JP5669991B1 - Plasma processing equipment - Google Patents
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Abstract
プラズマエッチング装置1は、プラズマ生成部3が設定された第1チャンバ2a、上部領域に処理部4が設定され、下部領域に排気部5が設定された第2チャンバ2b及びマニホールド部6が設定される第3チャンバ2cからなる処理チャンバ2や、第3チャンバ2cの開口部8に接続された真空ポンプ31を有する排気機構30などを備えており、開口部8の開口面積S3よりもマニホールド部6の有効断面積S1の方が大きく、マニホールド部6の有効断面積S1よりも排気部5の有効断面積S2の方が大きく、第3チャンバ2cの開口部8が形成された部分の厚さL3よりもマニホールド部6の長さL1の方が長く、マニホールド部6の長さL1よりも排気部5の高さL2の方が長くなっている。The plasma etching apparatus 1 includes a first chamber 2a in which a plasma generation unit 3 is set, a processing unit 4 in an upper region, and a second chamber 2b and a manifold unit 6 in which an exhaust unit 5 is set in a lower region. The exhaust chamber 30 having a vacuum pump 31 connected to the opening 8 of the third chamber 2c, the processing chamber 2 including the third chamber 2c, and the manifold portion 6 rather than the opening area S3 of the opening 8. The effective cross-sectional area S1 is larger, the effective cross-sectional area S2 of the exhaust part 5 is larger than the effective cross-sectional area S1 of the manifold part 6, and the thickness L3 of the portion where the opening 8 of the third chamber 2c is formed. The length L1 of the manifold portion 6 is longer than the length L1, and the height L2 of the exhaust portion 5 is longer than the length L1 of the manifold portion 6.
Description
本発明は、排気した処理チャンバ内に所定の処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマ化した処理ガスによって処理チャンバ内の処理部に配設された基台上の基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関し、特に、基板の周囲における処理ガスの流速や流量を均一にして基板にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置に関する。 The present invention provides a plasma processing in which a predetermined processing gas is supplied into a evacuated processing chamber to form plasma, and a plasma processing is performed on a substrate on a base disposed in a processing section in the processing chamber by the plasma processing gas. More particularly, the present invention relates to a plasma processing apparatus capable of performing plasma processing on a substrate with a uniform flow velocity and flow rate of a processing gas around the substrate.
上記プラズマ処理としては、プラズマ化した処理ガスに含まれるイオンやラジカルによって、基板(シリコン基板や炭化ケイ素基板など)をエッチングするプラズマエッチング処理や、基板に薄膜を形成するプラズマCVD処理などがあり、従来から、これらのプラズマ処理を基板に施す際に用いられるプラズマ処理装置は多数提案されている。 Examples of the plasma treatment include plasma etching treatment for etching a substrate (such as a silicon substrate or a silicon carbide substrate) by ions or radicals contained in the plasma-ized treatment gas, and plasma CVD treatment for forming a thin film on the substrate. Conventionally, many plasma processing apparatuses have been proposed that are used when these plasma processes are performed on a substrate.
ところで、プラズマ処理装置によって基板をプラズマ処理する際に、基板の周囲を流れるプラズマ化した処理ガスの流速や流量が不均一であると、基板周囲におけるプラズマ密度やプラズマの滞留時間が不均一になり、基板に対する成膜速度やエッチング速度の均一性が得られ難いという問題がある。そのため、従来から、基板周囲における処理ガスの流速や流量が均一になるようにした上で、処理チャンバ内の排気を行うことができる装置が提案されており、このような装置として、例えば、特開平9−223672号公報に開示されたプラズマ処理装置(以下、「従来装置」という)がある。 By the way, when plasma processing a substrate with a plasma processing apparatus, if the flow rate or flow rate of plasmaized processing gas flowing around the substrate is non-uniform, the plasma density and plasma residence time around the substrate will be non-uniform. There is a problem that it is difficult to obtain uniformity of the film forming rate and etching rate on the substrate. For this reason, conventionally, there has been proposed an apparatus capable of exhausting the processing chamber while making the flow rate and flow rate of the processing gas uniform around the substrate. There is a plasma processing apparatus (hereinafter referred to as “conventional apparatus”) disclosed in Japanese Laid-Open Patent Application No. 9-223672.
この従来装置は、反応室や、当該反応室の上面に設けられた誘電板、この誘電板の上に設置された誘導コイル、この誘電コイルに高周波電力を供給する高周波電源、反応室の下部に設置され、上面に基板が載置される下部電極、反応室の下方且つ下部電極の周囲に形成され、側面にガス排気孔が設けられた排気室、下部電極の周囲に配設され、反応室と排気室とを区画する環状整流板などから構成されている。尚、環状整流板は、所謂分散板(バッフル板)として機能するものであり、当該環状整流板には、複数の連通孔が形成され、この連通孔を介して反応室と排気室とが連通している。 This conventional apparatus includes a reaction chamber, a dielectric plate provided on the upper surface of the reaction chamber, an induction coil installed on the dielectric plate, a high-frequency power source for supplying high-frequency power to the dielectric coil, and a lower portion of the reaction chamber. A lower electrode on which the substrate is placed on the upper surface, formed below the reaction chamber and around the lower electrode, an exhaust chamber provided with gas exhaust holes on the side surface, and disposed around the lower electrode. And an annular rectifying plate for partitioning the exhaust chamber and the exhaust chamber. The annular rectifying plate functions as a so-called dispersion plate (baffle plate). A plurality of communication holes are formed in the annular rectifying plate, and the reaction chamber and the exhaust chamber communicate with each other through the communication holes. doing.
従来装置によれば、まず、下部電極上に基板を載置した後、ガス排気孔に接続された真空ポンプ等によって反応室内を十分に真空引きする。ついで、反応室内に処理ガスを供給するとともに、ガス排気孔から処理ガスの排気を開始し、反応室内を所定の圧力に維持する。しかる後、誘電コイルに所定の高周波電力を供給して、反応室内にプラズマを生成し、このプラズマによって基板にプラズマ処理を施す。 According to the conventional apparatus, first, after placing the substrate on the lower electrode, the reaction chamber is sufficiently evacuated by a vacuum pump or the like connected to the gas exhaust hole. Next, the processing gas is supplied into the reaction chamber, and exhaust of the processing gas is started from the gas exhaust hole to maintain the reaction chamber at a predetermined pressure. Thereafter, a predetermined high-frequency power is supplied to the dielectric coil to generate plasma in the reaction chamber, and the substrate is subjected to plasma treatment by this plasma.
この従来装置においては、ガス排気孔から処理ガスの排気を開始した際に、反応室から排気室へと排気されるプラズマ化された処理ガスやプラズマ化されていない処理ガスなど(以下、単に「処理ガス等」という)の流速や流量を分散板によって変化させて、基板周囲における処理ガス等の流速や流量を調整し、これらを均一にするようにして、基板周囲におけるプラズマの密度やプラズマの滞留時間をほぼ同じにし、基板に対する成膜速度やエッチング速度の均一性の向上を図っている。 In this conventional apparatus, when the processing gas is started to be exhausted from the gas exhaust hole, plasmaized processing gas or non-plasmaized processing gas exhausted from the reaction chamber to the exhaust chamber (hereinafter simply referred to as “ The flow rate and flow rate of the processing gas, etc.) are changed by the dispersion plate, and the flow rate and flow rate of the processing gas around the substrate are adjusted to make them uniform. The residence time is made substantially the same to improve the uniformity of the deposition rate and etching rate on the substrate.
ところが、上記従来装置のように、反応室から排気室へと排気される処理ガス等の流速や流量を変化させる分散板を設けたとしても、基板の周囲におけるプラズマの密度やプラズマの滞留時間の均一性を高めるのには限界があり、基板に対する成膜速度やエッチング速度の均一性の更なる向上を図ることができないという問題がある。 However, even if a dispersion plate that changes the flow rate and flow rate of the processing gas exhausted from the reaction chamber to the exhaust chamber is provided as in the above-described conventional apparatus, the plasma density and the plasma residence time around the substrate can be reduced. There is a limit to increasing the uniformity, and there is a problem that the uniformity of the film formation rate and the etching rate on the substrate cannot be further improved.
即ち、上記従来装置においては、排気室におけるガス排気孔が設けられた部分の方が、当該ガス排気孔が設けられた部分に下部電極を挟んで対向する部分よりも処理ガス等の排気が進み易い、言い換えれば、処理ガス等の流速が早く、流量も多くなる。そのため、基板の周囲において、前記対向する部分の上方よりもガス排気孔が設けられた部分の上方の方が、プラズマ化された処理ガスが滞留する時間が短くなる、或いは、プラズマの密度が低くなり、両者の間で成膜速度やエッチング速度に差が生じてしまう。 That is, in the above-described conventional apparatus, the exhaust of the processing gas or the like proceeds more in the portion provided with the gas exhaust hole in the exhaust chamber than in the portion opposed to the portion provided with the gas exhaust hole with the lower electrode interposed therebetween. Easy, in other words, the flow rate of the processing gas is high and the flow rate is high. Therefore, in the periphery of the substrate, the time during which the plasma-ized process gas stays is shorter or the plasma density is lower above the portion where the gas exhaust hole is provided than above the opposite portion. As a result, a difference in film formation rate or etching rate occurs between the two.
尚、分散板に形成される連通孔の数や径、分布などを変化させることによって、基板周囲における処理ガス等の流速や流量の均一性を向上させることが可能であると考えられるが、その場合、処理チャンバ内に供給するガスの流量や処理チャンバ内の圧力といったエッチング条件を変えると、その都度、分散板を取り換えて、連通孔の数や径、分布などの調整を行わなければならなくなり、煩雑な作業を要しなければならなくなる。 In addition, it is thought that the uniformity of the flow velocity and flow rate of the processing gas etc. around the substrate can be improved by changing the number, diameter, distribution, etc. of the communication holes formed in the dispersion plate. In this case, if the etching conditions such as the flow rate of gas supplied into the processing chamber and the pressure in the processing chamber are changed, the dispersion plate must be replaced and the number, diameter, and distribution of communication holes must be adjusted each time. , You will have to do complicated work.
本発明は以上の実情に鑑みなされたものであり、処理チャンバ内を排気する際に、基板の周囲における処理ガス等の流速や流量の均一性を、従来よりも容易且つ精度良く向上させることができ、基板周囲におけるプラズマ密度やプラズマの滞留時間の均一性の向上を図ることができるプラズマ処理装置の提供を、その目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and when exhausting the inside of the processing chamber, it is possible to improve the uniformity of the flow velocity and flow rate of the processing gas and the like around the substrate more easily and accurately than before. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that can improve the uniformity of plasma density and plasma residence time around the substrate.
上記解題を解決するための本発明は、
排気機構によって処理チャンバ内を排気した後、該処理チャンバ内に設定された処理部に処理ガスを供給して、この供給した処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ化された処理ガスによって、前記処理部内に配設された基台上の基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記排気機構は、吸気口を有する真空ポンプを少なくとも備え、
前記処理チャンバは、前記処理部と連通した空間である排気部が該処理部の下方に設定されるとともに、前記排気部と連通した空間であるマニホールド部が該排気部に隣接して設定され、前記マニホールド部に対応する部分に、前記真空ポンプの吸気口が接続される開口部が形成されており、
前記マニホールド部は、流路の有効断面積S1が前記開口部の開口面積S3以上、且つその長さL1が前記処理チャンバにおける前記開口部が形成された部分の厚さL3以上となるように設定され、
前記排気部は、流路の有効断面積S2が前記マニホールド部における流路の有効断面積S1以上、且つその高さL2が前記マニホールド部の長さL1以上となるように設定されており、
前記マニホールド部底面と前記排気部底面とが同じ高さ位置にあり、
前記開口部は、前記排気部と前記マニホールド部とが連通する部分とは反対側のマニホールド部の端部の下部に形成されているプラズマ処理装置に係る。
The present invention for solving the above problem is:
After exhausting the inside of the processing chamber by the exhaust mechanism, the processing gas is supplied to the processing unit set in the processing chamber, the supplied processing gas is turned into plasma, and the plasma processing gas is used to convert the processing gas into the processing unit. A plasma processing apparatus for plasma processing a substrate on a base arranged in
The exhaust mechanism includes at least a vacuum pump having an intake port,
In the processing chamber, an exhaust part which is a space communicating with the processing part is set below the processing part, and a manifold part which is a space communicating with the exhaust part is set adjacent to the exhaust part, In the portion corresponding to the manifold portion, an opening to which the suction port of the vacuum pump is connected is formed,
The manifold section, the effective cross-sectional area S 1 of the flow path the opening of the opening area S 3 or more and a length L 1 is the processing of the portion in which an opening is formed in the chamber thickness L 3 or more and Is set to be
The exhaust unit, the flow passage effective area S 1 or more in the effective cross-sectional area S 2 is the manifold of the channel, which and is configured as such height L 2 becomes the length L 1 or more of said manifold portion and,
The bottom face of the manifold part and the bottom face of the exhaust part are at the same height position,
The opening relates to a plasma processing apparatus formed at a lower portion of the end of the manifold portion opposite to a portion where the exhaust portion and the manifold portion communicate with each other.
このプラズマ処理装置によれば、まず基台上に基板を載置する。ついで、真空ポンプを作動させて、処理チャンバ内の気体の排気を開始し、当該処理チャンバ内を所定の圧力まで減圧する。 According to this plasma processing apparatus, a substrate is first placed on a base. Next, the vacuum pump is operated to start the exhaust of the gas in the processing chamber, and the processing chamber is depressurized to a predetermined pressure.
次に、排気機構によって処理チャンバ内の気体の排気を行いつつ、処理チャンバ内に処理ガスを供給して、当該処理チャンバ内を所定の圧力に維持した状態で、供給した処理ガスをプラズマ化し、このプラズマ化された処理ガスによって基台上の基板をプラズマ処理する。 Next, while exhausting the gas in the processing chamber by the exhaust mechanism, the processing gas is supplied into the processing chamber, and the supplied processing gas is turned into plasma in a state where the processing chamber is maintained at a predetermined pressure. The substrate on the base is subjected to plasma processing with the plasma processing gas.
ここで、本発明に係るプラズマ処理装置においては、マニホールド部を、流路の有効断面積S1が開口部の開口面積S3以上、且つその長さL1が処理チャンバにおける開口部が形成された部分の厚さL3以上となるようにするとともに、排気部を、流路の有効断面積S2がマニホールド部における流路の有効断面積S1以上、且つその高さL2がマニホールド部の長さL1以上となるようにしている。Here, in the plasma processing apparatus according to the present invention, the manifold portion, the effective cross-sectional area S 1 of the flow path opening area S 3 or more openings, and the length L 1 is opening formed in the processing chamber They were together to have a thickness L 3 or more parts, the exhaust unit, the effective cross-sectional area S 2 of the flow path effective sectional area S 1 or more channels in the manifold, and a height L 2 is manifold portion of so that the length L 1 or more.
このようにすることで、排気部から真空ポンプまでの間において、コンダクタンスが低下しないようにして、排気部内全体の圧力を均一にすることができるため、処理部から排気部へと流れる処理ガス等の流速や流量が基板周囲においてほぼ均一なものになる。したがって、従来のような分散板を設けるまでもなく、基板周囲のプラズマ密度やプラズマの滞留時間の均一性を容易に向上させることができ、基板に対する成膜速度やエッチング速度などのプラズマ処理速度の均一性を向上させた上で、基板に対してプラズマ処理を施すことができる。また、プラズマ処理の条件を変えたとしても、分散板の取り換えなどの煩雑な作業を行うことなく、基板周囲のプラズマ密度やプラズマの滞留時間の均一性を向上させることができ、基板周囲におけるプラズマ処理速度を均一にした上で、基板にプラズマ処理を施すことができる。 By doing so, the conductance is not lowered between the exhaust part and the vacuum pump, and the pressure inside the exhaust part can be made uniform, so that the processing gas flowing from the processing part to the exhaust part, etc. The flow velocity and flow rate of the substrate are almost uniform around the substrate. Therefore, it is possible to easily improve the uniformity of the plasma density around the substrate and the residence time of the plasma without providing a conventional dispersion plate, and the plasma processing speed such as the film forming speed and the etching speed on the substrate can be improved. The plasma treatment can be performed on the substrate while improving the uniformity. In addition, even if the plasma processing conditions are changed, the plasma density around the substrate and the uniformity of the plasma residence time can be improved without performing complicated operations such as replacing the dispersion plate. A plasma treatment can be performed on the substrate while the treatment speed is uniform.
尚、排気部から真空ポンプまでの間において、少なくともコンダクタンスが低下しないようにし、且つ装置サイズが大型化し過ぎるのを防止するために、前記開口部の開口面積S3を1100〜2200mm2とし、前記排気部における流路の有効断面積S2を、前記開口部の開口面積S3の1.6〜3.9倍とするのが好ましい。また、前記処理チャンバにおける前記開口部が形成された部分の厚さL3を40〜60mmとし、前記排気部の高さL2を前記厚さL3の1.8〜3.5倍とするのが好ましい。このようにすることで、直径1インチ以下の基板に対するプラズマ処理に好適に用いることができるプラズマ処理装置を構成することができる。Incidentally, during the period from the exhaust unit to the vacuum pump, at least conductance so as not to decrease, and to apparatus size can be prevented from excessively large, the opening area S 3 of the opening and 1100~2200Mm 2, wherein the effective cross-sectional area S 2 of the flow path in the exhaust section, preferably in the 1.6 to 3.9 times the aperture area S 3 of the opening. Further, the thickness L 3 of the portion where the opening in the processing chamber is formed as a 40-60 mm, the height L 2 of the exhaust portion is 1.8 to 3.5 times the thickness L 3 Is preferred. By doing in this way, the plasma processing apparatus which can be used suitably for the plasma processing with respect to a 1 inch or less diameter substrate can be comprised.
或いは、前記開口部の開口面積S3を基準とした場合の、前記マニホールド部における流路の有効断面積S1と前記排気部における流路の有効断面積S2との比S1/S3:S2/S3は25:35〜31:43であるのが好ましく、前記処理チャンバにおける前記開口部が形成された部分の厚さL3を基準とした場合の、前記マニホールド部の長さL1と前記排気部の高さL2との比L1/L3:L2/L3は8:11〜10:14であるのが好ましい。Alternatively, the ratio S 1 / S 3 of the effective cross-sectional area S 1 of the flow path in the manifold part and the effective cross-sectional area S 2 of the flow path in the exhaust part when the opening area S 3 of the opening part is used as a reference. : S 2 / S 3 is preferably 25:35 to 31:43, and the length of the manifold portion when the thickness L 3 of the portion where the opening is formed in the processing chamber is used as a reference. The ratio L 1 / L 3 : L 2 / L 3 between L 1 and the height L 2 of the exhaust part is preferably 8:11 to 10:14.
或いは、前記開口部の開口面積S3を1100〜1400mm2、前記マニホールド部における流路の有効断面積S1を2500〜3100mm2、前記排気部における流路の有効断面積S2を3500〜4300mm2とし、前記処理チャンバにおける前記開口部が形成された部分の厚さL3を40〜60mm、前記マニホールド部の長さL1を80〜100mm、前記排気部の高さL2を110〜140mmとしても良い。このようにしても、直径1インチ以下の基板に対するプラズマ処理に好適に用いることができるプラズマ処理装置を構成することができる。Alternatively, 1100~1400Mm 2 the opening area S 3 of the opening, 2500~3100Mm 2 the effective sectional area S 1 of the flow path in the manifold, the effective sectional area S 2 of the flow path in the exhaust section 3500~4300mm 2 and then, 40-60 mm thickness L 3 of the portions in which an opening is formed in the processing chamber, 80-100 mm in length L 1 of the manifold portion, the height L 2 of the exhaust portion 110~140mm It is also good. Even in this case, it is possible to configure a plasma processing apparatus that can be suitably used for plasma processing on a substrate having a diameter of 1 inch or less.
或いは、本発明の別の態様として、前記排気部の、前記処理部との接続部における排気コンダクタンスは、前記真空ポンプの排気コンダクタンスの10倍以上に設定されているのが好ましく、また、前記処理チャンバの前記開口部における排気コンダクタンス、前記マニホールド部における排気コンダクタンス、及び前記排気部における排気コンダクタンスが、順次大きな排気コンダクタンスとなるように設定されているのが好ましい。 Alternatively, as another aspect of the present invention, it is preferable that the exhaust conductance of the exhaust section at the connection portion with the processing section is set to be 10 times or more of the exhaust conductance of the vacuum pump, and the processing It is preferable that the exhaust conductance in the opening of the chamber, the exhaust conductance in the manifold, and the exhaust conductance in the exhaust are set so as to sequentially increase in exhaust conductance.
また、本発明に係るプラズマ処理装置においては、前記処理チャンバ内に、表裏に貫通した貫通穴及び表裏に貫通した連通部を有する分散板を、前記貫通穴内に前記基台が挿通された状態となるように設け、前記処理部と排気部とを、前記分散板によって画定するとともに、前記連通部を介して連通させた構成としても良い。上述したように、本発明によれば、分散板を設けることなく、基板周囲のプラズマ密度やプラズマの滞留時間の均一性を容易に向上させることができ、基板に対する成膜速度やエッチング速度などのプラズマ処理速度の均一性を向上させた上で、基板に対してプラズマ処理を施すことが可能であるが、分散板を設けることで、処理部から排気部へと排気される処理ガス等の流速や流量を、当該分散板によって更に好適に調整することができるため、基板周囲におけるプラズマ密度やプラズマの滞留時間の均一性をより一層向上させることができ、また、当該分散板により、これより下流域にプラズマの影響が及ぶのを防止することができる。 Further, in the plasma processing apparatus according to the present invention, a dispersion plate having a through hole penetrating the front and back and a communicating portion penetrating the front and back in the processing chamber, the state where the base is inserted into the through hole, and The processing unit and the exhaust unit may be defined by the dispersion plate and may be communicated with each other via the communication unit. As described above, according to the present invention, it is possible to easily improve the uniformity of the plasma density around the substrate and the plasma residence time without providing a dispersion plate. It is possible to perform plasma processing on the substrate after improving the uniformity of the plasma processing speed, but by providing a dispersion plate, the flow rate of processing gas etc. exhausted from the processing section to the exhaust section And the flow rate can be adjusted more suitably by the dispersion plate, so that the uniformity of the plasma density and plasma residence time around the substrate can be further improved. It is possible to prevent the influence of plasma on the basin.
尚、上記プラズマ処理装置においては、前記排気部における流路の有効断面積S2と前記分散板の連通部の開口面積S4との比S2:S4を35:11〜43:14とすることが好ましい。このようにすれば、排気部からマニホールド部へと流れる処理ガス等の量よりも処理部から排気部へと流れる処理ガス等の量を十分に少なくして排気部内の圧力の均一性を高めることができ、これにより、基板周囲における処理部から排気部へと流れる処理ガス等の流速や流量の均一性を高め、基板周囲におけるプラズマ密度やプラズマの滞留時間を均一にし易くできる。In the plasma processing apparatus, the ratio S 2 : S 4 between the effective cross-sectional area S 2 of the flow path in the exhaust part and the opening area S 4 of the communicating part of the dispersion plate is 35:11 to 43:14. It is preferable to do. In this way, the amount of processing gas flowing from the processing section to the exhaust section is sufficiently smaller than the amount of processing gas flowing from the exhaust section to the manifold section, thereby improving the uniformity of pressure in the exhaust section. As a result, the uniformity of the flow velocity and flow rate of the processing gas flowing from the processing section to the exhaust section around the substrate can be increased, and the plasma density and the plasma residence time around the substrate can be made uniform easily.
尚、本願でいう「流路の有効断面積」とは、流れ方向と直交する面に沿って切断した際の切断面の面積をいい、流れ方向に沿って切断面の面積が変化する場合については、最も小さくなる部分の面積をいう。 As used herein, “effective cross-sectional area of the flow path” refers to the area of the cut surface when cut along a plane perpendicular to the flow direction, and the area of the cut surface changes along the flow direction. Is the area of the smallest part.
以上のように、本発明に係るプラズマ処理装置によれば、基板周囲における処理ガスの流量や流速の均一性を高めて、当該基板周囲におけるプラズマ密度やプラズマの滞留時間を従来よりも容易且つ高精度に均一化することができ、基板に対する成膜速度やエッチング速度などのプラズマ処理速度の均一化を図ることができる。 As described above, according to the plasma processing apparatus of the present invention, the uniformity of the flow rate and the flow velocity of the processing gas around the substrate is improved, and the plasma density and the plasma residence time around the substrate are easier and higher than those in the past. It can be made uniform with accuracy, and the plasma processing rate such as the film forming rate and the etching rate for the substrate can be made uniform.
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面に基づき説明する。尚、本例のプラズマ処理装置はプラズマエッチング装置であり、直径1インチ以下の基板に対してプラズマエッチング処理を行う。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The plasma processing apparatus of this example is a plasma etching apparatus, and performs plasma etching processing on a substrate having a diameter of 1 inch or less.
図1〜図5に示すように、本例のプラズマエッチング装置1は、内部空間にプラズマ生成部3、処理部4、排気部5及びマニホールド部6が設定された処理チャンバ2と、前記プラズマ生成部3に処理ガスを供給する処理ガス供給機構15と、処理チャンバ2のプラズマ生成部3が設定される部分の外方に配設されたコイル18と、このコイル18に高周波電力を供給するコイル電力供給機構19と、前記処理部4内に配設され、基板Kを載置するための基台25と、この基台25に高周波電力を供給する基台電力供給機構27と、前記処理チャンバ2内の気体を排気し、図示しない圧力計と連動して処理チャンバ2内の圧力を調整する排気機構30とを備えている。
As shown in FIGS. 1 to 5, the
前記処理チャンバ2は、第1チャンバ2aと、当該第1チャンバ2aの下方に連設された第2チャンバ2bと、この第2チャンバ2bの側方に連設された第3チャンバ2cとからなる。前記第1チャンバ2aの内部空間にはプラズマ生成部3が設定され、第2チャンバ2bにおける内部空間の上部領域には前記プラズマ生成部3に連通した処理部4が設定されるとともに、下部領域には当該処理部4に連通した排気部5が設定され、第3チャンバ2cの内部空間には前記排気部5に連通したマニホールド部6が設定されており、プラズマ生成部3からマニホールド部6までが連通した状態となっている。
The
前記第1チャンバ2aは、その内径が直径1インチ以下の基板Kに見合った寸法である15mm以上50mm以下となるように成形され、第2チャンバ2bは、その内径が第1チャンバ2aの内径よりも大きく成形されている。
The
また、第2チャンバ2bの内壁には、表裏に貫通し、直径が前記基台25の直径よりも大径に形成された貫通穴7aを有する分散板7が、貫通穴7a内に前記基台25が挿通された状態となるように取り付けられており、貫通穴7aの内周面と基台25の外周面との間には、連通部として機能する隙間7bが形成されるようになっている。そして、前記処理部4と排気部5とは、分散板7によって区画されるとともに、隙間7bを介して連通している。
In addition, a
前記第3チャンバ2cは、前記第2チャンバ2bの側壁から水平方向に沿って延設され、先端部が上面視半円形状をなし、下面に開口部8が形成されるとともに、開口部8が形成された部分にフランジ継手8aが形成され、上面の、開口部8と対向する位置には開口部9が形成されている。尚、前記開口部8は、その縁部が第3チャンバ2cにおける先端部の内壁面との間に所定の間隔Mが空くように形成されており、この間隔Mの広さは、開口部8の直径の20%以上の広さとすることが好ましい。
The
前記マニホールド部6は、当該マニホールド部6における流路の有効断面積S1、言い換えれば、マニホールド部6の長手方向に直交する垂直面で切断した際の断面積(図3中の網掛け部分)が開口部8の開口面積S3よりも大きく、且つその長さL1が第3チャンバ2cにおける開口部8が形成された部分の厚さL3よりも長くなっている。また、前記排気部5は、当該排気部5における流路の有効断面積S2、言い換えれば、水平面で切断した際の基台25部分を除く断面積(図4中の網掛け部分)がマニホールド部6における流路の有効断面積S1よりも大きく、且つその高さL2がマニホールド部6の長さL1よりも長くなっている。The
尚、マニホールド部6における流路の有効断面積S1は、例えば、マニホールド部6の形状が排気部5側から先端側に向けて狭くなるような形状(テーパ形状など)である場合には、最も狭い部分における断面積をいう。Incidentally, when the effective sectional area S 1 of the flow path in the
本例のプラズマエッチング装置1のように、直径1インチ以下の基板に対してプラズマエッチング処理を施す装置である場合には、前記開口部8の開口面積S3を1100〜2200mm2とし、前記排気部5における流路の有効断面積S2を、前記開口部8の開口面積S3の1.6〜3.9倍とするのが好ましく、また、前記第3チャンバ2cにおける前記開口部8が形成された部分の厚さL3を40〜60mmとし、前記排気部5の高さL2を前記厚さL3の1.8〜3.5倍とするのが好ましい。或いは、前記マニホールド部6における流路の有効断面積S1を2500〜3100mm2、前記排気部5における流路の有効断面積S2を3500〜4300mm2、前記開口部8の開口面積S3を1100〜1400mm2とするとともに、前記マニホールド部6の長さL1を80〜100mm、前記排気部5の高さL2を110〜140mm、前記第3チャンバ2cにおける開口部8が形成された部分の厚さL3を40〜60mmとすることが好ましい。When the
また、前記分散板7と基台25との間に形成された隙間7bの開口面積S4(図5中の網掛け部分)は、前記排気部5における流路の有効断面積S2よりも小さくなっている。尚、排気部5における流路の有効断面積S2と隙間7bの開口面積S4との比S2:S4は、35:11〜43:14とすることが好ましい。尚、図5は、分散板7の上面図であり、同図中の一点鎖線は貫通穴7aに挿通される基台25を示している。Further, the opening area S 4 (shaded portion in FIG. 5) of the
前記処理ガス供給機構15は、SF6ガスなどのエッチングガスを供給するエッチングガス供給部16と、一端が前記第1チャンバ2aに設けられた複数の吐出口に接続され、他端が前記エッチングガス供給部16に接続された供給管17とを備え、前記エッチング供給部16から供給管17を介してプラズマ生成部3内にエッチングガスを供給する。尚、エッチングガスとしては、SF6ガスに限られるものではなく、他のフッ素系ガス、例えば、CF4やNF3、IF5などを用いることができる。The processing
コイル18は、前記第1チャンバ2aの外方に、これを囲むように配設されており、後述するコイル電力供給機構19によって高周波電力が供給されるようになっている。
The
前記コイル電力供給機構19は、前記コイル18に接続されたインピーダンス整合器20と、このインピーダンス整合器20に接続された高周波電源21とからなり、上述したように、コイル18に高周波電力を供給する機構である。
The coil
前記基台25は、上述したように、処理部4内に配設され、昇降シリンダ26によって昇降されるようになっている。
As described above, the
前記基台電力供給機構27は、前記基台25に接続されたインピーダンス整合器28と、このインピーダンス整合器28に接続された高周波電源29とからなり、前記基台25に高周波電力を供給する機構である。
The base
前記排気機構30は、吸気口を有し、当該吸気口が開口部8に接続された真空ポンプ31と、前記開口部9に挿通された弁体32と、当該弁体32を上下方向に移動させる移動機構34とから構成されており、弁体32及び移動機構34が開閉機構として機能する。
The
前記真空ポンプ31(例えば、その排気速度は30L/s程度)は、吸気口にフランジ継手31aが形成されており、当該フランジ継手31aが前記第3チャンバ2cに形成されたフランジ継手8aに接続されることによって、吸気口が開口部8に接続されている。尚、真空ポンプとしては、高真空引きに対応したポンプであることが好ましく、ターボ分子ポンプやクライオポンプ、油拡散ポンプなどを例示することができる。
The vacuum pump 31 (for example, its exhaust speed is about 30 L / s) has a flange joint 31a formed at the intake port, and the flange joint 31a is connected to a flange joint 8a formed in the
前記弁体32は、軸部32a及び当該軸部32aの先端に設けられた平板状の当接部32bからなり、当接部32bの下面には環状シール部材33が固設されている。また、前記環状シール部材33は、その内径が開口部8の直径よりも大きく、当接部32bを開口部8に接近させた際に、当該環状シール部材33が開口部8の周囲に当接し、第3チャンバ2cと当接部32との間の気密性を保つことができるようになっている。尚、第3チャンバ2cの開口部9は、弁体32が挿通された状態で、当該弁体32の軸部32aが挿通される貫通穴が形成された蓋体10が着脱自在に取り付けられており、蓋体10と第3チャンバ2cの上面との間には、環状シール部材11が介装され、蓋体10が取り付けられた状態において、蓋体10と第3チャンバ2cとの間の気密性が保たれるようになっている。
The
前記移動機構34は、前記弁体32を上下方向、言い換えれば、軸方向に沿って移動させる機構であり、前記蓋体10の上面に固設された支持部材12によって支持された状態で、蓋体10上に配設されている。尚、移動機構34としては、空圧シリンダや電動シリンダなどを例示することができる。
The moving
この排気機構30によれば、移動機構34によって、弁体32の当接部32bを開口部8から離反した位置に移動させた状態で、真空ポンプ31を駆動させることにより、処理チャンバ2内(プラズマ生成部3、処理部4、排気部5及びマニホールド部6)の気体を排気することができ、移動機構34によって弁体32を上下方向に移動させて、当接部32bと開口部8との間の空間の大きさを変えることにより、排気速度を変化させ、処理チャンバ2内の圧力を調整することができる。図6には、弁体32を開口部8に近づけた状態を示した。
According to the
尚、弁体32及び移動機構34は、蓋体10とともに上方向に引き上げることで、処理チャンバ2から容易に取り外すことができるようになっており、これにより、メンテナンス性が向上している。
In addition, the
また、弁体32を第3チャンバ2cのマニホールド部6内に設けた構成としているため、装置をコンパクトにすることができ、本例のプラズマエッチング装置1のような直径1インチ以下の基板にエッチング処理を施す小型のプラズマエッチング装置の構築が可能となっている。
Further, since the
次に、以上の構成を備えたプラズマエッチング装置1を用いて、基板K(例えば、シリコン基板)にエッチング処理を施す過程について説明する。
Next, a process of performing an etching process on the substrate K (for example, a silicon substrate) using the
まず、下降位置にある基台25上に、表面に所定パターンのマスクが形成された基板Kを載置し、ついで、基台25を昇降シリンダ26によって処理位置まで上昇させた後、排気機構30によって処理チャンバ2内(プラズマ生成部3、処理部4、排気部5及びマニホールド部6)の気体の排気を開始する。
First, the substrate K having a mask with a predetermined pattern formed thereon is placed on the base 25 at the lowered position, and then the
ところで、処理チャンバ2内の排気を開始してから当該処理チャンバ2内が低真空状態になるまでの間は、気体分子同士の衝突が支配的であり、気体分子の平均自由行程の短い粘性流領域にあたるため、この状態においては、気体分子が処理チャンバ2内から押し出されるようにして真空ポンプ31の吸気口へと到達し、気体分子が処理チャンバ2内から排出されて処理チャンバ2内の排気が進む。しかしながら、処理チャンバ2内の真空度が高くなると、気体分子同士の衝突よりも気体分子と処理チャンバ2内壁との衝突が支配的となり、気体分子の平均自由行程が長くなる、即ち、粘性流領域から分子流領域へと移行する。そして、分子流領域においては、平均速度で自由に動き回る気体分子が真空ポンプ31の吸気口に到達しなければ、気体分子が処理チャンバ2内から排出されないため、気体分子が真空ポンプ31の吸気口に到達する確率を高めなければ、排気効率が著しく低下する。
By the way, from the start of exhausting the
そこで、本例のプラズマエッチング装置1においては、前記マニホールド部6の有効断面積S1を開口部8の開口面積S3よりも大きくするようにしている。これにより、粘性流領域及び分子流領域の双方の場合において、マニホールド部6から開口部8まで気体が流れる際のコンダクタンスを高めるようにしている。Therefore, in the
また、第3チャンバ2cに形成された開口部8に配管等を介さずに真空ポンプ31の吸気口を接続するようにして、処理チャンバ2内と真空ポンプ31の吸気口との間の距離を極力短くすることによって、処理チャンバ2内の気体分子が真空ポンプ31の吸気口に到達する確率を高め、分子流領域における排気効率を高めるようにしている。
Further, the intake port of the
更に、開口部8の縁部と第3チャンバ2cにおける先端部の内壁面との間に間隔Lを空けて、開口部8から見た立体角を広くすることにより、図2に示すように、第3チャンバ2cの先端側を介して気体分子Mが開口部8に到達することも可能となり、処理チャンバ2内から真空ポンプ31の吸気口に気体分子が到達する確率をより高めている。
Further, by widening the solid angle seen from the
したがって、本例のプラズマエッチング装置1によれば、処理チャンバ2内を効率良く排気して、高真空状態まで素早く減圧することができる。
Therefore, according to the
ついで、コイル18に高周波電源21から高周波電力を供給し、プラズマ生成部3内に誘導電界を生じさせ、この状態で、エッチングガス供給部16からプラズマ生成部3内にエッチングガスを供給し、当該供給されたエッチングガスをプラズマ化する。尚、コイル18に供給する高周波電力は、周波数を40MHz以上とすることが好ましく、大きさを50W以下とすることがより好ましい。
Next, high frequency power is supplied from the high
しかる後、高周波電源29から基台25に高周波電力を供給する。その後、プラズマ生成部3内でプラズマ化されたエッチングガスは、処理部4へと降下して基板K上に至り、これにより、基板Kの表面がエッチングされ、当該基板Kの表面にエッチング構造が形成される。本例のエッチング処理においては、基台25に高周波電力を供給し、基板Kにバイアス電位を与えているため、プラズマ中のイオンが基板Kに向けて照射され、所謂イオンアシストエッチングが行われる。
Thereafter, high frequency power is supplied from the high
尚、基板Kにエッチング処理を施している間は、処理チャンバ2内の圧力を監視し、当該処理チャンバ2内が所定の圧力(例えば、1〜5Pa程度)、及び所定のガス流量(1〜10sccm)となるように、移動機構34によって弁体32の上下方向の位置を変化させて排気速度の調整を行う。
During the etching process on the substrate K, the pressure in the
即ち、エッチング処理中においては、プラズマ生成部3内のプラズマ化されたエッチングガスやプラズマ化されなかったエッチングガス(以下、単に「エッチングガス等」という)が、分散板7の隙間7bを介して処理部4から排気部5へと流れ、マニホールド部6を経由して真空ポンプ31の吸気口へと到達して外部へと排出されるようになっており、供給されるエッチングガスの量に応じて、エッチングガス等の排出量を調整し、処理チャンバ2内が所定の圧力に保たれる。
That is, during the etching process, plasmaized etching gas or non-plasmaized etching gas (hereinafter simply referred to as “etching gas or the like”) in the
ここで、従来のプラズマエッチング装置においては、排気部内の圧力分布に偏りが生じる、具体的には、真空ポンプに近い部分と真空ポンプから離れている部分との間で圧力差が生じるため、基板の周囲において、処理部4から排気部5へと流れるエッチングガス等の流速や流量が不均一となり、基板に対するエッチング速度が不均一となるという問題が発生していた。
Here, in the conventional plasma etching apparatus, the pressure distribution in the exhaust part is biased. Specifically, a pressure difference is generated between a part close to the vacuum pump and a part away from the vacuum pump. In this case, the flow rate and flow rate of the etching gas or the like flowing from the processing unit 4 to the
そこで、本例のプラズマエッチング装置1においては、上述したように、開口部8の開口面積S3、マニホールド部6における流路の有効断面積S1、排気部5における流路の有効断面積S2を徐々に大きくするとともに、第3チャンバ2cにおける開口部8が形成された部分の厚さL3、マニホールド部6の長さL1、排気部5の高さL2を徐々に長くすることによって、真空ポンプ31から排気部5までコンダクタンスを徐々に大きくするようにして、排気部5内が均一な圧力となるようにしており、これにより、基板Kの周囲において、処理部4から排気部5へと流れるエッチングガス等の流速や流量が均一なものとなるようになっている。Therefore, in the
また、排気部5における流路の有効断面積S2よりも前記隙間7bの開口面積S4を小さくしているため、排気部5からマニホールド部6へと流れるエッチングガス等の量よりも処理部4から排気部5へと流れるエッチングガス等の量が十分に少なくなり、排気部5内をより均一な圧力にすることができるようになっている。Moreover, because of the smaller the
したがって、本例のプラズマエッチング装置1によれば、基板Kの周囲におけるエッチングガス等の流速や流量を均一にすることができ、基板に対して均一な速度でエッチング処理を施すことができる。
Therefore, according to the
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る態様は何らこれに限定されるものではない。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the aspect which can take this invention is not limited to this at all.
例えば、上例においては、直径が1インチ以下である小径の基板にエッチング処理を施すプラズマエッチング装置1としたが、より大径の基板にエッチング処理を施す装置を構築することもできる。尚、この場合においては、開口部の開口面積S3を基準とした場合の、マニホールド部6における流路の有効断面積S1と排気部5における流路の有効断面積S2との比S1/S3:S2/S3を25:35〜31:43とするとともに、第3チャンバ2cにおける開口部8が形成された部分の厚さL3を基準とした場合の、マニホールド部6の長さL1と排気部5の高さL2との比L1/L3:L2/L3を8:11〜10:14とすることが好ましい。For example, in the above example, the
また、上例において、前記排気部5の、前記処理部4との接続部における排気コンダクタンスは、前記真空ポンプ31の排気コンダクタンスの5倍以上に設定されていることが好ましく、10倍以上に設定されているのがより好ましい。
Further, in the above example, the exhaust conductance of the
一例として、排気コンダクタンス(正確には、排気速度)が30L/sの真空ポンプ31(ターボ分子ポンプ)を使用し、前記排気部5の、前記処理部4との接続部における排気コンダクタンスが346L/sとなるように構成すれば、前記排気部5の、前記処理部4との接続部における排気コンダクタンスは、前記真空ポンプ31の排気コンダクタンスの10倍以上となる。そして、このようにすれば、基板Kの周囲におけるエッチングガス等の流速や流量を均一にすることができ、基板Kに対して均一な速度でエッチング処理を施すことができる。
As an example, a vacuum pump 31 (turbo molecular pump) having an exhaust conductance (exactly, exhaust speed) of 30 L / s is used, and an exhaust conductance at a connection portion of the
更に、例えば、前記処理チャンバ2の前記開口部8における排気コンダクタンスが161L/s、前記マニホールド部6における排気コンダクタンスが275L/s、前記排気部5における排気コンダクタンスが346L/sとなるようにプラズマエッチング装置1を構成すれば、開口部8から排気部5までの排気コンダクタンスが順次大きくなるため、より排気の効率良くなり、基板Kの周囲におけるエッチングガス等の流速や流量を均一にすることができ、基板Kに対して均一な速度でエッチング処理を施すことができる。
Further, for example, plasma etching is performed so that the exhaust conductance at the
また、上例では、分散板7の貫通穴7aを、その直径が基台25の直径よりも大径となるように形成し、貫通穴7aの内周面と基台25の外周面との間の隙間7bを連通部として機能させるようにしているが、これに限られるものではなく、複数の連通孔を設けて、当該連通孔を連通部として機能させるようにしても良い。
In the above example, the through
更に、上例においては、第3チャンバ2cにフランジ継手8aを形成し、当該フランジ継手8aに真空ポンプ31のフランジ継手31aを接続することで、吸気口と開口部8とを接続するようにしているが、図7に示すプラズマエッチング装置50のように、第3チャンバ2cにフランジ継手を設けずに、真空ポンプ31のフランジ継手31aを第3チャンバ2cの下面にネジ止め等によって固設することで、吸気口と開口部8とを接続するようにしても良い。
Further, in the above example, the flange joint 8a is formed in the
また、上例では、本発明に係るプラズマ処理装置をプラズマエッチング装置として具現化したものを例示したが、これに限られるものではなく、例えば、基板に薄膜を形成する際に用いるプラズマCVD装置や、レジストを除去する際に用いられるプラズマアッシング装置として具現化しても良い。 In the above example, the plasma processing apparatus according to the present invention is embodied as a plasma etching apparatus. However, the present invention is not limited to this. For example, a plasma CVD apparatus used for forming a thin film on a substrate, Alternatively, it may be embodied as a plasma ashing apparatus used when removing the resist.
更に、上例では、コイル18を備えた所謂誘導結合形(ICP)のプラズマエッチング装置1としたが、これに限られるものではなく、本発明は、平行平板の電極を備えた所謂容量結合形(CCP)のプラズマエッチング装置として具現化できる。
Furthermore, in the above example, the so-called inductively coupled (ICP)
また、基板Kについても、何ら制限はなく、その一例としては、シリコン、炭化ケイ素、サファイア、化合物半導体、ガラス、樹脂などからなる基板を例示することができる。 Moreover, there is no restriction | limiting also about the board | substrate K, As the example, the board | substrate which consists of a silicon | silicone, a silicon carbide, a sapphire, a compound semiconductor, glass, resin etc. can be illustrated.
1 プラズマエッチング装置
2 処理チャンバ
2a 第1チャンバ
2b 第2チャンバ
2c 第3チャンバ
3 プラズマ生成部
4 処理部
5 排気部
6 マニホールド部
7 分散板
7a 貫通穴
7b 隙間
8 開口部
8a フランジ継手
10 蓋体
15 処理ガス供給機構
18 コイル
19 コイル電力供給機構
25 基台
27 基台電力供給機構
30 排気機構
31 真空ポンプ
31a フランジ継手
32 弁体
34 移動機構DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記排気機構は、吸気口を有する真空ポンプを少なくとも備え、
前記処理チャンバは、前記処理部と連通した空間である排気部が該処理部の下方に設定されるとともに、前記排気部と連通した空間であるマニホールド部が該排気部に隣接して設定され、前記マニホールド部に対応する部分に、前記真空ポンプの吸気口が接続される開口部が形成されており、
前記マニホールド部は、流路の有効断面積S1が前記開口部の開口面積S3以上、且つその長さL1が前記処理チャンバにおける前記開口部が形成された部分の厚さL3以上となるように設定され、
前記排気部は、流路の有効断面積S2が前記マニホールド部における流路の有効断面積S1以上、且つその高さL2が前記マニホールド部の長さL1以上となるように設定されており、
前記マニホールド部底面と前記排気部底面とが同じ高さ位置にあり、
前記開口部は、前記排気部と前記マニホールド部とが連通する部分とは反対側のマニホールド部の端部の下部に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 After exhausting the inside of the processing chamber by the exhaust mechanism, the processing gas is supplied to the processing unit set in the processing chamber, the supplied processing gas is turned into plasma, and the plasma processing gas is used to convert the processing gas into the processing unit. A plasma processing apparatus for plasma processing a substrate on a base arranged in
The exhaust mechanism includes at least a vacuum pump having an intake port,
In the processing chamber, an exhaust part which is a space communicating with the processing part is set below the processing part, and a manifold part which is a space communicating with the exhaust part is set adjacent to the exhaust part, In the portion corresponding to the manifold portion, an opening to which the suction port of the vacuum pump is connected is formed,
The manifold section, the effective cross-sectional area S 1 of the flow path the opening of the opening area S 3 or more and a length L 1 is the processing of the portion in which an opening is formed in the chamber thickness L 3 or more and Is set to be
The exhaust unit, the flow passage effective area S 1 or more in the effective cross-sectional area S 2 is the manifold of the channel, which and is configured as such height L 2 becomes the length L 1 or more of said manifold portion and,
The bottom face of the manifold part and the bottom face of the exhaust part are at the same height position,
The plasma processing apparatus , wherein the opening is formed at a lower portion of an end of the manifold portion opposite to a portion where the exhaust portion and the manifold portion communicate with each other.
前記処理チャンバにおける前記開口部が形成された部分の厚さL3を基準とした場合の、前記マニホールド部の長さL1と前記排気部の高さL2との比L1/L3:L2/L3が8:11〜10:14であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 Ratio S 1 / S 3 : S of the effective cross-sectional area S 1 of the flow path in the manifold part and the effective cross-sectional area S 2 of the flow path in the exhaust part when the opening area S 3 of the opening is used as a reference 2 / S 3 is 25: 35-31: This is a 43,
Ratio L 1 / L 3 between the length L 1 of the manifold part and the height L 2 of the exhaust part when the thickness L 3 of the part where the opening is formed in the processing chamber is used as a reference: L 2 / L 3 8: 11-10: plasma processing apparatus according to claim 1, characterized in that the 14.
前記処理チャンバにおける前記開口部が形成された部分の厚さL3は40〜60mm、前記マニホールド部の長さL1は80〜100mm、前記排気部の高さL2は110〜140mmであることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 The opening area S 3 of the opening is 1100 to 1400 mm 2 , the effective cross-sectional area S 1 of the flow path in the manifold section is 2500 to 3100 mm 2 , and the effective cross-sectional area S 2 of the flow path in the exhaust section is 3500 to 4300 mm 2 . Yes,
The thickness L 3 of the portion where the opening is formed in the processing chamber is 40 to 60 mm, the length L 1 of the manifold is 80 to 100 mm, and the height L 2 of the exhaust is 110 to 140 mm. The plasma processing apparatus according to claim 1.
前記処理部と排気部とは、前記分散板によって画定されるとともに、前記連通部を介して連通していることを特徴とする請求項1乃至7記載のいずれかのプラズマ処理装置。 In the processing chamber, a dispersion plate having a through hole penetrating the front and back and a communicating portion penetrating the front and back is provided so that the base is inserted into the through hole,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit and the exhaust unit are defined by the dispersion plate and communicated with each other via the communication unit.
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