JP5533424B2 - Integrated circuit device and skew adjustment method for integrated circuit device - Google Patents
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Description
本発明は,スキュー調整回路およびスキュー調整方法に関する。 The present invention relates to a skew adjustment circuit and a skew adjustment method.
集積回路装置(LSI)は,複数の信号を外部のLSIにまたは内部の他のマクロに出力する出力バッファを有する。例えば,複数ビットのデータバスの信号線は,基準クロックに応答してフリップフロップなどの複数のラッチ回路にラッチされ,ラッチ回路の出力がそれぞれ対応する出力バッファを経由して出力される。複数の信号が同時にLレベルからHレベルに変化すると,複数の出力バッファの電源配線に大きな電流が流れ電源ノイズを発生する。逆に,複数の信号が同時にHレベルからLレベルに変化すると,複数の出力バッファのグランド配線に大きな電流が流れグランドノイズを発生する。このようなノイズは同時スイッチングノイズ(SSN:Simultaneous Switching Noise)と称され,特に,駆動能力が大きい複数の出力バッファが同時に同じ方向にスイッチングした時に大きなノイズになる。 An integrated circuit device (LSI) has an output buffer that outputs a plurality of signals to an external LSI or to another internal macro. For example, a signal line of a data bus of a plurality of bits is latched by a plurality of latch circuits such as flip-flops in response to a reference clock, and an output of the latch circuit is output via a corresponding output buffer. When a plurality of signals change from the L level to the H level at the same time, a large current flows through the power supply wirings of the plurality of output buffers to generate power supply noise. Conversely, when a plurality of signals simultaneously change from the H level to the L level, a large current flows through the ground wiring of the plurality of output buffers, thereby generating ground noise. Such noise is called simultaneous switching noise (SSN), and becomes particularly large when a plurality of output buffers having a large driving capability are simultaneously switched in the same direction.
このような同時スイッチングノイズを抑制する方法が,特許文献1,2,3に記載されている。いずれも,複数の信号にあらかじめ決められた遅延を加えて複数の信号にスキューを発生させ同時スイッチングを抑制しようとしている。
しかしながら,複数の信号の出力のタイミングは様々な要因で変化するので,あらかじめ決められた遅延を加えるだけでは同時スイッチングによるノイズを適切に抑制できない場合がある。 However, since the output timing of a plurality of signals varies depending on various factors, there are cases where noise due to simultaneous switching cannot be suppressed appropriately only by adding a predetermined delay.
たとえば,LSIの動作環境によってLSI内の動作速度が異なり内部の信号のタイミングが異なるので,出力信号に固定的な遅延回路を挿入する方法では適切に同時スイッチングノイズを低減できない場合がある。また,LSIの出力信号を受信する外部のLSIにおけるACスペック,例えば入力のセットアップタイムとホールドタイムなど,は,LSIによって異なるが,出力信号に固定的な遅延を挿入する方法では,そのACスペックを満足できない場合がある。 For example, since the operation speed in the LSI differs depending on the operating environment of the LSI and the timing of the internal signal differs, there may be a case where simultaneous switching noise cannot be appropriately reduced by a method in which a fixed delay circuit is inserted into the output signal. In addition, AC specifications in an external LSI that receives an LSI output signal, such as input setup time and hold time, differ depending on the LSI. However, in the method of inserting a fixed delay in an output signal, the AC spec. You may not be satisfied.
そこで,本発明の目的は,LSIの動作状態などに適合したスキューを複数の信号に与えることができるスキュー調整回路を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a skew adjustment circuit that can provide a plurality of signals with a skew adapted to the operating state of an LSI.
スキュー調整回路の第1の側面は,集積回路装置内に設けられ,複数の信号をそれぞれ伝播する複数の信号線と,
前記複数の信号線を伝播する複数の信号がそれぞれ入力される複数のバッファ回路と,
前記複数のバッファ回路の前段にそれぞれ設けられた複数の遅延回路と,
前記複数の信号線の信号変化を監視する監視回路と,
前記監視回路の監視結果出力に基づいて前記複数の遅延回路の遅延量を決定し前記複数の遅延回路に設定する遅延調整回路とを含み,
前記監視回路は,監視期間内において信号変化が生じた信号線の数である信号変化本数を前記監視結果として検出し,
前記遅延調整回路は,前記信号変化本数に基づいて前記遅延量を決定する。
A first side of the skew adjustment circuit is provided in the integrated circuit device, and includes a plurality of signal lines that respectively propagate a plurality of signals,
A plurality of buffer circuits to which a plurality of signals propagating through the plurality of signal lines are respectively input;
A plurality of delay circuits respectively provided in a preceding stage of the plurality of buffer circuits;
A monitoring circuit for monitoring signal changes of the plurality of signal lines;
A delay adjustment circuit that determines a delay amount of the plurality of delay circuits based on a monitoring result output of the monitoring circuit and sets the delay amounts in the plurality of delay circuits;
The monitoring circuit detects, as the monitoring result, the number of signal changes, which is the number of signal lines in which a signal change has occurred within a monitoring period,
The delay adjustment circuit determines the delay amount based on the number of signal changes.
第1の側面によれば,複数の信号線で発生した信号変化本数に応じて各信号線の信号を遅延させて適切なスキューを発生させるので,同時スイッチングノイズを適切に抑制することができる。 According to the first aspect, since the appropriate skew is generated by delaying the signal of each signal line in accordance with the number of signal changes generated in a plurality of signal lines, simultaneous switching noise can be appropriately suppressed.
図1は,本実施の形態におけるスキュー調整回路を有する集積回路装置を示す図である。図1には,LSIの出力部分の回路が示されている。図1において,複数のデータ信号Data#1〜Data#Nが,クロックCLKに応答して複数のフリップフロップFF#1〜FF#Nにラッチされる。ラッチされた複数のデータ信号は,出力バッファOB_1〜OB_Nを介して,出力データ信号O_Data#1〜O_Data#Nとして外部の他のLSIにまたは内部の他のマクロに出力される。
FIG. 1 is a diagram illustrating an integrated circuit device having a skew adjustment circuit according to the present embodiment. FIG. 1 shows a circuit of an output portion of the LSI. In FIG. 1, a plurality of data
データ信号Data#1〜Data#Nが,複数のフリップフロップと出力バッファとの間の信号配線をそれぞれ伝播する。そして,データ信号が出力バッファに入力すると,データ信号のLレベルからHレベルへの変化(Rise)またはHレベルからLレベルへの変化(Fall)に応答して,出力バッファが出力端子を駆動する。その時,出力バッファOB_1〜OB_Nに接続されている電源VDDやグランドVSSには駆動電流が流れる。
Data
各出力バッファOB_1〜OB_Nに供給されるデータ信号の変化のタイミングが一致する場合,複数の出力バッファが同時に駆動動作を行う。その場合,データ信号の変化が全て同じまたは多数のデータ信号の変化が同じ場合,出力バッファの同時駆動動作により,電源VDDやグランドVSSに大電流が流れ,電源ノイズまたはグランドノイズを発生する。 When the timings of changes of the data signals supplied to the output buffers OB_1 to OB_N match, a plurality of output buffers perform the driving operation simultaneously. In that case, if all the changes in the data signal are the same or the changes in many data signals are the same, a large current flows through the power supply VDD and the ground VSS due to the simultaneous drive operation of the output buffer, generating power supply noise or ground noise.
そこで,図1では,スキュー調整回路10が,各信号配線を伝播してきたデータ信号の変化の数やタイミングを監視し,検出した信号変化本数やタイミングに応じて,各信号配線の遅延量を決定する。そして,出力バッファOB_1〜OB_Nの直前に設けられた遅延回路DL_1〜DL_Nの遅延量を,その決定した遅延量に設定して,複数の出力バッファOB_1〜OB_Nでの駆動動作のタイミングができるだけ一致しないようにする。
Therefore, in FIG. 1, the
また,スキュー調整回路10は,LSIの動作状態,(プロセス条件,電圧条件,温度条件)の変化を監視し,その動作状態に応じて最適な遅延量を決定する。また,この遅延量は,出力データ信号O_Data#1〜O_Data#Nを入力する他のLSIのACスペック,例えばセットアップタイムなどに適合した遅延量が選ばれる。出力データ信号O_Data#1〜O_Data#Nを入力する他のマクロについても,同様にそのACスペックに適合させることもできる。
Further, the
図2は,図1のスキュー調整回路10によるスキュー調整の概略を示す信号波形図である。図1において,クロックCLKに応答して,複数のフリップフロップFF#1〜FF#Nがデータ信号Data#1〜Data#Nをラッチする。図2の例では,このラッチタイミングが一致している。スキュー調整回路は,フリップフロップFF#1〜FF#Nの出力の変化を監視し,図2に示されるように全てのまたは多くの信号配線において信号変化が検出された場合は,遅延回路の遅延量Delay#1〜Delay#Nを適切に制御して,出力バッファOB_1〜OB_Nに入力するデータ信号FF#1_Q〜FF#N_Qに適切なスキューを発生させる。
FIG. 2 is a signal waveform diagram showing an outline of skew adjustment by the
このように,スキュー調整回路10は,信号配線に設けた遅延回路の遅延量を調整することにより,伝搬してきたデータ信号のタイミングをずらして適切なスキューを持たせる。その結果,出力バッファによる同時スイッチング動作による同時スイッチングノイズを抑制する。
In this way, the
[第1の実施の形態]
図3は,第1の実施の形態におけるスキュー調整回路を示す図である。図3には,LSIの出力部の構成が示され,8本のデータ信号Data#0〜Data#7を基準クロックRef_CLKに応答してラッチする最終段フリップフロップ1と,そのフリップフロップ1の出力端子に接続された8本の信号線SL_0〜SL_7と,信号線をそれぞれ伝搬する信号SG_0〜SG_7を入力し外部の他のLSIにまたは内部の他のマクロに出力する出力バッファOB_0〜OB_7とを有する。図中,出力バッファOB_0〜OB7には,信号を出力するバッファ回路に加えて,信号を入力する入力バッファも示されている。つまり,図中に示されたOB_0〜OB_7は入出力バッファである。
[First Embodiment]
FIG. 3 is a diagram illustrating the skew adjustment circuit according to the first embodiment. FIG. 3 shows the configuration of the output section of the LSI. The final stage flip-
スキュー調整回路10は,8本の信号線SL_0〜SL_7には,出力バッファOB_0〜OB_7の直前に遅延回路DL_0〜DL_7が設けられている。前述のとおり,この遅延回路の遅延量を調整することで,信号線SL_0〜SL_7を伝搬する信号SG_0〜SG_7に適切なスキューを発生させる。それにより,出力バッファでのスイッチングタイミングをずらして同時スイッチングによるノイズの発生を抑制する。
In the
スキュー調整回路10は,8本の信号線を伝搬する信号SG_0〜SG_7のLレベルからHレベルへのレベル変化(Rise)及びHレベルからLレベルへのレベル変化(Fall)が,所定の監視期間内に生じているかを監視する監視回路20を有する。この監視期間は,信号の同時変化と見なせる程度に短い期間であるので,この監視期間内に信号レベルの変化が生じた信号線は同時変化したとみなされる。このように同時変化と見なせる程度に短い期間内に信号レベルの変化が生じた信号線が複数存在すると,出力バッファでの同時スイッチングによる電源ノイズやグランドノイズの原因となる。
The
スキュー調整回路10は,さらに,同時変化監視回路20が検出した短期間の間に信号レベルが変化した信号線の数(信号変化本数)に応じて,遅延回路DL_0〜DL_7に設定する遅延量を決定する遅延調整回路30を有する。遅延調整回路30は,信号変化本数に対応して信号間に適切なスキューを発生させる遅延量を格納した遅延量メモリ(ROM)40を参照して,遅延量を決定し,その遅延量を遅延回路DL_0〜DL_7に設定する。
The
図4は,同時変化監視回路を示す図である。同時変化回路20は,8本の信号線SL_0〜SL_7の信号の変化をそれぞれ検出する信号変化検出回路201_0〜201_7を有する。この信号変化検出回路201_0は,基準クロックRef_CLKに応答して信号線SL_0〜SL_7の信号をラッチするレジスタSR#0と,信号線の信号とレジスタSR#0の出力との排他的論理和を演算するXOR回路とを有する。信号線の信号がLレベルからHレベルに変化したとき,その直後の基準クロックRef_CLKに応答して,XOR回路が信号の変化から基準クロックまでのパルス幅を有する検出パルスを生成する。信号線の信号がHレベルからLレベルに変化したときも同様に,XOR回路が検出パルスを生成する。
FIG. 4 is a diagram showing a simultaneous change monitoring circuit. The
この制御イネーブル信号Cnt_ENは,図示しない回路により生成されるが,スキュー調整回路のシステムのイニシャライズ動作において,安定したシステムクロックが入力され安定した内部の基準クロックRef_CLKが生成されると,制御イネーブル信号Cnt_ENはHレベルになる。この制御イネーブル信号Cnt_EN=Hに応答して,スキュー調整回路10のスキュー調整動作が始まる。そして,タイミング生成カウンタ203は,制御イネーブル信号Cnt_EN=Hに応答して,4ビットのカウント値Countを基準クロックに同期してインクリメントする動作を繰り返す。このタイミング生成カウンタ203の出力のカウント値Countが後述するとおり,スキュー調整回路10内の動作タイミングを制御する。
The control enable signal Cnt_EN is generated by a circuit (not shown). However, when a stable system clock is input and a stable internal reference clock Ref_CLK is generated in the system initialization operation of the skew adjustment circuit, the control enable signal Cnt_EN Becomes H level. In response to the control enable signal Cnt_EN = H, the skew adjustment operation of the
制御イネーブル信号Cnt_ENは,上位のシステムからイネーブル状態(Hレベル)とデセーブル状態(Lレベル)に制御されるよう構成することができる。このような構成にすることで,電源起動時などのイニシャライズ動作後に自動的にスキュー調整回路を動作させてスキュー調整した後に,スキュー調整回路の動作を停止させることができる。また,LSIの温度が上昇したときに制御イネーブル信号Cnt_ENをイネーブル状態に制御して,スキュー調整を行い,その後でセーブル状態に制御することもできる。このようにスキュー調整回路の動作と停止を制御することで無駄な消費電流の発生を回避することができる。 The control enable signal Cnt_EN can be configured to be controlled from an upper system to an enable state (H level) and a disable state (L level). With this configuration, the skew adjustment circuit can be stopped after the skew adjustment circuit is automatically operated and the skew adjustment is performed after the initialization operation such as when the power is turned on. In addition, when the temperature of the LSI rises, the control enable signal Cnt_EN can be controlled to be in an enable state, skew adjustment can be performed, and then the disable state can be controlled. By controlling the operation and stop of the skew adjustment circuit in this way, it is possible to avoid generation of useless current consumption.
図6は,同時変化監視回路20と後述する遅延調整回路30(図5)の動作のタイムチャート図である。このタイムチャートを参照しながら同時変化監視回路の構成と動作を説明する。
FIG. 6 is a time chart of operations of the simultaneous
監視結果保持レジスタMoni_R#0〜Moni_R#7は,タイミング生成カウンタ203が出力するカウント値Countが0になったときに,XOR回路の信号変化検出パルスをラッチする。さらに,セレクタ205は,カウント値Countが1〜8になるタイミングに対応して,監視結果保持レジスタMoni_R#0〜Moni_R#7を順に選択してパラレル・シリアル変換し,同時変化本数カウンタ207は,セレクタの出力の変化イネーブル信号chg_en=1をカウントし,カウントした変化本数を遅延調整回路30に出力する。この同時変化本数カウンタ207は,カウント値Count=0の時にリセットされ,その後カウントを開始し,基準クロックRef_CLKに応答してセレクタからの変化イネーブル信号 chg_en=1をカウントする。図6では,タイミングカウント値Count=8のタイミングで変化本数カウンタのカウント値は「5」になっている。
The monitoring result holding
つまり,同時変化監視回路20では,信号変化検出回路201_0〜201_7が,基準クロックRef_CLKの1周期である監視期間内で同時に発生する信号変化を検出し,カウント値Count=0のタイミングでその検出した信号変化が監視結果保持レジスタMoni_R#0〜Moni_R#7にラッチされ,次のカウント値Count=1〜8でカウンタ207がその信号変化をカウントする。検出する信号変化は,LレベルからHレベルの変化とHレベルからLレベルの変化の両方である。したがって,同時変化監視回路20は,基準クロックRef_CLKの16サイクルに1回の間隔で信号の同時変化を検出し,その信号変化本数を出力する。
That is, in the simultaneous
図5は,遅延調整回路30を示す図である。図5に示された遅延調整回路30は,同時変化監視回路20が検出した信号変化本数をカウント値Count=10でラッチする変化本数保持レジスタ301と,カウント値Count=15で変化本数保持レジスタ301が保持する現同時変化本数を旧同時変化本数としてラッチする設定状態保持レジスタ303とを有する。さらに,遅延調整回路30は,変化本数比較回路305を有し,その回路には,カウント値Count=11で設定状態保持レジスタ303の旧同時変化本数と変化本数保持レジスタ301の現同時変化本数とを比較する変化本数比較器307と,カウント値Count=14で遅延ROM40から読み出した遅延量R-dataに対応する設定タップ情報をラッチする設定タップ情報レジスタ309とを有する。また,カウント値Count=15で設定タップ情報レジスタ309のタップ情報をラッチするタップ設定レジスタ311を有し,このタップ設定レジスタ311に設定されたタップ値が遅延回路DL_0〜DL_7に設定される。各レジスタ301,303,309と比較器307には基準クロックRef_CLKが供給され,そのクロックの立ち上がりエッジに同期してそれぞれラッチまたは比較する。インバータ310により,タップ設定レジスタ311は,基準クロックRef_CLKの立ち下がりエッジに同期して設定タップ情報レジスタ309の設定値をラッチする。
FIG. 5 is a diagram illustrating the
図5の遅延調整回路30は後述する別の実施の形態において,Rise/Fall変化監視回路60からの変化本数と比較結果を入力し,比較結果に基づいて所定の遅延調整を行う。本実施の形態では,比較結果は利用されない。
In another embodiment to be described later, the
図5の遅延調整回路30の動作は,図6のタイムチャートに示されるように以下の通りである。図4の同時変化監視回路20は,カウント値Count=8で同時変化本数を検出し,遅延調整回路30に出力する。図6では同時変化本数は「5」である。そして,カウント値Count=10でその同時変化本数が変化本数保持レジスタ301に現同時変化本数として格納される。そして,カウント値Count=11で,変化本数比較器307が設定状態保持レジスタ303が保持する旧同時変化本数(図6では「2」)と現同時変化本数(図6では「5」)とを比較する。比較結果が等しくない場合(比較≠)は,同時変化本数に変化が生じたことになるので,変化本数比較器307が遅延量ROM40に読み出し命令Readを出力する。この読み出し動作のアドレスは,現同時変化本数のデータ(図6では「5」)である。また,比較結果が等しい場合は,ROMへのリードは行われずに,タップ設定レジスタ311のタップ値の更新は行われない。
The operation of the
遅延量ROM40には,後述するとおり,同時変化本数に対応して各信号線に加えるべき遅延量データが,遅延回路DL_0〜DL_7へのタップ値として格納されている。したがって,遅延量ROM40から読み出される読み出しデータR_dataは,遅延量に対応したタップ値であり,カウント値Count=14で設定タップ情報レジスタ309に格納される。そして,カウント値Count=15で,設定状態保持レジスタ303内の旧同時変化本数が現同時変化本数で更新されるとともに,タップ設定レジスタ311が設定タップ情報レジスタ309に格納されているタップ値で更新される。タップ設定レジスタ311の更新は基準クロックRef_CLKの立ち下りエッジがインバータ310により立ち上がりエッジに反転されたことに応答して行われ,設定状態保持レジスタ303の更新はRef_CLKの立ち上がりエッジに応答して行われる。
As described later, the
このように,タイミング生成カウンタ203の4ビットのカウント値Countにしたがって,カウント値の16カウントサイクルで,同時変化本数の検出と,旧同時変化本数と現同時変化本数との比較と,比較結果が等しくない場合の遅延ROM40へのタップ値の読み出しと,タップ設定レジスタ311への設定とが繰り返される。したがって,検出した同時変化本数が変化した場合に,その同時変化本数に対応する遅延量が遅延回路DL_0〜DL_7に設定される。
As described above, according to the 4-bit count value Count of the
図7は,遅延回路と,そのタップ値と遅延量との関係とを示す図である。遅延回路DL_#は,入力するデータ信号Dataを遅延させる複数のバッファからなるバッファ群313と,バッファ群313内の複数のノードを設定コードS_CODEに基づいて選択するセレクタ315とを有する。図7中には,セレクタのタップ値と設定コードS_CODEとの対応表が示され,設定コードS_CODEが小さいほど,つまりタップ値が小さいほど,遅延回路DL_#により挿入される遅延量が小さく,逆の場合は遅延量が多くなる。8つの遅延回路DL_0〜DL_7に対する各4ビットの設定コードS_CODEが,図5のタップ設定レジスタ311に設定される。したがって,遅延量ROM40には,この設定コードS_CODEが同時変化本数に対応して格納されている。
FIG. 7 is a diagram illustrating the delay circuit and the relationship between the tap value and the delay amount. The delay circuit DL_ # includes a
図8は,遅延量ROMのフォーマットを示す図である。アドレスは,同時変化監視グループGrと,動作状態と,同時変化本数とを有し,それに対するデータは,遅延回路のタップ設定値(各遅延回路の設定コードS_CODE)である。32ビットのタップ設定値は,8本の信号線の遅延回路に設定する各4ビットの設定コードである。ここに示したフォーマットは,後述する実施の形態にも対応しており,本実施の形態ではアドレス情報は同時変化本数のみである。 FIG. 8 is a diagram showing the format of the delay amount ROM. The address includes a simultaneous change monitoring group Gr, an operation state, and the number of simultaneous changes, and data corresponding thereto is a delay circuit tap setting value (setting code S_CODE of each delay circuit). The 32-bit tap setting value is a 4-bit setting code set in the delay circuit of 8 signal lines. The format shown here also corresponds to an embodiment described later, and in this embodiment, the address information is only the number of simultaneous changes.
ここで,同時変化監視グループとは,同時変化を監視する対象の信号グループであり,本実施の形態では8本の信号線SL_0〜SL_7が1つのグループGr=0に対応する。例えば,データバスが32ビットの場合は,32本の信号線が8本ずつ4グループに分けられ,各グループの8本の信号線に対して,前述の同時変化本数が監視される。そして,各グループの8本の信号線に対して遅延量が設定される。 Here, the simultaneous change monitoring group is a signal group to be monitored for simultaneous change, and in this embodiment, eight signal lines SL_0 to SL_7 correspond to one group Gr = 0. For example, when the data bus is 32 bits, the 32 signal lines are divided into 4 groups each including 8 signal lines, and the number of simultaneous changes described above is monitored for the 8 signal lines of each group. Then, delay amounts are set for the eight signal lines in each group.
図9は,遅延量ROMの具体例を示す図である。この例では,アドレスはグループGr=0〜xと同時変化本数(0〜2本,3〜5本,6〜8本)とを有し,データは各遅延回路の遅延量に対応する32ビットのタップ設定値(各遅延回路の設定コードS_CODE)である。 FIG. 9 is a diagram showing a specific example of the delay amount ROM. In this example, the address has the group Gr = 0 to x and the number of simultaneous changes (0 to 2, 3 to 5, 6 to 8), and the data is 32 bits corresponding to the delay amount of each delay circuit. Tap setting value (setting code S_CODE of each delay circuit).
一例として,グループGr=0について説明すると,同時変化本数が0〜2本の場合は,タップ設定値は全て「0x0」(遅延量ゼロ)である。一方,同時変化本数が3〜5本の場合は,タップ設定値は「0x0」と「0x4」の2種類であり,データ信号Data#0〜Data#7に対して偶数番目のデータ信号線の遅延回路には「0x0」(遅延量ゼロ),奇数番目のデータ信号線の遅延回路には「0x4」(遅延量4/16)が設定される。さらに,同時変化本数が6〜8本の場合は,タップ設定値は「0x0」「0x2」「0x4」「0x6」の4種類であり,データ信号Data#0〜#4と,データ信号Data#5〜#7にそれら4種類のタップ設定値が設定される。つまり,8本の信号線を4グループに分けて,それぞれのグループの信号線の遅延回路に異なる遅延量を設定する。
As an example, the group Gr = 0 will be described. When the number of simultaneous changes is 0 to 2, the tap setting values are all “0x0” (zero delay amount). On the other hand, when the number of simultaneously changing lines is 3 to 5, the tap setting values are “0x0” and “0x4”, and the even-numbered data signal lines for data
図10は,遅延回路に設定する遅延量とスキューとを示す図である。図9のタップ設定値により設定された遅延回路とスキュー調整された信号波形が示されている。 FIG. 10 is a diagram showing the delay amount and skew set in the delay circuit. The delay circuit set by the tap setting value of FIG. 9 and the signal waveform after skew adjustment are shown.
(1)同時変化本数が0〜2本の場合は,8つの遅延回路は遅延量0に設定される。同時変化本数が少ないので,同時スイッチングノイズが小さいとみなせるので,信号間にスキューを発生させる必要性は少ないからである。 (1) When the number of simultaneous changes is 0 to 2, the eight delay circuits are set to a delay amount of zero. This is because since the number of simultaneous changes is small, it can be considered that the simultaneous switching noise is small, so there is little need to generate a skew between signals.
(2)同時変化本数が3〜5本の場合は,データ信号Data#0〜Data#7に対して偶数番目のデータ信号線の遅延回路には「0x0」(遅延量ゼロ),奇数番目のデータ信号線の遅延回路には「0x4」(遅延量4/16)が設定される。つまり,同時変化本数が比較的多いので,データ信号線を2つのグループに分けて,一方に遅延量ゼロ,他方に遅延量4を設定して,図示されるようにスキューを発生させている。これにより,同時変化した信号線による出力バッファでのスイッチング動作が,全て一致する確率を低減することができる。
(2) When the number of simultaneous changes is 3 to 5, the delay circuit of the even-numbered data signal line for the data signals
(3)同時変化本数が6〜8本と最も多い場合は,データ信号線が2本ずつ4グループに分けられ,各グループに遅延量ゼロ,遅延量2,遅延量4,遅延量6が設定され,図示されるようなスキューを発生させている。同時変化本数が多い場合は,このように多くのグループ毎に遅延量を異ならせて同時変化の確率を抑制することが望ましい。
(3) When the number of simultaneous changes is as large as 6 to 8, the data signal lines are divided into 4 groups each having 2 data lines, and each group is set with zero delay amount,
図10の遅延量は一例であり,同時変化本数の違いをもっと細かくして,各同時変化本数に対して異なる遅延量を設定するようにしてもよい。たとえば,同時変化本数が8本の場合には8本の信号線の遅延量を全て異ならせるようにしてもよい。 The delay amount in FIG. 10 is an example, and the difference in the number of simultaneously changing lines may be made finer, and different delay amounts may be set for each number of simultaneously changing lines. For example, when the number of simultaneous changes is 8, all the delay amounts of the 8 signal lines may be made different.
図8,9,10に示したとおり,本実施の形態においては,信号線の信号の同時変化を検出した場合,各信号線に設けた遅延回路の遅延量を調整して信号間のスキューを適切に調整し,出力バッファによる同時スイッチングを抑制する。ただし,この遅延量は,出力バッファの出力を供給される他のLSIやマクロの入力回路のACスペックに適合した許容遅延量を超えることは許されない。したがって,遅延量ROM内に設定された遅延量は,このACスペックに適合した許容遅延量未満に設定されている。 As shown in FIGS. 8, 9, and 10, in this embodiment, when the simultaneous change of the signal on the signal line is detected, the delay amount of the delay circuit provided on each signal line is adjusted to reduce the skew between the signals. Adjust appropriately to suppress simultaneous switching by the output buffer. However, this delay amount cannot exceed the allowable delay amount that conforms to the AC specifications of the input circuits of other LSIs or macros that are supplied with the output of the output buffer. Therefore, the delay amount set in the delay amount ROM is set to be less than the allowable delay amount conforming to this AC specification.
