JP5586860B2 - Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、透光性基板の主面上に半導体発光素子構造を有するとともに、透光性基板の反対面に反射層を有する半導体発光素子及びその半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting element having a semiconductor light emitting element structure on a main surface of a light transmitting substrate and having a reflective layer on the opposite surface of the light transmitting substrate, and a semiconductor light emitting device including the semiconductor light emitting element.

透光性基板上に発光層を有する半導体発光素子構造を設けた半導体発光素子において、透光性基板の裏面側に反射層を設けて、基板側に進行した光を反射させ、半導体発光素子構造の表面側から光を放射する構造の半導体発光素子が種々提案されている。   In a semiconductor light emitting device having a semiconductor light emitting device structure having a light emitting layer on a light transmissive substrate, a reflective layer is provided on the back side of the light transmissive substrate to reflect the light traveling to the substrate side, and the semiconductor light emitting device structure Various semiconductor light emitting devices having a structure for emitting light from the surface side of the semiconductor have been proposed.

例えば、基板の裏面の全面に反射層を設けた半導体発光素子が、特許文献１（段落００１５〜段落００２２，図１，図２）、特許文献２（段落００２５〜段落００２９、図１）に記載されている。また、基板の裏面の一部に反射層を設けた半導体発光素子が、特許文献３（段落００１３〜段落００１８、図１）、特許文献４（段落００１５、図５）、特許文献５（段落００３５〜段落００３８、図２）に記載されている。   For example, semiconductor light-emitting elements in which a reflective layer is provided on the entire back surface of a substrate are described in Patent Document 1 (paragraphs 0015 to 0022, FIGS. 1 and 2) and Patent Document 2 (paragraphs 0025 to 0029 and FIG. 1). Has been. In addition, semiconductor light-emitting elements in which a reflective layer is provided on a part of the back surface of a substrate are disclosed in Patent Document 3 (paragraphs 0013 to 0018, FIG. 1), Patent Document 4 (paragraph 0015, FIG. 5), and Patent Document 5 (paragraph 0035). To paragraph 0038, FIG. 2).

更に、基板の裏面側に、金属からなる反射層とその他の層が積層された半導体発光素子が、特許文献６（段落００５９〜段落００６０、図８）、特許文献７（段落００１８〜段落００２４、図１）、特許文献８（段落００１５〜段落００２０、図１）、特許文献９（段落００２８〜段落００３１、図１）、特許文献１０（段落００１５〜段落００２３、図１）、特許文献１１（段落００２１〜段落００３１、図１）に記載されている。
そして、このような半導体発光素子において、透光性基板の裏面側における反射層の更に上面側に接着層を設け、この接着層によって実装基板に接合する実装方法がある。 Further, a semiconductor light emitting device in which a reflective layer made of metal and other layers are laminated on the back side of the substrate is disclosed in Patent Document 6 (paragraph 0059 to paragraph 0060, FIG. 8), Patent Document 7 (paragraph 0018 to paragraph 0024, 1), Patent Document 8 (paragraph 0015 to paragraph 0020, FIG. 1), Patent Document 9 (paragraph 0028 to paragraph 0031, FIG. 1), Patent Document 10 (paragraph 0015 to paragraph 0023, FIG. 1), Patent Document 11 ( Paragraphs 0021 to 0031, FIG. 1).
In such a semiconductor light emitting device, there is a mounting method in which an adhesive layer is further provided on the upper surface side of the reflective layer on the back surface side of the translucent substrate, and the adhesive layer is bonded to the mounting substrate.

従来は、これらの半導体発光素子を実装基板に実装する場合、Ａｕ−Ｓｎなどの接着材料を用いて接合するが（例えば、前記した特許文献７、特許文献９参照）、半導体発光素子の基板裏面に反射層を設ける場合、反射層の側面を伝って反射層と基板との界面に接着材料のＡｕ−Ｓｎの一部が移動してくる。   Conventionally, when these semiconductor light emitting elements are mounted on a mounting substrate, bonding is performed using an adhesive material such as Au—Sn (see, for example, Patent Document 7 and Patent Document 9 described above). In the case where the reflective layer is provided, a part of the Au—Sn adhesive material moves to the interface between the reflective layer and the substrate along the side surface of the reflective layer.

ここで、図１３を参照してこの接着材料の移動について説明する。図１３は、従来技術による半導体発光素子において、接着材料が反射層と基板との界面に移動した様子を説明するための半導体発光素子の模式図であり、（ａ）は半導体発光素子を接着層側からみた模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。   Here, the movement of the adhesive material will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a schematic view of a semiconductor light emitting device for explaining a state in which an adhesive material has moved to the interface between the reflective layer and the substrate in a semiconductor light emitting device according to the prior art. FIG. It is the typical top view seen from the side, (b) is typical sectional drawing in the AA of (a).

図１３において、従来技術による半導体発光素子２００は、透光性の基板１の一方の主面上に発光層３を有する半導体発光素子構造２０を設け、他方の主面、すなわち基板１の裏面上に反射層８と、絶縁層２０９と、中間層１０と、接着層１１とが積層されている。そして、接着層１１の材料が、反射層８の側面を伝い、接着材料若しくは接着材料と反射層８の材料との混合物などの析出物２０８ａが、反射層８と透光性の基板１との界面に析出する。
基板１との界面に移動した析出物２０８ａは発光層３からの光を吸収するため、半導体発光素子２００の発光出力が低下し、また配光特性が変わるという問題がある。 In FIG. 13, a semiconductor light emitting device 200 according to the prior art is provided with a semiconductor light emitting device structure 20 having a light emitting layer 3 on one main surface of a translucent substrate 1, and the other main surface, that is, on the back surface of the substrate 1. The reflective layer 8, the insulating layer 209, the intermediate layer 10, and the adhesive layer 11 are laminated. Then, the material of the adhesive layer 11 travels along the side surface of the reflective layer 8, and a precipitate 208 a such as an adhesive material or a mixture of the adhesive material and the reflective layer 8 is formed between the reflective layer 8 and the translucent substrate 1. Precipitates at the interface.
Since the precipitate 208a that has moved to the interface with the substrate 1 absorbs light from the light emitting layer 3, there is a problem in that the light emission output of the semiconductor light emitting device 200 decreases and the light distribution characteristics change.

一方、多層膜を備えた半導体発光素子において、異なる材料で形成された膜の間で、膜材料の移動による影響を防止するため、バリア層を設ける方法がある。例えば、前記した特許文献１１には、反射層材料であるＡｇが、ＧａＮ基板に移動して半導体発光素子としての電子的及び化学的な影響を防止するために、反射層をＴｉＷＮ（窒化チタンタングステン）層及びＴｉＷ（チタンタングステン）層で被覆する半導体発光素子が記載されている。   On the other hand, in a semiconductor light emitting device having a multilayer film, there is a method of providing a barrier layer in order to prevent the influence of movement of the film material between films formed of different materials. For example, in Patent Document 11 described above, in order that Ag, which is a reflective layer material, moves to a GaN substrate and prevents electronic and chemical influences as a semiconductor light emitting device, the reflective layer is formed of TiWN (titanium nitride tungsten). ) Layer and a TiW (titanium tungsten) layer are described.

特開平１０−２７０７５４号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-270754 特開２００１−３３２７６２号公報JP 2001-332762 A 特開平１０−１９００５４号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-190054 特開平８−３２１１６号公報JP-A-8-32116 特開２００５−６４４２６号公報JP 2005-64426 A 特開２００１−２８４６４２号公報JP 2001-284642 A 特開２００８−１９２８２５号公報JP 2008-192825 A 特開２００２−３４４０２０号公報JP 2002-344020 A 特開２００５−７２１４８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-72148 特開２００２−１９０６２０号公報JP 2002-190620 A 特開２００８−４７９２４号公報JP 2008-47924 A

しかしながら、反射層に対してこのような構成を適用しても、接着層からの材料の移動を完全に防ぐことはできなかった。
本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、反射層と基板との間への接着層の材料の移動を防止する半導体発光素子及びその半導体発光素子を備えた半導体発光装置を提供することである。 However, even if such a configuration is applied to the reflective layer, the movement of the material from the adhesive layer cannot be completely prevented.
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor light-emitting element that prevents the material of the adhesive layer from moving between the reflective layer and the substrate, and a semiconductor including the semiconductor light-emitting element. It is to provide a light emitting device.

前記した目的を達成するために、請求項１に記載の半導体発光素子は、第１主面と第２主面とを備えるサファイアからなる透光性基板の第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、反射層と絶縁層と接着層とを有する構成とした。更に、半導体発光素子は、絶縁層と接着層との間に応力緩和層を有し、前記応力緩和層は、互いに種類の異なる第１の層と第２の層とを、交互にそれぞれ２層以上積層し、前記第１の層は前記反射層に用いる金属と同じ金属又はその窒化物からなり、前記第２の層は前記反射層に用いる金属とは異なる金属又はその窒化物からなるように構成した。 In order to achieve the above-described object, the semiconductor light-emitting device according to claim 1 has at least a light-emitting layer on a first main surface of a translucent substrate made of sapphire having a first main surface and a second main surface. A semiconductor light emitting device having a semiconductor light emitting device structure having a reflective layer, an insulating layer, and an adhesive layer. Furthermore, the semiconductor light emitting element has a stress relaxation layer between the insulating layer and the adhesive layer, and the stress relaxation layer includes two layers of a first layer and a second layer which are different from each other alternately. The first layer is made of the same metal as the metal used for the reflective layer or a nitride thereof, and the second layer is made of a metal different from the metal used for the reflective layer or a nitride thereof. Configured.

かかる構成によれば、半導体発光素子は、金属酸化物からなる絶縁層によって、半導体発光素子構造を積層させた第１主面とは反対側の面である第２主面上に設けられた半導体発光素子構造の発光層から放出された光を反射する金属からなる反射層の透光性基板と反対側の面及び側面を被覆するとともに、当該反射層の外縁の外側で前記透光性基板の前記第２主面と接する。そして、半導体発光素子は、絶縁層の透光性基板と反対側の面上に設けられた金属からなる接着層によって、実装基板と接合する。
これによって、基板と絶縁層とによって反射層を隠蔽する。また、半導体発光素子は、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和する。
また、請求項２に記載の半導体発光素子は、第１主面と第２主面とを備えるサファイアからなる透光性基板の前記第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、前記半導体発光素子構造を積層させた前記第１主面とは反対側の面である前記第２主面上に、前記発光層から放出された光を反射する金属からなる反射層と、前記反射層の前記透光性基板と反対側の面及び側面を被覆するとともに、前記透光性基板の側面まで延在して当該透光性基板の側面と接する絶縁層と、前記絶縁層の前記反射層と反対側の面上に設けられた金属からなる接着層と、を有し、前記絶縁層は、金属酸化物からなるように構成した。更に、半導体発光素子は、絶縁層と接着層との間に応力緩和層を有し、前記応力緩和層は、互いに種類の異なる第１の層と第２の層とを、交互にそれぞれ２層以上積層し、前記第１の層は前記反射層に用いる金属と同じ金属又はその窒化物からなり、前記第２の層は前記反射層に用いる金属とは異なる金属又はその窒化物からなるように構成した。 According to this configuration, the semiconductor light-emitting element is a semiconductor provided on the second main surface, which is the surface opposite to the first main surface on which the semiconductor light-emitting element structure is stacked, by the insulating layer made of a metal oxide. The reflective layer made of a metal that reflects light emitted from the light emitting layer of the light emitting element structure covers a surface and side surfaces opposite to the light transmissive substrate, and the outer side of the reflective layer has an outer edge of the reflective layer. The second main surface is contacted. The semiconductor light emitting element is bonded to the mounting substrate by an adhesive layer made of metal provided on the surface of the insulating layer opposite to the light transmitting substrate.
Thereby, the reflective layer is concealed by the substrate and the insulating layer. Further, the semiconductor light emitting element relaxes the stress between the reflective layer and the adhesive layer by the stress relaxation layer.
The semiconductor light-emitting device according to claim 2 has at least a light-emitting layer on the first main surface of a translucent substrate made of sapphire having a first main surface and a second main surface. The semiconductor light-emitting device having the light-emitting device reflects light emitted from the light-emitting layer onto the second main surface, which is a surface opposite to the first main surface on which the semiconductor light-emitting device structures are stacked. A reflective layer made of a metal and an insulating layer that covers a surface and a side surface of the reflective layer opposite to the translucent substrate and extends to a side surface of the translucent substrate and is in contact with the side surface of the translucent substrate And an adhesive layer made of metal provided on a surface of the insulating layer opposite to the reflective layer, and the insulating layer is made of metal oxide. Furthermore, the semiconductor light emitting element has a stress relaxation layer between the insulating layer and the adhesive layer, and the stress relaxation layer includes two layers of a first layer and a second layer which are different from each other alternately. The first layer is made of the same metal as the metal used for the reflective layer or a nitride thereof, and the second layer is made of a metal different from the metal used for the reflective layer or a nitride thereof. Configured.

請求項３に記載の半導体発光素子は、請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子において、反射層を、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなる材料によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、これらの金属材料によって形成される反射層によって、発光層から下方に放出される光を反射して上方に偏向する。 The semiconductor light emitting device according to claim 3 is the semiconductor light emitting device according to claim 1 or 2 , wherein the reflective layer is selected from Al, Ag, Al alloy, Ag alloy, Rh and Pt. It was decided to comprise with the material which consists of.
According to such a configuration, the semiconductor light emitting element reflects the light emitted downward from the light emitting layer and deflects it upward by the reflective layer formed of these metal materials.

請求項４に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体発光素子において、接着層は、Ａｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなる材料によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、これらの金属材料によって形成される接着層を接着剤として、熱圧着などによって実装基板に接合する。 The semiconductor light emitting device according to claim 4 is the semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive layer is made of a material made of Au-Sn or Pd-Sn. did.
According to this configuration, the semiconductor light emitting element is bonded to the mounting substrate by thermocompression bonding or the like using the adhesive layer formed of these metal materials as an adhesive.

請求項５に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の半導体発光素子において、絶縁層は、ＳｉＯ２によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁材料であるＳｉＯ２によって形成される絶縁膜によって、反射層を被覆する。 The semiconductor light emitting device according to claim 5 is the semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the insulating layer is made of SiO 2 .
According to such a configuration, the semiconductor light emitting element covers the reflective layer with the insulating film formed of SiO 2 that is an insulating material.

請求項６に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の半導体発光素子において、反射層と透光性基板との間に透光性層を有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、発光層から下方に放出された光であって、透光性基板の屈折率と、透光性層の屈折率で定まる臨界角以上で入射した光を全反射して上方に偏向する。これによって、反射層に到達する光を低減する。
また、半導体発光素子は、透光性層と絶縁層とによって、反射層を隠蔽する。 The semiconductor light-emitting device according to claim 6 is the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein the semiconductor light-emitting device has a translucent layer between the reflective layer and the translucent substrate. did.
According to such a configuration, the semiconductor light emitting element emits light emitted downward from the light emitting layer and incident at an angle greater than the critical angle determined by the refractive index of the translucent substrate and the refractive index of the translucent layer. Total reflection and deflection upward. Thereby, the light reaching the reflective layer is reduced.
In the semiconductor light emitting device, the reflective layer is concealed by the translucent layer and the insulating layer.

請求項７に記載の半導体発光素子は、請求項６に記載の半導体発光素子において、透光性層は、金属酸化物からなる材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、金属酸化物によって形成される透光性層によって、透光性基板の屈折率と、透光性層の屈折率で定まる臨界角以上で入射した光を全反射する。また、半導体発光素子は、金属酸化物で形成された透光性層と絶縁層とによって、反射層を隠蔽する。 The semiconductor light-emitting device according to claim 7 is the semiconductor light-emitting device according to claim 6, wherein the light-transmitting layer is made of a material made of a metal oxide.
According to such a configuration, the semiconductor light emitting device allows light incident at a critical angle determined by the refractive index of the light transmissive substrate and the refractive index of the light transmissive layer to be incident by the light transmissive layer formed of the metal oxide. Total reflection. Further, in the semiconductor light emitting device, the reflective layer is concealed by the translucent layer and the insulating layer formed of a metal oxide.

請求項８に記載の半導体発光素子は、請求項６又は請求項７に記載の半導体発光素子において、透光性層と絶縁層とは、同じ材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、透光性層と絶縁層とを形成する同一材料によって反射層を隠蔽する。 The semiconductor light-emitting device according to claim 8 is the semiconductor light-emitting device according to claim 6 or 7, wherein the translucent layer and the insulating layer are made of the same material.
According to such a configuration, the semiconductor light emitting element conceals the reflective layer with the same material that forms the translucent layer and the insulating layer.

