JP5588287B2 - Thermosetting resin composition and semiconductor component mounting substrate - Google Patents
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Description
本発明は、部品実装のための導電ペースト、特に熱硬化性樹脂バインダーを含有するはんだペーストとして用いられる熱硬化性樹脂組成物、及びこの熱硬化性樹脂組成物を用いて部品実装した半導体部品実装基板に関するものである。 The present invention relates to a conductive paste for component mounting, particularly a thermosetting resin composition used as a solder paste containing a thermosetting resin binder, and a semiconductor component mounting in which components are mounted using this thermosetting resin composition. It relates to a substrate.
近年、半導体パッケージ等の半導体部品の高密度化・多ピン化に伴い、従来のQFP(QuadFlat Package)のようにリードを用いてはんだ付けにより回路基板に実装する方法に代わって、BGA(BallGrid Array)やCSP(Chip Size Package)等のはんだボール(はんだバンプ)を用いて回路基板に実装する方法が急増してきている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, with the increase in the density and the number of pins of semiconductor components such as semiconductor packages, the BGA (BallGrid Array) is used instead of the method of mounting on the circuit board by soldering using leads like the conventional QFP (Quad Flat Package). ) And CSP (Chip Size Package), etc., a method of mounting on circuit boards using solder balls (solder bumps) is rapidly increasing (see, for example, Patent Document 1).
BGAやCSPは、携帯電話などのモバイル機器に用いられることが多い。そのため、BGAやCSPの実装構造には耐落下衝撃性が求められるが、はんだボールのみでの接合でははんだの脆弱性により耐落下衝撃性が低下する。 BGA and CSP are often used for mobile devices such as mobile phones. For this reason, the BGA and CSP mounting structures are required to have a drop impact resistance, but in the case of joining only with solder balls, the drop impact resistance is lowered due to the brittleness of the solder.
そこで、本発明者は、特願2009−77666において、はんだ粒子を含有する熱硬化性樹脂組成物を用い、はんだ部とはんだ部の周囲を被覆する樹脂硬化部とで接合部を形成するようにして、耐落下衝撃性の低下の問題を解決した。 Therefore, the present inventor, in Japanese Patent Application No. 2009-77666, uses a thermosetting resin composition containing solder particles, and forms a joint portion between the solder portion and the resin cured portion covering the periphery of the solder portion. This solves the problem of reduced drop impact resistance.
ところで、半導体部品2の高密度化と薄型化の進展に伴い、回路基板3に対する半導体部品2の実装としては両面実装が行われている。例えば、図2に示すように、CSP等の実装において、上述のはんだ粒子を含有する熱硬化性樹脂組成物1を用い、はんだ部4とはんだ部4の周囲を被覆する樹脂硬化部5とで接合部6を形成する方法は非常に有効である。
Incidentally, double-sided mounting is performed as the mounting of the
しかし、両面実装は、図2に示すように半導体部品2を回路基板3に片面ずつ実装して行われる。すなわち、図2(a)のようにリフロー炉による1回目の加熱により、先に回路基板3の一方の面に半導体部品2を実装した後、回路基板3を裏返して、図2(b)のようにリフロー炉による2回目の加熱により、他方の面に半導体部品2を実装するようにしている。そのため、回路基板3がリフロー炉による高温に2回曝されることとなるが、この場合、図2(b)に示す回路基板3の下面側の最初に形成された接合部6のはんだ部4が再溶融し、はんだが接合部6から飛び出して、半導体部品2と回路基板3との電気的接続が途切れてしまう場合が見られる。また、はんだ部4の周囲を樹脂硬化部5で被覆していても、再リフローにより再溶融して液状化したはんだは膨張するため、このはんだが樹脂硬化部5と回路基板3との隙間等に流れ込んで広がることで、隣り合う電極と短絡(フラッシュ)するという不良が起こり易い。
However, the double-sided mounting is performed by mounting the
上述の特願2009−77666では、はんだ部4の周囲を樹脂硬化部5が被覆して補強しているので耐落下衝撃性には有効であるが、再リフロー時におけるはんだフラッシュを防止するにはなお改良の余地がある。これは、はんだ部4の周囲を被覆する樹脂硬化部5は硬いものであるが、はんだ部4は再リフローにより体積膨張することにより、その結果、はんだが樹脂硬化部5と回路基板3との隙間等から飛び出すためであると考えられる。
In the above-mentioned Japanese Patent Application No. 2009-77666, the resin hardened
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、優れた耐落下衝撃性を維持しつつ、再リフローにより半導体部品を回路基板に実装する場合であっても、はんだフラッシュを起こり難くすることができる熱硬化性樹脂組成物及び半導体部品実装基板を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and makes it difficult to cause solder flash even when a semiconductor component is mounted on a circuit board by re-flow while maintaining excellent drop impact resistance. It is an object of the present invention to provide a thermosetting resin composition and a semiconductor component mounting substrate that can be manufactured.
本発明に係る熱硬化性樹脂組成物は、融点が240℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、シリコーン樹脂化合物、及びフラックス成分として下記構造式(1)又は(2)で示される化合物のうちの少なくとも一方が含有され、前記はんだ粒子100質量部に対して、前記シリコーン樹脂化合物が1〜30質量部含有され、前記熱硬化性樹脂バインダーが連続相(海成分)となり、前記シリコーン樹脂化合物が分散相(島成分)となってミクロドメイン構造(海島構造)を形成し、加熱することにより、前記はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部と、前記はんだ部の周囲を被覆する樹脂硬化部とが形成されるものであることを特徴とするものである。 The thermosetting resin composition according to the present invention includes a solder particle having a melting point of 240 ° C. or less, a thermosetting resin binder, a silicone resin compound, and a compound represented by the following structural formula (1) or (2) as a flux component. At least one of them is contained, 1 to 30 parts by mass of the silicone resin compound is contained with respect to 100 parts by mass of the solder particles, the thermosetting resin binder becomes a continuous phase (sea component), and the silicone resin compound Becomes a dispersed phase (island component) to form a microdomain structure (sea-island structure), and is heated, whereby a solder portion in which the solder particles are fused and integrated, and a resin cured portion that covers the periphery of the solder portion, There is characterized in der Rukoto those formed.
