JP5677539B2

JP5677539B2 - 検出装置

Info

Publication number: JP5677539B2
Application number: JP2013185689A
Authority: JP
Inventors: 辻井　修; 修辻井; 森下　正和; 正和森下; 奥貫　昌彦; 昌彦奥貫; 清水　英; 英清水
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2013-09-06
Filing date: 2013-09-06
Publication date: 2015-02-25
Anticipated expiration: 2028-11-06
Also published as: JP2014030751A

Description

本発明は、Ｘ線によって被検体のＸ線画像を検出する検出装置に関する。

Ｘ線撮影によって被検体の乳房のＸ線画像を取得するＸ線乳房撮影装置には、半導体２次元画像検出器を使用したＸ線乳房撮影装置がある。これは、Ｘ線源、乳房を圧迫するための圧迫板、乳房を保持すると同時に透過したＸ線強度分布を画像化する２次元Ｘ線画像検出器をその基本構成とする。２次元画像検出器はＸ線を可視蛍光に変換する蛍光体と半導体２次元画像検出器を貼り合わせて作成される（例えば特許文献１参照）。

Ｘ線乳房撮影装置にはＸ線の散乱線を抑制するためのグリッドが使用されるものがある（例えば特許文献２参照）。

また、乳房のＸ線画像と超音波画像を同一の圧迫条件で撮影する装置がある。この装置に関する超音波プローブの位置を検出するセンサとしては、例えば赤外線が利用される。乳房はＸ線画像の取得と超音波画像の取得とで同じように圧迫されているので、結果として、超音波画像とＸ線画像とを結合することができる（例えば特許文献３参照）。

また、近赤外光を乳房圧縮板を介して乳房に照射し、透過光を光ファイバーで集めて乳房画像を撮影する技術が提案されている（例えば特許文献４参照）。

さらに、振幅変調された複数の近赤外光を一つの光ファイバーに入射させた後に乳房を透過させ、透過した近赤外光をホモダイン検出することで乳房の近赤外画像を得る技術も提案されている（例えば非特許文献１参照）。

特開平08-238233 特開2005-013344 特開2003-260046 特表平09-505407

Sergio Fantini他、「Using Near-Infrared Light To Detect Breast Cancer」、Optics＆Photonics News, November, 2003

Ｘ線乳房撮影装置を使用した乳癌診断において、陽性が疑われた場合の細胞診断、組織診断、あるいは術後の経過観察の際に、撮影装置と乳房の位置決めに再現性が求められる場合がある。

しかし、従来の乳房撮影装置では位置決め機能を有していない。

他方、Ｘ線乳房画像が不得意とする腫瘤状の癌の発見に近赤外画像が有効である場合があるが、近赤外画像で発見された病変部とＸ線画像との位置の対応をとることができないという問題もあった。

本発明は以上のような課題に鑑みてなされたものであり、例えば、例えば、異なる波長で被写体を検出できる検出装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面によれば、近赤外光源が発する複数波長の近赤外光及びＸ線源が発するＸ線を画像化する検出装置であって、複数波長の近赤外光及びＸ線を検出する検出手段と、Ｘ線が照射される場合に前記検出手段から出力される信号をＸ線画像として処理し、Ｘ線が照射されていない期間で複数波長の近赤外光が照射される場合に当該複数波長にそれぞれ対応する近赤外画像として処理する処理手段とを備え、前記検出手段は、少なくとも前記複数波長の近赤外光を透過し且つ可視光を透過しない波長フィルタと、前記波長フィルタを透過した近赤外光を透過し、Ｘ線の入射に対しては蛍光を発生する蛍光体と、前記複数波長の近赤外光及び前記蛍光を検出する半導体センサとを含むことを特徴とする検出装置が提供される。

本発明によれば、複数の異なる波長で被写体を撮影できる。

これにより、近赤外画像とＸ線画像を同一位置条件で撮影が可能になる。

また、近赤外とＸ線を用いて撮影した場合には近赤外画像とＸ線画像を重ね合わせ表示することで石灰化癌と腫瘤癌の重ね合わせを精度良く行えるようになる。

また、近赤外画像からＸ線撮影の際の好適な撮影線量を推定することが可能になる。

実施形態におけるＸ線乳房撮影装置の概略図。乳房位置決め画像撮影時の圧迫板の運動を示す図。２次元検出器の構造を示す図。レーザーダイオードマトリクスの進入退避を表す図。レーザーダイオードマトリクスの構造を示す図。半導体センサの一つの画素を示す図。半導体センサの画素を二次元状に配列した図。実施形態に係るＸ線乳房撮影に係る制御処理のフローチャート。

