing apparatus functions as a passive pressure damper, so that it is possible to suppress the influence due to the fluctuation of the pressure difference for a very short time. In other words, even when the pressure difference fluctuates for a very short time, the pressure in the manufacturing apparatus can be kept positive with respect to the pressure in the working area, and foreign matter can enter the manufacturing apparatus. It is possible to prevent foreign matter from adhering to the EUVL mask (mask blank) to be manufactured.
Further, in the present invention, even when the pressure in the manufacturing apparatus is a negative pressure relative to the pressure in the working area, the pressure fluctuation to the negative pressure side is extremely short and relatively small. Therefore, the influence of the pressure fluctuation to the negative pressure side can be suppressed to the minimum, foreign matter can be prevented from entering the manufacturing apparatus, and foreign matter can be prevented from adhering to the manufactured EUVL mask (mask blank). Specifically, for example, the generation time of the pressure fluctuation to the negative pressure side is within 10 seconds, and the pressure fluctuation to the negative pressure side is −1 Pa / second or less.
Even if the pressure in the manufacturing equipment is set to be significantly higher than the pressure in the working area, the pressure in the manufacturing equipment can always be kept positive with respect to the pressure in the working area. Since it is necessary to introduce a large amount of ultra-clean air into the apparatus, the equipment maintenance cost cannot be reduced. In addition, since the amount of super-cleaned air exhausted from the manufacturing device is extremely small compared to the amount of super-cleaned air introduced into the manufacturing device, foreign matter generated in the manufacturing device is generated in the manufacturing device. There is a possibility that the phenomenon of stagnation / circulation occurs, and on the contrary, there is a risk of foreign matter adhering to the EUVL mask (mask blank).
以下、図面を参照して本発明について説明する。
図１は、本発明のＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置の一構成例を示した模式図である。
図１において、ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）製造装置２０は、クリーンルーム１０のワーキングエリア１１内に設置されている。
クリーンルーム１０の天井部１２から、天井ＨＥＰＡフィルター（図示せず）等の手段により、清浄空気がワーキングエリア１１内に導入される。清浄空気は、矢印ｘで示すように、全面垂直層流としてワーキングエリア１１内を流通し、床下部１３へと流出する。床下部１３へと流出した清浄空気は、循環流路（図示せず）を通じてクリーンルーム１０の天井部１２から再度ワーキングエリア１１内に導入される。このようにして、ワーキングエリア１１内を全面垂直層流として清浄空気が循環する。クリーンルーム１０には入退出用の扉部１４が設けられている。
なお、クリーンルーム１０のうち、全面垂直層流として清浄空気が循環するのはワーキングエリア１１であればよく、クリーンルーム内のワーキングエリア以外のエリア、例えば、メンテナンスエリアは、全面垂直層流として清浄空気が循環しておらず、乱流が生じていてもよい。
The present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of an EUVL mask (mask blank) manufacturing apparatus according to the present invention.
In FIG. 1, an EUVL mask (mask blank) manufacturing apparatus 20 is installed in a working area 11 of a clean room 10.
Clean air is introduced into the working area 11 from the ceiling 12 of the clean room 10 by means such as a ceiling HEPA filter (not shown). As shown by the arrow x, the clean air circulates in the working area 11 as a whole surface vertical laminar flow and flows out to the lower floor 13. The clean air that has flowed out to the lower floor 13 is again introduced into the working area 11 from the ceiling 12 of the clean room 10 through a circulation channel (not shown). In this way, clean air circulates in the working area 11 as a whole surface vertical laminar flow. The clean room 10 is provided with an entrance / exit door 14.
In the clean room 10, the clean air circulates as the entire vertical laminar flow in the working area 11. In areas other than the working area in the clean room, for example, the maintenance area, the clean air flows as the entire vertical laminar flow. It is not circulated and turbulence may occur.
ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）製造装置２０の上部には、ワーキングエリア内１１内に導入された清浄空気をさらに清浄化し、超清浄化空気として製造装置２０内に導入するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２５が設けられている。
製造装置２０は、載置台２３により上部ユニット２１および下部ユニット２２に分かれる。載置台２３には、製造後のＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）や、これらの製造に使用される基材（すなわち、ガラス基板等）を設置するためのカセット３０が載置されている。また、上部ユニット２１には、カセット３０の搬出入用の開口部２４が設けられている。下部ユニット２２には、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２５から導入された超清浄化空気を排気するための排気用の開口部２６が設けられている。このような構成により、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２５から製造装置２０内に導入された超清浄化空気は、矢印ｙで示すように、製造装置２０の上部ユニット２１から下部ユニット２２へと移動し、排気用の開口部２６からクリーンルーム１０の床下部１３へと排出される。なお、上部ユニット２１と、下部ユニット２２と、を分ける載置台３０には、超清浄化空気が流通するための開口部が設けられているため、載置台３０の存在により、上部ユニット２１から下部ユニット２２への超清浄化空気の移動が阻害されることがない。
In the upper part of the EUVL mask (mask blanks) manufacturing apparatus 20, a fan filter unit (FFU) for further purifying the clean air introduced into the working area 11 and introducing it into the manufacturing apparatus 20 as ultra-clean air. ) 25 is provided.
