JP5528829B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Semiconductor manufacturing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP5528829B2 JP5528829B2 JP2010015422A JP2010015422A JP5528829B2 JP 5528829 B2 JP5528829 B2 JP 5528829B2 JP 2010015422 A JP2010015422 A JP 2010015422A JP 2010015422 A JP2010015422 A JP 2010015422A JP 5528829 B2 JP5528829 B2 JP 5528829B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gripper
- semiconductor manufacturing
- distance
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
Description
本発明は、基板に対して処理装置を接近離反させるための制御装置を備えた半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus including a control device for moving a processing apparatus toward and away from a substrate.
半導体製造装置は、リードフレーム等の基板に対して半導体チップを接着するための種々の処理装置を備えている。処理装置としては、例えば、基板に対して接着剤の供給を行なうディスペンス装置(例えば特許文献1)や、基板に対して半導体チップをボンディングするボンディング装置(例えば特許文献2)等がある。これらの装置においては、以下に述べる機能部分をアクセス部材として、基板に接近乃至接触させる。 A semiconductor manufacturing apparatus includes various processing apparatuses for bonding a semiconductor chip to a substrate such as a lead frame. Examples of the processing apparatus include a dispensing apparatus (for example, Patent Document 1) that supplies an adhesive to a substrate and a bonding apparatus (for example, Patent Document 2) that bonds a semiconductor chip to the substrate. In these apparatuses, a functional part described below is used as an access member to approach or contact the substrate.
ディスペンス装置においては、図11に示すように、接着剤を収容したシリンジ111を基板Sに向けて下降させ、距離t2まで接近させた位置でノズル112から接着剤Aを吐出して基板S上に供給する。
In the dispensing apparatus, as shown in FIG. 11, the
ボンディング装置においては、図12に示すように、コレット115に保持した半導体チップTを基板Sに向けて下降させ、距離t3まで接近させた位置に保持し、加熱に基づくバンプの溶融固化または接着剤の硬化を行なうというようにしてボンディング材Bを介して基板Sに接着する。これらの場合は、シリンジ111及びコレット115がアクセス部材として機能する。各処理装置においては、これらのアクセス部材を基板Sに対して正確な距離に接近させる必要がある。
In the bonding apparatus, as shown in FIG. 12, the semiconductor chip T held on the
しかしながら、基板は加工精度誤差等により厚さが基板毎に異なり、特に多層のものはそのバラツキが大きく、例えば80μmという大きな差が生じることもある。 However, the thickness of the substrate varies from substrate to substrate due to processing accuracy errors, etc., and especially the multilayer substrate has a large variation, for example, a large difference of 80 μm may occur.
したがって、上記処理装置における処理の前に基板の厚さを測定し、その結果に基づいてディスペンス装置やボンディング装置等のアクセス部材が基板に接近する距離を決める必要がある。その測定は、図10に示すように、基板面の損傷を避けるために超音波やレーザ等を用いた非接触の測長センサ110で行なわれることが多い。
Therefore, it is necessary to measure the thickness of the substrate before processing in the processing apparatus, and to determine the distance that an access member such as a dispensing apparatus or a bonding apparatus approaches the substrate based on the result. As shown in FIG. 10, the measurement is often performed by a non-contact
しかしながら、上記測定に関して、次のような問題があった。すなわち、基板は処理装置へ搬送される途中で測定のために停止させねばならず、それに要する時間が生産性を低下させる。或いは、基板の反りの影響をなくすために、ディスペンスやボンディング等の処理位置で基板を吸着またはクランプして平面化した状態で測定する場合もあり、その測定に要する時間が生産性を低下させる。また、この平面化によっても、部分的な反りは解消できず、その部分で測定が行なわれると誤差を生じることとなる。一方、非接触での測定のための超音波やレーザを用いた装置は高価である。しかも、非接触で測定を行なうと装置の振動が測定誤差を生じる場合がある。 However, the above measurement has the following problems. That is, the substrate must be stopped for measurement while it is being transported to the processing apparatus, and the time required for the substrate decreases productivity. Alternatively, in order to eliminate the influence of the warping of the substrate, the measurement may be performed in a state where the substrate is attracted or clamped at a processing position such as dispensing or bonding and planarized, and the time required for the measurement decreases productivity. Further, even with this planarization, the partial warp cannot be eliminated, and an error occurs if measurement is performed at that portion. On the other hand, an apparatus using an ultrasonic wave or a laser for non-contact measurement is expensive. In addition, if measurement is performed without contact, vibration of the apparatus may cause a measurement error.
