JP5563269B2 - Glass polishing composition - Google Patents

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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Description

本発明は、ガラスポリッシング加工用組成物に関する。特に、ガラス基板の研削性を向上し、基板表面上のスクラッチや微小付着物を低減した、ポリッシング加工用組成物に関し、さらに磁気ディスク用のガラス基板等のポリッシングに適する加工用組成物の提供に関する。   The present invention relates to a glass polishing composition. In particular, the present invention relates to a polishing composition that improves the grindability of a glass substrate and reduces scratches and fine deposits on the substrate surface, and further relates to the provision of a processing composition suitable for polishing such as a glass substrate for a magnetic disk. .

ガラスポリッシング加工用には、これまで、砥粒と水、界面活性剤、溶剤、アミン類、アルカリ等の添加剤を配合した研磨液スラリーを用いて基板表面を研磨し、平坦化する技術が種々提案されてきた。   For glass polishing, various technologies have been used to polish and flatten the substrate surface with a polishing slurry containing abrasive grains and water, surfactants, solvents, amines, alkalis and other additives. Has been proposed.

中でも、ガラス基板の需要の大きく重要な用途である、磁気ディスク装置に使用されているメモリーハードディスクは、近年、大容量化、高密度化の方向にあり、磁気媒体は従来の塗布型媒体からメッキ法、さらに、スパッタリング法による薄膜媒体へと移行している。そして、高密度化に伴いメモリーハードディスクと磁気ヘッドとの間隔、すなわち、ヘッド浮上高はますます小さくなってきており、最近では0.01μm以下になっている。
このメモリーハードディスクにおいては、非磁性基板上に設けられた磁性層の磁気異方性制御や記録再生ヘッドの貼りつき(吸着)防止を目的として、テキスチャリング加工と呼ばれる微細な凹凸を付与する表面加工が行われることも多い。さらに、ヘッド浮上高が著しく小さいために、ディスクに突起があるとヘッドクラッシュを招き、ディスク表面の磁性媒体や磁気ヘッドを損傷させることがある。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小の突起でも、突起部の磁気特性の乱れによって、情報の読み書きの際に種々のエラー原因になりやすい。また、深い溝の存在は、ヘッドディスク間の距離を広げ、信号出力が弱まりエラー原因となる。従って、磁性媒体を形成する前のメモリーハードディスク基板研削工程等での大きな凹凸の発生を防ぐことが重視されているのが近年の傾向である。
In particular, memory hard disks used in magnetic disk drives, which are a major and important application for glass substrates, are in the direction of higher capacity and higher density in recent years. Magnetic media can be plated from conventional coated media. Method, and further to a thin film medium by sputtering. As the density increases, the distance between the memory hard disk and the magnetic head, that is, the flying height of the head is becoming smaller, and recently it has become 0.01 μm or less.
In this memory hard disk, surface processing that gives fine irregularities called texturing processing for the purpose of controlling the magnetic anisotropy of the magnetic layer provided on the nonmagnetic substrate and preventing sticking (adsorption) of the recording / reproducing head Is often performed. Further, since the flying height of the head is extremely small, if there is a protrusion on the disk, a head crash may occur and the magnetic medium or magnetic head on the disk surface may be damaged. Even a minute protrusion that does not lead to a head crash is likely to cause various errors in reading and writing information due to disturbance of the magnetic characteristics of the protrusion. Also, the presence of deep grooves increases the distance between the head disks, weakens the signal output and causes an error. Therefore, in recent years, it has been emphasized to prevent the generation of large irregularities in the memory hard disk substrate grinding process before forming the magnetic medium.

特開2008−105168JP2008-105168 特表2005−515646Special table 2005-515646

(特開2008−105168)
この特許文献では、溶融冷却、熱処理、酸処理及び分離抽出を含む、特定の製造方法で得られた、特定組成の酸化セリウム砥粒を含有するスラリーを用いた、ガラス製ハードディスク基板主表面の高精度研磨方法が提案されている。また、研磨に際して、スラリーが含有するアミノ基を含む水溶性高分子として、ポリアミドアミン、ポリエーテルアミン及び脂肪族ポリアミンの使用も提案されている。しかし、その使用の目的は、研磨時の段差選択性の付与などとされているだけで、使用による効果は、具体的に明記されてはいない。むしろ、砥粒の如何を問わない高精度研磨が、求められている。
(Japanese Patent Laid-Open No. 2008-105168)
In this patent document, the height of the main surface of a glass hard disk substrate using a slurry containing cerium oxide abrasive grains having a specific composition obtained by a specific manufacturing method including melt cooling, heat treatment, acid treatment, and separation and extraction is described. A precision polishing method has been proposed. In addition, use of polyamidoamines, polyetheramines and aliphatic polyamines as water-soluble polymers containing amino groups contained in the slurry during polishing has also been proposed. However, the purpose of the use is merely to provide step selectivity at the time of polishing, and the effect of use is not specifically described. Rather, high-accuracy polishing regardless of the abrasive grains is required.

(特表2005−515646)
この特許文献では、研磨材と、ポリアミノアミドのようなアミン含有ポリマーとを配合した、半導体材料の化学的−機械的ポリッシング(CMP)システムが提案されている。しかし、この発明が、配合するアミン含有ポリマーに期待し、意図しているのは、基板層の除去を遅くするが金属層の除去には影響しない、選択的な研磨を可能にする、停止化合物の作用であり、その効果は、特定のポリアミノアミドについては達成が確認されている。ところが、このシステムを、金属層を有していないガラス基板のポリッシング加工に適用したとき、どのような研磨効果を奏するものか明示されてはいない。
(Special Table 2005-515646)
This patent document proposes a chemical-mechanical polishing (CMP) system for semiconductor materials in which an abrasive and an amine-containing polymer such as polyaminoamide are blended. However, the present invention is expected and intended for amine-containing polymers to be formulated, a stop compound that allows selective polishing that slows the removal of the substrate layer but does not affect the removal of the metal layer. This effect has been confirmed to be achieved for specific polyaminoamides. However, when this system is applied to a polishing process of a glass substrate not having a metal layer, what kind of polishing effect is exhibited is not clearly described.

ガラスポリッシング加工においては、表面の研磨速度を高めること、キズやスクラッチを低減すること、表面粗さを小さくし基板表面を平坦化すること、基板表面の付着物を低減することができる、ポリッシング用組成物が求められていた。
さらに、前述したメモリーハードディスクにおいては、最近、より一層の大容量化、高密度化の必要性に迫られており、ヘッド浮上高がさらに低くなることによって、従来では問題とならない程度のスクラッチや微小付着物(研削クズ)による、収率低下や信号欠落も問題となってきた。従来の組成物ではスクラッチを少なくし、研削速度も大きくすることはできないので、磁気記録媒体として必要な評価を保持しながら、スクラッチが少なく且つ研削速度も大きいバランスの取れた、ポリッシング用組成物が望まれている。
In glass polishing processing, it is possible to increase the polishing rate of the surface, reduce scratches and scratches, reduce the surface roughness and flatten the substrate surface, and reduce deposits on the substrate surface. A composition was sought.
Furthermore, the above-mentioned memory hard disk has recently been required to have a larger capacity and higher density, and since the head flying height is further reduced, scratches and microscopicities that do not pose a problem in the past are required. Yield reduction and signal loss due to deposits (grinding debris) have also become problems. Since the conventional composition cannot reduce scratches and increase the grinding speed, it is possible to provide a balanced polishing composition that has a low scratch and a high grinding speed while maintaining the necessary evaluation as a magnetic recording medium. It is desired.

本発明者らは、このような課題解決を目的とし、ガラスポリッシング用組成物を検討したところ、ポリアルキレンポリアミンとC2〜C12のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸との重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する組成物を使用することによって、スクラッチが少なく且つ研削速度も大きいバランスの取れたポリッシング加工用組成物が得られることがわかった。   The present inventors have studied a glass polishing composition for the purpose of solving such problems, and contain an alkylene oxide adduct of a polycondensate of a polyalkylene polyamine and a C2-C12 alkylene or arylene dicarboxylic acid. It was found that a balanced polishing composition with less scratches and higher grinding speed can be obtained by using the composition.

本発明の効果は、詳細は後述するとおりであるが、主として次の点にある:
1)ガラス基板の研削性向上: 研削性を高め表面粗さを低くし、電磁変換特性を向上させる。
2)スクラッチの低減: ハードディスク表面上のスクラッチ(傷)を減らし、収率を向上させる。
3)研削クズ(微小付着物)除去性の向上: ハードディスク表面上の研削クズ付着量を減らし、収率を向上させる。
The effect of the present invention is as described in detail later, but mainly lies in the following points:
1) Improvement of grindability of glass substrate: Grindability is improved and surface roughness is lowered, and electromagnetic conversion characteristics are improved.
2) Reduction of scratches: Reduces scratches on the hard disk surface and improves yield.
3) Improved removal of grinding scraps (fine deposits): Reduces the amount of grinding scraps adhering to the hard disk surface and improves the yield.

ハードディスク特性の向上
ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する研磨用組成物は、平滑で表面粗さが小さく、スクラッチや付着物の少ない、良好なハードディスク用ガラス基板を製造できる(後記表−1〜12参照)。 その作用メカニズムは明らかでは無いが、次のように推定する。ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物のアミド基及びアミノ基が研磨時にガラス基板表面に吸着することにより、ガラス表面が軟化され、研磨が促進される(金属研磨のレビンダー効果のような作用と推定)。
また表面に吸着膜を形成することで、適度な潤滑性が得られ、スクラッチが減少する。更に、吸着膜は研削屑や砥粒の基板表面への付着を抑制する。
Improvement of hard disk properties Polishing composition containing alkylene oxide adduct of polycondensate of dicarboxylic acid and polyalkylene polyamine is smooth, has a small surface roughness, and is a good glass substrate for hard disk with little scratches and deposits. Can be manufactured (see Tables 1 to 12 below). The mechanism of action is not clear, but is estimated as follows. The amide group and amino group of the alkylene oxide adduct of the polycondensate of dicarboxylic acid and polyalkylene polyamine are adsorbed on the glass substrate surface during polishing, so that the glass surface is softened and polishing is promoted (a metal polishing revider Effects and effects).
Further, by forming an adsorption film on the surface, moderate lubricity can be obtained and scratches can be reduced. Furthermore, the adsorption film suppresses adhesion of grinding scraps and abrasive grains to the substrate surface.

以下、本発明の実施の形態について、詳細に記述する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

A.ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物
本発明のハードディスク用ポリッシング加工用組成物は、後記するように、実用的には、種々の成分を含む組成物であるが、本発明の目的を達成するために、最も重要な成分は、(a)ポリアルキレンポリアミンと、(b)C2〜C12のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸との重縮合物の、(c)C2〜8のアルキレンオキシド付加物であって、
下記の繰り返し単位:
[NR−(R−NR)n−R−NR−CO−R−CO]
(式中、R及びRは、水素原子又はC1〜C8の低級アルキル基であり、R及びRは、アルキレン基であり、Rは、水素原子又は次式
−(RO)mH
(但し、Rは、C2〜8のアルキレン基であり、mは、1〜30の整数である)で示される基であり、n個のRのうち少なくとも1個は式−(RO)mHで示される基であり、nは、1〜30の整数であり、Rは、C2〜C12のアルキレン又はアリーレン基である。)
を有する高分子化合物(A)である。高分子化合物の構成モル比は、好ましくは(a):(b)=1:0.5〜1.5。より好ましくは、(a):(b)=1:0.9〜1.1である。特に好ましくは、(a):(b)=1:0.95〜1.05である。また、該高分子化合物において、ポリアルキレンポリアミン鎖の中間にある窒素原子1個あたりの、アルキレンオキシド(RO)の平均付加モル数は、0.1〜30、好ましくは、0.2〜20、より好ましくは、0.5〜20である。
A. Alkylene oxide adduct of polycondensate of dicarboxylic acid and polyalkylene polyamine The hard disk polishing composition of the present invention is practically a composition containing various components as described later. To achieve the object of the invention, the most important component is (c) a C2-8 alkylene of a polycondensate of (a) a polyalkylene polyamine and (b) a C2-C12 alkylene or arylene dicarboxylic acid. An oxide adduct,
The following repeating units:
[NR 1 - (R 4 -NR 2) n-R 5 -NR 3 -CO-R 6 -CO]
Wherein R 1 and R 3 are a hydrogen atom or a C1-C8 lower alkyl group, R 4 and R 5 are alkylene groups, and R 2 is a hydrogen atom or the following formula — (RO) mH
(Here, R is an alkylene group of C2-8, m is an integer of 1 to 30) a group represented by at least one formula of the n R 2 - (RO) mH N is an integer of 1 to 30, and R 6 is a C2 to C12 alkylene or arylene group. )
It is a high molecular compound (A) which has this. The constituent molar ratio of the polymer compound is preferably (a) :( b) = 1: 0.5 to 1.5. More preferably, (a) :( b) = 1: 0.9 to 1.1. Particularly preferably, (a) :( b) = 1: 0.95 to 1.05. In the polymer compound, the average number of added moles of alkylene oxide (RO) per nitrogen atom in the middle of the polyalkylene polyamine chain is 0.1 to 30, preferably 0.2 to 20, More preferably, it is 0.5-20.

(a)ポリアルキレンポリアミンは、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジイソプロピレントリアミン、ジブチレントリアミン、ジイソブチレントリアミン等のジアルキレントリアミン類、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン等のアミノ基が3個以上のポリアルキレンポリアミン類からなる群より選ばれる少なくとも1種類の化合物である。この中で、特にジエチレントリアミン及びトリエチレンテトラミンが好ましい。ポリアルキレンポリアミン鎖中のアルキレン基R、RがC5以上の場合、水への溶解性が低くなり、不均一な溶液となって研削性能が十分発揮されないので、好ましくない。 (A) The polyalkylene polyamine has dialkylene triamines such as diethylenetriamine, dipropylenetriamine, diisopropylenetriamine, dibutylenetriamine and diisobutylenetriamine, amino groups such as triethylenetetramine, tetraethylenepentamine and pentaethylenehexamine. It is at least one compound selected from the group consisting of 3 or more polyalkylene polyamines. Among these, diethylenetriamine and triethylenetetramine are particularly preferable. When the alkylene groups R 4 and R 5 in the polyalkylene polyamine chain are C5 or more, the solubility in water becomes low, and the resulting solution becomes a non-uniform solution, so that the grinding performance is not sufficiently exhibited.