The manufacturing apparatus 20 is divided into an upper unit 21 and a lower unit 22 by a mounting table 23. On the mounting table 23, a cassette 30 for mounting a mask for EUVL (mask blanks) after manufacture and a base material (that is, a glass substrate or the like) used for manufacturing these is mounted. The upper unit 21 is provided with an opening 24 for loading and unloading the cassette 30. The lower unit 22 is provided with an exhaust opening 26 for exhausting ultra-cleaned air introduced from a fan filter unit (FFU) 25. With such a configuration, the ultra-clean air introduced from the fan filter unit (FFU) 25 into the manufacturing apparatus 20 moves from the upper unit 21 to the lower unit 22 of the manufacturing apparatus 20 as indicated by an arrow y. Then, the air is discharged from the exhaust opening 26 to the lower floor 13 of the clean room 10. The mounting table 30 that divides the upper unit 21 and the lower unit 22 is provided with an opening for circulating ultra-cleaned air. The movement of the ultra-clean air to the unit 22 is not hindered.
ここで、矢印ｙで示す製造装置２０内での超清浄化空気の流通方向における位置関係に着目すると、下部ユニット２２に設けられた排気用の開口部２６は、上部ユニット２１に設けられた搬出入用の開口部２４よりも下流側に位置していることになる。
本発明の製造装置では、このように、製造装置内での超清浄化空気の流通方向における位置関係に着目した場合に、超清浄化空気を製造装置から排気するための排気用の開口部２６が、搬出入用の開口部２４より下流側に位置する必要がある。超清浄化空気を製造装置から排気するための排気用の開口部２６が、搬出入用の開口部２４よりも上流側に位置すると、製造装置内での超清浄化空気の流れ、特に、カセット３０が載置された載置台２３付近での超清浄化空気の流れ、に乱れが生じ、異物が生じさせるおそれがある。
Here, paying attention to the positional relationship in the flow direction of the ultra-clean air in the manufacturing apparatus 20 indicated by the arrow y, the exhaust opening 26 provided in the lower unit 22 is carried out in the carry-out provided in the upper unit 21. It is located downstream of the opening 24 for entry.
In the manufacturing apparatus of the present invention, when attention is paid to the positional relationship in the flow direction of the ultracleaned air in the manufacturing apparatus as described above, the exhaust opening 26 for exhausting the ultracleaned air from the manufacturing apparatus. However, it is necessary to be located downstream from the opening 24 for carrying in and out. When the exhaust opening 26 for exhausting the ultra-clean air from the manufacturing apparatus is located upstream of the carry-in / out opening 24, the flow of the ultra-clean air in the manufacturing apparatus, in particular, the cassette. There is a possibility that the flow of ultra-clean air near the mounting table 23 on which the 30 is mounted is disturbed and foreign matter is generated.
排気用の開口部２６は、製造装置２０内の圧力と、クリーンルーム１０のワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差に応じて、開口面積を調節することができる。排気用の開口部２６の開口面積を調節することによって、製造装置２０内の圧力をクリーンルーム１０のワーキングエリア１１内の圧力に対し陽圧に維持し、ワーキングエリア１１から製造装置２０内に異物が侵入するのを防止している。 The opening 26 for exhaust can adjust an opening area according to the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 of the clean room 10. By adjusting the opening area of the exhaust opening 26, the pressure in the manufacturing apparatus 20 is maintained at a positive pressure relative to the pressure in the working area 11 of the clean room 10, and foreign matter is generated from the working area 11 into the manufacturing apparatus 20. Preventing intrusion.
しかしながら、上述したように、扉部１４の開閉等によるクリーンルーム１０のワーキングエリア１１での圧力変動によって、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が一時的に喪失したり、両者の圧力差が一時的に逆転する場合がある。
上述したように、排気用の開口部２６は、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差に応じて、開口面積を調節することができるが、扉部１４の開閉等によるワーキングエリア１１内での圧力変動のような、きわめて短時間の圧力変動には対応することは困難である。
本発明の製造装置２０では、呼吸機構を設けることで、ワーキングエリア１１内でのきわめて短時間の圧力変動による影響を抑制することができ、製造装置２０内の圧力をワーキングエリア１１内の圧力に対し陽圧に維持することができ、製造装置内に異物が侵入することを防止でき、製造されるＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）への異物の付着を防止できる。
また、製造装置２０内の圧力がワーキングエリア１１内の圧力に対し負圧となる場合であっても、負圧側への圧力変動がきわめて短時間であり、かつ、比較的軽微であるので、ば、負圧側への圧力変動による影響を最小限に抑制し、製造装置内に異物が侵入することを防止でき、製造されるＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）への異物の付着を防止できる。具体的には、たとえば負圧側への圧力変動の発生時間が１０秒以内であり、かつ、負圧側への圧力変動が−１Ｐａ／秒以下である。
However, as described above, the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 is temporarily lost due to the pressure fluctuation in the working area 11 of the clean room 10 due to the opening / closing of the door portion 14 or the like. Or the pressure difference between the two may be temporarily reversed.
