JP5557571B2

JP5557571B2 - Diode module

Info

Publication number: JP5557571B2
Application number: JP2010074952A
Authority: JP
Inventors: 昌也渡部
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-03-29
Filing date: 2010-03-29
Publication date: 2014-07-23
Anticipated expiration: 2030-03-29
Also published as: JP2011210805A

Description

本発明は、ダイオードモジュールに関するものである。 The present invention relates to a diode module.

従来、電気機器や光学機器等において、様々なダイオードが使用されている（特許文献１〜４等参照）。
例えば、電気機器に用いられるダイオードには、商用周波数程度の周波数に対応して動作する整流用、高周波回路に用いられる高周波用、電気回路に過大な電流が進入するのを防止する過電流防止用等の用途があり、それぞれ、一般ダイオード、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）やファストリカバリダイオード（ＦＲＤ）等の高速ダイオード、ツェナーダイオードと使い分けがなされている（特許文献５）。 Conventionally, various diodes are used in electrical equipment, optical equipment, and the like (see Patent Documents 1 to 4).
For example, for diodes used in electrical equipment, for rectification that operates in response to frequencies around the commercial frequency, for high frequencies used in high-frequency circuits, and for overcurrent prevention that prevents excessive current from entering the electrical circuit These are used separately from general diodes, high-speed diodes such as Schottky barrier diodes (SBD) and fast recovery diodes (FRD), and Zener diodes (Patent Document 5).

近年、これらのダイオードをモジュール化したダイオードモジュールが実用に供されている。このダイオードモジュールは、ダイオードをチップ化したダイオードチップを実装基板の配線上に搭載したもので、用途に応じてダイオードチップを選択することで、様々な用途に対応することができる。 In recent years, diode modules obtained by modularizing these diodes have been put to practical use. This diode module is obtained by mounting a diode chip in which a diode is formed on a wiring of a mounting substrate. By selecting a diode chip according to the application, it can be used for various applications.

特開平７−５８４００号公報JP-A-7-58400 特開２００４−３１１６８５号公報JP 2004-311685 A 特開２００７−１７３２６９号公報JP 2007-173269 A 特開昭５９−１７１１７３号公報JP 59-171173 A 特開昭５８−１６９９６９号公報JP 58-169969 A

ところで、一般ダイオードは、１０００Ｖ程度の耐圧を有し、漏れ電流も小さいという長所があるが、逆方向回復時間が数マイクロ秒程度と長く、高速動作を必要とする高周波回路には使用できない。
一方、高速ダイオードは、逆方向回復時間がナノ秒程度という長所があるが、高耐圧のものが得難く、漏れ電流も大きいという短所がある。
このように、従来の一般ダイオード及び高速ダイオードでは、高耐圧と高速動作とはトレードオフの関係にあり、一般ダイオードの高耐圧と高速ダイオードの高速動作という双方の特性を併せ持つ高性能のダイオードは、未だに実現することができていない。 By the way, a general diode has an advantage of having a withstand voltage of about 1000 V and a small leakage current, but it has a long reverse recovery time of about several microseconds and cannot be used for a high-frequency circuit that requires high-speed operation.
On the other hand, the high-speed diode has an advantage of a reverse recovery time of about nanoseconds, but it has a disadvantage that a high breakdown voltage is difficult to obtain and a leakage current is large.
As described above, in the conventional general diode and the high-speed diode, there is a trade-off relationship between the high breakdown voltage and the high-speed operation, and the high-performance diode having both the high breakdown voltage of the general diode and the high-speed operation of the high-speed diode is It has not been realized yet.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、一般ダイオードの高耐圧と高速ダイオードの高速動作という双方の特性を併せ持つ高性能のダイオードを実現することが可能なダイオードモジュールを提供することを目的とする。 The present invention was made to solve the above problems, the high-voltage and high-speed diodes High-performance diode modules can be realized diode that combines characteristics of both of the high-speed operation of the general diode The purpose is to provide.

