JP5624829B2 - Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium - Google Patents

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Description

本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium.

ハードディスクドライブ(HDD)に用いられる磁気記録媒体は、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特に、MRヘッドやPRML技術の導入以来、面記録密度の上昇は更に激しさを増し、近年ではGMRヘッドやTMRヘッドなども導入されて、1年に約1.5倍ものペースで増加を続けており、今後更に高記録密度化を達成することが要求されている。   Magnetic recording media used in hard disk drives (HDDs) are being markedly improved in recording density. In particular, since the introduction of MR heads and PRML technology, the increase in surface recording density has become even more intense. In recent years, GMR heads, TMR heads, etc. have been introduced and have continued to increase at a rate of about 1.5 times a year. In the future, it is required to achieve higher recording density.

また、このような磁気記録媒体の記録密度の向上に伴って、その磁気記録媒体用基板に対する要求も高まっている。磁気記録媒体用基板としては、従来よりアルミ基板とガラス基板が用いられている。このうち、ガラス基板は、その硬度、表面平滑性、剛性、耐衝撃性に関して、一般にアルミ基板よりも優れている。このため、高記録密度化を図ることが可能な磁気記録媒体用ガラス基板の注目度が高まっている。   In addition, with the improvement of the recording density of such a magnetic recording medium, the demand for the magnetic recording medium substrate is also increasing. Conventionally, aluminum substrates and glass substrates have been used as substrates for magnetic recording media. Of these, glass substrates are generally superior to aluminum substrates in terms of their hardness, surface smoothness, rigidity, and impact resistance. For this reason, the attention degree of the glass substrate for magnetic recording media which can achieve high recording density is increasing.

磁気記録媒体用ガラス基板を製造する際は、大きな板状のガラス板から円盤状のガラス基板を切り出す、又は、溶融ガラスから成形型を用いて円盤状のガラス基板を直接プレス成形することにより得られたガラス基板の表面及び端面に対して、ラップ(研削)加工とポリッシュ(研磨)加工とを施す。   When manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium, it is obtained by cutting a disk-shaped glass substrate from a large plate-shaped glass plate or by directly press-molding a disk-shaped glass substrate from a molten glass using a mold. A lapping (grinding) process and a polishing (polishing) process are performed on the surface and end face of the glass substrate.

また、従来の磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程では、ガラス基板の表面(データ面)に対して、1次ラップ加工(研削)、2次ラップ加工(研削)、1次ポリッシュ加工(研磨)、2次ポリッシュ加工(研磨)の順で行う。そして、これらの加工工程の間にガラス基板の内外周の端面に対するラップ加工とポリッシュ加工が加わることになる。   In the conventional manufacturing process of a glass substrate for a magnetic recording medium, the surface (data surface) of the glass substrate is subjected to primary lapping (grinding), secondary lapping (grinding), and primary polishing (polishing). It is performed in the order of secondary polishing (polishing). Then, lapping and polishing are applied to the inner and outer peripheral end faces of the glass substrate during these processing steps.

ここで、ガラス基板のデータ面に対して、1次ラップ加工ではダイヤモンド砥石が、2次ラップ加工では1次ラップ加工のときよりも粒径が小さいダイヤモンド砥石が、1次ポリッシュ加工では酸化セリウムスラリーが、2次ポリッシュ加工では1次ポリッシュ加工のときよりも粒径の小さい酸化セリウムスラリーが、一般的に用いられている。   Here, with respect to the data surface of the glass substrate, the diamond grindstone in the primary lapping process is a diamond grindstone having a smaller particle diameter than that in the primary lapping process, and the cerium oxide slurry in the primary polishing process. However, in the secondary polishing process, a cerium oxide slurry having a smaller particle size than that in the primary polishing process is generally used.

なお、本発明に関連する先行技術文献としては、例えば下記特許文献1がある。この特許文献1には、レジン、メタル、ビトリファイド等のダイヤモンドペレットを用いた1次ラップ加工と、その後にダイヤモンドパッドを用いた2次ラップ加工を施すことによって、表面の平滑性及びスクラッチ・研削痕・吸引痕等の欠陥がなく、しかも短時間での加工が可能となることが開示されている。   In addition, as a prior art document relevant to this invention, there exists the following patent document 1, for example. This Patent Document 1 discloses surface lapping and scratching / grinding marks by performing a primary lapping process using diamond pellets of resin, metal, vitrified, etc., followed by a secondary lapping process using a diamond pad. -It is disclosed that there are no defects such as suction marks, and that processing in a short time is possible.

特許第4049510号公報Japanese Patent No. 4049510

ところで、最近の磁気ヘッドの低浮上量化に伴い、磁気記録媒体用ガラス基板における表面のうねりや、表面粗さについて、今まで以上の特性が求められている。このため、1次ラップ加工では片面あたり100μm〜300μmの研削代があるものの、この1次ラップ加工でガラス基板にダメージを与えてしまうと、ガラス基板に加工歪みが入り、これが最終製品である磁気記録媒体の媒体表面における長周期のうねりの原因となることが本発明者の研究により明らかとなった。   By the way, with the recent reduction in the flying height of magnetic heads, more characteristics than ever have been demanded for surface waviness and surface roughness in glass substrates for magnetic recording media. For this reason, although there is a grinding allowance of 100 μm to 300 μm per side in the primary lapping, if the glass substrate is damaged by this primary lapping, the glass substrate is subjected to processing distortion, which is the final magnetic product. It has been clarified by the inventor's research that it causes long-period waviness on the surface of the recording medium.

また、ガラス基板の研磨には、酸化セリウムを用いた化学機械的研磨(CMP)を用いるのが技術常識となっているが、酸化セリウムは高額であるため、酸化セリウムを用いない、又は使用量を低減した製造技術の確立が求められている。   In addition, chemical mechanical polishing (CMP) using cerium oxide is used for polishing glass substrates, but since cerium oxide is expensive, cerium oxide is not used or used. There is a need to establish a manufacturing technology that reduces this.

本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、表面の平滑性が高く、表面のうねりが少ない磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造することができる磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been proposed in view of such conventional circumstances, and can provide a high-productivity magnetic recording medium glass substrate for magnetic recording media with high surface smoothness and low surface waviness. It aims at providing the manufacturing method of the glass substrate for media.

本発明は以下の手段を提供する。
(1) 少なくともガラス基板の端面を除く表面に対して、1次ラップ加工を施す工程と、2次ラップ加工を施す工程と、3次ラップ加工を施す工程と、ポリッシュ加工を施す工程とを、この順で含む磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
前記1次、2次及び3次ラップ加工には、ダイヤモンド砥粒が結合剤で固定されたダイヤモンドパッドを用い、このダイヤモンドパッドのラップ面は、平坦な頂部を有するタイル状の凸部が複数並んで設けられた構造を有し、
前記1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が4μm以上12μm以下であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜70体積%であり、
前記2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が1μm以上5μm以下であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%であり、
前記3次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が0.2μm以上2μm未満であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%であり、
前記ポリッシュ加工には、研磨剤として酸化ケイ素を用いることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
(2) 前記1次、2次及び3次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記凸部の外形寸法が1.5〜5mm角、高さが0.2〜3mmであり、隣接する凸部の間の間隔が0.5〜3mmであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
(3) 少なくともガラス基板の端面を除く表面に対して、1次ラップ加工を施す工程と、2次ラップ加工を施す工程と、ポリッシュ加工を施す工程とを、この順で含む磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
前記1次及び2次ラップ加工には、ダイヤモンド砥粒が結合剤で固定されたダイヤモンドパッドを用い、このダイヤモンドパッドのラップ面は、平坦な頂部を有するタイル状の凸部が複数並んで設けられた構造を有し、
前記1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が3μm以上10μm以下であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜70体積%であり、
前記2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が0.2μm以上2μm未満であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%であり、
前記ポリッシュ加工には、研磨剤として酸化ケイ素を用いることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
(4) 前記1次及び2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記凸部の外形寸法が1.5〜5mm角、高さが0.2〜3mmであり、隣接する凸部の間の間隔が0.5〜3mmであることを特徴とする前項(3)に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
(5) 前記ポリッシュ加工は、研磨剤として酸化セリウムを用いずに行うことを特徴とする前項(1)〜(4)の何れか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
The present invention provides the following means.
(1) A step of performing a primary lapping process, a step of performing a secondary lapping process, a process of performing a tertiary lapping process, and a process of performing a polishing process on at least the surface excluding the end face of the glass substrate, A method of manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium including in this order,
The primary, secondary, and tertiary lapping are performed using a diamond pad in which diamond abrasive grains are fixed with a binder, and a plurality of tile-shaped convex portions having flat tops are arranged on the lapping surface of the diamond pad. Having the structure provided in
The diamond pad used for the primary lapping process has an average particle diameter of 4 μm or more and 12 μm or less of the diamond abrasive grains, and a content of diamond abrasive grains in the convex portions of 5 to 70 vol%,
The diamond pad used for the secondary lapping process has an average particle size of the diamond abrasive grains of 1 μm or more and 5 μm or less, and the content of diamond abrasive grains in the convex portion is 5 to 80% by volume,
The diamond pad used for the third lapping process has an average particle diameter of the diamond abrasive grains of 0.2 μm or more and less than 2 μm, and the content of the diamond abrasive grains in the convex portion is 5 to 80% by volume,
A method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium, wherein silicon oxide is used as an abrasive for the polishing process.
(2) The diamond pad used for the primary, secondary and tertiary lap processing has an outer dimension of the convex part of 1.5 to 5 mm square and a height of 0.2 to 3 mm, and the adjacent convex part The method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the gap is 0.5 to 3 mm.
(3) Glass for a magnetic recording medium including a step of performing a primary lapping process, a step of performing a secondary lapping process, and a process of polishing process in this order on at least the surface excluding the end face of the glass substrate. A method for manufacturing a substrate, comprising:
For the primary and secondary lapping, a diamond pad to which diamond abrasive grains are fixed with a binder is used, and the lapping surface of the diamond pad is provided with a plurality of tile-shaped convex portions having flat tops. Having a structure
The diamond pad used for the primary lap processing has an average particle diameter of the diamond abrasive grains of 3 μm or more and 10 μm or less, and a content of diamond abrasive grains in the convex portion is 5 to 70 vol%.
The diamond pad used for the secondary lapping process has an average particle diameter of the diamond abrasive grains of 0.2 μm or more and less than 2 μm, and the content of diamond abrasive grains in the convex portions is 5 to 80% by volume,
A method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium, wherein silicon oxide is used as an abrasive for the polishing process.
(4) The diamond pad used for the primary and secondary lapping processes has an outer dimension of the convex part of 1.5 to 5 mm square and a height of 0.2 to 3 mm, and the interval between adjacent convex parts. The method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium according to item (3), wherein the thickness is 0.5 to 3 mm.
(5) The method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium according to any one of (1) to (4), wherein the polishing is performed without using cerium oxide as an abrasive.

以上のように、本発明では、表面の平滑性が高く、表面のうねりが少ない磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造することが可能である。   As described above, according to the present invention, it is possible to produce a glass substrate for a magnetic recording medium with high surface smoothness and less surface waviness with high productivity.

図1は、本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程を説明するための図であり、ラッピング工程を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a lapping process for explaining a manufacturing process of a glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied. 図2は、ラッピング工程において用いられるダイヤモンドパッドのパッド面を拡大して示す平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view showing a pad surface of a diamond pad used in the lapping process. 図3は、本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程を説明するための図であり、内外周ラップ工程を示す斜視図である。FIG. 3 is a view for explaining a manufacturing process of the glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied, and is a perspective view showing an inner and outer peripheral lapping process. 図4は、本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程を説明するための図であり、内周ポリッシュ工程を示す斜視図である。FIG. 4 is a view for explaining a manufacturing process of the glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied, and is a perspective view showing an inner periphery polishing process. 図5は、本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程を説明するための図であり、外周ポリッシュ工程を示す斜視図である。FIG. 5 is a view for explaining a manufacturing process of the glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied, and is a perspective view showing an outer periphery polishing process. 図6は、本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造工程を説明するための図であり、ポリッシュ工程を示す斜視図である。FIG. 6 is a view for explaining the manufacturing process of the glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied, and is a perspective view showing the polishing process. 図7は、本発明で用いられるラッピングマシーン又はポリッシングマシーンの別の構成例を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing another configuration example of the wrapping machine or polishing machine used in the present invention.

