JP5569556B2

JP5569556B2 - Manufacturing method of semiconductor device

Info

Publication number: JP5569556B2
Application number: JP2012114233A
Authority: JP
Inventors: 雄二説田; 広貴二谷
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2006-01-27
Filing date: 2012-05-18
Publication date: 2014-08-13
Anticipated expiration: 2026-12-28
Also published as: JP2012160762A

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、斜入射照明を用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device using oblique incidence illumination.

半導体装置の微細化に対する要求は絶え間なく続いており、近年では、半導体装置の製造プロセスで用いられる露光光源より波長の短い線幅のパターンを形成することが要求されている。 The demand for miniaturization of semiconductor devices has been constantly increasing, and in recent years, it has been required to form a pattern with a line width shorter than that of an exposure light source used in a semiconductor device manufacturing process.

これに伴い、近時では、パターンを転写する際における解像度を向上するための様々な照明技術が提案されている。このような照明技術としては、例えば斜入射照明が提案されている。斜入射照明は、変形照明と輪帯照明とに大別される。変形照明の主な種類としては、例えば、照明系に設けられる開口絞りに２箇所の開口部が形成された２点照明（二重極照明）や、開口絞りに４箇所の開口部が形成された４点照明（四重極照明）が知られている。一方、輪帯照明は、照明系に設けられる開口絞りにリング状（輪帯状）の開口部が設けられたものである。輪帯照明における開口部の大きさは、外側のσ（アウタシグマ：σ_ｏｕｔ）や内側のシグマσ（インナシグマ：σ_ｉｎ）等により表される。図１８は、従来の輪帯照明用の開口絞りを示す平面図である。図１８における外側の輪郭は、開口絞りの有効領域の輪郭を示している。図１８に示すように、輪帯照明絞りには、輪帯状の開口部１２２が形成されている。図１９は、パターンのピッチと焦点深度（ＤＯＦ：Depth Of Focus）との関係を示すグラフである。図１９における横軸はパターンのピッチを示しており、図１９における縦軸は焦点深度を示している。なお、図１９における焦点深度は、露光寛容度（Exposure Latitude）を４％としたときの値である。 Along with this, recently, various illumination techniques have been proposed for improving the resolution when transferring a pattern. As such an illumination technique, for example, oblique incidence illumination has been proposed. The oblique incident illumination is roughly classified into modified illumination and annular illumination. As main types of modified illumination, for example, two-point illumination (dipole illumination) in which two openings are formed in an aperture stop provided in an illumination system, or four openings are formed in an aperture stop. Further, four-point illumination (quadrupole illumination) is known. On the other hand, in annular illumination, an aperture stop provided in an illumination system is provided with a ring-shaped (annular) opening. The size of the opening in the annular illumination is expressed by an outer σ (outer sigma: σ _out ), an inner sigma σ (inner sigma: σ _in ), or the like. FIG. 18 is a plan view showing a conventional aperture stop for annular illumination. The outer contour in FIG. 18 indicates the contour of the effective area of the aperture stop. As shown in FIG. 18, an annular opening 122 is formed in the annular illumination stop. FIG. 19 is a graph showing the relationship between the pattern pitch and the depth of focus (DOF). The horizontal axis in FIG. 19 indicates the pattern pitch, and the vertical axis in FIG. 19 indicates the focal depth. Note that the depth of focus in FIG. 19 is a value when the exposure latitude is 4%.

図１９における●印は、図１８に示す従来の輪帯照明絞り１１６を照明系に用いて露光を行った場合における焦点深度を示している。図１９に●印で示すように、従来の輪帯照明絞りを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きい範囲では、必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。 In FIG. 19, the ● marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the conventional annular illumination stop 116 illustrated in FIG. 18 in the illumination system. As shown by the mark ● in FIG. 19, when exposure is performed using a conventional annular illumination stop, a sufficiently deep depth of focus is not always obtained in a range where the pattern pitch is larger than about 300 nm.

図２０（ａ）は、ホール（穴）を形成するためのマスクパターンのレイアウトを示す平面図である。図２０（ａ）における紙面左側は、ホールを形成するためのパターン１１８ａがレチクル上に高密度に形成されている場合を示している。一方、図２０（ａ）における紙面右側は、ホールを形成するためのパターン１１８ｂがレチクル上に孤立して形成されている場合を示している。 FIG. 20A is a plan view showing a layout of a mask pattern for forming a hole. The left side of the drawing in FIG. 20A shows a case where patterns 118a for forming holes are formed on the reticle with high density. On the other hand, the right side of the drawing in FIG. 20A shows a case where a pattern 118b for forming a hole is formed on the reticle in isolation.

図２０（ｂ）は、ＣＤ−ＦＯＣＵＳ（クリティカルディメンジョン−フォーカス）曲線を示すグラフ（その１）である。図２０（ｂ）における□印は、図２０（ａ）における紙面左側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ａが比較的高密度に形成されている場合のものである。また、図２０（ｂ）における○印は、図２０（ａ）における紙面右側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ｂが孤立している場合のものである。このようなＣＤ−ＦＯＣＵＳ曲線を用いれば、焦点深度の変化がレジスト寸法に及ぼす影響を把握することが可能である。図２０（ｂ）における横軸は、パターンを露光する際におけるフォーカスのずれを示している。縦軸は、レジストに転写されたパターンの寸法を示しており、パターンの寸法が最大になったときを１００として、かかる最大寸法に対する相対的なパターン寸法がプロットされている。上に凸の放物線の傾斜が比較的緩やかであることは、焦点深度（ＤＯＦ：Depth Of Focus）は比較的広く、フォーカスマージンが比較的大きいことを意味する。一方、上に凸の放物線の傾斜が比較的急峻であることは、焦点深度が比較的狭く、フォーカスマージンが比較的狭いことを意味する。また、放物線の頂点にあたるフォーカス値のことをベストフォーカスといい、一般には、ベストフォーカスの際のレジスト寸法がもっとも大きくなる。一般に、焦点深度の深さを比較検討する際には、ベストフォーカスのときのレジスト寸法に対して９０％以上となるフォーカス範囲を実効的な焦点深度として比較検討に用いられる。 FIG. 20B is a graph (part 1) showing a CD-FOCUS (critical dimension-focus) curve. The squares in FIG. 20B are those on the left side of FIG. 20A, that is, the patterns 118a for forming holes are formed at a relatively high density. In FIG. 20B, the ◯ mark indicates the case on the right side of the paper surface in FIG. 20A, that is, the pattern 118b for forming a hole is isolated. By using such a CD-FOCUS curve, it is possible to grasp the influence of changes in the depth of focus on the resist dimensions. The horizontal axis in FIG. 20B indicates the focus shift when the pattern is exposed. The vertical axis indicates the dimension of the pattern transferred to the resist, and relative pattern dimensions are plotted with respect to the maximum dimension, where 100 is the maximum dimension of the pattern. The inclination of the upwardly convex parabola means that the depth of focus (DOF) is relatively wide and the focus margin is relatively large. On the other hand, the fact that the upwardly convex parabola has a relatively steep slope means that the depth of focus is relatively narrow and the focus margin is relatively narrow. The focus value corresponding to the apex of the parabola is referred to as best focus, and generally the resist dimension at the time of best focus is the largest. In general, when comparing the depth of focus, a focus range that is 90% or more of the resist size at the best focus is used as an effective depth of focus for comparison.

図２０（ｂ）において○印で示すように、ホールを形成するためのパターン１１８ｂが孤立している場合には、フォーカスマージンがかなり狭くなっている。 As indicated by a circle in FIG. 20B, when the pattern 118b for forming a hole is isolated, the focus margin is considerably narrowed.

フォーカスマージンをより大きくする技術として、輪帯照明絞りを用いた露光技術と補助パターン（ＳＲＡＦ：Sub-resolution Assist Feature）技術とを併用することが提案
されている。 As a technique for increasing the focus margin, it has been proposed to use both an exposure technique using an annular illumination stop and an auxiliary pattern (SRAF: Sub-resolution Assist Feature) technique.

図２１（ａ）は、焦点深度拡大のための補助パターン（アシストパターン）を設けた場合を示す平面図である。図２１（ｂ）は、ＣＤ−ＦＯＣＵＳ曲線を示すグラフ（その２）である。図２１（ａ）に示すように、ホールを形成するためのパターンの周囲には、焦点深度を拡大するためのパターン１２１が形成されている。 FIG. 21A is a plan view showing a case where an auxiliary pattern (assist pattern) for increasing the depth of focus is provided. FIG. 21B is a graph (part 2) showing the CD-FOCUS curve. As shown in FIG. 21A, a pattern 121 for expanding the depth of focus is formed around a pattern for forming a hole.

図２１（ｂ）における□印は、図２０（ｂ）における□印と同様のものである。即ち、図２０（ａ）における紙面左側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ａが比較的高密度に形成されている場合のものである。また、図２１（ｂ）における○印は、図２０（ｂ）における○印と同様のものである。即ち、図２０（ａ）における紙面右側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ｂが孤立している場合のものである。図２１（ｂ）における△印は、図２１（ａ）における場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ｃの周囲に補助パターン１２１を形成した場合のものである。 The □ marks in FIG. 21 (b) are the same as the □ marks in FIG. 20 (b). That is, in the case of the left side in FIG. 20A, that is, the pattern 118a for forming holes is formed at a relatively high density. Further, the circles in FIG. 21B are the same as the circles in FIG. That is, in the case of the right side in FIG. 20A, that is, when the pattern 118b for forming a hole is isolated. The Δ mark in FIG. 21B is the case in FIG. 21A, that is, the case where the auxiliary pattern 121 is formed around the pattern 118c for forming the hole.

図２１（ｂ）から分かるように、補助パターン１２１を適宜設ければ（図２１（ａ）参照）、ホールを形成するためのパターンが孤立している場合（図２０（ａ）参照）と比較して、フォーカスマージンを大きくすることが可能となる。 As can be seen from FIG. 21B, if the auxiliary pattern 121 is appropriately provided (see FIG. 21A), the pattern for forming the holes is isolated (see FIG. 20A). Thus, the focus margin can be increased.

また、図１９における○印は、密な領域から疎な領域に亘って適宜補助パターンをレチクル上に形成した場合を示すグラフである。図１９に○印で示すように、補助パターン技術を併用すれば、焦点深度を幾分深くすることが期待できる。 19 is a graph showing a case where auxiliary patterns are appropriately formed on the reticle from a dense area to a sparse area. As indicated by a circle in FIG. 19, it is expected that the depth of focus is somewhat deepened by using the auxiliary pattern technique together.

２００２−１２２９７６号公報No. 2002-122976 ２００３−２３４２８５号公報No. 2003-234285

しかしながら、図１９に○印で示すように、斜入射照明技術と補助パターン技術とを併用した場合であっても、例えばパターンのピッチが３００ｎｍ〜６００ｎｍ程度の範囲では必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。このため、レチクル上に様々なピッチで形成されるパターンをいずれも高い解像度で転写する技術が待望されていた。 However, as shown by a circle in FIG. 19, even when the oblique incidence illumination technique and the auxiliary pattern technique are used in combination, for example, a sufficiently deep depth of focus is obtained in the range of the pattern pitch of about 300 nm to 600 nm. I can't. For this reason, there has been a demand for a technique for transferring patterns formed at various pitches on a reticle with high resolution.

本発明の目的は、レチクル上に様々なピッチで形成されるパターンをいずれも高い解像度で安定して転写しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method capable of stably transferring a pattern formed at various pitches on a reticle with high resolution.

本発明の一観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行い、前記第２の開口部は、前記第２の開口部のうちの一部が前記開口絞りの有効範囲からはみ出すように配されていることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行い、前記第１の開口部の周辺における前記複数の第２の開口部の間に、第３の開口部が更にそれぞれ形成されており、前記第３の開口部のうちの一部が前記第１の開口部内に位置していることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行い、前記開口絞りは、前記第１の開口部を囲むように形成された、輪帯状の第３の開口部を更に有し、前記第２の開口部が前記第３の開口部の外側に位置していることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行い、前記開口絞りは、前記第１の開口部を囲むように形成された、輪帯状の第３の開口部を更に有し、前記第２の開口部は、前記第３の開口部の内側に位置していることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行い、前記開口絞りは、前記第１の開口部を囲むように形成された、輪帯状の第３の開口部を更に有し、前記開口絞りは、前記第１の開口部の内側に形成された第４の開口部を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, in a method of manufacturing a semiconductor device, the method includes a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination. in the step of performing exposure using, is formed a first opening of the annular, have rows exposure using the first aperture stop second opening plurality of the periphery of the opening is formed, The semiconductor device manufacturing method is characterized in that the second opening is arranged so that a part of the second opening protrudes from the effective range of the aperture stop .
According to another aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device, the oblique incidence illumination includes a step of transferring a pattern formed on the reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination. In the step of performing the exposure using, exposure is performed using an aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed, and a plurality of second openings are formed around the first opening, A third opening is further formed between each of the plurality of second openings in the vicinity of the first opening, and a part of the third opening is part of the first opening. A method for manufacturing a semiconductor device is provided, which is located in the opening.
According to still another aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination. In the step of performing exposure using illumination, exposure is performed using an aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed, and a plurality of second openings are formed around the first opening. The aperture stop further includes a ring-shaped third opening formed so as to surround the first opening, and the second opening is located outside the third opening. A method for manufacturing a semiconductor device is provided.
According to still another aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination. In the step of performing exposure using illumination, exposure is performed using an aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed, and a plurality of second openings are formed around the first opening. The aperture stop further includes a ring-shaped third opening formed so as to surround the first opening, and the second opening is located inside the third opening. A method for manufacturing a semiconductor device is provided.
According to yet another aspect of the present invention, by performing exposure using the oblique incident illumination, the method of manufacturing a semiconductor device having a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate, said oblique incidence In the step of performing exposure using illumination, exposure is performed using an aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed, and a plurality of second openings are formed around the first opening. The aperture stop further includes a ring-shaped third opening formed so as to surround the first opening, and the aperture stop is formed inside the first opening. A method for manufacturing a semiconductor device is provided, further comprising a fourth opening.

本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、中心部に輪帯状の第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；周辺部に複数の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to yet another aspect of the present invention, by performing exposure using the oblique incident illumination, the method of manufacturing a semiconductor device having a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate, said oblique incidence The step of performing exposure using illumination includes the step of performing exposure using a first aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed at the center; and a plurality of second openings at the periphery. And a step of performing exposure using the formed second aperture stop. A method for manufacturing a semiconductor device is provided.

本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、第１の開口部が形成され、前記第１の開口部を囲むように輪帯状の第２の開口部が形成され、前記第２の開口部を囲むように輪帯状の第３の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to still another aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination. In the step of performing exposure using illumination, a first opening is formed, a ring-shaped second opening is formed so as to surround the first opening, and the second opening is surrounded. There is provided a method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that exposure is performed using an aperture stop in which a ring-shaped third opening is formed.

本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第２の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to still another aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device, the method includes a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination. The step of performing exposure using illumination includes the step of performing exposure using a first aperture stop in which a first opening is formed; and a ring-shaped first having an inner diameter larger than the outer diameter of the first opening. A step of performing exposure using a second aperture stop in which two openings are formed; and a third in which an annular third opening having an inner diameter larger than the outer diameter of the second opening is formed. And a step of performing exposure using an aperture stop. A method of manufacturing a semiconductor device is provided.

本発明によれば、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写し得る輪帯状の第１の開口部と、比較的狭いピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写しうる第２の開口部とが形成された開口絞りを用いて露光を行うため、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。 According to the present invention, a ring-shaped first opening that can transfer a pattern arranged at a medium pitch to a relatively large pitch with a relatively high resolution is compared with a pattern arranged at a relatively narrow pitch. Since exposure is performed using an aperture stop in which a second aperture that can be transferred with a high resolution is formed, even if the pattern pitch is set to various values, the depth of focus is sufficient. Can be ensured, and a stable pattern can be transferred.

また、本発明によれば、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写し得る輪帯状の第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて第１の露光を行い、また、比較的狭いピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写しうる第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて第２の露光を行うため、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。 In addition, according to the present invention, the first aperture stop in which a ring-shaped first opening that can transfer a pattern arranged at a medium pitch to a relatively large pitch with a relatively high resolution is used. The first exposure is performed, and the second exposure is performed by using the second aperture stop in which the second opening that can transfer the pattern arranged at a relatively narrow pitch with a relatively high resolution is formed. Therefore, even when the pattern pitch is set to various values, a sufficient depth of focus can be ensured, and a stable pattern can be transferred.

また、本発明によれば、輪帯状の第１の開口部の外側に輪帯状の第３の開口部が更に形成された開口絞りを用いてパターンを転写するため、ホールを形成するためのパターンが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。 Further, according to the present invention, the pattern is transferred using the aperture stop in which the ring-shaped third opening is further formed outside the ring-shaped first opening, so that the pattern for forming the hole is formed. Even when the patterns are arranged in various directions, a sufficient depth of focus can be secured, and the pattern can be transferred stably.

また、本発明によれば、中心に円形状の第１の開口部が形成され、第１の開口部を囲むように輪帯状の第２の開口部が形成され、輪帯状の第２の開口部を囲むように輪帯状の第３の開口部が形成された開口絞りを用いてパターンを転写する。第１の開口部は、孤立パターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第２の開口部は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部は、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのにも寄与する。従って、本発明によれば、ホールを形成するためのパターンのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターンが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。 Further, according to the present invention, the circular first opening is formed at the center, the second annular opening is formed so as to surround the first opening, and the second annular opening is formed. The pattern is transferred using an aperture stop in which a ring-shaped third opening is formed so as to surround the portion. The first opening contributes to the transfer of the isolated pattern with a relatively high resolution. Further, the second opening contributes to transfer of a pattern arranged at a medium pitch to a relatively large pitch with a relatively high resolution. The third opening contributes to transferring a pattern arranged at a relatively narrow pitch with a relatively high resolution. The third opening also contributes to the transfer of patterns arranged in various directions with a relatively high resolution. Therefore, according to the present invention, the pitch of the pattern for forming the hole is set to various values, and even if the pattern for forming the hole is arranged in various directions, the focus is increased. A sufficient depth can be secured, and as a result, the pattern can be transferred stably.