(b)C2〜C12のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸は、コハク酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、セバシン酸、アゼライン酸、1,10−デカンジカルボン酸、1,1−ジメチル−1,3−プロパンジカルボン酸、1−メチル−1−エチル−1,3−プロパンジカルボン酸等のアルキレンジカルボン酸類、テレフタル酸、イソフタル酸等のアリーレンジカルボン酸類からなる群より選ばれる、少なくとも1種類の化合物である。この中で、特にアジピン酸の使用が望ましい。C12超のジカルボン酸の使用は、水への溶解性が低くなり、不均一な溶液となって研削性能が十分発揮されないので、好ましくない。   (B) C2-C12 alkylene or arylene dicarboxylic acid is succinic acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, sebacic acid, azelaic acid, 1,10-decanedicarboxylic acid, 1,1-dimethyl-1,3- It is at least one compound selected from the group consisting of alkylenedicarboxylic acids such as propanedicarboxylic acid and 1-methyl-1-ethyl-1,3-propanedicarboxylic acid, and arylenedicarboxylic acids such as terephthalic acid and isophthalic acid. Of these, the use of adipic acid is particularly desirable. Use of a dicarboxylic acid exceeding C12 is not preferable because the solubility in water becomes low and the resulting solution becomes a non-uniform solution and the grinding performance is not sufficiently exhibited.

(c)C2〜8のアルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、スチレンオキシド等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いてよい。2種以上を付加させる場合は、得られる化合物はランダム状、ブロック状でも良い。好ましくはC2〜4のアルキレンオキシドであり、より好ましくはエチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシドである。   (C) Examples of the C2-8 alkylene oxide include ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, styrene oxide, and the like, and one or more of these may be used. When adding 2 or more types, the compound obtained may be random or block. C2-4 alkylene oxide is preferable, and ethylene oxide, propylene oxide, and butylene oxide are more preferable.

高分子化合物(A)は、公知の方法を用いて製造することができる。
好ましくは、分子設計が容易なため、(a)ポリアルキレンポリアミンに、(b)C2〜C12のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸を反応させたポリアルキレンポリアミドに(c)C2〜8のアルキレンオキシドを付加させる方法により製造を行う。
The polymer compound (A) can be produced using a known method.
Preferably, since molecular design is easy, (c) C2-8 alkylene oxide is added to (a) polyalkylene polyamine and (b) polyalkylene polyamide obtained by reacting C2 to C12 alkylene or arylene dicarboxylic acid. Manufacture by the method.

具体的には、高分子化合物(A)は、まず(a)ポリアルキレンポリアミンに、(b)C2〜C12のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸を反応させ、ポリアルキレンポリアミドを製造する工程を経る。本工程は公知の方法により行うことができ、とくに重合開始剤等を用いなくとも、脱水重縮合することにより行うことができる。重縮合の方法については、塊状でも溶液中でも良い。溶液中での重縮合はn−ヘキサン、2−エチルヘキサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を用いることができるが、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を用いることが好ましい。
次に、得られたポリアルキレンポリアミドに(c)C2〜8のアルキレンオキシドを付加させる。この付加工程は公知の方法により行うことができ、とくに触媒等を用いなくとも行うことができるが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物等のアルカリ触媒を用いることによっても反応させることができる。また、アルキレンオキシドの付加モル数(m)が2モル以上の場合には、触媒の使用が好ましく、特にアルカリ触媒を用いるのが好ましい。
また、(a)と(b)を反応させて得られたポリアルキレンポリアミドに(c)のアルキレンオキシドを付加させる前に、(a)と(b)のポリアルキレンポリアミドを水に溶解させておくことが好ましい。これは(a)と(b)のポリアルキレンポリアミドが高粘度になることから、あらかじめ水に溶解させポリアルキレンポリアミド水溶液として粘度を低減させておき、次工程のポリアルキレンポリアミドのアミノ残基にアルキレンオキシドを付加しやすくさせるためである。水の量は特に限定しないが、ポリアルキレンポリアミドに対して50〜500重量%であると、粘度を低減させることができ好ましい。また水に溶解させる場合は、アルキレンオキシドの付加反応温度は40〜80℃が好ましい。
Specifically, the polymer compound (A) first undergoes a step of producing a polyalkylene polyamide by reacting (a) a polyalkylene polyamine with (b) a C2 to C12 alkylene or arylene dicarboxylic acid. This step can be performed by a known method, and in particular, can be performed by dehydration polycondensation without using a polymerization initiator or the like. The polycondensation method may be a block or a solution. For the polycondensation in the solution, aliphatic hydrocarbons such as n-hexane, 2-ethylhexane and cyclohexane, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene can be used, but aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene are used. It is preferable to use it.
Next, (c) C2-8 alkylene oxide is added to the obtained polyalkylene polyamide. This addition step can be performed by a known method, and can be performed without using a catalyst or the like, but also by using an alkali catalyst such as an alkali metal hydroxide such as sodium hydroxide or potassium hydroxide. Can be reacted. Further, when the number of added moles (m) of alkylene oxide is 2 moles or more, it is preferable to use a catalyst, and it is particularly preferable to use an alkali catalyst.
Further, before adding the alkylene oxide (c) to the polyalkylene polyamide obtained by reacting (a) and (b), the polyalkylene polyamide (a) and (b) is dissolved in water. It is preferable. This is because the polyalkylene polyamides (a) and (b) have high viscosity, so that they are dissolved in water in advance to reduce the viscosity as an aqueous polyalkylene polyamide solution. This is to facilitate the addition of oxide. The amount of water is not particularly limited, but it is preferably 50 to 500% by weight based on the polyalkylene polyamide because the viscosity can be reduced. Moreover, when making it melt | dissolve in water, the addition reaction temperature of alkylene oxide has preferable 40-80 degreeC.

ジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物自体は、ガラスポリッシング加工用組成物に配合しても、基板表面の、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数における、研磨状態の改善は全く認められず、かつ、得られた基板表面に形成された記録媒体においても、SNR、グライド収率、エラー収率、ミッシングカウントのいずれの点においても、改善は全く認められない。本発明の顕著な効果は、該重縮合物のアルキレンオキシド付加物によって、初めて達成されるものである。
本発明における、ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物の配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物の全重量100重量部に対して1〜10重量部、好ましく1〜8重量部であり、特に好ましくは2〜6重量部である。この範囲未満ではスクラッチ及び微小付着物除去能が不十分であり、超過すると配合安定性が不安定(他の成分が析出するケースがあり)となるので、好ましくない。
また、このジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物の分子量は、本発明の顕著な効果を奏する点では、500〜200000の範囲内にあることが好ましく、1000〜100000の範囲内にあることがより好ましい。
Even if the polycondensate itself of dicarboxylic acid and polyamine is blended in the glass polishing composition, the polishing state, the surface roughness, the scratch generation rate, and the number of particles on the substrate surface are completely improved. Even in the recording medium formed on the surface of the obtained substrate, no improvement is observed in any of SNR, glide yield, error yield, and missing count. The remarkable effect of the present invention is achieved for the first time by the alkylene oxide adduct of the polycondensate.
In the present invention, the blending amount of the alkylene oxide adduct of the polycondensate of dicarboxylic acid and polyalkylene polyamine is 1 to 10 parts by weight, preferably 1 to 8 parts per 100 parts by weight of the total weight of the glass polishing composition. Parts by weight, particularly preferably 2 to 6 parts by weight. If the amount is less than this range, the ability to remove scratches and fine deposits is insufficient, and if it exceeds, the blending stability becomes unstable (in some cases, other components may precipitate), which is not preferable.
The molecular weight of the alkylene oxide adduct of the polycondensate of dicarboxylic acid and polyamine is preferably in the range of 500 to 200,000, more preferably in the range of 1000 to 100,000 in terms of achieving the remarkable effects of the present invention. More preferably.

ポリッシング加工用組成物の具体的組成
本発明のハードディスク用ポリッシング加工用組成物は、実用上、さらに、アルカリエッチング剤、アミン類、界面活性剤、アクリル酸系水溶性ポリマーを含むものが好ましく、具体的には、ガラスポリッシング加工用組成物の全重量100重量部に対して、次の組成を有するものが挙げられる。
A.ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物の
アルキレンオキシド付加物: 1〜10重量部
B.アルカリエッチング剤: 0〜30重量部
アミン類: 1〜30重量部
C.界面活性剤: 0.01〜30重量部
D.アクリル酸系水溶性ポリマー: 0〜10重量部
E.水: 20〜97重量部
好ましくは、
A.ジカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物の
アルキレンオキシド付加物: 1〜8重量部
B.アルカリエッチング剤: 2〜20重量部
アミン類: 2〜20重量部
C.界面活性剤: 0.05〜20重量部
D.アクリル酸系水溶性ポリマー: 0.2〜5重量部
E.水: 29〜93重量部
Specific Composition of Polishing Composition The polishing composition for a hard disk of the present invention preferably contains an alkali etching agent, an amine, a surfactant, and an acrylic acid-based water-soluble polymer. Specifically, what has the following composition with respect to 100 weight part of the total weight of the composition for glass polishing processing is mentioned.
A. Alkylene oxide adduct of polycondensate of dicarboxylic acid and polyalkylene polyamine: 1 to 10 parts by weight Alkali etching agent: 0 to 30 parts by weight Amines: 1 to 30 parts by weight C.I. Surfactant: 0.01 to 30 parts by weight Acrylic acid-based water-soluble polymer: 0 to 10 parts by weight Water: 20 to 97 parts by weight Preferably
A. Alkylene oxide adduct of polycondensate of dicarboxylic acid and polyalkylene polyamine: 1 to 8 parts by weight Alkali etching agent: 2 to 20 parts by weight Amines: 2 to 20 parts by weight C.I. Surfactant: 0.05 to 20 parts by weight Acrylic acid-based water-soluble polymer: 0.2 to 5 parts by weight Water: 29-93 parts by weight

B.アルカリエッチング剤、アミン類
本発明組成物には、研磨速度、表面粗さを改善する目的で、アルカリエッチング剤又はアミン類を配合するのが好ましい。
本発明において、アルカリエッチング剤としては、アンモニア、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩、第4級アンモニウム化合物から選ばれる、少なくとも1種の化合物であり、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリベンジルメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド、トリブチルシクロヘキシルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド(ジメチルビス(ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド)、トリヒドロキシエチルモノメチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシエチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシエチルモノエチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシプロピルジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシプロピルモノメチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ジヒドロキシプロピルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシプロピルモノエチルアンモニウムヒドロキシド等が選ばれる。好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、モノヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス(ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、トリヒドロキシエチルモノメチルアンモニウムヒドロキシドである。
また、アミン類としては、第1級アミン、第2級アミン及び第3級アミンから選ばれる、少なくとも1種の化合物であり、具体的には、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、ピペラジン、アミノエチルピペラジン等が挙げられる。好ましくは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアミン類である。
B. Alkaline Etching Agent and Amines The composition of the present invention preferably contains an alkali etching agent or amines for the purpose of improving the polishing rate and surface roughness.
In the present invention, the alkaline etchant is at least one compound selected from ammonia, alkali metal hydroxides, alkali metal or alkaline earth metal carbonates, and quaternary ammonium compounds. Is sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, triethylphenylammonium hydroxide, trimethyl Benzylammonium hydroxide, triethylbenzylammonium hydroxide, tribenzylmethylammonium hydroxide, tetrabenzylammonium hydroxide, trimethyl Cyclohexylammonium hydroxide, tributylcyclohexylammonium hydroxide, monohydroxyethyltrimethylammonium hydroxide, dihydroxyethyldimethylammonium hydroxide (dimethylbis (hydroxyethyl) ammonium hydroxide), trihydroxyethylmonomethylammonium hydroxide, monohydroxyethyltriethylammonium Hydroxide, dihydroxyethyl diethylammonium hydroxide, trihydroxyethyl monoethylammonium hydroxide, monohydroxypropyltrimethylammonium hydroxide, dihydroxypropyldimethylammonium hydroxide, trihydroxypropylmonomethylammonium hydroxide, monohydroxyl Pills triethylammonium hydroxide, dihydroxypropyl diethylammonium hydroxide, tri-hydroxypropyl monoethyl ammonium hydroxide or the like is selected. Preferred are tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, monohydroxyethyltrimethylammonium hydroxide, dimethylbis (hydroxyethyl) ammonium hydroxide, and trihydroxyethylmonomethylammonium hydroxide.
The amines are at least one compound selected from primary amines, secondary amines, and tertiary amines. Specifically, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanol Examples include amine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, aminoethylethanolamine, piperazine, aminoethylpiperazine and the like. Preferred are amines such as monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, and triisopropanolamine.

アルカリエッチング剤又はアミン類の配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物100重量部に対して、アルカリエッチング剤0〜30重量部、好ましくは2〜20重量部であり、この範囲未満では研磨速度が不十分であり、超過すると配合安定性が不安定となるので、好ましくない。一方、アミン類の配合量は、1〜30重量部であることが好ましく、特に好ましくは2〜20重量部である。1重量部未満では、ガラス材料の研磨速度や表面粗さが十分でなく、30重量部超過では、表面状態が悪化し表面粗さやスクラッチ、付着物が十分でない。
しかして、B成分のうち、上記アルカリエッチング剤は、いずれも強アルカリ性の化合物であって、これを、A成分であるカルボン酸とポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物と長期間接触させておくと、A成分中のアミド基が加水分解を起こす危険性がある。そこで、この危険性を回避するには、A成分とアルカリエッチング剤とは、それぞれ、必要に応じ他の成分を配合し、別液としたいわゆる2液型の製品とし、使用直前に両者を混合するのがよい。
The blending amount of the alkali etching agent or amine is 0 to 30 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the glass polishing processing composition. If the amount is insufficient, the blending stability becomes unstable. On the other hand, it is preferable that the compounding quantity of amines is 1-30 weight part, Most preferably, it is 2-20 weight part. If the amount is less than 1 part by weight, the polishing rate and surface roughness of the glass material are not sufficient, and if it exceeds 30 parts by weight, the surface condition is deteriorated and the surface roughness, scratches and deposits are not sufficient.
Thus, among the B components, the alkaline etchants are all strongly alkaline compounds, which are combined with an alkylene oxide adduct of a polycondensate of carboxylic acid and polyalkylene polyamine as the A component for a long time. If left in contact, there is a risk that the amide group in component A will hydrolyze. Therefore, in order to avoid this danger, the A component and the alkaline etching agent are mixed with other components as necessary to make a so-called two-component product that is a separate solution, and both are mixed immediately before use. It is good to do.

C.界面活性剤
ハードディスクの表面に研削物が残存すると、完成製品の記録性に悪影響を及ぼすため、研削物の洗浄除去には非イオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤等の界面活性能を有する化合物の使用が重要である。なかでも、両性界面活性剤又はアニオン界面活性剤の使用が好ましい。具体的には、両性界面活性剤としては、アルキルベタイン型活性剤、アミドプロピルベタイン型界面活性剤およびイミダゾリニウムベタイン型界面活性剤等が使用できる。特に2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタイン、ヤシ油アルキルアミノプロピオン酸ナトリウム、ラウリルアミノジプロピオン酸ナトリウム等の両性界面活性剤の使用が好ましい。またアニオン界面活性剤としては、アルキル硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、α−オレフィンスルホン酸塩、アルキルスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、タウリン系界面活性剤、ザルコシネート系界面活性剤、イセチオネート系界面活性剤、N−アシル酸性アミノ酸系界面活性剤、モノアルキルリン酸エステル塩、高級脂肪酸塩およびアシル化ポリペプチド等が使用でき、特にドデシルベンゼンスルホン酸Na、ラウレス硫酸トリエタノールアミン塩(ラウリルエーテル硫酸TEA塩)、α−オレフィンスルホン酸Na、ラウロイルN−メチルアラニントリエタノールアミン塩、p−トルエンスルホン酸Na、キシレンスルホン酸Na、キュメンスルホン酸Na等のアニオン界面活性剤の使用が好ましい。
実用的な界面活性剤の配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物100重量部に対して、0.01〜30重量部であることが好ましく、特に好ましくは0.05〜20重量部である。0.01重量部未満では、スクラッチ及び微小付着物除去能が不十分であり、超過すると配合安定性が不安定(他の成分が析出するケースがあり)となるので、好ましくない。
C. Surfactant If abrasives remain on the surface of the hard disk, it will adversely affect the recordability of the finished product. Therefore, nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, and amphoteric surfactants are used for cleaning and removing abrasives. It is important to use a compound having surface activity such as an agent. Of these, the use of amphoteric surfactants or anionic surfactants is preferred. Specifically, as the amphoteric surfactant, an alkyl betaine type surfactant, an amidopropyl betaine type surfactant, an imidazolinium betaine type surfactant, or the like can be used. In particular, the use of amphoteric surfactants such as 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethyl imidazolinium betaine, coconut oil fatty acid amidopropyl betaine, coconut oil sodium alkylaminopropionate, sodium laurylaminodipropionate is preferred. . As anionic surfactants, alkyl sulfate ester salts, alkyl ether sulfate ester salts, α-olefin sulfonates, alkyl sulfonates, alkyl naphthalene sulfonates, taurine surfactants, sarcosinate surfactants, isethionates Surfactants, N-acyl acidic amino acid surfactants, monoalkyl phosphate salts, higher fatty acid salts, acylated polypeptides, and the like, especially sodium dodecylbenzenesulfonate, laureth sulfate triethanolamine salt (lauryl) Ether sulfate (TEA salt), α-olefin sulfonate Na, lauroyl N-methylalanine triethanolamine salt, p-toluene sulfonate Na, xylene sulfonate Na, cumene sulfonate Na and the like are preferably used.
The practical surfactant content is preferably 0.01 to 30 parts by weight, particularly preferably 0.05 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the glass polishing composition. If the amount is less than 0.01 parts by weight, the ability to remove scratches and fine deposits is insufficient, and if it exceeds, blending stability becomes unstable (in some cases, other components may precipitate), which is not preferable.

D.アクリル酸系水溶性ポリマー
本発明組成物には、表面張力調整、粘度調整又は分散安定性向上などの目的で、カルボン酸基、カルボン酸塩基及び/又はカルボン酸アミド化合物基を有する水溶性ポリマーを配合してもよい。
なかでも、アクリル酸系水溶性ポリマー、すなわち、カルボン酸が、アクリル酸又はメタクリル酸(以下、「(メタ)アクリル酸」と総称することがある。)である上記水溶性ポリマーの配合は、砥粒に作用し、スクラッチ低減に有効であるので好ましい。
アクリル酸系水溶性ポリマーを構成する単量体の具体例としては、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸ナトリウム塩、(メタ)アクリル酸カリウム塩、(メタ)アクリル酸アンモニウム塩、(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミド−2,2−ジメチルプロパンスルホン酸、及びこれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。これらの群から選ばれる少なくとも1種の単量体は、相互に又は等モル以下のそれ以外の単量体、例えば、イタコン酸、ポリオキシエチレンモノメタクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート等と共重合して、アクリル酸系水溶性ポリマーとすることもできる。本発明において、アクリル酸系水溶性ポリマーとしては、ポリ(メタ)アクリル酸、ポリ(メタ)アクリル酸アンモニウム塩、ポリ(メタ)アクリル酸ナトリウム塩、ポリ(メタ)アクリル酸カリウム塩、ポリ(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリル酸と(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸の共重合物、及びこれらの塩等からなる群から選ばれる少なくとも1種の使用が好ましい。
また、この水溶性ポリマーの分子量は、水溶性を有する範囲内の分子量であれば特に制限はないが、500〜1000000の範囲内にあることが好ましく、1000〜500000の範囲内にあることがより好ましい。
この水溶性ポリマーの実用的な配合量は、ガラスポリッシング加工用組成物100重量部に対して、0〜10重量部であることが好ましく、特に好ましくは0.2〜5重量部である。0.1重量部未満では、ガラス材料のスクラッチが多くなり、研磨速度や表面粗さが十分でなく、10重量部超過では、研磨速度が低下し、スクラッチが多くなる傾向がある。
D. Acrylic acid-based water-soluble polymer The composition of the present invention contains a water-soluble polymer having a carboxylic acid group, a carboxylic acid group and / or a carboxylic acid amide compound group for the purpose of adjusting surface tension, adjusting viscosity or improving dispersion stability. You may mix | blend.
In particular, blending of the water-soluble polymer with acrylic acid, that is, the carboxylic acid is acrylic acid or methacrylic acid (hereinafter sometimes collectively referred to as “(meth) acrylic acid”) It is preferable because it acts on grains and is effective in reducing scratches.
Specific examples of monomers constituting the acrylic acid-based water-soluble polymer include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid sodium salt, (meth) acrylic acid potassium salt, (meth) acrylic acid ammonium salt, (meta ) Acrylamide, (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamide-2,2-dimethylpropanesulfonic acid, and sodium, potassium and ammonium salts thereof. At least one monomer selected from these groups is copolymerized with each other or with an equimolar or less other monomer such as itaconic acid, polyoxyethylene monomethacrylate, hydroxyethyl methacrylate, etc. An acrylic acid-based water-soluble polymer can also be used. In the present invention, the acrylic acid-based water-soluble polymer includes poly (meth) acrylic acid, poly (meth) acrylic acid ammonium salt, poly (meth) acrylic acid sodium salt, poly (meth) acrylic acid potassium salt, poly (meth) It is preferable to use at least one selected from the group consisting of) acrylamide, a copolymer of (meth) acrylic acid and (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, and salts thereof.
The molecular weight of the water-soluble polymer is not particularly limited as long as it is within the range having water solubility, but is preferably in the range of 500 to 1,000,000, more preferably in the range of 1,000 to 500,000. preferable.
The practical amount of the water-soluble polymer is preferably 0 to 10 parts by weight, particularly preferably 0.2 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the glass polishing composition. If the amount is less than 0.1 parts by weight, the scratch of the glass material increases, and the polishing rate and the surface roughness are insufficient. If the amount exceeds 10 parts by weight, the polishing rate tends to decrease and the scratches tend to increase.

脂肪酸類、その他の水溶性ポリマー、脂肪酸アミド類、グリコール類、キレート剤等
本発明組成物には、上記に例示した化合物以外にも、さらなる補助添加剤として種々の化合物を添加することが可能である。例えば、砥粒の分散、凝集又は境界潤滑性向上などの目的で、脂肪酸類、その他の水溶性ポリマー、脂肪酸アミド類、グリコール類、キレート剤等の種々の化合物を配合してもよい。
本発明において、配合される脂肪酸類としては、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチル酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノール酸等が選ばれる。
また脂肪酸アミド類としては、オレイン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、リシノール酸、ヤシ油脂肪酸、牛脂脂肪酸等の脂肪酸類のジエタノールアミド、モノエタノールアミド及びこれらのエチレンオキサイド付加物、プロピレンオキサイド付加物、(エチレン−プロピレン)オキサイド付加物等が選ばれる。
その他の水溶性ポリマーとしては、具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル等のエーテル類。ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンおよびポリアクロレイン等のビニル系ポリマー。メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、酢酸セルロース、硝酸セルロース、硫酸セルロース、ペクチン等の多糖類、ゼラチン、でんぷん、アルブミン等、ポリグリセリン、ポリスチレンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸Naホルマール縮合物等からなる群より選ばれる、少なくとも1種の化合物である。
グリコール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、メチルプロパンジオール、ヘキサメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、アルキレングリコール誘導体、グリコールエステル、グリコールエーテル等が挙げられる。
キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロトリ酢酸、β−アラニン二酢酸、α−アラニン二酢酸、アスパラギン酸二酢酸、エチレンジアミン二コハク酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、1,3−プロパンジアミン四酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、L−グルタミン酸二酢酸、アミノトリ、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、イミノジ酢酸等のキレート剤及びそれらのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン塩類等が選ばれる。
脂肪酸類、その他の水溶性ポリマー類は、砥粒凝集剤として作用し、砥粒に吸着されて砥粒が凝集し、凝集体は研磨時に、研磨テープとガラス基板表面との間で、ちょうどクッションのように作用して、砥粒の強い食い込みを抑え、スクラッチの低減に効果があると推定される。
また、脂肪酸アミド類、グリコール類、キレート剤類は、ガラス基板表面に吸着されて、強く作用する場合は、基板表面と研磨液の界面で潤滑膜を形成し、弱く作用する場合は、弱い境界潤滑剤として作用し、いずれも、スクラッチの低減に効果があると推定される。
In addition to the compounds exemplified above, various compounds can be added as further auxiliary additives to the composition of the present invention such as fatty acids, other water-soluble polymers, fatty acid amides, glycols, chelating agents and the like. is there. For example, various compounds such as fatty acids, other water-soluble polymers, fatty acid amides, glycols, and chelating agents may be blended for the purpose of dispersing, agglomerating or improving boundary lubricity.
In the present invention, as the fatty acids to be blended, capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, arachidic acid, behenic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, ricinoleic acid and the like are selected.
Examples of fatty acid amides include diethanolamide, monoethanolamide, and ethylene oxide adducts, propylene oxide adducts of fatty acids such as oleic acid, lauric acid, stearic acid, ricinoleic acid, coconut oil fatty acid, and beef tallow fatty acid. Ethylene-propylene) oxide adducts are selected.
Specific examples of other water-soluble polymers include ethers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyethylene glycol alkyl ether. Vinyl polymers such as polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone and polyacrolein. Polysaccharides such as methyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, carboxymethyl cellulose, cellulose acetate, cellulose nitrate, cellulose sulfate, pectin, gelatin, starch, albumin, polyglycerin, polystyrene sulfonate, alkyl naphthalene sulfonate Na formal condensate At least one compound selected from the group consisting of, and the like.
As glycols, ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, methylpropanediol, hexamethylene glycol, neopentyl glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, alkylene glycol derivatives, glycol esters And glycol ethers.
Chelating agents include ethylenediaminetetraacetic acid, nitrilotriacetic acid, β-alanine diacetic acid, α-alanine diacetic acid, aspartic acid diacetic acid, ethylenediamine disuccinic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, 1,3-propanediaminetetraacetic acid, cyclohexane Diaminetetraacetic acid, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, L-glutamic acid diacetic acid, aminotri, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta Chelating agents such as (methylenephosphonic acid) and iminodiacetic acid and their alkali metal salts, ammonium salts, amine salts and the like are selected.
Fatty acids and other water-soluble polymers act as abrasive flocculants and are adsorbed by the abrasive grains to aggregate the abrasive grains. The aggregates are cushioned between the polishing tape and the glass substrate surface during polishing. It is presumed that there is an effect in reducing scratches by suppressing the strong biting of abrasive grains.
Fatty acid amides, glycols and chelating agents are adsorbed on the surface of the glass substrate and when they act strongly, a lubricating film is formed at the interface between the substrate surface and the polishing liquid. It acts as a lubricant and both are presumed to be effective in reducing scratches.