本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、１個以上の第１のダイオードチップと、１個の第２のダイオードチップとを電気的に直列接続してなるダイオードモジュールにおいて、第１のダイオードチップの耐圧を第２のダイオードチップより高く、かつ、第２のダイオードチップの逆方向回復時間を第１のダイオードチップより短くすれば、一般ダイオードの高耐圧と高速ダイオードの高速動作という双方の特性を併せ持つ高性能のダイオードを実現することができることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies in order to solve the above-mentioned problems, the present inventor electrically connected in series one or more first diode chips and one second diode chip. In the module, if the breakdown voltage of the first diode chip is higher than that of the second diode chip and the reverse recovery time of the second diode chip is shorter than that of the first diode chip, the high breakdown voltage of the general diode and the fast diode It has been found that a high-performance diode having both characteristics of high-speed operation can be realized, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明の請求項１記載のダイオードモジュールは、１個以上の第１のダイオードチップと、１個の第２のダイオードチップとを電気的に直列接続してなるダイオードモジュールにおいて、１個以上の第１のダイオードチップと、１個の第２のダイオードチップとを電気的に直列接続してなるダイオードモジュールにおいて、実装基板と、前記実装基板に設けられた配線層と、前記配線層の一の位置に少なくとも１個以上の前記第１のダイオードチップが積層され、前記配線層の他の位置に前記第２のダイオードチップ及び前記一の位置に配置された前記第１のダイオードチップと異なる前記第１のダイオードチップが少なくとも１個以上積層され、前記第１のダイオードチップは、前記第２のダイオードチップより耐圧が高く、前記第２のダイオードチップは、前記第１のダイオードチップより逆方向回復時間が短いことを特徴とする。 That is, in the diode module according to claim 1 of the present invention, at least one diode module is formed by electrically connecting at least one first diode chip and one second diode chip in series. In the diode module formed by electrically connecting the first diode chip and one second diode chip in series, a mounting substrate, a wiring layer provided on the mounting substrate, and one of the wiring layers At least one or more of the first diode chips are stacked at the position of the second diode chip different from the second diode chip and the first diode chip disposed at the one position at the other position of the wiring layer. first diode chips are stacked at least one or more, the first diode chip is higher withstand voltage than said second diode chips, before Second diode chip is characterized by short reverse recovery time than the first diode chip.

本発明の請求項２記載のダイオードモジュールは、請求項１記載のダイオードモジュールにおいて、前記配線層上の前記一の位置と前記他の位置とを含む領域に前記第２のダイオードが積層されており、前記一の位置における前記第１のダイオードチップと前記第２のダイオードチップとが、順方向の向きが同一となるように積層され、前記他の位置における前記第１のダイオードチップが前記第２のダイオードチップと順方向の向きが同一となるように積層されていることを特徴とする。 The diode module according to claim 2 of the present invention is the diode module according to claim 1 , wherein the second diode is stacked in a region including the one position and the other position on the wiring layer. The first diode chip and the second diode chip at the one position are stacked so that the forward direction is the same, and the first diode chip at the other position is the second diode chip. characterized that you have the diode chip and the forward direction are stacked so as to be identical.

本発明の請求項３記載のダイオードモジュールは、請求項１または請求項２に記載のダイオードモジュールにおいて、前記実装基板上に、前記第１のダイオードチップまたは前記第２のダイオードチップの絶縁保護膜を有する電極面を、導電性材料を介して接続してなることを特徴とする。 The diode module according to claim 3 of the present invention is the diode module according to claim 1 or 2 , wherein an insulating protective film of the first diode chip or the second diode chip is provided on the mounting substrate. The electrode surfaces are connected through a conductive material.

本発明のダイオードモジュールによれば、第１のダイオードチップの耐圧を第２のダイオードチップの耐圧より高くし、第２のダイオードチップの逆方向回復時間を第１のダイオードチップの逆方向回復時間より短くしたので、一般ダイオードの高耐圧と高速ダイオードのナノ秒オーダーの逆方向回復時間の両立を図ることができる。したがって、一般ダイオードの高耐圧と高速ダイオードの高速動作という双方の特性を併せ持つ高性能のダイオードを実現することができる。 According to the diode module of the present invention, the withstand voltage of the first diode chip is made higher than the withstand voltage of the second diode chip, and the reverse recovery time of the second diode chip is made longer than the reverse recovery time of the first diode chip. Since it is shortened, it is possible to achieve both high breakdown voltage of a general diode and reverse recovery time of nanosecond order of a high-speed diode. Therefore, it is possible to realize a high-performance diode having both the high breakdown voltage of a general diode and the high-speed operation of a high-speed diode.

