JP5564751B2 - Manufacturing method of image sensor - Google Patents
Manufacturing method of image sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP5564751B2 JP5564751B2 JP2007327780A JP2007327780A JP5564751B2 JP 5564751 B2 JP5564751 B2 JP 5564751B2 JP 2007327780 A JP2007327780 A JP 2007327780A JP 2007327780 A JP2007327780 A JP 2007327780A JP 5564751 B2 JP5564751 B2 JP 5564751B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color filter
- red
- green
- yellow
- blue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Description
本発明はイメージセンサーの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an image sensor .
ビデオカメラやデジタルカメラは、高画素化が進んでいる。そのため、ビデオカメラやデジタルカメラに組み込まれるイメージセンサーも高画素となり、その画素サイズは、2μm以下から1μm前後まで微細化が進むものと予想されている。画素サイズの微細化が進めば、画素面積の低下に応じて画素に入射する光の量が減り、フォトダイオードの感度が低くなる。加えて、配線の線幅が小さくなり誘電層が薄くなると、画素へのノイズの影響も受けやすくなる。これらの問題を解消するために、イメージセンサーとなる半導体基板に形成されたフォトダイオードに対応して形成されたカラーフィルターの上方にマイクロレンズを配置し、入射光を集光することにより光感度を高めている。 Video cameras and digital cameras are increasing in pixel count. For this reason, an image sensor incorporated in a video camera or a digital camera also has high pixels, and the pixel size is expected to be reduced from 2 μm or less to around 1 μm. As the pixel size is further miniaturized, the amount of light incident on the pixel is reduced as the pixel area is reduced, and the sensitivity of the photodiode is lowered. In addition, when the line width of the wiring is reduced and the dielectric layer is thinned, the pixel is easily affected by noise. In order to solve these problems, a microlens is placed above the color filter formed corresponding to the photodiode formed on the semiconductor substrate that serves as the image sensor, and the light sensitivity is increased by collecting the incident light. It is increasing.
しかし、マイクロレンズを配置したとしても、マイクロレンズと受光素子としてのCMOSやCCDからなるフォトダイオードとの距離が大きいと、入射光を効率よく集光できない。例えば、画素サイズが1.5μm、マイクロレンズからフォトダイオードまでの距離が5μmであれば、カメラレンズから入射する光が20°の角度を持っていたとしても、マイクロレンズからフォトダイオードには10°程度の角度の範囲の光しか取り込むことができず、集光効率が悪くなってイメージセンサーの感度の低下につながる。 However, even if a microlens is disposed, incident light cannot be efficiently collected if the distance between the microlens and a photodiode made of CMOS or CCD as a light receiving element is large. For example, if the pixel size is 1.5 μm and the distance from the microlens to the photodiode is 5 μm, even if the light incident from the camera lens has an angle of 20 °, the angle from the microlens to the photodiode is 10 °. Only light within a certain angle range can be taken in, resulting in poor light collection efficiency and reduced sensitivity of the image sensor.