研磨スラリー
本発明のガラスポリッシング加工用組成物は、ガラス材料表面のポリッシング加工に際し、前記の具体的組成として示したポリッシング加工用組成物に、さらに、砥粒及び水又は水中に予め分散した砥粒を加えて、砥粒を水中に安定に分散したスラリー状の研磨液として使用される。しかして、このスラリー状研磨液中の砥粒の濃度は、スラリー状研磨液100重量部に対して、0.01〜50重量部の範囲内から選ばれる。
本発明において、研磨液中に分散される砥粒としては、通常、JIS R6002の電気抵抗試験方法に従って測定した最大粒子径が15μm以下の微粒子又は粉末が選ばれる。この種砥粒としては、JIS R6001−1987の規定に従えば、微粉の区分に属し、15μm以下の最大粒子径を有する粒度分布(電気抵抗試験方法)を示す粒度、具体的には、#3000、#4000、#6000、#8000の粒度の研削材又はそれらに準ずるものが選ばれる。
砥粒の材質としては、特に制限はなく、具体的には、ダイヤモンド(例えば、ナノクラスターダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド)、ガーネット、ガラス、カーボランダム、金属酸化物(例えば、アルミナ、シリカ、コロイダルシリカ、TiO、ZrO、酸化セリウム、Ge、MgO)、窒化物(例えば、窒化珪素)、カーバイド(例えば炭化珪素、硼素カーバイド、チタンカーバイド、タングステンカーバイド)等が挙げられる。
Polishing Slurry The composition for glass polishing processing of the present invention is a polishing composition on the surface of a glass material. In addition, the polishing composition shown as the above specific composition is further dispersed with abrasive grains and water or water in advance. Is used as a slurry-like polishing liquid in which abrasive grains are stably dispersed in water. Therefore, the concentration of the abrasive grains in the slurry-like polishing liquid is selected from the range of 0.01 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the slurry-like polishing liquid.
In the present invention, as the abrasive particles dispersed in the polishing liquid, fine particles or powders having a maximum particle size of 15 μm or less measured according to the electrical resistance test method of JIS R6002 are usually selected. According to JIS R6001-1987, the seed abrasive grains belong to the fine powder category and have a particle size distribution (electrical resistance test method) having a maximum particle size of 15 μm or less, specifically, # 3000. , # 4000, # 6000, # 8000 or a similar material is selected.
The material of the abrasive grains is not particularly limited, and specifically, diamond (eg, nanocluster diamond, polycrystalline diamond), garnet, glass, carborundum, metal oxide (eg, alumina, silica, colloidal silica, TiO 2 , ZrO 2 , cerium oxide, Ge 2 O 3 , MgO), nitride (eg, silicon nitride), carbide (eg, silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, tungsten carbide) and the like.

これら材質のうち、メモリーハードディスク基板用には、分散性が良く、少量で研磨性が良い点で、好ましくは、ダイヤモンドが選択される。ダイヤモンドは、最大粒子径が15μm以下であれば、天然品でも工業用合成品であってもよい。また、アルミナ及び炭化珪素は、JIS R6111−1987に規定された人造研削材又はそれに準ずるものであって、最大粒子径が15μm以下のものが選ばれる。JIS R6111−1987の規定に従えば、アルミナ質研削材又は炭化珪素質研削材の区分に属する諸種類、例えば白色アルミナ研削材、緑色炭化珪素質研削材等のうち、上記所定の粒度、具体的には、#3000、#4000、#6000、#8000の粒度のもの又はそれらに準ずるものが選ばれる。
酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比べ硬度が低く、したがって、研磨表面に傷が入りにくいことから、仕上げ鏡面研磨に有用である。また、シリカ研磨材に比べ、研磨速度が高いという利点も有する。しかしながら、酸化セリウムを選択するにあたっては、分散性が悪く、多量に添加しないと研磨性が上がらない、価格も高い点に留意する必要がある。また、シリカ系研磨分散液のうちコロイダルシリカスラリーは分散安定性に優れているという利点も有する。しかしながら、シリカ濃度を高くしなければ研磨レートが低いという問題がある。すなわち、コロイダルシリカスラリーは、十分な研磨レートを得るためには高いシリカ濃度が必要となってしまう。また、コロイダルシリカを選択するにあたっては、乾燥性が高く、スラリー導入ノズルが詰まり易く、使いこなしが難しい点に留意する必要がある。
これらの砥粒の分散剤としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリ(エチレン−プロピレン)グリコール等からなる群のうち少なくとも1種類が選ばれる。好ましくはポリプロピレングリコールである。
Of these materials, diamond is preferably selected for the memory hard disk substrate because of its good dispersibility and small amount and good polishing. As long as the maximum particle diameter is 15 μm or less, diamond may be a natural product or an industrial synthetic product. Alumina and silicon carbide are artificial abrasives specified in JIS R6111-1987 or equivalent, and those having a maximum particle size of 15 μm or less are selected. According to the provisions of JIS R6111-1987, among the various types belonging to the classification of alumina abrasives or silicon carbide abrasives, such as white alumina abrasives, green silicon carbide abrasives, etc. For this, those having a particle size of # 3000, # 4000, # 6000, # 8000 or the like are selected.
Cerium oxide particles have a lower hardness than silica particles and alumina particles, and therefore are less likely to scratch the polished surface, and are useful for finish mirror polishing. In addition, there is an advantage that the polishing rate is higher than that of the silica abrasive. However, when selecting cerium oxide, it should be noted that the dispersibility is poor, the abrasiveness is not improved unless it is added in a large amount, and the price is high. Of the silica-based polishing dispersions, colloidal silica slurry also has an advantage of excellent dispersion stability. However, there is a problem that the polishing rate is low unless the silica concentration is increased. That is, the colloidal silica slurry requires a high silica concentration in order to obtain a sufficient polishing rate. In selecting colloidal silica, it is necessary to pay attention to the fact that the drying property is high, the slurry introduction nozzle is easily clogged, and it is difficult to use it.
As the dispersing agent for these abrasive grains, at least one kind is selected from the group consisting of polyethylene glycol, polypropylene glycol, poly (ethylene-propylene) glycol and the like. Polypropylene glycol is preferred.


水は研削時の冷却媒体として非常に重要な役割を果たす。その使用量は、研削時に実際に使用される、前記砥粒を水中に安定に分散したスラリー状の研磨液中の全成分合計重量に対し、40〜99重量%、好ましくは50〜98重量%である。本発明に好ましく用いられる水は、電導度が10μS/cm以下である二次イオン交換水である。水道水を用いると、塩素分がハードディスク表面に残存して、腐食を起こす可能性があり、また、カルシウム等の金属成分がハードディスク表面に残存して、完成製品の記録性に悪影響を及ぼすために好ましくない。
Water plays a very important role as a cooling medium during grinding. The amount of use is 40 to 99% by weight, preferably 50 to 98% by weight, based on the total weight of all components in the slurry-like polishing liquid that is actually used during grinding and in which the abrasive grains are stably dispersed in water. It is. The water preferably used in the present invention is secondary ion-exchanged water having an electric conductivity of 10 μS / cm or less. If tap water is used, chlorine may remain on the hard disk surface, causing corrosion, and metal components such as calcium may remain on the hard disk surface, adversely affecting the recordability of the finished product. It is not preferable.

ガラス種類
本発明において、ポリッシング加工の対象となるガラスの材質としては、特に制限はなく、具体的には、青板ガラス、白板ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダアルミノシリケートガラス、化学強化ガラス、結晶化ガラス、ソーダライムガラス基板、ボロシリケートガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に使用するガラスは、アモルファスガラスでも結晶化ガラスのいずれでも差し支えないが、より平坦でより加工性が必要な用途には、前者が、より強靭で耐久性が望まれる用途の場合には、後者が用いられる。
Glass type :
In the present invention, the material of the glass to be polished is not particularly limited, specifically, blue plate glass, white plate glass, aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, soda aluminosilicate glass, chemically tempered glass, Examples thereof include crystallized glass, soda lime glass substrate, borosilicate glass, and alkali-free glass.
The glass used for manufacturing the glass substrate for the magnetic disk can be either amorphous glass or crystallized glass, but the former is more tough and durable for applications where flatter and more workability is required. In the case of use, the latter is used.

以下、この発明を実施例により具体的に説明する。なお、この実施例により、この発明は何ら限定されることはない。
また、以下の実施例において、研磨液組成物の配合成分として、以下のものを使用した。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. In addition, this invention is not limited at all by this Example.
Moreover, in the following examples, the following were used as a compounding component of a polishing liquid composition.

界面活性剤
<両性界面活性剤>
(1)2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン(CNS) ライオン社製、商品名エナジコールCNS
(2)ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタイン 第一工業製薬社製、商品名アモーゲンCB−C
(3)ヤシ油アルキルアミノプロピオン酸ナトリウム ライオン社製、商品名リポミンLA
(4)ラウリルアミノジプロピオン酸ナトリウム ライオン社製、商品名エナジコールDP−30
<アニオン界面活性剤>
(1)ドデシルベンゼンスルホン酸Na(ソフト型) 花王社製、商品名ネオペレックスG−15
(2)ラウレス硫酸トリエタノールアミン塩(ラウリルエーテル硫酸TEA塩) 花王社製、商品名エマール20T
(3)α−オレフィンスルホン酸Na ライオン社製、商品名リポランLB440
(4)ラウロイルN−メチルアラニントリエタノールアミン塩 ライオン社製、商品名エナジコールL30−ANT
(5)p−トルエンスルホン酸Na キシダ化学社製、商品名 p−トルエンスルホン酸ナトリウム
(6)キシレンスルホン酸Na テイカ株式会社製 商品名 テイカトックスN1140
(7)キュメンスルホン酸Na テイカ株式会社製 商品名 テイカトックスN5040
Surfactant <amphoteric surfactant>
(1) 2-alkyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylimidazolinium betaine (CNS) Product name Enacol CNS manufactured by Lion Corporation
(2) Coconut oil fatty acid amidopropyl betaine made by Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., trade name Amorgen CB-C
(3) Palm oil sodium alkylaminopropionate, manufactured by Lion, trade name Lipomin LA
(4) Sodium laurylaminodipropionate, manufactured by Lion Co., Ltd., trade name Enadicol DP-30
<Anionic surfactant>
(1) Dodecylbenzenesulfonic acid Na (soft type) manufactured by Kao Corporation, trade name Neopelex G-15
(2) Laureth sulfate triethanolamine salt (lauryl ether sulfate TEA salt) manufactured by Kao Corporation, trade name EMAL 20T
(3) α-olefin sulfonic acid Na manufactured by Lion, trade name Lipolane LB440
(4) Lauroyl N-methylalanine triethanolamine salt manufactured by Lion Co., Ltd., trade name ENADICOL L30-ANT
(5) Na-p-toluenesulfonate, manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd., trade name: sodium p-toluenesulfonate (6) Naxylene sulfonate, manufactured by Teika Co., Ltd. Trade name: Tacatox N1140
(7) Sodium cumene sulfonate manufactured by Teika Co., Ltd. Trade name: Teikatox N5040

アミン類
(1)モノエタノールアミン(MEA) キシダ化学社製、商品名2−アミノエタノール
(2)ジエタノールアミン(DEA) キシダ化学社製、商品名2,2’−イミノジエタノール
(3)トリエタノールアミン(TEA) キシダ化学社製、商品名2,2’,2”−ニトリロトリエタノール
アルカリエッチング剤
(1)NaOH キシダ化学社製、商品名水酸化ナトリウム
(2)テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH) キシダ化学社製、商品名 テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(25%水溶液)
(3)ジメチルビス(ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド(AH212) 四日市合成社製、商品名AH212
Amines (1) Monoethanolamine (MEA) Kishida Chemical Co., Ltd., trade name 2-aminoethanol (2) Diethanolamine (DEA) Kishida Kagaku Co., Ltd., trade name 2,2′-iminodiethanol (3) Triethanolamine ( TEA) Product name 2,2 ', 2 "-nitrilotriethanol, manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd.
Alkali etching agent (1) NaOH Kishida Chemical Co., Ltd., trade name Sodium hydroxide (2) Tetramethylammonium hydroxide (TMAH) Kishida Chemical Co., trade name Tetramethylammonium hydroxide (25% aqueous solution)
(3) Dimethylbis (hydroxyethyl) ammonium hydroxide (AH212) manufactured by Yokkaichi Gosei Co., Ltd., trade name AH212

アクリル酸系水溶性ポリマー
(1)ポリアクリル酸Na 東亜合成社製、商品名A30SL 分子量6000
(2)ポリアクリル酸アンモニウム塩 東亜合成社製、商品名T540 分子量6000
(3)アクリル酸Naとアクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸Naの共重合物 四日市合成社製 分子量10000 共重合物のモノマー比(アクリル酸Na/アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸Na=1/1)
脂肪酸類
(1)リシノール酸 キシダ化学社製、商品名リシノール酸
(2)デカン酸 キシダ化学社製、商品名デカン酸
脂肪酸アミド類、グリコール類
(1)オレイン酸アミド/5EO ライオンアクゾ社製、商品名エソマイド/O15
(2)プロピレングリコール(PG) キシダ化学社製、商品名プロピレングリコール
Acrylic acid-based water-soluble polymer (1) Polyacrylic acid Na Toagosei Co., Ltd., trade name A30SL Molecular weight 6000
(2) Polyacrylic acid ammonium salt, manufactured by Toagosei Co., Ltd., trade name T540, molecular weight 6000
(3) Copolymer of acrylic acid Na and acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Na Yokkaichi Gosei Co., Ltd. Molecular weight 10000 Copolymer monomer ratio (Na acrylate / acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Na = 1/1 )
Fatty acids (1) Ricinoleic acid, manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd., trade name: Ricinoleic acid (2) Decanoic acid, manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd., trade name: Decanoic acid
Fatty acid amides, glycols (1) oleic acid amide / 5EO manufactured by Lion Akzo Co., Ltd., trade name Esomide / O15
(2) Propylene glycol (PG) Product name Propylene glycol manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd.

ジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物
(1)ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO 四日市合成社製、分子量2700
(2)ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0PO 四日市合成社製 分子量4100
(3)ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0BO 四日市合成社製 分子量7000
(4)ジエチレントリアミン/スベリン酸/2.5EO 四日市合成社製 分子量12000
(5)ジエチレントリアミン/セバシン酸/3.5EO 四日市合成社製 分子量5000
(6)ジエチレントリアミン/テレフタル酸/1.5PO 四日市合成社製 分子量3000
(7)トリエチレンテトラミン/アジピン酸/0.5EO 四日市合成社製 分子量20000
(8)トリエチレンテトラミン/スベリン酸/15EO 四日市合成社製 分子量50000
(9)トリエチレンテトラミン/スベリン酸/10PO 四日市合成社製 分子量45000
Alkylene oxide adduct of polycondensate of dicarboxylic acid and polyamine (1) Diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO Yokkaichi Gosei Co., Ltd., molecular weight 2700
(2) Diethylenetriamine / Adipic acid / 1.0PO Yokkaichi Gosei Co., Ltd. Molecular weight 4100
(3) Diethylenetriamine / Adipic acid / 1.0BO Yokkaichi Gosei Co., Ltd. Molecular weight 7000
(4) Diethylenetriamine / suberic acid / 2.5EO Yokkaichi Gosei Co., Ltd. Molecular weight 12000
(5) Diethylenetriamine / Sebacic acid / 3.5EO, Yokkaichi Gosei Co., Ltd. molecular weight 5000
(6) Diethylenetriamine / terephthalic acid / 1.5PO Yokkaichi Gosei Co., Ltd. Molecular weight 3000
(7) Triethylenetetramine / Adipic acid / 0.5EO Yokkaichi Gosei Co., Ltd. Molecular weight 20000
(8) Triethylenetetramine / suberic acid / 15EO, Yokkaichi Gosei Co., Ltd. molecular weight 50000
(9) Triethylenetetramine / suberic acid / 10PO Yokkaichi Gosei Co., Ltd. molecular weight 45000

[応用例 1] 磁気ディスク用ガラス基板の製造
<実施例1〜64及び比較例1〜9>
[Application Example 1] Production of glass substrate for magnetic disk <Examples 1 to 64 and Comparative Examples 1 to 9>

ポリッシング加工
非磁性基板として直径2.5インチの円盤状ガラス基板の表面に対してポリッシング加工を施した。ガラス基板はKMG社製の結晶化ガラス及びアモルファスガラス基板を使用した。基板のサイズは外径65mm、内径20mm、板厚0.635mmである。
ポリッシング加工の条件は以下の通りである。即ち、研磨液に含まれる砥粒については、1次粒子が5nm、2次粒子が30nmのクラスターダイヤを用いた。研磨液として、クラスターダイヤ0.02重量部に、表−1〜12の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物30重量部と、溶媒としてイオン交換水69.98重量部とを配合した水性ダイヤモンドスラリーを用いた。研磨液は、50ml/分で加工が開始される前に2秒間滴下した。研磨テープとして、ポリエステル製の織物布を用いた。また、研磨条件は、非磁性基板の回転数を600rpm、研磨テープの送りを75mm/分、非磁性基板の揺動を120回/分とした。テープの押し付け力は2.0kgf(19.6N)とし、加工時間は10秒とした。ポリッシング加工後、イオン交換水で表面洗浄を行った。このようにして、表面にポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
Polishing :
Polishing was performed on the surface of a disc-shaped glass substrate having a diameter of 2.5 inches as a nonmagnetic substrate. As the glass substrate, crystallized glass and amorphous glass substrate manufactured by KMG were used. The substrate has an outer diameter of 65 mm, an inner diameter of 20 mm, and a plate thickness of 0.635 mm.
The conditions for the polishing process are as follows. That is, for the abrasive grains contained in the polishing liquid, a cluster diamond having primary particles of 5 nm and secondary particles of 30 nm was used. As a polishing liquid, 0.02 part by weight of a cluster diamond, 30 parts by weight of a polishing liquid composition having a composition described in each of Examples and Comparative Examples in Tables 1 to 12, and 69.98 parts by weight of ion-exchanged water as a solvent, An aqueous diamond slurry blended with was used. The polishing liquid was dropped for 2 seconds before processing was started at 50 ml / min. A polyester woven fabric was used as the polishing tape. The polishing conditions were a nonmagnetic substrate rotation speed of 600 rpm, a polishing tape feed of 75 mm / min, and a nonmagnetic substrate swing of 120 times / min. The pressing force of the tape was 2.0 kgf (19.6 N), and the processing time was 10 seconds. After polishing, the surface was washed with ion exchange water. In this way, a glass substrate whose surface was polished was obtained.

磁気記録媒体の調製
ポリッシング加工後、このガラス基板をDCマグネトロンスパッタ装置(アネルバ社製C−3040)の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×10−5Paとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、基板上にCo−4Zr−7Nb(Zr含有量4at%、Nb含有量7at%、残部Co)のターゲット用いて100℃以下の基板温度で100nmの軟磁性層を形成し、この上にRu層を8nm成膜した後、さらにCo−4Zr−7Nbの軟磁性層を100nm成膜して、軟磁性下地層2とした。上記軟磁性下地層の上にNi−6W(W含有量6at%、残部Ni)ターゲット、Ruターゲットを用いて、それぞれ10nm、20nmの厚さで順に成膜し、配向制御層とした。
配向制御層の上に、(Co−13Cr−16Pt)90−(SiO)4−(Cr)3−(TiO)3{Cr含有量13at%、Pt含有量16at%、残部Coの合金組成を90mol%、SiOからなる酸化物を4mol%、Crからなる酸化物を3mol%、TiOからなる酸化物を3mol%}の組成の磁性層を60nmの厚さで形成した。この磁性層の上に、(Co−20Cr)88−(TiO)12からなる非磁性層を10nmの厚さで形成した。この非磁性層の上に、(Co−9.5Cr−16Pt−7Ru)92−(SiO)5−(Cr)3からなる磁性層を30nmの厚さで形成した。この磁性層の上に、Ruからなる非磁性層を10nmの厚さで形成した。この非磁性層の上に、Co−16Cr−16Pt−8B(Cr含有量16at%、Pt含有量16at%、B含有量8at%、残部Co)からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を3Paとして磁性層を10nmの厚さ形成した。ついでCVD法により膜厚4nmの保護層を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。
Preparation of magnetic recording media :
After polishing, the glass substrate is accommodated in a film forming chamber of a DC magnetron sputtering apparatus (C-3040 manufactured by Anelva), and the film forming chamber is evacuated until the ultimate vacuum is 1 × 10 −5 Pa. A 100 nm soft magnetic layer is formed on a substrate at a substrate temperature of 100 ° C. or lower using a target of Co-4Zr-7Nb (Zr content 4 at%, Nb content 7 at%, balance Co) on the substrate, and a Ru layer is formed thereon After that, a Co-4Zr-7Nb soft magnetic layer was further formed to a thickness of 100 nm to form a soft magnetic underlayer 2. On the soft magnetic underlayer, a Ni-6W (W content 6 at%, remaining Ni) target and a Ru target were sequentially formed to a thickness of 10 nm and 20 nm, respectively, to form an orientation control layer.
On the orientation control layer, (Co-13Cr-16Pt) 90- (SiO 2) 4- (Cr 2 O 3) 3- (TiO 2) 3 {Cr content 13 atomic%, Pt content of 16 atomic%, the remainder Co A magnetic layer having a composition of 90 mol%, 4 mol% of an oxide composed of SiO 2 , 3 mol% of an oxide composed of Cr 2 O 3 , and 3 mol% of an oxide composed of TiO 2 in a thickness of 60 nm. Formed. This on the magnetic layer was formed by (Co-20Cr) 88- (TiO 2) of 10nm nonmagnetic layer composed of 12 thickness. This on the non-magnetic layer was formed by (Co-9.5Cr-16Pt-7Ru ) 92- (SiO 2) 5- (Cr 2 O 3) thickness of 30nm magnetic layer consisting of 3. A nonmagnetic layer made of Ru was formed to a thickness of 10 nm on this magnetic layer. On this nonmagnetic layer, using a target made of Co-16Cr-16Pt-8B (Cr content: 16 at%, Pt content: 16 at%, B content: 8 at%, balance Co: remainder) The layer was formed to a thickness of 10 nm. Subsequently, a protective layer having a thickness of 4 nm was formed by a CVD method. Next, a lubricating layer made of perfluoropolyether was formed by a dipping method to obtain a magnetic recording medium.

ポリッシング加工を施したガラス基板の評価
上記のようにして得られたポリッシング加工を施した基板(各実施例又は比較例ごとに、加工枚数5枚)について、表面の研磨状態の評価を、次の4項目について実施し、その手順は、下記に従った。
(1)研磨速度:
研磨速度は、上述のポリッシング加工前後に測定した基板の重量差を、厚さ変化に換算し、加工時間で除した速度(μm/分)で表示した。
(2)表面粗さRa:
レーザー光反射散乱測定器により計測した。測定点は10点/面で、それらの測定値の平均値(Å)で表示した。
(3)スクラッチ発生率:
MicroMAX測定装置を用いて表面を観察した。ポリッシング加工で発生した傷をスクラッチとして計数し、以下の式でスクラッチ発生率を算出し:
スクラッチ発生率(%)=(スクラッチが有る基板面数/総評価面数)×100
スクラッチ発生率(%)で表した値の大きさで区分した、次の基準に従い4段階表示した。
0% ◎
0%〜5% ○
5%〜14% △
15%以上 ×
(4)パーティクル数:
ガラス表面に付着したパーティクル数は、光学顕微鏡を用いて測定した。顕微鏡で撮影した写真から、画像解析ソフトを使用して、直径0.1μm以上、2.0μm以下のパーティクルの数を数えた。1視野(7×10−4cm)ごとのパーティクル数(個)を、1面について10視野分集計し、それを単位面積あたりの数(個/cm)で表した値の大きさで区分した、次の基準に従い4段階表示した。
0〜10個/cm
10〜100個/cm
100〜300個/cm
300個/cm以上 ×
Evaluation of polished glass substrate :
For the polished substrate obtained as described above (5 processed sheets for each example or comparative example), the surface polishing state was evaluated for the following four items, and the procedure was as follows: The following was followed.
(1) Polishing rate:
The polishing rate was expressed as a rate (μm / min) obtained by converting the weight difference of the substrate measured before and after the above polishing process into a change in thickness and dividing by the processing time.
(2) Surface roughness Ra:
It was measured with a laser light reflection / scattering measuring instrument. The number of measurement points was 10 points / surface, and the average value (Å) of those measurement values was displayed.
(3) Scratch rate:
The surface was observed using a MicroMAX measuring apparatus. Count the scratches generated during polishing as scratches, and calculate the scratch rate using the following formula:
Scratch occurrence rate (%) = (number of substrate surfaces with scratches / total number of evaluation surfaces) × 100
It was displayed in four levels according to the following criteria, divided by the magnitude of the value represented by the scratch occurrence rate (%).
0% ◎
0% to 5% ○
5% -14% △
15% or more ×
(4) Number of particles:
The number of particles adhering to the glass surface was measured using an optical microscope. From the photograph taken with the microscope, the number of particles having a diameter of 0.1 μm or more and 2.0 μm or less was counted using image analysis software. The number of particles (number) for each field of view (7 × 10 −4 cm 2 ) is totaled for 10 fields of view per surface, and the value is represented by the number per unit area (number / cm 2 ). Classified and displayed in 4 levels according to the following criteria.
0-10 pieces / cm 2
10-100 pieces / cm 2
100-300 pieces / cm 2
300 / cm 2 or more ×

垂直磁気記録媒体の評価
上記のようにして得られた垂直磁気記録媒体(各実施例又は比較例ごとに、 記録媒体10面)についての評価を、次の3項目について実施し、その手順は、下記に従った。
(1)SNR:
GUZIK社製のリードライトアナライザ(機械名RWA1632)、及びスピンスタンドS1701MPを用いて測定した。ヘッドは、書き込みをシングルポール磁極、再生部にGMR素子を用いたヘッドを使用した。S/N比は、記録密度700kFCIとして測定した。SNRの数値は、各表の基準比較例(SNRの欄に「−」で表示)のSNRoと比較し、その差(ΔSNR=SNR−SNRo)の大きさで区分した、次の基準に従い4段階表示した。
+0.2dB以上 ◎
+0.1dB〜+0.2dB ○
0dB〜+0.1dB(差無し) △
0dB未満(マイナス) ×
(2)製品合格率:
最終製品として合格したものの割合を合格率(%)として計算し、次の基準に従い3段階表示した。
100%〜90% ○
89%〜80% △
80%未満 ×
(3)ミッシングカウント:
ミッシングカウントは、記録密度700kFCIのビットサイズで基板検査を行い、出力が80%以下になったビット数の1面あたりの平均値を計算し、次の基準に従い3段階表示した。
2.1(個/面)以下 ○
2.1〜2.5(個/面) △
2.5(個/面)以上 ×
Evaluation of perpendicular magnetic recording media :
Evaluation on the perpendicular magnetic recording medium (recording medium 10 surface for each example or comparative example) obtained as described above was performed on the following three items, and the procedure was as follows.
(1) SNR:
The measurement was performed using a read / write analyzer (machine name RWA1632) manufactured by GUZIK and a spin stand S1701MP. As the head, a head using a single pole magnetic pole for writing and a GMR element for the reproducing portion was used. The S / N ratio was measured at a recording density of 700 kFCI. The numerical value of SNR is compared with the SNRo of the reference comparative example in each table (indicated by “-” in the SNR column), and is divided into four levels according to the following criteria, which are divided by the difference (ΔSNR = SNR−SNRo). displayed.
+0.2 dB or more ◎
+0.1 dB to +0.2 dB ○
0 dB to +0.1 dB (no difference)
Less than 0 dB (minus) ×
(2) Product acceptance rate:
The percentage of products that passed as the final product was calculated as a pass rate (%) and displayed in three stages according to the following criteria.
100% ~ 90% ○
89% -80% △
Less than 80% ×
(3) Missing count:
For the missing count, substrate inspection was performed at a bit size of a recording density of 700 kFCI, an average value per one surface of the number of bits with an output of 80% or less was calculated, and displayed in three stages according to the following criteria.
2.1 (pieces / face) or less ○
2.1-2.5 (pieces / surface)
2.5 (pieces / plane) or more ×

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−1,2に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
(1)磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない比較例2,4記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOだけでなくアルカリエッチング剤(TMAH又はAH212)も含有しない比較例1,3記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べれば、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)は改善できているが、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有する実施例1〜8記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、上記のジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2,4記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOの配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
(3)また、実施例4において、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOに代えて、EO付加を行っていないジエチレントリアミン/アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例A記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いたアモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、EO付加物であるジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを配合した、上記実施例4とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例2とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
The following facts are found from the evaluation results of the polishing state of the substrate surface shown in Tables 1 and 2 above.
(1) Polishing processing of amorphous glass and crystallized glass using aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2 and 4 not containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO in the production of a glass substrate for magnetic disk The polishing state of the substrate surface achieved by using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 1 and 3 that does not contain not only diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO but also an alkaline etchant (TMAH or AH212) The polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) have been improved compared to the polishing state in the case of polishing, but the scratch generation rate (%) per polishing surface and the number of particles adhering to the glass surface ( Piece / cm 2 ) is not improved at all, and cannot be used practically.
(2) On the other hand, substrate surface achieved by polishing of amorphous glass and crystallized glass using aqueous diamond slurry having the formulation of Examples 1-8 containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO As compared with the polishing state in the case of using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2 and 4 that does not contain the above-mentioned diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, scratching per polished surface occurs. The rate (%) and the number of particles adhering to the glass surface (pieces / cm 2 ) are not only sufficiently improved, but also the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) are diethylenetriamine / adipic acid By adjusting the amount of /1.0 EO, it is further improved and is sufficiently practical.
(3) Moreover, in Example 4, it is completely the same except having used the condensate of the diethylenetriamine / adipic acid which is not performing EO addition instead of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, The description of the comparative example A description The polishing state of the substrate surface achieved by the polishing process of the amorphous glass using the aqueous diamond slurry having the composition is the above-mentioned Example 4 in which the EO adduct diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO is blended Completely different, no improvement in polishing state was observed in any of polishing speed, surface roughness, scratch generation rate, and number of particles, rather, this kind of polyalkylene polyamide compound was not blended at all. The polishing state is almost the same as in Example 2 and cannot be used practically.

また、上記の表−1,2に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。
(1)磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない比較例2,4記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOだけでなくアルカリエッチング剤(TMAH又はAH212)も含有しない比較例1,3記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べれば、SNR(dB)、製品合格率は改善できているが、ミッシングカウント(個/面)は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有する実施例1〜8記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラス及び結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、
上記のジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2,4記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント(個/面)が十分に改善されているだけでなく、SNR(dB)、製品合格率も、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOの配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
(3)また、実施例4において、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOに代えて、EO付加を行っていないジエチレントリアミン/アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例A記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いたアモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、EO付加物であるジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを配合した、水性ダイヤモンドスラリーを用いて得られた基板表面に形成された、上記実施例4の記録媒体とは全く異なって、SNR、製品合格率、ミッシングカウントのいずれの点においても、改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない場合に形成された、比較例2の記録媒体とほぼ同等であって、実用上使用不可能である。
Further, the following facts are found from the evaluation results of the perpendicular magnetic recording media shown in Tables 1 and 2 above.
(1) Polishing processing of amorphous glass and crystallized glass using aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2 and 4 not containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO in the production of a glass substrate for magnetic disk In the recording medium formed on the surface of the substrate obtained by the above, the water-based diamond having the composition described in Comparative Examples 1 and 3 not containing not only diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO but also an alkaline etchant (TMAH or AH212) Compared with the recording medium formed on the substrate surface when slurry is used, the SNR (dB) and the product pass rate can be improved, but the missing count (pieces / surface) has not been improved at all. Unusable.
(2) On the other hand, on the substrate surface obtained by polishing of amorphous glass and crystallized glass using an aqueous diamond slurry having the composition of Examples 1 to 8 containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. In the formed recording medium,
Compared to the recording medium formed on the surface of the substrate using the aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2 and 4 that does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, the missing count (pieces / piece In addition, the SNR (dB) and product acceptance rate have been further improved by adjusting the blending amount of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, which is sufficiently practical. is there.
(3) Moreover, in Example 4, it is completely the same except having used the condensate of the diethylenetriamine / adipic acid which is not performing EO addition instead of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, The description of the comparative example A description In the recording medium formed on the surface of the substrate obtained by polishing the amorphous glass using the aqueous diamond slurry having the composition, the aqueous diamond slurry containing the EO adduct diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO Unlike the recording medium of Example 4 formed on the surface of the substrate obtained using the above, no improvement was observed in any of SNR, product pass rate, and missing count. Formed when no such polyalkylene polyamide compound is blended, Be substantially equal to that of the recording medium Comparative Examples 2, it is practically unusable.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−3〜5に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
(1)磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない比較例2,5,6記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOだけでなくアルカリエッチング剤(NaOH、TMAH又はAH212)も含有しない比較例1記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べれば、
研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)は改善できているが、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有する実施例11〜18記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、上記のジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2,5,6記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
The following facts are found from the evaluation results of the polishing state of the substrate surface shown in Tables 3 to 5 above.
(1) In manufacturing a glass substrate for magnetic disk, it is achieved by polishing amorphous glass using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2, 5, and 6 not containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. In the case of using an aqueous diamond slurry having a composition described in Comparative Example 1 that does not contain not only diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO but also an alkaline etching agent (NaOH, TMAH or AH212). Compared to the polished state of
Although the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) can be improved, the scratch generation rate (%) per polished surface and the number of particles adhering to the glass surface (pieces / cm 2 ) are completely improved. It is not available for practical use.
(2) On the other hand, the polished state of the substrate surface achieved by polishing amorphous glass using an aqueous diamond slurry having the formulation described in Examples 11 to 18 containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO is Compared with the polishing state when using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2, 5, and 6 that does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, scratch generation rate per polished surface ( %) And the number of particles adhering to the glass surface (pieces / cm 2 ) are sufficiently improved, the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) are also included in the amount of the alkaline etching agent. By adjusting the value, it is further improved and is sufficiently practical.

また、上記の表−3〜5に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。
(1)磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない比較例2,5,6記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOだけでなくアルカリエッチング剤(NaOH、TMAH又はAH212)も含有しない比較例1記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べれば、SNR(dB)、製品合格率は改善できているが、ミッシングカウント(個/面)は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有する実施例11〜18記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、
上記のジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2,5,6記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント(個/面)が十分に改善されているだけでなく、SNR(dB)、製品合格率も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
Further, the following facts are found from the evaluation results of the perpendicular magnetic recording media shown in Tables 3 to 5 above.
(1) In manufacturing a glass substrate for a magnetic disk, obtained by polishing amorphous glass using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2, 5, and 6 containing no diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. In the recording medium formed on the surface of the obtained substrate, an aqueous diamond slurry having a composition described in Comparative Example 1 not containing not only diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO but also an alkaline etching agent (NaOH, TMAH or AH212) is used. Compared with the recording medium formed on the surface of the substrate when used, the SNR (dB) and the product pass rate can be improved, but the missing count (pieces / surface) has not been improved at all, and is not practically used. Is possible.
(2) On the other hand, a record formed on the surface of a substrate obtained by polishing an amorphous glass using an aqueous diamond slurry having the composition described in Examples 11 to 18 containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. In the medium
Compared to the recording medium formed on the surface of the substrate using the aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 2, 5, and 6 that does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, the missing count ( (Piece / surface) is not only sufficiently improved, but also the SNR (dB) and product pass rate are further improved by adjusting the blending amount of the alkaline etchant, and can be sufficiently practically used.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−6〜8に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
(1)磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない比較例7,4,8記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOだけでなくアルカリエッチング剤(NaOH、TMAH又はAH212)も含有しない比較例3記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べれば、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)は改善できているが、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有する実施例21〜28記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、上記のジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例7,4,8記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
The following facts are found from the evaluation results of the polishing state of the substrate surface shown in Tables 6 to 8 above.
(1) When manufacturing a glass substrate for a magnetic disk, by polishing a crystallized glass using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 7, 4 and 8 not containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. The achieved polishing state of the substrate surface was obtained using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Example 3 not containing not only diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO but also an alkaline etchant (NaOH, TMAH or AH212). The polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) were improved compared to the polishing state in the case, but the scratch generation rate (%) per polishing surface and the number of particles adhering to the glass surface (number / Cm 2 ) is not improved at all and cannot be used practically.
(2) On the other hand, the polished state of the substrate surface achieved by polishing of crystallized glass using an aqueous diamond slurry having the formulation of Examples 21 to 28 containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO Is a scratch generation rate per polished surface as compared with the polished state when using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 7, 4 and 8, which does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. (%) And the number of particles adhering to the glass surface (pieces / cm 2 ) are not only sufficiently improved, but also the polishing rate (μm / min) and surface roughness Ra (Å) are blended with an alkali etching agent. By adjusting the amount, it is further improved and is sufficiently practical.

また、上記の表−6〜8に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。
(1)磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない比較例7,4,8記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOだけでなくアルカリエッチング剤(NaOH、TMAH又はAH212)も含有しない比較例3記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べれば、SNR(dB)、製品合格率は改善できているが、ミッシングカウント(個/面)は全く改善されておらず、実用上使用不可能である。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有する実施例21〜28記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、結晶化ガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、上記のジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例7,4,8記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、
ミッシングカウント(個/面)が十分に改善されているだけでなく、SNR(dB)、製品合格率も、アルカリエッチング剤の配合量を調整することにより、さらに改善されていて、十分実用可能である。
Further, the following facts are found from the evaluation results of the perpendicular magnetic recording media shown in Tables 6 to 8 above.
(1) When manufacturing a glass substrate for a magnetic disk, by polishing a crystallized glass using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Examples 7, 4 and 8 not containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. In the recording medium formed on the surface of the obtained substrate, an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Example 3 which does not contain not only diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO but also an alkaline etching agent (NaOH, TMAH or AH212) Compared with the recording medium formed on the surface of the substrate when using SNR, the SNR (dB) and the product acceptance rate have been improved, but the missing count (pieces / surface) has not been improved at all. Impossible.
(2) On the other hand, formed on the surface of a substrate obtained by polishing of crystallized glass using an aqueous diamond slurry having the composition described in Examples 21 to 28 containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. The recording medium does not contain the above-mentioned diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, and has the composition described in Comparative Examples 7, 4 and 8, compared with the recording medium formed on the substrate surface when an aqueous diamond slurry is used. And
Not only the missing count (pieces / surface) has been sufficiently improved, but also the SNR (dB) and product acceptance rate have been further improved by adjusting the blending amount of the alkaline etchant, which is sufficiently practical. is there.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−9に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−1の実施例3においてジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOの代わりに、上記表−9に表示の種々のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する、実施例31〜39記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−1の実施例3の場合と同様である。
The following facts are found from the evaluation results of the polishing state of the substrate surface shown in Table-9 above.
When producing a glass substrate for a magnetic disk, instead of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO in Example 3 of Table-1, alkylene oxides of polycondensates of various dicarboxylic acids and polyamines shown in Table-9 above The polishing state of the substrate surface achieved by polishing an amorphous glass with an aqueous diamond slurry having the formulation of Examples 31-39 containing an adduct is diethylenetriamine / adipic acid / 1.0 EO. Compared to the polished state when using an aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Example 2 not contained, the scratch generation rate (%) per polished surface and the number of particles adhering to the glass surface (pieces / cm 2 ) Is sufficiently improved, the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (粗) Is also improved and sufficiently practical, as in the case of Example 3 in Table-1.

また、上記の表−9に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−1の実施例3においてジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOの代わりに、上記表−9に表示の種々のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する、実施例31〜39記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工によって得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント(個/面)が十分に改善されているだけでなく、SNR(dB)、製品合格率も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−1の実施例3の場合と同様である。   Further, the following facts are found from the evaluation results of the perpendicular magnetic recording medium shown in Table 9 above. When producing a glass substrate for a magnetic disk, instead of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO in Example 3 of Table-1, alkylene oxides of polycondensates of various dicarboxylic acids and polyamines shown in Table-9 above In a recording medium formed on the surface of a substrate obtained by polishing an amorphous glass using an aqueous diamond slurry having the formulation described in Examples 31 to 39 containing an adduct, diethylenetriamine / adipic acid / 1 Compared with the recording medium formed on the surface of the substrate in the case of using the aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Example 2 that does not contain 0.0EO, the missing count (pieces / surface) is sufficiently improved. In addition, SNR (dB) and product acceptance rate are also improved and practical enough And are the same as in Example 3 of Table 1.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−10に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−1の実施例3においてCNSの代わりに、上記表−10に表示の種々の両性又はアニオン界面活性剤を含有する、実施例41〜47記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−1の実施例3の場合と同様である。
The following facts are found from the evaluation results of the polishing state of the substrate surface shown in Table-10 above.
In the production of the glass substrate for magnetic disk, the formulation described in Examples 41 to 47 containing various amphoteric or anionic surfactants shown in Table 10 above instead of CNS in Example 3 of Table 1 was used. An aqueous diamond slurry having a composition according to Comparative Example 2, wherein the polishing state of the substrate surface is achieved by polishing the amorphous glass using the aqueous diamond slurry, and the polishing state of the substrate surface does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO Compared with the polishing state when using, the scratch generation rate (%) per polished surface and the number of particles adhering to the glass surface (pieces / cm 2 ) are not only sufficiently improved, but also the polishing rate (μm / Min) and surface roughness Ra (Å) are also improved and sufficiently practical, as in the case of Example 3 in Table 1. It is the same.

また、上記の表−10に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−1の実施例3においてCNSの代わりに、上記表−10に表示の種々の両性又はアニオン界面活性剤を含有する、実施例41〜47記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工によって得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント(個/面)が十分に改善されているだけでなく、SNR(dB)、製品合格率も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−1の実施例3の場合と同様である。   Further, the following facts are found from the evaluation results of the perpendicular magnetic recording medium shown in Table-10. In the production of the glass substrate for magnetic disk, the formulation described in Examples 41 to 47 containing various amphoteric or anionic surfactants shown in Table 10 above instead of CNS in Example 3 of Table 1 was used. The recording medium formed on the surface of the substrate obtained by polishing an amorphous glass using an aqueous diamond slurry has a formulation described in Comparative Example 2 that does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. Compared to the recording medium formed on the substrate surface using an aqueous diamond slurry, not only the missing count (pieces / surface) is sufficiently improved, but also the SNR (dB) and product pass rate are improved. Therefore, the fact that it is sufficiently practical is the same as in the case of Example 3 in Table-1.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−11に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−1の実施例3においてDEA(5重量部)+TEA(10重量部)の代わりに、上記表−11に表示の種々のアルカリポリッシング剤(MEA、DEA及びTEA)を量比も変えて含有する、実施例51〜55記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−1の実施例3の場合と同様である。
The following facts are found from the evaluation results of the polishing state of the substrate surface shown in Table-11 above.
When manufacturing the glass substrate for magnetic disk, instead of DEA (5 parts by weight) + TEA (10 parts by weight) in Example 3 of Table-1, various alkaline polishing agents (MEA, DEA and The polishing state of the substrate surface achieved by polishing amorphous glass with an aqueous diamond slurry having the formulation of Examples 51-55, containing TEA) in varying amounts, is diethylenetriamine / adipic acid Compared to the polished state when using an aqueous diamond slurry having a composition described in Comparative Example 2 that does not contain /1.0 EO, the scratch generation rate (%) per polished surface and the number of particles attached to the glass surface ( pieces / cm 2) is not only sufficiently improved, the polishing rate ([mu] m / min) and the surface roughness Ra (Å) As in the case of Example 3 in Table 1, it is improved and sufficiently practical.

また、上記の表−11に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。磁気ディスク用ガラス基板の製造に際し、表−1の実施例3においてDEA(5重量部)+TEA(10重量部)の代わりに、上記表−11に表示の種々のアルカリポリッシング剤(MEA、DEA及びTEA)を量比も変えて含有する、実施例51〜55記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工によって得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例2記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、ミッシングカウント(個/面)が十分に改善されているだけでなく、SNR(dB)、製品合格率も、改善されていて、十分実用可能であることは、表−1の実施例3の場合と同様である。   In addition, the following facts are found from the evaluation results of the perpendicular magnetic recording medium shown in Table-11 above. When manufacturing the glass substrate for magnetic disk, instead of DEA (5 parts by weight) + TEA (10 parts by weight) in Example 3 of Table-1, various alkaline polishing agents (MEA, DEA and In a recording medium formed on the surface of a substrate obtained by polishing an amorphous glass using an aqueous diamond slurry having a composition as described in Examples 51 to 55 containing TEA) in a different amount ratio, diethylenetriamine Compared with the recording medium formed on the substrate surface in the case of using the aqueous diamond slurry having the composition described in Comparative Example 2 that does not contain / adipic acid / 1.0EO, the missing count (pieces / surface) is sufficiently high Not only has it been improved, but SNR (dB) and product acceptance rate have also been improved and are fully practical. Is the same as in Example 3 of Table 1.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−12に示された基板表面の研磨状態の評価結果から、次の事実が、判明する。
表−1〜11の諸実施例に示された、種々の水性ダイヤモンドスラリーとは相違し、アルカリエッチング剤を含有しないが、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOは含有する。この表−12に特定された、実施例61〜64記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例9記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の研磨状態と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOの配合量を調整することにより、改善されていて、十分実用可能である。
The following facts are found from the evaluation results of the polishing state of the substrate surface shown in Table-12 above.
Unlike the various aqueous diamond slurries shown in the Examples of Tables 1-11, it does not contain an alkaline etchant but contains diethylenetriamine / adipic acid / 1.0 EO. The polishing state of the substrate surface achieved by polishing an amorphous glass using an aqueous diamond slurry having the formulation described in Examples 61 to 64 specified in Table-12 is diethylenetriamine / adipic acid / 1. Compared with the polished state when using an aqueous diamond slurry having a composition described in Comparative Example 9 and containing no 0.0EO, the scratch generation rate (%) per polished surface and the number of particles adhering to the glass surface (number / piece cm 2 ) is sufficiently improved, the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) are also improved by adjusting the blending amount of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. And is sufficiently practical.

また、上記の表−12に示された垂直磁気記録媒体の評価結果から、次の事実が、判明する。表−1〜11の諸実施例に示された、種々の水性ダイヤモンドスラリーとは相違し、アルカリエッチング剤を含有しないが、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOは含有する。表−12に特定された、実施例61〜64記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた、アモルファスガラスのポリッシング加工により得られた基板表面に形成された記録媒体においては、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOを含有しない、比較例9記載の配合を有する、水性ダイヤモンドスラリーを用いた場合の基板表面に形成された記録媒体と比べて、研磨面当たりのスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が十分に改善されているだけでなく、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)も、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EOの配合量を調整することにより、改善されていて、十分実用可能である。 Further, the following facts are found from the evaluation results of the perpendicular magnetic recording medium shown in Table-12 above. Unlike the various aqueous diamond slurries shown in the Examples of Tables 1-11, it does not contain an alkaline etchant but contains diethylenetriamine / adipic acid / 1.0 EO. In a recording medium formed on the surface of a substrate obtained by polishing an amorphous glass using an aqueous diamond slurry having the formulation of Examples 61 to 64 specified in Table-12, diethylenetriamine / adipic acid / Scratch ratio (%) per polished surface and glass surface as compared with the recording medium formed on the substrate surface when using an aqueous diamond slurry having a composition described in Comparative Example 9, which does not contain EO Not only is the number of particles (particles / cm 2 ) adhering to the surface sufficiently improved, but also the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) are mixed with diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO. By adjusting the value, it is improved and is sufficiently practical.

[応用例 2] TFTパネル用ガラス基板の製造
<実施例70〜79及び比較例70〜75>
[Application Example 2] Production of glass substrate for TFT panel <Examples 70 to 79 and Comparative examples 70 to 75>

ポリッシング加工
5cm角(面積25cm)の無アルカリガラス基板(厚さ1mm)表面に対してポリッシング加工を行った。
ポリッシング加工は、4ウェイ方式両面研磨装置を用いて行った。その際、研磨液として、平均粒径1.2μmの酸化セリウム砥粒10重量部と、表13の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物20重量部と、イオン交換水(比抵抗1MΩ・cm)70重量部とを配合した水性酸化セリウムスラリーを用い、研磨パッドとして、発泡ポリウレタンパッド(ローデス社製、グレード名LP−77)を用いた。
また、研磨条件は、基板を保持した定盤の回転数を60rpm、両面研磨装置へのスラリー供給量を50ml/分とした。加工圧力(パッドの押し付け力)は150gf/cmとし、加工時間は30分とした。このようにして、表面に、ポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
Polishing :
Polishing was performed on the surface of a 5 cm square (area 25 cm 2 ) non-alkali glass substrate (thickness 1 mm).
Polishing was performed using a 4-way double-side polishing machine. At that time, as a polishing liquid, 10 parts by weight of cerium oxide abrasive grains having an average particle diameter of 1.2 μm, 20 parts by weight of a polishing liquid composition having a composition described in each Example or Comparative Example in Table 13, and ion-exchanged water ( An aqueous cerium oxide slurry blended with 70 parts by weight of a specific resistance of 1 MΩ · cm) was used, and a foamed polyurethane pad (Rodes, grade name LP-77) was used as a polishing pad.
The polishing conditions were such that the rotation speed of the surface plate holding the substrate was 60 rpm, and the amount of slurry supplied to the double-side polishing apparatus was 50 ml / min. The processing pressure (pad pressing force) was 150 gf / cm 2 and the processing time was 30 minutes. Thus, the glass substrate which gave the polishing process to the surface was obtained.

洗浄と評価
ポリッシング加工を施したガラス基板は、研磨終了後、研磨面に物が触れることのないようにして、水道水で流水洗浄した後、クラス1000のクリーンルーム内において、超音波洗浄機で超音波を印加しながらイオン交換水(比抵抗1MΩ・cm)で3回リンスした。リンス後、圧縮窒素を吹き付けて乾燥した。
このようにして得られた、乾燥後のTFTパネル用ガラス基板(各実施例又は比較例ごとに、加工枚数5枚)について、研磨状態の評価(前記応用例1と同様)を行った。結果は、表−13に記載の通りである。
Cleaning and evaluation :
The polished glass substrate is washed with running water so that no objects touch the polished surface after polishing, and then applied with an ultrasonic cleaner in a Class 1000 clean room. While rinsing with ion-exchanged water (specific resistance 1 MΩ · cm) three times. After rinsing, it was dried by blowing compressed nitrogen.
The thus obtained dried glass substrate for TFT panel (5 processed sheets for each example or comparative example) was evaluated for the polishing state (similar to application example 1). The results are as shown in Table-13.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−13に示された評価結果から、次の事実が判明する。
(1)TFTパネル用ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物(以下、「ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等」という。)を含有する実施例70〜79記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた、無アルカリガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等を含有しないが、他の配合成分及び量を共通にする、比較例70〜75記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた場合の研磨状態に比べて、いずれのジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等においても、スクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が著しく改善され、しかも、この達成が研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)を実用範囲に維持しつつ可能である。また、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等の配合量を調整することによる、改善も認められる。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等を含有しない比較例70〜75記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた場合の研磨状態は、特にスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)の点で実用に適さず、比較例71や75のように、水溶性ポリマーの配合によって、若干の改善も認められる場合もあるが、それでもなお、実用上使用可能とするには不十分である。
(3)また、実施例74において、トリエチレンテトラミン/アジピン酸/EOに代えて、EO付加を行っていないトリエチレンテトラミン/アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例B記載の配合を有する、水性酸化セリウムスラリーを用いた無アルカリガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、EO付加物であるトリエチレンテトラミン/アジピン酸/EOを配合した、上記実施例74とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例72とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
The following facts are found from the evaluation results shown in Table-13 above.
(1) When producing a glass substrate for a TFT panel, an alkylene oxide adduct of a polycondensate of a dicarboxylic acid such as diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO and a polyamine (hereinafter referred to as “diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, etc.”) The polishing state of the substrate surface achieved by an alkali-free glass polishing process using an aqueous cerium oxide slurry having the formulation described in Examples 70 to 79, containing diethylenetriamine / adipic acid / 1. Any diethylenetriamine / adipic acid as compared to the polished state when an aqueous cerium oxide slurry is used, which does not contain 0EO or the like, but has the formulation described in Comparative Examples 70 to 75, which has other formulation components and amounts in common /1.0 EO, etc., the scratch rate (%) and the glass surface Wearing the number of particles (number / cm 2) is significantly improved, moreover, this success is possible while maintaining a polishing rate ([mu] m / min) and the surface roughness Ra (Å) in a practical range. Moreover, the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) are also improved by adjusting the blending amount of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO.
(2) On the other hand, the polishing state when using an aqueous cerium oxide slurry having the composition described in Comparative Examples 70 to 75 not containing diethylenetriamine / adipic acid / 1.0 EO, etc. is particularly a scratch occurrence rate (%) and glass. In terms of the number of particles attached to the surface (pieces / cm 2 ), it is not suitable for practical use, and as in Comparative Examples 71 and 75, there may be some improvement due to the incorporation of the water-soluble polymer, but still, It is insufficient to make it practically usable.
(3) In Example 74, Comparative Example B is identical except that instead of triethylenetetramine / adipic acid / EO, a condensate of triethylenetetramine / adipic acid without EO addition was used. The implementation described above, wherein the polishing state of the substrate surface achieved by polishing processing of an alkali-free glass using an aqueous cerium oxide slurry having the formulation described above was formulated with triethylenetetramine / adipic acid / EO as an EO adduct Unlike Example 74, no improvement in the polishing state was observed in any of polishing speed, surface roughness, scratch generation rate, and number of particles. Rather, this kind of polyalkylene polyamide compound was blended at all. The polishing state is almost the same as that of Comparative Example 72, and is practically unusable.

[応用例 3] 光学材料用白板ガラス基板の製造
<実施例80〜89及び比較例80〜85>
Application Example 3 Production of White Plate Glass Substrate for Optical Material <Examples 80 to 89 and Comparative Examples 80 to 85>

ポリッシング加工
5cm角(面積25cm)の白板ガラス基板(厚さ5mm)表面に対してポリッシング加工を行った。
ポリッシング加工は、片面研磨装置を用いて行った。その際、研磨液として、平均粒径0.006μmのコロイダルシリカ砥粒10重量部と、表14の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物20重量部と、イオン交換水(比抵抗1MΩ・cm)70重量部とを配合した水性コロイダルシリカスラリーを用い、研磨布として、ウレタン樹脂含浸ポリエステル不織布(ローデル社製、グレード名SUBA400)を用いた。
また、研磨条件は、基板を保持した定盤の回転数を150rpm、研磨装置へのスラリー供給量を30ml/分とした。加工圧力(不織布の押し付け力)は200gf/cmとし、加工時間は10分とした。このようにして、表面に、ポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
Polishing :
Polishing was performed on the surface of a white glass substrate (thickness: 5 mm) having a size of 5 cm square (area: 25 cm 2 ).
The polishing process was performed using a single-side polishing apparatus. At that time, as a polishing liquid, 10 parts by weight of colloidal silica abrasive grains having an average particle diameter of 0.006 μm, 20 parts by weight of a polishing liquid composition having a composition described in each Example or Comparative Example in Table 14, and ion-exchanged water ( An aqueous colloidal silica slurry blended with 70 parts by weight of a specific resistance of 1 MΩ · cm) was used, and a urethane resin-impregnated polyester nonwoven fabric (manufactured by Rodel, grade name SUBA400) was used as an abrasive cloth.
The polishing conditions were such that the rotation speed of the surface plate holding the substrate was 150 rpm, and the amount of slurry supplied to the polishing apparatus was 30 ml / min. The processing pressure (non-woven fabric pressing force) was 200 gf / cm 2 and the processing time was 10 minutes. Thus, the glass substrate which gave the polishing process to the surface was obtained.

洗浄と評価
ポリッシング加工を施したガラス基板は、前記応用例2と同様に、水道水で流水洗浄、イオン交換水でリンス、及び圧縮窒素を吹き付け乾燥を施した。
このようにして得られた、乾燥後の光学材料用白板ガラス基板(各実施例又は比較例ごとに、加工枚数5枚)について、研磨状態の評価(前記応用例2と同様)を行った。結果は、表−14に記載の通りである。
Cleaning and evaluation :
The glass substrate subjected to the polishing process was washed with running water with tap water, rinsed with ion-exchanged water, and sprayed with compressed nitrogen, and dried, as in Application Example 2.
The thus-obtained white plate glass substrate for optical material (5 processed sheets for each example or comparative example) after drying was evaluated for the polishing state (similar to Application Example 2). The results are as shown in Table-14.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−14に示された評価結果から、次の事実が判明する。
(1)光学材料用白板ガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物(以下、「ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等」という。)を含有する実施例80〜89記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた、白板ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等を含有しないが、他の配合成分及び量を共通にする、比較例80〜85記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態に比べて、
いずれのジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等においても、スクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が著しく改善され、しかも、この達成が研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)を実用範囲に維持しつつ可能である。また、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等の配合量を調整することによる、改善も認められる。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等を含有しない比較例80〜85記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態は、特にスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)の点で実用に適さず、比較例81や85のように、水溶性ポリマーの配合によって、若干の改善も認められる場合もあるが、それでもなお、実用上使用可能とするには不十分である。
(3)また、実施例84において、トリエチレンテトラミン/アジピン酸/EOに代えて、EO付加を行っていないトリエチレンテトラミン/アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例C記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた白板ガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、EO付加物であるトリエチレンテトラミン/アジピン酸/EOを配合した、上記実施例84とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例82とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
The following facts are found from the evaluation results shown in Table-14 above.
(1) When producing a white glass substrate for an optical material, an alkylene oxide adduct of a polycondensate of a dicarboxylic acid such as diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO and a polyamine (hereinafter referred to as “diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, etc.) The polishing state of the substrate surface achieved by polishing white glass using an aqueous colloidal silica slurry having the formulation described in Examples 80-89 containing: diethylenetriamine / adipic acid / 1. Compared to the polishing state when an aqueous colloidal silica slurry is used, which does not contain 0EO, etc., but has other blending components and amounts in common, and has the blending described in Comparative Examples 80-85,
In any diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO, etc., the scratch generation rate (%) and the number of particles adhering to the glass surface (number / cm 2 ) are remarkably improved, and this achievement is achieved by the polishing rate (μm / min). ) And surface roughness Ra (Å) can be maintained within a practical range. Moreover, the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) are also improved by adjusting the blending amount of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO.
(2) On the other hand, the polishing state when using an aqueous colloidal silica slurry having the formulation of Comparative Examples 80 to 85 which does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0 EO, etc. In terms of the number of particles attached to the surface (pieces / cm 2 ), it is not suitable for practical use, and as in Comparative Examples 81 and 85, a slight improvement may be observed depending on the formulation of the water-soluble polymer. It is insufficient to make it practically usable.
(3) Also, in Example 84, Comparative Example C was exactly the same except that instead of triethylenetetramine / adipic acid / EO, a condensate of triethylenetetramine / adipic acid without EO addition was used. Example above, where the polishing state of the substrate surface achieved by polishing the white glass using an aqueous colloidal silica slurry having the composition described above was formulated with triethylenetetramine / adipic acid / EO which is an EO adduct Unlike 84, no improvement in the polishing state was observed in any of polishing speed, surface roughness, scratch generation rate, and number of particles. Rather, this kind of polyalkylene polyamide compound was blended at all. The polishing state is almost equivalent to that of Comparative Example 82, and cannot be used practically.

[応用例 4] 汎用板ガラス用ソーダライムガラス基板の製造
<実施例90〜99及び比較例90〜95>
Application Example 4 Production of Soda Lime Glass Substrate for General Purpose Plate Glass <Examples 90 to 99 and Comparative Examples 90 to 95>

ポリッシング加工
5cm角(面積25cm)のソーダライムガラス基板(厚さ5mm)表面に対してポリッシング加工を行った。
ポリッシング加工は、4ウェイ方式両面研磨装置を用いて行った。その際、研磨液として、平均粒径0.008μmのコロイダルシリカ砥粒10重量部と、表15の各実施例又は比較例に記載の組成の研磨液組成物20重量部と、イオン交換水(比抵抗1MΩ・cm)70重量部とを配合した水性コロイダルシリカスラリーを用い、研磨布として、ウレタン樹脂含浸ポリエステル不織布(ローデル社製、グレード名SUBA400)を用いた。
また、研磨条件は、基板を保持した定盤の回転数を60rpm、研磨装置へのスラリー供給量を100ml/分とした。加工圧力(不織布の押し付け力)は150gf/cmとし、加工時間は10分とした。このようにして、表面に、ポリッシング加工を施したガラス基板を得た。
Polishing :
Polishing was performed on the surface of a 5 cm square (area 25 cm 2 ) soda lime glass substrate (thickness 5 mm).
Polishing was performed using a 4-way double-side polishing machine. At that time, as a polishing liquid, 10 parts by weight of colloidal silica abrasive grains having an average particle diameter of 0.008 μm, 20 parts by weight of a polishing liquid composition having a composition described in each Example or Comparative Example in Table 15, and ion-exchanged water ( An aqueous colloidal silica slurry blended with 70 parts by weight of a specific resistance of 1 MΩ · cm) was used, and a urethane resin-impregnated polyester nonwoven fabric (manufactured by Rodel, grade name SUBA400) was used as an abrasive cloth.
The polishing conditions were such that the rotation speed of the surface plate holding the substrate was 60 rpm, and the amount of slurry supplied to the polishing apparatus was 100 ml / min. The processing pressure (nonwoven fabric pressing force) was 150 gf / cm 2 and the processing time was 10 minutes. Thus, the glass substrate which gave the polishing process to the surface was obtained.

洗浄と評価
ポリッシング加工を施したガラス基板は、前記応用例2と同様に、水道水で流水洗浄、イオン交換水でリンス、及び圧縮窒素を吹き付け乾燥を施した。
このようにして得られた、乾燥後の汎用板ガラス用ソーダライムガラス基板(各実施例又は比較例ごとに、加工枚数5枚)について、研磨状態の評価(前記応用例2と同様)を行った。結果は、表−15に記載の通りである。
Cleaning and evaluation :
The glass substrate subjected to the polishing process was washed with running water with tap water, rinsed with ion-exchanged water, and sprayed with compressed nitrogen, and dried, as in Application Example 2.
The soda-lime glass substrate for general-purpose plate glass after drying thus obtained (5 processed sheets for each example or comparative example) was evaluated for the polishing state (similar to Application Example 2). . The results are as shown in Table-15.

Figure 0005563269
Figure 0005563269

上記の表−15に示された評価結果から、次の事実が判明する。
(1)汎用板ガラス用ソーダライムガラス基板の製造に際し、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等のジカルボン酸とポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物(以下、「ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等」という。)を含有する実施例90〜99記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた、ソーダライムガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等を含有しないが、他の配合成分及び量を共通にする、比較例90〜95記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態に比べて、いずれのジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等においても、スクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)が著しく改善され、しかも、この達成が研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)を実用範囲に維持しつつ可能である。また、研磨速度(μm/分)及び表面粗さRa(Å)は、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等の配合量を調整することによる、改善も認められる。
(2)一方、ジエチレントリアミン/アジピン酸/1.0EO等を含有しない比較例90〜95記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いた場合の研磨状態は、特にスクラッチ発生率(%)及びガラス表面に付着したパーティクル数(個/cm)の点で実用に適さず、比較例91や95のように、水溶性ポリマーの配合によって、若干の改善も認められる場合もあるが、それでもなお、実用上使用可能とするには不十分である。
(3)また、実施例94において、トリエチレンテトラミン/アジピン酸/EOに代えて、EO付加を行っていないトリエチレンテトラミン/アジピン酸の縮合物を用いた以外は全く同一である、比較例D記載の配合を有する、水性コロイダルシリカスラリーを用いたソーダライムガラスのポリッシング加工により達成される、基板表面の研磨状態は、
EO付加物であるトリエチレンテトラミン/アジピン酸/EOを配合した、上記実施例94とは全く異なって、研磨速度、表面粗さ、スクラッチ発生率、パーティクル数のいずれの点においても、研磨状態の改善は全く認められず、むしろ、この種ポリアルキレンポリアミド化合物を一切配合していない、比較例92とほぼ同等な研磨状態であって、実用上使用不可能である。
The following facts are found from the evaluation results shown in Table-15 above.
(1) When producing a soda-lime glass substrate for general-purpose flat glass, an alkylene oxide adduct of a polycondensate of a dicarboxylic acid such as diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO and a polyamine (hereinafter referred to as “diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO”). The polishing state of the substrate surface achieved by polishing soda lime glass with an aqueous colloidal silica slurry having the formulation described in Examples 90-99 containing: diethylenetriamine / adipic acid / Compared to the polishing state when using an aqueous colloidal silica slurry, which does not contain 1.0EO or the like, but has other blending components and amounts in common and has the blending of Comparative Examples 90 to 95, any diethylenetriamine / Scratch occurrence rate even in adipic acid / 1.0EO %) And the number of particles adhering to the glass surface (pieces / cm 2) is significantly improved, moreover, possible with this achieved maintaining the polishing rate ([mu] m / min) and the surface roughness Ra (Å) in a practical range is there. Moreover, the polishing rate (μm / min) and the surface roughness Ra (Å) are also improved by adjusting the blending amount of diethylenetriamine / adipic acid / 1.0EO.
(2) On the other hand, the polishing state when using an aqueous colloidal silica slurry having the formulation of Comparative Examples 90 to 95 which does not contain diethylenetriamine / adipic acid / 1.0 EO, etc. In terms of the number of particles attached to the surface (pieces / cm 2 ), it is not suitable for practical use, and as in Comparative Examples 91 and 95, a slight improvement may be observed depending on the formulation of the water-soluble polymer. It is insufficient to make it practically usable.
(3) Further, in Example 94, Comparative Example D was identical except that instead of triethylenetetramine / adipic acid / EO, a condensate of triethylenetetramine / adipic acid without EO addition was used. The polished state of the substrate surface, achieved by polishing soda lime glass with an aqueous colloidal silica slurry having the described formulation,
In contrast to Example 94, in which triethylenetetramine / adipic acid / EO, which is an EO adduct, was blended, the polishing state was not affected in any of polishing speed, surface roughness, scratch generation rate, and number of particles. No improvement was observed at all. Rather, the polishing state was almost the same as that of Comparative Example 92, in which this type of polyalkylene polyamide compound was not blended at all, and was not practically usable.

用途:
磁気ディスク、光ディスク等の記録媒体用ガラス基板、光学レンズ等光学用途用ガラス材料、液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、プラズマディスプレイ用ガラス基板、LSIフォトマスク用ガラス基板などの電子回路製造用、フォトマスク用石英ガラス、水晶、太陽電池のパネル、光学部品用の各種レンズやフィルター、光ファイバー。


Use:
For manufacturing electronic circuits such as glass substrates for recording media such as magnetic disks and optical disks, glass materials for optical applications such as optical lenses, glass substrates for liquid crystals, color filters for liquid crystal televisions, glass substrates for plasma displays, glass substrates for LSI photomasks, etc. Quartz glass for photomasks, crystal, solar cell panels, various lenses and filters for optical components, optical fibers.


Claims (11)

ポリアルキレンポリアミンとC2〜C12のアルキレン又はアリーレンジカルボン酸との重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有することを特徴とするガラスポリッシング加工用組成物。   A composition for glass polishing processing, comprising an alkylene oxide adduct of a polycondensate of a polyalkylene polyamine and a C2-C12 alkylene or arylene dicarboxylic acid. 上記ジカルボン酸が、コハク酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、1,10−デカンジカルボン酸、1,1−ジメチル−1,3−プロパンジカルボン酸、1−メチル−1−エチル−1,3−プロパンジカルボン酸、テレフタル酸及びイソフタル酸から選ばれた少なくとも一つであり、かつ、上記ポリアルキレンポリアミンが、ジエチレントリアミン及びトリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジプロピレントリアミン、トリプロピレンテトラミン、ジイソプロピレントリアミン、ジブチレントリアミン、ジイソブチレントリアミンから選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする請求項1に記載のガラスポリッシング加工用組成物。   The dicarboxylic acid is succinic acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, 1,10-decanedicarboxylic acid, 1,1-dimethyl-1,3-propanedicarboxylic acid, 1-methyl-1 -At least one selected from ethyl-1,3-propanedicarboxylic acid, terephthalic acid and isophthalic acid, and the polyalkylenepolyamine is diethylenetriamine and triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, diethylenetriamine 2. The glass polishing composition according to claim 1, wherein the composition is at least one selected from propylene triamine, tripropylene tetramine, diisopropylene triamine, dibutylene triamine, and diisobutylene triamine. 上記アルキレンオキシドがエチレンオキシド、プロピレンオキシド及びブチレンオキシドから選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラスポリッシング加工用組成物。   The glass polishing composition according to claim 1 or 2, wherein the alkylene oxide is at least one selected from ethylene oxide, propylene oxide, and butylene oxide. 上記組成物がカルボン酸基、カルボン酸塩基及び/又はカルボン酸アミド化合物基を有する水溶性ポリマーを含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。   The composition for glass polishing processing according to any one of claims 1 to 3, wherein the composition contains a water-soluble polymer having a carboxylic acid group, a carboxylic acid group, and / or a carboxylic acid amide compound group. object. 上記組成物が界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。   The said composition contains surfactant, The composition for glass polishing processing as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 上記組成物が、アルカリエッチング剤及び/又は、アミン類を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。   The said composition contains an alkali etching agent and / or amines, The composition for glass polishing processing as described in any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. 上記組成物が、砥粒及び冷却剤を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のガラスポリッシング加工用組成物。   The said composition contains an abrasive grain and a cooling agent, The composition for glass polishing processing as described in any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned. ガラス材料の表面に、請求項7に記載のガラスポリッシング加工用組成物を含浸した布材を所定時間押しつけて、ポリッシング加工を行うことを特徴とするガラスポリッシング加工方法。   A glass polishing method comprising: polishing a surface of a glass material by pressing a cloth material impregnated with the composition for glass polishing processing according to claim 7 for a predetermined time. 上記組成物がアルカリ性物質を含有する場合には、上記ジカルボン酸と上記ポリアルキレンポリアミンとの重縮合物のアルキレンオキシド付加物を含有する組成物を得た後可及的速やかに、上記ポリッシング加工を行うことを特徴とする請求項8に記載のガラスポリッシング加工方法。   When the composition contains an alkaline substance, the polishing process is performed as soon as possible after obtaining a composition containing an alkylene oxide adduct of a polycondensate of the dicarboxylic acid and the polyalkylene polyamine. The glass polishing method according to claim 8, wherein the glass polishing method is performed. 上記ガラス材料がガラス製磁気ディスク用基板であることを特徴とする請求項8又は9に記載のガラスポリッシング加工方法。   10. The glass polishing method according to claim 8, wherein the glass material is a glass magnetic disk substrate. 上記組成物中の砥粒がダイヤモンド砥粒であることを特徴とする請求項10に記載のガラスポリッシング加工方法。   The glass polishing processing method according to claim 10, wherein the abrasive grains in the composition are diamond abrasive grains.
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