JP5666876B2 - Method for dividing multilayer ceramic capacitor substrate - Google Patents
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Description
本発明は、積層セラミックスコンデンサー基板を個々のチップコンデンサーに分割する積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法に関する。 The present invention relates to a method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate in which the multilayer ceramic capacitor substrate is divided into individual chip capacitors.
積層セラミックスコンデンサー基板は、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極層とを交互に積層し、最上位層にセラミック層を積層して矩形状に構成されている。この積層セラミックスコンデンサー基板の構造について、図1および図2を参照して説明する。図1および図2に示す積層セラミックスコンデンサー基板10は、ガラス基板11の表面に分離層となるテープ12を介して形成される。即ち、図2に示すようにガラス基板11の表面に貼着されたテープ12上に生セラミックスが塗布され厚さ5μm程度の生セラミックス層110を形成し、この生セラミックス層110の表面に例えばバラジウムなどの電極金属をスクリーン印刷して厚さ1μm程度の電極層120を形成する。この電極層120は、図1に示すように格子状に区画された複数個の電極121が形成されている。このように形成された生セラミックス層110と電極層120を交互に200層程度積層し、図2に示すように最上位層に生セラミック層110が形成されている。
The multilayer ceramic capacitor substrate is formed by alternately laminating a ceramic layer and an electrode layer having a plurality of electrodes formed on the surface of the ceramic layer and partitioned in a lattice pattern, and laminating the ceramic layer on the top layer. It is configured in shape. The structure of this multilayer ceramic capacitor substrate will be described with reference to FIGS. A multilayer
上記のようにして構成された積層セラミックスコンデンサー基板10は最上位層にセラミック層110が形成されており、表面から電極の位置を確認することができないので、個々のチップコンデンサーに分割するに際しては、電極121の位置を確認することができない。そこで、積層セラミックスコンデンサー基板10の向かい合う一対の辺に隣接した領域に外周の断面形状がV字状の切削ブレードを用いてV溝を形成することにより、該V溝の壁面に表出された電極を認識するようにしている。このように構成された焼結前の生の積層セラミックスコンデンサー基板10を個々のチップコンデンサーに分割するに際しては、積層セラミックスコンデンサー基板10が積層されたテープ12をガラス基板11から剥離し、テープ12を積層セラミックスコンデンサー基板10が積層された状態で図3に示すように環状のフレームFに装着する。
In the multilayer
上述した積層セラミックスコンデンサー基板10を個々のチップコンデンサーに分割する方法が下記特許文献1に開示されている。
下記特許文献1に開示された積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、以下に述べる工程を経て個々のチップコンデンサーに分割する。
(1)積層セラミックスコンデンサー基板10の向かい合う一対の辺に隣接した領域に外周の断面形状がV字状の切削ブレードを用いて切削し幅が1〜2mmのV溝を形成して、電極を表出する電極表出工程。
(2)電極表出工程によって表出された電極を撮像手段によって撮像して検出するとともに、撮像手段と積層セラミックスコンデンサー基板10を相対的に割り出し送りしつつ切削領域を設定するアライメント工程。
(3)アライメント工程によって設定された切削領域に切断用切削ブレードを位置付け、切削ブレードと積層セラミックスコンデンサー基板10を相対的に切削送りすることにより個々のセラミックスコンデンサーに分割する分割工程。
A method for dividing the multilayer
The method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate disclosed in the following
(1) A V-groove having a width of 1 to 2 mm is formed in a region adjacent to a pair of opposite sides of the multilayer
(2) An alignment process in which the electrode exposed in the electrode exposing process is imaged and detected by the imaging means, and the cutting area is set while relatively indexing and feeding the imaging means and the multilayer
(3) A dividing step in which the cutting blade is positioned in the cutting region set by the alignment step and the cutting blade and the multilayer
上記特許文献1に開示された積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、V字状の切削ブレードを備えた切削手段と切断用切削ブレードを備えた切削手段とを装備した1台の切削装置によって実施するため、V字状の切削ブレードを備えた切削手段によってV溝を形成して切削領域を設定するアライメント工程を実施している間は切断用切削ブレードを備えた切削手段は休止しており、逆に切断用切削ブレードを備えた切削手段によって分割工程を実施している間はV字状の切削ブレードを備えた切削手段は休止しているため、生産性が悪いという問題がある。
また、V字状の切削ブレードを備えた切削手段によってV溝を形成する電極表出工程に要する時間は、切断用切削ブレードを備えた切削手段によって切断する分割工程に要する時間の二分の一以下であるため、V字状の切削ブレードを備えた切削手段は稼働時間の2倍以上が休止しているため特に生産性が悪い。
The method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate disclosed in
Further, the time required for the electrode exposing process for forming the V groove by the cutting means provided with the V-shaped cutting blade is less than half of the time required for the dividing process for cutting by the cutting means provided with the cutting blade for cutting. Therefore, the cutting means provided with the V-shaped cutting blade is particularly inferior in productivity because it has been suspended for more than twice the operating time.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、積層セラミックスコンデンサー基板を効率よく個々のチップコンデンサーに分割することができる積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and its main technical problem is to provide a method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate that can efficiently divide the multilayer ceramic capacitor substrate into individual chip capacitors. is there.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極層とを交互に積層し、最上位層にセラミックス層を積層して矩形状に構成した積層セラミックスコンデンサー基板を、格子状に区画された個々のチップコンデンサーに分割する分割方法であって、
積層セラミックスコンデンサー基板にIDマークを設定するIDマーク設定工程と、
第1の加工装置を用い、積層セラミックスコンデンサー基板の向かい合う一対の辺に隣接して一対の傾斜溝を形成し該電極を表出する電極表出工程と、
該電極表出工程によって表出された該電極を撮像する撮像手段によって撮像し、各電極間の中間位置に関する切断座標値を検出し、IDマークが設定された積層セラミックスコンデンサー基板の切断位置情報を作成する切断位置情報作成工程と、
第2の加工装置を用い、該切断位置情報作成工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板に設定されたIDマークを読み取ることにより該切断位置情報を取得し、該切断位置情報に基づいて積層セラミックスコンデンサー基板を切断する切断工程と、を含み、
該第2の加工装置は、積層セラミックスコンデンサー基板に形成された互いに交差する2本の傾斜溝の角度を検出する角度検出工程と、該角度検出工程において検出された2本の傾斜溝の角度が90度でない角度(α)の場合には該切断位置情報を修正する切断位置情報修正工程を該切断工程の前に実施する、
ことを特徴とする積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法が提供される。
In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a ceramic layer and an electrode layer having a plurality of electrodes formed on the surface of the ceramic layer and partitioned in a lattice pattern are alternately stacked, A division method of dividing a multilayer ceramic capacitor substrate having a rectangular shape by laminating ceramic layers on a layer into individual chip capacitors partitioned in a lattice pattern,
An ID mark setting step for setting an ID mark on the multilayer ceramic capacitor substrate;
An electrode exposing step of forming a pair of inclined grooves adjacent to a pair of opposite sides of the multilayer ceramic capacitor substrate using the first processing apparatus and exposing the electrode;
An image is picked up by an image pickup means for picking up the electrode exposed in the electrode exposing step, a cutting coordinate value relating to an intermediate position between the electrodes is detected, and cutting position information of the multilayer ceramic capacitor substrate in which the ID mark is set is obtained. Cutting position information creation process to create,
Using the second processing device, the cutting position information is obtained by reading the ID mark set on the multilayer ceramic capacitor substrate on which the cutting position information creating step has been performed, and the multilayer ceramic capacitor is obtained based on the cutting position information. and a cutting step of cutting the substrate, only including,
The second processing apparatus includes an angle detection step of detecting an angle of two inclined grooves formed on the multilayer ceramic capacitor substrate, and an angle of the two inclined grooves detected in the angle detection step. In the case of an angle (α) that is not 90 degrees, a cutting position information correction step for correcting the cutting position information is performed before the cutting step.