図11は,許容遅延量を説明する図である。図中,LSIの内部の基準クロックRef_CLKと,複数のLSIに対するシステムクロックS_CLKとが示されている。これらのクロックは,同期したクロックであり 同じ周期Tを有するが,図示されるとおり両クロック間には所定の位相差dTが存在する場合がある。 FIG. 11 is a diagram illustrating the allowable delay amount. In the figure, a reference clock Ref_CLK inside the LSI and a system clock S_CLK for a plurality of LSIs are shown. These clocks are synchronized and have the same period T, but there may be a predetermined phase difference dT between the two clocks as shown.
図3において,LSIの出力段では,基準クロックRef_CLKに応答して最終段フリップフロップ1がデータ信号をラッチする。そして,信号線SLと出力バッファOBを経て,データ信号が後段の他のLSIまたは他のマクロに出力される。後段の他のLSIまたは他のマクロの入力回路は,システムクロックS_CLKの立ち上がりエッジで入力信号を取り込むが,入力回路にはセットアップタイムTsとホールドタイムThがACスペックとして決められている。
In FIG. 3, at the output stage of the LSI, the final stage flip-
図11中には,データAとデータBについて,最終段フリップフロップからの出力遅延と出力バッファの遅延の和TOxと,セットアップタイムTsを満たす許容遅延値が示されている。出力側での遅延値TOxは,プロセス条件や温度条件,電源電圧などによりばらつきが発生するので,最大値と最小値が存在する。したがって,データA,Bについてそれぞれ遅延値TOxが最大の場合と最少の場合とが示されている。 In FIG. 11, for data A and data B, the sum TOx of the output delay from the final-stage flip-flop and the delay of the output buffer, and the allowable delay value satisfying the setup time Ts are shown. The delay value TOx on the output side varies depending on the process conditions, temperature conditions, power supply voltage, etc., so there are maximum and minimum values. Therefore, the cases where the delay values TOx are the maximum and the minimum are shown for the data A and B, respectively.
セットアップタイムTsを満たす許容される遅延値は,データA,Bそれぞれ次の通りである。
DataA=T-Toa_max-Ts+dT
DataB=T-Tob_max-Ts+dT
そして,データBの遅延値TOxのほうが大きいので,データBの許容遅延値のほうが小さい。よって,このデータBの許容遅延値未満の遅延量が遅延量ROM40に設定される。その結果,スキュー調整された出力信号が,後段のLSIやマクロの入力回路にそのセットアップタイムTsを満たすタイミングで供給されることが保証される。
The allowable delay values that satisfy the setup time Ts are as follows for the data A and B, respectively.
DataA = T-Toa_max-Ts + dT
DataB = T-Tob_max-Ts + dT
Since the delay value TOx of data B is larger, the allowable delay value of data B is smaller. Therefore, a delay amount less than the allowable delay value of the data B is set in the
[第1の実施の形態(2)]
図12は,第1の実施の形態におけるスキュー調整回路の変型例を示す図である。図3のスキュー調整回路10との相違点は,動作状態監視回路50を有することと,遅延量ROM40が同時変化本数と動作状態監視回路が検出する動作速度とに対応する遅延量を格納していることである。遅延回路DL_0〜DL_7は,図7と同じであり,同時変化監視回路20は,図4と同じである。
[First Embodiment (2)]
FIG. 12 is a diagram illustrating a modified example of the skew adjustment circuit according to the first embodiment. 3 is different from the
この変型例では,動作状態監視回路50が,動作状態(プロセス条件,温度条件,電圧条件のばらつき)によって生じるLSI内のゲートの速度変化を監視し,その速度が高速の場合の動作状態信号Fastと,典型的な場合の動作状態信号Typicalと,低速の場合の動作状態信号Slowとを出力する。そして,この速度に対応して,遅延ROM40はスキュー調整用の遅延量を格納し,動作状態に適した遅延量を遅延回路に設定することができる。
In this modified example, the operation
具体的には,速度が典型的な場合の遅延量に比べると,高速の場合は遅延回路DL内の遅延量をより多くし,つまり遅延バッファの数を増やし,絶対的な遅延時間,つまり絶対的なスキューの大きさを典型的な速度の場合と同等にする。逆に,低速の場合は遅延回路DL内の遅延量をより少なくして,つまり遅延バッファの数を減らし,絶対的な遅延時間,つまり絶対的なスキューの大きさを典型的な速度の場合と同等にする。 Specifically, compared with the delay amount when the speed is typical, when the speed is high, the delay amount in the delay circuit DL is increased, that is, the number of delay buffers is increased, and the absolute delay time, that is, absolute The amount of skew is equivalent to that of a typical speed. On the other hand, when the speed is low, the delay amount in the delay circuit DL is reduced, that is, the number of delay buffers is reduced, and the absolute delay time, that is, the absolute skew is set to a typical speed. Make equal.
動作速度が高速になったり低速になったりとばらつく原因は,第1にデバイス製造時の狙い値に対して生じる製造ばらつきなどのプロセス条件,,第2に電源電圧が高いか低いか,第3に温度が高いか低いかなどである。前述のとおり,遅延回路の遅延量は,同時スイッチングノイズ低減のための適切なスキューを与える値であって,許容遅延量未満の値に設定される必要がある。したがって,動作速度のばらつきに対応して,遅延回路の遅延バッファの数を変更することが望ましい。 The reasons why the operating speed varies depending on whether the operating speed is high or low are firstly the process conditions such as manufacturing variations caused by the target value at the time of manufacturing the device, secondly, whether the power supply voltage is high or low, Whether the temperature is high or low. As described above, the delay amount of the delay circuit is a value that gives an appropriate skew for simultaneous switching noise reduction and needs to be set to a value less than the allowable delay amount. Therefore, it is desirable to change the number of delay buffers in the delay circuit in accordance with the variation in operation speed.
図13は,動作状態監視回路50の一例を示す図である。動作状態監視回路は,位相0°のクロックCLK0を遅延して位相90°のクロックCLK90を出力する遅延回路501と,2つのクロックCLK0,CLK90の位相差を検出し,その位相差が90°になるように遅延回路の遅延制御信号507を生成する遅延制御回路503とを有する。遅延回路501は,例えば図7に示した遅延回路と同等の構成である。したがって,遅延制御信号507は,LSIのゲート速度が高速であればより多くのバッファを伝搬した信号を選択する制御信号になり,低速であればより少ないバッファを伝搬した信号を選択する制御信号になる。図13の例では,この遅延制御信号507がデコーダ505でデコードされ,3種類の動作状態信号Fast,Typical,Slowに変換される。
FIG. 13 is a diagram illustrating an example of the operation
図5の遅延調整回路30に示されるとおり,本実施の形態では,動作状態監視回路50が出力する動作状態信号が動作状態レジスタ313にラッチされる。ラッチタイミングは制御イネーブル信号Cnt_ENがHになった後の適切なタイミングであればよい。例えば,タイミングカウント値Count=11でラッチすることで,同時変化本数比較器307の比較動作タイミングに同期させることができる。遅延調整回路30は,遅延量ROM40を参照する時のアドレスとして,同時変化本数に加えて動作状態信号を使用する。
As shown in the
図14は,遅延量ROMの具体例を示す図である。このROMの場合,アドレスとして同時変化監視グループGrと同時変化本数とに加えて,動作状態を有する。そして,データとしては8つの遅延回路に設定する4ビット×8=32ビットのタップ設定値である。図9のROMと比較すると,動作状態がアドレスに追加され,データとして,3つの動作状態それぞれに対応して図9のタップ設定値が格納される。同時変化本数に対応するタップ設定値は図9と同様であり,それにより設定される遅延回路と信号に加えられたスキューは,図10と同様である。 FIG. 14 is a diagram illustrating a specific example of the delay amount ROM. In the case of this ROM, in addition to the simultaneous change monitoring group Gr and the number of simultaneous changes as an address, it has an operating state. The data is a tap setting value of 4 bits × 8 = 32 bits set in 8 delay circuits. Compared with the ROM of FIG. 9, the operation state is added to the address, and the tap setting values of FIG. 9 are stored as data corresponding to each of the three operation states. The tap setting value corresponding to the number of simultaneous changes is the same as in FIG. 9, and the skew added to the delay circuit and the signal set thereby is the same as in FIG.
ただし,図14に示されるとおり,動作状態が高速Fastの場合のタップ設定値は,典型速度Typicalの場合よりも大きく設定され,低速Slowの場合のタップ設定値は,典型速度Typicalの場合よりも小さく設定されている。 However, as shown in FIG. 14, the tap setting value when the operation state is high speed Fast is set to be larger than that at the typical speed typical, and the tap setting value at low speed Slow is larger than that at the typical speed typical. It is set small.
