JP5554846B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法とそれに関連付けられたデータ処理装置及びコンピュータプログラム - Google Patents
リソグラフィ装置、デバイス製造方法とそれに関連付けられたデータ処理装置及びコンピュータプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5554846B2 JP5554846B2 JP2012553239A JP2012553239A JP5554846B2 JP 5554846 B2 JP5554846 B2 JP 5554846B2 JP 2012553239 A JP2012553239 A JP 2012553239A JP 2012553239 A JP2012553239 A JP 2012553239A JP 5554846 B2 JP5554846 B2 JP 5554846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- patterning device
- projection system
- during
- radiation beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 146
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 79
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 71
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 65
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000002354 daily effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
- G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
[0001] 本発明は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2010年2月19日出願の米国仮出願第61/306,045号の利益を主張する。
1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cの(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0048] 本発明のある実施形態の図4は、図1のリソグラフィ装置内の基板W上の1つのフィールドFを露光するスキャン動作を概略的に示す。基板W及びマスクMAは照明源ILを上部に、投影システムPSを中間に有する斜視図で示されている。マスクMAは、基板W上の1つのフィールドFに付加するパターンのスケールアップバージョンである透明なパターンF’を担持する。照明源ILは、Y方向に領域F’を覆う大きさはないが、X方向には十分に広い放射スリットS’を提示する。フィールド全体を露光するために、マスクMAはスリットS’の領域を通過して、基板フィールドF上に対応するスリット領域Sを投影する。これらの運動は大きい矢印で表されている。
[0064] 上記実施形態のリソグラフィ装置制御ユニットLACUは、本発明のある実施形態による図7に示すコンピュータアセンブリに基づいていてもよいことを理解されたい。コンピュータアセンブリは、本発明のアセンブリの実施形態における制御ユニットの形態の専用コンピュータであってもよく、あるいは、リソグラフィ装置を制御する中央コンピュータであってもよい。コンピュータアセンブリは、コンピュータ実行可能コードを含むコンピュータプログラムプロダクトを搭載するように構成できる。これによって、コンピュータプログラムプロダクトをダウンロードすると、コンピュータアセンブリは、上記の方法に従ってリソグラフィ装置の新しい動作を実施することができる。
Claims (12)
- パターニングデバイスから基板の連続する部分上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
放射ビームを調節する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成できるパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスとを互いに対してまた前記投影システムに対して移動させて、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加する制御システムと、を備え、
前記制御システムは、前記スキャン動作中に前記投影システムの1つ以上の特性の補正変動を引き起こして前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置されたパターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記制御システムは、各スキャン動作中の前記投影システム外の光学システムの1つ以上の要素の補正運動をさらに引き起こし、
前記補正運動は、面外運動を含み、それによって前記制御システムは前記パターニングデバイス及び前記基板テーブルの面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記スキャン動作中の前記支持体及び前記基板テーブルのうちの少なくとも一方の傾斜を含む、リソグラフィ装置。 - 前記制御システムは、前記スキャン動作中に1つ以上の光学システムを移動させて前記スキャン動作中の前記投影システムの1つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項1に記載の装置。
- 前記光学要素の運動は、前記スキャン動作中に前記投影システム内の水平歪を決定する制御パラメータを修正する前記制御システムによって間接的に達成される、請求項2に記載の装置。
- パターニングされた基板のパラメータを測定する測定装置と、測定されたパラメータを分析してスキャン運動に特有の基板部分内のパターニングエラーの変動を認識するデータ処理装置と、前記補正変動とオプションとして前記補正運動のパラメータを計算するデータ処理装置と、をさらに備える、請求項1から3の何れか一項に記載の装置。
- パターン付放射ビームを基板の連続部分上に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、
照明システムが放射ビームを調節し、パターニングデバイスを支持する支持体が提供され、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成でき、基板を支持する基板テーブルが提供され、投影システムが前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影し、
前記基板の各部分がフィールドスキャン動作によってパターニングされ、該動作中、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスが互いに対して、また前記投影システムに対して移動して、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加し、
前記投影システムは、前記フィールドスキャン動作中に前記投影システムの1つ以上の特性の補正変動を実施して前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置された前記パターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記方法が、各スキャン動作中の前記投影システム外の前記光学システムの1つ以上の要素の補正運動を実行するステップをさらに含み、
前記補正運動が面外運動を含み、前記パターニングデバイスと前記基板テーブルの面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記フィールドスキャン動作中の前記支持体及び前記基板テーブルのうちの少なくとも一方の傾斜を含む、デバイス製造方法。 - 前記制御システムは、前記投影システム内の1つ以上の光学要素を移動させて前記スキャン動作中の前記投影システム内の1つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項5に記載の方法。
- リソグラフィ装置を制御して請求項5又は6に記載のデバイス製造方法で動作させる機械可読命令の1つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムであって、