以下、本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
本発明を適用して製造される磁気記録媒体用ガラス基板は、中心孔を有する円盤状のガラス基板であり、磁気記録媒体は、このガラス基板の面上に、磁性層、保護層及び潤滑膜等を順次積層したものからなる。また、磁気記録再生装置(HDD)では、この磁気記録媒体の中心部をスピンドルモータの回転軸に取り付けて、スピンドルモータにより回転駆動される磁気記録媒体の面上を磁気ヘッドが浮上走行しながら、磁気記録媒体に対して情報の書き込み又は読み出しを行う。
Hereinafter, a method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.
A glass substrate for a magnetic recording medium manufactured by applying the present invention is a disk-shaped glass substrate having a central hole, and the magnetic recording medium has a magnetic layer, a protective layer, and a lubricating film on the surface of the glass substrate. Etc. are sequentially laminated. Further, in the magnetic recording / reproducing apparatus (HDD), the central portion of the magnetic recording medium is attached to the rotation shaft of the spindle motor, and the magnetic head floats and runs on the surface of the magnetic recording medium rotated by the spindle motor. Information is written to or read from the magnetic recording medium.

なお、磁気記録媒体用ガラス基板については、例えば、SiO―Al―RO(Rは、アルカリ金属元素の中から選ばれる少なくとも1種以上を表す。)系化学強化ガラス、SiO―Al―LiO系ガラスセラミックス、SiO―Al―MgO―TiO系ガラスセラミックスなどを用いることができる。その中でも特に、SiO―Al―MgO―CaO―LiO―NaO―ZrO―Y―TiO―As系化学強化ガラス、SiO―Al―LiO―NaO―ZrO―As系化学強化ガラス、SiO―Al―MgO―ZnO―LiO―P―ZrO―KO―Sb系ガラスセラミックス、SiO―Al―MgO―CaO―BaO―TiO―P―As系ガラスセラミックス、SiO―Al―MgO―CaO―SrO―BaO―TiO―ZrO―Bi―Sb系ガラスセラミックスなどを好適に用いることができる。さらに、例えば、二珪酸リチウム、SiO系結晶(石英、クリストバライト、トリジマイト等)、コージェライト、エンスタタイト、チタンサンアルミニウムマグネシウム、スピネル系結晶([Mg及び/又はZn]Al、[Mg及び/又はZn]TiO、並びにこれら2結晶間の固溶体)、フォルステライト、スポジューメン、並びにこれら結晶の固溶体などを結晶相として含有するガラスセラミックスが磁気記録媒体用ガラス基板として適している。 For the glass substrate for magnetic recording media, for example, SiO 2 —Al 2 O 3 —R 2 O (R represents at least one selected from alkali metal elements) based chemically strengthened glass, SiO 2 2- Al 2 O 3 —Li 2 O glass ceramics, SiO 2 —Al 2 O 3 —MgO—TiO 2 glass ceramics, or the like can be used. Among them, SiO 2 —Al 2 O 3 —MgO—CaO—Li 2 O—Na 2 O—ZrO 2 —Y 2 O 3 —TiO 2 —As 2 O 3 based chemically strengthened glass, SiO 2 —Al 2 O 3 —Li 2 O—Na 2 O—ZrO 2 —As 2 O 3 based chemically strengthened glass, SiO 2 —Al 2 O 3 —MgO—ZnO—Li 2 O—P 2 O 5 —ZrO 2 —K 2 O— Sb 2 O 3 glass ceramics, SiO 2 —Al 2 O 3 —MgO—CaO—BaO—TiO 2 —P 2 O 5 —As 2 O 3 glass ceramics, SiO 2 —Al 2 O 3 —MgO—CaO— SrO-BaO-TiO 2 -ZrO 2 -Bi 2 O 3 -Sb 2 O 3 based glass ceramics, etc. can be suitably used. Furthermore, for example, lithium disilicate, SiO 2 crystal (quartz, cristobalite, tridymite, etc.), cordierite, enstatite, titanium sun aluminum magnesium, spinel crystal ([Mg and / or Zn] Al 2 O 4 , [Mg And / or Zn] 2 TiO 4 and a solid solution between these two crystals), forsterite, spodumene, and glass ceramics containing a solid solution of these crystals as a crystal phase are suitable as a glass substrate for a magnetic recording medium.

そして、この磁気記録媒体用ガラス基板を製造する際は、先ず、大きな板状のガラス板からガラス基板を切り出す、又は、溶融ガラスから成形型を用いてガラス基板を直接プレス成形することにより、中心孔を有する円盤状のガラス基板を得る。   And when manufacturing this glass substrate for magnetic recording media, first, the glass substrate is cut out from a large plate-shaped glass plate, or the glass substrate is directly press-molded from a molten glass using a molding die, so that A disk-shaped glass substrate having holes is obtained.

次に、得られたガラス基板の表面及び端面に対して、ラップ(研削)加工とポリッシュ(研磨)加工とを施す。また、これらの工程の間には、ガラス基板の内外周の端面に対してラップ加工とポリッシュ加工とを施す工程を含む。   Next, lapping (grinding) processing and polishing (polishing) processing are performed on the surface and end surface of the obtained glass substrate. Moreover, between these processes, the process of performing a lapping process and a polish process with respect to the inner peripheral edge surface of a glass substrate is included.

本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法では、ガラス基板の端面を除く表面にラップ加工を施す際に、後述するダイヤモンド砥粒が結合剤で固定されたダイヤモンドパッドを用いる。これにより、本発明では、うねりが少なく平坦性が高い研削面を得ることができるため、従来のポリッシュ工程で使用されていた高価な酸化セリウムスラリーを用いずに、又はその使用量を低減したポリッシュ加工を行うことが可能となる。   In the method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied, a diamond pad to which diamond abrasive grains, which will be described later, are fixed with a binder is used when lapping is performed on the surface of the glass substrate other than the end face. As a result, in the present invention, a ground surface with less waviness and high flatness can be obtained. Therefore, the polishing without using the expensive cerium oxide slurry used in the conventional polishing process or the amount of the polishing is reduced. Processing can be performed.

すなわち、本発明のポリッシュ工程では、従来の酸化セリウムスラリーを用いたポリッシュ加工が不要となり、従来は2段階で行われていたポリッシュ加工を酸化ケイ素スラリーを用いた1段階のポリッシュ加工のみとすることができる。これにより、本発明では、磁気記録媒体用ガラス基板の研磨コストを低減し、高い生産性を得ることが可能である。
以下、本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法について、第1の実施形態及び第2の実施形態の各例を参照しながら具体的に説明する。
That is, in the polishing process of the present invention, the conventional polishing process using the cerium oxide slurry is not necessary, and the polishing process that has been conventionally performed in two stages is only one-stage polishing process using the silicon oxide slurry. Can do. Thereby, in this invention, it is possible to reduce the grinding | polishing cost of the glass substrate for magnetic recording media, and to obtain high productivity.
Hereinafter, a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied will be specifically described with reference to examples of the first embodiment and the second embodiment.

(第1の実施形態の例)
第1の実施形態の例では、1次ラップ工程と、内外周ラップ工程と、内周ポリッシュ工程と、2次ラップ工程と、3次ラップ工程と、外周ポリッシュ工程と、1次ポリッシュ工程とをこの順で行う。
(Example of the first embodiment)
In the example of the first embodiment, a primary wrap process, an inner and outer peripheral wrap process, an inner peripheral polish process, a secondary wrap process, a tertiary wrap process, an outer peripheral polish process, and a primary polish process are performed. Perform in this order.

このうち、1次ラップ工程では、図1に示すようなラッピングマシーン10を用いて、ガラス基板Wの端面を除く表面に1次ラップ加工を施す。すなわち、このラッピングマシーン10は、上下一対の定盤11,12を備え、互いに逆向きに回転する定盤11,12の間で複数枚のガラス基板Wを挟み込みながら、これらガラス基板Wの両面を定盤11,12に設けられた研削パッドにより研削する。   Of these, in the primary lapping step, a lapping machine 10 as shown in FIG. 1 is used to perform a primary lapping process on the surface of the glass substrate W excluding the end face. That is, the wrapping machine 10 includes a pair of upper and lower surface plates 11 and 12, and sandwiches a plurality of glass substrates W between the surface plates 11 and 12 that rotate in opposite directions while holding both surfaces of the glass substrates W. Grinding is performed with a grinding pad provided on the surface plates 11 and 12.

1次ラップ加工に用いる研削パッドは、図2(a),(b)に示すように、ダイヤモンド砥粒が結合剤(ボンド)で固定されたダイヤモンドパッド20Aであり、さらに、そのラップ面20aには、平坦な頂部を有するタイル状の凸部21が複数並んで設けられている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the grinding pad used for the primary lapping is a diamond pad 20A in which diamond abrasive grains are fixed with a bonding agent (bond), and further on the lapping surface 20a. Are provided with a plurality of tile-shaped convex portions 21 having flat top portions.

ここで、1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Aには、凸部21の外形寸法Sが1.5〜5mm角、高さTが0.2〜3mm、隣接する凸部21の間の間隔Gが0.5〜3mmの範囲にあるものを用いることが好ましい。本発明では、上記範囲を満足するダイヤモンドパッド20Aを用いることで、冷却液や研削液等が均等に行き渡り、且つ、ラップ面20aの凸部21の間から研削屑等を円滑に排出することが可能である。   Here, in the diamond pad 20A used for the primary lapping, the outer dimension S of the convex portion 21 is 1.5 to 5 mm square, the height T is 0.2 to 3 mm, and the gap G between the adjacent convex portions 21 is G. Is preferably in the range of 0.5 to 3 mm. In the present invention, by using the diamond pad 20A that satisfies the above range, the cooling liquid, the grinding liquid, and the like can be evenly distributed, and the grinding dust and the like can be smoothly discharged from between the convex portions 21 of the lap surface 20a. Is possible.

また、1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Aは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が4μm以上12μm以下であり、凸部21におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜70体積%の範囲にあるものを用いることが好ましく、より好ましくは20〜30体積%の範囲にあるものを用いる。ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を下回ると、加工時間の増大を招くため、コスト高となり、一方、ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を上回ると、所望の表面粗度を得ることが困難となる。なお、ダイヤモンドパッド20Aの結合剤には、例えば、ポリウレタン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂などを用いることができる。   Further, the diamond pad 20A used for the primary lapping process has an average particle diameter of diamond abrasive grains of 4 μm or more and 12 μm or less, and the diamond abrasive grain content in the convex portion 21 is in the range of 5 to 70 volume%. It is preferable to use, and more preferably one in the range of 20 to 30% by volume. When the grain size and content of the diamond abrasive grains are below the above range, the processing time is increased, resulting in an increase in cost. On the other hand, when the grain size and content of the diamond abrasive grains exceeds the above range, a desired surface roughness is obtained. It becomes difficult to obtain the degree. For example, a polyurethane resin, a phenol resin, a melamine resin, or the like can be used as the binder for the diamond pad 20A.

内外周ラップ工程では、図3に示すようなラッピングマシーン30を用いて、ガラス基板Wの中心孔の内周端面及びガラス基板Wの外周端面に対してラップ加工を施す。すなわち、このラッピングマシーン30は、内周砥石31及び外周砥石32を備え、互いの中心孔を一致させた状態でスペーサ(図示せず。)を挟んで複数枚のガラス基板Wを積層した積層体Xを軸回りに回転させながら、各ガラス基板Wの中心孔に挿入された内周砥石31と、各ガラス基板Wの外周に配置された外周砥石32とで各ガラス基板Wを径方向に挟み込み、これら内周砥石31及び外周砥石32を積層体Xとは逆向きに回転させる。そして、内周砥石31により各ガラス基板Wの内周端面を研削すると同時に、外周砥石32により各ガラス基板Wの外周端面を研削する。   In the inner and outer peripheral lapping step, a lapping machine 30 as shown in FIG. 3 is used to lapping the inner peripheral end surface of the central hole of the glass substrate W and the outer peripheral end surface of the glass substrate W. That is, the lapping machine 30 includes an inner peripheral grindstone 31 and an outer peripheral grindstone 32, and a laminated body in which a plurality of glass substrates W are stacked with a spacer (not shown) sandwiched between the center holes. While rotating X about the axis, each glass substrate W is sandwiched in the radial direction by the inner peripheral grindstone 31 inserted in the center hole of each glass substrate W and the outer peripheral grindstone 32 disposed on the outer periphery of each glass substrate W. The inner peripheral grindstone 31 and the outer peripheral grindstone 32 are rotated in the opposite direction to the laminated body X. Then, the inner peripheral end face of each glass substrate W is ground by the inner peripheral grindstone 31, and at the same time, the outer peripheral end face of each glass substrate W is ground by the outer peripheral grindstone 32.

また、内周砥石31及び外周砥石32の表面は、軸方向に凸部と凹部とが交互に並ぶ波形形状を有しているため、各ガラス基板Wの内周端面及び外周端面を研削すると共に、各ガラス基板Wの両主面と内周端面及び外周端面との間のエッヂ部分に対して面取り加工を施すことが可能である。   Further, since the surfaces of the inner peripheral grindstone 31 and the outer peripheral grindstone 32 have a corrugated shape in which convex portions and concave portions are alternately arranged in the axial direction, the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface of each glass substrate W are ground. In addition, it is possible to chamfer the edge portion between both main surfaces of each glass substrate W and the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface.

内周ポリッシュ工程では、図4に示すようなポリッシングマシーン40を用いて、ガラス基板Wの中心孔の内周端面に対してポリッシュ加工を施す。すなわち、このポリッシングマシーン40は、内周研磨ブラシ41を備え、上記積層体Xを軸回りに回転させると共に、各ガラス基板Wの中心孔に挿入された内周研磨ブラシ41をガラス基板Wとは逆向きに回転させながら上下方向に移動操作する。このとき、内周研磨ブラシ41に研磨液を滴下する。そして、この内周研磨ブラシ41により各ガラス基板Wの内周端面を研磨する。同時に、上記内外周ラップ工程において面取り加工が施された内周端面のエッヂ部分も研磨される。なお、研磨液については、例えば酸化ケイ素(コロイダルシリカ)砥粒や酸化セリウム砥粒を水に分散してスラリー化したものなどを用いることができる。   In the inner polishing step, a polishing machine 40 as shown in FIG. 4 is used to polish the inner peripheral end face of the center hole of the glass substrate W. That is, the polishing machine 40 includes an inner peripheral polishing brush 41, and rotates the laminated body X about the axis, and the inner peripheral polishing brush 41 inserted into the center hole of each glass substrate W is referred to as the glass substrate W. Move up and down while rotating in the opposite direction. At this time, the polishing liquid is dropped onto the inner peripheral polishing brush 41. Then, the inner peripheral end face of each glass substrate W is polished by the inner peripheral polishing brush 41. At the same time, the edge portion of the inner peripheral end face that has been chamfered in the inner and outer peripheral lapping step is also polished. As the polishing liquid, for example, a slurry obtained by dispersing silicon oxide (colloidal silica) abrasive grains or cerium oxide abrasive grains in water can be used.

2次ラップ工程では、1次ラップ工程と同様に、上記図1に示すようなラッピングマシーン10を用いて、ガラス基板Wの端面を除く表面に2次ラップ加工を施す。すなわち、互いに逆向きに回転する上下一対の定盤11,12の間で複数枚のガラス基板Wを挟み込みながら、これらガラス基板Wの両面を定盤11,12に設けられた研削パッドにより研削する。   In the secondary lapping process, the lapping machine 10 as shown in FIG. 1 is used to perform a secondary lapping process on the surface excluding the end face of the glass substrate W, similarly to the primary lapping process. That is, while sandwiching a plurality of glass substrates W between a pair of upper and lower surface plates 11 and 12 rotating in opposite directions, both surfaces of these glass substrates W are ground by a grinding pad provided on the surface plates 11 and 12. .

2次ラップ加工に用いる研削パッドは、上記図2(a),(b)に示す研削パッド20Aと同様に、ダイヤモンド砥粒が結合剤(ボンド)で固定されたダイヤモンドパッド20Bであり、さらに、そのラップ面20aには、平坦な頂部を有するタイル状の凸部21が複数並んで設けられている。   The grinding pad used for the secondary lapping is a diamond pad 20B in which diamond abrasive grains are fixed with a bonding agent (bond), similarly to the grinding pad 20A shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). A plurality of tile-shaped convex portions 21 having flat top portions are provided side by side on the wrap surface 20a.

ここで、2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Bには、上記図2(a),(b)に示すダイヤモンドパッド20Aと同様に、凸部21の外形寸法Sが1.5〜5mm角、高さTが0.2〜3mm、隣接する凸部21の間の間隔Gが0.5〜3mmの範囲にあるものを用いることが好ましい。本発明では、上記範囲を満足するダイヤモンドパッド20Bを用いることで、冷却液や研削液等が均等に行き渡り、且つ、ラップ面20aの凸部21の間から研削屑等を円滑に排出することが可能である。   Here, in the diamond pad 20B used for the secondary lapping, the outer dimension S of the convex portion 21 is 1.5 to 5 mm square and high, like the diamond pad 20A shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). It is preferable to use one having a thickness T of 0.2 to 3 mm and a gap G between adjacent convex portions 21 of 0.5 to 3 mm. In the present invention, by using the diamond pad 20B that satisfies the above range, the cooling liquid, the grinding liquid, and the like can be evenly distributed, and the grinding dust and the like can be smoothly discharged from between the convex portions 21 of the lap surface 20a. Is possible.

また、2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Bは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が1μm以上5μm以下であり、凸部21におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%の範囲にあるものを用いることが好ましく、より好ましくは50〜70体積%の範囲にあるものを用いる。ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を下回ると、加工時間の増大を招くため、コスト高となり、一方、ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を上回ると、所望の表面粗度を得ることが困難となる。なお、ダイヤモンドパッド20Bの結合剤には、例えば、ポリウレタン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂などを用いることができる。   The diamond pad 20B used for the secondary lapping process has an average particle diameter of diamond abrasive grains of 1 μm or more and 5 μm or less, and the diamond abrasive grain content in the convex portion 21 is in the range of 5 to 80% by volume. It is preferable to use one, and more preferably one in the range of 50 to 70% by volume. When the grain size and content of the diamond abrasive grains are below the above range, the processing time is increased, resulting in an increase in cost. On the other hand, when the grain size and content of the diamond abrasive grains exceeds the above range, a desired surface roughness is obtained. It becomes difficult to obtain the degree. For example, a polyurethane resin, a phenol resin, a melamine resin, or the like can be used as the binder for the diamond pad 20B.

3次ラップ工程では、1,2次ラップ工程と同様に、上記図1に示すようなラッピングマシーン10を用いて、ガラス基板Wの端面を除く表面に3次ラップ加工を施す。すなわち、互いに逆向きに回転する上下一対の定盤11,12の間で複数枚のガラス基板Wを挟み込みながら、これらガラス基板Wの両面を定盤11,12に設けられた研削パッドにより研削する。   In the tertiary lapping process, the lapping machine 10 as shown in FIG. 1 is used to perform a tertiary lapping process on the surface excluding the end face of the glass substrate W as in the first and second lapping processes. That is, while sandwiching a plurality of glass substrates W between a pair of upper and lower surface plates 11 and 12 rotating in opposite directions, both surfaces of these glass substrates W are ground by a grinding pad provided on the surface plates 11 and 12. .

3次ラップ加工に用いる研削パッドは、上記図2(a),(b)に示す研削パッド20Aと同様に、ダイヤモンド砥粒が結合剤(ボンド)で固定されたダイヤモンドパッド20Cであり、さらに、そのラップ面20aには、平坦な頂部を有するタイル状の凸部21が複数並んで設けられている。   The grinding pad used for the tertiary lapping is a diamond pad 20C in which diamond abrasive grains are fixed with a bonding agent (bond), similarly to the grinding pad 20A shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). A plurality of tile-shaped convex portions 21 having flat top portions are provided side by side on the wrap surface 20a.

ここで、3次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Cには、上記図2(a),(b)に示すダイヤモンドパッド20Aと同様に、凸部21の外形寸法Sが1.5〜5mm角、高さTが0.2〜3mm、隣接する凸部21の間の間隔Gが0.5〜3mmの範囲にあるものを用いることが好ましい。本発明では、上記範囲を満足するダイヤモンドパッド20Cを用いることで、冷却液や研削液等が均等に行き渡り、且つ、ラップ面20aの凸部21の間から研削屑等を円滑に排出することが可能である。   Here, in the diamond pad 20C used for the tertiary lapping, the outer dimension S of the convex portion 21 is 1.5 to 5 mm square and high, like the diamond pad 20A shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). It is preferable to use one having a thickness T of 0.2 to 3 mm and a gap G between adjacent convex portions 21 of 0.5 to 3 mm. In the present invention, by using the diamond pad 20C that satisfies the above range, the cooling liquid, the grinding liquid, and the like can be evenly distributed, and the grinding dust and the like can be smoothly discharged from between the convex portions 21 of the lap surface 20a. Is possible.

また、3次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Cは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が0.2μm以上2μm未満であり、凸部21におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%の範囲にあるものを用いることが好ましく、より好ましくは50〜70体積%の範囲にあるものを用いる。ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を下回ると、加工時間の増大を招くため、コスト高となり、一方、ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を上回ると、所望の表面粗度を得ることが困難となる。なお、ダイヤモンドパッド20Bの結合剤には、例えば、ポリウレタン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂などを用いることができる。   The diamond pad 20C used for the tertiary lapping has an average grain size of diamond abrasive grains of 0.2 μm or more and less than 2 μm, and the diamond abrasive grain content in the convex portion 21 is in the range of 5 to 80% by volume. It is preferable to use those, and more preferably those in the range of 50 to 70% by volume. When the grain size and content of the diamond abrasive grains are below the above range, the processing time is increased, resulting in an increase in cost. On the other hand, when the grain size and content of the diamond abrasive grains exceeds the above range, a desired surface roughness is obtained. It becomes difficult to obtain the degree. For example, a polyurethane resin, a phenol resin, a melamine resin, or the like can be used as the binder for the diamond pad 20B.

外周ポリッシュ工程では、図5に示すようなポリッシングマシーン50を用いて、ガラス基板Wの外周端面に対してポリッシュ加工を施す。すなわち、このポリッシングマシーン50は、回転シャフト51及び外周研磨ブラシ52を備え、互いの中心孔を一致させた状態でスペーサ(図示せず。)を挟んで複数枚のガラス基板Wを積層した積層体Xを、各ガラス基板Wの中心孔に挿入された回転シャフト51によって軸回りに回転させると共に、各ガラス基板Wの外周端面に接触させた外周研磨ブラシ52を積層体Xとは逆向きに回転させながら上下方向に移動操作する。このとき、外周研磨ブラシ52に研磨液を滴下する。そして、この外周研磨ブラシ52により各ガラス基板Wの外周端面を研磨する。同時に、上記内外周ラップ工程において面取り加工が施された外周端面のエッヂ部分も研磨される。なお、研磨液については、例えば酸化ケイ素(コロイダルシリカ)砥粒や酸化セリウム砥粒を水に分散してスラリー化したものなどを用いることができる。   In the outer periphery polishing process, polishing is performed on the outer peripheral end surface of the glass substrate W using a polishing machine 50 as shown in FIG. That is, the polishing machine 50 includes a rotating shaft 51 and an outer peripheral polishing brush 52, and a laminated body in which a plurality of glass substrates W are laminated with a spacer (not shown) sandwiched between the center holes. X is rotated about the axis by a rotating shaft 51 inserted in the center hole of each glass substrate W, and the outer peripheral polishing brush 52 brought into contact with the outer peripheral end surface of each glass substrate W is rotated in the opposite direction to the laminate X. Move and move up and down. At this time, the polishing liquid is dropped onto the outer peripheral polishing brush 52. Then, the outer peripheral end surface of each glass substrate W is polished by the outer peripheral polishing brush 52. At the same time, the edge portion of the outer peripheral end face that has been chamfered in the inner and outer peripheral lapping step is also polished. As the polishing liquid, for example, a slurry obtained by dispersing silicon oxide (colloidal silica) abrasive grains or cerium oxide abrasive grains in water can be used.

1次ポリッシュ工程では、図6に示すようなポリッシングマシーン60を用いて、ガラス基板Wの端面を除く表面に1次ポリッシュ加工を施す。すなわち、このポリッシングマシーン60は、上下一対の定盤61,62を備え、互いに逆向きに回転する定盤61,62の間で複数枚のガラス基板Wを挟み込みながら、これらガラス基板Wの両面を定盤61,62に設けられた研磨パッドにより研磨する。   In the primary polishing step, a primary polishing process is performed on the surface of the glass substrate W except for the end face using a polishing machine 60 as shown in FIG. That is, the polishing machine 60 includes a pair of upper and lower surface plates 61 and 62, and sandwiches a plurality of glass substrates W between the surface plates 61 and 62 that rotate in opposite directions, while holding both surfaces of the glass substrates W. Polishing is performed with a polishing pad provided on the surface plates 61 and 62.

1次ポリッシュ加工に用いる研磨パッドは、例えばウレタンにより形成された硬質研磨布である。また、この研磨パッドによりガラス基板Wの端面を除く表面を研磨(ポリッシング)する際は、ガラス基板Wに研磨液を滴下する。研磨液については、例えば酸化ケイ素(コロイダルシリカ)砥粒を水に分散してスラリー化したものなどを用いることができる。   The polishing pad used for the primary polishing is a hard polishing cloth formed of urethane, for example. Further, when the surface excluding the end face of the glass substrate W is polished (polished) with this polishing pad, a polishing liquid is dropped on the glass substrate W. As the polishing liquid, for example, a slurry obtained by dispersing silicon oxide (colloidal silica) abrasive grains in water can be used.

以上のようにして、ラップ加工及びポリッシュ加工が施されたガラス基板Wは、最終洗浄工程及び検査工程に送られる。そして、最終洗浄工程では、例えば超音波を併用した洗剤(薬品)による化学的洗浄などの方法を用いて、ガラス基板Wを洗浄し、上記工程において使用した研磨剤等の除去を行う。また、検査工程では、例えばレーザを用いた光学式検査器により、ガラス基板Wの表面の傷やひずみの有無等の検査を行う。   As described above, the glass substrate W that has been subjected to lapping and polishing is sent to a final cleaning process and an inspection process. In the final cleaning step, the glass substrate W is cleaned using a method such as chemical cleaning with a detergent (chemical) combined with ultrasonic waves, and the abrasive used in the above step is removed. In the inspection process, for example, the surface of the glass substrate W is inspected for scratches or distortions by an optical inspection device using a laser.

本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法では、上述した1次、2次及び3次ラップ加工において、上記図2(a),(b)に示すようなダイヤモンド砥粒が結合剤で固定されたダイヤモンドパッド20A,20B,20Cを用いている。また、このダイヤモンドパッド20A,20B,20Cのラップ面20aは、平坦な頂部を有するタイル状の凸部21が複数並んで設けられた構造を有している。   In the method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied, diamond abrasive grains as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b) are used as a binder in the above-described primary, secondary and tertiary lapping processes. The diamond pads 20A, 20B, and 20C fixed by the above are used. The lap surface 20a of the diamond pads 20A, 20B, and 20C has a structure in which a plurality of tile-shaped convex portions 21 having flat top portions are provided side by side.

本発明では、このようなダイヤモンドパッド20A,20B,20Cを用いることで、ラップ面20aの凸部21の間から研削屑を円滑に排出しながら、ガラス基板Wの端面を除く表面を短時間で平滑に仕上げることが可能である。また、その後、従来は2段階(1次及び2次ポリッシュ加工)で行われていたポリッシュ工程を1次ポリッシュ加工のみとすることができるため、高価な酸化セリウム砥粒の使用を減らすことが可能である。また、ポリッシュ工程はラップ工程に比べて加工時間が長いため、工程時間の短縮が図られる。したがって、本発明によれば、表面の平滑性が高く、表面のうねりが少ない磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造することが可能である。   In the present invention, by using such diamond pads 20A, 20B, and 20C, the surface excluding the end surface of the glass substrate W can be quickly removed while grinding waste is smoothly discharged from between the convex portions 21 of the lapping surface 20a. It is possible to finish it smoothly. In addition, since the polishing process, which has conventionally been performed in two stages (primary and secondary polishing processes), can be performed only in the primary polishing process, the use of expensive cerium oxide abrasive grains can be reduced. It is. In addition, since the polishing process takes longer than the lapping process, the process time can be shortened. Therefore, according to the present invention, it is possible to manufacture a glass substrate for a magnetic recording medium with high surface smoothness and less surface waviness with high productivity.

(第2の実施形態の例)
第2の実施形態の例では、1次ラップ工程と、内外周ラップ工程と、内周ポリッシュ工程と、2次ラップ工程と、外周ポリッシュ工程と、1次ポリッシュ工程とをこの順で行う。
(Example of the second embodiment)
In the example of the second embodiment, the primary wrapping process, the inner and outer peripheral wrapping process, the inner peripheral polishing process, the secondary wrapping process, the outer peripheral polishing process, and the primary polishing process are performed in this order.

このうち、1次ラップ工程では、上記図1に示すようなラッピングマシーン10を用いて、ガラス基板Wの端面を除く表面に1次ラップ加工を施す。すなわち、このラッピングマシーン10は、上下一対の定盤11,12を備え、互いに逆向きに回転する定盤11,12の間で複数枚のガラス基板Wを挟み込みながら、これらガラス基板Wの両面を定盤11,12に設けられた研削パッドにより研削する。   Among these, in the primary lapping step, the lapping machine 10 as shown in FIG. 1 is used to perform primary lapping on the surface of the glass substrate W except for the end surface. That is, the wrapping machine 10 includes a pair of upper and lower surface plates 11 and 12, and sandwiches a plurality of glass substrates W between the surface plates 11 and 12 that rotate in opposite directions while holding both surfaces of the glass substrates W. Grinding is performed with a grinding pad provided on the surface plates 11 and 12.

1次ラップ加工に用いる研削パッドは、上記図2(a),(b)に示す研削パッド20Aと同様に、ダイヤモンド砥粒が結合剤(ボンド)で固定されたダイヤモンドパッド20Dであり、さらに、そのラップ面20aには、平坦な頂部を有するタイル状の凸部21が複数並んで設けられている。   The grinding pad used for the primary lapping is a diamond pad 20D in which diamond abrasive grains are fixed with a bonding agent (bond), like the grinding pad 20A shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). A plurality of tile-shaped convex portions 21 having flat top portions are provided side by side on the wrap surface 20a.

ここで、1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Dには、凸部21の外形寸法Sが1.5〜5mm角、高さTが0.2〜3mm、隣接する凸部21の間の間隔Gが0.5〜3mmの範囲にあるものを用いることが好ましい。本発明では、上記範囲を満足するダイヤモンドパッド20Dを用いることで、冷却液や研削液等が均等に行き渡り、且つ、ラップ面20aの凸部21の間から研削屑等を円滑に排出することが可能である。   Here, in the diamond pad 20D used for the primary lapping, the outer dimension S of the convex portion 21 is 1.5 to 5 mm square, the height T is 0.2 to 3 mm, and the gap G between the adjacent convex portions 21 is G. Is preferably in the range of 0.5 to 3 mm. In the present invention, by using the diamond pad 20D that satisfies the above range, the cooling liquid, the grinding liquid, and the like can be evenly distributed, and the grinding dust and the like can be smoothly discharged from between the convex portions 21 of the lap surface 20a. Is possible.

また、1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Dは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が3μm以上10μm以下であり、凸部21におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜70体積%の範囲にあるものを用いることが好ましく、より好ましくは20〜30体積%の範囲にあるものを用いる。ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を下回ると、加工時間の増大を招くため、コスト高となり、一方、ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を上回ると、所望の表面粗度を得ることが困難となる。なお、ダイヤモンドパッド20Aの結合剤には、例えば、ポリウレタン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂などを用いることができる。   Further, the diamond pad 20D used for the primary lapping process has a diamond abrasive grain having an average grain diameter of 3 μm or more and 10 μm or less, and a diamond abrasive grain content in the convex portion 21 in the range of 5 to 70% by volume. It is preferable to use, and more preferably one in the range of 20 to 30% by volume. When the grain size and content of the diamond abrasive grains are below the above range, the processing time is increased, resulting in an increase in cost. On the other hand, when the grain size and content of the diamond abrasive grains exceeds the above range, a desired surface roughness is obtained. It becomes difficult to obtain the degree. For example, a polyurethane resin, a phenol resin, a melamine resin, or the like can be used as the binder for the diamond pad 20A.

内外周ラップ工程では、上記図3に示すようなラッピングマシーン30を用いて、ガラス基板Wの中心孔の内周端面及びガラス基板Wの外周端面に対してラップ加工を施す。すなわち、このラッピングマシーン30は、内周砥石31及び外周砥石32を備え、互いの中心孔を一致させた状態でスペーサ(図示せず。)を挟んで複数枚のガラス基板Wを積層した積層体Xを軸回りに回転させながら、各ガラス基板Wの中心孔に挿入された内周砥石31と、各ガラス基板Wの外周に配置された外周砥石32とで各ガラス基板Wを径方向に挟み込み、これら内周砥石31及び外周砥石32を積層体Xとは逆向きに回転させる。そして、内周砥石31により各ガラス基板Wの内周端面を研削すると同時に、外周砥石32により各ガラス基板Wの外周端面を研削する。   In the inner and outer peripheral lapping step, lapping is performed on the inner peripheral end surface of the central hole of the glass substrate W and the outer peripheral end surface of the glass substrate W using a lapping machine 30 as shown in FIG. That is, the lapping machine 30 includes an inner peripheral grindstone 31 and an outer peripheral grindstone 32, and a laminated body in which a plurality of glass substrates W are stacked with a spacer (not shown) sandwiched between the center holes. While rotating X about the axis, each glass substrate W is sandwiched in the radial direction by the inner peripheral grindstone 31 inserted in the center hole of each glass substrate W and the outer peripheral grindstone 32 disposed on the outer periphery of each glass substrate W. The inner peripheral grindstone 31 and the outer peripheral grindstone 32 are rotated in the opposite direction to the laminated body X. Then, the inner peripheral end face of each glass substrate W is ground by the inner peripheral grindstone 31, and at the same time, the outer peripheral end face of each glass substrate W is ground by the outer peripheral grindstone 32.

また、内周砥石31及び外周砥石32の表面は、軸方向に凸部と凹部とが交互に並ぶ波形形状を有しているため、各ガラス基板Wの内周端面及び外周端面を研削すると共に、各ガラス基板Wの両主面と内周端面及び外周端面との間のエッヂ部分に対して面取り加工を施すことが可能である。   Further, since the surfaces of the inner peripheral grindstone 31 and the outer peripheral grindstone 32 have a corrugated shape in which convex portions and concave portions are alternately arranged in the axial direction, the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface of each glass substrate W are ground. In addition, it is possible to chamfer the edge portion between both main surfaces of each glass substrate W and the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface.

内周ポリッシュ工程では、上記図4に示すようなポリッシングマシーン40を用いて、ガラス基板Wの中心孔の内周端面に対してポリッシュ加工を施す。すなわち、このポリッシングマシーン40は、内周研磨ブラシ41を備え、上記積層体Xを軸回りに回転させると共に、各ガラス基板Wの中心孔に挿入された内周研磨ブラシ41をガラス基板Wとは逆向きに回転させながら上下方向に移動操作する。このとき、内周研磨ブラシ41に研磨液を滴下する。そして、この内周研磨ブラシ41により各ガラス基板Wの内周端面を研磨する。同時に、上記内外周ラップ工程において面取り加工が施された内周端面のエッヂ部分も研磨される。なお、研磨液については、例えば酸化ケイ素(コロイダルシリカ)砥粒や酸化セリウム砥粒を水に分散してスラリー化したものなどを用いることができる。   In the inner peripheral polishing step, polishing is performed on the inner peripheral end face of the central hole of the glass substrate W using a polishing machine 40 as shown in FIG. That is, the polishing machine 40 includes an inner peripheral polishing brush 41, and rotates the laminated body X about the axis, and the inner peripheral polishing brush 41 inserted into the center hole of each glass substrate W is referred to as the glass substrate W. Move up and down while rotating in the opposite direction. At this time, the polishing liquid is dropped onto the inner peripheral polishing brush 41. Then, the inner peripheral end face of each glass substrate W is polished by the inner peripheral polishing brush 41. At the same time, the edge portion of the inner peripheral end face that has been chamfered in the inner and outer peripheral lapping step is also polished. As the polishing liquid, for example, a slurry obtained by dispersing silicon oxide (colloidal silica) abrasive grains or cerium oxide abrasive grains in water can be used.

2次ラップ工程では、1次ラップ工程と同様に、上記図1に示すようなラッピングマシーン10を用いて、ガラス基板Wの端面を除く表面に2次ラップ加工を施す。すなわち、互いに逆向きに回転する上下一対の定盤11,12の間で複数枚のガラス基板Wを挟み込みながら、これらガラス基板Wの両面を定盤11,12に設けられた研削パッドにより研削する。   In the secondary lapping process, the lapping machine 10 as shown in FIG. 1 is used to perform a secondary lapping process on the surface excluding the end face of the glass substrate W, similarly to the primary lapping process. That is, while sandwiching a plurality of glass substrates W between a pair of upper and lower surface plates 11 and 12 rotating in opposite directions, both surfaces of these glass substrates W are ground by a grinding pad provided on the surface plates 11 and 12. .

2次ラップ加工に用いる研削パッドは、上記図2(a),(b)に示す研削パッド20Aと同様に、ダイヤモンド砥粒が結合剤(ボンド)で固定されたダイヤモンドパッド20Eであり、さらに、そのラップ面20aには、平坦な頂部を有するタイル状の凸部21が複数並んで設けられている。   The grinding pad used for the secondary lapping is a diamond pad 20E in which diamond abrasive grains are fixed with a binder (bond), like the grinding pad 20A shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). A plurality of tile-shaped convex portions 21 having flat top portions are provided side by side on the wrap surface 20a.

また、2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Eには、上記図2(a),(b)に示すダイヤモンドパッド20Aと同様に、凸部21の外形寸法Sが1.5〜5mm角、高さTが0.2〜3mm、隣接する凸部21の間の間隔Gが0.5〜3mmの範囲にあるものを用いることが好ましい。本発明では、上記範囲を満足するダイヤモンドパッド20Bを用いることで、冷却液や研削液等が均等に行き渡り、且つ、ラップ面20aの凸部21の間から研削屑等を円滑に排出することが可能である。   Further, in the diamond pad 20E used for the secondary lapping process, the outer dimension S of the convex portion 21 is 1.5 to 5 mm square and the height in the same manner as the diamond pad 20A shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). It is preferable to use one having T in the range of 0.2 to 3 mm and the distance G between the adjacent convex portions 21 in the range of 0.5 to 3 mm. In the present invention, by using the diamond pad 20B that satisfies the above range, the cooling liquid, the grinding liquid, and the like can be evenly distributed, and the grinding dust and the like can be smoothly discharged from between the convex portions 21 of the lap surface 20a. Is possible.

ここで、2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッド20Eは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が0.2μm以上2μm未満であり、凸部21におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%の範囲にあるものを用いることが好ましく、より好ましくは50〜70体積%の範囲にあるものを用いる。ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を下回ると、加工時間の増大を招くため、コスト高となり、一方、ダイヤモンド砥粒の粒径及び含有量が上記範囲を上回ると、所望の表面粗度を得ることが困難となる。なお、ダイヤモンドパッド20Eの結合剤には、例えば、ポリウレタン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂などを用いることができる。   Here, in the diamond pad 20E used for the secondary lapping, the average particle diameter of the diamond abrasive grains is 0.2 μm or more and less than 2 μm, and the content of the diamond abrasive grains in the convex portion 21 is in the range of 5 to 80% by volume. It is preferable to use a certain material, and more preferably a material in the range of 50 to 70% by volume. When the grain size and content of the diamond abrasive grains are below the above range, the processing time is increased, resulting in an increase in cost. On the other hand, when the grain size and content of the diamond abrasive grains exceeds the above range, a desired surface roughness is obtained. It becomes difficult to obtain the degree. For example, a polyurethane resin, a phenol resin, a melamine resin, or the like can be used as the binder for the diamond pad 20E.

外周ポリッシュ工程では、上記図5に示すようなポリッシングマシーン50を用いて、ガラス基板Wの外周端面に対してポリッシュ加工を施す。すなわち、このポリッシングマシーン50は、回転シャフト51及び外周研磨ブラシ52を備え、互いの中心孔を一致させた状態でスペーサ(図示せず。)を挟んで複数枚のガラス基板Wを積層した積層体Xを、各ガラス基板Wの中心孔に挿入された回転シャフト51によって軸回りに回転させると共に、各ガラス基板Wの外周端面に接触させた外周研磨ブラシ52を積層体Xとは逆向きに回転させながら上下方向に移動操作する。このとき、外周研磨ブラシ52に研磨液を滴下する。そして、この外周研磨ブラシ52により各ガラス基板Wの外周端面を研磨する。同時に、上記内外周ラップ工程において面取り加工が施された外周端面のエッヂ部分も研磨される。なお、研磨液については、例えば酸化ケイ素(コロイダルシリカ)砥粒や酸化セリウム砥粒を水に分散してスラリー化したものなどを用いることができる。   In the outer periphery polishing step, polishing is performed on the outer peripheral end surface of the glass substrate W using the polishing machine 50 as shown in FIG. That is, the polishing machine 50 includes a rotating shaft 51 and an outer peripheral polishing brush 52, and a laminated body in which a plurality of glass substrates W are laminated with a spacer (not shown) sandwiched between the center holes. X is rotated about the axis by a rotating shaft 51 inserted in the center hole of each glass substrate W, and the outer peripheral polishing brush 52 brought into contact with the outer peripheral end surface of each glass substrate W is rotated in the opposite direction to the laminate X. Move and move up and down. At this time, the polishing liquid is dropped onto the outer peripheral polishing brush 52. Then, the outer peripheral end surface of each glass substrate W is polished by the outer peripheral polishing brush 52. At the same time, the edge portion of the outer peripheral end face that has been chamfered in the inner and outer peripheral lapping step is also polished. As the polishing liquid, for example, a slurry obtained by dispersing silicon oxide (colloidal silica) abrasive grains or cerium oxide abrasive grains in water can be used.

1次ポリッシュ工程では、上記図6に示すようなポリッシングマシーン60を用いて、ガラス基板Wの端面を除く表面に1次ポリッシュ加工を施す。すなわち、このポリッシングマシーン60は、上下一対の定盤61,62を備え、互いに逆向きに回転する定盤61,62の間で複数枚のガラス基板Wを挟み込みながら、これらガラス基板Wの両面を定盤71,72に設けられた研磨パッドにより研磨する。   In the primary polishing step, a primary polishing process is performed on the surface of the glass substrate W except for the end face using a polishing machine 60 as shown in FIG. That is, the polishing machine 60 includes a pair of upper and lower surface plates 61 and 62, and sandwiches a plurality of glass substrates W between the surface plates 61 and 62 that rotate in opposite directions, while holding both surfaces of the glass substrates W. Polishing is performed with a polishing pad provided on the surface plates 71 and 72.

1次ポリッシュ加工に用いる研磨パッドは、例えばウレタンにより形成された硬質研磨布である。また、この研磨パッドによりガラス基板Wの端面を除く表面を研磨(ポリッシング)する際は、ガラス基板Wに研磨液を滴下する。研磨液については、例えば酸化ケイ素(コロイダルシリカ)砥粒を水に分散してスラリー化したものなどを用いることができる。   The polishing pad used for the primary polishing is a hard polishing cloth formed of urethane, for example. Further, when the surface excluding the end face of the glass substrate W is polished (polished) with this polishing pad, a polishing liquid is dropped on the glass substrate W. As the polishing liquid, for example, a slurry obtained by dispersing silicon oxide (colloidal silica) abrasive grains in water can be used.

以上のようにして、ラップ加工及びポリッシュ加工が施されたガラス基板Wは、最終洗浄工程及び検査工程に送られる。そして、最終洗浄工程では、例えば超音波を併用した洗剤(薬品)による化学的洗浄などの方法を用いて、ガラス基板Wを洗浄し、上記工程において使用した研磨剤等の除去を行う。また、検査工程では、例えばレーザを用いた光学式検査器により、ガラス基板Wの表面の傷やひずみの有無等の検査を行う。   As described above, the glass substrate W that has been subjected to lapping and polishing is sent to a final cleaning process and an inspection process. In the final cleaning step, the glass substrate W is cleaned using a method such as chemical cleaning with a detergent (chemical) combined with ultrasonic waves, and the abrasive used in the above step is removed. In the inspection process, for example, the surface of the glass substrate W is inspected for scratches or distortions by an optical inspection device using a laser.

本発明を適用した磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法では、上述した1次及び2次ラップ加工において、上記図2(a),(b)に示すようなダイヤモンド砥粒が結合剤で固定されたダイヤモンドパッド20D,20Eを用いている。また、このダイヤモンドパッド20D,20Eのラップ面20aは、平坦な頂部を有するタイル状の凸部21が複数並んで設けられた構造を有している。   In the method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium to which the present invention is applied, diamond abrasive grains as shown in FIGS. 2 (a) and (b) are fixed with a binder in the primary and secondary lapping processes described above. Diamond pads 20D and 20E are used. The lap surface 20a of the diamond pads 20D and 20E has a structure in which a plurality of tile-shaped convex portions 21 having flat top portions are provided side by side.

本発明では、このようなダイヤモンドパッド20D,20Eを用いることで、ラップ面20aの凸部21の間から研削屑を円滑に排出しながら、ガラス基板Wの端面を除く表面を短時間で平滑に仕上げることが可能である。また、その後、従来は2段階(1次及び2次ポリッシュ加工)で行われていたポリッシュ工程を1次ポリッシュ加工のみとすることができるため、高価な酸化セリウム砥粒の使用を減らすことが可能である。また、ポリッシュ工程はラップ工程に比べて加工時間が長いため、工程時間の短縮が図られる。したがって、本発明によれば、表面の平滑性が高く、表面のうねりが少ない磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造することが可能である。   In the present invention, by using such diamond pads 20D and 20E, the surface excluding the end surface of the glass substrate W can be smoothed in a short time while the grinding waste is smoothly discharged from between the convex portions 21 of the lap surface 20a. It is possible to finish. In addition, since the polishing process, which has conventionally been performed in two stages (primary and secondary polishing processes), can be performed only in the primary polishing process, the use of expensive cerium oxide abrasive grains can be reduced. It is. In addition, since the polishing process takes longer than the lapping process, the process time can be shortened. Therefore, according to the present invention, it is possible to manufacture a glass substrate for a magnetic recording medium with high surface smoothness and less surface waviness with high productivity.

本発明では、上述した第1及び第2の実施形態の各ラップ加工で使用される研削液としては、市販のものを用いることができる。研削液としては、大別して、水性の研削液と油性の研削液とがある。水性の研削液は、純水、適量のアルコール、粘度調整剤としてのポリエチレングリコール、アミン、界面活性剤等を添加したものである。一方、油性の研削液は、オイル、極圧添加剤としてステアリン酸等を適量添加したものである。市販の研削液としては、例えば水性のSabrelube 9016(Chemetall社製)を用いることができる。   In this invention, a commercially available thing can be used as a grinding fluid used by each lapping of 1st and 2nd embodiment mentioned above. The grinding fluid is roughly classified into an aqueous grinding fluid and an oily grinding fluid. The water-based grinding fluid is obtained by adding pure water, an appropriate amount of alcohol, polyethylene glycol as a viscosity modifier, an amine, a surfactant, and the like. On the other hand, the oil-based grinding fluid is obtained by adding an appropriate amount of oil or stearic acid as an extreme pressure additive. As a commercially available grinding fluid, for example, aqueous Sabrelube 9016 (manufactured by Chemetall) can be used.

なお、本発明では、上述した第1及び第2の実施形態の各ラップ加工で使用される研削液、並びにポリッシュ加工で使用される研磨液に、研磨助剤や防食剤を添加してもよい。   In the present invention, a polishing aid or an anticorrosive agent may be added to the grinding liquid used in each lapping process of the first and second embodiments and the polishing liquid used in the polishing process. .

具体的に、研磨助剤は、少なくともスルホン酸基又はカルボン酸基を有する有機重合物を含むものであり、その中でもスルホン酸ナトリウム又はカルボン酸ナトリウムを有する平均分子量が4000〜10000の有機重合物を用いることが好ましい。これにより、上記工程においてガラス基板Wの表面をより平滑化することができる。   Specifically, the polishing aid contains at least an organic polymer having a sulfonic acid group or a carboxylic acid group, and among them, an organic polymer having an average molecular weight of 4000 to 10,000 having sodium sulfonate or sodium carboxylate is used. It is preferable to use it. Thereby, the surface of the glass substrate W can be smoothed more in the said process.