本発明は、従来技術のこれらの問題を解決し、基板の表面高さ測定を、生産性を低下させず低コストで精度よく行なうことにより適正な処理を実行することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。 The present invention solves these problems of the prior art and provides a semiconductor manufacturing apparatus capable of performing appropriate processing by accurately measuring the surface height of a substrate at low cost without reducing productivity. The purpose is to do.
本発明は、前記目的を達成するため、基板を厚さ方向に把持するグリッパと、該グリッパを半導体製造装置における処理装置間に移動させる搬送装置と、基板を把持した際の前記グリッパにおける上側の把持位置の高さ測定を測定する距離センサと、該距離センサの測定値から得られる処理装置における基板表面高さに基づいて、処理装置におけるアクセス部材が基板厚さ方向へ接近すべきアクセス距離を算出する演算部と、該演算部の演算結果に基づいて前記処理装置におけるアクセス部材を基板に対し厚さ方向へ接近離反させる制御部とを備えたことを特徴とする半導体製造装置を提供するものである。 In order to achieve the above object, the present invention provides a gripper for gripping a substrate in the thickness direction, a transfer device for moving the gripper between processing apparatuses in a semiconductor manufacturing apparatus, and an upper side of the gripper when the substrate is gripped. Based on the distance sensor that measures the height measurement of the gripping position and the substrate surface height in the processing apparatus obtained from the measurement value of the distance sensor, the access distance that the access member in the processing apparatus should approach in the substrate thickness direction is determined. Provided is a semiconductor manufacturing apparatus comprising: a calculation unit that calculates; and a control unit that moves an access member in the processing apparatus closer to and away from a substrate in a thickness direction based on a calculation result of the calculation unit It is.
本発明に係る半導体製造装置は、基板を厚さ方向に把持するグリッパと、該グリッパを半導体製造装置における処理装置間に移動させる搬送装置と、基板を把持した際の前記グリッパにおける上側の把持位置の高さを測定する距離センサとを備えているので、グリッパによる搬送を行ないながら、後の制御に必要な前記高さの測定を行なうことができる。 A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a gripper that grips a substrate in a thickness direction, a transfer device that moves the gripper between processing apparatuses in the semiconductor manufacturing apparatus, and an upper gripping position in the gripper when the substrate is gripped. And a distance sensor for measuring the height of the head, it is possible to measure the height necessary for the subsequent control while carrying the gripper.
さらに、距離センサの測定値から得られる処理装置における基板表面高さに基づいて、処理装置におけるアクセス部材が基板厚さ方向へ接近すべき距離を算出する演算部と、該演算部の演算結果に基づいて前記処理装置におけるアクセス部材を基板に対し厚さ方向へ接近離反させる制御部とを備えている。したがって、基板毎に異なる測定値に基づいて演算部がアクセス距離を算出し、このアクセス距離に基づいて、アクセス部材を基板に接近離反させることにより、基板厚さに応じた正確なアクセスとこれに基づく適正な処理が可能となる。 Furthermore, based on the substrate surface height in the processing apparatus obtained from the measurement value of the distance sensor, a calculation unit that calculates the distance that the access member in the processing apparatus should approach in the substrate thickness direction, and the calculation result of the calculation unit And a controller that moves the access member in the processing apparatus toward and away from the substrate in the thickness direction. Therefore, the computing unit calculates the access distance based on the measurement value that differs for each substrate, and based on this access distance, the access member is moved closer to and away from the substrate, so that accurate access according to the substrate thickness can be performed. Appropriate processing based on this becomes possible.
