JP5718205B2 - 防犯センサー用導電性フイルム、防犯センサー及び導電性フイルム - Google Patents

Description

本発明は、窓ガラス等に貼着される防犯センサー用導電性フイルム、防犯センサー及び導電性フイルムに関する。

近時、建物等に空き巣等の不審者や侵入者が侵入することを抑止するため、窓ガラス等の侵入口にされやすい箇所を補強したり、窓ガラス等の破壊等の異常を検知する防犯センサーを取り付けたりすることが行われている。

例えば、ガラスが破壊されても破片の飛散を防止するための手段として、ガラスの内部に金網を埋め込んだ金網入りガラスや、ＰＥＴフイルムを粘着加工して窓ガラス等に貼着できるようにした飛散防止フイルムがある。

また、窓ガラスやテント用シート等の破壊等の異常を検知する防犯センサーとしては、例えば特許文献１及び２に記載されているように、検出回路に接続された導電性ワイヤー等からなる検知線をガラスやテント用シート等に設け、検知線の切断等を電気的に検知することによってガラスやシート等の異常を検知する防犯センサーがある。

実開昭６０−３４６８５号公報 特開２００５−３３８９１７号公報

しかしながら、特許文献１の構成では、製作時に導電部材の一部分が欠落すると、抵抗変化を読み取れないおそれがある。

また、特許文献２の構成では、導電部材の一部分の切断では抵抗変化が十分ではなく、検知の感度が低くなり、誤動作や検知漏れ等するおそれがある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、導電部材の一部分が切断されても高精度に検知することができ、しかも、視認されにくく（目立たず）、外観上不快感を与えにくい防犯センサー用導電性フイルム及び防犯センサーを提供することを目的とする。

また、本発明の他の目的は、防犯センサーの検知部（検知回路）に用いて好適な導電性フイルムを提供することにある。

［１］ 第１の本発明に係る防犯センサー用導電性フイルムは、支持体と、前記支持体の一方の主面に形成され、＋側電極と−側電極とに電気的に接続される導電部とを有し、前記導電部は、前記＋側電極との第１接続部分と前記−側電極との第２接続部分にかけて形成された所定の形状の検知ブロックを有し、前記検知ブロックは、外部からの攻撃による該検知ブロック内の電気的変化を検出可能なものであり、前記検知ブロックは、その最長の辺の長さが２０ｍｍ以下であることを特徴とする。

これにより、＋側電極から−側電極に向けて電流を流した状態で、例えば導電性フイルムに対する攻撃あるいは破壊行為が行われて、例えば検知ブロックの導通がとれなくなると、＋側電極と−側電極との間の抵抗値が変化することから、これを電気的に検出することで、例えば窓ガラスに対して攻撃あるいは破壊行為が行われたことを検出することができる。しかも、例えば経時変化等による微小な断線では、抵抗値はほとんど変化しないため、誤って侵入を目的とした攻撃や破壊行為として検出（誤検出）するということがない。

また、検知ブロックの最長の辺の長さは、上述したように、２０ｍｍ以下が好ましいが、さらに好ましくは、上限値が１５ｍｍ以下、１０ｍｍ以下、８ｍｍ以下であり、下限値が５ｍｍ以上、７ｍｍ以上である。辺の長さが上記下限値未満の場合には、検知感度が高くなりすぎるため、例えば経時変化に伴う１ｍｍ程度の断線でも検出してしまい、頻繁に警告音が発生するおそれがある。もちろん、検知感度を高めたい場合は、５ｍｍ以下でも構わない。他方、上記上限値を越えると、反対に検知感度が低下し、侵入を目的とした攻撃や破壊（５ｍｍ以上の断線）を検出できなくなるおそれがある。従って、上記範囲にあることで、侵入を目的とした攻撃や破壊（５ｍｍ以上の断線）を確実に検出することが可能となる。

［２］ 第１の本発明において、前記検知ブロックは、金属細線からなるメッシュが多数配列されたメッシュパターンにて構成されていてもよい。これにより、視認されにくく（目立たず）、外観上不快感を与えにくい。

メッシュパターンの線幅Ｗａは１００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、上限値が８０μｍ以下、５０μｍ以下、３０μｍ以下、２１μｍ以下、１４μｍ以下、７μｍ以下、下限値が１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上である。線幅が上記下限値未満の場合には、導電性が不十分となるため、導電性フイルムを防犯センサーの検知部（検知回路）に使用した場合に、検知感度が不十分となる。他方、上記上限値を越えると、金属細線が目立つようになり、視認性が悪くなる。従って、上記範囲にあることで、検知感度及び視認性が良好となる。

［３］ 第１の本発明において、前記検知ブロックは電気的な接続方向に１０個以上が配列していてもよい。これにより、広範囲な部分を検知部として構成することができ、侵入を目的とした窓ガラス等へ攻撃あるいは破壊行為を検出することができる。

［４］ 第１の本発明において、前記導電部は、２以上のセグメントに分離され、各前記セグメントは、前記第１接続部分と前記第２接続部分とをそれぞれ有し、前記第１接続部分から前記第２接続部分にかけて１０個以上の前記検知ブロックが配列されていてもよい。

［５］ この場合、各前記セグメントの前記第１接続部分はそれぞれ前記＋側電極に共通に接続され、各前記セグメントの前記第２接続部分はそれぞれ前記−側電極に共通に接続され、２以上の前記セグメントが並列接続されていてもよい。これにより、セグメント単位で、侵入を目的とした攻撃や破壊を確実に検出することができ、大幅な電圧変化による回路系の負担を回避することができる。これは、検出回路の小型化、コストの低減化にもつながる。

［６］ また、各前記セグメントは、それぞれ導電方向に延びる複数のエクステントを有し、各前記エクステントは、１０個以上の前記検知ブロックが配列されていてもよい。

［７］ この場合、各前記セグメント内の前記複数のエクステントは、それぞれ中継配線を介して直列接続されていてもよい。

［８］ ［２］において、前記検知ブロックは、前記メッシュパターンに形成された蛇行形状の電気的絶縁ラインによって形作られる検知帯を有するようにしてもよい。これにより、検知帯を抵抗体として構成することができ、検知帯が断線すると、検知帯の抵抗値が変化し、この変化が電気的変化（電圧変化）として検出可能となる。蛇行形状としては、渦巻状や波状（ジグザグ状）等が挙げられる。

［９］ この場合、前記検知帯の幅は、３ｍｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは、上限値が２ｍｍ以下、１．４ｍｍ以下であり、下限値が０．５ｍｍ以上、１ｍｍ以上である。

［１０］ また、前記電気的絶縁ラインの幅は、１００μｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは、上限値が８０μｍ以下、５０μｍ以下、３０μｍ以下、２１μｍ以下、１４μｍ以下、７μｍ以下、下限値が１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上である。

［１１］ 第１の本発明において、前記検知ブロックによる２以上の微小抵抗体が直列接続されて１つの抵抗体が構成され、２以上の前記抵抗体が直列接続されて１つの抵抗体群が構成され、前記抵抗体群の一端が前記＋側電極に電気的に接続される前記第１接続部分であり、前記抵抗体群の他端が前記−側電極に電気的に接続される前記第２接続部分であってもよい。