本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる露光装置を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the exposure apparatus used with the manufacturing method of the semiconductor device by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used with the manufacturing method of the semiconductor device by 1st Embodiment of this invention. ハーフトーン型位相シフトマスクの原理を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the principle of a halftone type phase shift mask. パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。It is a graph (the 1) which shows the relationship between the pitch of a pattern, and a focal depth. 輪帯照明絞りと四重極照明絞りとを示す平面図である。It is a top view which shows an annular illumination stop and a quadrupole illumination stop. 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device by 1st Embodiment of this invention. 補助パターンが形成されたレチクルを示す平面図である。It is a top view which shows the reticle in which the auxiliary pattern was formed. 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 1) of the manufacturing method of the semiconductor device by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 2) of the manufacturing method of the semiconductor device by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 3) of the manufacturing method of the semiconductor device by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 4) of the manufacturing method of the semiconductor device by 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 1) of the manufacturing method of the semiconductor device by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 2) of the manufacturing method of the semiconductor device by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 3) of the manufacturing method of the semiconductor device by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the modification (the 4) of the manufacturing method of the semiconductor device by 2nd Embodiment of this invention. 従来の輪帯照明用の開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop for the conventional annular illumination. パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the pitch of a pattern, and a focal depth. ホールを形成するためのパターンのレイアウトを示す平面図である。It is a top view which shows the layout of the pattern for forming a hole. 近接効果補正のための補助パターンを設けた場合を示す平面図である。It is a top view which shows the case where the auxiliary | assistant pattern for proximity effect correction | amendment is provided. パターンが正方格子状に配列されたレチクルを示す平面図である。It is a top view which shows the reticle in which the pattern was arranged in the square lattice shape. 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged in the square lattice shape, and the focal depth. 通常の開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows a normal aperture stop. パターンが斜め方向に配列されたレチクルを示す平面図である。It is a top view which shows the reticle in which the pattern was arranged in the diagonal direction. 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged diagonally, and a focal depth. 本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態の変形例（その１）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 1) of 3rd Embodiment of this invention. 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。It is a graph (the 1) which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged in square lattice shape, and a focal depth. 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。It is a graph (the 1) which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged diagonally, and a focal depth. 本発明の第３実施形態の変形例（その２）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 2) of 3rd Embodiment of this invention. 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その２）である。It is a graph (the 2 ) which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged in square lattice shape, and a focal depth. 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その２）である。It is a graph (the 2) which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged diagonally, and a focal depth. 本発明の第３実施形態の変形例（その３）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 3) of 3rd Embodiment of this invention. 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その３）である。It is a graph (the 3 ) which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged in the square lattice shape, and a focal depth. 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その３）である。It is a graph (the 3 ) which shows the relationship between the dimension of the space in the case of transferring the pattern arranged diagonally, and a focal depth. 本発明の第３実施形態の変形例（その４）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 4) of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態の変形例（その５）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 5) of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態の変形例（その６）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 6) of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態の変形例（その１）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 1) of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態の変形例（その２）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 2) of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態の変形例（その３）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 3) of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by 6th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態の変形例（その１）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 1) of 6th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態の変形例（その２）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 2) of 6th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態の変形例（その３）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。It is a top view which shows the aperture stop used in the manufacturing method of the semiconductor device by the modification (the 3) of 6th Embodiment of this invention.

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を図１乃至図５を用いて説明する。図１は、本実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる露光装置を示す概念図である。図２は、本実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる開口絞りを示す平面図である。図３は、ハーフトーン型位相シフトマスクの原理を示す概念図である。図４は、パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフである。図５は、輪帯照明絞りと四重極照明絞りとを示す平面図である。 [First Embodiment]
A method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a conceptual view showing an exposure apparatus used in the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment. FIG. 2 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 3 is a conceptual diagram showing the principle of a halftone phase shift mask. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the pattern pitch and the depth of focus. FIG. 5 is a plan view showing the annular illumination stop and the quadrupole illumination stop.

まず、本実施形態による露光工程で用いられる露光装置を図１を用いて説明する。 First, the exposure apparatus used in the exposure process according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図１に示すように、光源１２としては、例えばＡｒＦエキシマレーザが用いられており、図１においては光源１２が模式的に示されている。 As shown in FIG. 1, for example, an ArF excimer laser is used as the light source 12, and the light source 12 is schematically shown in FIG.

光源１２の下方には、光源１２から発せられる光を同じ方向に揃えるためのフライアイ１４が設けられている。 Below the light source 12, a fly eye 14 for aligning light emitted from the light source 12 in the same direction is provided.

フライアイ１４の下方には、開口絞り１６が設けられている。 An aperture stop 16 is provided below the fly eye 14.

本実施形態で用いられる開口絞り１６は、光軸上に開口部が位置しない開口絞り、即ち、斜入射照明用の開口絞り１６である。即ち、本実施形態で用いられる開口絞り１６は、図２に示すように、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、第１の開口部２２の周辺に複数の第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４が形成されたものである。第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_ｏｕｔ）及び内側のσ（インナシグマ：σ_ｉｎ）は、図１８に示す従来の輪帯照明絞りの開口部１２２の外側のσ_ｏｕｔ及び内側のσ_ｉｎよりそれぞれ小さく設定されている。第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４は、レチクル１８の中心から四隅に向かう方向にそれぞれ対応するように、開口絞り１６の４方に配されている。第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４のうちの一部が、開口絞り１６の有効領域（図２における最も外側の輪郭）の外側にはみ出すように配されている。なお、開口絞りの有効領域とは、実際に絞りとして機能しうる領域のことである。また、図２においては、開口絞りの有効領域を除く領域は図示されていないが、実際には、開口絞りの有効領域の外側は、一般的には遮光されている。 The aperture stop 16 used in the present embodiment is an aperture stop whose opening is not located on the optical axis, that is, an aperture stop 16 for oblique incidence illumination. That is, as shown in FIG. 2, the aperture stop 16 used in the present embodiment has a ring-shaped first opening 22 formed in the center, and a plurality of second apertures around the first opening 22. Openings 24a1 to 24a4 are formed. The outer sigma (outer sigma: σ _out ) and the inner sigma (inner sigma: σ _in ) of the first opening 22 are expressed as σ _{out on} the outer side of the opening 122 of the conventional annular illumination stop shown in FIG. Each is set smaller than σ _in . The second openings 24a1 to 24a4 are arranged on the four sides of the aperture stop 16 so as to correspond to the directions from the center of the reticle 18 toward the four corners, respectively. The second openings 24a1 to 24a4 are arranged such that a part of the second openings 24a1 to 24a4 protrudes outside the effective area of the aperture stop 16 (the outermost contour in FIG. 2). . The effective area of the aperture stop is an area that can actually function as a stop. In FIG. 2, the area excluding the effective area of the aperture stop is not shown, but actually, the outside of the effective area of the aperture stop is generally shielded from light.

開口絞り１６における各々の寸法は、例えば以下の通りとする。開口絞り１６の有効領域の外径は、例えば１．０とする。第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_ｏｕｔ）の寸法は、例えば０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_ｉｎ）の寸法は、例えば０．２〜０．３とする。開口絞り１６の中心と第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の中心との間の距離は、例えば０．８〜０．９とする。なお、ここで示された寸法は、開口絞り１６の有効領域の外径を１．０として規格化された値である。レチクル１８のいずれかの側辺に平行な直線であって、開口絞り１６の中心を通る直線（以下、中心線という）を基準とすると、開口部２４ａ１〜２４ａ４は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ１は、例えば４５度に設定されている。また、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ２は、例えば１３５度に設定されている。また、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ３は、例えば２２５度に設定されている。また、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ４は、例えば３１５度に設定されている。 The dimensions of the aperture stop 16 are, for example, as follows. The outer diameter of the effective area of the aperture stop 16 is, for example, 1.0. The dimension of σ (outer sigma: σ _out ) outside the first opening 22 is, for example, 0.4 to 0.5. The dimension of σ (inner sigma: σ _in ) inside the first opening 22 is, for example, 0.2 to 0.3. The distance between the center of the aperture stop 16 and the centers of the second openings 24a1 to 24a4 is, for example, 0.8 to 0.9. In addition, the dimension shown here is the value normalized by setting the outer diameter of the effective area of the aperture stop 16 to 1.0. With reference to a straight line parallel to any side of the reticle 18 and passing through the center of the aperture stop 16 (hereinafter referred to as a center line), the openings 24a1 to 24a4 are, for example, in the following directions: Is formed. For example, the angle θ1 formed by the line connecting the center of the aperture stop 16 and the center of the opening 24a1 and the center line of the aperture stop 16 is set to 45 degrees, for example. Further, the angle θ2 formed by the line connecting the center of the aperture stop 16 and the center of the opening 24a2 and the center line of the aperture stop 16 is set to 135 degrees, for example. Further, an angle θ3 formed by a line segment connecting the center of the aperture stop 16 and the center of the opening 24a3 and the center line of the aperture stop 16 is set to 225 degrees, for example. Further, an angle θ4 formed by a line segment connecting the center of the aperture stop 16 and the center of the opening 24a4 and the center line of the aperture stop 16 is set to 315 degrees, for example.

開口部２２の面積Ｓ１と、開口部２４ａ１〜２４ａ４の面積の総和Ｓ２とは、ほぼ等しく設定されている。 The area S1 of the opening 22 and the total area S2 of the areas of the openings 24a1 to 24a4 are set substantially equal.

また、開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径は、開口部２２の外側のσ_ｏｕｔより小さく設定されている。 The diameters of the openings 24 a 1 to 24 a 4 are set smaller than σ _out outside the opening 22.

なお、各々の開口部２４ａ１〜２４ａ４の中心の位置Ｒ_ｐは、露光に用いる光源の波長をλ、配置ピッチをＰとすると、以下のように設定することが望ましい。 The position R _p of the center of each opening 24a1~24a4 is the wavelength of the light source used for the exposure lambda, when the arrangement pitch is P, it is desirable to set as follows.

Ｒ_ｐ＝ｓｉｎ^−１｛λ／［（√２）×Ｐ］｝
なお、本実施形態においてこのような開口絞り１６を用いている理由は、後に詳述することとする。 R _p = sin ⁻¹ {λ / [(√2) × P]}
The reason why such an aperture stop 16 is used in this embodiment will be described in detail later.

開口絞り１６の下方には、例えばホール（穴）を形成するためのパターンが形成されたレチクル（フォトマスク）１８が配される。 Below the aperture stop 16, for example, a reticle (photomask) 18 in which a pattern for forming holes is formed.

レチクル１８としては、図３に示すように、例えば、石英乾板１５にＭｏＳｉ等の半透過性の金属薄膜パターン１７が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク１８を用いる。 As the reticle 18, for example, a halftone phase shift mask 18 in which a semi-transmissive metal thin film pattern 17 such as MoSi is formed on a quartz dry plate 15 is used as shown in FIG. 3.

図３（ａ）は、ハーフトーン型位相シフトマスクの断面図を示しており、図３（ｂ）は、レチクルを透過した光の強度分布を示している。図３（ｂ）における太線は、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた場合の光強度分布を示しており、図３（ｂ）における細線は、バイナリマスクを用いた場合の光強度分布を示している。 FIG. 3A shows a cross-sectional view of a halftone phase shift mask, and FIG. 3B shows an intensity distribution of light transmitted through the reticle. The thick line in FIG. 3B shows the light intensity distribution when the halftone phase shift mask is used, and the thin line in FIG. 3B shows the light intensity distribution when the binary mask is used. Yes.

ハーフトーン型位相シフトマスク１８は、半透過性の金属薄膜パターン１７にわずかな光を透過がするとともに、開口部１８ａの光の位相が金属薄膜パターン１７の部分に対して反転するため、各々の光が重なり合うエッジ部分の光強度が低下するマスクである。図３（ｂ）において太線で示すように、開口部１８ａのエッジ部においては、半透過性の金属薄膜パターン１７をわずかに透過した光と開口部１８ａを透過した光とが互いに打ち消しあうため、光強度分布としては低下する。従って、ハーフトーン型位相シフトマスク１８は、高い解像度を得るためには有利である。 Since the halftone phase shift mask 18 transmits a slight amount of light to the semi-transmissive metal thin film pattern 17 and the phase of the light in the opening 18 a is reversed with respect to the metal thin film pattern 17, It is a mask in which the light intensity at the edge portion where light overlaps decreases. As shown by a thick line in FIG. 3B, at the edge of the opening 18a, the light slightly transmitted through the semi-transmissive metal thin film pattern 17 and the light transmitted through the opening 18a cancel each other. The light intensity distribution decreases. Therefore, the halftone phase shift mask 18 is advantageous for obtaining a high resolution.

なお、レチクル１８としては、例えば石英乾板上にクロム等の遮光膜より成るパターンが形成されたマスクであるバイナリマスクを用いてもよい。また、レチクル１８として、特定の光が石英乾板を通過したときに光の位相が０度と１８０度になるような効果をもたせたレベンソン型位相シフトマスクを用いてもよい。 As the reticle 18, for example, a binary mask that is a mask in which a pattern made of a light shielding film such as chromium is formed on a quartz dry plate may be used. Further, as the reticle 18 may be used alternating phase sheet Futomasuku the light phase is imparted an effect that at 0 degrees and 180 degrees when the specific light passing through the quartz dry plate.

レチクル１８の下方には、投影レンズ１９が配される。 A projection lens 19 is disposed below the reticle 18.

投影レンズ１９の下方には、半導体基板（半導体ウェハ）２２が配される。 A semiconductor substrate (semiconductor wafer) 22 is disposed below the projection lens 19.

このような露光装置を用いて露光を行うと、レチクル１８上に形成されたパターンが半導体基板２０上に転写されることとなる。 When exposure is performed using such an exposure apparatus, the pattern formed on the reticle 18 is transferred onto the semiconductor substrate 20.

本実施形態において図２に示すような開口絞り（Aperture）を用いるのは以下のような理由によるものである。 In this embodiment, the aperture stop (Aperture) as shown in FIG. 2 is used for the following reason.

図４は、パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフである。図４における横軸はパターンのピッチを示しており、図４における縦軸は焦点深度を示している。なお、図４に示す焦点深度は、露光寛容度（Exposure Latitude）が４％のときの値とした。 FIG. 4 is a graph showing the relationship between the pattern pitch and the depth of focus. The horizontal axis in FIG. 4 indicates the pattern pitch, and the vertical axis in FIG. 4 indicates the depth of focus. The depth of focus shown in FIG. 4 is a value when the exposure latitude is 4%.

図４における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図４において●印で示すように、従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きくなると、必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。 The mark ● in FIG. 4 indicates the depth of focus when exposure is performed using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. In FIG. 4, when exposure is performed using a conventional annular illumination stop 116, a sufficiently deep depth of focus cannot always be obtained when the pattern pitch is larger than about 300 nm.

一方、図４における■印は、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞り１６ｅを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図５（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図５（ａ）における輪帯状の開口部２２の内側のσ_ｉｎは図１８における輪帯状の開口部１２２の内側のσ_ｉｎより小さく設定されている。また、図５（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図５（ａ）における輪帯状の開口部２２の外側のσ_ｏｕｔは図１８における輪帯状の開口部１２２の外側のσ_ｏｕｔより小さく設定されている。 On the other hand, the ▪ marks in FIG. 4 indicate the depth of focus when exposure is performed using the annular illumination stop 16e as shown in FIG. As can be seen by comparing FIG. 5A and FIG. 18, σ _in inside ring-shaped opening 22 _in FIG. 5A is more than σ _in inside ring-shaped opening 122 _in FIG. It is set small. Further, as can be seen by comparing FIG. 5A and FIG. 18, σ _out outside the annular zone opening 22 in FIG. 5A is σ _out outside the annular zone opening 122 in FIG. It is set smaller than _out .

図４における●印のプロットと■印のプロットとを比較して分かるように、輪帯照明絞りの内側のσ_ｉｎ及び外側のσ_ｏｕｔとを変化させることにより、パターンのピッチに対する焦点深度の特性が著しく異なったものとなることが分かる。 As can be seen by comparing the plots with ● and ■ in FIG. 4, the depth of focus characteristics with respect to the pitch of the pattern by changing the inner σ _in and the outer σ _out of the annular illumination stop. Can be seen to be significantly different.

図４において■印で示すように、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞り１６ｅを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きい範囲においては比較的深い焦点深度が得られている。なお、図４において■印で示すように、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞りを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍより小さい範囲においては必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。 4, when exposure is performed using the annular illumination stop 16e as shown in FIG. 5A, a relatively deep focus is obtained in a range where the pattern pitch is larger than about 300 nm. Depth is obtained. In addition, as shown by ■ in FIG. 4, when the exposure is performed using the annular illumination stop as shown in FIG. 5A, the pattern pitch is not necessarily sufficiently deep in the range smaller than 300 nm. The depth of focus cannot be obtained.

図４における▲印は、図５（ｂ）に示すような四重極照明絞り１６ｆを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図４において▲印で示すように、図５（ｂ）に示すような四重極照明絞り１６ｆを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチの増加に伴って焦点深度が急激に減少する。なお、図４において▲印で示すように、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きい範囲においては、必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。 4 indicates the depth of focus when exposure is performed using the quadrupole illumination stop 16f as illustrated in FIG. 5B. As indicated by the ▲ mark in FIG. 4, when exposure is performed using a quadrupole illumination stop 16f as shown in FIG. 5 (b), the depth of focus rapidly decreases as the pattern pitch increases. To do. In addition, as shown by ▲ in FIG. 4, a sufficiently deep depth of focus is not always obtained in the range where the pattern pitch is larger than about 300 nm.