したがって、基板の厚さまたは高さの測定のために搬送を停止させたり、処理位置で平面化した上で測定したりする必要がなく、測定のための余分な時間が掛からないので、生産性を低下させない。また、グリッパにより基板を厚さ方向に把持して測定を行なうので、精度が高く、構造が簡単で低コストである。しかも、部分的な反りがあっても測定値には影響せず基板を平面化させなくても測定が可能であるという利点、装置の振動があっても測定誤差が生じ難いという利点が得られる。 Therefore, it is not necessary to stop the conveyance for measuring the thickness or height of the substrate, or to perform measurement after flattening at the processing position, and it does not take extra time for measurement. Does not decrease. Further, since the measurement is performed by gripping the substrate in the thickness direction by the gripper, the accuracy is high, the structure is simple, and the cost is low. In addition, even if there is a partial warp, there is an advantage that the measurement value is not affected and the measurement can be performed without planarizing the substrate, and an advantage that a measurement error hardly occurs even if the apparatus vibrates. .
これらに基づき本発明によれば、基板の表面高さ測定を、生産性を低下させず低コストで精度よく行なうことにより適正な処理を実行することができる半導体製造装置を提供することができる。 Based on these, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of performing appropriate processing by accurately measuring the surface height of a substrate at a low cost without reducing productivity.
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照しつつ説明する。図面中の同一又は同種の部分については、同じ番号を付して説明を一部省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The same or similar parts in the drawings are denoted by the same reference numerals and description thereof is partially omitted.
図は本発明に係る半導体製造装置を示すもので、図1は正面図、図2は平面図、図3はグリッパ付近を通る面で示す側面図、図4はグリッパ付近を通る他の面で示す側面図、図5は図2よりも低い面で示す平面図である。 FIG. 1 shows a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. FIG. 1 is a front view, FIG. 2 is a plan view, FIG. 3 is a side view showing a surface passing through the vicinity of the gripper, and FIG. FIG. 5 is a side view showing, and FIG. 5 is a plan view showing a lower surface than FIG.
図示されているのは、半導体製造装置におけるリードフレームの搬送機構の部分であり、搬送経路中に処理装置が配置されている。図では、これらの処理装置は、その設置箇所を銀ペースト供給ポジションP、ペレットマウントポジションQとして記号で示している。 Shown is a part of a lead frame transport mechanism in a semiconductor manufacturing apparatus, and a processing apparatus is arranged in the transport path. In the drawing, these processing apparatuses are indicated by symbols as their silver paste supply position P and pellet mounting position Q.
この半導体製造装置は、リードフレームを複数の処理装置に搬送する方向(ワーク搬送方向)に延びたレール11a,11bと、ワーク搬送方向に移動可能なグリッパ20と、該グリッパの開閉機構60と、該グリッパをワーク搬送方向に移動させるための搬送装置10とを備えている。レール11aとレール11bとは、リードフレーム12の幅に近い間隔をおいて配置されており、搬送装置10は一方のレール11bに隣設して設けられている。リードフレーム12は一側部をレール11a上に載せ、他側部を搬送装置10に把持されて処理装置へ搬送される。図示の搬送装置10の範囲においては、上把持部36及び下把持部37を備えたグリッパ20が3箇所に設けられ、各々スライドベース21(図6)に取り付けられている。
