JP5581734B2 - Conductive connection sheet, connection method between terminals, formation method of connection terminal, semiconductor device and electronic device - Google Patents

Conductive connection sheet, connection method between terminals, formation method of connection terminal, semiconductor device and electronic device Download PDF

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Description

本発明は、導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器に関する。   The present invention relates to a conductive connection sheet, a connection method between terminals, a method for forming a connection terminal, a semiconductor device, and an electronic apparatus.

近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。   In recent years, along with the demand for higher functionality and miniaturization of electronic equipment, the pitch between connection terminals in electronic materials is becoming increasingly narrow, and the connection between terminals in a fine wiring circuit is also becoming more sophisticated.

端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップを回路基板に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。   As the inter-terminal connection method, for example, a flip chip connection technique in which a large number of terminals are collectively connected using an anisotropic conductive adhesive or an anisotropic conductive film when an IC chip is electrically connected to a circuit board. It has been known. Such an anisotropic conductive adhesive or anisotropic conductive film is a film or paste in which conductive particles are dispersed in an adhesive mainly composed of a thermosetting resin, and the electronic member to be connected thereto By disposing them in between and thermocompression bonding, a large number of opposing terminals can be connected together, while insulation between adjacent terminals can be ensured by the resin in the adhesive.

しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。   However, in the anisotropic conductive adhesive or anisotropic conductive film, it is difficult to control the aggregation of the conductive particles, and the conductive particles and the terminals or the conductive particles face each other without sufficiently contacting each other. Some of the terminals do not conduct, or conductive particles remain in the resin (insulating region) other than between the opposing terminals (conducting region), and insulation between adjacent terminals is not sufficiently secured. There was a problem. For this reason, it was difficult to cope with further narrowing of the pitch between terminals.

他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。   On the other hand, when manufacturing a connection terminal on an electronic member, conventionally, a solder paste is printed on a substrate provided with a metal pad, and the solder paste is heated and melted using a solder reflow apparatus or the like. However, in this method, when the connection terminals have a narrow pitch, the cost of the mask used when printing the solder paste increases, and if the connection terminals are small, printing may not be possible.

また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。   Also, in the method in which solder balls are mounted on the connection terminals and the solder balls are heated and melted using a solder reflow device or the like, if the connection terminals are small, the manufacturing cost of the solder balls increases, and the solder balls having a small diameter In some cases, it was technically difficult to fabricate.

特開昭６１−２７６８７３号公報JP-A 61-276873 特開２００４−２６０１３１号公報JP 2004-260131 A

かかる問題点を解決することを目的に、樹脂成分と、フラックス機能を有する化合物とを含有する樹脂組成物で構成される樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。   In order to solve such problems, a resin composition layer composed of a resin composition containing a resin component and a compound having a flux function, and a metal layer composed of a low-melting-point metal material A conductive connection sheet composed of a laminated body is being studied.

かかる構成の導電接続シートを、対向する端子間に配置した状態で、低融点の金属材料を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に、対向する端子間に凝集し、この端子間の領域には樹脂成分が充填されることから、対向する多数の端子同士を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分により隣接する端子間の絶縁性を確保することができるようになる。   When the low-melting-point metal material is heated at a temperature equal to or higher than the melting point in a state where the conductive connection sheet having such a configuration is disposed between the facing terminals, the molten metal material selectively aggregates between the facing terminals. Since the resin component is filled in the region between the terminals, a large number of opposing terminals can be connected together with a metal material selectively aggregated together, and the resin component contained in the resin composition Thus, insulation between adjacent terminals can be ensured.

ここで、導電接続シートが備える樹脂組成物層中にフラックス機能を有する化合物が含まれる構成とするのは、金属層の表面に酸化膜が生長するにしたがって、金属層を溶融させた際における金属材料の端子間への凝集力が低下するため、この凝集力の低下を抑制または防止することにある。したがって、フラックス機能を有する化合物が樹脂組成物層中に含まれていると、かかる化合物の還元作用により、たとえ酸化膜が生長したとしても、金属層から表面酸化膜を除去することができ、その結果、溶融状態の金属材料を確実に対向する端子間に凝集させることができるようになる。   Here, the resin composition layer included in the conductive connection sheet includes a compound having a flux function because the metal layer is melted as the oxide film grows on the surface of the metal layer. Since the cohesive force between the terminals of the material is reduced, the reduction in the cohesive force is to be suppressed or prevented. Therefore, when a compound having a flux function is contained in the resin composition layer, even if an oxide film grows due to the reducing action of such a compound, the surface oxide film can be removed from the metal layer. As a result, the molten metal material can be reliably aggregated between the terminals facing each other.

しかしながら、表面酸化膜を金属層から確実に除去するために、樹脂組成物層中における含有量を多くすると、フラックス機能を有する化合物の種類によっては、かかる化合物を含有する樹脂成分による絶縁性が十分に確保することができず、隣接する端子間でリーク電流が生じるという問題があった。   However, in order to reliably remove the surface oxide film from the metal layer, if the content in the resin composition layer is increased, depending on the type of the compound having a flux function, the insulation by the resin component containing such a compound is sufficient. In other words, there is a problem that leakage current occurs between adjacent terminals.

そこで、本発明の目的は、フラックス機能を有する化合物の樹脂組成物層中に対する添加を省略しても、溶融状態の金属材料を選択的に端子間に凝集させることができ、隣接する端子間におけるリーク電流の発生が低減された導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、信頼性の高い半導体装置、および、電子機器を提供することにある。   Therefore, the object of the present invention is to selectively agglomerate the molten metal material between the terminals even if the addition of the compound having a flux function to the resin composition layer is omitted, and between adjacent terminals. An object of the present invention is to provide a conductive connection sheet in which generation of leakage current is reduced, a connection method between terminals using the conductive connection sheet, a method of forming a connection terminal, a highly reliable semiconductor device, and an electronic device.

このような目的は、下記（１）〜（１６）に記載の本発明により達成される。
（１） 低融点の金属材料で構成される金属層と、
該金属層を覆うように設けられ、前記金属層における酸化膜の生長を防止する機能を有するバリア層とを有し、
前記バリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。 Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (16).
(1) a metal layer composed of a low melting point metal material;
A barrier layer provided to cover the metal layer and having a function of preventing the growth of an oxide film in the metal layer;
The said barrier layer has a resin composition layer comprised with the resin composition which does not contain the compound which has a flux function, The electrically conductive connection sheet characterized by the above-mentioned.

（２） 前記バリア層は、前記金属層の一方の面を覆う第１のバリア層と、前記金属層の他方の面を覆う第２のバリア層とで構成され、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層のうち少なくとも一方は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。 (2) The barrier layer includes a first barrier layer that covers one surface of the metal layer, and a second barrier layer that covers the other surface of the metal layer,
At least one of the first barrier layer and the second barrier layer has a resin composition layer composed of a resin composition that does not contain a compound having a flux function.

（３） 前記第１のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第１の樹脂組成物層を有する上記（２）に記載の導電接続シート。 (3) The conductive connection sheet according to (2), wherein the first barrier layer has a first resin composition layer made of a resin composition that does not contain a compound having a flux function.

（４） 前記第１のバリア層は、前記第１の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第１の金属バリア層を有する上記（３）に記載の導電接続シート。 (4) The first barrier layer includes the first metal barrier layer in which an oxide film is not formed between the first resin composition layer and the metal layer. Conductive connection sheet.

（５） 前記第１の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである上記（４）に記載の導電接続シート。   (5) The conductive connection sheet according to (4), wherein the first metal barrier layer is composed of Au or Ag as a main material.

（６） 前記第２のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第２の樹脂組成物層を有する上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の導電接続シート。 (6) The conductive material according to any one of (2) to (5), wherein the second barrier layer has a second resin composition layer composed of a resin composition not containing a compound having a flux function. Connection sheet.

（７） 前記第２のバリア層は、前記第２の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層を有する上記（６）に記載の導電接続シート。 (7) The second barrier layer includes the second metal barrier layer in which an oxide film is not formed between the second resin composition layer and the metal layer. Conductive connection sheet.

（８） 前記第２のバリア層は、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層である上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の導電接続シート。 (8) The conductive connection sheet according to any one of (2) to (5), wherein the second barrier layer is a second metal barrier layer in which an oxide film is not formed.

（９） 前記第２の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである上記（７）または（８）に記載の導電接続シート。   (9) The conductive connection sheet according to (7) or (8), wherein the second metal barrier layer is composed of Au or Ag as a main material.

（１０） 前記金属層は、その表面に酸化膜を有さない上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の導電接続シート。 (10) The conductive connection sheet according to any one of (1) to (9), wherein the metal layer has no oxide film on a surface thereof .

（１１） 上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。 (11) An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of (1) to (10) between a terminal included in a base material and a terminal included in a counter base material,
A heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and does not complete the curing of the resin composition;
And a curing step for curing the resin composition.

（１２） 上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。 (12) An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of (1) to (10) between a terminal included in the base material and a terminal included in the counter base material,
A heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and the resin composition is softened;
And a solidifying step for solidifying the resin composition.

（１３） 上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。 (13) An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of (1) to (10) above on a substrate having terminals,
And a heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and does not complete the curing of the resin composition.

（１４） 上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。 (14) An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of (1) to (10) above on a substrate having terminals,
And a heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and the resin composition is softened.

（１５） 対向する端子同士が、上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。   (15) A semiconductor characterized in that opposing terminals are electrically connected via a connection portion formed using the conductive connection sheet according to any one of (1) to (10). apparatus.

（１６） 対向する端子同士が、上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   (16) Electrons characterized in that opposing terminals are electrically connected via a connection portion formed using the conductive connection sheet according to any one of (1) to (10) above. machine.

本発明の導電接続シートのように、バリア層で、金属層を覆う構成とすることで、たとえ樹脂組成物層を、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成されたものとしても、導電接続シートにおいて、金属層の表面における酸化膜の生長を的確に防止または抑制することができる。   As in the conductive connection sheet of the present invention, the resin layer is composed of a resin composition that does not substantially contain a compound having a flux function, by covering the metal layer with a barrier layer. However, in the conductive connection sheet, the growth of the oxide film on the surface of the metal layer can be accurately prevented or suppressed.

そのため、本発明の導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された封止層を形成することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   Therefore, using the conductive connection sheet of the present invention, when applied to the formation of a connection portion that electrically connects the terminals, the heat-melted metal material is agglomerated between the terminals with better selectivity. The sealing layer which formed the part and was comprised with the resin component around it, and prevented mixing of the metal material can be formed. As a result, insulation between adjacent terminals is ensured by the sealing layer, so that it is possible to reliably prevent a leak current from occurring between adjacent terminals.

さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された補強層を形成することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   Furthermore, using a conductive connection sheet, when applied to the formation of a connection terminal provided correspondingly on the electrode, the metal material heated and melted is agglomerated on the electrode with better selectivity to form the connection terminal, The reinforcement layer which was comprised by the resin component and the mixture of the metal material was prevented in the circumference | surroundings can be formed. As a result, insulation between adjacent connection terminals is ensured by the reinforcing layer, so that leakage current can be reliably prevented from occurring between adjacent connection terminals.

本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing an example of a semiconductor device manufactured using the conductive connection sheet of the present invention. 本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing an embodiment of a conductive connection sheet of the present invention. 本発明の導電接続シートが備える金属層の他の構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the other structural example of the metal layer with which the conductive connection sheet of this invention is provided. 本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method to manufacture the connection part and sealing layer with which a semiconductor device is provided using the connection method between the terminals of this invention. 本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method of forming a connection terminal corresponding to the terminal with which a semiconductor chip is provided using the formation method of the connection terminal of this invention. 本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other structural example of the electrically conductive connection sheet | seat of this invention. 本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other structural example of the electrically conductive connection sheet | seat of this invention.

以下、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, a conductive connection sheet, a connection method between terminals, a connection terminal formation method, a semiconductor device, and an electronic apparatus according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

まず、本発明の導電接続シートを説明するのに先立って、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置について説明する。   First, prior to describing the conductive connection sheet of the present invention, a semiconductor device manufactured using the conductive connection sheet of the present invention will be described.

＜半導体装置＞
図１は、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 <Semiconductor device>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using the conductive connection sheet of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０とを有している。   A semiconductor device 10 shown in FIG. 1 includes a semiconductor chip (semiconductor element) 20, an interposer (substrate) 30 that supports the semiconductor chip 20, and a plurality of conductive bumps (terminals) 70.

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。   The interposer 30 is an insulating substrate and is made of various resin materials such as polyimide, epoxy, cyanate, bismaleimide triazine (BT resin). The plan view shape of the interposer 30 is usually a square such as a square or a rectangle.

インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。   On the upper surface (one surface) of the interposer 30, for example, a terminal 41 made of a conductive metal material such as copper is provided in a predetermined shape.

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。   The interposer 30 is formed with a plurality of vias (through holes: through holes) (not shown) penetrating in the thickness direction.

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。   Each bump 70 has one end (upper end) electrically connected to a part of the terminal 41 via each via, and the other end (lower end) protruding from the lower surface (the other surface) of the interposer 30. Yes.

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。   A portion of the bump 70 protruding from the interposer 30 has a substantially spherical shape (Ball shape).

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。   The bumps 70 are mainly composed of a brazing material such as solder, silver brazing, copper brazing, or phosphor copper brazing.

また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。   A terminal 41 is formed on the interposer 30. A terminal 21 included in the semiconductor chip 20 is electrically connected to the terminal 41 via a connection portion 81.

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the terminal 21 is configured to protrude from the surface side formed on the semiconductor chip 20, and the terminal 41 is also configured to protrude from the interposer 30. ing.

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。   Further, a gap between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 is filled with a sealing material made of various resin materials, and a sealing layer 80 is formed by a cured product of this sealing material. . The sealing layer 80 has a function of improving the bonding strength between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 and a function of preventing entry of foreign matter, moisture, and the like into the gap.

かかる構成の半導体装置１０において、接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の導電接続シートが適用される。   In the semiconductor device 10 having such a configuration, the conductive connection sheet of the present invention is applied to the formation of the connection portion 81 and the sealing layer 80.

