JP5644196B2 - Compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display device and organic EL illumination - Google Patents

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Description

本発明は、有機電界発光素子に好適に用いられる化合物及びその用途に関する。より具体的には、電荷輸送材料として使用することにより、発光効率が高く、駆動寿命に優れる有機電界発光素子が得られる化合物、該化合物を含む有機電界発光素子用組成物、該有機電界発光素子用組成物を用いた有機電界発光素子、有機EL表示装置及び有機EL照明に関する。   The present invention relates to a compound suitably used for an organic electroluminescence device and its use. More specifically, by using it as a charge transport material, a compound capable of obtaining an organic electroluminescence device having high luminous efficiency and excellent driving life, a composition for an organic electroluminescence device containing the compound, and the organic electroluminescence device The present invention relates to an organic electroluminescent element, an organic EL display device, and organic EL illumination using the composition for an application.

近年、高効率の薄膜型有機電界発光素子の開発が盛んに行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを設けて形成され、各層に適した材料が開発されつつある。また、有機電界発光素子の発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。   In recent years, high-efficiency thin-film organic electroluminescent devices have been actively developed. Organic electroluminescent devices are usually formed by providing a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, etc. between the anode and the cathode, and materials suitable for each layer are being developed. . In addition, the light emission colors of organic electroluminescent elements are being developed in red, green, and blue, respectively.

しかしながら、青色有機電界発光素子については、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものが未だに実現されておらず、フルカラーディスプレイ用途ならびに有機EL照明用途への適用には制約があるという課題があった。   However, blue organic electroluminescent elements have not been realized yet in terms of efficiency, life, and heat resistance, and there is a problem that there are restrictions on application to full color display applications and organic EL lighting applications. It was.

有機電界発光素子の各構成層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法がある。真空蒸着法は、一般に蒸着材料の使用効率が低いこと、また成膜1工程に要する時間が長いこと、さらには製品の歩留まりが低いことなどの課題がある。そのため、工業的には湿式成膜法が有利であると考えられる。   As a method for forming each constituent layer of the organic electroluminescent element, there are a vacuum vapor deposition method and a wet film formation method. The vacuum deposition method generally has problems such as low use efficiency of the vapor deposition material, a long time required for one film formation process, and a low product yield. Therefore, it is considered industrially that the wet film-forming method is advantageous.

しかし、湿式成膜法により有機電界発光素子の有機層を形成するためには、有機層を形成する材料が溶剤に十分溶解し、かつ湿式成膜後にも素子の構成層として要求される高い性能を有することが望まれる。   However, in order to form an organic layer of an organic electroluminescent element by a wet film formation method, the material for forming the organic layer is sufficiently dissolved in a solvent, and high performance required as a component layer of the element even after wet film formation It is desirable to have

特に近年、有機電界発光素子を用いたフルカラーディスプレイを湿式成膜法により作製するに当たっては、発光素子の小型化・高精細化が進み、1画素への発光材料溶液の塗布量や塗布厚みのばらつき抑制など塗布条件を精密に制御できるような材料であることが要求されるようになってきた。   Particularly in recent years, when producing full color displays using organic electroluminescent elements by wet film formation, the light emitting elements have become smaller and more precise, and variations in the amount of luminescent material solution applied to one pixel and variations in coating thickness have occurred. A material that can precisely control application conditions such as suppression has been demanded.

これらは塗布液についてはその粘度や極性、揮発速度や他の材料との親和性などを調整することによって行われる。そのため、ここで用いられる有機電界発光素子用有機材料には、基本的な性質として、各種の有機溶剤とりわけ湿式成膜法に好適な種類の溶剤に対する極めて高い溶解性が要求されるようになりつつある。
一方で、駆動電圧や発光寿命などの性能も同時に十分なものでなければならない。
These are carried out by adjusting the viscosity, polarity, volatilization rate and affinity with other materials for the coating solution. Therefore, the organic materials for organic electroluminescent elements used here are required to have extremely high solubility in various organic solvents, particularly in the types of solvents suitable for the wet film forming method, as basic properties. is there.
On the other hand, performances such as driving voltage and light emission lifetime must be sufficient at the same time.

しかし、従来開発されている湿式成膜法用材料、とりわけ青色発光材料においては、以上に述べた近年の湿式成膜法に要求される諸条件を満たさないものが多い。   However, many conventionally developed materials for wet film formation, particularly blue light-emitting materials, do not satisfy the conditions required for the recent wet film formation methods described above.

従来、有機電界発光素子の発光層に使用される化合物として、例えば特許文献1には下記式で示される材料が開示されている。   Conventionally, as a compound used for the light emitting layer of an organic electroluminescent element, for example, Patent Document 1 discloses a material represented by the following formula.

Figure 0005644196
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また、特許文献2には、下記式で示される材料が開示されている。   Patent Document 2 discloses a material represented by the following formula.

Figure 0005644196
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特許文献3及び4には、各々下記式で示されるアントラセン化合物が開示されている。   Patent Documents 3 and 4 each disclose an anthracene compound represented by the following formula.

Figure 0005644196
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国際公開第2006/070712号パンフレットInternational Publication No. 2006/070712 Pamphlet 国際公開第2005/054162号パンフレットInternational Publication No. 2005/054162 Pamphlet 国際公開第2002/038524号パンフレットInternational Publication No. 2002/038524 Pamphlet 米国特許出願公開第2005/0089715号明細書US Patent Application Publication No. 2005/0089715

しかしながら、これらの材料は、有機溶剤に対する高い溶解性や耐熱性といった湿式成膜のプロセス上の要求物性を満足していない上に、素子に用いても駆動電圧が高かったり、十分な寿命が得られないなどの問題があった。
また、これらの文献に具体的に記載されている化合物はいずれも真空蒸着法に好適なものであり、有機溶剤に対する溶解性が低いかあるいはほとんど溶解しないため、湿式成膜法にそのまま適用することは困難である。
However, these materials do not satisfy the physical properties required for the wet film formation process, such as high solubility in organic solvents and heat resistance, and the driving voltage is high even when used in devices, and sufficient lifetime is obtained. There was a problem such as not being able to.
In addition, all of the compounds specifically described in these documents are suitable for vacuum deposition, and have low or little solubility in organic solvents. It is difficult.

本発明は、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法により形成することが可能であり、かつ、駆動電圧が低く、十分な発光寿命を有する有機電界発光素子を作製し得る有機化合物及び有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を含む有機EL表示装置及び有機EL照明を提供することを課題とする。   The present invention provides an organic compound and an organic compound capable of forming an organic layer of an organic electroluminescent element by a wet film forming method, and capable of producing an organic electroluminescent element having a low driving voltage and a sufficient emission lifetime. Composition for electroluminescent element, organic electroluminescent element having organic layer formed by wet film formation method using composition for organic electroluminescent element, organic EL display device including organic electroluminescent element and organic It is an object to provide EL lighting.

本発明者らが鋭意検討した結果、ある特定の化学構造を有するアントラセン化合物が、有機溶剤への溶解性が十分高く、かつ、有機電界発光素子を用いた場合に、駆動電圧が低く、十分長い発光寿命を示すという上記課題を解決することを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies by the present inventors, the anthracene compound having a specific chemical structure has a sufficiently high solubility in an organic solvent and has a sufficiently low driving voltage and a sufficiently long time when an organic electroluminescent element is used. The present invention has been completed by finding out that the above-mentioned problem of showing a light emission lifetime is solved.

即ち、本発明は、
下記一般式(I)で表される化合物、
この化合物からなる、電荷輸送材料、
この化合物及び溶剤を含む、有機電界発光素子用組成物、
陽極及び陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、当該有機層が発光層を含み、かつ上記有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法にて形成された層を含む有機電界発光素子、
この有機電界発光素子を含む有機EL表示装置及び有機EL照明、
に存する。
That is, the present invention
A compound represented by the following general formula (I):
A charge transport material comprising this compound,
A composition for an organic electroluminescent device comprising the compound and a solvent,
An organic electroluminescent device having an organic layer between an anode and a cathode, wherein the organic layer includes a light emitting layer, and includes an organic layer including a layer formed by a wet film formation method using the composition for organic electroluminescent devices. Electroluminescent elements,
An organic EL display device and an organic EL illumination including the organic electroluminescent element,
Exist.

Figure 0005644196
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(上記一般式(I)において、フェニル基A及びBは各々独立に、そのm−位がベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個連結してなる1価の基で置換されていてもよく、当該置換基を含め、互いに異なる構造を示す。但し、当該フェニル基A及びBはいずれも、他の任意の環と縮合して縮合環基の一部を形成することはない。) (In the above general formula (I), each of the phenyl groups A and B may be independently substituted at the m-position with a monovalent group formed by linking 1 to 3 benzene rings and / or naphthalene rings. It often shows structures different from each other including the substituent, provided that the phenyl groups A and B are not condensed with any other ring to form a part of the condensed ring group.

以下において、上記一般式(I)で表される本発明の化合物を「化合物(I)」と称す場合がある。   Hereinafter, the compound of the present invention represented by the general formula (I) may be referred to as “compound (I)”.

本発明の化合物(I)は、アントラセン環の9位及び10位に、m−フェニレン基を介して各々異なる特定の(置換)フェニル基を有することにより、アントラセン骨格に対して非対称な構造となり、溶剤に対して高い溶解性を示すと共に、有機電界発光素子に適用した場合に長い発光寿命、その他良好な性能を両立させることができる。   Compound (I) of the present invention has an asymmetric structure with respect to the anthracene skeleton by having different specific (substituted) phenyl groups via the m-phenylene group at the 9th and 10th positions of the anthracene ring, In addition to exhibiting high solubility in a solvent, it is possible to achieve both a long light emission lifetime and other good performance when applied to an organic electroluminescent device.

従って、この化合物(I)を用いることにより、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法により形成することが可能となり、かつ、駆動電圧が低く、十分な発光寿命を有する有機電界発光素子を作製することが可能となる。   Therefore, by using this compound (I), it becomes possible to form an organic layer of an organic electroluminescent element by a wet film forming method, and an organic electroluminescent element having a low driving voltage and a sufficient emission lifetime is provided. It can be produced.

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically an example of the structure of the organic electroluminescent element of this invention. 合成例1にて合成された本発明化合物H−1のH−NMRスペクトルチャートである。2 is a 1 H-NMR spectrum chart of the compound H-1 of the present invention synthesized in Synthesis Example 1. FIG. 合成例2にて合成された本発明化合物H−2のH−NMRスペクトルチャートである。3 is a 1 H-NMR spectrum chart of the compound H-2 of the present invention synthesized in Synthesis Example 2.

以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。   Embodiments of the present invention will be described in detail below. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention.

[語句の説明]
本発明において、単に「芳香環」と称した場合には、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれも含むものとする。
本発明において、「(ヘテロ)アリール」と称した場合には、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれも含むものとする。
本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を1又は2以上有していてもよいことを意味するものとする。
[Explanation of words]
In the present invention, the simple term “aromatic ring” includes both an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring.
In the present invention, the term “(hetero) aryl” includes both an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocycle.
In the present invention, “may have a substituent” means that one or more substituents may be present.

また、本発明における湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の溶剤を含有するインクを用いて成膜する方法をいう。パターニングのし易さという点で、これらのうちダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ノズルジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。   Further, the wet film forming method in the present invention is a spin coating method, a dip coating method, a die coating method, a bar coating method, a blade coating method, a roll coating method, a spray coating method, a capillary coating method, an ink jet method, a nozzle jet method, A method of forming a film using an ink containing a solvent, such as a screen printing method, a gravure printing method, a flexographic printing method, and an offset printing method. Of these, a die coating method, a roll coating method, a spray coating method, an ink jet method, a nozzle jet method, and a flexographic printing method are preferable from the viewpoint of easy patterning.

[化合物(I)]
本発明の化合物(化合物(I))は、下記一般式(I)で表されるものである。
[Compound (I)]
The compound (compound (I)) of the present invention is represented by the following general formula (I).

Figure 0005644196
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(上記一般式(I)において、フェニル基A及びBは各々独立に任意の置換基を有していてもよく、当該置換基を含め、互いに異なる構造を示す。但し、当該フェニル基A及びBはいずれも、他の任意の環と縮合して縮合環基の一部を形成することはない。) (In the general formula (I), the phenyl groups A and B may each independently have an arbitrary substituent, and each of the phenyl groups A and B has a different structure including the substituent. None of them can be condensed with any other ring to form part of the fused ring group.)

<アントラセン環とフェニル基A,Bとを結合するフェニレン基がm−フェニレン基であることの利点>
化合物(I)において、アントラセン環の9−位及び10−位に結合しているフェニレン基がm−フェニレン基であることにより、溶剤に対して高い溶解性を示すと共に、有機電界発光素子に用いた場合に長い発光寿命を達成することができる。
<Advantage of the m-phenylene group as the phenylene group for bonding the anthracene ring to the phenyl groups A and B>
In the compound (I), the phenylene group bonded to the 9-position and 10-position of the anthracene ring is an m-phenylene group, so that it exhibits high solubility in a solvent and is used for an organic electroluminescence device. Long emission lifetime can be achieved.

これに対して、このアントラセン環の9−位及び10−位に結合しているフェニレン基がp−フェニレン基である化合物は、下式の部分が同一平面上に存在することになり、溶剤に対する溶解性が不十分となる。   On the other hand, in the compound in which the phenylene group bonded to the 9-position and 10-position of the anthracene ring is a p-phenylene group, the following formula portion exists on the same plane, Solubility becomes insufficient.

Figure 0005644196
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また、アントラセン環の9−位及び10−位に結合しているフェニレン基がo−フェニレン基である化合物は、溶剤に対する溶解性は確保できるが、立体的にひずんだ構造の化合物となるため、これを用いた有機電界発光素子の発光寿命が悪化する。   In addition, a compound in which the phenylene group bonded to the 9-position and the 10-position of the anthracene ring is an o-phenylene group can ensure solubility in a solvent, but becomes a compound having a sterically distorted structure. The light emission lifetime of the organic electroluminescent element using this deteriorates.

<フェニル基A,Bが縮環していないことの利点>
化合物(I)において、フェニル基A及びBはいずれも、他の任意の環と縮合して縮合環基の一部を形成することはないことにより、溶剤に対する溶解性が良好なものとなると共に、有機電界発光素子に用いた場合、駆動電圧を下げることができる。
<Advantage of phenyl groups A and B not being condensed>
In the compound (I), the phenyl groups A and B are not condensed with any other ring to form a part of the condensed ring group, so that the solubility in a solvent is good. When used in an organic electroluminescent device, the driving voltage can be lowered.

これに対して、平面で剛直なアントラセン骨格に近い部位(アントラセンに直結かフェニレン基一つを介した部位)に、やはり剛直な縮環構造を導入してしまうと、分子全体の剛直性が増し、結果として十分な溶剤溶解性が得られず、また、このような化合物を含む有機電界発光素子の駆動電圧も高くなる。   On the other hand, if a rigid condensed ring structure is introduced at a site close to a flat and rigid anthracene skeleton (directly linked to anthracene or via a single phenylene group), the rigidity of the whole molecule increases. As a result, sufficient solvent solubility cannot be obtained, and the driving voltage of the organic electroluminescence device containing such a compound is increased.

<フェニル基A及びBが、これらが有する置換基も含めて互いに異なる構造であることの利点>
化合物(I)において、フェニル基A及びBは各々独立に任意の置換基を有していてもよく、当該置換基を含め、互いに異なる構造を示す、即ち、化合物(I)がアントラセン骨格に対し非対称な化合物であることにより、以下のような効果が奏される。
<Advantage of phenyl groups A and B having different structures including substituents they have>
In the compound (I), the phenyl groups A and B may each independently have any substituent, and each of the phenyl groups A and B has a different structure including the substituent, that is, the compound (I) has an anthracene skeleton. By being an asymmetric compound, the following effects are exhibited.