前記熱硬化性樹脂組成物において、前記熱硬化性樹脂バインダーとしてエポキシ樹脂が用いられていることが好ましい。 In the thermosetting resin composition, an epoxy resin is preferably used as the thermosetting resin binder.
前記熱硬化性樹脂組成物において、前記シリコーン樹脂化合物が、シリコーンオイル、シリコーンゲル、シリコーンパウダーのうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。 In the thermosetting resin composition, the silicone resin compound is preferably at least one of silicone oil, silicone gel, and silicone powder.
前記熱硬化性樹脂組成物において、前記構造式(1)又は(2)中のXが、下記構造式(3)〜(8)で示される原子団のうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。 In the thermosetting resin composition, X in the structural formula (1) or (2) may be at least one of atomic groups represented by the following structural formulas (3) to (8). preferable.
前記熱硬化性樹脂組成物において、前記構造式(1)又は(2)で示される化合物が、レブリン酸、グルタル酸、ジメチルグルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、5−ケトヘキサン酸、4−アミノ酪酸、3−フェニルプロピオン酸、4−フェニル酪酸のうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。 In the thermosetting resin composition, the compound represented by the structural formula (1) or (2) is levulinic acid, glutaric acid, dimethylglutaric acid, succinic acid, malic acid, 5-ketohexanoic acid, 4-aminobutyric acid. , 3-phenylpropionic acid and 4-phenylbutyric acid are preferable.
前記熱硬化性樹脂組成物において、前記構造式(1)又は(2)で示される化合物が、下記構造式(13)〜(15)で示される化合物のうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。 In the thermosetting resin composition, the compound represented by the structural formula (1) or (2) may be at least one of the compounds represented by the following structural formulas (13) to (15). preferable.
前記熱硬化性樹脂組成物において、前記熱硬化性樹脂組成物全量に対して、前記熱硬化性樹脂バインダー及び前記フラックス成分の合計量が3〜50質量%であることが好ましい。 The said thermosetting resin composition WHEREIN: It is preferable that the total amount of the said thermosetting resin binder and the said flux component is 3-50 mass% with respect to the said thermosetting resin composition whole quantity.
本発明に係る半導体部品実装基板は、前記熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体部品が回路基板に実装されていることを特徴とするものである。 The semiconductor component mounting board according to the present invention is characterized in that a semiconductor component is mounted on a circuit board using the thermosetting resin composition.
本発明に係る熱硬化性樹脂組成物によれば、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部と、はんだ部の周囲を被覆する樹脂硬化部とで、半導体部品と回路基板とを接合する接合部を形成することができるものであり、樹脂硬化部によって優れた耐落下衝撃性を維持することができると共に、再リフローにより半導体部品を回路基板に実装する場合であっても、樹脂硬化部中のシリコーン樹脂化合物によってはんだフラッシュを起こり難くすることができるものである。 According to the thermosetting resin composition according to the present invention, the solder part in which the solder particles are fused and integrated, and the resin cured part covering the periphery of the solder part, the joining part for joining the semiconductor component and the circuit board is provided. Silicone in the resin hardened part can be formed and can maintain excellent drop impact resistance by the resin hardened part, and even when a semiconductor component is mounted on a circuit board by reflow. The resin compound can make solder flash less likely to occur.
以下、本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
本発明に係る熱硬化性樹脂組成物1には、融点が240℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、シリコーン樹脂化合物、及びフラックス成分として上記構造式(1)又は(2)で示される化合物のうちの少なくとも一方が必須成分として含有されているものである。
The
フラックス成分である上記構造式(1)及び(2)で示される化合物は、末端にカルボキシル基及び各種の官能基を有しており、室温でのフラックス活性はさほど大きくないが、これらの化合物が100℃以上の温度に加熱されると、下記構造式(16)及び(17)に示すようなキレートを形成してはんだ粒子(M)表面に局在化し、優れた活性力(還元力)が顕在化して、効率よくカルボキシル基とはんだ粒子表面の金属酸化物の膜(酸化膜)との反応が促進され、はんだ粒子から酸化膜を効果的に除去することができるようになる。 The compounds represented by the structural formulas (1) and (2), which are flux components, have a carboxyl group and various functional groups at their terminals, and the flux activity at room temperature is not so great. When heated to a temperature of 100 ° C. or higher, chelates as shown in the following structural formulas (16) and (17) are formed and localized on the surface of the solder particles (M), and excellent activity power (reducing power) is obtained. As a result, the reaction between the carboxyl group and the metal oxide film (oxide film) on the surface of the solder particles is efficiently promoted, and the oxide film can be effectively removed from the solder particles.
ここで、上記構造式(1)及び(2)中のXは、金属が配位可能な孤立電子対又は二重結合性π電子を有する原子団を示すが、具体的には、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等の孤立電子対を持ちキレートの形成が可能な基、カルボニル基、カルボキシル基、チオカルボニル基、イミノ基等の炭素/ヘテロ原子間二重結合性π電子を持つ有機基、フェニル基、ピリジル基、イミダゾイル基等の芳香族基、さらには炭素−炭素二重結合を有するビニル基、共役二重結合を有する有機基などを例示することができる。 Here, X in the structural formulas (1) and (2) represents an atomic group having a lone electron pair or a double bond π electron to which a metal can coordinate, specifically, a nitrogen atom, A group having a lone electron pair such as an oxygen atom or a sulfur atom and capable of forming a chelate, an organic group having a carbon / heteroatom double bond π electron such as a carbonyl group, a carboxyl group, a thiocarbonyl group or an imino group, Examples thereof include aromatic groups such as phenyl group, pyridyl group, imidazolyl group, vinyl group having carbon-carbon double bond, and organic group having conjugated double bond.
特に、上記構造式(1)又は(2)中のXは、上記構造式(3)〜(8)で示される原子団のうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。これにより、Xが他の原子団である場合に比べて、効果的にはんだ粒子の酸化膜を除去することができるものである。 In particular, X in the structural formula (1) or (2) is preferably at least one of the atomic groups represented by the structural formulas (3) to (8). Thereby, compared with the case where X is other atomic groups, the oxide film of a solder particle can be removed effectively.