As described above, the opening 26 for exhaust can adjust the opening area according to the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11. It is difficult to deal with pressure fluctuations for a very short time such as pressure fluctuations in the working area 11 due to opening and closing.
In the manufacturing apparatus 20 of the present invention, by providing a breathing mechanism, it is possible to suppress the influence of pressure fluctuation in the working area 11 for a very short time, and the pressure in the manufacturing apparatus 20 is changed to the pressure in the working area 11. In contrast, the positive pressure can be maintained, foreign matter can be prevented from entering the manufacturing apparatus, and foreign matter can be prevented from adhering to the EUVL mask (mask blank) to be produced.
Even when the pressure in the manufacturing apparatus 20 is a negative pressure relative to the pressure in the working area 11, the pressure fluctuation to the negative pressure side is extremely short and relatively slight. Thus, the influence of pressure fluctuations on the negative pressure side can be suppressed to the minimum, foreign matter can be prevented from entering the manufacturing apparatus, and foreign matter can be prevented from adhering to the manufactured EUVL mask (mask blank). Specifically, for example, the time of occurrence of pressure fluctuation to the negative pressure side is within 10 seconds, and the pressure fluctuation to the negative pressure side is −1 Pa / second or less.
本発明における呼吸機構とは、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差の変動に応じて、製造装置２０への清浄空気の導入または製造装置２０から超清浄化空気の排気を行う手段である。製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が減少した場合は製造装置２０へ清浄空気を導入することによって圧力差の減少を抑制する。また、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が逆転した場合、すなわち、製造装置２０内の圧力がワーキングエリア１１内の圧力に対し負圧となった場合は、製造装置２０へ清浄空気を導入することによって、負圧側への圧力変動による影響を最小限に抑制する。
一方、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が増加した場合は、製造装置２０から超清浄化空気の排気を行うことによって、圧力差の増加を抑制する。
このようにして、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差に変動が生じた場合に、呼吸機構が受動的な圧力ダンパとして機能することで、ワーキングエリア１１内でのきわめて短時間の圧力変動による影響を抑制する。
The breathing mechanism in the present invention refers to introduction of clean air into the manufacturing apparatus 20 or ultra-cleaning from the manufacturing apparatus 20 in accordance with the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11. It is a means for exhausting air. When the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 decreases, the decrease in the pressure difference is suppressed by introducing clean air into the manufacturing apparatus 20. Further, when the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 is reversed, that is, when the pressure in the manufacturing apparatus 20 becomes negative with respect to the pressure in the working area 11. Introducing clean air into the manufacturing apparatus 20 minimizes the influence of pressure fluctuations on the negative pressure side.
On the other hand, when the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 increases, the increase in the pressure difference is suppressed by exhausting the ultracleaned air from the manufacturing apparatus 20.
In this way, when the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 varies, the respiratory mechanism functions as a passive pressure damper, so that the inside of the working area 11 Suppresses the effects of very short pressure fluctuations.
図１に示す呼吸機構は導入管２８として構成される。該導入管２８の一端２８ｂは、製造装置２０の下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７と連通し、他端２８ａがクリーンルーム１０の天井部１２付近に位置する。これにより、ワーキングエリア１１への清浄空気の導入部である、天井部１２付近の清浄度の高い清浄空気を製造装置２０へ導入できる。
製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が減少した場合や、圧力差が逆転した場合は、呼吸機構として機能する導入管２８の他端２８ａから清浄空気が取り込まれ、該導入管２８の一端から下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７を通じて製造装置２０へと導入される。上述したように、導入管２８の他端２８ａは、ワーキングエリア１１への清浄空気の導入部である、クリーンルーム１０の天井部１２付近に位置しているので、清浄度の高い清浄空気を製造装置２０へ導入することができる。
一方、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が増加した場合は、下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７と連通する導入管２８の一端２８ｂを通じて、導入管２８の他端２８ａから製造装置２０内の超清浄化空気が排気される。
なお、導入管２８の他端２８ａが、ワーキングエリア１１の下方、たとえば、床付近に存在すると、ワーキングエリア１１内を流通する過程で清浄度が低下した清浄空気が取り込まれることになり、製造装置１０内への異物を侵入させるおそれがある。
The breathing mechanism shown in FIG. One end 28 b of the introduction pipe 28 communicates with a breathing mechanism opening 27 provided in the lower unit 22 of the manufacturing apparatus 20, and the other end 28 a is located near the ceiling 12 of the clean room 10. Thereby, clean air with high cleanliness near the ceiling portion 12, which is a clean air introduction portion to the working area 11, can be introduced into the manufacturing apparatus 20.
