JP5597930B2 - Radiation image detection apparatus and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、放射線画像にムラ等の欠陥を生じず、均一な画像が得られる放射線画像検出装置とその製造方法に関する。   The present invention relates to a radiological image detection apparatus capable of obtaining a uniform image without causing defects such as unevenness in the radiographic image, and a manufacturing method thereof.

従来、X線画像のような放射線画像は、医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送が出来ない。   Conventionally, radiographic images such as X-ray images are widely used for diagnosis of medical conditions in medical practice. In particular, radiographic images using intensifying screen-film systems have been developed as an imaging system that combines high reliability and excellent cost performance as a result of high sensitivity and high image quality in the long history. Used in the medical field. However, the image information is so-called analog image information, and free image processing and instantaneous electric transmission cannot be performed like the digital image information that has been developed in recent years.

そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ(CR)やフラットパネル型の放射線ディテクタ(FPD)等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のX線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。   In recent years, digital radiographic image detection apparatuses represented by computed radiography (CR), flat panel type radiation detectors (FPD) and the like have appeared. In these, since a digital radiographic image is directly obtained and an image can be directly displayed on an image display device such as a cathode tube or a liquid crystal panel, image formation on a photographic film is not necessarily required. As a result, these digital X-ray image detection devices reduce the need for image formation by the silver halide photography method, and greatly improve the convenience of diagnosis work in hospitals and clinics.

X線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグラフィ(CR)が現在医療現場で受け入れられている。そして、更に新たなデジタルX線画像技術として、例えば雑誌Physics Today,1997年11月号24頁のジョン・ローランズ論文“Amorphous Semiconductor Usher in Digital X−ray Imaging”や、雑誌SPIEの1997年32巻2頁のエル・イー・アントヌクの論文“Development of a High Resolution,Active Matrix,Flat−Panel Imager with Enhanced Fill Factor”等に記載された、薄膜トランジスタ(TFT)を用いた平板X線検出装置(FPD)が開発されている。   Computed radiography (CR) is currently accepted in the medical field as one of the digital technologies for X-ray images. Further, as new digital X-ray imaging techniques, for example, the magazine Physics Today, November 1997, page 24, John Laurans's paper “Amorphous Semiconductor User in Digital X-ray Imaging”, magazine SPIE Vol. 32, 1997. A flat-plate X-ray detector using a thin film transistor (TFT) described in a paper by El Antonuk on “Development of a High Resolution, Active Matrix, Flat-Panel Imager with Enhanced Fill Factor”, etc. Has been developed.

ところで、特に医療機器としては、大面積対応の放射線検出器が必要である。例えば胸部X線透過装置では、46cm角の大面積を必要とする。そこで大面積な放射線を検出しながら、装置自体はコンパクト、しかも動画対応の放射線画像検出装置の開発が進められている。例えば光電変換素子として水素化アモルファスシリコンの高感度光電変換素子を使えば、大面積化は容易である。しかもこの素子と蛍光体を組み合わせれば、大面積の放射線を一対一で、縮小光学系や、イメージインテンシファイヤー等を介さず高感度に直接検出できるので、大面積、コンパクト、動画対応の放射線画像検出装置を実現することができる。例えば2次元光電変換装置と、蛍光体を組み合わせることが考えられる。   By the way, especially as a medical device, a radiation detector corresponding to a large area is necessary. For example, a chest X-ray transmission device requires a large area of 46 cm square. Therefore, development of a radiation image detection apparatus that is compact in size and capable of moving images while detecting radiation of a large area is in progress. For example, if a highly sensitive photoelectric conversion element of hydrogenated amorphous silicon is used as the photoelectric conversion element, the area can be easily increased. Moreover, if this element is combined with a phosphor, large area radiation can be directly detected with high sensitivity without using a reduction optical system or image intensifier, etc. An image detection apparatus can be realized. For example, it is conceivable to combine a two-dimensional photoelectric conversion device and a phosphor.

この大面積放射線画像検出装置では、蛍光体を設けた蛍光体シートと光電変換素子を有する基板を、従来の方法によれば接着剤で全面接着していることが多かった。   In this large-area radiation image detection apparatus, a phosphor sheet provided with a phosphor and a substrate having a photoelectric conversion element are often adhered to the entire surface with an adhesive according to a conventional method.

放射線画像検出装置の大面積化、蛍光体と光電変換素子の一体化に伴い、いくつかの問題が生じてきた。ガラス基板と、蛍光体シートや接着剤との熱膨張係数の差が無視できなくなり、蛍光体シートに割れが生じたり、基板がたわんだりする問題が持ち上がった。   With the increase in area of the radiation image detection device and the integration of the phosphor and the photoelectric conversion element, several problems have arisen. The difference in thermal expansion coefficient between the glass substrate and the phosphor sheet or adhesive is not negligible, and the problem arises that the phosphor sheet is cracked or the substrate is bent.

基板全面に均一な接着剤層を形成することが難しく、蛍光体シートの平面度を均一に保つことが困難であり、接着剤中の不純物が蛍光体や下地のデバイスに悪影響を与えるといった問題があった。そのために保護膜をさらに追加せねばならず、蛍光体シートと基板の間によけいなものがさらに加わる結果となる。   It is difficult to form a uniform adhesive layer on the entire surface of the substrate, it is difficult to keep the flatness of the phosphor sheet uniform, and impurities in the adhesive adversely affect the phosphor and the underlying device. there were. Therefore, a protective film must be further added, resulting in a further addition between the phosphor sheet and the substrate.

ベースシートは、適度な強度と均一な平面性を出すために、1mm近い厚さのものを用いねばならず、一般に蛍光体内で発生した光の反射板を兼ねて、X線透過率の高いアルミ板を用いることが多く、そのため放射線画像検出装置全体の質量が重くなる傾向があった。   The base sheet must have a thickness close to 1 mm in order to provide moderate strength and uniform flatness. In general, aluminum that has a high X-ray transmittance also serves as a reflector for the light generated in the phosphor. In many cases, a plate is used, so that the mass of the entire radiological image detection apparatus tends to be heavy.

また、蛍光体シートの保護膜、接着剤層など、光電変換素子と蛍光体との間に無駄な間隙が生じ、光の利用効率が落ち、ここでの散乱により、像のボケが生じる問題があった。特に医療器では、人体への放射線の照量をできるだけ減らしたいという要求があり、また放射線から光への蛍光体での変換効率は数10%程度であるので、可能な限り光を有効利用したいという条件下では、この効率低下は重大な問題である。   In addition, there is a problem that a useless gap is generated between the photoelectric conversion element and the phosphor, such as a protective film of the phosphor sheet, an adhesive layer, and the use efficiency of light is reduced, and the image is blurred due to scattering here. there were. Especially for medical devices, there is a demand to reduce the irradiation amount of radiation to the human body as much as possible, and since the conversion efficiency of the phosphor from radiation to light is about several tens of percent, it is desirable to make effective use of light as much as possible. Under these conditions, this reduction in efficiency is a serious problem.

さらに、蛍光体に吸湿性があり、水分を吸うと劣化するものが多く、接着剤の吸湿性と絡んでデバイスに悪影響を与える場合が多かった。   In addition, the phosphor has a hygroscopic property, and many of the phosphors deteriorate when it absorbs moisture. In many cases, the phosphor has a negative effect on the hygroscopic property of the adhesive.

すなわち、上述したように、放射線画像検出装置の大面積化、蛍光体と光電変換素子の一体化に伴って、次のような問題が生じてきた。すなわち、(i)ガラス基板と、蛍光体シートや接着剤との熱膨張係数の差による、蛍光体シートの割れ、基板のたわみが生じる。(ii)基板全面に均一な接着剤層を形成することが難しく、蛍光体シートの平面度を均一に保つことが困難である。(iii)接着剤中の不純物が蛍光体や下地のデバイスに悪影響を与える。(iv)そのために、保護膜をさらに追加すると、蛍光体シートと基板の間によけいなものがさらに加わる結果となる。(v)ベースシートにアルミ板を用いると、放射線画像検出装置全体の質量が重くなる。(vi)ベースシートを、従来の方法で完全密着させようとすると、蛍光体シートの保護膜、接着剤層など、光電変換素子と蛍光体との間に無駄な間隙が生じ、光の利用効率が落ち、ここでの散乱により、像のボケが生じる。(vii)蛍光体に吸湿性があり、水分を吸うと劣化するものが多く、接着剤の吸湿性と絡んでデバイスに悪影響を与える。(viii)蛍光体シートの端面に接着剤をつけると、蛍光体に接着剤が付着し、画像の劣化が生じる。(ix)シート裏面より直接大気圧をかけると、厚さに応じたムラが発生する。(x)ガラスを介して密着させる例が紹介されているが、剛性のある物であれば密着にムラが生じる。   That is, as described above, the following problems have arisen with the increase in the area of the radiation image detection apparatus and the integration of the phosphor and the photoelectric conversion element. That is, (i) the phosphor sheet is cracked and the substrate is bent due to the difference in thermal expansion coefficient between the glass substrate and the phosphor sheet or adhesive. (Ii) It is difficult to form a uniform adhesive layer on the entire surface of the substrate, and it is difficult to keep the flatness of the phosphor sheet uniform. (Iii) Impurities in the adhesive adversely affect the phosphor and the underlying device. (Iv) To that end, when a protective film is further added, the result is that an additional layer is added between the phosphor sheet and the substrate. (V) When an aluminum plate is used for the base sheet, the mass of the entire radiation image detection apparatus becomes heavy. (Vi) When the base sheet is completely adhered by the conventional method, a useless gap is generated between the photoelectric conversion element and the phosphor, such as a protective film and an adhesive layer of the phosphor sheet, and light utilization efficiency The image is blurred due to scattering here. (Vii) The phosphor has a hygroscopic property, and many of the phosphors deteriorate when it absorbs moisture, and it has an adverse effect on the device due to the hygroscopic property of the adhesive. (Viii) When an adhesive is applied to the end face of the phosphor sheet, the adhesive adheres to the phosphor and image degradation occurs. (Ix) When atmospheric pressure is applied directly from the back of the sheet, unevenness corresponding to the thickness occurs. (X) An example in which contact is made through glass has been introduced, but unevenness occurs in the case of a rigid object.