前記命令は、前記補正変動及びオプションとして前記補正運動で前記フィールドスキャン動作を制御する、コンピュータプログラム。 - 放射ビームを調節する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持体と、基板を保持する基板テーブルと、パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスとを互いに対してまた前記投影システムに対して移動させて、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加する制御システムと、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記制御システムは、前記スキャン動作中に前記投影システムの1つ以上の特性の補正変動を引き起こして前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置されたパターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記制御システムは、各スキャン動作中の前記投影システム外の光学システムの1つ以上の要素の補正運動をさらに引き起こし、
前記補正運動は面外運動を含み、それによって前記制御システムは前記パターニングデバイスと前記基板テーブルの面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記スキャン動作中の前記支持体及び前記基板テーブルのうちの少なくとも一方の傾斜を含む、リソグラフィ装置。 - 制御システムは、前記スキャン動作中に1つ以上の光学システムを移動させて前記スキャン動作中の前記投影システムの1つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項8に記載の装置。
- パターン付放射ビームを基板の連続部分上に投影するステップであって照明システムが放射ビームを調節するステップと、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するステップと、基板を固定するステップと、前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するステップと、を含むデバイス製造方法であって、
前記基板の各部分がフィールドスキャン動作によってパターニングされ、該動作中、前記基板テーブルと前記パターニングデバイスが互いに対して、また前記投影システムに対して移動して、前記放射ビームによって前記パターニングデバイスをスキャンする間に前記パターン付放射ビームによって前記基板を同期してスキャンし、前記パターンを前記基板の所望の部分に付加し、
前記投影システムは、前記フィールドスキャン動作中に前記投影システムの1つ以上の特性の補正変動を実施して前記スキャン動作中に変動する歪作用を補償し、
垂直方向を画定する光軸を有し、名目上それぞれの水平面に配置された前記パターニングデバイスと基板とを有する光学システムとしての前記パターニングデバイス、前記投影システム及び前記基板に関して、前記方法が、各スキャン動作中の前記投影システム外の前記光学システムの1つ以上の要素の補正運動を実行するステップをさらに含み、
前記補正運動が面外運動を含み、前記パターニングデバイスと基板支持体の面内運動だけでは補正できないフィールド内の面内歪作用を補償し、
前記面外運動は、前記フィールドスキャン動作中のパターニングデバイス支持体及び前記基板支持体のうちの少なくとも一方の傾斜を含む、デバイス製造方法。 - 前記制御システムは、前記スキャン動作中に1つ以上の光学システムを移動させて前記スキャン動作中の前記投影システム内の1つ以上の寸法の倍率特性を変更する、請求項10に記載の方法。
- パターニングされた基板のパラメータを測定するステップと、測定されたパラメータを分析して前記スキャン動作に特有の基板部分内のパターニングエラーの変動を認識するステップと、前記補正変動とオプションとして前記補正運動のパラメータを計算するステップと、をさらに含む、請求項10又は11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US30604510P | 2010-02-19 | 2010-02-19 | |
US61/306,045 | 2010-02-19 | ||
PCT/EP2011/050324 WO2011101183A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-01-12 | Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013520019A JP2013520019A (ja) | 2013-05-30 |
JP5554846B2 true JP5554846B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=44243564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012553239A Active JP5554846B2 (ja) | 2010-02-19 | 2011-01-12 | リソグラフィ装置、デバイス製造方法とそれに関連付けられたデータ処理装置及びコンピュータプログラム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8717536B2 (ja) |
JP (1) | JP5554846B2 (ja) |
KR (1) | KR101476370B1 (ja) |
CN (1) | CN102763040B (ja) |
IL (1) | IL221145A (ja) |
NL (1) | NL2005989A (ja) |
TW (1) | TWI512406B (ja) |
WO (1) | WO2011101183A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9177219B2 (en) * | 2010-07-09 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
JP5498448B2 (ja) * | 2011-07-21 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | インプリント方法及びインプリントシステム |
US9281251B2 (en) * | 2013-08-09 | 2016-03-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate backside texturing |
JP6792572B6 (ja) * | 2015-03-13 | 2020-12-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
US10024654B2 (en) * | 2015-04-06 | 2018-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for determining in-plane distortions in a substrate |
US10061211B2 (en) * | 2016-02-17 | 2018-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for layoutless overlay control |
TWI800855B (zh) * | 2016-06-20 | 2023-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法 |
EP3396458A1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-10-31 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for optimization of lithographic process |
EP3495888A1 (en) * | 2017-12-06 | 2019-06-12 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses |
JP7034771B2 (ja) | 2018-03-02 | 2022-03-14 | キオクシア株式会社 | 露光装置、露光方法、及び半導体装置の製造方法 |
EP3617800A1 (en) * | 2018-09-03 | 2020-03-04 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for configuring spatial dimensions of a beam during a scan |
CN112639621A (zh) * | 2018-09-03 | 2021-04-09 | Asml荷兰有限公司 | 用于在扫描期间配置束的空间尺寸的方法和设备 |
CN113678063A (zh) | 2019-04-04 | 2021-11-19 | Asml荷兰有限公司 | 光刻工艺的子场控制和相关设备 |