図1にオンチップカラーフィルター(フォトダイオードが形成された半導体基板に形成し、対応するフォトダイオードに所定の波長の光を入射させるためのカラーフィルター)を有する従来のイメージセンサーの断面図を示す。半導体基板11に複数のフォトダイオード12が形成され、半導体基板11の表面にはシリコン酸化膜またはシリコン窒素酸化膜(図示せず)が形成されている。半導体基板11上には透明樹脂からなる平坦化層(PL)13が形成されている。平坦化層(PL)13上には、顔料や染料などの色素を分散させた透明樹脂からなる、赤色カラーフィルター14、緑色カラーフィルター15、および青色カラーフィルター16がフォトダイオードに対応して形成されている。これらのカラーフィルター上に透明樹脂からなる平滑化層(FL)17が形成され、その上にフォトダイオードに対応して複数のマイクロレンズ18が形成されている。
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a conventional image sensor having an on-chip color filter (a color filter formed on a semiconductor substrate on which a photodiode is formed and for allowing light of a predetermined wavelength to enter the corresponding photodiode). A plurality of
平坦化層(PL)13は、半導体基板表面の凹凸を平坦化するとともに、カラーフィルターと半導体基板との接着層としての機能を有する。平滑化層(FL)17は、3色のカラーフィルターの画素間段差を解消し、マイクロレンズ18を形状良く形成しやすくする。マイクロレンズ18は、集光性を高めるため、個々のレンズ間のギャップをできるだけ狭くし、かつレンズ形状を理想曲線に近づけることが好ましい。画素間の段差が大きく、平滑化層(FL)17の平坦性が悪いと、レンズ形状が所望する形状とならず、画素間でレンズ特性にばらつきが生じるおそれがある。
The planarization layer (PL) 13 functions as an adhesive layer between the color filter and the semiconductor substrate while planarizing unevenness on the surface of the semiconductor substrate. The smoothing layer (FL) 17 eliminates the steps between the pixels of the three color filters and makes it easier to form the
カラーフィルターは、例えば以下のようにして形成される。すなわち、まず、感光性樹脂、顔料や染料などの色素、溶剤および添加剤を含むカラーレジストを、スピンナーなどの塗布装置で平坦化層(PL)13上に形成する。次いで、ステッパーなどの露光装置を用い、パターン露光用フォトマスクを介して所定の領域のカラーレジストを選択的に露光(パターン露光)する。次いで、有機アルカリ水溶液などを用いて現像することにより所定の部位にカラーレジストのパターンを残し、純水等を用いて水洗リンスした後、200℃以上の温度でレジストパターンを硬化させる。このような工程を赤色レジスト、緑色レジスト、青色レジストで3回繰り返すことにより、緑色カラーフィルター、赤色カラーフィルターおよび青色カラーフィルターを得る。 The color filter is formed as follows, for example. That is, first, a color resist including a photosensitive resin, a pigment such as a pigment or a dye, a solvent, and an additive is formed on the planarizing layer (PL) 13 by a coating apparatus such as a spinner. Next, a color resist in a predetermined region is selectively exposed (pattern exposure) through a photomask for pattern exposure using an exposure apparatus such as a stepper. Subsequently, the resist pattern is cured at a temperature of 200 ° C. or more after leaving a color resist pattern at a predetermined portion by developing with an organic alkaline aqueous solution and rinsing with pure water or the like. By repeating such a process three times with a red resist, a green resist, and a blue resist, a green color filter, a red color filter, and a blue color filter are obtained.
図2(a)〜(c)を参照してカラーフィルターの配置および形成順序を説明する。このカラーフィルターは、いわゆるBayer配列をとっている。まず、図2(a)に示すように、平坦化層13上に緑色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って緑色領域に緑色カラーフィルター15を市松模様のパターンに配置する。次に、図2(b)に示すように、全面に青色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って青色領域に青色カラーフィルター16を縦横に配置する。さらに、図2(c)に示すように、全面に赤色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色領域に赤色カラーフィルター14を縦横に配置する。
The arrangement and formation order of the color filters will be described with reference to FIGS. This color filter has a so-called Bayer array. First, as shown in FIG. 2A, a green color resist is applied on the planarizing
なお、緑色、赤色および青色の色分離を良好にするために、緑色の領域を黄色カラーフィルターと緑色カラーフィルターの二層構成とし、赤色の領域を黄色カラーフィルターと赤色カラーフィルターの二層構成とすることが提案されている(特許文献1参照)。この場合にも、カラーフィルターは平坦化層の上に形成されている。また、特許文献1では、黄色カラーフィルター、緑色および赤色のカラーフィルターの一方および他方、青色カラーフィルターの順にカラーフィルターを形成している。
In order to improve the color separation of green, red, and blue, the green region has a two-layer configuration of a yellow color filter and a green color filter, and the red region has a two-layer configuration of a yellow color filter and a red color filter. It has been proposed (see Patent Document 1). Also in this case, the color filter is formed on the planarizing layer. In
しかし、画素サイズが微細になると、露光時にカラーレジストにフォトマスク上のパターンの形状が正確に転写されなくなる。この結果、現像後に、図3(a)に示すように、緑色カラーフィルター15のコーナー部が欠け、ギャップ15aが生じることがある。このギャップ15aを通して光が漏れるため、得られた画像にノイズが入る原因となる。
However, when the pixel size is reduced, the shape of the pattern on the photomask is not accurately transferred to the color resist during exposure. As a result, after development, as shown in FIG. 3A, the corner portion of the
マイクロレンズを形状良く形成するため、マイクロレンズの下地となる面の平坦性を確保するためには、平坦化層(PL)13および平滑化層(FL)17を厚くする必要がある。しかし、この場合には上述したようにマイクロレンズからフォトダイオードまでの距離が大きくなるため感度が低下する。 In order to form the microlens with a good shape, it is necessary to increase the thickness of the planarization layer (PL) 13 and the smoothing layer (FL) 17 in order to ensure the flatness of the surface serving as the base of the microlens. However, in this case, as described above, the distance from the microlens to the photodiode is increased, so the sensitivity is lowered.
図3(a)に示したギャップ15aの発生を防止するために、図3(b)のように緑色カラーフィルター15のコーナー部にブリッジ15bを追加形成することも考えられる。しかし、ブリッジ15bを形成すると、青色および赤色の領域が小さくなり、青色領域及び赤色領域への集光性が低下し、画像の色バランスが悪くなる。また、緑色カラーフィルター15を形成後に緑色レジストの不要な残渣が生じやすくなり、また、パターンの開口形状が丸くなりやすくなるという問題が生じる。
In order to prevent the generation of the
一方、感度を重視して、マイクロレンズからフォトダイオードまでの距離を小さくするために、図4に示すように、平坦化層(PL)を省略した構造のイメージセンサーも提案されている。図4のイメージセンサーは、半導体基板11/3色のカラーフィルター14、15、16/平滑化層17/マイクロレンズ18という積層構造を有する。
On the other hand, in order to reduce the distance from the microlens to the photodiode with an emphasis on sensitivity, an image sensor having a structure in which the planarization layer (PL) is omitted as shown in FIG. 4 has been proposed. The image sensor of FIG. 4 has a laminated structure of
しかし、図4のイメージセンサーでは、レジストへのパターン露光の際に膜厚の厚いカラーレジストの底部にまで十分な露光光が達しにくくなる結果、カラーフィルターの密着性が悪くなるという問題が生じる。特に画素サイズが小さくなると基板とカラーフィルターとの接触面積が減るため、カラーフィルターの密着性の悪化によるパターン剥れの問題が著しくなる。なお、レジストへの露光光の波長はi線(365nm)の光を使うのが主流となっている。青色のレジストはi線の透過率が低いので特に青色レジストの下地への密着力が小さくなり、青色レジストの剥れ問題は大きかった。カラーフィルターの密着性を確保するためには、カラーレジストへの露光量を増やすことが考えられる。しかし、その場合、パターン露光用マスクに形成する露光用パターンの補正を大きくする必要があり、カラーフィルターの形状を悪化させるか、または解像度を低下させることになる。また、色素として顔料を含むカラーフィルターでは、必要な分光特性を持たせるために、顔料濃度が限界に近くなっているため、必要な分光特性を持たせるとともに密着性を向上させることは困難である。 However, the image sensor shown in FIG. 4 has a problem in that the color filter has poor adhesion as a result of the difficulty in reaching sufficient exposure light to the bottom of the thick color resist during pattern exposure of the resist. In particular, when the pixel size is reduced, the contact area between the substrate and the color filter is reduced, so that the problem of pattern peeling due to deterioration of the adhesion of the color filter becomes significant. Note that i-line (365 nm) light is mainly used as the wavelength of exposure light to the resist. Since the blue resist has a low i-line transmittance, the adhesion of the blue resist to the base is particularly small, and the blue resist peeling problem is large. In order to ensure the adhesion of the color filter, it is conceivable to increase the exposure amount to the color resist. However, in that case, it is necessary to increase the correction of the exposure pattern formed on the pattern exposure mask, which deteriorates the shape of the color filter or lowers the resolution. In addition, in a color filter including a pigment as a pigment, the pigment concentration is close to the limit in order to provide the necessary spectral characteristics, so it is difficult to provide the necessary spectral characteristics and improve adhesion. .