上記のような問題の解決案として、光電変換素子を有する基板と、蛍光体シートとを張り合わせて形成する放射線画像検出装置において、蛍光体シートと基板の光電変換素子形成面とが大気圧より低い状態に保持されて大気圧によって密着しているとともに、少なくとも前記蛍光体シートと前記基板の端面を封止部材で封止したことを特徴とする放射線画像検出装置が提案されている(特許文献1参照)。しかしながら、蛍光体シートの端面に接着剤をつけると、蛍光体に接着剤が付着し、画像の劣化が生じる。また、シート裏面より直接大気圧をかけると、厚さに応じたムラが発生するという問題がある。   As a solution to the above problem, in a radiation image detection apparatus formed by bonding a substrate having a photoelectric conversion element and a phosphor sheet, the surface of the phosphor sheet and the substrate on which the photoelectric conversion element is formed is lower than atmospheric pressure. A radiological image detection apparatus has been proposed that is held in a state and is in close contact with atmospheric pressure, and at least the phosphor sheet and the end face of the substrate are sealed with a sealing member (Patent Document 1). reference). However, when an adhesive is applied to the end face of the phosphor sheet, the adhesive adheres to the phosphor and image degradation occurs. Further, when the atmospheric pressure is directly applied from the back surface of the sheet, there is a problem that unevenness corresponding to the thickness occurs.

特許3880094号明細書Japanese Patent No. 3880094

本発明は、上記問題・状況にかんがみてなされたものであり、その解決課題は、放射線画像にムラ等の欠陥を生じず、均一な画像が得られる放射線画像検出装置とその製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems and situations, and a solution to the problem is to provide a radiological image detection apparatus capable of obtaining a uniform image without causing defects such as unevenness in the radiographic image, and a method for manufacturing the same. That is.

本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。   The above-mentioned problem according to the present invention is solved by the following means.

1.2次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する柱状結晶からなる蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る放射線画像検出装置であって、当該シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されており、前記蛍光体層が、ハロゲン化セシウム(CsX;Xはハロゲン)を母体とする蛍光体を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。 1. A radiological image detection apparatus comprising a scintillator panel having a phosphor layer made of a columnar crystal that converts radiation into light on a photoelectric conversion element array arranged in a two-dimensional manner, on the substrate, the scintillator The panel and the photoelectric conversion element array are in close contact with each other by an atmospheric pressure via a contact support disposed on the substrate side of the scintillator panel, and the contact support is surrounded by a photoelectric conversion element array with an adhesive. A radiographic image detection apparatus, characterized in that the phosphor layer is bonded on the phosphor layer, and the phosphor layer contains a phosphor based on cesium halide (CsX; X is halogen) .

2.前記接着剤と蛍光体層が接触していないことを特徴とする前記1に記載の放射線画像検出装置。   2. 2. The radiological image detection apparatus according to 1 above, wherein the adhesive and the phosphor layer are not in contact with each other.

3.前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに20ppm/℃以下であることを特徴とする前記1又は前記2に記載の放射線画像検出装置。   3. 3. The radiological image detection apparatus according to 1 or 2 above, wherein the thermal expansion coefficients of the substrate and the contact support are both 20 ppm / ° C. or less.

4.前記基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことを特徴とする前記1から前記3のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   4). 4. The radiographic image detection apparatus according to any one of 1 to 3, wherein a thermal expansion coefficient of the substrate is larger than a thermal expansion coefficient of the support for contact.

5.前記基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことを特徴とする前記1から前記4のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   5. 5. The radiological image detection apparatus according to any one of 1 to 4, wherein the moisture permeability of the substrate is larger than the moisture permeability of the support for contact.

6.前記基板が、可撓性を有する基板であることを特徴とする前記1から前記5のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   6). 6. The radiological image detection apparatus according to any one of 1 to 5, wherein the substrate is a flexible substrate.

7.前記可撓性を有する基板がポリイミドを含有する高分子フィルム基板であることを特徴とする前記6に記載の放射線画像検出装置。 7). 7. The radiation image detection apparatus according to 6 , wherein the flexible substrate is a polymer film substrate containing polyimide.

8.前記接着剤が、熱融着シール剤又はUV硬化樹脂であることを特徴とする前記1から前記7のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   8). 8. The radiological image detection apparatus according to any one of 1 to 7, wherein the adhesive is a heat sealing agent or a UV curable resin.

.前記1から前記のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を製造する放射線画像検出装置の製造方法であって、シンチレータパネルを密着用支持体で光電変換素子アレイに貼り合わせる際に、当該光電変換素子アレイ及び密着用支持体の温度を20〜150℃に暖めて接着することを特徴とする放射線画像検出装置の製造方法。 9 . A manufacturing method of a radiological image detection apparatus for manufacturing the radiographic image detection apparatus according to any one of 1 to 8 , wherein the scintillator panel is bonded to the photoelectric conversion element array with a support for adhesion. A method for producing a radiation image detecting apparatus, wherein the photoelectric conversion element array and the support for adhesion are warmed to 20 to 150 ° C. for bonding.

本発明の上記手段により、放射線画像にムラ等の欠陥を生じず、均一な画像が得られる放射線画像検出装置とその製造方法を提供することができる。   By the above means of the present invention, it is possible to provide a radiological image detection apparatus and a method for manufacturing the same, which can obtain a uniform image without causing defects such as unevenness in the radiographic image.

シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、密着用支持体を介して大気圧により密着している状態を示す概念図The conceptual diagram which shows the state which the scintillator panel and the photoelectric conversion element array are closely_contact | adhered by atmospheric pressure via the support body for contact | adherence シンチレータパネル製造装置の模式図Schematic diagram of scintillator panel manufacturing equipment 放射線画像検出装置の概略構成を示す一部破断斜視図Partially broken perspective view showing schematic configuration of radiographic image detection apparatus

本発明の放射線画像検出装置は、2次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る射線検出装置であって、当該シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されていることを特徴とする(図1参照)。この特徴は、請求項1から請求項11に係る発明に共通する技術的特徴である。   The radiation image detection apparatus of the present invention is a ray detection apparatus comprising a scintillator panel having a phosphor layer for converting radiation into light on a photoelectric conversion element array arranged two-dimensionally on a substrate, The scintillator panel and the photoelectric conversion element array are in close contact with each other by an atmospheric pressure via a contact support disposed on the substrate side of the scintillator panel, and the periphery of the contact support is photoelectrically converted by an adhesive. It is characterized by being bonded on the element array (see FIG. 1). This feature is a technical feature common to the inventions according to claims 1 to 11.

本発明の実施態様としては、本発明の効果の発現の観点から、前記接着剤と蛍光体層が接触していない態様であることが好ましい。また、前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに20ppm/℃以下であることが好ましい。さらに、10ppm/℃以下であることがさらに好ましい。さらには、当該基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことが好ましい。また、当該基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことが好ましい。   As an embodiment of the present invention, it is preferable that the adhesive and the phosphor layer are not in contact with each other from the viewpoint of manifesting the effects of the present invention. Moreover, it is preferable that the thermal expansion coefficients of the substrate and the support for adhesion are both 20 ppm / ° C. or less. Further, it is more preferably 10 ppm / ° C. or less. Furthermore, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the substrate is larger than the thermal expansion coefficient of the support for contact. Moreover, it is preferable that the water vapor transmission rate of the said board | substrate is larger than the water vapor transmission rate of the support body for contact | adherence.

本発明においては、当該基板が、可撓性を有する基板であることが好ましい。この場合、当該可撓性を有する基板がポリイミドを含有する高分子フィルム基板であることが好ましい。   In the present invention, the substrate is preferably a flexible substrate. In this case, the flexible substrate is preferably a polymer film substrate containing polyimide.

また、本発明においては、前記接着剤が、熱融着シール剤又はUV硬化樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   Moreover, in this invention, the said adhesive agent is a heat sealing | fusion sealant or UV curable resin, The radiographic image detection apparatus as described in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned.

本発明においては、前記蛍光体層が、ハロゲン化セシウム(CsX;Xはハロゲン)を母体とする蛍光体を含有することが好ましい。又は、当該前記蛍光体層が、酸硫化ガドリウム(GdS)を母体とする蛍光体であることも好ましい。 In the present invention, the phosphor layer preferably contains a phosphor based on cesium halide (CsX; X is halogen). Alternatively, the phosphor layer is preferably a phosphor having gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2 S) as a base material.