A method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate is provided.
上記切断位置情報修正工程は、各切断位置の間隔を該間隔にsinαを乗算した値に修正する。 Upper SL cutting position information correction step is corrected to a value of intervals between the cutting position by multiplying the sinα in the interval.
本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、第1の加工装置と第2の加工装置を用い、第1の加工装置によって少なくとも電極表出工程を実施し、第2の加工装置によって作業時間を要する切断工程を実施するので、作業時間を勘案して第1の加工装置と第2の加工装置の台数を設定することにより、生産効率のよい生産ラインを構築することができる。
また、IDマーク設定工程および切断位置情報作成工程をそれぞれ専用のIDマーク設定装置および切断位置情報作成装置を用いて実施し、第1の加工装置による電極表出工程および第2の加工装置による切断工程の所要時間を勘案して第1の加工装置1とIDマーク設定装置と切断位置情報作成装置および第2の加工装置の台数を設定することにより、生産効率のよい生産ラインを構築することができる。
更に、第1の加工装置によってIDマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程を実施し、第2の加工装置によって多くの作業時間を要する切断工程を実施することにより、両加工装置による作業時間を平均化することができ、生産性を向上することができる。
また、第2の加工装置は、積層セラミックスコンデンサー基板に形成された互いに交差する2本の傾斜溝の角度を検出する角度検出工程と、該角度検出工程において検出された2本の傾斜溝の角度が90度でない角度(α)の場合には該切断位置情報を修正する切断位置情報修正工程を該切断工程の前に実施するので、生の積層セラミックスコンデンサー基板を搬送する際に歪が生じても、所定の切断位置で切断することができる。
The method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate according to the present invention uses a first processing device and a second processing device, performs at least an electrode exposing step by the first processing device, and reduces the work time by the second processing device. Since the necessary cutting process is performed, a production line with high production efficiency can be constructed by setting the number of first processing devices and second processing devices in consideration of the working time.
Also, the ID mark setting step and the cutting position information creation step are performed using a dedicated ID mark setting device and cutting position information creation device, respectively, and the electrode exposing step by the first processing device and the cutting by the second processing device are performed. By setting the number of the
Further, the ID mark setting process, the electrode exposing process, and the cutting position information creating process are performed by the first processing apparatus, and the cutting process requiring a lot of work time is performed by the second processing apparatus. The work time can be averaged, and productivity can be improved.
Further, the second processing apparatus includes an angle detection step of detecting an angle of two inclined grooves formed on the multilayer ceramic capacitor substrate and an angle of the two inclined grooves detected in the angle detection step. When the angle is not 90 degrees (α), the cutting position information correcting step for correcting the cutting position information is performed before the cutting step, so that distortion occurs when the raw multilayer ceramic capacitor substrate is conveyed. Can be cut at a predetermined cutting position.
以下、本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of a method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
図4には、本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法に用いる第1の加工装置の斜視図が示されている。
図4に示された第1の加工装置1は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたスピンドル支持機構4と、該スピンドル支持機構4に後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な矢印Zで示す切り込み送り方向(Z軸方向)に移動可能に配設された切削手段としてのスピンドルユニット5およびレーザー光線照射手段6を具備している。
FIG. 4 is a perspective view of a first processing apparatus used in the method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate according to the present invention.
The
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361の上面である保持面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設されたパルスモータ340(M1)によって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、上記環状のフレームFを固定するためのクランプ362が配設されている。
The
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って加工送り方向(X軸方向)に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って加工送り方向(X軸方向)に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372(M2)等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372(M2)の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372(M2)によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って加工送り方向(X軸方向)に移動せしめられる。
The first sliding
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、チャックテーブル36のX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段374を具備している。X軸方向位置検出手段374は、上記案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374b(LS1)とからなっている。このX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374b(LS1)は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
The
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322に沿って割り出し送り方向(Y軸方向)に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382(M3)等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382(M3)の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382(M3)によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられる。
The second sliding
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、上記第2の滑動ブロック33(チャックテーブル36)のY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段384を備えている。Y軸方向位置検出手段384は、案内レール322に沿って配設されたリニアスケール384aと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともにリニアスケール384aに沿って移動する読み取りヘッド384b(LS2)とからなっている。このY軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384b(LS2)は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
The
上記スピンドル支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面にチャックテーブル36の被加工物保持面に対して垂直な矢印Zで示す切り込み送り方向(Z軸方向)に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるスピンドル支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って割り出し送り方向(Y軸方向)に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ネジロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432(M4)等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432(M4)の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432(M4)によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられる。
The
図示の実施形態のおけるスピンドルユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたスピンドルハウジング52と、該スピンドルハウジング52に回転可能に支持された回転スピンドル53を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、チャックテーブル36の保持面に対して垂直な切り込み送り方向(Z軸方向)に移動可能に支持される。上記回転スピンドル53はスピンドルハウジング52の先端から突出して配設されており、この回転スピンドル53の先端部に傾斜溝を形成するためのV溝形成用切削ブレード54が装着されている。このV溝形成用切削ブレード54は、外周部の断面形状がV状に形成されたV溝形成用切れ刃を備えている。なお、V溝形成用切削ブレード54を装着した回転スピンドル53は、サーボモータ55(M5)等の駆動源によって回転駆動せしめられる。
The
図示の実施形態におけるスピンドルユニット5は、ユニットホルダ51を2本の案内レール423、423に沿って切り込み送り方向(Z軸方向)に移動させるための切り込み送り手段56を具備している。切り込み送り手段56は、上記加工送り手段37や第1の割り出し送り手段38および第2の割り出し送り手段43と同様に案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ562(M6)等の駆動源を含んでおり、パルスモータ562(M6)によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51とスピンドルハウジング52および回転スピンドル53を案内レール423、423に沿ってZ軸方向に移動せしめる。
The
図示の実施形態におけるスピンドルユニット5は、V溝形成用切削ブレード54のZ軸方向位置(切り込み送り位置)を検出するためのZ軸方向位置検出手段57を具備している。Z軸方向位置検出手段57は、上記案内レール423、423と平行に配設されたリニアスケール57aと、上記ユニットホルダ51に取り付けられユニットホルダ51とともにリニアスケール57aに沿って移動する読み取りヘッド57b(LS3)とからなっている。このZ軸方向位置検出手段57の読み取りヘッド57b(LS3)は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。
The
以上のように構成されたスピンドルユニット5のユニットホルダ51には、レーザー光線照射手段6が取り付けられている。このレーザー光線照射手段6は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング61を含んでいる。ケーシング61内には図示しないYAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング61の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器62が装着されている。
The laser beam irradiation means 6 is attached to the
図示の実施形態における第1の加工装置1は、上記スピンドルハウジング52の前端部に配設された撮像手段7(SD)を備えている。この撮像手段7(SD)は、複数個の画素からなる撮像素子(CCD)および顕微鏡等の光学系等を備えており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。このように構成された撮像手段7(SD)は、撮像領域の中心が上記V溝形成用切削ブレード54および集光器62とX軸方向の同一線上に配設されている。
The
図示の実施形態における第1の加工装置1は、図5に示すように制御手段20を具備している。制御手段20はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)201と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)202と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)203と、入力インターフェース204および出力インターフェース205とを備えている。このように構成された制御手段20の入力インターフェース204には、図4に示すX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374b(LS1)、Y軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384b(LS2)、Z軸方向位置検出手段57の読み取りヘッド57b(LS3)、撮像手段7(SD)、入力手段(IM)等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース205からは上記パルスモータ340(M1)、パルスモータ372(M2)、パルスモータ382(M3)、パルスモータ432(M4)、サーボモータ55(M5)、パルスモータ562(M6)、レーザー光線照射手段6および表示手段(DP)に制御信号を出力するとともに、後述する第2の切削装置に送信する送信手段(SM) に制御信号を出力する。
The
図示の実施形態における第1の加工装置1は以上のように構成されており、該第1の加工装置1を用いて実施する本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における、積層セラミックスコンデンサー基板10にIDマークを設定するIDマーク設定工程について説明する。
図4に示す第1の加工装置1のチャックテーブル36上に図3に示すように環状のフレームFに装着されたセラミックスコンデンサー基板10が積層されているテープ12側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、テープ12を介してセラミックスコンデンサー基板10をチャックテーブル36上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。そして、セラミックスコンデンサー基板10をテープ12を介して支持している環状のフレームFはクランプ362によって固定される。このようにしてセラミックスコンデンサー基板10を吸引保持したチャックテーブル36は、撮像手段7(SD)の直下まで移動せしめられる。
The
As shown in FIG. 3, the
チャックテーブル36が撮像手段7(SD)の直下に位置付けられたならば、撮像手段7(SD)によってチャックテーブル36に保持されたセラミックスコンデンサー基板10を撮像してIDマークを加工する領域を確認し、このIDマーク加工領域をレーザー光線照射手段6の集光器62の直下に位置付ける。そして、レーザー光線照射手段6を作動するとともに、加工送り手段37と第1の割り出し送り手段38を交互に作動してチャックテーブル36に保持されたセラミックスコンデンサー基板10のIDマーク加工領域に、図6に示すようにバーコードからなるIDマーク100を形成する(IDマーク設定工程)。このIDマーク100は、例えばオペレータが入力手段(IM)から入力したコード番号が制御手段20からレーザー光線照射手段6に出力される制御信号に基づいて形成される。
If the chuck table 36 is positioned immediately below the image pickup means 7 (SD), the image pickup means 7 (SD) picks up an image of the
上述したIDマーク設定工程を実施したならば、再度セラミックスコンデンサー基板10を吸引保持したチャックテーブル36を撮像手段7(SD)の直下まで移動し、撮像手段7(SD)によって、セラミックスコンデンサー基板10の一辺を検出し、この一辺を図4において矢印Xで示す加工送り方向に一致させるようにチャックテーブル36を回動調整する。そして、V溝形成用切削ブレード54とセラミックスコンデンサー基板10の一辺から所定距離内側の切削領域との位置合わせ作業が行われる。その後、V溝形成用切削ブレード54を所定の方向に回転させつつ、セラミックスコンデンサー基板10を吸引保持したチャックテーブル36を矢印Xで示す加工送り方向(V溝形成用切削ブレード54の回転軸と直交する方向)に移動することにより、図7に示すようにセラミックスコンデンサー基板10の表面に幅が1〜2mmのV溝130を形成する。このV溝形成作業を図7に示すように向かい合う一対の辺に隣接した切削領域に実施することにより、各V溝130に電極121が表出する(電極表出工程)。
When the ID mark setting step described above is performed, the chuck table 36 that sucks and holds the
次に、チャックテーブル36を撮像手段7(SD)の直下に位置付ける。そして、上述した電極表出工程によってV溝130に表出された電極121に基づいて、各電極121間の中間位置に関する切断座標値を検出し、IDマーク100が設定された積層セラミックスコンデンサー基板10の切断位置情報を作成する切断位置情報作成工程を実行する。即ち、撮像手段7(SD)の直下に予め設定された第1番目の電極121が形成された個所を位置付け、撮像手段7(SD)によって撮像して確認し、その座標値を制御手段20のランダムアクセスメモリ(RAM)203に一時格納する。このようにして第1番目の電極121の座標値をランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納したならば、撮像手段7(SD)を予め設定された切削すべき領域の間隔に対応させて図4において矢印Yで示す方向に割り出し送りし、次の電極121を撮像してその座標値を検出する。そして、この電極121の座標値検出作業をV溝130に表出された全ての電極121について実行する。そして、制御手段20は、各電極121の中間位置を求め、この中間位置座標値を切断座標値としてランダムアクセスメモリ(RAM)203に一時格納する。また、制御手段20は、対向する電極121と電極121を結ぶ直線がX軸方向に対して傾斜しているかを検出し、その傾斜角(θ)をランダムアクセスメモリ(RAM)203に一時格納する。
Next, the chuck table 36 is positioned directly below the imaging means 7 (SD). Then, based on the
以上のようにして、切断位置情報作成工程を実行したならば、制御手段20はセラミックスコンデンサー基板10の切断座標値とともに設定されたIDマーク100を後述する第2の加工装置に送信する(切断位置情報送信工程)。
なお、上述した実施形態においてはIDマーク設定工程を電極表出工程の前に実施した例を示したが、IDマーク設定工程は切断位置情報作成工程の前または後でもよい。
When the cutting position information creation step is executed as described above, the
In the above-described embodiment, an example in which the ID mark setting process is performed before the electrode exposing process is shown, but the ID mark setting process may be performed before or after the cutting position information creating process.
次に、本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における切断工程を実施するための第2の加工装置について、図8を参照して説明する。
図8に示す第2の加工装置1aは、上記第1の加工装置1におけるレーザー光線照射手段6を具備していないとともに、後述するバーコードリーダーを備えている以外は第1の加工装置1と実質的に同一であるため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。なお、図8に示す第2の加工装置1aにおける回転スピンドル53の先端部に装着される切断用切削ブレード54aは、厚みが例えば30μm程度に形成されている。
Next, the 2nd processing apparatus for implementing the cutting process in the division | segmentation method of the multilayer ceramic capacitor board | substrate by this invention is demonstrated with reference to FIG.
The
図8に示す第2の加工装置1aは、上述したようにセラミックスコンデンサー基板10に設定されたバーコードからなるIDマーク100を読み取るためのバーコードリーダー8を具備している。このバーコードリーダー8は、撮像手段7(SD)とX軸方向に隣接して配設されている。
The
図8に示す第2の加工装置1aは、図9に示すように制御手段20aを具備している。制御手段20aも上記図5に示す制御手段20と同様にコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)201と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)202と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)203と、入力インターフェース204および出力インターフェース205とを備えている。このように構成された制御手段20aの入力インターフェース204には、図8に示すX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374b(LS1)、Y軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384b(LS2)、Z軸方向位置検出手段57の読み取りヘッド57b(LS3)、撮像手段7(SD)、バーコードリーダー8(BR)、上記制御手段20から送信されるデータを受信する受信手段(RM)等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース205からは上記パルスモータ340(M1)、パルスモータ372(M2)、パルスモータ382(M3)、パルスモータ432(M4)、サーボモータ55(M5)、パルスモータ562(M6)および表示手段(DP)に制御信号を出力する。
The
図8に示す第2の加工装置1aは以上のように構成されており、以下この第2の加工装置1aを用いて実施する本発明による積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法における切断工程について説明する。
上述したように第1の加工装置1によってIDマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板10は、第1の加工装置1のチャックテーブル36から取り外され、図8に示す第2の加工装置1aのチャックテーブル36上にテープ12側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、テープ12を介して積層セラミックスコンデンサー基板10をチャックテーブル36上に吸引保持する(ウエーハ保持工程)。そして、積層セラミックスコンデンサー基板10をテープ12を介して支持している環状のフレームFは、クランプ362によって固定される。このようにして積層セラミックスコンデンサー基板10を吸引保持したチャックテーブル36は、バーコードリーダー8(BR)の直下まで移動せしめられる。
The
As described above, the multilayer
積層セラミックスコンデンサー基板10を吸引保持したチャックテーブル36をバーコードリーダー8(BR)の直下まで移動させたならば、バーコードリーダー8(BR)を作動してセラミックスコンデンサー基板10に設定されたバーコードからなるIDマーク100を読み取り、読み取ったIDマーク情報を制御手段20aに送る(IDマーク読み取り工程)。このようにチャックテーブル36に保持された積層セラミックスコンデンサー基板10に設定されたバーコードからなるIDマーク情報を入力した制御手段20aは、該IDマーク100と上記第1の加工装置1の制御手段20から送信されたIDマーク100に対応する積層セラミックスコンデンサー基板10の切断位置情報を照合して、この切断位置情報に基づいて以下の通り切断工程を実施する。
If the chuck table 36 holding the multilayer
上記IDマーク読み取り工程を実施したならば、積層セラミックスコンデンサー基板10を吸引保持したチャックテーブル36を撮像手段7(SD)の直下に移動する。そして、撮像手段7(SD)および制御手段20aは、電極表出工程で形成されたV溝130を撮像して図10に示すように積層セラミックスコンデンサー基板10に形成された互いに交差する2本のV溝130の角度(α)、即ちX軸ストリートに沿って形成されたV溝130とY軸ストリートに沿って形成されたV溝130とのなす角度(α)を検出し、検出した角度(α)をランダムアクセスメモリ(RAM)203に一時格納する。なお、積層セラミックスコンデンサー基板10にX軸ストリートに沿って形成されたV溝130とY軸ストリートに沿って形成されたV溝130とのなす角度(α)は、上記電極表出工程を実施した状態においては直角(90度)であるが、生の積層セラミックスコンデンサー基板10であるため搬送する際に歪が生ずる。従って、この歪を後述するように補正するために、上記角度(α)を検出する(角度検出工程)。この角度検出工程において上記角度(α)が直角(90度)でない場合には、制御手段20aは上記切断位置情報における各切断位置の間隔を該間隔にsinαを乗算した値に修正する(切断位置情報修正工程)。
When the ID mark reading step is performed, the chuck table 36 that sucks and holds the multilayer
上述したように角度検出工程および切断位置情報修正工程を実施したならば、X軸ストリートに沿って形成されたV溝130を図8において矢印Xで示す加工送り方向に一致させるようにチャックテーブル36を回動調整する。次に、加工送り手段37および第1の割り出し送り手段38を作動して、チャックテーブル36に保持された積層セラミックスコンデンサー基板10におけるIDマーク100を読み取ることによって得られた切断位置情報に基づいて切断位置を切断用切削ブレード54aの直下に位置付ける。そして、切断用切削ブレード54aを所定の方向に回転させつつ切り込み送りし、積層セラミックスコンデンサー基板10を吸引保持したチャックテーブル36を加工送り方向に所定の加工送り速度で加工送りする。この結果、チャックテーブル36に保持された積層セラミックスコンデンサー基板10は、X軸ストリートに沿って切断される(切断工程)。
If the angle detection step and the cutting position information correction step are performed as described above, the chuck table 36 is set so that the V-
上記のようにして、積層セラミックスコンデンサー基板10のX軸ストリートの全てに沿って切断工程を実施したならば、チャックテーブル36を上記角度検出工程によって検出された積層セラミックスコンデンサー基板10にX軸ストリートに沿って形成されたV溝130とY軸ストリートに沿って形成されたV溝130とのなす角度(α)だけ回動し、Y軸ストリートに沿って形成されたV溝130を図8において矢印Xで示す加工送り方向に位置付ける(補正工程)。そして、上述した積層セラミックスコンデンサー基板10の切断位置情報に基づいて、Y軸ストリートに沿って上記切断工程を実施する。
If the cutting process is performed along all the X-axis streets of the multilayer
以上のように図示の実施形態における積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法は、第1の加工装置1と第2の加工装置1aを用い、第1の加工装置1によってIDマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程を実施し、第2の加工装置1aによって多くの作業時間を要する切断工程を実施するので、両加工装置による作業時間を平均化することができ、生産性を向上することができる。
なお、上述した実施形態においては第1の加工装置1によってIDマーク設定工程、電極表出工程および切断位置情報作成工程を実施する例を示したが、IDマーク設定工程および切断位置情報作成工程をそれぞれ専用のIDマーク設定装置および切断位置情報作成装置を用いて実施してもよい。そして、各工程の所要時間を勘案して第1の加工装置1とIDマーク設定装置と切断位置情報作成装置および第2の加工装置1aの台数を設定することにより、生産効率のよい生産ラインを構築することができる。
As described above, the method of dividing the multilayer ceramic capacitor substrate in the illustrated embodiment uses the
In the above-described embodiment, the example in which the ID mark setting process, the electrode exposing process, and the cutting position information creating process are performed by the
1:第1の加工装置
1a:第2の加工装置
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
374:X軸方向位置検出手段
38:第1の割り出し送り手段
384:Y軸方向位置検出手段
4:スピンドル支持機構
43:第2の割り出し送り手段
5:スピンドルユニット
51:ユニットホルダ
52:スピンドルハウジング
53:回転スピンドル
54:V溝形成用切削ブレード
54a:切断用切削ブレード
56:切り込み送り手段
57:Z軸方向位置検出手段
6:レーザー光線照射手段
7:撮像手段(SD)
10:積層セラミックスコンデンサー基板
100:IDマーク
110:生セラミックス層
120:電極層
121:電極
130:V溝
20:制御手段
20a:制御手段
1:
10: multilayer ceramic capacitor substrate 100: ID mark 110: raw ceramic layer 120: electrode layer 121: electrode 130: V groove 20: control means 20a: control means
Claims (2)
積層セラミックスコンデンサー基板にIDマークを設定するIDマーク設定工程と、
第1の加工装置を用い、積層セラミックスコンデンサー基板の向かい合う一対の辺に隣接して一対の傾斜溝を形成し該電極を表出する電極表出工程と、
該電極表出工程によって表出された該電極を撮像する撮像手段によって撮像し、各電極間の中間位置に関する切断座標値を検出し、IDマークが設定された積層セラミックスコンデンサー基板の切断位置情報を作成する切断位置情報作成工程と、
第2の加工装置を用い、該切断位置情報作成工程が実施された積層セラミックスコンデンサー基板に設定されたIDマークを読み取ることにより該切断位置情報を取得し、該切断位置情報に基づいて積層セラミックスコンデンサー基板を切断する切断工程と、を含み、
該第2の加工装置は、積層セラミックスコンデンサー基板に形成された互いに交差する2本の傾斜溝の角度を検出する角度検出工程と、該角度検出工程において検出された2本の傾斜溝の角度が90度でない角度(α)の場合には該切断位置情報を修正する切断位置情報修正工程を該切断工程の前に実施する、
ことを特徴とする積層セラミックスコンデンサー基板の分割方法。 Laminated ceramics in which a ceramic layer and an electrode layer having a plurality of electrodes formed on the surface of the ceramic layer and partitioned in a lattice pattern are alternately laminated, and the ceramic layer is laminated on the uppermost layer to form a rectangular shape A dividing method for dividing a capacitor substrate into individual chip capacitors partitioned in a lattice pattern,
An ID mark setting step for setting an ID mark on the multilayer ceramic capacitor substrate;
An electrode exposing step of forming a pair of inclined grooves adjacent to a pair of opposite sides of the multilayer ceramic capacitor substrate using the first processing apparatus and exposing the electrode;
An image is picked up by an image pickup means for picking up the electrode exposed in the electrode exposing step, a cutting coordinate value relating to an intermediate position between the electrodes is detected, and cutting position information of the multilayer ceramic capacitor substrate in which the ID mark is set is obtained. Cutting position information creation process to create,
Using the second processing device, the cutting position information is obtained by reading the ID mark set on the multilayer ceramic capacitor substrate on which the cutting position information creating step has been performed, and the multilayer ceramic capacitor is obtained based on the cutting position information. and a cutting step of cutting the substrate, only including,
The second processing apparatus includes an angle detection step of detecting an angle of two inclined grooves formed on the multilayer ceramic capacitor substrate, and an angle of the two inclined grooves detected in the angle detection step. In the case of an angle (α) that is not 90 degrees, a cutting position information correction step for correcting the cutting position information is performed before the cutting step.
A method for dividing a multilayer ceramic capacitor substrate.
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