JP5690578B2 - Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、有機電界発光素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same.

有機電界発光素子は、面発光が可能なであることから、次世代のディスプレイ、照明デバイス、バックライトなどとして期待されている。前記有機電界発光素子を用いたディスプレイに文字乃至画像の発光パターンを表示するためには、(1)有機電界発光素子面内で輝度の変化パターンを表示パターン状に形成する方法、(2)電極を表示パターン状に加工する方法、(3)電極をマトリックス状に加工して駆動回路を用いて発光表示させる方法などが用いられている。これらの方法は、有機電界発光素子の使用目的、製造コストなどに応じて使い分けられるが、例えば、前記(1)の方法では、特定のパターンしか表示できないものの、パターニングに伴う高度な微細加工技術、並びに複雑な配線及び駆動回路が不要であり、低コストで発光性の広告、固定表示装置などを作製することができる。   Organic electroluminescent devices are expected as next-generation displays, lighting devices, backlights, and the like because they can emit surface light. In order to display a light emission pattern of characters or images on a display using the organic electroluminescence device, (1) a method of forming a luminance change pattern in the form of a display pattern in the surface of the organic electroluminescence device, and (2) an electrode And (3) a method in which electrodes are processed in a matrix and light-emitting display is performed using a drive circuit. These methods are selectively used according to the purpose of use of the organic electroluminescence device, the manufacturing cost, etc. For example, although the method of (1) can display only a specific pattern, an advanced fine processing technique accompanying patterning, In addition, complicated wirings and driving circuits are unnecessary, and a luminescent advertisement, a fixed display device, and the like can be manufactured at low cost.

前記輝度の変化パターンを形成する方法としては、有機電界発光素子の発光面に電磁波を照射(以下、「露光」乃至「光照射」ともいう)することで、部分的に駆動電圧(以下、「発光開始電圧」ともいう)を上昇させ、発光輝度を低下させる方法がいくつか提案されている。
例えば、紫外線を発光材料からなる発光層に照射し、該照射部分を非発光領域とする有機電界発光素子のパターン化方法が提案されている(特許文献1参照)。
また、アリールアミンを含有する少なくとも一層のホール輸送層及び電子輸送性発光層を有する積層型有機電界発光素子を製造する方法において、ホール輸送層を電磁波照射により特性を変化させて、有機電界発光素子の発光部の明るさを部分的に、かつ任意に調整することが提案されている(特許文献2参照)。
As a method of forming the luminance change pattern, a driving voltage (hereinafter referred to as “a light exposure”) is partially applied by irradiating the light emitting surface of the organic electroluminescence element with an electromagnetic wave (hereinafter also referred to as “exposure” to “light irradiation”). Several methods have been proposed for increasing the light emission luminance by increasing the light emission start voltage).
For example, a method for patterning an organic electroluminescent element has been proposed in which a light-emitting layer made of a light-emitting material is irradiated with ultraviolet light and the irradiated portion is a non-light-emitting region (see Patent Document 1).
Further, in a method for producing a laminated organic electroluminescent device having at least one hole transport layer containing an arylamine and an electron transporting light emitting layer, the characteristics of the hole transport layer are changed by electromagnetic wave irradiation, and the organic electroluminescent device It has been proposed to adjust the brightness of the light emitting part partially and arbitrarily (see Patent Document 2).

これらの提案では、電磁波照射により、照射された部分の駆動電圧が上昇して発光面内で不均一に電流が流れ、それにより発光輝度に差がついて発光面内でコントラストを生み出すことができる。
しかしながら、有機電界発光素子の駆動電圧と輝度とは、比例関係ではなく、かつ、電磁波の照射時間と駆動電圧の上昇量とも単純な比例関係ではないため、所望のパターンに合わせた濃淡のつけ方を有機電界発光素子の電圧−電流密度特性及び電磁波照射量−電圧上昇量から補正しなければならず、作業が煩雑であった。また、これらの提案のように照射する電磁波の強度を濃淡で変えて画像の階調を表現する場合には、露光マスクの濃淡のズレによって画像にボケが生じることがあり、また、得られた有機電界発光素子の画像が発光輝度によっては正確に表現できないという問題があった。
In these proposals, the drive voltage of the irradiated portion increases due to the electromagnetic wave irradiation, and current flows nonuniformly in the light emitting surface, thereby making it possible to produce a contrast in the light emitting surface with a difference in light emission luminance.
However, the driving voltage and luminance of the organic electroluminescence device are not proportional, and the electromagnetic wave irradiation time and the amount of increase in driving voltage are not a simple proportional relationship. Must be corrected from the voltage-current density characteristics of the organic electroluminescent element and the electromagnetic wave irradiation amount-voltage increase amount, and the work is complicated. In addition, when the gradation of the image is expressed by changing the intensity of the electromagnetic wave to be radiated as in these proposals, the image may be blurred due to the deviation of the light and shade of the exposure mask. There has been a problem that the image of the organic electroluminescent element cannot be accurately expressed depending on the light emission luminance.

したがって、電磁波照射の際の濃淡を制御する必要がなく、かつ、素子の輝度によらず階調を正確に、再現性よく表現できる有機電界発光素子及びその製造方法が待ち望まれているのというのが現状である。   Therefore, there is a need for an organic electroluminescence device that can be used to control gradation in electromagnetic wave irradiation and that can accurately express gradation with good reproducibility regardless of the luminance of the device, and a method for manufacturing the same. Is the current situation.

特許第2793373号公報Japanese Patent No. 2793373 特許第3599077号公報Japanese Patent No. 3599077

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、所望の輝度変化パターンが、素子の電圧−電流特性に影響されずに、より容易に、かつ、きれいな画質で、再現性よく形成された有機電界発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-described problems and achieve the following objects. That is, the present invention provides an organic electroluminescent device in which a desired luminance change pattern is formed more easily, with a clear image quality, and with good reproducibility without being affected by the voltage-current characteristics of the device, and a method for manufacturing the same. The purpose is to provide.

前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
<1> 陽極と陰極との間に発光層を有してなり、
発光面内の少なくとも一部に輝度を変化させた輝度変化パターンからなる面積階調を有することを特徴とする有機電界発光素子である。
<2> 輝度変化パターンの形成が、電磁波照射である前記<1>に記載の有機電界発光素子である。
<3> 電磁波照射が、電磁波の透過率の変化を2値で表示したパターンを有する露光マスクを介して行われる前記<2>に記載の有機電界発光素子である。
<4> 電磁波照射が、2値で変化され、有機電界発光素子上を走査して行われる前記<2>に記載の有機電界発光素子である。
<5> 輝度変化パターンの解像度が、100dpi以上である前記<1>から<4>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<6> 電磁波が照射された部分の駆動電圧が上昇し、電流量が低下してなる前記<2>から<5>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<7> 電磁波が照射された部分に特定の電圧を印加した場合の面積あたりに流れる電流量(A)と、電磁波が照射されていない部分に前記電圧と同じ電圧を印加した場合の面積あたりに流れる電流量(B)との比(B/A)が、3以上である前記<2>から<6>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<8> 陽極及び陰極の少なくともいずれかが、金属酸化物電極である前記<1>から<7>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<9> 可視光透過率が、20%以上である前記<1>から<8>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
Means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> A light emitting layer is provided between the anode and the cathode,
An organic electroluminescent element having an area gradation composed of a luminance change pattern in which luminance is changed at least in a part of a light emitting surface.
<2> The organic electroluminescence device according to <1>, wherein the luminance change pattern is formed by electromagnetic wave irradiation.
<3> The organic electroluminescence device according to <2>, wherein the electromagnetic wave irradiation is performed through an exposure mask having a pattern in which a change in electromagnetic wave transmittance is displayed in binary.
<4> The organic electroluminescence device according to <2>, wherein the electromagnetic wave irradiation is performed by scanning the surface of the organic electroluminescence device that is changed in binary.
<5> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <4>, wherein the resolution of the luminance change pattern is 100 dpi or more.
<6> The organic electroluminescence device according to any one of <2> to <5>, wherein a drive voltage in a portion irradiated with electromagnetic waves is increased and a current amount is decreased.
<7> The amount of current (A) that flows per area when a specific voltage is applied to a portion irradiated with electromagnetic waves, and the area when the same voltage as the voltage is applied to a portion that is not irradiated with electromagnetic waves The organic electroluminescence device according to any one of <2> to <6>, wherein a ratio (B / A) to a flowing current amount (B) is 3 or more.
<8> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <7>, wherein at least one of the anode and the cathode is a metal oxide electrode.
<9> The organic electroluminescent element according to any one of <1> to <8>, wherein the visible light transmittance is 20% or more.

<10> 可撓性を有する前記<1>から<9>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<11> 電磁波照射で使用された波長の電磁波を吸収する電磁波吸収層を発光面上に更に有してなる前記<2>から<10>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<12> 電磁波を照射して発光面内の輝度ムラを補正してなる前記<1>から<10>のいずれかに記載の有機電界発光素子である。
<13> 陽極と陰極との間に発光層を有してなる有機電界発光素子を作製する有機電界発光素子作製工程と、
前記有機電界発光素子の発光面の少なくとも一部に輝度の変化パターンが面積階調となるように電磁波を照射する輝度変化パターン形成工程とを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。
<14> 電磁波照射が、電磁波の透過率の変化を2値で表示したパターンを有する露光マスクを介して行われる前記<13>に記載の有機電界発光素子の製造方法である。
<15> 電磁波照射が、2値で変化され、有機電界発光上素子を走査して行われる前記<13>に記載の有機電界発光素子の製造方法である。
<16> 電磁波を照射して発光面内の輝度ムラを補正する輝度ムラ補正工程を更に含む前記<13>から<15>のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法である。
<17> 輝度変化パターン形成工程において、有機電界発光素子の発光面内の輝度ムラ補正と、輝度変化パターンからなる面積階調の形成とを同時に行う前記<13>から<15>のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法である。
<10> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <9>, which has flexibility.
<11> The organic electroluminescence device according to any one of <2> to <10>, further including an electromagnetic wave absorbing layer that absorbs an electromagnetic wave having a wavelength used in electromagnetic wave irradiation on a light emitting surface.
<12> The organic electroluminescence device according to any one of <1> to <10>, wherein the luminance unevenness in the light emitting surface is corrected by irradiating electromagnetic waves.
<13> An organic electroluminescent element production step of producing an organic electroluminescent element having a light emitting layer between an anode and a cathode;
A method of forming an organic electroluminescence device, comprising: a luminance change pattern forming step of irradiating an electromagnetic wave so that the luminance change pattern has an area gradation on at least a part of a light emitting surface of the organic electroluminescence device. is there.
<14> The method for producing an organic electroluminescent element according to <13>, wherein the electromagnetic wave irradiation is performed through an exposure mask having a pattern in which a change in electromagnetic wave transmittance is expressed in binary.
<15> The method for producing an organic electroluminescent element according to <13>, wherein the electromagnetic wave irradiation is performed by changing the binary value and scanning the organic electroluminescent upper element.
<16> The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of <13> to <15>, further including a luminance unevenness correcting step of correcting the luminance unevenness in the light emitting surface by irradiating electromagnetic waves.
<17> In any one of the above items <13> to <15>, in the luminance change pattern forming step, the luminance unevenness correction in the light emitting surface of the organic electroluminescent element and the formation of the area gradation composed of the luminance change pattern are simultaneously performed. It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element of description.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、本発明は所望の輝度変化パターンが、素子の電圧−電流特性に影響されずに、より容易に、かつ、きれいな画質で、再現性よく形成された有機電界発光素子及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, conventional problems can be solved, and the present invention makes it possible for the desired luminance change pattern to be more easily and with good image quality and good reproducibility without being affected by the voltage-current characteristics of the device. It is possible to provide a formed organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same.

図1は、有機電界発光素子おける電磁波照射前後の電圧−輝度特性を説明するためのグラフの一例である。FIG. 1 is an example of a graph for explaining voltage-luminance characteristics before and after electromagnetic wave irradiation in an organic electroluminescent element. 図2は、実施例5における輝度ムラ補正前の有機電界発光素子の面内輝度分布を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing the in-plane luminance distribution of the organic electroluminescent element before luminance unevenness correction in Example 5. 図3は、実施例5における輝度ムラ補正後の有機電界発光素子の面内輝度分布を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the in-plane luminance distribution of the organic electroluminescent element after correcting the luminance unevenness in Example 5. 図4は、実施例1〜9及び比較例1〜7の有機電界発光素子にパターン表示させるための基となる画像である。FIG. 4 is an image serving as a basis for pattern display on the organic electroluminescent elements of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 7. 図5は、図4の画像を2値化処理して白黒反転した画像である。FIG. 5 is an image obtained by binarizing the image of FIG. 図6は、実施例9における輝度ムラ補正と発光パターン形成とを同時に行なうための露光マスク画像である。FIG. 6 is an exposure mask image for performing luminance unevenness correction and light emission pattern formation in Example 9 at the same time.

(有機電界発光素子)
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に発光層を有してなり、発光面内の少なくとも一部に輝度を変化させた輝度変化パターンからなる面積階調を有する。
(Organic electroluminescence device)
The organic electroluminescent element of the present invention has a light emitting layer between an anode and a cathode, and has an area gradation composed of a luminance change pattern in which the luminance is changed at least partially in the light emitting surface.

<輝度変化パターン>
前記輝度変化パターンは、有機電界発光素子の発光面内の少なくとも一部において輝度を変化させることにより形成されるパターンであり、有機電界発光素子を発光させた場合に、そのパターンを表示できるものである。
輝度を変化させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、作業が簡易である点及び電力効率を低下させない点で、電磁波照射が好ましい。前記電磁波照射により、発光面内において部分的に駆動電圧を上昇させ、輝度を低下させることで輝度の変化パターンを形成することができる。
<Luminance change pattern>
The luminance change pattern is a pattern formed by changing the luminance in at least a part of the light emitting surface of the organic electroluminescent element, and can display the pattern when the organic electroluminescent element emits light. is there.
The method for changing the luminance is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. However, electromagnetic radiation is preferable from the viewpoint that the operation is simple and the power efficiency is not lowered. A luminance change pattern can be formed by partially increasing the drive voltage and decreasing the luminance in the light emitting surface by the electromagnetic wave irradiation.

また、本発明では、前記輝度変化パターンの階調方式が面積階調であることを必須とする。ここで、面積階調とは、発光が強い部分と発光が弱い部分とを作り出し、その面積比で階調を表現することである。前記輝度変化パターンを面積階調とすることで、素子の電圧−電流特性に影響されずに、きれいな画質で、再現性よくパターン形成ができる。なお、その詳細は後述する。   In the present invention, it is essential that the gradation method of the luminance change pattern is an area gradation. Here, area gradation refers to creating a portion with strong light emission and a portion with low light emission, and expressing the gradation with the area ratio. By setting the luminance change pattern to area gradation, a pattern can be formed with good image quality and good reproducibility without being affected by the voltage-current characteristics of the element. Details thereof will be described later.

前記電磁波としては、真空波長にして10−17m〜10m程度の範囲のものであり、γ線、X線、紫外線、可視光線、赤外線などを包含する。これらの中でも、紫外線乃至可視光線が好ましい。
電磁波照射の装置の光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、水素(重水素)ランプ、希ガス(例えば、キセノン、アルゴン、ヘリウム、ネオン等)放電ランプ、窒素レーザー、エキシマレーザー(例えば、XeCl、XeF、KrF、KrCl等)、水素レーザー、ハロゲンレーザー、各種可視−赤外レーザーの高調波などが挙げられる。
これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
The electromagnetic wave has a vacuum wavelength in the range of about 10 −17 m to 10 5 m, and includes γ rays, X rays, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, and the like. Among these, ultraviolet rays or visible rays are preferable.
As a light source of the electromagnetic wave irradiation apparatus, for example, a high pressure mercury lamp, a low pressure mercury lamp, a hydrogen (deuterium) lamp, a rare gas (for example, xenon, argon, helium, neon) discharge lamp, a nitrogen laser, an excimer laser (for example, , XeCl, XeF, KrF, KrCl, etc.), hydrogen laser, halogen laser, harmonics of various visible-infrared lasers, and the like.
These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

電磁波照射装置としては、上記各種光源から光を出射させることができれば、特に制限はなく、市販品を用いることができる。該市販品としては、例えば、褪色試験機(光源:キセノンランプ、新東科学株式会社製)、青紫色半導体レーザーKLX−120mWタイプ(発光ピーク:405nm、株式会社キコー技研製)などが挙げられる。   The electromagnetic wave irradiation device is not particularly limited as long as light can be emitted from the various light sources, and commercially available products can be used. Examples of the commercially available product include an amber tester (light source: xenon lamp, manufactured by Shinto Kagaku Co., Ltd.), a blue-violet semiconductor laser KLX-120 mW type (emission peak: 405 nm, manufactured by Kikko Giken Co., Ltd.), and the like.

前記電磁波照射の方法としては、前記輝度変化パターンの階調方式が面積階調となる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、作業が簡便である点で、電磁波の透過率の変化を2値で表示したパターンを有する露光マスクを介して行う方法が好ましい。また、露光マスクを作製する必要がなく、安価である点で、電磁波照射が、2値で変化され、有機電界発光素子上を走査して行う方法が好ましい。
なお、前記2値化の方法としては、例えば、誤差拡散法、ディザマトリクス法などを用いることができる。
The electromagnetic wave irradiation method is not particularly limited as long as the gradation method of the luminance change pattern is an area gradation, and can be appropriately selected according to the purpose. It is preferable to perform the method through an exposure mask having a pattern in which the change in transmittance is expressed in binary. Moreover, it is not necessary to prepare an exposure mask, and the method of scanning the organic electroluminescent element by changing the electromagnetic wave irradiation in a binary manner is preferable because it is inexpensive.
As the binarization method, for example, an error diffusion method, a dither matrix method, or the like can be used.

面積階調の輝度変化パターン及び前記露光マスクの解像度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常、50dpi以上であり、100dpi以上が好ましく、200dpi以上がより好ましい。前記解像度が、50dpi未満であると、表示される画像に粒度性を感じることがある。   The luminance change pattern of the area gradation and the resolution of the exposure mask are not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose, but are usually 50 dpi or more, preferably 100 dpi or more, and more preferably 200 dpi or more. . If the resolution is less than 50 dpi, the displayed image may feel granularity.

前記露光マスクを作製する方法としては、例えば、所望の画像を画像処理ソフト(例えば、Adobe社製Photshop elements3.0)を用いて、誤差拡散法にて2値化処理して白黒反転した画像を作製し、OHPシートにインクジェットプリンターで印刷する方法が挙げられる。   As a method for producing the exposure mask, for example, a desired image is binarized by an error diffusion method using an image processing software (for example, Photoshop elements 3.0 manufactured by Adobe), and an image obtained by reversing black and white is obtained. The method of producing and printing on an OHP sheet with an inkjet printer is mentioned.

電磁波照射を2値で変化させる方法としては、例えば、照射の有無を変化させてもよいし、照射強度及び照射時間のいずれかを2値で変化させてもよい。
また、前記走査の方法としては、例えば、自動制御のxyステージ(中央精機株式会社製、ALD−220−C2P)に電磁波を照射するレーザーを設置し、xy方向にレーザーを移動させる方法が挙げられる。
As a method of changing electromagnetic wave irradiation by binary values, for example, the presence or absence of irradiation may be changed, or either irradiation intensity or irradiation time may be changed by binary values.
Examples of the scanning method include a method in which a laser that irradiates an electromagnetic wave is installed on an automatically controlled xy stage (ALD-220-C2P, manufactured by Chuo Seiki Co., Ltd.), and the laser is moved in the xy direction. .

前記電磁波の照射量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1J/cm〜10,000J/cmが好ましく、5J/cm〜1,000J/cmがより好ましい。前記照射量が、1J/cm未満であると、電圧上昇が不十分であり、露光部と未露光部とで輝度のコントラストがつけられないことがあり、10,000J/cmを超えると、駆動電圧の上昇にとどまらず、素子全体が劣化してしまうことがある。 The irradiation dose of the electromagnetic wave is not particularly limited, as appropriate may be selected, 1J / cm 2 ~10,000J / cm 2 are preferred according to the purpose, 5J / cm 2 ~1,000J / cm 2 Is more preferable. When the irradiation amount is less than 1 J / cm 2 , the voltage rise is insufficient, and there may be a case where brightness contrast is not achieved between the exposed portion and the unexposed portion, and when it exceeds 10,000 J / cm 2. In addition to the increase in driving voltage, the entire device may deteriorate.

また、発光パターンを高画質で表示させるためには画像コントラストをつける必要があるため、前記電磁波の照射量としては、電磁波が照射された部分に特定の電圧を印加した場合の面積あたりに流れる電流量(電流密度)(A)と、電磁波が照射されていない部分に前記電圧と同じ電圧を印加した場合の電流密度(B)との比(B/A)が、3以上となるように設定することが好ましい。前記比(B/A)が3未満であると、明るい部分と暗い部分の輝度差が小さく、表示される画像のコントラストが悪くなることがある。   In addition, since it is necessary to provide an image contrast in order to display the light emission pattern with high image quality, the amount of irradiation of the electromagnetic wave is a current flowing per area when a specific voltage is applied to a portion irradiated with the electromagnetic wave. The ratio (B / A) between the amount (current density) (A) and the current density (B) when a voltage equal to the above voltage is applied to a portion not irradiated with electromagnetic waves is set to be 3 or more. It is preferable to do. When the ratio (B / A) is less than 3, the brightness difference between the bright part and the dark part is small, and the contrast of the displayed image may deteriorate.

前記電流密度は、輝度変化パターン形成後の有機電界発光素子の発光面から電磁波照射された部分のサンプルと電磁波照射されていない部分のサンプルを切り出し、それぞれのサンプルの電極部と電源とを接続し、同じ電圧を印加することにより測定できる。このときに印加する電圧としては、素子が特定のパターンを表示する製品となった際に駆動する電圧で測定することが好ましく、具体的には3V〜10V程度が好ましい。   The current density is obtained by cutting out a sample of a portion irradiated with electromagnetic waves and a sample of a portion not irradiated with electromagnetic waves from the light emitting surface of the organic electroluminescent element after the luminance change pattern is formed, and connecting the electrode portion of each sample and a power source. , And can be measured by applying the same voltage. The voltage to be applied at this time is preferably measured by a voltage that is driven when the element becomes a product displaying a specific pattern, and specifically, about 3 V to 10 V is preferable.

なお、本発明の有機電界発光素子は、輝度変化パターンを形成する前後又は輝度変化パターンの形成と同時に発光面内の輝度ムラを補正してもよい。
前記輝度ムラ補正の方法としては、特に制限はなく、公知の方法を使用することができるが、濃淡階調で補正しないと通電中に劣化が不均一に進んで逆方向の輝度ムラができるため、濃淡階調で輝度ムラを補正してから、面積階調で輝度変化パターンを形成することが好ましい。
In addition, the organic electroluminescent element of this invention may correct | amend the brightness nonuniformity in a light emission surface before and after forming a brightness change pattern, or simultaneously with the formation of a brightness change pattern.
The method for correcting the luminance unevenness is not particularly limited, and a known method can be used. However, if the correction is not performed with light and shade gradations, the deterioration progresses unevenly during energization and uneven luminance in the reverse direction is generated. It is preferable that the luminance variation pattern is formed with the area gradation after correcting the luminance unevenness with the gradation gradation.

以下では、面積階調で有機電界発光素子の画像パターンを表現することの優位性を説明する。
ここでは、有機電界発光素子の素子構成が、陽極から順に、ITO(100)/0.3質量%F4TCNQをドープした2−TNATA(5)/2−TNATA(115)/NPD(4)/HTL−1(3)/mCP(3)/40質量%PT−1をドープしたmCP(30)/BAlq(39)/BCP(1)/LiF(1)/Al(100)であり、これを封止ガラスで封止した白色有機電界発光素子を一例として説明する。なお、前記括弧内は、層の平均厚みを表し、その単位は「nm」である。また、前記構成成分のうちF4TCNQ、2−TNATA、NPD、HTL−1、mCP、PT−1、BAlq、及びBCPは、下記構造式で表される。
Hereinafter, the superiority of expressing the image pattern of the organic electroluminescent element by area gradation will be described.
Here, the element configuration of the organic electroluminescence element is, in order from the anode, ITO (100) /0.3 mass% F4TCNQ-doped 2-TNATA (5) / 2-TNATA (115) / NPD (4) / HTL. -1 (3) / mCP (3) / 40 wt% PT-1 doped mCP (30) / BAlq (39) / BCP (1) / LiF (1) / Al (100) A white organic electroluminescent element sealed with a stop glass will be described as an example. The values in parentheses represent the average thickness of the layer, and the unit is “nm”. In addition, among the components, F4TCNQ, 2-TNATA, NPD, HTL-1, mCP, PT-1, BAlq, and BCP are represented by the following structural formula.

前記素子に、キセノン水銀ランプから250mW/cmの電磁波を60分間照射した場合の駆動電圧と輝度の関係を図1に示す。図1からわかるように電磁波照射により駆動電圧が上昇する。このとき、図示しないが、電磁波照射前後で電流−輝度特性は、ほぼ一致している。したがって、発光面内で電磁波照射した部分と電磁波照射しない部分を作った場合には、電磁波照射した部分は高電圧化により電流が流れにくくなり、電磁波照射していない部分にだけ電流が流れることとなる。この素子の場合、6Vの電圧をかけると、電磁波未照射部分では1,000cd/m程度の発光が見られるのに対し、電磁波照射部分では120cd/m程度しか発光しないこととなる。この電圧でのコントラスト比は、10:1程度となる。しかし、10V印加で輝度を比較すると、それぞれ9,000cd/mと3,300cd/mとなりコントラスト比が3:1程度に変化してしまう。つまり、電磁波照射量に階調をつけて駆動電圧の上昇を調節し、面内の輝度を調節しようとした場合、同じ照射量比であっても印加する電圧により流れる電流値の比、すなわち、電流密度が変化してしまうことがわかる。また、電圧変化に対して輝度の変化が大きいため、素子毎のばらつき、電磁波照射時のばらつきがあると、電圧上昇量を精密に制御するのは難しく、安定した画質で露光するのが難しい。このことは、素子構成にかかわらず同様である。 FIG. 1 shows the relationship between drive voltage and luminance when the element is irradiated with electromagnetic waves of 250 mW / cm 2 for 60 minutes from a xenon mercury lamp. As can be seen from FIG. 1, the drive voltage rises due to the electromagnetic wave irradiation. At this time, although not shown, the current-luminance characteristics are almost the same before and after the electromagnetic wave irradiation. Therefore, when the part irradiated with electromagnetic waves and the part not irradiated with electromagnetic waves are made in the light emitting surface, the current is difficult to flow in the part irradiated with electromagnetic waves due to the high voltage, and the current flows only to the part not irradiated with electromagnetic waves. Become. In the case of this element, when a voltage of 6 V is applied, light emission of about 1,000 cd / m 2 is observed in the part not irradiated with electromagnetic waves, whereas light of only about 120 cd / m 2 is emitted in the part irradiated with electromagnetic waves. The contrast ratio at this voltage is about 10: 1. However, when comparing the luminance with 10V applied, respectively 9,000cd / m 2 and 3,300cd / m 2 next to the contrast ratio of 3: varies about 1. That is, when adjusting the drive voltage increase by adjusting the driving voltage by applying a gradation to the electromagnetic wave irradiation amount, and adjusting the in-plane luminance, the ratio of the current value flowing by the applied voltage even with the same irradiation amount ratio, that is, It can be seen that the current density changes. In addition, since a change in luminance is large with respect to a voltage change, it is difficult to precisely control the amount of increase in voltage and exposure with a stable image quality if there is variation among elements and variation during electromagnetic wave irradiation. This is the same regardless of the element configuration.

本発明は、所望の画像を誤差拡散法若しくはディザマトリクス法により2値化処理した高解像度のパターンを有する露光マスクを用いること、又は電磁波照射を2値で変化させ、有機電界発光素子上を走査して照射することにより、面積階調により階調を表現することを提案する。これにより、高輝度で発光している部分と発光が弱い部分との面積比は、電圧を変えても一定であるため、どんな電圧を印加しても常に画像を一定にすることが可能である。また、この方法では素子の電圧−輝度特性の変化に対して依存性が低いため、素子性能のばらつきや照射する光源のばらつきに影響されずに露光することができ、常に一定の画質を得ることができる。   The present invention uses an exposure mask having a high-resolution pattern obtained by binarizing a desired image by an error diffusion method or a dither matrix method, or changes the electromagnetic wave irradiation by a binary value and scans the organic electroluminescent element. Then, it is proposed to express gradation by area gradation. As a result, the area ratio between the portion that emits light with high luminance and the portion that emits light is constant even when the voltage is changed, so that it is possible to always make the image constant regardless of the voltage applied. . In addition, since this method has low dependency on changes in the voltage-luminance characteristics of the element, exposure can be performed without being affected by variations in element performance and variations in the light source to irradiate, and a constant image quality can always be obtained. Can do.

また、電磁波を照射する際、電磁波を照射した部分と電磁波を照射していない部分に等電圧をかけた時の輝度差が大きくなるように電磁波照射量を調節することで、面積階調が正確に表現できるようになる。なぜなら、仮にある部分の輝度を50cd/mで表現したい場合に電磁波照射部分と未照射部分との面積が1:1であるとすると、電磁波未照射部分の輝度が100cd/m、電磁波照射部分の輝度がほぼ0となるように電磁波を照射すれば平均50cd/mの明るさに見え、かつ、電流密度が変わっても電磁波照射部分の発光が非常に低いために輝度にほとんど影響しないため、面積比のみで明るさが表現できることになる。しかし、例えば、電磁波照射部分と電磁波未照射部分の面積とが1:1で、電磁波未照射部分が60cd/m、電磁波照射部分がほぼ40cd/mとなるように電磁波を照射した場合には、同じく明るさは、平均で50cd/mの明るさに見えるが、電流密度を変えて電磁波照射部分と電磁波未照射部分との輝度比率が変化すると、電磁波照射部分の明るさが無視できないため、面積だけで明るさが決まらないことになる。よって、少なくとも電磁波照射部分と電磁波未照射部分で等電圧をかけた時の輝度が、5,000cd/m以下の領域で、3倍以上異なるように電磁波の照射量を設定することが面積階調を成立させる上で重要となる。 In addition, when irradiating electromagnetic waves, the area gradation can be accurately adjusted by adjusting the electromagnetic wave irradiation amount so that the luminance difference when applying an equal voltage to the part irradiated with electromagnetic waves and the part not irradiated with electromagnetic waves becomes large. Can be expressed in This is because, if the area of a certain electromagnetic radiation portion when to be expressed at 50 cd / m 2 brightness portion and unirradiated part 1: When 1, the electromagnetic wave non luminance of the irradiated area 100 cd / m 2, electromagnetic radiation If the electromagnetic wave is irradiated so that the luminance of the portion becomes almost zero, it appears to have an average brightness of 50 cd / m 2 , and even if the current density changes, the emission of the electromagnetic wave irradiated portion is very low, so the luminance is hardly affected. Therefore, brightness can be expressed only by area ratio. However, for example, when the electromagnetic wave is irradiated so that the area of the electromagnetic wave irradiated part and the electromagnetic wave non-irradiated part is 1: 1, the electromagnetic wave non-irradiated part is 60 cd / m 2 , and the electromagnetic wave irradiated part is approximately 40 cd / m 2. Similarly, the brightness appears to be 50 cd / m 2 on average, but if the current ratio is changed and the luminance ratio between the electromagnetic wave irradiation part and the electromagnetic wave non-irradiation part changes, the brightness of the electromagnetic wave irradiation part cannot be ignored. Therefore, the brightness is not determined only by the area. Therefore, it is possible to set the irradiation amount of electromagnetic waves so that the luminance when an equal voltage is applied at least in an electromagnetic wave irradiated part and an electromagnetic wave non-irradiated part is different by 3 times or more in a region of 5,000 cd / m 2 or less. It is important to establish a key.

以下では、本発明における有機電界発光素子の素子構成を説明する。
前記有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極と、両電極の間に発光層を含む有機層を有し、更に必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子注入層等の各種機能層、基板、保護層などのその他の成分を有していてもよい。
これらの各層は、通常、積層構造を形成しており、前記陽極上に前記正孔注入層を設けた積層構造を有する。前記積層構造と発光層との間に正孔輸送層を有することが好ましく、陰極と発光層との間に電子輸送層を有することが好ましい。また、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けてもよい。更に、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層(電子ブロック層)を設けてもよく、発光層と電子輸送層との間に電子輸送性中間層(正孔ブロック層)を設けてもよい。前記各層は、複数の二次層に分かれていてもよい。
Below, the element structure of the organic electroluminescent element in this invention is demonstrated.
The organic electroluminescent element has a pair of electrodes, that is, an anode and a cathode, and an organic layer including a light emitting layer between both electrodes, and further, if necessary, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport. Other components such as various functional layers such as a layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, and an electron injection layer, a substrate, and a protective layer may be included.
Each of these layers usually forms a laminated structure, and has a laminated structure in which the hole injection layer is provided on the anode. A hole transport layer is preferably provided between the stacked structure and the light emitting layer, and an electron transport layer is preferably provided between the cathode and the light emitting layer. An electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the cathode. Further, a hole transporting intermediate layer (electron blocking layer) may be provided between the light emitting layer and the hole transporting layer, and an electron transporting intermediate layer (hole blocking layer) between the light emitting layer and the electron transporting layer. ) May be provided. Each of the layers may be divided into a plurality of secondary layers.

前記発光層を含む有機層は、公知の方法に従って形成することができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式、などにより好適に形成することができる。   The organic layer including the light emitting layer can be formed according to a known method, and is suitable for, for example, a dry film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, an ink jet method, or the like. Can be formed.

前記有機電界発光素子全体の性状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、透明でも不透明でもよく、透明な場合は、無色透明でも有色透明でもよい。また、可撓性を有していてもよい。前記有機電界発光素子が、透明であること、可撓性を有することなどにより、その用途の幅を広げることができる。
なお、透過率としては、可視光透過率として、少なくとも20%以上であり、40%以上が好ましく、60%以上がより好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as a property of the said organic electroluminescent element, It can select suitably according to the objective, Transparent or opaque may be sufficient, and when transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent. Moreover, you may have flexibility. When the organic electroluminescent element is transparent or flexible, the range of uses can be expanded.
In addition, as a transmittance | permeability, it is at least 20% or more as visible light transmittance, 40% or more is preferable, and 60% or more is more preferable.

<<電極>>
前記有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。前記有機電界発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。
前記電極としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
前記電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、これらの混合物などが挙げられる。
<< Electrode >>
The organic electroluminescent element includes a pair of electrodes, that is, an anode and a cathode. In view of the nature of the organic electroluminescence device, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent. Usually, the anode only needs to have a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and the cathode only needs to have a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer.
There is no restriction | limiting in particular about the shape, a structure, a magnitude | size, etc. as said electrode, According to the use and objective of an organic electroluminescent element, it can select suitably from well-known electrode materials.
Examples of the material constituting the electrode include metals, alloys, metal oxides, conductive compounds, and mixtures thereof.

−陽極−
前記陽極を構成する材料としては、例えば、アンチモンやフッ素などをドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル等の金属;これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物;ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質;ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとITOとの積層物などが挙げられる。これらの中でも、導電性金属酸化物が好ましく、生産性、高導電性、透明性等の観点から、ITOが特に好ましい。
-Anode-
Examples of the material constituting the anode include tin oxide doped with antimony and fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Conductive metal oxides; metals such as gold, silver, chromium and nickel; mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides; inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide; polyaniline, polythiophene, Examples thereof include organic conductive materials such as polypyrrole, and laminates of these with ITO. Among these, a conductive metal oxide is preferable, and ITO is particularly preferable from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

前記陽極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式;真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式;CVD、プラズマCVD法等の化学的方式などが挙げられる。これらの中から、前記陽極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができ、例えば、陽極の材料としてITOを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などによって形成することができる。なお、後述する陰極の材料として金属などを選択する場合には、その1種又は2種以上を同時又は順次にスパッタ法などによって形成することができる。   The method for forming the anode is not particularly limited and can be performed according to a known method, for example, a wet method such as a printing method or a coating method; a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method. Chemical methods such as CVD and plasma CVD may be used. Of these, it can be formed on the substrate according to a method selected appropriately in consideration of suitability with the material constituting the anode. For example, when selecting ITO as the material of the anode, direct current or high frequency It can be formed by sputtering, vacuum deposition, ion plating, or the like. In addition, when selecting a metal etc. as a cathode material mentioned later, the 1 type (s) or 2 or more types can be formed by the sputtering method etc. simultaneously or sequentially.

−陰極−
前記陰極を構成する材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ金属(例えばLi、Na、K、Cs等)、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を併用することが好ましい。
これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属及びアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01質量%〜10質量%のアルカリ金属、又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物(例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金等)をいう。
-Cathode-
There is no restriction | limiting in particular as a material which comprises the said cathode, According to the objective, it can select suitably, For example, an alkali metal (for example, Li, Na, K, Cs etc.), an alkaline earth metal (for example, Mg, Ca) Etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy, lithium-aluminum alloy, magnesium-silver alloy, rare earth metals such as indium and ytterbium. These may be used singly or in combination of two or more from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.
Among these, alkali metals and alkaline earth metals are preferable from the viewpoint of electron injection properties, and materials mainly composed of aluminum are preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal, or alkaline earth metal or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium- An aluminum alloy).

前記陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、前述の陽極の形成方法と同様の方法を用いることができる。   There is no restriction | limiting in particular about the formation method of the said cathode, According to a well-known method, it can carry out and the method similar to the formation method of the above-mentioned anode can be used.

なお、前記陽極及び陰極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよい。また、マスクを重ねて真空蒸、スパッタなどによって行ってもよいし、リフトオフ法乃至印刷法によって行ってもよい。   In addition, when patterning is performed when forming the anode and the cathode, the patterning may be performed by chemical etching using photolithography or the like, or by physical etching using a laser or the like. Further, the masks may be overlapped by vacuum steaming, sputtering, or the like, or by a lift-off method or a printing method.

前記電極には、酸素、窒素、希ガスなどを用いた表面処理を行ってもよい。
前記表面処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プラズマ処理、イオンビームスパッタリング等の各種スパッタリング、紫外線照射処理、ラジカルビーム処理など、公知の表面処理方法が挙げられる。これらの中でも、短時間で処理でき、さまざまなガス雰囲気下で行なうことができる点で、プラズマ処理が好ましい。
The electrode may be subjected to a surface treatment using oxygen, nitrogen, a rare gas, or the like.
The surface treatment is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. For example, known surface treatment methods such as various kinds of sputtering such as plasma treatment and ion beam sputtering, ultraviolet irradiation treatment, and radical beam treatment may be used. Can be mentioned. Among these, plasma processing is preferable in that it can be processed in a short time and can be performed in various gas atmospheres.

前記プラズマ処理としては、ガスをプラズマ化して基板表面を処理できれば装置、条件などは適宜選択できるが、プラズマ化したガスによって電極表面の凹凸が大きくならない条件で行なうことが好ましい。電極表面の凹凸が処理前に比較して大きくなるような条件では、有機電界発光素子にした際に電極間のショートが発生しやすくなる可能性がある。   As the plasma treatment, the apparatus and conditions can be appropriately selected as long as the gas can be converted into plasma and the substrate surface can be treated. However, the plasma treatment is preferably performed under the condition that the plasma surface does not cause unevenness of the electrode surface. Under the condition that the unevenness of the electrode surface becomes larger than that before the treatment, there is a possibility that a short circuit between the electrodes is likely to occur when an organic electroluminescent element is formed.

<<発光層>>
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、及び電子輸送層のいずれかから電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記発光層は、発光材料を含む。該発光層は発光材料のみで構成されていてもよいし、ホスト材料と発光材料の混合層でもよい(後者の場合、発光材料を「発光性ドーパント」もしくは「ドーパント」と称する場合がある)。
更に、前記発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
<< Light emitting layer >>
The light emitting layer receives holes from an anode, a hole injection layer, or a hole transport layer when an electric field is applied, and receives electrons from any one of a cathode, an electron injection layer, and an electron transport layer. It is a layer having a function of providing a recombination field to emit light.
The light emitting layer includes a light emitting material. The light emitting layer may be composed only of a light emitting material, or may be a mixed layer of a host material and a light emitting material (in the latter case, the light emitting material may be referred to as a “light emitting dopant” or “dopant”).
Furthermore, the light emitting layer may contain a material that does not have charge transporting properties and does not emit light.

前記発光層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、2nm〜500nmが好ましく、外部量子効率の観点から、3nm〜200nmがより好ましく、5nm〜100nmが特に好ましい。
また、前記発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
There is no restriction | limiting in particular as average thickness of the said light emitting layer, Although it can select suitably according to the objective, 2 nm-500 nm are preferable, 3 nm-200 nm are more preferable from a viewpoint of external quantum efficiency, and 5 nm-100 nm are preferable. Particularly preferred.
Moreover, the said light emitting layer may be 1 layer, or may be two or more layers, and each layer may light-emit with a different luminescent color.

−発光材料−
前記発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、蛍光発光材料であってもよいし、燐光発光材料であってもよい。また、これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
前記発光性ドーパントは、ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差(ΔIp)と電子親和力の差(ΔEa)が、1.2eV>ΔIp>0.2eV、及び/又は1.2eV>ΔEa>0.2eVの関係を満たすドーパントであることが、駆動耐久性の観点から好ましい。
前記発光層中の発光性ドーパントの含有量としては、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、0.1質量%〜50質量%が好ましく、耐久性、外部量子効率の観点から1質量%〜50質量%がより好ましく、2質量%〜40質量%が特に好ましい。
-Luminescent material-
There is no restriction | limiting in particular as said luminescent material, According to the objective, it can select suitably, A fluorescent luminescent material may be sufficient and a phosphorescent luminescent material may be sufficient. Moreover, these may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The light emitting dopant has an ionization potential difference (ΔIp) and an electron affinity difference (ΔEa) of 1.2 eV>ΔIp> 0.2 eV and / or 1.2 eV>ΔEa> 0 with the host compound. A dopant satisfying the relationship of .2 eV is preferable from the viewpoint of driving durability.
The content of the luminescent dopant in the luminescent layer is preferably 0.1% by mass to 50% by mass with respect to the total mass of the compound generally forming the luminescent layer in the luminescent layer. 1 mass%-50 mass% are more preferable from a viewpoint of efficiency, and 2 mass%-40 mass% are especially preferable.

−−燐光発光材料−−
前記燐光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体などが挙げられる。
前記遷移金属原子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、白金などが挙げられる。これらの中でも、レニウム、イリジウム、白金が好ましく、イリジウム、白金が特に好ましい。
--Phosphorescent material--
There is no restriction | limiting in particular as said phosphorescence-emitting material, According to the objective, it can select suitably, The complex etc. which contain a transition metal atom or a lanthanoid atom are mentioned.
There is no restriction | limiting in particular as said transition metal atom, According to the objective, it can select suitably, For example, ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, gold | metal | money, silver, copper, platinum etc. are mentioned. Among these, rhenium, iridium, and platinum are preferable, and iridium and platinum are particularly preferable.

前記錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著,Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社1987年発行、H.Yersin著,「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer−Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社1982年発行等に記載の配位子などが挙げられる。   Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Examples include ligands described in Yersin's "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds" published by Springer-Verlag 1987, Akio Yamamoto "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-" .

前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を1つ有してもよいし、2つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。なお、異種の金属原子を同時に含有していてもよい。   The complex may have one transition metal atom in the compound or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.

前記燐光発光材料としては、例えば、米国特許第6303238号明細書、米国特許第6097147号明細書、WO00/57676号パンフレット、WO00/70655号パンフレット、WO01/08230号パンフレット、WO01/39234号パンフレット、WO01/41512号パンフレット、WO02/02714号パンフレット、WO02/15645号パンフレット、WO02/44189号パンフレット、WO05/19373号パンフレット、WO2004/108857号パンフレット、WO2005/042444号パンフレット、WO2005/042550号パンフレット、特開2001−247859号公報、特開2002−302671号公報、特開2002−117978号公報、特開2003−133074号公報、特開2002−235076号公報、特開2003−123982号公報、特開2002−170684号公報、EP1211257号明細書、特開2002−226495号公報、特開2002−234894号公報、特開2001−247859号公報、特開2001−298470号公報、特開2002−173674号公報、特開2002−203678号公報、特開2002−203679号公報、特開2004−357791号公報、特開2006−93542号公報、特開2006−261623号公報、特開2006−256999号公報、特開2007−19462号公報、特開2007−84635号公報、特開2007−96259号公報等に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。
これらの中でも、Ir錯体、Pt錯体、Cu錯体、Re錯体、W錯体、Rh錯体、Ru錯体、Pd錯体、Os錯体、Eu錯体、Tb錯体、Gd錯体、Dy錯体、Ce錯体が好ましく、Ir錯体、Pt錯体、Re錯体がより好ましく、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むIr錯体、Pt錯体、Re錯体が更に好ましく、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点から、3座以上の多座配位子を含むIr錯体、Pt錯体、Re錯体が特に好ましい。
Examples of the phosphorescent material include, for example, US Pat. No. 6,303,238, US Pat. No. 6,097,147, WO00 / 57676, WO00 / 70655, WO01 / 08230, WO01 / 39234, WO01. / 41512 pamphlet, WO02 / 02714 pamphlet, WO02 / 15645 pamphlet, WO02 / 44189 pamphlet, WO05 / 19373 pamphlet, WO2004 / 108857 pamphlet, WO2005 / 042444 pamphlet, WO2005 / 042550 pamphlet, JP2001. JP-A No. 247859, JP-A No. 2002-302671, JP-A No. 2002-117978, and JP-A No. 2003. JP 133074, JP 2002-235076, JP 2003-123982, JP 2002-170684, EP 12111257, JP 2002-226495, JP 2002-234894, special JP-A-2001-247859, JP-A-2001-298470, JP-A-2002-173675, JP-A-2002-203678, JP-A-2002-203679, JP-A-2004-357791, JP-A-2006 Phosphorescence described in JP-A No. 93542, JP-A 2006-261623, JP-A 2006-256999, JP-A 2007-19462, JP-A 2007-84635, JP-A 2007-96259, and the like. Compound etc. are mentioned.
Among these, Ir complex, Pt complex, Cu complex, Re complex, W complex, Rh complex, Ru complex, Pd complex, Os complex, Eu complex, Tb complex, Gd complex, Dy complex, and Ce complex are preferable, and Ir complex Pt complex and Re complex are more preferable, Ir complex including at least one coordination mode of metal-carbon bond, metal-nitrogen bond, metal-oxygen bond and metal-sulfur bond, Pt complex, and Re complex are more preferable. From the viewpoints of luminous efficiency, driving durability, chromaticity, and the like, Ir complexes, Pt complexes, and Re complexes containing a tridentate or higher polydentate ligand are particularly preferable.

本発明に用いることができる燐光発光材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the phosphorescent material that can be used in the present invention include, but are not limited to, the following compounds.

−−蛍光発光材料−−
前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物(例えば、アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセン等)、8−キノリノールの金属錯体;ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体;ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物;有機シラン、これらの誘導体などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
--Fluorescent material--
The fluorescent material is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, Coumarin, pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compounds, condensed polycyclic aromatic compounds (for example, , Anthracene, phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, or pentacene), 8-quinolinol metal complexes; various metal complexes typified by pyromethene complexes and rare earth complexes; poly Thiophene, polyphenylene, polymeric compounds such as polyphenylene vinylene; organic silane, and derivatives thereof. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

−ホスト材料−
前記ホスト材料は、電荷輸送材料であることが好ましい。該ホスト材料は、1種であっても2種以上であってもよい。
前記電荷輸送材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料、及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト材料を用いることができる。
-Host material-
The host material is preferably a charge transport material. The host material may be one type or two or more types.
As the charge transporting material, a hole transporting host material having excellent hole transporting property and an electron transporting host material having excellent electron transporting property can be used.

−−正孔輸送性ホスト材料−−
前記正孔輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体、などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、t−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。
--Hole-transporting host material--
The hole transporting host material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, pyrrole, indole, carbazole, azaindole, azacarbazole, triazole, oxazole, oxadiazole, pyrazole, Imidazole, thiophene, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, silazane, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidin compound , Porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, conductive polymer oligomers such as polythiophene, organosilanes Carbon film, or a derivative thereof, and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Among these, indole derivatives, carbazole derivatives, aromatic tertiary amine compounds, and thiophene derivatives are preferable, those having a carbazole group in the molecule are more preferable, and compounds having a t-butyl-substituted carbazole group are particularly preferable.

−−電子輸送性ホスト材料−−
前記電子輸送性ホスト材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物;フタロシアニン又はこれらの誘導体(他の環と縮合環を形成してもよい)、8−キノリノ−ル誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ル、ベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
これらの中でも、耐久性の観点から、金属錯体化合物が好ましく、金属に配位する少なくとも1つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。
前記金属錯体化合物としては、例えば、特開2002−235076号公報、特開2004−214179号公報、特開2004−221062号公報、特開2004−221065号公報、特開2004−221068号公報、特開2004−327313号公報等に記載の化合物などが挙げられる。
--- Electron transporting host material--
The electron transporting host material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include pyridine, pyrimidine, triazine, imidazole, pyrazole, triazole, oxazole, oxadiazol, and fluorenone. , Anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene; phthalocyanines or their derivatives (It may form a condensed ring with other rings), metal complexes of 8-quinolinol derivatives, various metal complexes represented by metal complexes having metal phthalocyanine, benzoxazole and benzothiazol as ligands Etc. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Among these, from the viewpoint of durability, a metal complex compound is preferable, and a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom, oxygen atom, or sulfur atom coordinated to a metal is more preferable.
Examples of the metal complex compound include Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-235076, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-214179, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221106, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221106, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221068, and the like. Examples thereof include compounds described in JP-A No. 2004-327313.

本発明に用いることができる正孔輸送性ホスト材料及び電子輸送性ホスト材料としては、以下の化合物、及びこれらの重水素化体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。   Examples of the hole transporting host material and the electron transporting host material that can be used in the present invention include the following compounds and deuterated compounds thereof, but are not limited thereto.

<その他の成分>
本発明の有機電界発光素子は、その他の成分として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸送性中間層(電子ブロック層)、電子輸送性中間層(正孔ブロック層)、電子輸送層、及び電子注入層の各機能層、基板、保護層などを更に有してもよい。
<Other ingredients>
The organic electroluminescent device of the present invention includes, as other components, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole transport intermediate layer (electron block layer), an electron transport intermediate layer (hole block layer), and an electron transport. Each functional layer of the layer and the electron injection layer, a substrate, a protective layer, and the like may further be included.

<<正孔注入層>>
前記正孔注入層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。前記正孔注入層は、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記正孔注入材料としては、低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボンなどが挙げられる。これらの中でも、アリールアミン骨格を有する材料を正孔注入層に用いた有機電界発光素子で電磁波露光により駆動電圧が上昇しやすくなる点で、アリールアミン誘導体が好ましい。
これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
<< Hole Injection Layer >>
The hole injection layer is a layer having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. The hole injection layer may have a single layer structure or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
The hole injection material may be a low molecular compound or a high molecular compound, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, a pyrrole derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, or an oxazole derivative. , Oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic Group tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene derivatives, organosilane derivatives, carbon, etc. . Among these, arylamine derivatives are preferred in that the drive voltage is likely to increase due to electromagnetic wave exposure in an organic electroluminescent device using a material having an arylamine skeleton for the hole injection layer.
These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

前記正孔注入層の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができるが、例えば、蒸着法、スパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式などにより好適に形成することができる。   The method for forming the hole injection layer is not particularly limited, and a known method can be used.For example, a vapor deposition method, a dry film forming method such as a sputtering method, a wet coating method, a transfer method, a printing method, It can be suitably formed by an inkjet method or the like.

本発明に用いることができる正孔注入材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples of the hole injection material that can be used in the present invention include, but are not limited to, the following compounds.

前記正孔注入層は、pドープされていてもよく、具体的には電子受容性化合物を含有する。
前記pドープされた正孔注入層は、正孔注入材料と、電子受容性化合物を共蒸着することで形成することができる。
The hole injection layer may be p-doped, and specifically contains an electron accepting compound.
The p-doped hole injection layer can be formed by co-evaporation of a hole injection material and an electron accepting compound.

前記電子受容性化合物としては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でもよく、有機化合物でもよい。
前記無機化合物としては、例えば、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属;五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物などが挙げられる。
前記有機化合物としては、例えば、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物;キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどが挙げられる。
これらの電子受容性化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
The electron-accepting compound may be an inorganic compound or an organic compound as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound.
Examples of the inorganic compound include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride; metal oxides such as vanadium pentoxide and molybdenum trioxide.
Examples of the organic compound include compounds having a nitro group, a halogen, a cyano group, a trifluoromethyl group or the like as a substituent; quinone compounds, acid anhydride compounds, fullerenes, and the like.
These electron accepting compounds may be used alone or in combination of two or more.

前記電子受容性化合物の含有量としては、材料の種類によって異なり、一義的には決定できないが、正孔注入層材料に対して、0.01質量%〜50質量%が好ましく、0.05質量%〜20質量%がより好ましく、0.1質量%〜10質量%が特に好ましい。
前記使用量が、前記好ましい範囲内であると、正孔注入層内のキャリヤ数が増加するために正孔注入性、輸送性が改善する。一方、前記含有量が50質量%を超えると、逆にキャリヤ数が減少したりして結果的に正孔注入性、輸送性が低下する可能性があり、好ましくない。
The content of the electron-accepting compound varies depending on the type of material and cannot be uniquely determined, but is preferably 0.01% by mass to 50% by mass with respect to the hole injection layer material, and 0.05% by mass. % To 20% by mass is more preferable, and 0.1% to 10% by mass is particularly preferable.
When the amount used is within the preferred range, the number of carriers in the hole injection layer is increased, so that the hole injection property and the transport property are improved. On the other hand, if the content exceeds 50% by mass, the number of carriers may be decreased, resulting in a decrease in hole injection property and transport property, which is not preferable.

<<正孔輸送層>>
前記正孔輸送層は、前記正孔注入層とともに、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。
前記正孔輸送層としては、単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記正孔輸送層の材料及び含有される電子受容性化合物としては、例えば、前記正孔注入層と同様のものが挙げられる。
<< Hole Transport Layer >>
The hole transport layer is a layer having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side together with the hole injection layer.
The hole transport layer may have a single layer structure or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
Examples of the material for the hole transport layer and the electron-accepting compound contained include those similar to the hole injection layer.

<<電子注入層、電子輸送層>>
前記電子注入層、及び電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料及び電子輸送材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよく、具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯体及びメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール乃至ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体などが好ましい。
<< Electron injection layer, electron transport layer >>
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. The electron injecting material and the electron transporting material used for these layers may be low molecular compounds or high molecular compounds. Specifically, pyridine derivatives, quinoline derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, phthalazine derivatives. , Phenanthroline derivative, triazine derivative, triazole derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, fluorenone derivative, anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative, thiopyrandioxide derivative, carbodiimide derivative, fluorenylidenemethane Derivatives, distyrylpyrazine derivatives, aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and metal phthalocyanines, benzoo Sasol to various metal complexes typified benzothiazole by metal complexes having a ligand, an organic silane derivatives typified by silole is preferred.

前記電子注入層及び電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。
前記電子注入層及び電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Li等のアルカリ金属、Mg等のアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属、還元性有機化合物などが好ましい。前記金属としては、仕事関数が4.2eV以下の金属が特に好ましく、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd、Ybなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
これらの電子供与性ドーパントは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記電子供与性ドーパントの含有量としては、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して0.1質量%〜99質量%であることが好ましく、1.0質量%〜80質量%であることが更に好ましく、2.0質量%〜70質量%であることが特に好ましい。
The electron injection layer and the electron transport layer may contain an electron donating dopant.
The electron donating dopant introduced into the electron injection layer and the electron transport layer is not particularly limited as long as it has an electron donating property and has a property of reducing an organic compound, and can be appropriately selected according to the purpose. However, an alkali metal such as Li, an alkaline earth metal such as Mg, a transition metal containing a rare earth metal, a reducing organic compound, or the like is preferable. As the metal, a metal having a work function of 4.2 eV or less is particularly preferable. Specifically, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Gd, Yb Etc. Examples of the reducing organic compound include nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and phosphorus-containing compounds.
These electron donating dopants may be used alone or in combination of two or more.
The content of the electron donating dopant varies depending on the type of material, but is preferably 0.1% by mass to 99% by mass, and 1.0% by mass to 80% by mass with respect to the electron transport layer material. More preferably, it is particularly preferably 2.0% by mass to 70% by mass.

前記電子注入層及び前記電子輸送層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。   The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .

<<正孔ブロック層、電子ブロック層>>
前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物としては、例えば、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体などが挙げられる。
前記電子ブロック層を構成する化合物としては、例えば、前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
前記正孔ブロック層及び電子ブロック層の平均厚みとしては、1nm〜500nmが好ましく、5nm〜200nmがより好ましく、10nm〜100nmが特に好ましい。また、正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の1種又は2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
<< Hole Block Layer, Electron Block Layer >>
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side, and is usually provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. .
The electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side, and is usually provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the anode side.
Examples of the compound constituting the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, and phenanthroline derivatives such as BCP.
As a compound which comprises the said electron block layer, what was mentioned as the above-mentioned hole transport material can be utilized, for example.
The average thickness of the hole blocking layer and the electron blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and particularly preferably 10 nm to 100 nm. In addition, the hole blocking layer and the electron blocking layer may have a single-layer structure made of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure made up of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Good.

<<基板>>
前記有機電界発光素子は、基板上に設けられていることが好ましく、電極と基板とが直接接する形で設けられていてもよいし、中間層を介在する形で設けられていてもよい。
前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)、ガラス(無アルカリガラス、ソーダライムガラス等)等の無機材料;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル;ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の有機材料などが挙げられる。
<< Board >>
The organic electroluminescent element is preferably provided on a substrate, and may be provided in such a manner that the electrode and the substrate are in direct contact with each other, or may be provided with an intermediate layer interposed therebetween.
There is no restriction | limiting in particular as a material of the said board | substrate, According to the objective, it can select suitably, For example, inorganic materials, such as a yttria stabilized zirconia (YSZ) and glass (an alkali free glass, soda-lime glass, etc.); Polyethylene Examples thereof include polyesters such as terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate; organic materials such as polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene).

前記基板の形状、構造、大きさなどについては、特に制限はなく、発光素子の用途、目的などに応じて適宜選択することができる。一般的には、前記基板の形状としては、板状であることが好ましい。前記基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、2種以上の部材で形成されていてもよい。前記基板は、透明でも不透明でもよく、透明な場合は無色透明でも有色透明でもよい。   There is no restriction | limiting in particular about the shape of the said board | substrate, a structure, a magnitude | size, According to the use of a light emitting element, the objective, etc., it can select suitably. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The structure of the substrate may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members. Good. The substrate may be transparent or opaque, and if transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent.

前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層(ガスバリア層)を設けることができる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)の材料としては、例えば、窒化珪素、酸化珪素等の無機物などが挙げられる。
前記透湿防止層(ガスバリア層)は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
The substrate may be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
Examples of the material of the moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) include inorganic substances such as silicon nitride and silicon oxide.
The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.

<<保護層>>
前記有機電界発光素子は、全体が保護層によって保護されていてもよい。
前記保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等の金属;MgO、SiO、SiO、Al、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe、Y、TiO等の金属酸化物;SiNx、SiNxOy等の金属窒化物;MgF、LiF、AlF、CaF等の金属フッ化物;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率0.1%以下の防湿性物質などが挙げられる。
<< Protective layer >>
The organic electroluminescent element may be entirely protected by a protective layer.
The material contained in the protective layer is not particularly limited as long as it has a function of suppressing the entry of elements that promote element deterioration such as moisture and oxygen into the element. For example, metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, Ni; MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe Metal oxides such as 2 O 3 , Y 2 O 3 and TiO 2 ; Metal nitrides such as SiNx and SiNxOy; Metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 and CaF 2 ; polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, Polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene And a copolymer of dichlorodifluoroethylene, a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing tetrafluoroethylene and at least one comonomer, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, Examples thereof include a water-absorbing substance having a water absorption rate of 1% or more and a moisture-proof substance having a water absorption rate of 0.1% or less.

前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a formation method of the said protective layer, According to the objective, it can select suitably, For example, a vacuum evaporation method, sputtering method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) method, cluster ion beam Examples thereof include an ion plating method, a plasma polymerization method (high frequency excitation ion plating method), a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a gas source CVD method, a coating method, a printing method, and a transfer method.

−封止容器−
前記有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体が封止されていてもよい。更に、前記封止容器と有機電界発光素子の間の空間には、水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。
前記水分吸収剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウムなどが挙げられる。
前記不活性液体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類;パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤;塩素系溶剤、シリコーンオイル類などが挙げられる。
-Sealing container-
The organic electroluminescent element may be entirely sealed using a sealing container. Furthermore, a moisture absorbent or an inert liquid may be sealed in the space between the sealing container and the organic electroluminescent element.
The moisture absorbent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, Examples thereof include calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride, cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, and magnesium oxide.
The inert liquid is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include paraffins, liquid paraffins; fluorinated solvents such as perfluoroalkane, perfluoroamine, and perfluoroether; chlorine System solvents, silicone oils and the like.

−樹脂封止層−
前記有機電界発光素子は、大気からの酸素や水分による素子性能劣化を樹脂封止層により封止することで抑制することが好ましい。
前記樹脂封止層の樹脂素材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、エステル系樹脂、などが挙げられる。これらの中でも、水分防止機能の観点から、エポキシ樹脂が特に好ましい。前記エポキシ樹脂の中でも熱硬化型エポキシ樹脂、又は光硬化型エポキシ樹脂が好ましい。
-Resin sealing layer-
The organic electroluminescent element is preferably suppressed by sealing the element performance deterioration due to oxygen or moisture from the atmosphere with a resin sealing layer.
The resin material of the resin sealing layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, acrylic resin, epoxy resin, fluorine resin, silicone resin, rubber resin, ester resin , Etc. Among these, an epoxy resin is particularly preferable from the viewpoint of moisture prevention function. Among the epoxy resins, a thermosetting epoxy resin or a photocurable epoxy resin is preferable.

前記樹脂封止層の作製方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂溶液を塗布する方法、樹脂シートを圧着又は熱圧着する方法、蒸着、スパッタリング等により乾式重合する方法などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a preparation method of the said resin sealing layer, According to the objective, it can select suitably, For example, the method of apply | coating a resin solution, the method of crimping | bonding or thermocompressing a resin sheet, vapor deposition, sputtering, etc. And a dry polymerization method.

−封止接着剤−
前記有機電界発光素子に用いられる封止接着剤は、端部よりの水分や酸素の侵入を防止する機能を有する。
前記封止接着剤の材料としては、前記樹脂封止層で用いる材料と同じものを用いることができる。これらの中でも、水分防止の点からエポキシ系の接着剤が好ましく、光硬化型接着剤あるいは熱硬化型接着剤が特に好ましい。
前記封止接着剤には、フィラーを添加することが好ましい。前記フィラーとしては、例えば、SiO、SiO(酸化ケイ素)、SiON(酸窒化ケイ素)、SiN(窒化ケイ素)等の無機材料が好ましい。該フィラーの添加により、封止接着剤の粘度が上昇し、加工適正が向上し、及び耐湿性が向上する。
前記封止接着剤は、乾燥剤を含有してもよい。前記乾燥剤としては、例えば、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムなどが挙げられる。前記乾燥剤の添加量は、前記封止接着剤に対し0.01質量%〜20質量%が好ましく、0.05質量%〜15質量%がより好ましい。前記添加量が、0.01質量%未満であると、乾燥剤の添加効果が薄れることになり、20質量%を超えると、封止接着剤中に乾燥剤を均一分散させることが困難になることがある。
本発明においては、前期乾燥剤の入った封止接着剤をディスペンサー等により任意量塗布し、塗布後第2基板を重ねて、硬化させることにより封止することができる。
-Sealing adhesive-
The sealing adhesive used for the organic electroluminescent element has a function of preventing intrusion of moisture and oxygen from the end portion.
As the material of the sealing adhesive, the same material as that used for the resin sealing layer can be used. Among these, an epoxy adhesive is preferable from the viewpoint of moisture prevention, and a photocurable adhesive or a thermosetting adhesive is particularly preferable.
It is preferable to add a filler to the sealing adhesive. As the filler, for example, SiO 2, SiO (silicon oxide), SiON (silicon oxynitride), an inorganic material such as SiN (silicon nitride) are preferred. Addition of the filler increases the viscosity of the sealing adhesive, improves processing suitability, and improves moisture resistance.
The sealing adhesive may contain a desiccant. Examples of the desiccant include barium oxide, calcium oxide, and strontium oxide. The addition amount of the desiccant is preferably 0.01% by mass to 20% by mass and more preferably 0.05% by mass to 15% by mass with respect to the sealing adhesive. When the addition amount is less than 0.01% by mass, the effect of adding the desiccant is diminished, and when it exceeds 20% by mass, it is difficult to uniformly disperse the desiccant in the sealing adhesive. Sometimes.
In the present invention, it is possible to seal by applying an arbitrary amount of a sealing adhesive containing a desiccant in the previous period with a dispenser or the like, and stacking and curing the second substrate after application.

本発明の有機電界発光素子は、その発光面上に、輝度変化パターン形成時に照射された波長の電磁波を吸収する電磁波吸収層を更に有してもよい。
前記電磁波照射によって露光された有機電界発光素子は、照射された電磁波の波長に対し感受性が上昇するため、前記有機電界発光素子の発光面に外部からの特定の波長を含む光に曝された場合に輝度が低下してしまうことがある。そこで、意図しない露光を防止するため、電磁波照射工程で照射した波長の電磁波を吸収する電磁波吸収層を有機電界発光素子の発光面上に設けることが好ましい。
The organic electroluminescent element of the present invention may further have an electromagnetic wave absorbing layer that absorbs an electromagnetic wave having a wavelength irradiated when the luminance change pattern is formed on the light emitting surface.
When the organic electroluminescent device exposed by the electromagnetic wave irradiation has increased sensitivity to the wavelength of the irradiated electromagnetic wave, the light emitting surface of the organic electroluminescent device is exposed to light including a specific wavelength from the outside. In some cases, the brightness may decrease. Therefore, in order to prevent unintended exposure, it is preferable to provide an electromagnetic wave absorbing layer that absorbs the electromagnetic wave having the wavelength irradiated in the electromagnetic wave irradiation process on the light emitting surface of the organic electroluminescent element.

前記電磁波吸収層としては、特に制限はなく、吸収する波長に応じて適宜選択することができ、例えば、フィルター、フィルムなどが挙げられる。
前記電磁波吸収層を設置する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機電界発光素子全体を包んでもよいし、有機電界発光素子の発光面を覆うように被せてもよい。
There is no restriction | limiting in particular as said electromagnetic wave absorption layer, According to the wavelength to absorb, it can select suitably, For example, a filter, a film, etc. are mentioned.
The method for installing the electromagnetic wave absorbing layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, the entire organic electroluminescent element may be wrapped or the light emitting surface of the organic electroluminescent element may be covered. It may be covered.

−駆動−
前記有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常、2ボルト〜15ボルト)、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
前記有機電界発光素子は、薄膜トランジスタ(TFT)によりアクティブマトリックスへ適用することができる。薄膜トランジスタの活性層としては、例えば、アモルファスシリコン、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、微結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブなどを適用することができる。
前記有機電界発光素子は、例えばWO2005/088726号パンフレット、特開2006−165529号公報、米国特許出願公開2008/0237598A1明細書などに記載の薄膜トランジスタを適用することができる。
-Drive-
The organic electroluminescent element emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. be able to.
The organic electroluminescence device can be applied to an active matrix by a thin film transistor (TFT). As the active layer of the thin film transistor, for example, amorphous silicon, high temperature polysilicon, low temperature polysilicon, microcrystalline silicon, oxide semiconductor, organic semiconductor, carbon nanotube, or the like can be used.
As the organic electroluminescent element, for example, a thin film transistor described in WO2005 / 088826 pamphlet, JP-A-2006-165529, US Patent Application Publication No. 2008 / 0237598A1, and the like can be applied.

(有機電界発光素子の製造方法)
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、少なくとも、陽極と陰極との間に発光層を有してなる有機電界発光素子を作製する有機電界発光素子作製工程と、前記有機電界発光素子の発光面の少なくとも一部に輝度の変化パターンが面積階調となるように電磁波を照射する輝度変化パターン形成工程とを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
(Method for manufacturing organic electroluminescent device)
The method for producing an organic electroluminescent element of the present invention includes at least an organic electroluminescent element production process for producing an organic electroluminescent element having a light emitting layer between an anode and a cathode, and light emission of the organic electroluminescent element. A luminance change pattern forming step of irradiating electromagnetic waves so that the luminance change pattern has an area gradation on at least a part of the surface, and further including other steps as necessary.

<有機電界発光素子作製工程>
前記有機電界発光素子作製工程は、上述した前記有機電界発光素子の構成成分を上述のように積層して有機電界発光素子を製造する工程である。この工程では、上述したすべての構成、方法などを適用することができる。
<Organic electroluminescence device manufacturing process>
The organic electroluminescence device manufacturing step is a step of manufacturing the organic electroluminescence device by laminating the above-described components of the organic electroluminescence device as described above. In this step, all the configurations and methods described above can be applied.

<輝度変化パターン形成工程>
前記輝度変化パターン形成工程は、上述した輝度変化パターンを電磁波照射により形成する工程である。前記電磁波照射は、上述した手段及び方法によって行うことができ、電磁波の透過率の変化を2値で表示したパターンを有する露光マスクを介して行う方法、電磁波照射を2値で変化させ、有機電界発光上素子を走査して行う方法などにより行うことが好ましい。
また、前記輝度変化パターン形成工程においては、有機電界発光素子の発光面内の輝度ムラ補正と、輝度変化パターンからなる面積階調の形成とを同時に行うことが、作業効率及びコストの点で好ましい。
<Brightness change pattern formation process>
The luminance change pattern forming step is a step of forming the above-described luminance change pattern by electromagnetic wave irradiation. The electromagnetic wave irradiation can be performed by the above-described means and method. A method of changing the transmittance of electromagnetic wave through an exposure mask having a pattern displaying a binary value. It is preferable to carry out the method by scanning the light emitting element.
Further, in the luminance change pattern forming step, it is preferable in terms of work efficiency and cost to simultaneously perform luminance unevenness correction in the light emitting surface of the organic electroluminescent element and formation of area gradation composed of the luminance change pattern. .

<その他の工程>
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、その他の工程として、発光面内の輝度ムラを補正する輝度ムラ補正工程を含んでもよい。
前記輝度ムラ補正は、上述のように、前記輝度変化パターン形成工程の前後に行ってもよく、前記輝度変化パターン形成工程時に同時に行ってもよい。
<Other processes>
The manufacturing method of the organic electroluminescent element of the present invention may include a luminance unevenness correcting step of correcting luminance unevenness in the light emitting surface as another step.
As described above, the luminance unevenness correction may be performed before or after the luminance change pattern forming step, or may be performed simultaneously with the luminance change pattern forming step.

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。ただし、実施例1〜4、6、及び10を参考例に読み替える。 Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples. However, Examples 1-4, 6, and 10 are read as reference examples.

(実施例1)
<有機電界発光素子の作製>
100nm厚のITO付きガラス基板(基板平均厚み:0.7mm、ジオマテック株式会社製スーパーフラットITO)を洗浄して十分に乾燥した後、ITO表面を酸素プラズマ処理した。次いで、真空蒸着装置に基板を投入し、2−TNATAを厚みが120nmとなるように蒸着させた。次いで、NPDを厚みが4nmとなるように、次いで、HTL−1を厚みが3nmとなるように、次いで、mCPを厚みが3nmとなるように蒸着させた。次いで、発光層として40質量%のPT−1をドープしたmCPを厚みが30nmとなるように蒸着させた。更に、Balqを厚みが39nmとなるように、BCPを厚みが1nmとなるように蒸着させた。蒸着レートは、いずれも0.2nm/sとした。次いで、LiFを厚みが1nmとなるように蒸着させ、最後に陰極としてアルミニウム(Al)を厚みが100nmとなるように蒸着させた。LiFの蒸着レートは、0.02nm/sとし、Alの蒸着レートは、1nm/sとした。次に、封止ガラスを、UV硬化接着剤(ナガセケムテックス株式会社製XNR5516Z)を用いて接着し、発光面積が15cm×15cmの白色有機電界発光素子を得た。最終的に得られた素子の構成は、ITO(100)/2−TNATA(120)/NPD(4)/HTL−1(3)/mCP(3)/mCP+40%PT−1(30)/BAlq(39)/BCP(1)/LiF(1)/Al(100)である。なお、括弧内は、平均厚みを表し、単位は、「nm」である。
Example 1
<Production of organic electroluminescence device>
A glass substrate with ITO having a thickness of 100 nm (substrate average thickness: 0.7 mm, Super Flat ITO, manufactured by Geomatek Co., Ltd.) was washed and sufficiently dried, and then the surface of ITO was subjected to oxygen plasma treatment. Next, the substrate was put into a vacuum deposition apparatus, and 2-TNATA was deposited so as to have a thickness of 120 nm. Next, NPD was vapor-deposited so that the thickness was 4 nm, HTL-1 was then vapor-deposited so that the thickness was 3 nm, and mCP was vapor-deposited so that the thickness was 3 nm. Next, mCP doped with 40% by mass of PT-1 was deposited as a light emitting layer so as to have a thickness of 30 nm. Furthermore, BCP was vapor-deposited so that the thickness might be 1 nm so that Balq might be 39 nm in thickness. The vapor deposition rate was 0.2 nm / s. Next, LiF was vapor-deposited so as to have a thickness of 1 nm, and finally aluminum (Al) was vapor-deposited as a cathode so as to have a thickness of 100 nm. The deposition rate of LiF was 0.02 nm / s, and the deposition rate of Al was 1 nm / s. Next, the sealing glass was adhered using a UV curable adhesive (XNR5516Z manufactured by Nagase ChemteX Corporation) to obtain a white organic electroluminescent element having a light emitting area of 15 cm × 15 cm. The structure of the finally obtained element was ITO (100) / 2-TNATA (120) / NPD (4) / HTL-1 (3) / mCP (3) / mCP + 40% PT-1 (30) / BAlq (39) / BCP (1) / LiF (1) / Al (100). The values in parentheses represent the average thickness, and the unit is “nm”.

<電磁波照射>
図4に示す画像をAdobe社製Photshop elements3.0を用いて、誤差拡散法にて2値化処理して白黒反転した画像(図5)を、OHPシート(コクヨ株式会社製、VF−1100N)にインクジェットプリンター(ヒューレットパッカード社製インクジェットプリンター、OFFICEJET6000)で、解像度200dpiで印刷した。このようにして作製された露光マスクは、面積階調で明暗を表現している。これを露光マスクとして、上記で得られた15cm角の白色有機電界発光素子に被せて、新東科学株式会社製の褪色試験機(光源:キセノンランプ)にいれて3時間電磁波照射した。得られた有機電界発光素子に6Vを印加すると図4のパターンで発光することが確認できた。露光されたパターンを確認後、外光でさらに露光されるのを防止する目的で、発光を観測する基板表面に紫外線カットフィルター(富士フイルム株式会社製、SC−42)を貼り付けた。
<Electromagnetic wave irradiation>
An image obtained by binarizing the image shown in FIG. 4 using Adobe Photoshop elements 3.0 using the error diffusion method and reversing the image (FIG. 5) is an OHP sheet (VF-1100N, manufactured by KOKUYO Corporation). The ink was printed at a resolution of 200 dpi using an inkjet printer (an inkjet printer manufactured by Hewlett-Packard Company, OFFICEJET6000). The exposure mask thus manufactured expresses light and dark with area gradation. Using this as an exposure mask, it was placed on the 15 cm square white organic electroluminescent element obtained above, and placed in a discoloration tester (light source: xenon lamp) manufactured by Shinto Kagaku Co., Ltd., and irradiated with electromagnetic waves for 3 hours. When 6 V was applied to the obtained organic electroluminescent element, it was confirmed that light was emitted in the pattern of FIG. After confirming the exposed pattern, an ultraviolet cut filter (manufactured by FUJIFILM Corporation, SC-42) was attached to the surface of the substrate for observing light emission for the purpose of preventing further exposure with external light.

<パターン表示された画質の評価>
得られた有機電界発光素子に4V、6V及び8Vの電圧を順次印加してパターンを表示させ、10名の評価者に下記の5段階で画質の評価を行わせた。4V印加時、6V印加時、及び8V印加時のそれぞれの評価点数の平均値を画像評価の評価点数とした。結果を表1に示す。
〔評価基準〕
5:非常に良い
4:良い
3:普通
2:悪い
1:非常に悪い
<Evaluation of pattern-displayed image quality>
A voltage of 4 V, 6 V, and 8 V was sequentially applied to the obtained organic electroluminescent device to display a pattern, and 10 evaluators were allowed to evaluate the image quality in the following five stages. The average value of the evaluation scores at the time of 4V application, 6V application, and 8V application was used as the evaluation score for image evaluation. The results are shown in Table 1.
〔Evaluation criteria〕
5: Very good 4: Good 3: Normal 2: Bad 1: Very bad

(実施例2)
実施例1において、OHPシートへの画像印刷時の解像度を200dpiから50dpiに変更したこと以外は、実施例1と同様にして、有機電界発光素子を作製し、評価を行った。
(Example 2)
In Example 1, an organic electroluminescent element was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the resolution at the time of printing an image on the OHP sheet was changed from 200 dpi to 50 dpi.

(比較例1)
実施例1において、図5の画像をOHPシートにインクジェットプリンターで、解像度200dpiで印刷することに代えて、図5の画像をPETフィルムに倉敷紡績株式会社(クラボウ)製GP−10を用いてグラビア印刷したこと以外は、実施例1と同様にして、有機電界発光素子を作製し、評価を行った。
(Comparative Example 1)
In Example 1, instead of printing the image of FIG. 5 on an OHP sheet with an inkjet printer at a resolution of 200 dpi, the image of FIG. 5 was gravure using PET-10 made by Kurashiki Spinning Co., Ltd. (Kurabo). An organic electroluminescent element was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that printing was performed.

(実施例3)
実施例1と同様にして、白色有機電界発光素子を作製した。自動制御のxyステージ(中央精機株式会社製、ALD−220−C2P)に405nmに発光ピークを持つ半導体レーザ(キコー技研社製、青紫色半導体レーザーKLX−120mWタイプ)を設置した。xy方向にレーザーを移動しながら、405nmの電磁波を15cm角の白色有機電界発光素子の発光面に照射し、図4の画像パターンとなるように露光した。この時、露光部分では、レーザー照射時間を25秒間とした。発光を強めたい部分ではレーザーを全く照射しなかった。レーザー照射された部分は素子が高電圧化し、流れる電流量が少なくなって輝度が低下した。露光されたパターンを確認後に、外光でさらに露光されるのを防止する目的で、発光を観測する基板表面に紫外線カットフィルター(富士フイルム社製、SC−42)を貼り付けた。得られた有機電界発光素子は、実施例1と同様に評価を実施した。
(Example 3)
A white organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1. A semiconductor laser having an emission peak at 405 nm (Kiko Giken Co., Ltd., blue-violet semiconductor laser KLX-120 mW type) was installed on an automatically controlled xy stage (ALD-220-C2P, manufactured by Chuo Seiki Co., Ltd.). While moving the laser in the xy direction, a 405 nm electromagnetic wave was irradiated onto the light emitting surface of a 15 cm square white organic electroluminescent element, and exposed so as to form the image pattern of FIG. At this time, in the exposed portion, the laser irradiation time was set to 25 seconds. The laser was not irradiated at all in the part where the light emission was to be enhanced. In the portion irradiated with the laser, the voltage of the element increased, the amount of current flowing decreased, and the luminance decreased. After confirming the exposed pattern, an ultraviolet cut filter (manufactured by FUJIFILM Corporation, SC-42) was attached to the surface of the substrate where light emission was observed for the purpose of preventing further exposure with external light. The obtained organic electroluminescent element was evaluated in the same manner as in Example 1.

(比較例2)
実施例1と同様にして、白色有機電界発光素子を作製した。実施例3と同様に白色有機電界発光素子の発光面上をレーザーを照射しながら走査した。このとき、レーザーの照射時間を64階調に変化させて、図4の画像となるように露光を行なった。露光されたパターンを確認後に、外光でさらに露光されるのを防止する目的で、発光を観測する基板表面に紫外線カットフィルター(富士フイルム株式会社製、SC−42)を貼り付けた。なお、ここでの電磁波露光は、レーザーの強度に階調をつけてを行っているため、濃淡階調によるパターン形成である。得られた有機電界発光素子は、実施例1と同様に評価を実施した。
(Comparative Example 2)
A white organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1. In the same manner as in Example 3, the light emitting surface of the white organic electroluminescent element was scanned while irradiating a laser. At this time, exposure was performed so that the image shown in FIG. 4 was obtained by changing the laser irradiation time to 64 gradations. After confirming the exposed pattern, an ultraviolet cut filter (manufactured by FUJIFILM Corporation, SC-42) was attached to the surface of the substrate for observing light emission for the purpose of preventing further exposure with external light. Note that the electromagnetic wave exposure here is a pattern formation with light and shade gradations because gradation is applied to the intensity of the laser. The obtained organic electroluminescent element was evaluated in the same manner as in Example 1.

(実施例4)
<有機電界発光素子の作製>
100nm厚のIZO付きフィルム基板(基板:PET、平均厚み0.1mm)を洗浄して十分に乾燥した後、IZO表面を酸素プラズマ処理した。次いで、真空蒸着装置に基板を投入し、有機層部分を実施例1と同様にして、蒸着させた。蒸着レートは、いずれも0.2nm/sとした。次いで、LiFを厚みが1nmとなるように蒸着させ、Alを厚みが0.5nmとなるように蒸着させ、更にAgを厚みが20nmとなるように蒸着させた。LiFの蒸着レートは0.02nm/sとし、Al及びAgの蒸着レートは、0.5nm/sとした。次に、封止ガラスを、UV硬化接着剤を用いて接着し、発光面積が15cm×15cmのフレキシブル半透明白色有機電界発光素子を得た。なお、得られた素子の500nmの透過率を測定したところ46%であった。
Example 4
<Production of organic electroluminescence device>
A 100 nm-thick IZO-attached film substrate (substrate: PET, average thickness 0.1 mm) was washed and sufficiently dried, and then the IZO surface was subjected to oxygen plasma treatment. Next, the substrate was put into a vacuum deposition apparatus, and the organic layer portion was deposited in the same manner as in Example 1. The vapor deposition rate was 0.2 nm / s. Next, LiF was vapor-deposited to a thickness of 1 nm, Al was vapor-deposited to a thickness of 0.5 nm, and Ag was vapor-deposited to a thickness of 20 nm. The deposition rate of LiF was 0.02 nm / s, and the deposition rates of Al and Ag were 0.5 nm / s. Next, the sealing glass was bonded using a UV curable adhesive to obtain a flexible translucent white organic electroluminescent element having a light emitting area of 15 cm × 15 cm. In addition, it was 46% when the transmittance | permeability of 500 nm of the obtained element was measured.

<電磁波照射>
実施例1と同様にして、得られたフレキシブル半透明白色有機電界発光素子に露光マスクを貼り付けて電磁波を照射した。露光されたパターンを確認後に、外光でさらに露光されるのを防止する目的で、基板表面と封止基板表面に紫外線カットフィルター(富士フイルム社製、SC−42)を貼り付けた。得られた有機電界発光素子の画像は、実施例1と同様にして評価した。
<Electromagnetic radiation>
In the same manner as in Example 1, an exposure mask was attached to the obtained flexible translucent white organic electroluminescent element, and an electromagnetic wave was irradiated. After confirming the exposed pattern, an ultraviolet cut filter (manufactured by FUJIFILM Corporation, SC-42) was attached to the substrate surface and the sealing substrate surface for the purpose of preventing further exposure with external light. Images of the obtained organic electroluminescent elements were evaluated in the same manner as in Example 1.

(比較例3)
実施例4において、図5の画像をOHPシートにインクジェットプリンターで、解像度200dpiで印刷することに代えて、図5の画像をPETフィルムに倉敷紡績株式会社(クラボウ)製GP−10を用いてグラビア印刷(解像度:200dpi)したこと以外は、実施例4と同様にして、有機電界発光素子を作製し、評価を行った。
(Comparative Example 3)
In Example 4, instead of printing the image of FIG. 5 on an OHP sheet with an inkjet printer at a resolution of 200 dpi, the image of FIG. 5 was gravure using a GP-10 made by Kurashiki Boseki Co., Ltd. (Kurabo). An organic electroluminescent element was produced and evaluated in the same manner as in Example 4 except that printing (resolution: 200 dpi) was performed.

(実施例5)
実施例1と同様にして、白色有機電界発光素子を作製した後、以下の輝度ムラ補正を行った。
(Example 5)
After producing a white organic electroluminescent element in the same manner as in Example 1, the following luminance unevenness correction was performed.

<輝度ムラ補正>
得られた白色有機電界発光素子にケースレーインスツルメンツ社(Keithley Instruments Inc.)製ソースメジャーユニットSMU−1を用いて7Vの電圧を印加し、15cm×15cmの発光面内の輝度分布を、コニカミノルタ社製CS−1000により5mm間隔で測定した結果を図2に示す。電源接続部から遠い部分ほどITOの配線抵抗に起因した輝度ムラが観測され、面内の(最大輝度/最小輝度)値は約3.5であった。
検出された輝度ムラを白黒画像に画像処理し、輝度が弱いところほど黒が濃くなる画像とした。PETフィルム上にグラビア印刷で画像を印刷し、輝度ムラ補正用露光マスクを作製した。なお、グラビア印刷は、印刷濃度を、インクを保持するセルの深さ乃至大きさを変えてインクの量でコントロールする方式であり、このマスクは濃淡階調で明暗を表現している。この露光マスクを、上記で作製した15cm×15cmの白色有機電界発光素子に貼り付け、新東科学株式会社製の褪色試験機(光源:キセノンランプ)にいれて2時間電磁波照射した。前記露光マスクを透過して電磁波が照射された部分は、素子が高電圧化し、流れる電流量が少なくなって輝度が低下した。電磁波照射後の発光面内の輝度分布を前述したのと同様に測定したところ、発光面内の輝度ムラが補正され、(最大輝度/最小輝度)が1.3であった(図3参照)。
<Brightness unevenness correction>
A voltage of 7 V was applied to the obtained white organic electroluminescent device using a source measure unit SMU-1 manufactured by Keithley Instruments Inc., and the luminance distribution in the light emitting surface of 15 cm × 15 cm was determined by Konica Minolta. The results of measurement at 5 mm intervals with CS-1000 manufactured are shown in FIG. As the portion far from the power source connection portion, luminance unevenness due to the wiring resistance of ITO was observed, and the in-plane (maximum luminance / minimum luminance) value was about 3.5.
The detected luminance unevenness was subjected to image processing into a black and white image, and an image with darker black as the luminance was weaker. An image was printed on a PET film by gravure printing to produce an exposure mask for correcting brightness unevenness. Note that gravure printing is a method in which the printing density is controlled by the amount of ink by changing the depth or size of a cell that holds ink, and this mask expresses light and dark in shades of gray. This exposure mask was affixed to the 15 cm × 15 cm white organic electroluminescent device produced above, and placed in a fading tester (light source: xenon lamp) manufactured by Shinto Kagaku Co., Ltd., and irradiated with electromagnetic waves for 2 hours. In the portion irradiated with electromagnetic waves through the exposure mask, the voltage of the device increased, the amount of current flowing decreased, and the luminance decreased. When the luminance distribution in the light emitting surface after the electromagnetic wave irradiation was measured in the same manner as described above, the luminance unevenness in the light emitting surface was corrected and (maximum luminance / minimum luminance) was 1.3 (see FIG. 3). .

上記輝度ムラ補正を行った有機電界発光素子に対し、実施例1と同様にして、電磁波露光によるパターン形成を行い、評価を行った。   For the organic electroluminescent element subjected to the luminance unevenness correction, a pattern was formed by electromagnetic wave exposure and evaluated in the same manner as in Example 1.

(実施例6)
実施例5において、OHPシートへの画像印刷時の解像度を200dpiから50dpiに変更したこと以外は、実施例5と同様にして、有機電界発光素子を作製し、評価を行った。
(Example 6)
In Example 5, an organic electroluminescent element was produced and evaluated in the same manner as in Example 5 except that the resolution at the time of printing an image on the OHP sheet was changed from 200 dpi to 50 dpi.

(比較例4)
実施例5において、図5の画像をOHPシートにインクジェットプリンターで、解像度200dpiで印刷することに代えて、図5の画像をPETフィルムに倉敷紡績株式会社(クラボウ)製GP−10を用いてグラビア印刷したこと以外は、実施例5と同様にして、有機電界発光素子を作製し、評価を行った。
(Comparative Example 4)
In Example 5, instead of printing the image of FIG. 5 on an OHP sheet with an inkjet printer at a resolution of 200 dpi, the image of FIG. 5 was gravure using PET-10 made by Kurashiki Spinning Co., Ltd. (Kurabo). An organic electroluminescent element was produced and evaluated in the same manner as in Example 5 except that printing was performed.

(実施例7)
実施例5と同様にして、輝度ムラ補正済みの白色有機電界発光素子を作製した。自動制御のxyステージ(中央精機株式会社製、ALD−220−C2P)に405nmに発光ピークを持つ半導体レーザ(キコー技研社製、青紫色半導体レーザーKLX−120mWタイプ)を設置した。xy方向にレーザーを移動しながら、405nmの電磁波を15cm角の白色有機電界発光素子の発光面に照射し、図4の画像パターンとなるように露光した。この時、露光部分では、レーザー照射時間を25秒間とした。発光を強めたい部分ではレーザーを全く照射しなかった。レーザー照射された部分は素子が高電圧化し、流れる電流量が少なくなって輝度が低下した。露光されたパターンを確認後に、外光でさらに露光されるのを防止する目的で、発光を観測する基板表面に紫外線カットフィルター(富士フイルム社製、SC−42)を貼り付けた。得られた有機電界発光素子は、実施例1と同様に評価を実施した。
(Example 7)
In the same manner as in Example 5, a white organic electroluminescence device with corrected luminance unevenness was produced. A semiconductor laser having an emission peak at 405 nm (Kiko Giken Co., Ltd., blue-violet semiconductor laser KLX-120 mW type) was installed on an automatically controlled xy stage (ALD-220-C2P, manufactured by Chuo Seiki Co., Ltd.). While moving the laser in the xy direction, a 405 nm electromagnetic wave was irradiated onto the light emitting surface of a 15 cm square white organic electroluminescent element, and exposed so as to form the image pattern of FIG. At this time, in the exposed portion, the laser irradiation time was set to 25 seconds. The laser was not irradiated at all in the part where the light emission was to be enhanced. In the portion irradiated with the laser, the voltage of the element increased, the amount of current flowing decreased, and the luminance decreased. After confirming the exposed pattern, an ultraviolet cut filter (manufactured by FUJIFILM Corporation, SC-42) was attached to the surface of the substrate where light emission was observed for the purpose of preventing further exposure with external light. The obtained organic electroluminescent element was evaluated in the same manner as in Example 1.

(比較例5)
実施例5と同様にして、輝度ムラ補正済みの白色有機電界発光素子を作製した。実施例3と同様に白色有機電界発光素子の発光面上をレーザーを照射しながら走査した。このとき、レーザーの照射時間を64階調に変化させて、図4の画像となるように露光を行なった。露光されたパターンを確認後に、外光でさらに露光されるのを防止する目的で、発光を観測する基板表面に紫外線カットフィルター(富士フイルム株式会社製、SC−42)を貼り付けた。なお、ここでの電磁波露光は、レーザーの強度に階調をつけてを行っているため、濃淡階調によるパターン形成である。得られた有機電界発光素子は、実施例1と同様に評価を実施した。
(Comparative Example 5)
In the same manner as in Example 5, a white organic electroluminescence device with corrected luminance unevenness was produced. In the same manner as in Example 3, the light emitting surface of the white organic electroluminescent element was scanned while irradiating a laser. At this time, exposure was performed so that the image shown in FIG. 4 was obtained by changing the laser irradiation time to 64 gradations. After confirming the exposed pattern, an ultraviolet cut filter (manufactured by FUJIFILM Corporation, SC-42) was attached to the surface of the substrate for observing light emission for the purpose of preventing further exposure with external light. Note that the electromagnetic wave exposure here is a pattern formation with light and shade gradations because gradation is applied to the intensity of the laser. The obtained organic electroluminescent element was evaluated in the same manner as in Example 1.

(実施例8)
実施例4と同様にして、フレキシブル半透明白色有機電界発光素子を作製した後、以下の輝度ムラ補正を行った。
(Example 8)
In the same manner as in Example 4, after producing a flexible translucent white organic electroluminescent element, the following luminance unevenness correction was performed.

<輝度ムラ補正>
得られた白色有機電界発光素子に9Vの電圧を印加し、15cm×15cm内の面内輝度ムラを、コニカミノルタ社製CS−1000により、5mm間隔で、IZO付きフィルム基板側から測定した結果、電源接続部から遠い部分ほどITOの配線抵抗に起因した輝度ムラが観測され、発光面内の(最大輝度/最小輝度)値は、5.1であった。フレキシブル性を持たせるために導電性の低いIZOを電極に用いたために実施例1の素子以上に輝度ムラが発生したものと思われる。
検出された輝度ムラを白黒画像に画像処理し、輝度が弱いところほど黒が濃くなる画像としたPETフィルムに倉敷紡績株式会社(クラボウ)製GP−10を用いてグラビア印刷で画像を印刷し、輝度ムラ補正用露光マスクを作製した。このマスクを、作製した15cm角のフレキシブル半透明白色有機電界発光素子に貼り付け、新東科学株式会社製の褪色試験機(光源:水銀ランプ)にいれて3.1時間電磁波照射した。電磁波が照射された部分は素子が高電圧化し、流れる電流量が少なくなって部分的に輝度が低下した。電磁波照射後の発光面内の輝度分布を測定したところ、発光面内の輝度ムラが補正され、(最大輝度/最小輝度)が1.3であった。
<Brightness unevenness correction>
As a result of applying a voltage of 9 V to the obtained white organic electroluminescent element and measuring the in-plane luminance unevenness within 15 cm × 15 cm from the film substrate side with IZO at intervals of 5 mm by CS-1000 manufactured by Konica Minolta, The brightness unevenness due to the ITO wiring resistance was observed in the part far from the power supply connection part, and the (maximum brightness / minimum brightness) value in the light emitting surface was 5.1. It seems that luminance unevenness occurred more than the element of Example 1 because IZO having low conductivity was used for the electrode in order to provide flexibility.
The detected luminance unevenness is processed into a black and white image, and the image is printed by gravure printing using a GP-10 made by Kurashiki Boseki Co., Ltd. An exposure mask for correcting luminance unevenness was produced. This mask was affixed to the produced 15 cm square flexible translucent white organic electroluminescent device, placed in an amber tester (light source: mercury lamp) manufactured by Shinto Kagaku Co., Ltd., and irradiated with electromagnetic waves for 3.1 hours. In the portion irradiated with the electromagnetic wave, the voltage of the element was increased, the amount of flowing current was reduced, and the luminance was partially reduced. When the luminance distribution in the light emitting surface after the electromagnetic wave irradiation was measured, the luminance unevenness in the light emitting surface was corrected, and (maximum luminance / minimum luminance) was 1.3.

上記輝度ムラ補正を行ったフレキシブル半透明白色有機電界発光素子に対し、実施例1と同様にして、電磁波露光によるパターン形成を行い、評価を行った。   The flexible semitransparent white organic electroluminescent element subjected to the above-described luminance unevenness correction was evaluated by performing pattern formation by electromagnetic wave exposure in the same manner as in Example 1.

(比較例6)
実施例8において、図5の画像をOHPシートにインクジェットプリンターで、解像度200dpiで印刷することに代えて、図5の画像をPETフィルムに倉敷紡績株式会社(クラボウ)製GP−10を用いてグラビア印刷(解像度:200dpi)したこと以外は、実施例8と同様にして、有機電界発光素子を作製し、評価を行った。
(Comparative Example 6)
In Example 8, instead of printing the image of FIG. 5 on an OHP sheet with an inkjet printer at a resolution of 200 dpi, the image of FIG. 5 was gravure using a GP-10 made by Kurashiki Spinning Co., Ltd. (Kurabo). An organic electroluminescent element was produced and evaluated in the same manner as in Example 8 except that printing (resolution: 200 dpi) was performed.

(実施例9)
実施例5と同様にして白色有機電界発光素子を作製し、輝度ムラを測定した。白色有機電界発光素子に図4の画像を露光するため、PETフィルムに倉敷紡績株式会社(クラボウ)製GP−10を用いてグラビア印刷で画像(図6)を印刷し、輝度ムラ補正用露光マスク兼画像露光用マスクを作製した。このマスクは、有機電界発光素子の輝度ムラを補正するための濃淡階調のパターンと所望の固定表示画像を表示させるための面積階調パターンの両方が印刷してあり、一度の露光で、輝度ムラ補正とパターン露光との両方が行なえるように設計されている。このマスクを、前記白色有機電界発光素子に貼り付け、新東科学株式会社製の褪色試験機(光源:キセノンランプ)にいれて2時間電磁波照射した。前記露光マスクを透過して電磁波が照射された部分は、素子が高電圧化し、流れる電流量が少なくなって部分的に輝度が低下した。得られた画像は、実施例1と同様にして評価した。
Example 9
A white organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 5, and luminance unevenness was measured. In order to expose the image of FIG. 4 to the white organic electroluminescent element, the image (FIG. 6) is printed on the PET film by gravure printing using GP-10 manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd. (Kurabo), and an exposure mask for correcting luminance unevenness. A mask for image exposure was also produced. This mask is printed with both a grayscale pattern for correcting the luminance unevenness of the organic electroluminescence device and an area grayscale pattern for displaying a desired fixed display image. It is designed so that both unevenness correction and pattern exposure can be performed. This mask was affixed to the white organic electroluminescent element, placed in an amber tester (light source: xenon lamp) manufactured by Shinto Kagaku Co., Ltd., and irradiated with electromagnetic waves for 2 hours. In the portion irradiated with electromagnetic waves through the exposure mask, the voltage of the element increased, the amount of flowing current decreased, and the luminance partially decreased. The obtained image was evaluated in the same manner as in Example 1.

(比較例7)
実施例9において、輝度ムラを補正するための濃淡階調パターンと所望の固定表示画像を表示させるための面積階調パターンの両方をグラビア印刷することに代えて、輝度ムラを補正するための濃淡階調パターンと所望の固定表示画像を表示させるための濃淡階調パターンの両方をグラビア印刷して輝度ムラ補正用露光マスク兼画像露光用マスクを作製した以外は、実施例9と同様にして評価した。
(Comparative Example 7)
In the ninth embodiment, instead of performing gravure printing on both the grayscale pattern for correcting the luminance unevenness and the area grayscale pattern for displaying the desired fixed display image, the light and shade for correcting the brightness unevenness is used. Evaluation was performed in the same manner as in Example 9 except that both a gradation pattern and a gradation pattern for displaying a desired fixed display image were gravure-printed to produce an exposure mask for correcting brightness unevenness and an image exposure mask. did.

実施例1〜9及び比較例1〜7における階調の種類、電磁波照射の形態、素子の性状、及び画質評価の結果を以下の表1に示す。   Table 1 below shows the types of gradations, forms of electromagnetic wave irradiation, element properties, and image quality evaluation results in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 7.

(実施例10)
実施例1において、発光面が2mm×2mmとなるように基板、封止ガラス等の大きさを変えた以外は、実施例1と同様にして、白色有機電界発光素子を作製した。また、OHPシート(コクヨ株式会社製、VF−1100N)にインクジェットプリンター(ヒューレットパッカード社製インクジェットプリンター、OFFICEJET6000)を用いて200dpiで印刷した面積階調マスク(開口面積比50%)を作製した。得られた素子の発光面2mm×2mmの全体を覆うように、前記面積階調マスクを設置し、実施例1の電磁波照射手順と同様にして電磁波照射(露光テスト)を行なった。この素子の作製及び露光テストは、独立に5回行なった。露光前後で7V又は10V印加時の素子の輝度を測定した。結果を表2に示す。なお、表2中の「平均輝度の低下率」は、等電圧印加条件において電磁波未照射の素子の平均輝度を1としたときの電磁波照射後の素子の平均輝度の比率を表す。
(Example 10)
In Example 1, a white organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the size of the substrate, the sealing glass, and the like was changed so that the light emitting surface was 2 mm × 2 mm. In addition, an area gradation mask (opening area ratio 50%) printed on an OHP sheet (manufactured by KOKUYO Corporation, VF-1100N) at 200 dpi using an inkjet printer (inkjet printer manufactured by Hewlett-Packard Company, OFFICEJET6000) was prepared. The area gradation mask was set so as to cover the entire light emitting surface 2 mm × 2 mm of the obtained device, and electromagnetic wave irradiation (exposure test) was performed in the same manner as the electromagnetic wave irradiation procedure of Example 1. The device was manufactured and the exposure test was independently performed five times. The luminance of the element was measured before and after exposure when 7V or 10V was applied. The results are shown in Table 2. The “average luminance reduction rate” in Table 2 represents the ratio of the average luminance of the element after irradiation with the electromagnetic wave when the average luminance of the element not irradiated with the electromagnetic wave is 1 under the condition of applying equal voltage.

(比較例8)
実施例1において、発光面が2mm×2mmとなるように基板、封止ガラス等の大きさを変えた以外は、実施例1と同様にして、白色有機電界発光素子を作製した。また、PETフィルムに倉敷紡績株式会社(クラボウ)製GP−10を用いてグラビア印刷した200dpi相当の濃淡階調マスク(波長365nmの光透過率が約50%)を発光面2mm×2mmの全体が覆われるように設置し、キセノンランプからの電磁波を15分間照射した。この素子作製及び露光テストは、独立に5回行なった。露光前後で7V又は10V印加時の素子の輝度を測定した。結果を表2に示す。なお、濃淡階調の露光時間は、2,000cd/mが1,000cd/m程度に低下する時間とした。
(Comparative Example 8)
In Example 1, a white organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the size of the substrate, sealing glass, and the like was changed so that the light emitting surface was 2 mm × 2 mm. In addition, a gray scale mask equivalent to 200 dpi (gravitational transmittance of about 365% at a wavelength of 365 nm) obtained by gravure printing on a PET film using GP-10 manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd. (Kurabo) is used. It was installed so as to be covered and irradiated with electromagnetic waves from a xenon lamp for 15 minutes. This device fabrication and exposure test were performed independently 5 times. The luminance of the element was measured before and after exposure when 7V or 10V was applied. The results are shown in Table 2. The exposure time of the gray gradation was a time 2,000 cd / m 2 is reduced to about 1,000 cd / m 2.

実施例1、実施例2及び比較例1の結果から、面積階調の露光マスクを用いて輝度変化パターン形成のための電磁波照射をすることで、画像パターンが形成された有機電界発光素子の画質を改善することができた。また、電磁波露光において、露光マスクの解像度を200dpi以上とすることで、さらに画質を高めることができた。
実施例4の結果から、可撓性を有する半透明の素子においても上記と同様の効果が得られた。
実施例3及び比較例2の結果から、輝度変化パターンが面積階調になるようにレーザー照射を2値で変化させ、発光面を走査して露光を行うことで、有機電界発光素子の画質を高めることができた。
実施例5〜8では、輝度ムラ補正を行うことにより、輝度ムラ補正を行わなかった場合(実施例1〜4)に比べ、更に画質を高めることができた。
実施例9では、輝度ムラ補正と面積階調の輝度変化パターン形成とを同時に行う露光マスクを用いることにより、一度の露光により輝度ムラが少なく、かつ、良質の画像パターンが表示される有機電界発光素子が得られた。
From the results of Example 1, Example 2, and Comparative Example 1, the image quality of the organic electroluminescent element on which the image pattern was formed by irradiating the electromagnetic wave for forming the luminance change pattern using the exposure mask of area gradation. Was able to improve. Further, in the electromagnetic wave exposure, the image quality could be further improved by setting the exposure mask resolution to 200 dpi or more.
From the results of Example 4, the same effect as described above was obtained even in a translucent element having flexibility.
From the results of Example 3 and Comparative Example 2, the image quality of the organic electroluminescent device is improved by changing the laser irradiation in binary so that the luminance change pattern becomes an area gradation, and scanning the light emitting surface for exposure. I was able to increase it.
In Examples 5 to 8, by performing the luminance unevenness correction, the image quality could be further improved as compared with the case where the luminance unevenness correction was not performed (Examples 1 to 4).
In the ninth embodiment, by using an exposure mask that simultaneously performs luminance unevenness correction and area gradation luminance change pattern formation, organic electroluminescence with less luminance unevenness and a high-quality image pattern displayed by a single exposure. An element was obtained.

実施例10と比較例8との対比から、面積階調で素子の明るさを変化させた場合、電圧に依存せずに任意の輝度に変化させることができ、かつ電磁波照射を繰り返して行った時の素子間の輝度のばらつきが小さいのに対して、濃淡階調で素子の明るさを変化させる場合には素子毎の駆動電圧によって低下率が異なってしまうとともに、電磁波照射を繰り返して行った時の素子間の輝度のばらつきが大きくなることがわかる。よって、有機電界発光素子を電磁波によってパターニングする場合には、面積階調で行うことが好ましい。   From the comparison between Example 10 and Comparative Example 8, when the brightness of the element was changed in the area gradation, it was possible to change to any luminance without depending on the voltage, and the electromagnetic wave irradiation was repeated. While the variation in brightness between elements at the time was small, when the brightness of the element was changed in grayscale, the rate of decrease differed depending on the driving voltage for each element, and electromagnetic wave irradiation was repeated. It can be seen that the variation in luminance between elements at the time increases. Therefore, when patterning an organic electroluminescent element with electromagnetic waves, it is preferable to carry out with area gradation.

本発明の製造方法により、所望の輝度変化パターンが、素子の電圧−電流特性に影響されずに、より容易に、かつ、きれいな画質で、再現性よく形成された有機電界発光素子を得ることができる。そして、本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、電子写真、標識、看板、インテリアなどに好適に利用できる。   By the manufacturing method of the present invention, it is possible to obtain an organic electroluminescence device in which a desired luminance change pattern is formed more easily and with a good image quality and good reproducibility without being affected by the voltage-current characteristics of the device. it can. And the organic electroluminescent element of this invention can be utilized suitably for a display element, a display, an electrophotography, a sign, a signboard, an interior, etc.

Claims (14)

陽極と陰極との間に発光層を有してなり、
発光面内の少なくとも一部に輝度を変化させた輝度変化パターンからなる面積階調を有し、
前記輝度変化パターンの解像度が、100dpi以上であり、
電磁波を照射して前記発光面内の輝度ムラが補正されていることを特徴とする有機電界発光素子。
Having a light emitting layer between the anode and the cathode;
Have a halftone dot composed of luminance change pattern of changing the brightness in at least a part of the light emitting surface,
A resolution of the luminance change pattern is 100 dpi or more;
The organic electroluminescent device luminance unevenness in the light emission surface is irradiated with electromagnetic waves, it characterized that you have been corrected.
輝度変化パターンの形成方法が、電磁波照射である請求項1に記載の有機電界発光素子。   The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the method of forming the luminance change pattern is electromagnetic wave irradiation. 輝度変化パターンの形成における電磁波照射が、電磁波の透過率の変化を2値で表示したパターンを有する露光マスクを介して行われる請求項2に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the electromagnetic wave irradiation in the formation of the luminance change pattern is performed through an exposure mask having a pattern in which a change in electromagnetic wave transmittance is displayed in binary. 輝度変化パターンの形成における電磁波照射が、2値で変化され、有機電界発光素子上を走査して行われる請求項2に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the electromagnetic wave irradiation in the formation of the luminance change pattern is performed by scanning the organic electroluminescence device while being changed in binary. 輝度変化パターンの形成における電磁波が照射された部分の駆動電圧が上昇し、電流量が低下してなる請求項2から4のいずれかに記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to any one of claims 2 to 4, wherein a drive voltage of a portion irradiated with an electromagnetic wave in forming a luminance change pattern is increased and a current amount is decreased. 輝度変化パターンの形成における電磁波が照射された部分に特定の電圧を印加した場合の面積あたりに流れる電流量(A)と、電磁波が照射されていない部分に前記電圧と同じ電圧を印加した場合の面積あたりに流れる電流量(B)との比(B/A)が、3以上である請求項2から5のいずれかに記載の有機電界発光素子。The amount of current (A) that flows per area when a specific voltage is applied to a portion irradiated with an electromagnetic wave in the formation of a luminance change pattern, and the case where the same voltage as the voltage is applied to a portion that is not irradiated with an electromagnetic wave The organic electroluminescent element according to any one of claims 2 to 5, wherein a ratio (B / A) to a current amount (B) flowing per area is 3 or more. 陽極及び陰極の少なくともいずれかが、金属酸化物電極である請求項1から6のいずれかに記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein at least one of the anode and the cathode is a metal oxide electrode. 可視光透過率が、20%以上である請求項1から7のいずれかに記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 7, wherein the visible light transmittance is 20% or more. 可撓性を有する請求項1から8のいずれかに記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to claim 1, which has flexibility. 輝度変化パターンの形成における電磁波照射で使用された波長の電磁波を吸収する電磁波吸収層を発光面上に更に有してなる請求項2から9のいずれかに記載の有機電界発光素子。The organic electroluminescent element according to any one of claims 2 to 9, further comprising an electromagnetic wave absorbing layer that absorbs an electromagnetic wave having a wavelength used in electromagnetic wave irradiation in forming a luminance change pattern on a light emitting surface. 陽極と陰極との間に発光層を有してなる有機電界発光素子を作製する有機電界発光素子作製工程と、An organic electroluminescence device production process for producing an organic electroluminescence device comprising a light emitting layer between an anode and a cathode;
前記有機電界発光素子の発光面の少なくとも一部に輝度の変化パターンが面積階調となり、前記輝度変化パターンの解像度が100dpi以上となるように電磁波を照射する輝度変化パターン形成工程と、A luminance change pattern forming step of irradiating an electromagnetic wave so that a luminance change pattern has an area gradation on at least a part of a light emitting surface of the organic electroluminescent element, and a resolution of the luminance change pattern is 100 dpi or more;
電磁波を照射して前記発光面内の輝度ムラを補正する工程とを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。And a step of correcting luminance unevenness in the light emitting surface by irradiating electromagnetic waves.
輝度変化パターンの形成工程における電磁波照射が、電磁波の透過率の変化を2値で表示したパターンを有する露光マスクを介して行われる請求項11に記載の有機電界発光素子の製造方法。The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 11, wherein the electromagnetic wave irradiation in the step of forming the luminance change pattern is performed through an exposure mask having a pattern in which a change in transmittance of the electromagnetic wave is displayed in binary. 輝度変化パターンの形成工程における電磁波照射が、2値で変化され、有機電界発光上素子を走査して行われる請求項11に記載の有機電界発光素子の製造方法。The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 11, wherein the electromagnetic wave irradiation in the step of forming the luminance change pattern is performed by changing the binary value and scanning the organic electroluminescent upper element. 輝度変化パターン形成工程において、有機電界発光素子の発光面内の輝度ムラ補正と、輝度変化パターンからなる面積階調の形成とを同時に行う請求項11から13のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。The organic electroluminescence device according to any one of claims 11 to 13, wherein in the luminance change pattern forming step, the luminance unevenness correction in the light emitting surface of the organic electroluminescence device and the formation of the area gradation composed of the luminance change pattern are simultaneously performed. Manufacturing method.
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