JP5660521B2 - 不揮発性半導体記憶装置およびメモリ管理方法 - Google Patents
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Description
・ステータス情報が「使用中」のとき:そのメモリセルブロックを継続して使用する。
・ステータス情報が「コピー中」のとき:図9のデータ更新処理(メモリセルブロックのコピー)の実行途中と推定できるので、データ更新処理をやり直す。このとき、コピーの前に、コピー先のメモリセルブロックの内容を一括消去してもよい。
・ステータス情報が「使用済」のとき:メモリセルブロック内のデータを他のメモリセルブロックにコピーする。つまり、図9のデータ更新処理を実行する。
・ステータス情報が「故障」のとき:上述のような故障対応処理を実行する。
・ステータス情報が上記以外のとき:「使用中」と見なす。
そのメモリセルブロックを現在使用中のメモリセルブロックとして特定する(S537)。
2 ECU
10 CPU(メモリ制御部,メモリセルブロック特定部)
11 フラッシュメモリ(不揮発性メモリ)
20 CPU(メモリ制御部,メモリセルブロック特定部)
21 フラッシュメモリ(不揮発性メモリ)
101,201,301,401 ステータス情報記憶領域
102,202,302,402 更新履歴情報記憶領域
ブロック1〜ブロック4 メモリセルブロック
Claims (8)
- 1以上のアドレスを有するメモリセルブロックを複数備える不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに対し、前記メモリセルブロック単位での一括消去処理、予め定められたアドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理、および、前記メモリセルブロック単位で、データ更新元メモリセルブロックからデータ更新先メモリセルブロックへ予め定められたデータを転送するデータ更新処理の制御を行うメモリ制御部と、
を備え、
前記複数のメモリセルブロックは、それぞれ、
該メモリセルブロックの使用状態に関する情報を含むステータス情報を記憶するためのステータス情報記憶領域と、
該メモリセルブロックの前記データ更新処理における更新履歴を含む更新履歴情報を記憶する更新履歴情報記憶領域と、
を備え、
前記更新履歴情報記憶領域は、前記更新履歴が真正なものであるかを検査するためのデータを含み、
前記更新履歴が真正なものであるかを検査した上で、前記ステータス情報および前記更新履歴情報に基づいて、現在使用中のメモリセルブロックを特定するメモリセルブロック特定部を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルブロック特定部は、前記ステータス情報に現在使用中である旨の情報が含まれるメモリセルブロックが複数あるとき、その複数のメモリセルブロックのうち、更新履歴情報に直近の前記データ更新処理におけるデータ更新先であることを示す内容が含まれているメモリセルブロックを、現在使用中のメモリセルブロックとする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記更新履歴情報は、カウンタ値を含み、
前記メモリ制御部は、前記データ更新処理において、前記データ更新先メモリセルブロックのカウンタ値として、前記データ更新元メモリセルブロックのカウンタ値に対して、予め定められた値を加算したものを記憶し、
前記メモリセルブロック特定部は、前記カウンタ値に基づいて、前記直近のデータ更新処理におけるデータ更新先メモリセルブロックを判定する請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルブロック特定部は、前記ステータス情報に現在使用中である旨の情報が含まれるメモリセルブロックが1つしかないとき、該メモリセルブロックを現在使用中のメモリセルブロックとする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 1以上のアドレスを有するメモリセルブロックを複数備える不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに対し、前記メモリセルブロック単位での一括消去処理、予め定められたアドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理、および、前記メモリセルブロック単位で、データ更新元メモリセルブロックからデータ更新先メモリセルブロックへ予め定められたデータを転送するデータ更新処理を実行するメモリ制御部を備えた不揮発性半導体記憶装置のメモリ管理方法であって、
前記複数のメモリセルブロックは、それぞれ、
該メモリセルブロックの使用状態に関する情報を含むステータス情報を記憶するためのステータス情報記憶領域と、
該メモリセルブロックの前記データ更新処理における更新履歴を含む更新履歴情報を記憶する更新履歴情報記憶領域と、
を備え、
前記更新履歴情報記憶領域は、前記更新履歴が真正なものであるかを検査するためのデータを含み、
前記メモリ制御部において、前記更新履歴が真正なものであるかを検査した上で、前記ステータス情報および前記更新履歴情報に基づいて、現在使用中であるメモリセルブロックを特定するメモリセルブロック特定処理を実行することを特徴とするメモリ管理方法。 - 前記メモリセルブロック特定処理において、前記ステータス情報に現在使用中である旨の情報が含まれるメモリセルブロックが複数あるとき、その複数のメモリセルブロックのうち、更新履歴情報に直近の前記データ更新処理におけるデータ更新先であることを示す内容が含まれているメモリセルブロックを、現在使用中のメモリセルブロックとする請求項5に記載のメモリ管理方法。
- 前記更新履歴情報は、カウンタ値を含み、
前記データ更新処理において、前記データ更新先メモリセルブロックのカウンタ値として、前記データ更新元メモリセルブロックのカウンタ値に対して、予め定められた値を加算したものを記憶し、
前記メモリセルブロック特定処理において、前記カウンタ値に基づいて、前記直近のデータ更新処理におけるデータ更新先メモリセルブロックを判定する請求項6に記載のメモリ管理方法。 - 前記メモリセルブロック特定処理において、前記ステータス情報に現在使用中である旨の情報が含まれるメモリセルブロックが1つしかないとき、該メモリセルブロックを現在使用中であるメモリセルブロックとする請求項5ないし請求項7のいずれか1項に記載のメモリ管理方法。
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