This semiconductor manufacturing apparatus includes
搬送装置10は、固定ベース13に支持されたリニアウェイ42(図3,図4)に対し、ワーク搬送方向へ移動可能に装着されたスライドベース21をステッピングモータ49で駆動するようにしたものである。図1及び図6に示すように、固定ベース13に回転自在に軸支されたプーリ44,45にはタイミングベルト47が巻回されており、プーリ45の軸は、ステッピングモータ49の軸に巻回されたタイミングベルト48を介して駆動される。スライドベース21には、移動方向に垂直に張出部43が突設されており、その先端部はタイミングベルト47に固定されている。
The transport device 10 is configured to drive a
グリッパ20の開閉機構60は、固定ベース13に取り付けられた駆動シリンダ14、リンク機構15を備えている。リンク機構15は、搬送方向に延びる長尺のリンクレバー16を備え、該リンクレバー16は、固定ベース13上で支点a(図1)回りに回動するリンクアーム17の先端に連結されて、その一端は、駆動シリンダ14のシリンダヘッド18に、ベアリング19を介して連結されている。
The opening / closing mechanism 60 of the
開閉機構60はさらに、スライドベース21固着されたユニットベース22及びこれに装着された以下の機構を備えている。ユニットベース22には、L字状のアーム23が支点bで軸支され、その一端部に取り付けられたローラ24が、リンクレバー16の長孔25に嵌入されている。ユニットベース22にはまた、リニアウェイ27を介してカムブロック28が水平移動可能に装着されており、L字状アーム23の他端部に取り付けられたローラ26は、カムブロック28の長孔29(図6)に嵌入されている。
The opening / closing mechanism 60 further includes a
カムブロック28の先端部には、グリッパを開閉動作させるためのカム31が取り付けられている。ユニットベース22には、リニアウェイ34,35を介して上下グリッパブロック32,33がそれぞれ独立して上下動可能に装着されている。上下グリッパブロック32,33の下端部には、リードフレーム12を上下から把持する上把持部36及び下把持部37が取り付けられている。また、上下グリッパブロック32,33の上端部にはカム31に追従するカムフォロア38,39がそれぞれ軸支され、上下グリッパブロック32,33とユニットベース22との間にそれぞれ張設されたバネ40,41の弾性力により上記カムフォロア38,39がカム31のカム面30に当接している。
A
また、この半導体製造装置にはさらに、銀ペースト供給ポジションP及びペレットマウントポジションQ(図2)に、リードフレーム12を位置決めするためのクランパユニット50が配設されている。このクランパユニット50は、図7に示すように固定ベース13に立設されたユニットベース51にリニアウェイ52を介してクランパブロック53を上下方向移動可能に装着し、そのクランパブロック53の下端部にクランパ54を一体的に取り付けたものである。クランパブロック53の上端部にはローラ55が回転自在に軸支され、クランパブロック53とユニットベース51との間に張設されたバネ56の弾性力によりクランパブロック53は下方に付勢され、ローラ55をリンク機構15のリンクレバー16に常時当接させている。
The semiconductor manufacturing apparatus further includes a
クランパユニット50は、グリッパ20と同様、リンク機構15を介して作動し、すなわち、リンクレバー16の下降によりクランパ54が下降してバネ56の弾性力によりリードフレーム12を押圧して位置決めする。逆に、リンクレバー16の上昇によりクランパ54がバネ56の力に抗して上昇してリードフレーム12から離れる。クランパ54は、搬送レール11b上に位置するリードフレーム12の一部を押圧する。
Like the
クランパユニット50によるリードフレーム12のクランプ動作は、各処理ポジションP,Qでグリッパ20がリードフレーム12を開放した直後に行なわれ、クランプの開放直後にグリッパ20による把持動作が行なわれるというように、同期して行なわれる。
The clamping operation of the
この半導体製造装置においては、基板の表面高さを測定することによって処理装置のアクセス部材の接近距離を制御するための機構が設けられている。すなわち図3,図4に示すように、ユニットベース22から延び上グリッパブロック32の上方に達するアーム72の先端部に、距離センサ71が取り付けられている。この距離センサ71は、該距離センサに対向する上グリッパブロック32の面を測定面とし、測定面までの距離を測定する。後の制御は、この測定値から得られる基板の表面高さに基づいて実行される。距離センサ71としては、超音波やレーザ等を用いた非接触の距離センサ、基準高さから移動して測定面に到達するまでの距離を測定する接触式センサ等を用いることができる。距離センサ71による測定は、グリッパ20によって基板を搬送しながら行なうことができるので、測定のために基板を静止状態とする必要がない。
In this semiconductor manufacturing apparatus, a mechanism for controlling the approach distance of the access member of the processing apparatus by measuring the surface height of the substrate is provided. That is, as shown in FIGS. 3 and 4, the