また、上記構造式(1)及び(2)中のYは、主鎖骨格を形成する原子又は原子団を示すが、上記構造式(9)〜(12)で示される原子又は原子団のうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。これにより、Yが他の原子又は原子団である場合に比べて、はんだ粒子の酸化膜を十分に除去することができるものである。 Y in the structural formulas (1) and (2) represents an atom or atomic group forming a main chain skeleton, and among the atoms or atomic groups represented by the structural formulas (9) to (12), It is preferable that it is at least 1 type or more. Thereby, compared with the case where Y is another atom or atomic group, the oxide film of a solder particle can fully be removed.
そして具体的には、上記構造式(1)又は(2)で示される化合物は、レブリン酸、グルタル酸、ジメチルグルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、5−ケトヘキサン酸、4−アミノ酪酸、3−フェニルプロピオン酸、4−フェニル酪酸のうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。これにより、他のフラックス成分に比べて、一層効果的にはんだ粒子の酸化膜を除去することができるものである。 Specifically, the compound represented by the structural formula (1) or (2) includes levulinic acid, glutaric acid, dimethylglutaric acid, succinic acid, malic acid, 5-ketohexanoic acid, 4-aminobutyric acid, 3- It is preferably at least one of phenylpropionic acid and 4-phenylbutyric acid. Thereby, compared with other flux components, the oxide film of the solder particles can be removed more effectively.
なお、カルボキシル基を両末端に有する化合物としては、一般的には脂肪族骨格を有するアジピン酸、ピメリン酸、セバシン酸、コルク酸等が挙げられる。しかし、これらは金属表面の酸化膜に対する十分な還元作用を期待することができず、その還元力は、上記構造式(1)及び(2)で示される化合物に比べて、十分に満足できるレベルではない。これは、アジピン酸、ピメリン酸、セバシン酸、コルク酸等の分子量が大きいことによって、上記構造式(16)及び(17)に示すようなキレートを形成する能力に劣っているためである、と推察される。 Examples of the compound having a carboxyl group at both ends generally include an adipic acid, pimelic acid, sebacic acid and corkic acid having an aliphatic skeleton. However, they cannot be expected to have a sufficient reducing action on the oxide film on the metal surface, and the reducing power is sufficiently satisfactory as compared with the compounds represented by the structural formulas (1) and (2). is not. This is because the ability to form chelates as shown in the above structural formulas (16) and (17) is inferior due to the large molecular weight of adipic acid, pimelic acid, sebacic acid, corkic acid and the like. Inferred.
また、上記構造式(1)又は(2)で示される化合物は、上記構造式(13)で示される化合物(ジグリコール酸)、上記構造式(14)で示される化合物(チオジグリコール酸)、上記構造式(15)で示される化合物(ジチオジグリコール酸)のうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。上記構造式(13)〜(15)で示されるように、主骨格に酸素原子又は1個若しくは2個の硫黄原子が結合した構造の化合物は、脂肪族骨格の化合物と比べて、優れた還元力を発揮することができる。その理由は、主骨格の酸素原子及び硫黄原子が電子供与性の原子であるため、金属との配位結合性が高くなり、その結果、脂肪族骨格の化合物と比べて優れた還元力を発揮することができるからである、と推察される。よって、上記構造式(1)又は(2)で示される化合物が、上記構造式(13)〜(15)で示される化合物のうちの少なくとも1種類以上であることによって、他のフラックス成分に比べて、優れた還元力を発揮することができ、一層効果的にはんだ粒子の酸化膜を除去することができるものである。 In addition, the compound represented by the structural formula (1) or (2) includes a compound represented by the structural formula (13) (diglycolic acid) and a compound represented by the structural formula (14) (thiodiglycolic acid). The compound represented by the structural formula (15) is preferably at least one of the compounds (dithiodiglycolic acid). As shown in the above structural formulas (13) to (15), a compound having a structure in which an oxygen atom or one or two sulfur atoms are bonded to the main skeleton is superior to an aliphatic skeleton compound. Can demonstrate power. The reason for this is that the oxygen and sulfur atoms in the main skeleton are electron-donating atoms, so the coordination bond with the metal is enhanced, and as a result, it exhibits superior reducing power compared to aliphatic skeleton compounds. It is presumed that this is possible. Therefore, the compound represented by the structural formula (1) or (2) is at least one or more of the compounds represented by the structural formulas (13) to (15), thereby comparing with other flux components. Thus, an excellent reducing power can be exhibited, and the oxide film of the solder particles can be removed more effectively.
なお、本発明においては、上記構造式(1)又は(2)で示される化合物のうちの少なくとも一方を用いているが、これ以外に一般に用いられている他のフラックス成分を併用しても差し支えない。 In the present invention, at least one of the compounds represented by the structural formula (1) or (2) is used. However, other commonly used flux components may be used in combination. Absent.