US11486927B2 (en) * | 2020-04-02 | 2022-11-01 | Applied Materials, Inc. | Bode fingerprinting for characterizations and failure detections in processing chamber |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3309871B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US6753948B2 (en) * | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3278303B2 (ja) * | 1993-11-12 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH09237752A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-09 | Nikon Corp | 投影光学系の調整方法及び該方法を使用する投影露光装置 |
WO1999018604A1 (fr) * | 1997-10-07 | 1999-04-15 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition par projection |
US6235438B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-05-22 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
WO1999026278A1 (fr) * | 1997-11-14 | 1999-05-27 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procede de fabrication associe, et procede d'exposition |
JPH11219900A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
US6429440B1 (en) * | 1998-06-16 | 2002-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus having a dynamically variable illumination beam |
JP2004335855A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Rohm Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
US20040263816A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005078775A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 計測方法、転写特性計測方法、露光装置の調整方法及びデバイス製造方法 |
TWI396225B (zh) * | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
US8125613B2 (en) * | 2006-04-21 | 2012-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8248579B2 (en) * | 2006-12-01 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device for correcting overlay errors between overlapping patterns |
NL1036040A1 (nl) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Asml Netherlands Bv | Method of placing a substrate, method of transferring a substrate, support system and lithographic projection apparatus. |
-
2011
- 2011-01-12 WO PCT/EP2011/050324 patent/WO2011101183A1/en active Application Filing
- 2011-01-12 CN CN201180009597.0A patent/CN102763040B/zh active Active
- 2011-01-12 JP JP2012553239A patent/JP5554846B2/ja active Active
- 2011-01-12 NL NL2005989A patent/NL2005989A/en not_active Application Discontinuation
- 2011-01-12 KR KR1020127024144A patent/KR101476370B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-19 US US13/009,250 patent/US8717536B2/en active Active
- 2011-01-27 TW TW100103174A patent/TWI512406B/zh active
-
2012
- 2012-07-26 IL IL221145A patent/IL221145A/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL2005989A (en) | 2011-08-23 |
US8717536B2 (en) | 2014-05-06 |
JP2013520019A (ja) | 2013-05-30 |
TWI512406B (zh) | 2015-12-11 |
CN102763040B (zh) | 2016-05-11 |
US20110216294A1 (en) | 2011-09-08 |
CN102763040A (zh) | 2012-10-31 |
WO2011101183A1 (en) | 2011-08-25 |
KR20120132683A (ko) | 2012-12-07 |
TW201142529A (en) | 2011-12-01 |
KR101476370B1 (ko) | 2014-12-24 |
IL221145A (en) | 2017-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5554846B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法とそれに関連付けられたデータ処理装置及びコンピュータプログラム | |
JP5178855B2 (ja) | リソグラフィ装置を制御するための方法および装置 | |
JP6792572B6 (ja) | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 | |
KR101410846B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
TWI646400B (zh) | 微影裝置、元件製造方法及相關資料處理裝置與電腦程式產品 | |
US8908148B2 (en) | Calibration method and inspection apparatus | |
JP5266352B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5284481B2 (ja) | スキャトロメータおよびリソグラフィ装置 | |
JP5443405B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP6316432B2 (ja) | 検査方法及び装置並びにリソグラフィ装置 | |
US9069240B2 (en) | Calibration of lithographic apparatus by exposing patterns on substrate positioned at different orientations | |
US8793099B2 (en) | Calibration of lithographic apparatus | |
NL2006150A (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product. | |
WO2024184017A1 (en) | Broad spectrum metrology systems and methods for various metrology mark types |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140402 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140501 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5554846 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |