JP5600690B2 - アバランシェフォトダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (6)
- 少なくとも光入射部が薄板化された半導体基板と、
前記光入射部の周辺部の前記半導体基板中に形成されたアノード取出層と、
前記光入射部の光入射側とは反対側の前記半導体基板中に形成されたカソード層と、
このカソード層と接してpn接合を構成するように前記光入射部の前記半導体基板中に形成された増倍層と、
を備え、
前記増倍層は、
外側増倍層と、
前記外側増倍層の内側に形成された内側増倍層と、
を備え、
前記外側増倍層を含む基準領域内の平均不純物濃度は、前記内側増倍層内の平均不純物濃度よりも小さく、
前記基準領域は、
前記内側増倍層と同一の深さを有し、
平面視における外縁形状が前記内側増倍層の外縁形状と相似であり、
前記内側増倍層を含まず、
前記外側増倍層を完全に含み、
これらの条件を満たす領域の中で、面積が最も小さくなる大きさの領域である、
ことを特徴とする裏面入射型アバランシェフォトダイオード。 - 前記外側増倍層は、複数のアイランドを含む微細パターンを有していることを特徴とする請求項1記載の裏面入射型アバランシェフォトダイオード。
- 前記外側増倍層は、不純物を前記内側増倍層よりも低濃度に添加してあることを特徴とする請求項1記載の裏面入射型アバランシェフォトダイオード。
- 前記外側増倍層は、不純物を前記内側増倍層の深さよりも浅く添加してあることを特徴とする請求項1記載の裏面入射型アバランシェフォトダイオード。
- 前記半導体基板は、前記光入射部およびその周辺部が薄板化されており、光入射側と反対側にはサポート基板が貼り合わされていることを特徴とする請求項1記載の裏面入射型アバランシェフォトダイオード。
- 少なくとも光入射部が薄板化された半導体基板と、
前記光入射部の周辺部の前記半導体基板中に形成されたアノード取出層と、
前記光入射部の光入射側とは反対側の前記半導体基板中に形成されたカソード層と、
このカソード層と接してpn接合を構成するように前記光入射部の前記半導体基板中に形成された増倍層と、
を備え、
前記増倍層は、
外側増倍層と、
前記外側増倍層の内側に形成された内側増倍層と、
を備え、
前記外側増倍層を含む基準領域内の平均不純物濃度は、前記内側増倍層内の平均不純物濃度よりも小さく、
前記基準領域は、
前記内側増倍層と同一の深さを有し、
平面視における外縁形状が前記内側増倍層の外縁形状と相似であり、
前記内側増倍層を含まず、
前記外側増倍層を完全に含み、
これらの条件を満たす領域の中で、面積が最も小さくなる大きさの領域である、
裏面入射型アバランシェフォトダイオードを製造する方法において、
前記光入射部の周辺部の前記半導体基板中に、不純物を添加・拡散させて前記アノード取出層を形成する工程と、
前記光入射部の領域において、前記光入射側とは反対側から前記カソード層とは反対導電型の不純物を添加して、前記増倍層を形成する工程と、
前記増倍層の前記光入射側と反対側から、前記増倍層とは反対導電型の不純物を添加して、前記増倍層とpn接合する前記カソード層を形成する工程と、
を備え、
前記増倍層の前記外側増倍層の不純物添加領域は、複数のアイランドを含む微細パターンとされていることを特徴とする裏面入射型アバランシェフォトダイオードの製造方法。
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