以下、本発明の導電接続シートについて説明する。
＜導電接続シート＞
図２は、本発明の導電接続シートの実施形態を示す縦断面図、図３は、本発明の導電接続シートが備える金属層の他の構成例を示す平面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 Hereinafter, the conductive connection sheet of the present invention will be described.
<Conductive connection sheet>
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the conductive connection sheet of the present invention, and FIG. 3 is a plan view showing another configuration example of the metal layer provided in the conductive connection sheet of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

本発明の導電接続シートは、低融点の金属材料で構成される金属層と、この金属層を覆うように設けられ、金属層における酸化膜の生長を防止する機能を有するバリア層とを有し、バリア層は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする。   The conductive connection sheet of the present invention has a metal layer made of a metal material having a low melting point, and a barrier layer provided so as to cover the metal layer and having a function of preventing the growth of an oxide film in the metal layer. The barrier layer has a resin composition layer composed of a resin composition substantially free of a compound having a flux function.

このように、導電接続シートにおいて、金属層をバリア層で覆う構成とすることで、金属層の表面における酸化膜の生長（形成）を的確に防止または抑制することができる。   As described above, in the conductive connection sheet, the growth (formation) of the oxide film on the surface of the metal layer can be accurately prevented or suppressed by covering the metal layer with the barrier layer.

そのため、このような導電接続シートを用いた、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された封止層を形成することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   Therefore, when applied to the formation of a connection part that electrically connects terminals using such a conductive connection sheet, the heat-melted metal material is agglomerated between terminals with better selectivity. The sealing layer which formed the part and was comprised with the resin component around it, and prevented mixing of the metal material can be formed. As a result, insulation between adjacent terminals is ensured by the sealing layer, so that it is possible to reliably prevent a leak current from occurring between adjacent terminals.

さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料をより優れた選択性をもって電極上に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に樹脂成分により構成され、金属材料の混在が防止された補強層を形成することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   Furthermore, using a conductive connection sheet, when applied to the formation of a connection terminal provided correspondingly on the electrode, the metal material heated and melted is agglomerated on the electrode with better selectivity to form the connection terminal, The reinforcement layer which was comprised by the resin component and the mixture of the metal material was prevented in the circumference | surroundings can be formed. As a result, insulation between adjacent connection terminals is ensured by the reinforcing layer, so that leakage current can be reliably prevented from occurring between adjacent connection terminals.

本実施形態では、導電接続シート１において、金属層１２の両面を第１のバリア層および第２のバリア層で覆い、これら第１のバリア層および第２のバリア層が、それぞれ、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３で構成され、導電接続シート１は、図２に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された三層構造をなす積層体で構成されるものである。すなわち、導電接続シート１は、金属層１２の両面を覆うように、下面には第１の樹脂組成物層１１が、上面には第２の樹脂組成物層１３が設けられた三層構造をなす積層体で構成されるものである。   In this embodiment, in the conductive connection sheet 1, both surfaces of the metal layer 12 are covered with the first barrier layer and the second barrier layer, and the first barrier layer and the second barrier layer are respectively the first barrier layer and the first barrier layer. As shown in FIG. 2, the conductive connection sheet 1 includes a first resin composition layer 11, a metal layer 12, and a second resin, which are composed of a resin composition layer 11 and a second resin composition layer 13. The composition layer 13 is composed of a laminated body having a three-layer structure in which the composition layers 13 are laminated so as to be joined together in this order. That is, the conductive connection sheet 1 has a three-layer structure in which the first resin composition layer 11 is provided on the lower surface and the second resin composition layer 13 is provided on the upper surface so as to cover both surfaces of the metal layer 12. It is comprised by the laminated body made.

かかる構成の導電接続シート１において、金属層１２が、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成され、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成されている。   In the conductive connection sheet 1 having such a configuration, the metal layer 12 is made of a metal foil made of a low melting point metal material, and the first resin composition layer 11 and the second resin composition layer 13 have a flux function. It is comprised with the resin composition which does not contain the compound which has this substantially.

以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１のバリア層および第２のバリア層としてそれぞれ機能する第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、本実施形態では、ともに、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成されているため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。   Hereinafter, although each layer which comprises the electrically conductive connection sheet 1 is demonstrated sequentially, about the 1st resin composition layer 11 and the 2nd resin composition layer 13 which function as a 1st barrier layer and a 2nd barrier layer, respectively. In the present embodiment, the first resin composition layer 11 will be described as a representative because both are composed of a resin composition that does not substantially contain a compound having a flux function. Hereinafter, the first resin composition layer 11 and the second resin composition layer 13 may be simply referred to as “resin composition layer 11” and “resin composition layer 13”.

＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成される。 << Resin composition layer 11 >>
The resin composition layer 11 is composed of a resin composition that does not substantially contain a compound having a flux function.

なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃程度）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。   In the present invention, the resin composition can be used in a liquid or solid form at room temperature. In the present specification, “liquid at room temperature” means a state that does not have a certain form at room temperature (about 25 ° C.), and includes a paste form.

樹脂組成物は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しないものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。   The resin composition is not particularly limited as long as it does not substantially contain a compound having a flux function, and a curable resin composition or a thermoplastic resin composition can be used.

硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。   Examples of the curable resin composition include a curable resin composition that is cured by heating and a curable resin composition that is cured by irradiation with actinic radiation. Among these, a curable resin that is cured by heating. A composition is preferably used. The curable resin composition cured by heating is excellent in mechanical properties such as linear expansion coefficient and elastic modulus after curing.

また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。   In addition, the thermoplastic resin composition is not particularly limited as long as it is flexible enough to be molded by heating to a predetermined temperature.

なお、本明細書中において、「フラックス機能を有する化合物」とは、金属材料で構成される部材の表面に形成された酸化膜（表面酸化膜）を還元して除去する作用を有するものである。   In the present specification, the “compound having a flux function” has an action of reducing and removing an oxide film (surface oxide film) formed on the surface of a member made of a metal material. .

このようなフラックス機能を有する化合物としては、上述した作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸のような脂肪族カルボン酸や、フェノールフタリン、ジフェノール酸のような芳香族カルボン酸等が挙げられ、金属層の表面に形成された酸化膜を除去することを目的に樹脂組成物中に添加される。   The compound having such a flux function is not particularly limited as long as it has the above-described action, and examples thereof include aliphatic carboxylic acids such as adipic acid, sebacic acid, and dodecanedioic acid, Examples thereof include aromatic carboxylic acids such as phenolic acid, and are added to the resin composition for the purpose of removing an oxide film formed on the surface of the metal layer.

しかしながら、本発明では、バリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３で金属層１２を覆う構成としたため、金属層１２における酸化膜の生長が防止されるので、樹脂組成物中への、フラックス機能を有する化合物の添加が省略される。すなわち、本発明では、樹脂組成物層１１は、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない樹脂組成物で構成される。   However, in the present invention, since the metal layer 12 is covered with the resin composition layers 11 and 13 that function as a barrier layer, the growth of an oxide film in the metal layer 12 is prevented, so that the flux into the resin composition can be prevented. Addition of functional compounds is omitted. That is, in this invention, the resin composition layer 11 is comprised with the resin composition which does not contain the compound which has a flux function substantially.

そのため、フラックス機能を有する化合物を添加することなく、導電接続シート１を製造することができるので、導電接続シート１を用いて形成される封止層８０において生じるマイグレーションに起因して、隣接する端子２１、４１間同士でリーク電流が発生してしまうのをより一層抑制または防止することができる。   Therefore, since the conductive connection sheet 1 can be manufactured without adding a compound having a flux function, adjacent terminals due to migration occurring in the sealing layer 80 formed using the conductive connection sheet 1. The occurrence of a leak current between 21 and 41 can be further suppressed or prevented.

（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。 (A) Curable resin composition A curable resin composition contains a curable resin component, and is melted and cured by heating.

また、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂成分の他に、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。   In addition to the curable resin component, the curable resin composition substantially free of a compound having a flux function includes, if necessary, a film-forming resin, a curing agent, a curing accelerator, and a silane coupling agent. Etc. may be included.

以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
（i）硬化性樹脂成分
硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いられる。 Hereinafter, various materials contained in the curable resin composition will be described in detail.
(I) Curable resin component Although a curable resin component will not be specifically limited if it melts and hardens | cures by heating, Usually, what can be used as an adhesive agent component for semiconductor device manufacture is used.

このような硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。   Such a curable resin component is not particularly limited. For example, epoxy resin, phenoxy resin, silicone resin, oxetane resin, phenol resin, (meth) acrylate resin, polyester resin (unsaturated polyester resin), diallyl phthalate resin , Maleimide resin, polyimide resin (polyimide precursor resin), bismaleimide-triazine resin and the like. In particular, the use of a thermosetting resin containing at least one selected from the group consisting of epoxy resins, (meth) acrylate resins, phenoxy resins, polyester resins, polyimide resins, silicone resins, maleimide resins, and bismaleimide-triazine resins. preferable. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of excellent curability and storage stability, heat resistance, moisture resistance, and chemical resistance of a cured product. In addition, these curable resin components may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。   The epoxy resin is not particularly limited, and any epoxy resin that is liquid at room temperature and solid at room temperature can be used. It is also possible to use an epoxy resin that is liquid at room temperature and an epoxy resin that is solid at room temperature. When the curable resin composition is liquid, it is preferable to use an epoxy resin that is liquid at room temperature. When the curable resin composition is solid, both liquid and solid epoxy resins should be used. Furthermore, it is preferable that the curable resin composition contains a film-forming resin component.

室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。   Although it does not specifically limit as a liquid epoxy resin at room temperature (25 degreeC), A bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, etc. are mentioned, Among these, it can use combining 1 type or 2 types. .

室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。   The epoxy equivalent of the epoxy resin that is liquid at room temperature is preferably 150 to 300 g / eq, more preferably 160 to 250 g / eq, and particularly preferably 170 to 220 g / eq. When the epoxy equivalent is less than the lower limit, depending on the type of epoxy resin used, the shrinkage of the cured product tends to increase, and the semiconductor device 10 and the electronic device including the semiconductor device 10 may be warped. Moreover, when it exceeds the said upper limit, when it is set as the structure which uses a film-forming resin component together with a curable resin composition, it may show the tendency for the reactivity with a film-forming resin component, especially a polyimide resin to fall. .

さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。   Further, the epoxy resin solid at room temperature (25 ° C.) is not particularly limited. , A glycidyl ester type epoxy resin, a trifunctional epoxy resin, a tetrafunctional epoxy resin, and the like. Among these, one kind or two or more kinds can be used in combination. Among these, solid trifunctional epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, and the like are preferably used.

なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。   In addition, 150-3000 g / eq is preferable, as for the epoxy equivalent of a solid epoxy resin at room temperature, 160-2500 g / eq is more preferable, and 170-2000 g / eq is especially preferable.

室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。   The softening point of the epoxy resin that is solid at room temperature is preferably about 40 to 120 ° C, more preferably about 50 to 110 ° C, and particularly preferably about 60 to 100 ° C. When the softening point is within the above range, tackiness of the curable resin composition can be suppressed, and the softening point can be easily handled.

また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the curable resin component described above can be appropriately set according to the form of the curable resin composition to be used.

例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   For example, in the case of a liquid curable resin composition, the blending amount of the curable resin component is preferably 10% by weight or more, more preferably 15% by weight or more in the curable resin composition. It is preferably 20% by weight or more, more preferably 25% by weight or more, still more preferably 30% by weight or more, and particularly preferably 35% by weight or more. Further, it is preferably less than 100% by weight, more preferably 95% by weight or less, further preferably 90% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. Is still more preferable, and it is especially preferable that it is 55 weight% or less.

また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   In the case of a solid curable resin composition, the amount of the curable resin component in the curable resin composition is preferably 5% by weight or more, and preferably 10% by weight or more. More preferably, it is more preferably 15% by weight or more, and particularly preferably 20% by weight or more. Further, it is preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, still more preferably 80% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. It is still more preferable that it is 55% by weight or less.

硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。   When the blending amount of the curable resin component in the curable resin composition is within the above range, the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength between the terminals 21 and 41 can be sufficiently secured.

（ii）フィルム形成性樹脂成分
上述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂組成物には、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有する構成とするのが好ましい。 (Ii) Film-forming resin component As described above, when a solid resin is used as the curable resin composition, in addition to the curable resin component, the film-forming resin is further included in the curable resin composition. A constitution containing a resin component is preferred.

このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。   Such a film-forming resin component is not particularly limited as long as it is soluble in an organic solvent and has a film-forming property alone, and is any one of a thermoplastic resin or a thermosetting resin. Can also be used, and these can also be used in combination.

具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。   Specifically, the film-forming resin component is not particularly limited. For example, (meth) acrylic resin, phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyimide resin, polyamideimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene resin , Polypropylene resin, styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetal resin, butyl rubber, chloroprene rubber, polyamide resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, Examples include acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polyvinyl acetate, nylon, and the like. In combination it can be used. Among these, (meth) acrylic resins, phenoxy resins, polyester resins, polyamide resins and polyimide resins are preferable.

なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。   In this specification, “(meth) acrylic resin” refers to a polymer of (meth) acrylic acid and its derivatives, or a co-polymerization of (meth) acrylic acid and its derivatives and other monomers. Means coalescence. Here, the expression “(meth) acrylic acid” or the like means “acrylic acid or methacrylic acid” or the like.

（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドが好ましい。   The (meth) acrylic resin is not particularly limited. For example, polyacrylic acid such as polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, and polyacrylic acid-2-ethylhexyl. Acid ester, polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, polymethacrylate such as polybutyl methacrylate, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polyacrylamide, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer, acrylonitrile- Butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, acrylonitrile-styrene copolymer, methyl methacrylate-styrene copolymer, methacryl Methyl-acrylonitrile copolymer, methyl methacrylate-α-methylstyrene copolymer, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile-2-hydroxyethyl methacrylate-methacrylic acid copolymer, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile 2-hydroxyethyl methacrylate-acrylic acid copolymer, butyl acrylate-acrylonitrile-2-hydroxyethyl methacrylate copolymer, butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid copolymer, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer Examples thereof include a polymer and an ethyl acrylate-acrylonitrile-N, N-dimethylacrylamide copolymer, and one or more of these can be used in combination. Of these, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer and ethyl acrylate-acrylonitrile-N, N-dimethylacrylamide are preferable.