本願発明者らは鋭意検討した結果、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞り１６ｅの開口部２２と、図５（ｂ）に示すような四重極照明絞り１６ｆの開口部２４ａ１〜２４ａ４とを組み合わせれば、両者の利点を用いることができ、様々なピッチにおいても深い焦点深度を実現し得ることに想到した。即ち、図５（ａ）に示すような開口絞り１６の中心に対して四方に配された比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。一方、図５（ｂ）に示すような輪帯状の開口部２２は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。 As a result of intensive studies, the inventors of the present application have found that the opening 22 of the annular illumination stop 16e as shown in FIG. 5A and the openings 24a1 to 24a1 of the quadrupole illumination stop 16f as shown in FIG. 5B. When combined with 24a4, it has been conceived that the advantages of both can be used and a deep depth of focus can be realized even at various pitches. That is, as shown in FIG. 5A, relatively small openings 24a1 to 24a4 arranged in four directions with respect to the center of the aperture stop 16 can transfer patterns arranged at a relatively narrow pitch with a relatively high resolution. Contribute to being done. On the other hand, the ring-shaped opening 22 as shown in FIG. 5B contributes to transferring a pattern arranged at a relatively high pitch from a medium pitch to a relatively high resolution.

図４における○印は、図２に示すような開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図４において○印で示すように、パターンのピッチが増加するに伴って焦点深度はある程度減少するものの、パターンのピッチが３００ｎｍより大きい範囲においても十分に深い焦点深度が得られている。このことから、本実施形態によれば、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。 The circles in FIG. 4 indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as illustrated in FIG. As indicated by the circles in FIG. 4, although the depth of focus decreases to some extent as the pattern pitch increases, a sufficiently deep focus depth is obtained even in the range where the pattern pitch is greater than 300 nm. Therefore, according to the present embodiment, even when the pitch of the pattern is set to various values, a sufficient depth of focus can be secured and a stable pattern can be transferred. Become.

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。図６は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 Next, the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 6 is a process sectional view showing the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment.

まず、図６（ａ）に示すように、半導体基板２０を用意する。半導体基板２０上には、層間絶縁膜３２が形成されている。層間絶縁膜３２上には、フォトレジスト膜３４が形成されている。なお、フォトレジスト膜３４の上層又は下層には反射防止膜を形成することもあるが、図６においては省略されている。 First, as shown in FIG. 6A, a semiconductor substrate 20 is prepared. An interlayer insulating film 32 is formed on the semiconductor substrate 20. A photoresist film 34 is formed on the interlayer insulating film 32. Although an antireflection film may be formed on the upper layer or the lower layer of the photoresist film 34, it is omitted in FIG.

次に、図１及び図２を用いて上述した露光装置を用いて、レチクル１８に形成されたパターンをフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 using the exposure apparatus described above with reference to FIGS. 1 and 2 (see FIG. 6B).

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。 Next, as shown in FIG. 6C, the photoresist film 34 is developed.

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。 Next, as shown in FIG. 6D, the interlayer insulating film 32 is etched using the photoresist film 34 as a mask. Thus, a pattern such as a hole is formed in the interlayer insulating film 32.

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。 Next, as shown in FIG. 6E, the photoresist film 34 is peeled off.

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。 Thus, the semiconductor device according to the present embodiment is manufactured.

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン（アシストパターン）２１を適宜形成してもよい。図７は、補助パターンが形成されたレチクルを示す平面図である。 Note that, here, it is not specified whether or not the auxiliary pattern is provided around the pattern 18a for forming the hole (hole). However, as shown in FIG. 7, the auxiliary pattern ( Assist pattern) 21 may be formed as appropriate. FIG. 7 is a plan view showing a reticle on which an auxiliary pattern is formed.

図７に示すように、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺には、補助パターン２１が形成されている。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。 As shown in FIG. 7, an auxiliary pattern 21 is formed around a pattern 18a for forming a hole. If an auxiliary pattern is provided on the reticle as shown in FIG. 7, a desired pattern can be formed more stably.

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図８を用いて説明する。図８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 1))
Next, a modification (No. 1) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 8 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が、いずれも開口絞り１６ａの有効領域の内側に配されていることに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that the second openings 24b1 to 24b4 are all arranged inside the effective area of the aperture stop 16a.

図２に示す開口絞り１６では、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４のうちの一部が開口絞り１６の有効領域の外側にはみ出すように配されていたが、本変形例では、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ａの有効領域の内側に配されている。なお、開口絞りの有効領域とは、実際に絞りとして機能し得る領域のことである。 In the aperture stop 16 shown in FIG. 2, a part of the second openings 24 a 1 to 24 a 4 is arranged so as to protrude outside the effective area of the aperture stop 16. The parts 24b1 to 24b4 are arranged inside the effective area of the aperture stop 16a. The effective area of the aperture stop is an area that can actually function as a stop.

このように、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ａの有効領域の内側に配されていてもよい。 Thus, the second openings 24b1 to 24b4 may be arranged inside the effective area of the aperture stop 16a.

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。 Also according to the present modification, as in the semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment, even when the pattern pitch is set to various values, a sufficient depth of focus can be ensured and stable. The transferred pattern can be transferred.

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。 Here, although it was not explicitly specified whether or not the auxiliary pattern is provided around the pattern 18a for forming the hole, the auxiliary pattern 21 is appropriately formed around the pattern 18a as shown in FIG. May be. If an auxiliary pattern is provided on the reticle as shown in FIG. 7, a desired pattern can be formed more stably.

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図９を用いて説明する。図９は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 2))
Next, a modification (No. 2) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 9 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の開口部２２の周辺に第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４が更に形成されていることに主な特徴がある。 The manufacturing method of the semiconductor device according to this modification is mainly characterized in that third openings 26a1 to 26a4 are further formed around the ring-shaped opening 22.

図９に示すように、第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の間にそれぞれ配されている。第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、開口絞り１６ｂの有効領域の内側に位置している。 As shown in FIG. 9, the third openings 26a1 to 26a4 are arranged between the second openings 24a1 to 24a4, respectively. The third openings 26a1 to 26a4 are located inside the effective area of the aperture stop 16b.

換言すれば、本変形例では、輪帯状の開口部２２の周辺に比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４、２６ａ１〜２６ａ４が八方に形成されていることに主な特徴がある。 In other words, this modification is mainly characterized in that relatively small openings 24a1 to 24a4 and 26a1 to 26a4 are formed in eight directions around the ring-shaped opening 22.

このように、輪帯状の開口部２２の周辺の八方に比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４、２６ａ１〜２６ａ４が形成された開口絞り１６ｂを用いて露光を行ってもよい。 As described above, the exposure may be performed using the aperture stop 16b in which the relatively small openings 24a1 to 24a4 and 26a1 to 26a4 are formed on the eight sides around the ring-shaped opening 22.

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図１０を用いて説明する。図１０は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 3))
Next, a modification (No. 3) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 10 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４のうちの一部が輪帯状の開口部２２内に位置していることに主な特徴がある。第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４の直径は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径より小さく設定されている。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that a part of the third openings 28a1 to 28a4 is located in the ring-shaped opening 22. The diameters of the third openings 28a1 to 28a4 are set smaller than the diameters of the second openings 24a1 to 24a4.

このように、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４のうちの一部が輪帯状の開口部２２内に位置していてもよい。 As described above, a part of the third openings 28 a 1 to 28 a 4 may be located in the ring-shaped opening 22.

（変形例（その４））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）を図１１を用いて説明する。図１１は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 4))
Next, a modification (No. 4) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 11 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径が第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径に対して極めて小さく形成されていることに主な特徴がある。第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径は例えば０．１〜０．２となっている。なお、ここで示された寸法は、開口絞り１６の有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The manufacturing method of the semiconductor device according to this modification is mainly characterized in that the diameters of the third openings 30a1 to 30a4 are extremely small compared to the diameters of the second openings 24a1 to 24a4. The diameter of the third openings 30a1 to 30a4 is, for example, 0.1 to 0.2. In addition, the dimension shown here is the value normalized by setting the outer diameter of the effective area of the aperture stop 16 to 1.0.

このように、第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径を第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径より小さくしてもよい。 As described above, the diameters of the third openings 30a1 to 30a4 may be smaller than the diameters of the second openings 24a1 to 24a4.

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を図１２を用いて説明する。図１２は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図１１に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。 [Second Embodiment]
A method for fabricating a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment. The same components as those in the semiconductor device manufacturing method according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 11 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified.

本実施形態による半導体装置の製造方法は、中心部に輪帯状の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｅを用いて第１の露光を行った後に、開口絞りの中心部に対して四方に開口部２４ａ１〜２４ａ４が形成された第２の開口絞り１６ｆを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。 In the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment, the first exposure is performed using the first aperture stop 16e in which the ring-shaped opening 22 is formed in the center, and then the center of the aperture stop is applied. The main feature is that the second exposure is performed using the second aperture stop 16f in which openings 24a1 to 24a4 are formed in four directions.

図１２（ａ）は、開口絞りの中心部に輪帯状の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｅを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｅは、中心部に輪帯状の開口部２２が形成されたものである。図１２（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図１２（ａ）における輪帯状の開口部２２の内側のσ_ｉｎは図１８における輪帯状の開口部１２２の内側のσ_ｉｎより小さく設定されている。また、図１２（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図１２（ａ）における輪帯状の開口部２２の外側のσ_ｏｕｔは図１８における輪帯状の開口部１２２の外側のσ_ｏｕｔより小さく設定されている。 FIG. 12A is a plan view showing a first aperture stop 16e in which a ring-shaped opening 22 is formed at the center of the aperture stop. The first aperture stop 16e used in this embodiment has a ring-shaped opening 22 formed at the center. As can be seen by comparing FIG. 12A and FIG. 18, σ _in inside ring-shaped opening 22 _in FIG. 12A is more than σ _in inside ring-shaped opening 122 _in FIG. It is set small. Further, as can be seen by comparing FIG. 12A and FIG. 18, σ _out outside the annular zone opening 22 in FIG. 12A is σ _out outside the annular zone opening 122 in FIG. It is set smaller than _out .

開口絞り１６ｅにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。開口絞り１６ｅの有効領域の外径は、例えば１．０とする。第１の開口部２２の外側のσ_ｏｕｔの寸法は、例えば０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ_ｉｎの寸法は、例えば０．２〜０．３とする。なお、ここで示された寸法は、開口絞り１６ｅの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The dimensions of the aperture stop 16e are, for example, as follows. The outer diameter of the effective area of the aperture stop 16e is, for example, 1.0. The dimension of σ _out outside the first opening 22 is, for example, 0.4 to 0.5. The dimension of σ _in inside the first opening 22 is, for example, 0.2 to 0.3. In addition, the dimension shown here is a value normalized by setting the outer diameter of the effective area of the aperture stop 16e to 1.0.

図１２（ｂ）は、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４が形成された第２の開口絞り１６ｆを示す平面図である。図１２（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｆにおける第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の位置や形状等は、例えば、図２に示す開口絞り１６における第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の位置や形状等と同様とする。 FIG. 12B is a plan view showing the second aperture stop 16f in which the second openings 24a1 to 24a4 are formed in the four directions around the center. The positions and shapes of the second openings 24a1 to 24a4 in the second aperture stop 16f shown in FIG. 12B are, for example, the positions of the second openings 24a1 to 24a4 in the aperture stop 16 shown in FIG. Same as shape.

本実施形態による半導体装置の製造方法では、レチクル１８上に形成されたパターンを、第１の開口絞り１６ｅを用いて露光し、更に、第２の開口絞り１６ｆを用いて露光する。本実施形態では、第１の開口絞り１６ｅを用いた露光は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。一方、第２の開口絞り１６ｆを用いた露光は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。従って、本実施形態によっても、第１実施形態において用いた開口絞り１６を用いて露光する場合と同様の効果が得られ、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。 In the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, the pattern formed on the reticle 18 is exposed using the first aperture stop 16e, and further exposed using the second aperture stop 16f. In the present embodiment, exposure using the first aperture stop 16e contributes to transfer of a pattern arranged at a relatively high pitch from a medium pitch to a relatively high resolution. On the other hand, exposure using the second aperture stop 16f contributes to transfer of a pattern arranged at a relatively narrow pitch with a relatively high resolution. Therefore, according to this embodiment, the same effect as that obtained when exposure is performed using the aperture stop 16 used in the first embodiment can be obtained, and even when the pattern pitch is set to various values, A sufficient depth of focus can be ensured, and a stable pattern can be transferred.

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 Next, the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 13 is a process sectional view showing the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment.

まず、図１３（ａ）に示すように、半導体基板２０を用意する。半導体基板２０上には、層間絶縁膜３２が形成されている。層間絶縁膜３２上には、フォトレジスト膜３４が形成されている。 First, as shown in FIG. 13A, a semiconductor substrate 20 is prepared. An interlayer insulating film 32 is formed on the semiconductor substrate 20. A photoresist film 34 is formed on the interlayer insulating film 32.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１２（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16e shown in FIG. 12A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 16f shown in FIG. 12B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 13 (b)).

次に、図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。 Next, as shown in FIG. 13C, the photoresist film 34 is developed.

次に、図１３（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。 Next, as shown in FIG. 13D, the interlayer insulating film 32 is etched using the photoresist film 34 as a mask. Thus, a pattern such as a hole is formed in the interlayer insulating film 32.

次に、図１３（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。 Next, as shown in FIG. 13E, the photoresist film 34 is peeled off.

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７は、補助パターンが形成されたレチクルを示す平面図である。 Here, it is not specified whether or not an auxiliary pattern is provided around the pattern 18a for forming a hole (hole). However, as shown in FIG. 7, the auxiliary pattern 21 is provided around the pattern 18a. May be formed as appropriate. FIG. 7 is a plan view showing a reticle on which an auxiliary pattern is formed.

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図１３及び図１４を用いて説明する。図１４は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 1))
Next, a modification (No. 1) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 14 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、図１４（ｂ）に示すように、第２回目の露光において用いられる第２の開口絞り１６ｇにおける開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が、いずれも開口絞り１６ｇの有効領域の内側に配されていることに主な特徴がある。 As shown in FIG. 14B, the method of manufacturing the semiconductor device according to the present modification is effective when the apertures 24b1 to 24b4 in the second aperture stop 16g used in the second exposure are all effective from the aperture stop 16g. The main feature is that it is arranged inside the area.

図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆでは、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４のうちの一部が開口絞り１６ｆの有効領域の外側にはみ出すように配されていたが、本変形例では、図１４（ｂ）に示すように、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ｇの有効領域の内側に配されている。なお、開口絞りの有効領域とは、実際に絞りとして機能し得る領域のことである。 In the aperture stop 16f shown in FIG. 12B, a part of the second openings 24a1 to 24a4 is arranged so as to protrude outside the effective area of the aperture stop 16f. As shown in FIG. 14B, the second openings 24b1 to 24b4 are arranged inside the effective area of the aperture stop 16g. The effective area of the aperture stop is an area that can actually function as a stop.

このように、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ｇの有効領域の内側に配されていてもよい。 Thus, the second openings 24b1 to 24b4 may be arranged inside the effective area of the aperture stop 16g.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１４（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16e shown in FIG. 14A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１４（ｂ）に示す開口絞り１６ｇを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。なお、フォトレジスト膜３４の上層又は下層に反射防止膜を形成することもあるが、図１３においては反射防止膜は省略されている。 Next, the aperture stop 16g shown in FIG. 14B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 13 (b)). Although an antireflection film may be formed on the upper layer or the lower layer of the photoresist film 34, the antireflection film is omitted in FIG.

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図１３及び図１５を用いて説明する。図１５は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 2))
Next, a modification (No. 2) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 15 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、図１５（ｂ）に示すように、第２回目の露光において用いられる第２の開口絞り１６ｈにおいて、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の間のそれぞれに第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４が更にそれぞれ形成されていることに主な特徴がある。 As shown in FIG. 15B, the method of manufacturing the semiconductor device according to the present modification includes a second aperture stop 16h used in the second exposure, and between the second openings 24a1 to 24a4. The third feature is that the third openings 26a1 to 26a4 are further formed.

図１５（ｂ）に示すように、第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の間にそれぞれ配されている。第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、開口絞り１６ｈの有効領域の内側に位置している。 As shown in FIG. 15B, the third openings 26a1 to 26a4 are arranged between the second openings 24a1 to 24a4, respectively. The third openings 26a1 to 26a4 are located inside the effective area of the aperture stop 16h.

このように、輪帯状の開口部２２の周辺の八方に比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４、２６ａ１〜２６ａ４が形成された開口絞り１６ｈを用いて露光を行ってもよい。 As described above, the exposure may be performed using the aperture stop 16h in which the relatively small openings 24a1 to 24a4 and 26a1 to 26a4 are formed on the eight sides around the ring-shaped opening 22.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１５（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。なお、フォトレジスト膜３４の上層又は下層に反射防止膜を形成することもあるが、図１３においては省略されている。 Next, the aperture stop 16e shown in FIG. 15A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20. Although an antireflection film may be formed on the upper layer or the lower layer of the photoresist film 34, it is omitted in FIG.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１５（ｂ）に示す開口絞り１６ｈを取付けレチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。 Next, the pattern formed on the reticle 18 with the aperture stop 16h shown in FIG. 15B attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 13). (See (b)).

こうして本変形例による半導体装置が製造される。 Thus, the semiconductor device according to this modification is manufactured.

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図１３及び図１６を用いて説明する。図１６は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 3))
Next, a modification (No. 3) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 16 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第２回目の露光においても用いられる開口絞り１６ｉにおいて、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４が比較的内側に形成されていることに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that the third apertures 28a1 to 28a4 are formed relatively inside in the aperture stop 16i used also in the second exposure.

このように、第１回目の露光の際に用いられる開口絞り１６ｅと第２回目の露光の際に用いられる開口絞り１６ｉとを互いに重ね合わせた場合には、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４のうちの一部は輪帯状の開口部２２内に位置する。 As described above, when the aperture stop 16e used in the first exposure and the aperture stop 16i used in the second exposure are overlapped with each other, the third openings 28a1 to 28a4 Some of them are located in the ring-shaped opening 22.

このように、第２回目の露光において用いられる開口絞り１６ｉにおける第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４が開口絞り１６ｉの比較的中心側に位置していてもよい。 As described above, the third openings 28a1 to 28a4 of the aperture stop 16i used in the second exposure may be positioned relatively on the center side of the aperture stop 16i.

次に、本変形例による半導体装置の製造方法を図１３を用いて説明する。図１３は、本変形例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to this modification will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a process cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to this modification .

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１６（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16e shown in FIG. 16A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１６（ｂ）に示す開口絞り１６ｉを取付けレチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。 Next, the pattern formed on the reticle 18 with the aperture stop 16i shown in FIG. 16B attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 13). (See (b)).

（変形例（その４））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）を図１３及び図１７を用いて説明する。図１７は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 4))
Next, a modification (No. 4) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 17 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第２回目の露光の際に用いられる開口絞り１６ｊにおいて、第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径が第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径より小さく形成されていることに主な特徴がある。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present modification, the diameter of the third openings 30a1 to 30a4 is smaller than the diameter of the second openings 24a1 to 24a4 in the aperture stop 16j used in the second exposure. The main feature is that

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１７（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16e shown in FIG. 17A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１７（ｂ）に示す開口絞り１６ｊを取付けレチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。 Next, the pattern formed on the reticle 18 with the aperture stop 16j shown in FIG. 17B attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 13). (See (b)).

次に、図１３（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、フォトレジスト膜３２にホール（穴）のパターンが形成される。 Next, as shown in FIG. 13D, the interlayer insulating film 32 is etched using the photoresist film 34 as a mask. Thus, a hole pattern is formed in the photoresist film 32.

次に、図１３（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３２を剥離する。 Next, as shown in FIG. 13E, the photoresist film 32 is peeled off.

［第３実施形態］
第１及び第２実施形態による半導体装置の製造方法によれば、ホールを形成するためのパターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。 [Third Embodiment]
According to the manufacturing method of the semiconductor device according to the first and second embodiments, a sufficient depth of focus can be ensured even when the pitch of the pattern for forming the holes is set to various values. And a stable pattern can be transferred.

図２２は、パターンが正方格子状に配列されたレチクルを示す平面図である。図２２において、ｄ１は、互いに隣接するパターン１８ａの間隔、即ち、スペースの寸法を示している。 FIG. 22 is a plan view showing a reticle in which patterns are arranged in a square lattice pattern. In FIG. 22, d1 indicates the interval between adjacent patterns 18a, that is, the size of the space.

図２３は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図２３における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図２３における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図２３における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図２３における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２３における○印は、図２４に示すような通常の開口絞り１２４を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２４は、通常の開口絞りを示す平面図である。図２４に示すように、開口絞り１２４には比較的大きな円形状の開口部１２６が形成されている。図２３における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 23 is a graph showing the relationship between the space dimension d1 and the depth of focus when a pattern arranged in a square lattice pattern is transferred. The horizontal axis in FIG. 23 indicates the space dimension d1, and the vertical axis in FIG. 23 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 23 is a value when the exposure latitude is 4%. 23, the ● marks indicate the DOF given by the exposure using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. The circles in FIG. 23 indicate the depth of focus when exposure is performed using a normal aperture stop 124 as illustrated in FIG. FIG. 24 is a plan view showing a normal aperture stop. As shown in FIG. 24, the aperture stop 124 is formed with a relatively large circular opening 126. 23, the □ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as illustrated in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment.

図２３における●印のプロットと○印のプロットと□印のプロットとを比較して分かるように、図２に示すような開口絞り１６を用いて露光を行った場合には、スペースの寸法ｄ１が様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することが可能である。 As can be seen by comparing the plots marked with ●, ○ and □ in FIG. 23, when exposure is performed using the aperture stop 16 as shown in FIG. Even when is set to various values, it is possible to secure a sufficient depth of focus.

しかしながら、本願発明者が更に鋭意検討した結果、図２に示すような開口絞り１６を用いて露光を行った場合には、ホールを形成するためのパターン１８ａがレチクル１８の辺に対して斜め方向に配列されていると、焦点深度を十分に確保し得ない場合があることが分かった。 However, as a result of further intensive studies by the inventor of the present application, when exposure is performed using an aperture stop 16 as shown in FIG. 2, the pattern 18 a for forming a hole is oblique with respect to the side of the reticle 18. It has been found that there is a case where a sufficient depth of focus may not be ensured when arranged in an array.

図２５は、パターンが斜め方向に配列されたレチクルを示す平面図である。図２５に示すパターンは、レチクル１８の辺に対して４５度の方向に配列されている。図２５において、ｄ２は、互いに隣接するパターンの間隔１８ａ、即ち、スペースの寸法を示している。 FIG. 25 is a plan view showing a reticle in which patterns are arranged in an oblique direction. The pattern shown in FIG. 25 is arranged in a direction of 45 degrees with respect to the side of the reticle 18. In FIG. 25, d2 shows the space | interval 18a of the adjacent pattern, ie, the dimension of a space.

図２６は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図２６における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図２６における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図２６における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図２６における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２６における○印は、図２４に示すような通常の開口絞り１２４を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２６における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 26 is a graph showing the relationship between the space dimension d2 and the depth of focus when a pattern arranged obliquely is transferred. The horizontal axis in FIG. 26 indicates the space dimension d2, and the vertical axis in FIG. 26 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 26 is a value when the exposure latitude is 4%. 26, the ● marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the conventional annular illumination stop 116 as illustrated in FIG. The circles in FIG. 26 indicate the depth of focus when exposure is performed using a normal aperture stop 124 as illustrated in FIG. 26, the □ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as illustrated in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment.

図２６における●印のプロットと○印のプロットと□印のプロットとを比較して分かるように、図２に示すような開口絞り１６を用いて斜めに配列されたパターンを転写する場合には、必ずしも十分な焦点深度を得ることができない。 As can be seen by comparing the plots marked with ●, ○ and □ in FIG. 26, when an obliquely arranged pattern is transferred using an aperture stop 16 as shown in FIG. However, it is not always possible to obtain a sufficient depth of focus.

図２に示すような開口絞り１６を用いて斜めに配列されたパターンを転写する場合に十分な焦点深度が得られないのは、開口絞り１６の中心から４５度、１３５度、２２５度及び３１５度の方向にそれぞれ配された第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が、正方格子状に配列されたパターンを転写する際には有利である一方、斜めに配列されたパターンを転写する際には不利であるためと考えられる。仮に、開口絞り１６の中心から０度、９０度、１８０度及び２７０度の方向に第２の開口部２４ｂ１〜ｂ４をそれぞれ配した場合には、斜めに配列されたパターンを転写する際には有利となり、正方格子状に配列されたパターンを転写する際には不利になる。 When a pattern arranged obliquely using an aperture stop 16 as shown in FIG. 2 is transferred, a sufficient depth of focus cannot be obtained at 45 degrees, 135 degrees, 225 degrees and 315 from the center of the aperture stop 16. The second openings 24b1 to 24b4 respectively arranged in the direction of the degree are advantageous when transferring a pattern arranged in a square lattice pattern, but disadvantageous when transferring an obliquely arranged pattern. This is probably because of this. If, 0 degrees from the center of the aperture stop 16, 90, 180 and 27 0 degree direction of the second opening 24b1~b4 when arranged respectively, when transferring the array pattern diagonally Is advantageous, and is disadvantageous when transferring a pattern arranged in a square lattice.

本願発明者は、鋭意検討した結果、図２７に示すように、輪帯状の第１の開口部２２の外側に輪帯状の第３の開口部３６を更に形成することに想到した。輪帯状の第１の開口部２２の外側に形成される輪帯状の第３の開口部３６は、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のように特定の方向に配されるものではないため、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与し得る。従って、輪帯状の第１の開口部２２の外側に輪帯状の第３の開口部３６が更に形成された開口絞り１６ｋを用いてパターンを転写すれば、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することが可能となる。 As a result of intensive studies, the inventor of the present application has come up with the idea of further forming a ring-shaped third opening 36 outside the ring-shaped first opening 22 as shown in FIG. The ring-shaped third opening 36 formed outside the ring-shaped first opening 22 is not arranged in a specific direction like the second openings 24b1 to 24b4. This can contribute to a pattern arranged in various directions being transferred with a relatively high resolution. Accordingly, if the pattern is transferred using the aperture stop 16k in which the ring-shaped third opening 36 is further formed outside the ring-shaped first opening 22, the pattern 18a for forming the holes varies. Even when arranged in various directions, a sufficient depth of focus can be ensured, and the pattern can be transferred stably.

本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図２７を用いて説明する。図２７は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図１７に示す第１実施形態又は第２実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。 A method for fabricating a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 27 is a plan view showing the aperture stop used in the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment. The same components as those in the method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment or the second embodiment shown in FIGS. 1 to 17 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified.

図２７に示すように、本実施形態で用いられる開口絞り１６ｋは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、第１の開口部２２を囲むように輪帯状の第３の開口部３６が形成され、第３の開口部３６の周辺に複数の第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成されたものである。 As shown in FIG. 27, the aperture stop 16k used in this embodiment has a ring-shaped first opening 22 formed at the center, and a ring-shaped third aperture 22 so as to surround the first opening 22. An opening 36 is formed, and a plurality of second openings 24 b 1 to 24 b 4 are formed around the third opening 36.

第３の開口部３６の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）は、第１の開口部２２の外側のσ（アウタσ：σ_{ｏｕｔ（１）}）より大きく設定されている。換言すれば、第３の開口部３６の内径は、第１の開口部２２の外径より大きく設定されている。 Σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) inside the third opening 36 is set to be larger than σ (outer σ: σ _{out (1)} ) outside the first opening 22 . In other words, the inner diameter of the third opening 36 is set larger than the outer diameter of the first opening 22.

第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ｋの有効領域の内側に配されている。 The second openings 24b1 to 24b4 are arranged inside the effective area of the aperture stop 16k.

開口絞り１６ｋにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｋの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The dimensions of the aperture stop 16k are, for example, as follows. In addition, the dimension shown here is the value normalized by setting the outer diameter of the effective area of the aperture stop 16k to 1.0.

第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (1)} ) outside the first opening 22 is, for example, 0.4 to 0.5. The size of σ (inner sigma: σ _{in (1)} ) inside the first opening 22 is, for example, 0.2 to 0.3.

第３の開口部３６の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．５５〜０．７０とする。第３の開口部３６の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７５〜０．９０とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) outside the third opening 36 is, for example, 0.55 to 0.70. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) inside the third opening 36 is, for example, 0.75 to 0.90.

開口絞り１６ｋの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８〜０．９とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６内に位置している。レチクル１８のいずれかの辺に平行な直線であって、開口絞り１６ｋの中心を通る直線（中心線）を基準とすると、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば４５度に設定されている。また、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば１３５度に設定されている。また、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば２２５度に設定されている。また、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば３１５度に設定されている。 The distance between the center of the aperture stop 16k and the center of the second openings 24b1 to 24b4 is, for example, 0.8 to 0.9. A part of the second openings 24b1 to 24b4 is located in the ring-shaped third opening 36. With reference to a straight line (center line) that is parallel to any side of the reticle 18 and passes through the center of the aperture stop 16k, the openings 24b1 to 24b4 are formed in the following directions, for example. . For example, the angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16k and the center of the opening 24b1 and the center line of the aperture stop 16k is set to 45 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16k and the center of the opening 24b2 and the center line of the aperture stop 16k is set to 135 degrees, for example. Further, an angle formed by a line segment connecting the center of the aperture stop 16k and the center of the opening 24b3 and the center line of the aperture stop 16k is set to, for example, 225 degrees. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16k and the center of the opening 24b4 and the center line of the aperture stop 16k is set to 315 degrees, for example.

こうして、本実施形態による開口絞り１６ｋが構成されている。 Thus, the aperture stop 16k according to the present embodiment is configured.

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。 Next, the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS.

まず、図６に示すように、層間絶縁膜３２及びフォトレジスト膜３４等が形成された半導体基板２０を用意する。 First, as shown in FIG. 6, a semiconductor substrate 20 on which an interlayer insulating film 32, a photoresist film 34, and the like are formed is prepared.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図２７に示す開口絞り１６ｋを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 16k shown in FIG. 27 is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6B). )reference).

図２６における■印は、図２７に示すような本実施形態による開口絞り１６ｋを用いて斜めに配列されたパターン（図２５参照）を転写した場合の焦点深度を示している。図２６における□印のプロットと■印のプロットとを比較して分かるように、本実施形態による開口絞り１６ｋを用いた場合には、ホールを形成するためのパターン１８ａが斜めに配列されている場合であっても、十分な焦点深度を確保することが可能となる。 26, the ■ marks indicate the DOF given when the obliquely arranged pattern (see FIG. 25) is transferred using the aperture stop 16k according to the present embodiment as shown in FIG. As can be seen from the comparison between the square mark plot and the square mark plot in FIG. 26, when the aperture stop 16k according to the present embodiment is used, the patterns 18a for forming holes are arranged obliquely. Even in this case, a sufficient depth of focus can be ensured.

また、図２３における■印は、図２７に示すような本実施形態による開口絞り１６ｋを用いて正方格子状に配列されたパターン（図２２参照）を転写した場合の焦点深度を示している。図２３から分かるように、本実施形態による開口絞り１６ｋを用いた場合には、ホールを形成するためのパターン１８ａが正方格子状に配列されている場合であっても、十分な焦点深度を確保し得る。 23, the ▪ marks indicate the depth of focus when a pattern (see FIG. 22) arranged in a square lattice pattern is transferred using the aperture stop 16k according to the present embodiment as shown in FIG. As can be seen from FIG. 23, when the aperture stop 16k according to the present embodiment is used, a sufficient depth of focus is ensured even when the patterns 18a for forming the holes are arranged in a square lattice pattern. Can do.

これらのことから、本実施形態による開口絞り１６ｋを用いれば、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保し得ることが分かる。 From these facts, it can be seen that if the aperture stop 16k according to the present embodiment is used, a sufficient depth of focus can be ensured even when the patterns 18a for forming the holes are arranged in various directions. .

このように、本実施形態によれば、輪帯状の第１の開口部２２の外側に輪帯状の第３の開口部３６が更に形成された開口絞り１６ｋを用いてパターンを転写するため、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。 As described above, according to the present embodiment, the pattern is transferred using the aperture stop 16k in which the ring-shaped third opening 36 is further formed outside the ring-shaped first opening 22. Even when the patterns 18a for forming the pattern are arranged in various directions, a sufficient depth of focus can be secured and the pattern can be transferred stably.

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。 Here, it is not specified whether or not an auxiliary pattern is provided around the pattern 18a for forming a hole (hole). However, as shown in FIG. 7, the auxiliary pattern 21 is provided around the pattern 18a. May be formed as appropriate. If an auxiliary pattern is provided on the reticle as shown in FIG. 7, a desired pattern can be formed more stably.

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図２８乃至図３０を用いて説明する。図２８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図２９は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。図３０は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。 (Modification (Part 1))
Next, a modification (No. 1) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 28 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification. FIG. 29 is a graph showing the relationship between the size of the space and the depth of focus when a pattern arranged in a square lattice pattern is transferred. FIG. 30 is a graph showing the relationship between the size of the space and the depth of focus when a diagonally arranged pattern is transferred.

本変形例における半導体装置の製造方法は、図２８に示すような開口絞り１６ｌを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第３の開口部３６ａの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法及び内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法が図２７に示す開口絞り１６ｋの場合より小さく設定されており、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が輪帯状の第３の開口部３６ａ内に位置していない開口絞り１６ｌを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。 The manufacturing method of the semiconductor device in this modification is mainly characterized in that a pattern is transferred using an aperture stop 161 as shown in FIG. In other words, the semiconductor device manufacturing method according to the present modification has a size of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) and an inner σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) of the ring-shaped third opening 36a. The size of the aperture stop 16k shown in FIG. 27 is set smaller than that of the aperture stop 16k, and the second apertures 24b1 to 24b4 are patterned using the aperture stop 16l that is not located in the ring-shaped third aperture 36a. The main feature is in transferring.

開口絞り１６ｌにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｌの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The dimensions of the aperture stop 16l are, for example, as follows. In addition, the dimension shown here is a value standardized by setting the outer diameter of the effective region of the aperture stop 161 to 1.0.

第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (1)} ) outside the first opening 22 is, for example, 0.4 to 0.5. The size of σ (inner sigma: σ _{in (1)} ) inside the first opening 22 is, for example, 0.2 to 0.3.

第３の開口部３６ａの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．５５〜０．７０とする。第３の開口部３６ａの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７５〜０．９０とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) outside the third opening 36a is, for example, 0.55 to 0.70. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) inside the third opening 36a is, for example, 0.75 to 0.90.

開口絞り１６ｌの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８０〜０．９０とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、輪帯状の第３の開口部３６ａの外側に位置しており、第３の開口部３６ａ内には位置していない。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と輪帯状の第３の開口部３６ａとは、重なり合っていない。 The distance between the center of the aperture stop 16l and the center of the second openings 24b1 to 24b4 is, for example, 0.80 to 0.90. The second openings 24b1 to 24b4 are located outside the ring-shaped third opening 36a, and are not located in the third opening 36a. That is, the second openings 24b1 to 24b4 and the ring-shaped third opening 36a do not overlap.

こうして、本変形例による開口絞り１６ｌが構成されている。 Thus, the aperture stop 16l according to this modification is configured.

図２９は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図２９における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図２９における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図２９における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図２９における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２９における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２９における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２９における○印は、図２８に示すような開口絞り１６ｌ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｌを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 29 is a graph showing the relationship between the space dimension d1 and the depth of focus when a pattern arranged in a square lattice pattern is transferred. The horizontal axis in FIG. 29 indicates the space dimension d1, and the vertical axis in FIG. 29 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 29 is a value when the exposure latitude is 4%. 29, the ● marks indicate the DOF given by the exposure using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. 29, the □ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as shown in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment. 29, the ▪ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16k as shown in FIG. 27, that is, the aperture stop 16k according to the third embodiment. The circles in FIG. 29 indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16l as shown in FIG. 28, that is, the aperture stop 16l according to this modification.

図２９から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｌを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。 As can be seen from FIG. 29, it is possible to ensure a sufficient depth of focus even when the aperture stop 161 according to this modification is used.

図３０は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図３０における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図３０における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３０における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３０における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３０における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３０における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３０における○印は、図２８に示すような開口絞り１６ｌ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｌを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 30 is a graph showing the relationship between the space dimension d2 and the depth of focus when a diagonally arranged pattern is transferred. The horizontal axis in FIG. 30 indicates the space dimension d2, and the vertical axis in FIG. 30 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 30 is a value when the exposure latitude is 4%. In FIG. 30, ● indicates the depth of focus when exposure is performed using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. 30 indicates the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as shown in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment. 30 indicate the DOF given when exposure is performed using the aperture stop 16k as shown in FIG. 27, that is, the aperture stop 16k according to the third embodiment. The circles in FIG. 30 indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 161 as shown in FIG. 28, that is, the aperture stop 161 according to this modification.

図３０から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｌを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。 As can be seen from FIG. 30, it is possible to secure a sufficient depth of focus even when the aperture stop 161 according to this modification is used.

このように、本変形例によれば、第３実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することが可能となる。 As described above, according to the present modification, the depth of focus is obtained even when the patterns 18a for forming the holes are arranged in various directions, as in the method of manufacturing the semiconductor device according to the third embodiment. Can be secured sufficiently, and the pattern can be stably transferred.

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図３１乃至図３３を用いて説明する。図３１は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図３２は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。図３３は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。 (Modification (Part 2))
Next, a modification (No. 2) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 31 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification. FIG. 32 is a graph showing the relationship between the size of the space and the depth of focus when a pattern arranged in a square lattice pattern is transferred. FIG. 33 is a graph showing the relationship between the size of the space and the depth of focus when a pattern arranged obliquely is transferred.

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３１に示すような開口絞り１６ｍを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第３の開口部３６ｂの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法及び内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法が図２７に示す開口絞り１６ｋの場合より大きく設定されており、第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４が輪帯状の第３の開口部３６ｂの内側に位置している開口絞り１６ｍを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that a pattern is transferred using an aperture stop 16m as shown in FIG. In other words, the semiconductor device manufacturing method according to the present modification has a size of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) and an inner σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) of the ring-shaped third opening 36b. 27 is set larger than that of the aperture stop 16k shown in FIG. 27, and the aperture stop 16m in which the second openings 24c1 to 24c4 are located inside the ring-shaped third opening 36b is used. The main feature is in transferring the pattern.

開口絞り１６ｍにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｍの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The dimensions of the aperture stop 16m are, for example, as follows. In addition, the dimension shown here is the value normalized by setting the outer diameter of the effective area of the aperture stop 16m to 1.0.

第３の開口部３６ｂの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８５〜０．９５とする。第３の開口部３６ｂの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７５〜０．８５とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) outside the third opening 36b is, for example, 0.85 to 0.95. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) inside the third opening 36b is, for example, 0.75 to 0.85.

開口絞り１６ｍの中心と第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４の中心との間の距離は、例えば、０．５５〜０．７０とする。第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４は、輪帯状の第１の開口部２２の外側に位置しており、かつ、輪帯状の第３の開口部３６ｂの内側に位置している。 The distance between the center of the aperture stop 16m and the center of the second openings 24c1 to 24c4 is, for example, 0.55 to 0.70. The second openings 24c1 to 24c4 are located outside the first annular zone opening 22 and inside the third annular zone opening 36b.

こうして、本変形例による開口絞り１６ｍが構成されている。 Thus, the aperture stop 16m according to this modification is configured.

図３２は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図３２における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図３２における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３２における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３２における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３２における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３２における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３２における○印は、図３１に示すような開口絞り１６ｍ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｍを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 32 is a graph showing the relationship between the space dimension d1 and the depth of focus when a pattern arranged in a square lattice pattern is transferred. The horizontal axis in FIG. 32 indicates the space dimension d1, and the vertical axis in FIG. 32 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 32 is a value when the exposure latitude is 4%. 32, the ● marks indicate the DOF given by the exposure using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. 32, the □ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as shown in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment. 32, the ▪ marks indicate the DOF given by the exposure using the aperture stop 16k as shown in FIG. 27, that is, the aperture stop 16k according to the third embodiment. 32 indicates the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16m as shown in FIG. 31, that is, the aperture stop 16m according to this modification.

図３２から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｍを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。 As can be seen from FIG. 32, it is possible to ensure a sufficient depth of focus even when the aperture stop 16m according to this modification is used.

図３３は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図３３における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図３３における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３３における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３３における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３３における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３３における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３３における○印は、図３１に示すような開口絞り１６ｍ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｍを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 33 is a graph showing the relationship between the space dimension d2 and the depth of focus when a diagonally arranged pattern is transferred. The horizontal axis in FIG. 33 indicates the space dimension d2, and the vertical axis in FIG. 33 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 33 is a value when the exposure latitude is 4%. The mark ● in FIG. 33 indicates the depth of focus when exposure is performed using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. 33, the □ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as shown in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment. 33, the ■ marks indicate the DOF given by the exposure using the aperture stop 16k as shown in FIG. 27, that is, the aperture stop 16k according to the third embodiment. 33 indicates the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16m as shown in FIG. 31, that is, the aperture stop 16m according to the present modification.

図３３から分かるように、本変形例では、スペースの寸法ｄ２が比較的小さい場合においては、図２に示す開口絞り１６を用いた場合より、焦点深度を大きくすることが可能である。 As can be seen from FIG. 33, in this modification, when the space dimension d2 is relatively small, the depth of focus can be made larger than when the aperture stop 16 shown in FIG. 2 is used.

このように、本変形例の場合にも、焦点深度を十分に確保することが可能であり、安定してパターンを転写することが可能である。 Thus, also in the case of this modification, it is possible to secure a sufficient depth of focus and to transfer the pattern stably.

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図３４乃至図３６を用いて説明する。図３４は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図３５は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。図３６は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。 (Modification (Part 3))
Next, a modification (No. 3) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 34 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification. FIG. 35 is a graph showing the relationship between the size of the space and the depth of focus when a pattern arranged in a square lattice pattern is transferred. FIG. 36 is a graph showing the relationship between the size of the space and the depth of focus when a pattern arranged obliquely is transferred.

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３４に示すような開口絞り１６ｎを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第３の開口部３６ｃの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法及び内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法が図２７に示す開口絞り１６ｋの場合より大きく設定されており、第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４のうちの一部が輪帯状の第３の開口部３６ｂ内に位置している開口絞り１６ｎを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that a pattern is transferred using an aperture stop 16n as shown in FIG. In other words, the semiconductor device manufacturing method according to the present modified example has a size of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) and an inner σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) of the ring-shaped third opening 36c. Is set to be larger than that of the aperture stop 16k shown in FIG. 27, and a part of the second openings 24c1 to 24c4 is located in the ring-shaped third opening 36b. The main feature is that the pattern is transferred using 16n.

開口絞り１６ｎにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｎの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The dimensions of the aperture stop 16n are, for example, as follows. In addition, the dimension shown here is a value standardized by setting the outer diameter of the effective region of the aperture stop 16n to 1.0.

第３の開口部３６ｃの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８〜０．９とする。第３の開口部３６ｃの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７〜０．８とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) outside the third opening 36c is, for example, 0.8 to 0.9. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) inside the third opening 36c is, for example, 0.7 to 0.8.

開口絞り１６ｎの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８〜０．９とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｃ内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｃと重なり合っている。 The distance between the center of the aperture stop 16n and the center of the second openings 24b1 to 24b4 is, for example, 0.8 to 0.9. A part of the second openings 24b1 to 24b4 is located in the ring-shaped third opening 36c. That is, a part of the second openings 24b1 to 24b4 overlaps with the ring-shaped third opening 36c.

こうして、本変形例による開口絞り１６ｎが形成されている。 Thus, the aperture stop 16n according to the present modification is formed.

図３５は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図３５における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図３５における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３５における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３５における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３５における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３５における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３５における○印は、図３４に示すような開口絞り１６ｎ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｎを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 35 is a graph showing the relationship between the space dimension d1 and the depth of focus when a pattern arranged in a square lattice pattern is transferred. The horizontal axis in FIG. 35 indicates the space dimension d1, and the vertical axis in FIG. 35 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 35 is a value when the exposure latitude is 4%. 35, the ● marks indicate the DOF given by the exposure using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. 35, the □ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as shown in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment. 35, the ▪ marks indicate the DOF given by the exposure with the aperture stop 16k as shown in FIG. 27, that is, the aperture stop 16k according to the third embodiment. The circles in FIG. 35 indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16n as shown in FIG. 34, that is, the aperture stop 16n according to this modification.

図３５から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｎを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。 As can be seen from FIG. 35, even when the aperture stop 16n according to this modification is used, it is possible to ensure a sufficient depth of focus.

図３６は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図３６における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図３６における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３６における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３６における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３６における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３６における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３６における○印は、図３４に示すような開口絞り１６ｎ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｎを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。 FIG. 36 is a graph showing the relationship between the space dimension d2 and the depth of focus when a pattern arranged obliquely is transferred. The horizontal axis in FIG. 36 indicates the space dimension d2, and the vertical axis in FIG. 36 indicates the normalized depth of focus. Note that the depth of focus in FIG. 36 is a value when the exposure latitude is 4%. 36, the ● marks indicate the DOF given by the exposure using the conventional annular illumination stop 116 as shown in FIG. 36, the □ marks indicate the depth of focus when exposure is performed using the aperture stop 16 as shown in FIG. 2, that is, the aperture stop 16 according to the first embodiment. 36, the ■ marks indicate the DOF given by the exposure using the aperture stop 16k as shown in FIG. 27, that is, the aperture stop 16k according to the third embodiment. 36, the ◯ marks indicate the DOF given by the exposure using the aperture stop 16n as shown in FIG. 34, that is, the aperture stop 16n according to the present modification.

図３６から分かるように、本変形例では、スペースの寸法ｄ２が比較的小さい場合においては、図２に示す開口絞り１６を用いた場合より、焦点深度を大きくすることが可能である。 As can be seen from FIG. 36, in this modification, when the space dimension d2 is relatively small, the depth of focus can be made larger than when the aperture stop 16 shown in FIG. 2 is used.

（変形例（その４））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）を図３７を用いて説明する。図３７は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 4))
Next, a modification (No. 4) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 37 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３７に示すような開口絞り１６ｏを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ６が六方に形成された開口絞り１６ｏを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that a pattern is transferred using an aperture stop 16o as shown in FIG. That is, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present modification is characterized mainly in that the second opening 24a1~24a6 transcribes the pattern using the aperture stop 16 o formed hexagonal.

図３７に示すように、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ６が六方に形成されている。 As shown in FIG. 37, the second openings 24a1 to 24a6 are formed in six sides.

レチクル１８のいずれかの辺に平行な直線であって、開口絞り１６ｏの中心を通る直線（中心線）を基準とすると、開口部２４ｂ１〜２４ｂ６は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば３０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば９０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば１５０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば２１０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ５の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば２７０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ６の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば３３０度に設定されている。 With reference to a straight line parallel to any side of the reticle 18 and passing through the center of the aperture stop 16o (center line), the openings 24b1 to 24b6 are formed in the following directions, for example. . For example, the angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16o and the center of the opening 24b1 and the center line of the aperture stop 16o is set to 30 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16o and the center of the opening 24b2 and the center line of the aperture stop 16o is set to 90 degrees, for example. Further, an angle formed by a line segment connecting the center of the aperture stop 16o and the center of the opening 24b3 and the center line of the aperture stop 16o is set to 150 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16o and the center of the opening 24b4 and the center line of the aperture stop 16o is set to 210 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16o and the center of the opening 24b5 and the center line of the aperture stop 16o is set to 270 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16o and the center of the opening 24b6 and the center line of the aperture stop 16o is set to 330 degrees, for example.

第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６のうちの一部と輪帯状の第３の開口部３６とが重なり合っている。 A part of the second openings 24b1 to 24b6 is located in the ring-shaped third opening 36. That is, a part of the second openings 24b1 to 24b6 and the ring-shaped third opening 36 overlap each other.

本変形例によっても、第３実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することが可能である。 Also according to the present modification, as in the semiconductor device manufacturing method according to the third embodiment, a sufficient depth of focus is ensured even when the patterns 18a for forming holes are arranged in various directions. It is possible to transfer the pattern stably.

（変形例（その５））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その５）を図３８を用いて説明する。図３８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 5))
Next, a modified example (No. 5) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 38 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３８に示すような開口絞り１６ｐを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ８が八方に形成された開口絞り１６ｐを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that a pattern is transferred using an aperture stop 16p as shown in FIG. That is, the semiconductor device manufacturing method according to the present modification is mainly characterized in that the pattern is transferred using the aperture stop 16p in which the second openings 24a1 to 24a8 are formed in all directions.

図３８に示すように、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ８が八方に形成されている。 As shown in FIG. 38, the second openings 24a1 to 24a8 are formed in eight directions.

レチクル１８のいずれかの辺に平行な直線であって、開口絞り１６ｐの中心を通る直線（中心線）を基準とすると、開口部２４ｂ１〜２４ｂ８は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば４５度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば９０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば１３５度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ５の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば１８０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ６の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば２２５度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ７の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば２７０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ８の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば３１５度に設定されている。 With reference to a straight line (center line) that is parallel to any side of the reticle 18 and passes through the center of the aperture stop 16p, the openings 24b1 to 24b8 are formed in the following directions, for example. . For example, the angle formed by the line connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b1 and the center line of the aperture stop 16p is set to 0 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b2 and the center line of the aperture stop 16p is set to 45 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b3 and the center line of the aperture stop 16p is set to 90 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b4 and the center line of the aperture stop 16p is set to 135 degrees, for example. Further, an angle formed by a line segment connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b5 and the center line of the aperture stop 16p is set to 180 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b6 and the center line of the aperture stop 16p is set to 225 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b7 and the center line of the aperture stop 16p is set to 270 degrees, for example. The angle formed by the line segment connecting the center of the aperture stop 16p and the center of the opening 24b8 and the center line of the aperture stop 16p is set to 315 degrees, for example.

第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８のうちの一部と輪帯状の第３の開口部３６とが重なり合っている。 A part of the second openings 24b1 to 24b8 is located in the ring-shaped third opening 36. That is, a part of the second openings 24b1 to 24b8 and the ring-shaped third opening 36 overlap each other.

（変形例（その６））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その６）を図３９を用いて説明する。図３９は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 6))
Next, a modification (No. 6) of the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIG. FIG. 39 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３９に示すような開口絞り１６ｑを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、中心部に第４の開口部３８が更に形成された開口絞り１６ｑを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to this modification is mainly characterized in that a pattern is transferred using an aperture stop 16q as shown in FIG. That is, the semiconductor device manufacturing method according to the present modification is mainly characterized in that the pattern is transferred using the aperture stop 16q in which the fourth opening 38 is further formed at the center.

図３９に示すように、開口絞り１６ｑの中心部、即ち、輪帯状の第１の開口部２２ａの内側には、輪帯状の第１の開口部２２ａの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）より直径の小さい開口部３８が形成されている。かかる開口部３８は、他のパターンから孤立しているパターン、即ち、孤立パターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。 As shown in FIG. 39, σ (inner sigma: σ _{in (1)} inside the first annular opening 22a is formed at the center of the aperture stop 16q, that is, inside the first annular opening 22a. ₎ ) An opening 38 having a smaller diameter is formed. The opening 38 contributes to the transfer of a pattern isolated from other patterns, that is, the isolated pattern with a relatively high resolution.

開口絞り１６ｑにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｑの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The dimensions of the aperture stop 16q are, for example, as follows. In addition, the dimension shown here is the value normalized by setting the outer diameter of the effective region of the aperture stop 16q to 1.0.

第１の開口部２２ａの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第１の開口部２２ａの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (1)} ) outside the first opening 22a is, for example, 0.4 to 0.5. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (1)} ) inside the first opening 22a is, for example, 0.2 to 0.3.

第３の開口部３６ｄの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８〜０．９とする。第３の開口部３６ｄの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７〜０．８とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) outside the third opening 36d is, for example, 0.8 to 0.9. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) inside the third opening 36d is, for example, 0.7 to 0.8.

開口絞り１６ｑの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８〜０．９とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｄ内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｄと重なり合っている。 The distance between the center of the aperture stop 16q and the center of the second openings 24b1 to 24b4 is, for example, 0.8 to 0.9. A part of the second openings 24b1 to 24b4 is located in the ring-shaped third opening 36d. That is, a part of the second openings 24b1 to 24b4 overlaps with the ring-shaped third opening 36d.

第４の開口部３８の直径は、例えば、０．１〜０．２５とする。 The diameter of the 4th opening part 38 shall be 0.1-0.25, for example.

こうして、本変形例による開口絞り１６ｑが形成されている。 Thus, the aperture stop 16q according to this modification is formed.

本変形例によれば、開口絞り１６ｑの中心に開口部３８が形成されているため、レチクル上に孤立パターンが存在している場合であっても、高い解像度でパターンを転写することが可能となる。 According to this modification, since the opening 38 is formed at the center of the aperture stop 16q, even when an isolated pattern exists on the reticle, the pattern can be transferred with high resolution. Become.

［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４０を用いて説明する。図４０は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図３９に示す第１実施形態乃至第３実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。 [Fourth Embodiment]
A method for fabricating a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 40 is a plan view showing the aperture stop used in the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment. The same components as those of the semiconductor device manufacturing method according to the first to third embodiments shown in FIGS. 1 to 39 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.

本実施形態による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｒを用いて第１の露光を行った後に、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｓを用いて第２の露光を行い、その後、輪帯状の第３の開口部３６が形成された第３の開口絞り１６ｔを用いて第３の露光を行うことに主な特徴がある。 In the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, the openings 24b1 to 24b4 are formed after the first exposure is performed using the first aperture stop 16r in which the ring-shaped first opening 22 is formed. The second exposure is performed by using the second aperture stop 16s, and then the third exposure is performed by using the third aperture stop 16t in which the ring-shaped third opening 36 is formed. There is a special feature.

図４０（ａ）は、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｒを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｒは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成されたものである。図４０（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｒにおける第１の開口部２２の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２の位置や形状等と同様とする。 FIG. 40A is a plan view showing a first aperture stop 16r in which a ring-shaped first opening 22 is formed at the center. The first aperture stop 16r used in the present embodiment has a ring-shaped first opening 22 formed at the center. The position, shape, etc. of the first opening 22 in the first aperture stop 16r shown in FIG. 40A are the same as the position, shape, etc. of the first opening 22 in the aperture stop 16k shown in FIG. .

図４０（ｂ）は、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｓを示す平面図である。図４０（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｓにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等と同様とする。 FIG. 40B is a plan view showing the second aperture stop 16s in which the second openings 24b1 to 24b4 are formed in the four directions around the center. The positions and shapes of the second openings 24b1 to 24b4 in the second aperture stop 16s shown in FIG. 40B are the positions and shapes of the second openings 24b1 to 24b4 in the aperture stop 16k shown in FIG. The same shall apply.

図４０（ｃ）は、輪帯状の第３の開口部３６が形成された第３の開口絞り１６ｔを示す平面図である。図４０（ｃ）に示す第３の開口絞り１６ｔにおける第３の開口部３６の位置や形状は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第３の開口部３６の位置や形状と同様とする。 FIG. 40C is a plan view showing a third aperture stop 16t in which a ring-shaped third opening 36 is formed. The position and shape of the third aperture 36 in the third aperture stop 16t shown in FIG. 40C are the same as the position and shape of the third aperture 36 in the aperture stop 16k shown in FIG.

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４０を用いて説明する。 Next, the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS.

まず、図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜３２及びフォトレジスト膜３４等が形成された半導体基板２０を用意する。 First, as shown in FIG. 6A, a semiconductor substrate 20 on which an interlayer insulating film 32, a photoresist film 34, and the like are formed is prepared.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16r shown in FIG. 40A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16 s shown in FIG. 40B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 16t shown in FIG. 40C is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6 (b)).

本実施形態による半導体装置の製造方法では、レチクル１８上に形成されたパターンを、第１の開口絞り１６ｒを用いて露光した後、第２の開口絞り１６ｓを用いて露光し、この後、第３の開口絞り１６ｔを用いて露光する。第１の開口絞り１６ｒを用いた露光は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第２の開口絞り１６ｓを用いた露光は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口絞り１６ｔを用いた露光は、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。従って、本実施形態によっても、第３実施形態において用いた開口絞り１６ｋを用いて露光する場合と同様の効果が得られ、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。 In the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, after the pattern formed on the reticle 18 is exposed using the first aperture stop 16r, the pattern is exposed using the second aperture stop 16s. The third aperture stop 16t is used for exposure. The exposure using the first aperture stop 16r contributes to transfer of a pattern arranged at a medium pitch to a relatively large pitch with a relatively high resolution. Further, the exposure using the second aperture stop 16s contributes to transferring a pattern arranged at a relatively narrow pitch with a relatively high resolution. In addition, exposure using the third aperture stop 16t contributes to transfer of patterns arranged in various directions with relatively high resolution. Therefore, according to this embodiment, the same effect as that obtained when exposure is performed using the aperture stop 16k used in the third embodiment can be obtained, and the patterns 18a for forming holes are arranged in various directions. Even so, a sufficient depth of focus can be ensured, and the pattern can be transferred stably.

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図６及び図４１を用いて説明する。図４１は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 1))
Next, a modification (No. 1) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 41 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第１の開口部２２及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第１の開口絞り１６ｕを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｖを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present modification, the first exposure is performed using the first aperture stop 16u in which the first annular zone opening 22 and the third annular zone opening 36 are formed. The main feature is that the second exposure is performed by using the second aperture stop 16v in which the second openings 24b1 to 24b4 are formed later.

図４１（ａ）は、輪帯状の第１の開口部２２及び輪帯状の第３の開口部が形成された第１の開口絞り１６ｕを示す平面図である。本変形例で用いられる第１の開口絞り１６ｕは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、第１の開口部２２を囲むように輪帯状の第３の開口部３６が形成されたものである。図４１（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｕにおける第１の開口部２２及び第３の開口部３６の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２及び第３の開口部３６の位置や形状等と同様とする。 FIG. 41A is a plan view showing the first aperture stop 16u in which the first annular zone opening 22 and the third annular zone opening are formed. The first aperture stop 16u used in this modification has a ring-shaped first opening 22 at the center, and a ring-shaped third opening 36 surrounding the first opening 22. It is formed. The positions and shapes of the first aperture 22 and the third aperture 36 in the first aperture stop 16u shown in FIG. 41A are the same as those of the first aperture 22 and the third aperture 36k in the aperture stop 16k shown in FIG. It is the same as the position, shape, and the like of the third opening 36.

図４１（ｂ）は、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｖを示す平面図である。図４１（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｖにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等と同様とする。 FIG. 41B is a plan view showing the second aperture stop 16v in which the second openings 24b1 to 24b4 are formed in the four directions around the center. The positions and shapes of the second openings 24b1 to 24b4 in the second aperture stop 16v shown in FIG. 41B are the positions and shapes of the second openings 24b1 to 24b4 in the aperture stop 16k shown in FIG. The same shall apply.

このように、輪帯状の第１の開口部２２及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第１の開口絞り１６ｕを用いて第１の露光を行った後に、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｖを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。 Thus, after performing 1st exposure using the 1st aperture stop 16u in which the 1st ring-shaped opening part 22 and the 3rd ring-shaped opening part 36 were formed, opening part 24b1-24b4 The second exposure may be performed using the second aperture stop 16v on which is formed.

次に、本変形例による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。 Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to this modification will be described with reference to FIGS.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４１（ａ）に示す開口絞り１６ｕを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16 u shown in FIG. 41A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４１（ｂ）に示す開口絞り１６ｖを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 16v shown in FIG. 41B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (see FIG. (Refer FIG.6 (b)).

本変形例によっても、第３実施形態において用いた開口絞り１６ｋを用いて露光する場合と同様の効果が得られ、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。 Also in this modification, the same effect as the case of exposure using the aperture stop 16k used in the third embodiment is obtained, and the pattern 18a for forming holes is arranged in various directions. However, a sufficient depth of focus can be ensured, and the pattern can be transferred stably.

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図６及び図４２を用いて説明する。図４２は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 2))
Next, a modification (No. 2) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 42 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｗを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｘを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification, the first exposure is performed using the first aperture stop 16w in which the first opening 22 having the annular shape is formed, and then the second openings 24b1 to 24b4. The second feature is that the second exposure is performed using the second aperture stop 16x in which the ring-shaped third opening 36 is formed.

図４２（ａ）は、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｗを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｗは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成されたものである。図４２（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｗにおける第１の開口部２２の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２の位置や形状等と同様とする。 Fig.42 (a) is a top view which shows the 1st aperture stop 16w in which the ring-shaped 1st opening part 22 was formed. The first aperture stop 16w used in this embodiment has a ring-shaped first opening 22 formed at the center. The position, shape, and the like of the first opening 22 in the first aperture stop 16w shown in FIG. 42A are the same as the position, shape, and the like of the first opening 22 in the aperture stop 16k shown in FIG. .

図４２（ｂ）は、輪帯状の第３の開口部３６が形成され、かかる第３の開口部３６の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｘを示す平面図である。図４２（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｘにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び第３の開口部３６の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び第３の開口部３６の位置や形状等と同様とする。 FIG. 42B shows a second aperture stop 16x in which a ring-shaped third opening 36 is formed, and second openings 24b1 to 24b4 are formed in the four directions around the third opening 36. FIG. The positions and shapes of the second openings 24b1 to 24b4 and the third opening 36 in the second aperture stop 16x shown in FIG. 42B are the same as those of the second opening 24b1 in the aperture stop 16k shown in FIG. ˜24b4 and the position and shape of the third opening 36 are the same.

このように、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｗを用いて第１の露光を行った後に、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｘを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。 Thus, after performing 1st exposure using the 1st aperture stop 16w in which the 1st ring-shaped opening part 22 was formed, the opening parts 24b1-24b4 and the 3rd ring-shaped opening part 36 are formed. The second exposure may be performed using the second aperture stop 16x in which is formed.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４２（ａ）に示す開口絞り１６ｗを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16w shown in FIG. 42A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４２（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 16x shown in FIG. 42B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6 (b)).

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図６及び図４３を用いて説明する。図４３は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 3))
Next, a modification (No. 3) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 43 is a plan view showing an aperture stop used in the method of manufacturing a semiconductor device according to this modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第１の開口絞り１６ｙを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｚを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。 In the semiconductor device manufacturing method according to the present modification, after the first exposure is performed using the first aperture stop 16y in which the first opening 22 and the second openings 24b1 to 24b4 are formed, the third exposure is performed. The second feature is that the second exposure is performed using the second aperture stop 16z in which the aperture 36 is formed.

図４３（ａ）は、第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第１の開口絞り１６ｙを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｙは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成されたものである。図４３（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｙにおける第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等と同様とする。 FIG. 43A is a plan view showing the first aperture stop 16y in which the first opening 22 and the second openings 24b1 to 24b4 are formed. The first aperture stop 16y used in the present embodiment has a ring-shaped first opening 22 formed in the center and second openings 24b1 to 24b4 formed in the four directions around the center. It is. The positions and shapes of the first opening 22 and the second openings 24b1 to 24b4 in the first aperture stop 16y shown in FIG. 43A are the same as the first opening 22 in the aperture stop 16k shown in FIG. The positions and shapes of the second openings 24b1 to 24b4 are the same.

図４３（ｂ）は、輪帯状の第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｚを示す平面図である。図４３（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｚにおける第３の開口部３６の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第３の開口部３６の位置や形状等と同様とする。 FIG. 43B is a plan view showing a second aperture stop 16z in which a ring-shaped third opening 36 is formed. The position, shape, etc. of the third aperture 36 in the second aperture stop 16z shown in FIG. 43B are the same as the position, shape, etc. of the third aperture 36 in the aperture stop 16k shown in FIG. .

このように、第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第１の開口絞り１６ｙを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｚを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。 Thus, after performing 1st exposure using the 1st aperture stop 16y in which the 1st opening part 22 and the 2nd opening parts 24b1-24b4 were formed, the 3rd opening part 36 is formed. Alternatively, the second exposure may be performed using the second aperture stop 16z.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４３（ａ）に示す開口絞り１６ｗを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 16w shown in FIG. 43A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４３（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 16x shown in FIG. 43B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6 (b)).

［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４４を用いて説明する。図４４は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図４３に示す第１実施形態乃至第４実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。 [Fifth Embodiment]
A method for fabricating a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 44 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment. The same components as those in the method of manufacturing the semiconductor device according to the first to fourth embodiments shown in FIGS. 1 to 43 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.

本実施形態による半導体装置の製造方法は、図４４に示すような開口絞り４０を用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本実施形態による半導体装置の製造方法は、中心に円形状の第１の開口部３８が形成され、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成され、輪帯状の第２の開口部２２ｂを囲むように輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された開口絞り４０を用いてパターンを転写することに主な特徴がある。 The semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment is mainly characterized in that a pattern is transferred using an aperture stop 40 as shown in FIG. That is, in the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment, the circular first opening 38 is formed at the center, and the annular second opening 22 b is formed so as to surround the first opening 38. The main feature is that the pattern is transferred by using an aperture stop 40 in which a ring-shaped third opening 36e is formed so as to surround the ring-shaped second opening 22b.

図４４に示すように、開口絞り４０の中心には円形状の第１の開口部３８が形成されている。 As shown in FIG. 44, a circular first opening 38 is formed at the center of the aperture stop 40.

第１の開口部３８の周囲には、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成されている。第２の開口部２２ｂの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）は、第１の開口部３８の直径より大きく設定されている。換言すれば、第２の開口部２２ｂの内径は、第１の開口部３８の外径より大きく設定されている。 A ring-shaped second opening 22 b is formed around the first opening 38 so as to surround the first opening 38. Σ (inner sigma: σ _{in (1)} ) inside the second opening 22b is set larger than the diameter of the first opening 38. In other words, the inner diameter of the second opening 22 b is set larger than the outer diameter of the first opening 38.

第２の開口部２２ｂの周囲には、第２の開口部２２ｂを囲むように輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成されている。第３の開口部３６ｅの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）は、第２の開口部２２ｂの外側のσ（アウタσ：σ_{ｏｕｔ（１）}）より大きく設定されている。換言すれば、第３の開口部３６ｅの内径は、第２の開口部２２ｂの外径より大きく設定されている。 A ring-shaped third opening 36e is formed around the second opening 22b so as to surround the second opening 22b. The inner σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) of the third opening 36e is set larger than the outer σ (outer σ: σ _{out (1)} ) of the second opening 22b. In other words, the inner diameter of the third opening 36e is set larger than the outer diameter of the second opening 22b.

開口絞り４０における各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り４０の有効領域の外径を１．０として規格化された値である。 The dimensions of the aperture stop 40 are, for example, as follows. In addition, the dimension shown here is the value normalized by setting the outer diameter of the effective region of the aperture stop 40 to 1.0.

第１の開口部３８の直径は、例えば、０．１〜０．２５とする。 The diameter of the 1st opening part 38 shall be 0.1-0.25, for example.

第２の開口部２２ｂの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第２の開口部３８の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (1)} ) outside the second opening 22b is, for example, 0.4 to 0.5. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (1)} ) inside the second opening 38 is, for example, 0.2 to 0.3.

第３の開口部３６ｅの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８〜０．９５とする。第３の開口部３６ｅの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７〜０．８とする。 The dimension of σ (outer sigma: σ _{out (2)} ) outside the third opening 36e is, for example, 0.8 to 0.95. The dimension of σ (inner sigma: σ _{in (2)} ) inside the third opening 36e is, for example, 0.7 to 0.8.

こうして、本実施形態による開口絞り４０が形成されている。 Thus, the aperture stop 40 according to the present embodiment is formed.

まず、図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜３２及びフォトレジスト膜３４等が形成された半導体基板２０を用意する。 First, as shown in FIG. 6 (a), prepared interlayer insulating film 32 and the photo semiconductor substrate 20 on which the resist film 34 and the like are formed.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４４に示す開口絞り４０を取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 40 shown in FIG. 44 is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6B). )reference).

このように、本実施形態による半導体装置の製造方法は、中心に円形状の第１の開口部３８が形成され、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成され、輪帯状の第２の開口部２２ｂを囲むように輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された開口絞り４０を用いてパターンを転写する。第１の開口部３８は、他のパターンから孤立しているパターン、即ち、孤立パターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第２の開口部２２ｂは、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部３６ｅは、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部３６ｅは、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのにも寄与する。従って、本実施形態によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。 As described above, in the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, the circular first opening 38 is formed at the center, and the annular second opening 22 b is formed so as to surround the first opening 38. The pattern is transferred using an aperture stop 40 formed and formed with a ring-shaped third opening 36e so as to surround the ring-shaped second opening 22b. The first opening 38 contributes to transfer of a pattern isolated from other patterns, that is, an isolated pattern with a relatively high resolution. Further, the second opening 22b contributes to transfer of a pattern arranged at a medium pitch to a relatively large pitch with a relatively high resolution. The third opening 36e contributes to transferring a pattern arranged at a relatively narrow pitch with a relatively high resolution. The third opening 36e also contributes to the transfer of patterns arranged in various directions with a relatively high resolution. Therefore, according to the present embodiment, the pitch of the pattern 18a for forming the hole is set to various values, and the pattern 18a for forming the hole is arranged in various directions. However, a sufficient depth of focus can be ensured, and as a result, the pattern can be transferred stably.

［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４５を用いて説明する。図４５は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図４４に示す第１実施形態乃至第５実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。 [Sixth Embodiment]
A method for fabricating a semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 45 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment. The same components as those in the semiconductor device manufacturing method according to the first to fifth embodiments shown in FIGS. 1 to 44 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.

本実施形態による半導体装置の製造方法は、円形状の第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｒを用いて第１の露光を行った後に、輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｂを用いて第２の露光を行い、その後、輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された第３の開口絞り４０ｃを用いて第３の露光を行うことに主な特徴がある。 In the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, the first exposure is performed using the first aperture stop 40r in which the circular first opening 38 is formed, and then the second annular opening. The second exposure is performed using the second aperture stop 40b in which 22b is formed, and then the third exposure is performed using the third aperture stop 40c in which the ring-shaped third opening 36e is formed. There are main features to do.

図４５（ａ）は、中心部に円形状の第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ａを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り４０ａは、中心部に円形状の第１の開口部３８が形成されたものである。図４５（ａ）に示す第１の開口絞り４０ａにおける第１の開口部３８の位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８の位置や形状等と同様とする。 FIG. 45A is a plan view showing a first aperture stop 40a in which a circular first opening 38 is formed at the center. The first aperture stop 40a used in this embodiment has a circular first opening 38 formed at the center. The position, shape, etc. of the first opening 38 in the first aperture stop 40a shown in FIG. 45A are the same as the position, shape, etc. of the first opening 38 in the aperture stop 40 shown in FIG. .

図４５（ｂ）は、輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｂを示す平面図である。図４５（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｂにおける第２の開口部２２ｂの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第２の開口部２２ｂの位置や形状等と同様とする。 FIG. 45 (b) is a plan view showing a second aperture stop 40b in which a ring-shaped second opening 22b is formed. The position, shape, etc. of the second opening 22b in the second aperture stop 40b shown in FIG. 45B are the same as the position, shape, etc. of the second opening 22b in the aperture stop 40 shown in FIG. .

図４５（ｃ）は、輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された第３の開口絞り４０ｃを示す平面図である。図４５（ｃ）に示す第３の開口絞り４０ｃにおける第３の開口部３６ｅの位置や形状は、図４４に示す開口絞り４０における第３の開口部３６ｅの位置や形状と同様とする。 FIG. 45 (c) is a plan view showing a third aperture stop 40c in which a ring-shaped third opening 36e is formed. The position and shape of the third opening 36e in the third aperture stop 40c shown in FIG. 45C are the same as the position and shape of the third opening 36e in the aperture stop 40 shown in FIG.

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４５を用いて説明する。 Next, the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 40a shown in FIG. 45A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 40b shown in FIG. 45B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 40c shown in FIG. 45C is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6 (b)).

このように、本実施形態による半導体装置の製造方法では、レチクル１８上に形成されたパターンを、第１の開口絞り４０ａを用いて露光した後、第２の開口絞り４０ｂを用いて露光し、この後、第３の開口絞り４０ｃを用いて露光する。第１の開口絞り４０ａを用いた露光は、孤立パターンを比較的高い解像度で転写するのに寄与する。第２の開口絞り４０ｂを用いた露光は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口絞り４０ｃを用いた露光は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口絞り４０ｃを用いた露光は、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのにも寄与する。従って、本実施形態によれば、第５実施形態において用いた開口絞り４０を用いて露光する場合と同様の効果が得られる。即ち、本実施形態によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては、安定してパターンを転写することができる。 As described above, in the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment, after the pattern formed on the reticle 18 is exposed using the first aperture stop 40a, the pattern is exposed using the second aperture stop 40b. Thereafter, exposure is performed using the third aperture stop 40c. The exposure using the first aperture stop 40a contributes to transferring the isolated pattern with a relatively high resolution. The exposure using the second aperture stop 40b contributes to transferring a pattern arranged at a medium pitch to a relatively large pitch with a relatively high resolution. The exposure using the third aperture stop 40c contributes to transferring a pattern arranged at a relatively narrow pitch with a relatively high resolution. The exposure using the third aperture stop 40c also contributes to the transfer of patterns arranged in various directions with a relatively high resolution. Therefore, according to this embodiment, the same effect as that obtained when exposure is performed using the aperture stop 40 used in the fifth embodiment can be obtained. That is, according to the present embodiment, the pitch of the pattern 18a for forming the hole is set to various values, and the pattern 18a for forming the hole is arranged in various directions. However, a sufficient depth of focus can be ensured, and as a result, the pattern can be transferred stably.

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図６及び図４６を用いて説明する。図４６は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 1))
Next, a modification (No. 1) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 46 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂが形成された第１の開口絞り４０ｄを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｅを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。 In the semiconductor device manufacturing method according to this modification, after the first exposure is performed using the first aperture stop 40d in which the first opening 38 and the second opening 22b are formed, the third opening is performed. The main feature is that the second exposure is performed using the second aperture stop 40e in which the portion 36e is formed.

図４６（ａ）は、第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂが形成された第１の開口絞り４０ｄを示す平面図である。第１の開口絞り４０ｄは、中心部に第１の開口部３８が形成され、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成されたものである。図４６（ａ）に示す第１の開口絞り４０ｄにおける第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂの位置や形状等と同様とする。 FIG. 46A is a plan view showing the first aperture stop 40d in which the first opening 38 and the second opening 22b are formed. The first aperture stop 40d has a first opening 38 formed at the center and a ring-shaped second opening 22b so as to surround the first opening 38. The positions and shapes of the first opening 38 and the second opening 22b in the first aperture stop 40d shown in FIG. 46A are the same as those in the first aperture 38 and the second opening 22b shown in FIG. The position and shape of the second opening 22b are the same.

図４６（ｂ）は、第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｅを示す平面図である。図４６（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｅにおける第３の開口部３６ｅの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第３の開口部３６ｅの位置や形状等と同様とする。 FIG. 46B is a plan view showing the second aperture stop 40e in which the third opening 36e is formed. The position, shape, and the like of the third opening 36e in the second aperture stop 40e shown in FIG. 46B are the same as the position, shape, and the like of the third opening 36e in the aperture stop 40 shown in FIG. .

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４６（ａ）に示す開口絞り４０ｄを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 40d shown in FIG. 46A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４６（ｂ）に示す開口絞り４０ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 40e shown in FIG. 46B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6 (b)).

このように、第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂが形成された第１の開口絞り４０ａを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｅを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。 As described above, after the first exposure is performed using the first aperture stop 40a in which the first opening 38 and the second opening 22b are formed, the third opening 36e is formed. The second exposure may be performed using the second aperture stop 40e.

本変形例によっても、第５実施形態において用いた開口絞り４０を用いて露光する場合と同様の効果が得られる。従って、本変形例によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。 Also by this modification, the same effect as the case of exposing using the aperture stop 40 used in the fifth embodiment can be obtained. Therefore, according to this modification, the pitch of the pattern 18a for forming the hole is set to various values, and the pattern 18a for forming the hole is arranged in various directions. However, a sufficient depth of focus can be ensured, and as a result, the pattern can be transferred stably.

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図６及び図４７を用いて説明する。図４７は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 2))
Next, a modification (No. 2) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 47 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｆを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｇを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present modification, after performing the first exposure using the first aperture stop 40f in which the first opening 38 is formed, the second opening 22b and the third opening are performed. The main feature is that the second exposure is performed using the second aperture stop 40g in which the portion 36e is formed.

図４７（ａ）は、第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｆを示す平面図である。第１の開口絞り４０ｆは、中心部に第１の開口部３８が形成されたものである。図４７（ａ）に示す第１の開口絞り４０ｆにおける第１の開口部３８の位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８の位置や形状等と同様とする。 FIG. 47A is a plan view showing the first aperture stop 40f in which the first opening 38 is formed. The first aperture stop 40f has a first opening 38 formed at the center. The position, shape, and the like of the first opening 38 in the first aperture stop 40f shown in FIG. 47A are the same as the position, shape, and the like of the first opening 38 in the aperture stop 40 shown in FIG. .

図４７（ｂ）は、第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｇを示す平面図である。図４７（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｇにおける第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等と同様とする。 FIG. 47B is a plan view showing a second aperture stop 40g in which the second opening 22b and the third opening 36e are formed. The positions and shapes of the second opening 22b and the third opening 36e in the second aperture stop 40g shown in FIG. 47B are the same as those in the second opening 22b and the third opening 36e shown in FIG. The position and shape of the third opening 36e are the same.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｆを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 40f shown in FIG. 47A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｇを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 40g shown in FIG. 47B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6 (b)).

このように、第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｆを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｇを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。 As described above, after the first exposure is performed using the first aperture stop 40f in which the first opening 38 is formed, the second opening 22b and the third opening 36e are formed. The second exposure may be performed using the second aperture stop 40g.

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図６及び図４８を用いて説明する。図４８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 (Modification (Part 3))
Next, a modification (No. 3) of the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment will be explained with reference to FIGS. FIG. 48 is a plan view showing an aperture stop used in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present modification.

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅが形成された第１の開口絞り４０ｈを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｉを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。 In the semiconductor device manufacturing method according to this modification, the first opening is performed using the first aperture stop 40h in which the first opening 38 and the third opening 36e are formed, and then the second opening is performed. The main feature is that the second exposure is performed using the second aperture stop 40i in which the portion 22b is formed.

図４８（ａ）は、第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅが形成された第１の開口絞り４０ｈを示す平面図である。第１の開口絞り４０ｈは、第１の開口部３８と第３の開口部３６ｅとが形成されたものである。図４８（ａ）に示す第１の開口絞り４０ｈにおける第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等と同様とする。 FIG. 48A is a plan view showing the first aperture stop 40h in which the first opening 38 and the third opening 36e are formed. The first aperture stop 40h is formed with a first opening 38 and a third opening 36e. The positions and shapes of the first opening 38 and the third opening 36e in the first aperture stop 40h shown in FIG. 48A are the same as those in the first opening 38 and the third opening 36e shown in FIG. The position and shape of the third opening 36e are the same.

図４８（ｂ）は、第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｉを示す平面図である。図４８（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｉにおける第２の開口部２２ｂの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第２の開口部２２ｂの位置や形状等と同様とする。 FIG. 48B is a plan view showing the second aperture stop 40i in which the second opening 22b is formed. The position, shape, etc. of the second opening 22b in the second aperture stop 40i shown in FIG. 48B are the same as the position, shape, etc. of the second opening 22b in the aperture stop 40 shown in FIG. .

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｈを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。 Next, the aperture stop 40h shown in FIG. 47A is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20.

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｉを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。 Next, the aperture stop 40i shown in FIG. 47B is attached to the exposure apparatus described above with reference to FIG. 1, and the pattern formed on the reticle 18 is transferred to the photoresist film 34 on the semiconductor substrate 20 (FIG. 6 (b)).

このように、第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅが形成された第１の開口絞り４０ｈを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｉを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。 As described above, after the first exposure is performed using the first aperture stop 40h in which the first opening 38 and the third opening 36e are formed, the second opening 22b is formed. The second exposure may be performed using the second aperture stop 40i.

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。 [Modified Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.

例えば、第２実施形態では、第１回目の露光において図１２（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆを用い、第２回目の露光において図１２（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。 For example, in the second embodiment, the case where the aperture stop 16e shown in FIG. 12A is used in the first exposure and the aperture stop 16f shown in FIG. 12B is used in the second exposure will be described as an example. However, the aperture stop 16f shown in FIG. 12B may be used in the first exposure, and the aperture stop 16e shown in FIG. 12A may be used in the second exposure.

また、第２実施形態の変形例（その１）では、第１回目の露光において図１４（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１４（ｂ）に示す開口絞り１６ｇを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１４（ｂ）に示す開口絞り１６ｇを用い、第２回目の露光において図１４（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。 Further, in the modified example (No. 1) of the second embodiment, the aperture stop 16e shown in FIG. 14A is used in the first exposure, and the aperture stop 16g shown in FIG. 14B is used in the second exposure. However, the aperture stop 16g shown in FIG. 14B may be used in the first exposure, and the aperture stop 16e shown in FIG. 14A may be used in the second exposure. .

また、第２実施形態の変形例（その２）では、第１回目の露光において図１５（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１５（ｂ）に示す開口絞り１６ｈを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１５（ｂ）に示す開口絞り１６ｈを用い、第２回目の露光において図１５（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。 In the second modification of the second embodiment (part 2), the aperture stop 16e shown in FIG. 15A is used in the first exposure, and the aperture stop 16h shown in FIG. 15B in the second exposure. However, in the first exposure, the aperture stop 16h shown in FIG. 15B may be used, and in the second exposure, the aperture stop 16e shown in FIG. 15A may be used. .

また、第２実施形態の変形例（その３）では、第１回目の露光において図１６（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１６（ｂ）に示す開口絞り１６ｉを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１６（ｂ）に示す開口絞り１６ｉを用い、第２回目の露光において図１６（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。 In the modification (No. 3) of the second embodiment, the aperture stop 16e shown in FIG. 16A is used in the first exposure, and the aperture stop 16i shown in FIG. 16B in the second exposure. However, the aperture stop 16i shown in FIG. 16B may be used in the first exposure, and the aperture stop 16e shown in FIG. 16A may be used in the second exposure. .

また、第２実施形態の変形例（その４）では、第１回目の露光において図１７（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１７（ｂ）に示す開口絞り１６ｊを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１７（ｂ）に示す開口絞り１６ｊを用い、第２回目の露光において図１７（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。 In the modification (No. 4) of the second embodiment, the aperture stop 16e shown in FIG. 17A is used in the first exposure, and the aperture stop 16j shown in FIG. 17B in the second exposure. However, the aperture stop 16j shown in FIG. 17B may be used in the first exposure, and the aperture stop 16e shown in FIG. 17A may be used in the second exposure. .

また、第４実施形態では、第１回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第２回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第３回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第２回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第３回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第２回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第３回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第２回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第３回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第２回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第３回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第２回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第３回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用いてもよい。 In the fourth embodiment, the aperture stop 16r shown in FIG. 40A is used in the first exposure, and the aperture stop 16s shown in FIG. 40B is used in the second exposure. In the exposure, the aperture stop 16t shown in FIG. 40C is used as an example. However, in the first exposure, the aperture stop 16r shown in FIG. 40A is used, and in the second exposure, the aperture stop 16t shown in FIG. The aperture stop 16t shown in c) may be used, and the aperture stop 16s shown in FIG. 40B may be used in the third exposure. Further, the aperture stop 16s shown in FIG. 40B is used in the first exposure, the aperture stop 16r shown in FIG. 40A is used in the second exposure, and the aperture stop 16r shown in FIG. 40C is used in the third exposure. The aperture stop 16t shown in FIG. In addition, the aperture stop 16s shown in FIG. 40B is used in the first exposure, the aperture stop 16t shown in FIG. 40C is used in the second exposure, and the aperture stop 16t shown in FIG. The aperture stop 16r shown in FIG. Further, the aperture stop 16t shown in FIG. 40C is used in the first exposure, the aperture stop 16r shown in FIG. 40A is used in the second exposure, and the aperture stop 16r shown in FIG. 40B is used in the third exposure. The aperture stop 16s shown in FIG. Further, the aperture stop 16t shown in FIG. 40C is used in the first exposure, the aperture stop 16s shown in FIG. 40B is used in the second exposure, and the aperture stop 16s shown in FIG. The aperture stop 16r shown in FIG.

また、第４実施形態では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｋの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｋの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｔに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｌの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｌの開口部３６ａと同様の開口部３６ａを開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｍの開口部２４ｃ１〜２４ｃ４と同様の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｍの開口部３６ｂと同様の開口部３６ｂを開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｎの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｎの開口部３６ｃと同様の開口部３６ｃを開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｏの開口部２４ｂ１〜２４ｂ６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｏの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｐの開口部２４ｂ１〜２４ｂ８と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８を開口絞り１６ｐに形成し、開口絞り１６ｐの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。 In the fourth embodiment, the opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16k (see FIG. 27) is formed in the aperture stop 16r, and the openings 24b1 to 24b1 similar to the openings 24b1 to 24b4 of the aperture stop 16k are formed. The case where 24b4 is formed in the aperture stop 16s and the opening 36 similar to the opening 36 of the aperture stop 16k is formed in the aperture stop 16t has been described as an example, but the opening 22 of the aperture stop 161 (see FIG. 28) A similar opening 22 is formed in the aperture stop 16r, openings 24b1 to 24b4 similar to the openings 24b1 to 24b4 of the aperture stop 16l are formed in the aperture stop 16s, and openings similar to the opening 36a of the aperture stop 16l are formed. 36a may be formed in the aperture stop 16t. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16m (see FIG. 31) is formed in the aperture stop 16r, and openings 24c1 to 24c4 similar to the openings 24c1 to 24c4 of the aperture stop 16m are formed as the aperture stop 16s. Alternatively, an opening 36b similar to the opening 36b of the aperture stop 16m may be formed in the aperture stop 16t. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16n (see FIG. 34) is formed in the aperture stop 16r, and openings 24b1 to 24b4 similar to the openings 24b1 to 24b4 of the aperture stop 16n are used as the aperture stop 16s. Alternatively, an opening 36c similar to the opening 36c of the aperture stop 16n may be formed in the aperture stop 16t. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16o (see FIG. 37) is formed in the aperture stop 16r, and openings 24b1 to 24b6 similar to the openings 24b1 to 24b6 of the aperture stop 16o are used as the aperture stop 16s. Alternatively, an opening 36 similar to the opening 36 of the aperture stop 16o may be formed in the aperture stop 16t. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16p (see FIG. 38) is formed in the aperture stop 16r, and openings 24b1 to 24b8 similar to the openings 24b1 to 24b8 of the aperture stop 16p are formed as the aperture stop 16p. Alternatively, an opening 36 similar to the opening 36 of the aperture stop 16p may be formed in the aperture stop 16t.

また、第４実施形態の変形例（その１）では、第１回目の露光において図４１（ａ）に示す開口絞り１６ｕを用い、第２回目の露光において図４１（ｂ）に示す開口絞り１６ｖを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４１（ｂ）に示す開口絞り１６ｖを用い、第２回目の露光において図４１（ａ）に示す開口絞り１６ｕを用いてもよい。 Further, in the modification (No. 1) of the fourth embodiment, the aperture stop 16u shown in FIG. 41A is used in the first exposure, and the aperture stop 16v shown in FIG. 41B in the second exposure. However, the aperture stop 16v shown in FIG. 41 (b) may be used in the first exposure, and the aperture stop 16u shown in FIG. 41 (a) may be used in the second exposure. .

また、第４実施形態の変形例（その１）では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２、３６と同様の開口部２２、３６を開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｋの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｖに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２、３６ａと同様の開口部２２、３６ａを開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｌの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２、３６ｂと同様の開口部２２、３６ｂを開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｍの開口部２４ｃ１〜２４ｃ４と同様の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２、３６ｃと同様の開口部２２、３６ｃを開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｎの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２、３６と同様の開口部２２、３６を開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｏの開口部２４ｂ１〜２４ｂ６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２、３６と同様の開口部２２、３６を開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｐの開口部２４ｂ１〜２４ｂ８と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。 Moreover, in the modification (the 1) of 4th Embodiment, the opening parts 22 and 36 similar to the opening parts 22 and 36 of the aperture stop 16k (refer FIG. 27) are formed in the aperture stop 16u, and the opening of the aperture stop 16k is formed. Although the case where the openings 24b1 to 24b4 similar to the parts 24b1 to 24b4 are formed in the aperture stop 16v has been described as an example, the openings 22 and 36a similar to the openings 22 and 36a of the aperture stop 16l (see FIG. 28) are provided. It may be formed in the aperture stop 16u, and openings 24b1 to 24b4 similar to the openings 24b1 to 24b4 of the aperture stop 16l may be formed in the aperture stop 16v. Further, openings 22 and 36b similar to the openings 22 and 36b of the aperture stop 16m (see FIG. 31) are formed in the aperture stop 16u, and openings 24c1 to 24c4 similar to the openings 24c1 to 24c4 of the aperture stop 16m are formed. You may make it form in the aperture stop 16v. Further, openings 22 and 36c similar to the openings 22 and 36c of the aperture stop 16n (see FIG. 34) are formed in the aperture stop 16u, and openings 24b1 to 24b4 similar to the openings 24b1 to 24b4 of the aperture stop 16n are formed. You may make it form in the aperture stop 16v. Further, openings 22 and 36 similar to the openings 22 and 36 of the aperture stop 16o (see FIG. 37) are formed in the aperture stop 16u, and openings 24b1 to 24b6 similar to the openings 24b1 to 24b6 of the aperture stop 16o are formed. You may make it form in the aperture stop 16v. Further, openings 22 and 36 similar to the openings 22 and 36 of the aperture stop 16p (see FIG. 38) are formed in the aperture stop 16u, and openings 24b1 to 24b8 similar to the openings 24b1 to 24b8 of the aperture stop 16p are formed. You may make it form in the aperture stop 16v.

また、第４実施形態の変形例（その２）では、第１回目の露光において図４２（ａ）に示す開口絞り１６ｗを用い、第２回目の露光において図４２（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４２（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを用い、第２回目の露光において図４２（ａ）に示す開口絞り１６ｗを用いてもよい。 Further, in the modified example (No. 2) of the fourth embodiment, the aperture stop 16w shown in FIG. 42A is used in the first exposure, and the aperture stop 16x shown in FIG. 42B in the second exposure. However, the aperture stop 16x shown in FIG. 42 (b) may be used in the first exposure, and the aperture stop 16w shown in FIG. 42 (a) may be used in the second exposure. .

また、第４実施形態の変形例（その２）では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｋの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６を開口絞り１６ｘに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｌの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ａと同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ａを開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｍの開口部２４ｃ１〜２４ｃ４、３６ｂと同様の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４、３６ｂを開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｎの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ｃと同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ｃを開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｏの開口部２４ｂ１〜２４ｂ６、３６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６、３６を開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｐの開口部２４ｂ１〜２４ｂ８、３６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８、３６を開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。 Moreover, in the modification (the 2) of 4th Embodiment, the opening part 22 similar to the opening part 22 of the aperture stop 16k (refer FIG. 27) is formed in the aperture stop 16w, and the opening parts 24b1-24b4 of the aperture stop 16k are formed. In the above description, the openings 24b1 to 24b4 and 36 similar to those of the aperture stop 16x are formed in the aperture stop 16x as an example. However, the opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 161 (see FIG. 28) is provided in the aperture stop 16w. The openings 24b1 to 24b4 and 36a similar to the openings 24b1 to 24b4 and 36a of the aperture stop 16l may be formed in the aperture stop 16x. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16m (see FIG. 31) is formed in the aperture stop 16w, and openings 24c1 to 24c4 and 36b similar to the openings 24c1 to 24c4 and 36b of the aperture stop 16m are formed. You may make it form in the aperture stop 16x. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16n (see FIG. 34) is formed in the aperture stop 16w, and openings 24b1 to 24b4 and 36c similar to the openings 24b1 to 24b4 and 36c of the aperture stop 16n are formed. You may make it form in the aperture stop 16x. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16o (see FIG. 37) is formed in the aperture stop 16w, and openings 24b1 to 24b6 and 36 similar to the openings 24b1 to 24b6 and 36 of the aperture stop 16o are formed. You may make it form in the aperture stop 16x. Further, an opening 22 similar to the opening 22 of the aperture stop 16p (see FIG. 38) is formed in the aperture stop 16w, and openings 24b1 to 24b8 and 36 similar to the openings 24b1 to 24b8 and 36 of the aperture stop 16p are formed. You may make it form in the aperture stop 16x.

また、第４実施形態の変形例（その３）では、第１回目の露光において図４３（ａ）に示す開口絞り１６ｙを用い、第２回目の露光において図４３（ｂ）に示す開口絞り１６ｚを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４３（ｂ）に示す開口絞り１６ｚを用い、第２回目の露光において図４３（ａ）に示す開口絞り１６ｙを用いてもよい。 In the modification (No. 3) of the fourth embodiment, the aperture stop 16y shown in FIG. 43 (a) is used in the first exposure, and the aperture stop 16z shown in FIG. 43 (b) in the second exposure. However, the aperture stop 16z shown in FIG. 43B may be used in the first exposure, and the aperture stop 16y shown in FIG. 43A may be used in the second exposure. .

また、第４実施形態の変形例（その３）では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｋの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｚに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｌの開口部３６ａと同様の開口部３６ａを開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２、２４ｃ１〜２４ｃ４と同様の開口部２２、２４ｃ１〜２４ｃ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｍの開口部３６ｂと同様の開口部３６ｂを開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｎの開口部３６ｃと同様の開口部３６ｃを開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ６と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ６を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｏの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ８と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ８を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｐの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。 Moreover, in the modification (the 3) of 4th Embodiment, the opening parts 22 and 24b1-24b4 similar to the opening parts 22 and 24b1-24b4 of the aperture stop 16k (refer FIG. 27) are formed in the aperture stop 16y, and opening is carried out. The case where the aperture 36 similar to the aperture 36 of the aperture 16k is formed in the aperture aperture 16z has been described as an example, but the aperture 22 similar to the aperture 22, 24b1 to 24b4 of the aperture aperture 16l (see FIG. 28), 24b1 to 24b4 may be formed in the aperture stop 16y, and an opening 36a similar to the opening 36a of the aperture stop 16l may be formed in the aperture stop 16z. Further, the openings 22, 24c1 to 24c4 similar to the openings 22, 24c1 to 24c4 of the aperture stop 16m (see FIG. 31) are formed in the aperture stop 16y, and the opening 36b similar to the opening 36b of the aperture stop 16m is formed. You may make it form in the aperture stop 16z. Further, the openings 22, 24b1 to 24b4 similar to the openings 22, 24b1 to 24b4 of the aperture stop 16n (see FIG. 34) are formed in the aperture stop 16y, and the opening 36c similar to the opening 36c of the aperture stop 16n is formed. You may make it form in the aperture stop 16z. Further, the openings 22, 24b1 to 24b6 similar to the openings 22, 24b1 to 24b6 of the aperture stop 16o (see FIG. 37) are formed in the aperture stop 16y, and the openings 36 similar to the openings 36 of the aperture stop 16o are formed. You may make it form in the aperture stop 16z. Further, the openings 22, 24b1 to 24b8 similar to the openings 22, 24b1 to 24b8 of the aperture stop 16p (see FIG. 38) are formed in the aperture stop 16y, and the openings 36 similar to the openings 36 of the aperture stop 16p are formed. You may make it form in the aperture stop 16z.

また、第６実施形態では、第１回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第２回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第３回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第２回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第３回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第２回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第３回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第２回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第３回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第２回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第３回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第２回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第３回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用いてもよい。 In the sixth embodiment, the aperture stop 40a shown in FIG. 45 (a) is used in the first exposure, and the aperture stop 40b shown in FIG. 45 (b) is used in the second exposure. Although the case where the aperture stop 40c shown in FIG. 45C is used in the exposure has been described as an example, the aperture stop 40a shown in FIG. 45A is used in the first exposure, and FIG. The aperture stop 40c shown in c) may be used, and the aperture stop 40b shown in FIG. 45B may be used in the third exposure. In the first exposure, the aperture stop 40b shown in FIG. 45B is used. In the second exposure, the aperture stop 40a shown in FIG. 45A is used. In the third exposure, FIG. The aperture stop 40c shown in FIG. In the first exposure, the aperture stop 40b shown in FIG. 45 (b) is used, and in the second exposure, the aperture stop 40c shown in FIG. 45 (c) is used. The aperture stop 40a shown in FIG. Further, the aperture stop 40c shown in FIG. 45C is used in the first exposure, the aperture stop 40a shown in FIG. 45A is used in the second exposure, and the aperture stop 40a shown in FIG. 45B is used in the third exposure. The aperture stop 40b shown in FIG. Further, the aperture stop 40c shown in FIG. 45C is used in the first exposure, the aperture stop 40b shown in FIG. 45B is used in the second exposure, and the aperture stop 40b shown in FIG. 45A is used in the third exposure. The aperture stop 40a shown in FIG.

また、第６実施形態の変形例（その１）では、第１回目の露光において図４６（ａ）に示す開口絞り４０ｄを用い、第２回目の露光において図４６（ｂ）に示す開口絞り４０ｅを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４６（ｂ）に示す開口絞り４０ｅを用い、第２回目の露光において図４６（ａ）に示す開口絞り４０ｄを用いてもよい。 Further, in the modified example (No. 1) of the sixth embodiment, the aperture stop 40d shown in FIG. 46A is used in the first exposure, and the aperture stop 40e shown in FIG. 46B is used in the second exposure. However, the aperture stop 40e shown in FIG. 46 (b) may be used in the first exposure, and the aperture stop 40d shown in FIG. 46 (a) may be used in the second exposure. .

また、第６実施形態の変形例（その２）では、第１回目の露光において図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｆを用い、第２回目の露光において図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｇを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｇを用い、第２回目の露光において図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｆを用いてもよい。 In the second modification of the sixth embodiment (part 2), the aperture stop 40f shown in FIG. 47A is used in the first exposure, and the aperture stop 40g shown in FIG. 47B is used in the second exposure. However, the aperture stop 40g shown in FIG. 47B may be used in the first exposure, and the aperture stop 40f shown in FIG. 47A may be used in the second exposure. .

また、第６実施形態の変形例（その３）では、第１回目の露光において図４８（ａ）に示す開口絞り４０ｈを用い、第２回目の露光において図４８（ｂ）に示す開口絞り４０ｉを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４８（ｂ）に示す開口絞り４０ｉを用い、第２回目の露光において図４８（ａ）に示す開口絞り４０ｈを用いてもよい。 In the modification (No. 3) of the sixth embodiment, the aperture stop 40h shown in FIG. 48A is used in the first exposure, and the aperture stop 40i shown in FIG. 48B is used in the second exposure. However, the aperture stop 40i shown in FIG. 48B may be used in the first exposure, and the aperture stop 40h shown in FIG. 48A may be used in the second exposure. .

以上詳述した通り、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
付記１記載の半導体装置の製造方法において、
前記開口絞りは、前記第１の開口部を囲むように形成された、輪帯状の第３の開口部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記３）
付記１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部の数は４個以上である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の開口部の面積と、前記複数の第２の開口部の面積の総和とは、互いにほぼ等しい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部の直径は、前記第１の開口部の外径より小さい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記６）
付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部は、前記第２の開口部のうちの一部が前記開口絞りの有効範囲からはみ出すように配されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記７）
付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部は、前記開口絞りの有効範囲内に配されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
付記１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の開口部の周辺における前記複数の第２の開口部の間に、第３の開口部が更にそれぞれ形成されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記９）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の開口部のうちの一部が前記第１の開口部内に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１０）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の開口部の直径は、前記第２の開口部の直径より小さい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部が前記第３の開口部の外側に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１２）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部のうちの一部が前記第３の開口部内に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１３）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部は、前記第３の開口部の内側に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１４）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記開口絞りは、前記第１の開口部の内側に形成された第４の開口部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１５）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、中心部に輪帯状の第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；周辺部に複数の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１６）
付記１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１７）
付記１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の開口絞りは、前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１８）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、第１の開口部が形成され、前記第１の開口部を囲むように輪帯状の第２の開口部が形成され、前記第２の開口部を囲むように輪帯状の第３の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１９）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第２の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２０）
付記１乃至１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記レチクルは、前記パターンの近傍に配されたアシストパターンを更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 As detailed above, the features of the present invention are summarized as follows.
(Appendix 1)
In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing the exposure using the oblique incidence illumination, an aperture stop in which a first annular opening is formed and a plurality of second openings are formed around the first opening is used. Exposure is performed. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.
(Appendix 2)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 1,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the aperture stop further includes a ring-shaped third opening formed so as to surround the first opening.
(Appendix 3)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 1 or 2,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the number of the second openings is four or more.
(Appendix 4)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 1,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein an area of the first opening and a total area of the plurality of second openings are substantially equal to each other.
(Appendix 5)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendices 1 to 4,
A diameter of the second opening is smaller than an outer diameter of the first opening. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein:
(Appendix 6)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendices 1 to 5,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the second opening is arranged such that a part of the second opening protrudes from an effective range of the aperture stop.
(Appendix 7)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendices 1 to 5,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second opening is disposed within an effective range of the aperture stop.
(Appendix 8)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 1,
A third opening is further formed between the plurality of second openings in the periphery of the first opening. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
(Appendix 9)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 8,
A part of said 3rd opening part is located in said 1st opening part. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.
(Appendix 10)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 8,
The diameter of the third opening is smaller than the diameter of the second opening. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein:
(Appendix 11)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 2,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second opening is located outside the third opening.
(Appendix 12)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 2,
A part of said 2nd opening part is located in said 3rd opening part. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.
(Appendix 13)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 2,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second opening is positioned inside the third opening.
(Appendix 14)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 2,
The aperture stop further includes a fourth opening formed inside the first opening. The method of manufacturing a semiconductor device, wherein:
(Appendix 15)
In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
The step of performing exposure using the oblique incidence illumination includes the step of performing exposure using a first aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed in the center; and a plurality of second in the periphery. And a step of performing exposure using a second aperture stop in which an opening is formed. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
(Appendix 16)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 15,
The step of performing exposure using the oblique incidence illumination includes the step of performing exposure using a third aperture stop in which a ring-shaped third opening having an inner diameter larger than the outer diameter of the first opening is formed. The method for manufacturing a semiconductor device, further comprising:
(Appendix 17)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 15,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the first aperture stop further includes a ring-shaped third opening having an inner diameter larger than an outer diameter of the first opening.
(Appendix 18)
In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing exposure using the oblique incidence illumination, a first opening is formed, a second opening having a ring shape is formed so as to surround the first opening, and the second opening is formed. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein exposure is performed using an aperture stop in which a ring-shaped third opening is formed so as to surround the ring.
(Appendix 19)
In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
The step of performing exposure using the oblique incidence illumination includes the step of performing exposure using a first aperture stop in which a first opening is formed; and a ring having an inner diameter larger than the outer diameter of the first opening. A step of performing exposure using a second aperture stop in which a band-shaped second opening is formed; and a ring-shaped third opening having an inner diameter larger than the outer diameter of the second opening. And a step of performing exposure using a third aperture stop.
(Appendix 20)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendices 1 to 19,
The reticle further includes an assist pattern arranged in the vicinity of the pattern. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein:

１２…光源
１４…フライアイ
１５…石英乾板
１６、１６ａ〜１６ｚ…開口絞り
１７…金属薄膜パターン
１８…レチクル（マスク）
１８ａ…開口部（パターン）
１９…投影レンズ
２０…半導体基板
２１…補助パターン
２２、２２ａ、２２ｂ…開口部
２４ａ１〜２４ａ４…開口部
２４ｂ１〜２４ｂ８…開口部
２６ａ１〜２６ａ４…開口部
２６ａ１〜２６ａ４…開口部
２８ａ１〜２８ａ４…開口部
３０ａ１〜３０ａ４…開口部
３２…層間絶縁膜
３４…フォトレジスト膜
３６、３６ａ〜３６ｅ…開口部
４０、４０ａ〜４０ｉ…開口絞り
１１６…開口絞り
１１８ａ〜１１８ｃ…パターン
１２１…補助パターン
１２２…開口部
１２４…開口絞り
１２６…開口部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Light source 14 ... Fly eye 15 ... Quartz dry plate 16, 16a-16z ... Aperture stop 17 ... Metal thin film pattern 18 ... Reticle (mask)
18a ... opening (pattern)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 ... Projection lens 20 ... Semiconductor substrate 21 ... Auxiliary pattern 22, 22a, 22b ... Opening 24a1-24a4 ... Opening 24b1-24b8 ... Opening 26a1-26a4 ... Opening 26a1-26a4 ... Opening 28a1-28a4 ... Opening 30a1 to 30a4 ... opening 32 ... interlayer insulating film 34 ... photoresist film 36, 36a-36e ... opening 40, 40a-40i ... aperture stop 116 ... aperture stop 118a-118c ... pattern 121 ... auxiliary pattern 122 ... opening 124 ... Aperture stop 126 ... Aperture

Claims

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing the exposure using the oblique incidence illumination, an aperture stop in which a first annular opening is formed and a plurality of second openings are formed around the first opening is used. Make an exposure,
The second opening is arranged such that a part of the second opening protrudes from the effective range of the aperture stop ,
A method for manufacturing a semiconductor device , wherein an area of the first opening and a total area of the plurality of second openings are substantially equal to each other .

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing the exposure using the oblique incidence illumination, an aperture stop in which a first annular opening is formed and a plurality of second openings are formed around the first opening is used. Make an exposure,
A third opening is further formed between each of the plurality of second openings around the first opening,
The third opening is smaller than the second opening;
A part of said 3rd opening part is located in said 1st opening part. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing the exposure using the oblique incidence illumination, an aperture stop in which a first annular opening is formed and a plurality of second openings are formed around the first opening is used. Make an exposure,
The aperture stop further includes a ring-shaped third opening formed to surround the first opening,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second opening is located outside the third opening.

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing the exposure using the oblique incidence illumination, an aperture stop in which a first annular opening is formed and a plurality of second openings are formed around the first opening is used. Make an exposure,
The aperture stop further includes a ring-shaped third opening formed to surround the first opening,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the second opening is positioned inside the third opening.

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing the exposure using the oblique incidence illumination, an aperture stop in which a first annular opening is formed and a plurality of second openings are formed around the first opening is used. Make an exposure,
The aperture stop further includes a ring-shaped third opening formed to surround the first opening,
The aperture stop further includes a fourth opening formed inside the first opening. The method of manufacturing a semiconductor device, wherein:

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
The step of performing exposure using the oblique incidence illumination includes the step of performing exposure using a first aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed in the center; and a plurality of second in the periphery. possess a step of performing exposure by using the second aperture stop having an opening formed,
A method for manufacturing a semiconductor device , wherein an area of the first opening and a total area of the plurality of second openings are substantially equal to each other .

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
The step of performing exposure using the oblique incidence illumination includes the step of performing exposure using a first aperture stop in which a ring-shaped first opening is formed in the center; and a plurality of second in the periphery. Performing exposure using a second aperture stop in which an opening is formed; and a third aperture stop in which a ring-shaped third opening having an inner diameter larger than the outer diameter of the first opening is formed And a step of performing exposure using a semiconductor device.

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
In the step of performing exposure using the oblique incidence illumination, a first opening is formed, a second opening having a ring shape is formed so as to surround the first opening, and the second opening is formed. A method for manufacturing a semiconductor device, wherein exposure is performed using an aperture stop in which a ring-shaped third opening is formed so as to surround the ring.

In a manufacturing method of a semiconductor device including a step of transferring a pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate by performing exposure using oblique incidence illumination.
The step of performing exposure using the oblique incidence illumination includes the step of performing exposure using a first aperture stop in which a first opening is formed; and a ring having an inner diameter larger than the outer diameter of the first opening. A step of performing exposure using a second aperture stop in which a band-shaped second opening is formed; and a ring-shaped third opening having an inner diameter larger than the outer diameter of the second opening. And a step of performing exposure using a third aperture stop.