JP5694824B2 - Heating device - Google Patents

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Description

本発明は、加熱装置に係り、例えば半導体ウェハを所定温度に加熱する加熱装置に関する。   The present invention relates to a heating apparatus, for example, a heating apparatus that heats a semiconductor wafer to a predetermined temperature.

従来、半導体ウェハでのパターン焼付工程等に使用されるコータデベロッパ装置においては、ウェハが加熱装置により所定温度に加熱される。この際のウェハは、発熱部を有する基板上に隙間を介して載置され、基板を通して放熱される発熱部からの熱で加熱される(例えば特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a coater / developer apparatus used for a pattern printing process or the like on a semiconductor wafer, the wafer is heated to a predetermined temperature by a heating device. At this time, the wafer is placed on a substrate having a heat generating portion through a gap, and is heated by heat from the heat generating portion radiated through the substrate (see, for example, Patent Document 1).

特許文献1の加熱装置では、基板としてアルミ基板が用いられており、このアルミ基板と、アルミ基板の下面に貼られたフィルムヒータとを備えて、フェイスプレートが構成されている。このようなフェイスプレートのアルミ基板では、下面にフィルムヒータが貼られているうえ、フィルムヒータが貼られた部分を除いてアルマイト層が形成されており、アルミ基板全体に絶縁性および耐腐食性が付与されている。   In the heating device of Patent Document 1, an aluminum substrate is used as a substrate, and a face plate is configured by including the aluminum substrate and a film heater attached to the lower surface of the aluminum substrate. In such an aluminum substrate of the face plate, a film heater is affixed to the lower surface, and an alumite layer is formed except for the part where the film heater is affixed, and the entire aluminum substrate has insulation and corrosion resistance. Has been granted.

特開2008−277382号公報JP 2008-277382 A

ところで、アルミ基板の表裏は、絶縁性を有するフィルムヒータやアルマイト層で覆われているため、フェイスプレート全体がコンデンサとして作用し、帯電する。帯電した電荷は、不用意に放電したり、漏電したりするおそれがあるため、フェイスプレートのアルミ基板は、下方に対向配置された導電性のベースプレートにアース部材を介して接地される。   By the way, since the front and back of the aluminum substrate are covered with an insulating film heater or an alumite layer, the entire face plate acts as a capacitor and is charged. Since the charged electric charge may be inadvertently discharged or leaked, the aluminum substrate of the face plate is grounded via a grounding member to a conductive base plate arranged to face downward.

しかしながら、ベースプレートのアルミ基板とフェイスプレートとを単にアース部材で接続したのでは、アース部材からの力でアルミ基板が上方または下方に撓んでしまい、フェイスプレートとフェイスプレート上のウェハとの隙間が一定にならず、ウェハの温度分布が均一にならないという問題が生じる。
また、加熱部によりアルミ基板を加熱すると、アース部材を介してアルミ基板側からベースプレート側へ熱逃げが生じるが、フェイスプレートへのアース部材の接続位置によっては、熱逃げによる影響でフェイスプレートに温度分布にムラが生じ、結果として、フェイスプレート上に所望の隙間を持って載置されたウェハの温度分布にもムラが生じ、ウェハの加工に影響を及ぼす。
However, if the aluminum substrate of the base plate and the face plate are simply connected by the ground member, the aluminum substrate bends upward or downward by the force from the ground member, and the gap between the face plate and the wafer on the face plate is constant. This causes a problem that the temperature distribution of the wafer is not uniform.
In addition, when the aluminum substrate is heated by the heating unit, heat escapes from the aluminum substrate side to the base plate side via the ground member, but depending on the connection position of the ground member to the face plate, the temperature of the face plate may be affected by the heat escape. The distribution is uneven, and as a result, the temperature distribution of the wafer placed on the face plate with a desired gap is also uneven, which affects the processing of the wafer.

特に、アルミ基板を加熱したり、高温とされたアルミ基板を冷却したりして基板温度を昇降させる時間はダウンタイムであり、そのようなダウンタイムの低減のために、アルミ基板の熱容量を低減しようと、アルミ基板をより薄くして熱容量を小さくすると、アルミ基板の剛性が低下するため、アース部材からの少しの外力でも容易に撓んでしまい、温度分布ムラが生じ易くなる。   In particular, the time to raise or lower the substrate temperature by heating the aluminum substrate or cooling the aluminum substrate that has been heated to high is downtime, and in order to reduce such downtime, the heat capacity of the aluminum substrate is reduced. If the aluminum substrate is made thinner and the heat capacity is made smaller, the rigidity of the aluminum substrate is lowered, so that even a slight external force from the ground member is easily bent, and temperature distribution unevenness is likely to occur.

本発明の目的は、基板を格段に薄くして温度変更を高速化した場合でも、確実に接地しつつ、基板の撓みを生じ難くでき、かつ熱逃げの影響を小さくできる加熱装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a heating device that can make the substrate less likely to be bent and reduce the influence of heat escape while reliably grounding, even when the substrate is remarkably thinned and the temperature change is accelerated. It is in.

第1発明に係る加熱装置は、導電性を有するベースプレートと、前記ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレートと、前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に配置されて互いを導通させるアース部材とを備え、前記フェイスプレートは、表面が前記アース部材との導通部分を除いて電気的に絶縁されたアルミ基板と、前記アルミ基板に設けられて前記ウェハを加熱する加熱手段とを備え、前記アルミ基板の前記アース部材との導通部分は、当該アルミ基板の中央に設けられているとともに、前記アース部材の長手方向の途中には、複数の折曲部が設けられていることを特徴とする。   A heating device according to a first aspect of the present invention is a conductive base plate, a face plate that is positioned above the base plate and on which a wafer is placed, and is disposed between the base plate and the face plate to conduct each other. A ground member, and the face plate includes an aluminum substrate whose surface is electrically insulated except for a conductive portion with the ground member, and a heating unit that is provided on the aluminum substrate and heats the wafer. The conductive portion of the aluminum substrate with the ground member is provided in the center of the aluminum substrate, and a plurality of bent portions are provided in the middle of the ground member in the longitudinal direction. And

第2発明に係る加熱装置では、前記アルミ基板の前記導通部分と前記アース部材の端部との間には導電性を有したワッシャが介装され、前記ワッシャの厚さは、前記導通部分回りの絶縁層の厚さ以上であることを特徴とする。   In the heating device according to the second aspect of the invention, a conductive washer is interposed between the conductive portion of the aluminum substrate and the end of the ground member, and the thickness of the washer is around the conductive portion. The thickness of the insulating layer is equal to or greater than the thickness of the insulating layer.

第3発明に係る加熱装置では、前記ベースプレートの中央には、軸方向に沿って貫通したガイド孔を有する保持ボルトが螺入されており、前記フェイスプレートの中央には、下端側が前記ガイド孔に挿通されるロット部とされ、かつ上端側が前記保持ボルトの頭部に設けられたナットに螺入する雄ねじ部とされた長ビスが挿通されていることを特徴とする。   In the heating device according to the third aspect of the present invention, a holding bolt having a guide hole penetrating along the axial direction is screwed into the center of the base plate, and a lower end side is inserted into the guide hole at the center of the face plate. A long screw which is a lot portion to be inserted and whose upper end is a male screw portion which is screwed into a nut provided on the head of the holding bolt is inserted.

第4発明に係る加熱装置では、前記保持ボルトの前記頭部には、前記ナットが無回転状態で上下にスライド自在に嵌合される保持部が設けられていることを特徴とする。   In the heating device according to a fourth aspect of the present invention, the head portion of the holding bolt is provided with a holding portion to which the nut is slidably fitted up and down in a non-rotating state.

第5発明に係る加熱装置では、ベースプレートと、前記ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレートと、前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に設けられて、前記フェイスプレートを冷却する冷媒ガスが流通する冷却パイプと、前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に設けられて、前記冷却パイプを通して噴出された前記冷媒ガスを案内するとともに、前記フェイスプレートから前記ベースプレートへの輻射熱を遮熱する遮熱整流プレートと、前記フェイスプレートの上面から突出して設けられたウェハ支持手段と、前記ベースプレートに取り付けられて、外部電源からの配線が結線されるターミナルブロックと、前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に立設されて該フェイスプレートを支持する複数の支柱と、前記フェイスプレートを前記ベースプレート側に引っ張る複数の引張部材と、前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に配置されて互いを導通させるアース部材とを備え、前記フェイスプレートは、表面が前記アース部材との導通部分を除いて電気的に絶縁されたアルミ基板と、前記アルミ基板に設けられて前記ウェハを加熱するとともに、前記ターミナルブロックに接続される給電用の端子を有した加熱手段とを備え、前記アルミ基板の前記アース部材との導通部分は、当該アルミ基板の中央に設けられているとともに、前記アース部材の長手方向の途中には、複数の折曲部が設けられていることを特徴とする。   In the heating device according to the fifth aspect of the present invention, a base plate, a face plate positioned above the base plate and on which a wafer is placed, and a coolant provided between the base plate and the face plate to cool the face plate Provided between a cooling pipe through which gas flows and the base plate and the face plate, guides the refrigerant gas ejected through the cooling pipe, and shields radiant heat from the face plate to the base plate. A thermal rectifying plate, wafer support means protruding from the upper surface of the face plate, a terminal block attached to the base plate and connected to wiring from an external power source, and between the base plate and the face plate Standing up A plurality of struts for supporting the face plate; a plurality of tension members for pulling the face plate toward the base plate; and a grounding member disposed between the base plate and the face plate to conduct each other. An aluminum substrate whose surface is electrically insulated except for a conductive portion with the ground member, and a heating terminal provided on the aluminum substrate for heating the wafer and connected to the terminal block. And a conductive portion of the aluminum substrate connected to the ground member is provided at the center of the aluminum substrate, and a plurality of bent portions are provided in the middle of the ground member in the longitudinal direction. It is provided.

第1、第5発明によれば、アース部材の長手方向の途中には、複数の折曲部が設けられているので、これらの折曲部が折れ曲がることで、アース部材がアルミ基板を上方に押し上げようとする力や下方に引き下げようとする力を吸収でき、薄手のアルミ基板を用いた場合でも、アルミ基板の上下への撓みを防止でき、アルミ基板とウェハとの隙間は一定となり、ウェハの温度分を均一化できる。また、アース部材のアルミ基板側の端部は、アルミ基板の中央に接続されているので、熱逃げによる温度分布の影響がアルミ基板の中央を起点として周囲に略均等に及ぶことになり、温度分布の偏ったムラをなくすことができ、ウェハ加工への熱逃げによる影響を小さくできる。   According to the first and fifth inventions, since a plurality of bent portions are provided in the middle of the longitudinal direction of the earth member, the bent members are bent so that the earth member faces the aluminum substrate upward. It can absorb the force to push up and pull down, and even when a thin aluminum substrate is used, it can prevent the aluminum substrate from bending up and down, and the gap between the aluminum substrate and the wafer is constant. Can be made uniform. In addition, since the end of the grounding member on the side of the aluminum substrate is connected to the center of the aluminum substrate, the influence of the temperature distribution due to the heat escape extends almost evenly around the center of the aluminum substrate. The uneven distribution can be eliminated, and the influence of heat escape on wafer processing can be reduced.

第2発明によれば、ワッシャを介装することで、アルミ基板の素地部分と絶縁層部分の段差を埋めることができ、アース部材の端部をワッシャを介してアルミ基板に確実に導通させることができる。   According to the second invention, by providing the washer, the step between the base portion of the aluminum substrate and the insulating layer portion can be filled, and the end of the ground member is reliably conducted to the aluminum substrate via the washer. Can do.

第3発明によれば、長ビスをフェイスプレートの上方から挿通し、フェイスプレートとベースプレートとの間に配置されたナットに螺入させるが、この際、保持ボルトには長ビスのロッド部をガイドするガイド孔が設けられているから、長ビスをフェイスプレートに通したら、長ビスのロッド部をナットに挿通して、ガイド孔にガイドさせてしまえばよく、こうすることでナットがビスとの螺入前にずれて移動せず、フェイスプレートでナットが見えなくとも、長ビスをナットに確実に螺入させることができ、組立性を向上させることができる。   According to the third invention, the long screw is inserted from above the face plate and screwed into the nut disposed between the face plate and the base plate. At this time, the rod portion of the long screw is guided to the holding bolt. If the long screw is passed through the face plate, the rod part of the long screw may be inserted into the nut and guided into the guide hole. Even if the nut does not shift and move before screwing and the nut is not visible on the face plate, the long screw can be securely screwed into the nut, and assemblability can be improved.

第4発明によれば、ナットが保持部によって無回転状態に保持されるので、長ビスの螺入中にナットを把持している必要がなく、組立性をさらに良好にできる。   According to the fourth invention, since the nut is held in the non-rotating state by the holding portion, it is not necessary to hold the nut while the long screw is screwed in, and the assemblability can be further improved.

本発明の一実施形態に係る加熱装置の概略構成を示す分解斜視図。The disassembled perspective view which shows schematic structure of the heating apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 加熱装置を構成するフェイスプレートを示す断面図。Sectional drawing which shows the faceplate which comprises a heating apparatus. ベースプレートの外周側でのフェイスプレートの支持構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the support structure of the faceplate in the outer peripheral side of a baseplate. フェイスプレートのウェハ載置領域のベースプレートへの支持構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the support structure to the baseplate of the wafer mounting area | region of a faceplate. ギャップボールの保持構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the holding structure of a gap ball. アース部材による接地構造を示す断面図。Sectional drawing which shows the earthing | grounding structure by an earth member. アース部材を示す斜視図。The perspective view which shows a ground member. ターミナルブロックおよび端子を示す分解斜視図。The disassembled perspective view which shows a terminal block and a terminal. 本発明の変形例を示す図。The figure which shows the modification of this invention. 本発明の別の変形例を示す図。The figure which shows another modification of this invention.

〔装置全体の説明〕
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1において、加熱装置1は、半導体製造工程に用いられるコータデベロッパ装置に搭載される装置であり、2点鎖線で示したシリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、単にウェハと称する)Wを、パターン焼付工程等の種々の工程に応じた所定温度に加熱するように構成されている。
[Description of the entire device]
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In FIG. 1, a heating apparatus 1 is an apparatus mounted on a coater / developer apparatus used in a semiconductor manufacturing process, and a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) W such as a silicon wafer indicated by a two-dot chain line is patterned. It is comprised so that it may heat to the predetermined temperature according to various processes, such as a baking process.

具体的に加熱装置1は、円板状のベースプレート2と、ベースプレート2の上方に支持された円板状のフェイスプレート3と、各プレート2,3の間に収容される冷却パイプ11および遮熱整流プレート12とを備え、フェイスプレート3の上面側に所定の隙間C(図4)を空けて載置されたウェハWが、フェイスプレート3を構成する後述のフィルムヒータ32(図2)によって加熱されるようになっている。   Specifically, the heating device 1 includes a disk-shaped base plate 2, a disk-shaped face plate 3 supported above the base plate 2, a cooling pipe 11 accommodated between the plates 2 and 3, and a heat shield. A wafer W provided with a rectifying plate 12 and mounted on the upper surface side of the face plate 3 with a predetermined gap C (FIG. 4) is heated by a film heater 32 (FIG. 2), which will be described later, constituting the face plate 3. It has come to be.

フェイスプレート3には、ウェハWを昇降させる昇降ピン(図示略)用の挿通孔30が3箇所に設けられている。挿通孔30から昇降ピンが上昇した状態で、ウェハWが所定の温度に保持された加熱装置1にハンドロボットにより搬入され、該昇降ピンの上端に載せられる。さらに、ハンドロボットが退避した後に昇降ピンが下降し、これに伴って下降したウェハWがフェイスプレート3にギャップボール6を介して載置される。   The face plate 3 is provided with three insertion holes 30 for raising and lowering pins (not shown) for raising and lowering the wafer W. With the lifting pins raised from the insertion holes 30, the wafer W is loaded into the heating device 1 held at a predetermined temperature by the hand robot and placed on the upper ends of the lifting pins. Further, after the hand robot is retracted, the lifting pins are lowered, and the wafer W that has been lowered is placed on the face plate 3 via the gap balls 6.

ウェハWに加工が施されている間は、ウェハWが加熱装置1によって加熱され、所定温度に維持される。ウェハWに所定の処理が施された後では、再度昇降ピンが上昇し、これに伴って上昇したウェハWがハンドロボットによって加熱装置1から搬出され、次のウェハWと入れ換えられる。
また、ウェハWへ施す加工条件(レシピ)が変更となり、フェイスプレート3の温度を例えば高温から低温へ変更する場合には、冷却パイプ11に冷媒ガスが供給され、冷却パイプ11の噴出小孔(図示略)から噴出する冷媒ガスによってフェイスプレート3が冷却される。冷媒ガスはその後、遮断整流プレート12に案内されて、ベースプレート2の中央から排気される。フェイスプレート3が設定温度以下になると、冷媒ガスの供給が停止され、再びフェイスプレート3が加工条件に応じた設定温度に加熱保持される。
While the wafer W is being processed, the wafer W is heated by the heating device 1 and maintained at a predetermined temperature. After the predetermined processing is performed on the wafer W, the lifting pins are raised again, and the wafer W that has risen along with the lifting pins is unloaded from the heating device 1 by the hand robot and replaced with the next wafer W.
Further, when the processing conditions (recipe) to be applied to the wafer W are changed and the temperature of the face plate 3 is changed from, for example, a high temperature to a low temperature, the refrigerant gas is supplied to the cooling pipe 11, and the small ejection holes ( The face plate 3 is cooled by the refrigerant gas ejected from (not shown). Thereafter, the refrigerant gas is guided to the cutoff rectifying plate 12 and exhausted from the center of the base plate 2. When the face plate 3 falls below the set temperature, the supply of the refrigerant gas is stopped, and the face plate 3 is again heated and held at the set temperature according to the processing conditions.

〔ベースプレートの説明〕
ベースプレート2は金属製であり、本実施形態ではステンレスが採用されている。このようなベースプレート2には、軽量化のための複数の開口部21や、フェイスプレート3を冷却するために用いた冷媒ガスを中央から排出する排気開口22が設けられている。ベースプレート2が十分な板厚寸法を有することで、加熱装置1全体の剛性を保証している。また、ベースプレート2の外周側の下面には、8つのターミナルブロック9が等周間隔で設けられ、外部から給電されている(図1に破線にて4つを図示)。
[Description of base plate]
The base plate 2 is made of metal, and stainless steel is used in this embodiment. Such a base plate 2 is provided with a plurality of openings 21 for weight reduction and an exhaust opening 22 for discharging the refrigerant gas used for cooling the face plate 3 from the center. Since the base plate 2 has a sufficient thickness, the rigidity of the entire heating device 1 is guaranteed. Further, eight terminal blocks 9 are provided at equal intervals on the lower surface on the outer peripheral side of the base plate 2 and are supplied with power from the outside (four are shown by broken lines in FIG. 1).

そのようなターミナルブロック9には、フィルムヒータ32からチャンネル(コ字)形状に延設された端子33と、図示略の外部電源からの配線24(図8)とが結線されており、ターミナルブロック9を介して互いを導通させることで、フィルムヒータ32へ給電するようになっている。ターミナルブロック9および端子33の具体的な構造については、後述する。   Such a terminal block 9 is connected to a terminal 33 extending from the film heater 32 in a channel (C shape) and a wiring 24 (FIG. 8) from an external power supply (not shown). Power is supplied to the film heater 32 by conducting the currents through the circuit 9. Specific structures of the terminal block 9 and the terminal 33 will be described later.

〔フェイスプレートの説明〕
フェイスプレート3は、図2(A)に示すように、アルミ基板31の上下両面にフィルムヒータ32(32A,32B)をホットプレスにより貼り付けた構造である。このようなフェイスプレート3は、図1に示すように、最も外周側に等周間隔で配置された8箇所のウェハガイド4、およびその内側の適宜な位置に複数配置された支柱5を介してベースプレート2に支持されている。ウェハガイド4および支柱5による具体的な支持構造についても、後述する。
[Description of face plate]
As shown in FIG. 2A, the face plate 3 has a structure in which film heaters 32 (32A, 32B) are attached to the upper and lower surfaces of an aluminum substrate 31 by hot pressing. As shown in FIG. 1, such a face plate 3 has eight wafer guides 4 arranged at equal circumferential intervals on the outermost peripheral side, and a plurality of columns 5 arranged at appropriate positions inside the wafer guides 4. It is supported by the base plate 2. A specific support structure by the wafer guide 4 and the support column 5 will also be described later.

アルミ基板31は、薄板状であり、本実施形態では1.5mmの板厚寸法を有している。アルミ基板31には、全体にわたってアルマイト処理によるアルマイト層34が形成されている。このようなアルマイト処理は、アルミ基板31の上下両面の他、外周端面、および種々設けられた貫通孔の内部にも施されている。   The aluminum substrate 31 has a thin plate shape and has a plate thickness of 1.5 mm in this embodiment. An alumite layer 34 is formed on the entire surface of the aluminum substrate 31 by alumite treatment. Such alumite treatment is applied to the outer peripheral end face and the inside of various through holes in addition to the upper and lower surfaces of the aluminum substrate 31.

フィルムヒータ32は、ベースフィルム35の表面にステンレス箔36による発熱用の回路パターンを形成し、この回路パターンをカバーフィルム37で覆った構成である。フィルム35,37としては、ポリイミド樹脂が用いられている。なお、ベースプレート2と対向するようアルミ基板31の下面に貼られたフィルムヒータ32Aには、端子33(図1)が設けられることで給電されるが、ウェハWと対向するようアルミ基板31の上面に貼られたフィルムヒータ32Bには、給電のための端子が設けられておらず、給電されない。   The film heater 32 has a configuration in which a circuit pattern for heat generation is formed by a stainless foil 36 on the surface of the base film 35 and this circuit pattern is covered with a cover film 37. As the films 35 and 37, polyimide resin is used. The film heater 32A attached to the lower surface of the aluminum substrate 31 so as to face the base plate 2 is supplied with power by providing the terminal 33 (FIG. 1). However, the upper surface of the aluminum substrate 31 faces the wafer W. The film heater 32B attached to is not provided with a terminal for power supply, and is not supplied with power.

すなわち、上面のフィルムヒータ32Bは、フィルムヒータ32Aと略同じ回路パターンを有したダミー部材である。アルミ基板31の上下両面に略同構造のフィルムヒータ32A,32Bを貼り付けることにより、アルミ基板31の両側での線膨張係数を同じにでき、加熱時の熱膨張による撓みを抑制できる。この結果、フェイスプレート3には主に、中央から外方に向けての面内方向(径方向と同じ)の膨張が生じることになる。なお、フィルムヒータ32Bの回路パターンは、フィルムヒータ32Aとの線膨張係数差がなくなれば任意であり、フィルムヒータ32Aと略同じ回路パターンに限定されない。
さらに、図2(B)に示すように、ダミーのフィルムヒータ32Bを設ける代わりに、線膨張係数差をなくす程度の厚さを有したアルマイト層34′をアルミ基板31の上面に形成してもよい。また、この場合には、アルミ基板31の下面には、アルマイト層を施さなくともよい。
That is, the film heater 32B on the upper surface is a dummy member having a circuit pattern substantially the same as the film heater 32A. By attaching film heaters 32A and 32B having substantially the same structure on both the upper and lower surfaces of the aluminum substrate 31, the linear expansion coefficients on both sides of the aluminum substrate 31 can be made the same, and bending due to thermal expansion during heating can be suppressed. As a result, the face plate 3 mainly expands in the in-plane direction (same as the radial direction) from the center toward the outside. The circuit pattern of the film heater 32B is arbitrary as long as there is no difference in the linear expansion coefficient from the film heater 32A, and is not limited to the circuit pattern substantially the same as the film heater 32A.
Further, as shown in FIG. 2B, an alumite layer 34 ′ having a thickness enough to eliminate the difference in linear expansion coefficient may be formed on the upper surface of the aluminum substrate 31 instead of providing the dummy film heater 32 B. Good. In this case, the alumite layer may not be provided on the lower surface of the aluminum substrate 31.

また、図示を省略するが、加熱手段としてのフィルムヒータ32の回路パターンとしては、フィルムヒータ32の発熱面が中心部の円部とその外側の円環部とで、それぞれ任意に分割された小領域に区画されており、小領域毎に独立して給電されるように回路が形成されている。発熱面が複数の小領域に区画され、独立して発熱させることで、加熱されたウェハWの温度分布をより均一にでき、加熱ムラを少なくできる。   Although not shown, the circuit pattern of the film heater 32 as the heating means is a small pattern in which the heat generating surface of the film heater 32 is arbitrarily divided into a central circular portion and an outer circular portion. A circuit is formed so that it is divided into regions and power is supplied to each small region independently. By dividing the heat generating surface into a plurality of small regions and independently generating heat, the temperature distribution of the heated wafer W can be made more uniform and uneven heating can be reduced.

各小領域に応じた複数の回路パターンが形成されている本実施形態では、ターミナルブロック9は8つ設けられ、給電用の端子33も8対分として16箇所に設けられている。16箇所のうち複数領域に給電を行わない端子33はダミーとされ、発熱用の回路パターンとは導通していない。   In the present embodiment in which a plurality of circuit patterns corresponding to each small region are formed, eight terminal blocks 9 are provided, and power supply terminals 33 are also provided at 16 locations as eight pairs. A terminal 33 that does not feed power to a plurality of regions among the 16 locations is a dummy, and is not electrically connected to the circuit pattern for heat generation.

ウェハWを均一に加熱するには、フィルムヒータ32の発熱面を複数の小領域に区画することが望ましく、端子33としても本来であれば、給電する領域に対応した数で足りる。一方、端子33の反力(弾性力)による薄板状のアルミ基板31への応力の影響を考慮すると、各対の端子33は周方向に沿って等周間隔で配置されるのが好ましい。しかし、給電する領域に対応した数の端子33を等周間隔に配置することが製造上の理由で一般的でないため、端子33としてはダミーを含めて8対設けることとし、等周間隔に配置している。   In order to uniformly heat the wafer W, it is desirable to divide the heat generating surface of the film heater 32 into a plurality of small regions, and the number of terminals 33 corresponding to the region to which power is supplied is sufficient. On the other hand, when the influence of the stress on the thin plate-like aluminum substrate 31 due to the reaction force (elastic force) of the terminals 33 is taken into consideration, it is preferable that each pair of terminals 33 is arranged at equal intervals along the circumferential direction. However, since it is not common for manufacturing reasons to arrange the number of terminals 33 corresponding to the region to be fed at equal circumferential intervals, eight pairs of terminals 33 including dummy are provided and arranged at equal circumferential intervals. doing.

以上のフェイスプレート3では、下側のフィルムヒータ32Aのステンレス箔36への給電により該フィルムヒータ32Aが発熱し、アルミ基板31が加熱される。アルミ基板31が加熱されると、フェイスプレート3全体の直上に存在するガスを介してフェイスプレート3上に載置されたウェハWが加熱される。この際の温度制御は、アルミ基板31に埋め込まれた図示略の温度センサからの信号に基づき、フィルムヒータ32Aへの給電を調整することで行われる。   In the above face plate 3, the film heater 32 </ b> A generates heat by feeding power to the stainless steel foil 36 of the lower film heater 32 </ b> A, and the aluminum substrate 31 is heated. When the aluminum substrate 31 is heated, the wafer W placed on the face plate 3 is heated via the gas present immediately above the entire face plate 3. The temperature control at this time is performed by adjusting the power supply to the film heater 32A based on a signal from a temperature sensor (not shown) embedded in the aluminum substrate 31.

また、このようなフェイスプレート3は、導電性のアルミ基板31を絶縁性のポリイミド樹脂で挟持した構造であるから、フェイスプレート3全体がコンデンサとして作用して帯電する。さらに、ベースフィルム35にピンホールが存在する場合では、アルミ基板31に帯電した電荷が容易に漏電する可能性がある。このため、本実施形態では、フェイスプレート3の下面中央において、アルミ基板31の素地面を一部露出させ、この露出部分をベースプレート2に対してアース部材8(図6、図7)を介して短絡させ、接地している。アース部材8による接地構造の詳細についても、後述する。   Further, since the face plate 3 has a structure in which the conductive aluminum substrate 31 is sandwiched between insulating polyimide resins, the entire face plate 3 acts as a capacitor and is charged. Furthermore, when a pinhole exists in the base film 35, the electric charge charged in the aluminum substrate 31 may easily leak. For this reason, in the present embodiment, a part of the ground surface of the aluminum substrate 31 is exposed at the center of the lower surface of the face plate 3, and this exposed part is connected to the base plate 2 via the ground member 8 (FIGS. 6 and 7). Shorted and grounded. Details of the grounding structure by the ground member 8 will also be described later.

〔冷却パイプの説明〕
その他、ベースプレート2とフェイスプレート3との間には、環状の冷却パイプ11および遮熱整流プレート12が配置されている。冷却パイプ11には、中央の排気開口22を通して供給パイプ13が接続され、供給パイプ13から冷却パイプ11内に冷媒ガスが供給される。冷媒ガスは、冷却パイプ11に設けられた複数の噴出小孔(図示略)から中央に向けて噴出し、フェイスプレート3を下側から冷却する。
[Description of cooling pipe]
In addition, an annular cooling pipe 11 and a heat shield rectifying plate 12 are disposed between the base plate 2 and the face plate 3. A supply pipe 13 is connected to the cooling pipe 11 through a central exhaust opening 22, and refrigerant gas is supplied from the supply pipe 13 into the cooling pipe 11. The refrigerant gas is ejected from a plurality of ejection holes (not shown) provided in the cooling pipe 11 toward the center to cool the face plate 3 from the lower side.

フェイスプレート3では、板厚寸法の小さい薄板状のアルミ基板31を用いることで、熱容量が小さく抑えられているため、フィルムヒータ32Aへの給電のオン、オフによって、加熱、冷却の高速な温度変更を実現可能であるが、さらに冷却パイプ11から噴出する冷媒ガスによってフェイスプレート3を効果的に冷却することで、より迅速な温度変更を可能にしている。   The face plate 3 uses a thin plate-like aluminum substrate 31 with a small plate thickness, so that the heat capacity is kept small. Therefore, the heating and cooling temperature can be changed quickly by turning on and off the power supply to the film heater 32A. However, it is possible to change the temperature more quickly by effectively cooling the face plate 3 with the refrigerant gas ejected from the cooling pipe 11.

〔遮熱整流プレートの説明〕
遮熱整流プレート12は、冷却パイプ11から噴出した冷媒ガスをベースプレート2に設けられた開口部21より流出するのを防ぎ、中央の排気開口22に案内し、排気を促進するとともに、発熱中のフェイスプレート3からベースプレート2への輻射熱を遮断する。これにより、ベースプレート2の熱膨張や、ベースプレート2に取り付けられた各種部品への熱影響を抑制できる。
[Description of heat shield rectifying plate]
The heat shield rectifying plate 12 prevents the refrigerant gas ejected from the cooling pipe 11 from flowing out from the opening 21 provided in the base plate 2, guides it to the central exhaust opening 22, promotes exhaust, and generates heat. The radiant heat from the face plate 3 to the base plate 2 is blocked. Thereby, the thermal expansion of the base plate 2 and the thermal influence on the various components attached to the base plate 2 can be suppressed.

〔ウェハガイドによるフェイスプレートの支持構造の説明〕
以下には、図1、図3を参照し、フェイスプレート3の外周側でのウェハガイド4による支持構造について説明する。
先ず、ベースプレート2の外周側の8箇所には、アルマイト処理が施された上下に貫通する第1貫通孔2Aが設けられている。これに対してウェハガイド4は、第1貫通孔2Aに上方から挿通される支持ボルト41と、フェイスプレート3の上面に配置されてウェハWの外周縁が当接される樹脂製のガイド部材42とを備えている。
[Description of support structure of face plate by wafer guide]
Hereinafter, a support structure by the wafer guide 4 on the outer peripheral side of the face plate 3 will be described with reference to FIGS. 1 and 3.
First, at the eight locations on the outer peripheral side of the base plate 2, first through holes 2 </ b> A penetrating up and down subjected to anodizing are provided. On the other hand, the wafer guide 4 has a support bolt 41 inserted from above into the first through hole 2A, and a resin guide member 42 disposed on the upper surface of the face plate 3 and in contact with the outer peripheral edge of the wafer W. And.

支持ボルト41は、ベースプレート2の第1貫通孔2Aを貫通する雄ねじ部43と、雄ねじ部43の上部に一体に設けられて、フェイスプレート3が載置される載置部44とを有している。このような支持ボルト41は、載置部44がベースプレート2の上面に置かれた状態にて、第1貫通孔2Aの下面から突出した雄ねじ部43に平ワッシャ45およびスプリングワッシャ45′を通し、ナット46との螺合により、ベースプレート2に固定される。   The support bolt 41 includes a male screw portion 43 that passes through the first through hole 2A of the base plate 2 and a placement portion 44 that is integrally provided on the top of the male screw portion 43 and on which the face plate 3 is placed. Yes. Such a support bolt 41 passes the flat washer 45 and the spring washer 45 'through the male screw portion 43 protruding from the lower surface of the first through hole 2A in a state where the mounting portion 44 is placed on the upper surface of the base plate 2. It is fixed to the base plate 2 by screwing with the nut 46.

支持ボルト41の載置部44の上面は平坦とされ、上面の一部分には極小径のセラミック製の第1支持ボール47が圧入されている。第1支持ボール47の一部は、載置部44の上面から所定寸法突出している。すなわち、載置部44に載置されるフェイスプレート3は詳細には、第1支持ボール47上に点接触した状態で載置される。このような点接触によりフェイスプレート3との接触面積を小さくできるため、フェイスプレート3からの熱伝達を抑制でき、また、フェイスプレート3の径方向での熱膨張、収縮を妨げないようにできる。そして、第1支持ボール47がセラミック製であることから、フェイスプレート3に用いられるアルミよりも熱伝導が低く、この点でもフェイスプレート3からの熱伝達を抑制でき、さらに、クリーンな環境にも対応している。   The upper surface of the mounting portion 44 of the support bolt 41 is flat, and a first support ball 47 made of an extremely small ceramic is press-fitted into a part of the upper surface. A part of the first support ball 47 protrudes from the upper surface of the mounting portion 44 by a predetermined dimension. That is, in detail, the face plate 3 placed on the placement unit 44 is placed on the first support ball 47 in a point contact state. Since the contact area with the face plate 3 can be reduced by such point contact, heat transfer from the face plate 3 can be suppressed, and thermal expansion and contraction in the radial direction of the face plate 3 can be prevented. And since the 1st support ball 47 is a product made from a ceramic, heat conduction is lower than the aluminum used for the faceplate 3, the heat transfer from the faceplate 3 can be suppressed also in this point, and also in a clean environment It corresponds.

載置部44にフェイスプレート3が載置された状態において、フェイスプレート3のアルマイト処理が施された第1取付孔3A内には、金属製のリング部材48が落とし込まれており、載置部44の上面に置かれている。このリング部材48をも貫通して、載置部44の雌ねじ部44Aに螺入される皿ビス49により、ガイド部材42が載置部44に固定される。   In a state where the face plate 3 is placed on the placement portion 44, a metal ring member 48 is dropped into the first mounting hole 3A where the face plate 3 is anodized. It is placed on the upper surface of the part 44. The guide member 42 is fixed to the mounting portion 44 by a countersunk screw 49 that passes through the ring member 48 and is screwed into the female screw portion 44 </ b> A of the mounting portion 44.

このような構造では、ガイド部材42の下面と第1支持ボール47との間にフェイスプレート3が挟持され、固定される。そして、皿ビス49の締付によってフェイスプレート3が挟持される過程では、ガイド部材42の下面がリング部材48に当接するため、皿ビス49の過度の締付を防止できる。皿ビス49を締め付け過ぎると、その箇所でフェイスプレート3が波打つように変形し、ウェハWを適正な位置に載置できなくなる。なお、フェイスプレート3の第1取付孔3Aは、フェイスプレート3の径方向に沿った所定長さの長孔として形成され、径方向でのフェイスプレート3の熱膨張、伸縮を許容している。また、ガイド部材42は、フェイスプレート3上において、ベースプレート2側に付勢された状態で、任意の固定手段で固定されてよく、ねじ止めに限定されない。   In such a structure, the face plate 3 is sandwiched and fixed between the lower surface of the guide member 42 and the first support ball 47. In the process in which the face plate 3 is clamped by tightening the countersunk screw 49, the lower surface of the guide member 42 contacts the ring member 48, so that excessive tightening of the countersunk screw 49 can be prevented. If the countersunk screw 49 is tightened too much, the face plate 3 is deformed so that it undulates at that point, and the wafer W cannot be placed at an appropriate position. The first mounting hole 3A of the face plate 3 is formed as a long hole having a predetermined length along the radial direction of the face plate 3, and allows thermal expansion and expansion / contraction of the face plate 3 in the radial direction. Further, the guide member 42 may be fixed by any fixing means in a state of being biased toward the base plate 2 on the face plate 3, and is not limited to screwing.

〔支柱によるフェイスプレートの支持構造の説明〕
次に、図1、図4を参照し、フェイスプレート3の支柱5による支持構造について説明する。
フェイスプレート3は、複数の支柱5を介してベースプレート2に支持されている。支柱5としては、2点鎖線で示したウェハWの外側にて等周間隔に配置された8本の支柱5Aと、その内側であるウェハWの載置領域にて等周間隔に配置された8本の支柱5Bと、さらにその内側にて等周間隔に配置された3本の支柱5Cとが設けられている。
[Explanation of support structure of face plate with support]
Next, with reference to FIG. 1 and FIG. 4, the support structure by the support | pillar 5 of the face plate 3 is demonstrated.
The face plate 3 is supported by the base plate 2 via a plurality of support columns 5. As the support pillars 5, eight support pillars 5 </ b> A arranged at equal intervals on the outside of the wafer W indicated by a two-dot chain line, and arranged at equal intervals in the mounting area of the wafer W inside thereof. Eight struts 5B and three struts 5C arranged at equal intervals on the inner side are provided.

ベースプレート2の支柱5に対応した位置には、上下に貫通した第2貫通孔2Bが設けられている。支柱5は、第2貫通孔2Bに上方から挿通されるボルトである。支柱5は、第2貫通孔2Bを貫通する雄ねじ部51と、雄ねじ部51の上部に一体に設けられて、フェイスプレート3が載置される載置部52とを有しており、載置部52がベースプレート2の上面に置かれた状態にて、第2貫通孔2Bの下面から突出した雄ねじ部51に平ワッシャ53およびスプリングワッシャ53′を通し、ナット54との螺合により、ベースプレート2に固定されている。   A second through hole 2 </ b> B penetrating vertically is provided at a position corresponding to the column 5 of the base plate 2. The support column 5 is a bolt inserted from above into the second through hole 2B. The support column 5 has a male screw portion 51 that penetrates the second through hole 2B, and a placement portion 52 that is integrally provided on the top of the male screw portion 51 and on which the face plate 3 is placed. In a state where the portion 52 is placed on the upper surface of the base plate 2, the flat washer 53 and the spring washer 53 ′ are passed through the male screw portion 51 protruding from the lower surface of the second through-hole 2 </ b> B, and screwed with the nut 54, whereby the base plate 2 It is fixed to.

載置部52の上面も平坦とされ、上面の中央には第1支持ボール47よりも大きいセラミック製の第2支持ボール55が圧入されている。第2支持ボール55の一部は、載置部52の上面から所定寸法突出している。すなわち、載置部44に載置されるフェイスプレート3は、ウェハガイド4による支持構造と同様、第2支持ボール55に点接触した状態で載置されることになる。このような点接触による効果も、ウェハガイド4による支持構造と同様である。   The upper surface of the mounting portion 52 is also flat, and a ceramic second support ball 55 larger than the first support ball 47 is press-fitted into the center of the upper surface. A part of the second support ball 55 protrudes from the upper surface of the mounting portion 52 by a predetermined dimension. That is, the face plate 3 placed on the placement unit 44 is placed in a state of point contact with the second support ball 55 as in the support structure by the wafer guide 4. The effect of such point contact is the same as that of the support structure by the wafer guide 4.

また、フェイスプレート3は、外周側のウェハガイド4のみならず、ウェハW載置領域内の複数箇所においても、支柱5B,5Cによって下方から支持されるので、薄板状とされた剛性の小さいアルミ基板31を用いたフェイスプレート3でありながら、下方へ凸型となる自重での撓みを防止でき、ウェハWを適正位置に確実に載置できる。   Further, since the face plate 3 is supported not only by the wafer guide 4 on the outer peripheral side but also at a plurality of locations in the wafer W mounting region from below by the pillars 5B and 5C, the thin plate-like aluminum having a small rigidity is provided. Although it is the face plate 3 using the substrate 31, it is possible to prevent bending by its own weight that is convex downward, and the wafer W can be reliably placed at an appropriate position.

ここで、フェイスプレート3の支柱5による支持箇所の近傍には、上下のフィルムヒータ32A,32Bおよびアルミ基板31を貫通した第2取付孔3Bが設けられている。本実施形態では、第2取付孔3Bは、下面側のフィルムヒータ32Aをも貫通しているが、フィルムヒータ32Aについては貫通していなくても問題ない。このような第2取付孔3B内には、上方からウェハ支持手段としてのセラミック製のギャップボール6が圧入され、保持されている。   Here, in the vicinity of the place where the face plate 3 is supported by the support 5, there are provided second mounting holes 3 </ b> B penetrating the upper and lower film heaters 32 </ b> A and 32 </ b> B and the aluminum substrate 31. In the present embodiment, the second mounting hole 3B also penetrates the film heater 32A on the lower surface side, but there is no problem even if it does not penetrate the film heater 32A. In the second mounting hole 3B, a ceramic gap ball 6 as a wafer support means is press-fitted and held from above.

ギャップボール6は、フェイスプレート3の上面から所定量突出している。この突出量は、図4での隙間Cに対応している。つまり、ウェハWは、これらのギャップボール6上に点接触した状態で支持されており、フェイスプレート3の上面から所定寸法の隙間Cを均一に保った適正位置に載置されている。ただし、図4では、フェイスプレート3の板厚寸法に対し、ギャップボール6、第2取付孔3Bの孔径、および隙間Cの大きさは、見易さを考慮して大きく誇張して図示されている。   The gap ball 6 protrudes from the upper surface of the face plate 3 by a predetermined amount. This protrusion amount corresponds to the gap C in FIG. That is, the wafer W is supported in a point contact state on these gap balls 6, and is placed at an appropriate position with a uniform gap C of a predetermined dimension from the upper surface of the face plate 3. However, in FIG. 4, the gap ball 6, the hole diameter of the second mounting hole 3 </ b> B, and the size of the gap C are greatly exaggerated in view of the thickness of the face plate 3 in consideration of easy viewing. Yes.

また、ギャップボール6は、支柱5による全ての支持箇所近傍に設けられている訳ではなく、支柱5Bで支持される支持箇所では、8本の支柱5Bのうち、1つおきの4本の支柱5Bに近接して設けられている。しかし、全ての支柱5に対応させてギャップボール6を設けてもよく、ギャップボール6をいずれの箇所に設けるかは、その実施にあたって適宜決められてよい。   In addition, the gap ball 6 is not provided in the vicinity of all the support portions by the support columns 5, and at the support locations supported by the support columns 5 </ b> B, every other four support columns among the eight support columns 5 </ b> B. It is provided close to 5B. However, the gap balls 6 may be provided in correspondence with all the columns 5, and in which place the gap balls 6 are provided may be determined as appropriate.

〔引張部材の説明〕
支柱5による支持箇所近傍には、フェイスプレート3を下方に付勢する引張部材7が近接して設けられている。引張部材7は、支柱5による全ての支持箇所近傍に設けられる訳ではないが、支柱5としては、ギャップボール6および引張部材7が組み合わされて用いられている箇所では、必須である。支柱5は、単独での使用、または近傍にギャップボール6および引張部材7のいずれか一方が存在する箇所での使用が可能である。
[Explanation of tension member]
In the vicinity of the place where the column 5 is supported, a tension member 7 that biases the face plate 3 downward is provided in the vicinity. The tension member 7 is not necessarily provided in the vicinity of all the support portions by the support column 5, but the support member 5 is indispensable at a location where the gap ball 6 and the tension member 7 are used in combination. The support column 5 can be used alone or in a place where either the gap ball 6 or the tension member 7 is present in the vicinity.

図4において、ベースプレート2には、第3貫通孔2Cが設けられ、フェイスプレート3には、第3貫通孔2Cに対応した位置に第3取付孔3Cが設けられている。第3貫通孔2Cは、下方からの座ぐり部分を有した段付形状とされ、第3取付孔3Cは、上方からの座ぐり部分を有した段付形状とされている。   In FIG. 4, the base plate 2 is provided with a third through hole 2C, and the face plate 3 is provided with a third attachment hole 3C at a position corresponding to the third through hole 2C. The third through-hole 2C has a stepped shape having a counterbore portion from below, and the third attachment hole 3C has a stepped shape having a counterbore portion from above.

引張部材7は、ベースプレート2の第3貫通孔2Cおよびフェイスプレート3の第3取付孔3Cの両方に挿通されたシャフト71と、第3貫通孔2Cから下方に突出したシャフト71に挿通され、第3貫通孔2C内に位置するワッシャ72と、同じくシャフト71に挿通されてワッシャ72の下方に位置する付勢手段としてのコイルばね73と、シャフト71に挿通されてベースプレート2の下面に当接されるワッシャ74と、シャフト71下部側の雄ねじ部76に螺入されるナット75とで構成される。   The tension member 7 is inserted into the shaft 71 inserted through both the third through hole 2C of the base plate 2 and the third attachment hole 3C of the face plate 3, and the shaft 71 protruding downward from the third through hole 2C. 3 A washer 72 located in the through-hole 2C, a coil spring 73 that is also inserted through the shaft 71 and located below the washer 72, and is inserted through the shaft 71 to contact the lower surface of the base plate 2. A washer 74 and a nut 75 screwed into the male screw portion 76 on the lower side of the shaft 71.

ワッシャ72は、ナット75の締付によりワッシャ74およびコイルばね73を介して第3貫通孔2C内の段差部分まで押し上げられ、当接される。コイルばね73は圧縮ばねであり、ベースプレート2側に設けられてナット75との間に配置されることにより、ナット75のさらなる締付によって圧縮される。ワッシャ74がベースプレート2の下面に当接されるまでナット75を螺入した後、さらにナット75を締め付けることにより、圧縮したコイルばね73の反力でシャフト71下部側のワッシャ74およびナット75が下方に付勢され、シャフト71全体が下方に付勢される。   The washer 72 is pushed up to the stepped portion in the third through hole 2 </ b> C via the washer 74 and the coil spring 73 by tightening the nut 75, and comes into contact therewith. The coil spring 73 is a compression spring. The coil spring 73 is provided on the base plate 2 side and disposed between the coil spring 73 and the nut 75, so that the coil spring 73 is compressed by further tightening of the nut 75. After the nut 75 is screwed in until the washer 74 comes into contact with the lower surface of the base plate 2, the nut 75 is further tightened so that the washer 74 and the nut 75 on the lower side of the shaft 71 are moved downward by the reaction force of the compressed coil spring 73. The entire shaft 71 is urged downward.

フェイスプレート3の第3取付孔3C内では、シャフト71の上端に設けられたフランジ状の頭部77が段差部分に係止され、頭部77を介してフェイスプレート3が下方に付勢される。つまり、引張部材7によれば、フェイスプレート3をベースプレート2側から下方に向けて引っ張るのであり、フェイスプレート3の上面から突出する部分が一切存在しない。従って、フェイスプレート3でのウェハWの載置領域を下方に付勢させているのにかかわらず、引張部材7がウェハWと干渉することはない。   In the third mounting hole 3 </ b> C of the face plate 3, a flange-shaped head portion 77 provided at the upper end of the shaft 71 is locked to the step portion, and the face plate 3 is biased downward via the head portion 77. . That is, according to the tension member 7, the face plate 3 is pulled downward from the base plate 2 side, and there is no portion protruding from the upper surface of the face plate 3. Therefore, the tension member 7 does not interfere with the wafer W regardless of the downward placement of the wafer W on the face plate 3.

以上の構造により、フェイスプレート3では、引張部材7によって下方に引っ張られながら、その下面が支柱5の第2支持ボール55に点接触して支持されるから、自重による下方への凸型の撓みが抑制される他、熱膨張による上方への凸型の変形も抑制される。その結果、フェイスプレート3の平面度を高精度に維持でき、ウェハWを適正位置に確実に載置できる。また、引張部材7がフェイスプレート3の上面から突出しないうえ、フェイスプレート3を構成するアルミ基板31の薄型化が図られていることから、加熱装置1全体の薄型化をも実現している。   With the structure described above, the lower face of the face plate 3 is supported by the second support ball 55 of the support column 5 while being pulled downward by the tension member 7. Is suppressed, and upward convex deformation due to thermal expansion is also suppressed. As a result, the flatness of the face plate 3 can be maintained with high accuracy, and the wafer W can be reliably placed at an appropriate position. Further, since the tension member 7 does not protrude from the upper surface of the face plate 3 and the aluminum substrate 31 constituting the face plate 3 is thinned, the entire heating device 1 is also thinned.

〔ギャップボールの保持構造の説明〕
図5に基づき、ギャップボール6の保持構造を説明する。
ギャップボール6は、フェイスプレート3を貫通する第2取付孔3Bの内壁面に圧入され、保持されている。詳細には、ギャップボール6は、アルミ基板31での第2取付孔3Bに対応した内壁面のみで保持されているのであり、その第2取付孔3Bでのギャップボール6の保持位置は、アルミ基板31の板厚方向の中央よりも上方側であって、本実施形態では、アルミ基板31の板厚寸法よりも大きい径寸法のギャップボール6を厚さ方向中央よりも僅かに高い位置に圧入し、ギャップボール6の所定の突出量を確保している。
[Description of gap ball holding structure]
Based on FIG. 5, the holding structure of the gap ball 6 will be described.
The gap ball 6 is press-fitted and held in the inner wall surface of the second mounting hole 3B that penetrates the face plate 3. Specifically, the gap ball 6 is held only by the inner wall surface corresponding to the second mounting hole 3B in the aluminum substrate 31, and the holding position of the gap ball 6 in the second mounting hole 3B is aluminum. In the present embodiment, the gap ball 6 having a diameter larger than the thickness of the aluminum substrate 31 is press-fitted into a position slightly higher than the center in the thickness direction. In addition, a predetermined protrusion amount of the gap ball 6 is ensured.

ギャップボール6は、第2取付孔3Bに対して上方から圧入されるが、その際には、アルミ基板31の内壁面に施されたアルマイト層34の表面が圧入部分で薄く削り取られるが残存する。ギャップボール6を第2取付孔3Bに対してアルミ基板31の板厚方向の中央以下にまで深く圧入してしまうと、上方からの外力によりアルマイト層34は、圧入部位から下方側の全ての部分で内壁面から剥離してしまい、一気に欠落する可能性がある。こうなると、ギャップボール6の下方側での保持力が低下するため、ギャップボール6を安定して保持することができず、隙間Cを維持できなくなる。これに対して本実施形態では、ギャップボール6をアルミ基板31の板厚方向の中央よりも上方位置で保持することとし、欠落を生じないようにして隙間Cをより確実に維持できるようにしている。   The gap ball 6 is press-fitted from above into the second mounting hole 3B. At this time, the surface of the anodized layer 34 applied to the inner wall surface of the aluminum substrate 31 is thinly removed at the press-fitted portion, but remains. . If the gap ball 6 is pressed into the second mounting hole 3B deeply below the center in the thickness direction of the aluminum substrate 31, the alumite layer 34 will be exposed to all the portions below the press-fitting site by external force from above. It peels off from the inner wall surface and may be lost at once. In this case, the holding force on the lower side of the gap ball 6 is reduced, so that the gap ball 6 cannot be stably held and the gap C cannot be maintained. On the other hand, in the present embodiment, the gap ball 6 is held at a position higher than the center of the aluminum substrate 31 in the plate thickness direction so that the gap C can be maintained more reliably without being lost. Yes.

また、本実施形態によれば、アルミ基板31を貫通するように第2取付孔3Bを設けることで、第2取付孔3Bには、アルミ基板31の一部として形成される底部分が存在しないし、そのような底部分にギャップボール6が載置されることもない。従って、そのような薄手の底部分での変形がギャップボール6に与える熱影響をなくすことができる。なお、第2取付孔3Bがアルミ基板31を貫通しておらず、アルミ基板31に底部分が存在しても、底部分にギャップボール6が接触していなければよく、このような場合でも、底部分の熱膨張、収縮がギャップボール6に与える影響を少なくできる。   Further, according to the present embodiment, by providing the second mounting hole 3B so as to penetrate the aluminum substrate 31, there is no bottom portion formed as a part of the aluminum substrate 31 in the second mounting hole 3B. However, the gap ball 6 is not placed on such a bottom portion. Accordingly, it is possible to eliminate the thermal influence exerted on the gap ball 6 by such deformation at the thin bottom portion. Even if the second mounting hole 3B does not penetrate the aluminum substrate 31 and the bottom portion is present on the aluminum substrate 31, the gap ball 6 may not be in contact with the bottom portion. The influence of the thermal expansion and contraction of the bottom portion on the gap ball 6 can be reduced.

加えて、第2取付孔3Bにアルミ基板31による底部分が存在しないことにより、ギャップボール6の下方には密閉空間が形成されないので、加熱時に密閉空間内の空気が膨張してギャップボール6を押し上げるといった現象も生じることがなく、やはり隙間Cを良好に維持できる。   In addition, since there is no bottom portion formed by the aluminum substrate 31 in the second mounting hole 3B, a sealed space is not formed below the gap ball 6, so that the air in the sealed space expands during heating so that the gap ball 6 is The phenomenon of pushing up does not occur, and the gap C can be maintained well.

〔アース部材による接地構造の説明〕
図1、図6、図7に基づき、アース部材8による接地構造を説明する。
図1、図6において、ベースプレート2の中央には、表裏を貫通する第4貫通孔2Dが設けられ、第4貫通孔2D内には雌ねじが形成されている。また、ベースプレート2の第4取付孔2Dから所定寸法だけ離間した位置には、ねじ穴2Eが設けられている。
一方、フェイスプレート3の前記第4貫通孔2Dに対応した位置には、表裏を貫通する第4取付孔3Dが設けられている。
[Description of grounding structure with grounding member]
A grounding structure using the grounding member 8 will be described with reference to FIGS. 1, 6, and 7.
1 and 6, a fourth through hole 2D penetrating the front and back is provided in the center of the base plate 2, and a female screw is formed in the fourth through hole 2D. A screw hole 2E is provided at a position spaced apart from the fourth mounting hole 2D of the base plate 2 by a predetermined dimension.
On the other hand, at a position corresponding to the fourth through hole 2D of the face plate 3, a fourth mounting hole 3D penetrating the front and back is provided.

ベースプレート2の第4貫通孔2Dには、上方から保持ボルト81が螺入されている。保持ボルト81は、第4貫通孔2Dに螺入される雄ねじ部82と、雄ねじ部82の上端に一体に設けられた円柱状の頭部83とを有している。保持ボルト81の内部中央には、軸方向に沿って貫通したガイド孔81Aが設けられている。ガイド孔81Aの頭部83に対応した部分は、雄ねじ部82に対応した部分よりも径方向に広がっており、平面視で六角形状とされた保持部81Bになっている。   A holding bolt 81 is screwed into the fourth through hole 2D of the base plate 2 from above. The holding bolt 81 has a male screw portion 82 that is screwed into the fourth through hole 2 </ b> D, and a columnar head portion 83 that is integrally provided at the upper end of the male screw portion 82. A guide hole 81 </ b> A penetrating along the axial direction is provided in the center of the holding bolt 81. The portion of the guide hole 81A corresponding to the head 83 is wider in the radial direction than the portion corresponding to the male screw portion 82, and is a holding portion 81B having a hexagonal shape in plan view.

保持部81Bには、六角形状のナット89が上下にスライド自在に嵌合している。ナット89には、フェイスプレート2の第4取付孔3Dに対して上方から挿通された長ビス84が螺入している。長ビス84は、下端側に設けられて保持ボルト81のガイド孔81Aに挿通されるロッド部84Aと、ロッド部84Aの上端に一体に設けられてナット89に螺入される雄ねじ部84Bと、雄ねじ部84Bの上端に一体に設けられてフェイスプレート3の第4取付孔3D内の座ぐり部分で係止される頭部84Cとを有している。このような長ビス84は、フェイスプレート3の下面とナット89との間に介装されるアース部材8の一端側(上端側)を貫通している。   A hexagonal nut 89 is fitted to the holding portion 81B so as to be slidable up and down. A long screw 84 inserted from above into the fourth mounting hole 3 </ b> D of the face plate 2 is screwed into the nut 89. The long screw 84 is provided at the lower end side and is inserted into the guide hole 81A of the holding bolt 81, the rod part 84A, the male screw part 84B integrally provided at the upper end of the rod part 84A and screwed into the nut 89, It has a head portion 84 </ b> C that is integrally provided at the upper end of the male screw portion 84 </ b> B and is locked by a spot facing portion in the fourth mounting hole 3 </ b> D of the face plate 3. Such a long screw 84 passes through one end side (upper end side) of the ground member 8 interposed between the lower surface of the face plate 3 and the nut 89.

図6、図7に示すように、アース部材8は、ステンレスなどの導電性を有する金属製の帯体であり、山谷交互に折曲した第1〜第4折曲部8A,8B,8C,8Dを有する階段状に形成されている。アース部材8の一端側には、長ビス84が挿通される挿通孔8Eが設けられ、他端側(下端側)には、ビス85が挿通される挿通孔8Fが設けられている。ビス85は、アース部材8の他端側をベースプレート2の上面とワッシャ86との間で挟持するようにしてねじ穴2Eに螺入される。   As shown in FIGS. 6 and 7, the ground member 8 is a metal strip having conductivity such as stainless steel, and the first to fourth bent portions 8A, 8B, 8C, It is formed in a staircase shape having 8D. One end side of the ground member 8 is provided with an insertion hole 8E through which the long screw 84 is inserted, and the other end side (lower end side) is provided with an insertion hole 8F through which the screw 85 is inserted. The screw 85 is screwed into the screw hole 2E so that the other end side of the ground member 8 is sandwiched between the upper surface of the base plate 2 and the washer 86.

アース部材8の一端側において、フェイスプレート3の下面とアース部材8との間には、導電性を有した金属製のワッシャ87が配置されており、長ビス84に挿通されている。このワッシャ87に対向したフィルムヒータ32A(図2)の部分は、ワッシャ87の径よりもやや大きい開口とされ、また、アルミ基板31(図2)では、やはりワッシャ87の径よりもやや大きい部分でアルマイト処理が施されていない。そして、ワッシャ87の厚さは、アルマイト層34およびフィルムヒータ32Aからなる絶縁層の厚さ以上である。その結果、長ビス84が所定の締付力で締め込まれた状態では、ワッシャ87はアルミ基板41の素地部分と接触して導通することになり、ワッシャ87を介してアース部材8がアルミ基板31と導通し、このアース部材8を介してアルミ基板31がベースプレート2に接地される。   On one end side of the ground member 8, a conductive metal washer 87 is disposed between the lower surface of the face plate 3 and the ground member 8, and is inserted through a long screw 84. The portion of the film heater 32A (FIG. 2) that faces the washer 87 is an opening that is slightly larger than the diameter of the washer 87, and the aluminum substrate 31 (FIG. 2) is also a portion that is also slightly larger than the diameter of the washer 87. The alumite treatment is not applied. And the thickness of the washer 87 is more than the thickness of the insulating layer which consists of the alumite layer 34 and the film heater 32A. As a result, in the state where the long screw 84 is tightened with a predetermined tightening force, the washer 87 is brought into contact with the base portion of the aluminum substrate 41 and becomes conductive, and the ground member 8 is connected to the aluminum substrate via the washer 87. The aluminum substrate 31 is grounded to the base plate 2 through the ground member 8.

ここで、アース部材8とナット89との間には、断熱性および絶縁性を有した樹脂ワッシャ88が配置され、長ビス84に挿通されている。従って、フェイスプレー3からの熱を、ナット89や保持ボルト81に伝えにくくでき、熱伝達を抑制できる。また、アース部材8を中央に設けることで、熱逃げがあっても、端部に設けるより均一性の観点で影響を受け難い。   Here, a resin washer 88 having heat insulation and insulation is disposed between the ground member 8 and the nut 89, and is inserted through the long screw 84. Therefore, it is difficult to transfer the heat from the face spray 3 to the nut 89 and the holding bolt 81, and heat transfer can be suppressed. Further, by providing the ground member 8 in the center, even if there is a heat escape, it is less affected from the viewpoint of uniformity than provided at the end.

このようなアース部材8では、長手方向の途中に第1〜第4折曲部8A〜8Dが設けられているので、アース部材8に作用する外力は、これら第1〜第4折曲部8A〜8Dでの屈曲により吸収され、アース部材8の両端では、外力に対する反力が生じ難い。従って、特にアース部材8の一端側を介してフェイスプレート3の下面が上方に押圧されるといったことがなく、フェイスプレート3の中央が上方に押し上げられるように変形するのを防止できる。 また、アース部材8によれば、第1〜第4折曲部8A〜8Dでの屈曲により、アース部材8の熱膨張や収縮による長手方向に沿った変位に対応できる。   In such a ground member 8, the first to fourth bent portions 8 </ b> A to 8 </ b> D are provided in the middle of the longitudinal direction, and thus the external force acting on the ground member 8 is the first to fourth bent portions 8 </ b> A. Absorbed by bending at ˜8D, reaction force against external force hardly occurs at both ends of the ground member 8. Accordingly, the lower surface of the face plate 3 is not pressed upward particularly through the one end side of the ground member 8, and it is possible to prevent the center plate of the face plate 3 from being deformed so as to be pushed upward. Moreover, according to the earth member 8, the bending along the first to fourth bent portions 8A to 8D can cope with the displacement along the longitudinal direction due to the thermal expansion and contraction of the earth member 8.

以上に説明した構造では、フェイスプレート3をベースプレート2に支持させる前工程において、アース部材8の他端側をビス85によってベースプレート2に固定しておく。また、ナット89なども、ベースプレート2に螺入された保持ボルト81の保持部81B内に収容しておき、ナット89の上方にアース部材8の一端側を位置させ、各ワッシャ87,88を配置しておく。   In the structure described above, the other end side of the ground member 8 is fixed to the base plate 2 with the screw 85 in the previous step of supporting the face plate 3 on the base plate 2. Further, the nut 89 and the like are also accommodated in the holding portion 81B of the holding bolt 81 screwed into the base plate 2, and one end side of the ground member 8 is positioned above the nut 89 and the washers 87 and 88 are arranged. Keep it.

そして、フェイスプレート3をベースプレート2に支持させる段階において、長ビス84をフェイスプレート3の第4取付孔3Dに挿通すると同時に、アース部材8、各ワッシャ87,88、ナット89、保持ボルト81にも挿通する。この後、長ビス84のロッド部84Aを保持ボルト81のガイド孔81Aにガイドさせながら回転させると、ナット89が長ビス84に螺入しつつ、無回転状態で保持部81内を上方にスライドし、最終的にフェイスプレート3の下面とナット89との間で、アース部材8および各ワッシャ87,88を挟持することになる。 At the stage of supporting the face plate 3 on the base plate 2, the long screw 84 is inserted into the fourth mounting hole 3 </ b> D of the face plate 3, and at the same time, the ground member 8, the washers 87 and 88, the nut 89, and the holding bolt 81. Insert. Thereafter, when the rod portion 84A of the long screw 84 is rotated while being guided in the guide hole 81A of the holding bolt 81, the nut 89 is screwed into the long screw 84 and slides upward in the holding portion 81 without rotating. Finally, the ground member 8 and the washers 87 and 88 are sandwiched between the lower surface of the face plate 3 and the nut 89.

〔ターミナルブロックおよび端子の説明〕
図8において、ターミナルブロック9は、ベースプレート2の下面に固定される絶縁性を有した樹脂製の基台91と、基台91に取り付けられる導電性を有した一対の金属製の導通プレート92と、導通プレート92の外方側の端部に取り付けられる押さえ部材93とを備えている。
[Description of terminal block and terminal]
In FIG. 8, the terminal block 9 includes an insulating resin base 91 fixed to the lower surface of the base plate 2, and a conductive pair of metal conductive plates 92 attached to the base 91. And a pressing member 93 attached to the outer end of the conduction plate 92.

基台91の外方側の端縁は、ベースプレート2の端面と略面一とされている。基台91には、内外方向(ベースプレート2の径方向と同じ)に沿った2条の取付溝91Aが設けられ、取付溝91Aに導通プレート92が配置される。取付溝91Aおよび導通プレート92の長手方向の中央には、表裏を貫通する貫通孔91B、92Aが設けられている。これらの貫通孔91B,92Aには、絶縁性を有する樹脂製の筒状部材94が挿通される。   The outer edge of the base 91 is substantially flush with the end surface of the base plate 2. The base 91 is provided with two mounting grooves 91A along the inner and outer directions (same as the radial direction of the base plate 2), and the conduction plate 92 is disposed in the mounting groove 91A. At the center in the longitudinal direction of the mounting groove 91A and the conduction plate 92, through holes 91B and 92A penetrating the front and back are provided. A cylindrical member 94 made of resin having insulation properties is inserted into the through holes 91B and 92A.

筒状部材94には、平ワッシャ95およびスプリングワッシャ95′に通されたビス96が挿通されており、ビス96はベースプレート2に設けられたねじ穴2Fに螺入される。このビス96により、基台91はベースプレート2に固定され、導通プレート92は基台91に取り付けられる。この際、ベースプレート2に螺入されるビス96は、筒状部材94に挿通されることで導通プレート92に対して絶縁されているため、導通プレート92がベースプレート2と導通することはない。 A screw 96 passed through a flat washer 95 and a spring washer 95 ′ is inserted into the cylindrical member 94, and the screw 96 is screwed into a screw hole 2 </ b> F provided in the base plate 2. With this screw 96, the base 91 is fixed to the base plate 2, and the conduction plate 92 is attached to the base 91. At this time, the screw 96 screwed into the base plate 2 is insulated from the conductive plate 92 by being inserted into the cylindrical member 94, so that the conductive plate 92 is not electrically connected to the base plate 2.

導通プレート92において、貫通孔92Aの両側には、ねじ孔92Bが設けられ、ねじ孔92Bのそれぞれには、ビス97が螺入される。基台92には、ねじ孔92Bに対応した位置に丸孔91Cが設けられるが、この丸孔91Cは、ねじ孔92Bから突出したビス97の先端と基台91との干渉を回避するための孔である。   In the conduction plate 92, screw holes 92B are provided on both sides of the through hole 92A, and screws 97 are screwed into the screw holes 92B. The base 92 is provided with a round hole 91C at a position corresponding to the screw hole 92B. The round hole 91C is for avoiding interference between the tip of the screw 97 protruding from the screw hole 92B and the base 91. It is a hole.

導通プレート92の内方側で螺入されるビス97は、平ワッシャ98およびスプリングワッシャ98′を介して配線24の圧着端子24Aに挿通される。ビス97をねじ穴92Bに螺入することで、配線24が導通プレート92上に結線される。
導通プレート92の外方側で螺入されるビス97は、平ワッシャ98およびスプリングワッシャ98′を介して押さえ部材93に挿通され、また、フィルムヒータ32A(図2)の端子33に挿通される。ビス97をねじ穴92Bに螺入することで、端子33が押さえ部材93で押さえ込まれるようにして導通プレート92上に結線される。
なお、図8では、ベースプレート2やターミナルブロック9を下方から見た図として示されているが、ベースプレート2へのターミナルブロック9の取付作業や、配線24、端子33の結線作業は、ベースプレート2の下面を上方にして行われる。
A screw 97 screwed inwardly of the conduction plate 92 is inserted into the crimp terminal 24A of the wiring 24 through a flat washer 98 and a spring washer 98 '. By screwing the screw 97 into the screw hole 92 </ b> B, the wiring 24 is connected onto the conduction plate 92.
A screw 97 screwed on the outer side of the conduction plate 92 is inserted into the holding member 93 via a flat washer 98 and a spring washer 98 ', and is inserted into the terminal 33 of the film heater 32A (FIG. 2). . By screwing the screw 97 into the screw hole 92 </ b> B, the terminal 33 is connected to the conduction plate 92 so as to be pressed by the pressing member 93.
In FIG. 8, the base plate 2 and the terminal block 9 are shown as viewed from below. However, the operation of attaching the terminal block 9 to the base plate 2 and the operation of connecting the wiring 24 and the terminal 33 are performed on the base plate 2. This is done with the bottom side up.

このようなターミナルブロック9に結線される端子33は、長手方向の途中に第1、第2折曲部33A、33Bを有したチャンネル形状(コ字形状)である。従って、第1,第2折曲部33A,33Bを有することで、端子33に作用する外力は、前述したアース部材8と同様に、第1、第2折曲部33A,33Bでの屈曲により吸収され、端子33の両端では、外力に対する反力が生じ難い。従って、特に端子33基端側を介してフェイスプレート3の下面が上方に押圧されたり、下方に引き下げられたりするといったことがなく、フェイスプレート3の外周が上方に押し上げられたり、引き下げられたりするように変形するのを防止できる。また、何らかの理由により、フェイスプレート3が押し上げられる場合や、引き下げられる場合でも、端子33が等周間隔で配置されているので、不規則な形状に変形することがなく、変形による影響を少なくできる。   The terminal 33 connected to the terminal block 9 has a channel shape (a U shape) having first and second bent portions 33A and 33B in the middle of the longitudinal direction. Therefore, by having the first and second bent portions 33A and 33B, the external force acting on the terminal 33 is caused by the bending at the first and second bent portions 33A and 33B, similarly to the ground member 8 described above. Absorbed, the reaction force against the external force hardly occurs at both ends of the terminal 33. Accordingly, the lower surface of the face plate 3 is not pressed upward or pulled downward, particularly via the base end side of the terminal 33, and the outer periphery of the face plate 3 is pushed upward or pulled down. Can be prevented from being deformed. Further, even if the face plate 3 is pushed up or pulled down for some reason, the terminals 33 are arranged at equal intervals, so that they are not deformed into irregular shapes and the influence of the deformation can be reduced. .

また、ターミナルブロック9は、ベースプレート2の下面に取り付けられているので、ベースプレート2の下面を上方に向けることで、端子33の結線作業等を容易にでき、作業性が良好である。
しかも、ターミナルブロック9は従来、ベースプレート2の上面に取り付けられ、フェイスプレート3との間の空間に収容されていたが、ベースプレート2の下面に取り付けられることにより、ベースプレーと2とフェイスプレート3との間隔を全体的に狭めることができ、加熱装置1の全体的な薄型化を促進できる。
Further, since the terminal block 9 is attached to the lower surface of the base plate 2, the work of connecting the terminals 33 can be facilitated by turning the lower surface of the base plate 2 upward, and the workability is good.
In addition, the terminal block 9 is conventionally attached to the upper surface of the base plate 2 and accommodated in the space between the face plate 3, but by being attached to the lower surface of the base plate 2, the base play 2, the face plate 3, , And the overall thickness reduction of the heating device 1 can be promoted.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、支柱5による全ての支持箇所近傍に対応して引張部材7が設けられていたが、全ての支持箇所近傍ではなく、適宜選択された幾つかの支持箇所近傍にのみ引張部材7を設けた場合でも本発明に含まれるし、支柱5での支持箇所近傍以外の箇所に引張部材7を設けた場合にも本発明に含まれる。要するに、フェイスプレート3のウェハW載置領域に対応した部分が、ベースプレート2側から引張部材7によって下方に付勢されていればよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the tension members 7 are provided in the vicinity of all the support portions by the support column 5, but the tension members 7 are not only in the vicinity of all the support portions but only in the vicinity of some appropriately selected support portions. Even when the member 7 is provided, it is included in the present invention, and the case where the tensile member 7 is provided in a place other than the vicinity of the support place in the support column 5 is also included in the present invention. In short, it is only necessary that the portion of the face plate 3 corresponding to the wafer W mounting region is urged downward by the tension member 7 from the base plate 2 side.

前記実施形態では、本発明に係る加熱手段としてフィルムヒータ32Aが用いられていたが、基板自身に発熱用の回路パターンを形成できる場合であれば、フィルムヒータを用いる必要はない。
前記実施形態では、引張部材7に係る付勢手段としてコイルばね73が用いられていたが、弾性力を有した円柱状のゴム部材等であってもよい。
前記実施形態では、ウェハ支持手段としてギャップボール6が用いられていたが、これに限定されず、例えば、上端に向かって先細りとなった略円錐状の突起などであってもよい。
In the above embodiment, the film heater 32A is used as the heating means according to the present invention, but it is not necessary to use the film heater as long as the circuit pattern for heat generation can be formed on the substrate itself.
In the above embodiment, the coil spring 73 is used as the biasing means for the tension member 7, but it may be a columnar rubber member having elasticity.
In the above-described embodiment, the gap ball 6 is used as the wafer support means. However, the present invention is not limited to this. For example, a substantially conical protrusion that tapers toward the upper end may be used.

前記実施形態では、アース部材8の形状は、平面視において、加熱装置1の中心から径方向の外側に向けて延びた直線状であるが、このような形状に限定されない。例えば図9(A)、(B)に示すように、第2折曲部8Bにて延出方向を90度変更することで、平面視でL字形状に形成してもよく、図10(A)、(B)に示すように、第2折曲部8Bに加えて、第4折曲部8Dにて再度延出方向を90°変更して戻すことで、平面視でクランク形状に形成してもよい。
これらの形状を有したアース部材8では、第1、第2折曲部8A,8Bが屈曲することと、第3、第4折曲部8C,8Dが屈曲することとにより、互いに直交する2方向の変位に対応できる。
In the said embodiment, although the shape of the earth member 8 is a linear form extended toward the radial direction outer side from the center of the heating apparatus 1 in planar view, it is not limited to such a shape. For example, as shown in FIGS. 9A and 9B, the extending direction may be changed by 90 degrees at the second bent portion 8B to form an L shape in plan view. As shown in A) and (B), in addition to the second bent portion 8B, the extension direction is changed again by 90 ° at the fourth bent portion 8D to form a crank shape in plan view. May be.
In the ground member 8 having these shapes, the first and second bent portions 8A and 8B are bent, and the third and fourth bent portions 8C and 8D are bent, so that they are orthogonal to each other. Can cope with displacement in direction.

本発明は、半導体ウェハの加熱に利用できる。   The present invention can be used for heating a semiconductor wafer.

1…加熱装置、2…ベースプレート、3…フェイスプレート、5…支柱、6…ウェハ支持手段であるギャップボール、7…引張部材、8…アース部材、8A,8B,8C,8D…折曲部、9…ターミナルブロック、11…冷却パイプ、12…遮熱整流プレート、24…配線、32,32A…加熱手段であるフィルムヒータ、33…端子、71…シャフト、73…付勢手段である圧縮ばねとしてのコイルばね、75…ナット、81…保持ボルト、81A…ガイド孔、81B…保持部、83…頭部、84…長ビス、84A…ロッド部、84B…雄ねじ部、87…ワッシャ、89…ナット、W…ウェハ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Heating device, 2 ... Base plate, 3 ... Face plate, 5 ... Support | pillar, 6 ... Gap ball which is wafer support means, 7 ... Tensile member, 8 ... Ground member, 8A, 8B, 8C, 8D ... Bending part, DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 ... Terminal block, 11 ... Cooling pipe, 12 ... Thermal insulation rectifying plate, 24 ... Wiring, 32, 32A ... Film heater which is heating means, 33 ... Terminal, 71 ... Shaft, 73 ... Compression spring which is urging means Coil spring, 75 ... nut, 81 ... holding bolt, 81A ... guide hole, 81B ... holding part, 83 ... head, 84 ... long screw, 84A ... rod part, 84B ... male screw part, 87 ... washer, 89 ... nut , W ... wafer.

Claims (5)

導電性を有するベースプレートと、
前記ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレートと、
前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に配置されて互いを導通させるアース部材とを備え、
前記フェイスプレートは、
表面が前記アース部材との導通部分を除いて電気的に絶縁されたアルミ基板と、
前記アルミ基板に設けられて前記ウェハを加熱する加熱手段とを備え、
前記アルミ基板の前記アース部材との導通部分は、当該アルミ基板の中央に設けられているとともに、
前記アース部材の長手方向の途中には、複数の折曲部が設けられている
ことを特徴とする加熱装置。
A conductive base plate;
A face plate on which a wafer is placed above the base plate;
A grounding member disposed between the base plate and the face plate to conduct each other;
The face plate is
An aluminum substrate whose surface is electrically insulated except for a conductive portion with the ground member;
Heating means provided on the aluminum substrate for heating the wafer;
The conductive portion of the aluminum substrate with the ground member is provided at the center of the aluminum substrate,
In the middle of the longitudinal direction of the ground member, a plurality of bent portions are provided.
請求項1に記載の加熱装置において、
前記アルミ基板の前記導通部分と前記アース部材の端部との間には導電性を有したワッシャが介装され、
前記ワッシャの厚さは、前記導通部分回りの絶縁層の厚さ以上である
ことを特徴とする加熱装置。
The heating device according to claim 1,
A conductive washer is interposed between the conductive portion of the aluminum substrate and the end of the ground member,
The thickness of the said washer is more than the thickness of the insulating layer around the said conduction | electrical_connection part. The heating apparatus characterized by the above-mentioned.
請求項1または請求項2に記載の加熱装置において、
前記ベースプレートの中央には、軸方向に沿って貫通したガイド孔を有する保持ボルトが螺入されており、
前記フェイスプレートの中央には、下端側が前記ガイド孔に挿通されるロット部とされ、かつ上端側が前記保持ボルトの頭部に設けられたナットに螺入する雄ねじ部とされた長ビスが挿通されている
ことを特徴とする加熱装置。
In the heating device according to claim 1 or 2,
In the center of the base plate, a holding bolt having a guide hole penetrating along the axial direction is screwed,
In the center of the face plate, a long screw having a lower end side which is a lot portion inserted into the guide hole and an upper end side which is a male screw portion which is screwed into a nut provided on the head of the holding bolt is inserted. A heating device characterized by that.
請求項3に記載の加熱装置において、
前記保持ボルトの前記頭部には、前記ナットが無回転状態で上下にスライド自在に嵌合される保持部が設けられている
ことを特徴とする加熱装置。
The heating device according to claim 3, wherein
The heating device, wherein the head of the holding bolt is provided with a holding portion in which the nut is slidably fitted up and down in a non-rotating state.
ベースプレートと、
前記ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレートと、
前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に設けられて、前記フェイスプレートを冷却する冷媒ガスが流通する冷却パイプと、
前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に設けられて、前記冷却パイプを通して噴出された前記冷媒ガスを案内するとともに、前記フェイスプレートから前記ベースプレートへの輻射熱を遮熱する遮熱整流プレートと、
前記フェイスプレートの上面から突出して設けられたウェハ支持手段と、
前記ベースプレートに取り付けられて、外部電源からの配線が結線されるターミナルブロックと、
前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に立設されて該フェイスプレートを支持する複数の支柱と、
前記フェイスプレートを前記ベースプレート側に引っ張る複数の引張部材と、
前記ベースプレートおよび前記フェイスプレートの間に配置されて互いを導通させるアース部材とを備え、
前記フェイスプレートは、
表面が前記アース部材との導通部分を除いて電気的に絶縁されたアルミ基板と、
前記アルミ基板に設けられて前記ウェハを加熱するとともに、前記ターミナルブロックに接続される給電用の端子を有した加熱手段とを備え、
前記アルミ基板の前記アース部材との導通部分は、当該アルミ基板の中央に設けられているとともに、
前記アース部材の長手方向の途中には、複数の折曲部が設けられている
ことを特徴とする加熱装置。
A base plate;
A face plate on which a wafer is placed above the base plate;
A cooling pipe provided between the base plate and the face plate, through which a refrigerant gas for cooling the face plate flows;
A heat-insulating rectifying plate that is provided between the base plate and the face plate, guides the refrigerant gas ejected through the cooling pipe, and shields radiant heat from the face plate to the base plate;
Wafer support means provided protruding from the upper surface of the face plate;
A terminal block attached to the base plate, to which wiring from an external power source is connected;
A plurality of columns that are erected between the base plate and the face plate to support the face plate;
A plurality of tension members for pulling the face plate toward the base plate;
A grounding member disposed between the base plate and the face plate to conduct each other;
The face plate is
An aluminum substrate whose surface is electrically insulated except for a conductive portion with the ground member;
A heating unit provided on the aluminum substrate for heating the wafer and having a power feeding terminal connected to the terminal block,
The conductive portion of the aluminum substrate with the ground member is provided at the center of the aluminum substrate,
In the middle of the longitudinal direction of the ground member, a plurality of bent portions are provided.
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