JP5669919B2 - Laser light source - Google Patents

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本発明は、レーザと非線形光学結晶素子を組み合わせた構成で、レーザの出射光を非線形光学結晶素子で波長変換して出射するレーザ光源およびその調整方法に関する。   The present invention relates to a laser light source and a method for adjusting the laser light source, in which a laser and a nonlinear optical crystal element are combined, and the laser emitted light is wavelength-converted by the nonlinear optical crystal element.

レーザ光源は、光ピックアップ装置や通信機器、映像表示機器に広く用いられている。そして、映像表示機器の中でも、特に、超小型のプロジェクタがノートパソコンや携帯電話に接続されて、プレゼンテーションや映像を大画面で楽しむ娯楽用として、市場のニーズが高まってきた。プロジェクタには、赤色、緑色、青色の３色の光が光源として用いられるが、緑色は、赤色、青色のようにレーザ光を直接発光する半導体レーザが今は存在しない。   Laser light sources are widely used in optical pickup devices, communication devices, and video display devices. Among video display devices, in particular, the market needs have increased for entertainment for enjoying presentations and videos on a large screen by connecting an ultra-small projector to a notebook computer or a mobile phone. In the projector, light of three colors of red, green, and blue is used as a light source, but there is no semiconductor laser that emits laser light directly like green and red.

従って、緑色のレーザ光を得る一つの方法として、赤色又は赤外の半導体レーザ（レーザ素子）のレーザ光を非線形光学結晶素子で波長変換し、緑色のレーザ光を出射させることが提案されている。この波長変換は、非線形光学結晶素子として光導波路型の第２高調波発生素子（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ：以後ＳＨＧ素子と記す。）を用いて、赤色又は赤外レーザ光をＳＨＧ素子の光導波路に光結合して導き、第２高調波を発生して元のレーザ波長の１／２波長のレーザ光、即ち、緑色レーザ光をＳＨＧ素子から出射させることである。例えば赤外発振波長１０６４ｎｍを波長変換して発振波長５３２ｎｍの緑色レーザ光を得ることが可能である。   Therefore, as one method for obtaining green laser light, it has been proposed to convert the wavelength of the laser light of a red or infrared semiconductor laser (laser element) with a nonlinear optical crystal element to emit green laser light. . In this wavelength conversion, an optical waveguide type second harmonic generation element (hereinafter referred to as SHG element) is used as a nonlinear optical crystal element, and red or infrared laser light is applied to the optical waveguide of the SHG element. In other words, the second harmonic wave is generated by combining and guided to emit a laser beam having a half wavelength of the original laser wavelength, that is, a green laser beam from the SHG element. For example, it is possible to obtain a green laser beam having an oscillation wavelength of 532 nm by converting the wavelength of the infrared oscillation wavelength of 1064 nm.

この波長変換によるレーザ光を出射するレーザ光源においては、半導体レーザの発光部とＳＨＧ素子の光導波路を光結合するための位置合わせ精度が非常に重要で、レーザ光源の発光効率に大きく影響を及ぼすことは周知のことである。ＳＨＧ素子の光導波路の入射口寸法は、通常、幅５μｍ、高さ３μｍ程度である。従って、半導体レーザの発光部とＳＨＧ素子の光導波路の光結合は、微小な点と点の位置合わせとして、高精度が要求されているのである。   In the laser light source that emits laser light by this wavelength conversion, the alignment accuracy for optically coupling the light emitting portion of the semiconductor laser and the optical waveguide of the SHG element is very important, and greatly affects the light emission efficiency of the laser light source. This is well known. The entrance size of the optical waveguide of the SHG element is usually about 5 μm in width and about 3 μm in height. Therefore, the optical coupling between the light emitting part of the semiconductor laser and the optical waveguide of the SHG element is required to be highly accurate as a fine point-to-point alignment.

従来の波長変換したレーザ光を出射するレーザ光源として、半導体レーザと光導波路型のＳＨＧ素子を用いたレーザ光源及びその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。   As a conventional laser light source for emitting wavelength-converted laser light, a laser light source using a semiconductor laser and an optical waveguide type SHG element and a manufacturing method thereof have been proposed (for example, see Patent Document 1).

図１９は、特許文献１に記載のレーザ光源１００の構成を示す説明図である。図１９に示すように、レーザ光源１００において、半導体レーザ１０１と光導波路１１０が形成された基板（以下ＳＨＧ素子と言う）１０９が、Ｌ字型のＳｉサブマウント１１３の上に固定される。半導体レーザ１０１が固定されている第１の面１１３Ａと、ＳＨＧ素子１０９の固定されている第２の面１１３Ｂがお互いに垂直な位置関係にある。   FIG. 19 is an explanatory diagram showing a configuration of the laser light source 100 described in Patent Document 1. As shown in FIG. As shown in FIG. 19, in the laser light source 100, a substrate (hereinafter referred to as an SHG element) 109 on which a semiconductor laser 101 and an optical waveguide 110 are formed is fixed on an L-shaped Si submount 113. The first surface 113A to which the semiconductor laser 101 is fixed and the second surface 113B to which the SHG element 109 is fixed are in a positional relationship perpendicular to each other.

Ｓｉサブマウント１１３は、厚さ約５ｍｍのＳｉ基板を、第１の面１１３Ａと第２の面１１３Ｂが垂直な位置関係になるように切断して作製される。Ｓｉサブマウント１１３の第１の面１１３Ａには、Ａｕ薄膜が形成されている。半導体レーザ１０１が取り付けられる位置にはボンディング用のＡｕ／Ｓｎ半田層が蒸着されている。   The Si submount 113 is manufactured by cutting a Si substrate having a thickness of about 5 mm so that the first surface 113A and the second surface 113B are in a vertical positional relationship. An Au thin film is formed on the first surface 113A of the Si submount 113. An Au / Sn solder layer for bonding is deposited at a position where the semiconductor laser 101 is attached.

半導体レーザ１０１は、Ｓｉサブマウント１１３上の第１の面１１３Ａの基準線Ｃ（第２の面１１３Ｂの延長線に一致する）より約１μｍ離れたところに半導体レーザ１０１の活性層１０２の発光領域が位置するように固定される。発光点Ｅは、基準線Ｄより約１μｍ離れている。   The semiconductor laser 101 emits the light emitting region of the active layer 102 of the semiconductor laser 101 at a distance of about 1 μm from the reference line C of the first surface 113A on the Si submount 113 (which coincides with the extended line of the second surface 113B). Is fixed so that is located. The light emitting point E is about 1 μm away from the reference line D.

半導体レーザ１０１の活性層１０２の発光領域とＳＨＧ素子１０９の光導波路１１０の位置は、図に示す矢印のＺ軸方向が基準線Ｃより約１μｍの位置、Ｙ軸方向が基準線Ｄより１μｍの位置と決まっているから、位置合わせ調整は、Ｘ軸方向の一軸に沿って、即ち、第２の面１１３Ｂ上に沿って入射端面が基準線Ｄに接した状態でＳＨＧ素子１０９を平行移動させるだけで、高精度の位置合わせ調整が可能である。   The position of the light emitting region of the active layer 102 of the semiconductor laser 101 and the optical waveguide 110 of the SHG element 109 is such that the Z-axis direction of the arrow shown in the figure is about 1 μm from the reference line C, and the Y-axis direction is 1 μm from the reference line D. Since the position is determined, the alignment adjustment is performed by translating the SHG element 109 along one axis in the X-axis direction, that is, along the second surface 113B with the incident end face in contact with the reference line D. It is possible to adjust the alignment with high accuracy.

また、他の従来技術として、ＴＯキャンパッケージに半導体レーザと非線形光学結晶素子を組み込み実装して、波長変換したレーザ光を出射するレーザ光源が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。   As another conventional technique, there has been proposed a laser light source that emits wavelength-converted laser light by incorporating a semiconductor laser and a nonlinear optical crystal element in a TO can package (see, for example, Patent Document 2).

図２０は、特許文献２に記載のレーザ光源２００の構成を示す説明図である。図２０に示すように、レーザ光源２００において、半導体レーザ２２１は、導電性の金属からなるブロック２２２に半田等により固定されており、このブロック２２２は円盤状の導電性金属からなる基台２０３上に固定されている。   FIG. 20 is an explanatory diagram showing the configuration of the laser light source 200 described in Patent Document 2. As shown in FIG. As shown in FIG. 20, in the laser light source 200, the semiconductor laser 221 is fixed to a block 222 made of conductive metal by solder or the like, and this block 222 is placed on a base 203 made of a disk-like conductive metal. It is fixed to.

基台２０３には、半導体レーザ励起用の２本の端子用ピンが設けられている。このうちＰ端子用ピン２０４−１は、基台２０３の開口部２０５を貫通して設けられ、その先端は，金線２１３により半導体レーザ２２１に接続されている。このＰ端子用ピン２０４−１は、開口部２０５に充填された絶縁物２０６により、基台２０３とは、電気的に絶縁されている。一方、Ｎ端子用ピン２０４−２は、基台２０３に電気的に接続されており、この基台２０３及びブロック２２２を介して、半導体レーザ２２１に接続されている。   The base 203 is provided with two terminal pins for exciting a semiconductor laser. Among these, the P terminal pin 204-1 is provided through the opening 205 of the base 203, and the tip thereof is connected to the semiconductor laser 221 by a gold wire 213. The P terminal pin 204-1 is electrically insulated from the base 203 by an insulator 206 filled in the opening 205. On the other hand, the N terminal pin 204-2 is electrically connected to the base 203, and is connected to the semiconductor laser 221 via the base 203 and the block 222.

基台２０３上の半導体レーザ２２１は、キャップ２０７に覆われている。このキャップ２０７は、筒状の内部に半導体レーザ２２１を収納するキャップ本体２０７−１、キャップ本体２０７−１の端部に設けられた基台２０３に固定されたフランジ部２０７−２．及びキャップ本体２０７−１の頂部付近内部に設けられた窓部材２０８−１により構成されており、半導体レーザ２２１を気密封止してその劣化を防ぐためのものである。   The semiconductor laser 221 on the base 203 is covered with a cap 207. The cap 207 includes a cap body 207-1 that houses the semiconductor laser 221 in a cylindrical shape, and a flange portion 207-2... Fixed to a base 203 provided at an end of the cap body 207-1. And the window member 208-1 provided in the vicinity of the top of the cap body 207-1 for hermetically sealing the semiconductor laser 221 to prevent its deterioration.

窓部材２０８−１は、非線形光学結晶素子により構成されるもので、半導体レーザ２２１の光学軸２１２上に設置されている。この窓部材２０８−１の半導体レーザ２２１に対向する側には、半球上の突起部２０８−２が形成されており、この突起部２０８−２は、集光されて入射する全ての光がその入射面にほぼ垂直に入射する曲面を有するように設定されている。窓部材２０８−１と半導体レーザ２２１の間のキャップ本体２０７−１の内側には、光学軸２１２上に集光レンズ２０９がレンズ固定部材２１０を介して設けられている。   The window member 208-1 is composed of a nonlinear optical crystal element, and is installed on the optical axis 212 of the semiconductor laser 221. On the side of the window member 208-1 facing the semiconductor laser 221, a projection 208-2 on the hemisphere is formed. The projection 208-2 collects all incident light that is condensed. It is set to have a curved surface that is incident substantially perpendicular to the incident surface. A condensing lens 209 is provided on the optical axis 212 via a lens fixing member 210 inside the cap body 207-1 between the window member 208-1 and the semiconductor laser 221.

この集光レンズ２０９は、半導体レーザ２２１から出射されたレーザ光２１１が窓部材２０８−１のほぼ中央で焦点を結ぶように設定されている。そして、この窓部材２０８−１の非線形光学結晶素子の光学軸を半導体レーザ２２１の光学軸２１２に対して、２４°から２６°傾くように設定することにより、レーザ光２１１が入射すると、第２高調波、即ち入射光の１／２波長のレーザ光が窓部材２０８−１より出射する。即ち、元のレーザ光の半分の波長のレーザ光を得ることが可能である。   The condensing lens 209 is set so that the laser beam 211 emitted from the semiconductor laser 221 is focused at approximately the center of the window member 208-1. Then, by setting the optical axis of the nonlinear optical crystal element of the window member 208-1 to be inclined from 24 ° to 26 ° with respect to the optical axis 212 of the semiconductor laser 221, when the laser beam 211 is incident, A harmonic wave, that is, a laser beam having a half wavelength of the incident light is emitted from the window member 208-1. That is, it is possible to obtain laser light having a wavelength half that of the original laser light.

特開平９−１９７４５７号公報（第８−９頁、図３（ｃ））JP-A-9-197457 (page 8-9, FIG. 3C) 実開昭６３−１４２０１６号公報（第８−１１頁、図１）Japanese Utility Model Publication No. Sho 63-14016 (page 8-11, FIG. 1)

特許文献１に示した従来技術は、現在よく用いられているＴＯキャンパッケージのような完成部品に組み込み可能な構造で提案がなされているわけではない。更に、半導体レーザの発光点と非線形光学結晶素子の光導波路との３軸方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ軸）を要する位置合わせを、１軸（Ｘ軸）方向の位置合わせで行う方法であって、前提条件として、他の２軸（Ｙ、Ｚ軸）、即ち、半導体レーザの位置を高精度に配置することが必須であった。従って、半導体レーザの配置位置にバラツキがあると位置合わせ調整が成立しない問題があった。   The prior art disclosed in Patent Document 1 has not been proposed with a structure that can be incorporated into a finished part such as a TO can package that is often used at present. Furthermore, the alignment that requires the triaxial direction (X, Y, Z axis) between the light emitting point of the semiconductor laser and the optical waveguide of the nonlinear optical crystal element is performed by alignment in the uniaxial (X axis) direction. As a prerequisite, it was essential to arrange the other two axes (Y and Z axes), that is, the position of the semiconductor laser with high accuracy. Therefore, there is a problem that the alignment adjustment cannot be established if there are variations in the arrangement positions of the semiconductor lasers.

特許文献２に示した従来技術は、完成部品としてのＴＯキャンパッケージに半導体レーザと非線形光学結晶素子とレンズを組み込んで、波長変換して１／２波長のレーザ光を発光する構造を提案している。しかし、半導体レーザと非線形光学結晶素子とレンズの配置において、光軸合わせや焦点合わせの、調整機構及び調整方法が全く考慮されておらず、半導体レーザ、非線形光学結晶素子、レンズの各素子の高精度な位置合わせ調整が実現不可能で、効率の良い高調波を得ることが難しい問題があった。   The prior art disclosed in Patent Document 2 proposes a structure in which a semiconductor laser, a nonlinear optical crystal element, and a lens are incorporated into a TO can package as a finished part, and a wavelength conversion is performed to emit a laser beam having a half wavelength. Yes. However, in the arrangement of the semiconductor laser, the nonlinear optical crystal element, and the lens, the adjustment mechanism and adjustment method for optical axis alignment and focusing are not considered at all. There is a problem that it is difficult to obtain an accurate harmonic because accurate alignment adjustment cannot be realized.

そこで本発明は、上記課題を解決し、レーザと非線形光学素子の位置調整を３軸方向に高精度で行い、発光効率の良いレーザ光源およびその調整方法を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problems and provide a laser light source having a high luminous efficiency and a method for adjusting the laser light source by adjusting the position of the laser and the nonlinear optical element with high accuracy in three axial directions.

本発明のレーザ光源は、上記目的を達成するために、下記記載の構成を採用するものである。
本発明のレーザ光源は、レーザ素子と光導波路型の非線形光学結晶素子とを有し、レーザ素子のレーザ光を光導波路型の非線形光学結晶素子で波長変換して出射するレーザ光源であって、レーザ素子が固定される基台と、光導波路型の非線形光学結晶素子を保持する第１の保持部材と、第１の保持部材を保持する第２の保持部材と、基台に載置され、第２の保持部材を支持する支持部材と、を備え、支持部材と第２の保持部材とは、レーザ溶接にて互いに固定され、支持部材は、レーザ素子と第２の保持部材との間にレーザ素子の発光面よりも低い隔壁を有することを特徴とする。 The laser light source of the present invention employs the following configuration in order to achieve the above object.
The laser light source of the present invention is a laser light source that has a laser element and an optical waveguide type nonlinear optical crystal element, emits the laser light of the laser element after wavelength conversion by the optical waveguide type nonlinear optical crystal element, A base on which the laser element is fixed; a first holding member that holds the optical waveguide type nonlinear optical crystal element; a second holding member that holds the first holding member; and a base. A support member that supports the second holding member, and the support member and the second holding member are fixed to each other by laser welding, and the support member is interposed between the laser element and the second holding member. It has a partition wall lower than the light emitting surface of the laser element .

また、レーザ素子の出射光は、光導波路型の非線形光学結晶素子に直接結合することを特徴とする。   The light emitted from the laser element is directly coupled to the optical waveguide type nonlinear optical crystal element.

本発明によれば、第１の保持部材を第２の保持部材に対して移動させてレーザ素子に対する非線形光学結晶素子のＺ軸方向の位置を調整し、第２の保持部材を基台または支持部材に対して移動させてレーザ素子に対する非線形光学結晶素子のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置を調整することにより、レーザ素子と非線形光学素子の位置調整を３軸方向に高精度で行うことができる。これにより、発光効率の良いレーザ光源を提供することが可能となる。   According to the present invention, the first holding member is moved with respect to the second holding member to adjust the position of the nonlinear optical crystal element in the Z-axis direction with respect to the laser element, and the second holding member is supported by the base or the support. By adjusting the position of the nonlinear optical crystal element relative to the laser element in the X-axis direction and the Y-axis direction with respect to the laser element, the position adjustment of the laser element and the nonlinear optical element can be performed with high accuracy in the three-axis direction. it can. Thereby, it becomes possible to provide a laser light source with good luminous efficiency.

本発明の実施例１のレーザ光源の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the laser light source of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のレーザ光源の構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of the laser light source of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のレーザ光源の断面図である。It is sectional drawing of the laser light source of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のレーザ光源のキャップを取り外した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which removed the cap of the laser light source of Example 1 of this invention. 本発明の実施例１のレーザ光源の調整方法の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of the adjustment method of the laser light source of Example 1 of this invention. 本発明の実施例２におけるレーザ光源の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the laser light source in Example 2 of this invention. 本発明の実施例２のレーザ光源の構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of the laser light source of Example 2 of this invention. 本発明の実施例２のレーザ光源の断面図である。It is sectional drawing of the laser light source of Example 2 of this invention. 本発明の実施例２のレーザ光源のキャップを取り外した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which removed the cap of the laser light source of Example 2 of this invention. 本発明の実施例２のレーザ光源の調整方法の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of the adjustment method of the laser light source of Example 2 of this invention. 本発明の実施例２のレーザ光源の調整方法の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of the adjustment method of the laser light source of Example 2 of this invention. 本発明の実施例３のレーザ光源の断面図である。It is sectional drawing of the laser light source of Example 3 of this invention. 本発明の実施例３のレーザ光源の構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of the laser light source of Example 3 of this invention. 本発明の実施例３のレーザ光源からキャップを取り外し、フランジを持ち上げた状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state which removed the cap from the laser light source of Example 3 of this invention, and lifted the flange. 本発明の実施例３のレーザ光源からキャップを取り外した状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which removed the cap from the laser light source of Example 3 of this invention. 本発明の実施例３のレーザ光源の調整方法の工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the process of the adjustment method of the laser light source of Example 3 of this invention. 本発明の実施例４のレーザ光源の断面図である。It is sectional drawing of the laser light source of Example 4 of this invention. 本発明の実施例４のレーザ光源の構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of the laser light source of Example 4 of this invention. 従来のレーザ光源の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the conventional laser light source. 従来のレーザ光源の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the conventional laser light source.

本発明のレーザ光源の実施例を図面に基づき説明する。なお、以下に説明する実施例においては、半導体レーザ（レーザ素子）の赤色又は赤外のレーザ光を非線形光学結晶素子であるＳＨＧ素子の光導波路に導き、緑色レーザ光をＳＨＧ素子から出射させる例で説明する。例えば赤外発振波長１０６４ｎｍを波長変換して発振波長５３２ｎｍの緑色レーザ光を出射するレーザ光源について説明する。   An embodiment of the laser light source of the present invention will be described with reference to the drawings. In the embodiments described below, the red or infrared laser light of the semiconductor laser (laser element) is guided to the optical waveguide of the SHG element which is a nonlinear optical crystal element, and the green laser light is emitted from the SHG element. I will explain it. For example, a laser light source that converts the wavelength of an infrared oscillation wavelength of 1064 nm to emit green laser light having an oscillation wavelength of 532 nm will be described.

（実施例１）
［実施例１の構成：図１−図４］
図１から図４は、実施例１のレーザ光源１の構成を説明する図面である。図１はレーザ光源１の外観を示す斜視図であり、図２（ａ）は、レーザ光源１の構成を示す分解斜視図であり、図２（ｂ）は後述するＳＨＧ素子ホルダとＳＨＧ素子の分解斜視図である。図３は図１のＡ−Ａ断面図であり、図４は、レーザ光源１から後述するキャップを取り外した状態を示す斜視図である。各図において同一の構成部材には同一の番号を付して、重複する説明は省略する。 Example 1
[Configuration of Example 1: FIGS. 1 to 4]
1 to 4 are diagrams illustrating the configuration of a laser light source 1 according to the first embodiment. FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of the laser light source 1, FIG. 2A is an exploded perspective view showing the configuration of the laser light source 1, and FIG. 2B is a view of an SHG element holder and an SHG element to be described later. It is a disassembled perspective view. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 4 is a perspective view showing a state in which a cap described later is removed from the laser light source 1. FIG. In the drawings, the same constituent members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

実施例１のレーザ光源１は、発光部にレンズが設けられた半導体レーザのレーザ光を、ＳＨＧ素子で波長変換して出射する。
図３および図４に示すように、半導体レーザがレーザ光を発光する方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸に直交する平面で互いに直交する方向をＸ軸方向、Ｙ軸方向とする。 The laser light source 1 according to the first embodiment emits a laser beam of a semiconductor laser having a light emitting portion provided with a lens by wavelength conversion using an SHG element.
As shown in FIGS. 3 and 4, the direction in which the semiconductor laser emits laser light is defined as the Z-axis direction, and the directions orthogonal to each other on a plane perpendicular to the Z-axis are defined as the X-axis direction and the Y-axis direction.

図１に示すように、実施例１のレーザ光源１は、いわゆるＴＯキャンパッケージ形状の外観であり、基台１１とキャップ１６とフィルタ１７と複数本のリード線１９で外観が形成されている。複数本のリード線１９の全長は、通常、レーザ光源本体より長い寸法を有するが、各図においては模式的に短く示す。   As shown in FIG. 1, the laser light source 1 according to the first embodiment has a so-called TO-can package appearance, and the appearance is formed by a base 11, a cap 16, a filter 17, and a plurality of lead wires 19. The overall length of the multiple lead wires 19 is usually longer than that of the laser light source body, but is schematically shown shorter in each drawing.

図２（ａ）および図３に示すように、レーザ光源１は、基台１１と、半導体レーザ１２と、フランジ１３ａと、ＳＨＧ素子ホルダ１４と、ＳＨＧ素子１５と、キャップ１６と、フィルタ１７と、複数本のリード線１９と、を備えて構成されている。   As shown in FIGS. 2A and 3, the laser light source 1 includes a base 11, a semiconductor laser 12, a flange 13 a, an SHG element holder 14, an SHG element 15, a cap 16, and a filter 17. And a plurality of lead wires 19.

基台１１は、例えばＳＰＣ又はコバールからなり、表面がＡｕメッキされている。半導体レーザ１２は、発光部にレンズが設けられている。半導体レーザ１２は、基台１１に実
装され、リード線１９とワイヤボンディング（図示せず）されて電気的に接続されている。 The base 11 is made of, for example, SPC or Kovar, and has a surface plated with Au. The semiconductor laser 12 is provided with a lens in the light emitting part. The semiconductor laser 12 is mounted on the base 11 and is electrically connected to the lead wire 19 by wire bonding (not shown).

図２（ｂ）に示すように、第１の保持部材の一例であるＳＨＧ素子ホルダ１４は、円柱形をなし、その円柱中心軸に沿って平行に溝１４０が形成されている。ＳＨＧ素子ホルダ１４は、材質が例えばＳＵＳ３０４からなる。ＳＨＧ素子１５は、表面に光導波路１５０を有している。   As shown in FIG. 2B, the SHG element holder 14 as an example of the first holding member has a cylindrical shape, and a groove 140 is formed in parallel along the cylindrical central axis. The SHG element holder 14 is made of, for example, SUS304. The SHG element 15 has an optical waveguide 150 on the surface.

ＳＨＧ素子１５とＳＨＧ素子ホルダ１４は、ＳＨＧ素子ホルダ１４の溝１４０の底面１４１と左側壁１４２に、ＳＨＧ素子１５の裏面１５３と側面１５２を当接して、光導波路１５０がＳＨＧ素子ホルダ１４の円柱中心軸に一致するように、接着治具にて定められた位置にエポキシ系接着剤により固着され、図２（ａ）に示すように一体化されている。   The SHG element 15 and the SHG element holder 14 are in contact with the bottom surface 141 and the left side wall 142 of the groove 140 of the SHG element holder 14 with the back surface 153 and the side surface 152 of the SHG element 15, and the optical waveguide 150 is a cylinder of the SHG element holder 14. As shown in FIG. 2 (a), it is fixed by an epoxy adhesive at a position determined by the bonding jig so as to coincide with the central axis.

図２（ａ）および図３に示すように、第２の保持部材の一例であるフランジ１３ａは、ガイド孔１３３が形成された円筒形の胴部１３１と、フランジ孔１３５が形成された円筒形のフランジ部１３２とからなる。
フランジ部１３２は側面に、後述する調整工程においてカメラによる調整用の視野を提供する窓部１３４が形成される。フランジ１３ａは、ＳＨＧ素子ホルダ１４と同様に、材質が例えばＳＵＳ３０４からなる。 As shown in FIGS. 2A and 3, the flange 13 a as an example of the second holding member includes a cylindrical body 131 in which a guide hole 133 is formed and a cylindrical shape in which a flange hole 135 is formed. The flange portion 132 is formed.
The flange portion 132 is formed on the side surface with a window portion 134 that provides a field of view for adjustment by a camera in an adjustment process described later. As with the SHG element holder 14, the flange 13a is made of, for example, SUS304.

図１から図３に示すように、キャップ１６は、ＳＵＳの薄板を絞り加工により円筒形に形成し、上端部はレーザ光が透過する孔１６１を設け、下端部はフランジ部１６２が基台１１に抵抗溶接される形状で形成されている。フィルタ１７はキャップ１６の上端部の孔１６１の内側にハーメチックシールを施されて固着され、赤色或いは赤外レーザ光を遮断し、緑色レーザ光を透過させる特性を持っている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the cap 16 is formed by forming a SUS thin plate into a cylindrical shape by drawing, a hole 161 through which the laser beam is transmitted at the upper end, and a flange 162 at the lower end. It is formed in a shape that is resistance welded. The filter 17 is hermetically sealed and fixed inside the hole 161 at the upper end portion of the cap 16, and has a characteristic of blocking red or infrared laser light and transmitting green laser light.

図３および図４に示すように、フランジ１３ａは、フランジ部１３２の下面と基台１１の平面部１１１が面接触し、基台１１の平面部１１１に載置されＸ軸方向、Ｙ軸方向に安定な移動が可能である。基台１１の平面部１１１は第１の案内部の一例である。フランジ部１３２のフランジ孔１３５が、半導体レーザ１２とリード線１９を包含する空間を形成していることで、このフランジ１３ａの十分な移動範囲が確保される。フランジ１３ａの円筒中心軸は、基台１１の上面に垂直な方向、即ち、レーザ光の光軸の方向と一致する方向に形成される。   As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the flange 13 a has a lower surface of the flange portion 132 and a flat surface portion 111 of the base 11 in surface contact with each other and is placed on the flat surface portion 111 of the base 11. Stable movement is possible. The flat surface portion 111 of the base 11 is an example of a first guide portion. Since the flange hole 135 of the flange portion 132 forms a space including the semiconductor laser 12 and the lead wire 19, a sufficient movement range of the flange 13a is ensured. The cylindrical central axis of the flange 13a is formed in a direction perpendicular to the upper surface of the base 11, that is, a direction that coincides with the direction of the optical axis of the laser beam.

ＳＨＧ素子ホルダ１４は、フランジのガイド孔１３３と摺動可能に嵌合してフランジ１３ａで案内され、その円柱中心軸は、フランジ１３ａの円筒中心軸と同様にレーザ光の光軸の方向と一致している。従って、ＳＨＧ素子ホルダ１４と一体化しているＳＨＧ素子１５は、Ｚ軸方向に移動可能に構成されている。ガイド孔１３３は、第２の案内部の一例である。   The SHG element holder 14 is slidably fitted into the guide hole 133 of the flange and guided by the flange 13a. The center axis of the cylinder is the same as the direction of the optical axis of the laser beam in the same manner as the cylindrical center axis of the flange 13a. I'm doing it. Therefore, the SHG element 15 integrated with the SHG element holder 14 is configured to be movable in the Z-axis direction. The guide hole 133 is an example of a second guide part.

キャップ１６は、上端部の孔１６１をフィルタ１７でハーメチックシール１８して塞ぎ、下端部のフランジ部１６２を基台１１の平面部１１１に抵抗溶接して半導体レーザ１２、ＳＨＧ素子１５を気密封止して、ＴＯキャンパッケージ形状のレーザ光源１を形成する。   The cap 16 seals the semiconductor laser 12 and the SHG element 15 by hermetically sealing the upper end hole 161 with a filter 17 and hermetically sealing the lower end flange portion 162 to the flat portion 111 of the base 11. Thus, the laser light source 1 having a TO can package shape is formed.

上述した構成を備えるレーザ光源１において、基台１１に実装された半導体レーザ１２から出射した赤色又は赤外のレーザ光は、ＳＨＧ素子１５の光導波路１５０を透過し、波長変換され緑色のレーザ光１２０となりフィルタ１７を透過してキャップの孔１６１から出射する。   In the laser light source 1 having the above-described configuration, the red or infrared laser light emitted from the semiconductor laser 12 mounted on the base 11 passes through the optical waveguide 150 of the SHG element 15 and is wavelength-converted to obtain a green laser light. 120, which passes through the filter 17 and exits from the cap hole 161.

レーザ光１２０を高効率で出射するためには、半導体レーザ１２のレーザ光をできるだけ多くＳＨＧ素子１５の光導波路１５０に導くことである、言い換えると、半導体レーザ１２のレーザ光の焦点とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０の入射口が一致するように、位置合わせをすることである。   In order to emit the laser beam 120 with high efficiency, the laser beam of the semiconductor laser 12 is guided to the optical waveguide 150 of the SHG element 15 as much as possible. In other words, the focal point of the laser beam of the semiconductor laser 12 and the SHG element 15 The alignment is performed so that the entrances of the optical waveguide 150 coincide with each other.

即ち、図３のレーザ光１２０の光軸方向（Ｚ軸方向）、その光軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）の３次元方向に、半導体レーザ１２の焦点とＳＨＧ素子の光導波路１５０の入射口とが一致するように、位置合わせ調整をする。   That is, in the three-dimensional direction of the laser beam 120 of FIG. 3 in the three-dimensional direction (Z-axis direction) and two directions (X-axis direction and Y-axis direction) orthogonal to each other in a plane perpendicular to the optical axis direction. The alignment is adjusted so that the 12 focal points coincide with the entrance of the optical waveguide 150 of the SHG element.

Ｚ軸方向の位置合わせは、半導体レーザ１２と光導波路１５０の入射口の間隙の調整であり、フランジ１３ａに支持されたＳＨＧ素子ホルダ１４をレーザ光の光軸方向に、即ち、上下方向に移動することで達成される。そして、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の位置あわせは、フランジ１３ａのフランジ部１３２の下面と基台１１の上面を面接触させながらフランジ１３ａを前後左右に移動することで達成される。
以下、実施例１のレーザ光源１の調整方法について説明する。 The alignment in the Z-axis direction is adjustment of the gap between the entrance of the semiconductor laser 12 and the optical waveguide 150, and the SHG element holder 14 supported by the flange 13a is moved in the optical axis direction of the laser beam, that is, in the vertical direction. Is achieved. The alignment in the X-axis direction and the Y-axis direction is achieved by moving the flange 13a back and forth and right and left while bringing the lower surface of the flange portion 132 of the flange 13a and the upper surface of the base 11 into surface contact.
Hereinafter, the adjustment method of the laser light source 1 of Example 1 is demonstrated.

［実施例１の調整方法：図４−図５］
図５は、実施例１のレーザ光源１の位置合わせ調整方法の工程の説明図である。
調整装置（図示せず）は、基台１１、フランジ１３ａおよびＳＨＧ素子１５が固定されたＳＨＧ素子ホルダ１４を定位置に設置し、図４に示すＭ方向、Ｎ方向から配置したカメラ（図示せず）の検出画像をディスプレイにＭ視野、Ｎ視野として表示する。
また、調整装置は、フランジ１３ａをＸ軸、Ｙ軸方向に移動させ、ＳＨＧ素子ホルダ１４をＺ軸方向に移動させる。 [Adjustment Method of Example 1: FIGS. 4 to 5]
FIG. 5 is an explanatory diagram of the steps of the method for adjusting the alignment of the laser light source 1 according to the first embodiment.
The adjusting device (not shown) has a camera (not shown) in which the SHG element holder 14 to which the base 11, the flange 13a and the SHG element 15 are fixed is installed at a fixed position, and is arranged from the M direction and the N direction shown in FIG. )) Is displayed on the display as M field and N field.
The adjusting device moves the flange 13a in the X-axis and Y-axis directions and moves the SHG element holder 14 in the Z-axis direction.

即ち、Ｍ方向のカメラのＭ視野は、図５に示すように、ＳＨＧ素子１５の光導波路１５０と半導体レーザの焦点１２１のＸ軸およびＹ軸方向の位置を表示する。従ってＭ視野による位置調整は、基台１１の上面でフランジ１３ａをＸ軸、Ｙ軸方向に移動することで実施される。
そしてＮ方向のカメラのＮ視野は、図５に示すように、ＳＨＧ素子１５の光導波路１５０と半導体レーザ１２のＺ軸方向の間隙を表示する。従って、Ｎ視野による間隙調整は、フランジ１３ａに嵌合し摺動可能なＳＨＧ素子ホルダ１４を移動することで実施される。 That is, the M field of view of the camera in the M direction displays the positions of the optical waveguide 150 of the SHG element 15 and the focus 121 of the semiconductor laser in the X-axis and Y-axis directions, as shown in FIG. Therefore, the position adjustment based on the M field of view is performed by moving the flange 13a in the X-axis and Y-axis directions on the upper surface of the base 11.
The N field of view of the camera in the N direction displays the gap in the Z-axis direction between the optical waveguide 150 of the SHG element 15 and the semiconductor laser 12, as shown in FIG. Therefore, the gap adjustment based on the N field of view is performed by moving the SHG element holder 14 that is fitted to the flange 13a and is slidable.

この際、Ｍ視野、Ｎ視野のカメラ検出においては、半導体レーザ１２をパルス駆動で点灯することが、半導体レーザ１２と光導波路１５０の関係を見やすくして望ましい。
なお、Ｍ方向のカメラは、上述の半導体レーザ１２の焦点１２１とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０の位置を表示すると同時に、フィルタを介して赤色又は赤外光を遮蔽し緑色光を透過して光強度検出手段（例えば光パワーメータ）で光強度を測定し調整に利用することも可能となっている。 At this time, in the camera detection of the M field of view and the N field of view, it is desirable to light the semiconductor laser 12 by pulse driving because it is easy to see the relationship between the semiconductor laser 12 and the optical waveguide 150.
The camera in the M direction displays the position of the focal point 121 of the semiconductor laser 12 and the optical waveguide 150 of the SHG element 15, and at the same time, shields red or infrared light through a filter and transmits green light. It is also possible to measure the light intensity with an intensity detection means (for example, an optical power meter) and use it for adjustment.

以下、調整方法の工程について説明する。
まず、ＳＴ１１において、基台１１が調整装置（図示せず）に設置されて、基台１１の平面部１１１（図４参照）にフランジ１３ａが載置され、更にＳＨＧ素子ホルダ１４がフランジ１３ａに挿入された組み込み初期状態にある。 Hereinafter, the process of the adjustment method will be described.
First, in ST11, the base 11 is installed in an adjusting device (not shown), the flange 13a is placed on the flat surface portion 111 (see FIG. 4) of the base 11, and the SHG element holder 14 is further mounted on the flange 13a. The inserted built-in initial state.

ＳＴ１１のＭ視野は、調整前であるから、半導体レーザ１２の焦点１２１とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０が離れた位置にある。更にＳＴ１１のＮ視野も、調整前であるから、半導体レーザ１２の焦点１２１とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０の入射口１５１の間隙が広く離れた位置にある。このＭ視野、Ｎ視野の図は模式的に間隙を大きく示してある。   Since the M field of view of ST11 is before adjustment, the focal point 121 of the semiconductor laser 12 and the optical waveguide 150 of the SHG element 15 are located away from each other. Furthermore, since the N field of view of ST11 is also before adjustment, the gap between the focal point 121 of the semiconductor laser 12 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 of the SHG element 15 is at a wide distance. The view of the M field and the N field schematically shows a large gap.

次に、ＳＴ１２において、上下方向（Ｚ軸方向）の粗調整を行う。Ｚ軸方向の粗調整は、Ｎ視野において、基台１１にフランジ１３ａの位置を固定（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の移動を固定）したまま、ＳＨＧ素子ホルダ１４をＺ軸方向に移動して、半導体レーザ１２の焦点１２１と光導波路の入射口１５１の間隙を０．１ｍｍ程度まで縮める。Ｍ視野は、基台１１に対しフランジ１３ａの位置を固定しているから、ＳＴ１１と同様初期状態を表示している。   Next, in ST12, rough adjustment in the vertical direction (Z-axis direction) is performed. The coarse adjustment in the Z-axis direction is performed by moving the SHG element holder 14 in the Z-axis direction while fixing the position of the flange 13a to the base 11 (fixed movement in the X-axis direction and the Y-axis direction) in the N field of view. The gap between the focal point 121 of the semiconductor laser 12 and the entrance 151 of the optical waveguide is reduced to about 0.1 mm. Since the M field of view fixes the position of the flange 13a with respect to the base 11, the initial state is displayed as in ST11.

次に、ＳＴ１３において、前後左右方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）の粗調整を行う。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の粗調整は、Ｍ視野において、フランジ１３ａにＳＨＧ素子ホルダ１４を固定（Ｚ軸方向の移動を固定）したまま、フランジ１３ａを基台１１の平面部１１１でＸ軸方向、Ｙ軸方向に沿って移動し、半導体レーザの焦点１２１と光導波路１５０の位置をほぼ一致する状態に設定することである。Ｎ視野において、半導体レーザ１２の焦点１２１と光導波路の入射口１５１の間隙は、ＳＴ１２と同じ距離である。   Next, in ST13, rough adjustment in the front-rear and left-right directions (X-axis direction, Y-axis direction) is performed. The coarse adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed by adjusting the flange 13a with the flat portion 111 of the base 11 on the X-axis while the SHG element holder 14 is fixed to the flange 13a (moving in the Z-axis direction is fixed). And moving along the Y-axis direction, and setting the focal point 121 of the semiconductor laser and the position of the optical waveguide 150 to substantially coincide with each other. In the N field of view, the gap between the focal point 121 of the semiconductor laser 12 and the entrance 151 of the optical waveguide is the same distance as ST12.

次にＳＴ１４において、上下方向（Ｚ軸方向）の微調整の工程を行う。Ｚ軸方向の微調整は、ＳＴ１２と同様に基台１１にフランジ１３ａの位置を固定（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の移動を固定）したまま、Ｎ視野において、半導体レーザの焦点１２１と光導波路の入射口１５１が一致する方向にＳＨＧ素子ホルダ１４を微動し、そして、Ｍ視野のカメラの光強度検出手段でレーザ光の光強度が最大値になるように、ＳＨＧ素子ホルダ１４の位置を調整する。   Next, in ST14, a fine adjustment process in the vertical direction (Z-axis direction) is performed. As in ST12, fine adjustment in the Z-axis direction is performed by fixing the position of the flange 13a to the base 11 (fixing the movement in the X-axis direction and the Y-axis direction) and the focus 121 of the semiconductor laser and the optical waveguide in the N field of view. The SHG element holder 14 is finely moved in the direction in which the incident apertures 151 coincide with each other, and the position of the SHG element holder 14 is adjusted so that the light intensity of the laser beam becomes the maximum value by the light intensity detecting means of the M field camera. To do.

レーザ光の光強度が最大値になったＳＨＧ素子ホルダ１４の位置で、フランジ１３ａの胴部１３１にレーザスポット溶接機（ＹＡＧ溶接機）のレーザスポットを同時に複数個所照射し、フランジの胴部１３１とＳＨＧ素子ホルダ１４を固着する。レーザスポットを同時に複数個所照射するのは、例えば３箇所１２０°ピッチで円周方向からレーザスポット溶接することにより、溶接による熱応力がバランスして溶接後の調整位置のズレが無い利点がある。更に、ＳＨＧ素子ホルダ１４の溝１４０を避けて等間隔にレーザスポット溶接する箇所を設定することが望ましい。この結果、半導体レーザの焦点１２１と光導波路の入射口１５１が一致して上下方向（Ｚ軸方向）の調整は完了する。   At the position of the SHG element holder 14 at which the light intensity of the laser beam reaches the maximum value, the barrel 131 of the flange 13a is irradiated with a plurality of laser spots from a laser spot welder (YAG welder) at the same time. And the SHG element holder 14 are fixed. Irradiating a plurality of laser spots at the same time has the advantage that, for example, laser spot welding is performed at a 120 ° pitch at three locations from the circumferential direction, so that the thermal stress due to welding balances and there is no deviation in the adjustment position after welding. Furthermore, it is desirable to set a spot to be laser spot welded at equal intervals while avoiding the groove 140 of the SHG element holder 14. As a result, the focus 121 of the semiconductor laser and the entrance 151 of the optical waveguide coincide with each other to complete the adjustment in the vertical direction (Z-axis direction).

次にＳＴ１５において、前後左右方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）の微調整を行う。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の微調整は、フランジ１３ａを基台１１の平面部１１１でＸ軸方向、Ｙ軸方向に沿って微動し、Ｍ視野のカメラの光強度検出手段で緑色レーザ光の光強度が最大値になるように、フランジ１３ａの位置を調整する。   Next, in ST15, fine adjustment is performed in the front-rear and left-right directions (X-axis direction, Y-axis direction). Fine adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed by finely moving the flange 13a along the X-axis direction and the Y-axis direction on the flat portion 111 of the base 11, and using the light intensity detection means of the M field of view camera. The position of the flange 13a is adjusted so that the light intensity becomes the maximum value.

レーザ光の光強度が最大値になるフランジ１３ａの位置で、フランジのフランジ部１３２にレーザスポット溶接機のレーザスポットを同時に複数個所照射し、フランジのフランジ部１３２と基台１１を固着する。その結果、図５のＳＴ１５のＭ視野、Ｎ視野に示すように、半導体レーザの焦点１２１と光導波路１５０の入射口１５１の位置が３軸方向で完全に一致する。   At the position of the flange 13a where the light intensity of the laser beam reaches the maximum value, the flange portion 132 of the flange is irradiated with a plurality of laser spots of a laser spot welder simultaneously, and the flange portion 132 of the flange and the base 11 are fixed. As a result, as shown in the M field and the N field of ST15 in FIG. 5, the position of the focal point 121 of the semiconductor laser and the position of the entrance 151 of the optical waveguide 150 are completely coincident in the three-axis directions.

上記調整工程の後、キャップ１６のフランジ部１６２を抵抗溶接して、半導体レーザ１２やＳＨＧ素子１５を気密封止することで、図１に示すＴＯキャンパッケージの形状に形成されたレーザ光源１が完成する。   After the adjustment step, the laser light source 1 formed in the shape of the TO can package shown in FIG. 1 is formed by resistance-welding the flange portion 162 of the cap 16 and hermetically sealing the semiconductor laser 12 and the SHG element 15. Complete.

上述したように、実施例１によれば、ＳＨＧ素子ホルダ１４をフランジ１３ａに対して移動させて、半導体レーザ１２に対するＳＨＧ素子１５のＺ軸方向の調整を行い、フランジ１３ａを基台１１に対して移動させて、半導体レーザ１２に対するＳＨＧ素子１５のＸ軸方向およびＹ軸方向の調整を行う。これにより、半導体レーザ１２とＳＨＧ素子１５の位置調整を３軸方向に高精度で行うことができ、発光効率の良いレーザ光源１を提供する
ことが可能となる。 As described above, according to the first embodiment, the SHG element holder 14 is moved with respect to the flange 13 a to adjust the SHG element 15 with respect to the semiconductor laser 12 in the Z-axis direction, and the flange 13 a with respect to the base 11. To adjust the X-axis direction and the Y-axis direction of the SHG element 15 with respect to the semiconductor laser 12. Thereby, the position adjustment of the semiconductor laser 12 and the SHG element 15 can be performed with high accuracy in the three-axis directions, and the laser light source 1 with high emission efficiency can be provided.

また、実施例１によれば、ＳＨＧ素子ホルダ１４とフランジ１３ａ、および、基台１１とフランジ１３ａがそれぞれ互いに面接触する構成する構造を採用しているので、等角度ピッチのレーザスポット溶接を複数箇所行うことが可能であり、各部材の接合で熱による位置ずれを抑え、半導体レーザ１２の焦点とＳＨＧ素子１５の位置合わせ精度が保持されて、発光効率の良いレーザ光源１を提供することが可能となる。   Further, according to the first embodiment, a structure is adopted in which the SHG element holder 14 and the flange 13a, and the base 11 and the flange 13a are in surface contact with each other, so that multiple laser spot weldings with equiangular pitches are performed. It is possible to provide a laser light source 1 with high emission efficiency, which can be performed at various locations, suppresses positional deviation due to heat by joining each member, maintains the alignment accuracy between the focal point of the semiconductor laser 12 and the SHG element 15. It becomes possible.

（実施例２）
次に、本発明に係るレーザ光源の実施例２について説明する。
実施例２のレーザ光源２は、半導体レーザの発光部にレンズを備えず、半導体レーザ発光部とＳＨＧ素子の光導波路を、直接光学的に結合し波長変換して発光する直接結合型のレーザ光源である。それ以外の構成部材については、実施例１と、寸法上の違いは多少あるものの、構造、材質、機能は同じでよい。 (Example 2)
Next, a second embodiment of the laser light source according to the present invention will be described.
The laser light source 2 according to the second embodiment does not include a lens in the light emitting portion of the semiconductor laser, and is a direct coupling type laser light source that emits light by optically coupling and wavelength-converting the semiconductor laser light emitting portion and the optical waveguide of the SHG element. It is. Other structural members may have the same structure, material, and function as those of the first embodiment, although there are some dimensional differences.

［実施例２の構成：図６−図９］
図６から図９は、実施例２のレーザ光源２の構成を説明する図面である。図６はレーザ光源２の外観を示す斜視図であり、図７は、レーザ光源２の構成を示す分解斜視図である。図８は図６のＢ−Ｂ断面図であり、図９は、レーザ光源２からキャップを取り外した状態を示す斜視図である。各図において、実施例１と同一の構成部材には同一の番号を付して、重複する説明は省略する。 [Configuration of Example 2: FIGS. 6 to 9]
6 to 9 are diagrams illustrating the configuration of the laser light source 2 according to the second embodiment. FIG. 6 is a perspective view showing the appearance of the laser light source 2, and FIG. 7 is an exploded perspective view showing the configuration of the laser light source 2. 8 is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 6, and FIG. 9 is a perspective view showing a state where the cap is removed from the laser light source 2. In each figure, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図８および図９に示すように、半導体レーザがレーザ光を発光する方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸に直交する平面で互いに直交する方向をＸ軸方向、Ｙ軸方向とする。   As shown in FIGS. 8 and 9, the direction in which the semiconductor laser emits laser light is defined as the Z-axis direction, and the directions orthogonal to each other on a plane perpendicular to the Z-axis are defined as the X-axis direction and the Y-axis direction.

図６に示すように、レーザ光源２は、実施例１と同様に、いわゆるＴＯキャンパッケージ形状の外観であり、基台１１とキャップ１６とフィルタ１７と複数本のリード線１９で外観が形成されている。
また、図７および図８に示すように、レーザ光源２は、基台１１と、ブロック２１と、半導体レーザ２２と、フランジ１３ａと、ＳＨＧ素子ホルダ１４と、ＳＨＧ素子１５と、キャップ１６と、フィルタ１７と、複数本のリード線１９と、を備えて構成されている。 As shown in FIG. 6, the laser light source 2 has a so-called TO can package appearance as in the first embodiment. The appearance is formed by the base 11, the cap 16, the filter 17, and a plurality of lead wires 19. ing.
7 and 8, the laser light source 2 includes a base 11, a block 21, a semiconductor laser 22, a flange 13a, an SHG element holder 14, an SHG element 15, a cap 16, The filter 17 and a plurality of lead wires 19 are provided.

ブロック２１は、基台１１と一体で形成されるか、溶着等の手段により一体的に基台１１に固着されている。半導体レーザ２２は、実施例１と異なり、発光部にレンズを備えない。半導体レーザ２２は、ブロック２１に実装され、リード線１９とワイヤボンディング（図示せず）されて電気的に接続されている。
フランジ１３ａ、ＳＨＧ素子ホルダ１４、ＳＨＧ素子１５、キャップ１６、フィルタ１７は、構成、機能について実施例１と同様であるので、説明を省略する。 The block 21 is formed integrally with the base 11 or is fixed to the base 11 integrally by means such as welding. Unlike the first embodiment, the semiconductor laser 22 does not include a lens in the light emitting unit. The semiconductor laser 22 is mounted on the block 21 and is electrically connected to the lead wire 19 by wire bonding (not shown).
Since the flange 13a, the SHG element holder 14, the SHG element 15, the cap 16, and the filter 17 are the same in configuration and function as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

上述した構成を備えるレーザ光源２において、実施例１と同様に、基台１１に実装された半導体レーザ２２から出射した赤色又は赤外のレーザ光は、ＳＨＧ素子１５の光導波路１５０を透過し、波長変換され緑色のレーザ光１２０となりフィルタ１７を透過してキャップの孔１６１から出射する。 In the laser light source 2 having the configuration described above, similarly to the actual Example 1, the laser light emitted by the red or infrared semiconductor laser 22 mounted on the base 11 is transmitted through the optical waveguide 150 of the SHG element 15 The wavelength is converted into green laser light 120 that passes through the filter 17 and exits from the cap hole 161.

レーザ光１２０の出射の効率を最大にするために、実施例１と同様に、半導体レーザ２２とＳＨＧ素子の光導波路１５０の精度のよい位置合わせが重要である。半導体レーザ２２と光導波路１５０の間にレンズのない直接結合型にあっては、半導体レーザ２２とＳＨＧ素子の光導波路１５０の間隙は、周知のごとく極めて狭い。
以下、実施例２のレーザ光源２の調整方法について説明する。 In order to maximize the efficiency of emission of the laser beam 120, as in the first embodiment, accurate alignment of the semiconductor laser 22 and the optical waveguide 150 of the SHG element is important. In a direct coupling type without a lens between the semiconductor laser 22 and the optical waveguide 150, the gap between the semiconductor laser 22 and the optical waveguide 150 of the SHG element is extremely narrow as is well known.
Hereinafter, the adjustment method of the laser light source 2 of Example 2 is demonstrated.

［実施例２の調整方法：図９−図１１］
図１０および図１１は、実施例２のレーザ光源２の位置合わせ調整方法の工程の説明図である。
実施例２の調整方法においては、実施例１と同様に、調整装置（図示せず）は、基台１１、フランジ１３ａおよびＳＨＧ素子１５が固定されたＳＨＧ素子ホルダ１４を定位置に設置し、図９に示すＭ方向、Ｎ方向から配置したカメラ（図示せず）の検出画像をディスプレイにＭ視野、Ｎ視野として表示する。 [Adjustment Method of Example 2: FIGS. 9 to 11]
10 and 11 are explanatory diagrams of the steps of the method for adjusting the alignment of the laser light source 2 according to the second embodiment.
In the adjustment method of the second embodiment, as in the first embodiment, the adjustment device (not shown) installs the SHG element holder 14 to which the base 11, the flange 13a, and the SHG element 15 are fixed at a fixed position. Detection images of cameras (not shown) arranged from the M direction and the N direction shown in FIG. 9 are displayed as an M field and an N field on the display.

以下、調整方法の工程について説明する。
まず、図１０に示すＳＴ２１において、基台１１が調整装置（図示せず）に設置されて、基台１１の平面部１１１（図９参照）にフランジ１３ａが載置され、更にＳＨＧ素子ホルダ１４がフランジ１３ａに挿入された組み込み初期状態にある。 Hereinafter, the process of the adjustment method will be described.
First, in ST21 shown in FIG. 10, the base 11 is installed in an adjustment device (not shown), the flange 13a is placed on the flat surface portion 111 (see FIG. 9) of the base 11, and the SHG element holder 14 is further mounted. Is in the initial assembled state inserted into the flange 13a.

ＳＴ２１のＭ視野は、調整前であるから、半導体レーザ２２の発光点２２０とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０が離れた位置にある。更にＳＴ２１のＮ視野も、調整前であるから、半導体レーザ２２の発光点２２０とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０の入射口１５１の間隙が広く離れた位置にある。このＭ視野、Ｎ視野の図は模式的に間隙を大きく示してある。   Since the M field of view of ST21 is before adjustment, the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the optical waveguide 150 of the SHG element 15 are at a position away from each other. Further, since the N field of view of ST21 is also before adjustment, the gap between the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 of the SHG element 15 is at a widely separated position. The view of the M field and the N field schematically shows a large gap.

次に、ＳＴ２２において、上下方向（Ｚ軸方向）の粗調整を行う。Ｚ軸方向の粗調整は、Ｎ視野において、基台１１とフランジ１３ａの位置を固定（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の移動を固定）したまま、ＳＨＧ素子ホルダ１４をＺ軸方向に移動して、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の入射口１５１の間隙が０．１ｍｍ程度まで縮める。Ｍ視野は、基台１１にフランジ１３ａの位置を固定しているから、ＳＴ２１と同様初期状態を表示している。   Next, in ST22, rough adjustment in the vertical direction (Z-axis direction) is performed. The coarse adjustment in the Z-axis direction is performed by moving the SHG element holder 14 in the Z-axis direction while fixing the positions of the base 11 and the flange 13a (fixed movement in the X-axis direction and the Y-axis direction) in the N field of view. The gap between the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 is reduced to about 0.1 mm. Since the position of the flange 13a is fixed to the base 11, the M visual field displays the initial state as in ST21.

次に、ＳＴ２３において、前後左右方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）の粗調整を行う。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の粗調整は、Ｍ視野において、フランジ１３ａにＳＨＧ素子ホルダ１４を固定（Ｚ軸方向の移動を固定）したまま、フランジ１３ａを基台１１の平面部１１１でＸ軸方向、Ｙ軸方向に沿って移動し、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の位置がほぼ合う状態に設定することである。Ｎ視野においては、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路の入射口１５１の間隙は、ＳＴ２２と同じ距離にある。   Next, in ST23, rough adjustment in the front-rear and left-right directions (X-axis direction, Y-axis direction) is performed. The coarse adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed by adjusting the flange 13a with the flat portion 111 of the base 11 on the X-axis while the SHG element holder 14 is fixed to the flange 13a (moving in the Z-axis direction is fixed). This is to set the state where the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the position of the optical waveguide 150 are substantially matched. In the N field of view, the gap between the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the optical waveguide entrance 151 is at the same distance as ST22.

次に、図１１に示すＳＴ２４において、上下方向（Ｚ軸方向）の微調整を行う。Ｚ軸方向の微調整は、ＳＴ２２と同様に基台１１にフランジ１３ａの位置を固定（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の移動を固定）したまま、Ｎ視野において、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の入射口１５１の間隙が２０〜５０μｍ程度にまでＳＨＧ素子ホルダ１４を徐々に下げて調整することである。Ｍ視野においては、半導体レーザの発光点２２０と光導波路１５０のＸ軸Ｙ軸の位置関係がＳＴ２３と同じ状態にある。   Next, in ST24 shown in FIG. 11, fine adjustment in the vertical direction (Z-axis direction) is performed. As in ST22, fine adjustment in the Z-axis direction is performed with the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 in the N field of view while the position of the flange 13a is fixed to the base 11 (movement in the X-axis direction and Y-axis direction is fixed). In other words, the SHG element holder 14 is gradually lowered and adjusted so that the gap of the entrance 151 of the optical waveguide 150 is about 20 to 50 μm. In the M field of view, the positional relationship between the light emitting point 220 of the semiconductor laser and the X and Y axes of the optical waveguide 150 is in the same state as ST23.

次に、ＳＴ２５において、前後左右方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）の微調整を行う。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の微調整は、フランジ１３ａを基台１１の平面部１１１でＸ軸方向、Ｙ軸方向に沿って微動し、Ｍ視野のカメラの光強度検出手段で緑色レーザ光の光強度が最大値になるように、基台１１に対するフランジ１３ａの位置を調整する。   Next, in ST25, fine adjustment in the front-rear and left-right directions (X-axis direction, Y-axis direction) is performed. Fine adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed by finely moving the flange 13a along the X-axis direction and the Y-axis direction on the flat portion 111 of the base 11, and using the light intensity detection means of the M field of view camera. The position of the flange 13a with respect to the base 11 is adjusted so that the light intensity becomes the maximum value.

レーザ光の光強度が最大値になるフランジ１３ａの位置で、フランジのフランジ部１３２にレーザスポット溶接機のレーザスポットを同時に複数個所照射し、フランジのフランジ部１３２と基台１１を固着する。その結果、図１１のＳＴ２５のＭ視野に示すように、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の位置が一致する。Ｎ視野において、半導体レーザの発光点２２０と光導波路の入射口１５１の間隙は、ＳＴ２４と同じ距離に
ある。 At the position of the flange 13a where the light intensity of the laser beam reaches the maximum value, the flange portion 132 of the flange is irradiated with a plurality of laser spots of a laser spot welder simultaneously, and the flange portion 132 of the flange and the base 11 are fixed. As a result, as shown in the M field of view of ST25 in FIG. 11, the positions of the light emission point 220 of the semiconductor laser 22 and the optical waveguide 150 coincide. In the N field of view, the gap between the light emitting point 220 of the semiconductor laser and the entrance 151 of the optical waveguide is the same distance as ST24.

次に、ＳＴ２６において、Ｚ軸方向の再微調整を行う。Ｎ視野において、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の入射口１５１が接触する直前の１０μｍ以下の間隙（望ましくは５μｍ以下）になるまでＳＨＧ素子ホルダ１４を注意深く徐々に下げる。望ましい間隙に到達したＳＨＧ素子ホルダ１４の位置で、フランジ１３ａの胴部１３１にレーザスポット溶接機（ＹＡＧ溶接機）のレーザスポットを同時に複数個所照射し、フランジの胴部１３１とＳＨＧ素子ホルダ１４を固着する。実施例１と同様に、ＳＨＧ素子ホルダ１４の溝１４０を避けて、かつ、等角度ピッチで複数個所レーザスポット溶接を行うことが望ましい。この結果、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の入射口１５１の間隙、位置の調整工程が全て完了する。   Next, in ST26, fine re-adjustment in the Z-axis direction is performed. In the N field of view, the SHG element holder 14 is carefully and gradually lowered until a gap of 10 μm or less (preferably 5 μm or less) immediately before the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 come into contact with each other. At the position of the SHG element holder 14 that has reached the desired gap, the barrel 131 of the flange 13a is simultaneously irradiated with a plurality of laser spots of a laser spot welder (YAG welder), and the flange barrel 131 and the SHG element holder 14 are attached. Stick. As in the first embodiment, it is desirable to perform laser spot welding at a plurality of locations at an equiangular pitch while avoiding the groove 140 of the SHG element holder 14. As a result, the adjustment process of the gap and position between the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 is completed.

上記調整工程の後、キャップ１６のフランジ部１６２を抵抗溶接して、半導体レーザ２２やＳＨＧ素子１５を気密封止することで、図６に示すＴＯキャンパッケージの形状に形成されたレーザ光源２が完成する。   After the adjustment process, the laser light source 2 formed in the shape of the TO can package shown in FIG. 6 is obtained by resistance-welding the flange portion 162 of the cap 16 and hermetically sealing the semiconductor laser 22 and the SHG element 15. Complete.

上述したように、実施例２によれば、実施例１と同様に、ＳＨＧ素子ホルダ１４をフランジ１３ａに対して移動させて、半導体レーザ２２に対するＳＨＧ素子１５のＺ軸方向の調整を行い、フランジ１３ａを基台１１に対して移動させて、半導体レーザ２２に対するＳＨＧ素子１５のＸ軸方向およびＹ軸方向の調整を行うことにより、半導体レーザ２２とＳＨＧ素子１５の位置調整を３軸方向に高精度で行うことができ、発光効率の良いレーザ光源２を提供することが可能となる。   As described above, according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the SHG element holder 14 is moved with respect to the flange 13a, and the SHG element 15 is adjusted with respect to the semiconductor laser 22 in the Z-axis direction. The position adjustment of the semiconductor laser 22 and the SHG element 15 is increased in three axis directions by moving the 13a with respect to the base 11 and adjusting the X-axis direction and the Y-axis direction of the SHG element 15 with respect to the semiconductor laser 22. It is possible to provide a laser light source 2 that can be performed with high accuracy and has high luminous efficiency.

また、実施例２によれば、実施例１と同様に、ＳＨＧ素子ホルダ１４とフランジ１３ａ、および、基台１１とフランジ１３ａがそれぞれ互いに面接触する構成する構造を採用しているので、等角度ピッチのレーザスポット溶接を複数箇所行うことが可能であり、各部材の接合で熱による位置ずれを抑え、半導体レーザ２２の焦点とＳＨＧ素子１５の位置合わせ精度が保持されて、発光効率の良いレーザ光源２を提供することが可能となる。   Further, according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the SHG element holder 14 and the flange 13a, and the base 11 and the flange 13a are configured so as to be in surface contact with each other. Laser spot welding with a pitch can be performed at a plurality of locations, the position displacement due to heat is suppressed by joining each member, the alignment accuracy between the focal point of the semiconductor laser 22 and the SHG element 15 is maintained, and the laser has high emission efficiency. The light source 2 can be provided.

（実施例３）
次に、本発明に係るレーザ光源の実施例３について説明する。
実施例３のレーザ光源３は、実施例２と同様に半導体レーザの発光部にレンズを備えず、半導体レーザ発光部とＳＨＧ素子の光導波路を、直接光学的に結合し波長変換して発光する直接結合型のレーザ光源である。なお、本例は実施例１と同様にレンズを用いた例にも適用可能である。
また後述するように、実施例３は、実施例１、２に一部構成要素が追加されるが、それ以外の構成部材については、構造、材質、機能は同じでよい。 Example 3
Next, a third embodiment of the laser light source according to the present invention will be described.
As in the second embodiment, the laser light source 3 of the third embodiment does not include a lens in the light emitting portion of the semiconductor laser, and directly emits light by optically coupling the semiconductor laser light emitting portion and the optical waveguide of the SHG element to convert the wavelength. This is a direct coupling type laser light source. In addition, this example is applicable also to the example using a lens similarly to Example 1.
As will be described later, in Example 3, some components are added to Examples 1 and 2, but the other components may have the same structure, material, and function.

［実施例３の構成：図１２−図１５］
図１２から図１５は、本発明の実施例３のレーザ光源３の構成を説明する図面である。外観は実施例２の図６と同様であるので外観図を省略する、図１２は、実施例２の断面図の図８と同様にレーザ光源３の構成を示す断面図である。図１３は、レーザ光源３の構成を示す分解斜視図である。図１４は、レーザ光源３からキャップを取り外し、ＳＨＧ素子が見える位置にフランジを持ち上げた状態を示す側面図である。図１５は、レーザ光源３からキャップを取り外した状態を示す斜視図である。各図において、実施例１および実施例２と同一の構成部材には同一の番号を付して、重複する説明は省略する。
調整装置は、ＳＨＧ素子ホルダ１４に対してＳＨＧ素子１５をスライドさせることができる。この点は、後述の実施例４も同様である。 [Configuration of Example 3: FIGS. 12 to 15]
12 to 15 are drawings for explaining the configuration of the laser light source 3 according to the third embodiment of the present invention. Since the external appearance is the same as FIG. 6 of the second embodiment, the external view is omitted. FIG. 12 is a cross-sectional view showing the configuration of the laser light source 3 as in FIG. 8 of the cross-sectional view of the second embodiment. FIG. 13 is an exploded perspective view showing the configuration of the laser light source 3. FIG. 14 is a side view showing a state where the cap is removed from the laser light source 3 and the flange is lifted to a position where the SHG element can be seen. FIG. 15 is a perspective view showing a state in which the cap is removed from the laser light source 3. In each figure, the same components as those in the first embodiment and the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
The adjusting device can slide the SHG element 15 with respect to the SHG element holder 14. This also applies to Example 4 described later.

図１２、図１４および図１５に示すように、半導体レーザがレーザ光を発光する方向を
Ｚ軸方向とし、Ｚ軸に直交する平面で互いに直交する方向をＸ軸方向、Ｙ軸方向とする。 As shown in FIGS. 12, 14, and 15, a direction in which the semiconductor laser emits laser light is defined as a Z-axis direction, and directions orthogonal to each other on a plane perpendicular to the Z-axis are defined as an X-axis direction and a Y-axis direction.

また、図１２および図１３に示すように、レーザ光源３は、実施例２のレーザ光源２に支持部材の一例である支持台２０を追加した構成となっている。即ち、基台１１と、フランジ１３ｂと、ＳＨＧ素子ホルダ１４と、ＳＨＧ素子１５と、キャップ１６と、フィルタ１７と、複数本のリード線１９と、ブロック２１と、半導体レーザ２２と、そして、支持台２０と、を備えた構成となっている。   As shown in FIGS. 12 and 13, the laser light source 3 has a configuration in which a support base 20 that is an example of a support member is added to the laser light source 2 of the second embodiment. That is, the base 11, the flange 13b, the SHG element holder 14, the SHG element 15, the cap 16, the filter 17, the plurality of lead wires 19, the block 21, the semiconductor laser 22, and the support And a stand 20.

図１２および図１３に示すように、第２の保持部材の一例であるフランジ１３ｂは、ガイド孔１３３が形成された円筒形の胴部１３１と、フランジ孔１３５が形成された円筒形のフランジ部１３２とからなる。フランジ１３ｂのフランジ部１３２は、実施例１および２と異なり、調整用の視野を提供する窓部は形成されない。フランジ１３ｂは、材質が例えばＳＵＳ３０４からなる。   As shown in FIGS. 12 and 13, the flange 13 b as an example of the second holding member includes a cylindrical body 131 in which a guide hole 133 is formed and a cylindrical flange in which a flange hole 135 is formed. 132. Unlike Example 1 and 2, the flange part 132 of the flange 13b does not form the window part which provides the visual field for adjustment. The material of the flange 13b is made of SUS304, for example.

支持台２０は、円筒にフランジを形成した形状で、フランジ側の端面に平面部２０１を形成し、平面部２０１の内側に円筒リング状に突設された隔壁２０２を備えている。そして、支持台２０の円筒側の端面が基台１１の平面部１１１にロー付け又は接着されて、基台１１と一体にして固着される。支持台２０の平面部２０１は、第３の案内部の一例であり、第１の案内部の例である基台１１の平面部１１１と平行な平面である。平面部２０１のＺ軸方向の高さ位置は、半導体レーザ２２の発光点に極めて近く、かつ、半導体レーザ２２の発光点より少し低い位置に設定されている。   The support base 20 has a shape in which a flange is formed on a cylinder, and a flat surface portion 201 is formed on an end surface on the flange side, and a partition wall 202 is provided inside the flat surface portion 201 so as to project in a cylindrical ring shape. Then, the end surface on the cylindrical side of the support base 20 is brazed or bonded to the flat portion 111 of the base 11 and is fixed to the base 11 integrally. The plane part 201 of the support base 20 is an example of a third guide part, and is a plane parallel to the plane part 111 of the base 11 which is an example of the first guide part. The height position of the planar portion 201 in the Z-axis direction is set to be very close to the light emitting point of the semiconductor laser 22 and slightly lower than the light emitting point of the semiconductor laser 22.

図１２の詳細図に示すように、円筒リング状の突設した隔壁２０２は、フランジ１３ｂのフランジ部１３２の内側に形成されている。そして、フランジ１３ｂのフランジ部１３２の下面が支持台２０の平面部２０１と面接触して、実施例２と同様にＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に形成される。   As shown in the detailed view of FIG. 12, the cylindrical ring-shaped protruding partition 202 is formed inside the flange portion 132 of the flange 13b. The lower surface of the flange portion 132 of the flange 13b is in surface contact with the flat surface portion 201 of the support base 20, and is formed to be movable in the X-axis direction and the Y-axis direction as in the second embodiment.

支持台２０に設けられた隔壁２０２は、例えば、半導体レーザ２２の発光点と平面部２０１のほぼ中間の高さに形成されている。この隔壁２０２は、後述するように、調整方法の最終の工程で実施されるフランジ１３ｂと支持台２０のレーザスポット溶接において飛び出すスパッタや酸化物などの異物が、この隔壁２０２に遮られて、半導体レーザ２２の発光点に付着することを防ぐ働きを担っている。   The partition wall 202 provided on the support base 20 is formed, for example, at a height approximately halfway between the light emitting point of the semiconductor laser 22 and the planar portion 201. As will be described later, the partition wall 202 is formed by a foreign material such as spatter or oxide that pops out in the laser spot welding of the flange 13b and the support 20 performed in the final step of the adjustment method. It plays a role of preventing the laser 22 from adhering to the light emitting point.

基台１１、ＳＨＧ素子ホルダ１４、ＳＨＧ素子１５、キャップ１６、フィルタ１７、リード線１９、ブロック２１、半導体レーザ２２は、構成、機能が実施例２と同様であるので、説明を省略する。   Since the base 11, the SHG element holder 14, the SHG element 15, the cap 16, the filter 17, the lead wire 19, the block 21, and the semiconductor laser 22 have the same configuration and function as those of the second embodiment, description thereof is omitted.

また、実施例３のレーザ光源３は、図１４に示すように、ＳＨＧ素子１５の下端が見える位置まで、フランジ１３ｂを持ち上げてＮ視野を確保し、後述する調整工程においてＺ軸方向の位置調整に用いられる。   Further, as shown in FIG. 14, the laser light source 3 according to the third embodiment lifts the flange 13b to a position where the lower end of the SHG element 15 can be seen to secure an N field of view, and adjusts the position in the Z-axis direction in an adjustment process described later. Used for.

以下、実施例３のレーザ光源３の調整方法について説明する。   Hereinafter, the adjustment method of the laser light source 3 of Example 3 is demonstrated.

［実施例３の調整方法：図１４−図１６］
図１６は、実施例３のレーザ光源３の位置合わせ調整方法の工程の説明図である。
実施例３の調整方法においては、実施例１および実施例２と同様に、調整装置（図示せず）は、基台１１と支持台２０を定位置に設置し、フランジ１３ｂとＳＨＧ素子ホルダ１４を定位置に保持し、図１４及び図１５に示す矢印Ｍ方向、矢印Ｎ方向から配置したカメラ（図示せず）の検出画像をディスプレイにＭ視野、Ｎ視野として表示する。 [Adjustment Method of Example 3: FIGS. 14 to 16]
FIG. 16 is an explanatory diagram of the steps of the method for adjusting the alignment of the laser light source 3 according to the third embodiment.
In the adjustment method of the third embodiment, as in the first and second embodiments, the adjustment device (not shown) installs the base 11 and the support base 20 at fixed positions, and the flange 13b and the SHG element holder 14. Is held at a fixed position, and detected images of a camera (not shown) arranged from the directions of arrows M and N shown in FIGS. 14 and 15 are displayed as M fields and N fields on the display.

以下、調整方法の工程について説明する。
まず、図１６に示す、ＳＴ３１において、支持台２０と一体の基台１１が、調整装置（図示せず）に設置されて、フランジ１３ｂとＳＨＧ素子ホルダ１４とが調整装置（図示せず）に保持されて、初期状態にある。また図ｌ４に示すように、Ｎ視野が確保されるように、ＳＨＧ素子１５の下端が見える位置までフランジ１３ｂを調整装置により持ち上げられる。 Hereinafter, the process of the adjustment method will be described.
First, in ST31 shown in FIG. 16, the base 11 integrated with the support base 20 is installed in an adjustment device (not shown), and the flange 13b and the SHG element holder 14 are installed in the adjustment device (not shown). Retained and in the initial state. Further, as shown in FIG. 14, the flange 13 b is lifted by the adjusting device to a position where the lower end of the SHG element 15 can be seen so that the N field of view is secured.

ＳＴ３１のＭ視野に示すように、Ｘ軸−Ｙ軸方向において、半導体レーザ２２の発光点２２０とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０は初期状態の離れた位置にある。またＳＴ３１のＮ視野に示すように、Ｚ軸方向においても、半導体レーザ２２の発光点２２０とＳＨＧ素子１５の光導波路１５０の入射口１５１の間隙は初期状態で広く離れた位置にある。Ｎ視野には、半導体レーザ２２の発光点２２０の近傍に配置された支持台２０と隔壁２０２がその視野の中に認められる。このＭ視野、Ｎ視野の図は光導波路１５０と半導体レーザ２２の間隙を理解しやすくするため模式的に大きく示してある。   As shown in the M field of view of ST31, the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the optical waveguide 150 of the SHG element 15 are in a position apart from the initial state in the X axis-Y axis direction. Further, as shown in the N field of view of ST31, also in the Z-axis direction, the gap between the emission point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 of the SHG element 15 is at a position that is widely separated in the initial state. In the N field of view, the support base 20 and the partition wall 202 arranged in the vicinity of the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 are recognized in the field of view. The views of the M field and the N field are schematically shown in a large size for easy understanding of the gap between the optical waveguide 150 and the semiconductor laser 22.

次に、ＳＴ３２において、Ｚ軸方向とＸ軸方向、Ｙ軸方向の粗調整を行う。Ｚ軸方向の粗調整は、Ｎ視野において、ＳＨＧ素子ホルダ１４をＺ軸方向に移動して、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の入射口１５１の間隙を約０．１ｍｍに調整する。
Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の粗調整は、Ｍ視野において、フランジ１３ｂとＳＨＧ素子ホルダ１４を、支持台２０の平面部２０１に沿ってＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動させ、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の位置がほぼ重なるように調整する。 Next, in ST32, coarse adjustment is performed in the Z-axis direction, the X-axis direction, and the Y-axis direction. In the coarse adjustment in the Z-axis direction, in the N field of view, the SHG element holder 14 is moved in the Z-axis direction to adjust the gap between the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 to about 0.1 mm. .
The coarse adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed by moving the flange 13b and the SHG element holder 14 in the X-axis direction and the Y-axis direction along the flat portion 201 of the support base 20 in the M field of view. Adjustment is made so that the positions of the light emitting point 220 and the optical waveguide 150 substantially overlap.

次に、ＳＴ３３において、Ｚ軸方向とＸ軸方向、Ｙ軸方向の微調整を行う。Ｚ軸方向の微調整は、Ｎ視野において、ＳＨＧ素子ホルダ１４をＺ軸方向に移動して、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の入射口１５１の間隙が３〜７μｍ程度にまでＳＨＧ素子ホルダ１４を徐々に下げて調整する。
Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の微調整は、Ｍ視野において、フランジ１３ｂとＳＨＧ素子ホルダ１４を、支持台２０の平面部２０１に沿ってＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動させ、Ｍ視野のカメラの光強度検出手段で緑色レーザ光の光強度が最大値になるように、ＳＨＧ素子ホルダ１４の位置を調整する。 Next, in ST33, fine adjustment is performed in the Z-axis direction, the X-axis direction, and the Y-axis direction. In the fine adjustment in the Z-axis direction, the SHG element holder 14 is moved in the Z-axis direction in the N field of view, so that the gap between the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 is about 3 to 7 μm. The element holder 14 is gradually lowered and adjusted.
The fine adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed by moving the flange 13b and the SHG element holder 14 in the X-axis direction and the Y-axis direction along the plane part 201 of the support base 20 in the M field of view. The position of the SHG element holder 14 is adjusted so that the light intensity of the green laser light becomes the maximum value by the light intensity detecting means.

Ｚ軸方向の微調整、およびＸ軸方向、Ｙ軸方向の微調整の後、フランジ１３ｂを、フランジ部１３２が支持台２０の平面部２０１に当接する位置まで下にスライドし、支持台２０の平面部２０１の上に載置する。その後、フランジ１３ｂの胴部１３１とＳＨＧ素子ホルダ１４を、レーザスポット溶接機でレーザスポットを同時に複数個所照射し固着する。   After fine adjustment in the Z-axis direction and fine adjustment in the X-axis direction and the Y-axis direction, the flange 13b is slid down to a position where the flange portion 132 abuts the flat surface portion 201 of the support base 20, and It is placed on the flat part 201. Thereafter, the body 131 of the flange 13b and the SHG element holder 14 are fixed by simultaneously irradiating a plurality of laser spots with a laser spot welder.

その結果、図１５に示すように、ＳＴ３３の調整工程終了後のレーザ光源３は、Ｎ視野を用いたＺ軸方向の調整が終了し、半導体レーザ２２の周囲をフランジ１３ｂと支持台２０で覆った外観になる。従って、Ｎ視野はフランジ１３ｂにより遮られた状態になるが、矢印Ｍ方向のカメラのＭ視野は表示可能となっている。   As a result, as shown in FIG. 15, the laser light source 3 after the adjustment process of ST33 has finished the adjustment in the Z-axis direction using the N field of view, and the periphery of the semiconductor laser 22 is covered with the flange 13b and the support base 20. Appearance becomes. Accordingly, the N field of view is blocked by the flange 13b, but the M field of view of the camera in the direction of the arrow M can be displayed.

次に、ＳＴ３４において、フランジ１３ｂを、支持台２０の平面部２０１に沿ってＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動させ、Ｍ視野のカメラの光強度検出手段を用いて緑色レーザ光の光強度が最大値になるように、位置合わせの再調整を行う。   Next, in ST34, the flange 13b is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction along the plane part 201 of the support base 20, and the light intensity of the green laser light is increased using the light intensity detection means of the M-field camera. Readjust the alignment to the maximum value.

フランジ１３ｂを移動させて、光強度が最大値になった位置で、フランジ１３ｂのフランジ部１３２と支持台２０の平面部２０１に、レーザスポット溶接機（ＹＡＧ溶接機）のレーザスポットを同時に複数個所照射し、フランジ１３ｂと支持台２０を固着する。
以上の工程により、半導体レーザ２２の発光点２２０と光導波路１５０の入射口１５１の間隙、位置の調整が全て完了する。 At a position where the light intensity reaches the maximum value by moving the flange 13b, a plurality of laser spots of a laser spot welder (YAG welder) are simultaneously placed on the flange portion 132 of the flange 13b and the flat surface portion 201 of the support base 20. Irradiation is performed to fix the flange 13b and the support base 20 together.
Through the above steps, the adjustment of the gap and position between the light emitting point 220 of the semiconductor laser 22 and the entrance 151 of the optical waveguide 150 is completed.

本発明の実施例３のレーザ光源３は、所定の高さを有する支持台２０を基台１１上に設け、支持台２０に形成された平面部２０１にフランジ１３ｂが載置されて固定される。これにより、基台１１にフランジ１３ａが載置される実施例２の構成と比較して、フランジ１３ｂが載置される面とＳＨＧ素子１５の光導波路の入射口１５１の距離が短くなる。   In the laser light source 3 according to the third embodiment of the present invention, a support base 20 having a predetermined height is provided on the base 11, and a flange 13 b is placed and fixed on a flat portion 201 formed on the support base 20. . Thereby, compared with the structure of Example 2 in which the flange 13a is mounted in the base 11, the distance of the entrance 151 of the optical waveguide of the SHG element 15 and the surface in which the flange 13b is mounted becomes short.

よって、調整工程のＳＴ３４において溶接によりフランジ１３ｂを固定する際に、アンバランスが生じてフランジ１３ｂが若干傾くことがあったとしても、実施例３のレーザ光源３は、フランジ１３ｂの傾きによる位置ずれを抑え、発光効率の良いレーザ光源を提供することが可能となる。   Therefore, even when the flange 13b is slightly inclined when fixing the flange 13b by welding in ST34 of the adjustment process, the laser light source 3 of the third embodiment is displaced due to the inclination of the flange 13b. Therefore, it is possible to provide a laser light source with high emission efficiency.

また、本発明の実施例３のレーザ光源３は、支持台２０のフランジ１３ｂより内側の位置に、円筒リング状に突出して設けられた隔壁２０２を備えている。これにより、調整工程のＳＴ３４においてフランジ１３ｂを溶接する際に飛び出すスパッタや酸化物などの異物が、この隔壁２０２に遮られて、スパッタや酸化物などの異物の付着による半導体レーザ２２の不良を防ぐことが可能となる。   Further, the laser light source 3 according to the third embodiment of the present invention includes a partition wall 202 provided in a cylindrical ring shape at a position inside the flange 13b of the support base 20. As a result, foreign matter such as spatter and oxide popping out during welding of the flange 13b in ST34 in the adjustment step is blocked by the partition wall 202, thereby preventing the semiconductor laser 22 from being defective due to adhesion of foreign matter such as spatter and oxide. It becomes possible.

上記調整工程の後、実施例２と同様に、図６に示すように、キャップ１６のフランジ部１６２を抵抗溶接して、半導体レーザ２２やＳＨＧ素子１５を気密封止することで、ＴＯキャンパッケージの形状に形成されたレーザ光源３が完成する。
本例においては、フランジ１３ａに、実施例１、２で説明した窓１３４が形成されていても差し支えはない。 After the adjustment step, as shown in FIG. 6, the flange portion 162 of the cap 16 is resistance-welded and the semiconductor laser 22 and the SHG element 15 are hermetically sealed, as shown in FIG. The laser light source 3 formed in the shape is completed.
In this example, the window 134 described in the first and second embodiments may be formed on the flange 13a.

（実施例４）
次に、本発明に係るレーザ光源の実施例４について説明する。
実施例４のレーザ光源４は、実施例２、３と同様に、半導体レーザ発光部とＳＨＧ素子の光導波路を、直接光学的に結合し波長変換して発光する直接結合型のレーザ光源である。なお、本例は実施例１と同様にレンズを用いた例にも適用可能である。 Example 4
Next, a fourth embodiment of the laser light source according to the present invention will be described.
The laser light source 4 of the fourth embodiment is a direct coupling type laser light source that emits light by optically coupling and wavelength-converting the semiconductor laser light emitting section and the optical waveguide of the SHG element, as in the second and third embodiments. . In addition, this example is applicable also to the example using a lens similarly to Example 1.

［実施例４の構成：図１７−図１８］
図１７と図１８は、本発明の実施例４のレーザ光源４の構成を説明する図面である。外観については実施例２の図６と同様なので外観図は省略する。図１７は、実施例３の図１２の断面図と同様にレーザ光源４の構成を示す断面図であり、図１８（ａ）は、レーザ光源４の構成を示す分解斜視図であり、図１８（ｂ）はフランジの分解斜視図である。各図において、実施例１と同一の構成部材には同一の番号を付して、重複する説明は省略する。 [Configuration of Example 4: FIGS. 17 to 18]
17 and 18 are diagrams illustrating the configuration of the laser light source 4 according to the fourth embodiment of the present invention. Since the external appearance is the same as that in FIG. 6 of the second embodiment, the external view is omitted. FIG. 17 is a cross-sectional view showing the configuration of the laser light source 4 as in the cross-sectional view of FIG. 12 of the third embodiment, and FIG. 18A is an exploded perspective view showing the configuration of the laser light source 4. (B) is an exploded perspective view of a flange. In each figure, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図１７および図１８（ａ）に示すように、実施例４のレーザ光源４は、実施例３のレーザ光源３と比較して第２の保持部材の一例であるフランジ１３ｃの構造が異なる。即ち、図１８（ｂ）に示すように、フランジ１３ｃが、第１の円筒１３６、第２の円筒１３７および第３の円筒１３８の３つの円筒を組み合わせて構成されている。   As shown in FIGS. 17 and 18A, the laser light source 4 of the fourth embodiment is different from the laser light source 3 of the third embodiment in the structure of a flange 13c that is an example of a second holding member. That is, as shown in FIG. 18B, the flange 13 c is configured by combining three cylinders of a first cylinder 136, a second cylinder 137, and a third cylinder 138.

第１の円筒１３６は、実施例３と同様に、ＳＨＧ素子ホルダ１４と嵌合する直径を持つガイド孔１３３を形成し、その外周に第２の円筒１３７が嵌合し固着される。また、第２の円筒１３７の外周には、第３の円筒１３８が嵌合し固着される。各円筒を互いに固着する方法は、例えば、嵌合のしまりばめ、または接着であってもよい。第１および第３の円筒の材質は例えばＳＵＳ３０４からなる。第２の円筒の材質は、断熱性と寸法安定性の優れた材質、例えば低熱伝導率のセラミクス等からなる。   As in the third embodiment, the first cylinder 136 forms a guide hole 133 having a diameter that fits with the SHG element holder 14, and the second cylinder 137 is fitted and fixed to the outer periphery thereof. A third cylinder 138 is fitted and fixed to the outer periphery of the second cylinder 137. The method of fixing the cylinders to each other may be, for example, an interference fit or adhesion. The material of the first and third cylinders is, for example, SUS304. The material of the second cylinder is made of a material having excellent heat insulation and dimensional stability, for example, a ceramic having low thermal conductivity.

第１の円筒１３６は、実施例３のフランジ１３ｂの胴部１３１（図１２参照）と同様に
、ガイド孔１３３が形成される。また、第３の円筒１３８は、実施例３のフランジ１３ｂのフランジ部１３２（図１２参照）と同様に、フランジ孔１３５が形成される。
基台１１、ＳＨＧ素子ホルダ１４、ＳＨＧ素子１５、キャップ１６、フィルタ１７、リード線１９、支持台２０、ブロック２１、半導体レーザ２２は、構成、機能について実施例３と同様であるので、説明を省略する。 The first cylinder 136 is formed with a guide hole 133 in the same manner as the body 131 (see FIG. 12) of the flange 13b of the third embodiment. Further, the third cylinder 138 is formed with a flange hole 135 similarly to the flange portion 132 (see FIG. 12) of the flange 13b of the third embodiment.
Since the base 11, the SHG element holder 14, the SHG element 15, the cap 16, the filter 17, the lead wire 19, the support base 20, the block 21, and the semiconductor laser 22 are the same in configuration and function as those of the third embodiment, the description will be given. Omitted.

実施例４のレーザ光源４は、フランジ１３ｃの第２の円筒１３７を断熱性の材質で形成することで、半導体レーザ２２とＳＨＧ素子１５が熱的に遮断される。これにより、半導体レーザ２２とＳＨＧ素子１５の動作温度を、それぞれ別々に管理することが可能となる。
例えば、図１７に示すように、基台１１に、２点鎖線で示す領域に冷却機能を有するペルチェ素子１１２を取り付ける。また、第１の円筒１３６には２点鎖線で示す領域に発熱機能を有するチップ抵抗１３９を取り付ける。 In the laser light source 4 of the fourth embodiment, the semiconductor cylinder 22 and the SHG element 15 are thermally cut off by forming the second cylinder 137 of the flange 13c with a heat insulating material. As a result, the operating temperatures of the semiconductor laser 22 and the SHG element 15 can be managed separately.
For example, as shown in FIG. 17, a Peltier element 112 having a cooling function is attached to the base 11 in a region indicated by a two-dot chain line. A chip resistor 139 having a heat generating function is attached to the first cylinder 136 in a region indicated by a two-dot chain line.

このような構成とすることにより、例えば、半導体レーザ２２を最も発光効率の良い動作温度の約４０℃に保つとともに、ＳＨＧ素子１５を最も波長変換効率の良い動作温度の約５０℃に保つように温度を管理することが可能である。これにより、発光効率の一段と優れたレーザ光源を提供することが可能である。   By adopting such a configuration, for example, the semiconductor laser 22 is maintained at about 40 ° C. having the highest light emission efficiency, and the SHG element 15 is maintained at about 50 ° C. having the highest wavelength conversion efficiency. It is possible to manage the temperature. As a result, it is possible to provide a laser light source with even better luminous efficiency.

上述したように、実施例４のレーザ光源４は、フランジ１３ｃ以外の構成は実施例３と同様であり、図１４−図１６に示す方法で、半導体レーザ２２とＳＨＧ素子１５の３軸方向の位置調整を高精度で行うことが可能である。   As described above, the laser light source 4 of the fourth embodiment is the same as that of the third embodiment except for the flange 13c. The laser light source 4 in the three-axis direction of the semiconductor laser 22 and the SHG element 15 is formed by the method shown in FIGS. Position adjustment can be performed with high accuracy.

図１７および図１８においては、実施例３のレーザ光源の構成において、断熱性の材質で形成される円筒部を有するフランジを備える例を示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、実施例１または２のレーザ光源の構成において、ＳＨＧ素子を保持するフランジが断熱性の材質で形成される円筒部を有する構成であってもよい。
このような構成とすることにより、同様に、半導体レーザとＳＨＧ素子を熱的に遮断し、半導体レーザとＳＨＧ素子を最適な温度に保つように温度管理をすることが可能となる。
本例においても、第３の円筒１３８に、実施例１、２で説明した窓が形成されていても差支えがない。 17 and 18 show an example in which a flange having a cylindrical portion formed of a heat insulating material is provided in the configuration of the laser light source of the third embodiment. However, the present invention is not limited to this, and in the configuration of the laser light source of Example 1 or 2, the flange holding the SHG element may have a cylindrical portion formed of a heat insulating material. Good.
By adopting such a configuration, similarly, it becomes possible to thermally control the semiconductor laser and the SHG element so as to keep the semiconductor laser and the SHG element at an optimum temperature.
Also in this example, there is no problem even if the window described in the first and second embodiments is formed in the third cylinder 138.

なお、本発明の実施例において、赤色あるいは赤外のレーザ光を波長変換して緑色レーザ光を得るレーザ光源の説明を行ったが、この波長変換は青色、紫色、紫外レーザ光にも適応できることは言うまでもない。   In the embodiment of the present invention, the laser light source that converts the wavelength of red or infrared laser light to obtain green laser light has been described. However, this wavelength conversion can be applied to blue, purple, and ultraviolet laser light. Needless to say.

１、２、３、４ レーザ光源
１１ 基台
１２ 半導体レーザ
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ フランジ
１４ ＳＨＧ素子ホルダ
１５ ＳＨＧ素子
１６ キャップ
１７ フィルタ
１８ ハーメチックシール
１９ リード線
２０ 支持台
２１ ブロック
２２ 半導体レーザ
１１１ 平面部
１１２ ペルチェ素子
１２０ レーザ光
１２１ 焦点
１３１ 胴部
１３２ フランジ部
１３３ ガイド孔
１３４ 窓部
１３５ フランジ孔
１３６ 第１の円筒
１３７ 第２の円筒
１３８ 第３の円筒
１３９ チップ抵抗
１４０ 溝
１４１ 底面
１４２ 側壁
１５０ 光導波路
１５１ 入射口
１５２ 左側面
１５３ 裏面
１６１ 孔
１６２ フランジ部
２０１ 平面部
２０２ 隔壁
２２０ 発光点 1, 2, 3, 4 Laser light source 11 Base 12 Semiconductor laser 13a, 13b, 13c Flange 14 SHG element holder 15 SHG element 16 Cap 17 Filter 18 Hermetic seal 19 Lead wire 20 Support base 21 Block 22 Semiconductor laser 111 Plane part 112 Peltier element 120 Laser beam 121 Focus 131 Body portion 132 Flange portion 133 Guide hole 134 Window portion 135 Flange hole 136 First cylinder 137 Second cylinder 138 Third cylinder 139 Chip resistance 140 Groove 141 Bottom surface 142 Side wall 150 Optical waveguide 151 Entrance port 152 Left side surface 153 Back surface 161 hole 162 Flange portion 201 Planar portion 202 Partition 220 Light emitting point

Claims (2)

レーザ素子と光導波路型の非線形光学結晶素子とを有し、前記レーザ素子のレーザ光を前記光導波路型の非線形光学結晶素子で波長変換して出射するレーザ光源において、
前記レーザ素子が固定される基台と、
前記光導波路型の非線形光学結晶素子を保持する第１の保持部材と、
前記第１の保持部材を保持する第２の保持部材と、
前記基台に載置され、前記第２の保持部材を支持する支持部材と、を備え、
前記支持部材と前記第２の保持部材とは、レーザ溶接にて互いに固定され、
前記支持部材は、前記レーザ素子と前記第２の保持部材との間に前記レーザ素子の発光面よりも低い隔壁を有することを特徴とするレーザ光源。 In a laser light source having a laser element and an optical waveguide type nonlinear optical crystal element, and emitting a laser beam of the laser element after wavelength conversion by the optical waveguide type nonlinear optical crystal element,
A base on which the laser element is fixed;
A first holding member holding the optical waveguide type nonlinear optical crystal element;
A second holding member for holding the first holding member;
A support member mounted on the base and supporting the second holding member;
The support member and the second holding member are fixed to each other by laser welding,
The laser light source, wherein the support member has a partition wall lower than a light emitting surface of the laser element between the laser element and the second holding member. 前記レーザ素子の出射光は、前記光導波路型の非線形光学結晶素子に直接結合することを特徴とする請求項１に記載のレーザ光源。   The laser light source according to claim 1, wherein the light emitted from the laser element is directly coupled to the optical waveguide type nonlinear optical crystal element.
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