JP5558667B2 - Pressure transducer with improved process adapter - Google Patents

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Description

発明の背景
圧力／減圧変換器は公知である。このような装置は一般に、圧力源又は減圧源に結合し、圧力又は減圧に応じて変化する電気的特性を生じさせ、変化した電気的特性の電気的表示を提供して、減圧又は圧力をオペレータ又はプロセスの他の部分に知らせる。 BACKGROUND OF THE INVENTION Pressure / vacuum converters are known. Such devices are typically coupled to a pressure or vacuum source to produce an electrical characteristic that changes in response to the pressure or vacuum, and provides an electrical indication of the changed electrical characteristic to provide a reduced pressure or pressure to the operator. Or inform other parts of the process.

高純度圧力又は減圧変換器は、一般的な減圧又は圧力変換器の比較的小さなサブセットである。これらの装置は、きわめて高感度及び／又は非常に清浄なプロセスへの暴露のために特に適合されている。これらは、圧力変換器から剥離する又は圧力変換器から放出される粒子がプロセスライン全体に悪影響を及ぼすおそれのあるタイプのプロセスである。このような用途の一例は半導体加工である。   High purity pressure or vacuum transducers are a relatively small subset of common vacuum or pressure transducers. These devices are particularly adapted for exposure to very sensitive and / or very clean processes. These are types of processes in which particles that are exfoliated from or released from the pressure transducer can adversely affect the entire process line. An example of such an application is semiconductor processing.

半導体工業におけるような、たとえば材料の付着又は除去（エッチング）を伴う高純度用途には減圧変換器が使用される。半導体付着チャンバ中で減圧変換器を運用する場合の一つの関心事は、圧力センサそのものへの付着材料の堆積である。このような用途では、センサ上への付着を抑制するために「プラズマシールド」を用いることが一般に知られている。これは一般に、有孔シートメタル片を使用し、それをセンサの正面のハウジングにスポット溶接することによって達成されてきた。このタイプのシールドにはいくつかの望ましくない副作用がある。第一に、材料の薄い断面のせいで、シールドの熱伝導が不十分である。この不十分な熱伝導は、付着材料の堆積を減らすためにセンサ及びシールドを高温に維持しようとする加熱システムの効率を下げることがある。したがって、シールドの不十分な熱伝導率は、プロセス材料をシールド上に早期付着させることにつながるかもしれない。もう一つの望ましくない副作用は、シールドが一般に、側壁へのその付着点に多くの狭くて深い裂け目を有するということである。これらの閉じ込められた容積が「ポンプダウン」時間を延ばし、清浄の難題をもたらす。さらに別の望ましくない副作用は、一般的なシートメタルシールドが多くの場合に非常に薄く、センサに対して限られた物理的防護しか提供しないということである。シールドは、その比較的乏しい物理的頑丈さのせいで、ときに、破損したり、センサが用いられるところのきわめて清浄な環境の中で望ましくない粒子を発生させたりする。   Vacuum converters are used for high purity applications, such as in the semiconductor industry, for example with material deposition or removal (etching). One concern when operating a vacuum transducer in a semiconductor deposition chamber is the deposition of deposited material on the pressure sensor itself. In such applications, it is generally known to use a “plasma shield” to suppress adhesion on the sensor. This has generally been accomplished by using a perforated sheet metal piece and spot welding it to the housing in front of the sensor. This type of shield has several undesirable side effects. First, due to the thin cross-section of the material, the heat transfer of the shield is insufficient. This inadequate heat transfer may reduce the efficiency of the heating system that attempts to maintain the sensor and shield at an elevated temperature to reduce deposition of deposited material. Thus, insufficient thermal conductivity of the shield may lead to premature deposition of process material on the shield. Another undesirable side effect is that the shield generally has many narrow and deep tears at its point of attachment to the sidewall. These trapped volumes extend the “pump down” time and pose a cleaning challenge. Yet another undesirable side effect is that typical sheet metal shields are often very thin and provide limited physical protection to the sensor. Due to its relatively poor physical robustness, the shield sometimes breaks and generates undesirable particles in the extremely clean environment where the sensor is used.

発明の概要
清浄な環境のための圧力変換器が開示される。圧力変換器は、プロセスカプラ、センサモジュール、シールド及び電子部品を含む。プロセスカプラは、プロセス入口でプロセス媒体の供給源に結合するように構成されている。センサモジュールは、プロセスカプラに結合され、圧力センサをその中に有している。圧力センサは、センサモジュール内の圧力に応答して変化する電気的特性を有している。シールドは、プロセスカプラに隣接して配置され、プロセス入口と圧力センサとの間の実質的にすべての見通し線を遮るように構成されている。変換器内の電子部品は圧力センサに結合されて電気的特性を計測し、その表示を提供する。また、清浄な環境で圧力を感知する方法が提供される。 SUMMARY OF THE INVENTION A pressure transducer for a clean environment is disclosed. The pressure transducer includes a process coupler, a sensor module, a shield and electronic components. The process coupler is configured to couple to a source of process media at the process inlet. The sensor module is coupled to the process coupler and has a pressure sensor therein. The pressure sensor has an electrical characteristic that changes in response to the pressure in the sensor module. The shield is disposed adjacent to the process coupler and is configured to block substantially all line of sight between the process inlet and the pressure sensor. Electronic components in the transducer are coupled to the pressure sensor to measure electrical characteristics and provide an indication thereof. A method for sensing pressure in a clean environment is also provided.

例示的な実施態様の詳細な説明
以下、本発明の様々な実施態様を説明する。一部の実施態様では、プロセス入口と圧力センサとの間の実質的にすべての見通し線がシールドによって遮られている。他の実施態様では、シールドは、プロセスカプラに対し、シールドとプロセスカプラとの間に高い熱伝導率を提供するような方法で結合されている。シールドは、プロセスカプラとで一体に形成されてシールドとプロセスカプラとの間の容積を最小限にし、それにより、ポンプダウン時間を減らすことができる。 Detailed Description of Exemplary Embodiments Various embodiments of the invention are described below. In some implementations, substantially all lines of sight between the process inlet and the pressure sensor are blocked by a shield. In other embodiments, the shield is coupled to the process coupler in such a manner as to provide high thermal conductivity between the shield and the process coupler. The shield can be integrally formed with the process coupler to minimize the volume between the shield and the process coupler, thereby reducing pump down time.

図１は、本発明の実施態様が特に有用である高純度減圧変換器の概略図である。変換器１０は一般に、センサ電子部品エンクロージャ１２、センサ部１４、プロセスカップリング１６及び電気コネクタ１８を含む。プロセスカップリング１６は一般に、高純度環境において減圧源又は圧力源に結合され、供給源をセンサ部１４に流動的に結合する。モジュール１４内の圧力センサは、圧力とともに変化する電気的特性を有している。このような圧力センサの例は、可撓性ダイアフラム静電容量ベースのセンサ及び可撓性ダイアフラムひずみベースのセンサを含むが、これらに限定されるものではない。   FIG. 1 is a schematic diagram of a high purity vacuum converter in which embodiments of the present invention are particularly useful. The transducer 10 generally includes a sensor electronics enclosure 12, a sensor portion 14, a process coupling 16 and an electrical connector 18. The process coupling 16 is typically coupled to a reduced pressure or pressure source in a high purity environment and fluidly couples the source to the sensor section 14. The pressure sensor in the module 14 has electrical characteristics that change with pressure. Examples of such pressure sensors include, but are not limited to, flexible diaphragm capacitance based sensors and flexible diaphragm strain based sensors.

図２は、部分１４内のセンサ１５に電気的に結合されたセンサ電子部品エンクロージャ１２内の電子部品の概略図である。図２に示すように、変換器１０は、好ましくは、コネクタ１８に結合され、コネクタ１８を介して受けた電気から変換器の他の部品のための電力を提供又は他の方法でコンディショニングするように構成された電源モジュール１００を含む。そのようなものとして、変換器１０は、コネクタ１８を介して供給される電気によって完全に給電されることができる。変換器１０はまた、好ましくは、通信モジュール１０２を含む。通信モジュール１０２は、変換器１０が適当なプロセス工業規格プロトコルに準拠した信号伝達を介して通信することを許すように構成されている。このようなプロトコルの例は、ＨＡＲＴ（Highway Addressable Remote Transducer）プロトコル及びFOUNDATION（商標）Fieldbusプロトコルを含むが、これらに限定されない。エンクロージャ１２内のさらなる電子部品は、さらなる機能、たとえば電気信号のデジタル表示への変換ならびにデジタル出力の線形化及び／又は特性決定を実行することができる。制御装置１０４が電源モジュール１００に結合され、そこから電力を導出する。制御装置１０４はまた、通信モジュール１０２に結合されて、制御装置１０４によって供給された情報をモジュール１０２を介して送ることができるようになっている。さらには、プロセスループを経由してモジュール１０２によって受信された情報が制御装置１０４に提供されることができる。制御装置１０４は、適当なデジタル処理回路を含むことができるが、好ましくはマイクロプロセッサである。制御装置１０４は、計測回路１０６を介してセンサ１５に結合されている。回路１０６は、アナログデジタル変換器、たとえばシグマ・デルタ変換器を含むことができる。回路１０６はまた、所望により、適当な線形化、較正及び／又は特性決定回路を含むことができる。   FIG. 2 is a schematic diagram of the electronics in the sensor electronics enclosure 12 electrically coupled to the sensor 15 in the portion 14. As shown in FIG. 2, the transducer 10 is preferably coupled to a connector 18 to provide or otherwise condition power for other components of the transducer from electricity received through the connector 18. The power supply module 100 is configured. As such, the transducer 10 can be fully powered by electricity supplied through the connector 18. The converter 10 also preferably includes a communication module 102. The communication module 102 is configured to allow the converter 10 to communicate via signaling in accordance with a suitable process industry standard protocol. Examples of such protocols include, but are not limited to, HART (Highway Addressable Remote Transducer) protocol and FOUNDATION ™ Fieldbus protocol. Additional electronic components within the enclosure 12 can perform additional functions such as conversion of electrical signals to digital representations and linearization and / or characterization of digital outputs. A controller 104 is coupled to the power supply module 100 and derives power therefrom. The controller 104 is also coupled to the communication module 102 so that information supplied by the controller 104 can be sent through the module 102. Furthermore, information received by the module 102 via the process loop can be provided to the controller 104. The controller 104 can include any suitable digital processing circuitry, but is preferably a microprocessor. The control device 104 is coupled to the sensor 15 via the measurement circuit 106. Circuit 106 may include an analog to digital converter, such as a sigma delta converter. The circuit 106 may also include appropriate linearization, calibration and / or characterization circuitry as desired.

センサ１５は、加えられる圧力又は減圧に応答して撓む又は他の方法で変形することができる。センサ１５は、加えられる圧力又は減圧に応答して変化する電気的特性、たとえば抵抗、電圧又は静電容量を有する。好ましくは、センサ１５は半導体系材料から構成される。このようなタイプのセンサは、本発明の譲受人に譲り受けられている米国特許第５，６３７，８０２号で教示されている。このような半導体系センサは一般に、半導体センサの部分の撓みとともに変化する静電容量を提供する。撓みは、加えられる圧力に応答する。半導体、特に単結晶半導体、たとえばサファイヤの使用は多数の利点を提供する。サファイヤは、正しく融着されると二つの融着部分の間に材料界面を有しない単結晶材料の例である。したがって、得られる構造は抜群に頑丈である。さらには、半導体系センサは、非常に良好なヒステリシスを有し、きわめて高い周波数応答を有する。半導体系圧力センサに関連するさらなる情報は、すべて本発明の譲受人に譲り受けられている米国特許第６，０７９，２７６号、第６，０８２，１９９号、第６，０８９，９０７号、第６，４８４，５８５号及び第６，５２０，０２０号に見いだすことができる。   The sensor 15 can flex or otherwise deform in response to applied pressure or reduced pressure. The sensor 15 has an electrical characteristic that changes in response to applied pressure or reduced pressure, such as resistance, voltage or capacitance. Preferably, the sensor 15 is made of a semiconductor material. Such a type of sensor is taught in US Pat. No. 5,637,802, assigned to the assignee of the present invention. Such semiconductor-based sensors generally provide a capacitance that varies with the deflection of the portion of the semiconductor sensor. The deflection is responsive to the applied pressure. The use of semiconductors, particularly single crystal semiconductors such as sapphire, offers a number of advantages. Sapphire is an example of a single crystal material that, when properly fused, does not have a material interface between two fused portions. Thus, the resulting structure is exceptionally sturdy. Furthermore, semiconductor-based sensors have very good hysteresis and a very high frequency response. Additional information relating to semiconductor-based pressure sensors can be found in U.S. Pat. Nos. 6,079,276, 6,082,199, 6,089,907, 6 484, 585 and 6,520,020.

サファイヤ系センサの使用は、本発明の一部の実施態様には特に有益であることができる。サファイヤは非常に耐食性であり、プロセス媒体への直接的な暴露に適している。さらには、サファイヤ圧力センサは、応答時間が速く、一般には約１００kHzを超える。センサ１５をプロセス媒体と直に接触させて配置することにより、センサ応答を遅らせる及び／又はシステム有効性を損なうおそれのある、シリコーンオイルのような隔離流体は要らない。さらには、隔離流体が使用されないため、シールが破損し、隔離流体が清浄な環境中に漏れる危険はない。   The use of sapphire-based sensors can be particularly beneficial for some embodiments of the present invention. Sapphire is very corrosion resistant and is suitable for direct exposure to process media. Furthermore, sapphire pressure sensors have a fast response time, typically above about 100 kHz. By placing the sensor 15 in direct contact with the process medium, no isolating fluid, such as silicone oil, is required which can delay sensor response and / or compromise system effectiveness. Furthermore, since no isolation fluid is used, there is no risk of the seal being broken and the isolation fluid leaking into a clean environment.

図３は、本発明の実施態様のセンサモジュール及びプロセス結合を示す。センサモジュール１４は界面１９でプロセスカプラ１６に結合している。本発明の態様にしたがって、他にも様々な形態のプロセスカプラを使用することができる。たとえば、ＶＣＲ継手を使用することができる。図３に示すように、圧力センサ１５は、マウント２２を介してセンサ部１４に取り付けられている。センサ１５の感圧部２４がモジュール１４内に配置されている。圧力センサ１５は、好ましくは、半導体加工技術にしたがって、上記のような半導体材料を使用して構成される。センサモジュール１４内の圧力の変化が部分２４の撓みを発生させ、それが圧力センサ１５の電気的特性、たとえば静電容量を変化させる。センサ１５（図示せず）に結合された導体が電気信号を計測回路１０６に運び、エンクロージャ１２内の回路１０６が電気的特性、ひいては圧力を計測することを可能にする。センサモジュール１４は、好ましくは、プロセスカプラ１６に隣接して配置されたシールド３０を含む。シールド３０は、プロセス入口、たとえば入口３２と圧力センサ部２４との間のすべての見通し線を遮るように働く。本明細書で使用する見通し線とは、二つの物体の間、たとえばプロセス入口と圧力センサ部２４との間の直線である。シールド３０は、適当な材料から構成することができる。適当な構成の一例は、厚さ１／８インチのステンレス鋼であるシールド３０である。見通し線の遮断は、プロセス材料が不都合にもセンサ部２４に付着することがないことを保証するために重要である。シールド３０は入口３２とセンサ部３４との間の見通し線を遮るが、シールド３０が入口３２とセンサ部２４との間の流動的連絡を可能にすることが同じく重要である。したがって、シールド３０は、入口３２で受けられたプロセス媒体がセンサ部２４にアクセスすることを可能にする多数の開口３４を含む。   FIG. 3 illustrates the sensor module and process combination of an embodiment of the present invention. Sensor module 14 is coupled to process coupler 16 at interface 19. Various other types of process couplers can be used in accordance with aspects of the present invention. For example, a VCR joint can be used. As shown in FIG. 3, the pressure sensor 15 is attached to the sensor unit 14 via a mount 22. A pressure sensitive part 24 of the sensor 15 is arranged in the module 14. The pressure sensor 15 is preferably configured using a semiconductor material as described above according to semiconductor processing technology. Changes in pressure within the sensor module 14 cause deflection of the portion 24, which changes the electrical characteristics of the pressure sensor 15, such as capacitance. A conductor coupled to the sensor 15 (not shown) carries the electrical signal to the measurement circuit 106, allowing the circuit 106 in the enclosure 12 to measure electrical characteristics and thus pressure. The sensor module 14 preferably includes a shield 30 disposed adjacent to the process coupler 16. The shield 30 serves to block all line of sight between the process inlet, for example, the inlet 32 and the pressure sensor portion 24. As used herein, the line of sight is a straight line between two objects, for example, between a process inlet and a pressure sensor unit 24. The shield 30 can be constructed from a suitable material. An example of a suitable configuration is a shield 30 that is 1/8 inch thick stainless steel. Line-of-sight interruptions are important to ensure that process material does not inadvertently adhere to the sensor portion 24. Although the shield 30 blocks the line of sight between the inlet 32 and the sensor portion 34, it is equally important that the shield 30 allows fluid communication between the inlet 32 and the sensor portion 24. Thus, the shield 30 includes a number of openings 34 that allow process media received at the inlet 32 to access the sensor portion 24.

シールド３０は、好ましくは、センサモジュール１４の一体部分であるように構成される。シールド３０は、モジュール１４の他の部分とは別に製造したのち、モジュール１４に完全に溶接することができる。シールド３０を完全に溶接することができる一つの方法は、シールド３０の全周囲を取り囲む一つの途切れのない溶接を使用することによる方法である。しかし、好ましくは、シールド３０はモジュール１４と一体に形成される。モジュール１４内のシールド３０の一体性は、シールド３０とモジュール１４との間に界面がないため、それらの間の容積を最小限にしながらシールド３０とモジュール１４との間の接続がきわめて頑丈であることを保証する。   The shield 30 is preferably configured to be an integral part of the sensor module 14. The shield 30 can be completely welded to the module 14 after being manufactured separately from the other parts of the module 14. One method by which the shield 30 can be completely welded is by using a single uninterrupted weld that surrounds the entire circumference of the shield 30. However, preferably the shield 30 is formed integrally with the module 14. The integrity of the shield 30 within the module 14 is such that there is no interface between the shield 30 and the module 14 so that the connection between the shield 30 and the module 14 is extremely robust while minimizing the volume between them. Guarantee that.

図４は、本発明の実施態様のモジュール１４の拡大斜視図である。モジュール１４は、図４では断面図として示されている。図４に示す実施態様では、シールド３０は、全部で６個の開口３４を含む。図３及び４を見ることによって明らかであるように、シールド３０中の開口３４の位置及びサイズは、好ましくは、入口３２からのすべての見通し線が遮られるように選択される。したがって、各内側接線３６及び開口３６は、入口３２の半径を超えたところに配置されている。本発明の態様にしたがって、開口３４を位置決めし、サイズ決めする他の方法を使用することもできる。たとえば、プロセス流体がガス流である場合、開口３４の開口サイズの比及び位置を使用して乱流を軽減することもできる。さらには、開口３４の寸法及び位置を変更して様々な粒径を選択的にろ過することもできる。   FIG. 4 is an enlarged perspective view of the module 14 according to an embodiment of the present invention. Module 14 is shown in cross-section in FIG. In the embodiment shown in FIG. 4, the shield 30 includes a total of six openings 34. As is apparent by looking at FIGS. 3 and 4, the location and size of the opening 34 in the shield 30 is preferably selected such that all lines of sight from the inlet 32 are blocked. Thus, each inner tangent line 36 and opening 36 are located beyond the radius of the inlet 32. Other methods of positioning and sizing aperture 34 may be used in accordance with aspects of the present invention. For example, if the process fluid is a gas flow, the aperture size ratio and location of the apertures 34 may be used to reduce turbulence. Furthermore, the size and position of the opening 34 can be changed to selectively filter various particle sizes.

シールド３０とモジュール１４の残り部分との間の比較的大きな熱伝導路は、シールド３０がモジュール１４の側壁からの熱によってより効果的に加熱されることを保証する。これは、シールド３０がプロセス材料を堆積させないことを保証するのに役立つ。   The relatively large heat conduction path between the shield 30 and the rest of the module 14 ensures that the shield 30 is more effectively heated by heat from the sidewalls of the module 14. This helps to ensure that the shield 30 does not deposit process material.

好ましい実施態様を参照しながら本発明を説明したが、当業者は、本発明の本質及び範囲を逸することなく、その形態及び詳細における変更を加えることができることを認識するであろう。   Although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, those skilled in the art will recognize that changes may be made in form and detail without departing from the spirit and scope of the invention.

本発明の実施態様が特に有用である高純度減圧変換器の概略図である。1 is a schematic diagram of a high purity vacuum converter in which embodiments of the present invention are particularly useful. センサ電子部品エンクロージャ内の電子部品の概略図である。FIG. 6 is a schematic view of electronic components in a sensor electronic component enclosure. 本発明の実施態様のセンサモジュール及びプロセス結合を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a sensor module and process combination of an embodiment of the present invention. 本発明の実施態様のモジュール１４の拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the module 14 of the embodiment of this invention.

Claims (14)

減圧源に結合して付着材料の高純度用途で使用される圧力変換器であって、
プロセス入口でプロセス媒体の供給源に結合するように構成されたプロセスカプラ、
前記プロセスカプラに結合され、半導体系材料で形成された圧力センサをその中に有するセンサモジュールであって、前記圧力センサが、プロセス媒体と直に接触させて配置され、前記センサモジュール内の圧力に応答して変化する電気的特性を有するものである前記センサモジュール、
前記プロセスカプラに隣接して前記圧力センサの正面に配置され、有孔金属片が使用され、前記プロセス入口と前記圧力センサとの間の実質的にすべての見通し線を遮るように構成され、加熱システムからの熱伝導により高温に維持されるプラズマシールド、及び
前記電気的特性を計測し、その表示を提供するための、前記圧力センサに結合された電子部品
を含む圧力変換器。 A pressure transducer coupled to a vacuum source and used in high purity applications of deposited material ,
A process coupler configured to couple to a source of process media at a process inlet,
Coupled to the process coupler, a sensor module having a pressure sensor formed of a semiconductor material therein, said pressure sensor is disposed in direct contact is allowed with the process medium, the pressure in the sensor module It said sensor module is one having an electrical characteristic that varies in response,
The process coupler adjacent arranged in front of the pressure sensor, perforated metal strips are used, it is configured to block substantially all of the line of sight between the process inlet and the pressure sensor, heating A plasma shield that is maintained at a high temperature by heat conduction from the system ; and
The electrical characteristic was measured, to provide the display, the pressure transducer including an electronic component coupled to the pressure sensor. 前記プラズマシールドが前記センサモジュールとで一体に形成されている、請求項１記載の圧力変換器。 The plasma shield is formed integrally with said sensor module, a pressure transducer according to claim 1, wherein. 前記プラズマシールドが一つの途切れのない溶接で前記センサモジュールに溶接されている、請求項１記載の圧力変換器。 The plasma shield is welded to the sensor module in one uninterrupted welding, pressure transducer according to claim 1, wherein. 前記金属がステンレス鋼である、請求項１記載の圧力変換器。 The pressure transducer of claim 1, wherein the metal is stainless steel. 前記プラズマシールドが厚さ約０．１２５インチである、請求項１記載の圧力変換器。 The pressure transducer of claim 1, wherein the plasma shield is about 0.125 inches thick. 圧力センサが単結晶材料で形成されている、請求項１記載の圧力変換器。   The pressure transducer according to claim 1, wherein the pressure sensor is formed of a single crystal material. 圧力センサがサファイヤで形成されている、請求項６記載の圧力変換器。   The pressure transducer according to claim 6, wherein the pressure sensor is formed of sapphire. 前記電子部品が、電源モジュールに結合されたコネクタをさらに含み、電源モジュールが、コネクタを介して受けた電気で変換器を給電するように構成されている、請求項１記載の圧力変換器。 The pressure transducer of claim 1, wherein the electronic component further includes a connector coupled to a power supply module, wherein the power supply module is configured to power the transducer with electricity received via the connector. 前記電子部品が、プロセス工業規格通信プロトコルにしたがって圧力の表示を提供するように構成された通信モジュールをさらに含む、請求項１記載の圧力変換器。 The pressure transducer of claim 1, wherein the electronic component further comprises a communication module configured to provide an indication of pressure in accordance with a process industry standard communication protocol. 前記電子部品が、前記電気的特性のデジタル表示を提供するための、前記圧力センサに動作可能に結合されたアナログ・デジタル変換器をさらに含む、請求項１記載の圧力変換器。 The electronic component is, for providing a digital representation of the electrical characteristic, further comprising an analog to digital converter operatively coupled to the pressure sensor, the pressure transducer of claim 1, wherein. 前記プラズマシールドが、前記プラズマシールドの全周囲にわたって前記センサモジュールに熱的に結合されている、請求項１記載の圧力変換器。 The plasma shield, the plasma shield is thermally coupled to the sensor module over the entire circumference, the pressure transducer of claim 1, wherein. プロセスカプラがＶＣＲ継手である、請求項１記載の圧力変換器。   The pressure transducer of claim 1, wherein the process coupler is a VCR joint. 前記プラズマシールドが複数の開口を含み、各開口が内側接線を有する、請求項１記載の圧力変換器。 The pressure transducer of claim 1, wherein the plasma shield includes a plurality of openings, each opening having an inner tangent. 前記各開口が、各内側接線が前記プロセス入口の半径を超えたところに配置されるようなサイズ及び位置を有する、請求項１３記載の圧力変換器。 Wherein each opening is the inner tangents having a size and position such as to be disposed beyond the radius of said process inlet, a pressure transducer according to claim 13, wherein.
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