そして、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物1にはシリコーン樹脂化合物が含有されている。エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂バインダーには硬さという欠点があるが、この欠点をシリコーン樹脂化合物の利点である柔らかさで補うことができる。そうすると、このような熱硬化性樹脂組成物1を半導体部品2の端子と回路基板3の電極との間でリフロー等により加熱する場合、はんだ粒子の溶融一体化により、半導体部品2と回路基板3とを電気的に接続するはんだ部4を形成することができる。これと同時にはんだ部4の周囲には膨張性を有する樹脂硬化部5を形成することができる。そのため、はんだ部4が再リフロー等により再溶融して膨張したとしても、その周囲の樹脂硬化部5も膨張するので、はんだが樹脂硬化部5の隙間等から染み出すのを抑制し、はんだフラッシュを起こり難くすることができるものである。しかも樹脂硬化部5は、膨張性を有するのみならず、硬さもある程度残しているので、優れた耐落下衝撃性を維持しているものである。
The
特に、熱硬化性樹脂組成物1は、熱硬化性樹脂バインダーが連続相(海成分)となり、シリコーン樹脂化合物が分散相(島成分)となってミクロドメイン構造(海島構造)を形成することが好ましい。これにより、樹脂硬化部5の低弾性化を図り、クラック等の隙間の発生を抑制し、はんだフラッシュをさらに起こり難くすることができるものである。ここで、ミクロドメイン構造(海島構造)が形成されるか否かは、熱硬化性樹脂バインダーとシリコーン樹脂化合物との相溶性や比率が関係する。例えば、熱硬化性樹脂バインダーとしてエポキシ樹脂、シリコーン樹脂化合物としてジメチルシロキサン単体を用いる場合、通常この両者の相溶性は悪いので二層分離するが、ジメチルシロキサンがエポキシ基を持っていると、完全相溶しない程度にエポキシ樹脂との相溶性が向上してミクロドメイン構造(海島構造)が形成される。また、比率の多い方が連続相(海成分)、比率の少ない方が分散相(島成分)となるが、熱硬化性樹脂バインダーが連続相(海成分)となる必要があるため、熱硬化性樹脂バインダー:シリコーン樹脂化合物(質量比)=60:40〜90:10であることが好ましい。この場合、熱硬化性樹脂バインダーには、硬化剤や硬化促進剤も含まれる。
In particular, the
また、シリコーン樹脂化合物は、シリコーンオイル、シリコーンゲル、シリコーンパウダーのうちの少なくとも1種類以上であることが好ましい。これにより、他のシリコーン樹脂化合物を用いる場合に比べて、はんだフラッシュを起こり難くすることができるものである。 The silicone resin compound is preferably at least one of silicone oil, silicone gel, and silicone powder. As a result, solder flash can be made less likely to occur than when other silicone resin compounds are used.
ここで、熱硬化性樹脂バインダーとしてエポキシ樹脂を用いる場合には、シリコーンオイルとしては、シリコーン樹脂の側鎖又は末端にエポキシ基を持つタイプのものを用いることが好ましい。本来、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂化合物とは二層分離し易く相溶性が悪いが、側鎖又は末端にエポキシ基を持つシリコーンオイルを用いることで、エポキシ樹脂との相溶性が向上し、ミクロドメイン構造(海島構造)を形成することが可能となる。シリコーンオイルの具体例としては、東レ・ダウコーニング株式会社製の品番「BY16−855」、「SF8411」及び「SF8421」並びに信越化学工業株式会社製の品番「X22−163」及び「KF−105」等を挙げることができる。 Here, when using an epoxy resin as a thermosetting resin binder, it is preferable to use a silicone oil having an epoxy group at the side chain or terminal of the silicone resin. Originally, the epoxy resin and the silicone resin compound are easy to separate into two layers and have poor compatibility. However, the use of silicone oil having an epoxy group at the side chain or terminal improves the compatibility with the epoxy resin and the microdomain structure. (Sea island structure) can be formed. Specific examples of silicone oil include product numbers “BY16-855”, “SF8411” and “SF8421” manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., and product numbers “X22-163” and “KF-105” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Etc.
またシリコーンゲルは、ビニル基を持つシリコーン樹脂:−SiCH=CH2と、水素を持つシリコーン樹脂:−SiHとを白金触媒を用いて反応させたゼリー状のシリコーン樹脂硬化物の総称である。そして上記の反応をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂バインダー中で行うことで、シリコーンゲルが分散相(島成分)となったミクロドメイン構造(海島構造)を形成することが可能となる。シリコーンゲルの具体例としては、信越化学工業株式会社製の品番「KE−1056」、「KE−1151」及び「FE−57」等を挙げることができる。 Silicone gel is a general term for a cured jelly-like silicone resin obtained by reacting a silicone resin having a vinyl group: —SiCH═CH 2 and a silicone resin having hydrogen: —SiH using a platinum catalyst. And by performing said reaction in thermosetting resin binders, such as an epoxy resin, it becomes possible to form the micro domain structure (sea island structure) in which the silicone gel became the dispersed phase (island component). Specific examples of the silicone gel include product numbers “KE-1056”, “KE-1151” and “FE-57” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
またシリコーンパウダーは、3次元架橋したシリコーンゴムを数ミクロンのサイズまで微粉砕したものである。形状のコントロールや表面処理を施すことで、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂バインダーとの馴染みを良くして、熱硬化性樹脂バインダー中に均一に分散させてミクロドメイン構造(海島構造)を形成することが可能となる。シリコーンパウダーの具体例としては、東レ・ダウコーニング株式会社製の品番「トレフィルシリーズ」等を挙げることができる。 Silicone powder is obtained by pulverizing three-dimensionally crosslinked silicone rubber to a size of several microns. By applying shape control and surface treatment, familiarity with thermosetting resin binders such as epoxy resin is improved and dispersed uniformly in thermosetting resin binders to form a microdomain structure (sea-island structure). It becomes possible. As a specific example of the silicone powder, a product number “Torefill Series” manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd. can be cited.
また、シリコーン樹脂化合物は、はんだ粒子100質量部に対して、1〜30質量部含有されているのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂バインダーの硬化物の硬さを緩和することができる。この緩和効果によって、はんだ部4の周囲に形成される樹脂硬化部5を柔らかくすることができ、再リフロー時において、はんだ部4が溶融・膨張して樹脂硬化部5の隙間等に染み込んで広がろうとするのを抑制し、はんだフラッシュを起こり難くすることができる。しかし、シリコーン樹脂化合物の含有量が1質量部より少ないと、はんだフラッシュの防止効果を十分に得ることができないおそれがある。逆に、シリコーン樹脂化合物の含有量が30質量部より多いと、樹脂硬化部5による半導体部品2と回路基板3との接続強度が低下するおそれがある。
Moreover, it is preferable that 1-30 mass parts of silicone resin compounds are contained with respect to 100 mass parts of solder particles. Thereby, the hardness of the hardened | cured material of thermosetting resin binders, such as an epoxy resin, can be relieve | moderated. Due to this relaxation effect, the cured
またはんだ粒子は、融点が240℃以下のものであればよい。はんだ粒子の融点の下限は特に限定されないが、80℃以上であることが好ましい。このような条件を満たす限り、はんだ粒子の組成は特に限定されないが、例えば、SnをベースとするBi、Zn、In等の金属との合金を挙げることができる。具体的には、Sn42Bi58(融点139℃)やSn96.5Ag3.0Cu0.5(融点218℃)を例示することができる。 The solder particles may have a melting point of 240 ° C. or lower. Although the minimum of melting | fusing point of a solder particle is not specifically limited, It is preferable that it is 80 degreeC or more. As long as these conditions are satisfied, the composition of the solder particles is not particularly limited, and examples thereof include alloys with metals such as Bi, Zn, and In based on Sn. Specifically, Sn42Bi58 (melting point: 139 ° C.) and Sn96.5Ag3.0Cu0.5 (melting point: 218 ° C.) can be exemplified.
また、はんだ粒子の含有量は、熱硬化性樹脂組成物1全量に対して、50〜97質量%であることが好ましい。はんだ粒子の含有量が50質量%未満であると、はんだ粒子が溶融一体化して形成された接合部分(はんだ部4)が小さくなりすぎ、導通性が悪くなるおそれがある。逆に、はんだ粒子の含有量が97質量%を超えると、熱硬化性樹脂バインダーによる補強効果が低下するおそれがある。
Moreover, it is preferable that content of a solder particle is 50-97 mass% with respect to the
また、熱硬化性樹脂バインダーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアン酸エステル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ポリエステル樹脂等の適宜の熱硬化性樹脂を用いることができる。このうち、特に熱硬化性樹脂バインダーとしてエポキシ樹脂を用いるのが好ましい。エポキシ樹脂は比較的低温で硬化すると共に接着性が高いため、従来のはんだリフロー処理の温度(240℃程度)より低い温度でも十分な硬化性を発揮して部品実装を可能とすると共に、十分な補強効果を発揮することができるものである。 Further, the thermosetting resin binder is not particularly limited. For example, an appropriate thermosetting resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, a cyanate ester resin, a benzoxazine resin, or a polyester resin may be used. it can. Among these, it is particularly preferable to use an epoxy resin as the thermosetting resin binder. Epoxy resin cures at a relatively low temperature and has high adhesiveness. Therefore, it exhibits sufficient curability even at a temperature lower than the temperature of conventional solder reflow processing (about 240 ° C.), enabling component mounting and sufficient. A reinforcing effect can be exhibited.
また、熱硬化性樹脂バインダーとして液状等のエポキシ樹脂を用いる場合には、必要に応じて熱硬化性樹脂組成物1中に硬化剤や硬化促進剤を含有させる。
Moreover, when using a liquid epoxy resin as a thermosetting resin binder, the
硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン骨格含有フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等を用いることができる。硬化剤の含有量は適宜に設定することができるが、エポキシ樹脂のエポキシ当量に対する硬化剤の化学量論上の当量比が0.8〜1.2の範囲となるように硬化剤を含有させるのが好ましい。また、硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン等の有機リン化合物、2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン類等を用いることができる。 Although it does not specifically limit as a hardening | curing agent, For example, a phenol novolak resin, a naphthalene skeleton containing phenol resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a phenol aralkyl resin, etc. can be used. Although content of a hardening | curing agent can be set suitably, a hardening | curing agent is included so that the stoichiometric equivalent ratio of the hardening | curing agent with respect to the epoxy equivalent of an epoxy resin may become the range of 0.8-1.2. Is preferred. Further, the curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include organic phosphorus compounds such as triphenylphosphine and trimethylphosphine, 2-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole and the like. Imidazoles, tertiary amines such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triethanolamine and benzyldimethylamine can be used.
また、熱硬化性樹脂バインダーに対して、フラックス成分は1〜50PHR含有されているのが好ましい。これにより、フラックス成分の作用を十分に発揮させることができると共に、熱硬化性樹脂組成物1の硬化後における補強性を高く得ることができるものである。しかし、フラックス成分の含有量が1PHR未満であると、濃度が薄すぎてフラックス成分として十分な作用を発揮させることができない場合があり、そのためはんだ粒子の溶融一体化が阻害され、接続抵抗が高くなってしまうおそれがある。逆に、フラックス成分の含有量が50PHRを超えると、熱硬化性樹脂組成物1の硬化後においてタック性が残ったり、補強性を十分に高く得ることができなくなったりするおそれがある。なお、フラックス成分(PHR)は、{(フラックス成分の質量/熱硬化性樹脂バインダーの質量)×100}によって算出することができる。この場合、熱硬化性樹脂バインダーには、硬化剤や硬化促進剤も含まれる。
Moreover, it is preferable that 1-50 PHR of flux components are contained with respect to the thermosetting resin binder. Thereby, while being able to fully exhibit the effect | action of a flux component, the reinforcement property after hardening of the
また、熱硬化性樹脂組成物1全量に対して、熱硬化性樹脂バインダー及びフラックス成分の合計量が3〜50質量%であることが好ましい。この場合、熱硬化性樹脂バインダーには、硬化剤や硬化促進剤も含まれる。これにより、流動可能な熱硬化性樹脂組成物1を得ることができるものである。また、はんだ粒子が溶融一体化して形成されたはんだ部4の周囲に、ボイドが存在しない熱硬化性樹脂バインダーの硬化物からなる樹脂硬化部5が形成され、この樹脂硬化部5によって十分な補強性を得ることができるものである。さらに、はんだ粒子の溶融一体化が阻害されるのを防止することができ、十分に低い接続抵抗を得ることができるものである。しかし、熱硬化性樹脂バインダー及びフラックス成分の合計量が3質量%未満であると、パテ状又は粉状となって、流動可能な熱硬化性樹脂組成物1を得ることができないおそれがある。また、はんだ粒子が溶融一体化した後、このはんだ部4の周囲には熱硬化性樹脂バインダーの硬化物からなる樹脂硬化部5が形成されるが、この樹脂硬化部5にボイドが多く含まれることとなり、このような樹脂硬化部5によっては十分な補強性を得ることができなくなるおそれがある。逆に、熱硬化性樹脂バインダー及びフラックス成分の合計量が50質量%を超えると、はんだ粒子の割合が少なすぎてこれらの溶融一体化が阻害されたり、十分に低い接続抵抗を得ることができなくなったりするおそれがある。
Moreover, it is preferable that the total amount of a thermosetting resin binder and a flux component is 3-50 mass% with respect to the
なお、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物1には、上記必須成分のほか、通常用いられる改質剤、添加剤等が含有されていてもよい。また、熱硬化性樹脂組成物1の粘度を低減し、流動性を付与する目的で、低沸点の溶剤や可塑剤を加えることもできる。さらに、印刷形状を保持するためのチクソ性付与剤として、硬化ヒマシ油やステアリン酸アミド等を添加することも有効である。