この半導体製造装置にはさらに、固定ベース13に装着された演算部75(図1)が備えられており、該演算部75は、距離センサ71の測定値から得られる処理装置における基板表面高さに基づいて、処理装置におけるアクセス部材が基板厚さ方向へ接近すべきアクセス距離を算出する。そして、銀ペースト供給ポジションP及びペレットマウントポジションQの処理装置に設けられた各制御部ps、qsは、演算部75の演算結果に基づいて処理装置におけるアクセス部材(シリンジ、コレット)が基板へ接近する距離を制御する。
The semiconductor manufacturing apparatus further includes a calculation unit 75 (FIG. 1) mounted on the fixed
制御部ps、qsによる制御は、例えば、基準厚さの基板をグリッパ20で把持した際の距離センサ71による測定値と、処理対象となる基板をグリッパ20で把持した際の距離センサ71による測定値とから差を算出し、その算出値に基づいて、各処理装置におけるアクセス部材が基板厚さ方向へ接近すべき距離を算出するものとすることができる。この差は、距離センサ71の測定値そのものの差、測定値から得られる基板表面高さの差、或いはこれらの値から導かれる関数値の差とすることができる。
Control by the control units ps and qs includes, for example, a measurement value by the
上記構成からなる半導体製造装置は、次のように作動する。先ず、グリッパ20によるリードフレーム12の把持について説明する。シリンダ14のシリンダヘッド18を進退動させることにより、シリンダヘッド18に連結されたリンク機構15のリンクレバー16は、リンクアーム17の支点a回りの回動に基づき上下動する。このリンクレバー16の上下動によりグリッパ20が作動する。すなわち、リンクレバー16の長孔25に嵌入したローラ24を介してL字状のアーム23は支点b回りに回動し、この回動によってローラ26が前後動する。ローラ26はカムブロック28の長孔29に嵌入しているので、カムブロック28は、ユニットベース22に対してリニアウェイ27に沿って前後動する。カムブロック28の前後動により上下把持部36,37が以下に述べる動作をする。
The semiconductor manufacturing apparatus having the above configuration operates as follows. First, the gripping of the
カム31の前後動により、カム面30に当接するカムフォロア38,39を介して上下グリッパブロック32,33の上下把持部36,37が上下動し、グリッパ20は次のように開閉動作を行なう。グリッパ20は、図1及び図8に示す状態において、上下把持部36,37でリードフレーム12を把持している。この時、上把持部36のカムフォロア38はカム面30の最下端位置にあり、上把持部36はバネ40の弾性力によりリードフレーム12を上方から押圧する。但し、上把持部36の押圧力をリードフレーム12に付与するため、カムフォロア38はカム面30よりも若干浮上した状態にある。一方、下把持部37のカムフォロア39はカム面30の最上端位置にあり、下把持部37はカム31の強制力によりバネ41の力に抗してリードフレーム12に下方から当接する。
As the
この状態からカム31が図1の左方へ移動すると、カムフォロア38がカム面30に沿って上昇することにより、上把持部36はバネ40の力に抗して上昇しリードフレーム12を開放する。一方、下把持部37は、カムフォロア39がカム面30に沿って下降することにより、バネ41の弾性力により下降してリードフレーム12を開放する。なお、上下把持部36,37の閉動作は、カム31の逆方向への移動にしたがって各構成部材の逆動作によって行われる。
When the
上下把持部36,37の上下動の際に、距離センサ71は、各距離センサに対向する上下グリッパブロック32,33の測定面までの距離を測定することにより、上下把持部36,37の把持面間距離を測定し、これにより基板厚さの測定値を得る。距離センサ71による測定に基づいて基板の厚さを測定する原理を図9と共に説明する。
When the vertical
図9(a) は、上下把持部36,37の先端面が相互に接した状態を示している。この状態に関し、図中の記号は次の距離を示している。
a0:上把持部36の把持面〜上グリッパブロック32の測定面
a1:距離センサ71〜上グリッパブロック32の測定面
FIG. 9A shows a state in which the tip surfaces of the upper and
a0: gripping surface of the upper
a1: Measuring surface of the
図9(b) は上下把持部36,37が基板を把持した状態を示している。この状態に関し、図中の記号は次の距離を示している。
a2:距離センサ71〜上グリッパブロック32の測定面
da:上把持部36の上昇距離
db:下把持部37の下降距離
FIG. 9B shows a state where the upper and
a2: Measuring surface of the
da: distance of the upper gripping
db: Lowering distance of the
なお、下把持部37は、ユニットベース22の一部に係合して下降位置が決められるので、その下降距離dbは基板厚さに拘わらず一定である。
Since the lower gripping
上記各距離の間には、次の関係がある。
da = (a1 + a0) - (a2 + a0) = a1 - a2
db = C0 (一定値)
There is the following relationship between the above distances.