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決手段として必須のものであるとは限らない。

本発明の好ましい実施形態を添付図面（図１乃至図８）を参照しながら詳細に説明する。

図１に本実施形態に係るＸ線乳房撮影装置の概略を示す。

図１の（Ａ）は、乳房６のCC像を撮影する時の装置状態を示す正面図であり、Ｘ線乳房撮影装置を被検者（患者）から見た図である。上方から順に、Ｘ線源１、レーザーダイオードマトリクス２、圧迫板３、Ｘ線グリッド４、２次元検出器５が配置されている。（Ｂ）は、乳房６のMLO像を撮影する時の装置状態を示す正面図である。（Ａ）の正面図（CC時）との相違は撮影部がチルトされている点にある。

ここで、２次元検出器５は、Ｘ線源１と対向する側に乳房６を載置する載置面を有する検出部となっている。

図１の（Ｃ）に示す、赤外線画像取得時及び乳房位置決め時の装置状態を説明する。この状態ではＸ線源１からＸ線の曝射はしない。２次元検出器５の載置面に載置された被検者の乳房６は、当該載置面に対して圧迫板３で圧迫されている。圧迫板３の上方には、この圧迫板３に沿って２次元状に配される２次元近赤外光源であるレーザーダイオードマトリクス２が設けられている。レーザーダイオードマトリクス２は、圧迫板３と密着する第１の位置と、Ｘ線画像の撮影領域外の第２の位置との間に移動可能に構成されている。レーザーダイオードマトリクス２には近赤外レーザーダイオードがマトリクス状に複数個配置される。圧迫板３は近赤外光を透過する光学的に透明又は半透明な材料で、且つ、Ｘ線を透過しやすい材料、例えばアクリルなどが適当である。

近赤外レーザーダイオードから発せられた近赤外光は、圧迫板３を透過し乳房６中を減衰拡散しながら進み２次元検出器５に到達する。近赤外光を透過しないＸ線グリッド４は退避している。２次元検出器５は、可視光、近赤外光に感度を有する２次元半導体検出器を含む。すなわち、２次元検出器は、Ｘ線を検出可能な他、可視光、近赤外光を検出可能である。２次元検出器５に入射した光強度分布を元に乳房６の近赤外画像が計算される。ここで乳房位置決め時と定義しているのは、乳房６の近赤外像をリアルタイムで表示することにより、撮影技師は、乳房６中の血管配置を元に乳房６の位置決め状態を再現することが可能になるからである。

乳房位置決めの撮影と近赤外画像撮影との相違について説明しておく。これらの画像は何れも近赤外光を使用して形成される画像である。しかし、乳房位置決めの撮影時は撮影技師による乳房設定の変更に対応するために画像形成時間の高速化が要求される。ところで、レーザーダイオードマトリクス２中の複数波長の近赤外レーザーダイオードによる乳房スペクトルスコピー画像は撮影に時間を要する。

撮影時間の短縮は、レーザーダイオードマトリクス２に組み込まれた全てのレーザーダイオードを点灯させず、間引き点灯し、画像分解能を犠牲にしてリアルタイムを優先することにより可能となる。

近赤外画像撮影では乳房位置決めの撮影に比べて、高分解能であり、スペクトルスコピーであるが、撮影時間は長くなる。

次に、図１（Ｄ）に示すＸ線画像撮影時の装置状態を説明する。

Ｘ線画像は乳房位置決めが完了した後に撮影される。乳房位置決めの撮影、及び近赤外画像の撮影が完了するとレーザーダイオードマトリクス２はＸ線画像の撮影領域から退避する。

他方、乳房位置決めの撮影時には退避していたＸ線グリッド４が２次元検出器５上面に挿入される。レーザーダイオードマトリクス２の退避、Ｘ線グリッド４の挿入が確認されるとＸ線が曝射される。

ところで、近赤外画像を撮影するときの近赤外光透過量とＸ線透過量には相関がある。乳房厚、乳腺密度と２次元検出器５への到達光量には正の相関が知られている。この関係を利用してＸ線画像撮影時のＸ線ターゲット、Ｘ線フィルタ、管電流、撮影時間を決定することが可能である。例えば、到達光量が一定値以下の場合はＸ線ターゲットをモリブデンではなくロジウムにすることが考えられる。また、到達光量に反比例して管電流を増加させることが出来る。Ｘ線源の制約により管電流を増加させることが出来ない場合は撮影時間を増加させる。

図２は乳房位置決め画像撮影時の圧迫板３の運動と近赤外レーザーダイオードの点灯のタイミングを表している。乳房の位置設定及び乳房の圧迫開始は患者の安全を確認しながら撮影技師により決定されるが、圧迫板３に予め決められた圧迫力以上が加わるとレーザーダイオードの点灯が自動開始する。位置決め画像の撮影が完了するとレーザーダイオードの点灯は停止する。

位置決め画像は図示しない表示装置に表示される。撮影技師が、位置決めが適切であると判断すれば、高分解能の近赤外画像の撮影へと移行する。位置決めの適否を判断する画像は、過去に撮影した画像と並列表示する他に、過去画像と現在画像の差分画像を表示することもできる。差分画像を作成する際には、画像の相対関係が重要である。相対関係の指標としては二つの画像の相関係数を計算することができる。相関係数をもとに相関係数が大きくなる方向に画像シフトすることで位置決めを良好にすることができる。

図３は２次元検出器５の構造を示す図である。

図３の（Ａ）に示す位置決め画像及び近赤外画像の撮影時には圧迫板３上面にレーザーダイオードマトリクス２が密着配置される。以下で、近赤外画像と言う場合は、位置決め画像及び近赤外画像の両方を指すものとする。

圧迫板３、乳房６を透過した近赤外光が２次元検出器５に入射する。２次元検出器５は保護板８、波長フィルタ９、Ｘ線蛍光体１０、半導体センサ１１、及びセンサ上下機構１２を有する。

保護板８は乳房圧迫時に半導体センサ１１を保護する。保護板８は、Ｘ線減衰の小さく、近赤外光を透過する材料である。例としてはアクリルや強化ガラスが使用できる。

波長フィルタ９は、近赤外光又は近赤外光より長波長の光を透過するフィルタであり、可視光、遠赤外光は透過しない膜である。

Ｘ線蛍光体１０は、近赤外光は透過し、Ｘ線の入射に対して蛍光を発生する。Ｘ線蛍光体１０の例としては、CsIの柱結晶が適切である。柱状であるためにＸ線蛍光、近赤外光の拡散を軽減することが可能である。

半導体センサ１１の例としてはＣＭＯＳセンサが好ましい。Ｘ線画像で広く利用されているアモルファスシリコンのセンサは近赤外に感度がないので使用することはできない。

センサ上下機構１２は、保護板８の下面と波長フィルタ９の上面の距離を調整するための機構である。保護板８の下面と波長フィルタ９の上面を密着させることによって近赤外画像の分解能劣化を小さくすることが可能になる。

乳房撮影の場合、Ｘ線画像は高分解能が要求され、例えば画素ピッチ１００μｍが必要である。

しかし、Ｘ線画像は静止画像であるので高速画像読み出しは要求されない。他方、近赤外画像の要求分解能は１〜３ｍｍ程度である。近赤外画像では高速の画像読み出しが必要になる。

そこで、半導体センサ１１の構造は、画素サイズを１００μｍとして、８×８画像、１６×１６画像あるいは３２×３２画素の束ね読みが可能な構造とする。

また、Ｘ線画像は半導体センサ１１全面に一度に形成されるが、近赤外画像は一つのレーザーダイオードに対して１０ｍｍ×１０ｍｍ程度の領域に画像が限定される。よって、近赤外画像の撮影の時には束ね読みすると同時に部分的（局所的）に高速に読み出せる必要がある。

また、半導体センサ１１は、近赤外画像撮影時に設定された分解能に対応して画像取り込み領域を変更する。レーザーダイオードマトリクス２と２次元検出器５の相対位置関係はキャリブレーションで予め知ることができる。

次に、図３（Ｂ）のＸ線画像撮影時の構造を説明する。

Ｘ線画像撮影の際にはレーザーダイオードマトリクス２が退避し保護板８と波長フィルタ９の間にＸ線グリッド４が挿入される。Ｘ線グリッド４はＸ線散乱を低減させる効果がある。保護板８と波長フィルタ９の間のギャップはセンサ上下機構１２により波長フィルタ９、Ｘ線蛍光体１０、半導体センサ１１が一体で下方にシフトすることで形成される。

他方、波長フィルタ９を保護板８の下面に密着させ、波長フィルタ９とＸ線蛍光体１０との間隙にＸ線グリッド４を挿入することも可能である。しかし、半導体センサ１１を遮光する観点では前述の保護板８と波長フィルタ９の間にＸ線グリッド４を挿入する方法が有利である。

ところで、公知のＸ線グリッド４は近赤外光を透過させる構造にはなっていない。Ｘ線グリッド４は鉛箔の間に木やファイバー等を挟み込む構造になっている。

しかし、鉛箔の間に近赤外光を透過するファイバーを挟み込むことが可能である。

このような近赤外を透過可能なＸ線グリッド４を使用するとグリッドの挿入退避動作が不要になり２次元検出器５の光遮蔽が容易になる。

図４はレーザーダイオードマトリクス２の進入退避を表した図である。

圧迫板３は圧迫板保持フレーム１３に固定されている。圧迫板保持フレーム１３は撮影装置の架台上部フレーム７に上下移動可能に取り付けられている。

近赤外画像撮影時には、図４（Ａ）に示すように、レーザーダイオードマトリクス２は圧迫板保持フレーム１３をスライドして圧迫板３上面に進入する。レーザーダイオードマトリクス２は進入の後に吸着或は圧着機構（図示しない）により圧迫板３に密着する。

Ｘ線画像撮影時には、図４（Ｂ）に示すように、レーザーダイオードマトリクス２は密着を解除された後に圧迫板保持フレーム１３をスライドして退避する。

図５はレーザーダイオードマトリクス２の構造を示している。レーザーダイオードマトリクス２は２層構造になっている。

最初に同図の実施例（A）を説明する。

上部はレーザーダイオード１４を２次元状に配列し、下部はファイバーを２次元状に配列してある。レーザーダイオード１４とファイバーは一対一に対応し吸着、圧着或は接着されている。

同図の実施例（B）は４個の周波数の異なる近赤外レーザーダイオード１６が一組になって一つのファイバーに対応している。複数の周波数の近赤外光を利用することにより乳房６のスペクトロスコピーを得ることが可能になる。

スペクトロスコピーを得る場合に（B）の実施例では４個の周波数の異なる近赤外レーザーダイオード１６を一つのファイバーに対応させたが、各周波数のレーザーダイオードそれぞれに一つのファイバーを対応させてもよい。

図６は半導体センサ１１の一つの画素を示している。フォトダイオード１７に入射した光が電子信号に変換され、転送スイッチ信号１８がＯＮになり且つ行選択されることによって前置増幅器を介して出力される。

図７は図６の画素を２次元状に配列した図である。８×８個の画素の各出力は垂直シフトレジスタ２４及び水平シフトレジスタ２５によって選択される。選択された画素の出力が増幅器２６を介して出力される。乳房画像全体を撮像するためには、少なくとも２０ｃｍ×２４ｃｍの有効面積の２次元検出器５は必要である。アモルファスシリコンを使用した半導体センサ１１では当該サイズは１枚で可能であるがCMOS等のクリスタル半導体では当面不可能なサイズである。他方、近赤外画像を撮像する際には局所的に高速の読み出しが必要である。よって、本実施形態では２５６×２５６画素程度のセンサをタイル状に配列して全体として２０ｃｍ×２４ｃｍ程度を実現する。

図７の増幅器２６の機能について説明する。

Ｘ線画像読み出し時は、垂直シフトレジスタ２４及び水平シフトレジスタ２５によって画素は１画素づつ選択される。ゲイン変更信号２７には定数倍の設定がされるので選択された画素の信号は定数倍の増幅がされて出力される。近赤外画像の読み出しの際には破線で囲んだ範囲の画素が同時に選択されて出力される。図７の場合は４×４画素が同時に選択される。選択された画素信号の加算信号が増幅器２６により増幅される。増幅の際にはゲイン変更信号２７によりゲイン変更される。ゲイン変更信号２７にはレーザーダイオードの強度変調信号の周波数に近似する周波数の信号が使用される。

近赤外光を利用したスペクトロスコピーの撮像方法は、前述の非特許文献１に詳しく記載されている。ここでは、４波長の近赤外光を利用した方法について簡単に説明する。

４波長には、６９０ｎｍ、７５０ｎｍ、７８８ｎｍ、８５６ｎｍのレーザーダイオードの光を使用する。４波長の光は、それぞれ７０.４５ＭＨｚ、７０.２０ＭＨｚ、６９.８０ＭＨｚ、６９.５ＭＨｚで振幅変調される。

振幅変調した光は、図５（B）に示した構造で示したように一つのファイバーに束ねられて乳房６に入射される。乳房６を透過した光は図７で示した束ね読み画素２３の一つの領域に入射する。入射した信号は増幅器２６で増幅されるが、増幅される際のゲイン変更信号２７には７０ＭＨｚの信号が使用される。

ゲイン変更出力信号２８から４波長の信号を分離して４枚の近赤外像を形成することができる。

前記４画像を画像処理により組み合わせることでスペクトロスコピーが作られる。本方式はFrequency Domain Optical Mammographyと呼ばれるが、本発明で使用される近赤外像は本方式に限定されるものではなく、他の方式でも本発明に係る構成は利用可能である。

非特許文献１に開示されたFrequency Domain方式と差異が生じる場合について説明する。近赤外光を収集する場合に、上記の説明では一つのレーザーダイオード（図５（B）の場合は一群をなす４個のレーザーダイオード）の発光に対して一箇所の束ね読み画素２３のみを読み出している。

しかし近赤外光の拡散情報にも情報がある場合を考慮すると複数の束ね読み画素２３を読み出すことが考えられる。

例えば４つの束ね読み画素２３を読み出す場合には、シリアルに（順次に）読み出すのでゲイン変更に位相差が生じる。

よって、ホモダイン検知によりビートを取り出す際には４画素で位相差があることを考慮する必要がある。ただし、４つの束ね読み画像の位相差は半導体センサの読み込み周波数に対応するので既知である。

画像の補正方法について説明する。従来のＸ線画像専用の２次元検出器５は波長フィルタ９に代わって薄いアルミシートが使用される。この場合は可視光、近赤外光、赤外光が入射する虞はない。しかし、波長フィルタ９に特性によっては、レーザーダイオードから近赤外光を発射していない時に半導体センサ１１に可視光、近赤外光、赤外光が微量に入射する虞がある。

また、従来のＸ線画像専用の２次元検出器５に比して複雑な構造をしているために上記光が微量に入射する虞もある。これらの光はオフセットとなり画像のコントラストを減少させる。

そこで、図３の近赤外像撮影時、Ｘ線画像撮影に先立って、それぞれ黒画像（ダーク画像）を撮影して収集された画像からそれぞれ減算する。また、近赤外像撮影時、Ｘ線画像撮影時でそれぞれ白画像を撮影して収集された画像と割り算することでシェーディング補正が可能にある。白画像は被写体なしの状態でレーザーダイオード、Ｘ線を発射した場合の画像である。

最後に、本実施形態に係るＸ線乳房撮影に係る制御処理を、図８のフローチャートを用いて説明する。

患者の撮影に先立ってS0では補正画像の収集が行われる。補正画像は２次元検出器５の温度ドリフトを考慮して患者撮影の直前に行われる。

S1では患者の撮影を開始する。S2では技師が患者の乳房６を撮影台に初期設置する。S3では、レーザーダイオードマトリクス２が圧迫板３と密着する第１の位置に進入し、Ｘ線グリッド４が退避する。S4では技師の操作で圧迫板３が下降し、S5で圧力が検出されると、S6でレーザーダイオードから光が発射され撮影が開始する。

S7で各レーザーダイオードからの曝射および透過光検出が完了すると、S8では過去の近赤外画像との比較が行われる。比較は差分画像を表示することもできる。

S9で位置再現性の確認を行う。再現性が確認されれば、S10で高精度の近赤外画像が撮影される。

S11ではレーザーダイオードマトリクス２がＸ線画像の撮影領域外の第２の位置に退避し、Ｘ線グリッド４が挿入される。S12ではＸ線の曝射が行われて、S13でＸ線画像の収集が行われる。近赤外画像とＸ線画像は同一条件で撮影されているので、S14で幾何学変換をする必要なく画像を重ね合わせる画像処理を行うことが可能である。Ｘ線画像を白黒表示して近赤外画像をカラー表示してオーバーレイすることが出来る。S15で撮影が完了する。