［１２］ この場合、２以上の前記抵抗体群の各前記第１接続部分が前記＋側電極に共通に接続され、２以上の前記抵抗体群の各前記第２接続部分が前記−側電極に共通に接続され、２以上の前記抵抗体群が並列接続されていることが好ましい。これにより、抵抗体群単位で、侵入を目的とした攻撃や破壊を確実に検出することができ、大幅な電圧変化による回路系の負担を回避することができる。これは、検出回路の小型化、コストの低減化にもつながる。

［１３］ 第２の本発明に係る防犯センサーは、上述した第１の本発明に係る防犯センサー用導電性フイルムの前記検知ブロックにて構成される検知回路と、前記＋側電極と前記−側電極に接続され、前記防犯センサー用導電性フイルムの前記検知ブロックの抵抗値変化を検出する検出回路とを有することを特徴とする。

［１４］ 第２の本発明において、前記検知回路が並列回路であってもよい。

［１５］ 第２の本発明において、前記検出回路は、前記検知ブロックの切断及び前記検知ブロックの抵抗値変化のうち、いずれか１つ以上を検出するようにしてもよい。

［１６］ 第３の本発明に係る導電性フイルムは、支持体と、前記支持体の一方の主面に形成され、＋側電極と−側電極とに電気的に接続される導電部とを有し、前記導電部は、前記＋側電極との第１接続部分と前記−側電極との第２接続部分にかけて形成された所定の形状の検知ブロックを有し、前記検知ブロックは、外部からの攻撃による該検知ブロック内の電気的変化を検出可能なものであり、前記検知ブロックは、その最長の辺の長さが２０ｍｍ以下であることを特徴とする。

以上説明したように、本発明に係る防犯センサー用導電性フイルム及び防犯センサーによれば、導電部材の一部分が切断されても高精度に検知することができ、しかも、視認されにくく（目立たず）、外観上不快感を与えにくい。

また、本発明に係る導電性フイルムによれば、防犯センサーの検知部（検知回路）に用いることで、導電部材の一部分が切断されても高精度に検知することができ、しかも、視認されにくく（目立たず）、外観上不快感を与えにくい防犯センサーを提供することができる。

本実施の形態に係る導電性フイルムの構成を一部省略して示す断面図である。 導電性フイルムにおける導電部の構成を一部省略して示す平面図である。 導電部の一部（検知帯の形状が渦巻状）を拡大して示す平面図である。 検知ブロック及び検知帯の構成を示す平面図である。 図５Ａは図４におけるＶＡで示す領域の構成を示す平面図であり、図５Ｂは図４におけるＶＢで示す領域の構成を示す平面図であり、図５Ｃは図４におけるＶＣで示す領域の構成を示す平面図である。 導電部の一部（検知帯の形状が波状（ジグザグ状））を拡大して示す平面図である。 ＋側電極からのセンス電流の導通方向を一部省略して示す説明図である。 −側電極に向かうセンス電流の導通方向を一部省略して示す説明図である。 図９Ａは各検知ブロックによる微小抵抗体を示す回路図であり、図９Ｂは各エクステントによる抵抗体を示す回路図である。 導電部の構成を示す等価回路図である。 図１１Ａは防犯センサーの構成を示すブロック図であり、図１１Ｂは防犯センサーの検出回路の一構成を示すブロック図である。 変形例に係る導電性フイルムの導電部の構成を一部省略して示す平面図である。

以下、本発明に係る防犯センサー用導電性フイルム、防犯センサー及び導電性フイルムの実施の形態例を図１〜図１２を参照しながら説明する。なお、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。

本実施の形態に係る導電性フイルム１０は、図１に示すように、透明性の支持体１２と、該支持体１２の一方の主面１２ａに形成され、＋側電極１４ａと−側電極１４ｂとに電気的に接続される導電部１６とを有する。＋側電極１４ａ及び−側電極１４ｂ等も支持体１２の一方の主面１２ａに形成してもよい。

導電部１６は、図２に示すように、それぞれ電気的に絶縁された２以上のセグメントＳＧを有する。図２の例では、６つのセグメントＳＧ（第１セグメントＳＧ１〜第６セグメントＳＧ６）が横方向に配列された形態を示す。

各セグメントＳＧは、＋側電極１４ａに第１周辺配線１８ａを介して電気的に接続される第１接続部分２０ａと、−側電極１４ｂに第２周辺配線１８ｂを介して電気的で接続される第２接続部分２０ｂと、第１接続部分２０ａと第２接続部分２０ｂにかけて形成された複数の所定形状の検知ブロック２２を有する。すなわち、各セグメントＳＧの第１接続部分２０ａはそれぞれ＋側電極１４ａに共通に接続され、各セグメントＳＧの第２接続部分２０ｂはそれぞれ−側電極１４ｂに共通に接続され、２以上のセグメントＳＧが並列接続された形態となっている。図２の例では、各セグメントＳＧにおいて、それぞれ複数の検知ブロック２２が例えばマトリクス状に配列された例を示している。

各検知ブロック２２は、図３及び図４に示すように、一定の幅を有する１つの検知帯２４が蛇行した形状を有する。検知帯２４は、図５Ａに示すように、金属細線２６からなるメッシュ２８が多数配列されたメッシュパターン３０にて構成されている。メッシュ２８の形状は四角形に限定されず、六角形などの幾何学形状をとることができる。蛇行形状としては、例えば図３に示す渦巻状や図６に示す波状（ジグザグ状）等がある。

特に、本実施の形態では、さらに、１つのセグメントＳＧを複数の領域（エクステントＥＸ）に分け、各エクステントＥＸに含まれる複数の検知ブロック２２の検知帯２４が導通するように配線されている。図２の例では、１つのセグメントＳＧ（例えば第１セグメントＳＧ１）を７つのエクステントＥＸ（第１エクステントＥＸ１〜第７エクステントＥＸ７）に分けた例を示し、各エクステントＥＸは、縦方向に延びる長方形状を有し、横方向に１つの検知ブロック２２、縦方向に３０個の検知ブロック２２が配列されている。

隣接するエクステントＥＸ間には、金属細線２６を電気的に絶縁する縦方向に延びる絶縁ライン３２（図３参照）が形成されている。また、各エクステントＥＸに含まれる検知ブロック２２を構成する検知帯２４間にも金属細線２６を電気的に絶縁する蛇行形状の絶縁ライン３２が形成され、これにより、蛇行形状の検知帯２４が形づくられている。

従って、１つのエクステントＥＸについて、一方の端部の検知ブロック２２を構成する検知帯２４の一端から電気を流すことで、当該エクステントＥＸにおける他方の端部の検知ブロック２２を構成する検知帯２４の他端まで電気が導通することになる。

隣接するエクステントＥＸ間は、図２及び図３に示すように、周囲に形成された中継配線３４によって電気的に接続される。第１セグメントＳＧ１についてみると、図２に示すように、第１接続部分２０ａが位置する下辺３６ａについては、第１エクステントＥＸ１における検知帯２４の一端（第１接続部分２０ａ）に第１周辺配線１８ａを介して＋側電極１４ａが接続され、第２エクステントＥＸ２と第３エクステントＥＸ３における各検知帯２４の一端が第１中継配線３４ａによって電気的に接続され、第４エクステントＥＸ４と第５エクステントＥＸ５における各検知帯２４の一端が第２中継配線３４ｂによって電気的に接続され、第６エクステントＥＸ６と第７エクステントＥＸ７における各検知帯２４の一端が第３中継配線３４ｃによって電気的に接続されている。同様に、第２接続部分２０ｂが位置する上辺３６ｂについては、第７エクステントＥＸ７における検知帯２４の他端（第２接続部分２０ｂ）に第２周辺配線１８ｂを介して−側電極１４ｂが接続され、第１エクステントＥＸ１と第２エクステントＥＸ２における各検知帯２４の他端が第４中継配線３４ｄによって電気的に接続され、第３エクステントＥＸ３と第４エクステントＥＸ４における各検知帯２４の他端が第５中継配線３４ｅによって電気的に接続され、第５エクステントＥＸ５と第６エクステントＥＸ６における各検知帯２４の他端が第６中継配線３４ｆによって電気的に接続されている。これらの接続関係は、他のセグメントＳＧ（第２セグメントＳＧ２〜第６セグメントＳＧ６）についても同様である。

従って、＋側電極１４ａから−側電極１４ｂに向けてセンス電流ｉａを流すことで、図２、図７及び図８に示すように、各セグメントＳＧにおいて、センス電流ｉａは、第１接続部分２０ａから検知帯２４の蛇行に沿って進むこととなる。すなわち、センス電流ｉａは、第１接続部分２０ａ→第１エクステントＥＸ１→第４中継配線３４ｄ（上辺３６ｂ）→第２エクステントＥＸ２→第１中継配線３４ａ（下辺３６ａ）→第３エクステントＥＸ３→第５中継配線３４ｅ（上辺３６ｂ）→第４エクステントＥＸ４→第２中継配線３４ｂ（下辺３６ａ）→第５エクステントＥＸ５→第６中継配線３４ｆ（上辺３６ｂ）→第６エクステントＥＸ６→第３中継配線３４ｃ（下辺３６ａ）→第７エクステントＥＸ７→第２接続部分２０ｂの経路で流れ、各エクステントＥＸでは、それぞれ検知帯２４の蛇行に沿ってセンス電流が流れることになる。これらの動作（センス電流の流れ）が各セグメントＳＧにおいてほぼ同時に行われる。

各検知ブロック２２は、金属細線２６のメッシュパターン３０による蛇行形状の検知帯２４にて構成されていることから、図９Ａに示すように、１つの微小抵抗体３８を構成する。従って、検知ブロック２２の一部あるいは全部が断線すると、検知ブロック２２自体の抵抗値が変化し、この変化が電気的変化（電圧変化）として検出可能となる。

同様に、各エクステントＥＸは、図９Ｂに示すように、複数の検知ブロック２２（微小抵抗体３８）が直列に配列された１つの抵抗体４０を構成することから、例えば１以上の検知ブロック２２の一部が断線すると、エクステントＥＸ自体の抵抗値が変化し、この抵抗値変化が電気的変化（電圧変化）として検出可能となる。

各セグメントＳＧの等価回路としては、図１０に示すように、第１接続部分２０ａと第２接続部分２０ｂとの間に複数の抵抗体４０が直列に接続された回路構成となり、導電部１６は、上述の回路構成を有する複数のセグメントＳＧ（ＳＧ１〜ＳＧ６）が並列接続された検知回路４２を構成することになる。これにより、セグメント単位で、侵入を目的とした攻撃や破壊を確実に検出することができ、大幅な電圧変化による回路系の負担を回避することができる。これは、後述する検出回路の小型化、コストの低減化にもつながる。

ここで、導電性フイルム１０が適用される防犯センサー５０の構成について図１１Ａ及び図１１Ｂを参照しながら説明する。

防犯センサー５０は、図１１Ａに示すように、導電性フイルム１０による検知回路４２と、＋側電極１４ａと−側電極１４ｂに接続され、導電性フイルム１０の導電部１６（検知帯２４、検知ブロック２２、エクステントＥＸ、セグメントＳＧ）の抵抗値変化を検出する検出回路５２とを有する。

検出回路５２は、＋側電極１４ａから−側電極１４ｂに向けてセンス電流を流し、＋側電極１４ａと−側電極１４ｂ間の電圧を検出する。そして、例えば導電性フイルム１０に対する攻撃あるいは破壊行為によって、例えば１つの検知ブロック２２の導通がとれなくなると、該検知ブロック２２が含まれるエクステントＥＸ及びセグメントＳＧが導通できなくなる。その結果、検知回路４２の合成抵抗が大きくなり、それに伴い、＋側電極１４ａ及び−側電極１４ｂ間の電圧も高くなる。この電圧変化を検出することで、例えば窓ガラスに対して攻撃あるいは破壊行為が行われたことを検出することができる。

検出回路５２は、例えば図１１Ｂに示すように、＋側電極１４ａ及び−側電極１４ｂ間の電圧Ｖｉｎ（電極間電圧）と基準電圧Ｖｂとを比較するコンパレータ５４と、コンパレータ５４の出力電圧に基づいて警告音等を出力する警告出力部５６とを有するようにしてもよい。基準電圧Ｖｂは、導電性フイルム１０に対する攻撃あるいは破壊行為によって、１以上の検知ブロック２２にわたる範囲の切断や破壊が行われた場合の電極間電圧よりも僅かに低い電圧に設定する。これにより、導電性フイルム１０の検知帯２４が断線していない場合あるいは経時変化等による微小な断線の場合においては、コンパレータ５４から−側の電源電圧−Ｖｄが出力され、警告出力部５６からは警告音等は出力されない。そして、導電性フイルム１０に対する攻撃や破壊行為によって、１以上の検知ブロック２２にわたる範囲の切断や破壊が行われた場合に、電極間電圧Ｖｉｎが基準電圧Ｖｂよりも高くなるため、コンパレータ５４から＋側の電源電圧Ｖｄが出力され、これにより、警告出力部５６から警告音等が出力されることとなる。

ここで、検知帯２４を構成するメッシュパターン３０の好ましい態様について説明する。

先ず、メッシュパターン３０の線幅Ｗａ（図５Ｂ参照）は１００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、上限値が８０μｍ以下、５０μｍ以下、３０μｍ以下、２１μｍ以下、１４μｍ以下、７μｍ以下、下限値が１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上である。線幅が上記下限値未満の場合には、導電性が不十分となるため、導電性フイルム１０を防犯センサー５０の検知部（検知回路４２）に使用した場合に、検知感度が不十分となる。他方、上記上限値を越えると、金属細線２６が目立つようになり、視認性が悪くなる。従って、上記範囲にあることで、検知感度及び視認性が良好となる。

絶縁ライン３２の幅Ｗｂ（図５Ｂ参照）も、メッシュパターン３０の線幅Ｗａと同様に、１００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、上限値が８０μｍ以下、５０μｍ以下、３０μｍ以下、２１μｍ以下、１４μｍ以下、７μｍ以下、下限値が１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上である。また、検知帯２４の幅Ｗｃ（図５Ｂ参照）は３ｍｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、上限値が２ｍｍ以下、１．４ｍｍ以下であり、下限値が０．５ｍｍ以上、１ｍｍ以上である。

メッシュパターン３０の全光線透過率は５０％以上が好ましく、さらに好ましくは、５５％以上、６０％以上、６２％以上、６８％以上、７６％以上、８２％以上である。これにより、透明性を良好に保つことが可能となる。

メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチは、１０００μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、上限値が２００μｍ以下、１９０μｍ以下、１５０μｍ以下、下限値が１００μｍ以上、１２０μｍ以上である。配列ピッチが上記範囲である場合には、さらに透明性を良好に保つことが可能であり、窓ガラス等にとりつけた際に、金属細線２６が目立つことがなく、違和感がない。

また、検知ブロック２２の辺のうち、最長の辺の長さＬａ（図４参照）は２０ｍｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、上限値が１５ｍｍ以下、１０ｍｍ以下、８ｍｍ以下であり、下限値が５ｍｍ以上、７ｍｍ以上である。辺の長さが上記下限値未満の場合には、検知感度が高くなりすぎるため、例えば経時変化の金属細線の劣化に伴う１ｍｍ程度の断線でも検出してしまい、警告音の誤報が発生するおそれがある。もちろん、検知感度を高めたい場合は、５ｍｍ以下でも構わない。他方、上記上限値を越えると、反対に検知感度が低下し、侵入を目的とした攻撃や破壊（５ｍｍ以上の断線）を検出できなくなるおそれがある。従って、上記範囲にあることで、侵入を目的とした攻撃や破壊（５ｍｍ以上の断線）を確実に検出することが可能となる。

特に、侵入を目的とした攻撃や破壊（５ｍｍ以上の断線）を確実に検出して、それ以外の微小な断線を検出しないようにするために、以下のような構成を採用することが好ましい。

すなわち、図５Ｃに示すように、例えば横方向の切断において、検知ブロック２２の辺（横方向）の長さＬａ×検知帯２４の幅Ｗｃに相当する大きさを切断することで、１つの検知ブロック２２の導通を遮断することができるが、検知帯２４の幅Ｗｃが極端に狭いと、簡単に検知ブロック２２の導通が遮断されてしまい、誤って侵入を目的とした攻撃や破壊行為として検出（誤検出）するおそれがある。

そこで、検知帯２４のメッシュパターン３０は、図５Ｃに示すように、検知帯２４の幅Ｗｃ内において、金属細線２６の電流の導通方向（導電方向ｄａ）に直交する方向ｄｂに３個以上のメッシュ２８が存在していることが好ましい。さらに好ましくは、導電方向ｄａに直交する方向ｄｂに３個以上１０個以下のメッシュ２８が存在していることであり、より好ましくは、導電方向ｄａに直交する方向ｄｂに３個以上５個以下のメッシュ２８が存在していることである。

これにより、侵入を目的とした攻撃や破壊を確実に検出し、それ以外の微小な断線を検出しないようにすることができる。

また、図５Ａに示すように、メッシュパターン３０の水平方向に対する角度θとしては、３０°〜６０°を採用することができ、この場合、角度θを４５°にしてもよいし、それ以外の角度にしてもよい。４５°以外の角度を採用することで、横方向及び縦方向に延びる絶縁ライン３２によるメッシュパターン３０の切断形状に規則性がなくなり、メッシュパターン３０をさらに目立たなくさせることができる。本実施の形態では、角度θを３５°としている。

上述した例では、図２に示すように、導電部１６を６つのセグメントＳＧ（ＳＧ１〜ＳＧ６）に分け、各セグメントＳＧに含まれる検知ブロック２２を同数（横方向に７個、縦方向に３０個）とし、下辺３６ａに第１接続部分２０ａを位置させ、上辺３６ｂに第２接続部分２０ｂを位置させるようにしたが、セグメントＳＧの数は１つでもよいし、６つ以外でもよい。また、各セグメントＳＧに含まれる検知ブロック２２の個数も異なるようにしてもよい。また、上辺３６ｂに第１接続部分２０ａを位置させ、下辺３６ａに第２接続部分２０ｂを位置させるようにしてもよいし、左辺（又は右辺）に第１接続部分２０ａを位置させ、右辺（又は左辺）に第２接続部分２０ｂを位置させるようにしてもよい。図１２に、１つの変形例に係る導電性フイルム１０を示す。この変形例に係る導電性フイルム１０は、導電部１６を５つのセグメントＳＧ（第１セグメントＳＧ１〜第５セグメントＳＧ５）に分け、第１セグメントＳＧ１〜第４セグメントＳＧ４に含まれる検知ブロック２２を同数（横方向に９個、縦方向に３１個）とし、第５セグメントＳＧ５に含まれる検知ブロック２２の個数を横方向に７個、縦方向に３１個とし、上辺３６ｂに第１接続部分２０ａを位置させ、下辺３６ａに第２接続部分２０ｂを位置させるようにしている。

次に、上述した導電性フイルム１０の各層の構成について説明する。

［支持体］
導電性フイルム１０の支持体１２としては、プラスチックフイルム、プラスチック板等を挙げることができる。上記プラスチックフイルム及びプラスチック板の原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡ等のポリオレフィン類；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂；その他、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等を用いることができる。製造される導電性フイルム１０に透過性が要求される場合には、全可視光透過率は７０〜１００％であることが好ましく、８５〜１００％であることがより好ましく、９０〜１００％であることがさらに好ましく、ＰＥＴ、ＰＣ、アクリル樹脂を好適に用いることができる。また、加工性の観点からはＰＥＴを好適に用いることができる。支持体１２は、目的に応じて着色されていてもよい。

上記プラスチックフイルム及びプラスチック板は、単層で用いることもできるが、２層以上を組合わせた多層フイルムとして用いることもできる。

支持体１２には、該支持体１２に対して導電部１６を強固に接着させる目的で、予め、薬品処理、機械的処理、コロナ放電処理、火焔処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザ処理、混酸処理、オゾン酸処理等の表面活性処理を施しておくことが好ましい。

例えば、後述するように、支持体１２上にハロゲン化銀含有乳剤層を設け、この乳剤層を露光、現像して金属銀部よりなる導電部１６を形成する場合には、支持体１２と導電部１６との接着性（密着性）を確保するために、（１）前記表面活性処理を施した後、該表面上に直接ハロゲン化銀含有乳剤層を設ける方法、（２）一旦、前記表面活性処理を施した後、下塗り層を設け、該下塗り層上にハロゲン化銀含有乳剤層を設ける方法、が挙げられる。中でも、前記方法（２）により、支持体１２と導電部１６との密着性をより高めることができる。

上記下塗り層は、単層でもよく２層以上でもよい。下塗り層は、塩化ビニル、塩化ビニリデン、ブタジエン、メタクリル酸、アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸等の中から選ばれた単量体を出発原料とする共重合体からなってもよく、ポリエチレンイミン、エポキシ樹脂、グラフト化ゼラチン、ニトロセルロース、ゼラチンからなってもよいが、ゼラチンを含むことが好ましい。下塗り層は、支持体１２を膨潤させる化合物としてレゾルシンとｐ−クロルフェノールを含んでもよい。また、下塗り層がゼラチンを含む場合には、該下塗り層は、ゼラチン硬化剤としてクロム塩（クロム明ばん等）、アルデヒド類（ホルムアルデヒド、グルタールアルデヒド等）、イソシアネート類、活性ハロゲン化合物（２，４−ジクロロ−６−ヒドロキシ−Ｓ−トリアジン等）、エピクロルヒドリン樹脂、活性ビニルスルホン化合物等を含んでもよい。また、下塗り層は、マット剤として、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、無機物微粒子又はポリメチルメタクリレート共重合体微粒子を含んでもよい。

［導電部］
導電性フイルム１０は、上述したように、支持体１２に導電部１６が設けられている。導電部１６を構成する導電膜は、支持体１２の片面に設けられていてもよいし、両面に設けられていてもよい。当該導電膜は、支持体１２上に塗設されたハロゲン化銀及びバインダーを含有する銀塩含有乳剤層を所望のパターンで露光及び現像処理することで形成することができる。前記パターンを金属細線２６からなる多数の格子の交点を有するメッシュパターン３０とすることで、導電部１６を構成する導電膜を形成させることができ、これにより、導電部１６の光透過性を向上させることもできる。また、当該導電膜は、銀塩含有乳剤層の全面に露光し、現像処理することで形成してもよい。

上記銀塩含有乳剤層は、ハロゲン化銀とバインダーの他、溶媒や染料等の添加剤を含んでもよい。上記銀塩含有乳剤層は１層でもよく、２層以上設けてもよい。乳剤層の厚さは、好ましくは０．０５〜２０μｍ、より好ましくは０．１〜１０μｍである。

（銀塩）
上記銀塩含有乳剤層における銀塩はハロゲン化銀である。本実施の形態においては、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましく、ハロゲン化銀に関する銀塩写真フイルムや印画紙、印刷製版用フイルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられる技術は、本実施の形態においても用いることができる。

上記ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素のいずれであってもよく、これらの組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀を好適に用いることができる。また、塩臭化銀、沃塩臭化銀、沃臭化銀を主体としたハロゲン化銀も好適に用いることができる。ここで、「ＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成物中に占める臭化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀をいう。すなわち、ＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀粒子は、臭化物イオンのほかに、沃化物イオン、塩化物イオンを含有してもよい。他のハロゲン化銀（ＡｇＣｌ、ＡｇＩ等）を主体としたハロゲン化銀についても、上記「ＡｇＢｒ」を当該他のハロゲン化銀に置き換えて解釈する。

銀塩含有乳剤層中のハロゲン化銀の含有量に特に制限はないが、銀に換算して０．１〜４０ｇ／ｍ^２であることが好ましく、０．５〜２５ｇ／ｍ^２であることがより好ましく、さらに３〜２５ｇ／ｍ^２、特に５〜２０ｇ／ｍ^２、さらに７〜１５ｇ／ｍ^２であることが好ましい。

（バインダー）
上記銀塩含有乳剤層には、ハロゲン化銀粒子を均一に分散させ、且つ、銀塩含有乳剤層と支持体１２との密着を補助する目的でバインダーが含まれる。当該バインダーとしては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれを用いてもよいが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。具体的には、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリサッカライド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等を銀塩含有乳剤層のバインダーとして用いることができる。

本実施の形態においては、上記銀塩含有乳剤層のバインダーとして、ゼラチンが好適に用いられる。

上記銀塩含有乳剤層中のバインダーの含有量に特に制限はなく、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができるが、銀（Ａｇ）／バインダー（体積比）で１／１〜４／１であることが好ましく、１．５／１〜４／１であることがより好ましい。上記銀塩含有乳剤層中の銀／バインダー（体積比）を上記範囲内とすることで、成形後の金属銀部の破断をより確実に抑えることができる。

（溶媒）
上記銀塩含有乳剤層の形成に用いられる溶媒に特に制限はなく、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、ホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、酢酸エチル等のエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。

上記銀塩含有乳剤層に用いられる溶媒の含有量は、銀塩含有乳剤層に含有される溶媒以外の成分の合計１００質量部に対して３０〜９０質量部の範囲であり、５０〜８０質量部の範囲であることが好ましい。

（アクリル系ラテックス）
上記銀塩含有乳剤層には、支持体１２との密着性を向上させる観点からアクリル系ラテックスを含有させることができる。アクリル系ラテックスとしては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、アセトキシエチルアクリレート等から選ばれる少なくとも１種のアクリル系モノマーを含む重合体の水系媒体中の分散物が挙げられる。

上記銀塩含有乳剤層におけるラテックス／ゼラチン（質量比）は０．１５／１〜２．０／１であることが好ましく、０．５／１〜１．０／１であることがより好ましい。

（その他の添加剤）
上記銀塩含有乳剤層には、さらに各種添加剤が含まれてもよい。当該添加剤として、例えば、増粘剤、酸化防止剤、マット剤、滑剤、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤等を挙げることができる。

［保護層］
導電性フイルム１０には、導電部１６上に保護層が設けられていてもよい。保護層を設けることで、導電性フイルム１０からの導電部１６（導電膜）の脱落をより抑制することができる。保護層は、ゼラチンや高分子ポリマー等からなることが好ましい。保護層の厚みは０．０２〜０．２μｍであることが好ましく、０．０５〜０．１μｍであることがより好ましい。また、保護層は、導電部１６上に直接設けられていてもよいし、導電部１６上に下塗り層を設けてからその上に設けてもよい。

次に、導電性フイルム１０の作製について説明する。

［導電性フイルムの作製］
導電性フイルム１０は、支持体１２上に設けられた銀塩含有乳剤層を所望のパターンに露光した後現像処理し、該支持体１２上に、所望の形状の金属銀部を含む導電膜を形成させることで得られる。

支持体１２上にメッシュパターン３０を形成する場合は、露光、現像処理によって、メッシュ状で、且つ、直線が略直交した形態の直線格子パターンや、交差部間の導電部分が少なくとも１つの湾曲を有する波線格子パターン等を形成することが好ましい。導電部１６の金属銀部の形状がメッシュパターン３０である場合において、メッシュパターン３０のピッチ（金属銀部の線幅と開口部の幅の合計）は、１０００μｍ以下であることが好ましい。

（パターン露光）
銀塩含有乳剤層をパターン状に露光する方法は、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザビームによる走査露光で行ってもよい。この際、レンズを用いた屈折式露光でも反射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタクト露光、プロキシミティー露光、縮小投影露光、反射投影露光等の露光方式を用いることができる。

（現像処理）
銀塩含有乳剤層は、露光がなされた後、さらに現像処理が施される。現像処理は、銀塩写真フイルムや印画紙、印刷製版用フイルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることができる。

本実施の形態では、露光及び現像処理を行うことによって、露光部分に導電部分（金属銀部）が形成されると共に、未露光部に開口部（光透過性部）が形成される。乳剤層への現像処理は、未露光部の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことができる。乳剤層に対する定着処理は、銀塩写真フイルムや印画紙、印刷製版用フイルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることができる。

（レーザエッチング）
導電性フイルム１０の導電部１６（導電膜）に対して、絶縁ライン３２となる部分にレーザ光を照射し、この部分の金属を選択的に除去する。ここで用いる条件として、レーザ波長の選択は特に重要である。レーザ波長として４００ｎｍ以上を選択することにより、支持体１２への損傷なく、導電膜のエッチングが可能であり、さらには５００ｎｍ以上が好ましい。導電膜に照射するレーザ光としては、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を用いることができる。導電膜に対するレーザ光の照射は、コンピュータによって制御されるＸＹ方向のスキャン機構を具備したレーザ照射装置により行うことができる。この場合、例えばオフラインティーチングによって、予め設定された絶縁ライン３２のパターン形状の情報をコンピュータのメモリに入力しておき、レーザ照射装置の駆動時にメモリからパターン形状の情報を読み出して、読み出した情報に基づいてスキャン機構を制御しながらレーザ光を導電膜に照射して導電膜に絶縁ライン３２を形成するようにしてもよい。

上述したレーザエッチングを行って絶縁ライン３２を形成する場合、導電膜の厚みは、５μｍ以下が好ましい。厚すぎるとエッチングに必要なレーザ光の出力を大きくしなければならず、支持体１２に損傷を生じさせるおそれがあるため好ましくない。

なお、導電性フイルム１０の作製に関しては、下記表１及び表２に記載の公開公報及び国際公開パンフレットの技術と適宜組合わせて使用することができる。「特開」、「号公報」、「号パンフレット」等の表記は省略する。

本実施の形態において、導電性向上、成型性向上のため、蒸気処理、カレンダー処理、キセノン照射処理を行うことが望ましい。

＜キセノン照射＞
現像処理を終えた金属銀部に対してキセノンフラッシュランプからのパルス光を照射することができる。照射量は、１パルスあたり１Ｊ以上、１５００Ｊ以下とすることが好ましく、１００Ｊ以上１０００Ｊ以下とすることがより好ましく、５００Ｊ以上８００Ｊ以下とすることがさらに好ましい。照射量は、一般的な紫外線照度計を用いて測定することができる。一般的な紫外線照度計は、例えば３００〜４００ｎｍに検出ピークを有する照度計を用いることができる。

金属銀部に照射する光は、紫外線、電子ビーム、Ｘ線、γ線、赤外線等の輻射線等が挙げられる。汎用性の点から、紫外線が好ましい。紫外線を照射する光源としては、特に制限はないが、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、フラッシュランプ（例えばキセノンフラッシュランプ）等が挙げられる。本実施の形態においては、金属銀の導電性及び成型性を向上させることと、汎用性の点から、キセノンフラッシュランプが好ましく、例えばウシオ電器社製のキセノンフラッシュランプ等が挙げられる。

パルス光の照射回数は１回以上、５０回以下が好ましく、１回以上、３０回以下が好ましい。

キセノン照射処理は、相対湿度５％以上、且つ、結露しない調湿条件下の湿熱雰囲気中で行われる。導電性／成型性が向上する理由についてはまだ定かではないが、少なくとも一部の水溶性バインダーが湿度の上昇とともに微小移動しやすくなり、金属（導電性物質）同士の結合部位が増加しているものと考えられる。

湿熱雰囲気中の相対湿度は、好ましくは５％〜１００％であり、より好ましくは４０％〜１００％であり、さらに好ましくは６０％〜１００％であり、特に好ましくは８０％〜１００％である。

＜平滑化処理（カレンダー処理）＞
現像後に、金属銀部を平滑化処理する平滑化処理を行うことで、金属銀部における金属粒子同士の結合部分が増加し、金属銀部の導電性、成型性が顕著に増大する。

平滑化処理は、例えばカレンダーロールにより行うことができる。カレンダーロールは、通常、一対のロールにて構成される。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。

カレンダー処理に用いられるロールとしては、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等のプラスチックロール又は金属ロールが用いられる。特に両面に銀塩乳剤層を有する場合は、金属ロール同士で処理することが好ましい。片面に銀塩乳剤層を有する場合は、シワ防止の点から金属ロールとプラスチックロールの組み合わせとすることもできる。線圧力の下限値は、好ましくは１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ）以上、さらに好ましくは２９４０Ｎ／ｃｍ（３００ｋｇｆ／ｃｍ）以上である。線圧力の上限値は、好ましくは６８６０Ｎ／ｃｍ（７００ｋｇｆ／ｃｍ）以下である。ここで、線圧力（荷重）とは、カレンダー処理されるフイルム試料１ｃｍ当たりにかかる力である。

カレンダーロールで代表されるカレンダー処理の適用温度は、１０℃（温調なし）〜１００℃が好ましく、より好ましい温度は、金属メッシュ状パターンや金属配線パターンの画線密度や形状、バインダー種によって異なるが、おおよそ１０℃（温調なし）〜５０℃の範囲である。

＜温水処理又は蒸気処理＞
支持体１２上に現像銀で構成された銀メッシュ層（メッシュパターン３０）を形成した後、温水ないしはそれ以上の温度の加熱水に浸漬させる温水処理か、又は水蒸気に接触させる蒸気処理を行うことが好ましい。これにより短時間で簡便に導電性及び成型性を向上させることができる。水溶性バインダーの一部が除去されて現像銀（導電性物質）同士の結合部位が増加しているものと考えられる。

本プロセスは、現像処理後に実施できるが、平滑化処理後に行うことが望ましい。

温水処理で使用される温水の温度は好ましくは６０℃以上１００℃以下であり、より好ましくは８０℃〜１００℃である。また、蒸気処理で使用される水蒸気の温度は、１気圧で１００℃以上１４０℃以下が好ましい。温水処理又は蒸気処理の処理時間は、使用する水溶性バインダーの種類によって異なるが、支持体１２のサイズが６０ｃｍ×１ｍの場合、約１０秒間〜約５分間程度が好ましく、約１分間〜約５分間がさらに好ましい。

以下に、本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

実施例１〜２８について、メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチ、メッシュパターン３０の線幅を変えたときの１検知ブロック、１エクステント、１セグメント、全体の抵抗値と、１箇所を切断して、１つのセグメントに含まれる１つの検知帯の導通ができなくなったときの抵抗変化（以下、１箇所切れたときの抵抗変化と記す）、並びに透過率を確認した。

（実施例１）
［乳剤の調製］
・１液：
水 ７５０ｍＬ
フタル化処理ゼラチン ２０ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
・２液：
水 ３００ｍＬ
硝酸銀 １５０ｇ
・３液：
水 ３００ｍＬ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ５ｍＬ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） ７ｍＬ
３液に用いるヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液）及びヘキサクロロロジウム酸アンモニウム（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液）は、それぞれの錯体粉末をそれぞれＫＣｌ２０％水溶液、ＮａＣｌ２０％水溶液に溶解し、４０℃で１２０分間加熱して調製した。

３８℃、ｐＨ４．５に保たれた１液に、２液と３液の各々９０％に相当する量を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて下記４液、５液を８分間にわたって加え、さらに、２液と３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、０．２１μｍまで成長させた。さらに、ヨウ化カリウム０．１５ｇを加え５分間熟成し粒子形成を終了した。

・４液：
水 １００ｍＬ
硝酸銀 ５０ｇ
・５液：
水 １００ｍＬ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ
その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、上澄み液を約３リットル除去した（第一水洗）。さらに３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、上澄み液を３リットル除去した（第二水洗）。第二水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第三水洗）、水洗・脱塩行程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、安定剤として１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１００ｍｇ、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に塩化銀を７０モル％、沃化銀を０．０８モル％含む平均粒子径０．２２μｍ、変動係数９％のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤を得た。最終的に乳剤として、ｐＨ＝６．４、ｐＡｇ＝７．５、電導度＝４０００μＳ/ｃｍ、密度＝１．４×１０^３ｋｇ／ｍ^３、粘度＝２０ｍＰａ・ｓとなった。

［乳剤層塗布液の調製］
上記乳剤に下記化合物（Ｃｐｄ−１）８．０×１０^−４モル／モルＡｇ、１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１．２×１０^−４モル／モルＡｇを添加しよく混合した。次いで、膨潤率調製のため必要により、下記化合物（Ｃｐｄ−２）を添加し、クエン酸を用いて塗布液ｐＨを５．６に調整した。

［支持体］
支持体１２として、上面から見て長方形状で、厚さが１００μｍのＰＥＴフイルムの両面にコロナ放電処理を行い、表面親水化処理したものを用いた。

［感光フイルムの調製］
上記のコロナ放電処理ＰＥＴフイルムに、上記の乳剤層塗布液をＡｇ７．８ｇ／ｍ^２、ゼラチン１．０ｇ／ｍ^２になるように塗布した。

得られた感光フイルムは、乳剤層の銀／バインダー体積比率（銀／ＧＥＬ比（ｖｏｌ））が１／１であった。

［露光・現像処理］
次いで、上記感光フイルムにライン／スペース＝１００μｍ／９００μｍの現像銀像を与えうる格子状のフォトマスクライン／スペース＝９００μｍ／１００μｍ（ピッチ１０００μｍ）の、スペースが格子状であるフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。このとき、＋側電極１４ａ及び−側電極１４ｂ、中継配線３４等を形成するための露光も併せて行った。その後、定着、水洗、乾燥という工程を含む処理を行った。

（現像液の組成）
現像液１リットル中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン １５ｇ／Ｌ
亜硫酸ナトリウム ３０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム ４０ｇ／Ｌ
エチレンジアミン・四酢酸 ２ｇ／Ｌ
臭化カリウム ３ｇ／Ｌ
ポリエチレングリコール２０００ １ｇ／Ｌ
水酸化カリウム ４ｇ／Ｌ
ｐＨ１０．５に調整

（定着液の組成）
定着液１リットル中に、以下の化合物が含まれる。
チオ硫酸アンモニウム(７５％) ３００ｍｌ
亜硫酸アンモニウム・一水塩 ２５ｇ／Ｌ
１,３-ジアミノプロパン・四酢酸 ８ｇ／Ｌ
酢酸 ５ｇ／Ｌ
アンモニア水(２７％) １ｇ／Ｌ
ヨウ化カリウム ２ｇ／Ｌ
ｐＨ６．２に調整

これにより、導電部１６を有する導電性フイルム１０、すなわち、導電部１６がメッシュパターン３０を有する検知帯２４、検知ブロック２２、エクステントＥＸ、セグメントＳＧにより区画され、＋側電極１４ａ及び−側電極１４ｂ、中継配線３４等を有する導電性フイルム１０を得た。メッシュパターン３０の厚みは２μｍ、メッシュパターン３０の線幅Ｗａは１００μｍ、メッシュ２８の配列ピッチは１０００μｍである。

［レーザエッチング］
上述した導電性フイルム１０の導電部１６（導電膜）にレーザエッチングを行って、図２〜図４に示すように、渦巻状の絶縁ライン３２と、複数のエクステントＥＸ並びに複数のセグメントＳＧに区分するための直線状の絶縁ライン３２を形成して、図２に示すように、第１セグメントＳＧ１〜第６セグメントＳＧ６、第１エクステントＥＸ１〜第７エクステントＥＸ７、複数の検知ブロック２２及び検知帯２４を有する実施例１に係る導電性フイルムを作製した。レーザエッチングは、レーザ光のスポット径が３０μｍ、すなわち、絶縁ライン３２の幅Ｗｂが３０μｍとなるように、レーザ光を照射して行った。

（レーザエッチング：加工機）
レーザ：スペクトラフィジックス製ＨＩＰＰＯ５３２−１１Ｗ機
ガルバノスキャナ：ＹＥ−ＤＡＴＡ製
ｆθレンズ：Ｆ＝１００

（加工条件）
周波数：３０ｋＨｚ
加工点出力：１４０ｍＷ
走査速度：３００ｍｍ／ｓｅｃ
繰り返し走査：１回

（実施例２〜４）
実施例２、３、４は、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを８０μｍ、５０μｍ、３０μｍとした点以外は、上述した実施例１と同様の方法で作製した。

（実施例５）
実施例５は、メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチを３００μｍとし、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを８０μｍとした点以外は、上述した実施例１と同様の方法で作製した。

（実施例６〜８）
実施例６、７、８は、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを５０μｍ、３０μｍ、２１μｍとした点以外は、上述した実施例５と同様の方法で作製した。

（実施例９）
実施例９は、メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチを２００μｍとし、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを５０μｍとした点以外は、上述した実施例１と同様の方法で作製した。

（実施例１０〜１２）
実施例１０、１１、１２は、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを３０μｍ、２１μｍ、１４μｍとした点以外は、上述した実施例９と同様の方法で作製した。

（実施例１３）
実施例１３は、メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチを１９０μｍとし、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを３０μｍとした点以外は、上述した実施例１と同様の方法で作製した。

（実施例１４〜１６）
実施例１４、１５、１６は、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを２１μｍ、１４μｍ、７μｍとした点以外は、上述した実施例１３と同様の方法で作製した。

（実施例１７）
実施例１７は、メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチを１５０μｍとし、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを２１μｍとした点以外は、上述した実施例１と同様の方法で作製した。

（実施例１８〜２０）
実施例１８、１９、２０は、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを１４μｍ、７μｍ、５μｍとした点以外は、上述した実施例１７と同様の方法で作製した。

（実施例２１）
実施例２１は、メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチを１２０μｍとし、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを２１μｍとした点以外は、上述した実施例１と同様の方法で作製した。

（実施例２２〜２４）
実施例２２、２３、２４は、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを１４μｍ、７μｍ、５μｍとした点以外は、上述した実施例２１と同様の方法で作製した。

（実施例２５）
実施例２５は、メッシュパターン３０のメッシュ２８の配列ピッチを１００μｍとし、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを１４μｍとした点以外は、上述した実施例１と同様の方法で作製した。

（実施例２６〜２８）
実施例２６、２７、２８は、メッシュパターン３０の線幅Ｗａを７μｍ、５μｍ、３μｍとした点以外は、上述した実施例２５と同様の方法で作製した。

なお、上述した実施例１〜２８において、検知帯２４の幅Ｗｃを１ｍｍ以上３ｍｍ以下の範囲となるように、且つ、検知帯２４の幅Ｗｃ内において、金属細線２６の導電方向ｄａに直交する方向ｄｂに３個以上１０個以下のメッシュ２８が存在するように調整した。また、検知ブロック２２の辺のうち、最長の辺の長さＬａ（図４参照）が５ｍｍ以上２０ｍｍ以下となるように調整した。

［評価］
（抵抗）
実施例１〜２８について、１検知ブロック２２の抵抗値、１エクステントＥＸの抵抗値、１セグメントＳＧの抵抗値を測定し、さらに、全体の抵抗値を求めた。

１検知ブロック２２の抵抗値は、１検知ブロック２２を構成する検知帯２４の一端と他端との間の抵抗値を測定し、１エクステントＥＸの抵抗値は、１エクステントＥＸにおける下辺３６ａ側の検知帯２４の一端と上辺３６ｂ側の検知帯２４の他端との間の抵抗値を測定した。１セグメントＳＧの抵抗値は、１セグメントＳＧの第１接続部分２０ａと第２接続部分２０ｂとの間の抵抗値を測定した。全体の抵抗値は、＋側電極１４ａと−側電極１４ｂ間の抵抗値を測定した。

（１箇所切れたときの抵抗変化）
並列接続された６つのセグメントのうち、１つのセグメントが切断した場合の＋側電極１４ａと−側電極１４ｂ間の抵抗値を測定し、この抵抗値と、切断前の全体の抵抗値との差を抵抗変化とした。

（光透過率）
実施例１〜２８について光透過率を測定した。

［評価結果］
評価結果を表３に示す。

表３から、実施例１〜２８のいずれも透過率が５０％以上であった。特に、実施例３、４、８、１２、１５、１６、１９、２０、２３、２４、２６〜２８は、透過率が７６％以上であり、その中でも、実施例４、１６、２０、２８は透過率が８２％以上であった。

また、１箇所切れたときの抵抗変化は、例えば実施例５の６．８ｋオームが最も低く、例えば実施例４及び２８の５６ｋオームが最も高かった。例えばセンサ電流として、１ｍＡの電流を流した場合、電圧変化としては、実施例５が６．８Ｖ、実施例４及び２８が５６Ｖとなる。通常、コンパレータの入力段には、ＴＴＬレベル（５Ｖ以下）のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）が接続されていることから、該トランジスタのゲート耐圧を考慮すると、コンパレータの入力側に降圧回路を設置するか、あるいは、トランジスタとして高電圧トランジスタを使用する必要があり、検出回路の大型化が懸念される。そこで、センス電流として例えば０．５ｍＡ以下の電流を流すようにすれば、小型で安価なコンパレータを使用することが可能となる。しかも、消費電力（待機時消費電力）も大幅に低減させることができる。例えば実施例５の６．８ｋオームの場合は、０．５ｍＡのセンス電流を流すことで、３．４Ｖの電圧変化となり、実施例４及び２８の５６ｋオームの場合は、０．０８ｍＡのセンス電流を流すことで、４．４８Ｖの電圧変化となり、小型で安価なコンパレータを使用することが可能となる。もちろん、複数個所の切断を考慮して、センス電流の電流値をさらに小さくしてもよい。

なお、本発明に係る防犯センサー用導電性フイルム、防犯センサー及び導電性フイルムは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

１０…導電性フイルム １２…支持体
１４ａ…＋側電極 １４ｂ…−側電極
１６…導電部 １８ａ…第１周辺配線
１８ｂ…第２周辺配線 ２０ａ…第１接続部分
２０ｂ…第２接続部分 ２２…検知ブロック
２４…検知帯 ２６…金属細線
２８…メッシュ ３０…メッシュパターン
３２…絶縁ライン ３４…中継配線
３４ａ〜３４ｆ…第１中継配線〜第６中継配線
３８…微小抵抗体 ４０…抵抗体
４２…検知回路 ５０…防犯センサー
５２…検出回路 ５４…コンパレータ
５６…警告出力部

Claims (14)

1. 支持体と、
   前記支持体の一方の主面に形成され、＋側電極と−側電極とに電気的に接続される導電部とを有し、
   前記導電部は、前記＋側電極との第１接続部分と前記−側電極との第２接続部分にかけて形成された所定の形状の検知ブロックを有し、
   前記検知ブロックは、外部からの攻撃による該検知ブロック内の電気的変化を検出可能なものであり、
   前記検知ブロックは、その最長の辺の長さが２０ｍｍ以下であり、
   前記検知ブロックは、金属細線からなるメッシュが多数配列されたメッシュパターンにて構成され、
   前記検知ブロックは、
   前記メッシュパターンに形成された蛇行形状の電気的絶縁ラインによって形作られる検知帯を有することを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
2. 請求項１記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   前記検知ブロックは電気的な接続方向に１０個以上が配列していることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
3. 請求項１又は２記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   前記導電部は、２以上のセグメントに分離され、
   各前記セグメントは、前記第１接続部分と前記第２接続部分とをそれぞれ有し、
   前記第１接続部分から前記第２接続部分にかけて１０個以上の前記検知ブロックが配列されていることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
4. 請求項３記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   各前記セグメントの前記第１接続部分はそれぞれ前記＋側電極に共通に接続され、
   各前記セグメントの前記第２接続部分はそれぞれ前記−側電極に共通に接続され、
   ２以上の前記セグメントが並列接続されていることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
5. 請求項３又は４記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   各前記セグメントは、それぞれ導電方向に延びる複数のエクステントを有し、
   各前記エクステントは、１０個以上の前記検知ブロックが配列されていることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
6. 請求項５記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   各前記セグメント内の前記複数のエクステントは、それぞれ中継配線を介して直列接続されていることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   前記検知帯の幅は、３ｍｍ以下であることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   前記電気的絶縁ラインの幅は、１００μｍ以下であることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
9. 請求項１記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
   前記検知ブロックによる２以上の微小抵抗体が直列接続されて１つの抵抗体が構成され、
   ２以上の前記抵抗体が直列接続されて１つの抵抗体群が構成され、
   前記抵抗体群の一端が前記＋側電極に電気的に接続される前記第１接続部分であり、
   前記抵抗体群の他端が前記−側電極に電気的に接続される前記第２接続部分であることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
10. 請求項９記載の防犯センサー用導電性フイルムにおいて、
    ２以上の前記抵抗体群の各前記第１接続部分が前記＋側電極に共通に接続され、
    ２以上の前記抵抗体群の各前記第２接続部分が前記−側電極に共通に接続され、
    ２以上の前記抵抗体群が並列接続されていることを特徴とする防犯センサー用導電性フイルム。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の防犯センサー用導電性フイルムの前記検知ブロックにて構成される検知回路と、
    前記＋側電極と前記−側電極に接続され、前記防犯センサー用導電性フイルムの前記検知ブロックの抵抗値変化を検出する検出回路と、
    を有することを特徴とする防犯センサー。
12. 請求項１１記載の防犯センサーにおいて、
    前記検知回路が並列回路であることを特徴とする防犯センサー。
13. 請求項１１又は１２記載の防犯センサーにおいて、
    前記検出回路は、前記検知ブロックの切断及び前記検知ブロックの抵抗値変化のうち、いずれか１つ以上を検出することを特徴とする防犯センサー。
14. 支持体と、
    前記支持体の一方の主面に形成され、＋側電極と−側電極とに電気的に接続される導電部とを有し、
    前記導電部は、前記＋側電極との第１接続部分と前記−側電極との第２接続部分にかけて形成された所定の形状の検知ブロックを有し、
    前記検知ブロックは、外部からの攻撃による該検知ブロック内の電気的変化を検出可能なものであり、
    前記検知ブロックは、その最長の辺の長さが２０ｍｍ以下であり、
    前記検知ブロックは、金属細線からなるメッシュが多数配列されたメッシュパターンにて構成され、
    前記検知ブロックは、
    前記メッシュパターンに形成された蛇行形状の電気的絶縁ラインによって形作られる検知帯を有することを特徴とする導電性フイルム。

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