JP5687649B2 - 半導体記憶装置の制御方法 - Google Patents
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Description
図1は、SSD(Solid State Drive)100の構成例を示すブロック図である。SSD100は、ATAインタフェース(ATA I/F)などのホストインタフェース2を介してパーソナルコンピュータあるいはCPUなどのホスト装置(以下、ホストと略す)1と接続され、ホスト1の外部記憶装置として機能する。ホスト1は、例えば、パーソナルコンピュータ、スチルカメラ、ビデオカメラなどの撮像装置のCPUである。SSD100は、ホストインタフェース2と、不揮発性半導体メモリとしてのNAND型フラッシュメモリ(以下、NANDと略す)10と、NAND10よりも高速アクセスが可能な半導体メモリであるRAM20と、コントローラ30とを備える。
第2の実施形態においては、アドレスの連続性を判定する際、所定の範囲内のアドレスのスキップ(飛び)を許容し、所定の範囲内のアドレスの飛びであれば、アドレスは連続していると判定する。すなわち、今回のライトコマンドと次回のライトコマンド間において、アドレスが完全に連続していなくても、所定の範囲内のアドレスの飛びであれば、アドレスは連続していると判定する。図7は、第2の実施形態のコマンド判定部31の動作手順を示すフローチャートである。図7においては、図4のフローチャートにステップS231、S232を追加している。図7において、図4と同じ処理を行うステップに関しては、同一ステップ番号を付している。
第3の実施形態においては、シーケンシャル書き込みでよく使われるアクセスサイズ(セクタ数SZ)と、シーケンシャル書き込みでよく使われるアドレス(ライトコマンドに含まれるアドレス情報AD)のアラインメントとを、予測の判定材料として追加し、予測の信頼性を向上させている。。図8は、第3の実施形態のコマンド判定部31の動作手順を示すフローチャートである。図8では、図7に示す第2の実施形態の処理手順に、アクセスサイズおよびアドレスのアライメントを予測材料として追加している。図8においては、図7のフローチャートにステップS233、S234を追加している。図8において、図7と同じ処理を行うステップに関しては、同一ステップ番号を付している。
Claims (5)
- データ消去の単位であるブロックを複数個有する半導体記憶装置の制御方法であって、
前記半導体記憶装置外部からデータ及びアドレスを含むライト要求を複数受信し、
前記ライト要求に含まれるアドレスに基づき、アドレスが連続するライト要求を所定回数以上連続して受信するという第1の条件が成立するか否かを判定し、
前記第1の条件が成立する場合は、前記ブロックを多値モードで使用すると決定し、当該多値モードのブロックにデータを書き込み、
前記第1の条件が成立しない場合は、前記ブロックを二値モードで使用すると決定し、当該二値モードのブロックにデータを書き込み、
前記ブロックへのデータの書き込み中に前記第1の条件が成立するか否かの判定結果が変化した場合であっても、当該ブロックの書き込みが終了するまでは、記録モードの切り替えを行わない
ことを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。 - 前記ライト要求に含まれるアドレスに基づき、データサイズが所定値に一致するライト要求を所定回数以上連続して受信するという第2の条件が成立するか否かを判定し、
前記第1の条件および前記第2の条件が成立する場合は、前記ブロックを多値モードで使用すると決定し、当該多値モードのブロックにデータを書き込み、
前記第1の条件または前記第2の条件が成立しない場合は、前記ブロックを二値モードで使用すると決定し、当該二値モードのブロックにデータを書き込む、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置の制御方法。 - 前記ライト要求に含まれるアドレスに基づき、先頭アドレスを所定のデータサイズで割った剰余が0であるライト要求を所定回数以上連続して受信するという第3の条件が成立するか否かを判定し、
前記第1の条件および前記第3の条件が成立する場合は、前記ブロックを多値モードで使用すると決定し、当該多値モードのブロックにデータを書き込み、
前記第1の条件または前記第3の条件が成立しない場合は、前記ブロックを二値モードで使用すると決定し、当該二値モードのブロックにデータを書き込む、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置の制御方法。 - データ消去の単位であるブロックを複数個有する半導体記憶装置の制御方法において、
前記半導体記憶装置外部からデータ及びアドレスを含むライト要求を複数受信し、
前記ライト要求に含まれるアドレスに基づき、前回のライト要求の終端アドレスと今回のライト要求の先頭アドレスとの差分が所定の閾値以内であるライト要求を所定回数以上連続して受信するという第4の条件が成立するか否かを判定し、
前記第4の条件が成立する場合は、前記ブロックを多値モードで使用すると決定し、当該多値モードのブロックにデータを書き込み、
前記第4の条件が成立しない場合は、前記ブロックを二値モードで使用すると決定し、当該二値モードのブロックにデータを書き込み、
前記ライト要求に含まれるアドレスに基づき、データサイズが所定値に一致するライト要求を所定回数以上連続して受信するという第2の条件が成立するか否かをさらに判定し、
前記第4の条件および前記第2の条件が成立する場合は、前記ブロックを多値モードで使用すると決定し、当該多値モードのブロックにデータを書き込み、
前記第4の条件または前記第2の条件が成立しない場合は、前記ブロックを二値モードで使用すると決定し、当該二値モードのブロックにデータを書き込む、
ことを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。 - 前記ライト要求に含まれるアドレスに基づき、先頭アドレスを所定のデータサイズで割った剰余が0であるライト要求を所定回数以上連続して受信するという第3の条件が成立するか否かを判定し、
前記第4の条件および前記第3の条件が成立する場合は、前記ブロックを多値モードで使用すると決定し、当該多値モードのブロックにデータを書き込み、
前記第4の条件または前記第3の条件が成立しない場合は、前記ブロックを二値モードで使用すると決定し、当該二値モードのブロックにデータを書き込む、
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置の制御方法。
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