In addition, the
そして、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物1は、融点が240℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、シリコーン樹脂化合物、フラックス成分、必要に応じてその他の成分をディスパー等を用いて均一に混合・混練することによって製造することができる。
And the
次に本発明に係る半導体部品実装基板について説明する。半導体部品実装基板は、図1に示すように、熱硬化性樹脂組成物1を用いて半導体部品2を回路基板3に実装して形成されたものである。なお、半導体部品2としては、BGAやCSP等のみならず、QFP等も用いることができる。
Next, the semiconductor component mounting board according to the present invention will be described. As shown in FIG. 1, the semiconductor component mounting substrate is formed by mounting a
図1に示す半導体部品実装基板は、BGAやCSP等の半導体部品2を熱硬化性樹脂組成物1を用いてFR−4等の回路基板3の両面に実装して形成されたものであり、次のようにして製造することができる。まず回路基板3の一方の面に設けられた電極ごとに熱硬化性樹脂組成物1を塗布し、さらにこの上に半導体部品2を載せた後、図1(a)のようにリフロー炉による1回目の加熱により、先に回路基板3の一方の面に半導体部品2を実装する。このとき熱硬化性樹脂組成物1が硬化し、半導体部品2の端子と回路基板3の電極とを接合する接合部6が形成される。この接合部6は、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部4と、このはんだ部4の周囲を被覆する樹脂硬化部5とで形成されている。次に、この回路基板3を裏返して、回路基板3の他方の面に設けられた電極ごとに熱硬化性樹脂組成物1を塗布し、さらにこの上に半導体部品2を載せた後、図2(b)のようにリフロー炉による2回目の加熱により、回路基板3の他方の面に半導体部品2を実装するようにしている。このとき上記と同様に熱硬化性樹脂組成物1が硬化し、半導体部品2の端子と回路基板3の電極とを接合する接合部6が形成される。この接合部6も、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部4と、このはんだ部4の周囲を被覆する樹脂硬化部5とで形成されている。
The semiconductor component mounting substrate shown in FIG. 1 is formed by mounting a
従来は上記の2回目の加熱(再リフロー)により、先に実装した半導体部品2と回路基板3との接合部6のはんだ部4が再溶融して膨張することによって、図2(b)に示すように、はんだが樹脂硬化部5と回路基板3との隙間や樹脂硬化部5に発生したクラック等から染み出すおそれがあった。そのため、半導体部品2と回路基板3との電気的接続が途切れてしまったり、はんだが樹脂硬化部5と回路基板3との隙間等に流れ込んで広がることで、隣り合う電極と短絡(フラッシュ)するという不良が起こり易かった。
Conventionally, due to the second heating (re-reflow) described above, the
しかし、図1に示す半導体部品実装基板においては、先に実装した半導体部品2と回路基板3との接合部6のはんだ部4が2回目の加熱により再溶融して膨張しても、そのはんだ部4の周囲は、膨張性を有する樹脂硬化部5が取り囲んでおり、この樹脂硬化部5も膨張して隙間を形成しないので、はんだは接合部6から染み出すことがなく、はんだフラッシュは起こり難いものである。すなわち、樹脂硬化部5にはシリコーン樹脂化合物が含有されているので、このシリコーン樹脂化合物の利点である柔らかさがエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂バインダーの欠点である硬さを補うことができる。そのため、このような樹脂硬化部5によりはんだ部4の補強と、はんだ部4の再溶融時におけるフラッシュの防止とを両立させることが可能となる。
However, in the semiconductor component mounting substrate shown in FIG. 1, even if the
このように、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物1にあっては、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部4と、はんだ部4の周囲を被覆する樹脂硬化部5とで、半導体部品2と回路基板3とを接合する接合部6を形成することができるものである。そして、はんだ部4を補強する樹脂硬化部5によって優れた耐落下衝撃性を維持することができるものである。さらに、再リフローにより半導体部品2を回路基板3に実装する場合であっても、樹脂硬化部5中のシリコーン樹脂化合物によってはんだフラッシュを起こり難くすることができるものである。
As described above, in the
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.
(実施例1)
はんだ粒子として、Sn42Bi58(Sn42質量%、Bi58質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は139℃であった。そして、はんだ粒子を80質量部、熱硬化性樹脂バインダーとして液状エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、品番「YD128」)を11質量部、シリコーン樹脂化合物としてシリコーンオイル(信越化学工業株式会社製、品番「X22−163C」)を3質量部、硬化促進剤(味の素ファインテクノ株式会社製、品番「アミキュアPN23」)を2質量部、フラックス成分としてレブリン酸を2質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
Example 1
Sn42Bi58 (Sn42 mass%, Bi58 mass%) was used as the solder particles. The average particle size of the solder particles was 20 μm, and the melting point was 139 ° C. 80 parts by mass of solder particles, 11 parts by mass of liquid epoxy resin (product number “YD128”, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as a thermosetting resin binder, and silicone oil (product number, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a silicone resin compound 3 parts by weight of “X22-163C”), 2 parts by weight of a curing accelerator (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., product number “Amicure PN23”), 2 parts by weight of levulinic acid as a flux component, and uniformly using a disper By mixing and kneading, a paste-like thermosetting resin composition was obtained.
(実施例2)
フラックス成分としてグルタル酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 2)
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that glutaric acid was used as the flux component.
(実施例3)
フラックス成分として2,2−ジメチルグルタル酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 3)
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2,2-dimethylglutaric acid was used as the flux component.
(実施例4)
フラックス成分としてコハク酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
Example 4
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that succinic acid was used as the flux component.
(実施例5)
フラックス成分としてリンゴ酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 5)
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that malic acid was used as the flux component.
(実施例6)
フラックス成分として4−フェニル酪酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 6)
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 4-phenylbutyric acid was used as the flux component.
(実施例7)
フラックス成分としてジグリコール酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 7)
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that diglycolic acid was used as the flux component.
(実施例8)
シリコーン樹脂化合物としてシリコーンパウダー(東レ・ダウコーニング株式会社製、品番「トレフィル601」)を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 8)
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that silicone powder (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., product number “Trefil 601”) was used as the silicone resin compound.
(実施例9)
シリコーン樹脂化合物としてシリコーンオイル(信越化学工業株式会社製、品番「X22−163C」)を6質量部用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
Example 9
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 6 parts by mass of silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product number “X22-163C”) was used as the silicone resin compound.
(実施例10)
はんだ粒子として、Sn42Bi58(Sn42質量%、Bi58質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は139℃であった。そして、はんだ粒子を80質量部、熱硬化性樹脂バインダーとしてシアン酸エステル樹脂(Lonza社製、品番「L−10」)を13質量部、シリコーン樹脂化合物としてシリコーンオイル(信越化学工業株式会社製、品番「X22−163C」)を3質量部、硬化促進剤としてFeアセチルアセトナートを0.1質量部、フラックス成分としてレブリン酸を2質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 10)
Sn42Bi58 (Sn42 mass%, Bi58 mass%) was used as the solder particles. The average particle size of the solder particles was 20 μm, and the melting point was 139 ° C. 80 parts by mass of solder particles, 13 parts by mass of cyanate ester resin (manufactured by Lonza, product number “L-10”) as a thermosetting resin binder, and silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a silicone resin compound 3 parts by mass of product number “X22-163C”), 0.1 part by mass of Fe acetylacetonate as a curing accelerator, and 2 parts by mass of levulinic acid as a flux component, and uniformly mixing and kneading using a disper Thus, a paste-like thermosetting resin composition was obtained.
(実施例11)
はんだ粒子として、Sn96.5Ag3.0Cu0.5(Sn96.5質量%、Ag3.0質量%、Cu0.5質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は218℃であった。そして、はんだ粒子を80質量部、熱硬化性樹脂バインダーとして液状エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、品番「YD128」)を11質量部、シリコーン樹脂化合物としてシリコーンオイル(信越化学工業株式会社製、品番「X22−163C」)を3質量部、硬化促進剤(味の素ファインテクノ株式会社製、品番「アミキュアPN23」)を2質量部、フラックス成分としてグルタル酸を2質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Example 11)
Sn96.5Ag3.0Cu0.5 (Sn96.5% by mass, Ag3.0% by mass, Cu0.5% by mass) was used as the solder particles. The average particle size of the solder particles was 20 μm, and the melting point was 218 ° C. 80 parts by mass of solder particles, 11 parts by mass of liquid epoxy resin (product number “YD128”, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as a thermosetting resin binder, and silicone oil (product number, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a silicone resin compound 3 parts by mass of “X22-163C”), 2 parts by mass of a curing accelerator (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., product number “Amicure PN23”), 2 parts by mass of glutaric acid as a flux component, and uniformly using a disper By mixing and kneading, a paste-like thermosetting resin composition was obtained.
実施例1〜11の熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂バインダーが連続相(海成分)となり、シリコーン樹脂化合物が分散相(島成分)となったミクロドメイン構造(海島構造)を形成していた。なお、ミクロドメイン構造(海島構造)を形成しているか否かは、熱硬化性樹脂組成物だけを硬化させ、これを顕微鏡により観察して確認した。 The thermosetting resin compositions of Examples 1 to 11 form a microdomain structure (sea-island structure) in which the thermosetting resin binder is a continuous phase (sea component) and the silicone resin compound is a dispersed phase (island component). Was. Whether or not a microdomain structure (sea-island structure) was formed was confirmed by curing only the thermosetting resin composition and observing it with a microscope.
(比較例1)
はんだ粒子として、Sn42Bi58(Sn42質量%、Bi58質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は139℃であった。そして、はんだ粒子を80質量部、熱硬化性樹脂バインダーとして液状エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、品番「YD128」)を12質量部、シリコーン樹脂化合物としてシリコーンオイル(信越化学工業株式会社製、品番「X22−163C」)を3質量部、硬化促進剤(味の素ファインテクノ株式会社製、品番「アミキュアPN23」)を3質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Comparative Example 1)
Sn42Bi58 (Sn42 mass%, Bi58 mass%) was used as the solder particles. The average particle size of the solder particles was 20 μm, and the melting point was 139 ° C. 80 parts by mass of solder particles, 12 parts by mass of a liquid epoxy resin (product number “YD128” manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as a thermosetting resin binder, and silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product number) as a silicone resin compound 3 parts by mass of “X22-163C”) and 3 parts by mass of a curing accelerator (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., product number “Amicure PN23”) are mixed and kneaded uniformly using a disper to form a paste A thermosetting resin composition was obtained.
(比較例2)
はんだ粒子として、Sn42Bi58(Sn42質量%、Bi58質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は139℃であった。そして、はんだ粒子を80質量部、熱硬化性樹脂バインダーとして液状エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、品番「YD128」)を14質量部、硬化促進剤(味の素ファインテクノ株式会社製、品番「アミキュアPN23」)を3質量部、フラックス成分としてレブリン酸を3質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Comparative Example 2)
Sn42Bi58 (Sn42 mass%, Bi58 mass%) was used as the solder particles. The average particle size of the solder particles was 20 μm, and the melting point was 139 ° C. Then, 80 parts by mass of solder particles, 14 parts by mass of liquid epoxy resin (product number “YD128”, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) as a thermosetting resin binder, and a curing accelerator (product number “Amure PN23, manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) )) And 3 parts by mass of levulinic acid as a flux component were mixed, and uniformly mixed and kneaded using a disper to obtain a paste-like thermosetting resin composition.
(比較例3)
はんだ粒子として、Sn42Bi58(Sn42質量%、Bi58質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は139℃であった。そして、はんだ粒子を85質量部、シリコーン樹脂化合物としてシリコーンオイル(信越化学工業株式会社製、品番「X22−163C」)を3質量部、フラックス成分としてレブリン酸を5質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の組成物を得た。
(Comparative Example 3)
Sn42Bi58 (Sn42 mass%, Bi58 mass%) was used as the solder particles. The average particle size of the solder particles was 20 μm, and the melting point was 139 ° C. And 85 parts by mass of solder particles, 3 parts by mass of silicone oil (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product number “X22-163C”) as a silicone resin compound, 5 parts by mass of levulinic acid as a flux component are mixed, and a disper is used. By mixing and kneading uniformly, a paste-like composition was obtained.
(比較例4)
はんだ粒子の代わりに融点950℃の銀粉末を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Comparative Example 4)
A thermosetting resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that silver powder having a melting point of 950 ° C. was used instead of the solder particles.
(評価試験)
各実施例及び比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を用いて、次のような評価試験を行った。なお、比較例3の組成物は熱硬化性樹脂組成物の代わりに用いた。
(Evaluation test)
The following evaluation tests were performed using the thermosetting resin compositions obtained in the respective Examples and Comparative Examples. In addition, the composition of Comparative Example 3 was used in place of the thermosetting resin composition.
1.部品シェア強度評価
配線板(FR−4グレード)の表面にAuメッキが施された端子(パッド)を形成し、前記パッドの表面に、通常の方法に従い、熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷法で塗布した。塗布後の熱硬化性樹脂組成物の厚みは、約70μmであった。このように、配線板のパッドに熱硬化性樹脂組成物を塗布した後、このパッド上に0Ωの1608チップ抵抗器をマウントした。この部品が搭載された配線板をリフロー炉で、実施例1〜10及び比較例1〜4については150℃で10分間、実施例11については240℃で10分間加熱することによって、熱硬化性樹脂組成物を硬化させた。そしてこの硬化後のチップ抵抗器の部品シェア強度(接続強度)をシェアテスターにて測定した。
1. Component shear strength evaluation A terminal (pad) plated with Au is formed on the surface of a wiring board (FR-4 grade), and a thermosetting resin composition is screen printed on the surface of the pad according to a normal method. It was applied with. The thickness of the thermosetting resin composition after coating was about 70 μm. Thus, after applying the thermosetting resin composition to the pad of the wiring board, a 0Ω 1608 chip resistor was mounted on the pad. The wiring board on which this component is mounted is heated in a reflow furnace at 150 ° C. for 10 minutes for Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4, and for 10 minutes at 240 ° C. for Example 11 to be thermosetting. The resin composition was cured. And the component shear strength (connection strength) of this chip resistor after hardening was measured with the shear tester.
2.耐フラッシュ性評価
上記の「1.部品シェア強度評価」の場合と同様にして配線板に部品を搭載し、この部品を液状封止材(パナソニック電工株式会社製、品番「CV5420」)で封止し、さらにこれを60℃、90%RH、168時間の条件で吸湿処理した後、240℃のピーク温度で6分間のリフローを行った。その後、軟X線透過装置にてはんだフラッシュの有無を確認した。
2. Flash resistance evaluation In the same manner as in “1. Component share strength evaluation” above, a component is mounted on a wiring board, and this component is sealed with a liquid sealing material (product number “CV5420” manufactured by Panasonic Electric Works Co., Ltd.). This was further subjected to moisture absorption under conditions of 60 ° C., 90% RH and 168 hours, and then reflowed at a peak temperature of 240 ° C. for 6 minutes. Thereafter, the presence or absence of solder flash was confirmed with a soft X-ray transmission device.
以上の評価試験による評価結果を下記表1及び表2に示す。 The evaluation results from the above evaluation tests are shown in Tables 1 and 2 below.
1 熱硬化性樹脂組成物
2 半導体部品
3 回路基板
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014240490A (en) * | 2014-07-24 | 2014-12-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Thermosetting resin composition and semiconductor component mounting board |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9425120B2 (en) | 2012-02-24 | 2016-08-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Semiconductor device and production method therefor |
KR20140117606A (en) * | 2012-02-24 | 2014-10-07 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Semiconductor device and production method therefor |
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CN104910450A (en) * | 2015-06-05 | 2015-09-16 | 四川鑫成新材料科技有限公司 | Special thermoplastic polymer elastomer for pipeline and preparation method thereof |
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US10980160B2 (en) * | 2018-09-26 | 2021-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup module, method for manufacturing image pickup module, and electronic device |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01319529A (en) * | 1988-06-20 | 1989-12-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Epoxy resin composition |
JPH03109797A (en) * | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflow of double-sided mounting board |
JPH1135797A (en) * | 1997-07-15 | 1999-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor, and semiconductor device |
JP2001345418A (en) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Double-sided packaging structure body and manufacturing method thereof |
JP2004023045A (en) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Double-sided mounting method and chip-mounting substrate |
JP4200273B2 (en) * | 2002-07-12 | 2008-12-24 | パナソニック株式会社 | Mounting board manufacturing method |
JP2005097448A (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Liquid epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor apparatus |
JP2005320446A (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device |
JP5411503B2 (en) * | 2006-08-28 | 2014-02-12 | パナソニック株式会社 | Thermosetting resin composition, method for producing the same, and circuit board |
JP2009010254A (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JP4905339B2 (en) * | 2007-12-10 | 2012-03-28 | パナソニック株式会社 | Manufacturing method of electronic component mounting board |
JP5078631B2 (en) * | 2008-01-16 | 2012-11-21 | パナソニック株式会社 | Semiconductor device |
JP5033046B2 (en) * | 2008-04-24 | 2012-09-26 | パナソニック株式会社 | Thermosetting resin composition and method for producing the same |
JP5464463B2 (en) * | 2008-09-25 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | Thermosetting resin composition and circuit board |
-
2010
- 2010-09-27 JP JP2010216212A patent/JP5588287B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014240490A (en) * | 2014-07-24 | 2014-12-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Thermosetting resin composition and semiconductor component mounting board |
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Publication number | Publication date |
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