また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。   Further, the skeleton of the phenoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include bisphenol A type, bisphenol F type, and biphenyl type.

また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。   The polyimide resin is not particularly limited as long as it has an imide bond in the repeating unit. For example, the polyimide resin is obtained by reacting diamine and acid dianhydride and heating and dehydrating and ring-closing the resulting polyamic acid. Can be mentioned.

ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the diamine include, but are not limited to, aromatics such as 3,3′-dimethyl-4,4′diaminodiphenyl, 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine, and 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine. Examples include diamines and siloxane diamines such as 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, and one or more of these can be used in combination. .

また、酸二無水物としては、例えば、３，３，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the acid dianhydride include 3,3,4,4′-biphenyltetracarboxylic acid, pyromellitic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, and the like. One kind or a combination of two or more kinds can be used.

ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。   The polyimide resin may be either soluble or insoluble in the solvent, but it is easy to varnish when mixed with other components (curable resin component), and is a solvent because it is easy to handle. Soluble ones are preferred. In particular, a siloxane-modified polyimide resin is preferably used because it can be dissolved in various organic solvents.

フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。   The weight average molecular weight of the film-forming resin is not particularly limited, but is preferably about 8,000 to 1,000,000, more preferably about 8,500 to 950,000, and 9,000 to More preferably, it is about 900,000. When the weight average molecular weight of the film-forming resin is within the above range, the film-forming property can be improved, and the fluidity of the resin composition layer 11 before curing can be suppressed.

なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。   In addition, the weight average molecular weight of film-forming resin can be measured by GPC (gel permeation chromatography), for example.

また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。   In addition, as the film-forming resin component, a commercial product of this product can be used, and further, various plasticizers, stabilizers, inorganic fillers, antistatic agents, pigments, etc., as long as the effects of the present invention are not impaired. What mix | blended the additive can also be used.

また、硬化性樹脂組成物において、上述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the film-forming resin component described above can be appropriately set according to the form of the curable resin composition to be used.

例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層（導電接続材料）１１を容易に取り扱うことが可能となる。   For example, in the case of a solid curable resin composition, the blending amount of the film-forming resin component is preferably 5% by weight or more and preferably 10% by weight or more in the curable resin composition. Is more preferable, and it is further more preferable that it is 15 weight% or more. Further, it is preferably 50% by weight or less, more preferably 45% by weight or less, and further preferably 40% by weight or less. When the blending amount of the film-forming resin component is within the above range, the fluidity of the curable resin composition before melting can be suppressed, and the resin composition layer (conductive connection material) 11 can be easily handled. It becomes.

（iii）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。 (Iii) Curing agent The curing agent is not particularly limited, and examples thereof include phenols, amines, and thiols. Such a hardening | curing agent can be suitably selected according to the kind etc. of curable resin component. For example, when an epoxy resin is used as the curable resin component, good reactivity with the epoxy resin, low dimensional change during curing, and appropriate physical properties after curing (eg heat resistance, moisture resistance, etc.) are obtained. In view of the above, it is preferable to use a phenol as a curing agent, and a bifunctional or higher functional phenol is more preferably used in terms of excellent physical properties after curing of the curable resin component. In addition, such a hardening | curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。   Examples of phenols include bisphenol A, tetramethylbisphenol A, diallyl bisphenol A, biphenol, bisphenol F, diallyl bisphenol F, trisphenol, tetrakisphenol, phenol novolac resin, cresol novolac resin, etc. Species or a combination of two or more can be used. Among these, a phenol novolac resin and a cresol novolac resin are preferable from the viewpoints of good melt viscosity, reactivity with an epoxy resin, and excellent physical properties after curing.

また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。   In addition, in the curable resin composition, the amount of the curing agent described above is such that the type of the curable resin component and the curing agent to be used, and the compound having a flux function have a functional group that functions as a curing agent. It is set as appropriate depending on the type of group and the amount used.

例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子２１、４１間に形成された接続部８１の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。   For example, when an epoxy resin is used as the curable resin, the content of the curing agent is preferably about 0.1 to 50% by weight with respect to the total weight of the curable resin composition, 0.2 to 40 It is more preferably about wt%, and further preferably about 0.5 to 30 wt%. When the content of the curing agent is within the above range, the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength of the connection portion 81 formed between the terminals 21 and 41 can be sufficiently ensured.

（iｖ）硬化促進剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。 (Iv) Curing accelerator Further, as described above, a curing accelerator can be further added to the curable resin composition. Thereby, a curable resin composition can be hardened reliably and easily.

硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Although it does not specifically limit as a hardening accelerator, For example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2- Phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methyl Imidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4 Diamino-6- [2′-methylimidazolyl (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2 , 4-Diamino-6- [2'-ethyl-4-methylimidazolyl (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl (1')]-ethyl -Isocyanuric acid adduct of s-triazine, isocyanuric acid adduct of 2-phenylimidazole, isocyanuric acid adduct of 2-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxydimethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl- Examples include imidazole compounds such as 5-hydroxymethylimidazole, and one or more of these may be used in combination. Kill.

また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the above-described curing accelerator can be appropriately set according to the type of the curing accelerator to be used.

例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子２１、４１の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８０中に金属層１２の一部が残存し、封止層８０における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。   For example, when an imidazole compound is used, the amount of the imidazole compound is preferably 0.001% by weight or more, more preferably 0.003% by weight or more in the curable resin composition, More preferably, it is 0.005% by weight or more. Further, it is preferably 1.0% by weight or less, more preferably 0.7% by weight or less, and further preferably 0.5% by weight or less. When the blending amount of the imidazole compound is less than the lower limit, depending on the type of the curing accelerator to be used, the effect as the curing accelerator may not be sufficiently exhibited, and the curable resin composition may not be sufficiently cured. . Moreover, when the compounding quantity of an imidazole compound exceeds the said upper limit, before the hardening of a curable resin composition is completed, the metal layer 12 of a molten state cannot fully move to the surface of the terminals 21 and 41, but it becomes an insulating area | region. There is a possibility that a part of the metal layer 12 remains in the sealing layer 80 to be formed, and the insulation in the sealing layer 80 cannot be sufficiently secured.

（ｖ）シランカップリング剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。 (V) Silane coupling agent Moreover, as above-mentioned, a silane coupling agent can be further added to curable resin composition.

シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、インターポーザー３０等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。   Although it does not specifically limit as a silane coupling agent, For example, an epoxy silane coupling agent, an aromatic containing aminosilane coupling agent, etc. are mentioned. By adding such a silane coupling agent, it is possible to improve the adhesion between the joining member (adhered body) such as the interposer 30 and the curable resin composition.

なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。   In addition, such a silane coupling agent may be used individually by 1 type, and can also be used in combination of 2 or more type.

また、硬化性樹脂組成物において、上述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the silane coupling agent described above is appropriately set according to the types of the joining member, the curable resin component, and the like. For example, in the curable resin composition, it is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and further preferably 0.1% by weight or more. Further, it is preferably 2% by weight or less, more preferably 1.5% by weight or less, and further preferably 1% by weight or less.

なお、硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。   In addition to the components described above, the curable resin composition further contains a plasticizer, a stabilizer, a tackifier, a lubricant, an antioxidant, a filler, an antistatic agent, a pigment, and the like. Also good.

また、上述したような硬化性樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。   Moreover, the curable resin composition as described above can be prepared by mixing and dispersing the above components. The mixing method and dispersion method of each component are not specifically limited, It can mix and disperse | distribute by a conventionally well-known method.

また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。   Moreover, you may prepare the liquid curable resin composition by mixing each said component in a solvent or under absence of solvent. The solvent used at this time is not particularly limited as long as it is inert to each component. For example, acetone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone (MIBK), diisobutyl ketone (DIBK), cyclohexanone, Ketones such as diacetone alcohol (DAA), aromatic hydrocarbons such as benzene, xylene and toluene, alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol and n-butyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, Cellosolves such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), tetrahydrofuran (THF), dimethylformamide (DMF), dibasic acid ester (DBE), 3 Ethyl ethoxypropionate (EEP), dimethyl carbonate (DMC) and the like, can be used singly or in combination of two or more of them. Moreover, it is preferable that the usage-amount of a solvent is an quantity from which the solid content concentration of the component mixed with the solvent will be 10 to 60 weight%.

（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂成分を含有し、所定温度により軟化するものである。 (B) Thermoplastic resin composition The thermoplastic resin composition contains a thermoplastic resin component and softens at a predetermined temperature.

また、フラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂成分の他に、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。   Further, the thermoplastic resin composition substantially free of a compound having a flux function may contain a film-forming resin, a silane coupling agent, or the like, if necessary, in addition to the thermoplastic resin component. Good.

（i）熱可塑性樹脂成分
熱可塑性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂成分は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑樹脂成分の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。 (I) Thermoplastic resin component The thermoplastic resin component is not particularly limited. For example, vinyl acetate, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral resin, vinyl chloride resin, (meth) acrylic resin, phenoxy resin, polyester resin, polyimide Resin, polyamideimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene resin, acrylic resin, styrene resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, cellulose resin, isobutylene resin, vinyl ether resin, liquid crystal polymer resin, polyphenylene sulfide resin, polyphenylene ether resin, Polyethersulfone resin, polyetherimide resin, polyetheretherketone resin, polyurethane resin, styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene- Tylene-butylene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetal resin, butyl rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer And polyvinyl acetate. These thermoplastic resin components may be a single polymer, or may be a copolymer of at least two of these thermoplastic resin components.

熱可塑性樹脂成分の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。   The softening point of the thermoplastic resin component is not particularly limited, but is preferably 10 ° C. or more lower than the melting point of the metal layer 12 constituting the conductive connection sheet 1, more preferably 20 ° C. or more, and more preferably 30 ° C. or less. Further preferred.

また、熱可塑性樹脂成分の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。   Further, the decomposition temperature of the thermoplastic resin component is not particularly limited, but is preferably higher by 10 ° C. or higher than the melting point of the metal layer 12, more preferably higher by 20 ° C., and further preferably higher by 30 ° C. or higher.

また、熱可塑性樹脂組成物において、上述した熱可塑性樹脂成分の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。   In the thermoplastic resin composition, the amount of the thermoplastic resin component described above is appropriately set according to the form of the thermoplastic resin composition to be used.

例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   For example, in the case of a liquid thermoplastic resin composition, the blending amount of the thermoplastic resin component is preferably 10% by weight or more, more preferably 15% by weight or more in the thermoplastic resin composition. It is preferably 20% by weight or more, more preferably 25% by weight or more, still more preferably 30% by weight or more, and particularly preferably 35% by weight or more. Further, it is preferably 100% by weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. Is still more preferable, and it is especially preferable that it is 55 weight% or less.

また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   In the case of a solid thermoplastic resin composition, the amount of the thermoplastic resin component is preferably 5% by weight or more, and preferably 10% by weight or more in the thermoplastic resin composition. More preferably, it is more preferably 15% by weight or more, and particularly preferably 20% by weight or more. Further, it is preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, still more preferably 80% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. It is still more preferable that it is 55% by weight or less.

熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。   When the blending amount of the thermoplastic resin component in the thermoplastic resin composition is within the above range, the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength between the terminals 21 and 41 can be sufficiently ensured.

（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂成分の他、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。 (Ii) Other additives In addition to thermoplastic resin components, film-forming resins, silane coupling agents, plasticizers, stabilizers, tackifiers, lubricants, antioxidants, fillers, antistatic agents and Although the pigment etc. may be mix | blended, these can use the same thing as what was demonstrated in "(a) curable resin composition" mentioned above. Further, the same applies to preferred compounds and their blending amounts.

なお、本発明においては、上述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、およびフィルム形成性樹脂５〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、およびフィルム形成性樹脂１０〜４５重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、およびフィルム形成性樹脂１５〜４０重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。   In addition, in this invention, it is preferable to use a curable resin composition as a resin composition among what was mentioned above. Especially, what contains 10-90 weight% of epoxy resins, 0.1-50 weight% of hardening | curing agents, and 5-50 weight% of film-forming resin with respect to the total weight of a resin composition is more preferable. Moreover, what contains 20-80 weight% of epoxy resins, 0.2-40 weight% of hardening | curing agents, and 10-45 weight% of film-forming resin with respect to the total weight of a resin composition is still more preferable. Moreover, what contains epoxy resin 35 to 55 weight%, hardening | curing agent 0.5 to 30 weight%, and film-forming resin 15 to 40 weight% is especially preferable with respect to the total weight of a resin composition. As a result, it is possible to sufficiently ensure the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength between the terminals 21 and 41.

また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８０を形成することができ、樹脂組成物の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子２１、４１間の電気的接続を十分に確保することができ、接続部８１の形成も可能にすることができる。   Moreover, the thickness of the resin composition layer 11 in the conductive connection sheet 1 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, and further preferably 5 μm or more. The thickness of the resin composition layer 11 is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, and further preferably 100 μm or less. When the thickness of the resin composition layer 11 is within the above range, the gap between the adjacent terminals 21 and 41 can be sufficiently filled with the resin composition to form the sealing layer 80, and the resin composition can be cured. The mechanical adhesion strength after or after solidification and the electrical connection between the opposing terminals 21 and 41 can be sufficiently ensured, and the connection portion 81 can be formed.

以上のような構成の樹脂組成物層１１、１３が、導電接続シート１において、金属層１２の表面で酸化膜が生長するのを防止するバリア層として機能する。また、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法においてそれぞれ形成される封止層８０および補強層８６を構成する構成材料となるものである。   The resin composition layers 11 and 13 configured as described above function as a barrier layer for preventing the oxide film from growing on the surface of the metal layer 12 in the conductive connection sheet 1. Moreover, it becomes a constituent material which comprises the sealing layer 80 and the reinforcement layer 86 which are formed in the connection method between the terminals of this invention mentioned later and the formation method of the connection terminal of this invention, respectively.

＜＜金属層１２＞＞
金属層（金属箔層）１２は、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成される層である。
かかる金属層１２を、その融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は濡れ性を有するものとなる。そのため、端子２１、４１との間に選択的に金属層１２が凝集し、最終的には、このものの固化物により、接続部８１が形成される。 << metal layer 12 >>
The metal layer (metal foil layer) 12 is a layer composed of a metal foil composed of a low melting point metal material.
When the metal layer 12 is heated to its melting point or higher and melted, the molten metal layer 12 has wettability. Therefore, the metal layer 12 selectively aggregates between the terminals 21 and 41, and finally, the connection portion 81 is formed by the solidified material.

