JP5706651B2 - Fluorinated alkyl phosphate sulfonium salt, acid generator and curable composition - Google Patents
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Description
本発明は、第1にスルホニウム塩に関し、第2に、酸発生剤に、より詳しくは、熱あるいは光、電子線又はX線等の活性エネルギー線を作用させてカチオン重合性化合物を硬化する際に好適な特定のスルホニウム塩を含有する酸発生剤に関する。本発明は、第3に、当該酸発生剤を含有する硬化性組成物及びこれを硬化させて得られる硬化体に関する。 The present invention relates firstly to a sulfonium salt, and secondly to an acid generator, more specifically, when an active energy ray such as heat, light, electron beam or X-ray is applied to cure a cationically polymerizable compound. The present invention relates to an acid generator containing a specific sulfonium salt suitable for the above. Thirdly, the present invention relates to a curable composition containing the acid generator and a cured product obtained by curing the curable composition.
従来、熱あるいは光、電子線又はX線等の活性エネルギー線を作用させてエポキシ化合物などのカチオン重合性化合物を硬化させるカチオン重合開始剤として、スルホニウム塩が知られている(特許文献1、2、3、4)。 Conventionally, a sulfonium salt is known as a cationic polymerization initiator that cures a cationically polymerizable compound such as an epoxy compound by acting an active energy ray such as heat, light, electron beam, or X-ray (Patent Documents 1 and 2). 3, 4).
ところで、これらの明細書に記載されているカチオン重合開始剤は、アニオンとして、BF4 −、PF6 −、AsF6 −、SbF6 −を含有するが、カチオン重合開始性能はアニオンの種類で異なり、BF4 −<PF6 −<AsF6 −<SbF6 −の順に良くなる。しかし、重合開始能の良いAsF6 −,SbF6 −を含有するカチオン重合開始剤はAs、Sbの毒性の問題から使用用途が限定され、SbF6 −塩が光造形などの限定された用途で使用されているのみである。そのため、一般的には重合開始能が劣るPF6 −塩が利用されているが、PF6 −塩は、例えば、SbF6 −塩と同程度の硬化速度を得るには、後者の10倍近い量を添加する必要があり、未反応の開始剤、開始剤を溶解するために必要に応じて使用される溶剤又は開始剤の分解物の残存量が多くなるため、硬化物の物性が損なわれること、また開始剤の分解によって副生するHF量が多くなることから、基材や設備などが腐食されやすいことなどの問題がある。このため毒性金属を含まず、SbF6 −塩に匹敵するカチオン重合開始能を有するカチオン重合開始剤が強く求められていた。 By the way, the cationic polymerization initiator described in these specifications contains BF 4 − , PF 6 − , AsF 6 − , and SbF 6 − as anions, but the cationic polymerization initiation performance varies depending on the type of anion. BF 4 − <PF 6 − <AsF 6 − <SbF 6 − in this order. However, good polymerization initiation ability AsF 6 -, SbF 6 - cationic polymerization initiator containing the As, limited use applications from toxicity problems of Sb, SbF 6 - in applications salts were restricted such stereolithography It is only used. Therefore, in general, PF 6 polymerization initiation ability is poor - the salts are utilized, PF 6 - salt, for example, SbF 6 - to obtain the cure rate comparable to salt, the latter 10 times more The amount of unreacted initiator, the solvent used as needed to dissolve the initiator, or the decomposition product of the initiator is increased, and the physical properties of the cured product are impaired. In addition, since the amount of HF produced as a by-product due to decomposition of the initiator is increased, there is a problem that the base material and equipment are easily corroded. Thus free of toxic metals, SbF 6 - cationic polymerization initiator having a cationic polymerization initiating ability comparable to salt has been strongly desired.
この課題に応える酸発生剤として本出願とカチオン部が同一あるいは類似しているもので対アニオンがSbF6以外の酸発生剤(特許文献5、6、7、8)が開示されているが、SbF6に比べ、硬化性が悪く実用的でない。 As acid generators that meet this problem, acid generators that have the same or similar cation moiety as the present application and have a counter anion other than SbF 6 (Patent Documents 5, 6, 7, and 8) have been disclosed. Compared to SbF 6 , the curability is poor and impractical.
前述の背景において、本発明の第1の目的は、Sb等の毒性の高い元素を含まず、かつカチオン重合能に優れる新たなスルホニウム塩を提供することである。
本発明の第2の目的は、Sb等の毒性の高い元素安全で硬化性に優れ、かつエポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高い、スルホニウム塩を含んでなる新たな酸発生剤を提供することである。
本発明の第3の目的は、上記酸発生剤を利用した硬化性組成物及び硬化体を提供することである。
In the above-mentioned background, the first object of the present invention is to provide a new sulfonium salt that does not contain a highly toxic element such as Sb and is excellent in cationic polymerization ability.
A second object of the present invention is a new acid generator comprising a sulfonium salt, which is highly toxic elementally safe such as Sb, excellent in curability, and highly compatible with a cationically polymerizable compound such as an epoxy compound. Is to provide.
The third object of the present invention is to provide a curable composition and a cured product using the acid generator.
本発明者は、下記の式(1)で示すスルホニウム塩が上記目的に好適であることを見出した。すなわち、本発明は式(1)で示されるスルホニウム塩を提供する。 The present inventor has found that a sulfonium salt represented by the following formula (1) is suitable for the above purpose. That is, the present invention provides a sulfonium salt represented by the formula (1).
〔式(1)中、R1及びR2はそれぞれ独立にアルキル基又はアラルキル基を表し、R3は水素、アルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アラルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アラルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アラルキルオキシカルボニルオキシ基、アリールチオカルボニル基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ(ポリ)アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子を表し、mは、R3の個数を表し、0〜5の整数である。Rfは水素の80%以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。bはその個数を表し、1〜5の整数である。Rfはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。〕 [In formula (1), R 1 and R 2 each independently represents an alkyl group or an aralkyl group, and R 3 represents hydrogen, an alkyl group, a hydroxy group, a carboxyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylcarbonyl group, an aryl group. Carbonyl group, aralkylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, aralkyloxycarbonyl group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, aralkylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, aralkyloxycarbonyl Oxy group, arylthiocarbonyl group, arylthio group, alkylthio group, aryl group, heterocyclic hydrocarbon group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, aryl Represents a sulfonyl group, a hydroxy (poly) alkyleneoxy group, optionally substituted amino group, a cyano group, a nitro group or a halogen atom, m represents the number of R 3, is an integer of 0 to 5. Rf represents an alkyl group in which 80% or more of hydrogen is substituted with a fluorine atom. b represents the number thereof and is an integer of 1 to 5. Rf may be the same or different. ]
また本発明は、上記のスルホニウム塩を含有することを特徴とする酸発生剤である。 Moreover, this invention is an acid generator characterized by containing said sulfonium salt.
また本発明は、上記酸発生剤とカチオン重合性化合物とを含んでなる硬化性組成物である。 Moreover, this invention is a curable composition which contains the said acid generator and a cationically polymerizable compound.
更に本発明は、上記硬化性組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化体である。 Furthermore, the present invention is a cured product obtained by curing the curable composition.
本発明のスルホニウム塩は、Sb等の毒性の高い元素を含まないため、安全で硬化性に優れ、かつエポキシ化合物等のカチオン重合性化合物への相溶性が高い。
本発明の酸発生剤は、熱潜在性に優れており、貯蔵安定性を損なわずに、所定の温度において短時間で、カチオン重合性化合物を硬化させることができる。本発明の酸発生剤はまた、光によって硬化させることもできる。
本発明の硬化性組成物は、上記の酸発生剤を含有するため、貯蔵安定性に優れ、反応性が高いことから作業性に優れる。
本発明の硬化体は、Sb等の毒性の高い元素を含まないため安全性が高い。
Since the sulfonium salt of the present invention does not contain a highly toxic element such as Sb, it is safe and excellent in curability and highly compatible with a cationically polymerizable compound such as an epoxy compound.
The acid generator of the present invention is excellent in thermal potential, and can cure the cationically polymerizable compound in a short time at a predetermined temperature without impairing storage stability. The acid generator of the present invention can also be cured by light.
Since the curable composition of this invention contains said acid generator, it is excellent in storage stability, and is excellent in workability | operativity since it is highly reactive.
The cured product of the present invention has high safety because it does not contain highly toxic elements such as Sb.
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
式(1)において、R1〜R3のうち、アルキル基としては、炭素数1〜18の直鎖アルキル基(メチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、n−ペンチル、n−オクチル、n−デシル、n−ドデシル、n−テトラデシル、n−ヘキサデシル及びn−オクタデシル等)、炭素数1〜18の分枝鎖アルキル基(イソプロピル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert−ペンチル、イソヘキシル及びイソオクタデシル)、及び炭素数3〜18のシクロアルキル基(シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及び4−デシルシクロヘキシル等)等が挙げられる。 In formula (1), among R 1 to R 3 , the alkyl group is a linear alkyl group having 1 to 18 carbon atoms (methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-pentyl, n-octyl, n-decyl, n-dodecyl, n-tetradecyl, n-hexadecyl, n-octadecyl, etc.), a branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms (isopropyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, isohexyl and isooctadecyl), and cycloalkyl groups having 3 to 18 carbon atoms (such as cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl and 4-decylcyclohexyl).
式(1)において、R1及びR2のうち、アラルキル基としては炭素数6〜10のアリール基で置換されている低級アルキル基(ベンジル、2−メチルベンジル、1−ナフチルメチル、2−ナフチルメチル等)等が挙げられる。 In the formula (1), among R 1 and R 2 , as the aralkyl group, a lower alkyl group substituted with an aryl group having 6 to 10 carbon atoms (benzyl, 2-methylbenzyl, 1-naphthylmethyl, 2-naphthyl) Methyl and the like).
式(1)において、R3における、アルコキシ基としては、炭素数1〜18の直鎖又は分枝鎖アルコキシ基(メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブトキシ、ヘキシルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ及びオクタデシルオキシ等)等が挙げられる。 In the formula (1), the alkoxy group in R 3 is a linear or branched alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms (methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, isobutoxy, sec-butoxy, tert-butoxy Hexyloxy, decyloxy, dodecyloxy, octadecyloxy and the like).
式(1)において、R3における、アリールオキシ基としては、炭素数6〜10のアリールオキシ基(フェノキシ及びナフチルオキシ等)等が挙げられる。 In Formula (1), examples of the aryloxy group in R 3 include aryloxy groups having 6 to 10 carbon atoms (such as phenoxy and naphthyloxy).
式(1)において、R3における、アルキルカルボニル基としては、炭素数2〜18の直鎖又は分枝鎖アルキルカルボニル基(アセチル、プロピオニル、ブタノイル、2−メチルプロピオニル、ヘプタノイル、2−メチルブタノイル、3−メチルブタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル及びオクタデカノイル等)等が挙げられる。 In the formula (1), the alkylcarbonyl group in R 3 is a linear or branched alkylcarbonyl group having 2 to 18 carbon atoms (acetyl, propionyl, butanoyl, 2-methylpropionyl, heptanoyl, 2-methylbutanoyl 3-methylbutanoyl, octanoyl, decanoyl, dodecanoyl, octadecanoyl, etc.).
式(1)において、R3における、アリールカルボニル基としては、炭素数7〜11のアリールカルボニル基(ベンゾイル及びナフトイル等)等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the arylcarbonyl group in R 3 include arylcarbonyl groups having 7 to 11 carbon atoms (such as benzoyl and naphthoyl).
式(1)において、R3における、アラルキルカルボニル基としては、炭素数6〜10のアリール基で置換されている低級アルキルカルボニル基(ベンジルカルボニル、2−メチルベンジルカルボニル、1−ナフチルメチルカルボニル、2−ナフチルメチルカルボニル等)等が挙げられる。 In formula (1), the aralkylcarbonyl group in R 3 is a lower alkylcarbonyl group substituted with an aryl group having 6 to 10 carbon atoms (benzylcarbonyl, 2-methylbenzylcarbonyl, 1-naphthylmethylcarbonyl, 2 -Naphthylmethylcarbonyl and the like).
式(1)において、R3における、アルコキシカルボニル基としては、炭素数2〜18の炭素数2〜19の直鎖又は分枝鎖アルコキシカルボニル基(メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、sec−ブトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、オクチロキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル及びオクタデシロキシカルボニル等)等が挙げられる。 In the formula (1), as the alkoxycarbonyl group in R 3 , a linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 18 carbon atoms (methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, propoxycarbonyl, isopropoxycarbonyl) , Butoxycarbonyl, isobutoxycarbonyl, sec-butoxycarbonyl, tert-butoxycarbonyl, octyloxycarbonyl, tetradecyloxycarbonyl, octadecyloxycarbonyl, and the like.
式(1)において、R3における、アリールオキシカルボニル基としては、炭素数7〜11のアリールオキシカルボニル基(フェノキシカルボニル及びナフトキシカルボニル等)等が挙げられる。 In Formula (1), examples of the aryloxycarbonyl group in R 3 include aryloxycarbonyl groups having 7 to 11 carbon atoms (such as phenoxycarbonyl and naphthoxycarbonyl).
式(1)において、R3における、アラルキルオキシカルボニル基としては、炭素数6〜10のアリール基で置換されている低級アルコキシカルボニル基(ベンジルオキシカルボニル、2−メチルベンジルオキシカルボニル、1−ナフチルメチルオキシカルボニル、2−ナフチルメチルオキシカルボニル等)等が挙げられる。 In formula (1), the aralkyloxycarbonyl group in R 3 is a lower alkoxycarbonyl group substituted with an aryl group having 6 to 10 carbon atoms (benzyloxycarbonyl, 2-methylbenzyloxycarbonyl, 1-naphthylmethyl). Oxycarbonyl, 2-naphthylmethyloxycarbonyl, etc.).
式(1)において、R3における、アルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数2〜19の直鎖又は分枝鎖アルキルカルボニルオキシ基(アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、sec−ブチルカルボニルオキシ、tert−ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、テトラデシルカルボニルオキシ及びオクタデシルカルボニルオキシ等)等が挙げられる。 In the formula (1), the alkylcarbonyloxy group in R 3 is a linear or branched alkylcarbonyloxy group having 2 to 19 carbon atoms (acetoxy, ethylcarbonyloxy, propylcarbonyloxy, isopropylcarbonyloxy, butylcarbonyl Oxy, isobutylcarbonyloxy, sec-butylcarbonyloxy, tert-butylcarbonyloxy, octylcarbonyloxy, tetradecylcarbonyloxy, octadecylcarbonyloxy and the like.
式(1)において、R3における、アリールカルボニルオキシ基としては、炭素数7〜11のアリールカルボニルオキシ基(ベンゾイルオキシ及びナフトイルオキシ等)等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the arylcarbonyloxy group in R 3 include arylcarbonyloxy groups having 7 to 11 carbon atoms (such as benzoyloxy and naphthoyloxy).
式(1)において、R3における、アラルキルカルボニルオキシ基としては、炭素数6〜10のアリール基で置換されている低級アルキルカルボニル基(ベンジルカルボニルオキシ、2−メチルベンジルカルボニルオキシ、1−ナフチルメチルカルボニルオキシ、2−ナフチルメチルカルボニルオキシ等)等が挙げられる。 In formula (1), the aralkylcarbonyloxy group in R 3 is a lower alkylcarbonyl group substituted with an aryl group having 6 to 10 carbon atoms (benzylcarbonyloxy, 2-methylbenzylcarbonyloxy, 1-naphthylmethyl). Carbonyloxy, 2-naphthylmethylcarbonyloxy and the like).
式(1)において、R3における、アルコキシカルボニルオキシ基としては、炭素数2〜18の炭素数2〜19の直鎖又は分枝鎖アルコキシカルボニル基(メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、プロポキシカルボニルオキシ、イソプロポキシカルボニルオキシ、ブトキシカルボニルオキシ、イソブトキシカルボニルオキシ、sec−ブトキシカルボニルオキシ、tert−ブトキシカルボニルオキシ、オクチロキシカルボニルオキシ、テトラデシルオキシカルボニルオキシ及びオクタデシロキシカルボニルオキシ等)等が挙げられる。 In the formula (1), the alkoxycarbonyloxy group in R 3 is a linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 18 carbon atoms (methoxycarbonyloxy, ethoxycarbonyloxy, propoxycarbonyloxy). , Isopropoxycarbonyloxy, butoxycarbonyloxy, isobutoxycarbonyloxy, sec-butoxycarbonyloxy, tert-butoxycarbonyloxy, octyloxycarbonyloxy, tetradecyloxycarbonyloxy, octadecyloxycarbonyloxy and the like.
式(1)において、R3における、アリールオキシカルボニルオキシ基としては、炭素数7〜11のアリールオキシカルボニルオキシ基(フェノキシカルボニルオキシ及びナフトキシカルボニルオキシ等)等が挙げられる。 In Formula (1), examples of the aryloxycarbonyloxy group in R 3 include aryloxycarbonyloxy groups having 7 to 11 carbon atoms (such as phenoxycarbonyloxy and naphthoxycarbonyloxy).
式(1)において、R3における、アラルキルオキシカルボニルオキシ基としては、炭素数6〜10のアリール基で置換されている低級アルコキシカルボニルオキシ基(ベンジルオキシカルボニルオキシ、2−メチルベンジルオキシカルボニルオキシ、1−ナフチルメチルオキシカルボニルオキシ、2−ナフチルメチルオキシカルボニルオキシ等)等が挙げられる。 In the formula (1), the aralkyloxycarbonyloxy group in R 3 is a lower alkoxycarbonyloxy group substituted with an aryl group having 6 to 10 carbon atoms (benzyloxycarbonyloxy, 2-methylbenzyloxycarbonyloxy, 1-naphthylmethyloxycarbonyloxy, 2-naphthylmethyloxycarbonyloxy and the like).
式(1)において、R3における、アリールチオカルボニル基としては、炭素数7〜11のアリールチオカルボニル基(フェニルチオカルボニル及びナフトキシチオカルボニル等)等が挙げられる。 In Formula (1), examples of the arylthiocarbonyl group in R 3 include arylthiocarbonyl groups having 7 to 11 carbon atoms (such as phenylthiocarbonyl and naphthoxythiocarbonyl).
式(1)において、R3における、アリールチオ基としては、炭素数6〜20のアリールチオ基(フェニルチオ、2−メチルフェニルチオ、3−メチルフェニルチオ、4−メチルフェニルチオ、2−クロロフェニルチオ、3−クロロフェニルチオ、4−クロロフェニルチオ、2−ブロモフェニルチオ、3−ブロモフェニルチオ、4−ブロモフェニルチオ、2−フルオロフェニルチオ、3−フルオロフェニルチオ、4−フルオロフェニルチオ、2−ヒドロキシフェニルチオ、4−ヒドロキシフェニルチオ、2−メトキシフェニルチオ、4−メトキシフェニルチオ、1−ナフチルチオ、2−ナフチルチオ、4−[4−(フェニルチオ)ベンゾイル]フェニルチオ、4−[4−(フェニルチオ)フェノキシ]フェニルチオ、4−[4−(フェニルチオ)フェニル]フェニルチオ、4−(フェニルチオ)フェニルチオ、4−ベンゾイルフェニルチオ、4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ、4−ベンゾイル−3−クロロフェニルチオ、4−ベンゾイル−3−メチルチオフェニルチオ、4−ベンゾイル−2−メチルチオフェニルチオ、4−(4−メチルチオベンゾイル)フェニルチオ、4−(2−メチルチオベンゾイル)フェニルチオ、4−(p−メチルベンゾイル)フェニルチオ、4−(p−エチルベンゾイル)フェニルチオ4−(p−イソプロピルベンゾイル)フェニルチオ及び4−(p−tert−ブチルベンゾイル)フェニルチオ等)等が挙げられる。 In the formula (1), the arylthio group in R 3 is an arylthio group having 6 to 20 carbon atoms (phenylthio, 2-methylphenylthio, 3-methylphenylthio, 4-methylphenylthio, 2-chlorophenylthio, 3 -Chlorophenylthio, 4-chlorophenylthio, 2-bromophenylthio, 3-bromophenylthio, 4-bromophenylthio, 2-fluorophenylthio, 3-fluorophenylthio, 4-fluorophenylthio, 2-hydroxyphenylthio 4-hydroxyphenylthio, 2-methoxyphenylthio, 4-methoxyphenylthio, 1-naphthylthio, 2-naphthylthio, 4- [4- (phenylthio) benzoyl] phenylthio, 4- [4- (phenylthio) phenoxy] phenylthio , 4- [4- (Phenylthio O) phenyl] phenylthio, 4- (phenylthio) phenylthio, 4-benzoylphenylthio, 4-benzoyl-2-chlorophenylthio, 4-benzoyl-3-chlorophenylthio, 4-benzoyl-3-methylthiophenylthio, 4-benzoyl 2-methylthiophenylthio, 4- (4-methylthiobenzoyl) phenylthio, 4- (2-methylthiobenzoyl) phenylthio, 4- (p-methylbenzoyl) phenylthio, 4- (p-ethylbenzoyl) phenylthio 4- (p -Isopropylbenzoyl) phenylthio, 4- (p-tert-butylbenzoyl) phenylthio and the like.
式(1)において、R3における、アルキルチオ基としては、炭素数1〜18の直鎖又は分枝鎖アルキルチオ基(メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、sec−ブチルチオ、tert−ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、tert−ペンチルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ及びイソオクタデシルチオ等)等が挙げられる。 In formula (1), the alkylthio group in R 3 is a linear or branched alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms (methylthio, ethylthio, propylthio, isopropylthio, butylthio, isobutylthio, sec-butylthio, tert- Butylthio, pentylthio, isopentylthio, neopentylthio, tert-pentylthio, octylthio, decylthio, dodecylthio, isooctadecylthio and the like.
式(1)において、R3における、アリール基としては、炭素数6〜10のアリール基(フェニル、トリル、ジメチルフェニル及びナフチル等)等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the aryl group in R 3 include aryl groups having 6 to 10 carbon atoms (phenyl, tolyl, dimethylphenyl, naphthyl, and the like).
式(1)において、R3における、複素環式炭化水素基としては、炭素数4〜20の複素環式炭化水素基(チエニル、フラニル、ピラニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、キサンテニル、チアントレニル、フェノキサジニル、フェノキサチイニル、クロマニル、イソクロマニル、ジベンゾチエニル、キサントニル、チオキサントニル及びジベンゾフラニル等)等が挙げられる。 In formula (1), the heterocyclic hydrocarbon group in R 3 is a heterocyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms (thienyl, furanyl, pyranyl, pyrrolyl, oxazolyl, thiazolyl, pyridyl, pyrimidyl, pyrazinyl, Indolyl, benzofuranyl, benzothienyl, quinolyl, isoquinolyl, quinoxalinyl, quinazolinyl, carbazolyl, acridinyl, phenothiazinyl, phenazinyl, xanthenyl, thianthenyl, phenoxazinyl, phenoxathiinyl, chromanyl, isochromanyl, dibenzothienyl, xanthonyl, dithiothionyl, etc. ) And the like.
式(1)において、R3における、アリールオキシ基としては、炭素数6〜10のアリールオキシ基(フェノキシ及びナフチルオキシ等)等が挙げられる。 In Formula (1), examples of the aryloxy group in R 3 include aryloxy groups having 6 to 10 carbon atoms (such as phenoxy and naphthyloxy).
式(1)において、R3における、アルキルスルフィニル基としては、炭素数1〜18の直鎖又は分枝鎖スルフィニル基(メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ブチルスルフィニル、イソブチルスルフィニル、sec−ブチルスルフィニル、tert−ブチルスルフィニル、ペンチルスルフィニル、イソペンチルスルフィニル、ネオペンチルスルフィニル、tert−ペンチルスルフィニル、オクチルスルフィニル及びイソオクタデシルスルフィニル等)等が挙げられる。 In the formula (1), as the alkylsulfinyl group in R 3 , a linear or branched sulfinyl group having 1 to 18 carbon atoms (methylsulfinyl, ethylsulfinyl, propylsulfinyl, isopropylsulfinyl, butylsulfinyl, isobutylsulfinyl, sec -Butylsulfinyl, tert-butylsulfinyl, pentylsulfinyl, isopentylsulfinyl, neopentylsulfinyl, tert-pentylsulfinyl, octylsulfinyl, isooctadecylsulfinyl and the like.
式(1)において、R3における、アリールスルフィニル基としては、炭素数6〜10のアリールスルフィニル基(フェニルスルフィニル、トリルスルフィニル及びナフチルスルフィニル等)等が挙げられる。 In formula (1), examples of the arylsulfinyl group in R 3 include arylsulfinyl groups having 6 to 10 carbon atoms (such as phenylsulfinyl, tolylsulfinyl, and naphthylsulfinyl).
式(1)において、R3における、アルキルスルホニル基としては、炭素数1〜18の直鎖又は分枝鎖アルキルスルホニル基(メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル、sec−ブチルスルホニル、tert−ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、イソペンチルスルホニル、ネオペンチルスルホニル、tert−ペンチルスルホニル、オクチルスルホニル及びオクタデシルスルホニル等)等が挙げられる。 In formula (1), the alkylsulfonyl group in R 3 is a linear or branched alkylsulfonyl group having 1 to 18 carbon atoms (methylsulfonyl, ethylsulfonyl, propylsulfonyl, isopropylsulfonyl, butylsulfonyl, isobutylsulfonyl, sec-butylsulfonyl, tert-butylsulfonyl, pentylsulfonyl, isopentylsulfonyl, neopentylsulfonyl, tert-pentylsulfonyl, octylsulfonyl, octadecylsulfonyl and the like.
式(1)において、R3における、アリールスルホニル基としては、炭素数6〜10のアリールスルホニル基(フェニルスルホニル、トリルスルホニル(トシル基)及びナフチルスルホニル等)等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the arylsulfonyl group in R 3 include arylsulfonyl groups having 6 to 10 carbon atoms (phenylsulfonyl, tolylsulfonyl (tosyl group), naphthylsulfonyl, etc.) and the like.
式(1)において、R3における、ヒドロキシ(ポリ)アルキレンオキシ基としては、下記式で表されるヒドロキシ(ポリ)アルキレンオキシ基等が挙げられる。
HO(−AO)q−
〔AOはエチレンオキシ基及び/又はプロピレンオキシ基、qは1〜5の整数を表す。〕
In the formula (1), examples of the hydroxy (poly) alkyleneoxy group in R 3 include a hydroxy (poly) alkyleneoxy group represented by the following formula.
HO (-AO) q-
[AO represents an ethyleneoxy group and / or a propyleneoxy group, and q represents an integer of 1 to 5. ]
式(1)において、R3における、アミノ基としては、アミノ基(−NH2)及び炭素数1〜15の置換アミノ基(メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、n−プロピルアミノ、メチル−n−プロピルアミノ、エチル−n−プロピルアミノ、n−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、イソプロピルメチルアミノ、イソプロピルエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、メチルフェニルアミノ、エチルフェニルアミノ、n−プロピルフェニルアミノ及びイソプロピルフェニルアミノ等)等が挙げられる。 In formula (1), the amino group in R 3 includes an amino group (—NH 2 ) and a substituted amino group having 1 to 15 carbon atoms (methylamino, dimethylamino, ethylamino, methylethylamino, diethylamino, n- Propylamino, methyl-n-propylamino, ethyl-n-propylamino, n-propylamino, isopropylamino, isopropylmethylamino, isopropylethylamino, diisopropylamino, phenylamino, diphenylamino, methylphenylamino, ethylphenylamino, n-propylphenylamino, isopropylphenylamino and the like).
式(1)において、R3における、ハロゲン原子基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the halogen atom group in R 3 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
式(1)において、R1、R2は、相互に独立であり、従って、互いに同一でも異なっていてもよい。 In the formula (1), R 1 and R 2 are independent of each other, and therefore may be the same as or different from each other.
式(1)において、mは、R3の個数を表し、0〜5の整数であり、好ましくは0〜3、さらに好ましくは0〜2、特に好ましくは0又は1である。 In the formula (1), m represents the number of R 3 and is an integer of 0 to 5, preferably 0 to 3, more preferably 0 to 2, particularly preferably 0 or 1.
本発明の式(1)で示されるスルホニウム塩のうち、好ましい具体例としては、
フェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−メトキシカルボニルオキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、フェニル−メチル−ベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−メトキシカルボニルオキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、フェニル−メチル−2−メチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−ヒドロキシフェニル−メチル−2−メチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−メトキシカルボニルオキシフェニル−メチル−2−メチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニル−メチル−2−メチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニル−メチル−2−メチルベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、フェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−ヒドロキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−メトキシカルボニルオキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート及び4−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートが挙げられる。
Among the sulfonium salts represented by the formula (1) of the present invention, preferred specific examples include:
Phenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-methoxycarbonyloxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-acetoxy Phenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-benzyloxycarbonyloxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, phenyl-methyl-benzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4- Hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tris (Pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-methoxycarbonyloxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-acetoxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4 -Benzyloxycarbonyloxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, phenyl-methyl-2-methylbenzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-hydroxyphenyl-methyl-2-methyl Benzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-methoxycarbonyloxyphene Ru-methyl-2-methylbenzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-acetoxyphenyl-methyl-2-methylbenzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-benzyloxycarbonyloxyphenyl-methyl 2-methylbenzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, phenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tris (penta Fluoroethyl) trifluorophosphate, 4-methoxycarbonyloxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tris Ntafluoroethyl) trifluorophosphate, 4-acetoxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate and 4-benzyloxycarbonyloxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) ) Trifluorophosphate.
本発明のスルホニウム塩の製造方法としては、以下の反応式に従って製造することができる。 As a manufacturing method of the sulfonium salt of this invention, it can manufacture according to the following Reaction Formula.
なお、反応式中のR1〜R3、Rf及びbは、式(1)における定義に同じである。X−は、ハロゲンアニオンを表し、M+はアルカリ金属(リチウム、ナトリウム及びカリウム等)カチオンを表す。MXはアルカリ金属カチオンとハロゲンアニオンとの塩を表す。 In addition, R < 1 > -R < 3 >, Rf, and b in reaction formula are the same as the definition in Formula (1). X − represents a halogen anion, and M + represents an alkali metal (such as lithium, sodium and potassium) cation. MX represents a salt of an alkali metal cation and a halogen anion.
即ち、式(2)のスルホニウムハライド(合成方法は特開平3−48654参照)をジクロロメタン等の有機溶媒に溶解あるいは分散し、その溶液に式(3)のフッ素化アルキルリン酸アニオンとアルカリ金属カチオンとの塩の水溶液を等モル量で混合し、得られた2層系混合物を20〜80℃の温度で1〜3時間、撹拌し、式(2)のスルホニウムハライドと式(3)のフッ素化アルキルリン酸アニオンとアルカリ金属カチオンとの塩を反応させ、有機溶媒層を分液した後、有機溶媒を留去することにより式(1)のスルホニウム塩が得られる。 That is, a sulfonium halide of formula (2) (see JP-A-3-48654 for the synthesis method) is dissolved or dispersed in an organic solvent such as dichloromethane, and the fluorinated alkyl phosphate anion and alkali metal cation of formula (3) are dissolved in the solution. And the resulting two-layer mixture is stirred at a temperature of 20 to 80 ° C. for 1 to 3 hours, and the sulfonium halide of formula (2) and the fluorine of formula (3) are mixed. After reacting a salt of an alkyl phosphate anion and an alkali metal cation to separate the organic solvent layer, the organic solvent is distilled off to obtain a sulfonium salt of the formula (1).
本発明のスルホニウム塩の化学構造は、一般的な分析手法(たとえば、1H−、11B−、13C−、19F−、31P−核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペクトル及び/又は元素分析等)によって同定することができる。 The chemical structure of the sulfonium salt of the present invention can be determined by a general analytical method (for example, 1 H-, 11 B-, 13 C-, 19 F-, 31 P-nuclear magnetic resonance spectrum, infrared absorption spectrum and / or element). Analysis).
本発明のスルホニウム塩は、酸発生剤として好適である。酸発生剤とは、加熱又は光照射によりその化学構造が分解し、酸を発生するものをいう。発生した酸は、エポキシドの硬化反応等の触媒として使用することができる。 The sulfonium salt of the present invention is suitable as an acid generator. The acid generator means an acid that is decomposed by heating or light irradiation to generate an acid. The generated acid can be used as a catalyst for curing reaction of epoxide.
本発明の酸発生剤は、本発明のスルホニウム塩をそのまま使用してもよいし、これに他の酸発生剤を含有させて使用してもよい。 As the acid generator of the present invention, the sulfonium salt of the present invention may be used as it is, or another acid generator may be contained in this.
他の酸発生剤を含有する場合、他の酸発生剤の含有量(モル%)は、本発明のスルホニウム塩の総モル数に対して、1〜100が好ましく、さらに好ましくは5〜50である。 When other acid generators are contained, the content (mol%) of the other acid generators is preferably 1 to 100, more preferably 5 to 50, based on the total number of moles of the sulfonium salt of the present invention. is there.
他の酸発生剤としては、オニウム塩(スルホニウム、ヨードニウム、セレニウム、アンモニウム及びホスホニウム等)並びに遷移金属錯体イオンと、アニオンとの塩等の従来公知のものが含まれる。 Other acid generators include conventionally known compounds such as onium salts (sulfonium, iodonium, selenium, ammonium, phosphonium, etc.) and salts of transition metal complex ions with anions.
本発明の酸発生剤は、カチオン重合性化合物への溶解を容易にするため、あらかじめカチオン重合を阻害しない溶剤に溶かしておいてもよい。 The acid generator of the present invention may be dissolved in advance in a solvent that does not inhibit cationic polymerization in order to facilitate dissolution in the cationic polymerizable compound.
溶剤としては、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、1,2−ブチレンカーボネート、ジメチルカーボネート及びジエチルカーボネートなどのカーボネート類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、及びジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサンのような環式エーテル類;蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類等が挙げられる。 Solvents include carbonates such as propylene carbonate, ethylene carbonate, 1,2-butylene carbonate, dimethyl carbonate and diethyl carbonate; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone and 2-heptanone; ethylene glycol, ethylene glycol Multivalents such as monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol, and dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, or monophenyl ether Alcohols and derivatives thereof; cyclic ethers such as dioxane Class: ethyl formate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, ethyl ethoxyacetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, Methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate And esters such as aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene.
溶剤を使用する場合、溶剤の使用割合は、本発明の酸発生剤100重量部に対して、15〜1000重量部が好ましく、さらに好ましくは30〜500重量部である。使用する溶媒は、単独で使用してもよく、又は2種以上を併用してもよい。 When a solvent is used, the use ratio of the solvent is preferably 15 to 1000 parts by weight, more preferably 30 to 500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acid generator of the present invention. The solvent to be used may be used independently or may use 2 or more types together.
本発明の硬化性組成物は、上記の酸発生剤とカチオン重合性化合物とから構成される。 The curable composition of this invention is comprised from said acid generator and a cationically polymerizable compound.
カチオン重合性化合物としては、環状エーテル(エポキシド及びオキセタン等)、エチレン性不飽和化合物(ビニルエーテル及びスチレン等)、ビシクロオルトエステル、スピロオルトカーボネート及びスピロオルトエステル等が挙げられる(特開平11−060996号、特開平09−302269号、特開2003−026993号、特開2002−206017号、特開平11−349895号、特開平10−212343号、特開2000−119306号、特開平10−67812号、特開2000−186071号、特開平08−85775号、特開平08−134405号、特開2008−20838、特開2008−20839、特開2008−20841、特開2008−26660、特開2008−26644、特開2007−277327、フォトポリマー懇話会編「フォトポリマーハンドブック」(1989年、工業調査会)、総合技術センター編「UV・EB硬化技術」(1982年、総合技術センター)、ラドテック研究会編「UV・EB硬化材料」(1992年、シーエムシー)、技術情報協会編「UV硬化における硬化不良・阻害原因とその対策」(2003年、技術情報協会)、色材、68、(5)、286−293(1995)、ファインケミカル、29、(19)、5−14(2000)等)。 Examples of the cationic polymerizable compound include cyclic ethers (epoxides and oxetanes), ethylenically unsaturated compounds (vinyl ether and styrene, etc.), bicycloorthoesters, spiroorthocarbonates and spiroorthoesters (Japanese Patent Laid-Open No. 11-060996). JP-A 09-302269, JP-A 2003-026993, JP-A 2002-206017, JP-A 11-349895, JP-A 10-212343, JP-A 2000-119306, JP-A 10-67812, JP 2000-186071, JP 08-85775, JP 08-134405, JP 2008-20838, JP 2008-20839, JP 2008-20841, JP 2008-26660, JP 2008-26444. , JP 2 07-277327, photopolymer social gathering “Photopolymer Handbook” (1989, Industrial Research Committee), General Technology Center “UV / EB Curing Technology” (1982, General Technology Center), Radtech Study Group “UV. EB Curing Material "(1992, CMC), Technical Information Association," Hardening Failure / Inhibition Causes in UV Curing and Countermeasures "(2003, Technical Information Association), Coloring Materials, 68, (5), 286-293 (1995), fine chemicals, 29, (19), 5-14 (2000), etc.).
エポキシドとしては、公知のもの等が使用でき、芳香族エポキシド、脂環式エポキシド及び脂肪族エポキシドが含まれる。 Known epoxides can be used, and include aromatic epoxides, alicyclic epoxides and aliphatic epoxides.
芳香族エポキシドとしては、少なくとも1個の芳香環を有する1価又は多価のフェノール(フェノール、ビスフェノールA、フェノールノボラック及びこれらのこれらのアルキレンオキシド付加体した化合物)のグリシジルエーテル等が挙げられる。 Examples of the aromatic epoxide include glycidyl ethers of monovalent or polyvalent phenols (phenol, bisphenol A, phenol novolac and compounds obtained by adducting these alkylene oxides) having at least one aromatic ring.
脂環式エポキシドとしては、少なくとも1個のシクロヘキセンやシクロペンテン環を有する化合物を酸化剤でエポキシ化することによって得られる化合物(3、4−エポキシシクロヘキシルメチル−3、4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、等)が挙げられる。 As an alicyclic epoxide, a compound obtained by epoxidizing a compound having at least one cyclohexene or cyclopentene ring with an oxidizing agent (3,4-epoxycyclohexylmethyl-3, 4-epoxycyclohexanecarboxylate, etc.) Is mentioned.
脂肪族エポキシドとしては、脂肪族多価アルコール又はこのアルキレンオキシド付加体のポリグリシジルエーテル(1、4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、1、6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等)、脂肪族多塩基酸のポリグリシジルエステル(ジグリシジルテトラヒドロフタレート等)、長鎖不飽和化合物のエポキシ化物(エポキシ化大豆油及びエポキシ化ポリブタジエン等)が挙げられる。 Aliphatic epoxides include aliphatic polyhydric alcohols or polyglycidyl ethers of this alkylene oxide adduct (1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, etc.), aliphatic polybasic acids Examples thereof include polyglycidyl esters (such as diglycidyl tetrahydrophthalate) and epoxidized products of long chain unsaturated compounds (such as epoxidized soybean oil and epoxidized polybutadiene).
オキセタンとしては、公知のもの等が使用でき、例えば、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、2−エチルヘキシル(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、2−ヒドロキシエチル(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、2−ヒドロキシプロピル(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、1、4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、オキセタニルシルセスキオキセタン及びフェノールノボラックオキセタン等が挙げられる。 As oxetane, known ones can be used. For example, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 2-ethylhexyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 2-hydroxyethyl (3-ethyl-3- Oxetanylmethyl) ether, 2-hydroxypropyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, oxetanylsilsesquioxetane, phenol novolac oxetane, etc. Is mentioned.
エチレン性不飽和化合物としては、公知のカチオン重合性単量体等が使用でき、脂肪族モノビニルエーテル、芳香族モノビニルエーテル、多官能ビニルエーテル、スチレン及びカチオン重合性窒素含有モノマーが含まれる。 As the ethylenically unsaturated compound, known cationic polymerizable monomers and the like can be used, and include aliphatic monovinyl ether, aromatic monovinyl ether, polyfunctional vinyl ether, styrene, and cationic polymerizable nitrogen-containing monomer.
脂肪族モノビニルエーテルとしては、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル及びシクロヘキシルビニルエーテル等が挙げられる。 Examples of the aliphatic monovinyl ether include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, butyl vinyl ether, and cyclohexyl vinyl ether.
芳香族モノビニルエーテルとしては、2−フェノキシエチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル及びp−メトキシフェニルビニルエーテル等が挙げられる。 Examples of the aromatic monovinyl ether include 2-phenoxyethyl vinyl ether, phenyl vinyl ether and p-methoxyphenyl vinyl ether.
多官能ビニルエーテルとしては、ブタンジオール−1、4−ジビニルエーテル及びトリエチレングリコールジビニルエーテル等が挙げられる。 Examples of the polyfunctional vinyl ether include butanediol-1,4-divinyl ether and triethylene glycol divinyl ether.
スチレンとしては、スチレン、α−メチルスチレン、p−メトキシスチレン及びp−tert−ブトキシスチレン等が挙げられる。 Examples of styrene include styrene, α-methylstyrene, p-methoxystyrene, and p-tert-butoxystyrene.
カチオン重合性窒素含有モノマーとしては、N−ビニルカルバゾール及びN−ビニルピロリドン等が挙げられる。 Examples of the cationic polymerizable nitrogen-containing monomer include N-vinylcarbazole and N-vinylpyrrolidone.
ビシクロオルトエステルとしては、1−フェニル−4−エチル−2、6、7−トリオキサビシクロ[2.2.2]オクタン及び1−エチル−4−ヒドロキシメチル−2、6、7−トリオキサビシクロ−[2.2.2]オクタン等が挙げられる。 Bicycloorthoesters include 1-phenyl-4-ethyl-2,6,7-trioxabicyclo [2.2.2] octane and 1-ethyl-4-hydroxymethyl-2,6,7-trioxabicyclo. -[2.2.2] octane and the like.
スピロオルトカーボネートとしては、1,5,7,11−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン及び3、9−ジベンジル−1,5,7,11−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン等が挙げられる。 Examples of spiro orthocarbonates include 1,5,7,11-tetraoxaspiro [5.5] undecane and 3,9-dibenzyl-1,5,7,11-tetraoxaspiro [5.5] undecane. It is done.
スピロオルトエステルとしては、1,4,6−トリオキサスピロ[4.4]ノナン、2−メチル−1,4,6−トリオキサスピロ[4.4]ノナン及び1,4,6−トリオキサスピロ[4.5]デカン等が挙げられる。 Spiro orthoesters include 1,4,6-trioxaspiro [4.4] nonane, 2-methyl-1,4,6-trioxaspiro [4.4] nonane and 1,4,6-trioxas. Examples include pyro [4.5] decane.
これらのカチオン重合性化合物のうち、エポキシド、オキセタン及びビニルエーテルが好ましく、さらに好ましくはエポキシド及びオキセタン、特に好ましくは脂環式エポキシド及びオキセタンである。また、これらのカチオン重合性化合物は単独で使用してもよく、又は2種以上を併用してもよい。 Of these cationically polymerizable compounds, epoxide, oxetane and vinyl ether are preferable, epoxide and oxetane are more preferable, and alicyclic epoxide and oxetane are particularly preferable. Moreover, these cationically polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.
硬化性組成物中の本発明の酸発生剤の含有量は、カチオン重合性化合物100部に対し、0.05〜20重量部が好ましく、さらに好ましくは0.1〜10重量部である。この範囲であると、カチオン重合性化合物の重合がさらに十分となり、硬化体の物性がさらに良好となる。なお、この含有量は、カチオン重合性化合物の性質やエネルギー線の種類と照射量、温度、硬化時間、湿度、塗膜の厚み等のさまざまな要因を考慮することによって決定され、上記範囲に限定されない。 The content of the acid generator of the present invention in the curable composition is preferably 0.05 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts of the cationic polymerizable compound. Within this range, the polymerization of the cationically polymerizable compound is further sufficient, and the physical properties of the cured product are further improved. This content is determined by considering various factors such as the nature of the cationically polymerizable compound, the type of energy beam and the irradiation amount, temperature, curing time, humidity, and coating thickness, and is limited to the above range. Not.
本発明の硬化性組成物には、必要に応じて、公知の添加剤(増感剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、難燃剤、消泡剤、流動調整剤、光安定剤、酸化防止剤、密着性付与剤、イオン補足剤、着色防止剤、溶剤、非反応性の樹脂及びラジカル重合性化合物等)を含有させることができる。 In the curable composition of the present invention, if necessary, known additives (sensitizers, pigments, fillers, antistatic agents, flame retardants, antifoaming agents, flow regulators, light stabilizers, antioxidants) Agents, adhesion promoters, ion scavengers, anti-coloring agents, solvents, non-reactive resins and radical polymerizable compounds).
本発明の硬化性組成物には、基本的に増感剤の必要がないが、硬化性を補完するものとして、必要により、増感剤を含有できる。このような増感剤としては、公知(特開平11−279212号及び特開平09−183960号等)の増感剤等が使用でき、アントラセン{アントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ジメトキシアントラセン、9,10−ジエトキシアントラセン、2−エチル−9,10−ジメトキシアントラセン、9,10−ジプロポキシアントラセン等};ピレン;1,2−ベンズアントラセン;ペリレン;テトラセン;コロネン;チオキサントン{チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−エチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン及び2,4−ジエチルチオキサントン等};フェノチアジン{フェノチアジン、N−メチルフェノチアジン、N−エチルフェノチアジン、N−フェニルフェノチアジン等};キサントン;ナフタレン{1−ナフトール、2−ナフトール、1−メトキシナフタレン、2−メトキシナフタレン、1,4−ジヒドロキシナフタレン、及び4−メトキシ−1−ナフトール等};ケトン{ジメトキシアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、4’−イソプロピル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン及び4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルスルフィド等};カルバゾール{N−フェニルカルバゾール、N−エチルカルバゾール、ポリ−N−ビニルカルバゾール及びN−グリシジルカルバゾール等};クリセン{1,4−ジメトキシクリセン及び1,4−ジ−α−メチルベンジルオキシクリセン等};フェナントレン{9−ヒドロキシフェナントレン、9−メトキシフェナントレン、9−ヒドロキシ−10−メトキシフェナントレン及び9−ヒドロキシ−10−エトキシフェナントレン等}等が挙げられる。 The curable composition of the present invention basically does not require a sensitizer, but can contain a sensitizer as necessary to supplement the curability. As such a sensitizer, known sensitizers (JP-A-11-279212 and JP-A-09-183960) can be used, and anthracene {anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10 -Dimethoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9,10-dipropoxyanthracene, etc.}; pyrene; 1,2-benzanthracene; perylene; tetracene; coronene; thioxanthone { Thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, and 2,4-diethylthioxanthone}; phenothiazine {phenothiazine, N-methylphenothiazine, N-ethylphenothiazine, N- Xanthone; naphthalene {1-naphthol, 2-naphthol, 1-methoxynaphthalene, 2-methoxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 4-methoxy-1-naphthol, etc.}; ketone {dimethoxyacetophenone, Diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 4′-isopropyl-2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 4-benzoyl-4′-methyldiphenyl sulfide, etc.}; Carbazole {N-phenylcarbazole, N-ethylcarbazole, poly-N-vinylcarbazole and N-glycidylcarbazole and the like}; chrysene {1,4-dimethoxychrysene and 1,4-di-α-methylbenzyloxychrysene and the like}; Phenan Tren {9-hydroxyphenanthrene, 9-methoxyphenanthrene, 9-hydroxy-10-methoxyphenanthrene, 9-hydroxy-10-ethoxyphenanthrene, etc.} and the like.
増感剤を含有する場合、増感剤の含有量は、酸発生剤100部に対して、1〜300重量部が好ましく、さらに好ましくは5〜200重量部である。 When the sensitizer is contained, the content of the sensitizer is preferably 1 to 300 parts by weight, more preferably 5 to 200 parts by weight, with respect to 100 parts of the acid generator.
顔料としては、公知の顔料等が使用でき、無機顔料(酸化チタン、酸化鉄及びカーボンブラック等)及び有機顔料(アゾ顔料、シアニン顔料、フタロシアニン顔料及びキナクリドン顔料等)等が挙げられる。 Known pigments can be used as the pigment, and examples include inorganic pigments (such as titanium oxide, iron oxide, and carbon black) and organic pigments (such as azo pigments, cyanine pigments, phthalocyanine pigments, and quinacridone pigments).
顔料を含有する場合、顔料の含有量は、酸発生剤100部に対して、0.5〜400000重量部が好ましく、さらに好ましくは10〜150000重量部である。 When the pigment is contained, the content of the pigment is preferably 0.5 to 400,000 parts by weight, more preferably 10 to 150,000 parts by weight with respect to 100 parts of the acid generator.
充填剤としては、公知の充填剤等が使用でき、溶融シリカ、結晶シリカ、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸マグネシウム、マイカ、タルク、ケイ酸カルシウム及びケイ酸リチウムアルミニウム等が挙げられる。 As the filler, known fillers can be used, such as fused silica, crystalline silica, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, zirconium oxide, magnesium carbonate, mica, talc, calcium silicate and lithium aluminum silicate. Can be mentioned.
充填剤を含有する場合、充填剤の含有量は、酸発生剤100部に対して、50〜600000重量部が好ましく、さらに好ましくは300〜200000重量部である。 When the filler is contained, the content of the filler is preferably 50 to 600,000 parts by weight, more preferably 300 to 200,000 parts by weight with respect to 100 parts of the acid generator.
帯電防止剤としては、公知の帯電防止剤等が使用でき、非イオン型帯電防止剤、アニオン型帯電防止剤、カチオン型帯電防止剤、両性型帯電防止剤及び高分子型帯電防止剤が挙げられる。 As the antistatic agent, known antistatic agents can be used, and examples include nonionic antistatic agents, anionic antistatic agents, cationic antistatic agents, amphoteric antistatic agents, and polymeric antistatic agents. .
帯電防止剤を含有する場合、帯電防止剤の含有量は、酸発生剤100部に対して、0.1〜20000重量部が好ましく、さらに好ましくは0.6〜5000重量部である。 When the antistatic agent is contained, the content of the antistatic agent is preferably 0.1 to 20000 parts by weight, more preferably 0.6 to 5000 parts by weight with respect to 100 parts of the acid generator.
難燃剤としては、公知の難燃剤等が使用でき、無機難燃剤{三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化錫、水酸化錫、酸化モリブデン、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、赤燐、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム及びアルミン酸カルシウム等};臭素難燃剤{テトラブロモ無水フタル酸、ヘキサブロモベンゼン及びデカブロモビフェニルエーテル等};及びリン酸エステル難燃剤{トリス(トリブロモフェニル)ホスフェート等}等が挙げられる。 As the flame retardant, known flame retardants can be used. Inorganic flame retardant {antimony trioxide, antimony pentoxide, tin oxide, tin hydroxide, molybdenum oxide, zinc borate, barium metaborate, red phosphorus, aluminum hydroxide , Magnesium hydroxide, calcium aluminate, etc.}; bromine flame retardant {tetrabromophthalic anhydride, hexabromobenzene, decabromobiphenyl ether, etc.}; and phosphate ester flame retardant {tris (tribromophenyl) phosphate, etc.} It is done.
難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は、酸発生剤100部に対して、0.5〜40000重量部が好ましく、さらに好ましくは5〜10000重量部である。 When the flame retardant is contained, the content of the flame retardant is preferably 0.5 to 40000 parts by weight, more preferably 5 to 10000 parts by weight with respect to 100 parts of the acid generator.
消泡剤としては、公知の消泡剤等が使用でき、アルコール消泡剤、金属石鹸消泡剤、リン酸エステル消泡剤、脂肪酸エステル消泡剤、ポリエーテル消泡剤、シリコーン消泡剤及び鉱物油消泡剤等が挙げられる。 As the antifoaming agent, known antifoaming agents can be used, such as alcohol defoaming agents, metal soap defoaming agents, phosphate ester defoaming agents, fatty acid ester defoaming agents, polyether defoaming agents, and silicone defoaming agents. And mineral oil defoaming agents.
流動調整剤としては、公知の流動性調整剤等が使用でき、水素添加ヒマシ油、酸化ポリエチレン、有機ベントナイト、コロイド状シリカ、アマイドワックス、金属石鹸及びアクリル酸エステルポリマー等が挙げられる。
光安定剤としては、公知の光安定剤等が使用でき、紫外線吸収型安定剤{ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、サリチレート、シアノアクリレート及びこれらの誘導体等};ラジカル補足型安定剤{ヒンダードアミン等};及び消光型安定剤{ニッケル錯体等}等が挙げられる。
酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤等が使用でき、フェノール系酸化防止剤(モノフェノール系、ビスフェノール系及び高分子フェノール系等)、硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤等が挙げられる。
密着性付与剤としては、公知の密着性付与剤等が使用でき、カップリング剤、シランカップリング剤及びチタンカップリング剤等が挙げられる。
イオン補足剤としては、公知のイオン補足剤等が使用でき、有機アルミニウム(アルコキシアルミニウム及びフェノキシアルミニウム等)等が挙げられる。
着色防止剤としては、公知の着色防止剤が使用でき、一般的には酸化防止剤が有効であり、フェノール系酸化防止剤(モノフェノール系、ビスフェノール系及び高分子フェノール系等)、硫黄系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤等が挙げられる。
As the flow control agent, known flow control agents can be used, and examples thereof include hydrogenated castor oil, polyethylene oxide, organic bentonite, colloidal silica, amide wax, metal soap, and acrylate polymer.
As the light stabilizer, known light stabilizers and the like can be used. Ultraviolet absorbing stabilizers {benzotriazole, benzophenone, salicylate, cyanoacrylate and derivatives thereof}; radical scavenging stabilizers {hindered amines, etc.}; and quenching And a type stabilizer {nickel complex etc.}.
As the antioxidant, known antioxidants can be used, and examples include phenolic antioxidants (monophenolic, bisphenolic and polymeric phenolic), sulfur antioxidants and phosphorus antioxidants. It is done.
As the adhesion-imparting agent, a known adhesion-imparting agent can be used, and examples thereof include a coupling agent, a silane coupling agent, and a titanium coupling agent.
As the ion scavenger, known ion scavengers and the like can be used, and organic aluminum (alkoxyaluminum, phenoxyaluminum, etc.) and the like can be mentioned.
Known anti-coloring agents can be used as the anti-coloring agent. In general, antioxidants are effective. Phenol type antioxidants (monophenol type, bisphenol type and high molecular phenol type, etc.), sulfur type oxidation Examples thereof include an inhibitor and a phosphorus-based antioxidant.
消泡剤、流動調整剤、光安定剤、酸化防止剤、密着性付与剤、イオン補足剤又は、着色防止剤を含有する場合、各々の含有量は、酸発生剤100部に対して、0.1〜20000重量部が好ましく、さらに好ましくは0.5〜5000重量部である。 When an antifoaming agent, a flow control agent, a light stabilizer, an antioxidant, an adhesion promoter, an ion scavenger, or a coloring inhibitor is contained, each content is 0 with respect to 100 parts of the acid generator. 0.1 to 20000 parts by weight is preferable, and 0.5 to 5000 parts by weight is more preferable.
溶剤としては、カチオン重合性化合物の溶解や硬化性組成物の粘度調整のために使用できれば制限はなく、上記酸発生剤の溶剤として挙げたものが使用できる。 The solvent is not limited as long as it can be used for dissolving the cationic polymerizable compound or adjusting the viscosity of the curable composition, and those mentioned as the solvent for the acid generator can be used.
溶剤を含有する場合、溶剤の含有量は、酸発生剤100部に対して、50〜2000000重量部が好ましく、さらに好ましくは200〜500000重量部である。 When the solvent is contained, the content of the solvent is preferably 50 to 2,000,000 parts by weight, more preferably 200 to 500,000 parts by weight with respect to 100 parts of the acid generator.
非反応性の樹脂としては、ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリブタジエン、ポリカーボナート、ポリスチレン、ポリビニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリブテン、スチレンブタジエンブロックコポリマー水添物、(メタ)アクリル酸エステルの共重合体及びポリウレタン等が挙げられる。これらの樹脂の数平均分子量は、1000〜500000が好ましく、さらに好ましくは5000〜100000である(数平均分子量はGPC等の一般的な方法によって測定された値である。)。 Non-reactive resins include polyester, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polybutadiene, polycarbonate, polystyrene, polyvinyl ether, polyvinyl butyral, polybutene, hydrogenated styrene butadiene block copolymer, and (meth) acrylic ester co-polymer. Examples include coalescence and polyurethane. The number average molecular weight of these resins is preferably 1,000 to 500,000, and more preferably 5,000 to 100,000 (the number average molecular weight is a value measured by a general method such as GPC).
非反応性の樹脂を含有する場合、非反応性の樹脂の含有量は、酸発生剤100部に対して、5〜400000重量部が好ましく、さらに好ましくは50〜150000重量部である。 When the non-reactive resin is contained, the content of the non-reactive resin is preferably 5 to 400000 parts by weight, more preferably 50 to 150,000 parts by weight with respect to 100 parts of the acid generator.
非反応性の樹脂を含有させる場合、非反応性の樹脂をカチオン重合性化合物等と溶解しやすくするため、あらかじめ溶剤に溶かしておくことが望ましい。 When a non-reactive resin is contained, it is desirable to dissolve the non-reactive resin in a solvent in advance in order to facilitate dissolution of the non-reactive resin with the cationic polymerizable compound.
ラジカル重合性化合物としては、公知{フォトポリマー懇話会編「フォトポリマーハンドブック」(1989年、工業調査会)、総合技術センター編「UV・EB硬化技術」(1982年、総合技術センター)、ラドテック研究会編「UV・EB硬化材料」(1992年、シーエムシー)、技術情報協会編「UV硬化における硬化不良・阻害原因とその対策」(2003年、技術情報協会)}のラジカル重合性化合物等が使用でき、単官能モノマー、2官能モノマー、多官能モノマー、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート及びウレタン(メタ)アクリレートが含まれる。 As radically polymerizable compounds, known {Photopolymer social gathering “Photopolymer Handbook” (1989, Industrial Research Committee), General Technology Center “UV / EB Curing Technology” (1982, General Technology Center), Radtech Research The radical-polymerizable compounds of the “UV / EB Curing Materials” (1992, CMC) edited by the Society and the “Technical Information Association” “Hardening Failure / Inhibition Causes and Countermeasures for UV Curing” (2003, Technical Information Association)} Monofunctional monomers, bifunctional monomers, polyfunctional monomers, epoxy (meth) acrylates, polyester (meth) acrylates and urethane (meth) acrylates can be used.
ラジカル重合性化合物を含有する場合、ラジカル重合性化合物の含有量は、酸発生剤100部に対して、5〜400000重量部が好ましく、さらに好ましくは50〜150000重量部である。 When the radically polymerizable compound is contained, the content of the radically polymerizable compound is preferably 5 to 400000 parts by weight, more preferably 50 to 150,000 parts by weight with respect to 100 parts of the acid generator.
ラジカル重合性化合物を含有する場合、これらをラジカル重合によって高分子量化するために、熱又は光によって重合を開始するラジカル重合開始剤を使用することが好ましい。 When a radically polymerizable compound is contained, it is preferable to use a radical polymerization initiator that initiates polymerization by heat or light in order to increase the molecular weight of the compound by radical polymerization.
ラジカル重合開始剤としては、公知のラジカル重合開始剤等が使用でき、熱ラジカル重合開始剤(有機過酸化物、アゾ化合物等)及び光ラジカル重合開始剤(アセトフェノン系開始剤、ベンゾフェノン系開始剤、ミヒラーケトン系開始剤、ベンゾイン系開始剤、チオキサントン系開始剤、アシルホスフィン系開始剤等)が含まれる。 As the radical polymerization initiator, known radical polymerization initiators can be used, thermal radical polymerization initiators (organic peroxides, azo compounds, etc.) and photo radical polymerization initiators (acetophenone initiators, benzophenone initiators, Michler ketone-based initiator, benzoin-based initiator, thioxanthone-based initiator, acylphosphine-based initiator, etc.).
ラジカル重合開始剤を含有する場合、ラジカル重合開始剤の含有量は、ラジカル重合性化合物100部に対して、0.01〜20重量部が好ましく、さらに好ましくは0.1〜10重量部である。 When the radical polymerization initiator is contained, the content of the radical polymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts of the radical polymerizable compound. .
本発明の硬化性組成物は、カチオン重合性化合物、酸発生剤及び必要により添加剤を、室温(20〜30℃程度)又は必要により加熱(40〜90℃程度)下で、均一に混合溶解するか、又はさらに、3本ロール等で混練して調製することができる。 The curable composition of the present invention comprises a cationically polymerizable compound, an acid generator, and optionally an additive, which are uniformly mixed and dissolved at room temperature (about 20 to 30 ° C.) or optionally heated (about 40 to 90 ° C.). Alternatively, it can be prepared by kneading with three rolls or the like.
本発明の硬化性組成物は、加熱又はエネルギー線を照射することにより硬化させて、硬化体を得ることができる。
エネルギー線としては、本発明のスルホニウム塩の分解を誘発するエネルギーを有する限りいかなるものでもよいが、低圧、中圧、高圧若しくは超高圧の水銀灯、メタルハライドランプ、LEDランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ、蛍光灯、半導体固体レーザ、アルゴンレーザ、He−Cdレーザ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ又はF2レーザ等から得られる紫外〜可視光領域(波長:約100〜約800nm)のエネルギー線が好ましい。なお、エネルギー線には、電子線又はX線等の高エネルギーを有する放射線を用いることもできる。
The curable composition of the present invention can be cured by heating or irradiation with energy rays to obtain a cured product.
As the energy ray, any energy ray may be used as long as it has an energy that induces decomposition of the sulfonium salt of the present invention, but low pressure, medium pressure, high pressure or ultrahigh pressure mercury lamp, metal halide lamp, LED lamp, xenon lamp, carbon arc lamp, Energy rays in the ultraviolet to visible light region (wavelength: about 100 to about 800 nm) obtained from a fluorescent lamp, a semiconductor solid state laser, an argon laser, a He—Cd laser, a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, an F 2 laser, or the like are preferable. In addition, the radiation which has high energy, such as an electron beam or an X-ray, can also be used for an energy beam.
エネルギー線の照射時間は、エネルギー線の強度や硬化性組成物に対するエネルギー線の透過性に影響を受けるが、常温(20〜30℃程度)で、0.1秒〜10秒程度で十分である。しかしエネルギー線の透過性が低い場合や硬化性組成物の膜厚が厚い場合等にはそれ以上の時間をかけるのが好ましいことがある。エネルギー線照射後0.1秒〜数分後には、ほとんどの硬化性組成物はカチオン重合により硬化するが、必要であればエネルギー線の照射後、室温(20〜30℃程度)〜150℃で数秒〜数時間加熱しアフターキュアーすることも可能である。 The irradiation time of the energy beam is affected by the intensity of the energy beam and the energy beam permeability to the curable composition, but at room temperature (about 20 to 30 ° C.), about 0.1 to 10 seconds is sufficient. . However, when the energy ray permeability is low or the film thickness of the curable composition is large, it may be preferable to spend more time. From 0.1 seconds to several minutes after irradiation with energy rays, most curable compositions are cured by cationic polymerization, but if necessary, after irradiation with energy rays, at room temperature (about 20-30 ° C) to 150 ° C. It is possible to heat and cure after several seconds to several hours.
硬化させるための加熱方法としては、例えば、熱循環式加熱、赤外線加熱、高周波加熱等従来公知の方法を用いることができる。 As a heating method for curing, for example, a conventionally known method such as heat circulation heating, infrared heating, high-frequency heating or the like can be used.
硬化に必要な加熱温度は、硬化が十分に進行し、基材を劣化させない範囲であれば特に限定されるものではないが、好ましくは50〜250℃、より好ましくは80〜200℃の範囲であり、加熱時間は加熱温度に依存するものの、生産性の面から数分から数時間が好ましい。 The heating temperature necessary for curing is not particularly limited as long as curing proceeds sufficiently and does not deteriorate the substrate, but is preferably in the range of 50 to 250 ° C, more preferably in the range of 80 to 200 ° C. Although the heating time depends on the heating temperature, it is preferably several minutes to several hours from the viewpoint of productivity.
本発明の硬化性組成物の具体的な用途としては、塗料、コーティング剤、インキ、インクジェットインキ、ポジ型レジスト、レジストフィルム、液状レジスト、ネガ型レジスト、MEMS用レジスト、ポジ型感光性材料、ネガ型感光性材料、各種接着剤、成形材料、注型材料、パテ、ガラス繊維含浸剤、目止め材、シーリング材、封止材、光半導体(LED)封止材、光導波路材料、ナノインプリント材料、光造用、及びマイクロ光造形用材料等が挙げられる。 Specific uses of the curable composition of the present invention include paints, coating agents, inks, inkjet inks, positive resists, resist films, liquid resists, negative resists, MEMS resists, positive photosensitive materials, negatives. Type photosensitive material, various adhesives, molding material, casting material, putty, glass fiber impregnating agent, sealing material, sealing material, sealing material, optical semiconductor (LED) sealing material, optical waveguide material, nanoimprint material, Examples thereof include materials for photofabrication and micro stereolithography.
以下、実施例により本発明を更に説明するが、本発明はこれに限定されることは意図するものではない。なお、以下特記しない限り、部は重量部、%は重量%を意味する。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further, this invention is not intending to be limited to this. Unless otherwise specified, “part” means “part by weight” and “%” means “% by weight”.
〔実施例1〕
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートの合成
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウムクロライドを2.97g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのトリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸カリウムを含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートを6.74g得た。(収率90%)
NMR
3.11ppm(s,3H,スルホニウムメチル)
4.71ppm(d,2H,フェニルメチレン)
6.92〜7.58ppm(m,9H,ベンゼン核)
8.34ppm(s,1H,HO)
[Example 1]
Synthesis of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate 2.97 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium chloride was dispersed in 15 ml of dichloromethane and equimolar 30 g of an aqueous solution containing potassium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate was mixed at room temperature and stirred for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, then transferred to a rotary evaporator, and the solvent was distilled off to obtain 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate. 74 g was obtained. (Yield 90%)
NMR
3.11 ppm (s, 3H, sulfonium methyl)
4.71 ppm (d, 2H, phenylmethylene)
6.92-7.58 ppm (m, 9H, benzene nucleus)
8.34 ppm (s, 1H, HO)
〔実施例2〕
4−ヒドロキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートの合成
4−ヒドロキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウムクロライドを3.18g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのトリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸カリウムを含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニル−メチル−1−ナフチルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートを6.94g得た。(収率90%)
NMR
3.14ppm(s,3H,スルホニウムメチル)
4.77ppm(t,2H,ナフチルメチレン)
6.99〜8.07ppm(m,11H,ベンゼン ナフタレン核)
8.32ppm(s,1H,HO)
[Example 2]
Synthesis of 4-hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate 3.18 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium chloride in 15 ml of dichloromethane After dispersion, 30 g of an aqueous solution containing equimolar potassium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate was mixed at room temperature and stirred for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, and then transferred to a rotary evaporator and the solvent was distilled off, whereby 4-hydroxyphenyl-methyl-1-naphthylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate was obtained. 6.94 g of was obtained. (Yield 90%)
NMR
3.14 ppm (s, 3H, sulfonium methyl)
4.77 ppm (t, 2H, naphthylmethylene)
6.99 to 8.07 ppm (m, 11H, benzene naphthalene nucleus)
8.32 ppm (s, 1H, HO)
〔実施例3〕
4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートの合成
実施例1で合成した ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート6.76g(0.01モル)をアセトニトリル100mlに溶解させ、10℃以下でトリエチルアミン1.22g(0.012モル)を加え、30分後、塩化アセチル0.95g(0.012モル)を滴下する。3時間撹拌後、副生するトリエチルアミンの塩酸塩をろ過して除き、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート4.70g(収率65.5%)が得られた。
NMR
2.20ppm(s,3H,アセチル)
3.14ppm(s,3H,スルホニウムメチル)
4.82ppm(d,2H,フェニルメチレン)
7.01〜7.83ppm(m,9H,ベンゼン核)
Example 3
Synthesis of 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate 6.76 g (0.01 mol) of benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate synthesized in Example 1 Is dissolved in 100 ml of acetonitrile, and 1.22 g (0.012 mol) of triethylamine is added at 10 ° C. or less, and 0.95 g (0.012 mol) of acetyl chloride is added dropwise after 30 minutes. After stirring for 3 hours, the triethylamine hydrochloride formed as a by-product was removed by filtration, transferred to a rotary evaporator, and the solvent was distilled off to give 4.70 g of 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate. (Yield 65.5%) was obtained.
NMR
2. 20 ppm (s, 3H, acetyl)
3.14 ppm (s, 3H, sulfonium methyl)
4.82 ppm (d, 2H, phenylmethylene)
7.01 to 7.83 ppm (m, 9H, benzene nucleus)
〔実施例4〕
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートの合成
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム クロライド 1.92g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのトリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロリン酸カリウムを含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートを5.86g得た。(収率93%)
NMR
3.13ppm(s,6H,スルホニウムメチル)
6.91〜7.59ppm(dd,4H,ベンゼン核)
8.33ppm(s,1H,HO)
Example 4
Synthesis of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate 1.92 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium chloride is dispersed in 15 ml of dichloromethane and equimolar tris (pentafluoroethyl) trifluoro 30 g of an aqueous solution containing potassium rophosphate was mixed at room temperature and stirred for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, and then transferred to a rotary evaporator and the solvent was distilled off to obtain 5.86 g of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate. . (Yield 93%)
NMR
3.13 ppm (s, 6H, sulfonium methyl)
6.91-7.59 ppm (dd, 4H, benzene nucleus)
8.33 ppm (s, 1H, HO)
〔実施例5〕
4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートの合成
実施例4で合成した 4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェートを6.00g(0.01モル)をアセトニトリル100mlに溶解させ、10℃以下でトリエチルアミン1.22g(0.012モル)を加え、30分後、塩化アセチル0.95g(0.012モル)を滴下する。3時間撹拌後、副生するトリエチルアミンの塩酸塩をろ過して除き、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウム トリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート4.40g(収率68.4%)が得られた。
NMR
2.19ppm(s,3H,アセチル)
3.18ppm(s,6H,スルホニウムメチル)
7.20〜7.89ppm(dd,4H,ベンゼン核)
Example 5
Synthesis of 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate 6.00 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate synthesized in Example 4 was acetonitrile. Dissolve in 100 ml, add 1.22 g (0.012 mol) of triethylamine at 10 ° C. or less, and after 30 minutes, add 0.95 g (0.012 mol) of acetyl chloride dropwise. After stirring for 3 hours, the triethylamine hydrochloride formed as a by-product was removed by filtration, transferred to a rotary evaporator and the solvent was distilled off, whereby 4.40 g of 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium tris (pentafluoroethyl) trifluorophosphate ( Yield 68.4%) was obtained.
NMR
2.19ppm (s, 3H, acetyl)
3.18 ppm (s, 6H, sulfonium methyl)
7.20-7.89 ppm (dd, 4H, benzene nucleus)
〔比較例1〕
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウムクロライドを2.97g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのKSbF6を含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートを4.02g得た。(収率86%)
[Comparative Example 1]
4-hydroxyphenyl - methyl - Synthesis of 4-hydroxyphenyl benzyl sulfonium hexafluoroantimonate - methyl - benzyl sulfonium chloride 2.97g (0.01 mole) was dispersed in dichloromethane 15 ml, aqueous solution containing KSbF 6 equimolar 30 g was mixed at room temperature and stirred as it was for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, then transferred to a rotary evaporator and the solvent was distilled off to obtain 4.02 g of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium hexafluoroantimonate. (Yield 86%)
〔比較例2〕
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウムクロライドを2.97g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸リチウムを含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートを7.46g得た。(収率82%)
[Comparative Example 2]
Synthesis of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate 2.97 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium chloride was dispersed in 15 ml of dichloromethane, and equimolar tetrakis ( 30 g of an aqueous solution containing lithium pentafluorophenyl) borate was mixed at room temperature and stirred for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, then transferred to a rotary evaporator and the solvent was distilled off to obtain 7.46 g of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate. It was. (Yield 82%)
〔比較例3〕
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェートの合成
4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウムクロライドを2.97g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのKPF6を含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニル−メチル−ベンジルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェートを3.31g得た。(収率88%)
[Comparative Example 3]
Synthesis of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium hexafluorophosphate 30 g of aqueous solution containing 2.97 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium chloride in 15 ml of dichloromethane and equimolar KPF 6 Were mixed at room temperature and stirred as such for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, then transferred to a rotary evaporator, and the solvent was distilled off to obtain 3.31 g of 4-hydroxyphenyl-methyl-benzylsulfonium hexafluorophosphate. (Yield 88%)
〔比較例4〕
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネートの合成
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム クロライド 1.92g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのKSbF6を含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネートを3.56g得た。(収率91%)
[Comparative Example 4]
4-hydroxyphenyl dimethyl sulfonium hexafluoroantimonate synthesized 4-hydroxyphenyl dimethyl sulfonium chloride 1.92g of (0.01 mol) was dispersed in dichloromethane 15 ml, of an aqueous solution 30g including KSbF 6 equimolar mixed at room temperature The mixture was stirred for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, and then transferred to a rotary evaporator, and the solvent was distilled off to obtain 3.56 g of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate. (Yield 91%)
〔比較例5〕
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートの合成
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム クロライド 1.92g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸リチウムを含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートを7.09g得た。(収率85%)
[Comparative Example 5]
Synthesis of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate 1.92 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium chloride is dispersed in 15 ml of dichloromethane and equimolar lithium tetrakis (pentafluorophenyl) borate 30 g of an aqueous solution containing was mixed at room temperature and stirred for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, and then transferred to a rotary evaporator and the solvent was distilled off to obtain 7.09 g of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate. (Yield 85%)
〔比較例6〕
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェートの合成
4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム クロライド 1.92g(0.01モル)をジクロロメタン15mlに分散させ、等モルのKPF6を含む水溶液30gを室温下で混合し、そのまま3時間撹拌した。ジクロロメタン層を分液操作にて水で3回洗浄した後、ロータリーエバポレーターに移して溶媒を留去することにより、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェートを2.79g得た。(収率93%)
[Comparative Example 6]
Synthesis of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium hexafluorophosphate 1.92 g (0.01 mol) of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium chloride is dispersed in 15 ml of dichloromethane, and 30 g of an aqueous solution containing equimolar KPF 6 is mixed at room temperature. The mixture was stirred for 3 hours. The dichloromethane layer was washed three times with water by a liquid separation operation, and then transferred to a rotary evaporator and the solvent was distilled off to obtain 2.79 g of 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium hexafluorophosphate. (Yield 93%)
〔実施例6〜10及び比較例7〜12〕
本発明のスルホニウム塩(酸発生剤)及び比較例の化合物、各1重量部とカチオン重合性化合物であるエポキシド(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン社製、エピコート828)100重量部とを均一混合して、硬化性組成物を調製し、JISK5909の手法に準じてゲルタイムを測定した。
[Examples 6 to 10 and Comparative Examples 7 to 12]
The sulfonium salt (acid generator) of the present invention and the compound of the comparative example, each 1 part by weight, and 100 parts by weight of epoxide (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Epicoat 828) which is a cationically polymerizable compound The mixture was mixed to prepare a curable composition, and the gel time was measured according to the method of JISK5909.
表1の結果からわかるように、本発明のフッ素化アルキルリン酸スルホニウム塩は比較用のスルホニウム塩に比べて、カチオン重合化合物の硬化性能が優れており、かつSbなどの毒性元素を有していないため安全性が高い。従って、酸発生剤として有用であることが分かる。 As can be seen from the results in Table 1, the fluorinated alkyl phosphate sulfonium salt of the present invention is superior to the comparative sulfonium salt in curing performance of the cationic polymerization compound and has a toxic element such as Sb. Because there is no safety. Therefore, it turns out that it is useful as an acid generator.
本発明のスルホニウム塩は、塗料、コーティング剤、インキ、インクジェットインキ、ポジ型レジスト(回路基板、CSP、MEMS素子等の電子部品製造の接続端子や配線パターン形成等)、レジストフィルム、液状レジスト、ネガ型レジスト(半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜、平坦化膜等の永久膜材料等)、MEMS用レジスト、感光性材料、各種接着剤、成形材料、注型材料、パテ、ガラス繊維含浸剤、目止め材、シーリング材、封止材、光半導体(LED)封止材、ナノインプリント材料、光造用、マイクロ光造形用材料等に使用される酸発生剤として好適に用いられる。
The sulfonium salt of the present invention includes paints, coating agents, inks, inkjet inks, positive resists (formation of connection terminals and wiring patterns for manufacturing electronic components such as circuit boards, CSPs, MEMS elements, etc.), resist films, liquid resists, negatives Type resists (permanent film materials such as semiconductor device surface protection films, interlayer insulation films, planarization films, etc.), MEMS resists, photosensitive materials, various adhesives, molding materials, casting materials, putty, glass fiber impregnation It is preferably used as an acid generator used in an agent, a sealing material, a sealing material, a sealing material, an optical semiconductor (LED) sealing material, a nanoimprint material, a photofabrication material, a micro stereolithography material, and the like.
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