この遅延量ROM40を参照することで,動作状態に対応し,且つ同時変化本数に対応した適切な遅延量を,遅延回路DL_0〜DL_7に設定することができる。
By referring to the
遅延量ROM40は,書換可能なメモリであってもよい。書換可能なメモリであれば,最適な遅延量をそのLSIの動作環境,例えば出力信号を入力する他のLSIのACスペックなど,に対応して書き換えることができ,最適なスキュー調整が可能である。
The
[第1の実施の形態(3)]
図15は,第1の実施の形態におけるスキュー調整回路の第2の変型例を示す図である。スキュー調整回路10は,図3と同様に,同時変化監視回路20と,遅延調整回路30と,遅延回路DL_0〜DL_7を有する。同時変化監視回路20は図4の構成と同じであり,遅延回路も図7と同じである。
[First Embodiment (3)]
FIG. 15 is a diagram illustrating a second modification of the skew adjustment circuit according to the first embodiment. Similarly to FIG. 3, the
ただし,図3と異なり,遅延量を格納したメモリは,LSIの外部に設けられたRAM70に格納され,遅延回路のタップ設定は,外部のCPUによって行われる。それに伴って,この第2の変型例の遅延調整回路30は,図5の構成ではなく,図16の構成を有する。また,外部のCPUバスとのインターフェースをとるCPUインターフェース62が設けられ,遅延調整回路30とCPUとのインターフェース動作が行われる。
However, unlike FIG. 3, the memory storing the delay amount is stored in the
なお,CPUは,RAM70により適宜最適な遅延量をダウンロードする。このようにRAM70の遅延量を書換可能にすることで,例えば,出力バッファから出力される信号を入力する他のLSIや他のマクロのACスペックに適合した遅延量を動的に設定することができる。
The CPU downloads an optimal delay amount from the
また,RAM70やCPUは,共通のLSI内に設けられていても良い。つまり,LSIがシステムLSIの場合,そのLSI内にはCPUやRAMが設けられているので,それらを利用しても良い。
Further, the
図16は,第2の変型例における遅延調整回路を示す図である。遅延調整回路30は,同時変化監視回路20が出力する4ビットの変化本数データをタイミングカウント値Count=10のタイミングでラッチする変化本数レジスタ315と,RAM70からの遅延量に対応するタップ値をCPUインターフェース62を介して格納する遅延設定レジスタ317と,遅延設定レジスタ317に格納されたタップ値をインバータ310(基準クロックRef_CLKの立ち下りエッジ)に応答して格納するタップ設定レジスタ311とを有する。同時変化監視回路20の構成は,図4と同じである。
FIG. 16 is a diagram showing a delay adjustment circuit in the second modification. The
同時変化監視回路20は,図4と図6で説明したとおり,タイミングカウント値Count=8で同時変化本数を出力する。図16の遅延調整回路30内の変化本数レジスタ315は,タイミングカウント値Count=10で,変化本数データを取り込み,取り込むと変化本数有効ビットを有効「1」にする。
The simultaneous
CPUは,CPUインターフェース62を介してこの変化本数有効ビットを定期的にチェックし,この有効ビットが有効「1」になると,変化本数レジスタ315から変化本数データを読み出す。CPUは,この変化本数データをアドレスとして,遅延量RAM70内に格納されている遅延量に対応するタップ値(32ビットの各遅延回路の設定コードS_CODE)を読み出し,遅延設定レジスタ317にCPUインターフェース62を介して書き込み,書き込みが終了すると,遅延設定レジスタ内のタップ切替オンビットを有効「1」にする。
The CPU periodically checks the change number valid bit via the
このタップ切替オンビットが有効「1」になると,タップ設定レジスタ311は,基準クロックRef_CLKの立ち下がりエッジに応答して,遅延設定レジスタ317内の設定コードをラッチし,遅延回路DL_0〜DL_7の遅延量の設定が完了する。それと共に,タップ切替オンビットが有効「1」になると,変化本数レジスタ315の変化本数有効ビットがクリア「0」される。また,遅延量の設定が完了するとタップ切替オンビットも「0」にクリアされる。その後,CPUはこの有効ビットがクリア「0」である限り,タップ設定値をメモリから読み出して設定することはしない。
When the tap switching on bit becomes valid “1”, the
RAM70の構成例は,図9と同じである。つまり,アドレスは,同時変化本数監視グループGrと同時変化本数を有し,それに対応して,データとしてタップ値(32ビットの各遅延回路の設定コードS_CODE)が格納されている。
A configuration example of the
このように,RAM70がCPUにより制御されるメモリであり,出力バッファからの出力信号が供給される他のLSIや他のマクロのACスペックに適合した遅延量のデータが,CPUにより適宜ダウンロードされる。したがって,同時変化本数に対応する遅延回路へのタップ値の設定タイミングは,タイミングカウント値Countではなく,CPUにより制御される。
As described above, the
[第1の実施の形態(4)]
図17は,第1の実施の形態におけるスキュー調整回路の第3の変型例の図である。この第3の変型例は,図15の第2の変型例と異なり,スキュー調整回路10が動作状態監視回路50を有する。同時変化監視回路20は図4と同じであり,遅延回路DL_0〜DL_7は図7と同じである。
[First Embodiment (4)]
FIG. 17 is a diagram illustrating a third modification of the skew adjustment circuit according to the first embodiment. In the third modification example, unlike the second modification example of FIG. 15, the
遅延調整回路30は,図16に示される通りであり,第2の変型例と異なり,動作状態監視回路50からの動作状態信号がタイミングカウント値Count=10で変化本数レジスタ315にラッチされる。そして,CPUは変化本数有効ビットが有効「1」になると,同時変化本数と動作状態信号とをアドレスにして,遅延量RAM70内の遅延量に対するタップ値を読み出し,遅延設定レジスタ317に設定する。その後の動作は,第2の変型例と同じである。
The
遅延量RAM70の構成例は,図14と同じであり,アドレスに同時変化本数監視グループGrと同時変化本数に加えて,動作状態データがある。したがって,3つの動作状態に対応して別々に遅延量が格納されている。
The configuration example of the
以上の通り,第1の実施の形態では,スキュー調整回路は,同時変化本数を監視する例えば8本の信号線の監視期間内における同時変化の本数を監視し,同時変化本数が多くなればなるほど,8本の信号線をより多くのグループに分割し,それぞれに異なる遅延量を設定する。これにより,同時変化による同時スイッチングノイズを抑制することができる。 As described above, in the first embodiment, the skew adjustment circuit monitors the number of simultaneous changes in the monitoring period of, for example, eight signal lines for monitoring the number of simultaneous changes, and the number of simultaneous changes increases as the number of simultaneous changes increases. , The eight signal lines are divided into more groups, and different delay amounts are set for the respective groups. Thereby, simultaneous switching noise due to simultaneous change can be suppressed.
[第2の実施の形態]
第1の実施の形態では,複数の信号線の信号変化について立ち上がり(Rise)か立ち下がりか(Fall)かにかかわらず,その同時変化本数を監視し,変化本数に応じた遅延量を各信号線に与えている。しかし,同時に変化する場合でも,立ち上がりでは電源ノイズが発生し,立ち下がりではグランドノイズが発生する。したがって,8本の信号線が全て同時に信号変化を起こしても,立ち上がりが1本,立ち下がりが6本の場合は,同時スイッチングノイズとしては変化本数が多いグランドノイズが問題になるので,立ち下がりが発生した6本の信号線に対してスキュー調整すれば足りることになる。また,LSIは電源ノイズに強い耐性を有する場合もあれば,グランドノイズに強い耐性を有する場合もある。したがって,同時変化が立ち上がり側か立ち下がり側かに応じて,遅延量をその耐性の程度に応じて適切に選択することが望ましい場合がある。
[Second Embodiment]
In the first embodiment, regardless of whether a signal change of a plurality of signal lines is rising (Rise) or falling (Fall), the number of simultaneous changes is monitored, and a delay amount corresponding to the number of changes is set for each signal. Giving to the line. However, even if they change at the same time, power supply noise occurs at the rise and ground noise occurs at the fall. Therefore, even if all of the eight signal lines change simultaneously, if there is one rising edge and six falling edges, the ground noise, which has a large number of changes, becomes a problem as simultaneous switching noise. It is sufficient to adjust the skew with respect to the six signal lines in which the occurrence of the error occurs. In addition, LSIs may be highly resistant to power supply noise or may be highly resistant to ground noise. Therefore, depending on whether the simultaneous change is on the rising side or the falling side, it may be desirable to appropriately select the delay amount according to the degree of the tolerance.
第2の実施の形態では,スキュー調整回路が,Rise/Fall変化監視回路を有し,同時立ち上がり変化の本数と同時立ち下がり変化の本数とを検出し,その検出結果に応じて最適な遅延量を決定する。 In the second embodiment, the skew adjustment circuit has a Rise / Fall change monitoring circuit, detects the number of simultaneous rising changes and the number of simultaneous falling changes, and determines the optimum delay amount according to the detection result. To decide.
図18は,第2の実施の形態におけるスキュー調整回路の図である。スキュー調整回路10は,Rise/Fall変化監視回路60と,遅延調整回路30と,遅延量ROM40とを有する。さらに,スキュー調整回路10は,複数の信号線SL_0〜SL_7にそれぞれ遅延回路DL_0〜DL_7を有し,遅延調整回路30によりそれぞれの遅延量が設定される。
FIG. 18 is a diagram of a skew adjustment circuit according to the second embodiment. The
Rise/Fall変化監視回路60は,8本の信号線SL_0〜SL_7の同時立ち上がり変化と立ち下がり変化を監視し,立ち上がりと立ち下がりのうち変化本数が多い方を,同時変化本数として,立ち上がり又は立ち下がりデータとともに遅延調整回路30に供給する。そして,遅延調整回路30は,その同時変化本数と,立ち上がり又は立ち下がりデータをアドレスにして遅延量ROM40から遅延量に対応するタップ値(設定コード)を読み出し,遅延回路の遅延量としてそのタップ値を設定する。
The Rise / Fall
図19は,Rise/Fall変化監視回路60を示す図である。Rise変化監視回路610は,基準クロックの1周期に対応する監視期間中に8本の信号線に発生した立ち上がり変化を検出し,その数をカウントする。そのために,8本の信号線SL_0〜SL_7それぞれに対して,立ち上がり変化検出回路611_0〜611_7をそれぞれ有する。
FIG. 19 is a diagram showing the Rise / Fall
この立ち上がり変化検出回路611_0は,基準クロックRef_CLKに応答して信号線の信号をラッチするレジスタSR#0と,信号線の信号とレジスタSR#0の反転出力とのANDを演算するANDゲートとを有する。信号線SL_0〜SL_7の信号がLレベルからHレベルに変化したとき,その後の基準クロックRef_CLKに応答して,ANDゲートが信号の変化から基準クロックまでのパルス幅を有する立ち上がり検出パルスを生成する。
This rising change detection circuit 611_0 includes a
監視結果保持レジスタMoni_R#0〜Moni_R#7は,タイミング生成カウンタ613が出力するカウント値Countが0になったときに,ANDゲートの検出パルスをラッチする。さらに,セレクタ615は,カウント値Countが1〜8になるタイミングに対応して,監視結果保持レジスタMoni_R#0〜Moni_R#7を順に選択し,Rise変化本数カウンタ617は,セレクタの出力の立ち上がりイネーブル信号Rise_en=1をカウントし,カウントした変化本数を変化本数比較器620に出力する。このRise変化本数カウンタ617は,カウント値Count=0の時にリセットされ,その後カウントを開始し,基準クロックRef_CLKに応答して立ち上がりイネーブル信号Rise_en=1をカウントする。
The monitoring result holding
一方,Fall変化監視回路620は,監視期間中に8本の信号線に発生した立ち下がり変化を検出し,その数をカウントする。そのために,8本の信号線SL_0〜SL_7それぞれに対して,立ち下がり変化検出回路621_0〜621_7をそれぞれ有する。
On the other hand, the Fall
この立ち下がり変化検出回路621_0は,基準クロックRef_CLKに応答して信号線の信号をラッチするレジスタSR#0と,信号線の信号の反転信号とレジスタSR#0の非反転出力とのANDを演算するANDゲートとを有する。信号線の信号がHレベルからLレベルに変化したとき,その後の基準クロックRef_CLKに応答して,ANDゲートが信号の変化から基準クロックまでのパルス幅を有する立ち下がり検出パルスを生成する。
This falling change detection circuit 621_0 calculates the AND of the
残りの構成は,Rise変化監視回路610と同様であり,カウント値Count=0で監視結果保持レジスタMoni_R#0〜#7が立ち下がり変化をラッチし,カウント値Count=1〜8でセレクタ625がパラレル・シリアル変換し,Fall変化本数カウンタ627がカウントする。
The remaining configuration is the same as that of the Rise
変化本数比較回路620は,カウント値Count=9のタイミングでRise変化本数とFall変化本数とを比較し,多い方の変化本数と,どちらが多いかを示す比較結果とを遅延調整回路30に出力する。
The change
このように,Rise/Fall変化監視回路60は,タイミング生成カウンタ613が生成するカウント値Countの16サイクルに1回,8本の信号線のRise変化本数とFall変化本数を検出し,そのうち多い方の変化本数とRise/Fallの多い方の比較結果とを出力する。
As described above, the Rise / Fall
図18の遅延調整回路30は,図5に示される。図5において,Rise/Fall変化監視回路60からの変化本数と比較結果とが遅延調整回路30に供給されるので,それらがカウント値Count=10のタイミングで変化本数保持レジスタ301に保持される。その後の変化本数比較器307での比較動作,遅延量ROM40への読み出し動作,設定タップ情報レジスタ309への読み出しデータの設定動作,タップ設定レジスタ311への更新動作は,図5の動作と同じである。
The
図20は,遅延量ROM40のフォーマットを示す図である。遅延量ROMのアドレスは,同時変化監視対象グループGrと変化本数に加えて,比較結果(RiseまたはFall)を有する。そして,それらのアドレスに対応する遅延回路のタップ設定値(32ビットの設定コード)がデータとして格納される。つまり,同時変化本数に応じたタップ設定値が,同時変化した信号が立ち上がりの場合(Rise)と立ち下がりの場合(Fall)とに応じて,それぞれ遅延量ROM内に格納されている。
FIG. 20 is a diagram showing the format of the
図21は,遅延量ROM40の具体例を示す図である。図9に示した遅延量ROMの具体例と比較すると理解できるとおり,図21のROMは,アドレスとして,同時変化監視対象グループGrと同時変化本数に加えて,比較結果が立ち上がり(Rise)の場合と,立ち下がり(Fall)の場合とについてそれぞれ遅延量に対応するタップ設定値(32ビットの設定コード)を格納している。図21のデータ例によれば,立ち上がり(Rise)と立ち下がり(Fall)とでは同じタップ設定値になっているが,例えば,立ち上がり側のタップ設定値をより大きな遅延量に設定してもよい。
FIG. 21 is a diagram showing a specific example of the
この遅延量ROM40に格納されている同時変化本数に対応する遅延量は,図9と同じであり,変化本数が多いほうの立ち上がりまたは立ち下がりの同時変化本数に応じて,図10に示したようなスキューが発生するように遅延量が設定される。つまり,立ち上がりと立ち下がりとで対応する適切な遅延量が設定可能である。また,遅延量は,図11に示したように許容遅延量未満に設定されている。
The delay amount corresponding to the number of simultaneous changes stored in the
したがって,遅延調整回路30は,グループGrと同時変化本数と比較結果をアドレスとして,遅延量ROM40から遅延回路のタップ設定値を読み出し,設定タップ情報レジスタ309に設定する。そして,カウント値Count=15のタイミングで,設定されたタップ値がタップ設定レジスタ311に,基準クロックRef_CLKの立ち下がりエッジに同期して更新される。
Therefore, the
第2の実施の形態では,第1の実施の形態と異なり,立ち上がりまたは立ち下がりの同時変化本数に応じて遅延回路の遅延量を設定している。したがって,立ち上がり及び立ち下がり両方の同時変化本数の場合よりも,検出される同時変化本数は少なくなる。よって,その同時変化本数に対応して最小限の必要なスキュー調整だけをすればよい。また,立ち上がりと立ち下がりとに応じて,それぞれに最適な遅延量を設定することができる。 In the second embodiment, unlike the first embodiment, the delay amount of the delay circuit is set in accordance with the number of simultaneously rising or falling lines. Therefore, the number of detected simultaneous changes is smaller than the number of simultaneous changes in both rising and falling. Therefore, it is only necessary to perform a minimum necessary skew adjustment corresponding to the number of simultaneous changes. Further, an optimum delay amount can be set for each of the rising edge and the falling edge.
[第2の実施の形態(2)]
図22は,第2の実施の形態におけるスキュー調整回路の第1の変形例を示す図である。このスキュー調整回路10は,図18の構成に加えて,動作状態監視回路50を有する。そして,Rise/Fall変化監視回路60は図19に示した回路であり,遅延調整回路30は図5に示した回路である。また,動作状態監視回路50は,図13に示した回路である。
[Second Embodiment (2)]
FIG. 22 is a diagram illustrating a first modification of the skew adjustment circuit according to the second embodiment. The
図23は,遅延量ROM40の具体例を示す図である。この遅延量ROM40は,図21と異なり,動作状態監視回路50が出力する動作状態信号がアドレスに含まれている。それ以外は,図21と同じである。動作状態信号がFastの場合のタップ設定値は,より大きな遅延量が設定できる値になっていて,逆に動作状態信号がSlowの場合のタップ設定値は,より小さな遅延量が設定できる値になっている。この動作状態信号に対する遅延量の設定は,図14のROMの遅延量と同じである。
FIG. 23 is a diagram illustrating a specific example of the
また,図23の例では,RiseとFallに対応する遅延量は同じになっているが,LSIの特性に応じてそれらの遅延量を異ならせればなお好ましい。 In the example of FIG. 23, the delay amounts corresponding to Rise and Fall are the same. However, it is more preferable that the delay amounts are made different according to the characteristics of the LSI.
[第2の実施の形態(3)]
図24は,第2の実施の形態におけるスキュー調整回路の第2の変形例を示す図である。このスキュー調整回路10は,LSIの外部の遅延量RAM70を参照して遅延量を設定する。そして,LSI外部のCPUが,遅延量RAM70から遅延量を読み出して遅延回路のタップ設定値を設定する。また,CPUは,出力バッファの出力信号を入力する他のLSIまたLSI内の他のマクロのACスペックに対応した遅延量を適宜ダウンロードしてRAM70内に格納する。
[Second Embodiment (3)]
FIG. 24 is a diagram illustrating a second modification of the skew adjustment circuit according to the second embodiment. The
そして,Rise/Fall変化監視回路60は図19に示した回路であり,遅延調整回路30は図16に示した回路である。また,遅延量RAM70の具体例は,図21の具体例と同じである。
The Rise / Fall
遅延調整回路30に対するCPUによる遅延回路のタップ設定動作は,図16で説明したとおりである。
The delay circuit tap setting operation by the CPU for the
[第2の実施の形態(4)]
図25は,第2の実施の形態におけるスキュー調整回路の第3の変形例を示す図である。このスキュー調整回路10は,図24の構成に加えて,動作状態監視回路50を有する。そして,Rise/Fall変化監視回路60は図19に示した回路であり,遅延調整回路30は図16に示した回路であり,遅延量RAM70の具体例は図23と同じである。また,動作状態監視回路50は,図13に示した回路である。
[Second Embodiment (4)]
FIG. 25 is a diagram illustrating a third modification of the skew adjustment circuit according to the second embodiment. The
以上説明したとおり,第2の実施の形態のスキュー調整回路によれば,信号線の信号の同時変化本数を立ち上がりと立ち下がりとで区別して監視し,より多い同時変化本数の情報にしたがって,遅延量を設定する。よって,より精度の高い監視結果に基づいてより適切な遅延量の設定が可能になる。また,立ち上がりと立ち下がりとでそれぞれ適切な遅延量を設定することもできる。 As described above, according to the skew adjustment circuit of the second embodiment, the number of simultaneous changes in the signal on the signal line is monitored by distinguishing between rising and falling, and the delay is determined according to the information on the larger number of simultaneous changes. Set the amount. Therefore, a more appropriate delay amount can be set based on a more accurate monitoring result. Also, an appropriate delay amount can be set for each of the rising edge and the falling edge.
以上の実施の形態をまとめると,次の付記のとおりである。 The above embodiment is summarized as follows.
(付記1)
集積回路装置内に設けられ,複数の信号をそれぞれ伝播する複数の信号線と,
前記複数の信号線を伝播する複数の信号がそれぞれ入力される複数のバッファ回路と,
前記複数のバッファ回路の前段にそれぞれ設けられた複数の遅延回路と,
前記複数の信号線の信号変化を監視する監視回路と,
前記監視回路の監視結果出力に基づいて前記複数の遅延回路の遅延量を決定し前記複数の遅延回路に設定する遅延調整回路とを含み,
前記監視回路は,監視期間内において信号変化が生じた信号線の数である信号変化本数を前記監視結果として検出し,
前記遅延調整回路は,前記信号変化本数に基づいて前記遅延量を決定するスキュー調整回路。
(Appendix 1)
A plurality of signal lines that are provided in the integrated circuit device and respectively propagate a plurality of signals;
A plurality of buffer circuits to which a plurality of signals propagating through the plurality of signal lines are respectively input;
A plurality of delay circuits respectively provided in a preceding stage of the plurality of buffer circuits;
A monitoring circuit for monitoring signal changes of the plurality of signal lines;
A delay adjustment circuit that determines a delay amount of the plurality of delay circuits based on a monitoring result output of the monitoring circuit and sets the delay amounts in the plurality of delay circuits;
The monitoring circuit detects, as the monitoring result, the number of signal changes, which is the number of signal lines in which a signal change has occurred within a monitoring period,
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that determines the delay amount based on the number of signal changes.
(付記2)
付記1において,
前記遅延調整回路は,前記信号変化本数が第1の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量をN種類の遅延量に決定し,前記第1の数より多い第2の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量を前記Nより多いM種類の遅延量に決定するスキュー調整回路。
(Appendix 2)
In
The delay adjustment circuit determines the delay amount of the plurality of delay circuits as N types of delay amounts when the number of signal changes is a first number, and when the number of signal changes is a second number greater than the first number. A skew adjustment circuit that determines delay amounts of the plurality of delay circuits to M types of delay amounts greater than N.
(付記3)
付記1または2において,
前記監視回路は,前記複数の信号線の信号変化をそれぞれ検出する複数の信号変化検出回路と,前記複数の信号変化検出回路の信号変化をカウントして前記信号変化本数を出力するカウンタとを含むスキュー調整回路。
(Appendix 3)
In
The monitoring circuit includes a plurality of signal change detection circuits that detect signal changes of the plurality of signal lines, respectively, and a counter that counts signal changes of the plurality of signal change detection circuits and outputs the number of signal changes. Skew adjustment circuit.
(付記4)
付記1または2において,
前記監視回路は,前記監視期間内における前記信号変化本数の検出を周期的に繰り返して行い,
前記遅延調整回路は,前記監視回路が検出した信号変化本数が異なる周期間で変化した場合に,前記遅延量を新たに決定し前記複数の遅延回路に設定するスキュー調整回路。
(Appendix 4)
In
The monitoring circuit periodically and repeatedly detects the number of signal changes within the monitoring period;
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that newly determines the delay amount and sets the delay amount in the plurality of delay circuits when the number of signal changes detected by the monitoring circuit changes between different periods.
(付記5)
付記1または2において,
前記監視回路は,前記監視期間内における前記信号変化本数の検出を周期的に繰り返して行い,
前記遅延調整回路は,前記監視回路による前記信号変化本数の検出に応答して,前記遅延量を新たに決定し前記複数の遅延回路に設定するスキュー調整回路。
(Appendix 5)
In
The monitoring circuit periodically and repeatedly detects the number of signal changes within the monitoring period;
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that newly determines the delay amount and sets the delay amount in response to detection of the number of signal changes by the monitoring circuit.
(付記6)
付記1において,
前記監視回路は,
前記複数の信号線の第1レベルから第2レベルへの第1信号変化をそれぞれ検出する複数の第1信号変化検出回路と,前記複数の信号線の前記第2レベルから前記第1レベルへの第2信号変化をそれぞれ検出する複数の第2信号変化検出回路と,前記第1信号変化の数と第2信号変化の数とを比較する信号変化本数比較回路とを有し,
前記遅延調整回路は,前記第1または第2信号変化の数のうち多いほうの多数信号変化本数に基づいて前記遅延量を決定するスキュー調整回路。
(Appendix 6)
In
The monitoring circuit is
A plurality of first signal change detection circuits for respectively detecting a first signal change from a first level to a second level of the plurality of signal lines; and a plurality of signal lines from the second level to the first level. A plurality of second signal change detection circuits for respectively detecting second signal changes, and a signal change number comparison circuit for comparing the number of first signal changes and the number of second signal changes;
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that determines the amount of delay based on the larger number of multiple signal changes among the number of first or second signal changes.
(付記7)
付記6において,
前記遅延調整回路は,前記多数信号変化本数に加えて前記第1,第2信号変化のうちより多い側の変化データに基づいても前記遅延量を決定するスキュー調整回路。
(Appendix 7)
In
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit for determining the delay amount based on change data on a larger side of the first and second signal changes in addition to the number of multiple signal changes.
(付記8)
付記6または7において,
前記遅延調整回路は,前記多数信号変化本数が,第1の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量をN種類の遅延量に決定し,前記第1の数より多い第2の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量を前記Nより多いM種類の遅延量に決定するスキュー調整回路。
(Appendix 8)
In
The delay adjustment circuit determines the delay amount of the plurality of delay circuits as N types of delay amounts when the number of large signal changes is a first number, and sets a second number greater than the first number. In some cases, the skew adjustment circuit determines a delay amount of the plurality of delay circuits to M types of delay amounts larger than the N.
(付記9)
付記6乃至8のいずれかにおいて,
前記監視回路は,前記監視期間内における前記第1,第2の信号変化の数の検出を周期的に繰り返して行い,
前記遅延調整回路は,前記監視回路が検出した前記多数信号変化本数が,異なる周期間で変化した場合に,前記遅延量を新たに決定し前記複数の遅延回路に設定するスキュー調整回路。
(Appendix 9)
In any of
The monitoring circuit periodically and repeatedly detects the number of the first and second signal changes within the monitoring period;
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that newly determines the delay amount and sets the delay amount in the plurality of delay circuits when the number of large signal changes detected by the monitoring circuit changes between different periods.
(付記10)
付記6乃至8のいずれかにおいて,
前記監視回路は,前記監視期間内における前記第1,第2の信号変化の数の検出を周期的に繰り返して行い,
前記遅延調整回路は,前記監視回路による前記多数信号変化本数の検出に応答して,前記遅延量を新たに決定し前記複数の遅延回路に設定するスキュー調整回路。
(Appendix 10)
In any of
The monitoring circuit periodically and repeatedly detects the number of the first and second signal changes within the monitoring period;
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that newly determines the delay amount and sets the delay amount in the plurality of delay circuits in response to detection of the number of changes in the multiple signals by the monitoring circuit.
(付記11)
付記1または2において,
さらに,前記信号変化本数に応じた遅延量を記憶する遅延量メモリを有し,
前記遅延調整回路は,前記遅延量メモリを参照して前記遅延量を決定するスキュー調整回路。
(Appendix 11)
In
And a delay amount memory for storing a delay amount corresponding to the number of signal changes,
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that determines the delay amount with reference to the delay amount memory.
(付記12)
付記6乃至8のいずれかにおいて,
さらに,前記第1及び第2の信号変化の数に応じた遅延量を記憶する遅延量メモリを有し,
前記遅延調整回路は,前記遅延量メモリを参照して前記遅延量を決定するスキュー調整回路。
(Appendix 12)
In any of
And a delay amount memory for storing a delay amount corresponding to the number of the first and second signal changes,
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that determines the delay amount with reference to the delay amount memory.
(付記13)
付記11または12において,
前記遅延量メモリは,書換可能なメモリであり,前記遅延量が書き換えられるスキュー調整回路。
(Appendix 13)
In
The delay amount memory is a rewritable memory, and a skew adjustment circuit in which the delay amount is rewritten.
(付記14)
付記11または12において,
前記遅延量メモリ内の前記遅延量は,前記集積回路装置の複数のバッファ回路の出力を入力する他の集積回路装置のセットアップタイムの仕様に適合する遅延量であるスキュー調整回路。
(Appendix 14)
In
The skew adjustment circuit, wherein the delay amount in the delay amount memory is a delay amount conforming to a setup time specification of another integrated circuit device to which outputs of a plurality of buffer circuits of the integrated circuit device are input.
(付記15)
付記1,2,6,7,8のいずれかにおいて,
さらに,前記集積回路装置内のゲートの動作状態を監視する動作状態監視回路を有し,
前記遅延調整回路は,前記動作状態監視回路が検出した動作状態に応じて前記遅延量を決定するスキュー調整回路。
(Appendix 15)
In any one of
And an operation state monitoring circuit for monitoring an operation state of the gate in the integrated circuit device,
The delay adjustment circuit is a skew adjustment circuit that determines the delay amount according to the operation state detected by the operation state monitoring circuit.
(付記16)
付記1〜15のいずれかにおいて,
前記監視回路と遅延調整回路の動作イネーブルと動作デセーブルを制御する制御イネーブル信号を有し,当該制御イネーブル信号に応じて前記監視回路と遅延調整回路の動作開始と動作停止とが制御されるスキュー調整回路。
(Appendix 16)
In any one of appendices 1-15,
Skew adjustment having a control enable signal for controlling operation enable and operation disable of the monitoring circuit and the delay adjustment circuit, and controlling the start and stop of the operation of the monitoring circuit and the delay adjustment circuit according to the control enable signal circuit.
(付記17)
集積回路装置内に設けられた複数の信号線であって,複数のバッファ回路に信号をそれぞれ伝搬する複数の信号線のうち,監視期間内において信号変化が生じた信号線の数である信号変化本数を検出し,
前記信号変化本数に基づいて,前記複数のバッファ回路の前段にそれぞれ設けられた複数の遅延回路の遅延量を決定し,前記決定した遅延量に前記複数の遅延回路の遅延量を調整するスキュー調整方法。
(Appendix 17)
A signal change that is a plurality of signal lines provided in the integrated circuit device and that is the number of signal lines that have undergone a signal change within a monitoring period among a plurality of signal lines that respectively propagate signals to a plurality of buffer circuits Detect the number,
Skew adjustment for determining a delay amount of a plurality of delay circuits respectively provided in a preceding stage of the plurality of buffer circuits based on the number of signal changes, and adjusting a delay amount of the plurality of delay circuits to the determined delay amount Method.
(付記18)
付記17において,
前記信号変化本数が第1の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量をN種類の遅延量に決定し,前記第1の数より多い第2の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量を前記Nより多いM種類の遅延量に決定するスキュー調整回路方法。
(Appendix 18)
In Appendix 17,
When the number of signal changes is the first number, the delay amounts of the plurality of delay circuits are determined as N types of delay amounts, and when the number of signal changes is a second number greater than the first number, A skew adjustment circuit method for determining a delay amount to M types of delay amounts larger than N.
10:スキュー調整回路 20:同時変化監視回路
30:遅延調整回路 40:遅延量ROM
DL_0〜DL_7:遅延回路 OB_0〜OB_7:出力バッファ
SL_0〜SL_7:信号線 SG_0〜SG_7:信号
10: Skew adjustment circuit 20: Simultaneous change monitoring circuit 30: Delay adjustment circuit 40: Delay amount ROM
DL_0 to DL_7: Delay circuit OB_0 to OB_7: Output buffer
SL_0 to SL_7: Signal line SG_0 to SG_7: Signal
Claims (8)
前記複数の信号線を伝播する複数の信号がそれぞれ入力される複数のバッファ回路と,
前記複数のバッファ回路の前段にそれぞれ設けられた複数の遅延回路と,
監視期間内において信号変化が生じた前記信号線の数である信号変化本数を検出する監視回路と,
前記信号変化本数に応じた複数種類の遅延量を記憶する遅延量メモリと,
前記遅延量メモリを参照し,前記信号変化本数に応じて前記遅延量メモリ内の前記複数種類の遅延量から前記複数の遅延回路の遅延量を決定し前記複数の遅延回路に設定する遅延調整回路とを有する集積回路装置。 A plurality of signal lines for propagating a plurality of signals, respectively,
A plurality of buffer circuits to which a plurality of signals propagating through the plurality of signal lines are respectively input;
A plurality of delay circuits respectively provided in a preceding stage of the plurality of buffer circuits;
A monitoring circuit for detecting the number of signal changes, which is the number of signal lines in which a signal change has occurred within a monitoring period ;
A delay amount memory for storing a plurality of types of delay amounts according to the number of signal changes;
A delay adjustment circuit that refers to the delay amount memory, determines delay amounts of the plurality of delay circuits from the plurality of types of delay amounts in the delay amount memory in accordance with the number of signal changes, and sets the delay amounts in the plurality of delay circuits. And an integrated circuit device .
前記遅延調整回路は,前記信号変化本数が第1の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量をN種類の遅延量に決定し,前記第1の数より多い第2の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量を前記Nより多いM種類の遅延量に決定する集積回路装置。 In claim 1,
The delay adjustment circuit determines the delay amount of the plurality of delay circuits as N types of delay amounts when the number of signal changes is a first number, and when the number of signal changes is a second number greater than the first number. An integrated circuit device that determines a delay amount of the plurality of delay circuits as M types of delay amounts larger than the N.
前記複数の信号線を伝播する複数の信号がそれぞれ入力される複数のバッファ回路と,
前記複数のバッファ回路の前段にそれぞれ設けられた複数の遅延回路と,
前記複数の信号線の監視期間内での第1レベルから第2レベルへの第1信号変化の本数を検出する複数の第1信号変化検出回路と,前記複数の信号線の前記監視期間内での前記第2レベルから前記第1レベルへの第2信号変化の本数を検出する複数の第2信号変化検出回路と,前記第1信号変化の本数と第2信号変化の本数とを比較する信号変化本数比較回路とを有する監視回路と,
前記第1及び第2信号変化の本数に応じた複数種類の遅延量を記憶する遅延量メモリと,
前記遅延量メモリを参照し,前記第1または第2信号変化の本数のうち多いほうの多数信号変化本数に応じて前記遅延量メモリ内の前記複数種類の遅延量から前記複数の遅延回路の遅延量を決定し前記複数の遅延回路に設定する遅延調整回路と,を有する集積回路装置。 A plurality of signal lines respectively propagating a plurality of signals;
A plurality of buffer circuits to which a plurality of signals propagating through the plurality of signal lines are respectively input;
A plurality of delay circuits respectively provided in a preceding stage of the plurality of buffer circuits;
A plurality of first signal variation detecting circuit for detecting the number of the first signal changes from the first level within the monitoring period of the plurality of signal lines to the second level, within the monitoring period of the plurality of signal lines A plurality of second signal change detection circuits for detecting the number of second signal changes from the second level to the first level, and a signal for comparing the number of first signal changes and the number of second signal changes a monitoring circuit for chromatic and change number comparing circuit,
A delay amount memory for storing a plurality of types of delay amounts according to the number of the first and second signal changes;
Referring to the delay amount memory, the delays of the plurality of delay circuits are determined from the plurality of types of delay amounts in the delay amount memory in accordance with the larger number of signal changes of the first or second signal changes. A delay adjustment circuit that determines an amount and sets the delay circuit in the plurality of delay circuits .
前記遅延調整回路は,前記多数信号変化本数が,第1の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量をN種類の遅延量に決定し,前記第1の数より多い第2の数の場合に前記複数の遅延回路の遅延量を前記Nより多いM種類の遅延量に決定する集積回路装置。 In claim 3,
The delay adjustment circuit determines the delay amount of the plurality of delay circuits as N types of delay amounts when the number of large signal changes is a first number, and sets a second number greater than the first number. In some cases, the integrated circuit device determines a delay amount of the plurality of delay circuits as M types of delay amounts greater than the N.
前記遅延量メモリは,書換可能なメモリであり,前記遅延量が書き換えられる集積回路装置。 In claim 1 or 3 ,
The delay amount memory is a rewritable memory, and an integrated circuit device in which the delay amount is rewritten.
前記遅延量メモリ内の前記遅延量は,前記集積回路装置の複数のバッファ回路の出力を入力する他の集積回路装置のセットアップタイムの仕様に適合する遅延量である集積回路装置。 In claim 1 or 3 ,
Wherein the delay amount of the delay amount in the memory, the integrated circuit other integrated circuit device is a delay conforming to the specifications of the set-up time integrated circuit device for receiving the output of a plurality of buffer circuits of the device.
さらに,前記集積回路装置内のゲートの動作状態を監視する動作状態監視回路を有し,
前記遅延調整回路は,前記動作状態監視回路が検出した動作状態に応じて前記遅延量を決定する集積回路装置。 In any one of Claims 1, 2, 3, and 4,
And an operation state monitoring circuit for monitoring an operation state of the gate in the integrated circuit device,
The delay adjustment circuit is an integrated circuit device that determines the delay amount according to the operation state detected by the operation state monitoring circuit.
前記複数の信号線を伝播する複数の信号がそれぞれ入力される複数のバッファ回路と,
前記複数のバッファ回路の前段にそれぞれ設けられた複数の遅延回路と,を有する集積回路装置のスキュー調整方法であって,
監視期間内において信号変化が生じた前記信号線の数である信号変化本数を検出し,
前記信号変化本数に応じた複数種類の遅延量を記憶する遅延量メモリを参照し,前記信号変化本数に応じて前記遅延量メモリ内の前記複数種類の遅延量から前記複数の遅延回路の遅延量を決定し,前記決定した遅延量に前記複数の遅延回路の遅延量を調整する集積回路装置のスキュー調整方法。 A plurality of signal lines respectively propagating a plurality of signals;
A plurality of buffer circuits to which a plurality of signals propagating through the plurality of signal lines are respectively input;
A skew adjustment method for an integrated circuit device, comprising: a plurality of delay circuits provided in front of the plurality of buffer circuits;
Detecting the number signal change number is the signal line to which a signal change has occurred in the monitoring period,
A delay amount memory that stores a plurality of types of delay amounts corresponding to the number of signal changes, and a delay amount of the plurality of delay circuits from the plurality of types of delay amounts in the delay amount memory according to the number of signal changes determining the skew adjustment method for an integrated circuit device for adjusting the delay amount of the plurality of delay circuits in the delay amount of the determined.
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