When the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 decreases or when the pressure difference is reversed, clean air is taken in from the other end 28a of the introduction pipe 28 that functions as a breathing mechanism. Then, it is introduced into the manufacturing apparatus 20 from one end of the introduction pipe 28 through the opening 27 for the breathing mechanism provided in the lower unit 22. As described above, the other end 28a of the introduction pipe 28 is located in the vicinity of the ceiling 12 of the clean room 10, which is an introduction part of the clean air to the working area 11, so that clean air having a high cleanliness is produced by the manufacturing apparatus. 20 can be introduced.
On the other hand, when the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 increases, one end 28b of the introduction pipe 28 that communicates with the breathing mechanism opening 27 provided in the lower unit 22. Then, the ultra-clean air in the manufacturing apparatus 20 is exhausted from the other end 28a of the introduction pipe 28.
If the other end 28a of the introduction pipe 28 exists below the working area 11, for example, in the vicinity of the floor, clean air having a reduced cleanliness is taken in the process of flowing through the working area 11, and the manufacturing apparatus There is a risk of foreign matter entering the inside of the apparatus 10.
ここで、矢印ｙで示す製造装置２０内での超清浄化空気の流通方向における位置関係に着目すると、導入管２８の一端と連通する下部ユニット２２の呼吸機構用の開口部２７は、上部ユニット２１に設けられた搬出入用の開口部２４よりも下流側に位置し、かつ、排気用の開口部２６よりも上流側に位置することになる。
本発明の製造装置では、このように、製造装置内での超清浄化空気の流通方向における位置関係に着目した場合に、製造装置に設けられた呼吸機構用の開口部２７が、搬出入用の開口部２４より下流側に位置し、かつ、排気用の開口部２６よりも上流側に位置する必要がある。呼吸機構用の開口部２７が、搬出入用の開口部２４よりも上流側に位置すると、呼吸機構からの製造装置２０への清浄空気の導入、または、製造装置２０から呼吸機構への超清浄化空気の排気が行われた際に、製造装置内での超清浄化空気の流れ、特に、カセット３０が載置された載置台２３付近での超清浄化空気の流れ、に乱れが生じ、異物が生じさせるおそれがある。
また、呼吸機構用の開口部２７が、排気用の開口部２６よりも下流側に位置すると、呼吸機構からの製造装置２０への清浄空気の導入、または、製造装置２０から呼吸機構への超清浄化空気の排気が行われた際に、製造装置内での超清浄化空気の流れ、特に、カセット３０が載置された載置台２３付近での超清浄化空気の流れ、に乱れが生じ、異物が生じさせるおそれがあることに加えて、図１における呼吸機構用の開口部２７と、排気用の開口部２６と、の位置関係が入れ替わることになるため、呼吸機構からの製造装置２０への清浄空気の導入や、製造装置２０から呼吸機構への超清浄化空気の排気が行われない状態（つまり、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差の変動が無い状態）においても、製造装置内での超清浄化空気の流れ、特に、カセット３０が載置された載置台２３付近での超清浄化空気の流れ、に乱れが生じ、異物が生じさせるおそれがある。
Here, focusing on the positional relationship in the flow direction of the ultra-clean air in the manufacturing apparatus 20 indicated by the arrow y, the opening 27 for the breathing mechanism of the lower unit 22 communicating with one end of the introduction tube 28 is the upper unit. 21 is located on the downstream side with respect to the opening 24 for carrying in and out, and is located on the upstream side with respect to the opening 26 for exhaust.
In the manufacturing apparatus of the present invention, when attention is paid to the positional relationship in the flow direction of the ultra-cleaned air in the manufacturing apparatus, the opening 27 for the breathing mechanism provided in the manufacturing apparatus is used for carrying in / out. It is necessary to be located downstream of the opening 24 and upstream of the exhaust opening 26. When the opening 27 for the breathing mechanism is positioned on the upstream side of the opening 24 for carrying in / out, introduction of clean air from the breathing mechanism to the manufacturing apparatus 20 or ultra-cleanness from the manufacturing apparatus 20 to the breathing mechanism. When the evacuated air is exhausted, a disturbance occurs in the flow of the ultra-clean air in the manufacturing apparatus, in particular, the flow of the ultra-clean air in the vicinity of the mounting table 23 on which the cassette 30 is mounted, There is a risk of foreign matter being generated.
When the opening 27 for the breathing mechanism is positioned downstream of the opening 26 for exhaust, introduction of clean air from the breathing mechanism to the manufacturing apparatus 20 or the superposition from the manufacturing apparatus 20 to the breathing mechanism. When the cleaning air is exhausted, the flow of the ultra-cleaning air in the manufacturing apparatus, particularly the flow of the ultra-cleaning air near the mounting table 23 on which the cassette 30 is mounted, is disturbed. In addition to the possibility of causing foreign matter, the positional relationship between the opening 27 for the breathing mechanism and the opening 26 for exhausting in FIG. In a state in which the clean air is not introduced into the apparatus and the ultra-clean air is not exhausted from the manufacturing apparatus 20 to the breathing mechanism (that is, the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11). Manufacturing even in the absence of fluctuations) Ultra clean air flow in 置内, in particular, ultra-clean air flow in the vicinity of the mounting table 23 which cassette 30 is placed, the disturbance occurs, there is a possibility that foreign matter causing.