本発明の放射線画像検出装置の製造方法としては、シンチレータパネルを密着用支持体で光電変換素子アレイに貼り合わせる際に、当該光電変換素子アレイ及び密着用支持体の温度を20〜100℃に暖めて接着する態様の製造方法であることが好ましい。   As a manufacturing method of the radiation image detection apparatus of the present invention, when the scintillator panel is bonded to the photoelectric conversion element array with the contact support, the temperature of the photoelectric conversion element array and the contact support is warmed to 20 to 100 ° C. It is preferable that it is a manufacturing method of the aspect which adheres.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態等について詳細な説明をする。   Hereinafter, the present invention, its components, and modes for carrying out the present invention will be described in detail.

(放射線画像検出装置の構成)
本発明の放射線画像検出装置は、放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを備えていることを特徴とするが、当該蛍光体層の外に、目的に応じて、後述するような各種機能層を設けた構成とすることが好ましい。
(Configuration of radiation image detector)
The radiological image detection apparatus of the present invention is characterized by including a scintillator panel having a phosphor layer on a substrate for converting radiation into light, but in addition to the phosphor layer, depending on the purpose, it will be described later. It is preferable that the various functional layers are provided.

また、本発明の放射線画像検出装置は、第1の基板上に反射層等の機能層を介して気相堆積法により蛍光体層を設けてなるシンチレータパネルに、第2の基板上にフォトセンサとTFT(Thin Film Transistor)又はCCD(Charge Coupled Devices)からなる画素を2次元状に配置した光電変換素子部(「平面受光素子」)を設けてなる光電変換パネルを接着あるいは密着させることで放射線画像変換パネルとすることが好ましい。   The radiological image detection apparatus of the present invention also includes a photosensor on a second substrate on a scintillator panel in which a phosphor layer is provided by a vapor deposition method on a first substrate via a functional layer such as a reflective layer. Radiation by adhering or adhering to a photoelectric conversion panel comprising a photoelectric conversion element section ("planar light receiving element") in which pixels consisting of TFTs (Thin Film Transistors) or CCDs (Charge Coupled Devices) are two-dimensionally arranged. An image conversion panel is preferable.

以下、典型的例として、主にシンチレータパネルを形成する場合の各種構成層及び構成要素等について説明する。   Hereinafter, as a typical example, various constituent layers and constituent elements in the case of mainly forming a scintillator panel will be described.

(シンチレータパネルの構成)
本発明に係るシンチレータパネルは、高分子フィルム基板上に柱状結晶からなる蛍光体層を設けて成るシンチレータパネルが好ましく、基板と蛍光体層の間に下引層を有する態様がより好ましい。また基板上に反射層を設け、反射層、下引層、及び蛍光体層の構成であってもよい。以下、各構成層及び構成要素等について説明する。
(Configuration of scintillator panel)
The scintillator panel according to the present invention is preferably a scintillator panel in which a phosphor layer made of columnar crystals is provided on a polymer film substrate, and more preferably has an undercoat layer between the substrate and the phosphor layer. Alternatively, a reflective layer may be provided on the substrate, and the reflective layer, the undercoat layer, and the phosphor layer may be configured. Hereinafter, each constituent layer and constituent elements will be described.

(蛍光体層:シンチレータ層)
本発明に係る蛍光体層は、蛍光体柱状結晶からなる蛍光体層であることが好ましい。蛍光体層を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、X線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム(CsI)及び酸硫化ガドリウム(GdS)が好ましい。
(Phosphor layer: scintillator layer)
The phosphor layer according to the present invention is preferably a phosphor layer made of phosphor columnar crystals. Various known phosphor materials can be used as the material for forming the phosphor layer, but the rate of change from X-ray to visible light is relatively high, and the phosphor is easily formed into a columnar crystal structure by vapor deposition. Therefore, the scattering of the emitted light in the crystal can be suppressed by the light guide effect, and the thickness of the phosphor layer can be increased. Therefore, cesium iodide (CsI) and gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2 S) is preferred.

但し、CsI又はGdSのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭54−35060号公報の如く、CsIとヨウ化ナトリウム(NaI)を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開2001−59899号公報に開示されているようなCsIを蒸着で、タリウム(Tl)、ユウロピウム(Eu)、インジウム(In)、リチウム(Li)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、ナトリウム(Na)などの賦活物質を含有するCsIが好ましい。本発明においては、特に、タリウム(Tl)、ユウロピウム(Eu)が好ましい。更に、タリウム(Tl)が好ましい。 However, since CsI or Gd 2 O 2 S alone has low luminous efficiency, various activators are added. For example, as shown in Japanese Patent Publication No. 54-35060, a mixture of CsI and sodium iodide (NaI) at an arbitrary molar ratio can be mentioned. Further, for example, CsI as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-59899 is deposited, and thallium (Tl), europium (Eu), indium (In), lithium (Li), potassium (K), rubidium (Rb) ), CsI containing an activating substance such as sodium (Na) is preferred. In the present invention, thallium (Tl) and europium (Eu) are particularly preferable. Furthermore, thallium (Tl) is preferred.

なお、本発明においては、特に、1種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリウム賦活ヨウ化セシウム(CsI:Tl)は400nmから750nmまでの広い発光波長をもつことから好ましい。   In the present invention, it is particularly preferable to use an additive containing one or more types of thallium compounds and cesium iodide as raw materials. That is, thallium activated cesium iodide (CsI: Tl) is preferable because it has a wide emission wavelength from 400 nm to 750 nm.

本発明に係る1種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物(+Iと+IIIの酸化数の化合物)を使用することができる。   As the thallium compound as an additive containing one or more types of thallium compounds according to the present invention, various thallium compounds (compounds having oxidation numbers of + I and + III) can be used.

本発明において、好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム(TlBr)、塩化タリウム(TlCl)、又はフッ化タリウム(TlF,TlF)等である。 In the present invention, a preferred thallium compound is thallium bromide (TlBr), thallium chloride (TlCl), thallium fluoride (TlF, TlF 3 ), or the like.

また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、400〜700℃の範囲内にあることが好ましい。700℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常温常圧下における融点である。   The melting point of the thallium compound according to the present invention is preferably in the range of 400 to 700 ° C. If the temperature exceeds 700 ° C., the additives in the columnar crystals exist non-uniformly, resulting in a decrease in luminous efficiency. In the present invention, the melting point is a melting point at normal temperature and pressure.

本発明に係る蛍光体層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、0.001mol%〜50mol%、更に0.1〜10.0mol%であることが好ましい。   In the phosphor layer according to the present invention, the content of the additive is desirably an optimal amount according to the target performance, etc., but 0.001 mol% to 50 mol% with respect to the content of cesium iodide, Furthermore, it is preferable that it is 0.1-10.0 mol%.

ここで、ヨウ化セシウムに対し、添加剤が0.001mol%以上であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度の向上がみられ、目的とする発光輝度を得る点で好ましい。また、50mol%以下であるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができて好ましい。GdS蛍光体にはTbを賦活することが好ましい。 Here, when the additive is 0.001 mol% or more with respect to cesium iodide, the emission luminance obtained by using cesium iodide alone is improved, which is preferable in terms of obtaining the target emission luminance. Moreover, it is preferable that it is 50 mol% or less because the properties and functions of cesium iodide can be maintained. It is preferable to activate Tb in the Gd 2 O 2 S phosphor.

なお、シンチレータ層(蛍光体層)の厚さは、100〜800μmであることが好ましく、120〜700μmであることが、輝度と鮮鋭性の特性をバランスよく得られる点からより好ましい。   In addition, it is preferable that the thickness of a scintillator layer (phosphor layer) is 100-800 micrometers, and it is more preferable that it is 120-700 micrometers from the point from which the characteristic of a brightness | luminance and sharpness is acquired with sufficient balance.

(反射層)
本発明においては、高分子基板上には反射層を設けることが好ましい、蛍光体(シンチレータ)から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Al、Ag、Cr、Cu、Ni、Ti、Mg、Rh、Pt及びAuからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ag膜、Al膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を2層以上形成するようにしても良い。
(Reflective layer)
In the present invention, it is preferable to provide a reflective layer on the polymer substrate, in order to reflect the light emitted from the phosphor (scintillator) and increase the light extraction efficiency. The reflective layer is preferably formed of a material containing any element selected from the element group consisting of Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au. In particular, it is preferable to use a metal thin film made of the above elements, for example, an Ag film, an Al film, or the like. Two or more such metal thin films may be formed.

金属薄膜を2層以上とする場合は、下層をNiもしくはCr、あるいはその両方を含む層とすることが基板との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にSiO、TiO等の金属酸化物からなる層をこの順に設けてさらに反射率を向上させても良い。 When two or more metal thin films are used, the lower layer is preferably a layer containing Ni, Cr, or both from the viewpoint of improving the adhesion to the substrate. Further, a layer made of a metal oxide such as SiO 2 or TiO 2 may be provided in this order on the metal thin film to further improve the reflectance.

なお、反射層の厚さは、0.005〜0.3μm、より好ましくは0.01〜0.2μmであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。   In addition, it is preferable from a viewpoint of emitted light extraction efficiency that the thickness of a reflection layer is 0.005-0.3 micrometer, More preferably, it is 0.01-0.2 micrometer.

(下引層)
本発明においては、基板と蛍光体層の間、又は反射層と蛍光体層の間に膜付の観点から、下引き層を設けることが好ましい。当該下引層は、高分子結合材(バインダー)、分散剤等を含有することが好ましい。なお、下引層の厚さは、0.5〜4μmが好ましい、4μm以上になると下引層内での光散乱が大きくなり鮮鋭性が悪化する。また下引層の厚さが5μmより大きくなると熱処理より柱状結晶性の乱れが発生する。以下、下引層の構成要素について説明する。
(Undercoat layer)
In the present invention, it is preferable to provide an undercoat layer between the substrate and the phosphor layer or between the reflective layer and the phosphor layer from the viewpoint of attaching a film. The undercoat layer preferably contains a polymer binder (binder), a dispersant and the like. The thickness of the undercoat layer is preferably 0.5 to 4 μm, and if it is 4 μm or more, light scattering in the undercoat layer increases and sharpness deteriorates. If the thickness of the undercoat layer is larger than 5 μm, columnar crystallinity is disturbed by the heat treatment. Hereinafter, components of the undercoat layer will be described.

〈高分子結合材〉
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解又は分散した高分子結合材(以下「バインダー」ともいう。)を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子結合材としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体(ニトロセルロース等)、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。
<Polymer binder>
The undercoat layer according to the present invention is preferably formed by applying and drying a polymer binder (hereinafter also referred to as “binder”) dissolved or dispersed in a solvent. Specific examples of the polymer binder include polyurethane, vinyl chloride copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer, butadiene-acrylonitrile copolymer. Polymer, polyamide resin, polyvinyl butyral, polyester, cellulose derivative (nitrocellulose, etc.), styrene-butadiene copolymer, various synthetic rubber resins, phenol resin, epoxy resin, urea resin, melamine resin, phenoxy resin, silicone resin , Acrylic resins, urea formamide resins, and the like. Of these, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, and nitrocellulose are preferably used.

本発明に係る高分子結合材としては、特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転位温度(Tg)が30〜100℃のポリマーであることが、蒸着結晶と基板との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。   As the polymer binder according to the present invention, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, nitrocellulose and the like are particularly preferable in terms of close contact with the phosphor layer. Moreover, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) is a polymer having a temperature of 30 to 100 ° C. in terms of attaching a film between the deposited crystal and the substrate. From this viewpoint, a polyester resin is particularly preferable.

下引層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。   Solvents that can be used to prepare the undercoat layer include lower alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol and n-butanol, hydrocarbons containing chlorine atoms such as methylene chloride and ethylene chloride, acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone. Such as ketones, toluene, benzene, cyclohexane, cyclohexanone, xylene and other aromatic compounds, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and other lower fatty acid and lower alcohol esters, dioxane, ethylene glycol monoethyl ester, ethylene glycol monomethyl ester And ethers thereof and mixtures thereof.

なお、本発明に係る下引層には、蛍光体(シンチレータ)が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。   The undercoat layer according to the present invention may contain a pigment or a dye in order to prevent scattering of light emitted from the phosphor (scintillator) and improve sharpness.

(保護層)
本発明に係る保護層は、蛍光体層の保護を主眼とするものである。すなわち、ヨウ化セシウム(CsI)は、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを主眼とする。
(Protective layer)
The protective layer according to the present invention focuses on protecting the phosphor layer. That is, cesium iodide (CsI) absorbs water vapor in the air and deliquesces when exposed to a high hygroscopic property, and therefore the main purpose is to prevent this.

当該保護層は、種々の材料を用いて形成することができる。例えば、CVD法によりポリパラキシリレン膜を形成する。即ち、蛍光体(シンチレータ)及び基板の表面全体にポリパラキシリレン膜を形成し、保護層とすることができる。   The protective layer can be formed using various materials. For example, a polyparaxylylene film is formed by a CVD method. That is, a polyparaxylylene film can be formed on the entire surface of the phosphor (scintillator) and the substrate to form a protective layer.

また、別の態様の保護層として、蛍光体層上に高分子フィルムを設けることもできる。なお、高分子フィルムの材料としては、後述する基板材料としての高分子フィルムと同様のフィルムを用いることができる。   Further, as another protective layer, a polymer film can be provided on the phosphor layer. In addition, as a material of the polymer film, a film similar to the polymer film as a substrate material described later can be used.

上記高分子フィルムの厚さは、空隙部の形成性、蛍光体層の保護性、鮮鋭性、防湿性、作業性等を考慮し、12μm以上、120μm以下が好ましく、更には20μm以上、80μm以下が好ましい。また、ヘイズ率は、鮮鋭性、放射線画像ムラ、製造安定性及び作業性等を考慮し、3%以上、40%以下が好ましく、更には3%以上、10%以下が好ましい。ヘイズ率は、例えば、日本電色工業株式会社NDH5000Wにより測定できる。必要とするヘイズ率は、市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能である。   The thickness of the polymer film is preferably 12 μm or more and 120 μm or less, more preferably 20 μm or more and 80 μm or less, taking into consideration the formation of voids, the protective properties of the phosphor layer, sharpness, moisture resistance, workability, etc. Is preferred. The haze ratio is preferably 3% or more and 40% or less, more preferably 3% or more and 10% or less in consideration of sharpness, radiation image unevenness, production stability, workability, and the like. The haze ratio can be measured, for example, by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. NDH5000W. The required haze ratio is appropriately selected from commercially available polymer films and can be easily obtained.

保護フィルムの光透過率は、光電変換効率、蛍光体(シンチレータ)発光波長等を考慮し、550nmで70%以上あることが好ましいが、99%以上の光透過率のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に99%〜70%が好ましい。   The light transmittance of the protective film is preferably 70% or more at 550 nm in consideration of photoelectric conversion efficiency, phosphor (scintillator) emission wavelength, etc., but a film having a light transmittance of 99% or more is commercially available. Since it is difficult, substantially 99% to 70% is preferable.

保護フィルムの透湿度は、蛍光体層の保護性、潮解性等を考慮し50g/m・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましく、更には10g/m・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましいが、0.01g/m・day(40℃・90%RH)以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため実質的に、0.01g/m・day(40℃・90%RH)以上、50g/m・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましく、更には0.1g/m・day(40℃・90%RH)以上、10g/m・day(40℃・90%RH)(JIS Z0208に準じて測定)以下が好ましい。 The moisture permeability of the protective film is preferably 50 g / m 2 · day (40 ° C., 90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less, more preferably 10 g / m 2 taking into account the protective properties and deliquescence of the phosphor layer. m 2 · day (40 ° C./90% RH) (measured in accordance with JIS Z0208) or less is preferable, but a film having a moisture permeability of 0.01 g / m 2 · day (40 ° C./90% RH) or less is industrial. Is practically 0.01 g / m 2 · day (40 ° C, 90% RH) or more, 50 g / m 2 · day (40 ° C., 90% RH) (measured according to JIS Z0208) ) Or less, more preferably 0.1 g / m 2 · day (40 ° C./90% RH) or more, 10 g / m 2 · day (40 ° C./90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less .

(基板)
本発明のシンチレータパネルは、基板として、高分子フィルムを用いることが好ましい。高分子フィルムとしては、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート(PEN)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミド(PI)フィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム(プラスチックフィルム)、液晶ポリマー等を主成分として含有するものが好ましく、中でもポリイミド、液晶ポリマーを含有する高分子フィルムが、ヨウ化セシウム等を原材料として気相法にて蛍光体柱状結晶を形成する場合に、好適である。液晶ポリマーとしては、例えば、エチレンテレフタレートとパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、エチレンテレフタレートとパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、2,6−ヒドロキシナフトエ酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体等が挙げられるが、中でも耐熱性の観点より2,6−ヒドロキシナフトエ酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体が最も好ましい。
(substrate)
The scintillator panel of the present invention preferably uses a polymer film as the substrate. As polymer films, cellulose acetate films, polyester films, polyethylene terephthalate (PEN) films, polyamide films, polyimide (PI) films, triacetate films, polycarbonate films, carbon fiber reinforced resin sheets and other polymer films (plastic films), Those containing a liquid crystal polymer or the like as a main component are preferable. Particularly, a polymer film containing a polyimide or a liquid crystal polymer is suitable when a phosphor columnar crystal is formed by a vapor phase method using cesium iodide or the like as a raw material. is there. Examples of the liquid crystal polymer include polycondensates of ethylene terephthalate and parahydroxybenzoic acid, polycondensates of ethylene terephthalate and parahydroxybenzoic acid, and polycondensates of 2,6-hydroxynaphthoic acid and parahydroxybenzoic acid. Among them, a polycondensate of 2,6-hydroxynaphthoic acid and parahydroxybenzoic acid is most preferable from the viewpoint of heat resistance.

なお、本発明に係る基板としての高分子フィルムは、厚さ50〜500μmであること、更に可撓性を有する高分子フィルムであることが好ましい。   In addition, it is preferable that the polymer film as a board | substrate based on this invention is 50-500 micrometers in thickness, and also is a polymer film which has flexibility.

ここで、「可撓性を有する基板」とは、120℃での弾性率(E120)が1000〜6000N/mmである基板をいい、かかる基板としてポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。 Here, the “flexible substrate” means a substrate having an elastic modulus (E120) at 120 ° C. of 1000 to 6000 N / mm 2 , and a polymer film containing polyimide or polyethylene naphthalate as the substrate. Is preferred.

なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、JIS C 2318に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。これがヤング率と呼ばれる値であり、本発明では、かかるヤング率を弾性率と定義する。   Note that the “elastic modulus” refers to the slope of the stress with respect to the strain amount in a region where the strain indicated by the standard line of the sample conforming to JIS C 2318 and the corresponding stress have a linear relationship using a tensile tester. Is what we asked for. This is a value called Young's modulus, and in the present invention, this Young's modulus is defined as an elastic modulus.

本発明に用いられる基板は、上記のように120℃での弾性率(E120)が1000〜6000N/mmであることが好ましい。より好ましくは1200〜5000N/mmである。 The substrate used in the present invention preferably has an elastic modulus (E120) at 120 ° C. of 1000 to 6000 N / mm 2 as described above. More preferably, it is 1200-5000 N / mm < 2 >.

具体的には、ポリエチレンナフタレート(E120=4100N/mm)、ポリエチレンテレフタレート(E120=1500N/mm)、ポリブチレンナフタレート(E120=1600N/mm)、ポリカーボネート(E120=1700N/mm)、シンジオタクチックポリスチレン(E120=2200N/mm)、ポリエーテルイミド(E120=1900N/mm)、ポリアリレート(E120=1700N/mm)、ポリスルホン(E120=1800N/mm)、ポリエーテルスルホン(E120=1700N/mm)等からなる高分子フィルムが挙げられる。 Specifically, polyethylene naphthalate (E120 = 4100N / mm 2) , polyethylene terephthalate (E120 = 1500N / mm 2) , polybutylene naphthalate (E120 = 1600N / mm 2) , polycarbonate (E120 = 1700N / mm 2) , Syndiotactic polystyrene (E120 = 2200 N / mm 2 ), polyetherimide (E120 = 1900 N / mm 2 ), polyarylate (E120 = 1700 N / mm 2 ), polysulfone (E120 = 1800 N / mm 2 ), polyethersulfone Examples thereof include a polymer film made of (E120 = 1700 N / mm 2 ).

これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい高分子フィルムとしては、上述のように、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルムが好ましい。   These may be used singly or may be laminated or mixed. Among them, as a particularly preferable polymer film, a polymer film containing polyimide or polyethylene naphthalate is preferable as described above.

なお、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルデテイクタの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して、該基板を、厚さ50〜500μmの高分子フィルムとすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルデテイクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。   In addition, when bonding the scintillator panel and the planar light receiving element surface, due to the influence of deformation of the substrate and warping during vapor deposition, it is not possible to obtain uniform image quality characteristics within the light receiving surface of the flat panel detector. By making the substrate into a polymer film having a thickness of 50 to 500 μm, the scintillator panel is deformed into a shape that matches the shape of the planar light receiving element surface, and uniform sharpness is obtained over the entire light receiving surface of the flat panel detector.

(密着用支持体)
本発明の放射線画像検出装置は、2次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る放射線画像検出装置であって、当該シンチレータパネルと前記光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されていることを特徴とする。
(Adhesive support)
The radiological image detection apparatus of the present invention is a radiological image detection apparatus comprising a scintillator panel having a phosphor layer on a substrate for converting radiation into light on a photoelectric conversion element array arranged two-dimensionally. The scintillator panel and the photoelectric conversion element array are in close contact with each other by an atmospheric pressure via a contact support disposed on the substrate side of the scintillator panel, and the contact support is surrounded by an adhesive. It is characterized by being adhered on the photoelectric conversion element array.

本発明に係る密着用支持体の素材としては、上記基板の素材を用いることができる。   As the material for the close-contact support according to the present invention, the material for the substrate can be used.

本発明においては、前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに20ppm/℃以下であることが好ましい。さらに好ましくは、10ppm/℃以下である。但し、本発明の効果の観点から、当該基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことが好ましい。また、基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the thermal expansion coefficients of the substrate and the contact support are both 20 ppm / ° C. or less. More preferably, it is 10 ppm / ° C. or less. However, from the viewpoint of the effect of the present invention, the thermal expansion coefficient of the substrate is preferably larger than the thermal expansion coefficient of the adhesion support. Moreover, it is preferable that the water vapor transmission rate of a board | substrate is larger than the water vapor transmission rate of the support body for contact | adherence.

なお、線膨張係数は、例えば、セイコー電子(株)製EXSTAR TMA/SS6000型熱応力歪測定装置を用いて、窒素雰囲気下、1分間に5℃の割合で温度を30℃から150℃まで上昇させた後、一旦0℃まで冷却し、再び1分間に5℃の割合で温度を上昇させて30℃〜150℃の時の値を、荷重を5gにし、引張モードで測定して求めることができる。   The linear expansion coefficient is increased from 30 ° C. to 150 ° C. at a rate of 5 ° C. per minute in a nitrogen atmosphere using, for example, an EXSTAR TMA / SS6000 type thermal stress strain measuring device manufactured by Seiko Electronics Co., Ltd. After cooling to 0 ° C, the temperature is increased again at a rate of 5 ° C per minute, and the value at 30 ° C to 150 ° C is determined by measuring in tension mode with a load of 5 g. it can.

〈シンチレータパネルの製造装置〉
図2は、本発明に係るシンチレータパネルの製造装置1の概略構成図である。図2に示すように、シンチレータパネルの製造装置1は真空容器2を備えており、真空容器2には真空容器2の内部の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ3が備えられている。
<Scintillator panel manufacturing equipment>
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the scintillator panel manufacturing apparatus 1 according to the present invention. As shown in FIG. 2, the scintillator panel manufacturing apparatus 1 includes a vacuum container 2, and the vacuum container 2 includes a vacuum pump 3 that exhausts the inside of the vacuum container 2 and introduces the atmosphere.

真空容器2の内部の上面付近には、支持体4を保持する支持体ホルダ5が設けられている。   A support holder 5 that holds the support 4 is provided in the vicinity of the upper surface inside the vacuum vessel 2.

支持体4の表面には、蛍光体層が気相堆積法によって形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。   A phosphor layer is formed on the surface of the support 4 by a vapor deposition method. As the vapor deposition method, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, or the like can be used. In the present invention, the vapor deposition method is particularly preferable.

支持体ホルダ5は、支持体4のうち前記蛍光体層を形成する面が真空容器2の底面に対向し、かつ、真空容器2の底面と平行となるように支持体4を保持する構成となっている。   The support holder 5 is configured to hold the support 4 so that the surface of the support 4 on which the phosphor layer is formed faces the bottom surface of the vacuum vessel 2 and is parallel to the bottom surface of the vacuum vessel 2. It has become.

また、支持体ホルダ5には、支持体4を加熱する加熱ヒータ(図示せず)を備えることが好ましい。この加熱ヒータで支持体4を加熱することによって、支持体4の支持体ホルダ5に対する密着性の強化や、前記蛍光体層の膜質調整を行う。また、支持体4の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体4の表面と前記蛍光体との間に不純物層が発生することを防止する。   The support holder 5 is preferably provided with a heater (not shown) for heating the support 4. By heating the support 4 with this heater, the adhesion of the support 4 to the support holder 5 is enhanced and the film quality of the phosphor layer is adjusted. Further, the adsorbate on the surface of the support 4 is removed and removed, and an impurity layer is prevented from being generated between the surface of the support 4 and the phosphor.

また、加熱手段として温媒又は熱媒を循環させるための機構(図示せず)を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体4の温度を50〜150℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。   Moreover, you may have a mechanism (not shown) for circulating a heating medium or a heating medium as a heating means. This means is suitable for the case where vapor deposition is performed while keeping the temperature of the support 4 at a relatively low temperature of 50 to 150 ° C. during the vapor deposition of the phosphor.

また、加熱手段としてハロゲンランプ(図示せず。)を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における支持体4の温度を150℃以上といった比較的高温に保持して蒸着する場合に適している。   Moreover, you may have a halogen lamp (not shown) as a heating means. This means is suitable for the case where vapor deposition is performed while keeping the temperature of the support 4 at a relatively high temperature such as 150 ° C. or higher during vapor deposition of the phosphor.

さらに、支持体ホルダ5には、支持体4を水平方向に回転させる支持体回転機構6が設けられている。支持体回転機構6は、支持体ホルダ5を支持すると共に支持体4を回転させる支持体回転軸7及び真空容器2の外部に配置されて支持体回転軸7の駆動源となるモータ(図示せず)から構成されている。   Further, the support holder 5 is provided with a support rotating mechanism 6 that rotates the support 4 in the horizontal direction. The support rotating mechanism 6 supports the support holder 5 and rotates the support 4 and a motor (not shown) that is disposed outside the vacuum vessel 2 and serves as a drive source for the support rotating shaft 7. Z).

また、真空容器2の内部の底面付近には、支持体4に垂直な中心線を中心とした円の円周上の互いに向かい合う位置に蒸発源8a、8bが配置されている。この場合において、支持体4と蒸発源8a、8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。また、支持体4に垂直な中心線と蒸発源8a、8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。   Further, near the bottom surface inside the vacuum vessel 2, evaporation sources 8 a and 8 b are arranged at positions facing each other on the circumference of a circle centering on a center line perpendicular to the support 4. In this case, the distance between the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, and more preferably 200 to 1000 mm. In addition, the distance between the center line perpendicular to the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, more preferably 200 to 1000 mm.

なお、本発明に係るシンチレータパネル製造装置においては3個以上の多数の蒸発源を設けることも可能であり、各々の蒸発源は等間隔に配置してもよく、間隔を変えて配置してもよい。また、支持体4に垂直な中心線を中心とした円の半径は任意に定めることができる。   In the scintillator panel manufacturing apparatus according to the present invention, it is possible to provide a large number of three or more evaporation sources, and the respective evaporation sources may be arranged at equal intervals or at different intervals. Good. Further, the radius of a circle centered on the center line perpendicular to the support 4 can be arbitrarily determined.

蒸発源8a、8bは、前記蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のるつぼから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。また、前記蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でも良いが、本発明では比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から直接電流を流し抵抗加熱する方法や、周りのヒーターでるつぼを間接的に抵抗加熱する方法が好ましい。また、蒸発源8a、8bは分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。   The evaporation sources 8a and 8b contain the phosphor and heat it by a resistance heating method. Therefore, the evaporation sources 8a and 8b may be composed of an alumina crucible wound with a heater, or a boat or a heater made of a refractory metal. May be. Further, the method of heating the phosphor may be a method such as heating by an electron beam or heating by high frequency induction other than the resistance heating method, but in the present invention, it is relatively easy to handle, inexpensive, and In view of the fact that it can be applied to a large number of substances, a method in which a direct current is passed and resistance heating is performed, and a method in which a crucible is indirectly resistance heated with a surrounding heater is preferable. The evaporation sources 8a and 8b may be molecular beam sources by a molecular source epitaxial method.

また、蒸発源8a、8bと支持体4との間には、蒸発源8a、8bから支持体4に至る空間を遮断するシャッタ9が水平方向に開閉自在に設けられており、このシャッタ9によって、蒸発源8a、8bにおいて前記蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体4に付着するのを防ぐことができるようになっている。   Further, a shutter 9 that blocks a space from the evaporation sources 8a and 8b to the support 4 is provided between the evaporation sources 8a and 8b and the support 4 so as to be openable and closable in the horizontal direction. In the evaporation sources 8a and 8b, substances other than the target substance attached to the surface of the phosphor can be prevented from evaporating at the initial stage of vapor deposition and adhering to the support 4.

〈シンチレータパネルの製造方法〉
図2に示したシンチレータパネル製造装置1を用いたシンチレータパネルの製造方法について説明する。
<Manufacturing method of scintillator panel>
A scintillator panel manufacturing method using the scintillator panel manufacturing apparatus 1 shown in FIG. 2 will be described.

まず、支持体ホルダ5に支持体4を取付ける。また、真空容器2の底面付近において、支持体4に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸発源8a、8bを配置する。この場合において、支持体4と蒸発源8a、8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。また、支持体4に垂直な中心線と蒸発源8a、8bとの間隔は100〜1500mmとされるのが好ましく、より好ましくは200〜1000mmである。   First, the support 4 is attached to the support holder 5. Further, in the vicinity of the bottom surface of the vacuum vessel 2, evaporation sources 8 a and 8 b are arranged on the circumference of a circle centered on a center line perpendicular to the support 4. In this case, the distance between the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, and more preferably 200 to 1000 mm. In addition, the distance between the center line perpendicular to the support 4 and the evaporation sources 8a and 8b is preferably 100 to 1500 mm, more preferably 200 to 1000 mm.

次いで、真空容器2の内部を真空排気し、所望の真空度に調整する。その後、支持体回転機構6により支持体ホルダ5を蒸発源8a、8bに対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器2が達したら、加熱した蒸発源8a、8bから前記蛍光体を蒸発させて、支持体4の表面に前記蛍光体を所望の厚さに成長させる。   Next, the inside of the vacuum vessel 2 is evacuated and adjusted to a desired degree of vacuum. Thereafter, the support holder 5 is rotated with respect to the evaporation sources 8a and 8b by the support rotation mechanism 6, and when the vacuum container 2 reaches a vacuum degree capable of vapor deposition, the phosphor is evaporated from the heated evaporation sources 8a and 8b. The phosphor is grown on the surface of the support 4 to a desired thickness.

なお、支持体4の表面に前記蛍光体を成長させる工程を複数回に分けて行って前記蛍光体層を形成することも可能である。   The phosphor layer may be formed by performing the process of growing the phosphor on the surface of the support 4 in a plurality of times.

また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体(支持体4、保護層又は中間層)を冷却あるいは加熱しても良い。   In the vapor deposition method, the vapor-deposited body (support 4, protective layer, or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary during vapor deposition.

さらに、蒸着終了後、前記蛍光体層を加熱処理しても良い。また、蒸着法においては必要に応じてO、Hなどのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。 Further, after the vapor deposition, the phosphor layer may be heat-treated. In the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed in which vapor deposition is performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.

形成する前記蛍光体層の膜厚は、シンチレータパネルの使用目的により、また前記蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50〜2000μmであり、好ましくは50〜1000μmであり、さらに好ましくは100〜800μmである。   The thickness of the phosphor layer to be formed is 50 to 2000 μm, preferably 50 to 1000 μm from the viewpoint of obtaining the effect of the present invention, although it varies depending on the purpose of use of the scintillator panel and the type of the phosphor. More preferably, it is 100-800 micrometers.

また、前記蛍光体層が形成される支持体4の温度は、室温(rt)〜300℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは50〜250℃である。   Moreover, it is preferable to set the temperature of the support body 4 in which the said phosphor layer is formed to room temperature (rt) -300 degreeC, More preferably, it is 50-250 degreeC.

以上のようにして前記蛍光体層を形成した後、必要に応じて、前記蛍光体層の支持体4とは反対の側の面に、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための保護層を設けてもよい。保護層は、保護層用の塗布液を前記蛍光体層の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した保護層を前記蛍光体層に接着してもよい。これらの保護層の層厚は0.1〜2000μmが好ましい。   After the phosphor layer is formed as described above, the phosphor layer is physically or chemically protected on the surface of the phosphor layer opposite to the support 4 as necessary. A protective layer may be provided. The protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer to the surface of the phosphor layer, or a protective layer separately formed in advance may be adhered to the phosphor layer. The thickness of these protective layers is preferably 0.1 to 2000 μm.

また、保護層は蒸着法、スパッタリング法などにより、SiC、SiO、SiN、Alなどの無機物質を積層して形成してもよい。 The protective layer may be formed by laminating inorganic substances such as SiC, SiO 2 , SiN, and Al 2 O 3 by vapor deposition, sputtering, or the like.

本発明においては、保護層の外に、上記の各種機能層を設けることが好ましい。   In the present invention, it is preferable to provide the above various functional layers in addition to the protective layer.

以上のシンチレータパネルの製造装置1又は製造方法によれば、複数の蒸発源8a、8bを設けることによって蒸発源8a、8bの蒸気流が重なり合う部分が整流化され、支持体4の表面に蒸着する前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。このとき、多数の蒸発源を設けるほど多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲において前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。また、蒸発源8a、8bを支持体4に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置することによって、蒸気流の整流化によって結晶性が均一になるという作用を、支持体4の表面において等方的に得ることができる。   According to the scintillator panel manufacturing apparatus 1 or the manufacturing method described above, by providing the plurality of evaporation sources 8 a and 8 b, the overlapping portions of the vapor sources of the evaporation sources 8 a and 8 b are rectified and deposited on the surface of the support 4. The crystallinity of the phosphor can be made uniform. At this time, as the number of evaporation sources is increased, the vapor flow is rectified at more locations, so that the crystallinity of the phosphor can be made uniform in a wider range. Further, by disposing the evaporation sources 8 a and 8 b on the circumference of a circle centering on the center line perpendicular to the support 4, the effect that the crystallinity becomes uniform due to the rectification of the vapor flow is provided. Can be obtained isotropically on the surface.

また、支持体回転機構6によって支持体4を回転しながら前記蛍光体の蒸着を行うことによって、支持体4の表面に均一に前記蛍光体を蒸着させることができる。   Further, the phosphor can be uniformly deposited on the surface of the support 4 by performing the vapor deposition of the phosphor while rotating the support 4 by the support rotating mechanism 6.

以上述べたように本発明に係るシンチレータパネル製造装置1又は製造方法によれば、支持体4の表面において、前記蛍光体の結晶性が均一となるように前記蛍光体層を成長させることによって、前記蛍光体層の感度ムラを低下させ、本発明に係るシンチレータパネルを用いたシンチレータパネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。   As described above, according to the scintillator panel manufacturing apparatus 1 or the manufacturing method according to the present invention, by growing the phosphor layer on the surface of the support 4 so that the crystallinity of the phosphor is uniform, The sensitivity unevenness of the phosphor layer can be reduced, and the sharpness of the radiation image obtained from the scintillator panel using the scintillator panel according to the present invention can be improved.

また、支持体4に蒸着する前記蛍光体の入射角を所定の範囲に制限して輝尽性蛍光体の入射角のばらつきを防ぐことによって、蛍光体の結晶性をより均一にして、シンチレータパネルから得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させることができる。   Further, by limiting the incident angle of the phosphor deposited on the support 4 to a predetermined range to prevent variations in the incident angle of the stimulable phosphor, the crystallinity of the phosphor is made more uniform, and the scintillator panel The sharpness of the radiographic image obtained from can be improved.

なお、以上は支持体ホルダ5が支持体回転機構6を備える場合について説明したが、本発明は必ずしもこれに限らず、支持体ホルダ5が支持体4を保持して静止した状態で蒸着を行う場合や、支持体4を蒸発源8a、8bに対して水平方向に移動させることによって蒸発源8a、8bからの前記蛍光体を蒸着させる場合などにおいても適用可能である。   In addition, although the above demonstrated the case where the support body holder 5 was equipped with the support body rotation mechanism 6, this invention is not necessarily restricted to this, It vapor-deposits in the state which the support body holder 5 hold | maintained the support body 4 and was still. The present invention is also applicable to the case where the phosphors from the evaporation sources 8a and 8b are deposited by moving the support 4 in the horizontal direction with respect to the evaporation sources 8a and 8b.

(放射線画像検出装置)
以下に、図3を参照しながら、当該放射線用シンチレータパネル12を具備した放射線画像検出装置100の構成について説明する。なお、図3は放射線画像検出装置100の概略構成を示す一部破断斜視図である。
(Radiation image detector)
Hereinafter, the configuration of the radiation image detection apparatus 100 including the radiation scintillator panel 12 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a partially broken perspective view showing a schematic configuration of the radiological image detection apparatus 100.

シンチレータパネル12と筐体155の放射線入射側に設置された保護カバー155(a)の間隙には、ポリウレタン製のフォーム(発泡材)150が配置されている。   A polyurethane foam (foam) 150 is disposed in the gap between the scintillator panel 12 and the protective cover 155 (a) installed on the radiation incident side of the housing 155.

図3に示す通り、放射線画像検出装置100には、シンチレータパネル12、放射線画像検出装置100の動作を制御する制御部152、書き換え可能な専用メモリ(例えばフラッシュメモリ)等を用いてシンチレータパネル12から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部153、放射線画像検出装置を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電力供給手段である電源部154、等が筐体155の内部に設けられている。筐体155には必要に応じて放射線画像検出装置100から外部に通信を行うための通信用のコネクタ156、放射線画像検出装置100の動作を切り換えるための操作部157、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部153に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部158、等が設けられている。   As shown in FIG. 3, the radiation image detection apparatus 100 includes a scintillator panel 12, a control unit 152 that controls the operation of the radiation image detection apparatus 100, a rewritable dedicated memory (for example, a flash memory), and the like. A memory unit 153 that is a storage unit that stores the output image signal, a power supply unit 154 that is a power supply unit that supplies power necessary to obtain the image signal by driving the radiation image detection apparatus, and the like are included in the housing. It is provided inside the body 155. The housing 155 includes a communication connector 156 for performing communication from the radiological image detection apparatus 100 to the outside as necessary, an operation unit 157 for switching the operation of the radiographic image detection apparatus 100, and completion of preparation for radiographic image capturing. And a display unit 158 indicating that a predetermined amount of image signal has been written in the memory unit 153.

ここで、放射線画像検出装置100に電源部154を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部153を設け、コネクタ156を介して放射線画像検出装置100を着脱自在にすれば、放射線画像検出装置100を持ち運びできる可搬構造とすることができる。   Here, if the radiographic image detection apparatus 100 is provided with a power supply unit 154 and a memory unit 153 that stores an image signal of the radiographic image, and the radiographic image detection apparatus 100 is detachable via the connector 156, the radiographic image detection apparatus is provided. It can be set as the portable structure which can carry 100.

放射線用シンチレータパネル12は、放射線照射面側に配置されており、入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光するように構成されている。   The radiation scintillator panel 12 is disposed on the radiation irradiation surface side, and is configured to emit an electromagnetic wave corresponding to the intensity of incident radiation.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

(基板1の作製)
厚さ125μm、250×200mmサイズのポリイミドフィルム(熱膨張係数は24ppm/℃)(宇部興産製ユーピレックス)にアルミをスパッタして反射層(0.10μm)を形成した。
(Production of substrate 1)
A reflective layer (0.10 μm) was formed by sputtering aluminum on a polyimide film having a thickness of 125 μm and a size of 250 × 200 mm (coefficient of thermal expansion of 24 ppm / ° C.) (Upilex manufactured by Ube Industries).

(基板2の作製)
熱膨張係数が12ppm/℃であるポリイミドフィルムである以外は同じ条件で作製した。
(Preparation of substrate 2)
It was produced under the same conditions except that it was a polyimide film having a thermal expansion coefficient of 12 ppm / ° C.

(基板3の作製)
熱膨張係数が6ppm/℃である液晶ポリマーフィルムである以外は同じ条件で作製した。
(Preparation of substrate 3)
It was produced under the same conditions except that the liquid crystal polymer film had a thermal expansion coefficient of 6 ppm / ° C.

(下引層の作製)
バイロン20SS(東洋紡社製:高分子ポリエステル樹脂) 300質量部
コロネートHX(日本ポリウレタン社製:硬膜剤) 50質量部
メチルエチルケトン(MEK) 200質量部
トルエン 300質量部
シクロヘキサノン 150質量部
上記処方をディスバーにて攪拌混合し、下引き塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記基板の反射層側に乾燥層厚が1.0μmになるようにスピンコーターで塗布したのち100℃で8時間乾燥することで下引き層を作製した。
(Preparation of undercoat layer)
Byron 20SS (Toyobo Co., Ltd .: polymer polyester resin) 300 parts by mass Coronate HX (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd .: hardener) 50 parts by mass Methyl ethyl ketone (MEK) 200 parts by mass Toluene 300 parts by mass Cyclohexanone 150 parts by mass The mixture was stirred and mixed to obtain a coating solution for undercoating. This coating solution was applied to the reflective layer side of the substrate with a spin coater so that the dry layer thickness was 1.0 μm, and then dried at 100 ° C. for 8 hours to prepare an undercoat layer.

(蛍光体層の形成)
基板の下引き層側に蛍光体(CsI:0.03Tlmol%)を、図2に示した蒸着装置を使用して蒸着させ基板の全面に500μmの蛍光体層を形成した。蒸発源と支持体ホルダとの間にシャッタを配し、蒸着開始時に目的物以外の物質が蛍光体層に付着するのを防止した。
(Formation of phosphor layer)
A phosphor (CsI: 0.03 Tlmol%) was deposited on the undercoat layer side of the substrate by using the deposition apparatus shown in FIG. 2 to form a 500 μm phosphor layer on the entire surface of the substrate. A shutter was disposed between the evaporation source and the support holder to prevent substances other than the target substance from adhering to the phosphor layer at the start of deposition.

すなわち、まず、蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダに基板を設置し、基板と蒸発源との間隔を500mmに調節した。   That is, first, a resistance heating crucible was filled as a phosphor raw material as a vapor deposition material, a substrate was placed on a rotating support holder, and the distance between the substrate and the evaporation source was adjusted to 500 mm.

続いて蒸着装置内を一旦排気し、Arガスを導入して0.5Paに真空度を調整した後、10rpmの速度で基板を回転しながら基板の温度を200℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着し表1の(1)層厚に示した層厚の蛍光体層を形成した。   Subsequently, the inside of the vapor deposition apparatus was once evacuated, Ar gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.5 Pa, and then the substrate temperature was maintained at 200 ° C. while rotating the substrate at a speed of 10 rpm. Next, the resistance heating crucible was heated to deposit a phosphor, thereby forming a phosphor layer having the layer thickness shown in (1) Layer thickness of Table 1.

(サンプル1の貼り合わせ方法)
画像領域が250×200mmのTFTに基板1を使用したシンチレータパネルを蛍光体面とTFTの光電変換面を対向させて接触させ、特許3880094号明細書に記載されている実施形態1の方法と同様に減圧容器中で端部にバイロン200を乾燥厚さ5μmとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
(Method of bonding sample 1)
A scintillator panel using the substrate 1 on a TFT having an image area of 250 × 200 mm is brought into contact with the phosphor surface facing the photoelectric conversion surface of the TFT, and in the same manner as in the method of Embodiment 1 described in Japanese Patent No. 3880094. Byron 200 was applied to the end of the vacuum container so as to have a dry thickness of 5 μm, and bonded in a vacuum state.

(サンプル2の貼り合わせ方法)
画像領域が250×200mmのTFTに基板1を使用したシンチレータパネルを蛍光体面とTFTの光電変換面を対向させて接触させ、そのシンチレータパネルの上より255×205mmの熱膨張係数20ppm厚さ125μmのポリイミドシートをシンチレータがはみ出さないようにかぶせ、減圧容器内でディスペンサーで周囲に溶融したバイロン200を乾燥膜厚5μmとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
(Method for pasting sample 2)
A scintillator panel using the substrate 1 on a TFT having an image area of 250 × 200 mm is brought into contact with the phosphor surface facing the photoelectric conversion surface of the TFT, and a thermal expansion coefficient of 255 × 205 mm of 20 ppm thickness of 125 μm from the top of the scintillator panel. The polyimide sheet was covered so that the scintillator did not protrude, and byron 200 melted around by a dispenser in a vacuum container was applied so as to have a dry film thickness of 5 μm, and bonded under reduced pressure.

(サンプル3の貼り合わせ方法)
画像領域が250×200mmのTFTに基板1を使用したシンチレータパネルを蛍光体面とTFTの光電変換面を対向させて接触させ、そのシンチレータパネルの上より255×205mmの熱膨張係数20ppm厚さ125μmのポリイミドシートをシンチレータがはみ出さないようにかぶせ、減圧容器内で、ディスペンサーにより、周囲に溶融したバイロン200を乾燥膜厚5μmとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
(Method for pasting sample 3)
A scintillator panel using the substrate 1 on a TFT having an image area of 250 × 200 mm is brought into contact with the phosphor surface facing the photoelectric conversion surface of the TFT, and a thermal expansion coefficient of 255 × 205 mm of 20 ppm thickness of 125 μm from the top of the scintillator panel. The polyimide sheet was covered so that the scintillator did not protrude, and the byron 200 melted around the periphery was applied with a dispenser in a vacuum container so as to have a dry film thickness of 5 μm, and bonded in a reduced pressure state.

(サンプル4〜6の貼り合わせ方法)
サンプル4〜6については基板もしくは貼り合わせ支持体の組み合わせを表1に記載した材料を使用したこと以外はサンプル3と同様にして貼り合わせた。なお液晶ポリマーとしては、クラレ製ベクスターOCを使用した。
(Lamination method of samples 4 to 6)
Samples 4 to 6 were bonded in the same manner as Sample 3 except that the materials described in Table 1 were used for the combination of substrates or bonded supports. As the liquid crystal polymer, Kuraray Bexter OC was used.

(サンプル7の貼り合わせ方法)
255×205mmの熱膨張係数6ppmの液晶ポリマー(クラレ製ベクスターOC)に下引き層と同じ組成の塗料を乾燥厚さ5μmとなるように塗布し100℃5分で溶剤のみを乾燥させた。貼り合わせ支持体とした。基板3を使用したシンチレータの蛍光体層面とは反対面とバイロンを塗布した面と対向して貼り合わせ、100℃8時間加熱して接着させた。これを画像領域が250×200mmのTFTに蛍光体面とTFTの光電変換面を対向させて接触させ、減圧容器内で、ディスペンサーにより、周囲に溶融したバイロン200を乾燥膜厚5μmとなるように塗布し、減圧状態で貼り合わせた。
(Method for pasting sample 7)
A paint having the same composition as the undercoat layer was applied to a liquid crystal polymer (Kuraray Bexter OC) having a thermal expansion coefficient of 6 ppm of 255 × 205 mm so as to have a dry thickness of 5 μm, and only the solvent was dried at 100 ° C. for 5 minutes. A bonded support was obtained. The surface opposite to the phosphor layer surface of the scintillator using the substrate 3 and the surface coated with Byron were bonded together and heated to adhere at 100 ° C. for 8 hours. This is brought into contact with a TFT having an image area of 250 × 200 mm with the phosphor surface and the photoelectric conversion surface of the TFT facing each other, and in a decompression container, by-dispensing byron 200 melted around is applied to a dry film thickness of 5 μm. And bonded together under reduced pressure.

(評価方法)
MTF:80kVで鉛エッジを撮影し、画像をフーリエ解析することより求めた。サンプル1の1ln/mmのMTFを100とする相対値として求めた。
(Evaluation method)
MTF: The lead edge was photographed at 80 kV, and the image was obtained by Fourier analysis. It was determined as a relative value with an MTF of 1 ln / mm of Sample 1 as 100.

端部画像ムラ:80kVのX線を照射し、画像補正を行わず、コンピュータ画面上で画像を観察し、端部から1cmのムラを目視にて下記評価基準に基づき評価した。   Edge image unevenness: X-rays of 80 kV were irradiated, the image was not corrected, the image was observed on a computer screen, and 1 cm unevenness from the edge portion was visually evaluated based on the following evaluation criteria.

画像ムラ:端部から1cmより内側の画像ムラを目視にて下記評価基準に基づき評価した。   Image unevenness: Image unevenness inside 1 cm from the end was visually evaluated based on the following evaluation criteria.

初期特性:サンプルを作成後、すぐにX線を照射し撮影、評価を行った。   Initial characteristics: Immediately after preparing a sample, X-rays were irradiated and photographed and evaluated.

耐久性評価:サンプルを60℃のサーモに入れ、200時間加熱耐久性を行った後、X線を照射し撮影、評価を行った。
1:ムラが多く使用できない
2:ムラが多い
3:ムラはあるが、使用できる
4:ムラが少ない
5:ムラが無い、もしくはわからない。
Durability evaluation: The sample was put in a thermostat at 60 ° C. and subjected to heat durability for 200 hours.
1: Many unevennesses cannot be used 2: Many unevennesses 3: There are unevennesses, but can be used 4: There are few unevennesses 5: There are no unevennesses or do not know.

上記評価結果を表1に示す。   The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 0005597930
Figure 0005597930

表1に示した結果から明らかなように、本発明に係る実施例は、比較例に比べ放射線画像の鮮鋭性が優れているとともにムラを生じず又は少ないことが分かる。   As is clear from the results shown in Table 1, it can be seen that the examples according to the present invention are superior in the sharpness of the radiographic image and have little or no unevenness as compared with the comparative example.

1 シンチレータパネルの製造装置
2 真空容器
3 真空ポンプ
4 支持体
5 支持体ホルダ
6 支持体回転機構
7 支持体回転軸
8 蒸発源
9 シャッタ
10 遮蔽板
12 シンチレータパネル
100 放射線画像検出装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Manufacturing apparatus of scintillator panel 2 Vacuum container 3 Vacuum pump 4 Support body 5 Support body holder 6 Support body rotating mechanism 7 Support body rotating shaft 8 Evaporation source 9 Shutter 10 Shielding plate 12 Scintillator panel 100 Radiation image detection apparatus

Claims (9)

2次元的に配列された光電変換素子アレイ上に放射線を光に変換する柱状結晶からなる蛍光体層を基板上に有するシンチレータパネルを密着させて成る放射線画像検出装置であって、当該シンチレータパネルと光電変換素子アレイとが、当該シンチレータパネルの基板側に配置した密着用支持体を介して大気圧により密着しており、かつ当該密着用支持体がその周囲を接着剤で光電変換素子アレイ上に接着されており、
前記蛍光体層が、ハロゲン化セシウム(CsX;Xはハロゲン)を母体とする蛍光体を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。
A radiological image detection apparatus comprising a scintillator panel having a phosphor layer made of a columnar crystal that converts radiation into light on a two-dimensionally arranged photoelectric conversion element array on a substrate, the scintillator panel, The photoelectric conversion element array is in close contact with atmospheric pressure through a close contact support disposed on the substrate side of the scintillator panel, and the contact support is surrounded by an adhesive on the photoelectric conversion element array. Glued ,
The radiological image detection apparatus , wherein the phosphor layer contains a phosphor based on cesium halide (CsX; X is halogen) .
前記接着剤と蛍光体層が接触していないことを特徴とする請求項1に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to claim 1, wherein the adhesive and the phosphor layer are not in contact with each other. 前記基板及び密着用支持体の熱膨張係数がともに20ppm/℃以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to claim 1, wherein the thermal expansion coefficient of the substrate and the support for contact is 20 ppm / ° C. or less. 前記基板の熱膨張係数が、密着用支持体の熱膨張係数より大きいことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a thermal expansion coefficient of the substrate is larger than a thermal expansion coefficient of the support for contact. 前記基板の透湿度が、密着用支持体の透湿度より大きいことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the moisture permeability of the substrate is larger than the moisture permeability of the support for adhesion. 前記基板が、可撓性を有する基板であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a flexible substrate. 前記可撓性を有する基板がポリイミドを含有する高分子フィルム基板であることを特徴とする請求項6に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to claim 6, wherein the flexible substrate is a polymer film substrate containing polyimide. 前記接着剤が、熱融着シール剤又はUV硬化樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to claim 1, wherein the adhesive is a heat-sealing sealant or a UV curable resin. 請求項1から請求項のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置を製造する放射線画像検出装置の製造方法であって、シンチレータパネルを密着用支持体で光電変換素子アレイに貼り合わせる際に、当該光電変換素子アレイ及び密着用支持体の温度を20〜150℃に暖めて接着することを特徴とする放射線画像検出装置の製造方法。 It is a manufacturing method of the radiographic image detection apparatus which manufactures the radiographic image detection apparatus as described in any one of Claims 1-8 , Comprising: When bonding a scintillator panel to a photoelectric conversion element array by the support body for contact | adhesion A method for producing a radiation image detection apparatus, wherein the photoelectric conversion element array and the support for adhesion are warmed to 20 to 150 ° C. for bonding.
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