JP5695312B2

JP5695312B2 - Organic EL device

Info

Publication number: JP5695312B2
Application number: JP2009246188A
Authority: JP
Inventors: 高村　誠; 誠高村
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2009-10-27
Filing date: 2009-10-27
Publication date: 2015-04-01
Anticipated expiration: 2029-10-27
Also published as: JP2011096374A

Description

本発明は、有機ＥＬ装置に関し、特に、均熱効果を保ちつつ、自動化による生産効率を高めることができる有機ＥＬ装置に関する。 The present invention relates to an organic EL device, and more particularly to an organic EL device that can increase production efficiency by automation while maintaining a soaking effect.

近年、有機発光素子として有機ＥＬ（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置や照明装置が実用化に向けて開発が進められている。従来、有機ＥＬ素子は、水分により劣化が著しいので防湿する必要があり、そのため基板上に搭載された有機ＥＬ素子を封止板等で封止している。 In recent years, display devices and illumination devices using organic EL (EL) elements as organic light emitting elements have been developed for practical use. Conventionally, an organic EL element has been significantly deteriorated by moisture and therefore needs to be moisture-proof. For this reason, an organic EL element mounted on a substrate is sealed with a sealing plate or the like.

従来、有機ＥＬ素子を封止する方法として、例えば、有機ＥＬ素子が搭載された基板面にシール材を介して封止缶で密封し、封止された内部空間に不活性ガス等の気体を充填する中空封止技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。或いは有機ＥＬ素子が搭載された基板面にシール材を介して封止缶で密封し、封止された内部空間にシリコーンオイル等の液体からなる充填材を充填する液体封止技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）また、樹脂などの流動性のある封止剤を基板面に適用し、ガラス板等を重ねてＵＶ光照射や加熱などの方法により封止剤を硬化させて封止する固体封止技術が知られている。（例えば、特許文献３および特許文献４参照。）。 Conventionally, as a method of sealing an organic EL element, for example, the substrate surface on which the organic EL element is mounted is sealed with a sealing can via a sealing material, and a gas such as an inert gas is sealed in the sealed internal space. A hollow sealing technique for filling is known (for example, see Patent Document 1). Alternatively, a liquid sealing technique is known in which a substrate surface on which an organic EL element is mounted is sealed with a sealing can through a sealing material, and the sealed internal space is filled with a filler made of a liquid such as silicone oil. (For example, refer to Patent Document 2) In addition, a fluid sealant such as a resin is applied to the substrate surface, and a glass plate or the like is stacked to cure the sealant by a method such as UV light irradiation or heating. Solid sealing technology for sealing is known. (For example, refer to Patent Document 3 and Patent Document 4.)

また、フレキシブルプリンテッドコネクタ（ＦＰＣ：Flexible Printed Connector）を適用した表示装置の例も既に開示されている（例えば、特許文献５参照。）。 An example of a display device to which a flexible printed connector (FPC) is applied has already been disclosed (see, for example, Patent Document 5).

従来、線材をリード線として用い、有機ＥＬ素子に電源を接続した有機ＥＬ照明パネルが知られている。 Conventionally, an organic EL lighting panel in which a wire is used as a lead wire and a power source is connected to an organic EL element is known.

従来の有機ＥＬ装置をパネル裏面（非発光面）側から見た構成は、図３４〜図３６に示すように、８端子型・８角素子の有機ＥＬ照明パネル構成において、ＩＴＯ基板１００の４角形の４隅に配置された三角形状のカソードＩＴＯ層１２０Ｋと、４角形から４隅を除いた８角形状のアノードＩＴＯ層１２０Ａと、これら三角形状のカソードＩＴＯ層１２０Ｋと８角形状のアノードＩＴＯ層１２０Ａ上に配置された封止板１８０とを備える。また、ＩＴＯ基板１００と、ＩＴＯ基板１００上に配置されたアノードＩＴＯ層１２０ＡおよびカソードＩＴＯ層１２０Ｋと、アノードＩＴＯ層１２０Ａ上に配置された有機ＥＬ層１４０と、有機ＥＬ層１４０上に配置され、かつ４隅においてカソードＩＴＯ層１２０Ｋと接続されたカソード電極層１６０Ｋと、カソード電極層１６０Ｋ上に配置された封止板１８とを備える。また、ＩＴＯ基板１００の４角形の外周部においてアノードＩＴＯ層１２０Ａ上に配置されたアノード配線４６Ａおよびカソード配線４４Ｋを備え、アノード配線４６Ａは、アノードＩＴＯ層１２０Ａとアノード半田層５０Ａにより接続され、カソード配線４４Ｋは、カソード配線被覆層５４によって被覆され、かつアノード配線４６Ａおよびカソード配線４４Ｋは、オーバーコート５２によって被覆されている。 The configuration of the conventional organic EL device viewed from the panel back surface (non-light emitting surface) side is the same as that of the ITO substrate 100 in the 8-terminal type / octagonal organic EL lighting panel configuration as shown in FIGS. Triangular cathode ITO layer 120K disposed at the four corners of the square, octagonal anode ITO layer 120A obtained by removing the four corners from the quadrangular, and these triangular cathode ITO layer 120K and octagonal anode ITO And a sealing plate 180 disposed on the layer 120A. Further, the ITO substrate 100, the anode ITO layer 120A and the cathode ITO layer 120K disposed on the ITO substrate 100, the organic EL layer 140 disposed on the anode ITO layer 120A, and the organic EL layer 140 are disposed. In addition, a cathode electrode layer 160K connected to the cathode ITO layer 120K at four corners and a sealing plate 18 disposed on the cathode electrode layer 160K are provided. In addition, an anode wiring 46A and a cathode wiring 44K disposed on the anode ITO layer 120A in the rectangular outer peripheral portion of the ITO substrate 100 are provided, and the anode wiring 46A is connected by the anode ITO layer 120A and the anode solder layer 50A. The wiring 44K is covered with a cathode wiring covering layer 54, and the anode wiring 46A and the cathode wiring 44K are covered with an overcoat 52.

従来の有機ＥＬ装置は、図３４〜図３６に示すように、ＩＴＯ基板１００の４角形の外周に設けられたカソードＩＴＯ層１２０ＫおよびアノードＩＴＯ層１２０Ａ各々の複数の端子を、各々連結するために、配線材などでカソード配線４４Ｋとアノード配線４６Ａの２つのループを形成し、カソードＩＴＯ層１２０ＫおよびアノードＩＴＯ層１２０Ａの抵抗による電圧ばらつきの防止のため、図３４に示すように複数のポイント（●印）で半田付け若しくは異方性導電性フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）による接続を行っている。 As shown in FIGS. 34 to 36, the conventional organic EL device is used to connect a plurality of terminals of each of the cathode ITO layer 120 K and the anode ITO layer 120 A provided on the rectangular outer periphery of the ITO substrate 100. In order to prevent voltage variation due to the resistance of the cathode ITO layer 120K and the anode ITO layer 120A, two loops (● are formed as shown in FIG. Are connected by soldering or anisotropic conductive film (ACF).

すなわち、従来の有機ＥＬ装置は、図３４〜図３６に示すように、ＩＴＯ基板１００の４角形の外周に各々複数存在するカソードＩＴＯ層１２０ＫおよびアノードＩＴＯ層１２０Ａそれぞれを接続する方法としては、線材などを用いて、外周の端子を引き出す方法を用いて行っていた。このため、配線材の寸法は、端子のスペース（幅と厚み）に制限され、電流値に対して十分な太さの線材または被覆厚みを確保することができなかった。また、線材の引き回しは、手作業にしか対応せず、量産効率に乏しい方法であった。 That is, in the conventional organic EL device, as shown in FIGS. 34 to 36, as a method of connecting each of the plurality of cathode ITO layers 120K and anode ITO layers 120A existing on the outer periphery of the quadrangular shape of the ITO substrate 100, a wire rod is used. Etc., using a method of pulling out the terminals on the outer periphery. For this reason, the dimension of the wiring material is limited to the space (width and thickness) of the terminal, and it has not been possible to ensure a sufficient thickness of the wire or coating thickness with respect to the current value. In addition, the drawing of the wire material was only a manual operation and was a method with poor mass production efficiency.

別の従来の有機ＥＬ装置をパネル裏面（非発光面）側から見た構成は、図３７〜図３９に示すように、８端子型・８角素子の有機ＥＬ照明パネル構成において、ＩＴＯ基板１００の４角形の４隅に配置された三角形状のカソードＩＴＯ層１２０Ｋと、４角形から４隅を除いた８角形状のアノードＩＴＯ層１２０Ａと、これら三角形状のカソードＩＴＯ層１２０Ｋと８角形状のアノードＩＴＯ層１２０Ａ上に配置された封止板１８０とを備える。ＬＡは有機ＥＬ装置のパネル表面（発光面）の発光エリアをパネル裏面（非発光面）側から透視した様子を模式的に示したものである。また、ＩＴＯ基板１００と、ＩＴＯ基板１００上に配置されたアノードＩＴＯ層１２０ＡおよびカソードＩＴＯ層１２０Ｋと、アノードＩＴＯ層１２０Ａ上に配置された有機ＥＬ層１４０と、有機ＥＬ層１４０上に配置され、かつコンタクト部１６０ＣにおいてカソードＩＴＯ層１２０Ｋと接続されたカソード電極層１６０Ｋと、カソード電極層１６０Ｋ上に接着層１８０ａを介して配置された封止板１８０とを備える。また、ＩＴＯ基板１００の４角形の周辺部においてカソードＩＴＯ層１２０Ｋ上に配置されたカソード半田層３６０Ｋと、アノードＩＴＯ層１２０Ａ上に配置されたアノード半田層３６０Ａとを備える。 Another conventional organic EL device viewed from the back side (non-light emitting surface) side of the panel is an 8-terminal type / octagonal organic EL lighting panel configuration as shown in FIGS. The triangular cathode ITO layer 120K arranged at the four corners of the quadrilateral, the octagonal anode ITO layer 120A obtained by removing the four corners from the quadrangular shape, and the triangular cathode ITO layer 120K and the octagonal shape And a sealing plate 180 disposed on the anode ITO layer 120A. LA schematically shows a state where a light emitting area on the panel surface (light emitting surface) of the organic EL device is seen through from the panel back surface (non-light emitting surface) side. Further, the ITO substrate 100, the anode ITO layer 120A and the cathode ITO layer 120K disposed on the ITO substrate 100, the organic EL layer 140 disposed on the anode ITO layer 120A, and the organic EL layer 140 are disposed. In addition, a cathode electrode layer 160K connected to the cathode ITO layer 120K in the contact portion 160C and a sealing plate 180 disposed on the cathode electrode layer 160K via an adhesive layer 180a are provided. In addition, a cathode solder layer 360K disposed on the cathode ITO layer 120K and an anode solder layer 360A disposed on the anode ITO layer 120A in the rectangular peripheral portion of the ITO substrate 100 are provided.

従来の有機ＥＬ装置は、図３７〜図３９に示すように、パネル外周に設けられたカソードＩＴＯ層１２０ＫおよびアノードＩＴＯ層１２０Ａを各々連結するために、カソード半田層３６０Ｋおよびアノード半田層３６０Ａを用いていた。 As shown in FIGS. 37 to 39, the conventional organic EL device uses the cathode solder layer 360K and the anode solder layer 360A to connect the cathode ITO layer 120K and the anode ITO layer 120A provided on the outer periphery of the panel, respectively. It was.

すなわち、別の従来の有機ＥＬ装置は、図３７〜図３９に示すように、少なくともカソードＩＴＯ層１２０Ｋと接続されたカソード半田層３６０ＫとアノードＩＴＯ層１２０Ａと接続されたアノード半田層３６０Ａが対向した辺に一対ずつ存在し、ＩＴＯ基板１００の４角形の周囲において、各々の電極を配線などを用いて手作業で接続しており、量産性に乏しかった。また、輝度分布改善の目的で、電極数を増加したパネルでは、更に配線が複雑となり、パネル組み立て工程の自動化の妨げとなっていた。 That is, in another conventional organic EL device, as shown in FIGS. 37 to 39, at least the cathode solder layer 360K connected to the cathode ITO layer 120K and the anode solder layer 360A connected to the anode ITO layer 120A face each other. A pair existed on each side, and the electrodes were manually connected around the quadrangular shape of the ITO substrate 100 using wiring or the like, and the mass productivity was poor. Further, for the purpose of improving the luminance distribution, in the panel with the increased number of electrodes, the wiring is further complicated, which hinders the automation of the panel assembling process.

特開平１１−２１４１５２号公報JP 11-214152 A 特開２００３−１７３８６８号公報JP 2003-173868 A 特開２００５−３２６８２号公報JP 2005-32682 A 特開２０００−１９５６６０号公報JP 2000-195660 A 特開２００５−１７３５７９号公報JP 2005-173579 A

本発明の目的は、配線材を不要とし、構造が簡単化され、均熱効果を保ちつつ、自動化による生産効率を高めることができる有機ＥＬ装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an organic EL device that eliminates the need for a wiring material, simplifies the structure, maintains the soaking effect, and increases the production efficiency by automation.

本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層および第２電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置され、前記第２電極層と接続される第３電極層と、前記第３電極層上に配置され、熱伝導率の高い封止剤を充填して前記有機ＥＬ層を封止する封止層と、前記封止層上に粘着剤を介して配置され、前記第１電極層に電気的に接続されると共に、厚さ１μｍ以上の第１金属シートからなる第１導電層と、前記第１導電層上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記第２電極層に電気的に接続されると共に、前記第１導電層と同一材料の厚さ１μｍ以上の第２金属シートからなる第２導電層とを備え、前記基板は四角形の形状を備え、前記第３電極層は、前記四角形の４隅に配置された前記第２電極層上に延在して前記第２電極層と接続され、前記第１導電層は、前記四角形の４辺において、前記第２導電層よりも前記基板の外周側に延在し、かつ前記第１電極層に接続され、前記第２導電層は、前記四角形の４隅において、前記第１導電層よりも前記基板の外周側に延在し、かつ前記第２電極層に接続される有機ＥＬ装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a substrate, a first electrode layer and a second electrode layer disposed on the substrate, an organic EL layer disposed on the first electrode layer, and the organic EL layer And a third electrode layer connected to the second electrode layer and a seal disposed on the third electrode layer and filled with a sealant having high thermal conductivity to seal the organic EL layer A first conductive layer made of a first metal sheet having a thickness of 1 μm or more, and being disposed on the sealing layer via an adhesive and electrically connected to the first electrode layer; An insulating layer disposed on the first conductive layer; and an insulating layer disposed on the insulating layer, electrically connected to the second electrode layer, and having a thickness of 1 μm or more of the same material as the first conductive layer. A second conductive layer made of two metal sheets , the substrate has a rectangular shape, and the third electrode layer has a rectangular shape of 4 The first conductive layer extends on the second electrode layer disposed at a corner and is connected to the second electrode layer, and the first conductive layer is arranged on the four sides of the quadrangle and is more peripheral than the second conductive layer. And the second conductive layer extends to the outer peripheral side of the substrate with respect to the first conductive layer at four corners of the quadrangle, and is connected to the first electrode layer. An organic EL device connected to the two-electrode layer is provided.

本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層および第２電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置され、前記第２電極層と接続される第３電極層と、前記第３電極層上に配置され、熱伝導率の高い封止剤を充填して前記有機ＥＬ層を封止する封止層と、前記封止層上に粘着剤を介して配置され、前記第２電極層に接続されると共に、厚さ１μｍ以上の第３金属シートからなる第２導電層と、前記第２導電層上に配置された絶縁層と、前記基板の最外周に配置されたループ状電極層とを備え、前記第１電極層若しくは前記第２電極層の少なくともいずれか一方の電極同士を前記ループ状電極層により接続し、前記基板は四角形の形状を備え、前記第３電極層は、前記四角形の４隅に配置された前記第２電極層上に延在して前記第２電極層と接続され、前記第２導電層は、前記四角形の４隅において、前記第３電極層よりも前記基板の外周側に延在し、かつ前記第２電極層に接続される有機ＥＬ装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, a substrate, a first electrode layer and a second electrode layer disposed on the substrate, an organic EL layer disposed on the first electrode layer, and the organic EL layer A third electrode layer disposed on the second electrode layer and connected to the second electrode layer; and disposed on the third electrode layer and filled with a sealant having high thermal conductivity to seal the organic EL layer. A sealing layer, a second conductive layer disposed on the sealing layer via an adhesive, connected to the second electrode layer and made of a third metal sheet having a thickness of 1 μm or more, and the second An insulating layer disposed on the conductive layer; and a loop electrode layer disposed on the outermost periphery of the substrate, wherein at least one of the first electrode layer and the second electrode layer is connected to the loop. are connected by Jo electrode layer, wherein the substrate comprises a rectangular shape, the third electrode layer, said quadrangle The second conductive layer extends on the second electrode layer disposed at the corner and is connected to the second electrode layer, and the second conductive layer is arranged at the four corners of the quadrangle at the outer periphery of the substrate more than the third electrode layer. An organic EL device extending to the side and connected to the second electrode layer is provided.

本発明によれば、配線材を不要とし構造が簡単化され、均熱効果を保ちつつ、自動化による生産効率を高めることができる有機ＥＬ装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an organic EL device that eliminates the need for a wiring material, simplifies the structure, and can increase production efficiency by automation while maintaining a soaking effect.

本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成図。1 is a schematic plane pattern configuration diagram of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 図１のＶ−Ｖ線に沿う模式的断面構造図（封止板の例）。FIG. 5 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line VV in FIG. 1 (an example of a sealing plate). 図１のＶ−Ｖ線に沿う模式的断面構造図（封止膜の例）。FIG. 5 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line VV in FIG. 1 (an example of a sealing film). 図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 4 is a schematic sectional view taken along line VI-VI in FIG. 1. 図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line VII-VII in FIG. 1. 本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の基板構成例１（封止板の例）。1 shows a substrate configuration example 1 (an example of a sealing plate) of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の基板構成例２（封止膜の例）。2 is a substrate configuration example 2 (an example of a sealing film) of the organic EL device according to the first embodiment of the invention. 本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置のボトムエミッション型の構成例。1 is a bottom emission type configuration example of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置のボトムおよびトップエミッション型の構成例。1 shows a bottom and top emission type configuration example of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置のトップエミッション型の構成例。1 is a top emission type configuration example of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の直列接続構成例。1 is a series connection configuration example of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 図１１に対応する等価回路構成図。The equivalent circuit block diagram corresponding to FIG. 本発明の第１の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成図。The typical plane pattern block diagram of the organic electroluminescent apparatus which concerns on the modification of the 1st Embodiment of this invention. 図１３のＩＸ−ＩＸ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 14 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line IX-IX in FIG. 13. 図１３のＸ−Ｘ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 14 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line XX in FIG. 13. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成図。The typical plane pattern block diagram of the organic electroluminescent apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図１６のＸＩ−ＸＩ線に沿う模式的断面構造図（封止板の例）。FIG. 17 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along the line XI-XI in FIG. 16 (an example of a sealing plate). 図１６のＸＩ−ＸＩ線に沿う模式的断面構造図（封止膜の例）。FIG. 17 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line XI-XI in FIG. 16 (an example of a sealing film). 図１６のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 17 is a schematic sectional view taken along line XII-XII in FIG. 16. 図１６のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 17 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line XIII-XIII in FIG. 16. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一工程を説明する模式的平面パターン構成図（その１）。Typical plane pattern block diagram explaining 1 process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus based on the 2nd Embodiment of this invention (the 1). （ａ）図２１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｂ）図２１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。(A) The typical cross-section figure along the XII-XII line of FIG. 21, (b) The typical cross-section figure along the XIII-XIII line of FIG. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一工程を説明する模式的平面パターン構成図（その２）。Typical plane pattern block diagram explaining the 1 process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning the 2nd Embodiment of this invention (the 2). （ａ）図２３のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｂ）図２３のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 24A is a schematic cross-sectional structure diagram taken along a line XII-XII in FIG. 23, and FIG. 23B is a schematic cross-sectional structure diagram along a line XIII-XIII in FIG. 23. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一工程を説明する模式的平面パターン構成図（その３）。Schematic plane pattern block diagram explaining the 1 process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning the 2nd Embodiment of this invention (the 3). （ａ）図２５のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｂ）図２５のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。(A) Schematic cross-sectional structure diagram along line XII-XII in FIG. 25, (b) Schematic cross-sectional structure diagram along line XIII-XIII in FIG. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一工程を説明する模式的平面パターン構成図（その４）。Typical plane pattern block diagram explaining the 1 process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning the 2nd Embodiment of this invention (the 4). （ａ）図２７のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｂ）図２７のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。(A) Schematic cross-sectional structure diagram along line XII-XII in FIG. 27, (b) Schematic cross-sectional structure diagram along line XIII-XIII in FIG. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一工程を説明する模式的平面パターン構成図（その５）。Typical plane pattern block diagram (the 5) explaining 1 process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus based on the 2nd Embodiment of this invention. （ａ）図２９のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｂ）図２９のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。(A) Schematic cross-sectional structure diagram along line XII-XII in FIG. 29, (b) Schematic cross-sectional structure diagram along line XIII-XIII in FIG. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一工程を説明する模式的平面パターン構成図（その６）。Typical plane pattern block diagram (the 6) explaining 1 process of the manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus concerning the 2nd Embodiment of this invention. （ａ）図３１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｂ）図３１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 32A is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line XII-XII in FIG. 31, and FIG. 31B is a schematic cross-sectional structure diagram along line XIII-XIII in FIG. 31. 本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の一工程を説明する図（その７）であって、（ａ）図３１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｂ）図３１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 7 is a view (No. 7) for explaining a step of the method of manufacturing an organic EL device according to the second embodiment of the invention, (a) a schematic cross-sectional structure diagram taken along line XII-XII in FIG. (B) The typical cross-section figure which follows the XIII-XIII line | wire of FIG. 従来の有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成図。The typical plane pattern block diagram of the conventional organic EL apparatus. 図３４のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 35 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along the line II of FIG. 図３４のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 35 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along the line II-II in FIG. 34. 別の従来の有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成図。The typical plane pattern block diagram of another conventional organic electroluminescent apparatus. 図３７のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 38 is a schematic cross-sectional structure diagram taken along line III-III in FIG. 37. 図３７のＩＶ−ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。FIG. 40 is a schematic sectional view taken along line IV-IV in FIG. 37.

次に、図面を参照して、本発明の第１の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。 Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

又、以下に示す第１〜第６の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。 Also, the following first to sixth embodiments exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the embodiments of the present invention are components. The material, shape, structure, arrangement, etc. are not specified below. Various modifications can be made to the embodiment of the present invention within the scope of the claims.

[第１の実施の形態]
（有機ＥＬ装置）
本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成は、図１に示すように表され、図１のＶ−Ｖ線に沿う模式的断面構造（封止板の例）は、図２に示すように表され、図１のＶ−Ｖ線に沿う模式的断面構造（封止膜の例）は、図３に示すように表され、図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う模式的断面構造は、図４に示すように表され、図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図５に示すように表される。 [First embodiment]
(Organic EL device)
A schematic planar pattern configuration of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention is expressed as shown in FIG. 1, and a schematic cross-sectional structure (an example of a sealing plate) taken along line VV in FIG. 1. ) Is expressed as shown in FIG. 2, and a schematic cross-sectional structure (an example of a sealing film) along the line V-V in FIG. 1 is expressed as shown in FIG. 3, and the line VI-VI in FIG. 4 is represented as shown in FIG. 4, and the schematic sectional structure taken along line VII-VII in FIG. 1 is represented as shown in FIG.

図１は、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１をパネル裏面（非発光面）側から見た模式図である。 FIG. 1 is a schematic view of the organic EL device 1 according to the first embodiment viewed from the panel back surface (non-light emitting surface) side.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、図１〜図５に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋと、第１電極層１２Ａ上に配置された有機ＥＬ層１４と、有機ＥＬ層１４上に配置され、第２電極層１２Ｋと接続される第３電極層１６Ｋと、第３電極層１６Ｋ上に接着層１８ａを介して配置された封止層１８と、封止層１８上に粘着剤２０を介して配置された第１導電層２２Ａと、第１導電層２２Ａ上に配置された絶縁層２４と、絶縁層２４上に配置された第２導電層２６Ｋとを備える。 As shown in FIGS. 1 to 5, the organic EL device 1 according to the first embodiment includes a substrate 10, a first electrode layer 12 A and a second electrode layer 12 K disposed on the substrate 10, and a first An organic EL layer 14 disposed on the electrode layer 12A, a third electrode layer 16K disposed on the organic EL layer 14 and connected to the second electrode layer 12K, and an adhesive layer 18a on the third electrode layer 16K. The first conductive layer 22A disposed on the sealing layer 18 via the adhesive 20, the insulating layer 24 disposed on the first conductive layer 22A, the insulating layer 24, a second conductive layer 26 K disposed on 24.

また、図１に示すように、基板１０は四角形の形状を備える。第２電極層１２Ｋは基板１０の４角形の４隅に配置された三角形の形状を備える。第１電極層１２Ａは基板１０の４角形の４隅に配置された三角形の形状を除く８角形の形状を備える。第３電極層１６Ｋは、基板１０の４角形の４隅に配置された第２電極層１２Ｋ上に延在し、コンタクト部１６Ｃにおいて第２電極層１２Ｋと接続されている。 Further, as shown in FIG. 1, the substrate 10 has a quadrangular shape. The second electrode layer 12 K has a triangular shape disposed at the four corners of the quadrangle of the substrate 10. The first electrode layer 12 A has an octagonal shape excluding a triangular shape disposed at four corners of the quadrangle of the substrate 10. The third electrode layer 16K extends on the second electrode layer 12K disposed at the four corners of the quadrangle of the substrate 10, and is connected to the second electrode layer 12K at the contact portion 16C.

また、図５に示すように、第１導電層２２Ａは、基板１０の４角形の４辺において、第２導電層２６Ｋよりも基板１０の外周側に延在し、かつ第１電極層１２Ａに接続されている。また、図４に示すように、第２導電層２６Ｋは、基板１０の４角形の４隅において、第１導電層２２Ａよりも基板１０の外周側に延在し、かつ第２電極層１２Ｋに接続されている。 Further, as shown in FIG. 5, the first conductive layer 22A extends on the outer peripheral side of the substrate 10 with respect to the second conductive layer 26K on the four sides of the quadrangle of the substrate 10, and is formed on the first electrode layer 12A. It is connected. In addition, as shown in FIG. 4, the second conductive layer 26K extends at the four corners of the quadrangle of the substrate 10 to the outer peripheral side of the substrate 10 relative to the first conductive layer 22A, and is formed on the second electrode layer 12K. It is connected.

また、図５に示すように、第１導電層２２Ａは、基板１０の４角形の４辺において、第１半田層３６Ａを介して第１電極層１２Ａに接続されている。また、図４に示すように、第２導電層２６Ｋは、基板１０の４角形の４隅において、第２半田層３６Ｋを介して第２電極層１２Ｋに接続されている。 Also, as shown in FIG. 5, the first conductive layer 22A is connected to the first electrode layer 12A via the first solder layer 36A on the four sides of the quadrangle of the substrate 10. As shown in FIG. 4, the second conductive layer 26 K is connected to the second electrode layer 12 K via the second solder layer 36 K at the four corners of the quadrangle of the substrate 10.

さらに、第２導電層２６Ｋ上には、絶縁層２８を備え、第１半田層３６Ａおよび第２半田層３６Ｋ上には、被覆層３０を備える。第１導電層２２Ａおよび／または第２導電層２６Ｋが相対的に薄く形成される場合には、絶縁層２８上には、後述する図１９〜図２０と同様の均熱板３２を配置しても良い。 Furthermore, the insulating layer 28 is provided on the second conductive layer 26K, and the coating layer 30 is provided on the first solder layer 36A and the second solder layer 36K. When the first conductive layer 22A and / or the second conductive layer 26K is formed relatively thin, a heat equalizing plate 32 similar to that shown in FIGS. 19 to 20 described later is disposed on the insulating layer 28. Also good.

また、第１導電層２２Ａおよび第２導電層２６Ｋは、同一の金属材料からなる金属シートで形成され、絶縁層２４は、絶縁シートで形成されていても良い。 Further, the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K may be formed of a metal sheet made of the same metal material, and the insulating layer 24 may be formed of an insulating sheet.

また、基板１０の４辺に配置された第１電極層１２Ａの内、１箇所、２箇所または３箇所において接続された第１電源コード４２と、基板１０の４隅に配置された第２電極層１２Ｋの内、１箇所、２箇所または３箇所において接続された第２電源コード４０とを備えていても良い。すなわち、第２電源コード４０の取り出し方は、基板１０の４隅の第２電極層１２Ｋの４箇所の内、１箇所、２箇所、若しくは３箇所から取り出しても良い。同様に、第１電源コード４２の取り出し方は、基板１０の４辺の第１電極層１２Ａの４箇所の内、１箇所、２箇所、若しくは３箇所から取り出しても良い。このように構成することによって、電源ケーブルの本数を低減し、有機ＥＬ装置１の実装面で、構造を簡略化することができる。 In addition, among the first electrode layers 12 A disposed on the four sides of the substrate 10, the first power cord 42 connected at one, two, or three locations, and the second electrode disposed at the four corners of the substrate 10. You may provide the 2nd power cord 40 connected in one place, two places, or three places among the layers 12K. That is, the second power cord 40 may be taken out from one place, two places, or three places among the four places of the second electrode layer 12 K at the four corners of the substrate 10. Similarly, the first power cord 42 may be taken out from one place, two places, or three places among the four places of the first electrode layer 12A on the four sides of the substrate 10. With this configuration, the number of power cables can be reduced, and the structure can be simplified on the mounting surface of the organic EL device 1.

また、封止層１８は、図２、および図４〜図５に示すように、封止板１８で形成されていても良い。 Moreover, the sealing layer 18 may be formed with the sealing board 18, as shown in FIG. 2 and FIGS.

また、封止層１８は、図３に示すように、封止膜１９で形成されていても良い。 Further, the sealing layer 18 may be formed of a sealing film 19 as shown in FIG.

また、封止層１８は、接着層１８ａから伝わる熱を外部に放熱する機能を担っているので、熱伝導率の高いものが望ましい。 Moreover, since the sealing layer 18 has a function of radiating the heat transmitted from the adhesive layer 18a to the outside, a material having a high thermal conductivity is desirable.

基板１０は、光を透過する透明基板として、例えば、ガラス基板を適用することができる。厚さは、例えば、約０．１〜１．１ｍｍ程度である。基板１０にポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート等の透明な樹脂を用いてフレキシブル性を持たせることも可能である。 As the substrate 10, for example, a glass substrate can be applied as a transparent substrate that transmits light. The thickness is, for example, about 0.1 to 1.1 mm. The substrate 10 can be made flexible by using a transparent resin such as polycarbonate or polyethylene terephthalate.

第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋは、厚さが、例えば、約１５０〜１６０ｎｍ程度のＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）の透明電極で形成することができる。 The first electrode layer 12A and the second electrode layer 12K can be formed of ITO (indium-tin oxide) transparent electrodes having a thickness of, for example, about 150 to 160 nm.

有機ＥＬ層１４は、基板１０側から、例えば、正孔輸送層、発光層および電子輸送層が順次積層されている。 In the organic EL layer 14, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the substrate 10 side.

正孔輸送層は、第１電極層１２Ａから注入された正孔を円滑に発光層に輸送するための層であり、例えば、厚さが約６０ｎｍ程度のＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）で形成することができる。 The hole transport layer is a layer for smoothly transporting holes injected from the first electrode layer 12A to the light emitting layer. For example, NPB (N, N-di (naphthalyl) having a thickness of about 60 nm is used. -N, N-diphenyl-benzylidene).

電子輸送層は、第３電極層１６Ｋから注入された電子を円滑に発光層に輸送するための層であり、例えば、厚さが約３５ｎｍ程度のＡｌｑ_３（アルミニウムキノリノール錯体）で形成することができる。 The electron transport layer is a layer for smoothly transporting electrons injected from the third electrode layer 16K to the light emitting layer, and may be formed of, for example, Alq ₃ (aluminum quinolinol complex) having a thickness of about 35 nm. it can.

発光層は、注入された正孔および電子が再結合して発光するための層であり、例えば、発光種であるクマリン化合物（Ｃ５４５Ｔ）が約１％程度ドーピングされ、厚さが約３０ｎｍ程度のＡｌｑ_３で形成することができる。 The light emitting layer is a layer for emitting light by recombination of injected holes and electrons. For example, the light emitting layer is doped with about 1% of a coumarin compound (C545T) as a light emitting species and has a thickness of about 30 nm. it can be formed by Alq _3.

なお、有機ＥＬ層１４は、上記、正孔輸送層、電子輸送層以外の層、例えば、正孔注入層、電子注入層等を用いて構成しても良い。 In addition, you may comprise the organic EL layer 14 using layers other than the said positive hole transport layer and an electron carrying layer, for example, a positive hole injection layer, an electron injection layer, etc.

第３電極層１６Ｋは、例えば、厚さが約１５０ｎｍ程度で、材質が、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の蒸着膜で形成することができる。 The third electrode layer 16K can be formed of, for example, a vapor deposition film having a thickness of about 150 nm and a material of, for example, aluminum (Al).

封止板１８と第３電極層１６Ｋ、有機ＥＬ層１４、第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋを接着するための接着層１８ａは、有機ＥＬ層１４を封止すると共に、有機ＥＬ層１４で発生したジュール熱を封止板１８側に伝え、放熱させるための層である。接着層１８ａは、厚さが、例えば、約３〜５００μｍ程度である。 The adhesive layer 18a for adhering the sealing plate 18 to the third electrode layer 16K, the organic EL layer 14, the first electrode layer 12A, and the second electrode layer 12K seals the organic EL layer 14 and the organic EL layer. 14 is a layer for transmitting Joule heat generated at 14 to the sealing plate 18 side to dissipate heat. The adhesive layer 18a has a thickness of about 3 to 500 μm, for example.

同様に、封止板１８と第１導電層２２Ａおよび第２導電層２６Ｋを粘着するための粘着剤２０は、封止板１８の熱を第１導電層２２Ａおよび第２導電層２６Ｋ側に伝え、放熱させるためのものである。粘着剤２０は、厚さが、例えば、約３〜５００μｍ程度である。 Similarly, the adhesive 20 for adhering the sealing plate 18 to the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K transmits the heat of the sealing plate 18 to the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K side. , To dissipate heat. The pressure-sensitive adhesive 20 has a thickness of about 3 to 500 μm, for example.

接着層１８ａおよび粘着剤２０の材質としては、上述の機能を有するのものであれば、特に限定はされないが、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、或いはＵＶ硬化樹脂等が挙げられる。好ましくは、熱可塑性樹脂を用いるのがよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリカーボネートなどの樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂は、好ましくは、加熱により軟化させた状態において、有機ＥＬ層１４よりも流動性を有するのがよい。熱可塑性樹脂の粘度は、例えば、加熱により軟化させた状態において、約１×１０^４Ｐａ・ｓ(パスカル・セカンド)未満であるのがよい。好ましくは、約１×１０〜１×１０^４Ｐａ・ｓ程度の範囲であるのがよい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。また、ＵＶ硬化樹脂としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂等が挙げられる。 The material of the adhesive layer 18a and the pressure-sensitive adhesive 20 is not particularly limited as long as it has the functions described above, and examples thereof include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a UV curable resin. Preferably, a thermoplastic resin is used. Examples of the thermoplastic resin include resins such as vinyl chloride resin, polyethylene, polypropylene, acrylic, polyethylene terephthalate, polyamide, and polycarbonate. The thermoplastic resin preferably has fluidity than the organic EL layer 14 in a state where the thermoplastic resin is softened by heating. The viscosity of the thermoplastic resin may be, for example, less than about 1 × 10 ⁴ Pa · s (pascal second) when softened by heating. Preferably, the range is about 1 × 10 to 1 × 10 ⁴ Pa · s. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, a polyurethane resin, and a melamine resin. Examples of the UV curable resin include acrylic resins, epoxy resins, and polyester resins.

第１導電層２２Ａおよび第２導電層２６Ｋを金属シートで構成する場合、金属シートの材質は、その抵抗値や熱伝導性およびコスト面から、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ステンレスなどを用いることができる。なお、第１導電層２２Ａおよび第２導電層２６Ｋは、同一金属材料を用いることによって、有機ＥＬ層１４との間の接触電位を同等にすることができる。 In the case where the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K are formed of a metal sheet, the metal sheet is made of aluminum (Al), copper (Cu), stainless steel, etc. from the viewpoint of resistance, thermal conductivity, and cost. Can be used. Note that the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K can have the same contact potential with the organic EL layer 14 by using the same metal material.

金属シートの厚さ、すなわち、金属部の正味の厚さは、約１μｍ〜１ｍｍである。例えば、厚さ１００μｍ以上の厚い金属シートを適用する場合には、有機ＥＬ層パネルから発生するジュール熱を拡散（均熱化）し、有機ＥＬパネル内の温度分布を良好にする均熱板の効果も兼ねることができ、均熱板を省略することができる。 The thickness of the metal sheet, that is, the net thickness of the metal part is about 1 μm to 1 mm. For example, when a thick metal sheet having a thickness of 100 μm or more is applied, a soaking plate that diffuses (soaking) Joule heat generated from the organic EL layer panel to improve the temperature distribution in the organic EL panel. An effect can also be achieved and a soaking plate can be omitted.

なお、第１導電層２２Ａおよび第２導電層２６Ｋは、金属シートに限定されるものではなく、スパッタ膜などで形成された導電層で形成されていても良い。 The first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K are not limited to metal sheets, and may be formed of a conductive layer formed of a sputtered film or the like.

絶縁層２４および絶縁層２８を絶縁シートで形成する場合、熱伝導性の良好な材料を選択すると良い。例えば、λゲルシートを適用することができる。λゲルシートの特性は、例えば、以下の通りである。形態は、シート状熱伝導性ゲルシート形状を有する。厚さは、例えば、０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、２．０ｍｍ、３．０ｍｍ程度である。熱伝導率は、６．５Ｗ／ｍ・Ｋであり、かつ、熱伝導は等方性である。体積抵抗率は、５．７×１０¹²Ω・ｃｍ、絶縁破壊強度は、７．２ＫＶ／ｍｍである。 When the insulating layer 24 and the insulating layer 28 are formed of insulating sheets, it is preferable to select a material with good thermal conductivity. For example, a λ gel sheet can be applied. The characteristics of the λ gel sheet are, for example, as follows. The form has a sheet-like thermally conductive gel sheet shape. The thickness is, for example, about 0.5 mm, 1.0 mm, 2.0 mm, or 3.0 mm. The thermal conductivity is 6.5 W / m · K, and the thermal conductivity is isotropic. The volume resistivity is 5.7 × 10 ¹² Ω · cm, and the dielectric breakdown strength is 7.2 KV / mm.

なお、絶縁層２４および絶縁層２８は、シート材に限定されるものではなく、プラズマ化学的気相堆積法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）やスパッタリング法で形成された酸化膜、窒化膜であっても良い。 The insulating layer 24 and the insulating layer 28 are not limited to sheet materials, and are oxide films and nitride films formed by plasma chemical vapor deposition (CVD) or sputtering. Also good.

また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１においては、接着層１８ａにシート状の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることもでき、この場合、室温において接着層１８ａの形状を保持することができる。これにより有機ＥＬ装置１の大型化にも有利となる。 In the organic EL device 1 according to the first embodiment, a sheet-like thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be used for the adhesive layer 18a. In this case, the shape of the adhesive layer 18a is set at room temperature. Can be held. This is also advantageous for increasing the size of the organic EL device 1.

また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１によれば、接着層１８ａとしてシート状の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いるので、製造プロセスにおいて、ロール式の供給形態をとることができる。これにより、製造工程の効率化を図ることも可能となる。 Further, according to the organic EL device 1 according to the first embodiment, since a sheet-like thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like is used as the adhesive layer 18a, a roll-type supply form is taken in the manufacturing process. Can do. Thereby, the efficiency of the manufacturing process can be improved.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１の動作は以下の通りである。 The operation of the organic EL device 1 according to the first embodiment is as follows.

まず、有機ＥＬ装置１の第１電極層１２Ａおよび第３電極層１６Ｋの間に一定の電圧が印加される。これにより、第１電極層１２Ａから正孔輸送層を介して発光部に正孔が注入されるとともに、第３電極層１６Ｋから電子輸送層を介して発光部に電子が注入される。発光部に注入された正孔と電子とが再結合することによって、光を発光する。発光された光は、基板１０を介して外部に出射される。 First, a constant voltage is applied between the first electrode layer 12A and the third electrode layer 16K of the organic EL device 1. Thereby, holes are injected from the first electrode layer 12A into the light emitting part through the hole transport layer, and electrons are injected from the third electrode layer 16K into the light emitting part through the electron transport layer. Light is emitted by recombination of holes and electrons injected into the light emitting portion. The emitted light is emitted to the outside through the substrate 10.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１においては、基板１０として、ガラス基板またはプラスチック基板のどちらか若しくは各々を貼り合せた複板型有機ＥＬ照明パネル、または一方を封止膜１９で封止した単板型有機ＥＬ照明パネルの構成において、パネル外周に取り出された複数のプラス側端子（陽極端子）および複数のマイナス側端子（陰極端子）各々を接続し、電源ケーブルを一箇所または各々の端子数よりも少なく取り纏めるために、導電層若しくは金属シートによるパネル裏面側（非発光面側）での立体配線構造を適用している。 In the organic EL device 1 according to the first embodiment, as the substrate 10, either a glass substrate or a plastic substrate or a multi-plate organic EL lighting panel in which each is bonded, or one is sealed with a sealing film 19. In the configuration of the stopped single-plate organic EL lighting panel, a plurality of positive terminals (anode terminals) and a plurality of negative terminals (cathode terminals) taken out from the outer periphery of the panel are connected to each other, and a power cable is connected to one place or each In order to collect less than the number of terminals, a three-dimensional wiring structure on the panel rear surface side (non-light emitting surface side) using a conductive layer or a metal sheet is applied.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置においては、例えば、銅シートやアルミニウムシートなどを用い、複数の陰極端子と陽極端子各々をパネル裏面において２次元的に接続し、陰極側金属シートと陽極側金属シートの間に、絶縁シートを挟持して、立体的に交差させる構造を適用している。金属シートの厚さや絶縁シートの厚さを自由に選択可能であるため、使用電流値や使用電圧に制限を受けることなく、安全な構造を省スペースにて提供することができる。 In the organic EL device according to the first embodiment, for example, a copper sheet or an aluminum sheet is used, and a plurality of cathode terminals and anode terminals are connected two-dimensionally on the back surface of the panel, and the cathode side metal sheet and anode are connected. A structure in which an insulating sheet is sandwiched between the side metal sheets and three-dimensionally crossed is applied. Since the thickness of the metal sheet and the thickness of the insulating sheet can be freely selected, a safe structure can be provided in a space-saving manner without being limited by the use current value or the use voltage.

また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置においては、金属シートを予め所定の形状に加工しておくことによって、後の製造工程において、外周端子部に半田付けやＡＣＦ接続等の自動化可能な方法を適用することができる。 Further, in the organic EL device according to the first embodiment, by processing the metal sheet into a predetermined shape in advance, it is possible to automate soldering, ACF connection, etc. to the outer peripheral terminal portion in the subsequent manufacturing process. Various methods can be applied.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置によれば、金属シートの厚さや絶縁シートの厚さを自由に選択可能であるため、使用電流値や使用電圧に制限を受けることなく、有機ＥＬパネルの大型化、低コスト化および電気的安全性の要求の確保をすることができる。 According to the organic EL device according to the first embodiment, since the thickness of the metal sheet and the thickness of the insulating sheet can be freely selected, the organic EL panel is not limited by the use current value or the use voltage. It is possible to increase the size, reduce the cost, and secure the requirements for electrical safety.

（基板構成例）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、図６に示すように、基板１０が透明基板で形成され、封止層１８が封止板で形成された複板型構造を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、封止層１８は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。なお、図６においては、電極層などの他の構成は図示を省略している。 (Substrate configuration example)
As shown in FIG. 6, the organic EL device 1 according to the first embodiment has a multi-plate structure in which the substrate 10 is formed of a transparent substrate and the sealing layer 18 is formed of a sealing plate. Also good. Here, the substrate 10 is formed of, for example, a glass substrate or a plastic substrate, and the sealing layer 18 is formed of, for example, a glass substrate, a plastic substrate, or the like. In FIG. 6, other configurations such as an electrode layer are not shown.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、図７に示すように、基板１０が透明基板で形成され、封止層１８が封止膜１９で形成された単板型構造を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、封止層１８は、例えば、ＣＶＤ酸化膜、ＣＶＤ窒化膜などで形成される。なお、図７においては、電極層などの他の構成は図示を省略している。 As shown in FIG. 7, the organic EL device 1 according to the first embodiment has a single plate structure in which the substrate 10 is formed of a transparent substrate and the sealing layer 18 is formed of a sealing film 19. May be. Here, the substrate 10 is formed of, for example, a glass substrate or a plastic substrate, and the sealing layer 18 is formed of, for example, a CVD oxide film, a CVD nitride film, or the like. In FIG. 7, other configurations such as an electrode layer are not shown.

複板型構造において基板構成をフレキシブル化するためには、基板１０および封止板１８に、ともにプラスチック基板などを適用すると良い。 In order to make the substrate configuration flexible in the multi-plate structure, it is preferable to apply a plastic substrate or the like to both the substrate 10 and the sealing plate 18.

単板型構造において基板構成をフレキシブル化するためには、基板１０に、プラスチック基板などを適用すると良い。 In order to make the substrate configuration flexible in the single plate structure, a plastic substrate or the like may be applied to the substrate 10.

（エミッション構成）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、図８に示すように、基板１０が透明基板で形成され、第３電極層１６Ｋが金属層で形成されたボトムエミッション構成を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、第３電極層１６Ｋは、例えば、アルミニウム蒸着膜で形成され、封止層１８は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。 (Emission composition)
As shown in FIG. 8, the organic EL device 1 according to the first embodiment has a bottom emission configuration in which the substrate 10 is formed of a transparent substrate and the third electrode layer 16K is formed of a metal layer. good. Here, the substrate 10 is formed of, for example, a glass substrate or a plastic substrate, the third electrode layer 16K is formed of, for example, an aluminum vapor deposition film, and the sealing layer 18 is formed of, for example, a glass substrate, a plastic substrate, or the like. Is done.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、図９に示すように、基板１０が透明基板で形成され、第１電極層１２Ａおよび第３電極層１６Ｋが透明電極で形成されたトップエミッションおよびボトムエミッション構成を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板で形成され、第１電極層１２Ａおよび第３電極層１６Ｋは、例えば、ＩＴＯで形成され、封止層１８は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。なお、図７と同様に、封止膜１９を用いても良い。 As shown in FIG. 9, the organic EL device 1 according to the first embodiment has a top emission in which the substrate 10 is formed of a transparent substrate, and the first electrode layer 12A and the third electrode layer 16K are formed of transparent electrodes. And a bottom emission configuration. Here, the substrate 10 is formed of, for example, a glass substrate or a plastic substrate, the first electrode layer 12A and the third electrode layer 16K are formed of, for example, ITO, and the sealing layer 18 is formed of, for example, a glass substrate or plastic. It is formed of a substrate or the like. Note that the sealing film 19 may be used as in FIG.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、図１０に示すように、基板１０が不透明基板で形成され、第１電極層１２Ａが金属層で形成され、第３電極層１６Ｋは透明電極で形成されたトップエミッション構成を備えていても良い。ここで、基板１０は、例えば、シリコン基板で形成され、第１電極層１２Ａは、例えば、アルミニウム蒸着膜で形成され、第３電極層１６Ｋは、例えば、ＩＴＯで形成され、封止層１８は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板などで形成される。なお、図７と同様に、封止膜１９を用いても良い。 In the organic EL device 1 according to the first embodiment, as shown in FIG. 10, the substrate 10 is formed of an opaque substrate, the first electrode layer 12A is formed of a metal layer, and the third electrode layer 16K is a transparent electrode. The top emission structure formed by may be provided. Here, the substrate 10 is formed of, for example, a silicon substrate, the first electrode layer 12A is formed of, for example, an aluminum vapor deposition film, the third electrode layer 16K is formed of, for example, ITO, and the sealing layer 18 is For example, it is formed of a glass substrate, a plastic substrate, or the like. Note that the sealing film 19 may be used as in FIG.

（直列接続構成例）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の直列接続構成例は、図１１に示すように表され、図１１に対応する等価回路構成は、図１２に示すように表される。 (Series connection configuration example)
An example of a serial connection configuration of the organic EL device according to the first embodiment is expressed as shown in FIG. 11, and an equivalent circuit configuration corresponding to FIG. 11 is expressed as shown in FIG.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の直列接続構成は、図１１〜図１２に示すように、有機ＥＬ装置を複数備え、隣接する有機ＥＬ装置同士の第１電極層１２Ａと第２電極層１２Ｋを互いに直列接続した構成を備える。有機ＥＬ装置をダイオードＤ１〜Ｄ４で表記すると、図１１に対応する等価回路構成は、図１２に示すようにダイオードＤ１〜Ｄ４が直列に接続された構成となる。複数の有機ＥＬ装置の個数をＮとすれば、１個の有機ＥＬ装置の駆動電流Ｉおよび駆動電圧Ｖに比較して、Ｎ個の有機ＥＬ装置は、同一の駆動電流Ｉで駆動することができ、駆動電圧ＶはＮ倍となる。輝度は、同一の駆動電流ＩでＮ倍とすることができる。 As shown in FIGS. 11 to 12, the series connection configuration of the organic EL device according to the first embodiment includes a plurality of organic EL devices, and the first electrode layer 12 A and the second electrode between adjacent organic EL devices. A configuration in which the layers 12K are connected in series to each other is provided. When the organic EL device is represented by diodes D1 to D4, the equivalent circuit configuration corresponding to FIG. 11 is a configuration in which the diodes D1 to D4 are connected in series as shown in FIG. If the number of the plurality of organic EL devices is N, the N organic EL devices can be driven with the same driving current I as compared to the driving current I and the driving voltage V of one organic EL device. The drive voltage V becomes N times. The luminance can be increased N times with the same drive current I.

このような有機ＥＬ装置の直列接続構成例は、電車の車輌内の天井に配置される照明設備、ビル内の天井に配置される照明設備などに適用することができる。 Such a series connection configuration example of organic EL devices can be applied to lighting equipment arranged on a ceiling in a train vehicle, lighting equipment arranged on a ceiling in a building, and the like.

（変形例）
第１の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成は、図１３に示すように表され、図１３のＩＸ−ＩＸ線に沿う模式的断面構造は、図１４に示すように表され、図１３のＸ−Ｘ線に沿う模式的断面構造は、図１５に示すように表される。 (Modification)
A schematic planar pattern configuration of the organic EL device according to the modification of the first embodiment is expressed as shown in FIG. 13, and a schematic cross-sectional structure taken along line IX-IX in FIG. 13 is shown in FIG. A schematic cross-sectional structure taken along line XX in FIG. 13 is expressed as shown in FIG.

図１３は、第１の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置１をパネル裏面（非発光面）側から見た図である。 FIG. 13 is a view of the organic EL device 1 according to a modification of the first embodiment viewed from the panel back surface (non-light emitting surface) side.

第１の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ装置１においては、図１３〜図１５に示すように、絶縁層２４は、基板１０の中央部に配置され、第１導電層２２Ａと第２導電層２６Ｋは、絶縁層２４を介して基板１０の中央部においてのみ積層される。その他の構成は、第１の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。 In the organic EL device 1 according to the modified example of the first embodiment, as shown in FIGS. 13 to 15, the insulating layer 24 is disposed in the central portion of the substrate 10, and the first conductive layer 22 A and the second conductive layer 22 A are arranged. The conductive layer 26 K is laminated only at the central portion of the substrate 10 with the insulating layer 24 interposed therebetween. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and a duplicate description is omitted.

絶縁層２４をλゲルシートで形成する場合、λゲルシートは高価のため、適用面積を低減化することが望ましい。このため、図１３には絶縁層２４の面積を相対的に低減化する平面パターン構成が示されている。 When the insulating layer 24 is formed of a λ gel sheet, it is desirable to reduce the application area because the λ gel sheet is expensive. For this reason, FIG. 13 shows a planar pattern configuration that relatively reduces the area of the insulating layer 24.

さらに、第１導電層２２Ａと第２導電層２６Ｋの占有面積も第１の実施の形態に比べ、省スペース化されている。このため、絶縁層２４のみならず、第１導電層２２Ａおよび第２導電層２６Ｋも省材料化されており、有機ＥＬ装置１の低コスト化を図ることができる。 Furthermore, the occupied area of the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K is also reduced in space compared to the first embodiment. For this reason, not only the insulating layer 24 but also the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K are saved, and the cost of the organic EL device 1 can be reduced.

また、第１導電層２２Ａと第２導電層２６Ｋの積層化面積が低減されることによって、絶縁層２４の面積が相対的に低減化されるため、熱容量が低減され、熱放散が容易となり、有機ＥＬ装置１の熱伝導性も良好に保つことができる。 Moreover, since the area of the insulating layer 24 is relatively reduced by reducing the lamination area of the first conductive layer 22A and the second conductive layer 26K, the heat capacity is reduced and heat dissipation is facilitated. The thermal conductivity of the organic EL device 1 can also be kept good.

[第２の実施の形態]
（有機ＥＬ装置）
本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の模式的平面パターン構成は、図１６に示すように表され、図１６のＸＩ−ＸＩ線に沿う模式的断面構造図（封止板の例）は、図１７に示すように表され、図１６のＸＩ−ＸＩ線に沿う模式的断面構造図（封止膜の例）は、図１８に示すように表され、図１６のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図１９に示すように表され、図１６のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図２０に示すように表される。 [Second Embodiment]
(Organic EL device)
A schematic plane pattern configuration of the organic EL device according to the second embodiment of the present invention is expressed as shown in FIG. 16, and is a schematic cross-sectional configuration diagram (of the sealing plate) along the line XI-XI in FIG. Example) is expressed as shown in FIG. 17, and a schematic cross-sectional structure diagram (example of sealing film) along the line XI-XI in FIG. 16 is expressed as shown in FIG. A schematic cross-sectional structure along the XII line is represented as shown in FIG. 19, and a schematic cross-sectional structure along the XIII-XIII line in FIG. 16 is represented as shown in FIG.

図１６は、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１をパネル裏面（非発光面）側から見た模式図である。 FIG. 16 is a schematic view of the organic EL device 1 according to the second embodiment viewed from the panel back surface (non-light emitting surface) side.

第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、図１６〜図２０に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋと、第１電極層１２Ａ上に配置された有機ＥＬ層１４と、有機ＥＬ層１４上に配置され、第２電極層１２Ｋと接続される第３電極層１６Ｋと、第３電極層１６Ｋ上に接着層１８ａを介して配置された封止層１８と、封止層１８上に粘着剤２０を介して配置された第２導電層２６Ｋと、第２導電層２６Ｋ上に配置された絶縁層２４と、基板１０の最外周に配置されたループ状電極層とを備える。さらに、第１電極層１２Ａ若しくは第２電極層１２Ｋの少なくともいずれか一方の電極同士をループ状電極層により接続している。ＬＡは有機ＥＬ装置１のパネル表面（発光面）の発光エリアをパネル裏面（非発光面）側から透視した様子を模式的に示したものである。 As shown in FIGS. 16 to 20, the organic EL device 1 according to the second embodiment includes a substrate 10, a first electrode layer 12 A and a second electrode layer 12 K disposed on the substrate 10, An organic EL layer 14 disposed on the electrode layer 12A, a third electrode layer 16K disposed on the organic EL layer 14 and connected to the second electrode layer 12K, and an adhesive layer 18a on the third electrode layer 16K. The second conductive layer 26K disposed on the sealing layer 18 via the adhesive 20, the insulating layer 24 disposed on the second conductive layer 26K, and the substrate 10. A loop-shaped electrode layer disposed on the outermost periphery. Furthermore, at least one of the first electrode layer 12A and the second electrode layer 12K is connected by a loop electrode layer. LA schematically shows a state where the light emitting area of the panel surface (light emitting surface) of the organic EL device 1 is seen through from the panel back surface (non-light emitting surface) side.

図１６〜図２０に示される例では、基板１０の最外周に配置されたループ状電極層は、第１電極層１２Ａ上に配置された第１半田層３６Ａによって形成されている。 In the example shown in FIGS. 16 to 20, the loop electrode layer disposed on the outermost periphery of the substrate 10 is formed by the first solder layer 36 A disposed on the first electrode layer 12 A.

第１電極層１２Ａと第２電極層１２Ｋの関係を逆にして、基板１０の最外周に配置されたループ状電極層を、第２電極層１２Ｋ上に配置された第２半田層３６Ｋによって形成しても良い。さらに、第１半田層３６Ａおよび第２半田層３６Ｋ上には、図１９〜図２０に示すように、被覆層３０を備える。 By reversing the relationship between the first electrode layer 12A and the second electrode layer 12K, the loop electrode layer disposed on the outermost periphery of the substrate 10 is formed by the second solder layer 36K disposed on the second electrode layer 12K. You may do it. Furthermore, a coating layer 30 is provided on the first solder layer 36A and the second solder layer 36K, as shown in FIGS.

また、図１６に示すように、基板１０は四角形の形状を備える。第２電極層１２Ｋは基板１０の４角形の４隅に配置された三角形の形状を備える。第１電極層１２Ａは基板１の４角形の４隅に配置された三角形の形状を除く形状を備える。第３電極層１６Ｋは、基板１０の４角形の４隅に配置された第２電極層１２Ｋ上に延在し、コンタクト部１６Ｃにおいて第２電極層１２Ｋと接続されている。 Further, as shown in FIG. 16, the substrate 10 has a quadrangular shape. The second electrode layer 12 K has a triangular shape disposed at the four corners of the quadrangle of the substrate 10. The first electrode layer 12 A has a shape excluding the triangular shape disposed at the four corners of the quadrangle of the substrate 1. The third electrode layer 16K extends on the second electrode layer 12K disposed at the four corners of the quadrangle of the substrate 10, and is connected to the second electrode layer 12K at the contact portion 16C.

また、図１９に示すように、第２導電層２６Ｋは、基板１０の４角形の４隅において、第３電極層１６Ｋよりも基板１０の外周側に延在し、かつ第２電極層１２Ｋに接続されている。 Further, as shown in FIG. 19, the second conductive layer 26K extends at the four corners of the quadrangle of the substrate 10 to the outer peripheral side of the substrate 10 relative to the third electrode layer 16K, and is formed on the second electrode layer 12K. It is connected.

また、図１９に示すように、第２導電層２６Ｋは、基板１０の４角形の４隅において、第２半田層３６Ｋを介して第２電極層１２Ｋに接続されている。 As shown in FIG. 19, the second conductive layer 26 K is connected to the second electrode layer 12 K via the second solder layer 36 K at the four corners of the quadrangle of the substrate 10.

また、ループ状電極層は、図１６、図１９〜図２０に示すように、基板１０の最外周に配置された第１電極層１２Ａ上に配置され、かつ基板１０の４角形の４辺において第１電極層１２Ａ上に配置された第１半田層３６Ａにより形成されている。 In addition, as shown in FIGS. 16 and 19 to 20, the loop electrode layer is disposed on the first electrode layer 12 A disposed on the outermost periphery of the substrate 10, and on the four sides of the square of the substrate 10. The first solder layer 36A is disposed on the first electrode layer 12A.

また、封止層１８は、図１７、および図１９〜図２０に示すように、封止板１８で形成されていても良い。 Moreover, the sealing layer 18 may be formed of the sealing plate 18 as shown in FIGS. 17 and 19 to 20.

また、封止層１８は、図１８に示すように、封止膜１９で形成されていても良い。 Further, the sealing layer 18 may be formed of a sealing film 19 as shown in FIG.

また、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１においても、第１の実施の形態と同様に、基板１０は透明基板で形成され、第３電極層１６Ｋは金属層で形成されたボトムエミッション構成を備えていても良い。 Also in the organic EL device 1 according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the substrate 10 is formed of a transparent substrate, and the third electrode layer 16K is formed of a metal layer. A configuration may be provided.

また、基板１０は透明基板で形成され、第１電極層１２Ａおよび第３電極層１６Ｋは透明電極で形成されたトップエミッションおよびボトムエミッション構成を備えていても良い。 The substrate 10 may be formed of a transparent substrate, and the first electrode layer 12A and the third electrode layer 16K may have a top emission and bottom emission configuration formed of a transparent electrode.

また、基板１０は不透明基板で形成され、第１電極層１２Ａは金属層で形成され、第３電極層１６Ｋは透明電極で形成されたトップエミッション構成を備えていても良い。 The substrate 10 may be formed of an opaque substrate, the first electrode layer 12A may be formed of a metal layer, and the third electrode layer 16K may have a top emission structure formed of a transparent electrode.

また、第２導電層２６Ｋは金属シートで形成され、絶縁層２４は絶縁シートで形成されていても良い。 The second conductive layer 26K may be formed of a metal sheet, and the insulating layer 24 may be formed of an insulating sheet.

また、図１９〜図２０に示すように、絶縁層２４上に配置された均熱板３２を備えていても良い。ここで、均熱板３２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）で形成される。なお、均熱板３２の代わりに、グラファイトシートを用いることもできる。 Moreover, as shown in FIGS. 19-20, you may provide the heat equalizing plate 32 arrange | positioned on the insulating layer 24. FIG. Here, the soaking plate 32 is made of, for example, aluminum (Al). Instead of the soaking plate 32, a graphite sheet can be used.

なお、第２導電層２６Ｋが、金属シートで形成され、かつ、金属シートの厚さが均熱効果が得られる程度まで厚く形成される場合には、均熱板３２を省略することもできる。 In addition, when the 2nd conductive layer 26K is formed with a metal sheet and the thickness of the metal sheet is thick enough to obtain a soaking effect, the soaking plate 32 can be omitted.

また、第２の実施の形態においても有機ＥＬ装置を複数備え、隣接する有機ＥＬ装置同士の第１電極層１２Ａと第２電極層１２Ｋを互いに直列接続し、複数の有機ＥＬ装置を同一電流で駆動することもできる。 Also in the second embodiment, a plurality of organic EL devices are provided, the first electrode layer 12A and the second electrode layer 12K of adjacent organic EL devices are connected in series, and the plurality of organic EL devices are connected with the same current. It can also be driven.

第２の実施の形態においても各部の構成で第１の実施の形態の構成と重複する部分は、同様であるため、重複説明は省略する。 Also in the second embodiment, the same parts as those of the first embodiment in the configuration of each part are the same, and thus the duplicate description is omitted.

（有機ＥＬ装置の製造方法）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、図２１〜図３３に示すように表される。なお、図２１に示す第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋの平面パターン構成例は、製造方法の説明のため、簡単化されているが、図１６に示した第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋの平面パターン構成例と実質的に同様である。 (Method for manufacturing organic EL device)
The manufacturing method of the organic EL device according to the second embodiment is expressed as shown in FIGS. Note that the planar pattern configuration example of the first electrode layer 12A and the second electrode layer 12K shown in FIG. 21 is simplified for explanation of the manufacturing method, but the first electrode layer 12A and the second electrode layer 12A shown in FIG. This is substantially the same as the planar pattern configuration example of the two-electrode layer 12K.

第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、図２１〜図３３に示すように、基板１０上に第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋを形成する工程と、第１電極層１２Ａ上に有機ＥＬ層１４を形成する工程と、有機ＥＬ層１４上に、第２電極層１２Ｋと接続される第３電極層１６Ｋを形成する工程と、第３電極層１６Ｋ上に接着層１８ａを介して封止層１８を形成する工程と、第１電極層１２Ａ上に第１半田層３６Ａ、第２電極層１２Ｋ上に第２半田層３６Ｋを形成する工程と、封止層１８上に第２導電層２６Ｋを形成する工程と、第２導電層２６Ｋ上に絶縁層２４を形成する工程とを有する。 The manufacturing method of the organic EL device according to the first embodiment includes a step of forming the first electrode layer 12A and the second electrode layer 12K on the substrate 10 as shown in FIGS. A step of forming the organic EL layer 14 on the layer 12A, a step of forming the third electrode layer 16K connected to the second electrode layer 12K on the organic EL layer 14, and an adhesive layer on the third electrode layer 16K. Forming a sealing layer 18 via 18a, forming a first solder layer 36A on the first electrode layer 12A, forming a second solder layer 36K on the second electrode layer 12K, and on the sealing layer 18 The step of forming the second conductive layer 26K and the step of forming the insulating layer 24 on the second conductive layer 26K.

また、第２導電層２６Ｋを形成する工程後、第２半田層３６Ｋ上に第３半田層３７Ｋを形成する工程を有する。さらに、第１半田層３６Ｋおよび第２半田層３６Ａ上に被覆層３０を形成する工程を有する。 Further, after the step of forming the second conductive layer 26K, there is a step of forming the third solder layer 37K on the second solder layer 36K. Furthermore, it has the process of forming the coating layer 30 on the first solder layer 36K and the second solder layer 36A.

さらに、絶縁層２４上に均熱板３２を形成する工程を有していても良い。 Further, a step of forming the soaking plate 32 on the insulating layer 24 may be included.

以下に、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を詳述する。 The method for manufacturing the organic EL device according to the first embodiment will be described in detail below.

（ａ）まず、図２１〜図２２に示すように、基板１０上に第１電極層１２Ａおよび第２電極層１２Ｋをパターン形成する。 (A) First, as shown in FIGS. 21 to 22, the first electrode layer 12 A and the second electrode layer 12 K are patterned on the substrate 10.

（ｂ）次に、図２３〜図２４に示すように、第１電極層１２Ａ上に有機ＥＬ層１４をパターン形成する。図２３および図２４（ａ）に示すように、有機ＥＬ層１４の端部は、第２電極層１２Ｋ上にも延在するようにパターニングされている。 (B) Next, as shown in FIGS. 23 to 24, the organic EL layer 14 is patterned on the first electrode layer 12A. As shown in FIGS. 23 and 24A, the end of the organic EL layer 14 is patterned so as to extend also on the second electrode layer 12K.

（ｃ）次に、図２５〜図２６に示すように、有機ＥＬ層１４上に、第３電極層１６Ｋをパターン形成する。第３電極層１６Ｋは、基板１０の４角形の４隅において、第２電極層１２Ｋと接続するようにパターン形成されている。 (C) Next, as shown in FIGS. 25 to 26, the third electrode layer 16 K is patterned on the organic EL layer 14. The third electrode layer 16K is patterned so as to be connected to the second electrode layer 12K at the four corners of the quadrangle of the substrate 10.

（ｄ）次に、図２７〜図２８に示すように、第３電極層１６Ｋ上に接着層１８ａを介して封止層１８を形成する。封止層１８は、封止膜１９で形成されていても良い。 (D) Next, as shown in FIGS. 27 to 28, the sealing layer 18 is formed on the third electrode layer 16K via the adhesive layer 18a. The sealing layer 18 may be formed of a sealing film 19.

（ｅ）次に、図２９〜図３０に示すように、第１電極層１２Ａ上に第１半田層３６Ａ、第２電極層１２Ｋ上に第２半田層３６Ｋを形成する。ここで、第１半田層３６Ａおよび第２半田層３６Ｋの形成工程は、自動化が容易である。 (E) Next, as shown in FIGS. 29 to 30, a first solder layer 36A is formed on the first electrode layer 12A, and a second solder layer 36K is formed on the second electrode layer 12K. Here, the process of forming the first solder layer 36A and the second solder layer 36K is easy to automate.

（ｆ）次に、図３１〜図３２に示すように、封止層１８上に第２導電層２６Ｋを形成する。図３２では図示を省略したが、封止層１８上には、粘着剤２０を介して第２導電層２６Ｋを形成している。第２導電層２６Ｋは、金属シートなどを適用する。その後、第２半田層３６Ｋ上に第３半田層３７Ｋを形成する。 (F) Next, as shown in FIGS. 31 to 32, the second conductive layer 26 K is formed on the sealing layer 18. Although not shown in FIG. 32, the second conductive layer 26 K is formed on the sealing layer 18 via the adhesive 20. A metal sheet or the like is applied to the second conductive layer 26K. Thereafter, a third solder layer 37K is formed on the second solder layer 36K.

（ｇ）次に、図３３に示すように、第２導電層２６Ｋ上に絶縁層２４を形成する。絶縁層２４には、λゲルシートなどを適用する。 (G) Next, as shown in FIG. 33, the insulating layer 24 is formed on the second conductive layer 26K. For the insulating layer 24, a λ gel sheet or the like is applied.

（ｈ）次に、図１９と同様に、第１半田層３６Ｋおよび第２半田層３６Ａ上に被覆層３０を形成後、絶縁層２４上に均熱板３２を形成する。 (H) Next, as in FIG. 19, the coating layer 30 is formed on the first solder layer 36 K and the second solder layer 36 A, and then the soaking plate 32 is formed on the insulating layer 24.

第２の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１においては、基板１０として、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板のどちらか若しくは各々を貼り合せた複板型有機ＥＬ照明パネル、または一方を封止膜１９で封止した単板型有機ＥＬ照明パネルの構成において、パネル外周に各々複数設けられたプラス電極（陽極）とマイナス電極（陰極）の少なくともいずれか一方の電極同士を最外周に設けられたループ状電極にて基板１０上で接続している。 In the organic EL device 1 according to the second embodiment, as the substrate 10, for example, a multi-plate organic EL lighting panel in which one or each of a glass substrate and a plastic substrate is bonded, or one of them is a sealing film 19. In the structure of a single-plate organic EL lighting panel sealed with a loop in which at least one of a plurality of positive electrodes (anodes) and negative electrodes (cathodes) provided on the outer periphery of the panel is provided on the outermost periphery. The electrodes are connected on the substrate 10 with the electrode.

本発明の第２の実施の形態によれば、複数設けられた第２電極層１２Ｋ、または第１電極層１２Ａの周囲電極の少なくともいずれか一方を、更にその外周部に設けたループ状電極にて、配線を用いることなく、接続することによって、少なくとも一方で配線の工程が省略され、作業と構造が簡単化され、量産工程での自動化が容易となる。 According to the second embodiment of the present invention, at least one of the plurality of second electrode layers 12K or the peripheral electrodes of the first electrode layer 12A is provided on the loop electrode provided on the outer periphery thereof. By connecting without using the wiring, at least one of the wiring steps is omitted, the work and the structure are simplified, and the automation in the mass production process is facilitated.

本発明の第２の実施の形態によれば、均熱効果を保ちつつ、配線材料を不要にし、半田形成を自動化することができ、生産効率を高めることができる。 According to the second embodiment of the present invention, it is possible to eliminate the wiring material, to automate the solder formation while maintaining the soaking effect, and to increase the production efficiency.

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１の実施の形態およびその変形例、および第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。 (Other embodiments)
As described above, the present invention has been described with reference to the first embodiment, its modification, and the second embodiment. However, the description and the drawings that form a part of this disclosure limit this invention. Should not be understood. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

第１の実施の形態およびその変形例、および第２の実施の形態においては、四角形を基本パターンとする平面構造の有機ＥＬパネルについて主として開示したが、これらに限定されるものではなく、有機ＥＬパネル本体は、円筒構造、球体構造、フラーレン構造などであっても良い。また、有機ＥＬパネルの基本パターンも四角形に限定されるものではなく、５角形、６角形、多角形、円形、楕円形、若しくはこれらの組み合わせパターンなどであっても良い。また、有機ＥＬパネルは、ペンローズタイルのようなパターン構造として、配置されていても良い。 In the first embodiment and its modifications, and in the second embodiment, the organic EL panel having a planar structure having a quadrangle as a basic pattern has been mainly disclosed. However, the present invention is not limited thereto, and the organic EL panel is not limited thereto. The panel body may have a cylindrical structure, a spherical structure, a fullerene structure, or the like. The basic pattern of the organic EL panel is not limited to a quadrangle, and may be a pentagon, hexagon, polygon, circle, ellipse, or a combination pattern thereof. The organic EL panel may be arranged as a pattern structure such as a Penrose tile.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

本発明の有機ＥＬ装置は、有機ＥＬディスプレイ分野、有機ＥＬ照明パネル、ＦＥＤ（Field Emission Display）照明パネルなどの分野に適用可能である。 The organic EL device of the present invention is applicable to fields such as an organic EL display field, an organic EL lighting panel, and an FED (Field Emission Display) lighting panel.

１…有機ＥＬ装置
１０…基板
１２Ａ…第１電極層
１２Ｋ…第２電極層
１４…有機ＥＬ層
１６Ｋ…第３電極層
１６Ｃ…コンタクト部
１８…封止板
１８ａ…接着層
１９…封止膜
２０…粘着剤
２２Ａ…第１導電層
２４、２８…絶縁層
２６Ｋ…第２導電層
３０…被覆層
３２…均熱板
３６Ａ…第２半田層
３６Ｋ…第１半田層
３７Ｋ…第３半田層
４０…第２電源コード
４２…第１電源コード
１００…シリコン基板
１２０…アノード金属層
１６０…カソード透明電極層
Ａ…アノード端子電極
Ｋ…カソード端子電極
Ｄ１〜Ｄ４…ダイオード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL apparatus 10 ... Board | substrate 12A ... 1st electrode layer 12K ... 2nd electrode layer 14 ... Organic EL layer 16K ... 3rd electrode layer 16C ... Contact part 18 ... Sealing plate 18a ... Adhesive layer 19 ... Sealing film 20 ... adhesive 22A ... first conductive layer 24, 28 ... insulating layer 26K ... second conductive layer 30 ... coating layer 32 ... soaking plate 36A ... second solder layer 36K ... first solder layer 37K ... third solder layer 40 ... 2nd power cord 42 ... 1st power cord 100 ... Silicon substrate 120 ... Anode metal layer 160 ... Cathode transparent electrode layer A ... Anode terminal electrode K ... Cathode terminal electrodes D1-D4 ... Diode

Claims

A substrate,
A first electrode layer and a second electrode layer disposed on the substrate;
An organic EL layer disposed on the first electrode layer;
A third electrode layer disposed on the organic EL layer and connected to the second electrode layer;
A sealing layer disposed on the third electrode layer and filled with a sealing agent having high thermal conductivity to seal the organic EL layer;
A first conductive layer which is disposed on the sealing layer via an adhesive and is electrically connected to the first electrode layer and made of a first metal sheet having a thickness of 1 μm or more;
An insulating layer disposed on the first conductive layer;
A second conductive layer disposed on the insulating layer and electrically connected to the second electrode layer and made of a second metal sheet having a thickness of 1 μm or more and the same material as the first conductive layer;
The substrate has a quadrangular shape, and the third electrode layer extends on the second electrode layer disposed at the four corners of the quadrangle and is connected to the second electrode layer,
The first conductive layer extends on the outer peripheral side of the substrate from the second conductive layer on the four sides of the quadrangle, and is connected to the first electrode layer. The organic EL device is characterized in that, at the four corners, it extends to the outer peripheral side of the substrate from the first conductive layer and is connected to the second electrode layer.

The second electrode layer has a triangular shape disposed at the four corners of the quadrangle, and the first electrode layer has an octagonal shape excluding the triangular shape disposed at the four corners of the quadrangle. The organic EL device according to claim 1.

The first conductive layer is connected to the first electrode layer via a first solder layer on the four sides of the square, and the second conductive layer is connected to the four corners of the square via a second solder layer. The organic EL device according to claim 1, wherein the organic EL device is connected to the second electrode layer.

The insulating layer is disposed in a central portion of the substrate, and the first conductive layer and the second conductive layer are stacked only in the central portion of the substrate via the insulating layer. 2. The organic EL device according to 1.

The organic EL device according to claim 1, wherein the insulating layer is formed of an insulating sheet.

Of the first electrode layers arranged on the four sides of the substrate, a first power cord connected at one place, two places, or three places;
A second power cord connected at one, two, or three of the second electrode layers arranged at four corners of the substrate. The organic EL device according to item.

The organic EL device according to claim 1, wherein the sealing layer is formed of a sealing plate or a sealing film.

The organic EL device according to claim 1, wherein the substrate is formed of a transparent substrate, the third electrode layer is formed of a metal layer, and has a bottom emission configuration. .

7. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is formed of a transparent substrate, and the first electrode layer and the third electrode layer are formed of a transparent electrode and have a top emission and bottom emission configuration. 2. The organic EL device according to item 1.

7. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is formed of an opaque substrate, the first electrode layer is formed of a metal layer, the third electrode layer is formed of a transparent electrode, and has a top emission configuration. The organic EL device according to any one of the above.

A substrate,
A first electrode layer and a second electrode layer disposed on the substrate;
An organic EL layer disposed on the first electrode layer;
A third electrode layer disposed on the organic EL layer and connected to the second electrode layer;
A sealing layer disposed on the third electrode layer and filled with a sealing agent having high thermal conductivity to seal the organic EL layer;
A second conductive layer that is disposed on the sealing layer via an adhesive and connected to the second electrode layer, and is made of a third metal sheet having a thickness of 1 μm or more;
An insulating layer disposed on the second conductive layer;
A loop electrode layer disposed on the outermost periphery of the substrate, and connecting at least one of the first electrode layer and the second electrode layer with the loop electrode layer,
The substrate has a quadrangular shape, and the third electrode layer extends on the second electrode layer disposed at the four corners of the quadrangle and is connected to the second electrode layer,
The organic EL device, wherein the second conductive layer extends to the outer peripheral side of the substrate from the third electrode layer at the four corners of the quadrangle and is connected to the second electrode layer.

Wherein the second electrode layer comprises a triangular shape that are arranged at four corners of the rectangle, the first electrode layer, characterized in that it comprises a shape other than a triangular shape that are arranged at four corners of the quadrangle Item 12. An organic EL device according to Item 11 .

The organic EL device according to claim 11, wherein the second conductive layer is connected to the second electrode layer via a second solder layer at four corners of the square.

The loop electrode layer is formed by a first solder layer disposed on the first electrode layer disposed on the outermost periphery of the substrate and disposed on the first electrode layer at four sides of the square. The organic EL device according to claim 11, wherein the organic EL device is an organic EL device.

The organic EL device according to claim 11, wherein the sealing layer is formed of a sealing plate or a sealing film.

The organic EL device according to claim 11, wherein the insulating layer is formed of an insulating sheet.

The organic EL device according to claim 11, further comprising a soaking plate disposed on the insulating layer.

12. A plurality of the organic EL devices are provided, the first electrode layer and the second electrode layer of adjacent organic EL devices are connected in series, and the plurality of organic EL devices are driven with the same current. 18. The organic EL device according to any one of -17.