即ち、酸化還元耐久能及び電荷移動能を有するアントラセン環の9−,10−位を非対称な構造とすることにより、有機溶剤への溶解性と、湿式成膜法により層形成するときに有機溶剤を蒸発させる際の化合物(I)の微結晶化を抑制し、アモルファス膜の形成を促し、結果として長い発光寿命など、有機電界発光素子に適用した場合の素子性能の向上を実現する。   That is, by making the 9- and 10-positions of the anthracene ring having oxidation-reduction durability and charge transfer ability an asymmetric structure, solubility in an organic solvent and organic solvent when forming a layer by a wet film-forming method This suppresses the microcrystallization of the compound (I) when evaporating and promotes the formation of an amorphous film, resulting in an improvement in device performance when applied to an organic electroluminescence device such as a long emission lifetime.

<アントラセン骨格及びこれに結合するm−フェニレン基がいずれも無置換であることの利点>
化合物(I)は、一般式(I)に示されるように、アントラセン骨格及びこれに結合するm−フェニレン基がいずれも無置換であることにより、次のような効果が奏される。
<Advantage of an unsubstituted anthracene skeleton and an m-phenylene group bonded thereto>
As shown in the general formula (I), the compound (I) has the following effects when both the anthracene skeleton and the m-phenylene group bonded thereto are unsubstituted.

アントラセン化合物において、電荷を輸送する部分はアントラセン環部分であるので、この近傍に置換基を導入してしまうと、HOMOやLUMOの値が大きく変化し、電荷輸送性能が低下してしまう。さらに、電荷輸送時には、この部位に導入された置換基との結合が切断されやすい。それらのために結果として素子の発光寿命が短くなり、あるいは駆動電圧が上昇するなど素子性能が悪化する。
これに対して化合物(I)は、アントラセン骨格及びこれに結合するm−フェニレン基がいずれも無置換であるため、上記のような問題がない。
In the anthracene compound, the portion that transports the charge is an anthracene ring portion. Therefore, if a substituent is introduced in the vicinity of the anthracene compound, the HOMO and LUMO values are greatly changed, and the charge transport performance is degraded. Furthermore, at the time of charge transport, the bond with the substituent introduced at this site is easily cleaved. As a result, the light emitting life of the device is shortened, or the device performance is deteriorated, for example, the drive voltage is increased.
On the other hand, compound (I) does not have the above-mentioned problems because both the anthracene skeleton and the m-phenylene group bonded thereto are unsubstituted.

<フェニル基AやBが有する、ベンゼン環やナフタレン環が連結してなる基において、該基に含まれるフェニレン基やナフチレン基がm−位で連結していることの利点>
化合物(I)において、フェニル基A及びBは、各々独立に、ベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個連結してなる1価の基で置換されていてもよく、ベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個結合してなる1価の基において、該基に含まれるフェニレン基及びナフチレン基はいずれもp−位やo−位ではなく、m−位で連結していることが好ましい。
また、このベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個結合してなる1価の基も、フェニル基A及びBのm−位に連結していることが好ましい。
<Advantage of phenyl group A or B having a benzene ring or a naphthalene ring linked to each other and a phenylene group or a naphthylene group contained in the group linked at the m-position>
In the compound (I), each of the phenyl groups A and B may be independently substituted with a monovalent group in which 1 to 3 benzene rings and / or naphthalene rings are connected, and the benzene ring and / or In a monovalent group in which 1 to 3 naphthalene rings are bonded, the phenylene group and the naphthylene group contained in the group may be linked at the m-position instead of the p-position or the o-position. preferable.
Moreover, it is preferable that the monovalent group formed by bonding 1 to 3 benzene rings and / or naphthalene rings is also linked to the m-positions of the phenyl groups A and B.

このことにより、以下のような利点がある。
即ち、このベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個結合してなる1価の基のフェニレン基やナフチレン基がp−位連結では当該部位の剛直性が増加し、化合物の溶剤溶解性が不十分となる。また、o−位連結では連結部付近で下式のような酸化分解が起こると考えられ、結果として素子の発光寿命が短くなる。これに対してm−位連結であることにより、上記の問題が解消される。
This has the following advantages.
That is, when the monovalent phenylene group or naphthylene group formed by bonding 1 to 3 benzene rings and / or naphthalene rings is connected at the p-position, the rigidity of the corresponding portion increases, and the solvent solubility of the compound increases. It becomes insufficient. Further, in the o-position connection, it is considered that the oxidative decomposition as shown in the following formula occurs in the vicinity of the connection portion, and as a result, the light emission lifetime of the device is shortened. On the other hand, the above problem is solved by the m-position connection.

Figure 0005644196
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<フェニル基A及びBが有しうる置換基について>
化合物(I)において、フェニル基A及びBが有しうる置換基は、フェニル基A及びBが当該置換基を含め、互いに異なる構造を示し、かつ、ベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個連結してなる1価の基である場合、好ましくは、この基に含まれるフェニレン基がいずれもm−フェニレン基であり、ナフチレン基が1,3−位、1,6−位、1,7−位又は2,7−位で連結する基である限りにおいて特に制限は無いが、該置換基の末端を制御し、片側(例えばフェニル基Aが有する置換基)をフェニル基末端として溶剤への親和性を高めつつ、他方(例えばフェニル基Bが有する置換基)を炭素数10以上の縮環式芳香環基(例えばナフチル基)とすると、素子化した場合に形成される膜の物性、特にガラス転移温度を上昇させることができ、化合物(I)の有機溶剤への極めて高い溶解性と、得られる素子の性能向上の両立を達成でき、好ましい。
<Substituents that the phenyl groups A and B may have>
In the compound (I), the substituents that the phenyl groups A and B can have include phenyl groups A and B having different structures from each other, and a benzene ring and / or a naphthalene ring having 1 to 3 substituents. In the case of a monovalent group formed by linking each group, preferably, all of the phenylene groups contained in this group are m-phenylene groups, and the naphthylene groups are in the 1,3-position, 1,6-position, 1, As long as it is a group linked at the 7-position or the 2,7-position, there is no particular limitation. When the other (for example, the substituent of the phenyl group B) is a condensed aromatic ring group having 10 or more carbon atoms (for example, a naphthyl group), the physical properties of the film formed when the device is formed, Especially increase the glass transition temperature Bets can be, and very high solubility in an organic solvent of the compound (I), can be achieved both in improved performance of the resulting device, preferably.

なお、フェニル基A及びBはいずれか一方が置換基を有し、他方が置換基を有さないことにより、互いに異なる構造となっていてもよい。
従って、例えばフェニル基Aを、無置換か、或いは、ベンゼン環の1〜3個がm−位で連結した基が、m−位に連結したものとし、フェニル基Bを、炭素数10以上の縮環式芳香環基(例えばナフチル基)が直接又は1〜2個のm−フェニレン基を介して、そのm−位に連結したものとすることが好ましい。
なお、ここで、末端の炭素数10以上の縮環式芳香環基としては、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環等の2〜4縮環式芳香族炭化水素環由来の基が挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。
In addition, the phenyl groups A and B may have different structures by either having a substituent and the other not having a substituent.
Therefore, for example, a phenyl group A is unsubstituted or a group in which 1 to 3 benzene rings are linked at the m-position is linked to the m-position, and the phenyl group B has 10 or more carbon atoms. It is preferable that a condensed aromatic ring group (for example, naphthyl group) is linked to the m-position directly or via one or two m-phenylene groups.
Here, as the terminal condensed ring aromatic ring group having 10 or more carbon atoms, 2-4 condensed ring aromatics such as naphthalene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, etc. Group derived from an aromatic hydrocarbon ring is exemplified, but the group is not limited thereto.

また、化合物(I)は、一般式(I)に示されるように、アントラセン環、アントラセン環とフェニル基A及びBとを連結するフェニレン基は無置換であるが、フェニル基A,Bに連結する置換基としての上記フェニレン基や炭素数10以上の縮環式芳香環基は、任意の置換基を有していてもよく、その置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、ハロゲン原子、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。   Further, as shown in the general formula (I), the compound (I) is linked to the phenyl groups A and B, although the anthracene ring and the phenylene group connecting the anthracene ring and the phenyl groups A and B are unsubstituted. The phenylene group or the condensed aromatic ring group having 10 or more carbon atoms as a substituent may have an arbitrary substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group. Group, aryloxy group, dialkylamino group, diarylamino group, halogen atom, alkylthio group, arylthio group, silyl group, siloxy group, cyano group, aromatic hydrocarbon group, aromatic heterocyclic group and the like.

化合物(I)は、アントラセン骨格に、フェニル基A、B及びこれらが有する置換基として、適切な数のフェニレン基を含む基を導入することによって、近傍の分子とのアントラセン環−アントラセン環の分子間距離を離し、電子移動度を調整することが可能となる。そして、電子移動度が調整された結果、発光層中で、正孔と電子との再結合確率を高めることができるようになり、得られる素子の発光効率が高まり、また駆動寿命が長いなどの効果を奏する。   Compound (I) is a molecule of an anthracene ring-anthracene ring with a neighboring molecule by introducing into the anthracene skeleton a group containing an appropriate number of phenylene groups as phenyl groups A and B and a substituent they have. It is possible to adjust the electron mobility by separating the distance. As a result of adjusting the electron mobility, the recombination probability between holes and electrons can be increased in the light emitting layer, the luminous efficiency of the resulting device is increased, and the drive life is long. There is an effect.

<分子量>
化合物(I)の分子量は、通常2000以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量1500以下であり、溶剤に対する溶解性を考慮した場合、特に好ましくは1200以下、昇華精製による高純度化を考えた場合、最も好ましくは1000以下である。また、通常、化合物(I)の分子量は、500以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量550以上である。
<Molecular weight>
The molecular weight of the compound (I) is usually 2000 or less, and when considering the ease of purification of the compound, the molecular weight is preferably 1500 or less, and when considering the solubility in a solvent, it is particularly preferably 1200 or less. When considering the high purity by, most preferably 1000 or less. In general, the molecular weight of the compound (I) is 500 or more, and when considering the thermal stability of the compound, the molecular weight is preferably 550 or more.

<溶剤に対する溶解性>
本発明の化合物(I)は、後述の本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる有機溶剤への溶解度が高いため好ましい。
本発明の化合物(I)は、より好ましくは、例えばシクロヘキシルベンゼンに対する溶解度が、大気圧(1013hPa)下、25℃において通常8重量%以上、好ましくは9重量%以上、より好ましくは10重量%以上である化合物である。なお、シクロヘキシルベンゼンは、化合物の溶解度を示す指標として挙げたものであり、後述の本発明の有機電界発光素子用組成物が含む溶剤は、これに限定されるものではない。
なお、化合物(I)のシクロヘキシルベンゼンに対する溶解度は、後述の実施例の項に記載される方法で求められる。
<Solubility in solvents>
The compound (I) of the present invention is preferable because of its high solubility in an organic solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention described later.
The compound (I) of the present invention more preferably has, for example, a solubility in cyclohexylbenzene of usually 8% by weight or more, preferably 9% by weight or more, more preferably 10% by weight or more at 25 ° C. under atmospheric pressure (1013 hPa). It is a compound which is. In addition, cyclohexylbenzene is mentioned as an index indicating the solubility of the compound, and the solvent contained in the composition for an organic electroluminescence device of the present invention described later is not limited thereto.
In addition, the solubility with respect to the cyclohexylbenzene of compound (I) is calculated | required by the method described in the term of the below-mentioned Example.

<ガラス転移温度>
化合物(I)は、ガラス転移温度Tgが100℃以上であることが好ましい。
<Glass transition temperature>
Compound (I) preferably has a glass transition temperature Tg of 100 ° C. or higher.

<具体例>
以下に化合物(I)の具体例を挙げるが、以下の例示化合物に限定されるものではない。
<Specific example>
Although the specific example of compound (I) is given to the following, it is not limited to the following exemplary compounds.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

Figure 0005644196
Figure 0005644196

Figure 0005644196
Figure 0005644196

<有機化合物の合成方法>
本発明の化合物(I)は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
例えば、下図に示すようにボロン酸あるいはボロン酸エステルとハロゲン化合物の鈴木カップリング、芳香族環のハロゲン化、ハロゲン部位をボロン酸あるいはボロン酸エステルへの変換の反応を組み合わせて実施することにより、芳香族−芳香族結合を生成する方法などが好ましく用いることができるが、これに限定されるものではない。
<Synthesis Method of Organic Compound>
Compound (I) of the present invention can be synthesized by selecting a raw material according to the structure of the target compound and using a known method.
For example, as shown in the following figure, by performing a combination of a boronic acid or a boronic acid ester and a halogen compound, a Suzuki coupling, a halogenation of an aromatic ring, and a reaction of converting a halogen moiety into a boronic acid or a boronic acid ester, Although the method etc. which produce | generate an aromatic-aromatic bond can be used preferably, it is not limited to this.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

<用途>
化合物(I)の用途は特に限定されるものではないが、その優れた溶剤溶解性と、有機電界発光素子に適用した場合の駆動電圧、発光寿命における効果から、有機電界発光素子の有機層、特に発光層を湿式成膜法で形成するための電荷輸送材料として好適である。
<Application>
Although the use of compound (I) is not particularly limited, the organic layer of the organic electroluminescent device, due to its excellent solvent solubility, driving voltage when applied to an organic electroluminescent device, and effects on the luminescence lifetime, In particular, it is suitable as a charge transport material for forming a light emitting layer by a wet film formation method.

[有機電界発光素子用組成物]
本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明の化合物(I)と溶剤とを含むものである。
この有機電界発光素子用組成物は、特に、溶剤として、炭素原子及び水素原子、或いは炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる有機溶剤であって、25℃における粘度が0.0001〜0.01Pasで、1013hPaにおける沸点が50〜300℃のものを含むことが好ましい。
[Composition for organic electroluminescence device]
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention comprises the compound (I) of the present invention and a solvent.
This composition for organic electroluminescent elements is an organic solvent comprising a carbon atom and a hydrogen atom, or a carbon atom, a hydrogen atom and an oxygen atom as a solvent, and has a viscosity at 25 ° C. of 0.0001 to 0.01 Pas. It is preferable that the boiling point at 1013 hPa is 50 to 300 ° C.

<溶剤>
本発明の化合物(I)を含む有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤は、湿式成膜により有機電界発光素子材料を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
<Solvent>
The solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements containing the compound (I) of the present invention is a volatile liquid component used for forming a layer containing an organic electroluminescent element material by wet film formation. .

該溶剤は、溶質である本発明の化合物(I)や後述の発光材料等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、好ましい溶剤としては以下のものが挙げられる。   The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent in which the compound (I) of the present invention as a solute, a light emitting material described later, and the like are satisfactorily dissolved. Preferred solvents include the following.

例えば、n−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類;トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール、ジ
フェニルエーテル等の芳香族エーテル類;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル類;等が挙げられる。
For example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, and tetralin; halogenated fragrances such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene Group hydrocarbons: 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethyl Aromatic ethers such as anisole and diphenyl ether; aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; Alicyclic ketones such as Sanone, Cyclooctanone and Fencon; Alicyclic alcohols such as cyclohexanol and cyclooctanol; Aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; Aliphatic alcohols such as butanol and hexanol; Ethylene And aliphatic ethers such as glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA).

溶剤の沸点は、通常50℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは150℃以上である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、有機電界発光素子用組成物からの溶剤蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。   The boiling point of the solvent is usually 50 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher. Below this range, there is a possibility that the film formation stability may be reduced due to solvent evaporation from the composition for organic electroluminescent elements during wet film formation.

