JP5702357B2 - Bootstrap switch circuit - Google Patents

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Description

本発明は、ブートストラップスイッチ回路に関し、特にスイッチオフ時のブートストラップスイッチのゲート電圧制御を行い、小面積で応答性を向上させることのできるブートストラップスイッチ回路に関する。   The present invention relates to a bootstrap switch circuit, and more particularly to a bootstrap switch circuit capable of controlling the gate voltage of a bootstrap switch when the switch is turned off and improving the response in a small area.

近年、各種画像センサや画像処理装置等、アナログ信号をディジタル信号に変換する必要な電子機器は、多くのデータを高速に処理することが求められる。しかしながら、素子の微細化に伴う電源電圧の低下によって、MOSFETなどの電界効果トランジスタのオン抵抗が増加傾向にある。またMOSFETのオン抵抗は入力電圧依存性があり、そのようなスイッチでサンプリングされた信号は、出力波形に多くの歪成分を含んでしまう。スイッチのオン抵抗を下げつつ、オン抵抗に入力電圧依存性を持たないスイッチとして、ブートストラップスイッチ回路がある。   In recent years, electronic devices that need to convert analog signals into digital signals, such as various image sensors and image processing apparatuses, are required to process a large amount of data at high speed. However, the on-resistance of field effect transistors such as MOSFETs tends to increase due to a decrease in power supply voltage accompanying the miniaturization of elements. Further, the on-resistance of the MOSFET is dependent on the input voltage, and a signal sampled by such a switch includes many distortion components in the output waveform. There is a bootstrap switch circuit as a switch in which the on-resistance of the switch does not depend on the input voltage while reducing the on-resistance of the switch.

これまで広く用いられてきたブートストラップ回路を図2に示す(例えば、特表2008−533824号公報参照)。図2の回路は、NMOSトランジスタMN1−MN10と、PMOSトランジスタMP1、MP2と、インバータINVと、コンデンサC1、C2、C3と、入力電圧VINが入力される入力ノードINと、出力電圧VOUTを出力する出力ノードOUTと、クロック信号ノードPHI、PHIZと、高電位の電源電圧VDDと、低電位の電源電圧VSSとを含む。ここで、NMOSトランジスタMN1はブートストラップスイッチであり、クロック信号ノードPHI、PHIZは、逆相の関係にあり、電圧VDDとVSSとを交互に出力する。また、低電位側の電源電圧VSSはグランドに接地されている。   A bootstrap circuit that has been widely used so far is shown in FIG. 2 (see, for example, JP-T-2008-533824). The circuit of FIG. 2 outputs NMOS transistors MN1 to MN10, PMOS transistors MP1 and MP2, an inverter INV, capacitors C1, C2, and C3, an input node IN to which an input voltage VIN is input, and an output voltage VOUT. It includes an output node OUT, clock signal nodes PHI and PHIZ, a high-potential power supply voltage VDD, and a low-potential power supply voltage VSS. Here, the NMOS transistor MN1 is a bootstrap switch, and the clock signal nodes PHI and PHIZ are in a reverse phase relationship and alternately output the voltages VDD and VSS. The power supply voltage VSS on the low potential side is grounded.

NMOSトランジスタMN8及びMN9のドレインは電源電圧VDDと接続される。また、NMOSトランジスタMN8のゲートはコンデンサC2のトッププレートに、ソースはコンデンサC1のトッププレートに接続される。NMOSトランジスタMN9のゲートはコンデンサC1のトッププレートに、ソースはコンデンサC2のトッププレートに接続される。さらにコンデンサC1のボトムプレートはクロック信号ノードPHIZに接続され、コンデンサC2のボトムプレートはインバータINVのOUT側に接続される。インバータINVのIN側にはクロック信号ノードPHIZが接続される。NMOSトランジスタMN8、MN9と、コンデンサC1、C2と、インバータINVとは、チャージ・ポンプを形成する。   The drains of the NMOS transistors MN8 and MN9 are connected to the power supply voltage VDD. The gate of the NMOS transistor MN8 is connected to the top plate of the capacitor C2, and the source is connected to the top plate of the capacitor C1. The gate of the NMOS transistor MN9 is connected to the top plate of the capacitor C1, and the source is connected to the top plate of the capacitor C2. Further, the bottom plate of the capacitor C1 is connected to the clock signal node PHIZ, and the bottom plate of the capacitor C2 is connected to the OUT side of the inverter INV. A clock signal node PHIZ is connected to the IN side of the inverter INV. The NMOS transistors MN8 and MN9, the capacitors C1 and C2, and the inverter INV form a charge pump.

NMOSトランジスタMN10のドレインは電源電圧VDDに、ゲートはNMOSトランジスタMN9のゲートに、ソースはコンデンサC3のトッププレートに接続される。また、NMOSトランジスタMN7のドレインはコンデンサC3のボトムプレートに、ゲートはクロック信号ノードPHIZに、ソースは電源電圧VSSに接続される。   The drain of the NMOS transistor MN10 is connected to the power supply voltage VDD, the gate is connected to the gate of the NMOS transistor MN9, and the source is connected to the top plate of the capacitor C3. The drain of the NMOS transistor MN7 is connected to the bottom plate of the capacitor C3, the gate is connected to the clock signal node PHIZ, and the source is connected to the power supply voltage VSS.

PMOSトランジスタMP2のソースは電源電圧VDDに、ドレインはNMOSトランジスタMP4のドレインに接続されており、PMOSトランジスタMP2およびNMOSトランジスタMN4のゲートはそれぞれクロック信号ノードPHIに接続されている。また、NMOSトランジスタMP4のソースはコンデンサC3のボトムプレートに接続されている。   The source of the PMOS transistor MP2 is connected to the power supply voltage VDD, the drain is connected to the drain of the NMOS transistor MP4, and the gates of the PMOS transistor MP2 and the NMOS transistor MN4 are connected to the clock signal node PHI. The source of the NMOS transistor MP4 is connected to the bottom plate of the capacitor C3.

PMOSトランジスタMP2のドレインおよびNMOSトランジスタMN4のドレインはPMOSトランジスタMP1のゲート及びNMOSトランジスタMN3のドレインに接続されている。PMOSトランジスタMP1のソースはコンデンサC3のトッププレートに接続され、ドレインはNMOSトランジスタMN1、MN2、及びMN3のそれぞれのゲートに接続される。   The drain of the PMOS transistor MP2 and the drain of the NMOS transistor MN4 are connected to the gate of the PMOS transistor MP1 and the drain of the NMOS transistor MN3. The source of the PMOS transistor MP1 is connected to the top plate of the capacitor C3, and the drain is connected to the respective gates of the NMOS transistors MN1, MN2, and MN3.

NMOSトランジスタMN5のドレインは、NMOSトランジスタMN1、MN2、及びMN3のそれぞれのゲートに、ゲートは電源電圧VDDに、ソースはNMOSトランジスタMN6のドレインに接続される。NMOSトランジスタMN6のゲートにはクロック信号ノードPHIZが、ソースには電源電圧VSSが接続される。   The drain of the NMOS transistor MN5 is connected to the gates of the NMOS transistors MN1, MN2, and MN3, the gate is connected to the power supply voltage VDD, and the source is connected to the drain of the NMOS transistor MN6. The NMOS transistor MN6 has a gate connected to the clock signal node PHIZ and a source connected to the power supply voltage VSS.

NMOSトランジスタMN2のソースには入力電圧VINが入力される入力ノードIN及びNMOSトランジスタMN1のソースが接続され、NMOSトランジスタMN1のドレインには出力電圧VOUTを出力する出力ノードOUTが接続される。   The input node IN to which the input voltage VIN is input and the source of the NMOS transistor MN1 are connected to the source of the NMOS transistor MN2, and the output node OUT that outputs the output voltage VOUT is connected to the drain of the NMOS transistor MN1.

図2の回路は次のように動作する。まず、NMOSトランジスタMN8、MN9と、コンデンサC1、C2と、インバータINVとで形成するチャージ・ポンプを考える。これは次のように動作する。まず、コンデンサC1およびC2にかかる電圧はゼロとする。   The circuit of FIG. 2 operates as follows. First, consider a charge pump formed by NMOS transistors MN8 and MN9, capacitors C1 and C2, and an inverter INV. This works as follows. First, the voltage applied to the capacitors C1 and C2 is set to zero.

クロック信号PHIZがハイになると、コンデンサC1のボトムプレートの電圧は上昇して電源電圧VDDになる。この状態でコンデンサC2およびC3のボトムプレートは電源電圧VSSとなり接地されるので、コンデンサC2およびC3はトッププレートの電圧がVDD−VTHN(VTHNはNMOSトランジスタMN9およびMN10のしきい値電圧)まで充電される。   When the clock signal PHIZ goes high, the voltage on the bottom plate of the capacitor C1 rises to the power supply voltage VDD. In this state, the bottom plates of the capacitors C2 and C3 become the power supply voltage VSS and are grounded, so that the capacitors C2 and C3 are charged up to the voltage of the top plate VDD-VTNH (VTHN is the threshold voltage of the NMOS transistors MN9 and MN10). The

クロック信号PHIZがローになると、コンデンサC2のトッププレートは昇圧され、2VDD−VTHNとなる。また、コンデンサC1はスイッチMN8を通して充電されてVDDになる。   When the clock signal PHIZ goes low, the top plate of the capacitor C2 is boosted to 2VDD-VTHN. The capacitor C1 is charged through the switch MN8 and becomes VDD.

次の段階でPHIZが再びハイになると、コンデンサC1はVDDに充電されているので、コンデンサC1のトッププレートは2VDDになり、コンデンサC2およびC3は完全に充電されてVDDになる。   When PHIZ goes high again at the next stage, capacitor C1 is charged to VDD, so the top plate of capacitor C1 is 2VDD and capacitors C2 and C3 are fully charged to VDD.

定常状態では、コンデンサC1、C2、C3は充電されてVDDになり、またコンデンサC1およびC2のトッププレートの電圧はVDDと2VDDとの間で変わる。従来のブートストラップスイッチは少なくとも1クロック期間の後にその定常状態に達する。   In steady state, capacitors C1, C2, C3 are charged to VDD and the top plate voltage of capacitors C1 and C2 varies between VDD and 2VDD. A conventional bootstrap switch reaches its steady state after at least one clock period.

全てのコンデンサが充電されて電源電圧VDDになったと仮定すると、ブートストラップスイッチは次のように動作する。   Assuming that all capacitors are charged to the power supply voltage VDD, the bootstrap switch operates as follows.

PHIZがハイになると、コンデンサC2のボトムプレートは接地されてNMOSトランジスタMN10はオンになるので、コンデンサC3は充電されてVDDになる。PMOSトランジスタMP2もオンになり、PMOSトランジスタMP1のゲートを駆動してVDDにするのでPMOSトランジスタMP1はオフになる。また、MN6はオンになり、これによりMN5もオンになるため、ブートストラップスイッチであるNMOSトランジスタMN1のゲート端子は接地される。MN1のゲート端子が接地されることにより、NMOSトランジスタMN3、MN2、MN1はオフになる。この段階中は、NMOSトランジスタMN1は入力ノードINを出力ノードOUTから切り離し、コンデンサC3を充電してVDDにする。   When PHIZ goes high, the bottom plate of the capacitor C2 is grounded and the NMOS transistor MN10 is turned on, so that the capacitor C3 is charged to VDD. The PMOS transistor MP2 is also turned on and the gate of the PMOS transistor MP1 is driven to VDD so that the PMOS transistor MP1 is turned off. Further, MN6 is turned on, and thus MN5 is also turned on, so that the gate terminal of the NMOS transistor MN1, which is a bootstrap switch, is grounded. When the gate terminal of MN1 is grounded, the NMOS transistors MN3, MN2, and MN1 are turned off. During this stage, the NMOS transistor MN1 disconnects the input node IN from the output node OUT and charges the capacitor C3 to VDD.

PHIZがローになると、NMOSトランジスタMN6はオフになるので、MN1のゲート端子は高インピーダンスになる。最初、コンデンサC3のボトムプレートは浮遊するが、スイッチMN4がオンになり、コンデンサC3をPMOSトランジスタMP1のゲートとソースとの間に接続するために、PMOSトランジスタMP1はすぐオンになり、コンデンサC3に蓄積された電荷はNMOSトランジスタMN1のゲート端子に流れ始める。NMOSトランジスタMN1のゲート電圧が上昇するとNMOSトランジスタMN2はオンになり、コンデンサC3のボトムプレートは入力電圧VINに上昇し、このためにコンデンサC3のトッププレートは電源電圧VDD+入力電圧VINに押し上げられる。最終的にこの電圧はNMOSトランジスタMN1のゲートに現われ、その結果MN1は完全にオンになって、入力ノードINと出力ノードOUTとを接続する。NMOSトランジスタMN2も完全にオンになって、入力ノードINとコンデンサC3のボトムプレートとを接続し、またNMOSトランジスタMN3は完全にオンになって、PMOSトランジスタMP1のゲートを駆動して入力電圧レベルにする。   When PHIZ goes low, the NMOS transistor MN6 is turned off, so that the gate terminal of MN1 becomes high impedance. Initially, the bottom plate of the capacitor C3 is floating, but the switch MN4 is turned on, and the PMOS transistor MP1 is immediately turned on to connect the capacitor C3 between the gate and source of the PMOS transistor MP1, and the capacitor C3 The accumulated charge starts to flow to the gate terminal of the NMOS transistor MN1. When the gate voltage of the NMOS transistor MN1 rises, the NMOS transistor MN2 turns on, and the bottom plate of the capacitor C3 rises to the input voltage VIN. For this reason, the top plate of the capacitor C3 is pushed up to the power supply voltage VDD + the input voltage VIN. Eventually, this voltage appears at the gate of NMOS transistor MN1, so that MN1 is fully turned on, connecting input node IN and output node OUT. The NMOS transistor MN2 is also completely turned on to connect the input node IN and the bottom plate of the capacitor C3, and the NMOS transistor MN3 is completely turned on to drive the gate of the PMOS transistor MP1 to the input voltage level. To do.

ここで、PHIZがローからハイに遷移する状態を考える。NMOSトランジスタMN1、MN2およびMN3のそれぞれのゲートに接続されたノードN1の電位の初期値はVDD+VINであり、トランジスタMN5のソース及びMN6のドレインに接続されたノードN5の電位の初期値はVDD−VTHNであり、また、トランジスタMN5はオフになっている。PHIZがハイになると、トランジスタMN6がオンになり、ノードN5の電位が下がる。その結果NMOSトランジスタMN5が徐々にオンし始め、ノードN1の電位が下がり始め、最終的にNMOSトランジスタMN1、MN2、MN3が完全にオフになる。   Here, consider a state in which PHIZ transitions from low to high. The initial value of the potential of the node N1 connected to the gates of the NMOS transistors MN1, MN2, and MN3 is VDD + VIN, and the initial value of the potential of the node N5 connected to the source of the transistor MN5 and the drain of the MN6 is VDD−VTHN. In addition, the transistor MN5 is off. When PHIZ goes high, transistor MN6 is turned on and the potential at node N5 drops. As a result, the NMOS transistor MN5 starts to turn on gradually, the potential of the node N1 starts to drop, and finally the NMOS transistors MN1, MN2, and MN3 are completely turned off.

上記のとおり、ブートストラップスイッチがオンからオフする過程において、図2ではNMOSトランジスタMN6がオンした後にNMOSトランジスタMN5がオンする構成となっているため、ブートストラップスイッチオフ時の応答性が悪いという問題があり、サンプリングエラーを招く場合がある。また、ノードN1の電位の減少に時間がかかるとNMOSトランジスタMN2、MN3がなかなかオフできず、ノードN4の電位がなかなか上昇しない。その結果PMOSトランジスタMP1がオフできなくなり、ノードN1の電位がコンデンサC3トッププレートの電位から下がりきらずにNMOSトランジスタMN1が長時間オフできない、という動作不良が発生する場合がある。   As described above, in the process in which the bootstrap switch is turned off, the NMOS transistor MN5 is turned on after the NMOS transistor MN6 is turned on in FIG. And may cause a sampling error. Further, if it takes time to decrease the potential of the node N1, the NMOS transistors MN2 and MN3 cannot be turned off easily, and the potential of the node N4 does not increase easily. As a result, the PMOS transistor MP1 cannot be turned off, and an operation failure may occur in which the NMOS transistor MN1 cannot be turned off for a long time without the potential of the node N1 being lowered from the potential of the capacitor C3 top plate.

そこで本発明は、上記の課題に鑑み、スイッチオフ時のブートストラップスイッチのゲート電圧制御を行い、小面積で応答性を向上させることのできるブートストラップスイッチ回路を提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a bootstrap switch circuit capable of controlling the gate voltage of a bootstrap switch when the switch is turned off and improving the response with a small area.

本発明に係るブートストラップスイッチ回路は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。   In order to achieve the above object, a bootstrap switch circuit according to the present invention is configured as follows.

入出力部のスイッチのゲートにたまった電荷を引き抜くための、ゲート制御部のスイッチのゲート電圧を電源電圧と参照電圧を切り替え制御するスイッチ、を備えることを特徴とする。   And a switch for switching the gate voltage of the switch of the gate control unit between a power supply voltage and a reference voltage for extracting charges accumulated in the gate of the switch of the input / output unit.

具体的には、本発明に係るブートストラップスイッチ回路は、入力端子及び出力端子に接続され、第1のクロック信号に基づき生成される第1の制御信号が制御端に入力され、ブートストラップスイッチを構成する第1のMOSトランジスタと、一端が第1の電源端に接続され、前記第1のクロック信号に基づきオンオフ制御されることで前記第1のMOSトランジスタの制御端を前記第1の電源端に接続する第2のMOSトランジスタと、前記第2のMOSトランジスタを保護する役割を持ち前記第2のMOSトランジスタに接続され、制御端が第2の電源端または基準電源端に切り替えて接続される第3のMOSトランジスタと、前記第3のMOSトランジスタの制御端に前記第2の電源端または前記基準電源端の電圧を選択的に入力可能にするスイッチ部を構成する第4及び第5のMOSトランジスタと、を備え、前記第4のMOSトランジスタは、前記第2の電源端と前記第3のMOSトランジスタの制御端との間に接続され、制御端に入力される前記第1のクロック信号に基づきオンオフ制御され、前記第5のMOSトランジスタは、前記基準電源端と前記第3のMOSトランジスタの制御端との間に接続され、制御端に入力される前記第1のクロック信号と逆位相の第2のクロック信号に基づきオンオフ制御されることを特徴とする。 Specifically, the bootstrap switch circuit according to the present invention is connected to the input terminal and the output terminal, and a first control signal generated based on the first clock signal is input to the control terminal, and the bootstrap switch is turned on. a first MOS transistor constituting one end connected to the first power supply terminal, said first power supply terminal of the control terminal of said first MOS transistor in the first to be on-off controlled based on the clock signal A second MOS transistor connected to the second MOS transistor, and has a role of protecting the second MOS transistor, is connected to the second MOS transistor, and a control terminal is switched to a second power supply terminal or a reference power supply terminal. third MOS transistor and, selectively enterable the voltage of the second power supply terminal or the reference power source terminal to the control terminal of said third MOS transistor And a fourth and fifth MOS transistors constituting the switching unit to said fourth MOS transistor is connected between the control terminal of said third MOS transistor and said second power supply terminal On / off control is performed based on the first clock signal input to the control terminal, and the fifth MOS transistor is connected between the reference power supply terminal and the control terminal of the third MOS transistor. On / off control is performed based on a second clock signal having a phase opposite to that of the first clock signal input to the first clock signal .

また、本発明に係るブートストラップスイッチ回路は、第1のコンデンサと、前記基準電源端と前記第1のコンデンサの一端との間に接続され、第3の制御信号に基づきオンオフ制御される第6のMOSトランジスタと、前記第1の電源端と前記第1のコンデンサの他端に接続され、前記第1のクロック信号に基づきオンオフ制御される第7のMOSトランジスタと、一端が前記基準電源端に接続され、制御端から入力される前記第1のクロック信号基づきオンオフ制御される第8のMOSトランジスタと、一端が前記第1のコンデンサの他端に接続され、制御端から入力される前記第2のクロック信号に基づきオンオフ制御される第9のMOSトランジスタと、一端が前記第1のコンデンサの一端に接続され、制御端から入力される第2の制御信号に基づくオンオフ制御により、他端から前記第1の制御信号を出力する第10のMOSトランジスタであって、前記第2の制御信号は、前記第8のMOSトランジスタ及び前記第9のMOSトランジスタのオンオフ制御により前記第8のMOSトランジスタ及び前記第9のMOSトランジスタの他端から出力される信号である、第10のMOSトランジスタと、前記第1のMOSトランジスタの一端と前記第1のコンデンサの他端との間に接続され、制御端から入力される前記第1の制御信号に基づきオンオフ制御される第11のMOSトランジスタと、前記第10のMOSトランジスタの制御端と前記第1のコンデンサの他端との間に接続され、制御端から入力される前記第1の制御信号に基づきオンオフ制御される第12のMOSトランジスタと、を備えることを特徴とする。 The bootstrap switch circuit according to the present invention is connected to a first capacitor, between the reference power supply terminal and one end of the first capacitor, and is on-off controlled based on a third control signal. A seventh MOS transistor connected to the first power supply terminal and the other end of the first capacitor and controlled to be turned on / off based on the first clock signal, and one end connected to the reference power supply terminal It is connected, and an eighth MOS transistor of the first on-off control based on a clock signal input from the control terminal, one end connected to the other end of said first capacitor, said first input from the control terminal A ninth MOS transistor which is controlled to be turned on / off based on the clock signal 2 and one end connected to one end of the first capacitor and input from the control end A tenth MOS transistor that outputs the first control signal from the other end by on / off control based on a control signal, wherein the second control signal is the eighth MOS transistor and the ninth MOS transistor. said the on-off control is a first 8 MOS transistor and the signal output from the other end of said ninth MOS transistor, and MOS transistor 10, one end and the first capacitor of said first MOS transistor An eleventh MOS transistor connected between the other end and controlled to be turned on / off based on the first control signal input from the control end; a control end of the tenth MOS transistor; and a first capacitor A twelfth M connected to the other end and on / off controlled based on the first control signal input from the control end. Characterized in that it comprises a S transistor.

また、本発明に係るブートストラップスイッチ回路は、前記第6のMOSトランジスタの制御端に前記第3の制御信号が接続され、前記第3の制御信号を生成するチャージ・ポンプをさらに備えることを特徴とする。 Moreover, bootstrap switch circuit according to the present invention, wherein the third control signal is connected to the control terminal of the sixth MOS transistor, further comprising a charge pump for generating the third control signal Features.

また、本発明に係るブートストラップスイッチ回路は、前記チャージ・ポンプは、一端に前記第1クロック信号が印加される第2のコンデンサと、前記第2のコンデンサの他端と前記第2の電源端との間に接続される第13のMOSトランジスタと、一端に前記第1クロック信号の反転信号が印加され、他端に前記第13のMOSトランジスタの制御端が接続される第3のコンデンサと、一端に前記第2の電源端が接続され、他端に前記第3のコンデンサの他端と前記第13のMOSトランジスタの制御端が接続され、制御端に前記第2のコンデンサの他端が接続される第14のMOSトランジスタとを備え、前記第3の制御信号は前記第2のコンデンサの他端から供給されることを特徴とする。 Moreover, bootstrap switch circuit according to the present invention, the charge pump includes a second capacitor, wherein the first clock signal is applied to one end, the other end of the second capacitor and the second power supply a thirteenth MOS transistor connected between the end, the inverted signal of the one end first clock signal is applied, a third capacitor control end of the thirteenth MOS transistor is connected to the other end And the other end of the third capacitor and the control end of the thirteenth MOS transistor are connected to the other end, and the other end of the second capacitor is connected to the control end. 14 is connected , and the third control signal is supplied from the other end of the second capacitor.

また、本発明に係るブートストラップスイッチ回路は、前記ブートストラップスイッチ回路の入力端子に入力電圧が接続され、前記ブートストラップスイッチ回路の出力端子に入力信号をサンプリングする第4のコンデンサが接続されるスイッチトキャパシタ回路をさらに有することを特徴とする。   In the bootstrap switch circuit according to the present invention, an input voltage is connected to an input terminal of the bootstrap switch circuit, and a fourth capacitor for sampling an input signal is connected to an output terminal of the bootstrap switch circuit. It further has a data circuit.

本発明によれば、ゲート制御部の各スイッチサイズを大きくすることなく、入出力部のスイッチのゲート電圧を速やかに下げ、ブートストラップスイッチのオフ時の応答性を高めることができる。   According to the present invention, the gate voltage of the switch of the input / output unit can be quickly lowered without increasing the size of each switch of the gate control unit, and the responsiveness when the bootstrap switch is turned off can be improved.

本実施形態に係るブートストラップスイッチ回路の回路図である。It is a circuit diagram of a bootstrap switch circuit according to the present embodiment. 従来技術を用いて構成されるブートストラップスイッチ回路の回路図である。It is a circuit diagram of the bootstrap switch circuit comprised using a prior art.

本実施形態に係るブートストラップ回路を図1に示す。図1の回路は、NMOSトランジスタMN1−MN12と、PMOSトランジスタMP1、MP2と、インバータINVと、コンデンサC1、C2、C3と、入力電圧VINが入力される入力ノードINと、出力電圧VOUTを出力する出力ノードOUTと、クロック信号ノードPHI、PHIZと、高電位の電源電圧VDDと、低電位の電源電圧VSSとを含む。NMOSトランジスタMN1はブートストラップスイッチである。クロック信号ノードPHI、PHIZは、逆相の関係にあり、電圧VDDとVSSとを交互に出力する。また、低電位側の電源電圧VSSはグランドに接地されている。   A bootstrap circuit according to this embodiment is shown in FIG. The circuit of FIG. 1 outputs NMOS transistors MN1 to MN12, PMOS transistors MP1 and MP2, an inverter INV, capacitors C1, C2, and C3, an input node IN to which an input voltage VIN is input, and an output voltage VOUT. It includes an output node OUT, clock signal nodes PHI and PHIZ, a high-potential power supply voltage VDD, and a low-potential power supply voltage VSS. The NMOS transistor MN1 is a bootstrap switch. The clock signal nodes PHI and PHIZ have a reverse phase relationship, and alternately output the voltages VDD and VSS. The power supply voltage VSS on the low potential side is grounded.

NMOSトランジスタMN8、MN9と、コンデンサC1、C2と、インバータINVとは、図2に記載の従来のブートストラップ回路と同一のチャージ・ポンプを形成する。   The NMOS transistors MN8 and MN9, the capacitors C1 and C2, and the inverter INV form the same charge pump as the conventional bootstrap circuit shown in FIG.

NMOSトランジスタMN10のドレインは参照電圧VREFに、ゲートはNMOSトランジスタMN9のゲートに、ソースはコンデンサC3のトッププレートに接続される。また、NMOSトランジスタMN7のドレインはコンデンサC3のボトムプレートに、ゲートはクロック信号ノードPHIZに、ソースは電源電圧VSSに接続される。   The drain of the NMOS transistor MN10 is connected to the reference voltage VREF, the gate is connected to the gate of the NMOS transistor MN9, and the source is connected to the top plate of the capacitor C3. The drain of the NMOS transistor MN7 is connected to the bottom plate of the capacitor C3, the gate is connected to the clock signal node PHIZ, and the source is connected to the power supply voltage VSS.

PMOSトランジスタMP2のソースは参照電圧VREFに、ドレインはNMOSトランジスタMP4のドレインに接続されており、PMOSトランジスタMP2およびNMOSトランジスタMN4のゲートはそれぞれクロック信号ノードPHIに接続されている。また、NMOSトランジスタMN4のソースはコンデンサC3のボトムプレートに接続されている。   The source of the PMOS transistor MP2 is connected to the reference voltage VREF, the drain is connected to the drain of the NMOS transistor MP4, and the gates of the PMOS transistor MP2 and NMOS transistor MN4 are each connected to the clock signal node PHI. The source of the NMOS transistor MN4 is connected to the bottom plate of the capacitor C3.

PMOSトランジスタMP2のドレインおよびNMOSトランジスタMN4のドレインはPMOSトランジスタMP1のゲート及びNMOSトランジスタMN3のドレインに接続されている。PMOSトランジスタMP1のソースはコンデンサC3のトッププレートに接続され、ドレインはNMOSトランジスタMN1、MN2、及びMN3のそれぞれのゲートに接続される。   The drain of the PMOS transistor MP2 and the drain of the NMOS transistor MN4 are connected to the gate of the PMOS transistor MP1 and the drain of the NMOS transistor MN3. The source of the PMOS transistor MP1 is connected to the top plate of the capacitor C3, and the drain is connected to the respective gates of the NMOS transistors MN1, MN2, and MN3.

NMOSトランジスタMN11のドレインは電源電圧VDDに、ゲートはクロック信号ノードPHIZに接続され、MN12のドレインは参照電圧VREFに、ゲートはクロック信号ノードPHIに接続されている。また、NMOSトランジスタMN11及びMN12のそれぞれのソースはNMOSトランジスタMN5のゲートに接続されている。NMOSトランジスタMN5のドレインは、NMOSトランジスタMN1、MN2、及びMN3のそれぞれのゲートに、ソースはNMOSトランジスタMN6のドレインに接続される。NMOSトランジスタMN6のゲートにはクロック信号ノードPHIZが、ソースには電源電圧VSSが接続される。   The drain of the NMOS transistor MN11 is connected to the power supply voltage VDD, the gate is connected to the clock signal node PHIZ, the drain of the MN12 is connected to the reference voltage VREF, and the gate is connected to the clock signal node PHI. The sources of the NMOS transistors MN11 and MN12 are connected to the gate of the NMOS transistor MN5. The drain of the NMOS transistor MN5 is connected to the gates of the NMOS transistors MN1, MN2, and MN3, and the source is connected to the drain of the NMOS transistor MN6. The NMOS transistor MN6 has a gate connected to the clock signal node PHIZ and a source connected to the power supply voltage VSS.

NMOSトランジスタMN2のソースには入力ノードIN及びNMOSトランジスタMN1のソースが接続され、NMOSトランジスタMN1のドレインには出力ノードOUTが接続される。   The input node IN and the source of the NMOS transistor MN1 are connected to the source of the NMOS transistor MN2, and the output node OUT is connected to the drain of the NMOS transistor MN1.

以上の構成を有するブートストラップスイッチ回路の動作を、以下に説明する。   The operation of the bootstrap switch circuit having the above configuration will be described below.

PHIZがハイになると、コンデンサC1のボトムプレートは上昇して電源電圧VDDになり、トッププレートは2VDDとなる。これによりNMOSトランジスタMN10はオンになるので、コンデンサC3は充電されて参照電圧VREFになる。ここで、参照電圧VREFは電源電圧VDD以下であり、且つVTHNを十分に上回る電位であることを言及しておく。PMOSトランジスタMP2もオンになり、PMOSトランジスタMP1のゲートを駆動して参照電圧VREFにするのでPMOSトランジスタMP1はオフになる。また、NMOSトランジスタMN6はオンになり、MN5もオンになるため、NMOSトランジスタMN1のゲートは接地される。MN1のゲート端子が接地されることにより、NMOSトランジスタMN3、MN2、MN1はオフになる。この段階中は、NMOSトランジスタMN1は入力ノードINを出力ノードOUTから切り離し、コンデンサC3を充電してVREFにする。   When PHIZ goes high, the bottom plate of the capacitor C1 rises to the power supply voltage VDD and the top plate becomes 2VDD. As a result, the NMOS transistor MN10 is turned on, and the capacitor C3 is charged to the reference voltage VREF. Here, it is noted that the reference voltage VREF is equal to or lower than the power supply voltage VDD and sufficiently higher than VTHN. The PMOS transistor MP2 is also turned on, and the PMOS transistor MP1 is turned off because the gate of the PMOS transistor MP1 is driven to the reference voltage VREF. Further, since the NMOS transistor MN6 is turned on and MN5 is also turned on, the gate of the NMOS transistor MN1 is grounded. When the gate terminal of MN1 is grounded, the NMOS transistors MN3, MN2, and MN1 are turned off. During this stage, the NMOS transistor MN1 disconnects the input node IN from the output node OUT and charges the capacitor C3 to VREF.

PHIZがローになると、NMOSトランジスタMN6はオフとなるので、MN1のゲート端子は高インピーダンスになる。最初、コンデンサC3のボトムプレートは浮遊するが、NMOSトランジスタMN4がオンになり、コンデンサC3をPMOSトランジスタMP1のゲートとソースとの間に接続するために、PMOSトランジスタMP1はすぐオンになり、コンデンサC3に蓄積された電荷は主スイッチMN1のゲートに流れ始める。NMOSトランジスタMN1のゲート電圧が上昇するとNMOSトランジスタMN2はオンになり、コンデンサC3のボトムプレートは入力電圧VINに上昇し、このためにコンデンサC3のトッププレートは参照電圧VREF+入力電圧VINに押し上げられる。最終的にこの電圧はNMOSトランジスタMN1のゲートに現われ、その結果NMOSトランジスタMN1は完全にオンになって、入力ノードINと出力ノードOUTとを接続する。NMOSトランジスタMN2は完全にオンになって、入力ノードINとコンデンサC3のボトムプレートとを接続し、またNMOSトランジスタMN3は完全にオンになって、PMOSトランジスタMP1のゲートを駆動して入力電圧レベルにする。このとき、NMOSトランジスタ12がオンしているので、NMOSトランジスタMN5のゲート電圧は参照電圧VREFとなり、トランジスタMN5のソース及びMN6のドレインに接続されたノードN5の電位はVREF−VTHNとなる。つまり、ノードN1の電位であるVREF+VINがMN6のドレインに印加されると、MN6のソース・ドレイン間に過大な電位差が生じMN6が破壊する可能性が高いが、MN5がMN6のドレイン電圧をVREF−VTHNに保つことで、MN6の破壊を防具ことができるため、MN5はMN6を保護することができる。   When PHIZ goes low, the NMOS transistor MN6 is turned off, so that the gate terminal of MN1 becomes high impedance. Initially, the bottom plate of the capacitor C3 is floating, but the NMOS transistor MN4 is turned on, and the PMOS transistor MP1 is immediately turned on to connect the capacitor C3 between the gate and source of the PMOS transistor MP1, and the capacitor C3 The electric charge accumulated in starts to flow to the gate of the main switch MN1. When the gate voltage of the NMOS transistor MN1 rises, the NMOS transistor MN2 is turned on, and the bottom plate of the capacitor C3 rises to the input voltage VIN. For this reason, the top plate of the capacitor C3 is pushed up to the reference voltage VREF + the input voltage VIN. Eventually, this voltage appears at the gate of NMOS transistor MN1, so that NMOS transistor MN1 is fully turned on and connects input node IN and output node OUT. The NMOS transistor MN2 is completely turned on to connect the input node IN and the bottom plate of the capacitor C3, and the NMOS transistor MN3 is completely turned on to drive the gate of the PMOS transistor MP1 to the input voltage level. To do. At this time, since the NMOS transistor 12 is on, the gate voltage of the NMOS transistor MN5 becomes the reference voltage VREF, and the potential of the node N5 connected to the source of the transistor MN5 and the drain of the MN6 becomes VREF−VTHN. That is, when VREF + VIN, which is the potential of the node N1, is applied to the drain of the MN6, there is a high possibility that an excessive potential difference occurs between the source and the drain of the MN6 and the MN6 is destroyed. By maintaining VTHN, it is possible to prevent destruction of MN6, so that MN5 can protect MN6.

次に、PHIZがローからハイに遷移する状態を考える。PHIZがハイになるとトランジスタMN11がオンになるので、トランジスタMN5のゲート電圧がVDDとなる。NMOSトランジスタMN1、MN2およびMN3のそれぞれのゲートに接続されたノードN1の電位の初期値はVREF+VIN、ノードN5の電位の初期値はVREF−VTHNであり、且つVDD>VREFなので、トランジスタMN5は完全にオンになる。よって、NMOSトランジスタMN6がオンになってノードN5の電位が下がるのを待つことなく、ノードN1の電位を速やかに下げることが可能となる。その結果、トランジスタMN5、MN6の面積を大きくすることなくブートストラップスイッチのオンからオフ時の応答性を改善することができる。   Next, consider a state in which PHIZ transitions from low to high. Since the transistor MN11 is turned on when PHIZ becomes high, the gate voltage of the transistor MN5 becomes VDD. Since the initial value of the potential of the node N1 connected to the respective gates of the NMOS transistors MN1, MN2, and MN3 is VREF + VIN, the initial value of the potential of the node N5 is VREF−VTHN, and VDD> VREF, the transistor MN5 is completely Turn on. Therefore, the potential of the node N1 can be quickly lowered without waiting for the NMOS transistor MN6 to turn on and the potential of the node N5 to drop. As a result, it is possible to improve the response when the bootstrap switch is turned on and off without increasing the area of the transistors MN5 and MN6.

図1に記載のブートストラップスイッチ回路をスイッチトキャパシタ回路のスイッチ部に適用することで、入力信号に依らずにスイッチのオン抵抗を一定、且つ小面積でスイッチオフ時の応答性のよいスイッチトキャパシタ回路を実現することができる。   By applying the bootstrap switch circuit shown in FIG. 1 to the switch portion of the switched capacitor circuit, the switched capacitor circuit has a constant on-resistance of the switch regardless of the input signal, and has a small area and good responsiveness when the switch is turned off. Can be realized.

MN1〜MN12 NMOSトランジスタ
MP1、MP2 PMOSトランジスタ
INV インバータ
C1〜C3 コンデンサ
IN 入力ノード
OUT 出力ノード
PHI、PHIZ クロック信号ノード
VDD、VSS 電源電圧
N1〜N5 ノード
MN1-MN12 NMOS transistor MP1, MP2 PMOS transistor INV Inverter C1-C3 Capacitor IN Input node OUT Output node PHI, PHIZ Clock signal node VDD, VSS Power supply voltage N1-N5 node

Claims (5)

入力端子及び出力端子に接続され、第1のクロック信号に基づき生成される第1の制御信号が制御端に入力され、ブートストラップスイッチを構成する第1のMOSトランジスタと、
一端が第1の電源端に接続され、前記第1のクロック信号に基づきオンオフ制御されることで前記第1のMOSトランジスタの制御端を前記第1の電源端に接続する第2のMOSトランジスタと、
前記第2のMOSトランジスタを保護する役割を持ち前記第2のMOSトランジスタに接続され、制御端が第2の電源端または基準電源端に切り替えて接続される第3のMOSトランジスタと
前記第3のMOSトランジスタの制御端に前記第2の電源端または前記基準電源端の電圧を選択的に入力可能にするスイッチ部を構成する第4及び第5のMOSトランジスタと、
を備え
前記第4のMOSトランジスタは、前記第2の電源端と前記第3のMOSトランジスタの制御端との間に接続され、制御端に入力される前記第1のクロック信号に基づきオンオフ制御され、
前記第5のMOSトランジスタは、前記基準電源端と前記第3のMOSトランジスタの制御端との間に接続され、制御端に入力される前記第1のクロック信号と逆位相の第2のクロック信号に基づきオンオフ制御されることを特徴とするブートストラップスイッチ回路。
A first MOS transistor connected to the input terminal and the output terminal, the first control signal generated based on the first clock signal is input to the control terminal, and constitutes a bootstrap switch;
One end connected to a first power supply terminal, a second MOS transistor for connecting the control terminal of the first MOS transistor to the first power supply terminal by being on-off controlled based on the first clock signal ,
A third MOS transistor having a role of protecting the second MOS transistor and connected to the second MOS transistor, the control terminal being switched to the second power supply terminal or the reference power supply terminal ;
Fourth and fifth MOS transistors constituting a switch unit that allows a voltage at the second power supply terminal or the reference power supply terminal to be selectively input to a control terminal of the third MOS transistor;
Equipped with a,
The fourth MOS transistor is connected between the second power supply terminal and the control terminal of the third MOS transistor, and is on / off controlled based on the first clock signal input to the control terminal,
The fifth MOS transistor is connected between the reference power supply terminal and the control terminal of the third MOS transistor, and has a second clock signal having a phase opposite to that of the first clock signal input to the control terminal. The bootstrap switch circuit is controlled on and off based on the circuit.
第1のコンデンサと、
前記基準電源端と前記第1のコンデンサの一端との間に接続され、第3の制御信号に基づきオンオフ制御される第6のMOSトランジスタと、
前記第1の電源端と前記第1のコンデンサの他端に接続され、前記第1のクロック信号に基づきオンオフ制御される第7のMOSトランジスタと、
一端が前記基準電源端に接続され、制御端から入力される前記第1のクロック信号基づきオンオフ制御される第8のMOSトランジスタと、
一端が前記第1のコンデンサの他端に接続され、制御端から入力される前記第2のクロック信号に基づきオンオフ制御される第9のMOSトランジスタと、
一端が前記第1のコンデンサの一端に接続され、制御端から入力される第2の制御信号に基づくオンオフ制御により、他端から前記第1の制御信号を出力する第10のMOSトランジスタであって、前記第2の制御信号は、前記第8のMOSトランジスタ及び前記第9のMOSトランジスタのオンオフ制御により前記第8のMOSトランジスタ及び前記第9のMOSトランジスタの他端から出力される信号である、第10のMOSトランジスタと、
前記第1のMOSトランジスタの一端と前記第1のコンデンサの他端との間に接続され、制御端から入力される前記第1の制御信号に基づきオンオフ制御される第11のMOSトランジスタと、
前記第10のMOSトランジスタの制御端と前記第1のコンデンサの他端との間に接続され、制御端から入力される前記第1の制御信号に基づきオンオフ制御される第12のMOSトランジスタと、
を備えることを特徴とする請求項1に記載のブートストラップスイッチ回路。
A first capacitor;
A sixth MOS transistor connected between the reference power supply terminal and one end of the first capacitor and controlled to be turned on / off based on a third control signal;
A seventh MOS transistor connected to the first power supply terminal and the other end of the first capacitor and controlled to be turned on and off based on the first clock signal;
One end connected to said reference power terminal, an eighth MOS transistor on-off controlled based on the first clock signal input from the control terminal,
A ninth MOS transistor having one end connected to the other end of the first capacitor and controlled to be turned on / off based on the second clock signal input from the control end;
A tenth MOS transistor having one end connected to one end of the first capacitor and outputting the first control signal from the other end by on / off control based on a second control signal input from the control end; , the second control signal is the eighth MOS transistor and the signal output from the other end of said eighth MOS transistor and the ninth MOS transistor by on-off control of said ninth MOS transistor, A tenth MOS transistor;
An eleventh MOS transistor connected between one end of the first MOS transistor and the other end of the first capacitor and controlled to be turned on / off based on the first control signal input from a control end;
A twelfth MOS transistor connected between the control end of the tenth MOS transistor and the other end of the first capacitor and controlled to be turned on / off based on the first control signal input from the control end;
The bootstrap switch circuit according to claim 1, comprising:
前記第6のMOSトランジスタの制御端に前記第3の制御信号が接続され、前記第3の制御信号を生成するチャージ・ポンプをさらに備えることを特徴とする請求項に記載のブートストラップスイッチ回路 Wherein said third control signal to the control terminal of the sixth MOS transistor is connected, the bootstrap switch according to claim 2, further comprising a charge pump for generating the third control signal Circuit . 前記チャージ・ポンプは、
一端に前記第1クロック信号が印加される第2のコンデンサと、
前記第2のコンデンサの他端と前記第2の電源端との間に接続される第13のMOSトランジスタと、
一端に前記第1クロック信号の反転信号が印加され、他端に前記第13のMOSトランジスタの制御端が接続される第3のコンデンサと、
一端に前記第2の電源端が接続され、他端に前記第3のコンデンサの他端と前記第13のMOSトランジスタの制御端が接続され、制御端に前記第2のコンデンサの他端が接続される第14のMOSトランジスタと
を備え、
前記第3の制御信号は前記第2のコンデンサの他端から供給される
ことを特徴とする請求項に記載のブートストラップスイッチ回路。
The charge pump is
A second capacitor said first clock signal is applied to one end,
A thirteenth MOS transistor connected between the other end of the second capacitor and the second power supply end;
A third capacitor having one end applied with an inverted signal of the first clock signal and the other end connected to the control end of the thirteenth MOS transistor;
The second power supply end is connected to one end, the other end of the third capacitor and the control end of the thirteenth MOS transistor are connected to the other end, and the other end of the second capacitor is connected to the control end. A fourteenth MOS transistor ,
With
The bootstrap switch circuit according to claim 3 , wherein the third control signal is supplied from the other end of the second capacitor.
前記ブートストラップスイッチ回路の入力端子に入力電圧が接続され、前記ブートストラップスイッチ回路の出力端子に入力信号をサンプリングする第4のコンデンサが接続されるスイッチトキャパシタ回路をさらに有することを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載のブートストラップスイッチ回路。 The switched-capacitor circuit further comprising a switched capacitor circuit in which an input voltage is connected to an input terminal of the bootstrap switch circuit and a fourth capacitor for sampling an input signal is connected to an output terminal of the bootstrap switch circuit. 5. The bootstrap switch circuit according to any one of 1 to 4 .
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