請求項９に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の半導体発光素子において、前記第１の層は前記反射層より膜厚が薄く、前記第２の層は前記反射層から離れる層ほど膜厚が厚いように構成した。
また、請求項１０に記載の半導体発光素子は、請求項９に記載の半導体発光素子において、前記第２の層は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料からなるように構成した。 The device according to 請 Motomeko 9, in the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the first layer is thinner the thickness of the reflecting layer, the second This layer was configured such that the layer farther from the reflective layer was thicker.
The semiconductor light emitting device according to claim 10 is the semiconductor light emitting device according to claim 9 , wherein the second layer is made of a material of a component containing at least one of W and WN. .

請求項１１に記載の半導体発光素子は、請求項１、又は請求項２を引用するものを除く請求項３乃至請求項１０の何れか一項に記載の半導体発光素子において、透光性基板は、第２主面において露出部を有し、露出部と反射層との間に絶縁層を有するように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁層によって反射層の側面を被覆するとともに、発光層から下方に放出され、透光性基板を透過する光の一部を、露出部から半導体発光素子の外に取り出す。 The device according to claim 11, in the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 3 to 10 except those cited claim 1, or claim 2, the light-transmitting substrate is The second main surface has an exposed portion, and an insulating layer is provided between the exposed portion and the reflective layer.
According to such a configuration, the semiconductor light emitting device covers the side surface of the reflective layer with the insulating layer, and emits a part of the light emitted downward from the light emitting layer and transmitted through the translucent substrate from the exposed portion. Take out the outside.

請求項１２に記載の半導体発光素子は、請求項１１に記載の半導体発光素子において、露出部は絶縁層の外縁の外側に設けるように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁層の外縁の外側、すなわち透光性基板の第２主面の外周に設けられた露出部から、発光層から下方に放出され、透光性基板を透過する光の一部を半導体発光素子の外に取り出す。 According to a twelfth aspect of the present invention , in the semiconductor light emitting element according to the eleventh aspect , the exposed portion is provided outside the outer edge of the insulating layer.
According to such a configuration, the semiconductor light emitting element is emitted downward from the light emitting layer from the exposed portion provided on the outer edge of the insulating layer, that is, the outer periphery of the second main surface of the light transmitting substrate, and the light transmitting substrate. Part of the light that passes through is taken out of the semiconductor light emitting device.

請求項１３に記載の半導体発光装置は、請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の半導体発光素子を備える構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、半導体発光素子の接着層によって、反射層の透光性基板と反対側の面と側面とを絶縁層によって被覆された半導体発光素子と実装基板とを接合する。 A semiconductor light-emitting device according to a thirteenth aspect includes the semiconductor light-emitting element according to any one of the first to twelfth aspects.
According to such a configuration, the semiconductor light-emitting device joins the mounting substrate to the semiconductor light-emitting element in which the surface and the side opposite to the translucent substrate of the reflective layer are covered with the insulating layer by the adhesive layer of the semiconductor light-emitting element. To do.

請求項１４に記載の半導体発光装置は、請求項１３に記載の半導体発光装置において、実装基板は、実装領域と反射領域とを有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、実装基板の表面の実装領域に半導体発光素子を接着層によって接合し、半導体発光素子の外に取り出された光の一部を、実装基板表面の反射領域で反射し、観察方向に光を偏向する。 A semiconductor light emitting device according to a fourteenth aspect is the semiconductor light emitting device according to the thirteenth aspect , wherein the mounting substrate has a mounting region and a reflective region.
According to this configuration, the semiconductor light emitting device joins the semiconductor light emitting element to the mounting region on the surface of the mounting substrate by the adhesive layer, and converts a part of the light extracted outside the semiconductor light emitting element to the reflective region on the surface of the mounting substrate. And deflect the light in the viewing direction.

請求項１５に記載の半導体発光装置は、請求項１３又は請求項１４に記載の半導体発光装置において、半導体発光素子を覆うように蛍光体を含有する封止部材で封止するように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、蛍光体によって波長変換をするとともに、封止部材によって、半導体発光素子を、外力や水分などから保護する。 The semiconductor light emitting device according to claim 15 is configured to be sealed with a sealing member containing a phosphor so as to cover the semiconductor light emitting element in the semiconductor light emitting device according to claim 13 or claim 14 .
According to such a configuration, the semiconductor light emitting device converts the wavelength by the phosphor and protects the semiconductor light emitting element from external force, moisture, and the like by the sealing member.

請求項１又は請求項２に記載の発明によれば、反射層が絶縁層によって被覆されるため、接着層の材料が反射層に移動することが防止される。そのため、反射層が接着層の材料によって変色することがなく、発光層から放出される光を効率よく反射することができる。また、金属酸化物からなる絶縁材料によって絶縁層を形成したため、絶縁性が高く、反射層の透光性基板と反対側の面と側面とを好適に被覆することができる。また、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和したため、反射層の透光性基板からの剥離を防止するとともに、応力緩和層によって、接着層を構成する材料の反射層側への移動を抑制するため、反射層の変色をより良好に防止することができる。
請求項３に記載の発明によれば、反射層を、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなる材料によって形成したため、反射層によって光を効率よく反射することができる。 According to the first or second aspect of the invention, since the reflective layer is covered with the insulating layer, the material of the adhesive layer is prevented from moving to the reflective layer. Therefore, the reflective layer does not change color depending on the material of the adhesive layer, and the light emitted from the light emitting layer can be efficiently reflected. In addition, since the insulating layer is formed of an insulating material made of a metal oxide, the insulating layer has high insulating properties, and the surface and side surface of the reflective layer opposite to the light- transmitting substrate can be suitably covered. Moreover, since the stress between the reflective layer and the adhesive layer is relaxed by the stress relaxation layer, the reflective layer is prevented from peeling off from the translucent substrate, and the reflective layer of the material constituting the adhesive layer is formed by the stress relaxation layer. Since the movement to the side is suppressed, discoloration of the reflective layer can be prevented more favorably.
According to the invention of claim 3, since the reflective layer is formed of a material made of any one selected from Al, Ag, Al alloy, Ag alloy, Rh, and Pt, the light is efficiently reflected by the reflective layer. can do.

請求項４に記載の発明によれば、接着層をＡｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなる材料によって形成したため、高い密着性で半導体発光素子と実装基板とを接合することができる。 According to the invention described in claim 4 , since the adhesive layer is formed of a material made of Au—Sn or Pd—Sn, the semiconductor light emitting element and the mounting substrate can be bonded with high adhesion.

請求項５に記載の発明によれば、ＳｉＯ２によって絶縁膜を形成したため、絶縁性が高く、より好適に反射層の透光性基板と反対側の面と側面とを被覆することができる。
請求項６に記載の発明によれば、透光性層によって光の一部を反射し、反射層に到達する光を低減するため、反射層へ到達する光を低減でき、特に金属材料を用いた場合の反射層における光の吸収による損失を低減できるため、光の半導体発光素子の外への取り出し効率を向上することができる。 According to the fifth aspect of the present invention, since the insulating film is formed of SiO 2 , the insulating property is high, and the surface and the side surface of the reflective layer opposite to the translucent substrate can be more suitably covered.
According to the invention described in claim 6, since a part of the light is reflected by the translucent layer and the light reaching the reflective layer is reduced, the light reaching the reflective layer can be reduced. In this case, loss due to light absorption in the reflective layer can be reduced, so that the efficiency of extracting light out of the semiconductor light emitting element can be improved.

請求項７に記載の発明によれば、金属酸化物によって透光性層を形成したため、透光性基板と透光性層との密着性がよく、透光性層が剥離し難いとともに、透光性層と透光性基板との界面での光の反射を効率よくすることができる。
請求項８に記載の発明によれば、透光性層と絶縁層とを同一の材料で形成したため、透光性層と絶縁層との接合性がよく、反射層をより良好に隠蔽することができ、良好に接着層の材料の移動を防ぐことができる。 According to the seventh aspect of the present invention, since the translucent layer is formed of the metal oxide, the adhesion between the translucent substrate and the translucent layer is good, the translucent layer is difficult to peel off, and the translucent layer is transparent. Light can be efficiently reflected at the interface between the light-transmitting layer and the light-transmitting substrate.
According to the invention described in claim 8, since the light-transmitting layer and the insulating layer are formed of the same material, the bonding property between the light-transmitting layer and the insulating layer is good, and the reflective layer is better concealed. It is possible to prevent the movement of the material of the adhesive layer.

請求項９に記載の発明によれば、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力をより良好に緩和して、反射層の透光性基板からの剥離を防止することができる。
請求項１０に記載の発明によれば、応力緩和層によって、接着層を構成する材料の反射層側への移動をより良好に抑制して、反射層の変色をより良好に防止することができる。 According to the invention described in claim 9, it is possible by the stress relieving layer, and better relieve stress between the reflective layer and the adhesive layer, to prevent peeling from the translucent substrate of the reflective layer .
According to the invention of claim 1 0, that the stress relaxation layer, and better suppress the movement of the reflective layer side of the material constituting the adhesive layer, to better prevent discoloration of the reflective layer Can do.

請求項１１に記載した発明によれば、透光性基板を透過する光の一部を、露出部から半導体発光素子の外に取り出すようにしたため、半導体発光素子から外への光の取り出し効率を向上することができる。
請求項１２に記載の発明によれば、透光性基板の第２主面の外周に設けられた露出部から、透光性基板を透過する光の一部を半導体発光素子の外に取り出すようにしたため、透光性基板の側面から露出部が連続し、透光性基板の第２主面の露出部からの光取り出しと、透光性基板の側面からの光取り出しとが相乗して、より効率的に光を半導体発光素子の外に取り出すことができる。 According to the eleventh aspect of the invention, since a part of the light transmitted through the translucent substrate is extracted from the exposed portion to the outside of the semiconductor light emitting device, the light extraction efficiency from the semiconductor light emitting device to the outside is improved. Can be improved.
According to the twelfth aspect of the present invention, a part of the light transmitted through the translucent substrate is taken out of the semiconductor light emitting element from the exposed portion provided on the outer periphery of the second main surface of the translucent substrate. Therefore, the exposed portion is continuous from the side surface of the translucent substrate, the light extraction from the exposed portion of the second main surface of the translucent substrate and the light extraction from the side surface of the translucent substrate are synergistic, Light can be taken out of the semiconductor light emitting element more efficiently.

請求項１３に記載の発明によれば、反射層の透光性基板と反対側の面と側面とを絶縁層によって被覆された半導体発光素子を、接着層によって実装基板と接合するようにしたため、反射層が変色することなく、強固に実装基板と接合することができる。
請求項１４に記載の発明によれば、実装基板の表面の反射領域によって、半導体発光素子の外に取り出された光の一部を反射し、観察方向に光を偏向するようにしたため、半導体発光装置として、実効的な発光効率を向上することができる。
請求項１５に記載の発明によれば、蛍光体によって波長変換をするとともに、封止部材によって、半導体発光素子を、外力や水分などから保護するようにしたため、安定した波長と発光量の光を出力することができる。 According to the invention described in claim 13 , since the semiconductor light emitting device in which the surface and the side opposite to the light transmissive substrate of the reflective layer are covered with the insulating layer is joined to the mounting substrate by the adhesive layer, The reflective layer can be firmly bonded to the mounting substrate without discoloring.
According to the fourteenth aspect of the present invention, a part of the light extracted outside the semiconductor light emitting element is reflected by the reflective region on the surface of the mounting substrate, and the light is deflected in the observation direction. As a device, effective luminous efficiency can be improved.
According to the fifteenth aspect of the present invention, the wavelength conversion is performed by the phosphor, and the semiconductor light emitting element is protected from the external force or moisture by the sealing member. Can be output.

本発明に係る第１実施形態の半導体発光素子の構造を示す模式図であり、（ａ）は接着層側から見た模式的平面図であり、（ａ）は、（ｂ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the structure of the semiconductor light-emitting device of 1st Embodiment which concerns on this invention, (a) is typical top view seen from the contact bonding layer side, (a) is AA of (b). It is a typical sectional view in a line. 本発明に係る第１実施形態のチップ化される前の半導体発光素子がウエハ上で形成された様子を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows a mode that the semiconductor light-emitting device before chip-izing of 1st Embodiment which concerns on this invention was formed on the wafer. 本発明に係る第１実施形態における半導体発光素子の製造方法において、反射層と絶縁層を形成する工程の変形例を説明するための模式的断面図であり、（ａ）は２種類のレジストによるマスクパターンを形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｂ）は先細り部を有するレジストのマスクパターンを形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｃ）は反射層を形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｄ）は更に絶縁層を形成した様子を示す模式的断面図である。In the manufacturing method of the semiconductor light-emitting device in 1st Embodiment concerning this invention, it is typical sectional drawing for demonstrating the modification of the process of forming a reflective layer and an insulating layer, (a) is based on two types of resists It is typical sectional drawing which shows a mode that the mask pattern was formed, (b) is a typical sectional view which shows a mode that the mask pattern of the resist which has a taper part was formed, (c) A mode that the reflection layer was formed (D) is a schematic cross-sectional view showing a state in which an insulating layer is further formed. 本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第１の例を示す模式図であり、（ａ）は模式的断面図であり、（ｂ）は（ａ）において反射層が絶縁層と透光性層とによって隠蔽される様子を示す模式的断面図である。It is a schematic diagram which shows the 1st example of the structure of the semiconductor light-emitting device in 2nd Embodiment which concerns on this invention, (a) is typical sectional drawing, (b) is a reflection layer in (a), and is an insulating layer It is typical sectional drawing which shows a mode that it is concealed by and a translucent layer. 本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第２の例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing the 2nd example of the structure of the semiconductor light emitting element in a 2nd embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第３の例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing the 3rd example of the structure of the semiconductor light emitting element in a 2nd embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第４の例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing the 4th example of the structure of the semiconductor light emitting element in a 2nd embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第５の例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing the 5th example of the structure of the semiconductor light emitting element in a 2nd embodiment concerning the present invention. 本発明に係る第３実施形態における半導体発光装置の構造を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device in 3rd Embodiment concerning this invention. 従来技術による比較例１における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device in the comparative example 1 by a prior art. 従来技術による比較例２における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device in the comparative example 2 by a prior art. 従来技術による比較例３における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the structure of the semiconductor light-emitting device in the comparative example 3 by a prior art. 従来技術による半導体発光素子において、接着材料が反射層と基板との界面に移動した様子を説明するための半導体発光素子の模式図であり、（ａ）は半導体発光素子を接着層側から見た模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a semiconductor light emitting device for explaining a state in which an adhesive material moves to an interface between a reflective layer and a substrate in a semiconductor light emitting device according to the prior art, and (a) shows the semiconductor light emitting device viewed from the adhesive layer side. It is a typical top view, (b) is a typical sectional view in the AA line of (a).

以下、本発明の実施形態について、適宜図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
＜構成＞
図１を参照して、第１実施形態の半導体発光素子１００の構成について説明する。第１実施形態にかかる半導体発光素子は、例えば、ＬＥＤ構造を有する発光素子である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings as appropriate.
(First embodiment)
<Configuration>
With reference to FIG. 1, the structure of the semiconductor light emitting device 100 of the first embodiment will be described. The semiconductor light emitting device according to the first embodiment is, for example, a light emitting device having an LED structure.

図１（ｂ）に示したように、第１実施形態の半導体発光素子１００は、透光性の基板１と、その基板１の一方の主面（これを第１主面とする）上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０が設けられている。半導体発光素子構造２０は、例えば、窒化物半導体からなるｎ型半導体層２と発光層３とｐ型半導体層４とを積層した半導体の積層構造を有し、ｐ型半導体層４の表面にはｐ側全面電極６とｐ側パッド電極７とが設けられている。また、半導体の積層構造の一部が除去され、ｎ型半導体層２が露出された露出面には、ｎ側電極５が設けられている。   As shown in FIG. 1B, the semiconductor light emitting device 100 according to the first embodiment includes a translucent substrate 1 and one main surface of the substrate 1 (this is referred to as a first main surface). A semiconductor light emitting device structure 20 having the light emitting layer 3 is provided. The semiconductor light emitting device structure 20 has, for example, a semiconductor laminated structure in which an n-type semiconductor layer 2 made of a nitride semiconductor, a light emitting layer 3 and a p-type semiconductor layer 4 are laminated. A p-side full surface electrode 6 and a p-side pad electrode 7 are provided. An n-side electrode 5 is provided on the exposed surface from which a part of the semiconductor laminated structure is removed and the n-type semiconductor layer 2 is exposed.

基板１の他方の主面（すなわち第１主面の裏面であり、これを第２主面とする）上には、反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。図１（ａ）、（ｂ）に示したように、絶縁層９は、反射層８の上面（基板１と反対側の面）及び側面を被覆するように設けられている。また、基板１の第２主面には、絶縁層９の外縁の外側に、基板面が露出した露出部１ａが設けられている。   On the other main surface of the substrate 1 (that is, the back surface of the first main surface, which is the second main surface), the reflective layer 8, the insulating layer 9, the intermediate layer 10, and the adhesive layer 11 are sequentially stacked. A laminated structure 30 is provided. As shown in FIGS. 1A and 1B, the insulating layer 9 is provided so as to cover the upper surface (surface opposite to the substrate 1) and side surfaces of the reflective layer 8. Further, the second main surface of the substrate 1 is provided with an exposed portion 1 a where the substrate surface is exposed outside the outer edge of the insulating layer 9.

引き続き、図１を参照して各部の構成について詳細に説明する。
（基板）
基板（透光性基板）１は、サファイアやＳｉＣなどからなる半導体発光素子を形成するための基板である。半導体として窒化物半導体を用いた半導体発光素子用の基板としては、サファイアからなる透光性の基板が好適である。
なお、本発明において、半導体発光素子構造２０は窒化物半導体を用いたものに限定されないが、基板１は、少なくとも半導体発光素子構造２０が発光する光の波長に対して透光性を有する材料からなる基板を用いる。 Next, the configuration of each unit will be described in detail with reference to FIG.
(substrate)
A substrate (translucent substrate) 1 is a substrate for forming a semiconductor light emitting element made of sapphire, SiC, or the like. As a substrate for a semiconductor light emitting device using a nitride semiconductor as a semiconductor, a light-transmitting substrate made of sapphire is suitable.
In the present invention, the semiconductor light emitting device structure 20 is not limited to the one using a nitride semiconductor, but the substrate 1 is made of a material having translucency for at least the wavelength of light emitted by the semiconductor light emitting device structure 20. A substrate is used.

（半導体発光素子構造）
半導体発光素子構造２０は、基板１の第１主面上に設けられ、窒化物半導体からなるｎ型半導体層２と発光層３とｐ型半導体層４とを積層した積層構造と、この積層構造に電流を供給するためのｎ側電極５と、ｐ側全面電極６及びｐ側パッド電極７と、から構成されている。 (Semiconductor light emitting device structure)
The semiconductor light emitting device structure 20 is provided on the first main surface of the substrate 1 and has a stacked structure in which an n-type semiconductor layer 2, a light emitting layer 3, and a p-type semiconductor layer 4 made of a nitride semiconductor are stacked, and this stacked structure. The n-side electrode 5 for supplying current to the p-side electrode, the p-side full-surface electrode 6 and the p-side pad electrode 7 are configured.

なお、半導体発光素子構造２０は、少なくとも発光層を有し、より好適には基板１の第１主面上に第１導電型半導体、発光層及び第２導電型半導体がこの順に形成される。半導体発光素子構造２０の具体的な例として、基板１側から順に、ｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４が積層された構成を有する。例えば窒化物半導体であるＧａＮ系化合物半導体を用い、基板１の第１主面上に、バッファ層、マスク層、中間層等の下地層を介して、１〜２μｍ程度の厚さのｎ型半導体層２、５０〜１５０ｎｍ程度の厚さの発光層３、１００〜３００ｎｍ程度の厚さのｐ型半導体層４を形成する。各層は２層以上で構成されていてもよい。
また、電極と接触するコンタクト層、キャリアの閉じ込めを行うクラッド層等の機能を有する層を複数設けてもよい。 The semiconductor light emitting element structure 20 has at least a light emitting layer, and more preferably, a first conductive semiconductor, a light emitting layer, and a second conductive semiconductor are formed in this order on the first main surface of the substrate 1. As a specific example of the semiconductor light emitting element structure 20, an n-type semiconductor layer 2, a light emitting layer 3, and a p-type semiconductor layer 4 are stacked in order from the substrate 1 side. For example, a GaN-based compound semiconductor that is a nitride semiconductor is used, and an n-type semiconductor having a thickness of about 1 to 2 μm is formed on the first main surface of the substrate 1 through a base layer such as a buffer layer, a mask layer, or an intermediate layer. The layer 2, the light emitting layer 3 having a thickness of about 50 to 150 nm, and the p-type semiconductor layer 4 having a thickness of about 100 to 300 nm are formed. Each layer may be composed of two or more layers.
A plurality of layers having functions such as a contact layer in contact with the electrode and a clad layer for confining carriers may be provided.

半導体層としては、具体例として後記する窒化ガリウム系化合物半導体の場合は、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）のものを用いることができる。また、これに加えて、ＩＩＩ族元素としてＢが一部に置換されたものを用いてもよいし、Ｖ族元素としてＮの一部をＰ、Ａｓで置換されたものを用いてもよい。ｎ型半導体層２は、ｎ型不純物としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｄ等のＩＶ族元素又はＶＩ族元素等の何れか１つ以上を含有している。また、ｐ型半導体層４は、ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｓｒ等を含有している。不純物は、例えば、１×１０１６〜１×１０２１／ｃｍ３程度の濃度範囲で含有されていることが好ましい。また、窒化ガリウム系化合物半導体以外に、ＧａＡｓ、ＧａＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰ等を用いることもできる。 As a semiconductor layer, in the case of a gallium nitride-based compound semiconductor, which will be described later as a specific example, a general formula In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1) ) Can be used. In addition to this, an element in which B is partially substituted as a group III element may be used, or an element in which N is partially substituted with P or As may be used as a group V element. The n-type semiconductor layer 2 contains any one or more of group IV elements such as Si, Ge, Sn, S, O, Ti, Zr, and Cd or group VI elements as n-type impurities. The p-type semiconductor layer 4 contains Mg, Zn, Be, Mn, Ca, Sr, etc. as p-type impurities. The impurity is preferably contained in a concentration range of about 1 × 10 16 to 1 × 10 21 / cm 3 , for example. In addition to gallium nitride compound semiconductors, GaAs, GaP compound semiconductors, AlGaAs, InAlGaP, and the like can also be used.

発光層３としては、ダブルへテロ構造の活性層を有する構成としてもよいし、ｎ型半導体層２とｐ型半導体層４との界面（ｐｎ接合面）を発光層とする半導体発光素子構造２０としてもよい。また、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造からなる活性層を形成してもよい。   The light emitting layer 3 may have a structure having an active layer having a double hetero structure, or a semiconductor light emitting element structure 20 having an interface (pn junction plane) between the n type semiconductor layer 2 and the p type semiconductor layer 4 as a light emitting layer. It is good. Moreover, you may form the active layer which consists of a single quantum well structure or a multiple quantum well structure.

なお、ｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４は、半導体発光素子として機能する構成であれば、例えば、第１導電型半導体をｐ型半導体とし、第２導電型半導体としてｎ型半導体とするなど、他のどのような構成を採用してもよい。   If the n-type semiconductor layer 2, the light-emitting layer 3, and the p-type semiconductor layer 4 function as semiconductor light-emitting elements, for example, the first conductivity type semiconductor is a p-type semiconductor and the second conductivity type semiconductor is n. Any other configuration such as a type semiconductor may be adopted.

（ｎ側電極（負電極）、ｐ側全面電極及びｐ側パッド電極（正電極））
第１実施形態においては、ｎ側電極５はｎ型半導体層２と接触して形成され、ｐ側全面電極６はｐ型半導体層４と接触して形成される。ｎ側電極５は、半導体発光素子構造２０の上層の一部が除去されたｎ型半導体層２の露出面上に形成される。ｎ側電極５は、ｎ型半導体層２の露出面側から順にＷ、Ｐｔ、Ａｕが積層されてなる。なお、ｎ側電極５を構成する材料は、ｎ型半導体層２とオーミック接触することができる材料であれば、他の金属を組み合わせた積層物、合金等、他の材料を用いることもできる。 (N-side electrode (negative electrode), p-side full surface electrode and p-side pad electrode (positive electrode))
In the first embodiment, the n-side electrode 5 is formed in contact with the n-type semiconductor layer 2, and the p-side full surface electrode 6 is formed in contact with the p-type semiconductor layer 4. The n-side electrode 5 is formed on the exposed surface of the n-type semiconductor layer 2 from which a part of the upper layer of the semiconductor light emitting element structure 20 has been removed. The n-side electrode 5 is formed by sequentially stacking W, Pt, and Au from the exposed surface side of the n-type semiconductor layer 2. In addition, as long as the material which comprises the n side electrode 5 is a material which can be in ohmic contact with the n-type semiconductor layer 2, other materials, such as a laminated body and an alloy which combined another metal, can also be used.

第１実施形態において、ｐ側全面電極６は、半導体の積層構造の最上層であるｐ型半導体層４の上端面上に形成される。ｐ側全面電極６は、ｐ型半導体層４の上端面の略全領域であって発光層３の略全領域に対応する領域に形成される透光性の導電性材料で構成される。
ｐ側パッド電極７は、ｐ側全面電極６の一部の面上に設けられ、半導体発光素子１００に電流を供給するためのＡｕワイヤ等の電流供給線と接続ずるためのパッド電極である。ｐ側パッド電極７は、ｎ側電極５と同様に、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等を積層して形成することができる。 In the first embodiment, the p-side full-surface electrode 6 is formed on the upper end surface of the p-type semiconductor layer 4 which is the uppermost layer of the semiconductor multilayer structure. The p-side full-surface electrode 6 is made of a translucent conductive material that is formed in substantially the entire region of the upper end surface of the p-type semiconductor layer 4 and corresponding to the substantially entire region of the light emitting layer 3.
The p-side pad electrode 7 is a pad electrode provided on a part of the p-side full-surface electrode 6 and connected to a current supply line such as an Au wire for supplying a current to the semiconductor light emitting element 100. As with the n-side electrode 5, the p-side pad electrode 7 can be formed by stacking W, Pt, Au, or the like.

第１実施形態の半導体発光素子１００は、主として電極配置面側から光を取り出す構成であるため、ｐ側全面電極６が、発光層３から放出される光の波長において透光性を有することが好ましい。このような透光性と導電性とを兼ね備えた材料として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ｐ型半導体層４側から順にＮｉ、Ａｕを積層した金属薄膜、Ｎｉ、Ａｕの合金の薄膜等を用いることができるが、ｐ側全面電極６の材料は、ｐ型半導体層４と、オーミック接触できる材料であれば、他の金属を組み合わせた積層物、合金等の、前記した材料以外の材料を用いることもできる。   Since the semiconductor light emitting device 100 of the first embodiment is configured to extract light mainly from the electrode arrangement surface side, the p-side full-surface electrode 6 may have translucency at the wavelength of light emitted from the light emitting layer 3. preferable. As a material having both translucency and conductivity, ITO (indium tin oxide), ZnO, a metal thin film in which Ni and Au are laminated in order from the p-type semiconductor layer 4 side, a thin film of Ni, Au alloy, etc. However, as long as the material of the p-side full-surface electrode 6 can be in ohmic contact with the p-type semiconductor layer 4, a material other than the above-described materials, such as a laminate or an alloy combined with other metals. Can also be used.

（第２主面上の積層構造）
基板１の第２主面上には、反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。 (Laminated structure on the second main surface)
On the second main surface of the substrate 1, a laminated structure 30 in which the reflective layer 8, the insulating layer 9, the intermediate layer 10, and the adhesive layer 11 are sequentially laminated is provided.

反射層８は、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出され、基板１を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。 The reflective layer 8 is a reflective film for reflecting light emitted from the light emitting layer 3 of the semiconductor light emitting element structure 20 and transmitted through the substrate 1 upward.
As the reflective layer 8, it is preferable to use a metal material having a high reflectance with respect to the light emitted from the semiconductor light emitting element structure 20, and Al or Ag can be used.

絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するように設けられ、接着層１１を構成する材料が積層構造３０の側面を伝って移動し、反射層８の基板１との界面に析出することを防止するための保護膜である。
反射層８の側面に設けられる絶縁層９は、少なくとも反射層８を覆うように形成されていればよく、側面方向に５ｎｍ以上の厚みとなるように形成するのが好ましい。
絶縁層９としては、絶縁性の高い材料が好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５などの金属酸化物を用いることができる。また基板１との密着性および反射層８との密着性の何れもが高い材料であることが好ましい。 The insulating layer 9 is provided so as to cover the upper surface and side surfaces of the reflective layer 8, and the material constituting the adhesive layer 11 moves along the side surfaces of the laminated structure 30, and is deposited on the interface of the reflective layer 8 with the substrate 1. It is a protective film for preventing this.
The insulating layer 9 provided on the side surface of the reflective layer 8 only needs to be formed so as to cover at least the reflective layer 8, and is preferably formed to have a thickness of 5 nm or more in the side surface direction.
The insulating layer 9 is preferably made of a highly insulating material, and a metal oxide such as SiO 2 , TiO 2 , or Nb 2 O 5 can be used. Moreover, it is preferable that both the adhesiveness with the board | substrate 1 and the adhesiveness with the reflection layer 8 are high materials.

接着層１１は、中間層１０の上面であって、基板１の第２主面の最上面（図１（ｂ）においては、半導体発光素子１００の最下部）に設けられ、不図示の実装基板に半導体発光素子１００を接合するための接着剤である。
接着層１１としては、Ａｕ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎなどを用いることができるが、融点が低く安定性のよいＡｕ−Ｓｎが好ましい。 The adhesion layer 11 is provided on the upper surface of the second main surface of the substrate 1 (on the lowermost portion of the semiconductor light emitting element 100 in FIG. 1B), which is the upper surface of the intermediate layer 10, and is a mounting substrate (not shown). It is an adhesive for joining the semiconductor light emitting device 100.
As the adhesive layer 11, Au—Sn, Pd—Sn, or the like can be used, but Au—Sn having a low melting point and good stability is preferable.

中間層（応力緩和層）１０は、絶縁層９を挟み、反射層８と接着層１１との間に設けられ、反射層８と接着層１１との間の応力を緩和するための応力緩和層である。
中間層１０は、必須の構成ではないが、反射層８と接着層１１との間に、反射層８と接着層１１との間の応力を緩和する応力緩和層を中間層１０として設けることが好ましい。これによって、反射層８の基板１からの剥離を防止することができる。この応力緩和層としての中間層１０は、少なくとも互いに種類の異なる第１の層と第２の層とを、交互に繰り返し積層することで好ましい応力緩和が得ることができる。また更に、積層するそれぞれの層の膜厚を異ならせるようにしてもよい。 The intermediate layer (stress relaxation layer) 10 is provided between the reflective layer 8 and the adhesive layer 11 with the insulating layer 9 interposed therebetween, and a stress relaxation layer for relaxing the stress between the reflective layer 8 and the adhesive layer 11. It is.
The intermediate layer 10 is not an essential component, but a stress relaxation layer that relaxes the stress between the reflective layer 8 and the adhesive layer 11 may be provided as the intermediate layer 10 between the reflective layer 8 and the adhesive layer 11. preferable. Thereby, peeling of the reflective layer 8 from the substrate 1 can be prevented. The intermediate layer 10 as the stress relaxation layer can obtain preferable stress relaxation by alternately laminating at least first and second layers of different types. Furthermore, you may make it vary the film thickness of each layer to laminate | stack.

第１の層及び第２の層として用いる材料は、金属材料やそれを窒化させた窒化物などが好ましい。特に窒化物からなる膜や、窒素を含有した金属材料を用いることで、第２の層はバリア層としても機能し、接着層１１を構成する材料が第２の層に移動して析出することを抑制することができる。
また第１の層は、反射層８と同一の材料を用いることが好ましい。具体的には、反射層８としてＡｌを用いる場合には、第１の層は、Ａｌ、ＡｌＮ、一部が窒化されたＡｌからなる材料の中から選択される材料を用いて形成することが応力緩和として好ましい。
加えて、第１の層を反射層８よりも薄い膜厚として、第１の層と第２の層とを交互に繰り返し積層する構造とすることで、より好ましく応力緩和ができる。
更に、第１の層を反射層８よりも薄い膜厚として、かつ第２の層が反射層８から離れるにつれて膜厚が厚くなるように、第１の層と第２の層とを交互に繰り返し積層する構造とすることで最も好ましく応力緩和ができる。
また、第２の層としては、好ましくはＷ又はＷＮ、若しくはＷ及び一部が窒化されたＷを含む成分からなる材料から選択されることで、接着層１１を構成する材料が第２の層で析出することを良好に抑制することができる。 The material used for the first layer and the second layer is preferably a metal material or a nitride obtained by nitriding the metal material. In particular, by using a film made of nitride or a metal material containing nitrogen, the second layer also functions as a barrier layer, and the material constituting the adhesive layer 11 moves to the second layer and precipitates. Can be suppressed.
The first layer is preferably made of the same material as that of the reflective layer 8. Specifically, when Al is used for the reflective layer 8, the first layer may be formed using a material selected from Al, AlN, and a partially nitrided Al material. Preferred as stress relaxation.
In addition, stress relaxation can be performed more preferably by setting the first layer to be thinner than the reflective layer 8 and by alternately and repeatedly stacking the first layer and the second layer.
Further, the first layer and the second layer are alternately arranged so that the thickness of the first layer is smaller than that of the reflective layer 8 and the thickness of the second layer increases as the distance from the reflective layer 8 increases. Stress relaxation can be achieved most preferably by adopting a structure of repeated lamination.
Further, as the second layer, the material constituting the adhesive layer 11 is preferably selected from a material including W or WN, or a component containing W and W partially nitrided. It can suppress favorably that it precipitates.

中間層１０は、応力緩和層のほかに、接着層１１が膜の内部を基板１側に移動し難くするためのバリア層を更に設けることもできる。バリア層としては、ＰｔやＷなどを用いることができ、接着層１１に接して設けることが好ましい。このバリア層は、接着層１１の、例えばＡｕと混ざり合うことがあるが、接着層１１に接して設けることで、接着層１１の材料がこのバリア層を越えて基板１側に設けられた絶縁層９や反射層８に移動することを防止できる。   In addition to the stress relaxation layer, the intermediate layer 10 can further include a barrier layer for making it difficult for the adhesive layer 11 to move inside the film to the substrate 1 side. As the barrier layer, Pt, W, or the like can be used, and is preferably provided in contact with the adhesive layer 11. This barrier layer may be mixed with, for example, Au of the adhesive layer 11. However, by providing the barrier layer in contact with the adhesive layer 11, the insulating layer 11 is provided on the substrate 1 side so that the material of the adhesive layer 11 exceeds the barrier layer. It can prevent moving to the layer 9 and the reflection layer 8. FIG.

これら応力緩和層とバリア層とを含む好ましい組み合わせとしては、反射層８と、絶縁層９と、中間層１０における応力緩和層としての一部が窒化されたＡｌとＷを繰り返し積層した多層膜と、中間層１０におけるバリア層としてのＰｔからなる膜と、接着層１１と、を順次積層した構成とすることができる。   A preferable combination including the stress relaxation layer and the barrier layer includes a reflective layer 8, an insulating layer 9, and a multilayer film in which Al and W, which are partially nitrided as a stress relaxation layer in the intermediate layer 10, are repeatedly laminated. A film made of Pt as the barrier layer in the intermediate layer 10 and the adhesive layer 11 can be sequentially laminated.

基板１の第２主面の露出部１ａは、絶縁層９の外縁の外側に設けられ、露出部１ａから基板１を下方に透過してきた光を半導体発光素子１００の外に取り出すことができる。
また露出部１ａは、半導体発光素子１００の製造方法において、ウエハからチップ化する際の切断部とすることができる。ここで、図２を参照して、半導体発光素子１００の製造方法において、半導体発光素子１００がウエハからチップ化される様子について説明する。図２に示したように、チップ化される前の半導体発光素子１００は、基板１上で、切断部１ｂとなる領域を隔てて配列されている。 The exposed portion 1 a of the second main surface of the substrate 1 is provided outside the outer edge of the insulating layer 9, and the light transmitted through the substrate 1 downward from the exposed portion 1 a can be taken out of the semiconductor light emitting device 100.
In addition, the exposed portion 1a can be a cutting portion when a wafer is chipped in the method for manufacturing the semiconductor light emitting device 100. Here, with reference to FIG. 2, how the semiconductor light emitting device 100 is chipped from the wafer in the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 100 will be described. As shown in FIG. 2, the semiconductor light emitting devices 100 before being formed into chips are arranged on the substrate 1 with a region to be the cut portion 1 b being separated.

このとき基板１の第２主面側では、反射層８及び絶縁層９を含む積層構造３０は、切断部１ｂを含む露出部１ａを隔てて形成されている。すなわち、露出部１ａは、反射層８、絶縁層９及び他の層を有さない領域であるから、露出部１ａの一部を切断部１ｂとした場合に、反射層８や絶縁層９などへの切断による影響が少ないため、チップ化の歩留まりを高くすることができる。この露出部１ａは、図１（ａ）に示した第１実施形態のように、チップ化された個々の半導体発光素子１００における基板１の第２主面の外周のすべてに設けられていることが好ましいが、外周の一部に設けてもよく、また第２主面上の反射層８を含む積層構造３０の内側に設けてもよい。
反射層８での半導体発光素子構造２０の発光層３から放出される光の反射を効率よく得るためには、少なくとも発光層３と対向する位置には反射層８を設けることが好ましい。 At this time, the laminated structure 30 including the reflective layer 8 and the insulating layer 9 is formed on the second main surface side of the substrate 1 with the exposed portion 1a including the cut portion 1b interposed therebetween. That is, since the exposed portion 1a is a region that does not have the reflective layer 8, the insulating layer 9, and other layers, the reflective layer 8, the insulating layer 9, etc., when a part of the exposed portion 1a is the cut portion 1b. Since there is little influence by cutting, the yield of chip formation can be increased. The exposed portion 1a is provided on the entire outer periphery of the second main surface of the substrate 1 in each of the semiconductor light emitting devices 100 formed into chips as in the first embodiment shown in FIG. However, it may be provided on a part of the outer periphery, or may be provided inside the laminated structure 30 including the reflective layer 8 on the second main surface.
In order to efficiently obtain reflection of light emitted from the light emitting layer 3 of the semiconductor light emitting element structure 20 on the reflective layer 8, it is preferable to provide the reflective layer 8 at least at a position facing the light emitting layer 3.

また、半導体発光素子構造２０が、窒化物半導体を用いて、特に青色などの短波長の光を発光するとともに、接着層１１にＡｕを含む接着材料を用いる場合は、Ａｕは青色などの短波長側の光の吸収が大きいため、反射層８の基板１側にＡｕが析出すると、反射層８による反射率が低下するとともに配光特性に大きく影響する。従って、本発明は、このような半導体発光素子構造２０と接着層１１の組み合わせにおいて、特に有用である。   In addition, when the semiconductor light emitting element structure 20 emits light with a short wavelength such as blue using a nitride semiconductor and an adhesive material containing Au is used for the adhesive layer 11, Au is a short wavelength such as blue. Therefore, if Au is deposited on the substrate 1 side of the reflective layer 8, the reflectance by the reflective layer 8 is lowered and the light distribution characteristics are greatly affected. Therefore, the present invention is particularly useful in such a combination of the semiconductor light emitting element structure 20 and the adhesive layer 11.

＜動作＞
次に、図１を参照して、第１実施形態における半導体発光素子１００の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。 <Operation>
Next, the operation of the semiconductor light emitting device 100 in the first embodiment will be described with reference to FIG.
In the semiconductor light emitting device 100, a voltage is applied in the forward direction to the semiconductor light emitting device structure 20 by connecting a p-side pad electrode 7 as a positive electrode and an n-side electrode 5 as a negative electrode to a direct current power source. Light is emitted in random directions. A part of the light emitted from the light emitting layer 3 in various directions passes through the p-side full-surface electrode 6 from the upper end surface of the semiconductor light emitting element structure 20, and is extracted outside the semiconductor light emitting element 100. A part of the light is emitted from the semiconductor light emitting element. It is taken out of the semiconductor light emitting device 100 from the side surface of the device structure 20. Further, a part of the light emitted downward from the light emitting layer 3 is reflected by the reflective layer 8, deflected upward, transmitted through the p-side full surface electrode 6, and taken out of the semiconductor light emitting device 100. The portion is taken out of the semiconductor light emitting device 100 from the exposed portion 1 a of the second main surface of the substrate 1.

＜製造方法＞
引き続き、図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る半導体発光素子１００の製造方法について説明する。なお、第１実施形態では、図１に示す半導体発光素子１００が二次元的に配列されたウエハ状態で各工程が実施され、チップ状に分割された半導体発光素子１００が得られる。 <Manufacturing method>
Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, each process is performed in a wafer state in which the semiconductor light emitting devices 100 shown in FIG. 1 are two-dimensionally arranged, and the semiconductor light emitting device 100 divided into chips is obtained.

第１実施形態に係る半導体発光素子１００の製造工程は、基板１の第１主面上に半導体発光素子構造を形成する工程と、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程と、半導体発光素子チップに分割する工程と、を含む。
以下、各工程について順次説明する。 The manufacturing process of the semiconductor light emitting device 100 according to the first embodiment includes a step of forming a semiconductor light emitting device structure on the first main surface of the substrate 1 and a laminated structure including a reflective layer on the second main surface of the substrate 1. Forming the semiconductor light-emitting element chip.
Hereinafter, each process will be described sequentially.

（第１主面上に半導体発光素子構造を形成する工程）
半導体発光素子構造を形成する工程は、基板１の第１主面上に、半導体の積層構造を形成する工程と、半導体の積層構造に電極を形成する工程とを含む。 (Process of forming a semiconductor light emitting element structure on the first main surface)
The step of forming the semiconductor light emitting element structure includes a step of forming a semiconductor multilayer structure on the first main surface of the substrate 1 and a step of forming an electrode in the semiconductor multilayer structure.

（半導体の積層構造を形成する工程）
まず、基板１の第１主面上に、ＭＯＣＶＤ法等により、下地層を介して、ＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型半導体層２、ＩｎＧａＮからなる発光層３、ＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型半導体層４を順次積層し、窒化物半導体であるＧａＮ系化合物半導体からなる半導体の積層構造を形成する。 (Process for forming a laminated structure of semiconductors)
First, an n-type semiconductor layer 2 made of Si-doped GaN, a light-emitting layer 3 made of InGaN, and Mg-doped GaN are formed on the first main surface of the substrate 1 through an underlayer by MOCVD or the like. The p-type semiconductor layer 4 is sequentially stacked to form a semiconductor stacked structure made of a GaN-based compound semiconductor that is a nitride semiconductor.

半導体層、特に窒化物半導体層の成長方法は、特に限定されないが、例示すればＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピキタシ法）など、半導体、窒化物半導体の成長法として知られている方法を用いることができる。特に、ＭＯＣＶＤは結晶性よく成長させることができるので好ましい。   The growth method of the semiconductor layer, particularly the nitride semiconductor layer is not particularly limited, but for example, MOVPE (metal organic chemical vapor deposition), MOCVD (metal organic chemical vapor deposition), HVPE (hydride vapor deposition). A method known as a semiconductor or nitride semiconductor growth method such as MBE (molecular beam epitaxy) can be used. In particular, MOCVD is preferable because it can be grown with good crystallinity.

（半導体の積層構造に電極を形成する形成する工程）
まず、エッチング等により、ｎ側電極５を設けるための半導体の積層構造のｎ型半導体層２を露出させた凹部を形成する。次に、この凹部の底面であるｎ型半導体層２の露出面にｎ側電極５を形成する。そして、ｐ型半導体層４上にｐ側全面電極６を形成し、更にｐ側全面電極６の一部にｐ側パッド電極７を形成する。 (Process of forming an electrode in a semiconductor laminated structure)
First, a recess exposing the n-type semiconductor layer 2 of a semiconductor laminated structure for providing the n-side electrode 5 is formed by etching or the like. Next, the n-side electrode 5 is formed on the exposed surface of the n-type semiconductor layer 2 that is the bottom surface of the recess. Then, a p-side full surface electrode 6 is formed on the p-type semiconductor layer 4, and a p-side pad electrode 7 is formed on a part of the p-side full surface electrode 6.

電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法等の公知の方法を用いることができる。ｎ側電極５として、ｎ型半導体層２側からＷ、Ｐｔ、Ａｕを順に積層し、ｐ側全面電極６としてＩＴＯを成膜し、ｐ側パッド電極７としては、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕを積層する。それぞれ所望の形状にパターニングすることによって第１実施形態の半導体発光素子構造２０の電極とすることができる。
なお、ｐ側パッド電極７とｎ側電極５とに同じ材料を用いる場合には、ｐ側パッド電極７とｎ側電極５とを同じ工程において形成することもできる。 As a method for forming the electrode, a known method such as an evaporation method or a sputtering method can be used. As the n-side electrode 5, W, Pt, and Au are sequentially laminated from the n-type semiconductor layer 2 side, ITO is formed as the p-side full surface electrode 6, and W, Pt, and Au are laminated as the p-side pad electrode 7. To do. The electrodes of the semiconductor light emitting device structure 20 of the first embodiment can be obtained by patterning each into a desired shape.
When the same material is used for the p-side pad electrode 7 and the n-side electrode 5, the p-side pad electrode 7 and the n-side electrode 5 can be formed in the same process.

（第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程）
第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成されると、裏面である第２主面上に反射層を含む積層構造３０を形成する。
反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより所望の形状の反射層８が形成される。 (Step of forming a laminated structure including a reflective layer on the second main surface)
When the semiconductor light emitting element structure 20 is formed on the first main surface, the stacked structure 30 including the reflective layer is formed on the second main surface which is the back surface.
In the step of forming the laminated structure including the reflective layer, first, the region that becomes the exposed portion 1a and the region where the insulating layer 9 on the side surface of the reflective layer 8 is formed, including the region that becomes the cut portion 1b when chipped. Then, a mask pattern made of a resist film is provided by photolithography. Next, a reflective material such as Al or Ag is formed on the entire surface on the second main surface side of the substrate 1 by sputtering or vapor deposition. After film formation, the resist is removed to form the reflection layer 8 having a desired shape.

次に、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、反射層８の外縁の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、基板１の第２主面と絶縁層９とによって、全面が隠蔽される。 Next, a mask pattern made of a resist film is provided by a photolithography method in a region that becomes the exposed portion 1a including a region that becomes the cut portion 1b when chipping. Then, the insulating layer 9 is laminated with an insulating material such as SiO 2 by sputtering or the like. At this time, the insulating layer 9 is formed on the second main surface of the substrate 1 on which the resist film is not provided outside the outer edge of the reflective layer 8. As a result, the entire reflective layer 8 is concealed by the second main surface of the substrate 1 and the insulating layer 9.

続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、中間層１０を構成するＷ、ＷＮなどの材料で応力緩和層などの膜を積層する。中間層１０が多層膜構成である場合には、順次材料を変えた膜を積層し、中間層１０を形成する。   Subsequently, a film such as a stress relaxation layer is laminated with a material such as W or WN constituting the intermediate layer 10 by sputtering or vapor deposition. When the intermediate layer 10 has a multilayer film structure, films with different materials are sequentially stacked to form the intermediate layer 10.

更に続けて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｕ−ＳｎやＰｄ−Ｓｎなどの接着材料で接着層１１を積層する。   Subsequently, the adhesive layer 11 is laminated with an adhesive material such as Au—Sn or Pd—Sn by sputtering or vapor deposition.

次に、レジスト膜を除去することにより、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めた露出部１ａが露出した半導体発光素子１００が形成される。   Next, by removing the resist film, the semiconductor light emitting device 100 is formed in which the exposed portion 1a including the region that becomes the cut portion 1b when forming a chip is exposed.

ここで、図３を参照して、反射層８及び絶縁層９を形成する工程を簡略化する手法について説明する。
図３（ａ）に示したように、まず、基板１の第２主面上に、互いに種類の異なるフォトレジストからなる第１レジスト５１と第２レジスト５２とによるマスクパターンを形成する。例えば、第１レジスト５１として、有機溶剤に可溶なフォトレジストを用い、第２レジスト５２として、アルカリ水溶液に可溶なフォトレジストを用いる。 Here, with reference to FIG. 3, a method for simplifying the process of forming the reflective layer 8 and the insulating layer 9 will be described.
As shown in FIG. 3A, first, a mask pattern made of a first resist 51 and a second resist 52 made of different types of photoresist is formed on the second main surface of the substrate 1. For example, a photoresist that is soluble in an organic solvent is used as the first resist 51, and a photoresist that is soluble in an alkaline aqueous solution is used as the second resist 52.

次に、図３（ｂ）に示したように、有機溶剤を用いて第１レジスト５１を除去することにより、開口部５２ｂが先細りした先細り部５２ａを有する第２レジスト５２によるマスクパターンが残る。   Next, as shown in FIG. 3B, by removing the first resist 51 using an organic solvent, a mask pattern by the second resist 52 having the tapered portion 52a with the opening 52b tapered remains.

次に、図３（ｃ）に示したように、先細り部５２ａを有する第２レジスト５２をマスクとして、Ａｌなどの反射材料をスパッタリングすることにより、第２レジスト５２の先細り部５２ａの一部を除去しながら、基板１上に反射層８が形成される。このとき、先細り部５２ａによって反射材料の積層領域が制限されるために、基板１の露出面１ｃを残しつつ、反射層８が形成される。   Next, as shown in FIG. 3C, a part of the tapered portion 52a of the second resist 52 is formed by sputtering a reflective material such as Al using the second resist 52 having the tapered portion 52a as a mask. While removing, the reflective layer 8 is formed on the substrate 1. At this time, since the laminated region of the reflective material is limited by the tapered portion 52a, the reflective layer 8 is formed while leaving the exposed surface 1c of the substrate 1.

次に、図３（ｄ）に示したように、ＳｉＯ２などの絶縁材料をスパッタリングすることにより、第２レジスト５２の先細り部５２ａを更に除去しながら、絶縁材料によって絶縁層９が、反射層８の上面に積層するとともに、基板１の露出面１ｃ上にも積層する。その結果、反射層８の上面及び側面を被覆する絶縁層９を形成することができる。
更に、中間層１０、接着層１１を積層した後、第２レジスト５２を除去することにより、絶縁層９の外縁の外側に基板１の第２主面が露出し、露出部１ａ（図１参照）となる。
これによって、レジストマスクを形成及び除去する工程を低減することができる。 Next, as shown in FIG. 3D, the insulating layer 9 is made of the reflective layer by the insulating material while further removing the tapered portion 52a of the second resist 52 by sputtering an insulating material such as SiO 2. 8 is also laminated on the exposed surface 1c of the substrate 1. As a result, the insulating layer 9 that covers the upper surface and side surfaces of the reflective layer 8 can be formed.
Further, after the intermediate layer 10 and the adhesive layer 11 are laminated, the second resist 52 is removed, so that the second main surface of the substrate 1 is exposed outside the outer edge of the insulating layer 9, and the exposed portion 1a (see FIG. 1). )
Thereby, the process of forming and removing the resist mask can be reduced.

（半導体発光素子チップに分割する工程）
図１及び図２に戻って、説明を続ける。
基板１の第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成され、第２主面上に反射層８、絶縁層９、中間層１０及び接着層１１を含む積層構造３０が形成されると、切断部１ｂを、ダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。 (Process of dividing into semiconductor light emitting element chips)
Returning to FIG. 1 and FIG. 2, the description will be continued.
When the semiconductor light emitting element structure 20 is formed on the first main surface of the substrate 1 and the laminated structure 30 including the reflective layer 8, the insulating layer 9, the intermediate layer 10, and the adhesive layer 11 is formed on the second main surface, The cutting part 1b is cut by dicing, scribing, etc., and the individual semiconductor light emitting elements 100 are divided into chips.

以上、説明した製造方法によって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子１００を製造することができる。なお、以上は、一実施形態に係る製造工程を順に説明するものであり、これに限定されるものではない。   As described above, the semiconductor light emitting device 100 of the first embodiment shown in FIG. 1 can be manufactured by the manufacturing method described above. In addition, the above demonstrates the manufacturing process which concerns on one Embodiment in order, It is not limited to this.

（第２実施形態）
次に、図４乃至図８を参照して、第２実施形態における半導体発光素子１００の構成について説明する。例えば図４（ａ）に示したように、第２実施形態における半導体発光素子１００は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００に対して、反射層８と基板１との間に透光性層１２を設けたことが異なる。図５乃至図８に示した半導体発光素子１００は、第２実施形態における他の構成例である。
なお、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明は適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, the configuration of the semiconductor light emitting device 100 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. For example, as shown in FIG. 4A, the semiconductor light emitting device 100 according to the second embodiment is located between the reflective layer 8 and the substrate 1 with respect to the semiconductor light emitting device 100 according to the first embodiment shown in FIG. The difference is that a translucent layer 12 is provided. The semiconductor light emitting device 100 shown in FIGS. 5 to 8 is another configuration example in the second embodiment.
The same components as those of the semiconductor light emitting device 100 according to the first embodiment shown in FIG.

（第１の例）
＜構成＞
図４（ａ）に示したように、第２実施形態の第１の例における半導体発光素子１００は、透光性の基板１と、その基板１の第１主面上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０が設けられている。基板１の第２主面上には、透光性層１２と反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。図４（ｂ）にハッチングを施して示したように、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって、全面が被覆されている。また、基板１の第２主面には、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と同様に、絶縁層９の外縁の外側に、基板面が露出した露出部１ａが設けられている。 (First example)
<Configuration>
As shown in FIG. 4A, the semiconductor light emitting device 100 in the first example of the second embodiment includes a light-transmitting substrate 1 and a light emitting layer 3 on the first main surface of the substrate 1. A semiconductor light emitting element structure 20 is provided. On the second main surface of the substrate 1, a laminated structure 30 in which the light transmissive layer 12, the reflective layer 8, the insulating layer 9, the intermediate layer 10, and the adhesive layer 11 are sequentially laminated is provided. As shown by hatching in FIG. 4B, the reflective layer 8 is entirely covered with the translucent layer 12 and the insulating layer 9. Further, similarly to the semiconductor light emitting device 100 in the first embodiment shown in FIG. 1, the second main surface of the substrate 1 is provided with an exposed portion 1a where the substrate surface is exposed outside the outer edge of the insulating layer 9. ing.

透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間に設けられ、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出される光に対して透光性を有する透過膜である。
発光層３からの光の多くはこの透光性層１２を通過し、反射層８で反射する。この透光性層１２を設けることで、発光層３からの光の一部はこの透光性層１２で反射することになる。また、基板１と透光性層１２との屈折率差に起因する全反射角を境にして、透光性層１２に入射する光は一部は基板１と透光性層１２との界面で反射し、一部は透過する。透光性層１２による光の反射によって、反射層８に到達する光の量が低減されるため、結果として反射層８を構成する金属によって吸収される光の量を減らすことができるとともに、透光性層１２と反射層８との両方で光を反射するため、半導体発光素子１００の外への光の取り出し効率を向上することができる。 The translucent layer 12 is provided between the reflective layer 8 and the substrate 1 on the second main surface side, and has translucency for light emitted from the light emitting layer 3 of the semiconductor light emitting element structure 20. It is a membrane.
Most of the light from the light emitting layer 3 passes through the translucent layer 12 and is reflected by the reflective layer 8. By providing the translucent layer 12, part of the light from the light emitting layer 3 is reflected by the translucent layer 12. Further, a part of the light incident on the translucent layer 12 at the total reflection angle caused by the difference in refractive index between the substrate 1 and the translucent layer 12 is an interface between the substrate 1 and the translucent layer 12. Is reflected, and part of it is transmitted. Since the amount of light reaching the reflective layer 8 is reduced by the reflection of light by the translucent layer 12, as a result, the amount of light absorbed by the metal constituting the reflective layer 8 can be reduced, and the transparent Since light is reflected by both the light-emitting layer 12 and the reflective layer 8, the light extraction efficiency to the outside of the semiconductor light emitting device 100 can be improved.

透光性層１２としては、基板１との密着性がよく剥離しにくい材料が好ましく、金属酸化物などを用いることができる。例えば、基板１としてサファイア基板を用いた場合は、ＳｉＯ２などの単一層で構成することが好ましい。
透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができる。また、絶縁層９と同一の材料で構成することにより、図４（ｂ）にハッチングを施して示したように、透光性層１２と絶縁層９とを形成する同一材料によって、反射層８を隠蔽することができる。同一材料を用いることにより透光性層１２と絶縁層９とが強固に接合されるため、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。 As the translucent layer 12, a material that has good adhesion to the substrate 1 and is difficult to peel off is preferable, and a metal oxide or the like can be used. For example, in the case of using a sapphire substrate as the substrate 1 is preferably formed of a single layer such as SiO 2.
The translucent layer 12 is preferably made of the same material as that of the insulating layer 9 and can be grown under the same conditions from the viewpoint of the manufacturing process. Further, by constituting the insulating layer 9 with the same material, as shown in FIG. 4B by hatching, the reflective layer 8 is made of the same material for forming the translucent layer 12 and the insulating layer 9. Can be concealed. Since the translucent layer 12 and the insulating layer 9 are firmly bonded by using the same material, the movement of the material constituting the adhesive layer 11 to the reflective layer 8 can be favorably prevented.

また、透光性層１２は基板１の第２主面上に、反射層８よりも狭い範囲に設けることも、同じ範囲に設けることも、広く設けることもできる。図４（ａ）に示した第２実施形態の第１の例は、透光性層１２を反射層８と同じ範囲に設けたものである。   Moreover, the translucent layer 12 can be provided on the second main surface of the substrate 1 in a range narrower than the reflective layer 8, in the same range, or widely. In the first example of the second embodiment shown in FIG. 4A, the translucent layer 12 is provided in the same range as the reflective layer 8.

反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。 The reflective layer 8 is a reflective film that is provided on the upper surface of the translucent layer 12 and reflects light transmitted through the translucent layer 12 upward.
As the reflective layer 8, it is preferable to use a metal material having a high reflectance with respect to the light emitted from the semiconductor light emitting element structure 20, and Al or Ag can be used.

絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するとともに、透光性層１２の側面まで被覆するように設けられ、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止するための保護膜である。
絶縁層９としては、絶縁性の高い材料が好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５などの金属酸化物を用いることができる。また基板１との密着性および反射層８との密着性の何れもが高い材料であることが好ましい。 The insulating layer 9 is provided so as to cover the upper surface and the side surface of the reflective layer 8 and to cover the side surface of the translucent layer 12, and the material constituting the adhesive layer 11 moves along the side surface. It is a protective film for preventing precipitation on the surface of the substrate 1 side.
The insulating layer 9 is preferably made of a highly insulating material, and a metal oxide such as SiO 2 , TiO 2 , or Nb 2 O 5 can be used. Moreover, it is preferable that both the adhesiveness with the board | substrate 1 and the adhesiveness with the reflection layer 8 are high materials.

中間層１０及び接着層１１は、第１実施形態と同様であるので説明は省略する。   Since the intermediate layer 10 and the adhesive layer 11 are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.

＜動作＞
次に、図４を参照して、第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は透光性層１２又は基板１と透光性層１２との界面で反射され、一部は透光性層１２を透過して反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。 <Operation>
Next, the operation of the semiconductor light emitting device 100 of the first example in the second embodiment will be described with reference to FIG.
In the semiconductor light emitting device 100, a voltage is applied in the forward direction to the semiconductor light emitting device structure 20 by connecting a p-side pad electrode 7 as a positive electrode and an n-side electrode 5 as a negative electrode to a direct current power source. Light is emitted in random directions. A part of the light emitted from the light emitting layer 3 in various directions passes through the p-side full-surface electrode 6 from the upper end surface of the semiconductor light emitting element structure 20, and is extracted outside the semiconductor light emitting element 100. A part of the light is emitted from the semiconductor light emitting element. It is taken out of the semiconductor light emitting device 100 from the side surface of the device structure 20. Further, a part of the light emitted downward from the light emitting layer 3 is reflected at the translucent layer 12 or the interface between the substrate 1 and the translucent layer 12, and a part of the light is transmitted through the translucent layer 12. Reflected by the reflective layer 8, deflected upward, transmitted through the p-side full-surface electrode 6, and taken out of the semiconductor light emitting device 100, and part of the semiconductor light emission from the exposed portion 1 a of the second main surface of the substrate 1. It is taken out of the element 100.

＜製造方法＞
続いて、図４を参照して、第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００の製造方法について説明する。なお、第１実施形態の半導体発光素子１００と同様の製造工程については、適宜説明を省略する。 <Manufacturing method>
Next, with reference to FIG. 4, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 100 of the first example in the second embodiment will be described. In addition, about the manufacturing process similar to the semiconductor light-emitting device 100 of 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted suitably.

基板１の第１主面上に設けられる半導体発光素子構造２０は、第１実施形態と同様の方法で製造できるので説明は省略する。
第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成されると、裏面である第２主面上に反射層を含む積層構造３０を形成する。
第２実施形態における第１の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。 Since the semiconductor light emitting element structure 20 provided on the first main surface of the substrate 1 can be manufactured by the same method as in the first embodiment, the description thereof is omitted.
When the semiconductor light emitting element structure 20 is formed on the first main surface, the stacked structure 30 including the reflective layer is formed on the second main surface which is the back surface.
In the step of forming the laminated structure including the reflective layer of the first example in the second embodiment, first, the region to be the exposed portion 1a and the region of the reflective layer 8 including the region to be the cut portion 1b when chipped. A mask pattern made of a resist film is provided by photolithography in a region where the side insulating layer 9 is formed. Next, a translucent material such as SiO 2 is formed on the entire surface of the substrate 1 on the second main surface side by sputtering or the like.

続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料で成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより、同じ面積で積層された透光性層１２と反射層８とが形成される。   Subsequently, a film of a reflective material such as Al or Ag is formed by sputtering or vapor deposition. After the film formation, the resist is removed to form the translucent layer 12 and the reflective layer 8 that are stacked with the same area.

次に、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、透光性層１２の外縁の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって全面が隠蔽される。 Next, a mask pattern made of a resist film is provided by a photolithography method in a region that becomes the exposed portion 1a including a region that becomes the cut portion 1b when chipping. Then, the insulating layer 9 is laminated with an insulating material such as SiO 2 by sputtering or the like. At this time, the insulating layer 9 is formed on the second main surface of the substrate 1 on which the resist film is not provided outside the outer edge of the translucent layer 12. As a result, the entire reflective layer 8 is concealed by the translucent layer 12 and the insulating layer 9.

中間層１０及び接着層１１は、第１実施形態と同様にして製造できるため説明は省略する。また、半導体発光素子チップに分割する工程も、第１実施形態と同様であるので説明は省略する。
以上、説明した製造方法によって、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００を製造することができる。 Since the intermediate layer 10 and the adhesive layer 11 can be manufactured in the same manner as in the first embodiment, description thereof is omitted. Also, the process of dividing the semiconductor light emitting element chip is the same as that in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
As described above, the semiconductor light emitting element 100 of the first example in the second embodiment shown in FIG. 4 can be manufactured by the manufacturing method described above.

（第２の例）
次に、図５を参照して、第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００について説明する。
図５に示したように、第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を、単一層に替えて、誘電体多層膜を用いることが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。 (Second example)
Next, with reference to FIG. 5, the semiconductor light emitting element 100 of the 2nd example in 2nd Embodiment is demonstrated.
As shown in FIG. 5, the semiconductor light emitting device 100 of the second example in the second embodiment is different from the semiconductor light emitting device 100 of the first example in the second embodiment shown in FIG. 12 differs from using a dielectric multilayer film in place of a single layer.
The other configurations are the same as those in the first example, and thus description thereof will be omitted as appropriate.

第２実施形態における第２の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間に設けられ、異なる屈折率からなる２種類の透光性の誘電体層を交互に繰り返して積層した誘電体多層膜である。
透光性層１２として誘電体多層膜を用いることにより、透光性層１２によって、より効率よく光を反射することができる。
透光性層１２としては、例えば、屈折率の異なる金属酸化物を組み合わせて積層した誘電性多層膜を用いることができる。 The translucent layer 12 of the second example in the second embodiment is provided between the reflective layer 8 and the substrate 1 on the second main surface side, and has two types of translucent dielectrics having different refractive indexes. It is a dielectric multilayer film in which body layers are alternately laminated.
By using a dielectric multilayer film as the light transmissive layer 12, the light transmissive layer 12 can reflect light more efficiently.
As the translucent layer 12, for example, a dielectric multilayer film in which metal oxides having different refractive indexes are stacked in combination can be used.

第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。   Since the operation of the semiconductor light emitting device 100 of the second example in the second embodiment is the same as that of the first example in the second embodiment, description thereof is omitted.

第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、透光性層１２を製造する工程で、ＳｉＯ２などの単一材料で成膜することに替えて、屈折率の異なる２種類の金属酸化物などの透光性材料を、スパッタリング法などにより、交互に繰り返し成膜することによって形成することができる。
他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。 The method of manufacturing a semiconductor light emitting device 100 of the second example of the second embodiment, in the manufacturing method of the first example of the second embodiment, in the process of manufacturing the light-transmitting layer 12, a single such SiO 2 Instead of forming a film using a material, a light-transmitting material such as two kinds of metal oxides having different refractive indexes can be formed by alternately and repeatedly forming a film by a sputtering method or the like.
Other manufacturing steps are the same as those in the first example of the manufacturing method according to the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

（第３の例）
次に、図６を参照して、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００について説明する。
図６に示したように、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を反射層８より広く設けたことと、第２主面側に露出部１ａ（図４参照）を設けないようにしたこととが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。 (Third example)
Next, with reference to FIG. 6, the semiconductor light emitting element 100 of the 3rd example in 2nd Embodiment is demonstrated.
As shown in FIG. 6, the semiconductor light emitting device 100 of the third example in the second embodiment is different from the semiconductor light emitting device 100 of the first example in the second embodiment shown in FIG. The difference is that 12 is provided wider than the reflective layer 8 and that the exposed portion 1a (see FIG. 4) is not provided on the second main surface side.
The other configurations are the same as those in the first example, and thus description thereof will be omitted as appropriate.

第２実施形態における第３の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間であって、反射層８よりも広い範囲に設けられた透光性膜である。
第２実施形態における第１の例と同様に、透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができるとともに、透光性層１２と絶縁層９とが強固に接合されるため、反射層８の隠蔽性がよく、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。 The translucent layer 12 of the third example in the second embodiment is a translucent layer provided between the reflective layer 8 and the substrate 1 on the second main surface side and in a wider range than the reflective layer 8. It is a sex membrane.
Similar to the first example of the second embodiment, the translucent layer 12 is preferably made of the same material as that of the insulating layer 9, and can be grown under the same conditions from the viewpoint of the manufacturing process. Since the optical layer 12 and the insulating layer 9 are firmly bonded, the concealing property of the reflective layer 8 is good, and the movement of the material constituting the adhesive layer 11 to the reflective layer 8 can be well prevented.

第３の例では、基板１の第２主面上に露出部１ａ（図４参照）を設けないようにした。これによって、ウエハ上に半導体発光素子１００をより多く形成できるため、ウエハの単位面積当たりの半導体発光素子１００の形成個数を多くすることができる。
なお、第１の例と同様に、基板１の第２主面に露出部１ａを設けるようにしてもよい。 In the third example, the exposed portion 1 a (see FIG. 4) is not provided on the second main surface of the substrate 1. As a result, more semiconductor light emitting elements 100 can be formed on the wafer, so that the number of semiconductor light emitting elements 100 formed per unit area of the wafer can be increased.
As in the first example, the exposed portion 1 a may be provided on the second main surface of the substrate 1.

反射層８は、透光性層１２の上面の、透光性層１２よりも狭い範囲に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。 The reflective layer 8 is a reflective film that is provided in a narrower range than the translucent layer 12 on the upper surface of the translucent layer 12 and reflects light transmitted through the translucent layer 12 upward.
As the reflective layer 8, it is preferable to use a metal material having a high reflectance with respect to the light emitted from the semiconductor light emitting element structure 20, and Al or Ag can be used.

絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するとともに、透光性層１２の上面と接合し、絶縁層９と透光性層１２とによって反射層８を隠蔽するように設けられ、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止するための保護膜である。   The insulating layer 9 covers the upper surface and side surfaces of the reflective layer 8, is joined to the upper surface of the light transmissive layer 12, and is provided so as to hide the reflective layer 8 by the insulating layer 9 and the light transmissive layer 12. This is a protective film for preventing the material constituting the adhesive layer 11 from moving along the side surface and precipitating on the surface of the reflective layer 8 on the substrate 1 side.

その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例において、露出部１ａからの光取り出しがないこと以外は同様であるので、詳細な説明は省略する。 The other configuration is the same as that of the first example in the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
The operation of the semiconductor light emitting device 100 of the third example in the second embodiment is the same as that in the first example of the second embodiment except that no light is extracted from the exposed portion 1a. Description is omitted.

第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程の一部が異なる。   The manufacturing method of the semiconductor light emitting device 100 of the third example in the second embodiment is the same as the manufacturing method of the first example in the second embodiment, in which a laminated structure including a reflective layer is formed on the second main surface of the substrate 1. Part of the process is different.

第２実施形態における第３の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。
次に、反射層８を形成する領域以外をマスクするように、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、反射層８を形成するために設けたレジスト膜を除去することにより、透光性層１２の上面に、透光性層１２より狭い領域に積層された反射層８とが形成される。このとき、反射層８の外縁の外側の基板１の第２主面上には透光性層１２が延在している。 In the step of forming the laminated structure including the reflective layer of the third example in the second embodiment, a translucent material such as SiO 2 is formed on the entire surface of the substrate 1 on the second main surface side by sputtering or the like. To do.
Next, a mask pattern made of a resist film is provided by photolithography so as to mask the region other than the region where the reflective layer 8 is to be formed. Subsequently, a reflective material such as Al or Ag is formed by sputtering or vapor deposition. After the film formation, the resist film provided to form the reflective layer 8 is removed, whereby the reflective layer 8 laminated in a region narrower than the translucent layer 12 is formed on the upper surface of the translucent layer 12. The At this time, the translucent layer 12 extends on the second main surface of the substrate 1 outside the outer edge of the reflective layer 8.

次に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。これによって、透光性層１２の反射層８の外縁の外側と接合した絶縁層９が形成され、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって全面が隠蔽される。 Next, the insulating layer 9 is laminated with an insulating material such as SiO 2 by sputtering or the like. As a result, the insulating layer 9 joined to the outside of the outer edge of the reflective layer 8 of the translucent layer 12 is formed, and the entire surface of the reflective layer 8 is concealed by the translucent layer 12 and the insulating layer 9.

中間層１０及び接着層１１を、第１実施形態と同様にして成膜する。これによって、基板１にはチップ化前の半導体発光素子１００が配列して形成される。そして、各半導体発光素子１００の間をダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。 The intermediate layer 10 and the adhesive layer 11 are formed in the same manner as in the first embodiment. As a result, the semiconductor light emitting elements 100 before being formed into chips are arranged and formed on the substrate 1. And between each semiconductor light emitting element 100 is cut | disconnected by dicing, a scribe, etc., and each semiconductor light emitting element 100 is divided | segmented into chip shape.
Other manufacturing steps are the same as those in the first example of the manufacturing method according to the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

（第４の例）
次に、図７を参照して、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００について説明する。
図７に示したように、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を反射層８より狭い範囲に設けたことが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。 (Fourth example)
Next, with reference to FIG. 7, the semiconductor light emitting element 100 of the 4th example in 2nd Embodiment is demonstrated.
As shown in FIG. 7, the semiconductor light emitting device 100 of the fourth example in the second embodiment is different from the semiconductor light emitting device 100 of the first example in the second embodiment shown in FIG. The difference is that 12 is provided in a narrower range than the reflective layer 8.
The other configurations are the same as those in the first example, and thus description thereof will be omitted as appropriate.

第２実施形態における第４の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間であって、反射層８よりも狭い範囲に設けられる透光性膜である。
反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。また、反射層８は透光性層１２を被覆し、反射層８の外縁部は基板１に接するように設けられている。 The translucent layer 12 of the fourth example in the second embodiment is between the reflective layer 8 and the substrate 1 on the second main surface side, and is provided in a narrower range than the reflective layer 8. It is a membrane.
The reflective layer 8 is a reflective film that is provided on the upper surface of the translucent layer 12 and reflects light transmitted through the translucent layer 12 upward. The reflective layer 8 covers the translucent layer 12, and the outer edge portion of the reflective layer 8 is provided in contact with the substrate 1.

絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するように設けられており、絶縁層９の外縁部は基板１と接するように設けられている。すなわち、反射層８は、基板１と絶縁層９と透光性層１２とによって隠蔽される。これによって、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止することができる。   The insulating layer 9 is provided so as to cover the upper surface and side surfaces of the reflective layer 8, and the outer edge portion of the insulating layer 9 is provided so as to be in contact with the substrate 1. That is, the reflective layer 8 is concealed by the substrate 1, the insulating layer 9, and the translucent layer 12. Thereby, it is possible to prevent the material constituting the adhesive layer 11 from moving along the side surface and depositing on the surface of the reflective layer 8 on the substrate 1 side.

その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、詳細な説明は省略する。 The other configuration is the same as that of the first example in the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
Further, the operation of the semiconductor light emitting device 100 of the fourth example in the second embodiment is the same as that of the first example in the second embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.

第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程の一部が異なる。   The manufacturing method of the semiconductor light emitting element 100 of the 4th example in 2nd Embodiment forms the laminated structure which contains a reflection layer on the 2nd main surface of the board | substrate 1 in the manufacturing method of the 1st example in 2nd Embodiment. Part of the process is different.

第２実施形態における第４の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、フォトリソグラフィ法により、透光性層１２が形成される領域以外をマスクするレジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。成膜後にレジスト膜を除去することにより、所定の形状の透光性層１２が形成される。 In the step of forming the laminated structure including the reflective layer of the fourth example in the second embodiment, first, a mask pattern is formed by a resist film that masks a region other than the region where the translucent layer 12 is formed by photolithography. . Next, a translucent material such as SiO 2 is formed on the entire surface of the substrate 1 on the second main surface side by sputtering or the like. By removing the resist film after the film formation, the translucent layer 12 having a predetermined shape is formed.

次に、フォトリソグラフィ法により、チップ化する際の切断部１ｂ（図２参照）となる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより、透光性層１２を被覆する所定の形状の反射層８が形成される。   Next, by the photolithography method, the region that becomes the exposed portion 1a and the region where the insulating layer 9 on the side surface of the reflective layer 8 is formed, including the region that becomes the cut portion 1b (see FIG. 2) when chipped. Then, a mask pattern made of a resist film is provided. Subsequently, a reflective material such as Al or Ag is formed by sputtering or vapor deposition. After the film formation, the resist is removed to form the reflection layer 8 having a predetermined shape that covers the translucent layer 12.

次に、チップ化する際の切断部１ｂ（図２参照）となる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、反射層８の側面の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、基板１と絶縁層９と透光性層１２とによって、全面が隠蔽される。 Next, a mask pattern made of a resist film is provided by a photolithography method in the region that becomes the exposed portion 1a including the region that becomes the cut portion 1b (see FIG. 2) when chipping. Then, the insulating layer 9 is laminated with an insulating material such as SiO 2 by sputtering or the like. At this time, the insulating layer 9 is formed on the second main surface of the substrate 1 on which the resist film is not provided outside the side surface of the reflective layer 8. As a result, the entire reflection layer 8 is concealed by the substrate 1, the insulating layer 9, and the translucent layer 12.

中間層１０及び接着層１１を、第２実施形態の第１の例と同様にして成膜する。これによって、基板１にはチップ化前の半導体発光素子１００が配列して形成される。その他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。   The intermediate layer 10 and the adhesive layer 11 are formed in the same manner as in the first example of the second embodiment. As a result, the semiconductor light emitting elements 100 before being formed into chips are arranged and formed on the substrate 1. Other manufacturing processes are the same as those of the first example of the manufacturing method according to the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

（第５の例）
次に、図８を参照して、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００について説明する。
図８に示したように、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、第２主面側に露出部１ａ（図４参照）を設けず、絶縁層９を、反射層８及び透光性層１２の側面を被覆するとともに、基板１の側面まで延在するように設けることが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。 (Fifth example)
Next, with reference to FIG. 8, the semiconductor light emitting element 100 of the 5th example in 2nd Embodiment is demonstrated.
As shown in FIG. 8, the semiconductor light emitting device 100 of the fifth example in the second embodiment is different from the semiconductor light emitting device 100 of the first example in the second embodiment shown in FIG. The exposed portion 1a (see FIG. 4) is not provided on the side, and the insulating layer 9 is provided so as to cover the side surfaces of the reflective layer 8 and the translucent layer 12 and to extend to the side surface of the substrate 1.
The other configurations are the same as those in the first example, and thus description thereof will be omitted as appropriate.

第２実施形態における第５の例の透光性層１２は、第２主面側において、第２主面の全面を被覆するように設けられている。
第２実施形態における第１の例と同様に、透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができるとともに、透光性層１２の側面と絶縁層９とが強固に接合されるため、反射層８の隠蔽性がよく、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。 The translucent layer 12 of the fifth example in the second embodiment is provided on the second main surface side so as to cover the entire surface of the second main surface.
Similar to the first example of the second embodiment, the translucent layer 12 is preferably made of the same material as that of the insulating layer 9, and can be grown under the same conditions from the viewpoint of the manufacturing process. Since the side surface of the light-sensitive layer 12 and the insulating layer 9 are firmly bonded, the concealing property of the reflective layer 8 is good, and the movement of the material constituting the adhesive layer 11 to the reflective layer 8 can be well prevented.

反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。反射層８は、透光性層１２の上面側の全面に積層される。
第２実施形態における第５の例では、反射層８と透光性層１２とは同じ範囲に設けるようにしたが、反射層８を透光性層１２より狭い範囲に設けるようにしてもよく、透光性層１２を反射層８より狭い範囲に設けるようにしてもよい。 The reflective layer 8 is a reflective film that is provided on the upper surface of the translucent layer 12 and reflects light transmitted through the translucent layer 12 upward. The reflective layer 8 is laminated on the entire upper surface of the translucent layer 12.
In the fifth example of the second embodiment, the reflective layer 8 and the translucent layer 12 are provided in the same range, but the reflective layer 8 may be provided in a range narrower than the translucent layer 12. The translucent layer 12 may be provided in a range narrower than the reflective layer 8.

絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆すするとともに、透光性層１２の側面を被覆し、更に、基板１の側面の一部まで延在するように設けられる。これによって、反射層８は、絶縁層９と透光性層１２とによって隠蔽される。これに加えて、基板１の側面まで延在するように設けられた絶縁層９によって、接着層１１を構成する材料が積層構造３０の側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを、より良好に防止することができる。   The insulating layer 9 covers the upper surface and the side surface of the reflective layer 8, covers the side surface of the translucent layer 12, and further extends to a part of the side surface of the substrate 1. Thereby, the reflective layer 8 is concealed by the insulating layer 9 and the translucent layer 12. In addition to this, the insulating layer 9 provided so as to extend to the side surface of the substrate 1 causes the material constituting the adhesive layer 11 to move along the side surface of the laminated structure 30, so that the reflective layer 8 on the substrate 1 side is moved. Precipitation on the surface can be prevented better.

その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例において、露出部１ａからの光取り出しがないこと以外は同様であるので、詳細な説明は省略する。 The other configuration is the same as that of the first example in the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
The operation of the semiconductor light emitting device 100 of the fifth example in the second embodiment is the same as that of the first example in the second embodiment except that there is no light extraction from the exposed portion 1a. Description is omitted.

第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程と半導体発光素子チップに分割する工程とが異なる。   The manufacturing method of the semiconductor light emitting device 100 of the fifth example in the second embodiment is the same as the manufacturing method of the first example in the second embodiment, in which a laminated structure including a reflective layer is formed on the second main surface of the substrate 1. And the process of dividing into semiconductor light emitting element chips is different.

第２実施形態における第５の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。次に、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。
これによって、第２主面上に透光性層１２と反射層８とが積層構造が形成される。 In the step of forming the laminated structure including the reflective layer of the fifth example in the second embodiment, first, a translucent material such as SiO 2 is applied to the entire surface on the second main surface side of the substrate 1 by a sputtering method or the like. Form a film. Next, a reflective material such as Al or Ag is formed by sputtering or vapor deposition.
Thereby, a laminated structure of the translucent layer 12 and the reflective layer 8 is formed on the second main surface.

次に、各半導体発光素子１００の間をダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
次に、チップ状に分割して基板１の側面が露出した半導体発光素子１００の第２主面側からスパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料を成膜することにより、反射層８の上面及び側面、透光性層１２の側面、並びに基板１の側面に絶縁層９を形成することができる。 Next, each semiconductor light emitting element 100 is cut by dicing, scribing, etc., and the individual semiconductor light emitting elements 100 are divided into chips.
Next, an insulating material such as SiO 2 is formed by sputtering or the like from the second main surface side of the semiconductor light emitting device 100 which is divided into chips and the side surface of the substrate 1 is exposed, thereby forming the upper surface of the reflective layer 8. Further, the insulating layer 9 can be formed on the side surface, the side surface of the translucent layer 12, and the side surface of the substrate 1.

続けて、中間層１０と接着層１１とを、第２実施形態における第１の例と同様にして形成する。
これによって、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００を製造することができる。 Subsequently, the intermediate layer 10 and the adhesive layer 11 are formed in the same manner as in the first example in the second embodiment.
Thereby, the semiconductor light emitting device 100 of the fifth example in the second embodiment can be manufactured.

なお、チップ状に分割したあとに、各半導体発光素子１００の第２主面側に効率的に絶縁膜を形成するために、例えば、前記した特許文献２（段落００４０〜段落００５１、図２〜図５参照）に記載された手法を応用することができる。
まず、チップ状に分割する前に粘着シートを用いて、基板１の第１主面側に形成されている半導体発光素子構造２０に貼付しておく。そして、チップ状に分割後に、粘着シートを２次元的に引き延ばすことにより、分割された半導体発光素子１００の間隔が広がり、各半導体発光素子１００の基板１の側面を露出させることができる。 In order to efficiently form an insulating film on the second main surface side of each semiconductor light emitting element 100 after being divided into chips, for example, Patent Document 2 (paragraph 0040 to paragraph 0051, FIG. The technique described in FIG. 5) can be applied.
First, before dividing | segmenting into chip shape, it sticks to the semiconductor light-emitting element structure 20 currently formed in the 1st main surface side of the board | substrate 1 using the adhesive sheet. And after dividing | segmenting into chip shape, the space | interval of the divided | segmented semiconductor light emitting element 100 spreads by extending an adhesive sheet two-dimensionally, and the side surface of the board | substrate 1 of each semiconductor light emitting element 100 can be exposed.

この状態で、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料を成膜することにより、反射層８の上面及び側面、透光性層１２の側面、並びに基板１の側面に絶縁層９を形成することができる。 In this state, an insulating material such as SiO 2 is formed by sputtering or the like to form the insulating layer 9 on the upper surface and side surface of the reflective layer 8, the side surface of the light-transmitting layer 12, and the side surface of the substrate 1. be able to.

（半導体発光装置）
次に、図９を参照して、第３実施形態における半導体発光装置１１０について説明する。
図９に示したように、第３実施形態における半導体発光装置１１０は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と、リードフレーム１１１及び１１２と、ワイヤ１１３及び１１４と、封止部材１１５と、から構成されている。 (Semiconductor light emitting device)
Next, with reference to FIG. 9, the semiconductor light-emitting device 110 in 3rd Embodiment is demonstrated.
As shown in FIG. 9, the semiconductor light emitting device 110 according to the third embodiment includes the semiconductor light emitting device 100 according to the first embodiment shown in FIG. 1, lead frames 111 and 112, wires 113 and 114, sealing Member 115.

図９に示した第３実施形態における半導体発光装置１１０は、半導体発光素子１００は、外部から電流を供給するためのリードフレーム（実装基板）１１１のカップ状に形成された実装面である凹部１１１ａの底面（実装領域）１１１ｂに熱圧着によって接着層１１で固定されている。また、ｐ側パッド電極７及びｎ側電極５は、それぞれＡｕなどからなるワイヤ１１３、１１４で、半導体発光装置１１０の金属からなるリードフレーム１１１、１１２とそれぞれ接続されている。また、これらの部材は、砲弾型の封止部材１１５によって封止されている。   In the semiconductor light emitting device 110 according to the third embodiment shown in FIG. 9, the semiconductor light emitting element 100 has a recess 111a that is a mounting surface formed in a cup shape of a lead frame (mounting substrate) 111 for supplying current from the outside. The adhesive layer 11 is fixed to the bottom surface (mounting region) 111b by thermocompression bonding. The p-side pad electrode 7 and the n-side electrode 5 are respectively connected to lead frames 111 and 112 made of metal of the semiconductor light emitting device 110 by wires 113 and 114 made of Au, respectively. Further, these members are sealed with a shell-type sealing member 115.

また、リードフレーム１１１の凹部１１１ａの側面（反射領域）１１１ｃは開口部に向かって広がるように傾斜しており、半導体発光素子１００から横方向に放出された光を凹部１１１ａの開口部に向けて反射するようになっている。これによって、好適に光を取り出せる半導体発光装置１１０とすることができる。   Further, the side surface (reflection region) 111c of the recess 111a of the lead frame 111 is inclined so as to spread toward the opening, and light emitted from the semiconductor light emitting element 100 in the lateral direction is directed toward the opening of the recess 111a. It is designed to reflect. As a result, the semiconductor light emitting device 110 that can suitably extract light can be obtained.

第３実施形態においては、実装基板としてリードフレーム１１１を用いたが、実装基板はこれに限定されるものではなく、半導体発光素子１００をボンディングするためのものであればよく、例えば、発光素子用や受光素子用のステム、平面実装用セラミック基板、プラスチック基板などを用いることができる。
具体的にはＡｌＮからなる実装基板を用いると放熱性が高い半導体発光装置１１０とすることができ好ましい。更に、半導体発光素子１００が実装される実装面は金属材料からなることが好ましい。これによって、半導体発光素子１００の外に取り出された光を反射し、好適に光を取り出すことができる。実装面に用いる金属材料は半導体発光素子１００の発光波長の光を高反射率で反射することのできる金属材料が好ましく、具体的にはＡｇ、Ａｌ、Ｒｈなどを用いることができる。また実装基板のうち、半導体発光素子１００が実装される領域以外の領域は、金属材料の表面を透光性の絶縁材料で被覆していることが更に好ましい。これによって、金属材料が変質することを抑制することができる。 In the third embodiment, the lead frame 111 is used as the mounting substrate. However, the mounting substrate is not limited to this, and any substrate for bonding the semiconductor light emitting element 100 may be used. Alternatively, a stem for a light receiving element, a ceramic substrate for flat mounting, a plastic substrate, or the like can be used.
Specifically, it is preferable to use a mounting substrate made of AlN because the semiconductor light emitting device 110 with high heat dissipation can be obtained. Furthermore, the mounting surface on which the semiconductor light emitting element 100 is mounted is preferably made of a metal material. Thereby, the light extracted out of the semiconductor light emitting element 100 can be reflected, and the light can be preferably extracted. The metal material used for the mounting surface is preferably a metal material that can reflect the light having the emission wavelength of the semiconductor light emitting element 100 with high reflectivity, and specifically, Ag, Al, Rh, or the like can be used. Further, it is more preferable that the region of the mounting substrate other than the region where the semiconductor light emitting element 100 is mounted covers the surface of the metal material with a light-transmitting insulating material. Thereby, it can suppress that a metal material changes in quality.

封止部材１１５は、半導体発光装置１１０を組み立てた後、基体の凹部に充填され、外力、水分等から半導体発光素子１００を保護し、水蒸気爆発や、半導体発光素子１００と封止部材１１５との剥がれによって生じる色調のずれ等の弊害を防ぐことができる。
封止部材１１５は、半導体発光素子１００からの光を効率よく取り出すために、光の透過性の高いものが好ましく、封止部材１１５として用いられる透光性材料の具体例としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂やガラスなどが好適に用いられる。 After assembling the semiconductor light emitting device 110, the sealing member 115 is filled in the concave portion of the base body, protects the semiconductor light emitting element 100 from external force, moisture, etc., and causes a steam explosion, or between the semiconductor light emitting element 100 and the sealing member 115. It is possible to prevent adverse effects such as color shift caused by peeling.
The sealing member 115 is preferably a highly light-transmitting material in order to efficiently extract light from the semiconductor light emitting device 100. Specific examples of the light-transmitting material used as the sealing member 115 include an epoxy resin, A transparent resin or glass having excellent weather resistance such as a silicone resin, an acrylic resin, or a urea resin is preferably used.

また、封止部材１１５に蛍光物質（蛍光体）を含有させることにより、半導体発光装置１１０の外部へ出射される光の波長を所望の波長に変換することができる。また、本発明の半導体発光装置１１０では、絶縁層９によって被覆された反射層８を設けた半導体発光押し１００を備えるため、接着層１１の金属材料が反射層８の基板１側の面に移動して析出することを防止できるため、半導体発光素子１００の発光特性が安定しており、より好適に前記した効果を得ることができる。   In addition, by including a fluorescent material (phosphor) in the sealing member 115, the wavelength of light emitted to the outside of the semiconductor light emitting device 110 can be converted to a desired wavelength. Moreover, since the semiconductor light emitting device 110 of the present invention includes the semiconductor light emitting push 100 provided with the reflective layer 8 covered with the insulating layer 9, the metal material of the adhesive layer 11 moves to the surface of the reflective layer 8 on the substrate 1 side. Therefore, the light emission characteristics of the semiconductor light emitting device 100 are stable, and the effects described above can be obtained more suitably.

なお、図９では、半導体発光装置として砲弾型の外観を有する半導体発光装置１１０を示したが、本発明の半導体発光装置はこれに限られるものではない。
また、半導体発光素子１００は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００に替えて、図４乃至図８に示した第２実施形態における半導体発光素子１００を用いるようにしてもよい。 In FIG. 9, the semiconductor light emitting device 110 having a bullet-shaped appearance is shown as the semiconductor light emitting device, but the semiconductor light emitting device of the present invention is not limited to this.
Further, the semiconductor light emitting device 100 may use the semiconductor light emitting device 100 in the second embodiment shown in FIGS. 4 to 8 instead of the semiconductor light emitting device 100 in the first embodiment shown in FIG. .

続いて、図９を参照して、第３実施形態における半導体発光装置１１０の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、リードフレーム１１１、１１２及びワイヤ１１３、１１４を介して、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。 Subsequently, an operation of the semiconductor light emitting device 110 according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
The semiconductor light emitting device 100 has a semiconductor light emitting device structure 20 by connecting to a DC power source through the lead frames 111 and 112 and wires 113 and 114 with the p-side pad electrode 7 as a positive electrode and the n-side electrode 5 as a negative electrode. A voltage is applied in the forward direction, and light is emitted from the light emitting layer 3 in a random direction. A part of the light emitted from the light emitting layer 3 in various directions passes through the p-side full-surface electrode 6 from the upper end surface of the semiconductor light emitting element structure 20, and is extracted outside the semiconductor light emitting element 100. A part of the light is emitted from the semiconductor light emitting element. It is taken out of the semiconductor light emitting device 100 from the side surface of the device structure 20. Further, a part of the light emitted downward from the light emitting layer 3 is reflected by the reflective layer 8, deflected upward, transmitted through the p-side full surface electrode 6, and taken out of the semiconductor light emitting device 100. The portion is taken out of the semiconductor light emitting device 100 from the exposed portion 1 a of the second main surface of the substrate 1.

半導体発光素子１００から上方（砲弾型の封止部材１１５の曲面の方向）に取り出された光は、砲弾型の封止部材１１５の曲面による集光作用により、更に上方に集光される。
また、半導体発光素子１００の側面又は第２主面に設けられた露出部１ａ（図１参照）から横方向乃至下方に取り出された光は、リードフレーム１１１の凹部１１１ａの側面１１１ｃ又は底面１１１ｂで反射され、上方に偏向される。上方に偏向された光は、砲弾型の封止部材１１５の曲面による集光作用により、更に上方に集光される。 The light extracted upward from the semiconductor light emitting element 100 (in the direction of the curved surface of the shell-shaped sealing member 115) is further collected upward by the condensing action by the curved surface of the shell-shaped sealing member 115.
Further, the light extracted from the exposed portion 1a (see FIG. 1) provided on the side surface or the second main surface of the semiconductor light emitting device 100 in the lateral direction or downward is transmitted from the side surface 111c or the bottom surface 111b of the recess 111a of the lead frame 111. Reflected and deflected upward. The light deflected upward is condensed further upward by the condensing action by the curved surface of the shell-shaped sealing member 115.

次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
サファイアからなるウエハ（基板）の主面上にｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮを含む活性層（発光層）、ｐ型窒化物半導体層を積層し、ｎ側電極を形成する領域のｐ型窒化物半導体層と活性層とｎ型窒化物半導体層の一部とを除去する。露出されたｎ型窒化物半導体層上にｎ側電極を、ｐ型窒化物半導体層上の全面に、ＩＴＯからなる透光性のｐ側全面電極を設け、更に、透光性のｐ側全面電極上の一部にｐ側パッド電極を設ける。 Next, examples of the present invention will be described.
Example 1
An n-type nitride semiconductor layer, an active layer containing InGaN (light emitting layer), and a p-type nitride semiconductor layer are stacked on the main surface of a wafer (substrate) made of sapphire, and p-type nitridation in a region where an n-side electrode is formed. The material semiconductor layer, the active layer, and a part of the n-type nitride semiconductor layer are removed. An n-side electrode is provided on the exposed n-type nitride semiconductor layer, a light-transmitting p-side entire electrode made of ITO is provided on the entire surface of the p-type nitride semiconductor layer, and the light-transmitting p-side entire surface is further provided. A p-side pad electrode is provided on a part of the electrode.

サファイアからなる基板の窒化物半導体層を積層した主面（第１主面）と反対の主面（第２主面）上に、チップ化する際の切断部及び露出部となる部分にレジストを設ける。次に全面にＡｌを１２０ｎｍの膜厚で積層して反射層を形成する。形成したＡｌの反射層の外縁の外側のレジストを、チップ化する際の切断部及び露出面を残して除去する。次にＳｉＯ２を１００ｎｍの膜厚で積層して絶縁膜を形成し、続けてＴｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成する。最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。次にレジストを除去することでチップ化した際に露出部となる、基板面が露出したウエハが得られる。
サファイアからなる基板の露出した領域の切断部に沿って、レーザスクライブを行い、チップ化する。これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。 On the main surface (second main surface) opposite to the main surface (first main surface) on which the nitride semiconductor layer of the substrate made of sapphire is laminated, a resist is applied to the portions to be cut and exposed when chipping. Provide. Next, Al is laminated on the entire surface with a thickness of 120 nm to form a reflective layer. The resist outside the outer edge of the formed Al reflective layer is removed leaving a cut portion and an exposed surface when chipped. Next, an insulating film is formed by laminating SiO 2 with a film thickness of 100 nm, and subsequently an intermediate layer is formed by laminating 30 nm of Ti and 200 nm of Pt. Finally, 3500 nm of Au—Sn is laminated to form an adhesive layer. Next, by removing the resist, a wafer with an exposed substrate surface, which becomes an exposed portion when chipped, is obtained.
Laser scribing is performed along a cut portion of the exposed region of the sapphire substrate to form a chip. Thus, the semiconductor light emitting device of the first embodiment shown in FIG. 1 is obtained.

得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがなかった。またこれらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。   In the obtained semiconductor light emitting device, Au—Sn of the adhesive layer did not move to Al of the reflective layer. Further, when these semiconductor light-emitting elements are bonded to a mounting substrate using Au—Sn as an adhesive layer as an adhesive, the characteristics of the semiconductor light-emitting elements are high, and the light output is high and the light distribution characteristics are also good.

（実施例２）
実施例１の製造工程において、Ａｌによる反射層を形成する前に、ＳｉＯ２を３００ｎｍ積層して透光性層を形成する。これによって、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子が得られる。 (Example 2)
In the manufacturing process of Example 1, before forming the reflective layer of Al, a light-transmitting layer is formed by laminating 300 nm of SiO 2 . As a result, the semiconductor light emitting element of the first example in the second embodiment shown in FIG. 4 is obtained.

得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがないとともに、実施例１と比べて、発光出力が３％向上した。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。   In the obtained semiconductor light emitting device, Au—Sn of the adhesive layer did not move to Al of the reflective layer, and the light emission output was improved by 3% compared to Example 1. Further, when these semiconductor light-emitting elements are bonded to a mounting substrate using Au—Sn as an adhesive layer as an adhesive, the characteristics of the semiconductor light-emitting elements are high and the light distribution characteristics are also good.

（実施例３）
実施例１の製造工程において、Ｔｉに代えて、ＳｉＯ２を形成した後に、続けてＷを７５ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ、Ｗを１５０ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ、Ｗを４５０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成し、最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。
これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。 (Example 3)
In the manufacturing process of Example 1, after forming SiO 2 instead of Ti, an intermediate layer is formed by successively laminating W of 75 nm, Al of 50 nm, W of 150 nm, Al of 50 nm, W of 450 nm, and Pt of 200 nm. Finally, Au-Sn is laminated at 3500 nm to form an adhesive layer.
Thus, the semiconductor light emitting device of the first embodiment shown in FIG. 1 is obtained.

得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがないとともに、サファイアからなる基板と反射層との剥離をなくす半導体発光素子を得ることができた。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。   The obtained semiconductor light emitting device was able to obtain a semiconductor light emitting device in which Au—Sn of the adhesive layer did not move to Al of the reflective layer, and peeling between the sapphire substrate and the reflective layer was eliminated. Further, when these semiconductor light-emitting elements are bonded to a mounting substrate using Au—Sn as an adhesive layer as an adhesive, the characteristics of the semiconductor light-emitting elements are high and the light distribution characteristics are also good.

（実施例４）
実施例１の製造工程において、図３に示した第１実施形態における製造方法の変形例によって、サファイアからなる基板上に開口部が先細りされた形状のレジストを形成する。次にスパッタリングによってＡｌを１２０ｎｍ積層して反射層を形成する。このときレジストの先細り部分も一部が除去され、Ａｌによる反射層が形成された領域とレジストが残っている領域との間にサファイアからなる基板の露出部が残される。ここで、更に、Ａｒイオンでスパッタリングしてレジストの先細り部を除去する。その後に、ＳｉＯ２を１００ｎｍ積層して絶縁層を形成し、Ｔｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成し、最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。
これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。 Example 4
In the manufacturing process of Example 1, a resist having a tapered opening is formed on a substrate made of sapphire by a modification of the manufacturing method in the first embodiment shown in FIG. Next, a reflective layer is formed by stacking 120 nm of Al by sputtering. At this time, a part of the tapered portion of the resist is also removed, and an exposed portion of the substrate made of sapphire is left between the region where the reflective layer of Al is formed and the region where the resist remains. Here, the tapered portion of the resist is removed by sputtering with Ar ions. After that, an insulating layer is formed by laminating 100 nm of SiO 2 , an intermediate layer is formed by laminating 30 nm of Ti and 200 nm of Pt, and finally an adhesive layer is formed by laminating 3500 nm of Au—Sn.
Thus, the semiconductor light emitting device of the first embodiment shown in FIG. 1 is obtained.

得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがなかった。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。   In the obtained semiconductor light emitting device, Au—Sn of the adhesive layer did not move to Al of the reflective layer. Further, when these semiconductor light-emitting elements are bonded to a mounting substrate using Au—Sn as an adhesive layer as an adhesive, the characteristics of the semiconductor light-emitting elements are high and the light distribution characteristics are also good.

（比較例１）
実施例１と同様にレジストを設け、反射層としてＡｌを１２０ｎｍ積層して形成し、Ａｌ上のサファイアからなる基板と反対側の面に絶縁層としてＳｉＯ２を１００ｎｍを積層して形成し、中間層としてＴｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍを積層して形成し、接着層としてＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して形成する他は実施例１と同様にして半導体発光素子を作成する。
これによって、図１０に示した半導体発光素子が得られる。
図１０において、比較例１の半導体発光素子２００は、反射層８の側面が絶縁層２０９によって被覆されない積層構造２３０が形成される。 (Comparative Example 1)
In the same manner as in Example 1, a resist is provided, and Al is formed by stacking 120 nm as a reflective layer, and SiO 2 is formed by stacking 100 nm as an insulating layer on the surface opposite to the sapphire substrate on Al. A semiconductor light emitting device is fabricated in the same manner as in Example 1 except that the layer is formed by stacking 30 nm of Ti and 200 nm of Pt and the layer of Au-Sn is stacked by 3500 nm as the adhesive layer.
Thereby, the semiconductor light emitting device shown in FIG. 10 is obtained.
In FIG. 10, the semiconductor light emitting device 200 of Comparative Example 1 is formed with a stacked structure 230 in which the side surface of the reflective layer 8 is not covered with the insulating layer 209.

得られた半導体発光素子を実装基板（図１０の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面に、接着層のＡｕ及びＳｎの析出物（図１０の２０８ａ参照）が見られた。
実施例１に比べて、発光出力が２％低く、配光特性にＡｕ及びＳｎの析出による悪化が見られた。
Ａｌの反射層上に、ＳｉＯ２を更に厚く積層して絶縁層を形成しても同様にＡｕ及びＳｎの析出物が見られた。 When the obtained semiconductor light-emitting device was mounted on a mounting substrate (see 40 in FIG. 10), at least a deposit of Au and Sn (208a in FIG. 10) on the surface of the reflective layer made of Al sapphire on the substrate side. See).
Compared with Example 1, the light emission output was 2% lower, and the light distribution characteristics were deteriorated by the precipitation of Au and Sn.
Even when an insulating layer was formed by further laminating SiO 2 on the Al reflective layer, precipitates of Au and Sn were also observed.

（比較例２）
比較例１の製造工程において、Ａｌの反射層を形成する前に、透光性層としてＳｉＯ２を３００ｎｍの膜厚で形成した。その他は比較例１と同様にして、図１１に示した半導体発光素子が得られる。
図１１において、比較例２の半導体発光素子２００は、透光性層１２と絶縁層２０９の間に積層され、反射層８の側面が絶縁層２０９によって被覆されない積層構造２３０が形成される。 (Comparative Example 2)
In the manufacturing process of Comparative Example 1, before forming the Al reflective layer, SiO 2 having a thickness of 300 nm was formed as the light-transmitting layer. Otherwise, the semiconductor light emitting device shown in FIG. 11 is obtained in the same manner as in Comparative Example 1.
In FIG. 11, the semiconductor light emitting device 200 of Comparative Example 2 is laminated between the translucent layer 12 and the insulating layer 209, and a laminated structure 230 is formed in which the side surface of the reflective layer 8 is not covered with the insulating layer 209.

得られた半導体発光素子を実装基板（図１１の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面、すなわち、透光性層のＳｉＯ２との界面にＡｕ及びＳｎの析出物（図１１の２０８ａ参照）が見られた。 When the obtained semiconductor light-emitting element was mounted on a mounting substrate (see 40 in FIG. 11), at least the surface of the reflective layer made of Al sapphire, that is, the interface with SiO 2 of the light-transmitting layer, Au and Sn precipitates (see 208a in FIG. 11) were observed.

（比較例３）
比較例１の製造工程において、Ａｌの反射層を形成した後に、絶縁層の替わりにＷＮを１００ｎｍの膜厚でかつ、反射層の側面を覆うよう被覆層を形成する。その他は比較例１と同様にして図１２に示した半導体発光素子を作成する。
図１２において、比較例３の半導体発光素子２００は、Ａｌからなる反射層８の上面及び側面が、ＷＮからなる被覆層２１０によって被覆された積層構造２３０が形成される。 (Comparative Example 3)
In the manufacturing process of Comparative Example 1, after forming the reflective layer of Al, a covering layer is formed so as to cover the side surface of the reflective layer with a WN film thickness of 100 nm instead of the insulating layer. Other than that, the semiconductor light emitting device shown in FIG.
In FIG. 12, in the semiconductor light emitting device 200 of Comparative Example 3, a laminated structure 230 is formed in which the upper surface and side surfaces of the reflective layer 8 made of Al are covered with a cover layer 210 made of WN.

得られた半導体発光素子を実装基板（図１２の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面にＡｕ及びＳｎの析出物（図１２の２０８ａ参照）が見られた。   When the obtained semiconductor light-emitting element was mounted on a mounting substrate (see 40 in FIG. 12), at least a precipitate of Au and Sn (see 208a in FIG. 12) was found on the surface of the reflective layer made of Al sapphire. It was.

１ 基板（透光性基板）
１ａ 露出部
１ｂ 切断部
２ ｎ型半導体層
３ 発光層
４ ｐ型半導体層
５ ｎ側電極
６ ｐ側全面電極
７ ｐ側パッド電極
８ 反射層
９ 絶縁層
１０ 中間層（応力緩和層）
１１ 接着層
１２ 透光性層
２０ 半導体発光素子構造
３０ 積層構造
１００ 半導体発光素子
１１０ 半導体発光装置
１１１ リードフレーム（実装基板）
１１１ａ 凹部
１１１ｂ 底面（実装領域）
１１１ｃ 側面（反射領域）
１１２ リードフレーム
１１３、１１４ ワイヤ
１１５ 封止部材
1 Substrate (Translucent substrate)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a Exposed part 1b Cutting part 2 N type semiconductor layer 3 Light emitting layer 4 P type semiconductor layer 5 N side electrode 6 P side whole surface electrode 7 P side pad electrode 8 Reflective layer 9 Insulating layer 10 Intermediate layer (stress relaxation layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Adhesion layer 12 Translucent layer 20 Semiconductor light emitting element structure 30 Laminated | stacking structure 100 Semiconductor light emitting element 110 Semiconductor light emitting device 111 Lead frame (mounting board)
111a recess 111b bottom surface (mounting area)
111c Side surface (reflection area)
112 Lead frame 113, 114 Wire 115 Sealing member

Claims (15)

第１主面と第２主面とを備えるサファイアからなる透光性基板の前記第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、
前記半導体発光素子構造を積層させた前記第１主面とは反対側の面である前記第２主面上に、
前記発光層から放出された光を反射する金属からなる反射層と、
前記反射層の前記透光性基板と反対側の面及び側面を被覆するとともに、当該反射層の外縁の外側で前記透光性基板の前記第２主面と接する絶縁層と、
前記絶縁層の前記反射層と反対側の面上に設けられた金属からなる接着層と、
前記絶縁層と前記接着層との間に前記反射層と前記接着層との間の応力を緩和する応力緩和層と、を有し、
前記絶縁層は、金属酸化物からなり、
前記応力緩和層は、互いに種類の異なる第１の層と第２の層とを、交互にそれぞれ２層以上積層し、
前記第１の層は前記反射層に用いる金属と同じ金属又はその窒化物からなり、前記第２の層は前記反射層に用いる金属とは異なる金属又はその窒化物からなることを特徴とする半導体発光素子。 A semiconductor light emitting device having a semiconductor light emitting device structure having at least a light emitting layer on the first main surface of a translucent substrate made of sapphire having a first main surface and a second main surface,
On the second main surface that is the surface opposite to the first main surface on which the semiconductor light emitting element structure is laminated,
A reflective layer made of a metal that reflects the light emitted from the light emitting layer;
An insulating layer that covers a surface and a side surface of the reflective layer opposite to the translucent substrate, and is in contact with the second main surface of the translucent substrate outside an outer edge of the reflective layer;
An adhesive layer made of metal provided on the surface of the insulating layer opposite to the reflective layer;
A stress relaxation layer that relaxes stress between the reflective layer and the adhesive layer between the insulating layer and the adhesive layer ;
The insulating layer, Ri Do a metal oxide,
The stress relaxation layer is formed by alternately laminating two or more different first and second layers of different types,
Wherein the first layer consists of the same metal or nitride thereof and the metal used in the reflective layer, the second layer is characterized by Rukoto a different metal or nitride thereof and the metal used in the reflective layer Semiconductor light emitting device. 第１主面と第２主面とを備えるサファイアからなる透光性基板の前記第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、
前記半導体発光素子構造を積層させた前記第１主面とは反対側の面である前記第２主面上に、
前記発光層から放出された光を反射する金属からなる反射層と、
前記反射層の前記透光性基板と反対側の面及び側面を被覆するとともに、前記透光性基板の側面まで延在して当該透光性基板の側面と接する絶縁層と、
前記絶縁層の前記反射層と反対側の面上に設けられた金属からなる接着層と、
前記絶縁層と前記接着層との間に前記反射層と前記接着層との間の応力を緩和する応力緩和層と、を有し、
前記絶縁層は、金属酸化物からなり、
前記応力緩和層は、互いに種類の異なる第１の層と第２の層とを、交互にそれぞれ２層以上積層し、
前記第１の層は前記反射層に用いる金属と同じ金属又はその窒化物からなり、前記第２の層は前記反射層に用いる金属とは異なる金属又はその窒化物からなることを特徴とする半導体発光素子。 A semiconductor light emitting device having a semiconductor light emitting device structure having at least a light emitting layer on the first main surface of a translucent substrate made of sapphire having a first main surface and a second main surface,
On the second main surface that is the surface opposite to the first main surface on which the semiconductor light emitting element structure is laminated,
A reflective layer made of a metal that reflects the light emitted from the light emitting layer;
An insulating layer that covers a surface and a side surface of the reflective layer opposite to the translucent substrate, extends to a side surface of the translucent substrate, and contacts the side surface of the translucent substrate;
An adhesive layer made of metal provided on the surface of the insulating layer opposite to the reflective layer;
A stress relaxation layer that relaxes stress between the reflective layer and the adhesive layer between the insulating layer and the adhesive layer ;
The insulating layer, Ri Do a metal oxide,
The stress relaxation layer is formed by alternately laminating two or more different first and second layers of different types,
Wherein the first layer consists of the same metal or nitride thereof and the metal used in the reflective layer, the second layer is characterized by Rukoto a different metal or nitride thereof and the metal used in the reflective layer Semiconductor light emitting device. 前記反射層は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子。   3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the reflective layer is made of any one selected from Al, Ag, Al alloy, Ag alloy, Rh, and Pt. 4. 前記接着層は、Ａｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体発光素子。   4. The semiconductor light emitting element according to claim 1, wherein the adhesive layer is made of Au—Sn or Pd—Sn. 5. 前記絶縁層は、ＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の半導体発光素子。 The semiconductor light emitting element according to claim 1, wherein the insulating layer is made of SiO 2 . 前記反射層と前記透光性基板との間に透光性層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の半導体発光素子。   6. The semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising a light transmissive layer between the reflective layer and the light transmissive substrate. 前記透光性層は、金属酸化物からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。   The semiconductor light-emitting element according to claim 6, wherein the translucent layer is made of a metal oxide. 前記透光性層と前記絶縁層とは、同じ材料からなることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体発光素子。   The semiconductor light emitting element according to claim 6, wherein the translucent layer and the insulating layer are made of the same material. 前記第１の層は前記反射層より膜厚が薄く、前記第２の層は前記反射層から離れる層ほど膜厚が厚いことを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の半導体発光素子。 Wherein the first layer is thinner the thickness of the reflecting layer, the second layer in any one of claims 1 to 8, characterized in that the layer as the thickness away from the reflective layer is thick The semiconductor light emitting element as described. 前記第２の層は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。 The semiconductor light emitting element according to claim 9 , wherein the second layer is made of a material having a component containing at least one of W and WN. 前記透光性基板は、第２主面において露出部を有し、前記露出部と前記反射層との間に前記絶縁層を有することを特徴とする請求項１、又は請求項２を引用するものを除く請求項３乃至請求項１０の何れか一項に記載の半導体発光素子。 The translucent substrate has an exposed portion at the second main surface, cited claim 1, characterized in that an insulating layer, or claim 2 between said exposed portion and the reflective layer the semiconductor light emitting device according to any one of claims 3 to 10, except one. 前記露出部は前記絶縁層の外縁の外側に設けられたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光素子。 The semiconductor light emitting device according to claim 11 , wherein the exposed portion is provided outside an outer edge of the insulating layer. 請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の半導体発光素子を備え、前記接着層が実装基板に接続されてなる半導体発光装置。 Comprising a semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 12, the semiconductor light-emitting device comprising the adhesive layer is connected to the mounting board. 前記実装基板は、前記実装基板の表面に前記半導体発光素子が実装される実装領域と、前記半導体発光素子から放出された光を反射する反射領域とを有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光装置。 The mounting board, according to claim 13, characterized in that it comprises a mounting region on which the semiconductor light emitting element on a surface of said mounting substrate is mounted, and a reflection region for reflecting the light emitted from the semiconductor light emitting element Semiconductor light emitting device. 前記半導体発光素子を覆うように蛍光体を含有する封止部材で封止されてなる請求項１３又は請求項１４に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light emitting device according to claim 13 or 14 , wherein the semiconductor light emitting device is sealed with a sealing member containing a phosphor so as to cover the semiconductor light emitting element.
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