また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は、通常300℃以下、好ましくは280℃以下、より好ましくは沸点250℃以下である。   In order to obtain a more uniform film, it is preferable that the solvent evaporates from the liquid film immediately after the film formation at an appropriate rate. For this reason, the boiling point of the solvent is usually 300 ° C. or lower, preferably 280 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower.

これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。   One of these solvents may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

<好ましい溶剤>
本発明において、有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤は、炭素原子及び水素原子、或いは炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる有機溶剤であることが好ましい。この理由は、上記以外の原子が存在する場合には、成膜後にわずかに膜中に残留する溶媒分子が熱運動したり、素子駆動の際に電荷をトラップするため、素子特性を低下させる可能性があるからである。
<Preferred solvent>
In the present invention, the solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements is preferably an organic solvent composed of carbon atoms and hydrogen atoms, or carbon atoms, hydrogen atoms and oxygen atoms. The reason for this is that when there are atoms other than the above, the solvent molecules slightly remaining in the film after the film formation may thermally move or trap the charge when the element is driven, so that device characteristics can be degraded. Because there is sex.

また、有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤は、中でも25℃における粘度が0.0005〜0.005Pasであり、1013hPaにおける沸点が100〜250℃である溶剤であることが好ましい。この理由は、公知の成膜プロセスにより容易に成膜でき、かつ得られた膜の状態が均一かつ平坦になるためである。   Moreover, the solvent contained in the composition for organic electroluminescent elements is preferably a solvent having a viscosity of 0.0005 to 0.005 Pas at 25 ° C. and a boiling point of 100 to 250 ° C. at 1013 hPa. This is because the film can be easily formed by a known film formation process and the state of the obtained film becomes uniform and flat.

このような有機溶剤として、好ましくは具体的には、トルエン(粘度0.00059Pas、沸点110.8℃)、キシレン(粘度0.00058Pas、沸点139℃)、シクロヘキシルベンゼン(粘度0.0037Pas、沸点240℃)、シクロヘキサノン(粘度0.0022Pas、沸点155.6℃)、トリメチルシクロヘキサノン(粘度0.0025Pas、沸点約190℃)、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(粘度0.0011Pas、沸点146℃)などが挙げられる。   As such an organic solvent, preferably, toluene (viscosity 0.00059 Pas, boiling point 110.8 ° C.), xylene (viscosity 0.00058 Pas, boiling point 139 ° C.), cyclohexylbenzene (viscosity 0.0037 Pas, boiling point 240). C), cyclohexanone (viscosity 0.0022 Pas, boiling point 155.6 ° C.), trimethylcyclohexanone (viscosity 0.0025 Pas, boiling point about 190 ° C.), propylene glycol monomethyl ether acetate (viscosity 0.0011 Pas, boiling point 146 ° C.), and the like. It is done.

これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。   One of these solvents may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

<発光材料>
本発明の有機電界発光素子用組成物は、さらに発光材料を含有していてもよい。
この場合、この有機電界発光素子用組成物は、本発明の化合物(I)をホスト材料とし、発光材料をドーパント材料として含んでいてもよいし、本発明の化合物(I)をドーパント材料とし、発光材料をホスト材料として含んでいてもよい。また、ドーパント材料、ホスト材料ともに、本発明の化合物(I)であってもよい。
<Light emitting material>
The composition for organic electroluminescent elements of the present invention may further contain a luminescent material.
In this case, the composition for an organic electroluminescent device may contain the compound (I) of the present invention as a host material and the light emitting material as a dopant material, or the compound (I) of the present invention as a dopant material, A light emitting material may be included as a host material. Further, both the dopant material and the host material may be the compound (I) of the present invention.

発光材料としては、芳香族アミン化合物が挙げられる。より具体的には、2以上のベンゼン環が縮合してなる芳香族炭化水素環に、アミノ基が直接結合してなる構造を有する化合物であり、好ましくは、クリセン環にアミノ基が2個結合してなるクリセンジアミン化合物が好ましい。   Examples of the light emitting material include aromatic amine compounds. More specifically, it is a compound having a structure in which an amino group is directly bonded to an aromatic hydrocarbon ring formed by condensation of two or more benzene rings, and preferably two amino groups are bonded to the chrysene ring. A chrysenediamine compound is preferred.

クリセンジアミン化合物としては、例えば下記一般式(II)で表される化合物(以下「化合物(II)」と称す場合がある。)が挙げられる。   Examples of the chrysenediamine compound include a compound represented by the following general formula (II) (hereinafter sometimes referred to as “compound (II)”).

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(一般式(II)中、R1〜R8は、任意の置換基を示し、n1,n2,n4,n5,n6,n8は、各々独立に0〜5の整数を示し、n,nは、各々独立に、0〜4の整数を示す。
但し、R1〜R8の少なくとも2つ以上は、直鎖又は分岐の、炭素数6以上のアルキル基、あるいは炭素数7以上のアラルキル基である。
尚、一分子中に複数のR1〜R8を含む場合は、複数含まれるR1〜R8は、同じでもよく、また異なっていてもよい。)
(In the general formula (II), R 1 to R 8 represent an arbitrary substituent, and n 1 , n 2 , n 4 , n 5 , n 6 , and n 8 each independently represents an integer of 0 to 5. N 3 and n 7 each independently represents an integer of 0 to 4.
However, at least two of R 1 to R 8 are linear or branched alkyl groups having 6 or more carbon atoms or aralkyl groups having 7 or more carbon atoms.
In the case that includes a plurality of R 1 to R 8 in one molecule, R 1 to R 8 contained more may be the same or may be different. )

(化合物(II)の特長)
化合物(II)は、クリセン骨格の2つのアミノ基に結合する芳香環の少なくとも1つをビフェニル骨格とし、さらに分子内に炭素数6以上のアルキル基、又は炭素数7以上のアラルキル基を導入した化合物である。
ビフェニル骨格の導入は、アミノ基と共役する部分が拡張されることとなり、アミノ基を中心とする部分に荷電した際に、電荷が非局在化して、化合物が安定化すると推測される。
また、炭素数6以上のアルキル基又は炭素数7以上のアラルキル基を導入することにより、立体障害を生じさせやすくなったり、アミノ基のN原子周辺を保護することで、N原子上に荷電した状態からの劣化を防ぐ効果がもたらされると推測される。
また、炭素数6以上のアルキル基又は炭素数7以上のアラルキル基を導入することで、溶剤に対する溶解性や分散性の向上が得られる。
従って、化合物(II)を湿式成膜法で形成する有機電界発光素子の有機層に用いることにより、有機電界発光素子の耐久性向上及び駆動寿命の向上につながる。
(Features of compound (II))
In the compound (II), at least one of the aromatic rings bonded to the two amino groups of the chrysene skeleton is a biphenyl skeleton, and an alkyl group having 6 or more carbon atoms or an aralkyl group having 7 or more carbon atoms is further introduced into the molecule. A compound.
When the biphenyl skeleton is introduced, the portion conjugated with the amino group is expanded, and when the portion centered on the amino group is charged, the charge is delocalized and the compound is presumed to be stabilized.
In addition, by introducing an alkyl group having 6 or more carbon atoms or an aralkyl group having 7 or more carbon atoms, it becomes easy to cause steric hindrance, or by protecting the periphery of the N atom of the amino group, the N atom is charged. It is estimated that an effect of preventing deterioration from the state is brought about.
Further, by introducing an alkyl group having 6 or more carbon atoms or an aralkyl group having 7 or more carbon atoms, improvement in solubility and dispersibility in a solvent can be obtained.
Therefore, by using the compound (II) in the organic layer of the organic electroluminescent element formed by the wet film forming method, the durability of the organic electroluminescent element and the driving life are improved.

以下に上記一般式(II)における各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component in the general formula (II) will be described in detail.

(R1〜R8について)
1〜R8は、任意の置換基を表す。
但し、R1〜R8の少なくとも2つ以上は、直鎖又は分岐の、炭素数6以上のアルキル基、あるいは炭素数7以上のアラルキル基である。
1〜R8の、任意の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数7〜20のアラルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基、炭素数3〜20の芳香族複素環基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基、炭素数1〜20のアルキルチオ基、炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基、シアノ基などが挙げられる。これらの具体例は、下記置換基群Zのものと同一である。
(For R 1 ~R 8)
R 1 to R 8 represent an arbitrary substituent.
However, at least two of R 1 to R 8 are linear or branched alkyl groups having 6 or more carbon atoms or aralkyl groups having 7 or more carbon atoms.
The optional substituents for R 1 to R 8 include a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, and 3 carbon atoms. -20 aromatic heterocyclic group, C1-C20 alkoxy group, C3-C20 (hetero) aryloxy group, C1-C20 alkylthio group, C3-C20 (hetero) arylthio Group, cyano group and the like. Specific examples thereof are the same as those of the substituent group Z below.

これらのうち、化合物の安定性の面から、置換基ではなく水素原子であること、或いは炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が好ましく、水素原子、炭素数6〜25の芳香族炭化水素基が特に好ましい。
尚、一分子中に複数のR1〜R8を含む場合は、複数含まれるR1〜R8は、同じでもよく、また異なっていてもよい。
複数あるR1〜R8は、互いに結合して環を形成していてもよく、環を形成している場合、色調の制御や耐久性向上の点で、R2〜R4及びR6〜R8が環を形成しているのが好ましい。
Among these, from the viewpoint of the stability of the compound, it is preferably a hydrogen atom instead of a substituent, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms, preferably a hydrogen atom, carbon An aromatic hydrocarbon group having a number of 6 to 25 is particularly preferable.
In the case that includes a plurality of R 1 to R 8 in one molecule, R 1 to R 8 contained more may be the same or may be different.
A plurality of R 1 to R 8 may be bonded to each other to form a ring. When a ring is formed, R 2 to R 4 and R 6 to R 6 are used in terms of color tone control and durability improvement. R 8 preferably forms a ring.

式中のR1〜R3及びR5〜R7は、一般式(II)の窒素原子に対してo−位に置換しないことが、化合物の耐久性に優れる点から好ましい。従って、これらの置換基は、一般式(II)の窒素原子に対してm−位又はp−位に置換していることが好ましい。 R 1 to R 3 and R 5 to R 7 in the formula are preferably not substituted at the o-position with respect to the nitrogen atom of the general formula (II) from the viewpoint of excellent durability of the compound. Accordingly, these substituents are preferably substituted at the m-position or p-position with respect to the nitrogen atom of the general formula (II).

1〜R8の少なくとも2つ以上は、直鎖又は分岐の、炭素数6以上のアルキル基、あるいは炭素数7以上のアラルキル基である。ここで、炭素数6以上の直鎖又は分岐のアルキル基としては、炭素数6〜20の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、さらに炭素数6〜12の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特にn−ヘキシル基、n−オクチル基、2−メチルペンチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、オクタデシル基が好ましい。炭素数7以上のアラルキル基としては、炭素数7〜20のアラルキル基が好ましく、さらに炭素数7〜20のフェニルアルキル基が好ましく、さらに炭素数7〜12のフェニルアルキル基が好ましく、さらにアルキル部分が分岐アルキル基である炭素数8〜12のフェニルアルキル基が好ましく、特にベンジル基、フェニルエチル基、フェニルジメチルメチル基、フェニルイソプロピルメチル基が好ましい。 At least two of R 1 to R 8 are linear or branched alkyl groups having 6 or more carbon atoms or aralkyl groups having 7 or more carbon atoms. Here, the linear or branched alkyl group having 6 or more carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably a linear or branched alkyl group having 6 to 12 carbon atoms. In particular, n-hexyl group, n-octyl group, 2-methylpentyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group and octadecyl group are preferable. The aralkyl group having 7 or more carbon atoms is preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, more preferably a phenylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, further preferably a phenylalkyl group having 7 to 12 carbon atoms, and further an alkyl moiety. Is preferably a branched alkyl group having 8 to 12 carbon atoms, particularly preferably a benzyl group, a phenylethyl group, a phenyldimethylmethyl group, or a phenylisopropylmethyl group.

また、これらの2つ以上の特定の炭素数を有するアルキル基又はアラルキル基は、R2、R4、R6及びR8のうちの2つ以上であることが好ましく、特にR2、R4、R6及びR8のうちの2〜4つであることが好ましい。さらに、これらのアルキル基又はアラルキル基は、一般式(II)中の窒素原子に対して、m−位又はp−位に置換していることが好ましく、特にp−位に置換していることが好ましい。ここでR4及びR8はビフェニル部分のp−位に置換していることが好ましい。 Moreover, it is preferable that these alkyl groups or aralkyl groups having two or more specific carbon numbers are two or more of R 2 , R 4 , R 6 and R 8 , particularly R 2 , R 4. , R 6 and R 8 are preferably 2-4. Furthermore, these alkyl groups or aralkyl groups are preferably substituted at the m-position or p-position, particularly at the p-position, with respect to the nitrogen atom in the general formula (II). Is preferred. Here, R 4 and R 8 are preferably substituted at the p-position of the biphenyl moiety.

1〜R8は、本発明の効果を損わない限り、さらに置換基を有していてもよい。
本発明の効果を損わない置換基としては、イオン性の基以外であればよいが、R1〜R8が有していてもよい置換基のより好適な具体例としては、以下のものが挙げられる。
R 1 to R 8 may further have a substituent unless the effects of the present invention are impaired.
Substituents that do not impair the effects of the present invention may be other than ionic groups, but more preferred specific examples of the substituents that R 1 to R 8 may have include the following. Is mentioned.

<置換基群Z>
ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
炭素数1〜20のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。これらのうち、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基であり、メチル基、エチル基が、原料が入手しやすく、また安価であるなどの点から好ましく、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基は非極性溶剤に高い溶解性を持つために好ましい。
<Substituent group Z>
As the halogen atom, a fluorine atom is preferable.
Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group and cyclohexyl group. Group, decyl group, octadecyl group and the like. Among these, Preferably, they are a methyl group, an ethyl group, and an isopropyl group, and a methyl group and an ethyl group are preferable from the point of being easy to obtain a raw material and cheap, and an iso-butyl group and a sec-butyl group. , Tert-butyl group is preferable because of its high solubility in nonpolar solvents.

炭素数6〜25の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などのナフチル基、9−フェナンチル基、3−フェナンチル基などのフェナンチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基などのアントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基などのナフタセニル基、1−クリセニル基、2−クリセニル基、3−クリセニル基、4−クリセニル基、5−クリセニル基、6−クリセニル基などのクリセニル基、1−ピレニル基などのピレニル基、1−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、1−コロネニル基などのコロネニル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基などのビフェニル基等が挙げられ、化合物の安定性の面からフェニル基、2−ナフチル基、1−アントラニル基、9−フェナントリル基、9−アントラニル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基が好ましく、フェニル基、2−ナフチル基、3−ビフェニル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。   Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 25 carbon atoms include a naphthyl group such as a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group, a phenanthyl group such as a 9-phenanthyl group and a 3-phenanthyl group, and 1-anthryl. Group, 2-anthryl group, anthryl group such as 9-anthryl group, 1-naphthacenyl group, naphthacenyl group such as 2-naphthacenyl group, 1-chrysenyl group, 2-chrysenyl group, 3-chrysenyl group, 4-chrysenyl group, 5-chrycenyl group, 6-chrycenyl group and other chrycenyl groups, 1-pyrenyl group and other pyrenyl groups, 1-triphenylenyl group and other triphenylenyl groups, 1-coronenyl group and other coronenyl groups, 4-biphenyl group and 3-biphenyl group In view of the stability of the compound, phenyl group, 2-naphthyl group, 1-ant Group, 9-phenanthryl group, 9-anthranyl group, a 4-biphenyl group, a 3-biphenyl group preferably a phenyl group, a 2-naphthyl group, 3-biphenyl group is particularly preferable from the purification ease of the compound.