また、１個以上の第１のダイオードチップと１個の第２のダイオードチップとを積層したので、ダイオードモジュールを小型化することができ、作製も容易である。
また、１個以上の第１のダイオードチップ及び１個の第２のダイオードチップを実装基板上に積層したので、放熱性に優れている。
また、実装基板上に、第１のダイオードチップまたは第２のダイオードチップの絶縁保護膜を有する電極面を、導電性材料を介して接続したので、絶縁保護膜を導電性材料により保護することができる。 In addition, since one or more first diode chips and one second diode chip are stacked, the diode module can be reduced in size and can be easily manufactured.
In addition, since one or more first diode chips and one second diode chip are stacked on the mounting substrate, heat dissipation is excellent.
In addition, since the electrode surface having the insulating protective film of the first diode chip or the second diode chip is connected to the mounting substrate via the conductive material, the insulating protective film can be protected by the conductive material. it can.

本発明の保護用デバイスによれば、本発明のダイオードモジュールを備えたので、一般ダイオードの高耐圧と高速ダイオードの高速動作という双方の特性を併せ持つ保護用デバイスを実現することができる。 According to the protection device of the present invention, since the diode module of the present invention is provided, it is possible to realize a protection device having both the high breakdown voltage of a general diode and the high-speed operation of a high-speed diode.

本発明の第１の実施形態のダイオードモジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the diode module of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態のダイオードモジュールを示す回路図である。It is a circuit diagram showing a diode module of a 1st embodiment of the present invention. 一般ダイオードチップ及び高速ダイオードチップの平面形状が同一の場合の予備はんだの面積の大きさを示す図である。It is a figure which shows the magnitude | size of the area of the preliminary solder in case the planar shape of a general diode chip and a high-speed diode chip is the same. 端子２１、２２間の逆方向回復時間（ｔｒｒ）の波形を示す図である。It is a figure which shows the waveform of the reverse direction recovery time (trr) between the terminals 21 and 22. FIG. 端子２１、２３間の逆方向回復時間（ｔｒｒ）の波形を示す図である。It is a figure which shows the waveform of the reverse direction recovery time (trr) between the terminals 21 and 23. FIG. 本発明の第２の実施形態のダイオードモジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the diode module of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態のダイオードモジュールを示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the diode module of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態のダイオードモジュールを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the diode module of the 3rd Embodiment of this invention.

本発明のダイオードモジュール及び保護用デバイスを実施するための形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。 The form for implementing the diode module and protection device of this invention is demonstrated.
This embodiment is specifically described for better understanding of the gist of the invention, and does not limit the present invention unless otherwise specified.

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態のダイオードモジュールを示す断面図であり、図において、１はダイオードモジュールであり、このダイオードモジュール１は、実装基板２上に形成された所定のパターンの配線３上に、一般ダイオードチップ（第１のダイオードチップ）６、５、４がこの順に積層され、さらに、一般ダイオードチップ（第１のダイオードチップ）７、８及び高速ダイオードチップ（第２のダイオードチップ）９がこの順に積層され、一般ダイオードチップ４上には電極１０が、高速ダイオードチップ９上には電極１１が、それぞれ形成され、これらはパッケージ化されている。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a diode module according to a first embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a diode module. The diode module 1 has a predetermined pattern formed on a mounting substrate 2. On the wiring 3, general diode chips (first diode chips) 6, 5, and 4 are laminated in this order, and further, general diode chips (first diode chips) 7 and 8 and a high-speed diode chip (second diode). Chips) 9 are stacked in this order, and an electrode 10 is formed on the general diode chip 4 and an electrode 11 is formed on the high-speed diode chip 9, and these are packaged.

一般ダイオードチップ４〜８は、耐圧が１０００Ｖ程度、逆方向回復時間（ｔｒｒ）が５μ秒程度の特性を有するダイオードである。
高速ダイオードチップ９は、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、ファストリカバリダイオード（ＦＲＤ）等からなるもので、耐圧が一般ダイオードチップ４〜８より低く、逆方向回復時間（ｔｒｒ）が一般ダイオードチップ４〜８より短い６０ｎ秒程度の特性を有するダイオードである。 The general diode chips 4 to 8 are diodes having characteristics such that the withstand voltage is about 1000 V and the reverse recovery time (trr) is about 5 μsec.
The high-speed diode chip 9 is composed of a Schottky barrier diode (SBD), a fast recovery diode (FRD), etc., and has a withstand voltage lower than that of the general diode chips 4 to 8 and a reverse recovery time (trr) of the general diode chips 4 to 4. This is a diode having a characteristic of about 60 nsec shorter than 8.