呼吸機構は、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差の変動に応じて、製造装置２０への清浄空気の導入または製造装置２０から超清浄化空気の排気を行う手段であるが、圧力差の変動が無い状況では、呼吸機構から製造装置２０への清浄空気の導入や、製造装置２０から呼吸機構への超清浄化空気の排気は起こらないことが好ましい。
このため、製造装置２０に設けられた呼吸機構用の開口部２７と、呼吸機構以外の目的で製造装置２０に設けられた開口部（すなわち、搬出入用の開口部２４、排気用の開口部２６）と、を比較した場合、呼吸機構用の開口部２７のほうが小さいことが好ましい。具体的には、呼吸機構用の開口部２７の開口面積をＳ１、排気用の開口部２６の開口面積をＳ２、搬出入用の開口部２４の開口時の開口面積をＳ３とするとき、これらが以下に示す関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＜Ｓ２、 Ｓ１＜Ｓ３
さらに、Ｓ１＜１／２×Ｓ２の関係を満たすことが好ましい。
The breathing mechanism introduces clean air into the manufacturing apparatus 20 or exhausts ultracleaned air from the manufacturing apparatus 20 in accordance with the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11. Although it is a means to perform, in the situation where there is no fluctuation of the pressure difference, it is preferable that introduction of clean air from the breathing mechanism to the manufacturing apparatus 20 and exhaust of ultra-clean air from the manufacturing apparatus 20 to the breathing mechanism do not occur.
For this reason, the opening 27 for the breathing mechanism provided in the manufacturing apparatus 20 and the opening provided in the manufacturing apparatus 20 for the purpose other than the breathing mechanism (that is, the opening 24 for carrying in and out, the opening for exhausting). 26), it is preferable that the opening 27 for the respiratory mechanism is smaller. Specifically, when the opening area of the opening 27 for the breathing mechanism is S1, the opening area of the opening 26 for exhaust is S2, and the opening area when the opening 24 for loading / unloading is S3 is these Preferably satisfies the relationship shown below.
S1 <S2, S1 <S3
Furthermore, it is preferable to satisfy the relationship of S1 <1/2 × S2.
また、呼吸機構の機能としては、製造装置２０内の圧力とワーキングエリア１１内の圧力との圧力差が増加した場合に製造装置２０から超清浄化空気の排気を行う機能よりも、製造装置２０内の圧力とワーキングエリア１１内の圧力との圧力差が減少した場合や、圧力差が逆転した場合に製造装置２０へ清浄空気を導入のほうがより重要であるので、呼吸機構の機能を後者に限定するため、製造装置２０からの超清浄化空気の排気を防止するための逆止弁を導入管２８に設けてもよい。 Further, the function of the breathing mechanism is greater than the function of exhausting ultra-cleaned air from the manufacturing apparatus 20 when the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 increases. Since it is more important to introduce clean air into the manufacturing apparatus 20 when the pressure difference between the pressure in the working area 11 and the pressure in the working area 11 decreases or when the pressure difference is reversed, the function of the breathing mechanism is set to the latter. For the purpose of limitation, a check valve for preventing the exhaust of ultra-cleaned air from the manufacturing apparatus 20 may be provided in the introduction pipe 28.
本発明における呼吸機構は、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差の変動に応じて、製造装置２０への清浄空気の導入または製造装置２０から超清浄化空気の排気を行うことができる限り、上記した構成に限定されない。
呼吸機構の他の構成としては、例えば、製造装置２０の下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７に導入管２８を連通させる代わりに、該開口部２７にＨＥＰＡフィルタ等のフィルタを取り付けたものが挙げられる。このような構成であっても、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が減少した場合や、圧力差が逆転した場合は、下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７から製造装置２０内に清浄空気を導入することができ、製造装置２０内の圧力と、ワーキングエリア１１内の圧力と、の圧力差が増加した場合は、下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７から製造装置２０内の超清浄化空気が排気することができる。
ここで、呼吸機構の機能を前者に限定するために、製造装置２０からの超清浄化空気の排気を防止するための逆止弁を呼吸機構用の開口部２７に設けてもよい。
The breathing mechanism according to the present invention introduces clean air into the manufacturing apparatus 20 or ultra-cleaned air from the manufacturing apparatus 20 according to the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11. As long as the exhaust can be performed, the configuration is not limited to the above.
As another configuration of the breathing mechanism, for example, instead of connecting the introduction pipe 28 to the opening 27 for the breathing mechanism provided in the lower unit 22 of the manufacturing apparatus 20, a filter such as a HEPA filter is provided in the opening 27. One that is attached. Even in such a configuration, when the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 decreases or the pressure difference reverses, the breathing provided in the lower unit 22 When clean air can be introduced into the manufacturing apparatus 20 from the opening 27 for the mechanism, and the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus 20 and the pressure in the working area 11 increases, The ultra-clean air in the manufacturing apparatus 20 can be exhausted from the provided opening 27 for the breathing mechanism.
Here, in order to limit the function of the breathing mechanism to the former, a check valve for preventing the exhaust of the ultra-cleaned air from the manufacturing apparatus 20 may be provided in the opening 27 for the breathing mechanism.
なお、図１に示した態様の呼吸機構についても、製造装置２０内に導入する清浄空気の清浄度を高めるために、ガスパーティクルフィルタ等のフィルタを導入管２８に設けてもよい。 1 may also be provided with a filter such as a gas particle filter in the introduction pipe 28 in order to increase the cleanliness of the clean air introduced into the manufacturing apparatus 20.
（実施例１）
本実施例では、図１に示す製造装置２０のカセット３０にガラス基板を設置し１時間放置した後にガラス基板を取り出した。排気系２６の開口部の開口面積を調節することによって、製造装置２０内の圧力をクリーンルーム１０のワーキングエリア１１内の圧力に対して３Ｐａ陽圧に保持していた。ここで、導入管２８の一端２８ｂと連通している下部ユニット２２の呼吸機構用の開口部２７の開口面積は、排気用の開口部２６の開口面積、および、搬出入用の開口部２４の開口時の開口面積よりも小さかった。また、ガラス基板の設置後、クリーンルーム１０の開き戸形状の扉部１４の開閉動作を１０回実施した。ここで、扉部１４の開閉動作時には、製造装置２０内の圧力がワーキングエリア１１内の圧力に対し一時的に負圧となったが、負圧側への圧力変動の発生時間が１０秒以内であり、かつ、負圧側への圧力変動は−１Ｐａ／秒以下であった。
取り出したガラス基板について、０．２μｍ以上の大きさの異物の有無を市販の欠陥検査装置（レーザーテック社製Ｍ１３２０）を用いて確認した。
その結果、０．２μｍ以上の大きさの異物の付着は確認されなかった。この結果から、扉部１４の開閉動作による、製造装置２０内の負圧側への圧力変動による影響が抑制されたことが確認された。
Example 1
In this example, a glass substrate was set in the cassette 30 of the manufacturing apparatus 20 shown in FIG. By adjusting the opening area of the opening of the exhaust system 26, the pressure in the manufacturing apparatus 20 was maintained at 3 Pa positive pressure with respect to the pressure in the working area 11 of the clean room 10. Here, the opening area of the opening 27 for the breathing mechanism of the lower unit 22 communicating with the one end 28 b of the introduction pipe 28 is the opening area of the opening 26 for exhaust and the opening 24 for carrying in and out. It was smaller than the opening area at the time of opening. Moreover, the opening / closing operation | movement of the door part 14 of the hinged door shape of the clean room 10 was implemented 10 times after installation of a glass substrate. Here, during the opening / closing operation of the door portion 14, the pressure in the manufacturing apparatus 20 temporarily becomes negative with respect to the pressure in the working area 11, but the occurrence time of pressure fluctuation to the negative pressure side is within 10 seconds. In addition, the pressure fluctuation toward the negative pressure side was −1 Pa / sec or less.
About the taken-out glass substrate, the presence or absence of the foreign material of a magnitude | size of 0.2 micrometer or more was confirmed using the commercially available defect inspection apparatus (Lasertec M1320).
As a result, adhesion of foreign matter having a size of 0.2 μm or more was not confirmed. From this result, it was confirmed that the influence by the pressure fluctuation to the negative pressure side in the manufacturing apparatus 20 by the opening / closing operation | movement of the door part 14 was suppressed.
（実施例２）
排気系の開口部２６の開口面積を調節することによって、製造装置２０内の圧力をクリーンルーム１０のワーキングエリア１１内の圧力に対して０．５Ｐａ陽圧に保持した以外は実施例１と同様の手順を実施した。
製造装置２０のカセット３０にガラス基板を設置し１時間放置した後に取り出したガラス基板には０．２μｍ以上の大きさの異物の付着は確認されなかった。この結果から、扉部１４の開閉動作による、製造装置２０内の負圧側への圧力変動による影響が抑制されたことが確認された。
(Example 2)
By adjusting the opening area of the opening 26 of the exhaust system, the pressure in the manufacturing apparatus 20 is maintained at a positive pressure of 0.5 Pa with respect to the pressure in the working area 11 of the clean room 10. The procedure was carried out.
The glass substrate was placed in the cassette 30 of the manufacturing apparatus 20 and left for 1 hour, and then the foreign matter having a size of 0.2 μm or more was not confirmed on the glass substrate taken out. From this result, it was confirmed that the influence by the pressure fluctuation to the negative pressure side in the manufacturing apparatus 20 by the opening / closing operation | movement of the door part 14 was suppressed.
（実施例３）
ＨＥＰＡフィルタを備えた導入管２８を用いた以外は実施例１と同様の手順を実施した。
製造装置２０のカセット３０にガラス基板を設置し１時間放置した後に取り出したガラス基板には０．２μｍ以上の大きさの異物の付着は確認されなかった。この結果から、扉部１４の開閉動作による、製造装置２０内の負圧側への圧力変動による影響が抑制されたことが確認された。
(Example 3)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the introduction pipe 28 provided with a HEPA filter was used.
The glass substrate was placed in the cassette 30 of the manufacturing apparatus 20 and left for 1 hour, and then the foreign matter having a size of 0.2 μm or more was not confirmed on the glass substrate taken out. From this result, it was confirmed that the influence by the pressure fluctuation to the negative pressure side in the manufacturing apparatus 20 by the opening / closing operation | movement of the door part 14 was suppressed.
（実施例４）
図１に示す導入管２８の代わりに、製造装置２０の下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７にＨＥＰＡフィルタを取り付けたものを使用した以外は実施例１と同様の手順を実施した。
製造装置２０のカセット３０にガラス基板を設置し１時間放置した後に取り出したガラス基板には０．２μｍ以上の大きさの異物の付着は確認されなかった。この結果から、扉部１４の開閉動作による、製造装置２０内の負圧側への圧力変動による影響が抑制されたことが確認された。
Example 4
Instead of the introduction pipe 28 shown in FIG. 1, the same procedure as in Example 1 was performed except that a breathing mechanism opening 27 provided in the lower unit 22 of the manufacturing apparatus 20 with a HEPA filter attached thereto was used. did.
The glass substrate was placed in the cassette 30 of the manufacturing apparatus 20 and left for 1 hour, and then the foreign matter having a size of 0.2 μm or more was not confirmed on the glass substrate taken out. From this result, it was confirmed that the influence by the pressure fluctuation to the negative pressure side in the manufacturing apparatus 20 by the opening / closing operation | movement of the door part 14 was suppressed.
（比較例１）
排気用の開口部２６の開口面積を調節することによって、製造装置２０内の圧力をクリーンルーム１０のワーキングエリア１１内の圧力に対して常時１Ｐａ陰圧に保持した以外は実施例１と同様の手順を実施した。
ワーキングエリア１１から製造装置２０への気流の逆流が確認された。そのため、ガラス基板への異物の付着の有無は確認しなかった。
(Comparative Example 1)
By adjusting the opening area of the exhaust opening 26, the procedure is the same as in the first embodiment except that the pressure in the manufacturing apparatus 20 is always kept at 1 Pa negative pressure relative to the pressure in the working area 11 of the clean room 10. Carried out.
The backflow of the airflow from the working area 11 to the manufacturing apparatus 20 was confirmed. For this reason, the presence or absence of foreign matter adhering to the glass substrate was not confirmed.
（比較例２）
製造装置２０内での超清浄化空気の流通方向において、排気用の開口部２６を搬出入用の開口部２４よりも上流側に設けた以外は実施例１と同様の手順を実施した。
製造装置２０のカセット３０にガラス基板を設置し１時間放置した後に取り出したガラス基板には０．２μｍ以上の大きさの異物が３個付着していることが確認された。製造装置内での超清浄化空気の流れに乱れが生じたことがガラス基板への異物の付着の原因と考えられる。
(Comparative Example 2)
The same procedure as in Example 1 was performed except that the exhaust opening 26 was provided upstream of the carry-in / out opening 24 in the flow direction of the ultra-clean air in the manufacturing apparatus 20.
It was confirmed that three foreign substances having a size of 0.2 μm or more were attached to the glass substrate taken out after the glass substrate was placed in the cassette 30 of the manufacturing apparatus 20 and left for 1 hour. It is considered that the disturbance of the flow of ultra-clean air in the manufacturing apparatus is the cause of the adhesion of foreign matter to the glass substrate.
（比較例３）
製造装置２０の下部ユニット２２に呼吸機構用の開口部２７が設けられておらず、該開口部２７に一端２８ｂが連通する導入管２８が設けられていない点以外は実施例１と同様の手順を実施した。
製造装置２０のカセット３０にガラス基板を設置し１時間放置した後に取り出したガラス基板には０．２μｍ以上の大きさの異物が３個付着していることが確認された。この結果から、扉部１４の開閉動作による、製造装置２０内の負圧側への圧力変動により、製造装置２０内に異物が侵入したことがガラス基板への異物の付着の原因と考えられる。
(Comparative Example 3)
A procedure similar to that of the first embodiment except that the lower unit 22 of the manufacturing apparatus 20 is not provided with the opening 27 for the breathing mechanism, and the opening 27 is not provided with the introduction pipe 28 communicating with the one end 28b. Carried out.
It was confirmed that three foreign substances having a size of 0.2 μm or more were attached to the glass substrate taken out after the glass substrate was placed in the cassette 30 of the manufacturing apparatus 20 and left for 1 hour. From this result, it is considered that the foreign matter has entered the manufacturing apparatus 20 due to the pressure fluctuation toward the negative pressure side in the manufacturing apparatus 20 due to the opening / closing operation of the door portion 14, which is a cause of the adhesion of the foreign substances to the glass substrate.
（比較例４）
製造装置２０の下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７からＨＥＰＡフィルタを取り外した以外は実施例４と同様の手順を実施した。
製造装置２０のカセット３０にガラス基板を設置し１時間放置した後に取り出したガラス基板には０．２μｍ以上の大きさの異物が７個付着していることが確認された。下部ユニット２２に設けられた呼吸機構用の開口部２７から製造装置２０内に異物が侵入したことがガラス基板への異物の付着の原因と考えられる。
(Comparative Example 4)
The same procedure as in Example 4 was performed except that the HEPA filter was removed from the opening 27 for the breathing mechanism provided in the lower unit 22 of the manufacturing apparatus 20.
It was confirmed that seven foreign substances having a size of 0.2 μm or more were attached to the glass substrate taken out after the glass substrate was placed in the cassette 30 of the manufacturing apparatus 20 and left for 1 hour. It is considered that the foreign matter has entered the manufacturing apparatus 20 from the opening 27 for the breathing mechanism provided in the lower unit 22, which is a cause of the foreign matter adhering to the glass substrate.
１０：クリーンルーム
１１：ワーキングエリア
１２：天井部
１３：床下部
１４：扉部
２０：ＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）製造装置
２１：上部ユニット
２２：下部ユニット
２３：載置台
２４：搬出入用開口部
２５：ファンフィルタユニット
２６：排気用の開口部
２７：呼吸機構用の開口部
２８：導入管
２８ａ：他端
２８ｂ：一端
３０：カセット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: Clean room 11: Working area 12: Ceiling part 13: Lower floor 14: Door part 20: EUVL mask (mask blanks) manufacturing apparatus 21: Upper unit 22: Lower unit 23: Mounting table 24: Opening / unloading opening 25 : Fan filter unit 26: Exhaust opening 27: Respiratory mechanism opening 28: Introduction pipe 28a: Other end 28b: One end 30: Cassette
Claims (5)
前記製造装置は、前記クリーンルームのワーキングエリアに導入された清浄空気をさらに清浄化し、超清浄化空気として前記製造装置内に導入するためのファンフィルタユニット、搬出入用の開口部、前記製造装置内の圧力を前記クリーンルームのワーキングエリア内の圧力に対し陽圧に維持しつつ、前記超清浄化空気を前記製造装置から排気するための排気用の開口部を有し、
前記製造装置内での超清浄化空気の流通方向において、前記搬出入用の開口部より下流側、かつ、前記排気用の開口部よりも上流側の位置に、呼吸機構用の開口部が設けられており、該呼吸機構用の開口部が、前記製造装置内の圧力と、前記クリーンルームのワーキングエリア内の圧力と、の圧力差の変動に応じて、前記製造装置への清浄空気の導入または前記製造装置から超清浄化空気の排気を行う呼吸機構を有し、前記呼吸機構は、一端が前記呼吸機構用の開口部と連通し、他端が前記クリーンルームのワーキングエリアへの清浄空気の導入部付近に位置する、清浄空気の導入管を有していることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクまたはＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクスの製造装置。 An apparatus for manufacturing a reflective mask for EUV lithography or a reflective mask blank for EUV lithography, installed in a working area of a clean room in which clean air is circulated in an entire vertical laminar flow,
The manufacturing apparatus further purifies the clean air introduced into the working area of the clean room and introduces it into the manufacturing apparatus as ultra-clean air, an opening for loading / unloading, the inside of the manufacturing apparatus An exhaust opening for exhausting the ultra-cleaned air from the manufacturing apparatus while maintaining a positive pressure relative to the pressure in the working area of the clean room,
In the flow direction of the ultra-clean air in the manufacturing apparatus, an opening for the breathing mechanism is provided at a position downstream of the opening for loading and unloading and upstream of the opening for exhaust. The opening for the breathing mechanism is configured to introduce clean air into the manufacturing apparatus or to change the pressure difference between the pressure in the manufacturing apparatus and the pressure in the working area of the clean room. have a breathing mechanism for exhaust of the ultra clean air from the production apparatus, the breathing mechanism has one end communicating with the opening for the breathing mechanism, introducing the other end of the clean air to the working area of the clean room An apparatus for manufacturing a reflective mask for EUV lithography or a reflective mask blank for EUV lithography , comprising a clean air introduction pipe located in the vicinity of the part .
Ｓ１＜Ｓ２、 Ｓ１＜Ｓ３S1 <S2, S1 <S3
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