炭素数3〜20の芳香族複素環基の例としては、2−チエニル基などのチエニル基、2−フリル基などのフリル基、2−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、9−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、2−ピリジル基などのピリジル基、1,3,5−トリアジン−2−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも9−カルバゾリル基が化合物の安定性の面から好ましい。   Examples of the aromatic heterocyclic group having 3 to 20 carbon atoms include thienyl group such as 2-thienyl group, furyl group such as 2-furyl group, imidazolyl group such as 2-imidazolyl group, and carbazolyl such as 9-carbazolyl group. Groups, pyridyl groups such as 2-pyridyl group, triazin-yl groups such as 1,3,5-triazin-2-yl group, and the like. Of these, a 9-carbazolyl group is preferable from the viewpoint of stability of the compound.

炭素数1〜20のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropyloxy group, cyclohexyloxy group, octadecyloxy group and the like.

炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、9−アントラニルオキシ基、2−チエニルオキシ基等が挙げられる。   Examples of the (hetero) aryloxy group having 3 to 20 carbon atoms include phenoxy group, 1-naphthyloxy group, 9-anthranyloxy group, 2-thienyloxy group and the like.

炭素数1〜20のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。   Examples of the alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, isopropylthio group, cyclohexylthio group and the like.

炭素数3〜20の(ヘテロ)アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、9−アントラニルチオ基、2−チエニルチオ基等が挙げられる。
ハロゲンとしては、フッ素などが挙げられる。
Examples of the (hetero) arylthio group having 3 to 20 carbon atoms include a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 9-anthranylthio group, and a 2-thienylthio group.
Examples of the halogen include fluorine.

(n1〜n8について)
1,n2,n4,n5,n6,n8は、各々独立に、0〜5の整数を示し、n3,n7は、各々独立に、0〜4の整数を示す。
1〜n8のうち少なくとも2つは、有機溶剤に対する溶解性が向上する点で、1以上であることが好ましく、また耐久性の観点から3以下であることが好ましい。
(For n 1 ~n 8)
n 1, n 2, n 4 , n 5, n 6, n 8 each independently represents an integer of 0 to 5, n 3, n 7 are each independently an integer of 0-4.
At least two of n 1 to n 8 are preferably 1 or more in terms of improving solubility in organic solvents, and preferably 3 or less from the viewpoint of durability.

(分子量について)
化合物(II)の分子量は、通常7000以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量5000以下であり、溶剤に対する溶解性を考慮した場合、特に好ましくは3000以下、昇華精製による高純度化を考えた場合、最も好ましくは1500以下である。また、通常、一般式(II)で表される有機化合物の分子量は、500以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量600以上である。
(About molecular weight)
The molecular weight of the compound (II) is usually 7000 or less, preferably 5,000 or less when considering the ease of purification of the compound, and particularly preferably 3,000 or less when considering solubility in a solvent. When considering the high purity by, most preferably 1500 or less. In general, the molecular weight of the organic compound represented by the general formula (II) is 500 or more, and when considering the thermal stability of the compound, the molecular weight is preferably 600 or more.

(具体例)
以下に、化合物(II)の好ましい具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
(Concrete example)
Although the preferable specific example of compound (II) is shown below, it is not limited to these.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(溶剤に対する溶解性について)
化合物(II)は、通常トルエンに対して、室温(25℃)で、0.5重量%以上溶解するものが好ましく、塗布時に均一な膜を形成させ易いことから、1.0重量%以上溶解するものが好ましく、さらに塗布膜の膜厚制御がしやすいことから、1.5重量%以上溶解するものがより好ましく、さらに長時間の保存安定性の点から、2.0重量%以上溶解するものが特に好ましく、2.5重量%以上溶解するものが最も好ましい。
(Solubility in solvents)
The compound (II) is usually preferably dissolved in toluene at room temperature (25 ° C.) at 0.5% by weight or more, and since it is easy to form a uniform film upon coating, it dissolves at 1.0% by weight or more. In view of the ease of controlling the thickness of the coating film, it is more preferable to dissolve at least 1.5% by weight, and from the viewpoint of long-term storage stability, it is at least 2.0% by weight Particularly preferred are those that dissolve at least 2.5% by weight.

(化合物(II)の合成方法)
化合物(II)は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
例えば、以下に示すようにクリセンを原料とし、クリセン環のハロゲン化、別途既知の方法により合成された、あるいは市販の2級アリールアミンとのカップリング反応を組み合わせて実施することにより合成することができるが、これに限定されるものではない。
(Method for synthesizing compound (II))
Compound (II) can be synthesized by selecting a raw material according to the structure of the target compound and using a known method.
For example, as shown below, chrysene can be used as a raw material, synthesized by halogenation of the chrysene ring, separately synthesized by a known method, or combined with a commercially available secondary arylamine. Yes, but not limited to this.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(上記式中、A〜Aは、アリール基を示す。) (In the above formula, A 1 to A 4 represent an aryl group.)

<組成>
本発明の化合物(I)を含む有機電界発光素子用組成物について、化合物(I)の含有量は、全固形分中、通常50重量%以上、好ましくは80重量%以上、より好ましくは90重量%以上、通常99重量%以下、好ましくは98重量%以下、より好ましくは95重量%以下である。組成物中の化合物(I)の含有量をこの範囲とすることにより、隣接する層(例えば、正孔輸送層や正孔阻止層)から発光層へ効率よく、正孔や電子の注入が行われ、駆動電圧を低減することができる。また、ドーパント材料又はホスト材料を効率よく均一に分散させることで、濃度消光の抑制と、これに伴う発光効率の向上、低電圧化、長寿命化の効果が得られる。尚、本発明の化合物(I)は本発明の有機電界発光素子用組成物中に、1種のみ含まれていてもよく、2種以上が組み合わされて含まれていてもよい。
<Composition>
About the composition for organic electroluminescent elements containing the compound (I) of this invention, content of compound (I) is 50 weight% or more normally in a total solid, Preferably it is 80 weight% or more, More preferably, it is 90 weight%. % Or more, usually 99% by weight or less, preferably 98% by weight or less, more preferably 95% by weight or less. By setting the content of compound (I) in the composition within this range, holes and electrons are efficiently injected from the adjacent layer (for example, hole transport layer or hole blocking layer) to the light emitting layer. In other words, the drive voltage can be reduced. In addition, by dispersing the dopant material or the host material efficiently and uniformly, the effects of suppressing the concentration quenching and improving the light emission efficiency, lowering the voltage, and extending the lifetime can be obtained. In addition, 1 type of compound (I) of this invention may be contained in the composition for organic electroluminescent elements of this invention, and may be contained in combination of 2 or more type.

また、有機電界発光素子用組成物中の溶剤の含有量は、有機電界発光素子用組成物100重量部に対して、好ましくは10重量部以上、より好ましくは50重量部以上、特に好ましくは80重量部以上、また、好ましくは99.95重量部以下、より好ましくは99.9重量部以下、特に好ましくは99.8重量部以下である。溶剤の含有量がこの下限を下回ると、有機電界発光素子用組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。   Further, the content of the solvent in the composition for organic electroluminescent elements is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 50 parts by weight or more, particularly preferably 80 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the composition for organic electroluminescent elements. It is not less than 99 parts by weight, preferably not more than 99.95 parts by weight, more preferably not more than 99.9 parts by weight, particularly preferably not more than 99.8 parts by weight. When the content of the solvent is less than this lower limit, the viscosity of the composition for organic electroluminescent elements becomes too high, and the film forming workability may be lowered. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the film thickness obtained by removing the solvent after film formation cannot be obtained, and thus film formation tends to be difficult.

有機電界発光素子用組成物が化合物(II)等の発光材料を含む場合、有機電界発光素子用組成物における化合物(II)等の発光材料の含有量は、通常0.1重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは10重量%以下である。この範囲とすることにより、発光効率の向上及び素子の低電圧化の効果が得られる。尚、化合物(II)等の発光材料は組成物中に、1種のみ含まれていてもよく、2種以上が組み合わせて含まれていてもよい。   When the composition for organic electroluminescent elements contains a luminescent material such as compound (II), the content of the luminescent material such as compound (II) in the composition for organic electroluminescent elements is usually 0.1% by weight or more, preferably Is 0.5% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 10% by weight or less. By setting it within this range, the effect of improving the light emission efficiency and lowering the voltage of the element can be obtained. In addition, only 1 type of luminescent materials, such as compound (II), may be contained in the composition and may be contained in combination of 2 or more type.

<その他の成分>
本発明の有機電界発光素子用組成物には、本発明の化合物(I)や溶剤、発光材料の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合物を含有することができる。
<Other ingredients>
In addition to the compound (I) of the present invention, the solvent, and the light emitting material, the composition for organic electroluminescent element of the present invention can contain a charge transporting compound used for an organic electroluminescent element, particularly a light emitting layer.

本発明の有機電界発光素子用組成物が含有し得る他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。
これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
As other charge transporting compounds that can be contained in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, those conventionally used as materials for organic electroluminescent elements can be used. For example, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene and derivatives thereof, quinacridone Derivatives, DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, arylamino groups And the condensed aromatic ring compounds and styryl derivatives substituted with an arylamino group.
One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.

本発明の有機電界発光素子用組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、該組成物を100重量部とすると、通常1重量部以上、また、通常50重量部以下、好ましくは30重量部以下である。
また、有機電界発光素子用組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、有機電界発光素子用組成物中の本発明の化合物(I)に対して、通常50重量%以下、特に30重量%以下で、通常0.01重量%以上、特に0.1重量%以上であることが好ましい。
The content of the other charge transporting compound in the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is usually 1 part by weight or more and usually 50 parts by weight or less, preferably 30 parts, when the composition is 100 parts by weight. Less than parts by weight.
The content of the other charge transporting compound in the composition for organic electroluminescent elements is usually 50% by weight or less, particularly 30%, based on the compound (I) of the present invention in the composition for organic electroluminescent elements. It is preferably not more than 0.01% by weight, usually not less than 0.01% by weight, particularly preferably not less than 0.1% by weight.

本発明の有機電界発光素子用組成物には、必要に応じて、上記の成分等の他に、更に他の成分を含有していてもよい。例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。   The composition for organic electroluminescent elements of the present invention may further contain other components in addition to the above components, if necessary. For example, in addition to the above solvent, another solvent may be contained. Examples of such a solvent include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide. One of these may be used alone, or two or more may be used in any combination and ratio.

また、本発明の有機電界発光素子材料は成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有していてもよい。   Moreover, the organic electroluminescent element material of this invention may contain various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, for the purpose of improving film forming property.

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、陽極及び陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、当該有機層が発光層を含み、上述の本発明の化合物(I)を含む有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法にて形成された層を含むものである。特に、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法にて形成された層は発光層であることが好ましく、また、発光層に接して正孔輸送層が設けられ、この正孔輸送層も湿式成膜法で形成された層であることが好ましい。これは以下の理由による。
即ち、湿式成膜法により形成された膜は表面の平坦性が良好であり、この上に本発明の有機電界発光素子用組成物を湿式成膜する際になじみが良いため、良好な界面を形成する。そのため、駆動電圧が下がるなど、結果として良好な性能を示す素子とすることができる。
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent element of the present invention is an organic electroluminescent element having an organic layer between an anode and a cathode, wherein the organic layer includes a luminescent layer and includes the above-described compound (I) of the present invention. It includes a layer formed by a wet film-forming method using the composition. In particular, the layer formed by the wet film formation method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention is preferably a light emitting layer, and a hole transport layer is provided in contact with the light emitting layer. The hole transport layer is also preferably a layer formed by a wet film formation method. This is due to the following reason.
That is, since the film formed by the wet film formation method has a good surface flatness and is well-suited when the organic electroluminescent element composition of the present invention is formed on the film, a good interface is formed. Form. Therefore, an element exhibiting good performance can be obtained as a result, for example, the driving voltage is lowered.

以下に本発明の有機電界発光素子の構造例を示す図1の素子構成に従って、本発明の有機電界発光素子の構成を説明するが、本発明の有機電界発光素子は発光層を有し、かつ、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層、好ましくは発光層を陽極及び陰極の間に有していればよく、他の層は有していても、有していなくてもよい。   The structure of the organic electroluminescent element of the present invention will be described according to the element structure of FIG. 1 showing an example of the structure of the organic electroluminescent element of the present invention. The organic electroluminescent element of the present invention has a light emitting layer, and A layer formed by a wet film formation method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, preferably a light emitting layer may be provided between the anode and the cathode, and other layers are not provided. May not be included.

{基板}
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
{substrate}
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polyethersulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

{陽極}
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3など)への正孔注入の役割を果たすものである。
{anode}
An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer (hole injection layer 3 or the like) on the light emitting layer side.

この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。   This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。   The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。   The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.

{正孔注入層}
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極2上に形成される。
本発明に係る正孔注入層3の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層3を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
{Hole injection layer}
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, and is usually formed on the anode 2.
The method for forming the hole injection layer 3 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.
The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

<湿式成膜法による正孔注入層の形成>
湿式成膜により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
<Formation of hole injection layer by wet film formation method>
When forming the hole injection layer 3 by wet film formation, the material for forming the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (hole injection layer solvent) to form a film-forming composition (positive A composition for forming a hole injection layer), and applying the composition for forming a hole injection layer on a layer (usually an anode) corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 by an appropriate technique. The hole injection layer 3 is formed by coating and drying.

(正孔輸送性化合物)
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
(Hole transporting compound)
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transporting compound and a solvent as a constituent material of the hole injection layer.

正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。   The hole transporting compound is a compound having a hole transporting property that is usually used in a hole injection layer of an organic electroluminescence device, and may be a polymer compound or the like, a monomer or the like. Although it may be a low molecular weight compound, it is preferably a high molecular weight compound.

正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。   The hole transporting compound is preferably a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of hole transporting compounds include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked by a fluorene group, hydrazone derivatives, silazane derivatives, silanamines Derivatives, phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon and the like.

尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。   In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative, and includes an aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as a main skeleton. It may be a mer.

正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種又は2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種又は2種以上とを併用することが好ましい。   The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. In the case of containing two or more kinds of hole transporting compounds, the combination is arbitrary, but one or more kinds of aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two kinds of other hole transporting compounds. It is preferable to use the above in combination.

上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。   Among the above examples, an aromatic amine compound is preferable from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and an aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(III)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。   The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerizable compound in which repeating units are linked) is further included. preferable. Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following formula (III).

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(式(III)中、Ar1及びAr2は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。Ar3〜Ar5は、各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を示す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を示す。また、Ar1〜Ar5のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。 (In the formula (III), Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 3 to Ar 5 each independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Y represents a linking group selected from the following group of linking groups, and two groups bonded to the same N atom among Ar 1 to Ar 5 may be bonded to each other to form a ring. Good.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(上記各式中、Ar6〜Ar16は、各々独立して、置換基を有していてもよい1価もしくは2価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい1価もしくは2価の芳香族複素環基を示す。R11及びR12は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を示す。)) (In the above formulas, Ar 6 to Ar 16 are each independently a monovalent or divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a monovalent which may have a substituent. Or a divalent aromatic heterocyclic group, R 11 and R 12 each independently represents a hydrogen atom or an optional substituent.))

Ar1〜Ar16の1価又は2価の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。 Examples of the monovalent or divalent aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 include a benzene ring and a naphthalene from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. A group derived from a ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring or a pyridine ring is preferred, and a group derived from a benzene ring or a naphthalene ring is more preferred.

Ar1〜Ar16の1価又は2価の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。 The monovalent or divalent aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group of Ar 1 to Ar 16 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. As the substituent, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group and the like are preferable.

11及びR12が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。 When R 11 and R 12 are optional substituents, examples of the substituent include alkyl groups, alkenyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic groups, and the like. .