このダイオードモジュール１では、一般ダイオードチップの耐圧が１０００Ｖ程度であるから、このダイオードモジュール１に要求される耐圧に応じて一般ダイオードチップの個数が決定される。ここでは、このダイオードモジュール１に要求される耐圧が５０００Ｖであるから、この耐圧に応じて５個の一般ダイオードチップ４〜８を用いている。 In this diode module 1, the withstand voltage of the general diode chip is about 1000 V, so the number of general diode chips is determined according to the withstand voltage required for the diode module 1. Here, since the withstand voltage required for the diode module 1 is 5000 V, five general diode chips 4 to 8 are used according to the withstand voltage.

このダイオードモジュール１では、図２に示すように、一般ダイオードチップ４〜８及び高速ダイオードチップ９が直列接続され、一般ダイオードチップ４には端子２１が、一般ダイオードチップ６、７が搭載された配線３には端子２２が、高速ダイオードチップ９には端子２３が、それぞれ接続され、これらの端子２１〜２３により外部に接続されるようになっている。
これら一般ダイオードチップ４〜８及び高速ダイオードチップ９の接続については、一般ダイオードチップ４〜８の高耐圧と高速ダイオードチップ９の高速動作という双方の特性を生かすことができるように接続されていればよく、これらの配列順は問わない。 In this diode module 1, as shown in FIG. 2, general diode chips 4 to 8 and a high-speed diode chip 9 are connected in series, a terminal 21 is connected to the general diode chip 4, and wirings in which the general diode chips 6 and 7 are mounted. 3 is connected to a terminal 22, and the high-speed diode chip 9 is connected to a terminal 23, and these terminals 21 to 23 are connected to the outside.
As for the connection of the general diode chips 4 to 8 and the high speed diode chip 9, as long as both the high breakdown voltage of the general diode chips 4 to 8 and the high speed operation of the high speed diode chip 9 can be utilized. Often, the order of these sequences does not matter.

本実施形態のように実装基板２上に積層する場合、信頼性を向上させるために、平面形状の大きなチップから順に積層することが好ましく、例えば、複数のチップのそれぞれの平面形状が互いに異なる場合には、平面形状の大きなチップから順に積層し、ピラミッド型とすることが好ましい。
また、一般ダイオードチップ４〜８及び高速ダイオードチップ９の平面形状が同一の場合には、例えば、図３に示すように、一般ダイオードチップ４、５（あるいは高速ダイオードチップ９及び一般ダイオードチップ８）のはんだ接続時にチップ４（あるいはチップ９）がθ方向に回転ズレしないように、チップ４、５（あるいはチップ９、８）それぞれの予備はんだ３１、３１の面積を同一にしておく。この場合、予備はんだ３１、３１の溶融時のセルフアライメント効果により、チップ４（あるいはチップ９）の搭載時のθ方向の回転ズレが生じ難くなる。 When stacking on the mounting substrate 2 as in the present embodiment, it is preferable to stack in order from a chip having a large planar shape in order to improve reliability. For example, when the planar shapes of a plurality of chips are different from each other For this, it is preferable to stack in order from a chip having a large planar shape to form a pyramid shape.
When the planar shapes of the general diode chips 4 to 8 and the high speed diode chip 9 are the same, for example, as shown in FIG. 3, the general diode chips 4 and 5 (or the high speed diode chip 9 and the general diode chip 8) are used. The areas of the preliminary solders 31 and 31 of the chips 4 and 5 (or chips 9 and 8) are made the same so that the chip 4 (or chip 9) does not rotate in the θ direction when the solder is connected. In this case, due to the self-alignment effect at the time of melting the preliminary solders 31, 31, it is difficult for rotational deviation in the θ direction when the chip 4 (or the chip 9) is mounted.

図４は、端子２１、２２間における一般ダイオードチップ４〜６の逆方向回復時間（ｔｒｒ）の波形を示す図であり、順方向の電流（ＩＦ）を０．５Ａ、逆方向の電流（ＩＲ）を１．０Ａと設定したときの経時変化を示している。
端子２１、２２間の逆方向回復時間（ｔｒｒ）は、端子２１、２２間に存在する一般ダイオードチップ４〜６で決定される。
この図４によれば、逆方向の電流（ＩＲ）が９０％回復したときの逆方向回復時間（ｔｒｒ：図中、矢印Ａ）は、５．００μ秒であることが分かる。 FIG. 4 is a diagram showing a waveform of the reverse recovery time (trr) of the general diode chips 4 to 6 between the terminals 21 and 22, where the forward current (IF) is 0.5 A and the reverse current (IR) ) Is shown as 1.0A.
The reverse recovery time (trr) between the terminals 21 and 22 is determined by the general diode chips 4 to 6 existing between the terminals 21 and 22.
According to FIG. 4, it can be seen that the reverse recovery time (trr: arrow A in the figure) when the reverse current (IR) recovers by 90% is 5.00 μsec.

図５は、端子２１、２３間の逆方向回復時間（ｔｒｒ）の波形を示す図であり、
順方向の電流（ＩＦ）を０．５Ａ、逆方向の電流（ＩＲ）を１．３Ａと設定したときの経時変化を示している。
端子２１、２３間の逆方向回復時間（ｔｒｒ）は、端子２１、２３間の逆方向回復時間（ｔｒｒ）が最も短い高速ダイオードチップ９で決定される。
この図５によれば、逆方向の電流（ＩＲ）が９０％回復したときの逆方向回復時間（ｔｒｒ：図中、矢印Ｂ）は、６５ｎ秒であることが分かる。 FIG. 5 is a diagram illustrating a waveform of the reverse recovery time (trr) between the terminals 21 and 23.
The graph shows the change over time when the forward current (IF) is set to 0.5A and the reverse current (IR) is set to 1.3A.
The reverse recovery time (trr) between the terminals 21 and 23 is determined by the fast diode chip 9 having the shortest reverse recovery time (trr) between the terminals 21 and 23.
According to FIG. 5, it can be seen that the reverse recovery time (trr: arrow B in the figure) when the reverse current (IR) recovers by 90% is 65 nsec.

このダイオードモジュール１全体の接合容量Ｃｊは、概ね１／積層されるチップ数と低減することができる。この場合、端子２１、２２間の接合容量Ｃｊは概ね１／３、端子２１、２３間の接合容量Ｃｊは概ね１／６である。 The junction capacitance Cj of the entire diode module 1 can be reduced to approximately 1 / the number of stacked chips. In this case, the junction capacitance Cj between the terminals 21 and 22 is approximately 1/3, and the junction capacitance Cj between the terminals 21 and 23 is approximately 1/6.

本実施形態のダイオードモジュール１を、例えば、保護用デバイスに適用すれば、一般ダイオードの高耐圧と高速ダイオードの高速動作という双方の特性を併せ持つ保護用デバイスを実現することができる。
この保護用デバイスは、一般ダイオードチップと高速ダイオードチップとを積層した構造であるから、小型化が可能であり、放熱性に優れ、製造もし易い等の優れた特徴を有したものとなっている。 When the diode module 1 of the present embodiment is applied to, for example, a protection device, a protection device having both the high breakdown voltage of a general diode and the high-speed operation of a high-speed diode can be realized.
Since this protective device has a structure in which a general diode chip and a high-speed diode chip are laminated, it can be miniaturized, has excellent characteristics such as excellent heat dissipation and easy manufacture. .

以上説明したように、本実施形態のダイオードモジュール１によれば、実装基板２の配線３上に、一般ダイオードチップ６、５、４を積層するとともに、一般ダイオードチップ７、８及び高速ダイオードチップ９を積層し、一般ダイオードチップ４上に電極１０を、高速ダイオードチップ９上に電極１１を、それぞれ形成したので、一般ダイオードチップ４〜８の数千Ｖの高耐圧と高速ダイオードチップ９のナノ秒オーダーの逆方向回復時間の両立を図ることができる。したがって、一般ダイオードチップ４〜８の高耐圧と高速ダイオードチップ９の高速動作という双方の特性を併せ持つ高性能のダイオードを実現することができる。
また、一般ダイオードチップ４〜８及び高速ダイオードチップ９を積層したので、ダイオードモジュール１を小型化することができ、作製も容易である。 As described above, according to the diode module 1 of the present embodiment, the general diode chips 6, 5, 4 are stacked on the wiring 3 of the mounting substrate 2, and the general diode chips 7, 8 and the high-speed diode chip 9 are stacked. Are stacked, and the electrode 10 is formed on the general diode chip 4 and the electrode 11 is formed on the high-speed diode chip 9, so that the high breakdown voltage of several thousand volts of the general diode chips 4 to 8 and the nanosecond of the high-speed diode chip 9 are formed. It is possible to achieve both reverse order recovery times. Therefore, it is possible to realize a high-performance diode having both the high breakdown voltage of the general diode chips 4 to 8 and the high-speed operation of the high-speed diode chip 9.
Moreover, since the general diode chips 4 to 8 and the high-speed diode chip 9 are stacked, the diode module 1 can be reduced in size and can be easily manufactured.

［第２の実施形態］
図６は、本発明の第２の実施形態のダイオードモジュールを示す断面図であり、本実施形態のダイオードモジュール４１が第１の実施形態のダイオードモジュール１と異なる点は、実装基板２上に形成された所定のパターンの配線３上に、高速ダイオードチップ９を積層し、この高速ダイオードチップ９上に、一般ダイオードチップ８を２分割した一般ダイオードチップ４２、４３を並列接続し、一般ダイオードチップ４２上に電極４４を、一般ダイオードチップ４３上に電極４５を、それぞれ接続した点である。 [Second Embodiment]
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a diode module according to the second embodiment of the present invention. The difference between the diode module 41 of the present embodiment and the diode module 1 of the first embodiment is formed on the mounting substrate 2. A high-speed diode chip 9 is stacked on the wiring 3 having a predetermined pattern, and general diode chips 42 and 43 obtained by dividing the general diode chip 8 into two are connected in parallel on the high-speed diode chip 9. The electrode 44 is connected to the upper side, and the electrode 45 is connected to the general diode chip 43.

このダイオードモジュール４１は、図７に示すように、一般ダイオードチップ４２、４３には端子５１が、高速ダイオードチップ９が搭載された配線３には端子５２が、それぞれ接続されており、これらの端子５１、５２により外部に接続されている。 In the diode module 41, as shown in FIG. 7, a terminal 51 is connected to the general diode chips 42 and 43, and a terminal 52 is connected to the wiring 3 on which the high-speed diode chip 9 is mounted. 51 and 52 are connected to the outside.

このダイオードモジュール４１においても、第１の実施形態のダイオードモジュール１と同様に、一般ダイオードチップ４２、４３の高耐圧と高速ダイオードチップ９の高速動作という双方の特性を併せ持つ高性能のダイオードを実現することができる。
しかも、一般ダイオードチップ４２、４３が並列接続されているので、一般ダイオードチップ４２、４３のうち一方が破壊してしまった場合においても、ダイオードモジュール４１の耐圧が変わることはない。 This diode module 41 also realizes a high-performance diode having both the characteristics of the high breakdown voltage of the general diode chips 42 and 43 and the high-speed operation of the high-speed diode chip 9 as in the diode module 1 of the first embodiment. be able to.
Moreover, since the general diode chips 42 and 43 are connected in parallel, the breakdown voltage of the diode module 41 does not change even when one of the general diode chips 42 and 43 is destroyed.

なお、本実施形態では、一般ダイオードチップ４２、４３に端子５１を接続した構成としたが、一般ダイオードチップ４２に端子５１を、また、一般ダイオードチップ４３に新たな端子を接続した構成としてもよい。
この場合、端子５１、５２及び新たな端子からなる３端子とすることで、１つのモジュールで、一般ダイオードチップ４２−高速ダイオードチップ９と、一般ダイオードチップ４３−高速ダイオードチップ９という２系統（高耐圧及び高速動作が２ライン）の動作が可能になる。 In this embodiment, the terminal 51 is connected to the general diode chips 42 and 43. However, the terminal 51 may be connected to the general diode chip 42, and a new terminal may be connected to the general diode chip 43. .
In this case, by using three terminals including terminals 51 and 52 and a new terminal, two modules (general diode chip 42-high-speed diode chip 9 and general diode chip 43-high-speed diode chip 9) can be used in one module. Operation with a withstand voltage and high speed operation of 2 lines) becomes possible.

［第３の実施形態］
図８は、本発明の第３の実施形態のダイオードモジュールを示す断面図であり、本実施形態のダイオードモジュール６１が第１の実施形態のダイオードモジュール１と異なる点は、実装基板２上に形成された所定のパターンの配線３上に、一般ダイオードチップ６の絶縁保護膜６２を有する電極面６３を搭載する場合に、銅等のベース電極（導電性材料）６４及びはんだ６５、６６を介して接続した点である。
一般ダイオードチップ４の替わりに高速ダイオードチップ９を用いても、同様の接続構造とすることができる。 [Third Embodiment]
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a diode module according to the third embodiment of the present invention. The diode module 61 according to the present embodiment is different from the diode module 1 according to the first embodiment on the mounting substrate 2. When the electrode surface 63 having the insulating protection film 62 of the general diode chip 6 is mounted on the wiring 3 having a predetermined pattern, the base electrode (conductive material) 64 such as copper and the solders 65 and 66 are used. It is a connected point.
Even if the high-speed diode chip 9 is used instead of the general diode chip 4, a similar connection structure can be obtained.

このダイオードモジュール６１では、絶縁保護膜６２と配線３との間を、絶縁保護膜６２より厚みがありかつ面積の小さなベース電極６４及びはんだ６５、６６を介して接続したので、絶縁保護膜６２が配線３に接触する虞がなくなり、絶縁保護膜６２が配線３に接触することにより生じるダメージを防止することができる。 In this diode module 61, the insulating protective film 62 and the wiring 3 are connected via the base electrode 64 and the solders 65 and 66 which are thicker than the insulating protective film 62 and have a smaller area. There is no risk of contact with the wiring 3, and damage caused by the insulating protective film 62 contacting the wiring 3 can be prevented.

このダイオードモジュール６１においても、第１の実施形態のダイオードモジュール１と同様、一般ダイオードチップの高耐圧と高速ダイオードチップの高速動作という双方の特性を併せ持つ高性能のダイオードを実現することができる。
しかも、実装基板２上に形成された所定のパターンの配線３上に、一般ダイオードチップ６の絶縁保護膜６２を有する電極面６３を搭載する場合に、銅等のベース電極（導電性材料）６４及びはんだ６５、６６を介して接続したので、絶縁保護膜６２をベース電極６４により保護することができ、絶縁保護膜６２が配線３に接触することにより生じるダメージを防止することができる。 In the diode module 61 as well, as in the diode module 1 of the first embodiment, a high-performance diode having both the high breakdown voltage of a general diode chip and the high-speed operation of a high-speed diode chip can be realized.
In addition, when the electrode surface 63 having the insulating protective film 62 of the general diode chip 6 is mounted on the wiring 3 having a predetermined pattern formed on the mounting substrate 2, a base electrode (conductive material) 64 such as copper is used. In addition, since the insulating protective film 62 is protected by the base electrode 64, damage caused by the insulating protective film 62 coming into contact with the wiring 3 can be prevented.

１ダイオードモジュール
２実装基板
３配線
４〜８一般ダイオードチップ（第１のダイオードチップ）
９高速ダイオードチップ（第２のダイオードチップ）
１０、１１電極
２１〜２３端子
３１予備はんだ
４１ダイオードモジュール
４２、４３一般ダイオードチップ
４４、４５電極
５１、５２端子
６１ダイオードモジュール
６２絶縁保護膜
６３電極面
６４ベース電極（導電性材料）
６５、６６はんだ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Diode module 2 Mounting board 3 Wiring 4-8 General diode chip (1st diode chip)
9 High-speed diode chip (second diode chip)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 11 Electrode 21-23 Terminal 31 Preliminary solder 41 Diode module 42, 43 General diode chip 44, 45 Electrode 51, 52 Terminal 61 Diode module 62 Insulating protective film 63 Electrode surface 64 Base electrode (conductive material)
65, 66 solder

Claims

In a diode module formed by electrically connecting at least one first diode chip and one second diode chip in series,
A mounting board;
A wiring layer provided on the mounting substrate;
At least one or more of the first diode chips are stacked at one position of the wiring layer, and the second diode chip and the first diode disposed at the one position at the other position of the wiring layer. At least one or more of the first diode chips different from the diode chips are stacked,
The diode module according to claim 1, wherein the first diode chip has a higher withstand voltage than the second diode chip, and the second diode chip has a shorter reverse recovery time than the first diode chip.

The second diode is stacked in a region including the one position and the other position on the wiring layer;
The first diode chip and the second diode chip at the one position are stacked so that their forward directions are the same, and the first diode chip at the other position is the second diode chip. Stacked so that the forward direction is the same as the diode chip
Diode module of claim 1, wherein the this.

On the mounting board, according to claim 1 or claim, characterized in that the electrode surface with the first diode chip or an insulating protective layer of the second diode chip formed by connecting via the conductive material 3. The diode module according to 2 .