また、スルホン酸ナトリウム又はカルボン酸ナトリウムを含む有機重合物としては、例えば、GEROPON SC/213(商品名/Rhodia)、GEROPON T/36(商品名/Rhodia)、GEROPON TA/10(商品名/Rhodia)、GEROPON TA/72(商品名/Rhodia)、ニューカルゲンWG−5(商品名/竹本油脂(株))、アグリゾールG−200(商品名/花王(株))、デモールEPパウダー(商品名/花王(株))、デモールRNL(商品名/花王(株))、イソバン600−SF35(商品名/(株)クラレ)、ポリスターOM(商品名/日本油脂(株))、Sokalan CP9(商品名/ビーエーエスエフジャパン(株))、Sokalan PA−15(商品名/ビーエーエスエフジャパン(株))、トキサノンGR−31A(商品名/三洋化成工業(株))、ソルポール7248(商品名/東邦化学工業(株))、シャロールAN−103P(商品名/第一工業製薬(株))、アロンT−40(商品名/東亞合成化学工業(株))、パナカヤクCP(商品名/日本化薬(株))、ディスロールH12C(商品名/日本乳化剤(株))などを挙げることができる。また、研磨助剤としては、この中で特に、デモールRNL(商品名/花王(株))、ポリスターOM(商品名/日本油脂(株))を用いることが好ましい。   Examples of the organic polymer containing sodium sulfonate or sodium carboxylate include GEROPON SC / 213 (trade name / Rhodia), GEROPON T / 36 (trade name / Rhodia), GERAPON TA / 10 (trade name / Rhodia). ), GERAPON TA / 72 (trade name / Rhodia), New Calgen WG-5 (trade name / Takemoto Yushi Co., Ltd.), Agrisol G-200 (trade name / Kao Corporation), Demall EP Powder (trade name / Kao Corporation), Demall RNL (trade name / Kao Corporation), Isoban 600-SF35 (trade name / Kuraray Co., Ltd.), Polystar OM (trade name / Nippon Yushi Co., Ltd.), Sokalan CP9 (trade name) / BSF Japan Co., Ltd.), Sokalan PA-15 (Brand name / BSF Japan) Co., Ltd.), Toxanone GR-31A (trade name / Sanyo Chemical Industry Co., Ltd.), Solpol 7248 (trade name / Toho Chemical Co., Ltd.), Charol AN-103P (trade name / Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) )), Aron T-40 (trade name / Toagosei Chemical Co., Ltd.), Panacayak CP (trade name / Nippon Kayaku Co., Ltd.), Disrol H12C (trade name / Nippon Emulsifier Co., Ltd.) and the like. be able to. Among them, it is particularly preferable to use Demol RNL (trade name / Kao Co., Ltd.) and Polystar OM (trade name / Nippon Yushi Co., Ltd.) as the polishing aid.

また、このガラス基板Wを用いて作製される磁気記録媒体は、一般的に磁性層においてCo、Ni、Feなどの腐食しやすい物質を含んでいる。したがって、上述した研削液や研磨液に防食剤を添加することによって、磁性層の腐食を防止し、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を得ることが可能となる。   In addition, a magnetic recording medium manufactured using this glass substrate W generally contains a corrosive substance such as Co, Ni, and Fe in the magnetic layer. Therefore, by adding an anticorrosive agent to the above-described grinding liquid or polishing liquid, it is possible to prevent the magnetic layer from being corroded and obtain a magnetic recording medium excellent in electromagnetic conversion characteristics.

防食剤としては、ベンゾトリアゾール又はその誘導体を用いることが好ましい。また、ベンゾトリアゾールの誘導体としては、ベンゾトリアゾールの有する1個又は2個以上の水素原子を、例えば、カルボキシル基、メチル基、アミノ基、ヒドロキシル基等で置換したものなどを用いることができる。さらに、ベンゾトリアゾールの誘導体としては、4−カルボキシルベンゾトリアゾール又はその塩、7−カルボキシベンゾトリアゾール又はその塩、ベンゾトリアゾールブチルエステル、1−ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾールなどを用いることができる。防食剤の添加量は、ダイヤモンドスラリーの使用時における総量に対して、1質量%以下とすることが好ましく、より好ましくは0.001〜0.1質量%である。   As the anticorrosive agent, it is preferable to use benzotriazole or a derivative thereof. Moreover, as a derivative of benzotriazole, for example, one obtained by substituting one or two or more hydrogen atoms of benzotriazole with a carboxyl group, a methyl group, an amino group, a hydroxyl group, or the like can be used. Furthermore, as a derivative of benzotriazole, 4-carboxylbenzotriazole or a salt thereof, 7-carboxybenzotriazole or a salt thereof, benzotriazole butyl ester, 1-hydroxymethylbenzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, or the like can be used. . The addition amount of the anticorrosive agent is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.001 to 0.1% by mass with respect to the total amount when the diamond slurry is used.

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した第1及び第2の実施形態の各ラップ工程で用いられるラッピングマシーン、並びにポリッシュ工程で用いられるポリッシングマシーンについては、例えば図7に示すように、上下一対の下定盤71及び上定盤72と、下定盤71の上定盤72と対向する面に配置された複数のキャリア73とを備え、各キャリア73に設けられた複数(本実施形態では35つ。)の開口部74にガラス基板(図示せず。)をセットし、これら複数のガラス基板の両面を下定盤71及び上定盤72に設けられた研削パッドにより研削する又は研磨パッドにより研磨する構成とすることも可能である。
In addition, this invention is not necessarily limited to the thing of the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, as for the wrapping machine used in each lapping process of the first and second embodiments described above and the polishing machine used in the polishing process, for example, as shown in FIG. A board 72 and a plurality of carriers 73 disposed on the surface facing the upper surface plate 72 of the lower surface plate 71, and a plurality (35 in this embodiment) of openings 74 provided in each carrier 73. It is also possible to set a glass substrate (not shown) and to grind both surfaces of the plurality of glass substrates with a grinding pad provided on the lower surface plate 71 and the upper surface plate 72 or to polish with a polishing pad. is there.

具体的に、下定盤71及び上定盤72は、それぞれの中心部に設けられた回転軸71a,72aを駆動モータ(図示せず。)により回転駆動することで、互いの中心軸を一致させた状態で互いに逆向きに回転可能となっている。また、下定盤71の上定盤72と対向する面には、複数(本実施形態では5つ。)のキャリア73を配置するための凹部75が設けられている。   Specifically, the lower surface plate 71 and the upper surface plate 72 are rotationally driven by a drive motor (not shown) with the rotation shafts 71a and 72a provided at the center portions thereof, so that the respective center axes coincide with each other. It can be rotated in the opposite direction in a state where Further, a concave portion 75 for arranging a plurality of (five in this embodiment) carriers 73 is provided on the surface facing the upper surface plate 72 of the lower surface plate 71.

複数のキャリア73は、例えばアラミド繊維やガラス繊維を混入することで強化されたエポキシ樹脂などを円盤状に形成したものからなる。そして、これら複数のキャリア73は、凹部75の内側において回転軸71aの周囲に並んで配置されている。また、各キャリア73の外周部には、全周に亘って遊星ギア部76が設けられている。一方、凹部75の内周部には、各キャリア73の遊星ギヤ76と噛合された状態で、回転軸71aと共に回転する太陽ギア部77と、凹部75の外周部には、各キャリア73の遊星ギヤ部76と噛合される固定ギア部78とが、それぞれ設けられている。   The plurality of carriers 73 are made of, for example, a disk-shaped epoxy resin reinforced by mixing aramid fibers or glass fibers. The plurality of carriers 73 are arranged side by side around the rotation shaft 71 a inside the recess 75. A planetary gear portion 76 is provided on the outer peripheral portion of each carrier 73 over the entire circumference. On the other hand, the sun gear portion 77 that rotates together with the rotating shaft 71 a in mesh with the planetary gear 76 of each carrier 73 is provided in the inner peripheral portion of the recess 75, and the planets of each carrier 73 are provided in the outer peripheral portion of the recess 75. A fixed gear portion 78 that meshes with the gear portion 76 is provided.

これにより、複数のキャリア73は、回転軸71aと共に太陽ギア部77が回転すると、太陽ギア部77及び固定ギア部78と遊星ギア部76との噛合によって、凹部75内で回転軸71aの周囲を当該回転軸71aと同一方向に回転(公転)しながら、互いの中心軸回りに回転軸71aとは逆方向に回転(自転)する、いわゆる遊星運動を行う。   As a result, when the sun gear 77 rotates together with the rotation shaft 71a, the plurality of carriers 73 move around the rotation shaft 71a in the recess 75 due to the engagement of the sun gear 77, the fixed gear 78, and the planetary gear 76. While rotating (revolving) in the same direction as the rotating shaft 71a, a so-called planetary motion is performed in which the rotating shaft 71a rotates (rotates) in the opposite direction to the rotating shaft 71a.

したがって、上述した第1及び第2の実施形態の各ラップ工程で用いられるラッピングマシーン、並びにポリッシュ工程で用いられるポリッシングマシーンでは、上記構成を採用することにより、各キャリア73の開口部75に保持された複数のガラス基板を遊星運動させながら、その両面を下定盤71及び上定盤72に設けられた研削パッドにより研削する又は研磨パッドにより研磨することが可能である。また、この構成の場合、ガラス基板に対する研削又は研磨をより精度良く、また迅速に行うことが可能である。   Therefore, the lapping machine used in each lapping process of the first and second embodiments and the polishing machine used in the polishing process are held in the openings 75 of the carriers 73 by adopting the above configuration. Further, while planetary movement of a plurality of glass substrates, both surfaces thereof can be ground with a grinding pad provided on the lower surface plate 71 and the upper surface plate 72 or polished with a polishing pad. In addition, in this configuration, it is possible to perform grinding or polishing on the glass substrate more accurately and quickly.

以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。   Hereinafter, the effects of the present invention will be made clearer by examples. In addition, this invention is not limited to a following example, In the range which does not change the summary, it can change suitably and can implement.

(実施例1)
実施例1では、先ず、外径48mm、中央孔12mm、厚さ0.560mmのガラス基板(オハラ社製、TS−10SX)を用いた。
Example 1
In Example 1, first, a glass substrate (manufactured by OHARA, TS-10SX) having an outer diameter of 48 mm, a center hole of 12 mm, and a thickness of 0.560 mm was used.

そして、このガラス基板に対して、1次ラップ加工と、内外周ラップ加工と、内周ポリッシュ加工と、2次ラップ加工と、3次ラップ加工と、外周ポリッシュ加工と、1次ポリッシュ加工とをこの順で行った。   And with respect to this glass substrate, primary lapping, inner and outer circumferential lapping, inner circumferential polishing, secondary lapping, tertiary lapping, outer circumferential polishing, and primary polishing are performed. I went in this order.

具体的に、1次ラップ加工では、上下一対の定盤を備えるラッピングマシーンを用いて、互いに逆向きに回転する定盤の間で複数枚のガラス基板を挟み込みながら、これらガラス基板の両面を定盤に設けられた研削パッドにより研削した。このとき、1次ラップ加工の研削パッドには、住友3M社製トライザクト(商品名)を使用した。この研削パッドは、凸部の外形寸法が2.6mm角、高さが2mm、隣接する凸部の間の間隔が1mm、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が9μmであり、凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が約20体積%である。また、ラッピングマシーンには、4ウエイタイプ両面研磨機(浜井産業株式会社製16B型)を用い、定盤の回転数を25rpm、加工圧力を120g/cmとして、15分間研削を行った。研削液には、Sabrelube 9016(Chemetall社製)を水で10倍に希釈して使用し、ガラス基板の片面あたりの研削量は約100μmとした。 Specifically, in the primary lapping process, a wrapping machine having a pair of upper and lower surface plates is used, and both surfaces of these glass substrates are fixed while sandwiching a plurality of glass substrates between surface plates that rotate in opposite directions. It ground with the grinding pad provided in the board. At this time, Trizact (trade name) manufactured by Sumitomo 3M Co. was used for the primary lapping grinding pad. This grinding pad has an outer dimension of a convex part of 2.6 mm square, a height of 2 mm, an interval between adjacent convex parts of 1 mm, and an average grain size of diamond abrasive grains of 9 μm. Is about 20% by volume. Further, as a lapping machine, a 4-way double-side polishing machine (Type 16B, manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.) was used, and the surface plate was rotated at 25 rpm and the processing pressure was 120 g / cm 2 for 15 minutes. As the grinding liquid, Sabrelube 9016 (manufactured by Chemetall) was diluted 10-fold with water and the grinding amount per side of the glass substrate was about 100 μm.