式(III)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene(3,4-エチレンジオキシチオフェン)を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー(PEDOT/PSS)もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the formula (III) include those described in International Publication No. 2005/089024.
In addition, as a hole transporting compound, a conductive polymer (PEDOT / PSS) obtained by polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (3,4-ethylenedioxythiophene), a polythiophene derivative, in high molecular weight polystyrene sulfonic acid. Is also preferred. Moreover, the end of this polymer may be capped with methacrylate or the like.

さらに、正孔輸送性化合物としては、後述の{正孔輸送層}の項に記載の架橋性化合物を用いてもよい。架橋性化合物を用いる場合、成膜方法なども同様である。   Furthermore, as the hole transporting compound, a crosslinkable compound described in the item {Hole transporting layer} described later may be used. When a crosslinkable compound is used, the film forming method is the same.

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、また、通常70重量%以下、好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。   The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.01% by weight or more, preferably in terms of film thickness uniformity. Is 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and usually 70% by weight or less, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less. If this concentration is too high, film thickness unevenness may occur, and if it is too low, defects may occur in the formed hole injection layer.

(電子受容性化合物)
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The composition for forming a hole injection layer preferably contains an electron accepting compound as a constituent material of the hole injection layer.
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、4−イソプロピル−4'−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンダフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号パンフレット);塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンダフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。   Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples thereof include one or more compounds selected from the group. More specifically, an onium salt substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (International Publication No. WO 2005/089024); High valent inorganic compounds such as iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris (pendafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365) Aromatic boron compounds such as); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like.

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。   These electron accepting compounds can improve the conductivity of the hole injection layer by oxidizing the hole transporting compound.

正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である。但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル%以下である。   The content of the electron-accepting compound in the hole-injecting layer or the composition for forming a hole-injecting layer with respect to the hole-transporting compound is usually 0.1 mol% or more, preferably 1 mol% or more. However, it is usually 100 mol% or less, preferably 40 mol% or less.

(その他の構成材料)
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
(Other components)
As a material for the hole injection layer, other components may be further contained in addition to the above-described hole transporting compound and electron accepting compound as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. Examples of other components include various light emitting materials, electron transporting compounds, binder resins, and coating property improving agents. In addition, only 1 type may be used for another component and it may use 2 or more types together by arbitrary combinations and ratios.

(溶剤)
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
(solvent)
At least one of the solvents of the composition for forming a hole injection layer used in the wet film formation method is preferably a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer. The boiling point of this solvent is usually 110 ° C. or higher, preferably 140 ° C. or higher, particularly 200 ° C. or higher, usually 400 ° C. or lower, and preferably 300 ° C. or lower. If the boiling point of the solvent is too low, the drying speed is too high and the film quality may be deteriorated. Further, if the boiling point of the solvent is too high, it is necessary to increase the temperature of the drying step, which may adversely affect other layers and the substrate.
Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, amide solvents, and the like.

エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3−イロプロピルビフェニル、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
アミド系溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
Examples of ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, aromatic ethers such as 2,4-dimethylanisole, and the like.
Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.
Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylpropylphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, cyclohexylbenzene, and methylnaphthalene. Can be mentioned.
Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and the like.
In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.

これらの溶剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。   These solvent may use only 1 type and may use 2 or more types by arbitrary combinations and a ratio.

(成膜方法)
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
(Film formation method)
After preparing the composition for forming the hole injection layer, the composition is applied on the layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually the anode 2) by wet film formation, and dried. The hole injection layer 3 is formed.

塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、50℃以下が好ましくい。   The temperature in the coating step is preferably 10 ° C. or higher and preferably 50 ° C. or lower in order to prevent film loss due to the formation of crystals in the composition.

塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.01ppm以上、通常80%以下である。   Although the relative humidity in an application | coating process is not limited unless the effect of this invention is impaired remarkably, it is 0.01 ppm or more normally, and usually 80% or less.

塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。   After coating, the film of the composition for forming a hole injection layer is usually dried by heating or the like. Examples of the heating means used in the heating step include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, microwave irradiation and the like. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは120℃以上、好ましくは410℃以下で加熱することが好ましい。   The heating temperature in the heating step is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the composition for forming a hole injection layer as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In the case of a mixed solvent containing two or more types of solvents used in the hole injection layer, at least one type is preferably heated at a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent. In consideration of an increase in the boiling point of the solvent, the heating step is preferably performed at 120 ° C. or higher, preferably 410 ° C. or lower.

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは10秒以上、通常180分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は2回に分けて行ってもよい。   In the heating step, the heating time is not limited as long as the heating temperature is not lower than the boiling point of the solvent of the composition for forming a hole injection layer and sufficient insolubilization of the coating film does not occur. Is less than a minute. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, the hole injection layer tends to be inhomogeneous. Heating may be performed in two steps.

<真空蒸着法による正孔注入層の形成>
真空蒸着により正孔注入層3を形成する場合には、正孔注入層3の構成材料(前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種又は2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層3を形成することもできる。
<Formation of hole injection layer by vacuum deposition>
When the hole injection layer 3 is formed by vacuum deposition, one or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (the aforementioned hole transporting compound, electron accepting compound, etc.) are placed in a vacuum vessel. Put in crucibles installed (in case of using two or more kinds of materials, put them in each crucible), evacuate the inside of the vacuum vessel to about 10 -4 Pa with a suitable vacuum pump, and then heat the crucible (two kinds When using the above materials, heat each crucible) and control the evaporation amount to evaporate (when using two or more materials, control each evaporation amount independently) and face the crucible Then, the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 of the substrate placed on the substrate. In addition, when using 2 or more types of materials, the hole injection layer 3 can also be formed by putting those mixtures into a crucible, heating and evaporating.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、通常9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下である。
蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、通常5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上で、好ましくは50℃以下で行われる。
The degree of vacuum at the time of vapor deposition is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired, but usually 0.1 × 10 −6 Torr (0.13 × 10 −4 Pa) or more, usually 9.0 × 10 −6 Torr. (12.0 × 10 −4 Pa) or less.
The deposition rate is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.1 Å / second or more and usually 5.0 Å / second or less. The film forming temperature at the time of vapor deposition is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 10 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower.

{正孔輸送層}
正孔輸送層4は、正孔注入層がある場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成することができる。
また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
{Hole transport layer}
The hole transport layer 4 can be formed on the hole injection layer 3 when there is a hole injection layer and on the anode 2 when there is no hole injection layer 3.
The organic electroluminescent device of the present invention may have a configuration in which the hole transport layer is omitted.

本発明に係る正孔輸送層4の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層4を湿式成膜法により形成することが好ましい。   The method for forming the hole transport layer 4 according to the present invention may be a vacuum deposition method or a wet film formation method, and is not particularly limited, but the hole transport layer 4 is formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots. It is preferable.

正孔輸送層4を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。   The material for forming the hole transport layer 4 is preferably a material having high hole transportability and capable of efficiently transporting injected holes. Therefore, it is preferable that the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is large, the stability is high, and impurities that become traps are not easily generated during manufacturing or use. In many cases, it is preferable not to quench the light emitted from the light emitting layer 5 or to form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency because it is in contact with the light emitting layer 5.

このような正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層3に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。   Such a material for the hole transport layer 4 may be any material conventionally used as a constituent material for the hole transport layer. For example, the hole transport property used for the hole injection layer 3 described above. What was illustrated as a compound is mentioned. In addition, arylamine derivatives, fluorene derivatives, spiro derivatives, carbazole derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, silole derivatives, oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatics Group derivatives, metal complexes and the like.

また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
In addition, for example, polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, polyarylene vinylene derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophenes Derivatives, poly (p-phenylene vinylene) derivatives, and the like. These may be any of an alternating copolymer, a random polymer, a block polymer, or a graft copolymer. Further, it may be a polymer having a branched main chain and three or more terminal portions, or a so-called dendrimer.
Of these, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferred.

ポリアリールアミン誘導体としては、下記式(IV)で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式(IV)で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ara又はArbが異なっているものであってもよい。 The polyarylamine derivative is preferably a polymer containing a repeating unit represented by the following formula (IV). In particular, the polymer is preferably a polymer composed of repeating units represented by the following formula (IV). In this case, Ar a or Ar b may be different in each repeating unit.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(式(IV)中、Ara及びArbは、各々独立して、置換基を有していてもよい、1価もしくは2価の芳香族炭化水素基又は1価もしくは2価の芳香族複素環基を表す。) (In the formula (IV), Ar a and Ar b are each independently a monovalent or divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a monovalent or divalent aromatic complex. Represents a cyclic group.)

置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、6員環の単環又は2〜5縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and acenaphthene. Examples include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a ring, a fluoranthene ring, a fluorene ring, and a group in which these rings are linked by a direct bond.

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5又は6員環の単環又は2〜4縮合環由来の基及びこれらの環が2環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group which may have a substituent include a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, a benzothiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring, an indole ring, and a carbazole ring. , Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine Ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. ring Are those groups group and the rings of from 2-4 fused ring is linked by a direct bond or two or more rings.

有機溶剤に対して溶解性、耐熱性の点から、Ara及びArbは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が2環以上連結してなる基(例えば、ビフェニル基(ビフェニレン基)やターフェニル基(ターフェニレン基))が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基(フェニル基)、ベンゼン環が2環連結してなる基(ビフェニル基)及びフルオレン環由来の基(フルオレニル基)が好ましい。
Ar a and Ar b are each independently a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a triphenylene ring, a pyrene ring, a thiophene ring, a pyridine ring, a fluorene from the viewpoint of solubility and heat resistance in an organic solvent. A group derived from a ring selected from the group consisting of rings or a group formed by linking two or more benzene rings (for example, a biphenyl group (biphenylene group) or a terphenyl group (terphenylene group)) is preferable.
Among these, a group derived from a benzene ring (phenyl group), a group formed by connecting two benzene rings (biphenyl group), and a group derived from a fluorene ring (fluorenyl group) are preferable.

Ara及びArbにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。 Examples of the substituent that the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group in Ar a and Ar b may have include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkoxycarbonyl group, and a dialkyl. Examples thereof include an amino group, a diarylamino group, an acyl group, a halogen atom, a haloalkyl group, an alkylthio group, an arylthio group, a silyl group, a siloxy group, a cyano group, an aromatic hydrocarbon ring group, and an aromatic heterocyclic group.

ポリアリーレン誘導体としては、前記式(IV)におけるAraやArbとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。 As the polyarylene derivative, an arylene group such as an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent exemplified as Ar a or Ar b in the formula (IV) is used as its repeating unit. The polymer which has is mentioned.

ポリアリーレン誘導体としては、下記式(V−1)及び/又は下記式(V−2)からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。   As a polyarylene derivative, the polymer which has a repeating unit which consists of following formula (V-1) and / or following formula (V-2) is preferable.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(式(V−1)中、Ra、Rb、Rc及びRdは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。t及びsは、各々独立に、0〜3の整数を表す。t又はsが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRa又はRbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRa又はRb同士で環を形成していてもよい。) (In formula (V-1), R a , R b , R c and R d each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, a phenylalkyl group, a phenylalkoxy group, a phenyl group, a phenoxy group, an alkylphenyl group, Represents an alkoxyphenyl group, an alkylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxy group, and t and s each independently represent an integer of 0 to 3. When t or s is 2 or more, they are contained in one molecule. A plurality of R a or R b may be the same or different, and adjacent R a or R b may form a ring.)

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(式(V−2)中、Re及びRfは、各々独立に、上記式(V−1)におけるRa、Rb、Rc又はRdと同義である。r及びuは、各々独立に、0〜3の整数を表す。r又はuが2以上の場合、一分子中に含まれる複数のRe及びRfは同一であっても異なっていてもよく、隣接するRe又はRf同士で環を形成していてもよい。Xは、5員環又は6員環を構成する原子又は原子群を表す。) (In formula (V-2), R e and R f are each independently synonymous with R a , R b , R c or R d in formula (V-1). R and u are each Independently represents an integer of 0 to 3. When r or u is 2 or more, a plurality of R e and R f contained in one molecule may be the same or different, and adjacent R e or R R f may form a ring, and X represents an atom or an atomic group constituting a 5-membered ring or a 6-membered ring.)

Xの具体例としては、―O―、―BR―、―NR―、―SiR2―、―PR―、―SR―、―CR2―又はこれらが結合してなる基である。尚、Rは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。 Specific examples of X are —O—, —BR—, —NR—, —SiR 2 —, —PR—, —SR—, —CR 2 —, or a group formed by bonding thereof. R represents a hydrogen atom or an arbitrary organic group. The organic group in the present invention is a group containing at least one carbon atom.

また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式(V−1)及び/又は前記式(V−2)からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式(V−3)で表される繰り返し単位を有することが好ましい。   Moreover, as a polyarylene derivative, in addition to the repeating unit which consists of said Formula (V-1) and / or said Formula (V-2), it further has a repeating unit represented by the following formula (V-3). Is preferred.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

(式(V−3)中、Arc〜Arjは、各々独立に、置換基を有していてもよい、1価もしくは2価の芳香族炭化水素基又は1価もしくは2価の芳香族複素環基を表す。v及びwは、各々独立に0又は1を表す。) (In formula (V-3), Ar c to Ar j are each independently a monovalent or divalent aromatic hydrocarbon group or monovalent or divalent aromatic which may have a substituent. Represents a heterocyclic group, and v and w each independently represent 0 or 1.)

Arc〜Arjの具体例としては、前記式(IV)における、Ara及びArbと同様である。 Specific examples of Ar c to Ar j are the same as Ar a and Ar b in the formula (IV).

上記式(V−1)〜(V−3)の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008−98619号公報に記載のものなどが挙げられる。   Specific examples of the above formulas (V-1) to (V-3) and specific examples of polyarylene derivatives include those described in JP-A-2008-98619.

湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。   In the case of forming the hole transport layer 4 by a wet film formation method, a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as the formation of the hole injection layer 3 and then heated and dried after the wet film formation. .

正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層3の形成の場合と同様である。   The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the above hole transport compound. The solvent used is the same as that used for the composition for forming a hole injection layer. The film forming conditions, heat drying conditions, and the like are the same as in the case of forming the hole injection layer 3.

真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。   In the case where the hole transport layer is formed by the vacuum deposition method, the film forming conditions are the same as those in the case of forming the hole injection layer 3.

正孔輸送層4は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。   The hole transport layer 4 may contain various light emitting materials, electron transport compounds, binder resins, coating property improving agents, and the like in addition to the hole transport compound.

正孔輸送層4はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。   The hole transport layer 4 may also be a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound. The crosslinkable compound is a compound having a crosslinkable group, and forms a network polymer compound by crosslinking.

この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基;ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基;ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。   Examples of this crosslinkable group include groups derived from cyclic ethers such as oxetane and epoxy; groups derived from unsaturated double bonds such as vinyl, trifluorovinyl, styryl, acrylic, methacryloyl and cinnamoyl; benzo Examples include groups derived from cyclobutene.

架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は1種のみを有していてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。   The crosslinkable compound may be any of a monomer, an oligomer, and a polymer. The crosslinkable compound may have only 1 type, and may have 2 or more types by arbitrary combinations and ratios.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式(IV)や式(V−1)〜(V−3)に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。   As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of the hole transporting compound include those exemplified above, and those having a crosslinkable group bonded to the main chain or side chain with respect to these hole transporting compounds. In particular, the crosslinkable group is preferably bonded to the main chain via a linking group such as an alkylene group. In particular, the hole transporting compound is preferably a polymer containing a repeating unit having a crosslinkable group, and the above formula (IV) and formulas (V-1) to (V-3) are represented by a crosslinkable group. Is preferably a polymer having a repeating unit bonded directly or via a linking group.

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニルアミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。   As the crosslinkable compound, a hole transporting compound having a crosslinkable group is preferably used. Examples of hole transporting compounds include nitrogen-containing aromatic compound derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives; triphenylamine derivatives Silole derivatives; oligothiophene derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes and the like. Among them, nitrogen-containing aromatic derivatives such as pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, carbazole derivatives; triphenylamine derivatives, silole derivatives, condensed polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, etc. Particularly preferred are triphenylamine derivatives.

架橋性化合物を架橋して正孔輸送層4を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。   In order to form a hole transport layer 4 by crosslinking a crosslinkable compound, a composition for forming a hole transport layer in which a crosslinkable compound is dissolved or dispersed in a solvent is usually prepared and deposited by wet film formation. To crosslink.

正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤;などが挙げられる。   The composition for forming a hole transport layer may contain an additive for promoting a crosslinking reaction in addition to the crosslinking compound. Examples of additives that promote the crosslinking reaction include polymerization initiators and polymerization accelerators such as alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime ester compounds, azo compounds, onium salts; condensed polycyclic hydrocarbons, And photosensitizers such as porphyrin compounds and diaryl ketone compounds.

また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤;電子受容性化合物;バインダー樹脂;などを含有していてもよい。   Further, it may contain a coating property improving agent such as a leveling agent and an antifoaming agent; an electron accepting compound; a binder resin;

正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下含有する。   In the composition for forming a hole transport layer, the crosslinkable compound is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, usually 50% by weight or less, preferably 20%. It is contained in an amount of not more than wt%, more preferably not more than 10 wt%.

このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層(通常は正孔注入層3)上に成膜後、加熱及び/又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。   After forming a composition for forming a hole transport layer containing a crosslinkable compound at such a concentration on the lower layer (usually the hole injection layer 3), the composition is crosslinked by heating and / or irradiation with active energy such as light. Are crosslinked to form a network polymer compound.

成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層3の湿式成膜時と同様である。   Conditions such as temperature and humidity during film formation are the same as those during the wet film formation of the hole injection layer 3.

成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常120℃以上、好ましくは400℃以下である。
加熱時間としては、通常1分以上、好ましくは24時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、塗布膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
The heating method after film formation is not particularly limited. As heating temperature conditions, it is 120 degreeC or more normally, Preferably it is 400 degrees C or less.
The heating time is usually 1 minute or longer, preferably 24 hours or shorter. The heating means is not particularly limited, and means such as placing a laminated body having a coated film layer on a hot plate or heating in an oven is used. For example, conditions such as heating on a hot plate at 120 ° C. or more for 1 minute or more can be used.

光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以下照射される。   In the case of irradiation with active energy such as light, a method of irradiating directly using an ultraviolet / visible / infrared light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, an infrared lamp, or the above-mentioned light source is incorporated. Examples include a mask aligner and a method of irradiation using a conveyor type light irradiation device. In active energy irradiation other than light, for example, there is a method of irradiation using a so-called microwave oven that irradiates a microwave generated by a magnetron. As the irradiation time, it is preferable to set conditions necessary for reducing the solubility of the film, but irradiation is usually performed for 0.1 seconds or longer, preferably 10 hours or shorter.

加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。   The irradiation of active energy such as heating and light may be performed alone or in combination. When combined, the order of implementation is not particularly limited.

このようにして形成される正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。   The film thickness of the hole transport layer 4 thus formed is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

{発光層}
本発明の有機電界発光素子における発光層5は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。
{Light emitting layer}
The light emitting layer 5 in the organic electroluminescent device of the present invention is preferably formed by a wet film forming method using the composition for organic electroluminescent device of the present invention.

成膜時の成膜温度は限定されないが、組成物中に結晶や凝集が生じることによる膜の欠損を防ぐため、10℃以上が好ましく、13℃以上がより好ましく、16℃以上がさらに好ましく、また、50℃以下が好ましく、40℃以下がさらに好ましい。   The film formation temperature at the time of film formation is not limited, but in order to prevent film loss due to the occurrence of crystals and aggregation in the composition, it is preferably 10 ° C. or higher, more preferably 13 ° C. or higher, further preferably 16 ° C. or higher, Moreover, 50 degrees C or less is preferable and 40 degrees C or less is more preferable.

成膜時の相対湿度は限定されないが、通常0.01ppm以上、好ましくは0.05ppm以上、より好ましくは0.1ppm以上、通常80%以下、好ましくは60%以下、より好ましくは15%以下、更に好ましくは1%以下、特に好ましくは100ppm以下である。相対湿度が小さすぎると、成膜条件の制御が困難となり、安定した環境を維持できない。また、大きすぎると発光層への水分吸着が影響する可能性がある。   The relative humidity during film formation is not limited, but is usually 0.01 ppm or more, preferably 0.05 ppm or more, more preferably 0.1 ppm or more, usually 80% or less, preferably 60% or less, more preferably 15% or less, More preferably, it is 1% or less, and particularly preferably 100 ppm or less. If the relative humidity is too small, it is difficult to control the film forming conditions, and a stable environment cannot be maintained. On the other hand, if it is too large, moisture adsorption on the light emitting layer may be affected.

成膜後は、通常は加熱乾燥させる。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。   After film formation, it is usually dried by heating. Examples of the heating means include a clean oven, a hot plate, infrared rays, a halogen heater, and microwave irradiation. Among them, a clean oven and a hot plate are preferable in order to uniformly apply heat to the entire film.

加熱工程における加熱方向は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱方向の例を挙げると、例えば、ホットプレート上に成膜基板を搭載し、そのホットプレートを介して塗布膜を加熱させることで、塗布膜を基板の下面(有機層が塗布されていない基板側)から加熱していく方法、クリーンオーブン内に成膜基板を投入することで、前後左右すべての方向から塗布膜を加熱する方法等が挙げられる。   The heating direction in the heating step is not limited as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. As an example of the heating direction, for example, a film formation substrate is mounted on a hot plate, and the coating film is heated through the hot plate, whereby the coating film is placed on the lower surface of the substrate (a substrate on which no organic layer is applied). A method of heating from the side), a method of heating the coating film from all directions, front, back, left, and right by placing the film formation substrate in a clean oven.

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り特に制限はないが、通常90℃以上、好ましくは100℃以上、また、通常200℃以下、好ましくは140℃以下で加熱することが好ましい。加熱温度が高すぎると他の層に成分が拡散する可能性があり、また、低すぎると十分に残存溶剤を取り除けない可能性がある。また、有機電界発光素子用組成物中に溶剤が2種類以上含まれている混合溶剤である場合、少なくとも1種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。   The heating temperature in the heating step is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 90 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, and usually 200 ° C. or lower, preferably 140 ° C. or lower. preferable. If the heating temperature is too high, components may diffuse into other layers, and if it is too low, the residual solvent may not be removed sufficiently. Moreover, when it is a mixed solvent in which 2 or more types of solvents are contained in the composition for organic electroluminescent elements, it is preferable that at least 1 type is heated at the temperature more than the boiling point of the solvent.

加熱工程における加熱時間は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは15分以上、より好ましくは30分以上、さらに好ましくは1時間以上、また、好ましくは6時間以下、より好ましくは3時間以下、さらに好ましくは2時間以下である。この加熱により、塗布膜を十分に不溶化させることが可能となる。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、また、短すぎると十分な均質性が得られない。   The heating time in the heating step is not limited as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is preferably 15 minutes or more, more preferably 30 minutes or more, further preferably 1 hour or more, and preferably 6 hours or less, more preferably Is 3 hours or less, more preferably 2 hours or less. This heating makes it possible to sufficiently insolubilize the coating film. If the heating time is too long, the components of the other layers tend to diffuse, and if it is too short, sufficient homogeneity cannot be obtained.

発光層5の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常3nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常200nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。発光層5の膜厚が、薄すぎると発光層5に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると素子の駆動電圧が上昇する可能性がある。   The thickness of the light emitting layer 5 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. If the thickness of the light emitting layer 5 is too thin, defects may occur in the light emitting layer 5, and if it is too thick, the driving voltage of the device may increase.

本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて発光層を形成しない場合、発光層としては従来有機電界発光素子の発光層として使用されている材料や方法により形成することができる。   When a light emitting layer is not formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, the light emitting layer can be formed by materials and methods conventionally used as a light emitting layer of an organic electroluminescent element.

{正孔阻止層}
発光層5上に正孔阻止層6を設けてもよい。この正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。
{Hole blocking layer}
A hole blocking layer 6 may be provided on the light emitting layer 5. The hole blocking layer 6 has a role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Have

正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層6の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト),(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005−022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。なお、正孔阻止層6の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high. Examples of the material of the hole blocking layer 6 satisfying such conditions include, for example, bis (2-methyl-8-quinolinolato), (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato), (triphenylsilanolato). ) Mixed ligand complexes such as aluminum, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, distyrylbiphenyl Derivatives such as styryl compounds (JP-A-11-242996), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole and other triazole derivatives ( JP-A-7-41759), phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP-A-10-79297), etc. It is below. Further, a compound having at least one pyridine ring substituted at positions 2, 4, and 6 described in International Publication No. 2005-022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer 6. In addition, the material of the hole-blocking layer 6 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

正孔阻止層6の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成できる。好ましくは真空蒸着法である。   There is no restriction | limiting in the formation method of the hole-blocking layer 6. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods. A vacuum deposition method is preferred.

正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。   The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

{電子輸送層}
陰極8と発光層5との間には電子輸送層7を設けてもよい。電子輸送層7は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。
{Electron transport layer}
An electron transport layer 7 may be provided between the cathode 8 and the light emitting layer 5. The electron transport layer 7 is provided for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device, and efficiently transports electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. Formed from a compound capable of

電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極9又は後述の電子注入層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−ヒドロキシフラボン金属錯体、5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。なお、電子輸送層7の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   As an electron transporting compound used for the electron transport layer 7, usually, the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 described later is high, and the injected electrons are transported efficiently with high electron mobility. A compound that can be used is used. Examples of the compound satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives , Distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compounds ( JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide , N-type zinc sulfide, n-type zinc Such as emissions of zinc, and the like. In addition, the material of the electron carrying layer 7 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子輸送層7の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。好ましくは真空蒸着法である。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron carrying layer 7. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods. A vacuum deposition method is preferred.

電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm以下の範囲である。   The thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as the effect of the present invention is not significantly impaired, but is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

{電子注入層}
電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。
{Electron injection layer}
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function.

電子注入層8の形成材料としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が挙げられる。この場合の電子注入層8の膜厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。   Examples of the material for forming the electron injection layer 8 include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium. In this case, the thickness of the electron injection layer 8 is usually preferably 0.1 nm or more and 5 nm or less.

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化リチウム(Li2O)、炭酸セシウム(II)(CsCO3)等で形成された極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70, pp.152;特開平10−74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices, 1997年,Vol.44, pp.1245;SID 04 Digest, pp.154等参照)。 Furthermore, an organic electron transport compound represented by a metal complex such as a nitrogen-containing heterocyclic compound such as bathophenanthroline or an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline is doped with an alkali metal such as sodium, potassium, cesium, lithium, or rubidium ( (As described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-1000047, JP-A-2002-1000048, etc.), it is possible to improve the electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. preferable. Further, for example, an ultra-thin insulating film (0.1 to 5 nm) formed of lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium carbonate (II) (CsCO 3 ), or the like. ) Is also an effective method for improving the efficiency of the device (Applied Physics Letters, 1997, Vol. 70, pp. 152; Japanese Patent Laid-Open No. 10-74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1997) Vol. 44, pp. 1245; SID 04 Digest, pp. 154, etc.).

この場合の膜厚は、通常、5nm以上、中でも10nm以上が好ましく、また、通常200nm以下、中でも100nm以下が好ましい。   In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

なお、電子注入層8の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   In addition, the material of the electron injection layer 8 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子注入層8の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of the electron injection layer 8. FIG. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods.

{陰極}
陰極9は、発光層5側の層に電子を注入する役割を果たすものである。
{cathode}
The cathode 9 serves to inject electrons into the layer on the light emitting layer 5 side.

陰極9の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。なお、陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   As the material of the cathode 9, the material used for the anode 2 can be used. However, a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection. For example, tin, magnesium, indium, A suitable metal such as calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy. In addition, the material of the cathode 9 may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

陰極9の膜厚は、通常、陽極と同様である。   The film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode.

さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   Further, for the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere because the stability of the device is increased. For this purpose, for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

{その他の層}
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層、例えば、以下に記載する電子阻止層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
{Other layers}
The organic electroluminescent element of the present invention may have another configuration without departing from the gist thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer other than the layers described above may be provided between the anode 2 and the cathode 9, for example, an electron blocking layer described below, Arbitrary layers may be omitted.

電子阻止層は、発光層5に接して、発光層5の陽極側に設けられ、発光層5から移動してくる電子が正孔輸送層4、正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層5内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、正孔輸送層4、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は効果的である。   The electron blocking layer is provided on the anode side of the light emitting layer 5 in contact with the light emitting layer 5 and blocks electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole transport layer 4 and the hole injection layer 3. Thus, the probability of recombination of holes and electrons in the light emitting layer 5 is increased, the excitons generated are confined in the light emitting layer 5, and the positive holes injected from the hole transport layer 4 and the hole injection layer 3. There is a role of efficiently transporting the holes in the direction of the light emitting layer. In particular, it is effective when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting material.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層を本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層8に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号公報記載)等が挙げられる。なお、電子阻止層の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。   The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Furthermore, in the present invention, when the light emitting layer is produced by the wet film formation method using the composition for organic electroluminescence elements of the present invention, the electron blocking layer is also required to be compatible with the wet film formation. Examples of the material used for the electron blocking layer 8 include a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB (described in International Publication No. 2004/084260). In addition, the material of an electron blocking layer may use only 1 type, and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成することができる。   There is no restriction | limiting in the formation method of an electron blocking layer. Therefore, it can be formed by a wet film formation method, a vacuum deposition method, or other methods.

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極から順に設けることになる。   Moreover, in the layer structure demonstrated above, it is also possible to laminate | stack components other than a board | substrate in reverse order. For example, in the case of the layer configuration of FIG. 1, other components are provided in order from the cathode on the substrate 1.

更には、少なくとも一方が透明性を有する2枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、有機電界発光素子を構成することも可能である。   Furthermore, it is also possible to constitute an organic electroluminescent element by laminating components other than the substrate between two substrates, at least one of which has transparency.

また、基板以外の構成要素(発光ユニット)を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その場合には、各段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合は、それら2層)の代わりに、例えば五酸化バナジウム(V25)等からなる電荷発生層(Carrier Generation Layer:CGL)を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 In addition, a structure in which a plurality of components (light emitting units) other than the substrate are stacked in a plurality of layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interface layer between the steps (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, these two layers), for example, a charge made of vanadium pentoxide (V 2 O 5 ) or the like. When a generation layer (Carrier Generation Layer: CGL) is provided, a barrier between steps is reduced, which is more preferable from the viewpoint of light emission efficiency and driving voltage.

更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。   Furthermore, the organic electroluminescent device of the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array, and an anode and a cathode May be applied to a configuration in which are arranged in an XY matrix.

また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、各々の層構成材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。   In addition, each layer described above may contain components other than those described as the respective layer constituent materials unless the effects of the present invention are significantly impaired.

[有機EL表示装置]
本発明の有機EL表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、本発明の有機EL表示装置を形成することができる。
[Organic EL display device]
The organic EL display device of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic electroluminescent display apparatus of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.
For example, the organic EL display device of the present invention can be obtained by the method described in “Organic EL display” (Ohm, published on Aug. 20, 2004, Shizushi Tokito, Chiba Adachi, Hideyuki Murata). Can be formed.

[有機EL照明]
本発明の有機EL照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
[Organic EL lighting]
The organic EL illumination of the present invention uses the above-described organic electroluminescent element of the present invention. There is no restriction | limiting in particular about the model and structure of the organic EL illumination of this invention, It can assemble in accordance with a conventional method using the organic electroluminescent element of this invention.

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の
実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実
施できる。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be arbitrarily modified and implemented without departing from the gist thereof.

〔化合物の合成〕
[合成例1:本発明化合物H−1の合成]
<化合物2の合成>
(Synthesis of compounds)
[Synthesis Example 1: Synthesis of Compound H-1 of the Present Invention]
<Synthesis of Compound 2>

Figure 0005644196
Figure 0005644196

化合物1(3−ブロモ−ヨードベンゼン)(25g、88mmol)及び1−ナフチルボロン酸(13.8g、80mmol)をトルエン240ml/エタノール120ml混合溶剤に溶解し、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム1g、2Mリン酸三カリウム水溶液125mlを加え、窒素気流下、4時間還流攪拌しながら反応させた。ここへトルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。この操作を2回行い、化合物2(1−ブロモ−3−ナフチルベンゼン)を合計で37g得た。   Compound 1 (3-bromo-iodobenzene) (25 g, 88 mmol) and 1-naphthylboronic acid (13.8 g, 80 mmol) are dissolved in a mixed solvent of 240 ml of toluene / 120 ml of ethanol, and 1 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium, 2M. 125 ml of a tripotassium phosphate aqueous solution was added, and the mixture was allowed to react with stirring under reflux for 4 hours under a nitrogen stream. Toluene and water were added thereto, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography. This operation was performed twice to obtain 37 g of Compound 2 (1-bromo-3-naphthylbenzene) in total.

<化合物3の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 3>
Figure 0005644196

化合物2(1−ブロモ−3−ナフチルベンゼン)(20g、71mmol)を250mlの脱水テトラヒドロフラン(THF)に溶解した。−78℃に溶液を保持し、1.2Mのn−BuLiのヘキサン溶液50mlを添加した。1時間攪拌後、ホウ酸トリメチル25mlを添加し、2時間攪拌後、徐々に昇温させた。更に1N塩酸を加え、塩化メチレン50mlを入れて抽出し、濃縮乾燥した。この操作を2回繰り返し、37gの化合物3(m−ナフチルフェニルボロン酸)を得た。   Compound 2 (1-bromo-3-naphthylbenzene) (20 g, 71 mmol) was dissolved in 250 ml of dehydrated tetrahydrofuran (THF). The solution was kept at −78 ° C. and 50 ml of 1.2 M n-BuLi in hexane was added. After stirring for 1 hour, 25 ml of trimethyl borate was added, and after stirring for 2 hours, the temperature was gradually raised. Further, 1N hydrochloric acid was added, and 50 ml of methylene chloride was added for extraction, followed by concentration and drying. This operation was repeated twice to obtain 37 g of compound 3 (m-naphthylphenylboronic acid).

<化合物4の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 4>
Figure 0005644196

化合物1(3−ブロモ−ヨードベンゼン)(17.6g、62mmol)及び化合物3(m−ナフチルフェニルボロン酸)(14.0g、62.1mmol)をトルエン170ml/エタノール85ml混合溶剤に溶解し、2M炭酸ナトリウム水溶液85mlと、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム2gを加え、窒素気流下、6時間還流攪拌しながら反応させた。ここへトルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、13.0gの化合物4(3’−ブロモフェニル−3−(1−ナフチル)ベンゼン)を得た。   Compound 1 (3-bromo-iodobenzene) (17.6 g, 62 mmol) and compound 3 (m-naphthylphenylboronic acid) (14.0 g, 62.1 mmol) were dissolved in a mixed solvent of toluene 170 ml / ethanol 85 ml. A sodium carbonate aqueous solution (85 ml) and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (2 g) were added, and the mixture was allowed to react with stirring under reflux in a nitrogen stream for 6 hours. Toluene and water were added thereto, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography to obtain 13.0 g of compound 4 (3'-bromophenyl-3- (1-naphthyl) benzene).

<化合物5の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 5>
Figure 0005644196

化合物4(3’−ブロモフェニル−3−(1−ナフチル)ベンゼン)(13.0g、36mmol)を200mlの脱水THFに溶解した。−78℃に溶液を保持し、1.05Mのn−BuLiのヘキサン溶液24mlを添加した。更に1時間攪拌後、ホウ酸トリメチル12mlを添加し、2.5時間攪拌後、徐々に昇温させた。さらに1N塩酸200mlを加え、酢酸エチル400mlを入れて抽出し、濃縮乾燥した後、ヘキサンで洗浄して13.6gの化合物5を得た。   Compound 4 (3'-bromophenyl-3- (1-naphthyl) benzene) (13.0 g, 36 mmol) was dissolved in 200 ml of dehydrated THF. The solution was kept at −78 ° C. and 24 ml of a 1.05 M n-BuLi hexane solution was added. Further, after stirring for 1 hour, 12 ml of trimethyl borate was added, and after stirring for 2.5 hours, the temperature was gradually raised. Further, 200 ml of 1N hydrochloric acid was added, and 400 ml of ethyl acetate was added for extraction, followed by concentration, drying, and washing with hexane to obtain 13.6 g of compound 5.

<化合物6の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 6>
Figure 0005644196

3−ビフェニルボロン酸(12.39g、62.6mmol)及び9−ブロモアントラセン(12.37g、48.1mmol)をトルエン80ml/エタノール40ml混合溶剤に溶解し、2Mリン酸三カリウム水溶液60mLを加え、更にテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム2.2gを加え、窒素気流下、80℃で6.5時間攪拌しながら反応させた。ここへトルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、15.6gの化合物6(ビフェニルアントラセン)を得た。   3-biphenylboronic acid (12.39 g, 62.6 mmol) and 9-bromoanthracene (12.37 g, 48.1 mmol) were dissolved in a mixed solvent of 80 ml of toluene / 40 ml of ethanol, and 60 ml of 2M tripotassium phosphate aqueous solution was added. Furthermore, 2.2 g of tetrakis (triphenylphosphine) palladium was added, and the reaction was allowed to stir at 80 ° C. for 6.5 hours under a nitrogen stream. Toluene and water were added thereto, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography to obtain 15.6 g of compound 6 (biphenylanthracene).

<化合物7の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 7>
Figure 0005644196

化合物6(ビフェニルアントラセン)(31.0g、93.8mmol)を室温下、N,N−ジメチルホルムアミド550mlに加え攪拌し、N−ブロモスクシンイミド(16.2g、93.8mmol)を固体のまま分割して加え、さらに5時間攪拌した。ここへ水及びジクロロメタンを加え、油層に硫酸マグネシウムを加え濾過後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、35.1gの化合物7を得た。   Compound 6 (biphenylanthracene) (31.0 g, 93.8 mmol) was added to 550 ml of N, N-dimethylformamide at room temperature and stirred, and N-bromosuccinimide (16.2 g, 93.8 mmol) was separated as a solid. And stirred for another 5 hours. Water and dichloromethane were added thereto, and magnesium sulfate was added to the oil layer. After filtration and purification by silica gel column chromatography, 35.1 g of Compound 7 was obtained.

<化合物H−1の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound H-1>
Figure 0005644196

化合物7(12.10g、29.6mmol)及び化合物5(12.0g、37.0mmol)をトルエン(80ml)/エタノール(40ml)混合溶剤に溶解し、2Mリン酸三カリウム水溶液40mLを加え、更にテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(1.33g)を加え、窒素気流下、9時間攪拌還流しながら反応させた。ここへトルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、昇華精製し、10.3gの化合物H−1を得た。得られた化合物H−1のH−NMRチャート(400MHz、CDCl、25℃)を図2に示す。 Compound 7 (12.10 g, 29.6 mmol) and compound 5 (12.0 g, 37.0 mmol) are dissolved in a mixed solvent of toluene (80 ml) / ethanol (40 ml), and 40 mL of 2M tripotassium phosphate aqueous solution is added. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.33 g) was added, and the reaction was allowed to stir and reflux for 9 hours under a nitrogen stream. Toluene and water were added thereto, and the mixture was separated, purified by silica gel column chromatography, and then purified by sublimation to obtain 10.3 g of compound H-1. A 1 H-NMR chart (400 MHz, CDCl 3 , 25 ° C.) of the obtained compound H-1 is shown in FIG.

[合成例2:本発明の化合物H−2の合成例]
<化合物8の合成>

Figure 0005644196
[Synthesis Example 2: Synthesis Example of Compound H-2 of the Present Invention]
<Synthesis of Compound 8>
Figure 0005644196

化合物5(5.89g、18.2mmol)及び9−ブロモアントラセン(3.59g、14.0mmol)をトルエン30ml/エタノール15ml混合溶剤に溶解し、2Mリン酸三カリウム水溶液17mLを加え、更にテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.7gを加え、窒素気流下、4時間還流攪拌しながら反応させた。ここへトルエンと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、5.78gの化合物8を得た。   Compound 5 (5.89 g, 18.2 mmol) and 9-bromoanthracene (3.59 g, 14.0 mmol) were dissolved in a mixed solvent of 30 ml of toluene / 15 ml of ethanol, 17 mL of 2M tripotassium phosphate aqueous solution was added, and tetrakis ( Triphenylphosphine) palladium (0.7 g) was added, and the mixture was allowed to react with stirring under reflux for 4 hours under a nitrogen stream. Toluene and water were added thereto, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography to obtain 5.78 g of compound 8.

<化合物9の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 9>
Figure 0005644196

化合物8(4.4g、9.36mmol)を室温下、N,N−ジメチルホルムアミド160mlに加えて攪拌し、N−ブロモスクシンイミド(1.8g、10.1mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(40ml)溶液を0℃で滴下して加え、1時間撹拌した後、さらに室温で2時間攪拌した。ここへ水を加えて析出物を濾過後、乾燥したところ、5.0gの化合物9を得た。   Compound 8 (4.4 g, 9.36 mmol) was added to 160 ml of N, N-dimethylformamide at room temperature and stirred, and N-bromosuccinimide (1.8 g, 10.1 mmol) in N, N-dimethylformamide (40 ml) was stirred. ) The solution was added dropwise at 0 ° C. and stirred for 1 hour, and further stirred at room temperature for 2 hours. Water was added thereto, the precipitate was filtered and dried, and 5.0 g of Compound 9 was obtained.

<化合物10の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 10>
Figure 0005644196

化合物1(3−ブロモ−ヨードベンゼン)(13.7g、48.5mmol)及びビフェニル−3−ボロン酸(8.0g、40.4mmol)をトルエン120ml/エタノール60ml混合溶剤に溶解し、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム1gと、2M炭酸ナトリウム水溶液30mlを加え、窒素気流下、6時間還流攪拌しながら反応させた。ここへ酢酸エチルと水を加え、分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。この操作を2回行い、化合物10を合計で10.5g得た。   Compound 1 (3-bromo-iodobenzene) (13.7 g, 48.5 mmol) and biphenyl-3-boronic acid (8.0 g, 40.4 mmol) were dissolved in a mixed solvent of 120 ml of toluene / 60 ml of ethanol, and tetrakis (tri Phenylphosphine) palladium (1 g) and 2M aqueous sodium carbonate solution (30 ml) were added, and the mixture was reacted with stirring under reflux for 6 hours under a nitrogen stream. To this were added ethyl acetate and water, and the mixture was separated and purified by silica gel column chromatography. This operation was performed twice to obtain 10.5 g of Compound 10 in total.

<化合物11の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound 11>
Figure 0005644196

化合物10(10.5g、34mmol)を100mlの脱水THFに溶解した。−78℃に溶液を保持し、1.05Mのn−BuLiのヘキサン溶液25mlを添加した。3時間攪拌後、ホウ酸トリメチル12mlを添加し、徐々に室温まで昇温させながら1時間攪拌した。ここへ1N塩酸100mlを加え、酢酸エチルを入れて抽出し、濃縮乾燥し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して8.0gの化合物11を得た。   Compound 10 (10.5 g, 34 mmol) was dissolved in 100 ml of dehydrated THF. The solution was kept at −78 ° C., and 25 ml of a 1.05 M n-BuLi hexane solution was added. After stirring for 3 hours, 12 ml of trimethyl borate was added and stirred for 1 hour while gradually warming to room temperature. To this, 100 ml of 1N hydrochloric acid was added, extracted with ethyl acetate, concentrated, dried, and purified by silica gel column chromatography to obtain 8.0 g of compound 11.

<化合物H−2の合成>

Figure 0005644196
<Synthesis of Compound H-2>
Figure 0005644196

化合物9(5.0g、9.3mmol)及び化合物11(3.8g、14.0mmol)をトルエン(160ml)/エタノール(80ml)混合溶剤に溶解し、2Mリン酸三カリウム水溶液40mLを加え、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0.33g)を加え、窒素気流下、6時間攪拌還流しながら反応させた。ここへ酢酸エチルと水を加えて分液し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、昇華精製し、2gの化合物H−2を得た。得られた化合物H−2のH−NMRチャート(400MHz、CDCl、25℃)を図3に示す。 Compound 9 (5.0 g, 9.3 mmol) and Compound 11 (3.8 g, 14.0 mmol) were dissolved in a mixed solvent of toluene (160 ml) / ethanol (80 ml), and 40 mL of 2M tripotassium phosphate aqueous solution was added. (Triphenylphosphine) palladium (0.33 g) was added, and the reaction was allowed to stir and reflux for 6 hours under a nitrogen stream. Ethyl acetate and water were added thereto for liquid separation, and after purification by silica gel column chromatography, sublimation purification was performed to obtain 2 g of compound H-2. FIG. 3 shows a 1 H-NMR chart (400 MHz, CDCl 3 , 25 ° C.) of the obtained compound H-2.

[合成例3,4:比較化合物C−1,C−2の合成]
合成例1,2と同様の手法によって、比較化合物C−1及びC−2を合成した。
[Synthesis Examples 3 and 4: Synthesis of Comparative Compounds C-1 and C-2]
Comparative compounds C-1 and C-2 were synthesized in the same manner as in Synthesis Examples 1 and 2.

<比較化合物C−1>

Figure 0005644196
<Comparative Compound C-1>
Figure 0005644196

<比較化合物C−2>

Figure 0005644196
<Comparative Compound C-2>
Figure 0005644196

[溶剤溶解性]
本発明化合物H−1,H−2及び比較化合物C−1,C−2について、以下の方法で1013hPa、25℃におけるシクロヘキシルベンゼンに対する溶解度を測定し、結果を表1に示した。
[Solvent solubility]
About this invention compound H-1, H-2 and comparative compound C-1, C-2, the solubility with respect to cyclohexylbenzene in 1013 hPa and 25 degreeC was measured with the following method, and the result was shown in Table 1.

<溶解度測定方法>
25℃に調温された室内において、本発明化合物又は比較化合物をガラス製バイアル中に10mg秤量し、バイアルを振とうしながら完全に溶解するまでシクロヘキシルベンゼンを少量ずつ滴下した後、25℃で12時間以上静置して、均一溶液状態を保持することを確認した。シクロヘキシルベンゼンの滴下重量から溶解度を算出した。
<Solubility measurement method>
In a room adjusted to 25 ° C., 10 mg of the compound of the present invention or the comparative compound was weighed into a glass vial, and cyclohexylbenzene was added dropwise little by little until the vial was completely dissolved while shaking the vial. It was confirmed that the solution was allowed to stand for more than an hour to maintain a uniform solution state. Solubility was calculated from the drop weight of cyclohexylbenzene.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

〔有機電界発光素子の作成〕
[実施例1]
図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
[Creation of organic electroluminescence device]
[Example 1]
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 1 was produced by the following method. An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 having a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance 15 Ω) is patterned into a 2 mm wide stripe using normal photolithography and hydrochloric acid etching. Thus, an anode 2 was formed. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

次いで、正孔注入層3を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記式に示す芳香族アミノ基を有する高分子化合物PB−1(重量平均分子量:52000,数平均分子量:32500))と下記に示す構造式の電子受容性化合物A−2とを用い、下記組成の正孔注入層形成用組成物を用いて以下の成膜条件でスピンコートした。   Next, the hole injection layer 3 was formed by a wet film formation method as follows. As a material for the hole injection layer 3, a polymer compound PB-1 having an aromatic amino group represented by the following formula (weight average molecular weight: 52000, number average molecular weight: 32500) and an electron-accepting compound having the structural formula shown below Using A-2, spin coating was performed under the following film forming conditions using a composition for forming a hole injection layer having the following composition.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

<正孔注入層形成用組成物>
溶剤:安息香酸エチル
PB−1濃度:2.0重量%
A−2濃度:0.4重量%
<Composition for forming hole injection layer>
Solvent: ethyl benzoate PB-1 concentration: 2.0% by weight
A-2 concentration: 0.4% by weight

<成膜条件>
スピナ回転数:2250rpm
スピナ回転時間:30秒
スピンコート雰囲気:大気下,25℃
乾燥条件:230℃×60分
<Film formation conditions>
Spinner speed: 2250 rpm
Spinner rotation time: 30 seconds Spin coating atmosphere: 25 ° C under air
Drying conditions: 230 ° C x 60 minutes

上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。   A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.

続いて、正孔輸送層4を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔輸送層4の材料として、下記に示す構造式の電荷輸送材料PB−2を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを用い、下記組成の正孔輸送層形成用組成物を調製し、この正孔輸送層形成用組成物を用いて以下の成膜条件でスピンコートした。   Subsequently, the hole transport layer 4 was formed by a wet film formation method as follows. Using the charge transport material PB-2 having the structural formula shown below as the material of the hole transport layer 4 and cyclohexylbenzene as the solvent, a composition for forming a hole transport layer having the following composition was prepared. The coating composition was spin-coated under the following film forming conditions.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

<正孔輸送層形成用組成物>
溶剤:シクロヘキシルベンゼン
PB−2濃度:1.4重量%
<Composition for forming hole transport layer>
Solvent: cyclohexylbenzene PB-2 concentration: 1.4% by weight

<成膜条件>
スピナ回転数:1500rpm
スピナ回転時間:120秒
スピンコート雰囲気:乾燥窒素中,25℃
乾燥条件:230℃×60分(乾燥窒素下)
<Film formation conditions>
Spinner speed: 1500rpm
Spinner rotation time: 120 seconds Spin coat atmosphere: 25 ° C in dry nitrogen
Drying conditions: 230 ° C x 60 minutes (under dry nitrogen)

上記のスピンコートにより膜厚20nmの均一な薄膜が形成された。   A uniform thin film having a thickness of 20 nm was formed by the above spin coating.

次に、発光層5を形成するにあたり、電荷輸送材料として、合成例1で合成された本発明化合物H−1を用い、発光材料として下記構造の有機化合物D−1を用いて下記に示す発光層形成用組成物(本発明の有機電界発光素子用組成物)を調製し、以下に示す成膜条件で正孔輸送層4上にスピンコートして膜厚45nmで発光層5を得た。   Next, in forming the light emitting layer 5, the compound H-1 synthesized in Synthesis Example 1 is used as the charge transport material, and the organic compound D-1 having the following structure is used as the light emitting material. A layer forming composition (composition for organic electroluminescence device of the present invention) was prepared and spin coated on the hole transport layer 4 under the film forming conditions shown below to obtain a light emitting layer 5 with a film thickness of 45 nm.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

<発光層形成用組成物>
溶剤:シクロヘキシルベンゼン
H−1濃度:5重量%
D−1濃度:0.5重量%
<Composition for light emitting layer formation>
Solvent: cyclohexylbenzene H-1 concentration: 5% by weight
D-1 concentration: 0.5% by weight

<成膜条件>
スピナ回転数:2000rpm
スピナ回転時間:120秒
スピンコート雰囲気:乾燥窒素中、25℃
乾燥条件:130℃×60分(減圧下)
<Film formation conditions>
Spinner speed: 2000rpm
Spinner rotation time: 120 seconds Spin coating atmosphere: 25 ° C in dry nitrogen
Drying conditions: 130 ° C x 60 minutes (under reduced pressure)

上記のスピンコートにより膜厚50nmの均一な薄膜が形成された。   A uniform thin film having a thickness of 50 nm was formed by the above spin coating.

次に、正孔阻止層6として下記に示すピリジン誘導体HB−1をるつぼ温度251〜252℃として、蒸着速度0.08〜0.12nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は2.1〜2.4×10−4Pa(約1.6〜1.8×10−6Torr)であった。   Next, a pyridine derivative HB-1 shown below as the hole blocking layer 6 was laminated at a crucible temperature of 251 to 252 ° C. with a deposition rate of 0.08 to 0.12 nm / second and a film thickness of 10 nm. The degree of vacuum during the deposition was 2.1 to 2.4 × 10 −4 Pa (about 1.6 to 1.8 × 10 −6 Torr).

Figure 0005644196
Figure 0005644196

次に、正孔阻止層6の上に、電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体ET−1を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体ET−1のるつぼ温度は222〜239℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.7〜2.0×10−4Pa(約1.3〜1.5×10−6Torr)、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚は30nmとした。   Next, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex ET-1 shown below was deposited as an electron transport layer 7 on the hole blocking layer 6 in the same manner. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex ET-1 is controlled in the range of 222 to 239 ° C., and the degree of vacuum during the deposition is 1.7 to 2.0 × 10 −4 Pa (about 1.3 to 1.5 × 10 −6 Torr), the deposition rate was 0.1 nm / second, and the film thickness was 30 nm.

Figure 0005644196
Figure 0005644196

上記の正孔阻止層6及び電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.3×10−6Torr(約3.0×10−4Pa)以下になるまで排気した。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole blocking layer 6 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.
Here, the element that has been deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a cathode deposition mask. In close contact with the element so as to be orthogonal to each other, it is installed in another vacuum deposition apparatus, and the degree of vacuum in the apparatus is 2.3 × 10 −6 Torr (about 3.0 × 10 −4 Pa) in the same manner as the organic layer. ) Exhaust until below.

次に、電子輸送層7の上に、電子注入層8として、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.015nm/秒、真空度2.5×10−6Torr(約3.3×10−4Pa)で、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、電子注入層8の上に、陰極9として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.5〜3.0nm/秒、真空度3.3〜7.5×10−6Torr(約4.4〜10.0×10−4Pa)で成膜して膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極9を完成させた。 Next, lithium fluoride (LiF) is deposited on the electron transport layer 7 as an electron injection layer 8 by using a molybdenum boat, a deposition rate of 0.015 nm / second, and a degree of vacuum of 2.5 × 10 −6 Torr ( The film was formed on the electron transport layer 7 with a film thickness of 0.5 nm at about 3.3 × 10 −4 Pa). Next, aluminum is heated as a cathode 9 on the electron injection layer 8 by a molybdenum boat, a deposition rate of 0.5 to 3.0 nm / second, and a degree of vacuum of 3.3 to 7.5 × 10 −6 Torr. The cathode 9 was completed by forming a film at (approximately 4.4 to 10.0 × 10 −4 Pa) to form an aluminum layer having a thickness of 80 nm.

以上の電子注入層8、陰極9の蒸着時の基板温度は室温に保持した。   The substrate temperature during the deposition of the electron injection layer 8 and the cathode 9 was kept at room temperature.

以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:5.4[cd/A](@1000cd/m
電圧:5.8[V](@1000cd/m
発光効率:3.0[1m/W](@1000cd/m
素子の発光スペクトルの極大波長は465nmであり、色度はCIE(x,y)=(0.13,0.17)であった。
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 5.4 [cd / A] (@ 1000 cd / m 2 )
Voltage: 5.8 [V] (@ 1000 cd / m 2 )
Luminous efficiency: 3.0 [1 m / W] (@ 1000 cd / m 2 )
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 465 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.13, 0.17).

[実施例2]
本発明化合物H−1のかわりに本発明化合物H−2を用いる以外、実施例1と同様に素子を作成した。
この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:5.6[cd/A](@1000cd/m
電圧:6.0[V](@1000cd/m
発光効率:3.0[1m/W](@1000cd/m
素子の発光スペクトルの極大波長は461nmであり、色度はCIE(x,y)=(0.14,0.18)であった。
[Example 2]
A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the present compound H-2 was used instead of the present compound H-1.
The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 5.6 [cd / A] (@ 1000 cd / m 2 )
Voltage: 6.0 [V] (@ 1000 cd / m 2 )
Luminous efficiency: 3.0 [1 m / W] (@ 1000 cd / m 2 )
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 461 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.18).

[比較例1]
本発明化合物H−1のかわりに比較化合物C−1を用いる以外、実施例1と同様に素子の作製を試みたが、比較化合物C−1の溶剤に対する溶解性が不足し、素子を作製できなかった。
[Comparative Example 1]
An attempt was made to produce a device in the same manner as in Example 1 except that the comparative compound C-1 was used in place of the compound H-1 of the present invention. However, the solubility of the comparative compound C-1 in the solvent was insufficient, and the device could be produced. There wasn't.

[比較例2]
本発明化合物H−1のかわりに比較化合物C−2を用いる以外、実施例1と同様に素子を作成した。
この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:5.2[cd/A](@1000cd/m
電圧:7.0[V](@1000cd/m
発光効率:2.4[1m/W](@1000cd/m
素子の発光スペクトルの極大波長は461nmであり、色度はCIE(x,y)=(0.14,0.17)であった。
[Comparative Example 2]
A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the comparative compound C-2 was used instead of the compound H-1 of the present invention.
The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 5.2 [cd / A] (@ 1000 cd / m 2 )
Voltage: 7.0 [V] (@ 1000 cd / m 2 )
Luminous efficiency: 2.4 [1 m / W] (@ 1000 cd / m 2 )
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 461 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.17).

実施例1,2及び比較例1,2について、有機電界発光素子の評価結果を、用いた電荷輸送材料のシクロヘキシルベンゼンに対する溶解度と共に下記表2にまとめる。
駆動寿命については、比較例2の素子を3000cd/mで駆動したときの5%減衰寿命(LT95)を1とした相対値で表す。
For Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the evaluation results of the organic electroluminescent elements are summarized in Table 2 below together with the solubility of the used charge transport material in cyclohexylbenzene.
The drive life is expressed as a relative value with a 5% decay life (LT95) of 1 when the element of Comparative Example 2 is driven at 3000 cd / m 2 .

Figure 0005644196
Figure 0005644196

表2より、本発明の化合物(I)を含む有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜することにより、駆動電圧が低く、長寿命の有機電界発光素子を作製することができることが分かる。   From Table 2, it can be seen that an organic electroluminescence device having a low driving voltage and a long life can be produced by wet film formation using the composition for organic electroluminescence device containing the compound (I) of the present invention. .

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode

Claims (15)

下記一般式(I)で表される化合物。
Figure 0005644196
(上記一般式(I)において、フェニル基A及びBは各々独立に、そのm−位がベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個連結してなる1価の基で置換されていてもよく、当該置換基を含め、互いに異なる構造を示す。但し、当該フェニル基A及びBはいずれも、他の任意の環と縮合して縮合環基の一部を形成することはない。)
The compound represented by the following general formula (I).
Figure 0005644196
(In the above general formula (I), each of the phenyl groups A and B may be independently substituted at the m-position with a monovalent group formed by linking 1 to 3 benzene rings and / or naphthalene rings. It often shows structures different from each other including the substituent, provided that the phenyl groups A and B are not condensed with any other ring to form a part of the condensed ring group.
前記ベンゼン環及び/又はナフタレン環が1〜3個結合してなる1価の基において、該基に含まれるフェニレン基はいずれもm−フェニレン基であり、ナフチレン基は1,3−、1,6−、1,7−又は2,7−ナフチレン基である、請求項1に記載の化合物。 In the monovalent group formed by bonding 1 to 3 benzene rings and / or naphthalene rings, all of the phenylene groups contained in the group are m-phenylene groups, and the naphthylene groups are 1,3-, 1, The compound according to claim 1, which is a 6-, 1,7- or 2,7-naphthylene group. 請求項1または2に記載の化合物からなる、電荷輸送材料。 A charge transport material comprising the compound according to claim 1 or 2 . 請求項1または2に記載の化合物及び溶剤を含む、有機電界発光素子用組成物。 The composition for organic electroluminescent elements containing the compound and solvent of Claim 1 or 2 . 前記溶剤が、炭素原子及び水素原子、或いは炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる有機溶剤であり、当該有機溶剤の25℃における粘度が0.0001〜0.01Pasで、1013hPaにおける沸点が50〜300℃である、請求項に記載の有機電界発光素子用組成物。 The solvent is an organic solvent composed of carbon atoms and hydrogen atoms, or carbon atoms, hydrogen atoms and oxygen atoms. The viscosity of the organic solvent at 25 ° C. is 0.0001 to 0.01 Pas and the boiling point at 1013 hPa is 50 to 50. The composition for organic electroluminescent elements according to claim 4 , which is 300 ° C. 前記有機溶剤が、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキサノン、トリメチルシクロヘキサノン、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートから選ばれた少なくとも1種を含む、請求項に記載の有機電界発光素子用組成物。 The composition for organic electroluminescent elements according to claim 5 , wherein the organic solvent contains at least one selected from toluene, xylene, trimethylbenzene, cyclohexylbenzene, cyclohexanone, trimethylcyclohexanone, and propylene glycol monomethyl ether acetate. さらに発光材料として、芳香族アミン化合物を含有する、請求項ないしのいずれか1項に記載の有機電界発光素子用組成物。 Furthermore, the composition for organic electroluminescent elements of any one of Claim 4 thru | or 6 containing an aromatic amine compound as a luminescent material. 前記芳香族アミン化合物が、2以上のベンゼン環が縮合してなる芳香族炭化水素環に、アミノ基が直接結合してなる構造を有する化合物である、請求項に記載の有機電界発光素子用組成物。 8. The organic electroluminescent device according to claim 7 , wherein the aromatic amine compound is a compound having a structure in which an amino group is directly bonded to an aromatic hydrocarbon ring formed by condensation of two or more benzene rings. Composition. 前記芳香族アミン化合物が、クリセン環にアミノ基が2個結合してなるクリセンジアミン化合物である、請求項に記載の有機電界発光素子用組成物。 The composition for organic electroluminescent elements according to claim 8 , wherein the aromatic amine compound is a chrysenediamine compound in which two amino groups are bonded to a chrysene ring. 陽極及び陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、当該有機層が発光層を含み、かつ請求項ないしのいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法にて形成された層を含む、有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element which has an organic layer between an anode and a cathode WHEREIN: The said organic layer contains a light emitting layer, and is wet using the composition for organic electroluminescent elements as described in any one of Claim 4 thru | or 9. An organic electroluminescent element including a layer formed by a film forming method. 前記有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法にて形成された層が発光層である、請求項10に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 10 , wherein the layer formed by a wet film formation method using the composition for an organic electroluminescent element is a light emitting layer. 前記有機層が、前記発光層に接して設けられた正孔輸送層を含み、当該正孔輸送層が湿式成膜法にて形成された層である、請求項10又は11に記載の有機電界発光素子。 The organic electric field according to claim 10 or 11 , wherein the organic layer includes a hole transport layer provided in contact with the light emitting layer, and the hole transport layer is a layer formed by a wet film formation method. Light emitting element. 前記正孔輸送層が、架橋性化合物を架橋させて形成された層である、請求項12に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 12 , wherein the hole transport layer is a layer formed by crosslinking a crosslinkable compound. 請求項10ないし13のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含む、有機EL表示装置。 In any one of claims 10 to 13 including the organic electroluminescent element described in the organic EL display device. 請求項10ないし13のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含む、有機EL照明。 Organic electroluminescent illumination containing the organic electroluminescent element as described in any one of Claims 10 thru | or 13 .
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