JP5717795B2 - Printed circuit board - Google Patents

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Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。   The present invention relates to a wired circuit board, and more particularly to a wired circuit board such as a suspension board with circuit.

従来より、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法において、導体パターンの端子部の表面に、金めっき層を設けている。金めっき層は、給電パッドからめっきリードを介して導体パターンに給電する電解金めっきにより、形成されている。   Conventionally, in a method of manufacturing a wired circuit board such as a suspension board with circuit, a gold plating layer is provided on the surface of the terminal portion of the conductor pattern. The gold plating layer is formed by electrolytic gold plating in which power is supplied from the power supply pad to the conductor pattern via the plating lead.

例えば、基板および絶縁層の上に、導体層パターンおよびこれに電気的に接続されるめっき用リード部(パッド部)を一体的に形成し、次いで、めっき用リード部の一部を被覆し、かつ、導体層パターンが露出する開口部を有する被覆層を形成する。その後、めっき用リード部からの給電により、開口部内の導体層パターンの上に金からなる電極パッドを形成し、次いで、電極パッドをレジスト膜で被覆した後、被覆層から露出するめっき用リード部をエッチングにより除去する、磁気ヘッドサスペンションの製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   For example, a conductor layer pattern and a plating lead portion (pad portion) electrically connected to the conductor layer pattern are integrally formed on the substrate and the insulating layer, and then a part of the plating lead portion is covered, And the coating layer which has an opening part which a conductor layer pattern exposes is formed. Thereafter, an electrode pad made of gold is formed on the conductor layer pattern in the opening by feeding from the plating lead, and then the plating lead is exposed from the coating layer after the electrode pad is covered with a resist film. A method of manufacturing a magnetic head suspension has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開2002−20898号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-20898

しかし、上記した特許文献1の磁気ヘッドサスペンションの製造方法では、めっき用リード部をエッチングするときに、被覆層に被覆されるめっき用リード部を過度にエッチングしてしまう場合がある。   However, in the method of manufacturing the magnetic head suspension described in Patent Document 1, when the plating lead portion is etched, the plating lead portion covered with the coating layer may be excessively etched.

つまり、エッチング液によって、被覆層に被覆されるめっき用リード部が導体層パターン層側に向かって溶解され、さらには、エッチング液が電極パッドの下の導体層パターンに至り、その導体層パターンが汚染され、変色し、あるいは、溶解されるという不具合がある。   In other words, the lead portion for plating coated on the coating layer is dissolved toward the conductor layer pattern layer side by the etching solution, and further, the etching solution reaches the conductor layer pattern under the electrode pad, and the conductor layer pattern is There is a problem of being contaminated, discolored, or dissolved.

本発明の目的は、めっきリードをエッチングにより除去しても、導体パターンが汚染されることを防止することのできる配線回路基板を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a printed circuit board capable of preventing a conductor pattern from being contaminated even if a plating lead is removed by etching.

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、導体パターンと、エッチング液が前記導体パターンに浸入することを規制する規制部分を被覆するための被覆部とを備えていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, a wired circuit board according to the present invention includes a conductor pattern and a covering portion for covering a restricting portion that restricts an etching solution from entering the conductor pattern. It is said.

この配線回路基板によれば、導体パターンと電気的に接続されるめっきリードをエッチング液によってエッチングする場合には、被覆部がエッチング液の浸入を許容して、エッチング液が規制部分と接触する。そのため、規制部分によって、エッチング液が導体パターンに浸入することを防止することができる。   According to this printed circuit board, when the plating lead electrically connected to the conductor pattern is etched with the etching solution, the coating portion allows the etching solution to enter, and the etching solution comes into contact with the regulating portion. Therefore, it is possible to prevent the etching solution from entering the conductor pattern by the restriction portion.

また、本発明の配線回路基板では、前記被覆部には、前記導体パターンとの対向方向に直交する幅方向長さが短い幅狭開口部と、前記幅狭開口部より前記幅方向長さが長い幅広開口部とが形成されており、少なくとも前記幅広開口部が、前記規制部分を収容することが好適である。   In the wired circuit board of the present invention, the covering portion has a narrow opening portion having a short width direction perpendicular to the direction facing the conductor pattern, and the width direction length from the narrow opening portion. It is preferable that a long wide opening is formed, and at least the wide opening accommodates the restricting portion.

この配線回路基板では、被覆部への浸入が許容されるエッチング液は、少なくとも幅広開口部に収容される規制部分において、幅方向に沿って広がるので、エッチング液が対向方向に浸入することを遅延させることができる。   In this printed circuit board, the etching liquid that is allowed to enter the covering portion spreads along the width direction at least in the restricting portion accommodated in the wide opening, and therefore delays the etching liquid from entering the opposite direction. Can be made.

さらに、幅方向に沿って広がるエッチング液は、少なくとも幅広開口部に収容される規制部分と広い接触面積で接触して、その接触面が、エッチング液により溶解される。そのため、接触面を溶解したエッチング液は、エッチング能が低下しているので、対向方向に浸入しにくく、その結果、幅広開口部に収容される規制部分によって、エッチング液が対向方向に浸入することを有効に防止することができる。   Furthermore, the etching solution spreading along the width direction comes into contact with at least a restriction portion accommodated in the wide opening portion with a wide contact area, and the contact surface is dissolved by the etching solution. Therefore, the etching solution in which the contact surface is dissolved has a reduced etching ability, so that it is difficult to enter in the facing direction, and as a result, the etching solution enters in the facing direction by the restriction portion accommodated in the wide opening. Can be effectively prevented.

さらにまた、幅広開口部に収容される規制部分と接触して残存するエッチング液は、洗浄によって、容易に除去できるので、エッチング液による汚染を防止することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記被覆部には、前記導体パターンとの対向方向に交差する交差方向に曲がる曲開口部が形成され、少なくとも前記曲開口部が、前記規制部分を被覆することが好適である。
Furthermore, the etching solution remaining in contact with the restriction portion accommodated in the wide opening can be easily removed by cleaning, so that contamination by the etching solution can be prevented.
In the wired circuit board according to the present invention, the covering portion is formed with a curved opening portion that bends in a crossing direction that intersects the opposing direction of the conductor pattern, and at least the curved opening portion covers the restriction portion. Is preferred.

この配線回路基板では、少なくとも曲開口部に収容される規制部分が、対向方向に曲がっているため、曲開口部に収容される規制部分の長さは、対向方向における規制部分の直線長さより必ず長くなる。そのため、被覆部への浸入が許容されるエッチング液が規制部分と接触しても、少なくとも曲開口部に収容される規制部分によって、対向方向におけるエッチング液の浸入を規制することができる。その結果、導体パターンにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を有効に防止することができる。   In this printed circuit board, since at least the restricting portion accommodated in the curved opening is bent in the facing direction, the length of the restricting portion accommodated in the curved opening is always greater than the linear length of the restricting portion in the facing direction. become longer. Therefore, even if the etching solution that is allowed to enter the covering portion comes into contact with the restriction portion, the entry of the etching solution in the opposing direction can be restricted by at least the restriction portion accommodated in the curved opening. As a result, dissolution and discoloration due to the etching solution in the conductor pattern can be effectively prevented.

本発明の配線回路基板によれば、規制部分によって、導体パターンにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を防止することができながら、めっきリードをエッチングすることができる。   According to the wired circuit board of the present invention, the plating lead can be etched while the restriction portion can prevent dissolution and discoloration due to the etching solution in the conductor pattern.

本発明の配線回路基板の第1実施形態が複数設けられる配線回路基板集合体シートの平面図を示す。The top view of the wiring circuit board assembly sheet | seat in which multiple 1st Embodiment of the wiring circuit board of this invention is provided is shown. 図1のA−A線に沿う断面図を示す。Sectional drawing which follows the AA line of FIG. 1 is shown. 図3は、図1に示す配線回路基板の第2めっきリードの拡大平面図を示す。FIG. 3 is an enlarged plan view of the second plating lead of the printed circuit board shown in FIG. 図1に示す配線回路基板集合体シートの製造方法の工程図であって、(a)は、金属支持基板を用意する工程、(b)は、ベース絶縁層を、金属支持層の上に形成する工程、(c)は、導体層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、(d)は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、(e)は、めっき層を、端子部の表面に形成する工程、(f)は、めっきリードをエッチングする工程、(f’)は、エッチング液の浸入を規制する工程を示す。It is process drawing of the manufacturing method of the wiring circuit board aggregate | assembly sheet | seat shown in FIG. 1, Comprising: (a) is a process which prepares a metal support substrate, (b) forms a base insulating layer on a metal support layer. (C) is a step of forming a conductor layer on the insulating base layer, (d) is a step of forming an insulating cover layer on the insulating base layer, and (e) is a plating layer. The step of forming on the surface of the terminal portion, (f) shows the step of etching the plating lead, and (f ′) shows the step of regulating the intrusion of the etching solution. 図4(c)における製造途中の配線回路基板集合体シートの平面図を示す。The top view of the printed circuit board assembly sheet in the middle of manufacture in FIG.4 (c) is shown. 図4(c)における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the plating lead of the printed circuit board assembly sheet in the middle of manufacture in FIG.4 (c) is shown. 図4(d)における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the plating lead of the printed circuit board assembly sheet in the middle of manufacture in FIG. 第1実施形態の変形例(幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、幅狭部分が残存する態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification (a mode where a wide part and a narrow part are regulation parts, and a narrow part remains) of a 1st embodiment is shown. 第1実施形態の変形例(幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、規制部分が残存しない態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification (a mode where a wide part and a narrow part are regulation parts, and a regulation part does not remain) of a 1st embodiment is shown. 第1実施形態の変形例(先側幅狭部分および幅広部分が規制部分である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification (a mode in which a front side narrow part and a wide part are regulation parts) of a 1st embodiment is shown. 第1実施形態の変形例(幅広部分が平面視略円形状である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification (a mode in which a wide portion is a shape of a circle in plan view) of a 1st embodiment is shown. 第1実施形態の変形例(幅広部分が平面視略菱形形状である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification (a mode in which a wide part is a rhombus shape in plane view) of a 1st embodiment is shown. 第1実施形態の変形例(幅広部分が平面視略三角形状である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification (a mode in which a wide portion is the shape of a triangle in plane view) of a 1st embodiment is shown. 第1実施形態の変形例(幅広部分が幅狭部分より幅方向一方側に突出する態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification of the 1st embodiment (a mode in which a wide part projects in the width direction one side rather than a narrow part) is shown. 本発明の配線回路基板の第2実施形態(曲部分が平面視略S字形状である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of a 2nd embodiment (a mode in which a curved part is the shape of an abbreviated S character in plane view) of a wired circuit board of the present invention is shown. 第2実施形態の変形例(曲部分が平面視略コ字形状である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification of the 2nd embodiment (a mode in which a curved portion has a substantially U shape in a plan view) is shown. 第2実施形態の変形例(曲部分が平面視段差形状である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification (mode in which a curved part is a level difference shape in plane view) of a 2nd embodiment is shown. 第2実施形態の変形例(曲部分が平面視略V字形状である態様)の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the modification of the 2nd embodiment (a mode in which a curved portion has a substantially V shape in plan view) is shown. 比較例1の配線回路基板の第2めっきリードの拡大平面図を示す。The enlarged plan view of the 2nd plating lead of the printed circuit board of the comparative example 1 is shown.

<第1実施形態>
図1は、本発明の配線回路基板の第1実施形態が複数設けられる配線回路基板集合体シートの平面図、図2は、図1のA−A線に沿う断面図、図3は、図1に示す配線回路基板の第2めっきリードの拡大平面図、図4は、図1に示す配線回路基板集合体シートの製造方法の工程図、図5は、図4(c)における製造途中の配線回路基板集合体シートの平面図、図6は、図4(c)における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図、図7は、図4(d)における製造途中の配線回路基板集合体シートのめっきリードの拡大平面図を示す。
<First Embodiment>
1 is a plan view of a printed circuit board assembly sheet provided with a plurality of first embodiments of the printed circuit board of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 4 is an enlarged plan view of the second plating lead of the printed circuit board shown in FIG. 1, FIG. 4 is a process diagram of the method for manufacturing the printed circuit board assembly sheet shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 6 is a plan view of the printed circuit board assembly sheet, FIG. 6 is an enlarged plan view of the plating lead of the printed circuit board assembly sheet in the process of manufacturing in FIG. 4C, and FIG. 7 is a process in the process of manufacturing in FIG. The enlarged plan view of the plating lead of a wiring circuit board assembly sheet is shown.

なお、図1において、導体層4の相対配置を明確に示すため、カバー絶縁層5およびめっき層12を省略している。   In FIG. 1, the cover insulating layer 5 and the plating layer 12 are omitted in order to clearly show the relative arrangement of the conductor layer 4.

図1において、この配線回路基板集合体シート(以下、単に「シート」と省略する。)21は、例えば、回路付サスペンション基板などの配線回路基板1を複数備えており、各配線回路基板1は、略矩形シート形状の金属支持基板22内において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置されている。   In FIG. 1, this wired circuit board assembly sheet (hereinafter simply referred to as “sheet”) 21 includes a plurality of wired circuit boards 1 such as suspension boards with circuits. In the metal support substrate 22 having a substantially rectangular sheet shape, the metal support substrates 22 are arranged in an aligned state at intervals.

配線回路基板1は、長手方向(以下、先後方向という場合がある。)に延びる略矩形平帯形状に形成されている。配線回路基板1は、図2に示すように、金属支持層2と、金属支持層2の上に形成されるベース絶縁層3と、ベース絶縁層3の上に形成される導体層4と、ベース絶縁層3の上に、導体層4を被覆するように形成されるカバー絶縁層5とを備えている。   The printed circuit board 1 is formed in a substantially rectangular flat strip shape extending in the longitudinal direction (hereinafter sometimes referred to as the front-rear direction). As shown in FIG. 2, the printed circuit board 1 includes a metal supporting layer 2, a base insulating layer 3 formed on the metal supporting layer 2, a conductor layer 4 formed on the base insulating layer 3, On the base insulating layer 3, a cover insulating layer 5 formed so as to cover the conductor layer 4 is provided.

金属支持層2は、金属支持基板22から形成されている。金属支持基板22を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、42アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。   The metal support layer 2 is formed from a metal support substrate 22. As a metal material for forming the metal support substrate 22, for example, stainless steel, 42 alloy or the like is used, and stainless steel is preferably used.

また、金属支持層2の長手方向他端(以下、後端という。)部には、図1に示すように、後述する磁気側端子部8Bを長手方向において挟む支持開口部19が開口されている。   Further, as shown in FIG. 1, a support opening 19 that sandwiches a magnetic side terminal portion 8 </ b> B (described later) in the longitudinal direction is opened at the other end in the longitudinal direction (hereinafter referred to as a rear end) of the metal support layer 2. Yes.

金属支持層2の厚みは、例えば、10〜100μm、好ましくは、18〜50μmである。   The thickness of the metal support layer 2 is, for example, 10 to 100 μm, preferably 18 to 50 μm.

ベース絶縁層3を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、ポリイミドが用いられる。   As an insulating material for forming the base insulating layer 3, for example, a synthetic resin such as polyimide, polyether nitrile, polyether sulfone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or polyvinyl chloride is used. Of these, polyimide is preferably used.

ベース絶縁層3は、導体層4が形成される部分に対応するパターンで形成されている。   The base insulating layer 3 is formed in a pattern corresponding to a portion where the conductor layer 4 is formed.

ベース絶縁層3の厚みは、例えば、3〜30μm、好ましくは、5〜15μmである。
導体層4を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料が用いられる。好ましくは、銅が用いられる。
The insulating base layer 3 has a thickness of, for example, 3 to 30 μm, or preferably 5 to 15 μm.
As a conductor material for forming the conductor layer 4, for example, a conductor material such as copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof is used. Preferably, copper is used.

導体層4は、図2に示すように、ベース絶縁層3の表面に形成されており、導体層4は、製造後の配線回路基板1においては、導体パターン6と、第2めっきリード18とを一体的に備えている。   As shown in FIG. 2, the conductor layer 4 is formed on the surface of the base insulating layer 3, and the conductor layer 4 has a conductor pattern 6, a second plating lead 18, and the like in the printed circuit board 1 after manufacture. Is integrated.

導体パターン6は、図1に示すように、幅方向(配線回路基板1の長手方向に直交する方向)に互いに間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って延びる複数の配線7と、各配線7の長手方向両端部にそれぞれ連続する端子部8とを一体的に備えている。   As shown in FIG. 1, the conductor pattern 6 is arranged at intervals in the width direction (direction perpendicular to the longitudinal direction of the printed circuit board 1), and a plurality of wirings 7 extending along the longitudinal direction, and each wiring 7 are integrally provided with terminal portions 8 that are respectively continuous at both ends in the longitudinal direction.

端子部8は、配線7の長手方向一端(以下、先端という。)部に配置される外部側端子部8Aと、配線7の後端部に配置される磁気側端子部8Bとを備えている。   The terminal portion 8 includes an external terminal portion 8A disposed at one end (hereinafter referred to as a front end) in the longitudinal direction of the wiring 7 and a magnetic side terminal portion 8B disposed at the rear end portion of the wiring 7. .

外部側端子部8Aは、各配線7の先端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられており、角ランドとして形成されている。各外部側端子部8Aには、図示しないリード・ライト基板が接続される。   A plurality of external terminal portions 8A are provided as corner lands so that the tip ends of the respective wires 7 are connected to each other. A read / write board (not shown) is connected to each external terminal 8A.

磁気側端子部8Bは、各配線7の後端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられており、角ランドとして形成されている。磁気側端子部8Bには、図示しない磁気ヘッドが接続される。   A plurality of magnetic side terminal portions 8B are provided so as to connect the rear end portions of the respective wirings 7, and are formed as corner lands. A magnetic head (not shown) is connected to the magnetic side terminal portion 8B.

第2めっきリード18は、各外部側端子部8Aに対応して複数設けられている。具体的には、各第2めっきリード18は、幅方向に間隔を隔てて配置されており、各外部側端子部8Aの先側に連続して形成されている。これにより、第2めっきリード18は、導体パターン6と電気的に接続されている。   A plurality of second plating leads 18 are provided corresponding to each external terminal portion 8A. Specifically, the second plating leads 18 are arranged at intervals in the width direction, and are continuously formed on the front side of the external terminal portions 8A. Thereby, the second plating lead 18 is electrically connected to the conductor pattern 6.

第2めっきリード18は、後述するエッチング工程(図4(f)および図4(f’)参照)において、その先端面16A(図4(f))がエッチング液に溶解されて後側に後退した残存部分として形成されている。つまり、第2めっきリード18の先端面16Aは、エッチング液によってカバー絶縁層5の先端面30から後側に浸食される浸食面16B(図4(f’))として形成されている。   The second plating lead 18 recedes to the rear side when its front end surface 16A (FIG. 4 (f)) is dissolved in an etching solution in an etching process (see FIG. 4 (f) and FIG. 4 (f ′)) described later. Formed as a remaining portion. That is, the tip surface 16A of the second plating lead 18 is formed as an erosion surface 16B (FIG. 4 (f ')) eroded from the tip surface 30 of the cover insulating layer 5 to the rear side by the etching solution.

第2めっきリード18は、図3に示すように、外部側端子部8Aの長手方向(外部側端子部8Aとの対向方向)一方側、具体的には、外部側端子部8Aの先側に、隣接配置される幅狭部分10と、幅狭部分10の先側に配置される幅広部分11とを一体的に備えている。   As shown in FIG. 3, the second plating lead 18 is provided on one side of the longitudinal direction of the external terminal portion 8A (direction facing the external terminal portion 8A), specifically, on the front side of the external terminal portion 8A. The narrow portion 10 disposed adjacent to the narrow portion 10 and the wide portion 11 disposed on the front side of the narrow portion 10 are integrally provided.

なお、第2めっきリード18は、エッチング工程前においては、先側部分36および後側部分35から形成されており、エッチング工程後においては、エッチング工程で先側部分36がエッチングされることにより、後側部分35のみから形成されている。   The second plating lead 18 is formed from the front side portion 36 and the rear side portion 35 before the etching step, and after the etching step, the front side portion 36 is etched in the etching step. It is formed only from the rear portion 35.

幅狭部分10は、図3に示すように、長手方向に延びるように形成されており、幅(幅方向長さ)W1が狭い(短い)平面視略矩形状に形成されている。具体的には、各幅狭部分10は、各外部側端子部8Aの先端部の幅方向中央から先側に向かって延びるように形成されている。   As shown in FIG. 3, the narrow portion 10 is formed so as to extend in the longitudinal direction, and is formed in a substantially rectangular shape in plan view with a narrow (short) width (length in the width direction) W1. Specifically, each narrow portion 10 is formed so as to extend from the center in the width direction of the distal end portion of each external terminal portion 8A toward the front side.

幅広部分11は、幅狭部分10の先側に隣接配置され、幅狭部分10と連続する平面視略矩形状に形成されている。より具体的には、幅広部分11は、その後端辺が幅狭部分10に接続される平面視略矩形状に形成されている。   The wide portion 11 is disposed adjacent to the front side of the narrow portion 10 and is formed in a substantially rectangular shape in plan view that is continuous with the narrow portion 10. More specifically, the wide portion 11 is formed in a substantially rectangular shape in plan view in which the rear end is connected to the narrow portion 10.

また、幅広部分11は、幅狭部分10および幅広部分11を先後方向に投影したときに、幅狭部分10を幅方向中央において含むように配置されている。すなわち、幅広部分11の幅(幅方向長さ)W2は、幅狭部分10の幅W1より広く(長く)形成されている。
また、幅広部分11の浸食面16Bは、先後方向において、後述するカバー絶縁層5の先端面30より後側にややずれて位置している。
Further, the wide portion 11 is disposed so as to include the narrow portion 10 at the center in the width direction when the narrow portion 10 and the wide portion 11 are projected in the front-rear direction. That is, the width (length in the width direction) W <b> 2 of the wide portion 11 is formed wider (longer) than the width W <b> 1 of the narrow portion 10.
In addition, the erosion surface 16B of the wide portion 11 is located slightly rearward from the front end surface 30 of the cover insulating layer 5 described later in the front-rear direction.

幅狭部分10の幅W1は、例えば、10〜500μm、好ましくは、15〜250μmである。また、幅狭部分10の先後方向長さL1は、例えば、10〜500μm、好ましくは、15〜250μmである。   The width W1 of the narrow portion 10 is, for example, 10 to 500 μm, preferably 15 to 250 μm. The front-rear direction length L1 of the narrow portion 10 is, for example, 10 to 500 μm, preferably 15 to 250 μm.

また、幅広部分11の幅W2は、幅狭部分10の幅W1を100%とした場合に、例えば、150%以上、好ましくは、200%以上、さらに好ましくは、250%以上、通常、500%以下である。幅広部分11の幅W2は、例えば、15μm以上、好ましくは、25μm以上、さらに好ましくは、50μm以上、通常、200μm以下である。また、幅広部分11の先後方向長さL2は、例えば、500μm以下、好ましくは、250μm以下である。   Further, the width W2 of the wide portion 11 is, for example, 150% or more, preferably 200% or more, more preferably 250% or more, usually 500%, when the width W1 of the narrow portion 10 is 100%. It is as follows. The width W2 of the wide portion 11 is, for example, 15 μm or more, preferably 25 μm or more, more preferably 50 μm or more, and usually 200 μm or less. Further, the front-rear direction length L2 of the wide portion 11 is, for example, 500 μm or less, preferably 250 μm or less.

配線7の幅は、例えば、10〜300μm、好ましくは、15〜150μmであり、各配線7間の間隔(幅方向の間隔)は、例えば、10〜200μm、好ましくは、15〜50μmである。また、端子部8の幅は、例えば、15〜200μm、好ましくは、50〜100μmであり、各端子部8間の間隔(幅方向の間隔)は、例えば、15〜200μm、好ましくは、20〜100μmである。   The width of the wiring 7 is, for example, 10 to 300 μm, preferably 15 to 150 μm, and the distance between the wirings 7 (interval in the width direction) is, for example, 10 to 200 μm, preferably 15 to 50 μm. Moreover, the width | variety of the terminal part 8 is 15-200 micrometers, for example, Preferably, it is 50-100 micrometers, and the space | interval (interval of the width direction) between each terminal part 8 is 15-200 micrometers, for example, Preferably, it is 20-20. 100 μm.

導体層4の厚みは、導体パターン6の厚みと第2めっきリード18の厚みとが同一であってもよく、例えば、3〜20μm、好ましくは、7〜15μmである。   The thickness of the conductor layer 4 may be the same as the thickness of the conductor pattern 6 and the thickness of the second plating lead 18, for example, 3 to 20 μm, or preferably 7 to 15 μm.

カバー絶縁層5を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層3と同様の絶縁材料が用いられる。   As an insulating material for forming the cover insulating layer 5, the same insulating material as that of the above-described base insulating layer 3 is used.

カバー絶縁層5は、図2に示すように、ベース絶縁層3の上において、第2めっきリード18および配線7(図2において図示されない)を被覆するように形成されている。また、カバー絶縁層5には、図3に示すように、端子部8を露出する平面視略矩形状のカバー開口部13が形成されている。   As shown in FIG. 2, the insulating cover layer 5 is formed on the insulating base layer 3 so as to cover the second plating lead 18 and the wiring 7 (not shown in FIG. 2). Further, as shown in FIG. 3, the cover insulating layer 5 is formed with a cover opening portion 13 having a substantially rectangular shape in plan view that exposes the terminal portion 8.

カバー絶縁層5の先端部は、図3に示すように、平面視において幅広部分11の浸食面16Bを含み、先後方向において浸食面16Bに対して先側に間隔を隔てて配置されている。つまり、カバー絶縁層5の先端面30は、先後方向において、幅広部分11の浸食面16Bよりやや先側に配置されている。これにより、幅広部分11の浸食面16Bの先側に、幅方向断面において、幅広部分11と同一形状の空洞14が形成されている。   As shown in FIG. 3, the front end portion of the insulating cover layer 5 includes the eroded surface 16 </ b> B of the wide portion 11 in a plan view, and is disposed at a distance from the eroded surface 16 </ b> B in the front-rear direction. That is, the front end surface 30 of the insulating cover layer 5 is disposed slightly ahead of the erosion surface 16B of the wide portion 11 in the front-rear direction. As a result, a cavity 14 having the same shape as that of the wide portion 11 is formed on the front side of the eroded surface 16B of the wide portion 11 in the cross section in the width direction.

また、カバー絶縁層5には、各外部側端子部8Aの先側において、第2めっきリード18の後側部分35を被覆するための被覆部34が設けられている。具体的には、被覆部34は、先後方向において、外部側端子部8Aの先端からカバー絶縁層5の先端面30にわたって形成されている。   Further, the cover insulating layer 5 is provided with a covering portion 34 for covering the rear portion 35 of the second plating lead 18 on the front side of each external terminal portion 8A. Specifically, the covering portion 34 is formed from the front end of the external terminal portion 8A to the front end surface 30 of the cover insulating layer 5 in the front-rear direction.

また、カバー絶縁層5の厚みは、例えば、2〜20μm、好ましくは、4〜15μmである。   Moreover, the thickness of the cover insulating layer 5 is 2-20 micrometers, for example, Preferably, it is 4-15 micrometers.

また、この配線回路基板1には、図2に示すように、端子部8の表面に、めっき層12が設けられている。   In addition, as shown in FIG. 2, the printed circuit board 1 is provided with a plating layer 12 on the surface of the terminal portion 8.

めっき層12を形成するめっき材料としては、例えば、金やニッケルなどの金属材料が用いられ、好ましくは、金が用いられる。めっき層12の厚みは、例えば、0.2〜5μm、好ましくは、0.5〜3μmである。   As a plating material for forming the plating layer 12, for example, a metal material such as gold or nickel is used, and preferably gold is used. The thickness of the plating layer 12 is 0.2-5 micrometers, for example, Preferably, it is 0.5-3 micrometers.

次に、この配線回路基板1の製造方法について、図4〜図7を参照して説明する。   Next, a method for manufacturing the printed circuit board 1 will be described with reference to FIGS.

まず、この方法では、図4(a)に示すように、金属支持層2を形成する金属支持基板22を用意する。   First, in this method, as shown in FIG. 4A, a metal support substrate 22 on which the metal support layer 2 is formed is prepared.

次いで、この方法では、図4(b)に示すように、ベース絶縁層3を金属支持層2の上に形成する。   Next, in this method, the base insulating layer 3 is formed on the metal support layer 2 as shown in FIG.

ベース絶縁層3を形成するには、金属支持基板22の上面に、上記した合成樹脂の溶液(ワニス)を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱によって硬化させる。また、ベース絶縁層3の形成では、金属支持層2の上面に、例えば、感光性のワニスを塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により、加熱によって硬化させることができる。さらに、ベース絶縁層3の形成では、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、金属支持層2の上面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。   In order to form the base insulating layer 3, the above-described synthetic resin solution (varnish) is uniformly applied to the upper surface of the metal support substrate 22, dried, and then cured by heating as necessary. In the formation of the insulating base layer 3, for example, a photosensitive varnish is applied to the upper surface of the metal support layer 2, and after drying, exposed and developed in the above-described pattern, and can be cured by heating if necessary. . Furthermore, in the formation of the base insulating layer 3, for example, a synthetic resin is formed in advance on a film having the above-described pattern, and the film is adhered to the upper surface of the metal support layer 2 via a known adhesive layer. You can also.

次いで、この方法では、図4(c)に示すように、導体層4を、ベース絶縁層3の上に、導体パターン6、めっきリード9を一体的に備えるパターンとして形成する。   Next, in this method, as shown in FIG. 4C, the conductor layer 4 is formed on the base insulating layer 3 as a pattern integrally including the conductor pattern 6 and the plating lead 9.

めっきリード9は、図5および図6に示すように、後述するめっき層12を形成する工程(図4(e)参照)における電解めっきにおいて、導体パターン6に給電するために設けられている。また、めっきリード9は、図5および図6に示すように、ベース絶縁層3の上にパターンとして形成されている。具体的には、めっきリード9は、第1めっきリード17と、第2めっきリード18とを一体的に備えている。   As shown in FIGS. 5 and 6, the plating lead 9 is provided to supply power to the conductor pattern 6 in the electrolytic plating in the step of forming a plating layer 12 described later (see FIG. 4E). The plating lead 9 is formed as a pattern on the base insulating layer 3 as shown in FIGS. Specifically, the plating lead 9 is integrally provided with a first plating lead 17 and a second plating lead 18.

第1めっきリード17は、1つのシート21につき、1本設けられており、具体的には、金属支持基板22の先端側におけるベース絶縁層3の表面に、幅方向に沿って延びる直線形状に形成されている。また、第1めっきリード17の幅方向一端部は、図示しない給電部と電気的に接続されている。   One first plating lead 17 is provided for each sheet 21. Specifically, the first plating lead 17 has a linear shape extending along the width direction on the surface of the base insulating layer 3 on the front end side of the metal support substrate 22. Is formed. In addition, one end in the width direction of the first plating lead 17 is electrically connected to a power supply unit (not shown).

第2めっきリード18は、各外部側端子部8Aに対応して複数設けられ、各配線回路基板1に対応するベース絶縁層3の表面に形成されている。具体的には、第2めっきリード18は、図2に示すように、エッチング工程により先側部分36がエッチングされることにより、後側部分35から形成されており、その後側部分35が、幅狭部分10と幅広部分11とを一体的に備えるパターンとして形成されている。また、第2めっきリード18では、後側部分35の幅狭部分10が、外部側端子部8Aと連続して形成されており、先側部分36が、第1めっきリード17と連続して形成されている。   A plurality of second plating leads 18 are provided corresponding to each external terminal 8A, and are formed on the surface of the base insulating layer 3 corresponding to each wired circuit board 1. Specifically, as shown in FIG. 2, the second plating lead 18 is formed from the rear portion 35 by etching the front portion 36 by an etching process, and the rear portion 35 has a width of The narrow portion 10 and the wide portion 11 are integrally formed as a pattern. In the second plating lead 18, the narrow portion 10 of the rear portion 35 is formed continuously with the external terminal portion 8 </ b> A, and the front portion 36 is formed continuously with the first plating lead 17. Has been.

なお、先側部分36は、長手方向に沿って、後側部分35の幅広部分11の幅W2と同一幅で延びるように、形成されている。すなわち、各第2めっきリード18は、各外部側端子部8Aから先側に向かって延び、第1めっきリード17の後端部の幅方向途中に至るように、形成されている。   The front side portion 36 is formed so as to extend along the longitudinal direction with the same width as the width W2 of the wide portion 11 of the rear side portion 35. That is, each second plating lead 18 is formed so as to extend from each external terminal portion 8 </ b> A toward the front side and to reach the middle of the rear end portion of the first plating lead 17 in the width direction.

つまり、第2めっきリード18は、第1めっきリード17および外部側端子部8Aと接触しており、これらを電気的に接続している。   That is, the second plating lead 18 is in contact with the first plating lead 17 and the external terminal portion 8A, and electrically connects them.

そして、めっきリード9は、図示しない給電部との電気的な接続、および、外部側端子部8Aとの電気的な接続により、図示しない給電部と外部側端子部8Aとを電気的に接続している。   The plating lead 9 electrically connects the power supply unit (not shown) and the external terminal unit 8A by electrical connection with a power supply unit (not shown) and electrical connection with the external terminal unit 8A. ing.

導体層4を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。   In order to form the conductor layer 4, for example, a known patterning method such as an additive method or a subtractive method is used. Preferably, the additive method is used.

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層3の上面に、図示しない金属薄膜(種膜)を形成する。金属薄膜としては、例えば、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。金属薄膜は、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法により、形成する。   In the additive method, first, a metal thin film (seed film) (not shown) is formed on the upper surface of the base insulating layer 3. As the metal thin film, for example, metal materials such as copper, chromium, nickel, and alloys thereof are used. The metal thin film is formed by a thin film forming method such as sputtering or plating.

次いで、金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、これを露光および現像し、導体層4と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体層4を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングなどにより除去する。   Next, a dry film resist is laminated on the surface of the metal thin film, and this is exposed and developed to form a plating resist (not shown) having a pattern opposite to that of the conductor layer 4. Next, the conductive layer 4 is formed on the surface of the metal thin film exposed from the plating resist by electrolytic plating, and then the metal resist in the portion where the plating resist and the plating resist are formed is removed by etching or the like.

このようにして形成される導体層4の寸法は、適宜選択され、第1めっきリード17の先後方向長さL3は、例えば、30μm以上、好ましくは、50μm以上、さらに好ましくは、100μm以上、通常、5000μm以下である。また、第2めっきリード18の長さ(先後方向長さ、すなわち、第1めっきリード17の後端縁と第2めっきリード18の後端縁との間隔。)L4は、例えば、40〜1000μm、好ましくは、60〜500μmである。   The dimensions of the conductor layer 4 thus formed are selected as appropriate, and the length L3 of the first plating lead 17 in the front-rear direction is, for example, 30 μm or more, preferably 50 μm or more, more preferably 100 μm or more, usually It is 5000 μm or less. The length L2 of the second plating lead 18 (length in the front-rear direction, that is, the distance between the rear end edge of the first plating lead 17 and the rear end edge of the second plating lead 18) L4 is, for example, 40 to 1000 μm. Preferably, it is 60-500 micrometers.

次いで、この方法では、図4(d)および図7に示すように、カバー絶縁層5を、ベース絶縁層3の上に上記したパターンで形成する。   Next, in this method, as shown in FIGS. 4D and 7, the insulating cover layer 5 is formed on the insulating base layer 3 in the pattern described above.

カバー絶縁層5には、被覆部34が設けられている。また、被覆部34には、第2めっきリード18の後側部分35に対応する開口が形成されている。具体的には、被覆部34には、後側部分35の幅狭部分10に対応する開口が幅狭開口部28として形成され、後側部分35の幅広部分11に対応する開口が幅広開口部29として形成されている。   The insulating cover layer 5 is provided with a covering portion 34. Further, an opening corresponding to the rear portion 35 of the second plating lead 18 is formed in the covering portion 34. Specifically, in the covering portion 34, an opening corresponding to the narrow portion 10 of the rear portion 35 is formed as the narrow opening portion 28, and an opening corresponding to the wide portion 11 of the rear portion 35 is the wide opening portion. 29 is formed.

そして、幅狭開口部28および幅広開口部29は、第2めっきリード18の後側部分35を収容しており、その後側部分35は、後のエッチング工程(図4(f)および図4(f')参照)において、エッチング液が外部側端子部8Aに浸入することを規制する規制部分として形成されている。   The narrow opening 28 and the wide opening 29 accommodate the rear portion 35 of the second plating lead 18, and the rear portion 35 is formed in the subsequent etching step (FIG. 4F and FIG. In f ′)), it is formed as a restricting portion that restricts the etching solution from entering the external terminal portion 8A.

幅広開口部29の先後方向長さL2’は、例えば、10〜550μm、好ましくは、15〜300μmである。   The front-rear direction length L2 'of the wide opening 29 is, for example, 10 to 550 µm, preferably 15 to 300 µm.

カバー絶縁層5を形成するには、導体層4を含むベース絶縁層3の上面に、例えば、感光性の合成樹脂の溶液(ワニス)を塗布し、乾燥後、上記したパターンで露光および現像し、必要により、加熱によって硬化させる。また、カバー絶縁層5の形成では、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、導体層4を含むベース絶縁層3の上面に、公知の接着剤層を介して貼着することができる。   In order to form the insulating cover layer 5, for example, a photosensitive synthetic resin solution (varnish) is applied to the upper surface of the insulating base layer 3 including the conductor layer 4, dried, and then exposed and developed with the above-described pattern. If necessary, it is cured by heating. In the formation of the insulating cover layer 5, for example, a synthetic resin is formed in advance on a film having the above-described pattern, and the film is formed on the upper surface of the insulating base layer 3 including the conductor layer 4 via a known adhesive layer. Can be attached.

次いで、この方法では、図4(e)に示すように、めっき層12を、カバー開口部13から露出する端子部8の表面に形成する。   Next, in this method, as shown in FIG. 4 (e), the plating layer 12 is formed on the surface of the terminal portion 8 exposed from the cover opening 13.

めっき層12は、第1めっきリード17および第2めっきリード18を介して導体パターン6に給電する電解めっきにより形成する。   The plating layer 12 is formed by electrolytic plating in which power is supplied to the conductor pattern 6 via the first plating lead 17 and the second plating lead 18.

電解めっきでは、まず、端子部8の表面を除く導体層4および金属支持基板22の表面にめっきレジストを形成する。次いで、金属支持基板22を電解めっき浴に浸漬しながら、図示しない給電部から、第1めっきリード17および第2めっきリード18を介して、端子部8に給電する。その後、めっきレジストを除去する。   In the electrolytic plating, first, a plating resist is formed on the surfaces of the conductor layer 4 and the metal support substrate 22 except for the surface of the terminal portion 8. Next, while the metal support substrate 22 is immersed in the electrolytic plating bath, power is supplied from the power supply unit (not shown) to the terminal unit 8 via the first plating lead 17 and the second plating lead 18. Thereafter, the plating resist is removed.

次いで、この方法では、図4(f)および図4(f’)に示すように、エッチング液が外部側端子部8Aに浸入することを第2めっきリード18の後側部分35により規制しながら、第1めっきリード17および第2めっきリード18の先側部分36をエッチングする。
エッチング液の浸入を規制しながら、第1めっきリード17および第2めっきリード18の先側部分36をエッチングする方法として、例えば、ウエットエッチング(化学エッチング)が用いられる。
Next, in this method, as shown in FIGS. 4 (f) and 4 (f ′), the rear portion 35 of the second plating lead 18 restricts the etching solution from entering the external terminal portion 8 </ b> A. The first portions 36 of the first plating lead 17 and the second plating lead 18 are etched.
For example, wet etching (chemical etching) is used as a method of etching the front portion 36 of the first plating lead 17 and the second plating lead 18 while restricting the intrusion of the etching solution.

具体的には、まず、図示しないエッチングレジストを、めっき層12および金属支持基板22の表面に積層する。その後、エッチングレジストが積層された金属支持基板22を、エッチング液に浸漬する。エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄水溶液などの公知のエッチング液(薬液)が用いられる。   Specifically, first, an etching resist (not shown) is laminated on the surfaces of the plating layer 12 and the metal support substrate 22. Thereafter, the metal support substrate 22 on which the etching resist is laminated is immersed in an etching solution. As the etching solution, for example, a known etching solution (chemical solution) such as a ferric chloride aqueous solution is used.

その後、金属支持基板22を、例えば、水や、メタノール、アセトンなどの洗浄用溶媒で洗浄し(洗浄工程)、次いで、乾燥させ、次いで、エッチングレジストを、エッチングまたは剥離などによって、除去する。   Thereafter, the metal support substrate 22 is washed with a washing solvent such as water, methanol, acetone or the like (washing step), and then dried, and then the etching resist is removed by etching or peeling.

これにより、第1めっきリード17および第2めっきリード18の先側部分36を除去する。   Thereby, the front side portions 36 of the first plating lead 17 and the second plating lead 18 are removed.

このエッチング工程では、通常、図4(f)に示すように、第2めっきリード18の後側部分35の先端面(幅広部分11の先端面)16Aが、カバー絶縁層5の先端面30と厚み方向および幅方向において略同一平面上に位置されるようにして形成されるように、エッチング条件が設定される。   In this etching process, as shown in FIG. 4 (f), the distal end surface (the distal end surface of the wide portion 11) 16 </ b> A of the rear portion 35 of the second plating lead 18 is usually connected to the distal end surface 30 of the cover insulating layer 5. Etching conditions are set so as to be formed so as to be positioned on substantially the same plane in the thickness direction and the width direction.

しかし、第1めっきリード17および第2めっきリード18の先側部分36の除去後には、後側部分35の一部がエッチングされる。   However, after the removal of the front side portion 36 of the first plating lead 17 and the second plating lead 18, a part of the rear side portion 35 is etched.

ここで、図4(f’)に示すように、幅広部分11によって、エッチング液が外部側端子部8Aに浸入することが規制される。   Here, as shown in FIG. 4F ', the wide portion 11 restricts the etching solution from entering the external terminal portion 8A.

すなわち、幅広部分11が過度にエッチング(過エッチング)されることによる導体材料の溶解によって、幅広部分11の先端面16Aは、後側、具体的には、先後方向において幅広開口部29の先端から幅広開口部29の後端に至る途中部分に後退して、カバー絶縁層5の先端面30から後側にずれて位置される。あるいは、エッチング工程後から洗浄工程までの間に、幅広部分11の先端面16Aに付着して残存するエッチング液に起因する導体材料の溶解によって、幅広部分11の先端面16Aは、後側に後退して、カバー絶縁層5の先端面30から後側にずれて位置される。   That is, due to dissolution of the conductor material due to excessive etching (overetching) of the wide portion 11, the front end surface 16A of the wide portion 11 is rearward, specifically, from the front end of the wide opening 29 in the front-rear direction. It retracts to the middle part reaching the rear end of the wide opening 29 and is shifted from the front end surface 30 of the insulating cover layer 5 to the rear side. Alternatively, the tip surface 16A of the wide portion 11 recedes to the rear side due to dissolution of the conductive material caused by the etching solution that adheres to and remains on the tip surface 16A of the wide portion 11 between the etching step and the cleaning step. Then, the cover insulating layer 5 is positioned so as to be shifted from the front end surface 30 to the rear side.

そして、幅広部分11の先端面16Aの後退によって、浸食面16Bが形成される。   And the erosion surface 16B is formed by retreating the front end surface 16A of the wide portion 11.

つまり、浸食面16Bは、先後方向において、外部側端子部8Aと間隔を隔てて配置されており、浸食面16Bと外部側端子部8Aとの間隔は、幅広部分11および幅狭部分10がエッチング液により浸食されずに残存する間隔(エッチング液が外部側端子部8Aに浸入することを規制できる間隔)である。   In other words, the erosion surface 16B is disposed at a distance from the external terminal portion 8A in the front-rear direction, and the wide portion 11 and the narrow portion 10 are etched between the erosion surface 16B and the external terminal portion 8A. This is an interval that remains without being eroded by the liquid (interval that can prevent the etching liquid from entering the external terminal portion 8A).

より具体的には、幅広開口部29が、エッチング液の後側への浸入を許容する。これにより、幅広部分11の先端面16Aが後側に後退し、そして、浸食面16Bが形成されることによって、エッチング液のそれ以上の後側への浸入が規制される。   More specifically, the wide opening 29 allows permeation of the etching solution to the rear side. As a result, the front end surface 16A of the wide portion 11 retreats to the rear side, and the erosion surface 16B is formed, so that further infiltration of the etching solution to the rear side is restricted.

その後、図1に示すように、金属支持基板22を、エッチングなどによって切り抜いて、支持開口部19を形成することにより、複数の配線回路基板1が形成されたシート21を得る。   Thereafter, as shown in FIG. 1, the metal support substrate 22 is cut out by etching or the like to form a support opening 19, thereby obtaining a sheet 21 on which a plurality of printed circuit boards 1 are formed.

そして、この方法では、導体パターン6と、幅広部分11が設けられる第2めっきリード18および第1めっきリード17とを一体的に形成する。その後、幅広部分11によって、エッチング液が外部側端子部8Aに浸入することを規制しながら、第2めっきリード18の先側部分36および第1めっきリード17をエッチング液によりエッチングする。   In this method, the conductor pattern 6 and the second plating lead 18 and the first plating lead 17 provided with the wide portion 11 are integrally formed. Thereafter, the front portion 36 of the second plating lead 18 and the first plating lead 17 are etched with the etching solution while the wide portion 11 restricts the etching solution from entering the external terminal portion 8A.

つまり、第2めっきリード18の先側部分36および第1めっきリード17をエッチング液によってエッチングした後に、被覆部34の幅広開口部29がエッチング液の浸入を許容して、エッチング液が幅広部分11と接触する。   That is, after the front portion 36 of the second plating lead 18 and the first plating lead 17 are etched with the etching solution, the wide opening 29 of the covering portion 34 allows the etching solution to enter, so that the etching solution has the wide portion 11. Contact with.

そのため、第1めっきリード17および第2めっきリード18を介して外部側端子部8Aに給電する電解めっき後には、幅広部分11によって、エッチング液が外部側端子部8Aに浸入することを防止することができる。   Therefore, after electrolytic plating in which power is supplied to the external terminal portion 8A via the first plating lead 17 and the second plating lead 18, the wide portion 11 prevents the etching solution from entering the external terminal portion 8A. Can do.

また、幅広部分11(幅広開口部29に収容される幅広部分11)において、エッチング液は、幅方向に沿って広がるので、エッチング液が後側に浸入することを遅延させることができる。   Further, in the wide portion 11 (the wide portion 11 accommodated in the wide opening 29), the etching solution spreads along the width direction, so that it is possible to delay the penetration of the etching solution to the rear side.

さらに、幅方向に沿って広がるエッチング液は、幅広部分11(幅広開口部29に収容される幅広部分11)と広い接触面積で接触して、その接触面(先端面16A)が、エッチング液により溶解される。そのため、接触面(先端面16A)を溶解したエッチング液は、エッチング能が低下しているので、後側に浸入しにくく、その結果、幅広部分11(幅広開口部29に収容される幅広部分11)によって、エッチング液が後側に浸入することを有効に防止することができる。   Further, the etching solution spreading along the width direction contacts the wide portion 11 (the wide portion 11 accommodated in the wide opening 29) with a wide contact area, and the contact surface (tip surface 16A) is caused by the etching solution. Dissolved. For this reason, the etching solution in which the contact surface (tip surface 16A) is dissolved has a low etching ability, so that it does not easily enter the rear side. As a result, the wide portion 11 (the wide portion 11 accommodated in the wide opening 29). ) Can effectively prevent the etchant from entering the rear side.

さらにまた、幅広部分11(幅広開口部29に収容される幅広部分11)と接触して残存するエッチング液は、洗浄によって、容易に除去できるので、エッチング液による汚染を防止することができる。   Furthermore, since the etching solution remaining in contact with the wide portion 11 (the wide portion 11 accommodated in the wide opening 29) can be easily removed by cleaning, contamination by the etching solution can be prevented.

なお、上記した説明では、規制部分を、幅が広い幅広部分11として設けたが、規制部分におけるエッチング液との接触面積が所定面積以上であればよく、例えば、図示しないが、厚みの厚い膜厚部分として設けることもできる。   In the above description, the restriction portion is provided as the wide portion 11 having a wide width. However, the contact area with the etching solution in the restriction portion may be a predetermined area or more. For example, although not shown, a thick film It can also be provided as a thick part.

また、上記した説明では、第2めっきリード18を、外部側端子部8Aと連続して形成したが、例えば、図示しないが、磁気側端子部8Bまたは配線7と連続して形成することもできる。   In the above description, the second plating lead 18 is formed continuously with the external terminal portion 8A. For example, although not shown, it can also be formed continuously with the magnetic terminal portion 8B or the wiring 7. .

また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持層2を備える回路付サスペンション基板として例示したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されない。例えば、本発明の配線回路基板を、金属支持層2を補強層として備えるフレキシブル配線回路基板や、金属支持層2を備えないフレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。   In the above description, the wired circuit board of the present invention is exemplified as the suspension board with circuit including the metal support layer 2, but the wired circuit board of the present invention is not limited to this. For example, the wired circuit board of the present invention can be widely applied to other wired circuit boards such as a flexible wired circuit board having the metal support layer 2 as a reinforcing layer and a flexible wired circuit board not having the metal support layer 2. it can.

図8〜図14は、上記した第1実施形態の変形例の第2めっきリードの拡大平面図であって、図8は、幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、幅狭部分が残存する態様、図9は、幅広部分および幅狭部分が規制部分であり、規制部分が残存しない態様、図10は、先側幅狭部分および幅広部分が規制部分である態様、図11は、幅広部分が平面視略円形状である態様、図12は、幅広部分が平面視略菱形形状である態様、図13は、幅広部分が平面視略三角形状である態様、図14は、幅広部分が幅狭部分より幅方向一方側に突出する態様を示す。   8 to 14 are enlarged plan views of the second plating lead of the modified example of the first embodiment described above. FIG. 8 shows that the wide portion and the narrow portion are restricting portions, and the narrow portion remains. 9 is an embodiment in which the wide portion and the narrow portion are the restriction portions and the restriction portion does not remain, FIG. 10 is an embodiment in which the front narrow portion and the wide portion are the restriction portions, and FIG. FIG. 12 shows an embodiment in which the portion has a substantially circular shape in plan view, FIG. 12 shows an embodiment in which the wide portion has a substantially rhombus shape in plan view, FIG. 13 shows an embodiment in which the wide portion has a substantially triangular shape in plan view, and FIG. The aspect which protrudes in the width direction one side from a narrow part is shown.

なお、以降の各図において、上記と同様の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。   In addition, in each subsequent figure, the same code | symbol is attached | subjected to the member similar to the above, and the description is abbreviate | omitted.

上記した説明では、図4(f)および図4(f’)に示すエッチング工程において、幅広部分11のみを規制部分として、エッチング液の外部側端子部8Aへの浸入を規制したが、規制部分として、少なくとも幅広部分11が含まれていればよい。例えば、図8および図9が参照されるように、幅広部分11および幅狭部分10の両方を規制部分とすることもできる。   In the above description, in the etching process shown in FIGS. 4 (f) and 4 (f ′), the intrusion of the etchant into the external terminal portion 8A is restricted using only the wide portion 11 as the restricted portion. As long as at least the wide portion 11 is included. For example, as shown in FIGS. 8 and 9, both the wide portion 11 and the narrow portion 10 can be used as the restriction portions.

すなわち、図8に示す配線回路基板1の製造におけるエッチング工程では、図7が参照されるように、幅広部分11の全部と、幅狭部分10の先側部分とが溶解される。つまり、幅広開口部29に収容される幅広部分11と、幅狭開口部28に収容される幅狭部分10とが、エッチング液の外部側端子部8Aへの浸入を規制する規制部分とされている。
具体的には、エッチング工程において、幅広部分11および幅狭部分10の先側部分が溶解した部分には、それらを収容していた被覆部34の幅広開口部29および幅狭開口部28が、エッチング液の後側への浸入を許容する。そして、幅狭部分10に形成される浸食面16Bによって、エッチング液のそれ以上の後側への浸入が規制される。
That is, in the etching process in the production of the printed circuit board 1 shown in FIG. 8, as shown in FIG. 7, the entire wide portion 11 and the front side portion of the narrow portion 10 are dissolved. That is, the wide portion 11 accommodated in the wide opening 29 and the narrow portion 10 accommodated in the narrow opening 28 are the restricting portions that restrict the penetration of the etchant into the external terminal portion 8A. Yes.
Specifically, in the etching step, the wide opening portion 29 and the narrow opening portion 28 of the covering portion 34 that accommodated the wide portion 11 and the narrow side portion 10 are dissolved in the portion where the wide side portion 11 and the narrow side portion 10 are dissolved. Permeation of the etchant into the rear side is allowed. Further, the erosion surface 16 </ b> B formed in the narrow portion 10 restricts the further penetration of the etching solution into the rear side.

幅狭部分10の浸食面16Bは、先後方向において幅狭開口部28の先端から後端に至る途中部分に形成されている。   The erosion surface 16B of the narrow portion 10 is formed in the middle part from the front end to the rear end of the narrow opening 28 in the front-rear direction.

そのため、幅狭部分10の浸食面16Bの先側に、幅広部分11および幅狭部分10の先側部分に対応する空洞14が形成されている。   Therefore, the wide portion 11 and the cavity 14 corresponding to the front side portion of the narrow portion 10 are formed on the front side of the erosion surface 16 </ b> B of the narrow portion 10.

これにより、エッチング工程後の配線回路基板1には、幅狭部分10の後側部分37のみが残存している。   As a result, only the rear portion 37 of the narrow portion 10 remains on the printed circuit board 1 after the etching process.

また、図9に示す配線回路基板1の製造におけるエッチング工程では、幅広部分11の全部と、幅狭部分10の全部とが溶解される。   Further, in the etching process in the production of the printed circuit board 1 shown in FIG. 9, the entire wide portion 11 and the entire narrow portion 10 are dissolved.

浸食面16Bは、幅狭開口部28の後端に形成されている。なお、浸食面16Bは、外部側端子部8Aの先端面と面一となっている。   The eroded surface 16B is formed at the rear end of the narrow opening 28. The eroded surface 16B is flush with the tip surface of the external terminal portion 8A.

そのため、浸食面16B(外部側端子部8Aの先端面)の先側に、幅広部分11および幅狭部分10に対応する空洞14が形成されている。つまり、空洞14は、第2めっきリード18の後側部分35と同一形状に形成されている。   Therefore, a cavity 14 corresponding to the wide portion 11 and the narrow portion 10 is formed on the front side of the erosion surface 16B (the front end surface of the external terminal portion 8A). That is, the cavity 14 is formed in the same shape as the rear portion 35 of the second plating lead 18.

これにより、エッチング工程後の配線回路基板1において、第2めっきリード18は、全部エッチングされており、残存していない。   Thereby, in the printed circuit board 1 after the etching process, the second plating lead 18 is entirely etched and does not remain.

また、上記した説明では、幅広部分11を規制部分としたが、例えば、図10に示すように、幅広部分11と、それより先側において、それより幅狭で形成される先側幅狭部分20とを、規制部分とすることもできる。   In the above description, the wide portion 11 is the restriction portion. For example, as shown in FIG. 10, the wide portion 11 and the narrow side portion formed narrower than the wide portion 11 are formed on the far side. 20 can also be used as a restriction part.

図4(c)が参照される導体層4の形成において、第2めっきリード18の後側部分35を、幅狭部分10、幅広部分11および先側幅狭部分20を一体的に備えるパターンとして形成する。   In the formation of the conductor layer 4 to which FIG. 4C is referred, the rear portion 35 of the second plating lead 18 is formed as a pattern integrally including the narrow portion 10, the wide portion 11, and the front narrow portion 20. Form.

幅広部分11は、図10に示すように、第2めっきリード18の後側部分35において先後方向途中部分に形成されている。   As shown in FIG. 10, the wide portion 11 is formed in the middle portion in the front-rear direction in the rear portion 35 of the second plating lead 18.

また、先側幅狭部分20は、図10が参照され、仮想線で示すように、幅広部分11の先端部に連続して形成されている。先側幅狭部分20の幅W3は、例えば、幅狭部分10の幅W1と同一であり、好ましくは、15〜250μmである。また、先側幅狭部分20の長さL3は、例えば、10〜500μm、好ましくは、15〜250μmである。   Further, the front-side narrow portion 20 is formed continuously with the distal end portion of the wide portion 11 as shown in phantom lines with reference to FIG. The width W3 of the front-side narrow portion 20 is, for example, the same as the width W1 of the narrow portion 10, and is preferably 15 to 250 μm. Moreover, the length L3 of the front side narrow portion 20 is, for example, 10 to 500 μm, preferably 15 to 250 μm.

その後、図4(f)および図4(f’)に示すエッチング工程により、先側幅狭部分20および幅広部分11の先側部分がエッチングされる。これにより、浸食面16Bが、先後方向において幅広開口部29の先端から後端に至る途中部分に形成される。   Thereafter, the front-side narrow portion 20 and the front-side portions of the wide portion 11 are etched by the etching process shown in FIGS. 4 (f) and 4 (f ′). Thereby, the erosion surface 16B is formed in the middle part from the front-end | tip of the wide opening part 29 to a rear end in the front-back direction.

また、上記した説明では、幅広部分11を、平面視略矩形状に形成したが、適宜の形状に形成することができ、例えば、図11に示すように、平面視略円形状に形成することができ、また、図12に示すように、平面視略菱形形状に形成することができ、さらには、図13に示すように、平面視略三角形状に形成することができる。   In the above description, the wide portion 11 is formed in a substantially rectangular shape in plan view, but can be formed in an appropriate shape, for example, in a substantially circular shape in plan view as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 12, it can be formed in a substantially rhombus shape in plan view, and further, it can be formed in a substantially triangular shape in plan view as shown in FIG.

図11において、平面視略円形状の幅広部分11の内径D1は、例えば、15〜500μm、好ましくは、30〜250μmである。   In FIG. 11, the inner diameter D1 of the wide portion 11 having a substantially circular shape in plan view is, for example, 15 to 500 μm, preferably 30 to 250 μm.

図12において、平面視略菱形形状の幅広部分11は、先後方向における両頂点が幅狭部分10および先側幅狭部分20に接続されている。幅広部分11の最大幅W4は、例えば、15〜500μm、好ましくは、30〜250μmである。   In FIG. 12, the wide portion 11 having a substantially rhombus shape in plan view has both apexes in the front-rear direction connected to the narrow portion 10 and the front-side narrow portion 20. The maximum width W4 of the wide portion 11 is, for example, 15 to 500 μm, preferably 30 to 250 μm.

図13において、幅広部分11は、平面視において、後側に向かって先細となる略2等辺三角形状に形成されている。具体的には、幅広部分11は、等しい長さの2辺が先後方向に延びており、これらが後側に向かうに従って互いに近接する平面視略三角形状(平面視テーパ形状)に形成されている。   In FIG. 13, the wide portion 11 is formed in a substantially isosceles triangle shape that tapers toward the rear side in a plan view. Specifically, the wide portion 11 has two sides of equal length extending in the front-rear direction, and is formed in a substantially triangular shape in plan view (taper view in plan view) that approaches each other toward the rear side. .

また、上記した説明では、幅広部分11を、幅狭部分10および幅広部分11を先後方向に投影したときに、幅狭部分10を幅方向中央において含むように配置したが、例えば、図14に示すように、幅狭部分10を幅方向他端側において含むように配置することができる。すなわち、幅広部分11は、幅方向において幅狭部分10より幅方向一方側に突出するように形成されている。   In the above description, the wide portion 11 is arranged so as to include the narrow portion 10 at the center in the width direction when the narrow portion 10 and the wide portion 11 are projected in the front-rear direction. For example, FIG. As shown, the narrow portion 10 can be arranged so as to be included at the other end in the width direction. That is, the wide portion 11 is formed so as to protrude to the one side in the width direction from the narrow portion 10 in the width direction.

また、上記した説明では、第2めっきリード18の後側部分35には、幅狭部分10および幅広部分11を設けたが、例えば、図示しないが、幅狭部分10を設けず、幅広部分11のみを設けることもできる。
<第2実施形態>
図15は、本発明の配線回路基板の第2実施形態の第2めっきリードの拡大平面図を示す。
In the above description, the narrow portion 10 and the wide portion 11 are provided in the rear portion 35 of the second plating lead 18. For example, although not shown, the narrow portion 10 is not provided and the wide portion 11 is not shown. Can also be provided.
Second Embodiment
FIG. 15 shows an enlarged plan view of the second plating lead of the second embodiment of the wired circuit board of the present invention.

上記した説明では、規制部分として幅広部分11を設けたが、例えば、図11に示すように、規制部分として曲部分23を設けることもできる。   In the above description, the wide portion 11 is provided as the restricting portion. For example, as shown in FIG. 11, a curved portion 23 can be provided as the restricting portion.

図15において、第2めっきリード18の後側部分35は、幅狭部分10と曲部分23とを備えている。   In FIG. 15, the rear portion 35 of the second plating lead 18 includes a narrow portion 10 and a curved portion 23.

曲部分23は、先後方向に対して交差する交差方向に曲がるように形成されている。具体的には、曲部分23は、平面視略S字形状に同一幅で形成されている。   The curved portion 23 is formed to bend in a crossing direction that intersects the front-rear direction. Specifically, the curved portion 23 is formed in a substantially S shape in plan view with the same width.

すなわち、曲部分23は、幅方向他方側に突出して円弧状に湾曲する第1湾曲部31と、第1湾曲部31の先端から、幅方向一方側に突出して円弧状に湾曲する第2湾曲部32とを一体的に備えている。   That is, the curved portion 23 protrudes to the other side in the width direction and curves in an arc shape, and the second curve curves from the tip of the first bending portion 31 to the one side in the width direction and curves in an arc shape. The unit 32 is integrally provided.

曲部分23の幅W5は、上記した幅狭部分10の幅W1と同一である。   The width W5 of the curved portion 23 is the same as the width W1 of the narrow portion 10 described above.

これにより、図15の1点破線で示すように、曲部分23(エッチング工程前の曲部分23)の長さL5、すなわち、曲部分23の幅方向中央を通る線分の長さL5は、例えば、100〜500μm、好ましくは、150〜350μmに設定される。   Thereby, as shown by the one-dot broken line in FIG. 15, the length L5 of the curved portion 23 (the curved portion 23 before the etching step), that is, the length L5 of the line segment passing through the center in the width direction of the curved portion 23 is For example, the thickness is set to 100 to 500 μm, preferably 150 to 350 μm.

また、図4(c)が参照される導体層4の形成工程において形成される導体層4において、第2めっきリード18の後側部分35は、幅狭部分10、曲部分23および先側幅狭部分20を一体的に備えている。   Further, in the conductor layer 4 formed in the step of forming the conductor layer 4 with reference to FIG. 4C, the rear portion 35 of the second plating lead 18 includes the narrow portion 10, the curved portion 23, and the front side width. The narrow portion 20 is integrally provided.

次いで、図4(d)が参照されるように、カバー絶縁層5を、幅狭部分10、曲部分23および先側幅狭部分20を被覆するように形成することにより、これらを収容する被覆部34を形成する。   Next, as shown in FIG. 4D, the insulating cover layer 5 is formed so as to cover the narrow portion 10, the curved portion 23, and the front-side narrow portion 20, thereby covering these. A portion 34 is formed.

被覆部34では、曲部分23に対応する開口が曲開口部33として形成され、先側幅狭部分20に対応する開口が先側幅狭開口部42として形成されており、幅狭開口部28、曲開口部33および先側幅狭開口部42は、第2めっきリード18の後側部分35を収容している。   In the covering portion 34, an opening corresponding to the curved portion 23 is formed as the curved opening portion 33, and an opening corresponding to the leading side narrow portion 20 is formed as the leading side narrow opening portion 42, and the narrow opening portion 28. The curved opening 33 and the narrow front opening 42 accommodate the rear portion 35 of the second plating lead 18.

その後、図4(f)および図4(f’)が参照されるように、第1めっきリード17および第2めっきリード18の先側部分36をエッチングする工程では、エッチング液が外部側端子部8Aに浸入することを先側幅狭部分20および曲部分23により規制する。   Thereafter, as shown in FIGS. 4 (f) and 4 (f ′), in the step of etching the front side portion 36 of the first plating lead 17 and the second plating lead 18, the etching solution is external terminal portion. Intrusion into 8 </ b> A is restricted by the narrow side portion 20 and the curved portion 23.

これにより、浸食面16Bが、曲部分23の先後方向途中部分に形成される。   Thereby, the eroded surface 16 </ b> B is formed in the middle part of the curved portion 23 in the front-rear direction.

具体的には、先側幅狭開口部42および曲開口部33が、エッチング液の後側への浸入を許容する。これにより、先端面16Aが後側に後退し、そして、浸食面16Bが形成されることによって、エッチング液のそれ以上の後側への浸入が規制される。   Specifically, the front narrow opening 42 and the curved opening 33 allow the etching solution to enter the rear side. As a result, the front end surface 16A retreats to the rear side, and the erosion surface 16B is formed, so that further infiltration of the etching solution to the rear side is restricted.

そして、この配線回路基板1では、先側幅狭部分20の長さと、曲部分23(曲開口部33に収容され、エッチング工程前の曲部分23)の長さL5との合計長さは、先側幅狭部分20と曲部分23との先後方向の直線長さより必ず長くなる。   And in this printed circuit board 1, the total length of the length of the narrow side portion 20 and the length L5 of the curved portion 23 (the curved portion 23 accommodated in the curved opening 33 and before the etching step) is: It is always longer than the straight length of the front-rear direction between the front-side narrow portion 20 and the curved portion 23.

そのため、先側幅狭開口部42および曲開口部33への浸入が許容されるエッチング液が、先側幅狭部分20および曲部分23と接触しても、これらによって、エッチング液の後側への浸入を規制することができる。   Therefore, even if the etching liquid that is allowed to enter the front-side narrow opening 42 and the curved opening 33 comes into contact with the front-side narrow part 20 and the curved part 23, the etching liquid moves to the rear side of the etching liquid. Can be controlled.

その結果、外部側端子部8Aにおけるエッチング液に起因する溶解や変色を有効に防止することができる。   As a result, it is possible to effectively prevent dissolution and discoloration caused by the etching solution in the external terminal portion 8A.

なお、上記した説明では、第2めっきリード18の後側部分35を、幅狭部分10、曲部分23および先側幅狭部分20から形成したが、例えば、先側幅狭部分20を形成することなく、幅狭部分10および曲部分23から形成することができる。その場合には、曲部分23のみを規制部分として、あるいは、曲部分23と幅狭部分10とを規制部分として、エッチング液の浸入を規制する。   In the above description, the rear portion 35 of the second plating lead 18 is formed from the narrow portion 10, the curved portion 23, and the front narrow portion 20. For example, the front narrow portion 20 is formed. It can form from the narrow part 10 and the curved part 23, without. In that case, the intrusion of the etching solution is restricted using only the curved portion 23 as a restricting portion, or using the curved portion 23 and the narrow portion 10 as restricting portions.

図16〜図18は、上記した第2実施形態の変形例の第2めっきリードの拡大平面図であって、図16は、曲部分が平面視略コ字形状である態様、図17は、平面視段差形状である態様、図18は、曲部分が平面視略V字形状である態様を示す。   16 to 18 are enlarged plan views of the second plating lead of the modified example of the above-described second embodiment. FIG. 16 is an aspect in which the curved portion is substantially U-shaped in plan view, and FIG. FIG. 18 shows an aspect in which the step shape is a plan view, and FIG.

また、上記した説明では、曲部分23を平面視略S字形状に形成したが、例えば、平面視略コ字形状(図16参照)、平面視段差形状(図17参照)、平面視略V字形状(図18参照)に形成することもできる。   In the above description, the curved portion 23 is formed in a substantially S-shape in plan view. It can also be formed in a letter shape (see FIG. 18).

図16において、曲部分23は、平面視略コ字形状に形成されている。曲部分23は、幅方向他方側に開放するように配置され、その後端部が、幅狭部分10と接続されている。   In FIG. 16, the curved portion 23 is formed in a substantially U shape in plan view. The curved portion 23 is disposed so as to open to the other side in the width direction, and the rear end portion thereof is connected to the narrow portion 10.

図17において、曲部分23は、平面視段差形状に形成されている。第2めっきリード18の後側部分35は、幅狭部分10と、幅狭部分10の先端部から幅方向他方に向かって延びる直線部分25とを備えている。   In FIG. 17, the curved portion 23 is formed in a stepped shape in plan view. The rear portion 35 of the second plating lead 18 includes a narrow portion 10 and a linear portion 25 extending from the tip of the narrow portion 10 toward the other in the width direction.

直線部分25は、カバー絶縁層5の先端面30と平行するように配置されている。また、直線部分25は、幅狭部分10の先端部から幅方向他方側に屈曲するように形成されている。   The straight portion 25 is disposed so as to be parallel to the tip end face 30 of the insulating cover layer 5. The straight portion 25 is formed so as to bend from the distal end portion of the narrow portion 10 to the other side in the width direction.

図18において、曲部分23は、先後方向途中が屈曲する平面視略V字形状に形成されている。すなわち、第2めっきリード18の後側部分35は、外部側端子部8Aの先端部に連続して形成される第1傾斜部分27と、第1傾斜部分27の先端部から連続し、傾斜部分27の先側に配置される第2傾斜部分28とを一体的に有する曲部分23を備えている。   In FIG. 18, the curved portion 23 is formed in a substantially V shape in plan view in which the middle in the front-rear direction is bent. That is, the rear portion 35 of the second plating lead 18 is continuous with the first inclined portion 27 formed continuously from the distal end portion of the external terminal portion 8A and the distal end portion of the first inclined portion 27. 27 is provided with a curved portion 23 integrally having a second inclined portion 28 disposed on the front side of 27.

第1傾斜部分27は、外部側端子部8Aの先端部から、先側斜め幅方向一方に延びる、平面視略矩形状に形成されている。   The first inclined portion 27 is formed in a substantially rectangular shape in plan view extending from the tip end portion of the external terminal portion 8A to one side in the front oblique direction.

第2傾斜部分28は、第1傾斜部分27の先端部から幅方向他方側に屈曲して、先側斜め幅方向他方に延びる、平面視略矩形状に形成されている。
<第3実施形態>
上記した第1実施形態では、規制部分を少なくとも幅広部分11とし、また、上記した第2実施形態では、規制部分を少なくとも曲部分23としてそれぞれ説明したが、例えば、図示しないが、規制部分を、幅広部分11と曲部分23との両方とすることもできる。
The second inclined portion 28 is formed in a substantially rectangular shape in plan view that is bent from the distal end portion of the first inclined portion 27 to the other side in the width direction and extends to the other side in the front side oblique width direction.
<Third Embodiment>
In the first embodiment described above, the restricting portion is at least the wide portion 11, and in the second embodiment described above, the restricting portion is at least the curved portion 23. For example, although not illustrated, the restricting portion is Both the wide portion 11 and the curved portion 23 can be used.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples.

実施例1
まず、厚み25μmのステンレスからなる金属支持基板を用意し(図4(a)参照)、金属支持層の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み10μmのポリイミドからなるベース絶縁層を、上記したパターンで形成した(図4(b)参照)。
Example 1
First, a metal support substrate made of stainless steel having a thickness of 25 μm is prepared (see FIG. 4A), a varnish of a photosensitive polyamic acid resin is applied to the upper surface of the metal support layer, dried, exposed and developed, By heat-curing, an insulating base layer made of polyimide having a thickness of 10 μm was formed with the above-described pattern (see FIG. 4B).

次いで、ベース絶縁層の上面に、金属薄膜として、厚み0.03μmのクロム薄膜と厚み0.07μmの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した。続いて、金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、これを露光および現像し、導体層と逆パターンのめっきレジストを形成した。次いで、電解銅めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、厚み10μmの導体層を形成し、その後、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングにより除去した(図4(c)参照)。   Next, a chromium thin film having a thickness of 0.03 μm and a copper thin film having a thickness of 0.07 μm were sequentially formed on the upper surface of the insulating base layer by chromium sputtering and copper sputtering. Subsequently, a dry film resist was laminated on the surface of the metal thin film, and this was exposed and developed to form a plating resist having a pattern opposite to that of the conductor layer. Next, a conductive layer having a thickness of 10 μm was formed on the surface of the metal thin film exposed from the plating resist by electrolytic copper plating, and then the plating thin film and the metal thin film where the plating resist was formed were removed by etching (FIG. 4 (c)).

導体層は、配線および端子部を有する導体パターンと、後側部分に幅狭部分および幅広部分を有する第1めっきリードと、第2めっきリードとを一体的に備えていた(図5および図6参照)。   The conductor layer was integrally provided with a conductor pattern having wiring and a terminal portion, a first plating lead having a narrow portion and a wide portion in the rear portion, and a second plating lead (FIGS. 5 and 6). reference).

配線の幅は20μm、各配線間の間隔は20μmであり、端子部の幅は、100μm、各端子部間の間隔は30μmであった。   The wiring width was 20 μm, the spacing between the wirings was 20 μm, the terminal width was 100 μm, and the spacing between the terminal portions was 30 μm.

また、第1めっきリードの先後方向長さ(L3)が500μmであった。   Further, the length (L3) in the front-rear direction of the first plating lead was 500 μm.

また、第2めっきリードでは、幅狭部分の幅(W1)は20μm、幅狭部分の先後方向長さ(L1)は30μmであり、幅広部分の幅(W2)は50μm、幅広部分の先後方向長さ(L2)は100μmであった。   In the second plating lead, the width (W1) of the narrow portion is 20 μm, the length (L1) in the front-rear direction of the narrow portion is 30 μm, the width (W2) of the wide portion is 50 μm, and the front-rear direction of the wide portion. The length (L2) was 100 μm.

次いで、導体層を含むベース絶縁層の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み10μmのポリイミドからなるカバー絶縁層を、カバー開口部を有するパターンで形成した(図4(d)参照)。   Next, a varnish of a photosensitive polyamic acid resin is applied to the upper surface of the base insulating layer including the conductor layer, dried, exposed and developed, and further heated and cured to form a cover insulating layer made of polyimide having a thickness of 10 μm. It formed with the pattern which has a cover opening part (refer FIG.4 (d)).

カバー絶縁層には、外部側端子部の先側において、被覆部が設けられており、被覆部には、第2めっきリードの後側部分を収容する、幅狭開口部および幅広開口部が形成されていた。幅広開口部の長手方向長さ(L2’)は、80μmであった。   The cover insulating layer is provided with a covering portion on the front side of the external terminal portion, and a narrow opening portion and a wide opening portion for accommodating the rear portion of the second plating lead are formed in the covering portion. It had been. The length (L2 ′) in the longitudinal direction of the wide opening was 80 μm.

次いで、端子部の表面を除く導体層および金属支持基板の表面にめっきレジストを形成し、その後、金からなる厚み2μmのめっき層を、端子部の表面に、第1めっきリードおよび第2めっきリードを介して端子部に給電する電解金めっきにより形成した(図4(e)参照)。その後、めっきレジストを除去した。   Next, a plating resist is formed on the conductor layer excluding the surface of the terminal portion and the surface of the metal supporting substrate, and then a plating layer made of gold having a thickness of 2 μm is formed on the surface of the terminal portion, the first plating lead and the second plating lead. It formed by the electrolysis gold plating which supplies electric power to a terminal part via (refer FIG.4 (e)). Thereafter, the plating resist was removed.

次いで、エッチングレジストを、めっき層および金属支持基板の表面に積層し、その後、第1めっきリードおよび第2めっきリードの先側部分を、塩化第二鉄水溶液を用いるエッチングにより、除去した(図4(f)参照)。   Next, an etching resist is laminated on the surface of the plating layer and the metal support substrate, and then the front side portions of the first plating lead and the second plating lead are removed by etching using a ferric chloride aqueous solution (FIG. 4). (Refer to (f)).

その後、金属支持基板を水洗し、次いで、エッチングレジストを除去した。   Thereafter, the metal support substrate was washed with water, and then the etching resist was removed.

なお、第1めっきリードおよび第2めっきリードの先側部分をエッチングするエッチング工程によって、幅広開口部内に、カバー絶縁層の先端面より後側にずれて位置する浸食面が形成された(図3および図4(f’)参照)。   In addition, the erosion surface located in the wide opening and shifted from the front end surface of the cover insulating layer to the rear side was formed in the wide opening by the etching process of etching the front side portions of the first plating lead and the second plating lead (FIG. 3). And FIG. 4 (f ′)).

その後、金属支持基板を切り抜いて、支持開口部を形成することにより、複数の配線回路基板が形成されたシートを得た(図1参照)。   Thereafter, the metal support substrate was cut out to form a support opening, thereby obtaining a sheet on which a plurality of printed circuit boards were formed (see FIG. 1).

比較例1
第1めっきリード(17)の後側部分(35)を、幅狭部分(10)のみから形成した以外は、実施例1と同様にして、複数の配線回路基板(1)が形成されたシート(21)を得た(図19参照)。
Comparative Example 1
A sheet on which a plurality of printed circuit boards (1) are formed in the same manner as in Example 1 except that the rear portion (35) of the first plating lead (17) is formed only from the narrow portion (10). (21) was obtained (see FIG. 19).

なお、第1めっきリード(17)および第2めっきリード(18)の先側部分(36)をエッチングするエッチング工程によって、幅狭部分(10)および外部側端子部(8A)の先端部が溶解された。   Note that the narrow portion (10) and the distal end portion of the external terminal portion (8A) are dissolved by the etching step of etching the first portion (36) of the first plating lead (17) and the second plating lead (18). It was done.

(評価)
1) 外部側端子部の変色の有無
実施例1および比較例1のシートの配線回路基板について、外部側端子部における変色の有無を観察した。
(Evaluation)
1) Presence / absence of discoloration of external terminal portion Regarding the printed circuit boards of the sheets of Example 1 and Comparative Example 1, the presence or absence of discoloration in the external terminal portion was observed.

その結果、実施例1では、外部側端子部の変色が確認されなかった。   As a result, in Example 1, discoloration of the external terminal portion was not confirmed.

一方、比較例1では、外部側端子部の変色が確認された。   On the other hand, in Comparative Example 1, discoloration of the external terminal portion was confirmed.

1 配線回路基板
6 導体パターン
9 めっきリード
10 幅狭部分
11 幅広部分
23 曲部分
28 幅狭開口部
29 幅広開口部
33 曲開口部
34 被覆部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Printed circuit board 6 Conductor pattern 9 Plating lead 10 Narrow part 11 Wide part 23 Curved part 28 Narrow opening part 29 Wide opening part 33 Curved opening part 34 Covering part

Claims (1)

ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成される複数の配線と端子部とを備える導体パターンと、
前記導体パターンの上に形成されるカバー絶縁層と
を備え、
前記カバー絶縁層には、前記端子部の上を露出するカバー開口部が形成されており、
前記端子部の上には、
前記端子部に電気的に接続されるめっきリードであって、前記端子部に隣接配置され、長手方向に延び、前記長手方向に直交する幅方向の長さが短い幅狭部分と、前記幅狭部分に対して前記端子部の反対側に隣接配置され、前記幅狭部分より前記幅方向長さが長い幅広部分とを備え、前記めっきリードをエッチングにより除去する際に、エッチング液の前記端子部に対する浸食を規制する前記幅広部分である規制部分を備える
めっきリードを介して、電解めっきにより、めっき層が形成されており、
前記カバー絶縁層には、前記規制部分および/または前記エッチング液の前記規制部分に対する浸食により形成される空洞を被覆するための被覆部が設けられ、
前記被覆部には、
前記幅狭部分および/または前記エッチング液の前記幅狭部分に対する浸食により形成される空洞を収容し、前記幅方向の長さが短い幅狭開口部と、
前記幅広部分および/または前記エッチング液の前記幅広部分に対する浸食により形成される空洞を収容し、前記幅狭開口部より前記幅方向長さが長い幅広開口部と
が形成されており、
前記幅狭開口部および前記幅広開口部は、前記ベース絶縁層に向かって厚み方向に開口するように形成され
前記幅広開口部は、前記幅狭開口部に対して前記端子部の反対側に隣接配置されることを特徴とする、配線回路基板。
A base insulating layer;
A conductor pattern comprising a plurality of wirings and terminal portions formed on the base insulating layer;
A cover insulating layer formed on the conductor pattern;
The cover insulating layer is formed with a cover opening that exposes the terminal portion.
On the terminal portion,
A plating lead electrically connected to the terminal part, the narrowing part being arranged adjacent to the terminal part, extending in the longitudinal direction and having a short length in the width direction perpendicular to the longitudinal direction, and the narrow width And a wide portion that is adjacent to the portion on the opposite side of the terminal portion and has a longer length in the width direction than the narrow portion, and when removing the plating lead by etching, the terminal portion of the etching solution A plating layer is formed by electrolytic plating through a plating lead including a restriction portion that is a wide portion that restricts erosion against
The insulating cover layer is provided with a covering portion for covering a cavity formed by erosion of the restricting portion and / or the etching liquid with respect to the restricting portion,
In the covering portion,
Containing a cavity formed by erosion of the narrow portion and / or the narrow portion of the etchant, and a narrow opening having a short length in the width direction;
A cavity formed by erosion of the wide portion and / or the wide portion of the etchant is accommodated, and a wide opening having a longer length in the width direction than the narrow opening is formed.
The narrow opening and the wide opening are formed to open in the thickness direction toward the base insulating layer ,
The printed circuit board according to claim 1, wherein the wide opening is disposed adjacent to the narrow opening on the opposite side of the terminal portion .
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