JP5604745B2 - Exposure equipment - Google Patents

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、被露光体を一定方向に搬送しながら該被露光体の搬送方向と交差する方向に光ビームを走査して露光する露光装置に関し、特に被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮しようとする露光装置に係るものである。   The present invention relates to an exposure apparatus that scans and exposes a light beam in a direction intersecting the transport direction of the object to be exposed while transporting the object to be exposed in a certain direction, and in particular, scanning of the light beam that scans on the object to be exposed. The present invention relates to an exposure apparatus that attempts to shorten the tact of the exposure process by shortening the distance.

従来のこの種の露光装置は、被露光体を一定方向に搬送しながら、光スイッチによりオン・オフ変調されて射出する一本のレーザビームを、ポリゴンミラーにより被露光体の搬送方向と交差する方向に往復走査し、fθレンズにより被露光体上に集光して露光するものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。   In this type of conventional exposure apparatus, a single laser beam emitted by being modulated on / off by an optical switch is crossed with the conveyance direction of the exposure object by a polygon mirror while the exposure object is conveyed in a certain direction. The scanning is reciprocated in the direction, and the light is condensed and exposed on the object to be exposed by the fθ lens (see, for example, Patent Document 1).

特開2005−317800号公報JP 2005-317800 A

しかし、このような従来の露光装置においては、一本の光ビームが被露光体上の露光領域の全幅を往復走査するものであるので、光ビームの走査距離が長くなっていた。したがって、被露光体の搬送方向において未露光部が生じないようにするためには、被露光体の搬送速度を遅くしなければならず、露光工程のタクトが長くなるという問題があった。   However, in such a conventional exposure apparatus, since a single light beam reciprocally scans the entire width of the exposure area on the object to be exposed, the scanning distance of the light beam has become long. Therefore, in order to prevent an unexposed portion from occurring in the transport direction of the object to be exposed, there has been a problem that the transport speed of the object to be exposed has to be slowed down and the tact time of the exposure process becomes long.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、被露光体上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮しようとする露光装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that addresses such problems and shortens the scanning distance of the light beam that scans the object to be exposed to shorten the tact time of the exposure process. .

上記目的を達成するために、本発明による露光装置は、被露光体を一定方向に一定速度で搬送する搬送手段と、前記被露光体の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられた複数の光スイッチにより、一方向に拡幅されたレーザ光を一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームに分割して射出するパターンジェネレータと、前記パターンジェネレータから射出し、前記被露光体に照射する前記複数のレーザビームを互いに隣接する前記レーザビームの間の領域を同時に往復走査する光走査手段と、前記往復走査される複数のレーザビームを前記被露光体上に集光するfθレンズと、前記パターンジェネレータの前記複数の光スイッチのオン・オフ駆動を制御する制御手段と、を備えたものである。   In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to the present invention comprises a conveying unit that conveys an object to be exposed at a constant speed in a line at a constant arrangement pitch in a direction that intersects the conveying direction of the object to be exposed. A pattern generator that divides and emits laser light expanded in one direction into a plurality of laser beams arranged in a line at a constant arrangement pitch by a plurality of optical switches arranged; Optical scanning means for simultaneously reciprocally scanning the region between the adjacent laser beams with the plurality of laser beams to be irradiated on the exposure body, and condensing the plurality of laser beams to be reciprocated on the object to be exposed and an fθ lens, and a control means for controlling on / off driving of the plurality of optical switches of the pattern generator.

このような構成により、搬送手段で被露光体を一定方向に一定速度で搬送しながら、制御手段で制御して被露光体の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられたパターンジェネレータの複数の光スイッチをオン・オフ駆動し、複数の光スイッチにより、一方向に拡幅されたレーザ光を一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームに分割してパターンジェネレータから射出し、光走査手段で被露光体に照射する複数のレーザビームを互いに隣接するレーザビームの間の領域を同時に往復走査し、fθレンズで往復走査される複数のレーザビームを露光体上に集光する。   With such a configuration, while the object to be exposed is conveyed in a certain direction at a constant speed by the conveying means, it is arranged in a line at a constant arrangement pitch in the direction intersecting with the conveying direction of the object to be exposed under the control by the control means. Multiple optical switches of the pattern generator are turned on / off, and the laser light expanded in one direction is divided into multiple laser beams arranged in a line at a fixed array pitch by the multiple optical switches and emitted from the pattern generator. Then, a plurality of laser beams to be irradiated onto the object to be exposed by the optical scanning means are simultaneously reciprocated in a region between adjacent laser beams, and a plurality of laser beams to be reciprocated by the fθ lens are condensed on the exposed body. To do.

また、前記パターンジェネレータの各光スイッチは、電気光学結晶材料からなる角柱状のスイッチング素子の長軸に平行な対向面に夫々電極を設けると共に、前記スイッチング素子の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成したものである。これにより、電気光学結晶材料からなる角柱状のスイッチング素子の長軸に平行な対向面に夫々電極を設けると共に、前記スイッチング素子の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成したパターンジェネレータの各光スイッチで各レーザビームの射出をオン・オフする。   In addition, each optical switch of the pattern generator is provided with electrodes on opposing surfaces parallel to the major axis of a prismatic switching element made of an electro-optic crystal material, and a pair of both ends on the major axis direction of the switching element. The polarizing elements are arranged in crossed Nicols. As a result, electrodes are provided on the opposing surfaces parallel to the major axis of the prismatic switching element made of an electro-optic crystal material, and a pair of polarizing elements are arranged in crossed Nicols on both end surfaces in the major axis direction of the switching element. The emission of each laser beam is turned on / off by each optical switch of the pattern generator configured as described above.

さらに、前記光走査手段は、前記fθレンズと、前記パターンジェネレータと前記fθレンズとの間に該fθレンズとミラー対称に対向配置された別のfθレンズとの間に配置された光偏向ミラーである。これにより、fθレンズと、パターンジェネレータとfθレンズとの間に該fθレンズとミラー対称に対向配置された別のfθレンズとの間に配置された光偏向ミラーで複数のレーザビームを同時に往復走査する。   Further, the optical scanning means is an optical deflection mirror disposed between the fθ lens and another fθ lens disposed between the pattern generator and the fθ lens so as to face the fθ lens in a mirror-symmetric manner. is there. Thus, a plurality of laser beams are simultaneously reciprocally scanned by an optical deflection mirror disposed between the fθ lens and another fθ lens disposed symmetrically opposite to the fθ lens between the pattern generator and the fθ lens. To do.

また、前記光偏向ミラーは、ガルバノミラーである。これにより、ガルバノミラーで複数のレーザビームを同時に往復走査する。   The light deflection mirror is a galvanometer mirror. Thereby, a plurality of laser beams are simultaneously reciprocated by the galvanometer mirror.

さらに、前記光偏向ミラーは、ポリゴンミラーである。これにより、ポリゴンミラーで複数のレーザビームを同時に往復走査する。   Further, the light deflection mirror is a polygon mirror. Thereby, a plurality of laser beams are simultaneously reciprocated by the polygon mirror.

さらにまた、前記光走査手段は、前記fθレンズと前記搬送手段との間に配置された音響光学素子である。これにより、fθレンズと搬送手段との間に配置された音響光学素子で複数のレーザビームを同時に往復走査する。   Furthermore, the optical scanning unit is an acousto-optic element disposed between the fθ lens and the transport unit. As a result, a plurality of laser beams are simultaneously reciprocally scanned with an acousto-optic element disposed between the fθ lens and the conveying means.

そして、前記光走査手段は、前記fθレンズと、前記パターンジェネレータと前記fθレンズとの間に該fθレンズとミラー対称に対向配置された別のfθレンズとの間に配置され、角型ブロック状の電気光学結晶材料の対向面に光軸に対して傾斜した辺を有する三角形の電極を設けた電気光学素子である。これにより、fθレンズと、パターンジェネレータとfθレンズとの間に該fθレンズとミラー対称に対向配置された別のfθレンズとの間に配置され、角型ブロック状の電気光学結晶材料の対向面に光軸に対して傾斜した辺を有する三角形の電極を設けた電気光学素子で複数のレーザビームを同時に往復走査する。   The optical scanning unit is disposed between the fθ lens and another fθ lens disposed between the pattern generator and the fθ lens so as to face the fθ lens in a mirror-symmetric manner, and is in a rectangular block shape. The electro-optic element is provided with a triangular electrode having a side inclined with respect to the optical axis on the opposite surface of the electro-optic crystal material. As a result, the opposing surface of the electro-optic crystal material in the form of a square block is disposed between the fθ lens and another fθ lens disposed opposite to the fθ lens in mirror symmetry between the pattern generator and the fθ lens. A plurality of laser beams are simultaneously reciprocated by an electro-optic element provided with a triangular electrode having a side inclined with respect to the optical axis.

請求項1に係る発明によれば、光ビームを複数のレーザビームに分割して同時に往復走査し、被露光体の露光領域の全幅を露光するようにしているので、1本当たりのレーザビームの走査距離を短くすることができ、レーザビームの走査周波数をあげることができる。したがって、被露光体の搬送速度を速くすることができ、露光工程のタクトを短縮することができる。   According to the first aspect of the present invention, the light beam is divided into a plurality of laser beams and simultaneously reciprocated to expose the entire width of the exposure area of the object to be exposed. The scanning distance can be shortened, and the scanning frequency of the laser beam can be increased. Therefore, the conveyance speed of the object to be exposed can be increased, and the tact time of the exposure process can be shortened.

また、請求項2に係る発明によれば、パターンジェネレータの光スイッチを電気光学結晶材料で形成しているので、エネルギーの高いレーザ光を使用することができる。したがって、レーザビームの走査速度をより速くして露光工程のタクトをより短縮することができる。   According to the invention of claim 2, since the optical switch of the pattern generator is formed of the electro-optic crystal material, it is possible to use a laser beam with high energy. Therefore, the scanning speed of the laser beam can be increased to shorten the tact time of the exposure process.

さらに、請求項3に係る発明によれば、一対のfθレンズの間にて複数のレーザビームが光軸側に絞られた位置に光偏向ミラーを配置することができ、光偏向ミラーのミラー形状を小さくすることができる。したがって、光偏向ミラーの慣性モーメントを小さくして駆動周波数をより高くことができる。これにより、被露光体の搬送速度をより速くして露光工程のタクトを一層短縮することができる。   Furthermore, according to the invention of claim 3, the optical deflection mirror can be arranged at a position where a plurality of laser beams are focused on the optical axis side between the pair of fθ lenses, and the mirror shape of the optical deflection mirror Can be reduced. Therefore, it is possible to reduce the moment of inertia of the light deflection mirror and increase the drive frequency. Thereby, the conveyance speed of a to-be-exposed body can be made faster and the tact of an exposure process can be shortened further.

また、請求項4に係る発明によれば、光偏向ミラーの製造コストを安価にすることができる。   Moreover, according to the invention which concerns on Claim 4, the manufacturing cost of an optical deflection | deviation mirror can be made cheap.

さらに、請求項5に係る発明によれば、往復走査する光ビームの復路の走査時間を短縮することができ、レーザビームの走査周波数をなお一層高くすることができる。   Furthermore, according to the fifth aspect of the present invention, it is possible to shorten the scanning time of the return path of the light beam for reciprocating scanning, and to further increase the scanning frequency of the laser beam.

そして、請求項6又は7に係る発明によれば、光走査手段の経時的変化が少なくレーザビームを長時間安定して走査することができる。したがって、露光装置の信頼性を向上することができる。   According to the invention according to claim 6 or 7, the laser beam can be stably scanned for a long time with little temporal change of the optical scanning means. Therefore, the reliability of the exposure apparatus can be improved.

本発明による露光装置の第1の実施形態を示す概要図である。1 is a schematic diagram showing a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. 本発明の露光装置に使用する光スイッチの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the optical switch used for the exposure apparatus of this invention. 本発明の露光装置の制御手段の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the control means of the exposure apparatus of this invention. 本発明の露光装置に使用するガルバノミラーの往復動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the reciprocating operation | movement of the galvanometer mirror used for the exposure apparatus of this invention. 上記光スイッチのオン・オフ駆動を説明する図であり、(a)はオン状態を示し、(b)はオフ状態を示す。It is a figure explaining the on / off drive of the said optical switch, (a) shows an ON state, (b) shows an OFF state. 本発明の露光装置における1つのレーザビームの往復動作による露光を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows exposure by the reciprocation operation | movement of one laser beam in the exposure apparatus of this invention. 本発明による露光装置の第2の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows 2nd Embodiment of the exposure apparatus by this invention. 本発明による露光装置の第3の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows 3rd Embodiment of the exposure apparatus by this invention. 上記第3の実施形態の光走査手段の一構成例を示す図であり、(a)は正面図、(b)は側面図である。It is a figure which shows one structural example of the optical scanning means of the said 3rd Embodiment, (a) is a front view, (b) is a side view.

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による露光装置の第1の実施形態を示す概要図である。この露光装置は、被露光体を一定方向に搬送しながら該被露光体の搬送方向と交差する方向に光ビームを走査して露光するもので、搬送手段1と、露光光学系2と、制御手段3と、を備えてなる。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic view showing a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention. The exposure apparatus performs exposure by scanning a light beam in a direction intersecting the transport direction of the object to be exposed while transporting the object to be exposed in a fixed direction. The transport unit 1, the exposure optical system 2, and the control And means 3.

上記搬送手段1は、被露光体4を一定方向に一定速度で搬送するものであり、ステージ5の上面5aにエアの噴出口及び吸引口を備え、エアの噴出力及び吸引力を調整して被露光体4をステージ5の上面5aに一定量だけ浮上させた状態で図示省略の搬送機構により被露光体4の両端縁部を保持して搬送するようになっている。なお、図1において被露光体4の搬送方向は、同図に正対して手前から奥に向かう方向(矢印A方向)である。   The transport means 1 transports the object to be exposed 4 in a constant direction at a constant speed, and includes an air outlet and a suction port on the upper surface 5a of the stage 5, and adjusts the air jet output and suction force. The exposed object 4 is conveyed while holding both end edges of the exposed object 4 by a conveying mechanism (not shown) in a state where the exposed object 4 is floated on the upper surface 5a of the stage 5 by a certain amount. In FIG. 1, the conveying direction of the object to be exposed 4 is a direction (arrow A direction) from the near side to the back as opposed to the drawing.

上記搬送手段1の上方には、露光光学系2が配設されている。この露光光学系2は、レーザビームLbを被露光体4の搬送方向と交差する方向(矢印B,C方向)に走査して矢印A方向に移動中の被露光体4表面に照射し、被露光体4面に塗布された感光材を露光するもので、レーザビームLbの進行方向上流から下流に向かってパターンジェネレータ6と、光走査手段7と、第1のfθレンズ8とをこの順に配置して備えたものである。   An exposure optical system 2 is disposed above the conveying means 1. The exposure optical system 2 scans the laser beam Lb in a direction (arrow B, C direction) intersecting the conveyance direction of the exposure object 4 and irradiates the surface of the exposure object 4 moving in the arrow A direction. The photosensitive material applied on the surface of the exposure body 4 is exposed, and the pattern generator 6, the optical scanning means 7, and the first fθ lens 8 are arranged in this order from the upstream to the downstream in the traveling direction of the laser beam Lb. It is prepared.

ここで、パターンジェネレータ6は、被露光体4の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられた複数の光スイッチ9(図2参照)により、一方向に拡幅されたレーザ光Lを一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームLbに分割して射出するものであり、図2に示すように、各光スイッチ9は、電気光学結晶材料からなる角柱状の複数のスイッチング素子10の長軸に平行な対向面に夫々電極11a,11bを設けると共に、複数のスイッチング素子10の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成されている。そして、上記複数のスイッチング素子10は、図1に示すように、それらの長軸方向を光の通路として透明な配線基板12上に上記一対の電極11a,11bが配線基板12の各配線に接続された状態で一列に並べて形成され、スイッチング素子組立体13を構成している。   Here, the pattern generator 6 is a laser beam widened in one direction by a plurality of optical switches 9 (see FIG. 2) arranged in a line at a constant arrangement pitch in a direction intersecting the conveyance direction of the object 4 to be exposed. L is divided into a plurality of laser beams Lb arranged in a line at a constant arrangement pitch and emitted, and as shown in FIG. 2, each optical switch 9 includes a plurality of prismatic prisms made of an electro-optic crystal material. The electrodes 11a and 11b are provided on opposing surfaces parallel to the major axis of the switching element 10, and a pair of polarizing elements are arranged in crossed Nicols on both end surfaces in the major axis direction of the plurality of switching elements 10. . As shown in FIG. 1, the plurality of switching elements 10 are connected to the respective wirings of the wiring board 12 on the transparent wiring board 12 with the long axis direction as a light path. In this state, the switching element assembly 13 is formed in a line.

なお、本第1の実施形態においては、上記一対の偏光素子は、図2に示すように、一例として電気光学結晶材料の光入射端面10a側に配置された第1の偏光ビームスプリッタ14と、光射出端面10b側に配置された第2の偏光ビームスプリッタ15とを、互いに光軸を中心に90°回転した関係に設けたもので示しているが、一対の偏光素子は一対の偏光板であってもよい。また、第1及び第2の偏光ビームスプリッタ14,15は、スイッチング素子組立体13の全体に亘って共通したものであってもよい。さらに、本第1の実施形態においては、第1の偏光ビームスプリッタ14とスイッチング素子組立体13との間に、複数のマイクロレンズを上記複数のスイッチング素子10の配列ピッチと同じピッチで一列に並べて設けたレンズアレイ16を配置し、拡幅されたレーザ光Lを複数のマイクロレンズにより複数のレーザビームLbに分割し、上記各スイッチング素子10上に集光させている。これにより、光利用効率を向上させることができる。   In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the pair of polarizing elements includes, as an example, a first polarizing beam splitter 14 disposed on the light incident end face 10a side of the electro-optic crystal material; The second polarizing beam splitter 15 disposed on the light exit end face 10b side is shown as being provided in a relationship rotated by 90 ° about the optical axis, but the pair of polarizing elements is a pair of polarizing plates. There may be. Further, the first and second polarizing beam splitters 14 and 15 may be common throughout the switching element assembly 13. Furthermore, in the first embodiment, a plurality of microlenses are arranged in a line at the same pitch as the arrangement pitch of the plurality of switching elements 10 between the first polarizing beam splitter 14 and the switching element assembly 13. The provided lens array 16 is disposed, and the widened laser beam L is divided into a plurality of laser beams Lb by a plurality of microlenses and is condensed on each switching element 10. Thereby, the light utilization efficiency can be improved.

また、上記パターンジェネレータ6に入射するレーザ光Lは、レーザ光源17から放射され、光ファイバ18によって板状のロッドレンズ19まで導かれ、このロッドレンズ19により光強度分布が均一化された後、ビームエキスパンダ20によりロッドレンズ19の端面の長軸方向に拡幅されるようになっている。したがって、上記レンズアレイ16の各マイクロレンズの配列方向及び複数の光スイッチ9の配列方向がレーザ光Lの拡幅方向に一致するようにパターンジェネレータ6は、配置されることになる。   The laser light L incident on the pattern generator 6 is emitted from the laser light source 17 and guided to the plate-shaped rod lens 19 by the optical fiber 18. After the light intensity distribution is made uniform by the rod lens 19, The beam expander 20 widens the end surface of the rod lens 19 in the long axis direction. Accordingly, the pattern generator 6 is arranged so that the arrangement direction of the microlenses of the lens array 16 and the arrangement direction of the plurality of optical switches 9 coincide with the widening direction of the laser light L.

上記光走査手段7は、パターンジェネレータ6から射出し、被露光体4に照射する複数のレーザビームLbを互いに隣接するレーザビームLbの間の領域を同時に往復走査するもので、後述の第1のfθレンズ8と、パターンジェネレータ6と第1のfθレンズ8との間に第1のfθレンズ8とミラー対称に対向配置された第2のfθレンズ21との間に配置された光偏向ミラーであり、ガルバノミラー又はポリゴンミラーである。以下の説明においては、光偏向ミラーがガルバノミラー22である場合について述べる。なお、第2のfθレンズ21は上述のように配置されているので、通常の使用状態と反対となり、通常使用における物体面側が光射出側となる。   The light scanning means 7 simultaneously reciprocates a region between adjacent laser beams Lb with a plurality of laser beams Lb emitted from the pattern generator 6 and irradiating the object 4 to be exposed. a light deflection mirror disposed between the fθ lens 8 and the second fθ lens 21 disposed between the pattern generator 6 and the first fθ lens 8 so as to be opposed to the first fθ lens 8 in a mirror-symmetric manner; Yes, a galvanometer mirror or a polygon mirror. In the following description, the case where the light deflection mirror is the galvanometer mirror 22 will be described. Since the second fθ lens 21 is arranged as described above, it is opposite to the normal use state, and the object plane side in normal use is the light emission side.

上記第1のfθレンズ8は、上記ガルバノミラー22で往復走査される複数のレーザビームLbを被露光体4上で等速スキャンさせるものであり、像面側の焦点位置を被露光体4表面に略合致させ、物体面側の焦点位置を第2のfθレンズ21の物体面側焦点位置に略合致させて配置されている。   The first fθ lens 8 scans a plurality of laser beams Lb reciprocally scanned by the galvanometer mirror 22 on the exposure object 4 at a constant speed, and the focal position on the image plane side is set on the surface of the exposure object 4. The focal position on the object plane side is substantially matched with the focal position on the object plane side of the second fθ lens 21.

上記搬送手段1と、パターンジェネレータ6と、ガルバノミラー22と、レーザ光源17と、に電気的に接続して制御手段3が設けられている。この制御手段3は、パターンジェネレータ6の複数の光スイッチ9のオン・オフ駆動を制御するものであり、図3に示すように、搬送手段駆動部23と、パターンジェネレータ駆動部24と、ミラー駆動部25と、レーザ光源駆動部26と、演算部27と、メモリ28と、制御部29と、を備えている。   A control unit 3 is provided in electrical connection with the transport unit 1, the pattern generator 6, the galvano mirror 22, and the laser light source 17. This control means 3 controls the on / off drive of the plurality of optical switches 9 of the pattern generator 6, and as shown in FIG. 3, the transport means drive section 23, the pattern generator drive section 24, and the mirror drive. A unit 25, a laser light source driving unit 26, a calculation unit 27, a memory 28, and a control unit 29 are provided.

ここで、上記搬送手段駆動部23は、搬送手段1の駆動を制御して図示省略の搬送機構を一定速度で移動させるものである。また、パターンジェネレータ駆動部24は、後述のメモリ28に予め記憶されたCADデータに基づいてパターンジェネレータ6の各光スイッチ9のオン・オフ駆動を制御するものであり、往復走査するレーザビームLbの往路において各光スイッチ9をオン・オフ駆動し、復路においては常にオフ駆動するように制御する。さらに、ミラー駆動部25は、ガルバノミラー22を一定周波数Fmで駆動するものであり、例えば図4に示すようにレーザビームLbの往路走査時間に相当する立上がり時間がT1及び復路走査時間に相当する立下り時間がT2である鋸歯状波で駆動される。また、レーザ光源駆動部26は、レーザ光源17を予め設定された出力で駆動させるものである。さらに、演算部27は、予め設定された初期設定値に基づいて例えば被露光体4の搬送速度Vや、光スイッチ9の切換周波数Fs等を演算するものである。また、メモリ28は、各要素の初期設定値を記憶すると共に露光パターンのCADデータを記憶するものである。そして、制御部29は、各要素が適切に駆動するように装置全体を統合して制御するものである。   Here, the transport means driving unit 23 controls the drive of the transport means 1 and moves a transport mechanism (not shown) at a constant speed. The pattern generator driving unit 24 controls on / off driving of each optical switch 9 of the pattern generator 6 based on CAD data stored in advance in a memory 28 described later. Control is performed so that each optical switch 9 is driven on and off in the forward path and is always driven off in the backward path. Further, the mirror driving unit 25 drives the galvanometer mirror 22 at a constant frequency Fm. For example, as shown in FIG. 4, the rising time corresponding to the forward scanning time of the laser beam Lb corresponds to T1 and the backward scanning time. It is driven by a sawtooth wave whose fall time is T2. The laser light source drive unit 26 drives the laser light source 17 with a preset output. Further, the calculation unit 27 calculates, for example, the conveyance speed V of the object to be exposed 4, the switching frequency Fs of the optical switch 9, and the like based on preset initial setting values. The memory 28 stores initial setting values of each element and CAD data of the exposure pattern. And the control part 29 integrates and controls the whole apparatus so that each element may drive appropriately.

次に、このように構成された露光装置の動作について説明する。
先ず、被露光体4の搬送方向(矢印A方向)の露光ピッチP1、レーザビームLbの走査方向の露光ピッチP2、ガルバノミラー22の駆動周波数(レーザビームLbの走査周波数に相当)Fm、レーザビームLbの走査幅W、レーザ光源17のパワー等の初期設定値、及び露光パターンのCADデータをメモリ28に記憶する。
Next, the operation of the exposure apparatus configured as described above will be described.
First, the exposure pitch P1 in the transport direction (arrow A direction) of the exposure object 4, the exposure pitch P2 in the scanning direction of the laser beam Lb, the driving frequency of the galvano mirror 22 (corresponding to the scanning frequency of the laser beam Lb) Fm, laser beam Initial setting values such as the scanning width W of Lb, the power of the laser light source 17 and the CAD data of the exposure pattern are stored in the memory 28.

この場合、被露光体4の搬送速度Vは、被露光体4の搬送方向の露光ピッチP1とガルバノミラー22の駆動周波数Fmとに基づいて演算部27においてV=P1・Fmの関係式を演算することにより算出することができる。また、光スイッチ9の切換周波数Fsは、レーザビームLbの走査方向の露光ピッチP2、レーザビームLbの走査幅W、レーザビームLbの往路走査時間T1(図4参照)に基づいて演算部27においてFs=W/(P2・T1)の関係式を演算することによって算出される。なお、被露光体4の搬送速度V及び光スイッチ9の切換周波数Fsを初期設定値として直接入力してもよい。   In this case, the conveyance speed V of the object to be exposed 4 is calculated by the calculation unit 27 based on the exposure pitch P1 in the conveyance direction of the object to be exposed 4 and the drive frequency Fm of the galvano mirror 22 in the calculation unit 27. This can be calculated. Further, the switching frequency Fs of the optical switch 9 is determined by the calculation unit 27 based on the exposure pitch P2 in the scanning direction of the laser beam Lb, the scanning width W of the laser beam Lb, and the forward scanning time T1 of the laser beam Lb (see FIG. 4). It is calculated by calculating a relational expression of Fs = W / (P2 · T1). Note that the conveyance speed V of the object to be exposed 4 and the switching frequency Fs of the optical switch 9 may be directly input as initial setting values.

次に、搬送手段1上に被露光体4が載置される。そして、露光開始スイッチが投入されると、搬送手段1のステージ5の上面5aと被露光体4との間に空気層が形成され、被露光体4が一定量だけ浮上された状態で図示省略の搬送機構によって両端縁部が保持されて速度Vで搬送される。   Next, the object to be exposed 4 is placed on the transport unit 1. When the exposure start switch is turned on, an air layer is formed between the upper surface 5a of the stage 5 of the transport means 1 and the object to be exposed 4, and the object to be exposed 4 is floated by a certain amount and is not shown. Both end edges are held by the transport mechanism and transported at a speed V.

また、レーザ光源17からはレーザ光Lが放射され、光ファイバ18によってパターンジェネレータ6側に導かれる。そして、ロッドレンズ19によって光強度分布が均一化された後、ビームエキスパンダ20によって一定方向(被露光体4の搬送方向と交差する方向)に拡幅されてパターンジェネレータ6に入射する。   Laser light L is emitted from the laser light source 17 and is guided to the pattern generator 6 side by the optical fiber 18. Then, after the light intensity distribution is made uniform by the rod lens 19, it is widened in a certain direction (a direction intersecting the transport direction of the exposure object 4) by the beam expander 20 and enters the pattern generator 6.

パターンジェネレータ6においては、入射したレーザ光Lは、先ず第1の偏光ビームスプリッタ14によって偏光面14a(図2参照)を透過するP偏光と偏光面14aで反射されるS偏光に分離される。なお、以下の説明においては、P偏光を露光に使用する場合について述べるが、S偏光を使用してもよい。   In the pattern generator 6, the incident laser light L is first separated into P-polarized light that is transmitted through the polarization plane 14a (see FIG. 2) and S-polarized light that is reflected by the polarization plane 14a by the first polarization beam splitter 14. In the following description, a case where P-polarized light is used for exposure will be described, but S-polarized light may be used.

第1の偏光ビームスプリッタ14の偏光面14aを透過したP偏光のレーザ光Lは、レンズアレイ16の複数のマイクロレンズによって複数のレーザビームLbに分割されて、それぞれ後段のスイッチング素子組立体13の対応するスイッチング素子10に入射する。   The P-polarized laser beam L transmitted through the polarization plane 14a of the first polarization beam splitter 14 is divided into a plurality of laser beams Lb by a plurality of microlenses of the lens array 16, and each of the switching element assemblies 13 in the subsequent stage is divided. The light enters the corresponding switching element 10.

各スイッチング素子10は、パターンジェネレータ駆動部24によりCADデータに基づいて切換周波数Fsでオン・オフ駆動される。そして、各スイッチング素子10を通過したレーザビームLbは、第2の偏光ビームスプリッタ15によって偏光面15a(図2参照)の透過が制限される。例えば、図5(a)に示すように、スイッチング素子10がオン駆動されている場合には、スイッチング素子10に入射したP偏光のレーザビームLbは、スイッチング素子10内を通過中に偏波面が90°回転されてS偏光となる。このとき、第1の偏光ビームスプリッタ14と第2の偏光ビームスプリッタ15とは、光軸を中心に互いに90°回転した状態に配置されているため、スイッチング素子10を射出したS偏光は、第2の偏光ビームスプリッタ15の偏光面15aに対してはP偏光の関係となり、この偏光面15aを透過して被露光体4上に到達することができる。   Each switching element 10 is driven on / off at the switching frequency Fs by the pattern generator driving unit 24 based on the CAD data. The laser beam Lb that has passed through each switching element 10 is limited in transmission by the second polarization beam splitter 15 through the polarization plane 15a (see FIG. 2). For example, as shown in FIG. 5A, when the switching element 10 is turned on, the polarization plane of the P-polarized laser beam Lb incident on the switching element 10 passes through the switching element 10. It is rotated 90 ° to become S-polarized light. At this time, since the first polarization beam splitter 14 and the second polarization beam splitter 15 are arranged so as to be rotated by 90 ° about the optical axis, the S-polarized light emitted from the switching element 10 is The polarization plane 15 a of the second polarization beam splitter 15 has a P-polarization relationship, and can pass through the polarization plane 15 a and reach the object to be exposed 4.

一方、図5(b)に示すように、スイッチング素子10がオフ駆動されている場合には、スイッチング素子10に入射したP偏光のレーザビームLbは、スイッチング素子10内で偏波面が回転されずP偏光のままである。したがって、このP偏光は、第2の偏光ビームスプリッタ15の偏光面15aに対してはS偏光の関係となり、この偏光面15aで反射されて被露光体4上に到達することができない。   On the other hand, as shown in FIG. 5B, when the switching element 10 is driven off, the polarization plane of the P-polarized laser beam Lb incident on the switching element 10 is not rotated in the switching element 10. It remains P-polarized light. Accordingly, the P-polarized light has an S-polarized relationship with respect to the polarization plane 15a of the second polarization beam splitter 15, and is reflected by the polarization plane 15a and cannot reach the object 4 to be exposed.

パターンジェネレータ6を射出した複数のレーザビームLbは、第2のfθレンズ21により光軸側に絞られた後、ガルバノミラー22のミラー面に入射する。そして、駆動周波数Fmの鋸歯状波によって駆動されるガルバノミラー22のミラー面によって反射され、第1のfθレンズ8を介して被露光体4上を走査幅Wで被露光体4の搬送方向(矢印A方向)と交差する方向(矢印B,C方向)に等速走査される。   The plurality of laser beams Lb emitted from the pattern generator 6 are focused on the optical axis side by the second fθ lens 21 and then enter the mirror surface of the galvano mirror 22. Then, the light is reflected by the mirror surface of the galvanometer mirror 22 driven by the sawtooth wave having the driving frequency Fm, and the conveying direction of the exposed object 4 with the scanning width W on the exposed object 4 via the first fθ lens 8 ( The scanning is performed at a constant speed in a direction (arrow B, C direction) intersecting with the arrow A direction.

これにより、図6に示すように、矢印A方向に搬送中の被露光体4上をレーザビームLbが矢印B方向に走査されている間にスイッチング素子10が切換周波数Fsでオン・オフ駆動される。したがって、被露光体4の搬送方向と交差する方向に露光ピッチP2で1ライン分の露光が実行される。また、レーザビームLbが矢印C方向へ走査されている間は、スイッチング素子10は全てオフ駆動されるため、この間の露光は停止される。そして、レーザビームLbの1回目の往復走査が終了すると、レーザビームLbの照射位置は、被露光体4が矢印A方向に速度Vで搬送されているため、先の照射位置から露光ピッチP1だけ後方にずれた位置となる。これにより、レーザビームLbの2回目の往復走査中に上記先の1ライン分の露光に続いて、次の1ライン分の露光が実行される。以下、同様にしてレーザビームLbを往復走査しながら、未露光部を生じさせることなく、被露光体4上の露光領域内を均一に露光することができる。この場合、光スイッチ9をCADデータに基づいて適切に駆動すると、被露光体4上に緻密な露光パターンを形成することができる。なお、同図において、破線は、隣接するレーザビームLbによる隣接する露光領域の露光を示している。   As a result, as shown in FIG. 6, the switching element 10 is driven on / off at the switching frequency Fs while the laser beam Lb is scanned in the arrow B direction on the exposure object 4 being conveyed in the arrow A direction. The Therefore, one line of exposure is executed at the exposure pitch P2 in the direction crossing the conveying direction of the object 4 to be exposed. Further, while the laser beam Lb is scanned in the direction of the arrow C, all the switching elements 10 are turned off, so that the exposure during this time is stopped. When the first reciprocating scan of the laser beam Lb is completed, the irradiation position of the laser beam Lb is the exposure pitch P1 from the previous irradiation position because the exposure object 4 is transported at the speed V in the arrow A direction. The position is shifted backward. As a result, during the second reciprocating scan of the laser beam Lb, the exposure for the next one line is executed following the exposure for the previous one line. Thereafter, while the laser beam Lb is reciprocally scanned in the same manner, it is possible to uniformly expose the exposed area on the object to be exposed 4 without generating an unexposed portion. In this case, when the optical switch 9 is appropriately driven based on the CAD data, a dense exposure pattern can be formed on the object to be exposed 4. In the figure, a broken line indicates exposure of an adjacent exposure region by the adjacent laser beam Lb.

なお、ガルバノミラー22に替えてポリゴンミラーを使用すれば図4に示すレーザビームLbの復路走査時間T2を短縮することができる。したがって、レーザビームLbの走査周波数を上げて被露光体4の搬送速度をより速くすることができる。これにより、露光工程のタクトをより向上することができる。   If a polygon mirror is used instead of the galvanometer mirror 22, the backward scanning time T2 of the laser beam Lb shown in FIG. 4 can be shortened. Therefore, the scanning speed of the laser beam Lb can be increased to increase the conveyance speed of the object to be exposed 4. Thereby, the tact of an exposure process can be improved more.

図7は、本発明の露光装置による第2の実施形態を示す概略構成図である。以下、第1の実施形態と異なる部分について説明する。なお、図7においては、制御手段3は図示省略されている。
この第2の実施形態は、第1のfθレンズ8と搬送手段1との間に光走査手段としての音響光学素子(AOD)30を配置したものである。なお、図7において符号31は全反射ミラーである。
FIG. 7 is a schematic block diagram that shows the second embodiment of the exposure apparatus of the present invention. Hereinafter, a different part from 1st Embodiment is demonstrated. In FIG. 7, the control means 3 is not shown.
In the second embodiment, an acousto-optic element (AOD) 30 as an optical scanning unit is disposed between the first fθ lens 8 and the transport unit 1. In FIG. 7, reference numeral 31 denotes a total reflection mirror.

このような第2の実施形態によっても、被露光体4上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮するという本発明の目的を達成することができる。また、光走査手段7が第1の実施形態におけるような機械的動作の光偏向ミラーではなく、電子的動作の音響光学素子30であるため、経時的変化が少なくレーザビームLbを長時間安定して走査することができる。したがって、露光装置の信頼性を向上することができる。   According to the second embodiment as described above, the object of the present invention can be achieved in which the scanning distance of the light beam that scans the object to be exposed 4 is shortened to shorten the tact time of the exposure process. Further, since the optical scanning means 7 is not a mechanically operated optical deflection mirror as in the first embodiment but an electronically operated acousto-optic element 30, there is little change over time and the laser beam Lb is stabilized for a long time. Can be scanned. Therefore, the reliability of the exposure apparatus can be improved.

図8は、本発明の露光装置による第3の実施形態を示す概略構成図である。以下、第1及び第2の実施形態と異なる部分について説明する。なお、図8においては、制御手段3は図示省略されている。
この第3の実施形態は、第1のfθレンズ8の物体側焦点位置に光走査手段7として電気光学素子32を配置したものである。この電気光学素子32は、図9に示すように角型ブロック状の電気光学結晶材料33の対向面に該対向面の光軸に平行な軸対して傾斜した辺34を有する三角形の一対の電極35A,35Bを設けた構成を成している。
FIG. 8 is a schematic block diagram that shows the third embodiment of the exposure apparatus of the present invention. Hereinafter, a different part from 1st and 2nd embodiment is demonstrated. In FIG. 8, the control means 3 is not shown.
In the third embodiment, an electro-optical element 32 is disposed as the optical scanning unit 7 at the object-side focal position of the first fθ lens 8. As shown in FIG. 9, the electro-optic element 32 has a pair of triangular electrodes each having a side 34 inclined with respect to an axis parallel to the optical axis of the opposing surface on the opposing surface of the square-block electro-optic crystal material 33. The configuration is provided with 35A and 35B.

この場合、上記一対の電極35A,35B間に印加する電圧を変化させると、該一対の電極35A,35Bに挟まれた電気光学結晶材料33の屈折率が変化する。したがって、電気光学素子32に入射したレーザビームLbは、電極35A,35Bの傾斜した辺34に対応する境界面において屈折することになる。それ故、レーザビームLbは、上記印加電圧の変化に応じて、図9に示す矢印B,C方向に走査される。なお、図9においては、複数のレーザビームLbに対応して複数の電極35A,35Bを設けた場合について示している。   In this case, when the voltage applied between the pair of electrodes 35A and 35B is changed, the refractive index of the electro-optic crystal material 33 sandwiched between the pair of electrodes 35A and 35B changes. Therefore, the laser beam Lb incident on the electro-optical element 32 is refracted at the boundary surface corresponding to the inclined side 34 of the electrodes 35A and 35B. Therefore, the laser beam Lb is scanned in the directions of arrows B and C shown in FIG. 9 according to the change in the applied voltage. FIG. 9 shows a case where a plurality of electrodes 35A and 35B are provided corresponding to a plurality of laser beams Lb.

このような第3の実施形態によっても、被露光体4上を走査する光ビームの走査距離を短くして露光工程のタクトを短縮するという本発明の目的を達成することができる。また、レーザビームLbが第1の実施形態におけるような機械的に走査されるのではなく、電子的に走査されるため、光走査手段7の経時的変化が少なくレーザビームLbを長時間安定して走査することができる。したがって、露光装置の信頼性を向上することができる。   According to the third embodiment as described above, the object of the present invention can be achieved in which the scanning distance of the light beam that scans the object to be exposed 4 is shortened to shorten the tact time of the exposure process. Further, since the laser beam Lb is scanned electronically rather than mechanically as in the first embodiment, the laser beam Lb is stabilized for a long time with little change in the optical scanning means 7 over time. Can be scanned. Therefore, the reliability of the exposure apparatus can be improved.

なお、上記第3の実施形態においては、電気光学素子32を第1のfθレンズ8の物体側焦点位置に配置した場合について説明したが、第1のfθレンズ8の光射出側に配置してもよい。だだ、第1のfθレンズ8の物体側焦点位置に配置した方が、レーザビームLbの走査角度が小さくてすむ。   In the third embodiment, the case where the electro-optic element 32 is disposed at the object side focal position of the first fθ lens 8 has been described. However, the electro-optic element 32 is disposed on the light emission side of the first fθ lens 8. Also good. However, the scanning angle of the laser beam Lb is smaller when the first fθ lens 8 is disposed at the object side focal position.

また、以上の説明においては、光スイッチ9が電気光学結晶材料を用いたものである場合について述べたが、本発明はこれに限られず、光スイッチ9は、オン・オフ駆動するマイクロミラーであってもよい。したがって、パターンジェネレータ6は、複数のマイクロミラーを一定の配列ピッチで一列に並べたマイクロミラーアレイであってもよい。   In the above description, the case where the optical switch 9 uses an electro-optic crystal material has been described. However, the present invention is not limited to this, and the optical switch 9 is a micromirror that is driven on and off. May be. Therefore, the pattern generator 6 may be a micromirror array in which a plurality of micromirrors are arranged in a line at a constant arrangement pitch.

1…搬送手段
3…制御手段
6…パターンジェネレータ
7…光走査手段
8…第1のfθレンズ(fθレンズ)
9…光スイッチ
10…スイッチング素子
11a,11b…電極
14…第1の偏光ビームスプリッタ(偏光素子)
15…第2の偏光ビームスプリッタ(偏光素子)
21…第2のfθレンズ(別のfθレンズ)
22…ガルバノミラー
30…音響光学素子(光走査手段)
32…電気光学素子(光走査手段)
33…電気光学結晶材料
35A,35B…電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conveyance means 3 ... Control means 6 ... Pattern generator 7 ... Optical scanning means 8 ... 1st f (theta) lens (f (theta) lens)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 ... Optical switch 10 ... Switching element 11a, 11b ... Electrode 14 ... 1st polarizing beam splitter (polarizing element)
15 ... Second polarization beam splitter (polarization element)
21: Second fθ lens (another fθ lens)
22 ... Galvano mirror 30 ... Acousto-optic device (optical scanning means)
32 ... Electro-optical element (optical scanning means)
33 ... Electro-optic crystal material 35A, 35B ... Electrode

Claims (7)

被露光体を一定方向に一定速度で搬送する搬送手段と、
前記被露光体の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで一列に並べられた複数の光スイッチにより、一方向に拡幅されたレーザ光を一定の配列ピッチで一列に並んだ複数のレーザビームに分割して射出するパターンジェネレータと、
前記パターンジェネレータから射出し、前記被露光体に照射する前記複数のレーザビームを互いに隣接する前記レーザビームの間の領域を同時に往復走査する光走査手段と、
前記往復走査される複数のレーザビームを前記被露光体上に集光するfθレンズと、
前記パターンジェネレータの前記複数の光スイッチのオン・オフ駆動を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする露光装置。
Transport means for transporting the object to be exposed in a constant direction at a constant speed;
A plurality of laser beams in which laser beams expanded in one direction are arranged in a line at a constant arrangement pitch by a plurality of optical switches arranged in a line at a constant arrangement pitch in a direction intersecting the conveying direction of the object to be exposed. A pattern generator that divides and injects
Optical scanning means for simultaneously reciprocally scanning a region between the adjacent laser beams with the plurality of laser beams emitted from the pattern generator and irradiating the object to be exposed;
An fθ lens that condenses the laser beams to be reciprocated on the object to be exposed;
Control means for controlling on / off driving of the plurality of optical switches of the pattern generator;
An exposure apparatus comprising:
前記パターンジェネレータの各光スイッチは、電気光学結晶材料からなる角柱状のスイッチング素子の長軸に平行な対向面に夫々電極を設けると共に、前記スイッチング素子の長軸方向の両端面側に一対の偏光素子をクロスニコルに配置して構成したものであることを特徴とする請求項1記載の露光装置。   Each optical switch of the pattern generator is provided with electrodes on opposing surfaces parallel to the major axis of a prismatic switching element made of an electro-optic crystal material, and a pair of polarized lights on both end surfaces in the major axis direction of the switching element. 2. An exposure apparatus according to claim 1, wherein the elements are arranged in crossed Nicols. 前記光走査手段は、前記fθレンズと、前記パターンジェネレータと前記fθレンズとの間に該fθレンズとミラー対称に対向配置された別のfθレンズとの間に配置された光偏向ミラーであることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。   The optical scanning means is a light deflection mirror disposed between the fθ lens and another fθ lens disposed between the pattern generator and the fθ lens so as to face the fθ lens in a mirror-symmetric manner. The exposure apparatus according to claim 1 or 2, wherein 前記光偏向ミラーは、ガルバノミラーであることを特徴とする請求項3記載の露光装置。   4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the light deflection mirror is a galvanometer mirror. 前記光偏向ミラーは、ポリゴンミラーであることを特徴とする請求項3記載の露光装置。   4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the light deflection mirror is a polygon mirror. 前記光走査手段は、前記fθレンズと前記搬送手段との間に配置された音響光学素子であることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the optical scanning unit is an acousto-optic element disposed between the fθ lens and the transport unit. 前記光走査手段は、前記fθレンズと、前記パターンジェネレータと前記fθレンズとの間に該fθレンズとミラー対称に対向配置された別のfθレンズとの間に配置され、角型ブロック状の電気光学結晶材料の対向面に光軸に対して傾斜した辺を有する三角形の電極を設けた電気光学素子であることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。   The optical scanning means is disposed between the fθ lens and another fθ lens disposed between the pattern generator and the fθ lens so as to face the fθ lens in a mirror-symmetric manner, and has a rectangular block-shaped electrical configuration. 3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is an electro-optical element provided with a triangular electrode having a side inclined with respect to the optical axis on the opposite surface of the optical crystal material.
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