内外周ラップ工程では、内周砥石及び外周砥石を備えるラッピングマシーンを用いて、互いの中心孔を一致させた状態でスペーサを挟んで複数枚のガラス基板を積層した積層体を軸回りに回転させながら、各ガラス基板の中心孔に挿入された内周砥石と、各ガラス基板Wの外周に配置された外周砥石とで各ガラス基板を径方向に挟み込み、これら内周砥石及び外周砥石を積層体とは逆向きに回転させながら、内周砥石により各ガラス基板の内周端面を研削すると同時に、外周砥石により各ガラス基板の外周端面を研削した。このとき、内周砥石及び外周砥石には、平均粒径10μmのダイヤモンド砥粒を用いた。そして、内周砥石及び外周砥石の回転数をそれぞれ1200rpm、600rpmとして、30秒間研削を行った。   In the inner and outer lapping process, using a lapping machine equipped with an inner grindstone and an outer grindstone, a laminated body in which a plurality of glass substrates are laminated around a spacer with the center holes aligned with each other is rotated about its axis. However, each glass substrate is sandwiched in the radial direction between the inner peripheral grindstone inserted in the center hole of each glass substrate and the outer peripheral grindstone arranged on the outer periphery of each glass substrate W, and the inner peripheral grindstone and the outer peripheral grindstone are laminated. While rotating in the opposite direction, the inner peripheral end face of each glass substrate was ground with the inner peripheral grindstone, and at the same time, the outer peripheral end face of each glass substrate was ground with the outer peripheral grindstone. At this time, diamond abrasive grains having an average particle diameter of 10 μm were used for the inner and outer peripheral wheels. And grinding was performed for 30 seconds by setting the rotation speeds of the inner and outer peripheral wheels to 1200 rpm and 600 rpm, respectively.

内周ポリッシュ工程では、内周研磨ブラシを備えるポリッシングマシーンを用いて、内周研磨ブラシに研磨液を滴下しながら、上記積層体を軸回りに回転させると共に、各ガラス基板の中心孔に挿入された内周研磨ブラシをガラス基板とは逆向きに回転させながら上下方向に移動操作することにより、各ガラス基板の内周端面を研磨した。このとき、内周研磨ブラシには、ナイロンブラシを用い、研磨液には、セリアスラリーを用いた。そして、内周研磨ブラシの回転数を300rpmとして、10分間研磨を行った。   In the inner peripheral polishing step, a polishing machine having an inner peripheral polishing brush is used to rotate the laminated body around the axis while dripping the polishing liquid onto the inner peripheral polishing brush, and to be inserted into the center hole of each glass substrate. The inner peripheral end surface of each glass substrate was polished by moving the inner peripheral polishing brush in the vertical direction while rotating it in the direction opposite to the glass substrate. At this time, a nylon brush was used as the inner peripheral polishing brush, and ceria slurry was used as the polishing liquid. Then, polishing was performed for 10 minutes with the rotation speed of the inner peripheral polishing brush being 300 rpm.

2次ラップ加工では、上下一対の定盤を備えるラッピングマシーンを用いて、互いに逆向きに回転する定盤の間で複数枚のガラス基板を挟み込みながら、これらガラス基板の両面を定盤に設けられた研削パッドにより研削した。このとき、2次ラップ加工の研削パッドには、住友3M社製トライザクト(商品名)を使用した。この研削パッドは、凸部の外形寸法が2.6mm角、高さが2mm、隣接する凸部の間の間隔が1mm、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が3μmであり、凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が約50体積%であるダイヤモンドパッドを用いた。また、ラッピングマシーンには、4ウエイタイプ両面研磨機(浜井産業株式会社製16B型)を用い、定盤の回転数を25rpm、加工圧力を120g/cmとして、10分間研削を行った。研削液には、Sabrelube 9016(Chemetall社製)を水で10倍に希釈して使用し、ガラス基板の片面あたりの研削量は約30μmとした。 In secondary lapping, a wrapping machine having a pair of upper and lower surface plates is used, and both surfaces of these glass substrates are provided on the surface plate while sandwiching a plurality of glass substrates between surface plates that rotate in opposite directions. Grinded with a grinding pad. At this time, Trizact (trade name) manufactured by Sumitomo 3M Co. was used as a grinding pad for secondary lapping. This grinding pad has an outer dimension of a convex portion of 2.6 mm square, a height of 2 mm, an interval between adjacent convex portions of 1 mm, and an average grain size of diamond abrasive grains of 3 μm. A diamond pad having a content of about 50% by volume was used. Further, as a lapping machine, a 4-way double-side polishing machine (Type 16B manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.) was used, and the surface plate was rotated at 25 rpm and the processing pressure was 120 g / cm 2 for 10 minutes. As the grinding fluid, Sabrelube 9016 (manufactured by Chemetall) was diluted 10 times with water and the grinding amount per side of the glass substrate was about 30 μm.

3次ラップ加工では、上下一対の定盤を備えるラッピングマシーンを用いて、互いに逆向きに回転する定盤の間で複数枚のガラス基板を挟み込みながら、これらガラス基板の両面を定盤に設けられた研削パッドにより研削した。このとき、3次ラップ加工の研削パッドには、住友3M社製トライザクト(商品名)を使用した。この研削パッドは、凸部の外形寸法が2.6mm角、高さが2mm、隣接する凸部の間の間隔が1mm、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が0.5μmであり、凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が約60体積%であるダイヤモンドパッドを用いた。また、ラッピングマシーンには、4ウエイタイプ両面研磨機(浜井産業株式会社製16B型)を用い、定盤の回転数を25rpm、加工圧力を120g/cmとして、10分間研削を行った。研削液には、Sabrelube 9016(Chemetall社製)を水で10倍に希釈して使用し、ガラス基板の片面あたりの研削量は約10μmとした。 In the third lapping process, using a lapping machine having a pair of upper and lower surface plates, a plurality of glass substrates are sandwiched between surface plates rotating in opposite directions, and both surfaces of these glass substrates are provided on the surface plate. Grinded with a grinding pad. At this time, Trizact (trade name) manufactured by Sumitomo 3M Co. was used as the grinding pad for the third lapping process. This grinding pad has an outer dimension of 2.6 mm square, a height of 2 mm, an interval between adjacent convex parts of 1 mm, and an average particle diameter of diamond abrasive grains of 0.5 μm. A diamond pad having an abrasive content of about 60% by volume was used. Further, as a lapping machine, a 4-way double-side polishing machine (Type 16B manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.) was used, and the surface plate was rotated at 25 rpm and the processing pressure was 120 g / cm 2 for 10 minutes. As the grinding liquid, Sabrelube 9016 (manufactured by Chemetall) was diluted 10-fold with water and the grinding amount per side of the glass substrate was about 10 μm.

外周ポリッシュ工程では、外周研磨ブラシを備えるポリッシングマシーンを用いて、外周研磨ブラシに研磨液を滴下しながら、再び互いの中心孔を一致させた状態でスペーサを挟んで複数枚のガラス基板を積層した積層体を、各ガラス基板の中心孔に挿入された回転シャフトによって軸回りに回転させると共に、各ガラス基板の外周端面に接触させた外周研磨ブラシを積層体とは逆向きに回転させながら上下方向に移動操作することにより、各ガラス基板の外周端面を研磨した。このとき、外周研磨ブラシには、ナイロンブラシを用い、研磨液には、セリアスラリーを用いた。そして、研磨ブラシの回転数を300rpmとして、10分間研磨を行った。   In the outer periphery polishing step, using a polishing machine equipped with an outer peripheral polishing brush, a plurality of glass substrates were laminated with spacers in between with the center holes again aligned while dropping the polishing liquid onto the outer peripheral polishing brush. The laminated body is rotated around the axis by a rotating shaft inserted into the center hole of each glass substrate, and the outer peripheral polishing brush that is in contact with the outer peripheral end surface of each glass substrate is rotated in the opposite direction to the laminated body in the vertical direction. The outer peripheral end face of each glass substrate was polished by moving to. At this time, a nylon brush was used as the outer peripheral polishing brush, and ceria slurry was used as the polishing liquid. Then, the polishing brush was rotated for 10 minutes at a rotation speed of 300 rpm.

1次ポリッシュ加工では、上下一対の定盤を備えるポリッシングマシーンを用いて、互いに逆向きに回転する定盤の間で複数枚のガラス基板を挟み込み、ガラス基板に研磨液を滴下しながら、これらガラス基板の両面を定盤に設けられた研磨パッドにより研磨した。このとき、1次ポリッシュ加工の研磨パッドには、スウエードタイプ(Filwel製)を用い、研磨液には、固形分含有率40質量%のシリカ研磨材溶液(平均粒子径0.08μm、フジミ製Compol)を水に加え、シリカ含有率が0.5質量%となるように調製した研磨スラリーを用いた。また、ポリッシングマシーンには、4ウエイタイプ両面研磨機(浜井産業株式会社製16B型)を用い、研磨液を7リットル/分で供給しながら、定盤の回転数を25rpm、加工圧力を110g/cmとして、30分間研磨を行った。ガラス基板の片面あたりの研磨量は約2μmとした。 In the primary polishing process, using a polishing machine having a pair of upper and lower surface plates, a plurality of glass substrates are sandwiched between surface plates that rotate in opposite directions, and a polishing solution is dropped onto the glass substrate while these glass plates are dropped. Both surfaces of the substrate were polished with a polishing pad provided on a surface plate. At this time, a suede type (manufactured by Filwel) was used as the polishing pad for primary polishing, and a silica abrasive solution (average particle size of 0.08 μm, manufactured by Fujimi) having a solid content of 40% by mass was used as the polishing liquid. Compol) was added to water, and a polishing slurry prepared so that the silica content was 0.5% by mass was used. The polishing machine uses a 4-way double-side polishing machine (Type 16B, manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.), while supplying the polishing liquid at 7 liters / minute, rotating the platen at 25 rpm, and processing pressure at 110 g / min. Polishing was performed for 30 minutes as cm 2 . The amount of polishing per side of the glass substrate was about 2 μm.

そして、得られたガラス基板に対して超音波を併用したアニオン性界面活性剤による化学的洗浄を行い、実施例1の磁気記録媒体用ガラス基板を得た。   And the chemical cleaning with the anionic surfactant which used the ultrasonic wave together was performed with respect to the obtained glass substrate, and the glass substrate for magnetic recording media of Example 1 was obtained.

(実施例2)
実施例2では、上記実施例1のガラス基板両面のラップ加工を2段とし、1次ラップ加工の研削パッドには、住友3M社製トライザクト(商品名)を使用した。この研削パッドは、凸部の外形寸法が2.6mm角、高さが2mm、隣接する凸部の間の間隔が1mm、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が4μmであり、凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が約50体積%であるダイヤモンドパッドを用いた。また、ラッピングマシーンには、4ウエイタイプ両面研磨機(浜井産業株式会社製16B型)を用い、定盤の回転数を25rpm、加工圧力を120g/cmとして、10分間研削を行った。研削液には、Sabrelube 9016(Chemetall社製)を水で10倍に希釈して使用し、ガラス基板の片面あたりの研削量は約30μmとした。
2次ラップ工程、1次ポリッシュ工程、その他は実施例1と同様に行った。
(Example 2)
In Example 2, the lapping process on both surfaces of the glass substrate of Example 1 was performed in two stages, and Trizaact (trade name) manufactured by Sumitomo 3M Co. was used as the grinding pad for the primary lapping process. This grinding pad has an outer dimension of a convex portion of 2.6 mm square, a height of 2 mm, a distance between adjacent convex portions of 1 mm, and an average grain size of diamond abrasive grains of 4 μm. A diamond pad having a content of about 50% by volume was used. Further, as a lapping machine, a 4-way double-side polishing machine (Type 16B manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.) was used, and the surface plate was rotated at 25 rpm and the processing pressure was 120 g / cm 2 for 10 minutes. As the grinding fluid, Sabrelube 9016 (manufactured by Chemetall) was diluted 10 times with water and the grinding amount per side of the glass substrate was about 30 μm.
The secondary lapping process, primary polishing process, and others were performed in the same manner as in Example 1.

(比較例1)
比較例1では、上記実施例1のガラス基板両面のラップ加工を2段とし、またポリッシュ加工も2段とした。具体的には、実施例1の3次ラップ加工を行わず、2段のポリッシュ加工を下記の条件で行った。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, the lapping process on both surfaces of the glass substrate of Example 1 was made two steps, and the polishing process was also made two steps. Specifically, the third lapping process of Example 1 was not performed, and the two-stage polishing process was performed under the following conditions.

すなわち、1次ポリッシュ加工では、上下一対の定盤を備えるポリッシングマシーンを用いて、互いに逆向きに回転する定盤の間で複数枚のガラス基板を挟み込み、ガラス基板に研磨液を滴下しながら、これらガラス基板の両面を定盤に設けられた研磨パッドにより研磨した。このとき、1次ポリッシュ加工の研磨パッドには、スウエードタイプ(Filwel製)を用い、研磨液には、市販のセリア系研磨材(東北金属化学株式会社製 SHOROX、粒径1.0ミクロン)に水に加え、セリア含有率が0.6質量%となるように調製した研磨スラリーを用いた。また、ラッピングマシーンには、4ウエイタイプ両面研磨機(浜井産業株式会社製16B型)を用い、研磨液を8リットル/分で供給しながら、定盤の回転数を30rpm、加工圧力を110g/cmとして、40分間研削を行った。ガラス基板の片面あたりの研削量は約15μmとした。 That is, in the primary polishing process, using a polishing machine having a pair of upper and lower surface plates, a plurality of glass substrates are sandwiched between surface plates rotating in opposite directions, and a polishing liquid is dropped on the glass substrate, Both surfaces of these glass substrates were polished with a polishing pad provided on a surface plate. At this time, a suede type (manufactured by Filwel) is used as a polishing pad for primary polishing, and a commercially available ceria-based abrasive (SHOROX, manufactured by Tohoku Metal Chemical Co., Ltd., particle size: 1.0 micron) is used as a polishing liquid. In addition to water, a polishing slurry prepared to have a ceria content of 0.6% by mass was used. The lapping machine uses a 4-way double-side polishing machine (Type 16B, manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.), while supplying the polishing liquid at 8 liters / minute, rotating the platen at 30 rpm and processing pressure at 110 g / min. Grinding was performed for 40 minutes as cm 2 . The grinding amount per side of the glass substrate was about 15 μm.

2次ポリッシュ加工では、上下一対の定盤を備えるポリッシングマシーンを用いて、互いに逆向きに回転する定盤の間で複数枚のガラス基板を挟み込み、ガラス基板に研磨液を滴下しながら、これらガラス基板の両面を定盤に設けられた研磨パッドにより研磨した。このとき、2次ポリッシュ加工の研磨パッドには、スウエードタイプ(Filwel製)を用い、研磨液には、固形分含有率12質量%のセリア研磨材含有溶液(平均粒子径0.5μm、昭和電工製SHOROX)を水に加え、セリア含有率が0.6質量%となるように調製した研磨スラリーを用いた。また、ラッピングマシーンには、4ウエイタイプ両面研磨機(浜井産業株式会社製16B型)を用い、研磨液を7リットル/分で供給しながら、定盤の回転数を25rpm、加工圧力を110g/cmとして、30分間研削を行った。ガラス基板の片面あたりの研削量は約2μmとした。 In the secondary polishing process, using a polishing machine having a pair of upper and lower surface plates, a plurality of glass substrates are sandwiched between surface plates that are rotated in opposite directions, and a polishing liquid is dropped onto the glass substrate while these glasses are dropped. Both surfaces of the substrate were polished with a polishing pad provided on a surface plate. At this time, a suede type (manufactured by Filwel) was used as a polishing pad for secondary polishing, and a ceria abrasive-containing solution having a solid content of 12% by mass (average particle size of 0.5 μm, Showa) A polishing slurry prepared so that the ceria content is 0.6 mass% was added to water. The lapping machine uses a 4-way double-side polishing machine (Type 16B, manufactured by Hamai Sangyo Co., Ltd.), supplying the polishing liquid at 7 liters / minute, and rotating the platen at 25 rpm and processing pressure at 110 g / min. Grinding was performed for 30 minutes as cm 2 . The grinding amount per side of the glass substrate was about 2 μm.

そして、これら実施例1,2及び比較例1の磁気記録媒体用ガラス基板の表面粗さRa及び微小うねりWaを測定した。なお、表面粗さRa及び微小うねりWaの測定には、原子間力顕微鏡(Digital Instruments製D3000)を用いた。   Then, the surface roughness Ra and the minute waviness Wa of the glass substrates for magnetic recording media of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were measured. Note that an atomic force microscope (D3000 manufactured by Digital Instruments) was used to measure the surface roughness Ra and the microwaviness Wa.

その結果、実施例1の磁気記録媒体用ガラス基板の表面粗さRaは0.3nm、微小うねりWaは0.2nm、実施例2の磁気記録媒体用ガラス基板の表面粗さRaは0.3nm、微小うねりWaは0.25nm、比較例1の磁気記録媒体用ガラス基板の表面粗さRaは0.5nm、微小うねりWaは0.3nmであった。したがって、実施例1,2では、比較例1に比べて、表面の平滑性が高く、うねりが小さいガラス基板(磁気記録媒体用ガラス基板)を製造することができた。   As a result, the surface roughness Ra of the glass substrate for magnetic recording medium of Example 1 was 0.3 nm, the minute waviness Wa was 0.2 nm, and the surface roughness Ra of the glass substrate for magnetic recording medium of Example 2 was 0.3 nm. The microwaviness Wa was 0.25 nm, the surface roughness Ra of the glass substrate for magnetic recording medium of Comparative Example 1 was 0.5 nm, and the microwaviness Wa was 0.3 nm. Therefore, in Examples 1 and 2, a glass substrate (a glass substrate for a magnetic recording medium) having a high surface smoothness and a small undulation as compared with Comparative Example 1 could be produced.

10…ラッピングマシーン 11,12…定盤 20A,20B…ダイヤモンドパッド 20a…ラップ面 21…凸部 30…ラッピングマシーン 31…内周砥石 32…外周砥石 40…ポリッシングマシーン 41…内周研磨ブラシ 50…ポリッシングマシーン 51…回転シャフト 52…外周研磨ブラシ 60…ポリッシングマシーン 61,62…定盤 71…下定盤 72…上定盤 73…キャリア 74…開口部 75…凹部 76…遊星ギア部 77…太陽ギア部 78…固定ギア部 W…ガラス基板 X…積層体   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Lapping machine 11, 12 ... Surface plate 20A, 20B ... Diamond pad 20a ... Lapping surface 21 ... Convex part 30 ... Lapping machine 31 ... Inner peripheral grindstone 32 ... Outer peripheral grindstone 40 ... Polishing machine 41 ... Inner peripheral polishing brush 50 ... Polishing Machine 51: Rotating shaft 52 ... Peripheral polishing brush 60 ... Polishing machine 61, 62 ... Surface plate 71 ... Lower surface plate 72 ... Upper surface plate 73 ... Carrier 74 ... Opening portion 75 ... Recessed portion 76 ... Planetary gear portion 77 ... Sun gear portion 78 ... Fixed gear part W ... Glass substrate X ... Laminate

Claims (4)

少なくともガラス基板の端面を除く表面に対して、1次ラップ加工を施す工程と、2次ラップ加工を施す工程と、3次ラップ加工を施す工程と、ポリッシュ加工を施す工程とを、この順で含む磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
前記1次、2次及び3次ラップ加工には、ダイヤモンド砥粒が結合剤で固定されたダイヤモンドパッドを用い、このダイヤモンドパッドのラップ面は、平坦な頂部を有するタイル状の凸部が複数並んで設けられた構造を有し、
前記1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が4μm以上12μm以下であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜70体積%であり、
前記2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が1μm以上5μm以下であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%であり、
前記3次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が0.2μm以上2μm未満であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%であり、
前記ポリッシュ加工には、研磨剤として酸化ケイ素を用いることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
At least the surface of the glass substrate excluding the end face, the primary lapping process, the secondary lapping process, the tertiary lapping process, and the polishing process in this order. A method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium comprising:
The primary, secondary, and tertiary lapping are performed using a diamond pad in which diamond abrasive grains are fixed with a binder, and a plurality of tile-shaped convex portions having flat tops are arranged on the lapping surface of the diamond pad. Having the structure provided in
The diamond pad used for the primary lapping process has an average particle diameter of 4 μm or more and 12 μm or less of the diamond abrasive grains, and a content of diamond abrasive grains in the convex portions of 5 to 70 vol%,
The diamond pad used for the secondary lapping process has an average particle size of the diamond abrasive grains of 1 μm or more and 5 μm or less, and the content of diamond abrasive grains in the convex portion is 5 to 80% by volume,
The diamond pad used for the third lapping process has an average particle diameter of the diamond abrasive grains of 0.2 μm or more and less than 2 μm, and the content of the diamond abrasive grains in the convex portion is 5 to 80% by volume,
A method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium, wherein silicon oxide is used as an abrasive for the polishing process.
前記1次、2次及び3次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記凸部の外形寸法が1.5〜5mm角、高さが0.2〜3mmであり、隣接する凸部の間の間隔が0.5〜3mmであることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。   The diamond pad used for the primary, secondary and tertiary lap processing has an outer dimension of the convex part of 1.5 to 5 mm square and a height of 0.2 to 3 mm, and the interval between adjacent convex parts. The manufacturing method of the glass substrate for magnetic recording media of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 少なくともガラス基板の端面を除く表面に対して、1次ラップ加工を施す工程と、2次ラップ加工を施す工程と、ポリッシュ加工を施す工程とを、この順で含む磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
前記1次及び2次ラップ加工には、ダイヤモンド砥粒が結合剤で固定されたダイヤモンドパッドを用い、このダイヤモンドパッドのラップ面は、平坦な頂部を有するタイル状の凸部が複数並んで設けられた構造を有し、
前記結合剤として、ポリウレタン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂のいずれかを用い、
前記1次及び2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記凸部の外形寸法が1.5〜5mm角、高さが0.2〜3mmであり、隣接する前記凸部の間の間隔が0.5〜3mmであり、
前記1次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が3μm以上10μm以下であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜70体積%であり、
前記2次ラップ加工に用いるダイヤモンドパッドは、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が0.2μm以上2μm未満であり、前記凸部におけるダイヤモンド砥粒の含有量が5〜80体積%であり、
前記ポリッシュ加工には、研磨剤として酸化ケイ素を用いることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
Manufacture of a glass substrate for a magnetic recording medium including a step of performing a primary lapping process, a step of performing a secondary lapping process, and a step of performing a polishing process on at least a surface excluding an end surface of the glass substrate in this order. A method,
For the primary and secondary lapping, a diamond pad to which diamond abrasive grains are fixed with a binder is used, and the lapping surface of the diamond pad is provided with a plurality of tile-shaped convex portions having flat tops. Having a structure
As the binder, using any one of polyurethane resin, phenol resin, melamine resin,
In the diamond pad used for the primary and secondary lapping, the outer dimensions of the protrusions are 1.5 to 5 mm square, the height is 0.2 to 3 mm, and the interval between the adjacent protrusions is 0. .5-3mm,
The diamond pad used for the primary lap processing has an average particle diameter of the diamond abrasive grains of 3 μm or more and 10 μm or less, and a content of diamond abrasive grains in the convex portion is 5 to 70 vol%.
The diamond pad used for the secondary lapping process has an average particle diameter of the diamond abrasive grains of 0.2 μm or more and less than 2 μm, and the content of diamond abrasive grains in the convex portions is 5 to 80% by volume,
A method for producing a glass substrate for a magnetic recording medium, wherein silicon oxide is used as an abrasive for the polishing process.
前記ポリッシュ加工は、研磨剤として酸化セリウムを用いずに行うことを特徴とする請求項1〜の何れか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。 The polishing process method of manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium according to any one of claim 1 to 3, characterized in that without using cerium oxide as a polishing agent.
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