また、図1および図4のいずれの構造のイメージセンサーでも、膜厚の厚い緑色カラーフィルター15を形成した後に、青色カラーフィルター16を形成しようとすると、緑色カラーフィルター15と青色カラーフィルター16との境界の青色カラーフィルター16のエッジ部にツノ段差が生じやすい。青色カラーフィルター16にツノ段差(突起)が生じた場合には、画素間段差の影響を少なくするために平滑化層(FL)17を厚くする必要がある。しかし、この場合、マイクロレンズからフォトダイオードまでの距離が大きくなるため感度が低下する。
本発明の目的は、微細な画素サイズであっても、基板への密着性が高く、形状に優れたカラーフィルターを有し、かつマイクロレンズからフォトダイオードまでの距離が短く、感度の高いイメージセンサーを提供することにある。 The object of the present invention is to provide a highly sensitive image sensor having a color filter having high adhesion to a substrate, excellent shape, and a short distance from a microlens to a photodiode even with a fine pixel size. Is to provide.
請求項1に係る発明は、複数のフォトダイオードが形成された半導体基板と、それぞれのフォトダイオードに対応して形成された緑色、赤色および青色のカラーフィルターとを
有するイメージセンサーにおいて、前記半導体基板はその上に平坦化層を有さず、緑色の領域の前記半導体基板上に直接形成された黄色カラーフィルターとその上に積層された緑色カラーフィルターとを有し、赤色の領域の前記半導体基板上に直接形成された黄色カラーフィルターとその上に積層された赤色カラーフィルターとを有し、前記黄色カラーフィルターの厚さが0.05〜0.5μmであり、前記青色カラーフィルター、緑色カラーフィルターおよび赤色カラーフィルターの上に、さらに平滑化層およびマイクロレンズを有することを特徴とするイメージセンサーを製造するにあたり、前記半導体基板上に直接に黄色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色および緑色の領域に黄色カラーフィルターのパターンを形成する工程と、全面に青色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って青色の領域に青色カラーフィルターのパターンを形成する工程と、全面に赤色カラーレジストおよび緑色カラーレジストのうち一方を塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色および緑色のうち一方の領域に黄色カラーフィルター上に積層された赤色カラーフィルターおよび緑色カラーフィルターのうち一方を形成する工程と、全面に赤色カラーレジストおよび緑色カラーレジストのうち他方を塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色および緑色のうち他方の領域に黄色カラーフィルター上に積層された赤色カラーフィルターおよび緑色カラーフィルターのうち他方を形成する工程とを、この順序で有することを特徴とするイメージセンサーの製造方法である。
The invention according to
本発明によれば、1μm前後の画素サイズであっても、基板への密着性が高く、形状に優れたカラーフィルターを有し、かつマイクロレンズからフォトダイオードまでの距離が短く、感度の高いイメージセンサーを提供することができる。 According to the present invention, even when the pixel size is around 1 μm, the image has a high sensitivity to the substrate, has a color filter excellent in shape, and has a short distance from the microlens to the photodiode, and has a high sensitivity. A sensor can be provided.
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図5に本発明の一実施形態に係るイメージセンサーの断面図を示す。半導体基板11には受光素子としてCMOSやCCDからなる複数のフォトダイオード12が形成され、半導体基板11の表面にはシリコン酸化膜またはシリコン窒素酸化膜(図示せず)が形成されている。赤色および緑色の領域には、半導体基板11上に直接、黄色カラーフィルター21が形成されている。黄色カラーフィルター21は、従来の赤色カラーフィルターと緑色カラーフィルターに共通に含まれていた黄色顔料を含んでいる。赤色の領域には黄色カラーフィルター21上に赤色カラーフィルター14が積層されている。本発明に用いる赤色カラーフィルター14は、従来の赤色カラーフィルターに含まれていた黄色顔料のうち、黄色カラーフィルター21に含まれる黄色顔料を有さない。すなわち、本発明では、黄色カラーフィルター21と赤色カラーフィルター14の二層で従来の赤色カラーフィルターと同様の所定の分光特性を示す。緑色の領域には黄色カラーフィルター21上に緑色カラーフィルター15が積層されている。本発明に用いる緑色カラーフィルター15は、従来の緑色カラーフィルターに含まれていた黄色顔料のうち、黄色カラーフィルター21に含まれる黄色顔料を有さない。すなわち、本発明では、黄色カラーフィルター21と緑色カラーフィルター15の二層で従来の緑色カラーフィルターと同様の所定の分光特性を示す。青色の領域には半導体基板11上に直接、青色カラーフィルター16が形成されている。これらのカラーフィルター上に透明樹脂からなる平滑化層(FL)17が形成され、その上にマイクロレンズ18が形成されている。
FIG. 5 shows a cross-sectional view of an image sensor according to an embodiment of the present invention. A plurality of
図6(a)〜(d)を参照してカラーフィルターの配置および形成順序を説明する。このカラーフィルターは、いわゆるBayer配列をとっている。まず、図6(a)に示すように、半導体基板11上に直接に黄色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色および緑色の領域に黄色カラーフィルター21のパターンを配置する。次いで、図6(b)に示すように、全面に青色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って青色領域に青色カラーフィルター16を縦横に配置する。次いで、図6(c)に示すように、全面に赤色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色領域に赤色カラーフィルター14を縦横に配置する。次いで、図6(d)に示すように、全面に緑色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って緑色領域に緑色カラーフィルター15を縦横に配置する。なお、青色カラーフィルター16を形成した後は、赤色カラーフィルター14と緑色カラーフィルター15の形成順序はどちらが先でもよい。
The arrangement and formation order of the color filters will be described with reference to FIGS. This color filter has a so-called Bayer array. First, as shown in FIG. 6A, a yellow color resist is applied directly on the
本発明によれば、平坦化層を省略しているので、マイクロレンズ18からフォトダイオード12までの距離を小さくでき、高感度を維持できる。また、半導体基板11上に直接形成される黄色カラーフィルター21の膜厚が薄く、露光時に底部まで露光光が十分に達するので、黄色カラーフィルター21を半導体基板11に強固に接着させることができる。また、薄い黄色カラーフィルター21と接して、黄色カラーフィルター21より厚い膜厚で形成される青色カラーフィルター16では、黄色フィルター21と青色フィルター16との境界部のエッジにツノ段差(突起)が生じにくく、平滑化層17を厚くする必要がないので、感度の低下を招くことがない。なお、黄色カラーフィルター21の厚さが0.05〜0.5μmであれば、これらの効果を得るのに有効である。また、黄色カラーフィルター21によって緑色カラーフィルター15および赤色カラーフィルター14を保持することができ、これらのカラーフィルターの剥がれを防止できる。また、黄色カラーフィルター21、緑色カラーフィルター15および赤色カラーフィルター14によって、隣接する青色カラーフィルター16は保持されるので、青色カラーフィルター16の剥れも防止できる。したがって、1μm前後の微細な画素サイズであっても密着性、解像性に優れたカラーフィルターを有し、かつ感度の高いイメージセンサーを提供することができる。
According to the present invention, since the planarization layer is omitted, the distance from the
以下、本発明において用いられる材料について説明する。 Hereinafter, the material used in the present invention will be described.
3原色のカラーフィルターを有するイメージセンサーにおける各カラーフィルターの主感度は、青色が450nm、緑色が530nm、赤色が620nm付近にある。 The main sensitivities of the color filters in the image sensor having the three primary color color filters are around 450 nm for blue, 530 nm for green, and 620 nm for red.
従来の緑色カラーフィルターは数種の緑色の色素と黄色の色素を含み、特に400〜480nmの透過率を黄色の色素で調整している。また、赤色カラーフィルターは数種の赤色の色素と黄色の色素を含み、特に400〜450nmの透過率を黄色の色素で調整している。このため、本発明のように緑色領域を黄色の色素を含む黄色カラーフィルターと緑色の色素を含む緑色カラーフィルターとの二層構成とし、赤色領域では前記緑色領域で形成したのと同一の黄色カラーフィルターと赤色の色素を含む赤色カラーフィルターとの二層構成とした場合にも各々の領域で所望の透過率を得ることができる。 A conventional green color filter contains several kinds of green pigments and yellow pigments, and in particular, the transmittance of 400 to 480 nm is adjusted with yellow pigments. The red color filter includes several red pigments and a yellow pigment, and the transmittance of 400 to 450 nm is particularly adjusted with the yellow pigment. Therefore, as in the present invention, the green region has a two-layer structure of a yellow color filter containing a yellow pigment and a green color filter containing a green pigment, and in the red region, the same yellow color as that formed in the green region Even in the case of a two-layer configuration of a filter and a red color filter containing a red pigment, a desired transmittance can be obtained in each region.
本発明の黄色カラーフィルター21に用いられる黄色の顔料または染料としては以下のようなものが挙げられる。黄色顔料としては、例えばC.I.ピグメントイエロー139、C.I.ピグメントイエロー150、C.I.ピグメントイエロー185などを単独でまたは混合して使用することができる。黄色染料としては、例えばC.I.Acidイエロー17、49、67、72、127、110などを使用することができる。
Examples of the yellow pigment or dye used in the
本発明の緑色カラーフィルター15に用いられる緑色の顔料または染料としては以下のようなものが挙げられる。緑色顔料としては、例えばC.I.ピグメントグリーン7、36、37を使用することができる。緑色染料としては、例えばC.I.Acidグリーン25、41を使用することができる。
Examples of the green pigment or dye used in the
本発明の赤色カラーフィルター14に用いられる赤色の顔料または染料としては以下のようなものが挙げられる。赤色顔料としては、例えばC.I.ピグメントレッド123、155、168、177、180、217、220のいずれかを使用することができる。赤色染料としては、例えばC.I.Acidレッド37、50、111、114、257、266のいずれかを使用することができる。
Examples of the red pigment or dye used in the
すなわち、例えば、従来の緑色フィルターは、黄色顔料としてC.I.ピグメントイエロー139と、緑色顔料としてC.I.ピグメントグリーン7、36、37を含むものとする。また、従来の赤色フィルターは、黄色顔料としてC.I.ピグメントイエロー139と、赤色顔料としてC.I.ピグメントレッド123を含むものとする。その場合、本発明では、黄色フィルター21にC.I.ピグメントイエロー139を含め、赤色フィルター14にはC.I.ピグメントレッド123を、また、緑色フィルター15にはC.I.ピグメントグリーン7、36、37を含ませる。
That is, for example, a conventional green filter has C.I. I. Pigment Yellow 139 and C.I. I. Pigment Green 7, 36, and 37 are included. Further, the conventional red filter has C.I. I. Pigment Yellow 139 and C.I. I. Pigment Red 123 is included. In that case, in the present invention, the
青色カラーフィルターに用いられる青色の顔料または染料としては以下のようなものが挙げられる。青色顔料としては、例えばC.I.ピグメントブルー15、15:3、15:4、15:6、6、22、60のいずれかを使用することができる。青色染料としては、例えばC.I.Acidブルー41、83、90、113、129のいずれかを使用することができる。
Examples of the blue pigment or dye used in the blue color filter include the following. Examples of blue pigments include C.I. I. Any of
平滑化層17の材料としては、例えば熱硬化性のアクリル樹脂を用いることができる。
As a material of the
マイクロレンズに用いられる材料およびその製造方法を説明する。まず、平滑化層17の上に例えばアクリル樹脂の塗布液を用いて透明樹脂層を形成する。次に、透明樹脂層の上に例えばアルカリ可溶性・感光性・熱フロー性をもつ例えばフェノール樹脂からなるレンズ母型材料を塗布する。次に、公知のフォトリソグラフィーブロセスを使用して、レンズ母型となる領域を残すようにレンズ母型材料をパターニングする。残されたレンズ母型材料を熱処理して熱リフローさせ、半球状に変形させてレンズ母型を形成する。リフロー量を片側0.1μm程度の適正量にすることにより、単位レンズ母型間のギャップが例えば0.24μm程度のスムースな半球状にすることができる。次に、ドライエッチング装置により、CF4、C4F8の混合ガスを用い、レンズ母型をマスクとして透明樹脂層に対してレンズ母型の形状の転写処理を行い、マイクロレンズを形成する。レンズ母型および透明樹脂層を上方から均一にエッチングすると、レンズ母型の形状を保ったまま下方にエッチングが進むため、透明樹脂層の形状をレンズ母型の形状と同じ形状にエッチングすることができる。マイクロレンズは高さが例えば1μm、単位レンズ間のギャッブが例えば0.04μmとなる。
A material used for the microlens and a manufacturing method thereof will be described. First, a transparent resin layer is formed on the
11…半導体基板、12…フォトダイオード、13…平坦化層(PL)、14…赤色カラーフィルター、15…緑色カラーフィルター、16…青色カラーフィルター、17…平滑化層(FL)、18…マイクロレンズ、21…赤色カラーフィルター。
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記半導体基板上に直接に黄色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色および緑色の領域に黄色カラーフィルターのパターンを形成する工程と、
全面に青色カラーレジストを塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って青色の領域に青色カラーフィルターのパターンを形成する工程と、
全面に赤色カラーレジストおよび緑色カラーレジストのうち一方を塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色および緑色のうち一方の領域に黄色カラーフィルター上に積層された赤色カラーフィルターおよび緑色カラーフィルターのうち一方を形成する工程と、
全面に赤色カラーレジストおよび緑色カラーレジストのうち他方を塗布し、パターン露光、現像および熱硬化を行って赤色および緑色のうち他方の領域に黄色カラーフィルター上に積層された赤色カラーフィルターおよび緑色カラーフィルターのうち他方を形成する工程と
を、この順序で有することを特徴とするイメージセンサーの製造方法。 In an image sensor having a semiconductor substrate on which a plurality of photodiodes are formed and green, red, and blue color filters formed corresponding to the respective photodiodes, the semiconductor substrate has a planarization layer thereon. First, a yellow color filter directly formed on the semiconductor substrate in the red region, having a yellow color filter directly formed on the semiconductor substrate in the green region and a green color filter laminated thereon And a red color filter laminated thereon, and the thickness of the yellow color filter is 0.05 to 0.5 μm, and further on the blue color filter, the green color filter and the red color filter, In manufacturing an image sensor having a smoothing layer and a microlens. Ri,
Applying a yellow color resist directly on the semiconductor substrate, performing pattern exposure, development and thermosetting to form a pattern of yellow color filters in the red and green regions; and
Applying a blue color resist on the entire surface, pattern exposure, development and thermosetting to form a blue color filter pattern in the blue region;
A red color filter and a green color filter are coated on one surface of the red and green color resists, patterned, developed, and heat-cured. A step of forming one of
Red color filter and green color filter are applied on the entire surface, the other of red color resist and green color resist is applied, pattern exposure, development and heat curing are performed, and the other region of red and green is laminated on the yellow color filter. And forming the other one of them in this order .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007327780A JP5564751B2 (en) | 2007-12-19 | 2007-12-19 | Manufacturing method of image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007327780A JP5564751B2 (en) | 2007-12-19 | 2007-12-19 | Manufacturing method of image sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009152314A JP2009152314A (en) | 2009-07-09 |
JP5564751B2 true JP5564751B2 (en) | 2014-08-06 |
Family
ID=40921133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007327780A Active JP5564751B2 (en) | 2007-12-19 | 2007-12-19 | Manufacturing method of image sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5564751B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5649990B2 (en) * | 2010-12-09 | 2015-01-07 | シャープ株式会社 | Color filter, solid-state imaging device, liquid crystal display device, and electronic information device |
CN103926629B (en) * | 2013-01-11 | 2017-03-08 | 原相科技股份有限公司 | optical device, photosensitive element using microlens and manufacturing method thereof |
KR102354075B1 (en) * | 2017-08-22 | 2022-01-24 | 후지필름 가부시키가이샤 | Structure, method for manufacturing structure, composition for forming absorption layer, solid-state image sensor and image display device |
US20190339422A1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | Visera Technologies Company Limited | Method for forming micro-lens array and photomask therefor |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10107238A (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Sony Corp | Solid state image-sensing device and its manufacture |
JP4810812B2 (en) * | 2004-09-09 | 2011-11-09 | 凸版印刷株式会社 | Color solid-state image sensor |
JP4725108B2 (en) * | 2005-01-11 | 2011-07-13 | 凸版印刷株式会社 | Color solid-state image sensor |
-
2007
- 2007-12-19 JP JP2007327780A patent/JP5564751B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009152314A (en) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4598680B2 (en) | Solid-state imaging device and camera | |
JP4822683B2 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
WO2013121742A1 (en) | Image pickup element | |
US20060292731A1 (en) | CMOS image sensor and manufacturing method thereof | |
JP2012191136A (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
TW200403842A (en) | Solid image-pickup device and method of manufacturing the same | |
KR100720509B1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
KR100649031B1 (en) | Method for manufacturing of cmos image sensor | |
KR20100031874A (en) | Cmos image sensor and method for manufacturing the device | |
JP2011171328A (en) | Solid-state image pickup element and method of manufacturing the same | |
JP5564751B2 (en) | Manufacturing method of image sensor | |
JP2006003869A (en) | Method for forming microlenses of image sensor | |
JP4905760B2 (en) | Color filter manufacturing method, color filter, solid-state image sensor manufacturing method, and solid-state image sensor using the same | |
JP2005079344A (en) | Solid state imaging apparatus and its manufacturing method | |
JP2009198547A (en) | Manufacturing method for microlens for solid imaging element, and microlens for solid imaging element | |
JP2006186203A (en) | Solid-state image pick-up device, manufacturing method therefor, and camera | |
JP2009152315A (en) | Image sensor and its manufacturing method | |
JP5027081B2 (en) | Color imaging device and method for manufacturing color imaging device | |
JP2016219703A (en) | Solid-state imaging element and method for manufacturing solid-state imaging element | |
JP2012099639A (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
KR100734688B1 (en) | Method for manufacturing image sensor | |
JP4367078B2 (en) | Color solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
JP2011165791A (en) | Solid-state imaging element, and method of manufacturing the same | |
JP4997907B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and camera | |
JP2007079154A (en) | Forming method for color filter and manufacturing method for solid-state imaging element using forming method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111122 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130807 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140422 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5564751 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |