JP5721817B2 - Cathode - Google Patents

Cathode Download PDF

Info

Publication number
JP5721817B2
JP5721817B2 JP2013509737A JP2013509737A JP5721817B2 JP 5721817 B2 JP5721817 B2 JP 5721817B2 JP 2013509737 A JP2013509737 A JP 2013509737A JP 2013509737 A JP2013509737 A JP 2013509737A JP 5721817 B2 JP5721817 B2 JP 5721817B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base material
backing plate
target
main surface
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013509737A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2012140804A1 (en
Inventor
善勝 佐藤
善勝 佐藤
哲宏 大野
哲宏 大野
弘樹 大空
弘樹 大空
重光 佐藤
重光 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2013509737A priority Critical patent/JP5721817B2/en
Publication of JPWO2012140804A1 publication Critical patent/JPWO2012140804A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5721817B2 publication Critical patent/JP5721817B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3417Arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • H01J37/3429Plural materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、スパッタリング法による成膜装置内に用いられるカソードに関する。
本願は、2011年4月15日に出願された特願2011−091188号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to a cathode used in a film forming apparatus using a sputtering method.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-091188 for which it applied on April 15, 2011, and uses the content here.

半導体デバイス分野又はフラットパネルディスプレイ(FPD)分野において、各種の薄膜を形成する装置として、スパッタリング装置が用いられている。
一般的なスパッタリング装置では、チャンバ内にスパッタリング用のカソードが設けられ、減圧したチャンバ内において、カソードに取り付けられたターゲットと所定の間隔を空けて対向するように被処理体が配置される。
次に、チャンバ内に不活性ガス(例えば、アルゴンガス)を導入し、ターゲットに負の電圧を印加して放電させ、放電によりイオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させる。
そして、ターゲットから飛び出す粒子を被処理体に付着させることにより、成膜処理が行われる。
In the semiconductor device field or the flat panel display (FPD) field, a sputtering apparatus is used as an apparatus for forming various thin films.
In a general sputtering apparatus, a cathode for sputtering is provided in a chamber, and an object to be processed is arranged so as to face a target attached to the cathode at a predetermined interval in a decompressed chamber.
Next, an inert gas (for example, argon gas) is introduced into the chamber, a negative voltage is applied to the target to discharge, and the inert gas ionized by the discharge collides with the target.
And the film-forming process is performed by making the particle which jumps out of a target adhere to a to-be-processed object.

図4Aは、スパッタリング法を用いた、従来の成膜装置600の一例を示している(特許文献1参照)。
図4Bは、図4Aの複数のチャンバ601の各々において、ターゲットとその近傍に配置された部材Cとを示す拡大図である(特許文献2参照)。
図4Bに示すように、ターゲットは、バッキングプレート604と、バッキングプレート604の表面に配置された母材605で構成されている。ターゲットにスパッタリング電圧を印加するカソード本体610は、複数のボルト部材を用いてターゲットに取り付けられる。
そして、カソード本体610は、チャンバ601内に配置されたカソード取付けフランジ611に、絶縁板612を介して複数のボルト部材を用いて取り付けられている。カソード取付けフランジ611は接地されている。
FIG. 4A shows an example of a conventional film forming apparatus 600 using a sputtering method (see Patent Document 1).
FIG. 4B is an enlarged view showing the target and the member C arranged in the vicinity thereof in each of the plurality of chambers 601 in FIG. 4A (see Patent Document 2).
As shown in FIG. 4B, the target includes a backing plate 604 and a base material 605 disposed on the surface of the backing plate 604. The cathode body 610 for applying a sputtering voltage to the target is attached to the target using a plurality of bolt members.
The cathode body 610 is attached to a cathode attachment flange 611 disposed in the chamber 601 using a plurality of bolt members via an insulating plate 612. The cathode mounting flange 611 is grounded.

バッキングプレート604の内部には、母材605の表面上に漏洩磁束を生成する磁場生成部Hが設けられている。
また、バッキングプレート604の内部には、ターゲットを冷却するために、冷却水が導入される流路608a及び冷却水が導出される流路608bで構成された循環流路が設けられている。
バッキングプレート604及びカソード本体610は、グラウンドシールド601aによって覆われている。グラウンドシールド601aには、ターゲットをチャンバ内の空間(成膜空間)に露出させる開口が形成されている。
グラウンドシールド601aは、成膜空間に面している部材のうち、ターゲット以外の部材において生じる放電を抑え、通常、接地された状態で、チャンバ(壁部)601に複数のボルト部材を用いて取り付けられている。
Inside the backing plate 604, a magnetic field generation unit H that generates a leakage magnetic flux on the surface of the base material 605 is provided.
In addition, in the backing plate 604, a circulation flow path including a flow path 608a into which cooling water is introduced and a flow path 608b from which cooling water is led out is provided in order to cool the target.
The backing plate 604 and the cathode body 610 are covered with a ground shield 601a. The ground shield 601a has an opening that exposes the target to a space (deposition space) in the chamber.
The ground shield 601a suppresses discharge generated in members other than the target among the members facing the film formation space, and is usually attached to the chamber (wall portion) 601 using a plurality of bolt members in a grounded state. It has been.

ところで、スパッタリング法を用いる従来の成膜装置では、一つのチャンバ内に設けられたカソードが備えるスパッタリング用ターゲットの母材の種類は、一種類のみである。そして、一つのチャンバにおいては、一種類の母材を用いた成膜処理のみが行われる。
したがって、複数種類の成膜を連続して行う場合には、成膜の種類ごとに対応した別々のチャンバを用いる必要があり、チャンバが設置される複数のスペースを設けなければならない。
また、処理が終わるたびに、被処理体を、次の処理を行うチャンバへ搬送する必要がある。そのため、被処理体の搬送作業に要する時間、及び被処理体をチャンバ内に搬入したり搬出したりする工程に伴ってチャンバ内の気体を排気する作業(工程)に要する時間が生じ、一つの処理が終わってから次の処理が始まるまでの時間が長くなる。その結果として、成膜処理するために必要な時間が短くなる。
By the way, in the conventional film-forming apparatus using sputtering method, there is only one kind of base material of the sputtering target with which the cathode provided in one chamber is equipped. In one chamber, only a film forming process using one kind of base material is performed.
Therefore, when performing a plurality of types of film formation continuously, it is necessary to use separate chambers corresponding to the types of film formation, and it is necessary to provide a plurality of spaces in which the chambers are installed.
In addition, every time processing is completed, it is necessary to transfer the object to be processed to a chamber for performing the next processing. Therefore, the time required for the work to transport the object to be processed and the time required for the work (process) to exhaust the gas in the chamber in accordance with the process of carrying the object in and out of the chamber occur. The time from the end of the process to the start of the next process becomes longer. As a result, the time required for the film forming process is shortened.

特開2009−280834号公報JP 2009-280834 A 特開2003−328119号公報JP 2003-328119 A

本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、スパッタリング法による成膜装置内に用いられるカソードであって、一つのチャンバ内で異なる二種類のスパッタリング処理を連続して行うことが可能なカソードを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and is a cathode used in a film forming apparatus by sputtering, and can perform two different types of sputtering processes in one chamber continuously. The object is to provide a possible cathode.

本発明の一態様のカソードは、第1主面,前記第1主面とは反対側に位置する第2主面,第1側面,及び前記第1側面とは反対側に位置する第2側面を有するバッキングプレートと、前記第1主面に配置された第一母材と、前記第2主面に配置された第二母材と、前記第1側面から前記第2側面に向けて前記バッキングプレートを貫通する回転軸とを有し、成膜空間内に設けられたターゲットと、前記回転軸を回転させ、前記回転軸を介して前記ターゲットにスパッタリングに用いられる電力を供給する制御部と、前記第一母材又は前記第二母材に漏洩磁束が生成されるように、前記成膜空間から離れた前記バッキングプレートの面に近い位置に設けられた磁場生成部とを含み、前記磁場生成部は、前記バッキングプレートの外部にあり、漏洩磁束が前記第一母材に生成されるときは、前記第二母材に近い位置に配置され、漏洩磁束が前記第二母材に生成されるときは、前記第一母材に近い位置に配置されている。 The cathode of one embodiment of the present invention includes a first main surface, a second main surface located on the side opposite to the first main surface, a first side surface, and a second side surface located on the side opposite to the first side surface. A backing plate having a first base material disposed on the first main surface, a second base material disposed on the second main surface, and the backing from the first side surface toward the second side surface. A rotating shaft that penetrates the plate, a target provided in the film formation space, a control unit that rotates the rotating shaft and supplies power used for sputtering to the target via the rotating shaft; as the leakage flux in the first workpiece or the second workpiece is generated, seen including a magnetic field generator provided in a position close to the surface of the backing plate away from the film forming space, the magnetic field The generator is outside the backing plate and When magnetic flux is generated in the first base material, it is arranged at a position close to the second base material, and when magnetic flux leakage is generated in the second base material, it is close to the first base material. Has been placed.

本発明の一態様のカソードにおいては、前記磁場生成部は、前記ターゲットが回転するときに前記ターゲットの回転半径より外側に前記磁場生成部を退避し、前記回転が終了したときに前記磁場生成部を元の位置に戻す退避駆動部を備えていることが好ましい。   In the cathode of one aspect of the present invention, the magnetic field generation unit retracts the magnetic field generation unit outside the rotation radius of the target when the target rotates, and the magnetic field generation unit when the rotation ends. It is preferable to provide a retracting drive unit that returns to the original position.

本発明の一態様のカソードにおいては、前記磁場生成部は、前記ターゲットの長手方向に垂直な方向及び前記ターゲットの長手方向に平行な方向のうち少なくとも一方向に前記磁場生成部を揺動させる揺動駆動部を備えていることが好ましい。   In the cathode according to one aspect of the present invention, the magnetic field generation unit swings the magnetic field generation unit in at least one of a direction perpendicular to the longitudinal direction of the target and a direction parallel to the longitudinal direction of the target. It is preferable to include a dynamic drive unit.

本発明の一態様のカソードにおいては、前記バッキングプレートの内部に設けられ、前記第1主面あるいは前記第2主面に近い位置に形成され、冷却水が流動する循環流路を備えることが好ましい。   In the cathode of one aspect of the present invention, it is preferable that the cathode includes a circulation channel that is provided inside the backing plate, is formed at a position close to the first main surface or the second main surface, and in which cooling water flows. .

本発明の一態様のカソードにおいては、前記制御部は、前記回転軸を通して、前記循環流路に冷却水を循環させることが好ましい。   In the cathode of one aspect of the present invention, it is preferable that the control unit circulates cooling water through the rotation shaft and through the circulation channel.

本発明の一態様のカソードにおいては、前記バッキングプレートは、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる第3側面を有し、前記第3側面には絶縁部材を介して防着板が配置されていることが好ましい。   In the cathode of one aspect of the present invention, the backing plate has a third side surface different from the first side surface and the second side surface, and an adhesion preventing plate is disposed on the third side surface via an insulating member. It is preferable that

本発明の一態様のカソードは、二つの主面に、個別に母材が配置されたスパッタリング用ターゲットを備えている。そして、第1側面から第2側面に向けてバッキングプレートを貫通するように設けられた回転軸により、ターゲットを回転させることが可能である。
ターゲット(バッキングプレート)を回転させることにより、同一チャンバ内において、被処理体と対向していた主面(第1主面)と、被処理体に対向していなかった主面(第2主面)とを変更(交換)することができる。即ち、バッキングプレートの二つの主面の両方をスパッタリング処理面として用いることができ、二つの主面に配置された母材の両方をスパッタリング処理に適用することができる。
The cathode of one embodiment of the present invention includes a sputtering target in which base materials are individually arranged on two main surfaces. And it is possible to rotate a target with the rotating shaft provided so that it might penetrate the backing plate toward the 2nd side surface from the 1st side surface.
By rotating the target (backing plate), the main surface (first main surface) facing the object to be processed and the main surface (second main surface) not facing the object to be processed in the same chamber. ) And can be changed (exchanged). That is, both of the two main surfaces of the backing plate can be used as the sputtering process surface, and both of the base materials arranged on the two main surfaces can be applied to the sputtering process.

したがって、二種類の成膜工程を同一チャンバ内で行うことにより、一種類の成膜工程ごとに別々のチャンバを用いる従来技術に比べて、成膜工程に必要なチャンバが設置されるスペースを減らすことができる。   Therefore, by performing two types of film forming processes in the same chamber, the space for installing the chambers necessary for the film forming process is reduced as compared with the prior art using a separate chamber for each type of film forming process. be able to.

また、一つ目の母材(第一母材)を用いて第1成膜処理を行った後に、被処理体を、二つ目の母材(第一母材)を用いて第2成膜処理を行うチャンバへ搬送する必要がない。このため、従来技術のように、被処理体の搬送作業に要する時間が生じることがなく、被処理体をチャンバ内に搬入したり搬出したりする工程に伴ってチャンバ内の気体を排気する作業(工程)に要する時間が生じない。
したがって、第1成膜処理(一種類目の成膜処理)が終わってから第2成膜処理(二種類目の成膜処理、次の成膜処理)が始まるまでの時間を短縮することができ、成膜処理するために必要な時間を、従来技術を用いる場合に比べて長く設けることができる。
In addition, after performing the first film forming process using the first base material (first base material), the object to be processed is subjected to the second formation using the second base material (first base material). There is no need to transfer to a chamber for film processing. Therefore, unlike the prior art, there is no time required for transporting the object to be processed, and the process of exhausting the gas in the chamber in accordance with the process of carrying the object in and out of the chamber Time required for (process) does not occur.
Therefore, it is possible to shorten the time from the end of the first film forming process (first type film forming process) to the start of the second film forming process (second type film forming process, next film forming process). In addition, the time required for the film formation process can be set longer than in the case of using the conventional technique.

本発明の実施形態のカソードを備えた成膜装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the film-forming apparatus provided with the cathode of embodiment of this invention. 制御部に接続された本発明の実施形態のカソードを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cathode of embodiment of this invention connected to the control part. 本発明の実施形態のカソードを示す図であって、回転軸に垂直な面に対応する断面図である。It is a figure which shows the cathode of embodiment of this invention, Comprising: It is sectional drawing corresponding to a surface perpendicular | vertical to a rotating shaft. 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the target used for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the target used for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the target used for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the target used for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the target used for embodiment of this invention. 本発明の実施形態に用いるターゲットの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the target used for embodiment of this invention. 本発明の実施形態の変形例において用いるターゲットを示す図であって、回転軸に垂直な面に対応する断面図である。It is a figure which shows the target used in the modification of embodiment of this invention, Comprising: It is sectional drawing corresponding to a surface perpendicular | vertical to a rotating shaft. 従来技術に係るカソードを備えた成膜装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the film-forming apparatus provided with the cathode concerning a prior art. 従来技術に係るカソードを示す図であって、長手方向に垂直な面に対応する断面図である。It is a figure which shows the cathode which concerns on a prior art, Comprising: It is sectional drawing corresponding to a surface perpendicular | vertical to a longitudinal direction.

以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。   Hereinafter, based on a preferred embodiment, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, the dimensions and ratios of the components are appropriately changed from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.

<カソードを備えた成膜装置の実施形態>
図1Aは、本発明の実施形態に係るカソード120を備えた成膜装置100の構成について、説明する図である。
成膜装置100は、スパッタリング用のチャンバ101およびカソード120で構成されている。
チャンバ101の壁部には、チャンバ内を排気する排気装置(排気部)Pが付設されている。
カソード120は、スパッタリング用のターゲットCと、ターゲットCと接続された制御部Eと、磁場生成部Hとを有する。
制御部Eは、回転駆動部と、電力供給部と、冷却水循環部とを有する。回転駆動部は、ターゲットCに備えられた回転軸を回転させる。電力供給部は、スパッタリングに用いられる電圧(電力)をターゲットCに印加したり、ターゲットCを接地させたりする。即ち、制御部Eの電力供給部はターゲットCに対する電力供給のスイッチングを行う。冷却水循環部は、ターゲットCの温度を制御するために用いられる冷却水をカソード120に供給したり、カソード120から冷却水を排出したりする。
ターゲットCは、チャンバ101内において、被処理基板(被処理体)102を支持する台(支持台)103と対向する位置に配置される。支持台103は、接地部を通じて接地されている。
<Embodiment of a film forming apparatus provided with a cathode>
FIG. 1A is a diagram illustrating a configuration of a film forming apparatus 100 including a cathode 120 according to an embodiment of the present invention.
The film forming apparatus 100 includes a sputtering chamber 101 and a cathode 120.
An exhaust device (exhaust portion) P for exhausting the inside of the chamber is attached to the wall portion of the chamber 101.
The cathode 120 includes a sputtering target C, a control unit E connected to the target C, and a magnetic field generation unit H.
The control part E has a rotation drive part, an electric power supply part, and a cooling water circulation part. The rotation drive unit rotates the rotation shaft provided in the target C. The power supply unit applies a voltage (power) used for sputtering to the target C or grounds the target C. That is, the power supply unit of the control unit E performs switching of power supply to the target C. The cooling water circulation unit supplies cooling water used for controlling the temperature of the target C to the cathode 120 and discharges the cooling water from the cathode 120.
The target C is disposed in the chamber 101 at a position facing a table (support table) 103 that supports a substrate to be processed (object to be processed) 102. The support base 103 is grounded through the grounding portion.

ターゲットCは、平坦な形状を有するバッキングプレート104と、バッキングプレート104の第1主面104a(一方の主面)に配置された第一母材105と、第2主面104b(他方の主面)に配置された第二母材106とで構成される。   The target C includes a backing plate 104 having a flat shape, a first base material 105 disposed on a first main surface 104a (one main surface) of the backing plate 104, and a second main surface 104b (the other main surface). ) And the second base material 106 arranged.

バッキングプレート104を構成する材料としては、高い導電性、熱伝導性、低ガス放出性を有する材料ものが望ましく、主に銅又はステンレスが用いられる。   As a material constituting the backing plate 104, a material having high conductivity, thermal conductivity, and low gas releasing property is desirable, and copper or stainless steel is mainly used.

第一母材105および第二母材106としては、金属又は絶縁体等の、被処理基板102に形成する膜の材料が用いられる。なお、第一母材105と第二母材106とは、同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。   As the first base material 105 and the second base material 106, a material of a film formed on the substrate to be processed 102 such as a metal or an insulator is used. The first base material 105 and the second base material 106 may be made of the same material or different materials.

磁場生成部Hは、成膜空間50に近い前記バッキングプレートの面(第一母材105又は第二母材106)に漏洩磁束が生成されるように、成膜空間50(スパッタリングが行われる領域)から離れた位置であって、バッキングプレート104の面に近い位置(非スパッタリング処理面側)に配置される。
以下の説明において、バッキングプレート104の「非スパッタリング処理面」とは、第1主面104a又は第2主面104bであって、スパッタリングに用いられていない母材(第一母材105又は第二母材106)が載置されている主面を意味する。
また、バッキングプレート104の「スパッタリング処理面」とは、第1主面104a又は第2主面104bであって、スパッタリングに用いられる母材(第一母材105又は第二母材106)が載置され、成膜空間50に近い位置に配置される主面を意味する。
このような「非スパッタリング処理面」及び「スパッタリング処理面」は、バッキングプレート104の回転に伴って切り替わり、第1主面104aが非スパッタリング処理面である場合には、第2主面104bがスパッタリング処理面となり、第1主面104aがスパッタリング処理面である場合には、第2主面104bが非スパッタリング処理面となる。
磁場生成部Hにより生成される磁束の一部は、バッキングプレート104を非スパッタリング処理面からスパッタリング処理面に向けて貫通し、バッキングプレート104のスパッタリング処理面に配置された母材(図1A〜図1Cでは第一母材105)の表面に漏洩する。
磁束が漏洩した領域においては、プラズマが収束することにより、集中的に母材がスパッタリングされるため、高速で成膜をすることが可能となる。
The magnetic field generation unit H generates a film formation space 50 (a region where sputtering is performed) so that a leakage magnetic flux is generated on the surface (the first base material 105 or the second base material 106) of the backing plate close to the film formation space 50. ) And a position close to the surface of the backing plate 104 (on the non-sputtering surface side).
In the following description, the “non-sputtering surface” of the backing plate 104 is the first main surface 104a or the second main surface 104b and is a base material not used for sputtering (the first base material 105 or the second base surface 104b). This means the main surface on which the base material 106) is placed.
The “sputtering surface” of the backing plate 104 is the first main surface 104a or the second main surface 104b, and a base material (first base material 105 or second base material 106) used for sputtering is placed on the backing plate 104. It means a main surface that is placed at a position close to the film formation space 50.
Such “non-sputtering surface” and “sputtering surface” are switched as the backing plate 104 rotates. When the first main surface 104a is a non-sputtering surface, the second main surface 104b is sputtered. When the first main surface 104a is a processing surface and the first main surface 104a is a sputtering processing surface, the second main surface 104b is a non-sputtering processing surface.
A part of the magnetic flux generated by the magnetic field generation unit H penetrates the backing plate 104 from the non-sputtering processing surface toward the sputtering processing surface, and the base material (FIGS. 1A to 1D) arranged on the sputtering processing surface of the backing plate 104. In 1C, it leaks to the surface of the first base material 105).
In the region where the magnetic flux leaks, the base material is intensively sputtered by converging the plasma, so that film formation can be performed at high speed.

磁場生成部Hは、第一母材105を用いてスパッタリング処理を行う場合には、第二母材106に近い位置であってターゲットCと離間するように配置され、漏洩磁束を第一母材105の表面に生成する。
また、磁場生成部Hは、第二母材106を用いてスパッタリング処理を行う場合には、第一母材105に近い位置であってターゲットCと離間するように配置され、漏洩磁束を第二母材105の表面に生成する。
When the sputtering process is performed using the first base material 105, the magnetic field generation unit H is disposed at a position close to the second base material 106 and separated from the target C, and the leakage magnetic flux is transferred to the first base material 105. Generated on the surface of 105.
In addition, when performing the sputtering process using the second base material 106, the magnetic field generation unit H is disposed so as to be close to the first base material 105 and to be separated from the target C, and to cause the leakage magnetic flux to be It is generated on the surface of the base material 105.

図1Bは、本発明の実施形態に係るカソード120を構成するターゲットCを示す拡大斜視図である。
バッキングプレート104は、その長手方向Lに平行な回転軸である回転軸107を有する。回転軸107は、バッキングプレート104の第1側面111(一方の側面)から第2側面112(他方の側面)に向けてバッキングプレート104を貫通している。回転軸107は、制御部Eと電気的に接続されており、制御部Eを用いて回転する。
そして、回転軸107の回転に連動して、バッキングプレート104が回転する。安定した回転を実現するために、回転軸はバッキングプレート104の重心に一致するように貫通していることが望ましい。
FIG. 1B is an enlarged perspective view showing a target C constituting the cathode 120 according to the embodiment of the present invention.
The backing plate 104 has a rotating shaft 107 that is a rotating shaft parallel to the longitudinal direction L thereof. The rotating shaft 107 passes through the backing plate 104 from the first side surface 111 (one side surface) of the backing plate 104 toward the second side surface 112 (the other side surface). The rotating shaft 107 is electrically connected to the control unit E and rotates using the control unit E.
Then, the backing plate 104 rotates in conjunction with the rotation of the rotating shaft 107. In order to achieve stable rotation, it is desirable that the rotation shaft penetrates so as to coincide with the center of gravity of the backing plate 104.

スパッタリング処理を行う際に、磁場生成部Hは、ターゲットCに近い位置に配置されていることが望ましいが、ターゲットCを回転させるためには、その回転を妨げないように磁場生成部Hとバッキングプレート104との間に距離を空ける必要がある。
そこで、本発明の実施形態に係る磁場生成部Hは、退避駆動部H1を備えている。退避駆動部H1は、磁場生成部Hの位置を制御する装置であり、通常、ターゲットCに近い位置に磁場生成部Hを配置させる。また、ターゲットCが回転する際には、退避駆動部H1は、ターゲットCの回転半径よりも外側に磁場生成部Hを退避させる。また、退避駆動部H1は、ターゲットCの回転が終了した後に、ターゲットCを通常の位置(ターゲットCに近い位置、ターゲットCの回転半径よりも内側)に戻す。
When performing the sputtering process, it is desirable that the magnetic field generation unit H is disposed at a position close to the target C. However, in order to rotate the target C, the magnetic field generation unit H and the magnetic field generation unit H are backed up so as not to prevent the rotation. It is necessary to leave a distance from the plate 104.
Therefore, the magnetic field generation unit H according to the embodiment of the present invention includes a retract drive unit H1. The retreat drive unit H1 is a device that controls the position of the magnetic field generation unit H, and normally arranges the magnetic field generation unit H at a position close to the target C. Further, when the target C rotates, the retreat drive unit H1 retreats the magnetic field generation unit H outside the rotation radius of the target C. In addition, after the rotation of the target C is completed, the retracting drive unit H1 returns the target C to a normal position (position close to the target C, inside the rotation radius of the target C).

なお、本発明の実施形態に係る磁場生成部Hは、通常、ターゲットCの回転半径の外側に位置してもよい。この場合、スパッタリング処理中にのみ、退避駆動部H1がターゲットCに近い位置に磁場生成部Hを移動させ、かつ、スパッタリング処理が終了した後に、退避駆動部H1が磁場生成部Hを通常の位置に戻してもよい。   In addition, the magnetic field generation unit H according to the embodiment of the present invention may be usually located outside the rotation radius of the target C. In this case, only during the sputtering process, the retracting drive unit H1 moves the magnetic field generating unit H to a position close to the target C, and after the sputtering process is completed, the retracting drive unit H1 moves the magnetic field generating unit H to the normal position. You may return to.

また、磁場生成部Hは、揺動駆動部H2を備えている。揺動駆動部H2は、磁場生成部Hを、バッキングプレート104の主面(104a、104b)に対して平行な方向に揺動させる。また、揺動駆動部H2は、ターゲットCの長手方向Lに垂直な方向及びターゲットCの長手方向Lに平行な方向の少なくとも一方向に、磁場生成部Hを揺動させる。
この揺動により、磁場生成部Hよって生成される磁束を、スパッタリング処理面に近い位置に配置された母材の表面に、均一に漏洩させることができる。
漏洩磁束を均一に発生させることにより、母材の表面においてプラズマが収束する領域が一様に形成される。
そのため、スパッタリング処理によって母材表面に生じるエロージョンが均一化され、ターゲットCの利用効率を向上させることができる。
そして、被処理基板102の表面に対して、面内分布の均一性を高めた成膜処理を行うことができる。
Further, the magnetic field generation unit H includes a swing drive unit H2. The swing drive unit H2 swings the magnetic field generation unit H in a direction parallel to the main surfaces (104a, 104b) of the backing plate 104. Further, the swing driving unit H2 swings the magnetic field generating unit H in at least one of a direction perpendicular to the longitudinal direction L of the target C and a direction parallel to the longitudinal direction L of the target C.
By this swinging, the magnetic flux generated by the magnetic field generation unit H can be uniformly leaked to the surface of the base material disposed at a position close to the sputtering processing surface.
By uniformly generating the leakage magnetic flux, a region where the plasma converges is uniformly formed on the surface of the base material.
Therefore, the erosion generated on the surface of the base material by the sputtering process is made uniform, and the utilization efficiency of the target C can be improved.
And the film-forming process which improved the uniformity of in-plane distribution can be performed with respect to the surface of the to-be-processed substrate 102. FIG.

図1Cは、図1Bに示す本発明の実施形態に係るカソードを構成するターゲットCを示す図であって、その長手方向Lに垂直な面に対応する断面図である。
バッキングプレート104内には、第2主面104bに近い位置(近傍)に形成され、流路108a及び108bで構成された循環流路(第1循環流路及び第2循環流路)が形成されている。循環流路には、冷却水が流動する。
冷却水は、流路108aおよび108bのうち、一方から導入され、他方から導出される。循環流路108aおよび108bに冷却水(冷媒)を流すことにより、スパッタリング処理中の第一母材105および第二母材106の温度上昇を抑えることができる。
FIG. 1C is a view showing the target C constituting the cathode according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1B, and is a cross-sectional view corresponding to a plane perpendicular to the longitudinal direction L thereof.
In the backing plate 104, a circulation channel (first circulation channel and second circulation channel) formed at a position (near) near the second main surface 104b and configured by the channels 108a and 108b is formed. ing. Cooling water flows through the circulation channel.
The cooling water is introduced from one of the channels 108a and 108b and led out from the other. By flowing the cooling water (refrigerant) through the circulation channels 108a and 108b, the temperature rise of the first base material 105 and the second base material 106 during the sputtering process can be suppressed.

図1B及び図1Cに示すように、回転軸107は制御部Eと接続されている。
バッキングプレート104に印加するスパッタリング電圧は、制御部Eから、回転軸107内に設けられた電力供給ラインを介してバッキングプレート104に供給される。
また、循環流路108a、108bを流れる冷却水は、制御部Eから、回転軸107内に設けられた冷却水の供給及び排出用ラインを介して、循環流路に供給される。
As shown in FIGS. 1B and 1C, the rotation shaft 107 is connected to the control unit E.
A sputtering voltage to be applied to the backing plate 104 is supplied from the control unit E to the backing plate 104 via a power supply line provided in the rotating shaft 107.
Further, the cooling water flowing through the circulation channels 108 a and 108 b is supplied from the control unit E to the circulation channel via a cooling water supply and discharge line provided in the rotating shaft 107.

図1B及び図1Cに示すように、バッキングプレート104の長手方向Lに平行な第3側面113に、防着板109が設けられている。
防着板109は、接地されており、スパッタリング処理中に発生した粒子がバッキングプレートの側面に回り込むのを防ぐ。
また、防着板109とバッキングプレート104との間には絶縁部材109aが配置され、絶縁部材109aは、スパッタリング時に供給される電圧によって防着板109にダメージが発生することを防ぐ。
As shown in FIGS. 1B and 1C, a deposition preventing plate 109 is provided on the third side surface 113 parallel to the longitudinal direction L of the backing plate 104.
The deposition preventing plate 109 is grounded and prevents particles generated during the sputtering process from entering the side surface of the backing plate.
In addition, an insulating member 109a is disposed between the deposition preventing plate 109 and the backing plate 104, and the insulating member 109a prevents the deposition preventing plate 109 from being damaged by a voltage supplied during sputtering.

本発明の実施形態に係るカソードは、バッキングプレート104の二つの主面の各々に設けられ、母材が配置されたスパッタリング用ターゲットを備えている。
そして、このカソードは、第1側面111から第2側面112に向けてターゲットを貫通する回転軸により、ターゲットを回転させることが可能である。
ターゲットを回転させることにより、同一チャンバ内において、被処理体と対向していた主面(第1主面)と、被処理体に対向していなかった主面(第2主面)とを変更(交換)することができる。即ち、バッキングプレートの二つの主面の両方をスパッタリング処理面として用いることができ、二つの主面に配置された母材の両方をスパッタリング処理に適用することができる。
The cathode according to the embodiment of the present invention includes a sputtering target provided on each of the two main surfaces of the backing plate 104 and having a base material disposed thereon.
And this cathode can rotate a target by the rotating shaft which penetrates a target toward the 2nd side 112 from the 1st side 111.
By rotating the target, the main surface (first main surface) facing the object to be processed and the main surface (second main surface) not facing the object to be processed are changed in the same chamber. (Replacement). That is, both of the two main surfaces of the backing plate can be used as the sputtering process surface, and both of the base materials arranged on the two main surfaces can be applied to the sputtering process.

したがって、二種類の成膜工程を同一チャンバ内で行うことにより、一種類の成膜工程ごとに別々のチャンバを用いる従来技術に比べて、成膜工程に必要なチャンバが設置されるスペースを減らすことができる。   Therefore, by performing two types of film forming processes in the same chamber, the space for installing the chambers necessary for the film forming process is reduced as compared with the prior art using a separate chamber for each type of film forming process. be able to.

また、一つ目の母材(第一母材)を用いて第1成膜処理を行った後に、被処理体を、二つ目の母材(第一母材)を用いて第2成膜処理を行うチャンバへ搬送する必要がない。このため、従来技術のように、被処理体の搬送作業に要する時間が生じることがなく、被処理体をチャンバ内に搬入したり搬出したりする工程に伴ってチャンバ内の気体を排気する作業(工程)に要する時間が生じない。
したがって、第1成膜処理が終わってから第2成膜処理(次の成膜処理)が始まるまでの時間を短縮することができ、成膜処理するために必要な時間を、従来技術を用いる場合に比べて長く設けることができる。
In addition, after performing the first film forming process using the first base material (first base material), the object to be processed is subjected to the second formation using the second base material (first base material). There is no need to transfer to a chamber for film processing. Therefore, unlike the prior art, there is no time required for transporting the object to be processed, and the process of exhausting the gas in the chamber in accordance with the process of carrying the object in and out of the chamber Time required for (process) does not occur.
Therefore, it is possible to shorten the time from the end of the first film forming process to the start of the second film forming process (next film forming process), and the time required for the film forming process is used. It can be provided longer than the case.

また、本発明の実施形態の構成では、磁場生成部Hが、バッキングプレート104の内部に設けられておらず、バッキングプレート104と離間した位置に配置されている。したがって、一つの磁場生成部Hのみを用いて、二つの母材それぞれの表面に、漏洩磁束を生成することができる。   Further, in the configuration of the embodiment of the present invention, the magnetic field generation unit H is not provided inside the backing plate 104 but is disposed at a position separated from the backing plate 104. Therefore, the leakage magnetic flux can be generated on the surfaces of the two base materials using only one magnetic field generation unit H.

また、第二母材106が第一母材105と同一材料で構成される場合、従来のようにバッキングプレートの一つの主面にのみ配置された母材を用いる場合に比べて、ターゲット一つ当たりの使用期間を延ばすことができる。
これにより、母材の交換回数を減らすことができ、交換にともなって発生する、チャンバ内の気体を排気する作業(工程)の回数を減らすことができる。
Further, when the second base material 106 is made of the same material as the first base material 105, one target is used as compared with the case where the base material arranged only on one main surface of the backing plate is used as in the prior art. The per-use period can be extended.
Thereby, the frequency | count of replacement | exchange of a base material can be reduced, and the frequency | count of the operation | work (process) which exhausts the gas in a chamber generated with replacement | exchange can be reduced.

また、第一母材105及び第二母材106の各々が、被処理基板102上に形成される積層膜の下層及び上層を形成する材料で構成される場合、一つのターゲットのみを用いて、二つの成膜処理を連続して行うことができる。
そして、連続する二つの成膜処理を同一チャンバ内で行うことにより、第一母材105による成膜工程と第二母材106による成膜工程との間に行う、チャンバ内の気体を排気する工程及び被処理基板の搬送等の作業(工程)が不要となり、このような作業(工程)に要する時間を短縮することができる。
Further, when each of the first base material 105 and the second base material 106 is made of a material that forms the lower layer and the upper layer of the laminated film formed on the substrate 102, only one target is used, Two film-forming processes can be performed continuously.
Then, by performing two successive film formation processes in the same chamber, the gas in the chamber is exhausted between the film formation process using the first base material 105 and the film formation process using the second base material 106. A process (process) such as a process and a transfer of a substrate to be processed becomes unnecessary, and the time required for such a process (process) can be shortened.

<ターゲットの製造方法の実施形態>
上記本発明の実施形態の構成を備えたターゲットの製造方法について、図2A〜図2Fに示す工程図を用いて説明する。
まず、図2Aに示す第一工程において、第一母材105をバッキングプレート104の第1主面104aに対向するように配置し、第二母材106をバッキングプレート104の第2主面104bに対向するように配置する。
<Embodiment of target manufacturing method>
A method for manufacturing a target having the configuration of the embodiment of the present invention will be described with reference to process diagrams shown in FIGS. 2A to 2F.
First, in the first step shown in FIG. 2A, the first base material 105 is disposed so as to face the first main surface 104a of the backing plate 104, and the second base material 106 is disposed on the second main surface 104b of the backing plate 104. Arrange to face each other.

次に、図2Bに示す第二工程において、第一接着部材(不図示)を用いて、第一母材105をバッキングプレート104の第1主面104aに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート104の第1主面104aに第一接着部材を塗布し、バッキングプレート104及び第一接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第一接着部材上に第一母材105を配置し、第一母材105とバッキングプレート104との間に融解した第一接着部材が挟まれた状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第一接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。
Next, in the second step shown in FIG. 2B, the first base material 105 is joined to the first main surface 104a of the backing plate 104 using a first adhesive member (not shown).
More specifically, the first adhesive member is applied to the first main surface 104a of the backing plate 104 forming the bonding surface, and the backing plate 104 and the first adhesive member are heated and melted at a temperature equal to or higher than the melting point.
Then, the first base material 105 is disposed on the melted first adhesive member, and is cooled to room temperature in a state where the melted first adhesive member is sandwiched between the first base material 105 and the backing plate 104.
The first adhesive member used in this step is preferably a low melting point metal, for example, indium.

第二工程では、バッキングプレート104と第一母材105とが、高温状態において接合され、接合した状態のまま室温まで冷却される。
そして、冷却にともなって、バッキングプレート104は圧縮される。
このとき、第1主面104aにのみ第一母材105が接合されているため、第1主面104aにおけるバッキングプレート104の圧縮率と、第2主面104bにおけるバッキングプレート104の圧縮率とは異なる。
したがって、バッキングプレート104は、第1主面104aあるいは第2主面104bにおいて、凸状に反りが生じた形状を有する。
In the second step, the backing plate 104 and the first base material 105 are joined in a high temperature state, and cooled to room temperature in the joined state.
And the backing plate 104 is compressed with cooling.
At this time, since the first base material 105 is bonded only to the first main surface 104a, the compression rate of the backing plate 104 on the first main surface 104a and the compression rate of the backing plate 104 on the second main surface 104b are Different.
Therefore, the backing plate 104 has a shape in which the first main surface 104a or the second main surface 104b is warped in a convex shape.

図2Bでは、バッキングプレート104が第1主面104aに凸状の反りが生じている例が示されているが、バッキングプレート104と第一母材105とを構成する材料の組合せによっては、第2主面104bに凸状の反りが生じる場合もある。   FIG. 2B shows an example in which the backing plate 104 has a convex warp on the first main surface 104a. However, depending on the combination of materials constituting the backing plate 104 and the first base material 105, In some cases, a convex warp may occur on the two principal surfaces 104b.

次に、図2Cに示す第三工程において、第一母材105とバッキングプレート104との接合により反ったバッキングプレート104を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート104を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本実施形態では、バッキングプレート104の第2主面104bに対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。
Next, in the third step shown in FIG. 2C, the backing plate 104 warped by the joining of the first base material 105 and the backing plate 104 is shaped so as to have a flat shape.
The method of shaping the backing plate 104 is not limited to a specific method, but in the present embodiment, pressure is applied to the second main surface 104b of the backing plate 104 in a direction opposite to the direction in which the warping occurs. Use mechanical correction methods.

次に、図2Dに示す第四工程において、第二接着部材(不図示)を用いて、第二母材106をバッキングプレート104の第2主面104bに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート104の第2主面104bに第二接着部材を塗布し、バッキングプレート104及び第二接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第二接着部材上に第二母材106を配置し、第二母材106とバッキングプレート104との間に融解した第二接着部材が挟まれた状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第二接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。
Next, in the fourth step shown in FIG. 2D, the second base material 106 is joined to the second main surface 104b of the backing plate 104 using a second adhesive member (not shown).
More specifically, the second adhesive member is applied to the second main surface 104b of the backing plate 104 that forms the bonding surface, and the backing plate 104 and the second adhesive member are heated and melted at a temperature equal to or higher than the melting point.
Then, the second base material 106 is disposed on the melted second adhesive member, and is cooled to room temperature in a state where the melted second adhesive member is sandwiched between the second base material 106 and the backing plate 104.
The second adhesive member used in this step is preferably a low melting point metal, for example, indium.

第四工程では、バッキングプレート104と第二母材106とは、高温状態において接合され、接合した状態のまま室温まで冷却される。
そして、冷却にともなって、バッキングプレート104は圧縮される。
このとき、第1主面104aには第一母材105が接合され、第2主面104bには第二母材106が接合されているため、第1主面104aにおけるバッキングプレート104の圧縮率と、第2主面104bにおけるバッキングプレート104の圧縮率とは異なる。
したがって、バッキングプレート104は、第1主面104aあるいは第2主面104bにおいて、凸状に反りが生じた形状を有する。
In the fourth step, the backing plate 104 and the second base material 106 are bonded in a high temperature state and cooled to room temperature while being bonded.
And the backing plate 104 is compressed with cooling.
At this time, since the first base material 105 is joined to the first main surface 104a and the second base material 106 is joined to the second main surface 104b, the compression rate of the backing plate 104 on the first main surface 104a. And the compression rate of the backing plate 104 on the second main surface 104b is different.
Therefore, the backing plate 104 has a shape in which the first main surface 104a or the second main surface 104b is warped in a convex shape.

そこで、図2Eに示す第五工程において、第二母材106とバッキングプレート104との接合により反ったバッキングプレート104を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート104を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本実施形態では、バッキングプレート104に対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。
Therefore, in the fifth step shown in FIG. 2E, the backing plate 104 warped by the joining of the second base material 106 and the backing plate 104 is shaped so as to have a flat shape.
Although the method of shaping the backing plate 104 is not limited to a specific method, in the present embodiment, a method of mechanically correcting the backing plate 104 by applying pressure in a direction opposite to the direction in which the warping occurs. Is used.

そして、図2Fに示す第六工程において、バッキングプレート104の長手方向Lに平行な側面に、絶縁性の接着部材(絶縁部材)109aを用いて、防着板109を接合することにより、本発明の実施形態のターゲットが形成されている。   Then, in the sixth step shown in FIG. 2F, the adhesion preventing plate 109 is joined to the side surface parallel to the longitudinal direction L of the backing plate 104 by using an insulating adhesive member (insulating member) 109a. The target of the embodiment is formed.

ここでは、バッキングプレート104に対して、第一母材105、第二母材106の順に接合する例を示したが、接合する順序を逆にしてもよいし、あるいはバッキングプレート104の両面に第一母材105及び第二母材106を同時に接着した後に、機械的に矯正する方法でもよい。   Here, an example is shown in which the first base material 105 and the second base material 106 are joined to the backing plate 104 in this order. However, the joining order may be reversed, or the first base material 105 and the second base material 106 may be joined to both sides of the backing plate 104. Alternatively, the first base material 105 and the second base material 106 may be bonded together and then mechanically corrected.

上記本発明の実施形態のターゲットの製造方法によれば、ボルト又はクランプ等の固定部材を用いて母材をバッキングプレートに固定する場合のように、母材に固定領域を設ける必要がない。
したがって、バッキングプレート104の各々の主面に配置された第一母材105及び第二母材106の全域をスパッタリングに用いることができる。
According to the target manufacturing method of the embodiment of the present invention, it is not necessary to provide a fixing region in the base material as in the case where the base material is fixed to the backing plate using a fixing member such as a bolt or a clamp.
Therefore, the entire region of the first base material 105 and the second base material 106 arranged on each main surface of the backing plate 104 can be used for sputtering.

また、本発明の実施形態のターゲットの製造方法では、バッキングプレートの第1主面104aあるいは第2主面104bに母材を接合させた後に、接合により反ったバッキングプレートが、平坦な形状になるように整形する。
したがって、バッキングプレートの二つの主面の各々に、個別に、表面が平坦な形状を有する母材が接合されたターゲットを製造することができる。
これにより、母材と被処理基板が平行に配置されるため、母材から飛び出すスパッタ粒子を被処理基板の処理面内に均一に付着させ、成膜することができる。
In the target manufacturing method according to the embodiment of the present invention, after the base material is bonded to the first main surface 104a or the second main surface 104b of the backing plate, the backing plate warped by the bonding becomes a flat shape. Shape as follows.
Therefore, a target in which a base material having a flat surface is bonded to each of the two main surfaces of the backing plate can be manufactured.
Accordingly, since the base material and the substrate to be processed are arranged in parallel, the sputtered particles popping out from the base material can be uniformly attached to the processing surface of the substrate to be processed to form a film.

なお、図2A〜図2Fでは、接着部材を用いて、第一母材105及び第二母材106を、バッキングプレート104の各々の主面に接合する方法を例として示した。別の例として、ボルト又はクランプ等の固定用部材を用いて、第一母材105及び第二母材106を、バッキングプレート104の各々の主面に固定する方法もある。   2A to 2F exemplify a method of joining the first base material 105 and the second base material 106 to each main surface of the backing plate 104 using an adhesive member. As another example, there is a method of fixing the first base material 105 and the second base material 106 to each main surface of the backing plate 104 using a fixing member such as a bolt or a clamp.

ボルト又はクランプ等の固定用部材を用いる場合には、第一母材105とバッキングプレートとの熱膨張率差あるいは第二母材106とバッキングプレートとの熱膨張率差に起因した反りが生じることはない。
したがって、上記第二工程及び第四工程に相当する工程は不要となり、より簡略化したプロセスでターゲットを製造することができる。
When a fixing member such as a bolt or a clamp is used, warpage due to a difference in thermal expansion coefficient between the first base material 105 and the backing plate or a difference in thermal expansion coefficient between the second base material 106 and the backing plate occurs. There is no.
Therefore, the steps corresponding to the second step and the fourth step are not necessary, and the target can be manufactured by a more simplified process.

<変形例>
図3は、ターゲットの変形例を示す図であって、回転軸に垂直な面に対応する断面図である。
上記実施形態のバッキングプレート104は、単板で形成されていたのに対し、変形例のバッキングプレート214は、二枚の板(バッキングプレート)204及び211が重ね合わされた合板で構成されている。
バッキングプレート214の内部には、バッキングプレートの最外面である第1主面214aに近い位置に形成され、冷却水が流動する循環流路208a、208bと、バッキングプレートの最外面である第2主面214bに近い位置に形成され、冷却水が流動する循環流路213a、213bとが設けられている。
変形例において、ターゲットにおけるその他の構成は、本発明の実施形態の構成と同様である。図3において、上記実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。
<Modification>
FIG. 3 is a view showing a modification of the target and is a cross-sectional view corresponding to a plane perpendicular to the rotation axis.
The backing plate 104 of the above embodiment is formed of a single plate, whereas the backing plate 214 of a modified example is formed of a plywood in which two plates (backing plates) 204 and 211 are overlapped.
Inside the backing plate 214 are formed at positions close to the first main surface 214a, which is the outermost surface of the backing plate, and circulation channels 208a, 208b through which cooling water flows, and a second main surface, which is the outermost surface of the backing plate. Circulating flow paths 213a and 213b that are formed near the surface 214b and through which cooling water flows are provided.
In the modification, the other configuration of the target is the same as the configuration of the embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same members as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or simplified.

本発明の実施形態の構成では、冷却水の循環流路108a、108bは、バッキングプレート104内において、第1主面104a及び第2主面104bのいずれか一方に近い位置に形成されている。
これに対し、変形例の構成では、冷却水の循環流路208a、208bは、バッキングプレート214内において、第1主面214a及び第2主面214bの両方に近い位置に形成されている。
したがって、変形例の構成によれば、第一母材205及び第二母材212の両方を冷却する高い冷却機能を有するターゲットを得ることができる。
In the configuration of the embodiment of the present invention, the cooling water circulation channels 108 a and 108 b are formed in the backing plate 104 at positions close to either the first main surface 104 a or the second main surface 104 b.
On the other hand, in the configuration of the modified example, the cooling water circulation channels 208a and 208b are formed in the backing plate 214 at positions close to both the first main surface 214a and the second main surface 214b.
Therefore, according to the configuration of the modification, a target having a high cooling function for cooling both the first base material 205 and the second base material 212 can be obtained.

ターゲットの変形例においては、バッキングプレートの最外面である二つの主面の各々に、スパッタリングに用いられる母材が配置されている。
そのため、チャンバ内において、第1主面214aに配置された第一母材205を用いてスパッタリング処理を行った後に、ターゲットを反転させて、第2主面214bに配置された第二母材212を用いてスパッタリング処理を行うことができる。
In the modification of the target, a base material used for sputtering is disposed on each of two main surfaces which are the outermost surfaces of the backing plate.
Therefore, in the chamber, after performing the sputtering process using the first base material 205 disposed on the first main surface 214a, the target is reversed and the second base material 212 disposed on the second main surface 214b. Can be used for sputtering.

したがって、第二母材212が第一母材205と同一材料で構成される場合、従来のようにバッキングプレートの一つの主面にのみ配置された母材を用いる場合に比べて、ターゲット一つ当たりの使用期間を延ばすことができる。
これにより、母材の交換回数を減らすことができ、交換にともなって発生する、チャンバ内の気体を排気する作業(工程)の回数を減らすことができる。
Therefore, when the second base material 212 is made of the same material as the first base material 205, one target is used as compared with the case where the base material arranged only on one main surface of the backing plate is used as in the prior art. The per-use period can be extended.
Thereby, the frequency | count of replacement | exchange of a base material can be reduced, and the frequency | count of the operation | work (process) which exhausts the gas in a chamber generated with replacement | exchange can be reduced.

また、第一母材205及び第二母材212の各々が、被処理基板上に形成される積層膜の下層及び上層を形成する材料で構成される場合、一つのターゲットのみを用いて、二つの成膜処理を連続して行うことができる。
そして、連続する二つの成膜処理を同一チャンバ内で行うことにより、第一母材205による成膜工程と第二母材212による成膜工程との間に行う、チャンバ内の気体を排気する工程及び被処理基板の搬送等の作業(工程)が不要となり、このような作業(工程)に要する時間を短縮することができる。
In addition, when each of the first base material 205 and the second base material 212 is made of a material that forms a lower layer and an upper layer of a stacked film formed on the substrate to be processed, the two base materials are formed using only one target. Two film forming processes can be performed continuously.
Then, by performing two successive film forming processes in the same chamber, the gas in the chamber is exhausted between the film forming process using the first base material 205 and the film forming process using the second base material 212. A process (process) such as a process and a transfer of a substrate to be processed becomes unnecessary, and the time required for such a process (process) can be shortened.

<ターゲットの製造方法の変形例>
上記変形例の構成を備えたターゲットの製造方法の一例について説明する。
<Modification of target manufacturing method>
An example of a method for manufacturing a target having the configuration of the modified example will be described.

まず、第一工程において、第一接着部材を用いて、第一母材205をバッキングプレート204の第1主面204aに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート204の第1主面204aに第一接着部材を塗布し、バッキングプレート204及び第一接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第一接着部材上に第一母材205を配置し、第一母材205とバッキングプレート204との間に融解した第一接着部材が挟まれた状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第一接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。
First, in the first step, the first base material 205 is joined to the first main surface 204a of the backing plate 204 using the first adhesive member.
More specifically, the first adhesive member is applied to the first main surface 204a of the backing plate 204 that forms the bonding surface, and the backing plate 204 and the first adhesive member are heated and melted at a temperature equal to or higher than the melting point.
Then, the first base material 205 is disposed on the melted first adhesive member, and is cooled to room temperature in a state where the melted first adhesive member is sandwiched between the first base material 205 and the backing plate 204.
The first adhesive member used in this step is preferably a low melting point metal, for example, indium.

第一工程では、バッキングプレート204と第一母材205とは、高温状態において接合され、接合した状態のまま室温まで冷却される。
そして、冷却にともなって、バッキングプレート204は圧縮される。
このとき、第1主面204aにのみ第一母材205が接合されているため、第1主面204aにおけるバッキングプレート204の圧縮率と、第2主面204bにおけるバッキングプレート204の圧縮率とは異なる。
したがって、バッキングプレート204は、第1主面204aあるいは第2主面204bにおいて、凸状に反りが生じた形状を有する。
In the first step, the backing plate 204 and the first base material 205 are bonded in a high temperature state and cooled to room temperature while being bonded.
And the backing plate 204 is compressed with cooling.
At this time, since the first base material 205 is bonded only to the first main surface 204a, the compression rate of the backing plate 204 on the first main surface 204a and the compression rate of the backing plate 204 on the second main surface 204b are Different.
Therefore, the backing plate 204 has a shape in which the first main surface 204a or the second main surface 204b is warped in a convex shape.

次に、第二工程において、第一母材205とバッキングプレート204との接合により反ったバッキングプレート204を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート204を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本変形例では、バッキングプレート204に対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。
Next, in the second step, the backing plate 204 warped by the joining of the first base material 205 and the backing plate 204 is shaped so as to have a flat shape.
The method of shaping the backing plate 204 is not limited to a specific method, but in this modification, a method of mechanically correcting the backing plate 204 by applying pressure in a direction opposite to the direction in which the warping occurs. Is used.

次に、第三工程において、第二接着部材を用いて、第二母材212をバッキングプレート211の第1主面211aに接合する。
より具体的には、接合面を形成するバッキングプレート211の第1主面211aに第二接着部材を塗布し、バッキングプレート211及び第二接着部材を融点以上の温度で加熱して融解させる。
そして、融解した第二接着部材上に第二母材212を配置し、第二母材212とバッキングプレート211との間に融解した第二接着部材が挟まれた状態で室温まで冷却する。
この工程で用いる第二接着部材としては、低融点金属であることが望ましく、例えば、インジウムが用いられる。
Next, in the third step, the second base material 212 is joined to the first main surface 211 a of the backing plate 211 using the second adhesive member.
More specifically, the second adhesive member is applied to the first main surface 211a of the backing plate 211 that forms the bonding surface, and the backing plate 211 and the second adhesive member are heated and melted at a temperature equal to or higher than the melting point.
Then, the second base material 212 is disposed on the melted second adhesive member, and is cooled to room temperature in a state where the melted second adhesive member is sandwiched between the second base material 212 and the backing plate 211.
The second adhesive member used in this step is preferably a low melting point metal, for example, indium.

次に、第四工程において、バッキングプレート211と第二母材212との接合により反ったバッキングプレート211を、平坦な形状となるように整形する。
バッキングプレート211を整形する方法は、特定の方法に限定されないが、本変形例では、バッキングプレート211に対し、反りが生じている方向とは逆の方向に圧力を加えて機械的に矯正する方法を用いる。
Next, in the fourth step, the backing plate 211 warped by the joining of the backing plate 211 and the second base material 212 is shaped so as to have a flat shape.
The method of shaping the backing plate 211 is not limited to a specific method, but in this modification, a method of mechanically correcting the backing plate 211 by applying a pressure in a direction opposite to the direction in which the warping occurs. Is used.

次に、第五工程において、バッキングプレート204の第2主面204bとバッキングプレート211の第2主面211bとが、向かい合うように、バッキングプレート204とバッキングプレート211とを一体化させる。
2つのバッキングプレートを一体化させる方法としては、例えば、主面204bと主面211bとの間に接着部材を配置し、両プレートを接合する方法が挙げられる。或いは、主面204bと主面211bとを重ね合わせた状態で、両プレートをボルト又はクランプ等の固定用部材により固定する方法がある。
Next, in the fifth step, the backing plate 204 and the backing plate 211 are integrated so that the second major surface 204b of the backing plate 204 and the second major surface 211b of the backing plate 211 face each other.
As a method for integrating the two backing plates, for example, a method in which an adhesive member is disposed between the main surface 204b and the main surface 211b and the two plates are joined to each other can be cited. Alternatively, there is a method in which both the plates are fixed by a fixing member such as a bolt or a clamp in a state where the main surface 204b and the main surface 211b are overlapped.

次に、第六工程において、バッキングプレート214の長手方向に平行な側面(第3側面113)に、絶縁性の接着部材(絶縁部材)209aを用いて、防着板209を接合することにより、ターゲットの変形例が形成される。   Next, in the sixth step, the adhesion preventing plate 209 is joined to the side surface (third side surface 113) parallel to the longitudinal direction of the backing plate 214 using an insulating adhesive member (insulating member) 209a. A variation of the target is formed.

なお、第一工程〜第二工程と、第三工程〜第四工程とは、順序を入れ替えて行ってもよいし、同時に行ってもよい。   In addition, a 1st process-a 2nd process and a 3rd process-a 4th process may be performed by changing order, and may be performed simultaneously.

また、ターゲットの変形例は、二枚の板204および211を重ね合わせることによってバッキングプレート214を予め形成し、その後、本発明の実施形態におけるバッキングプレート104と同様に、上述したターゲットの製造方法を用いることによっても形成される。   Further, in the modification of the target, the backing plate 214 is formed in advance by superimposing the two plates 204 and 211, and then the target manufacturing method described above is performed in the same manner as the backing plate 104 in the embodiment of the present invention. It is also formed by using.

上記ターゲットの製造方法の変形例によれば、ボルト又はクランプ等の固定部材を用いて母材をバッキングプレートに固定する場合のように、母材に固定領域を設ける必要がない。
したがって、バッキングプレート214の各々の主面に配置された第一母材205及び第二母材212の全域をスパッタリングに用いることができる。
According to the modification of the target manufacturing method, it is not necessary to provide a fixing region in the base material as in the case where the base material is fixed to the backing plate using a fixing member such as a bolt or a clamp.
Therefore, the entire area of the first base material 205 and the second base material 212 arranged on the main surface of each backing plate 214 can be used for sputtering.

また、ターゲットの製造方法の変形例では、バッキングプレートの第1主面214aあるいは第2主面214bに母材を接合させた後に、接合により反ったバッキングプレートを、平坦な形状になるように整形する。
したがって、バッキングプレートの二つの主面の各々に、個別に、表面が平坦な形状を有する母材が接合されたターゲットを製造することができる。
これにより、母材と被処理基板が平行に配置されるため、母材から飛び出すスパッタ粒子を被処理基板の処理面内に均一に付着させ、成膜することができる。
Further, in a modification of the target manufacturing method, after the base material is bonded to the first main surface 214a or the second main surface 214b of the backing plate, the backing plate warped by the bonding is shaped to have a flat shape. To do.
Therefore, a target in which a base material having a flat surface is bonded to each of the two main surfaces of the backing plate can be manufactured.
Accordingly, since the base material and the substrate to be processed are arranged in parallel, the sputtered particles popping out from the base material can be uniformly attached to the processing surface of the substrate to be processed to form a film.

本発明は、被処理体にスパッタリング法による成膜工程を行う場合に対し、広く適用することができる。   The present invention can be widely applied to a case where a film formation process by a sputtering method is performed on an object to be processed.

100・・・成膜装置、104・・・バッキングプレート、104a、104b・・・主面、105・・・第一母材、106・・・第二母材、107・・・回転軸、108a、108b・・・流路、109・・・防着板、109a・・・絶縁部材、120・・・カソード、C・・・ターゲット、E・・・制御部、H・・・磁場生成部、L・・・長手方向。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Film-forming apparatus, 104 ... Backing plate, 104a, 104b ... Main surface, 105 ... First base material, 106 ... Second base material, 107 ... Rotating shaft, 108a , 108b, a flow path, 109, a deposition plate, 109a, an insulating member, 120, a cathode, C, a target, E, a control unit, H, a magnetic field generation unit, L: Longitudinal direction.

Claims (6)

1主面,前記第1主面とは反対側に位置する第2主面,第1側面,及び前記第1側面とは反対側に位置する第2側面を有するバッキングプレートと、前記第1主面に配置された第一母材と、前記第2主面に配置された第二母材と、前記第1側面から前記第2側面に向けて前記バッキングプレートを貫通する回転軸とを有し、成膜空間内に設けられたターゲットと、
前記回転軸を回転させ、前記回転軸を介して前記ターゲットにスパッタリングに用いられる電力を供給する制御部と、
前記第一母材又は前記第二母材に漏洩磁束が生成されるように、前記成膜空間から離れた前記バッキングプレートの面に近い位置に設けられた磁場生成部とを含み、
前記磁場生成部は、前記バッキングプレートの外部にあり、漏洩磁束が前記第一母材に生成されるときは、前記第二母材に近い位置に配置され、漏洩磁束が前記第二母材に生成されるときは、前記第一母材に近い位置に配置されている
ことを特徴とするカソード。
A backing plate having a second side first main surface, the second main surface located on the opposite side to the first major surface, the first side surface, and the first side surface located on the opposite side, the first A first base material disposed on the main surface; a second base material disposed on the second main surface; and a rotating shaft penetrating the backing plate from the first side surface toward the second side surface. And a target provided in the deposition space,
A controller that rotates the rotating shaft and supplies power used for sputtering to the target via the rotating shaft;
As the leakage flux in the first workpiece or the second workpiece is generated, seen including a magnetic field generator provided in a position close to the surface of the backing plate away from the film forming space,
The magnetic field generation unit is outside the backing plate, and when leakage magnetic flux is generated in the first base material, the magnetic field generation unit is disposed at a position close to the second base material, and the leakage magnetic flux is in the second base material. When produced , the cathode is disposed at a position close to the first base material .
請求項1に記載のカソードであって、
前記磁場生成部は、
前記ターゲットが回転するときに前記ターゲットの回転半径より外側に前記磁場生成部を退避し、前記回転が終了したときに前記磁場生成部を元の位置に戻す退避駆動部を備えている
ことを特徴とするカソード。
The cathode of claim 1 ,
The magnetic field generator is
A retraction drive unit is provided that retracts the magnetic field generation unit outside the rotation radius of the target when the target rotates, and returns the magnetic field generation unit to the original position when the rotation is completed. And cathode.
請求項1又は2に記載のカソードであって、
前記磁場生成部は、
前記ターゲットの長手方向に垂直な方向及び前記ターゲットの長手方向に平行な方向のうち少なくとも一方向に前記磁場生成部を揺動させる揺動駆動部を備えている
ことを特徴とするカソード。
The cathode according to claim 1 or 2 ,
The magnetic field generator is
A cathode comprising: a swing drive unit that swings the magnetic field generating unit in at least one of a direction perpendicular to a longitudinal direction of the target and a direction parallel to the longitudinal direction of the target.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のカソードであって、
前記バッキングプレートの内部に設けられ、前記第1主面あるいは前記第2主面に近い位置に形成され、冷却水が流動する循環流路を備える
ことを特徴とするカソード。
The cathode according to any one of claims 1 to 3 ,
A cathode provided inside the backing plate, formed at a position close to the first main surface or the second main surface, and through which a cooling water flows.
請求項に記載のカソードであって、
前記制御部は、前記回転軸を通して、前記循環流路に冷却水を循環させる
ことを特徴とするカソード。
The cathode according to claim 4 , wherein
The cathode is characterized in that the control unit circulates cooling water in the circulation channel through the rotating shaft.
請求項1乃至5のいずれか一項に記載のカソードであって、
前記バッキングプレートは、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる第3側面を有し、前記第3側面には絶縁部材を介して防着板が配置されている
ことを特徴とするカソード。
A cathode according to any one of claims 1 to 5 ,
The backing plate has a third side surface different from the first side surface and the second side surface, and a deposition preventing plate is disposed on the third side surface via an insulating member.
JP2013509737A 2011-04-15 2011-11-18 Cathode Active JP5721817B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013509737A JP5721817B2 (en) 2011-04-15 2011-11-18 Cathode

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011091188 2011-04-15
JP2011091188 2011-04-15
PCT/JP2011/076674 WO2012140804A1 (en) 2011-04-15 2011-11-18 Cathode
JP2013509737A JP5721817B2 (en) 2011-04-15 2011-11-18 Cathode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012140804A1 JPWO2012140804A1 (en) 2014-07-28
JP5721817B2 true JP5721817B2 (en) 2015-05-20

Family

ID=47009003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013509737A Active JP5721817B2 (en) 2011-04-15 2011-11-18 Cathode

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5721817B2 (en)
KR (1) KR101515048B1 (en)
CN (1) CN103314129B (en)
TW (1) TWI518195B (en)
WO (1) WO2012140804A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7362327B2 (en) * 2019-07-18 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 Target structure and film deposition equipment
WO2022059644A1 (en) * 2020-09-17 2022-03-24 株式会社アルバック Sputtering device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10176266A (en) * 1996-12-18 1998-06-30 Dainippon Printing Co Ltd Sputtering device
JPH11189868A (en) * 1997-12-25 1999-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering method and device
JP2003293130A (en) * 2002-03-29 2003-10-15 Anelva Corp Sputtering system
JP2006233240A (en) * 2005-02-22 2006-09-07 Canon Inc Sputtering cathode and sputtering system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10176266A (en) * 1996-12-18 1998-06-30 Dainippon Printing Co Ltd Sputtering device
JPH11189868A (en) * 1997-12-25 1999-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering method and device
JP2003293130A (en) * 2002-03-29 2003-10-15 Anelva Corp Sputtering system
JP2006233240A (en) * 2005-02-22 2006-09-07 Canon Inc Sputtering cathode and sputtering system

Also Published As

Publication number Publication date
TW201241212A (en) 2012-10-16
CN103314129B (en) 2015-05-20
KR101515048B1 (en) 2015-04-24
KR20130109218A (en) 2013-10-07
JPWO2012140804A1 (en) 2014-07-28
CN103314129A (en) 2013-09-18
WO2012140804A1 (en) 2012-10-18
TWI518195B (en) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6069540B2 (en) Cathode unit
JP5960384B2 (en) Electrostatic chuck substrate and electrostatic chuck
US6776879B2 (en) Backing plate used for sputtering apparatus and sputtering method
JP6559233B2 (en) Magnetron sputtering equipment
JP5721817B2 (en) Cathode
JP6641472B2 (en) Film forming method and sputtering apparatus
TW202219298A (en) Sputtering apparatus
JP5721815B2 (en) Target and target manufacturing method
JP2007051337A (en) Sputtering electrode and sputtering apparatus provided with the sputtering electrode
JP5726633B2 (en) Target device
KR101994343B1 (en) Cathode assembly
JP7044887B2 (en) Sputtering equipment
JP6624585B2 (en) Sputtering target-backing plate assembly
JP7362327B2 (en) Target structure and film deposition equipment
KR20240072544A (en) Method for bonding sputtering target
JP2004074180A (en) Joining method and device
JP2023169957A (en) Cathode member, cathode, high-speed atom beam source, and, manufacturing method of bonded substrate
TW201437397A (en) Physical vapor deposition system
JP2010001550A (en) Thin film deposition method

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140929

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150310

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150324

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5721817

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250