Claims

近赤外光源が発する複数波長の近赤外光及びＸ線源が発するＸ線を画像化する検出装置であって、
複数波長の近赤外光及びＸ線を検出する検出手段と、
Ｘ線が照射される場合に前記検出手段から出力される信号をＸ線画像として処理し、Ｘ線が照射されていない期間で複数波長の近赤外光が照射される場合に当該複数波長にそれぞれ対応する近赤外画像として処理する処理手段と、
を備え、
前記検出手段は、少なくとも前記複数波長の近赤外光を透過し且つ可視光を透過しない波長フィルタと、前記波長フィルタを透過した近赤外光を透過し、Ｘ線の入射に対しては蛍光を発生する蛍光体と、前記複数波長の近赤外光及び前記蛍光を検出する半導体センサとを含むことを特徴とする検出装置。
前記複数波長のそれぞれの近赤外光は所定周波数からそれぞれ異なる振幅変調がされており、
前記検出手段の出力信号を前記所定周波数のゲイン変更信号でゲインを変調して増幅する増幅器を更に備え、
前記処理手段は、前記増幅器から出力されるゲイン変更信号を分離する処理をして前記それぞれの波長に対応する画像を得ることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
前記検出手段は、二次元に配置された複数の画素で構成され、
前記増幅器は、当該複数の画素毎の出力信号を増幅する
ことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
前記複数波長の近赤外光を発光する近赤外光源を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出装置。
前記近赤外光源は、４つの異なる波長の近赤外光を発し、
前記処理手段は、前記４つの異なる波長それぞれに対応した４枚の近赤外画像を得る
ことを特徴とする請求項４に記載の検出装置。
前記処理手段で得られた複数の画像を組み合わせることでスペクトロスコピーの画像を得る画像処理手段を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の検出装置。
前記近赤外光源は、レーザーダイオードを二次元に配列してあることを特徴する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の検出装置。
前記二次元に配列されたレーザーダイオードに一対一に対応したファイバーを更に備えることを特徴とする請求項７に記載の検出装置。
前記近赤外光源は、前記複数の波長にそれぞれ対応したレーザーダイオードを一組として二次元に配列してあることを特徴する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の検出装置。
前記二次元に配列された一組のレーザーダイオードそれぞれに一対一に対応したファイバーを更に備えることを特徴とする請求項９に記載の検出装置。
前記検出手段の受光面側に配置されるグリッドと、
前記複数の近赤外光が照射される場合に、前記検出手段の前記受光面に照射される前記複数の近赤外光を遮らない範囲に前記グリッドを退避させる制御手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の検出装置。
前記制御手段は、前記Ｘ線が照射される場合に、前記検出手段の前記受光面に照射される前記Ｘ線を遮らない範囲に前記近赤外光源を退避させることを特徴とする請求項１１に記載の検出装置。
前記制御手段は、前記Ｘ線が照射される場合に、当該Ｘ線の照射範囲に前記グリッドを挿入することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の検出装置。
前記近赤外光源から光が照射されている場合に、前記半導体センサの画素を所定数束ね読みする制御を行う読み出し制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の検出装置。
前記波長フィルタの入射面側に配置され、被写体を載置する載置面を有する保護板を更に備えることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の検出装置。
前記載置面に載置された被写体を当該載置面に対して圧迫するための光学的に透明又は半透明な圧迫板を更に備えることを特徴とする請求項１５に記載の検出装置。
前記制御手段は、更に、前記圧迫板にかかる圧力を検出して近赤外光源から前記複数の近赤外光を発するように制御することを特徴とする請求項１６に記載の検出装置。
前記グリッドが前記圧迫板と前記波長フィルタとの間に配置されることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の検出装置。
前記Ｘ線を照射するＸ線源を更に備え、
前記制御手段は、前記圧迫板と接する位置に前記２次元近赤外光源を進入させて近赤外画像の撮影を行い、且つ前記Ｘ線源を用いてＸ線画像の撮影を行うときは、前記２次元近赤外光源をＸ線画像の撮影領域外の位置に退避させる制御を行うことを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか１項に記載の検出装置。