特に、この金属層１２を、その表面に実質的に酸化膜（表面酸化膜）が形成されていないものとすると、溶融状態の金属層１２は、より優れた濡れ性を有するものとなる。そのため、端子２１、４１との間に溶融状態の金属層１２をより高い選択性をもって凝集させることができるようになる。   In particular, when the metal layer 12 is substantially free of an oxide film (surface oxide film) on its surface, the molten metal layer 12 has better wettability. Therefore, the molten metal layer 12 can be aggregated between the terminals 21 and 41 with higher selectivity.

このように金属層１２を、その表面に実質的に酸化膜（表面酸化膜）が形成されていないものとするには、導電接続シート１の製造を非酸化雰囲気中で行うことで得られた、実質的に酸化膜が形成されていない金属層１２を、樹脂組成物層１１、１３で覆う必要があるが、この点については、導電接続シート１の製造方法において後述する。   Thus, in order to make the metal layer 12 have substantially no oxide film (surface oxide film) formed on its surface, the conductive connection sheet 1 was obtained by performing it in a non-oxidizing atmosphere. The metal layer 12 on which the oxide film is not substantially formed needs to be covered with the resin composition layers 11 and 13, which will be described later in the method for manufacturing the conductive connection sheet 1.

ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０における端子２１、４１間の接続においては、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。   Here, in the present invention, a low melting point metal material having a melting point of 330 ° C. or lower, preferably 300 ° C. or lower, more preferably 280 ° C. or lower, further preferably 260 ° C. or lower is appropriately selected. Thereby, in the connection between the terminals 21 and 41 in the semiconductor device 10, it is possible to accurately suppress or prevent the various members of the semiconductor device 10 from being damaged by the thermal history.

さらに、接続部８１形成後、すなわち端子２１、４１間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。   Further, from the viewpoint of ensuring the heat resistance of the semiconductor device 10 after the connection portion 81 is formed, that is, after the connection between the terminals 21 and 41, the low melting point metal material has a melting point of 100 ° C. or higher, preferably 110 ° C. As described above, a material having a temperature of 120 ° C. or higher is appropriately selected.

なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。   Note that the melting point of the low melting point metal material, that is, the metal layer 12, can be measured by a differential scanning calorimeter (DSC).

このような低融点の金属材料は、上述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙げられる。   Such a low-melting-point metal material has the above-described melting point, and further, as long as the oxide film formed on the surface of the metal layer 12 can be removed by the reducing action of the compound having a flux function. For example, tin (Sn), lead (Pb), silver (Ag), bismuth (Bi), indium (In), zinc (Zn), nickel (Ni), antimony (Sb), iron (Fe) , An alloy of at least two kinds of metals selected from the group consisting of aluminum (Al), gold (Au), germanium (Ge) and copper (Cu), or a simple substance of tin.

このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ｉｎの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。   Among these alloys, as a low melting point metal material, considering its melting temperature, mechanical properties, etc., an Sn—Pb alloy, an Sn—Bi alloy that is a lead-free solder, an Sn—Ag—Cu alloy It is preferably composed of an alloy containing Sn, such as an alloy, an Sn—In alloy, or an Sn—Ag alloy.

なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。   When an Sn—Pb alloy is used as the low melting point metal material, the tin content is preferably 30% by weight or more and less than 100% by weight, and preferably 35% by weight or more and less than 100% by weight. More preferably, it is more preferably 40% by weight or more and less than 100% by weight. When lead-free solder is used, the content of tin is preferably 15% by weight or more and less than 100% by weight, more preferably 20% by weight or more and less than 100% by weight, and more preferably 25% by weight or more and 100% by weight. More preferably, it is less than% by weight.

具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられる。   Specifically, for example, Sn-37Pb (melting point 183 ° C.) is used as an Sn—Pb alloy, and Sn-3.0Ag-0.5Cu (melting point 217 ° C.), Sn-3.5Ag is used as a lead-free solder. (Melting point 221 ° C), Sn-58Bi (melting point 139 ° C), Sn-9.0Zn (melting point 199 ° C), Sn-3.5Ag-0.5Bi-3.0In (melting point 193 ° C), Au-20Sn (melting point) 280 ° C.).

また、金属層１２の厚さは、特に限定されないが、対向する端子２１、４１間のギャップ、および隣接する端子間２１、４１の離隔距離等に応じて適宜設定される。   The thickness of the metal layer 12 is not particularly limited, but is appropriately set according to the gap between the opposing terminals 21 and 41, the separation distance between the adjacent terminals 21 and 41, and the like.

例えば、本実施形態のように、半導体装置１０における端子２１、４１間の接続においては、金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。   For example, as in this embodiment, in the connection between the terminals 21 and 41 in the semiconductor device 10, the thickness of the metal layer 12 is preferably 0.5 μm or more, more preferably 3 μm or more, and 5 μm. More preferably, it is 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, and further preferably 20 μm or less. If the thickness of the metal layer 12 is less than the lower limit, unconnected terminals 21 and 41 may be generated due to a shortage of the metal material constituting the metal layer 12, and if the upper limit is exceeded, adjacent terminals due to surplus metal material. 21 and 41 may cause a bridge due to the connecting portion 81 to cause a short circuit.

なお、金属層１２の作製方法は、特に限定されないが、インゴット等の塊から圧延により作製する方法、樹脂組成物層１１へ直接蒸着、スパッタ、めっき等により形成する方法等が挙げられる。   The method for producing the metal layer 12 is not particularly limited, and examples thereof include a method for producing from a lump such as an ingot by rolling, a method for forming the resin layer 11 directly by vapor deposition, sputtering, plating, and the like.

また、導電接続シート１において、上述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。   Further, in the conductive connection sheet 1, the amount of the low melting point metal material described above, that is, the occupation amount of the metal layer 12 is preferably 5% by weight or more in the conductive connection sheet 1, and is 20% by weight or more. More preferably, it is more preferably 30% by weight or more. Moreover, it is preferable that it is less than 100 weight%, It is more preferable that it is 80 weight% or less, It is further more preferable that it is 70 weight% or less.

導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。   If the blending amount of the metal material in the conductive connection sheet 1, that is, the occupation amount of the metal layer 12 is less than the lower limit, there is a possibility that unconnected terminals 21 and 41 are generated due to a shortage of the metal material constituting the metal layer 12. If the upper limit is exceeded, a surplus of the metal material may cause bridging by the connecting portion 81 between the adjacent terminals 21 and 41, thereby causing a short circuit.

あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、５体積％以上であることがより好ましく、１０体積％以上であることがさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。   Alternatively, the occupation amount of the metal layer 12 may be defined by a volume ratio with respect to the conductive connection sheet 1. For example, the occupation amount (blending amount) of the metal layer 12 is preferably 1% by volume or more, more preferably 5% by volume or more, and more preferably 10% by volume or more with respect to the conductive connection sheet 1. Further preferred. Moreover, it is preferable that it is 90 volume% or less, It is more preferable that it is 80 volume% or less, It is further more preferable that it is 70 volume% or less. If the occupied amount of the metal layer 12 is less than the lower limit, there is a possibility that unconnected terminals 21 and 41 may be generated due to a shortage of the metal material constituting the metal layer 12, and if the upper limit is exceeded, the metal layer 12 is adjacent due to surplus metal material. There is a possibility that a bridge is formed between the terminals 21 and 41 by the connecting portion 81 and a short circuit occurs.

なお、本実施形態では、図２に示すように、金属層１２は、樹脂組成物層１１の全面に形成されている場合について説明したが、かかる場合に限定されず、金属層１２は、平面視で樹脂組成物層１１の少なくとも一部に形成されていればよく、その形状は特に限定されない。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the case where the metal layer 12 is formed on the entire surface of the resin composition layer 11 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the metal layer 12 is a flat surface. The shape is not particularly limited as long as it is formed on at least a part of the resin composition layer 11 in view.

すなわち、金属層が、平面視で樹脂組成物層１１の一部に形成されている場合、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。   That is, when the metal layer is formed on a part of the resin composition layer 11 in plan view, a certain shape may be repeatedly formed in a pattern, or the shape may be irregular. A regular shape and an irregular shape may be mixed.

具体的には、図３に示すように、樹脂組成物層１１の上に、各種形状にパターニングされた金属層１２が形成されている。例えば、金属層１２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、縞模様状（ｂ）、水玉模様状（ｃ）、矩形模様状（ｄ）、チェッカー模様状（ｅ）、額縁状（ｆ）、格子模様状（ｇ）または多重の額縁状（ｈ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。   Specifically, as shown in FIG. 3, a metal layer 12 patterned into various shapes is formed on the resin composition layer 11. For example, the shape of the metal layer 12 may be a dotted pattern (a), a striped pattern (b), a polka dot pattern (c), a rectangular pattern (d), a checkered pattern (e), a frame shape ( f), lattice pattern shape (g), multiple frame shape (h) and the like. These shapes are examples, and these shapes can be combined or deformed depending on the purpose and application.

また、繰り返しパターン状の金属層の作製方法は、特に限定されないが、平面状に形成した金属箔を所定のパターンに打抜く方法、エッチング等により所定のパターンを形成する方法、また、遮蔽板やマスク等を使用することにより蒸着、スパッタ、めっき等で形成する方法等が挙げられる。   In addition, the method for producing the repetitive patterned metal layer is not particularly limited, but a method of punching a metal foil formed in a planar shape into a predetermined pattern, a method of forming a predetermined pattern by etching, etc. A method of forming by vapor deposition, sputtering, plating or the like by using a mask or the like can be mentioned.

以上のような導電接続シート１の形態は、樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物の形態等に応じて適宜設定される。   The form of the conductive connection sheet 1 as described above is appropriately set according to the form of the resin composition constituting the resin composition layer 11 and the like.

例えば、硬化性樹脂組成物が液状をなす場合、金属層１２を用意し、その両面に硬化性樹脂組成物を塗布し、このものを所定温度で半硬化（Ｂステージ化）することで樹脂組成物層１１、１３としたものを導電接続シート１として供することができる。また、ポリエステルシート等の剥離基材上に硬化性樹脂組成物を塗布し、このものを所定温度で半硬化（Ｂステージ化）等の目的で成膜させた後に、剥離基板から引き剥がし、金属層１２に張り合わせてフィルム上にしたものを導電接続シート１として供することができる。   For example, when the curable resin composition is in a liquid state, the metal layer 12 is prepared, the curable resin composition is applied to both surfaces thereof, and this is semi-cured (B-staged) at a predetermined temperature. The material layers 11 and 13 can be used as the conductive connection sheet 1. In addition, a curable resin composition is applied on a release substrate such as a polyester sheet, and this is formed into a film for the purpose of semi-curing (B-stage) at a predetermined temperature, and then peeled off from the release substrate to form a metal. What was laminated on the layer 12 and formed on a film can be used as the conductive connection sheet 1.

また、樹脂組成物が固形状をなす場合は、有機溶剤に溶解した樹脂組成物のワニスをポリエステルシート等の剥離基材上に塗布し、所定の温度で乾燥させて樹脂組成物層１１、１３を形成し、その後に金属層１２を張り合わせたものを導電接続シート１として供することができる。また、上記と同様にして得られた樹脂組成物層１１上に、蒸着等の手法を用いて金属層１２を形成し、さらに金属層１２上に上記と同様にして得られた樹脂組成物層１３を貼り合わせてフィルム状にしたものを導電接続シート１として供することもできる。   When the resin composition is solid, the resin composition varnish dissolved in an organic solvent is applied onto a release substrate such as a polyester sheet, and dried at a predetermined temperature to form resin composition layers 11 and 13. After that, the metal layer 12 bonded together can be used as the conductive connection sheet 1. Further, a metal layer 12 is formed on the resin composition layer 11 obtained in the same manner as described above using a technique such as vapor deposition, and the resin composition layer obtained in the same manner as above on the metal layer 12. What laminated | stacked 13 and made it into the film form can also be provided as the electrically conductive connection sheet 1. FIG.

なお、金属層１２は、樹脂組成物層１１との密着性を高めることを目的に、エンボス加工が施されたものであってもよい。   The metal layer 12 may be embossed for the purpose of improving the adhesion with the resin composition layer 11.

また、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８０を十分に充填することができる。また、樹脂成分の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造も可能にすることができる。   The thickness of the conductive connection sheet 1 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, further preferably 5 μm or more, and preferably 200 μm or less. 150 μm or less is more preferable, and 100 μm or less is further preferable. When the thickness of the conductive connection sheet 1 is within the above range, the gap between the adjacent terminals 21 and 41 can be sufficiently filled with the sealing layer 80 made of the resin composition. In addition, the mechanical adhesive strength after the resin component is cured or solidified and the electrical connection between the opposing terminals can be sufficiently ensured. In addition, it is possible to manufacture a connection terminal according to the purpose and application.

なお、金属層１２の表面における酸化膜の生長をより確実に防止すると言う観点からは、導電接続シート１を、その両面に樹脂組成物層１１、１３を保護するカバーシートをそれぞれ備える構成としてもよい。   In addition, from the viewpoint of more reliably preventing the growth of the oxide film on the surface of the metal layer 12, the conductive connection sheet 1 may include a cover sheet that protects the resin composition layers 11 and 13 on both sides. Good.

かかるカバーシートの水蒸気透過度は、特に限定されないが、３０ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ・２５μｍ厚・４０℃・９０％ＲＨ以下であるのが好ましく、１０ｇ／ｍ2・２４ｈｒｓ・２５μｍ厚・４０℃・９０％ＲＨ以下であるのがより好ましい。 The water vapor permeability of such a cover sheet is not particularly limited, but is preferably 30 g / m 2 · 24 hrs · 25 μm thickness · 40 ° C. · 90% RH or less, preferably 10 g / m 2 · 24 hrs · 25 μm thickness · 40 ° C. More preferably, it is 90% RH or less.

また、このような水蒸気透過度を有するカバーシートとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂、これらポリオレフィン樹脂のブレンド樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体等の単層フィルム、これらのフィルムにアルミニウム、シリカ等を蒸着したもの、アルミニウムフィルム、アルミニウムラミネートフィルム等の金属箔または金属箔を含むフィルムが挙げられる。   Examples of the cover sheet having such water vapor permeability include polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene, blend resins of these polyolefin resins, polyester resins such as polyethylene terephthalate, polyvinylidene chloride, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer Examples include single layer films such as coalescence, films obtained by vapor-depositing aluminum, silica, etc., films including metal foil or metal foil such as aluminum film and aluminum laminate film.

なお、このカバーシートは、導電接続シート１を用いて、接続部８１および封止層８０を形成する際や、接続端子８５および補強層８６を形成する際には、その形成に先立って導電接続シート１から剥離される。   In addition, this cover sheet uses the conductive connection sheet 1 to form the conductive connection prior to the formation of the connection portion 81 and the sealing layer 80 or when the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are formed. The sheet 1 is peeled off.

＜導電接続シートの製造方法＞
次に、上述したような構成の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。 <Method for producing conductive connection sheet>
Next, the conductive connection sheet 1 having the above-described configuration can be manufactured by, for example, the following manufacturing method.

（i）２５℃で樹脂組成物が液状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、まず、金属層１２を用意する。
この金属層１２は、例えば、インゴット等の塊から圧延により製造することができる。 (I) When the resin composition is in a liquid state at 25 ° C. When the resin composition constituting the first resin composition layer 11 and the second resin composition layer 13 is in a liquid state at 25 ° C., first, a metal Layer 12 is prepared.
This metal layer 12 can be manufactured by rolling from a lump such as an ingot, for example.

次に、金属層１２を、液状をなす樹脂組成物に中に含浸することにより、金属層１２の両面に、液状の樹脂組成物を付着させた後、この樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。   Next, after impregnating the metal layer 12 into a liquid resin composition, the liquid resin composition is adhered to both surfaces of the metal layer 12, and then the resin composition is semi-cured at a predetermined temperature. By doing so, the conductive connection sheet 1 in which the resin composition layers 11 and 13 are formed on both surfaces of the metal layer 12 can be manufactured.

なお、形成すべき樹脂組成物層１１、１３に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物中に浸漬させた金属層１２を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、金属層１２に吹き付けることにより、目的とする厚さの樹脂組成物層１１、１３を容易に製造することができる。   When the thickness of the resin composition layers 11 and 13 to be formed needs to be controlled, the metal layer 12 immersed in the liquid resin composition is passed through a bar coater having a certain gap, By spraying the liquid resin composition onto the metal layer 12 with a spray coater or the like, the resin composition layers 11 and 13 having a target thickness can be easily manufactured.

（ii）２５℃で樹脂組成物がフィルム状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃でフィルム状をなす場合、まず、ポリエステルシート等の剥離基材を用意する。 (Ii) When the resin composition forms a film at 25 ° C. When the resin composition constituting the first resin composition layer 11 and the second resin composition layer 13 forms a film at 25 ° C., A release substrate such as a polyester sheet is prepared.

次に、樹脂組成物を有機溶剤に溶解して得られたワニスを、剥離基材上に、塗布した後、所定の温度で乾燥させることにより、フィルム状の樹脂組成物層１１、１３を形成する。   Next, a varnish obtained by dissolving the resin composition in an organic solvent is applied onto a release substrate, and then dried at a predetermined temperature to form film-like resin composition layers 11 and 13. To do.

次に、前記工程により得られるフィルム状の樹脂組成物層１１、１３を個別に用意し、予め製造しておいた金属層１２を、これらフィルム状の樹脂組成物層の間に挾持した状態で、熱ロールでラミネートすることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。   Next, the film-like resin composition layers 11 and 13 obtained by the above steps are individually prepared, and the metal layer 12 that has been produced in advance is held between these film-like resin composition layers. The conductive connection sheet 1 in which the resin composition layers 11 and 13 are formed on both surfaces of the metal layer 12 can be manufactured by laminating with a heat roll.

また、かかる方法以外の方法としては、まず、例えば、剥離基材上に、真空蒸着法、スパッタ法等の気相成膜法を用いて金属層１２を形成する。   As a method other than such a method, first, for example, the metal layer 12 is formed on a peeling substrate by using a vapor deposition method such as a vacuum deposition method or a sputtering method.

次に、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層１１を、金属層１２の剥離基材と反対側の面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートとした後、剥離基材を金属層１２から剥離する。   Next, after placing the film-shaped resin composition layer 11 obtained by the above-described method on the surface of the metal layer 12 opposite to the release substrate, and laminating using a heat roll in this state, The release substrate is peeled from the metal layer 12.

さらに、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層１３を、金属層１２の剥離基材を剥離した面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートすることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。   Furthermore, the film-shaped resin composition layer 13 obtained by the above-described method is disposed on the surface of the metal layer 12 from which the release substrate has been peeled, and in this state, the laminate is laminated using a heat roll, whereby the metal layer The conductive connection sheet 1 in which the resin composition layers 11 and 13 are formed on the both surfaces of 12 can be manufactured.

なお、巻重状の金属層１２を使用する場合には、金属層１２をベース基材として用いて、金属層１２の両面側に上述したフィルム状の樹脂組成物層１１、１３を熱ロールを用いてラミネートすることで、巻重状の導電接続シート１を得ることができる。   In addition, when using the wound metal layer 12, the metal layer 12 is used as a base substrate, and the film-shaped resin composition layers 11 and 13 described above are heated on both sides of the metal layer 12. By using and laminating, the wound conductive connection sheet 1 can be obtained.

さらに、巻重状の金属層１２を使用する場合、金属層１２の両面に、上述したようにして得られたワニスを直接塗布し、その後、溶剤を揮散させて乾燥ことにより、巻重状の導電接続シート１を得ることができる。   Furthermore, when using the wound metal layer 12, the varnish obtained as described above is directly applied to both surfaces of the metal layer 12, and then the solvent is stripped and dried to form the wound metal layer 12. The conductive connection sheet 1 can be obtained.

なお、パターン状の金属層を備える導電接続シートを製造する場合には、まず、例えば、剥離基材上にシート状をなす金属層を配置し、金属層側から金型を用いて金属層をハーフカットすることで、余分な金属層を除去することでパターン状をなす金属層を形成する。   When producing a conductive connection sheet having a patterned metal layer, first, for example, a metal layer that forms a sheet is disposed on a release substrate, and the metal layer is formed using a mold from the metal layer side. Half-cutting removes the extra metal layer to form a patterned metal layer.

次に、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層を、金属層の剥離基材と反対側の面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートとした後、剥離基材を金属層から剥離する。   Next, the film-shaped resin composition layer obtained by the above-described method is disposed on the surface of the metal layer opposite to the release substrate, and in this state, the laminate is laminated using a heat roll, and then the release group is formed. Peel the material from the metal layer.

さらに、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物層を、金属層の剥離基材を剥離した面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートすることにより、金属層の両面に樹脂組成物層が形成された導電接続シートを製造することができる。   Furthermore, the film-like resin composition layer obtained by the above-described method is placed on the surface of the metal layer from which the release substrate has been peeled, and in this state, the laminate is laminated using a hot roll, whereby both surfaces of the metal layer are obtained. A conductive connection sheet having a resin composition layer formed thereon can be produced.

なお、導電接続シートの製造方法は、上述した方法に限定されるものではなく、導電接続シートの製造方法は、目的や用途に応じて適宜選択することができる。   In addition, the manufacturing method of an electroconductive connection sheet is not limited to the method mentioned above, The manufacturing method of an electroconductive connection sheet can be suitably selected according to the objective and a use.

以上のような方法により導電接続シート１を製造することができるが、金属層１２を、実質的にその表面に酸化膜を有さないものとする場合、上述した導電接続シート１の製造方法において、金属層１２を用意する工程と、この金属層１２にバリア層である樹脂組成物層１１、１３を形成する工程とを、非酸化雰囲気下で行うことにより、かかる構成の金属層１２を得ることができる。   Although the conductive connection sheet 1 can be manufactured by the above method, when the metal layer 12 has substantially no oxide film on the surface thereof, in the above-described method for manufacturing the conductive connection sheet 1 The step of preparing the metal layer 12 and the step of forming the resin composition layers 11 and 13 that are barrier layers on the metal layer 12 are performed in a non-oxidizing atmosphere to obtain the metal layer 12 having such a configuration. be able to.

なお、本明細書中において、「非酸化性雰囲気」とは、酸素を含有しない雰囲気であればいかなる雰囲気であっても良く、例えば、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられる。   In the present specification, the “non-oxidizing atmosphere” may be any atmosphere as long as it does not contain oxygen. For example, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, nitrogen, argon or the like. An inert gas atmosphere or a reduced pressure (vacuum) atmosphere obtained by reducing the pressure of these atmospheres can be used.

以上のような導電接続シート１が、例えば、半導体装置１０が備える接続部８１および封止層８０の形成に用いられる。   The conductive connection sheet 1 as described above is used, for example, for forming the connection portion 81 and the sealing layer 80 included in the semiconductor device 10.

導電接続シート１を用いた接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の端子間の接続方法または本発明の接続端子の形成方法が適用される。   The connection method between terminals of the present invention or the method of forming connection terminals of the present invention is applied to the formation of the connection portion 81 and the sealing layer 80 using the conductive connection sheet 1.

＜本発明の端子間の接続方法＞
以下では、まず、本発明の端子間の接続方法を適用して、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について詳述する。 <Connection method between terminals of the present invention>
Below, the case where the connection part 81 and the sealing layer 80 are formed first by applying the connection method between the terminals of this invention is explained in full detail.

図４は、本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view for explaining a method of manufacturing a connection portion and a sealing layer included in a semiconductor device using the connection method between terminals of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下に説明する接続部８１および封止層８０の形成方法では、導電接続シート１を半導体チップ（基材）２０が有する端子２１と、インターポーザー（対向基材）３０に設けられた端子４１との間に配置する配置工程と、金属材料の融点以上に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。   In the method of forming the connection portion 81 and the sealing layer 80 described below, the terminal 21 provided on the semiconductor chip (base material) 20 with the conductive connection sheet 1 and the terminal 41 provided on the interposer (opposite base material) 30 And a heating step for heating the conductive connection sheet 1 to a temperature equal to or higher than the melting point of the metal material, and a curing (solidification) step for curing or solidifying the resin composition.

なお、接続部８１および封止層８０を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２実施形態として実施形態ごとに説明する。   In addition, when forming the connection part 81 and the sealing layer 80, when the resin composition layers 11 and 13 with which the electroconductive connection sheet 1 is provided are comprised with a curable resin composition, it is comprised with a thermoplastic resin composition. In some cases, the formation method is slightly different. Therefore, in the following, the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a curable resin composition is referred to as a first embodiment, and the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition is referred to as a second embodiment for each embodiment. explain.

＜＜第１実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１実施形態では、半導体チップ２０が有する端子２１と、インターポーザー３０に設けられた端子４１との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２（金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。 << First Embodiment >>
In the first embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 included in the conductive connection sheet 1 are formed of a curable resin composition, between the terminal 21 provided in the semiconductor chip 20 and the terminal 41 provided in the interposer 30. The conductive connection sheet 1 is disposed at a temperature above the melting point of the metal layer 12 (metal material) and at a temperature at which the curing of the curable resin composition constituting the resin composition layers 11 and 13 is not completed. It has the heating process which heats the sheet | seat 1, and the hardening process which completes hardening of curable resin composition.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０とを用意する。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step First, the semiconductor chip 20 and the interposer 30 provided with the terminals 41 are prepared.

次いで、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、インターポーザー３０の端子４１側の面に熱圧着させる。   Next, the conductive connection sheet 1 is thermocompression bonded to the surface on the terminal 41 side of the interposer 30 using an apparatus such as a roll laminator or a press.

そして、この状態で、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを、図４（ａ）に示すように、これらが備える端子２１と端子４１とがそれぞれ対向するように位置あわせする。   In this state, the semiconductor chip 20 and the interposer 30 are aligned so that the terminals 21 and the terminals 41 included in the semiconductor chip 20 and the interposer 30 face each other, as shown in FIG.

これにより、端子２１と端子４１とがそれぞれ対向した状態で、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、導電接続シート１が配置されることとなる。   Thus, the conductive connection sheet 1 is disposed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 in a state where the terminals 21 and the terminals 41 face each other.

なお、導電接続シート１は、図４（ａ）に示すように、インターポーザー３０の端子４１側に熱圧着される場合に限らず、半導体チップ２０の端子２１側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。   4A, the conductive connection sheet 1 is not limited to being thermocompression bonded to the terminal 41 side of the interposer 30, but may be thermocompression bonded to the terminal 21 side of the semiconductor chip 20. However, it may be thermocompression bonded to both of them.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。 [2] Heating Step Next, the conductive connection sheet 1 arranged between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 provided with the terminals 41 in the arrangement step [1] is shown in FIG. As described above, heating is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal layer 12.

加熱温度は、金属層１２の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。   The heating temperature may be equal to or higher than the melting point of the metal layer 12. For example, the range in which the metal material can move in the curable resin composition by adjusting the heating time such as shortening the heating time, that is, “curable resin”. The upper limit is not particularly limited as long as it is in the range where the curing of the composition is not completed.

具体的には、加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。   Specifically, the heating temperature is preferably 5 ° C. or more higher than the melting point of the metal layer 12, more preferably 10 ° C. or more, and even more preferably 20 ° C. or more. It is particularly preferable that the temperature be 30 ° C. or higher.

具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体チップ２０およびインターポーザー３０等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。   Specifically, the heating temperature is appropriately set depending on the composition of the metal layer 12 and the curable resin composition to be used, but is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 130 ° C. or higher, and 140 More preferably, it is 150 degreeC or more, and it is most preferable. The heating temperature is preferably 260 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and 240 ° C. or lower from the viewpoint of preventing thermal deterioration of the semiconductor chip 20 and interposer 30 to be connected. More preferably it is.

このような温度で導電接続シート１を、金属層１２の融点以上に加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated to a melting point or higher of the metal layer 12 at such a temperature, the metal layer 12 is melted, and the molten metal layer 12, that is, the low melting metal material passes through the resin composition layers 11 and 13. You can move.

この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間の間に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１、４１間への凝集力が特に向上する。   At this time, since the metal layer 12 is provided with the resin composition layers 11 and 13 that function as a barrier layer, and the growth of the oxide film in the metal layer 12 is prevented, the metal layer 12 is heated to a melting point or higher to melt. Then, since the molten metal layer 12 has excellent wettability and metal bonding is promoted, the resin composition layers 11 and 13 have a configuration that does not substantially contain a compound having a flux function. Even if it is, it will be in the state which the molten metal layer 12 tends to aggregate between the terminals 21 and 41 arrange | positioned facing. Therefore, the molten metal material moves through the curable resin component and selectively aggregates between the terminals 21 and 41. In the molten metal layer 12, the cohesive force between the terminals 21 and 41 is particularly improved when an oxide film is not formed on the surface of the metal layer 12.

なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the present invention, since the metal layer 12 has a layer shape (foil shape), when the molten metal layer 12 is divided into a plurality of pieces and aggregates on the surfaces of the terminals 21 and 41, a part of the metal layer 12 is formed. It is possible to accurately suppress or prevent the resin composition layers 11 and 13 from remaining in the terminal 41 without aggregating. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the sealing layer 80.

以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。   From the above, as shown in FIG. 4 (c), the connection part 81 made of a metal material is formed between the terminals 21 and 41, and the terminal 21 and the terminal 41 are electrically connected via the connection part 81. Connected. At this time, the sealing layer 80 is formed by filling the curable resin composition surrounding the connection portion 81 without mixing the metal material. As a result, insulation between the adjacent terminals 21 and 41 is ensured, so that a short circuit between the adjacent terminals 21 and 41 is prevented.

以上のような導電接続シート１を用いた接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。   In the method of forming the connection part 81 and the sealing layer 80 using the conductive connection sheet 1 as described above, the connection part 81 is formed by selectively agglomerating the heated and melted metal material between the terminals 21 and 41, A sealing layer 80 made of a curable resin composition can be formed around the periphery. As a result, the insulation between the adjacent terminals 21 and 41 can be secured and the occurrence of leakage current can be reliably prevented, so that the connection reliability of the connection via the connection portion 81 between the terminals 21 and 41 is improved. Can do.

また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。   In addition, even in a fine wiring circuit, electrical connection between a large number of terminals 21 and 41 can be performed collectively. Furthermore, in the next step [3], the mechanical strength of the connection portion 81 and the sealing layer 80 can be increased by curing the curable resin composition.

なお、本工程［２］では、対向する端子２１、４１間の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間の接続部８１による電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。   In this step [2], the semiconductor chip 20 and the interposer 30 may be heated in a pressurized state so that the distance between the opposing terminals 21 and 41 is reduced. For example, the distance between the terminals 21 and 41 facing each other can be increased by heating and pressurizing the semiconductor chip 20 and the interposer 30 in FIG. Since it can be controlled to be constant, it is possible to increase the electrical connection reliability by the connecting portion 81 between the opposing terminals 21 and 41.

さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。   Furthermore, when applying pressure or heating, an ultrasonic wave or an electric field may be applied, or special heating such as laser or electromagnetic induction may be applied.

［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。 [3] Curing Step Next, in the heating step [2], after forming the connecting portion 81 and the sealing layer 80, the sealing layer 80 is fixed by curing the curable resin composition.

これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。   Thereby, both the electrical reliability by the connection part 81 between the terminals 21 and 41 and the mechanical reliability by the sealing layer 80 are fully securable.

特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８０の絶縁性をより確実に確保することができる。   In particular, in this embodiment, since the curable resin composition having a high insulation resistance value at the time of high melt viscosity is used, the insulation of the sealing layer (insulating region) 80 can be more reliably ensured.

硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。具体的には、前記加熱工程［２］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。   Curing of the curable resin composition can be carried out by heating the curable resin composition. The curing temperature of the curable resin composition can be appropriately set according to the composition of the curable resin composition. Specifically, the temperature is preferably at least 5 ° C. lower than the heating temperature in the heating step [2], and more preferably at least 10 ° C. lower. More specifically, it is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, further preferably 130 ° C. or higher, and most preferably 150 ° C. or higher. Moreover, it is preferable that it is 300 degrees C or less, It is more preferable that it is 260 degrees C or less, It is more preferable that it is 250 degrees C or less, It is most preferable that it is 240 degrees C or less. When the curing temperature is within the above range, the curable resin composition can be sufficiently cured while reliably preventing the conductive connection sheet 1 from being thermally decomposed.

以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成される。   Through the steps as described above, the connection portion 81 and the sealing layer 80 are formed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30.

＜＜第２実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２実施形態では、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。 << Second Embodiment >>
In the second embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 included in the conductive connection sheet 1 are formed of a thermoplastic resin composition, the conductive connection sheet is provided between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 provided with the terminals 41. An arrangement step of arranging 1, a heating step of heating the conductive connection sheet 1 at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal layer 12 and the thermoplastic resin composition constituting the resin composition layers 11 and 13 is softened, And a solidifying step for solidifying the plastic resin composition.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１実施形態と同様にして、端子２１と端子４１とがそれぞれ対向した状態で、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に、導電接続シート１を配置する。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step The first embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermosetting resin composition also in the present embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition. Similarly to the embodiment, the conductive connection sheet 1 is disposed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 provided with the terminals 41 in a state where the terminals 21 and the terminals 41 face each other.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上の温度で加熱する。 [2] Heating Step Next, the conductive connection sheet 1 arranged between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 provided with the terminals 41 in the arrangement step [1] is shown in FIG. Thus, heating is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal layer 12.

加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。   The heating temperature is preferably 5 ° C or higher than the melting point of the metal layer 12, more preferably 10 ° C or higher, more preferably 20 ° C or higher, and more preferably 30 ° C or higher. Is particularly preferred.

具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１実施形態の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。   Specifically, the heating temperature is appropriately set depending on the composition of the metal layer 12 and the thermoplastic resin composition to be used, and for example, the same as described in the heating step [2] of the first embodiment described above. Is set in the temperature range.

このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated at such a temperature, the metal layer 12 is melted, and the molten metal layer 12, that is, the low melting point metal material can move in the resin composition layers 11 and 13.

この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間の間に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１、４１間への凝集力が特に向上する。   At this time, since the metal layer 12 is provided with the resin composition layers 11 and 13 that function as a barrier layer, and the growth of the oxide film in the metal layer 12 is prevented, the metal layer 12 is heated to a melting point or higher to be melted. Then, since the molten metal layer 12 has excellent wettability and metal bonding is promoted, the resin composition layers 11 and 13 have a configuration that does not substantially contain a compound having a flux function. Even if it is, it will be in the state which the molten metal layer 12 tends to aggregate between the terminals 21 and 41 arrange | positioned facing. Therefore, the molten metal material moves through the thermoplastic resin component and selectively aggregates between the terminals 21 and 41. In the molten metal layer 12, the cohesive force between the terminals 21 and 41 is particularly improved when an oxide film is not formed on the surface of the metal layer 12.

なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the present invention, since the metal layer 12 has a layer shape (foil shape), when the molten metal layer 12 is divided into a plurality of pieces and aggregates on the surface of the terminal 41, a part of the metal layer 12 is a terminal 41. It can be accurately suppressed or prevented from remaining in the resin composition layers 11 and 13 without agglomerating. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the sealing layer 80.

以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間の間に選択的に凝集する。   From the above, the molten metal material moves through the thermoplastic resin component and selectively aggregates between the terminals 21 and 41.

以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。   From the above, as shown in FIG. 4 (c), the connection part 81 made of a metal material is formed between the terminals 21 and 41, and the terminal 21 and the terminal 41 are electrically connected via the connection part 81. Connected. At this time, the sealing layer 80 is formed by filling the curable resin composition surrounding the connection portion 81 without mixing the metal material. As a result, insulation between the adjacent terminals 21 and 41 is ensured, so that a short circuit between the adjacent terminals 21 and 41 is prevented.

以上のような接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。   In the method for forming the connection portion 81 and the sealing layer 80 as described above, the metal material heated and melted is selectively aggregated between the terminals 21 and 41 to form the connection portion 81, and the thermoplastic resin composition is formed around the connection portion 81. The sealing layer 80 comprised by this can be formed. As a result, the insulation between the adjacent terminals 21 and 41 can be secured and the occurrence of leakage current can be reliably prevented, so that the connection reliability of the connection via the connection portion 81 between the terminals 21 and 41 is improved. Can do.

また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。   In addition, even in a fine wiring circuit, electrical connection between a large number of terminals 21 and 41 can be performed collectively. Furthermore, in the next step [3], the mechanical strength of the connection portion 81 and the sealing layer 80 can be increased by solidifying the thermoplastic resin composition.

［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８０を固定する。 [3] Solidification Step Next, in the heating step [2], after forming the connection portion 81 and the sealing layer 80, the sealing layer 80 is fixed by solidifying the thermoplastic resin composition.

これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。   Thereby, both the electrical reliability by the connection part 81 between the terminals 21 and 41 and the mechanical reliability by the sealing layer 80 are fully securable.

熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。   Solidification of the thermoplastic resin composition can be carried out by cooling the thermoplastic resin composition heated in the heating step [2].

熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８０の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。   Solidification of the thermoplastic resin composition by cooling of the thermoplastic resin composition, that is, fixing of the sealing layer 80 is appropriately selected according to the composition of the thermoplastic resin composition. Specifically, a method by natural cooling may be used, and a method such as blowing cold air is appropriately selected.

熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いことが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８１を確実に形成することができるとともに、封止層８０を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子２１、４１間のショートをより確実に防止することができる。   The solidification temperature of the thermoplastic resin composition is not particularly limited, but is preferably lower than the melting point of the metal layer 12. Specifically, the solidification temperature of the thermoplastic resin composition is preferably 10 ° C. or more lower than the melting point of the metal layer 12, more preferably 20 ° C. or more. Moreover, it is preferable that the solidification temperature of a thermoplastic resin composition is 50 degreeC or more, It is more preferable that it is 60 degreeC or more, It is further more preferable that it is 100 degreeC or more. When the solidification temperature of the thermoplastic resin composition is within the above range, the connecting portion 81 can be reliably formed, and the sealing layer 80 can exhibit excellent heat resistance. As a result, insulation between the adjacent terminals 21 and 41 can be ensured accurately, and a short circuit between the adjacent terminals 21 and 41 can be prevented more reliably.

以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成される。   Through the steps as described above, the connection portion 81 and the sealing layer 80 are formed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30.

なお、第１実施形態および第２実施形態では、端子２１が、半導体チップ２０に形成されている面側から突出し、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている場合について説明したが、本発明の端子間の接続方法は、かかる場合に限定されず、端子４１が、インターポーザー３０の端子４１が形成されている面から突出することなく露出し、端子２１が、半導体チップ２０の端子２１が形成されている面から突出する構成をなしている場合にも適用することができる。また、端子４１が、インターポーザー３０の端子４１が形成されている面から突出することなく露出し、端子２１も、半導体チップ２０の端子が形成されている面側から突出することなく露出する構成をなしている場合にも適用することができる。   In the first embodiment and the second embodiment, the case where the terminal 21 protrudes from the surface side formed on the semiconductor chip 20 and the terminal 41 also protrudes from the interposer 30 has been described. The connection method between the terminals of the present invention is not limited to such a case. The terminal 41 is exposed without protruding from the surface on which the terminal 41 of the interposer 30 is formed, and the terminal 21 is connected to the semiconductor chip 20. The present invention can also be applied to a case in which the terminal 21 is protruded from the surface on which the terminal 21 is formed. Further, the terminal 41 is exposed without protruding from the surface on which the terminal 41 of the interposer 30 is formed, and the terminal 21 is also exposed without protruding from the surface side on which the terminal of the semiconductor chip 20 is formed. It can also be applied to cases where

さらに、端子４１が、インターポーザー３０の端子４１が形成されている面から突出し、端子２１が、半導体チップ２０の端子２１が形成されている面から突出することなく、露出する構成をなしている場合にも適用することができる。   Further, the terminal 41 protrudes from the surface on which the terminal 41 of the interposer 30 is formed, and the terminal 21 is exposed without protruding from the surface on which the terminal 21 of the semiconductor chip 20 is formed. It can also be applied to cases.

また、第１実施形態および第２実施形態では、半導体チップ２０とインターポーザー３０とがそれぞれ備える端子２１と端子４１との間に、接続部８１を形成して電気的に接続する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種電子機器が有する電子部品が備える端子同士を電気的に接続する場合に適用することができ、電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、リジッド基板およびフレキシブル基板等が挙げられる。   Further, in the first embodiment and the second embodiment, the case where the connection portion 81 is formed and electrically connected between the terminal 21 and the terminal 41 provided in the semiconductor chip 20 and the interposer 30 has been described. However, the present invention is not limited to this case, and can be applied to electrically connecting terminals included in electronic components of various electronic devices. Examples of the electronic components include a semiconductor wafer, a rigid substrate, and a flexible substrate. Is mentioned.

＜本発明の接続端子の形成方法＞
次に、本発明の接続端子の形成方法を用いて、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について説明する。 <Method for Forming Connection Terminal of the Present Invention>
Next, the case where the connection part 81 and the sealing layer 80 are formed using the connection terminal forming method of the present invention will be described.

この場合、まず、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成し、次いで、これら接続端子８５と補強層８６が設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に、接続（実装）することにより、接続部８１と封止層８０とが形成される。   In this case, first, the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are formed on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 by applying the connection terminal forming method of the present invention, and then the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86. By connecting (mounting) the semiconductor chip 20 provided with to the surface of the interposer 30 on the side of the terminal 41, the connecting portion 81 and the sealing layer 80 are formed.

以下では、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成する方法について詳述する。   Hereinafter, a method for forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 by applying the connection terminal forming method of the present invention will be described in detail.

図５は、本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 5 is a longitudinal sectional view for explaining a method of forming a connection terminal corresponding to a terminal included in a semiconductor chip using the connection terminal forming method of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下に説明する接続端子８５および補強層８６の形成方法では、半導体チップ２０の端子２１側の面に、導電接続シート１を配置する配置工程と、導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。   In the method of forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 described below, there are an arrangement step of arranging the conductive connection sheet 1 on the surface of the semiconductor chip 20 on the terminal 21 side, and a heating step of heating the conductive connection sheet 1. doing.

なお、接続端子８５と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第３実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第４実施形態として実施形態ごとに説明する。   In addition, when forming the connection terminal 85 and the reinforcement layer 86, when the resin composition layers 11 and 13 with which the conductive connection sheet 1 is provided are composed of a curable resin composition, it is composed of a thermoplastic resin composition. In some cases, the formation method is slightly different. Therefore, in the following, the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a curable resin composition is referred to as a third embodiment, and the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition is described as a fourth embodiment for each embodiment. explain.

＜＜第３実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第３実施形態では、半導体チップ２０の端子２１側の面に、導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。 << Third Embodiment >>
In the third embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 provided in the conductive connection sheet 1 are formed of a curable resin composition, an arrangement step of arranging the conductive connection sheet 1 on the surface of the semiconductor chip 20 on the terminal 21 side; And a heating step of heating the conductive connection sheet 1 at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal layer 12 and does not complete the curing of the curable resin composition constituting the resin composition layers 11 and 13.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、図５（ａ）に示すように、下面側に端子２１を備える半導体チップ２０を用意する。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step First, as shown in FIG. 5A, a semiconductor chip 20 having terminals 21 on the lower surface side is prepared.

次いで、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着（配置）させる。   Next, the conductive connection sheet 1 is thermocompression-bonded (arranged) to the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 using an apparatus such as a roll laminator or a press.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。 [2] Heating step Next, in the arrangement step [1], the conductive connection sheet 1 (metal layer 12) arranged on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 is as shown in FIG. Heat at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal layer 12.

導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。   The temperature for heating the conductive connection sheet 1 is set to the same temperature as the temperature for heating the conductive connection sheet 1 in the heating step [2] of the first embodiment.

このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated at such a temperature, the metal layer 12 is melted, and the molten metal layer 12, that is, the low melting point metal material can move in the resin composition layers 11 and 13.

この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１の表面に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１の表面への凝集力が特に向上する。   At this time, since the metal layer 12 is provided with the resin composition layers 11 and 13 that function as a barrier layer, and the growth of the oxide film in the metal layer 12 is prevented, the metal layer 12 is heated to a melting point or higher to melt. Then, since the molten metal layer 12 has excellent wettability and metal bonding is promoted, the resin composition layers 11 and 13 have a configuration that does not substantially contain a compound having a flux function. Even in such a case, the molten metal layer 12 tends to aggregate on the surface of the terminal 21. Therefore, the molten metal material moves through the curable resin component and selectively aggregates on the surface of the terminal 21. The molten metal layer 12 has a particularly improved cohesive force on the surface of the terminal 21 when no oxide film is formed on the surface of the metal layer 12.

なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１の表面に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the present invention, since the metal layer 12 has a layer shape (foil shape), when the molten metal layer 12 is divided into a plurality of pieces and aggregates on the surface of the terminal 21, a part of the metal layer 12 is a terminal 21. It can be accurately suppressed or prevented from remaining in the resin composition layers 11 and 13 without agglomerating. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the reinforcing layer 86.

以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。このとき、接続端子８５の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が充填されて補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。   From the above, as shown in FIG. 5C, the connection terminal 85 made of a metal material is formed on the surface of the terminal 21. At this time, the reinforcing layer 86 is formed by surrounding the connection terminal 85 and being filled with the curable resin composition. As a result, insulation between the adjacent connection terminals 85 is ensured, so that a short circuit between the adjacent connection terminals 85 is reliably prevented.

以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。   In the method for forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 as described above, the metal material heated and melted is selectively aggregated on the terminal 21 to form the connection terminal 85, and the periphery thereof is made of a curable resin composition. A reinforcing layer 86 can be formed. As a result, insulation between adjacent connection terminals 85 can be ensured.

また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。   Further, even in the semiconductor chip 20 having a plurality of terminals 21 at a fine pitch, a plurality of connection terminals 85 can be collectively formed corresponding to the terminals 21.

なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。   In this step [2], the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 may be heated in a pressurized state so that the distance between the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 is reduced. For example, the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 are heated and pressurized using means such as a known thermocompression bonding device in a direction in which the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 in FIG. Since the distance can be controlled to be constant, it is possible to further enhance the aggregating ability of the molten metal material on the surface of the terminal 21.

さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。   Furthermore, when applying pressure or heating, an ultrasonic wave or an electric field may be applied, or special heating such as laser or electromagnetic induction may be applied.

以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子および補強層の形成方法が適用される。   The connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are formed through the process [1] and the process [2] as described above. That is, the method for forming the connection terminal and the reinforcing layer of the present invention is applied to the arranging step [1] and the heating step [2] for forming the connecting terminal 85 and the reinforcing layer 86.

なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておくのが好ましい。これにより、接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。   In addition, when using a curable resin component as a resin component contained in the resin composition layers 11 and 13 as in this embodiment, in the heating step [2], the curable resin composition is not completely cured. It is preferable to keep the state. Thus, when the semiconductor chip 20 provided with the connection terminals 85 and the reinforcing layer 86 is mounted on the surface of the interposer 30 on the terminal 41 side, the reinforcing layer 86 is heated to be in a molten state again. Will be able to.

以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。   As described above, when the connection terminal 85 is formed on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 using the conductive connection sheet 1, the conductive connection sheet 1 is arranged and heated in a portion where the connection terminal 85 is to be formed. As a result, the molten metal layer 12 is selectively agglomerated on the terminal 21, and as a result, the connection terminal 85 is formed.

このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、冷却することで、半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とを形成することができる。   By connecting the semiconductor chip 20 provided with the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 on the surface of the interposer 30 on the terminal 41 side, the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are heated to connect the semiconductor chip 20. Since the terminal 85 is in a molten state again, the connection portion 81 and the sealing layer 80 can be formed between the semiconductor chip 20 and the semiconductor chip 20 by cooling thereafter.

そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在するため、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。これにより、接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。   And in this embodiment, since the curable resin component is contained as a resin component contained in the resin composition layers 11 and 13 and this thing exists in an uncured state, the curable resin composition is cured. By doing so, the sealing layer 80 is fixed. Thereby, the mechanical strength of the connection part 81 and the sealing layer 80 can be raised.

＜＜第４実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第４実施形態では、半導体チップ２０の端子２１側の面に、導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。 << Fourth Embodiment >>
In the fourth embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 included in the conductive connection sheet 1 are made of a thermoplastic resin composition, an arrangement step of arranging the conductive connection sheet 1 on the surface of the semiconductor chip 20 on the terminal 21 side; And a heating step of heating the conductive connection sheet 1 at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal layer 12 and at which the thermoplastic resin composition constituting the resin composition layers 11 and 13 is softened.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第３実施形態と同様にして、半導体チップ２０の端子２１側に導電接続シート１を熱圧着（配置）させる。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step The third embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermosetting resin composition also in the present embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition. Similarly to the embodiment, the conductive connection sheet 1 is thermocompression bonded (arranged) to the terminal 21 side of the semiconductor chip 20.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図５（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。 [2] Heating step Next, in the arrangement step [1], the conductive connection sheet 1 (metal layer 12) arranged on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 is as shown in FIG. Heat at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal layer 12.

導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。   The temperature for heating the conductive connection sheet 1 is set to the same temperature as the temperature for heating the conductive connection sheet 1 in the heating step [2] of the first embodiment.

このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated at such a temperature, the metal layer 12 is melted, and the molten metal layer 12, that is, the low melting point metal material can move in the resin composition layers 11 and 13.

この際、金属層１２にはバリア層として機能する樹脂組成物層１１、１３が設けられ、金属層１２における酸化膜の生長が防止されているので、金属層１２を融点以上に加熱して溶融すると、溶融状態の金属層１２は優れた濡れ性を有し、金属結合が促されていることから、たとえ樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を実質的に含有しない構成のものであったとしても、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。そのため、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１の表面に選択的に凝集する。なお、溶融状態の金属層１２は、金属層１２の表面に酸化膜が形成されていない場合に、端子２１の表面への凝集力が特に向上する。   At this time, since the metal layer 12 is provided with the resin composition layers 11 and 13 that function as a barrier layer, and the growth of the oxide film in the metal layer 12 is prevented, the metal layer 12 is heated to a melting point or higher to be melted. Then, since the molten metal layer 12 has excellent wettability and metal bonding is promoted, the resin composition layers 11 and 13 have a configuration that does not substantially contain a compound having a flux function. Even in such a case, the molten metal layer 12 tends to aggregate on the surface of the terminal 21. Therefore, the molten metal material moves through the thermoplastic resin component and selectively aggregates on the surface of the terminal 21. The molten metal layer 12 has a particularly improved cohesive force on the surface of the terminal 21 when no oxide film is formed on the surface of the metal layer 12.

なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１の表面に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the present invention, since the metal layer 12 has a layer shape (foil shape), when the molten metal layer 12 is divided into a plurality of pieces and aggregates on the surface of the terminal 21, a part of the metal layer 12 is a terminal 21. It can be accurately suppressed or prevented from remaining in the resin composition layers 11 and 13 without agglomerating. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the reinforcing layer 86.

以上のことから、図５（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、接続端子８５の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。   From the above, as shown in FIG. 5C, the connection terminal 85 made of a metal material is formed on the surface of the terminal 21. At this time, the reinforcing layer 86 is formed by cooling the thermoplastic resin composition so as to surround and solidify the periphery of the connection terminal 85. As a result, insulation between the adjacent connection terminals 85 is ensured, so that a short circuit between the adjacent connection terminals 85 is reliably prevented.

以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。   In the method of forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 as described above, the metal material heated and melted is selectively aggregated on the terminal 21 to form the connection terminal 85, and the periphery thereof is formed of the thermoplastic resin composition. A reinforcing layer 86 can be formed. As a result, insulation between adjacent connection terminals 85 can be ensured.

また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。   Further, even in the semiconductor chip 20 having a plurality of terminals 21 at a fine pitch, a plurality of connection terminals 85 can be collectively formed corresponding to the terminals 21.

なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。   In this step [2], the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 may be heated in a pressurized state so that the distance between the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 is reduced. For example, the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 are heated and pressurized using means such as a known thermocompression bonding device in a direction in which the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 in FIG. Since the distance can be controlled to be constant, it is possible to further enhance the aggregating ability of the molten metal material on the surface of the terminal 21.

さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。   Furthermore, when applying pressure or heating, an ultrasonic wave or an electric field may be applied, or special heating such as laser or electromagnetic induction may be applied.

以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子および補強層の形成方法が適用される。   The connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are formed through the process [1] and the process [2] as described above. That is, the method for forming the connection terminal and the reinforcing layer of the present invention is applied to the arranging step [1] and the heating step [2] for forming the connecting terminal 85 and the reinforcing layer 86.

以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。   As described above, when the connection terminal 85 is formed on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 using the conductive connection sheet 1, the conductive connection sheet 1 is arranged and heated in a portion where the connection terminal 85 is to be formed. As a result, the molten metal layer 12 is selectively agglomerated on the terminal 21, and as a result, the connection terminal 85 is formed.

このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１側の面に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、冷却することで、半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とを形成することができる。   By connecting the semiconductor chip 20 provided with the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 on the surface of the interposer 30 on the terminal 41 side, the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are heated to connect the semiconductor chip 20. Since the terminal 85 is in a molten state again, the connection portion 81 and the sealing layer 80 can be formed between the semiconductor chip 20 and the semiconductor chip 20 by cooling thereafter.

そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、熱可塑性樹脂成分が含まれるため、前記のように冷却することで熱可塑性樹脂組成物を固化させることができ、これにより、封止層８０が固定されるため、接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。   And in this embodiment, since a thermoplastic resin component is contained as a resin component contained in the resin composition layers 11 and 13, the thermoplastic resin composition can be solidified by cooling as described above. Thereby, since the sealing layer 80 is fixed, the mechanical strength of the connection part 81 and the sealing layer 80 can be improved.

以上のような工程を経て、半導体チップ２０の端子２１が設けられている面上に、接続端子８５が形成され、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６が形成される。   Through the steps described above, the connection terminal 85 is formed on the surface of the semiconductor chip 20 on which the terminal 21 is provided, and the reinforcing layer 86 is formed so as to surround the connection terminal 85.

なお、第３実施形態および第４実施形態では、半導体チップ２０が備える端子２１に対応するように接続端子８５を形成する場合に、本発明の接続端子の形成方法を適用する場合ついて説明したが、この場合に限定されず、各種電子機器に用いられる電子部品が備える端子（電極）上に、接続端子（バンプ）を形成する場合に適用することができ、各種電子部品としては、例えば、半導体ウエハおよびフレキシブル基板等が挙げられる。   In the third embodiment and the fourth embodiment, the case where the connection terminal forming method of the present invention is applied when the connection terminal 85 is formed so as to correspond to the terminal 21 included in the semiconductor chip 20 has been described. The present invention is not limited to this case, and can be applied to the case where connection terminals (bumps) are formed on terminals (electrodes) included in electronic parts used in various electronic devices. Examples of various electronic parts include semiconductors A wafer, a flexible substrate, etc. are mentioned.

また、前記第１〜第４実施形態では、半導体装置１０が備える接続部８１および封止層８０を、図２に示した導電接続シート１を用いて形成する場合について説明したが、導電接続シートの構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような構成の導電接続シート１’および導電接続シート１”を用いることができる。   Moreover, although the said 1st-4th embodiment demonstrated the case where the connection part 81 and the sealing layer 80 with which the semiconductor device 10 is provided were formed using the conductive connection sheet 1 shown in FIG. The configuration is not limited to this case, and for example, a conductive connection sheet 1 ′ and a conductive connection sheet 1 ″ having the following configurations can be used.

図６は、本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing another configuration example of the conductive connection sheet of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 6 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、本発明の導電接続シートの他の構成例である導電接続シート１’について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, the conductive connection sheet 1 ′, which is another configuration example of the conductive connection sheet of the present invention, will be described, focusing on the differences from the above-described conductive connection sheet 1, and the same matters will be described. Omitted.

導電接続シート１’では、第１のバリア層および第２のバリア層の構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。   The conductive connection sheet 1 ′ has the same configuration as that of the conductive connection sheet 1 described above except that the configurations of the first barrier layer and the second barrier layer are different.

すなわち、導電接続シート１’では、第１のバリア層が、第１の樹脂組成物層１１と第１の金属バリア層１１１との積層構造をなし、第２のバリア層が、第２の樹脂組成物層１３と第２の金属バリア層１３１との積層構造をなすこと以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。   That is, in the conductive connection sheet 1 ′, the first barrier layer has a laminated structure of the first resin composition layer 11 and the first metal barrier layer 111, and the second barrier layer is the second resin. Except for forming a laminated structure of the composition layer 13 and the second metal barrier layer 131, the configuration is the same as that of the conductive connection sheet 1 described above.

以下、これらの層について説明するが、第１のバリア層および第２のバリア層については、ともに、同様の構成をなしているため、第１のバリア層を代表に説明する。   Hereinafter, these layers will be described. Since the first barrier layer and the second barrier layer have the same configuration, the first barrier layer will be described as a representative.

第１のバリア層は、上記にように、第１の樹脂組成物層１１と第１の金属バリア層１１１との積層構造をなし、第１の金属バリア層１１１が金属層１２側に位置する構成となっている。   As described above, the first barrier layer has a laminated structure of the first resin composition layer 11 and the first metal barrier layer 111, and the first metal barrier layer 111 is located on the metal layer 12 side. It has a configuration.

これらのうち第１の樹脂組成物層１１は、前述した導電接続シート１が有する第１の樹脂組成物層１１と同様の構成をなすものである。   Among these, the 1st resin composition layer 11 makes the structure similar to the 1st resin composition layer 11 which the conductive connection sheet 1 mentioned above has.

また、第１の金属バリア層１１１は、実質的に酸化膜が形成されていない金属材料で構成されるものである。   The first metal barrier layer 111 is made of a metal material that is substantially free of an oxide film.

このような第１の金属バリア層１１１としては、特に限定されないが、例えば、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものが挙げられる。かかる材料を主材料として構成される金属バリア層は、その表面に酸化膜が実質的に形成されないものとなるとともに、比較的薄い膜厚のものを成膜した場合でも、金属層１２の表面に酸化膜が形成されるのを防止するバリア層としての機能を好適に発揮するものとなる。さらに、導電接続シート１’を用いて接続部８１を形成した際に、この接続部８１中に、第１の金属バリア層１１１の構成材料が取り込まれたとしても、接続部８１としての機能が低下するのを的確に抑制または防止することができる。   Such a first metal barrier layer 111 is not particularly limited, and examples thereof include those composed mainly of Au or Ag. A metal barrier layer composed mainly of such a material is such that an oxide film is not substantially formed on the surface thereof, and even when a relatively thin film is formed on the surface of the metal layer 12. The function as a barrier layer for preventing the formation of an oxide film is suitably exhibited. Furthermore, even when the connection part 81 is formed using the conductive connection sheet 1 ′, even if the constituent material of the first metal barrier layer 111 is taken into the connection part 81, the function as the connection part 81 is achieved. It is possible to accurately suppress or prevent the decrease.

また、第１の金属バリア層１１１は、その膜厚が金属バリア層としての機能を発揮し得る限り可能な限り、薄く設定されているのが好ましく、具体的には、０．００５〜２μｍ程度であるのが好ましく、０．０１〜１μｍ程度であるのがより好ましい。第１の金属バリア層１１１の膜厚が上記下限値未満となると、第１の金属バリア層１１１を構成する構成材料の種類によっては金属バリア層としての機能が発揮されないおそれがある。また、第１の金属バリア層１１１の膜厚が上記上限値を超えると、第１の金属バリア層１１１を構成する構成材料の種類によっては、導電接続シート１’を用いて形成された接続部８１の機能が低下してしまうおそれがある。   Further, the first metal barrier layer 111 is preferably set as thin as possible so long as the film thickness can exhibit the function as the metal barrier layer, specifically, about 0.005 to 2 μm. It is preferable that it is about 0.01-1 micrometer. When the film thickness of the first metal barrier layer 111 is less than the lower limit, the function as the metal barrier layer may not be exhibited depending on the type of the constituent material constituting the first metal barrier layer 111. Further, when the thickness of the first metal barrier layer 111 exceeds the above upper limit value, depending on the type of the constituent material constituting the first metal barrier layer 111, the connection portion formed using the conductive connection sheet 1 ′ There is a possibility that the function of 81 will deteriorate.

以上のように、第１のバリア層を、第１の樹脂組成物層１１の他に、さらに第１の金属バリア層１１１を備える構成とすることで、バリア層としての機能を第１のバリア層により確実に付与することができる。これにより、金属層１２の表面において酸化膜が生長してしまうのを、より的確に抑制または防止することができる。   As described above, the first barrier layer is configured to further include the first metal barrier layer 111 in addition to the first resin composition layer 11, so that the function as the barrier layer is the first barrier layer. It can be reliably applied by the layer. Thereby, it is possible to more accurately suppress or prevent the oxide film from growing on the surface of the metal layer 12.

なお、本構成では、第２のバリア層は、上述した第１のバリア層と同様の構成のものであればよく、第２のバリア層が備える第２の樹脂組成物層１３および第２の金属バリア層１３１は、それぞれ、第１のバリア層が備える第１の樹脂組成物層１１および第１の金属バリア層１１１と同一の組成のものであっても良く、異なる組成のものであっても良い。これらの金属バリア層を金属層１２の片面もしくは両面に形成することで導電接続シート１の樹脂組成物１１、１３の形成を酸化雰囲気下で行なうこともできる。   In the present configuration, the second barrier layer may have the same configuration as the first barrier layer described above, and the second resin composition layer 13 and the second second layer provided in the second barrier layer may be used. The metal barrier layer 131 may have the same composition as the first resin composition layer 11 and the first metal barrier layer 111 included in the first barrier layer, or may have a different composition. Also good. By forming these metal barrier layers on one side or both sides of the metal layer 12, the resin compositions 11 and 13 of the conductive connection sheet 1 can be formed in an oxidizing atmosphere.

また、導電接続シート１’では、第１のバリア層および第２のバリア層のいずれか一方が、バリア層における金属バリア層の形成が省略され、樹脂組成物層の単層構造をなすものであっても良い。   Further, in the conductive connection sheet 1 ′, either one of the first barrier layer and the second barrier layer has a single layer structure of the resin composition layer in which the formation of the metal barrier layer in the barrier layer is omitted. There may be.

さらに、図７は、本発明の導電接続シートの他の構成例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   Furthermore, FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing another configuration example of the conductive connection sheet of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 7 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、本発明の導電接続シートの他の構成例である導電接続シート１”について説明するが、前述した導電接続シート１および導電接続シート１’との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, the conductive connection sheet 1 ″, which is another configuration example of the conductive connection sheet of the present invention, will be described. However, the difference between the conductive connection sheet 1 and the conductive connection sheet 1 ′ described above will be mainly described, and similar matters will be described. The description of is omitted.

導電接続シート１”では、第２のバリア層の構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。   The conductive connection sheet 1 ″ has the same configuration as that of the conductive connection sheet 1 described above except that the configuration of the second barrier layer is different.

すなわち、導電接続シート１”では、第２のバリア層が、第２の金属バリア層１３１で構成され、第１のバリア層が、第１の樹脂組成物層１１で構成されること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。   That is, in the conductive connection sheet 1 ″, the second barrier layer is composed of the second metal barrier layer 131, and the first barrier layer is composed of the first resin composition layer 11, The configuration is the same as that of the conductive connection sheet 1 described above.

これらのうち第２の金属バリア層１３１は、前述した導電接続シート１’が有する第２の金属バリア層１３１と同様の構成をなすものである。   Among these, the second metal barrier layer 131 has the same configuration as the second metal barrier layer 131 included in the above-described conductive connection sheet 1 ′.

また、第１の樹脂組成物層１１は、前述した導電接続シート１が有する第１の樹脂組成物層１１と同様の構成をなすものである。   Moreover, the 1st resin composition layer 11 makes the structure similar to the 1st resin composition layer 11 which the conductive connection sheet 1 mentioned above has.

以上のように、第２のバリア層を第２の金属バリア層１３１で構成し、第１のバリア層を第１の樹脂組成物層１１で構成した場合にも、これらにバリア層としての機能を発揮させることができるので、金属層１２の表面において酸化膜が生長してしまうのを、より的確に抑制または防止することができる。   As described above, even when the second barrier layer is composed of the second metal barrier layer 131 and the first barrier layer is composed of the first resin composition layer 11, they function as a barrier layer. Therefore, it is possible to more accurately suppress or prevent the oxide film from growing on the surface of the metal layer 12.

なお、導電接続シート１”では、第１のバリア層が、第１の樹脂組成物層１１と第１の金属バリア層１１１との積層構造をなすものであっても良い。   In the conductive connection sheet 1 ″, the first barrier layer may have a laminated structure of the first resin composition layer 11 and the first metal barrier layer 111.

以上、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。   As described above, the conductive connection sheet, the connection method between terminals, the formation method of the connection terminal, the semiconductor device, and the electronic device of the present invention have been described, but the present invention is not limited to these.

例えば、本発明の導電接続シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。   For example, the configuration of each part of the conductive connection sheet of the present invention can be replaced with an arbitrary one that can exhibit the same function, or an arbitrary configuration can be added.

また、本発明の端子間の接続方法および接続端子の形成方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。   Moreover, arbitrary processes may be added to the connection method between terminals and the formation method of a connection terminal of this invention as needed.

１、１’、１” 導電接続シート
１０ 半導体装置
１１ 第１の樹脂組成物層
１１１ 第１の金属バリア層
１２ 金属層
１３ 第２の樹脂組成物層
１３１ 第２の金属バリア層
２０ 半導体チップ
２１ 端子
３０ インターポーザー
４１ 端子
７０ バンプ
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 接続端子
８６ 補強層 1, 1 ′, 1 ″ conductive connection sheet 10 semiconductor device 11 first resin composition layer 111 first metal barrier layer 12 metal layer 13 second resin composition layer 131 second metal barrier layer 20 semiconductor chip 21 Terminal 30 Interposer 41 Terminal 70 Bump 80 Sealing layer 81 Connection portion 85 Connection terminal 86 Reinforcing layer

Claims (16)

低融点の金属材料で構成される金属層と、
該金属層を覆うように設けられ、前記金属層における酸化膜の生長を防止する機能を有するバリア層とを有し、
前記バリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。 A metal layer composed of a low melting point metal material;
A barrier layer provided to cover the metal layer and having a function of preventing the growth of an oxide film in the metal layer;
The said barrier layer has a resin composition layer comprised with the resin composition which does not contain the compound which has a flux function, The electrically conductive connection sheet characterized by the above-mentioned. 前記バリア層は、前記金属層の一方の面を覆う第１のバリア層と、前記金属層の他方の面を覆う第２のバリア層とで構成され、
前記第１のバリア層および前記第２のバリア層のうち少なくとも一方は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された樹脂組成物層を有することを特徴とする導電接続シート。 The barrier layer is composed of a first barrier layer covering one surface of the metal layer and a second barrier layer covering the other surface of the metal layer,
At least one of the first barrier layer and the second barrier layer has a resin composition layer composed of a resin composition that does not contain a compound having a flux function. 前記第１のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第１の樹脂組成物層を有する請求項２に記載の導電接続シート。 The conductive connection sheet according to claim 2, wherein the first barrier layer has a first resin composition layer made of a resin composition that does not contain a compound having a flux function. 前記第１のバリア層は、前記第１の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第１の金属バリア層を有する請求項３に記載の導電接続シート。 The conductive connection sheet according to claim 3, wherein the first barrier layer includes a first metal barrier layer in which an oxide film is not formed between the first resin composition layer and the metal layer. . 前記第１の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである請求項４に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 4, wherein the first metal barrier layer is composed of Au or Ag as a main material. 前記第２のバリア層は、フラックス機能を有する化合物を含有しない樹脂組成物で構成された第２の樹脂組成物層を有する請求項２ないし５のいずれかに記載の導電接続シート。 The conductive connection sheet according to any one of claims 2 to 5, wherein the second barrier layer has a second resin composition layer made of a resin composition not containing a compound having a flux function. 前記第２のバリア層は、前記第２の樹脂組成物層と、前記金属層との間に、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層を有する請求項６に記載の導電接続シート。 The conductive connection sheet according to claim 6, wherein the second barrier layer includes a second metal barrier layer in which an oxide film is not formed between the second resin composition layer and the metal layer. . 前記第２のバリア層は、酸化膜が形成されていない第２の金属バリア層である請求項２ないし５のいずれかに記載の導電接続シート。 The conductive connection sheet according to claim 2, wherein the second barrier layer is a second metal barrier layer in which an oxide film is not formed. 前記第２の金属バリア層は、ＡｕまたはＡｇを主材料として構成されるものである請求項７または８に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 7 or 8, wherein the second metal barrier layer is composed of Au or Ag as a main material. 前記金属層は、その表面に酸化膜を有さない請求項１ないし９のいずれかに記載の導電接続シート。 The conductive connection sheet according to claim 1, wherein the metal layer does not have an oxide film on a surface thereof . 請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。 An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of claims 1 to 10 between a terminal included in a base material and a terminal included in a counter base material,
A heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and does not complete the curing of the resin composition;
And a curing step for curing the resin composition. 請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、基材が有する端子と対向基材が有する端子との間に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、
前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。 An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of claims 1 to 10 between a terminal included in a base material and a terminal included in a counter base material,
A heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and the resin composition is softened;
And a solidifying step for solidifying the resin composition. 請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。 An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of claims 1 to 10 on a substrate having terminals,
And a heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and does not complete the curing of the resin composition. 請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する配置工程と、
前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。 An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of claims 1 to 10 on a substrate having terminals,
And a heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than the melting point of the metal material and the resin composition is softened. 対向する端子同士が、請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device, wherein terminals facing each other are electrically connected via a connection portion formed using the conductive connection sheet according to claim 1. 対向する端子同士が、請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   Opposite terminals are electrically connected through a connection portion formed using the conductive connection sheet according to any one of claims 1 to 10.
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