da = (a1 + a0)-(a2 + a0) = a1-a2
db = C0 (constant value)
上式から基板厚さtは、次の通り求められる。
t = da + db = (a1 - a2) + C0
ここで、上式中、a1も一定値であるので、 a2のみが変化する。したがって、定数(a1 + C0) をCと置くと、上式は、
t = C - a2
となる。すなわち、基板の厚さが変化しても上把持部36の移動量のみを検知すれば、基板厚さを知ることができ、グリッパ20による把持状態での基板表面高さを知ることができる。これに基づいて、各処理装置においてアクセス部材が基板表面に接近乃至接触する際に必要なアクセス距離を算出し、アクセス部材の移動量を制御することができる。
From the above equation, the substrate thickness t is obtained as follows.
t = da + db = (a1-a2) + C0
Here, in the above formula, since a1 is also a constant value, only a2 changes. Therefore, if we put the constant (a1 + C0) as C, the above equation becomes
t = C-a2
It becomes. That is, if only the amount of movement of the upper gripping
なお、詳細には、クランパユニット50によるクランプ時にはレール11bによって基板下面が支持されるので、下把持部37による基板下面の支持高さよりも僅かに低い位置で基板が支持される。しかしながら、その差は一定の既知の値であるので、これを考慮して基板表面高さ及びアクセス距離を算出し、アクセス部材の移動を制御すればよい。また、このようにして、距離センサ71による1回の測定で得られた値に基づいて、複数の処理装置でのアクセス部材の移動制御を行なうことができる。
Specifically, since the lower surface of the substrate is supported by the
次に、処理装置間のフィード動作について説明する。グリッパ20によるフィード動作は、上下把持部36,37が閉じてリードフレーム12を把持した状態で行なわれる。すなわち、ステッピングモータ49の作動により、プーリ44,45,46及びタイミングベルト47を介してスライドベース21がリニアウェイ42に沿って移動する。このスライドベース21の移動に伴われてグリッパ20の上下把持部36,37が移動し、リードフレーム12が定ピッチだけ移送される。この時、L字状のアーム23のローラ24はリンクレバー16の長孔25内を移動する。その後、上下把持部36,37は、開動作され、フィード動作とは逆向きの移動により初期位置に復帰する。この一連の動作を繰り返すことによりリードフレーム12が定ピッチずつ移送される。
Next, a feed operation between the processing apparatuses will be described. The feeding operation by the
リードフレーム12の移送経路において、銀ペースト供給ポジションP及びペレットマウントポジションQでは、リードフレーム12を位置決めするため、クランパユニット50が動作する。銀ペースト供給ポジションP及びペレットマウントポジションQでは、クランパ54による位置決め状態でリードフレーム12上に銀ペーストが供給され、その後、半導体ペレットが搭載される。
The
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、グリッパは、下把持部が高さを一定とし、上把持部のみが上下動することにより、基板を把持する構造とすることもできる。この場合は、搬送装置に隣設するレール面を下側の把持面としてもよい。グリッパ及び搬送装置の駆動機構には、上記実施形態のもの以外のリンク機構、シリンダ装置、歯車機構等の種々の機構を用いることができる。また、本発明は、半導体製造装置におけるディスペンス装置、ボンディング装置の他、基板に対してアクセス部材を接近または接触させる種々の処理装置に対して適用することができる。 As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, A various change is possible unless it deviates from the meaning. For example, the gripper may have a structure in which the lower gripping portion has a constant height and only the upper gripping portion moves up and down to grip the substrate. In this case, the rail surface provided adjacent to the transport device may be the lower gripping surface. Various mechanisms such as a link mechanism, a cylinder device, and a gear mechanism other than those of the above-described embodiment can be used for the drive mechanism of the gripper and the conveying device. Further, the present invention can be applied to various processing apparatuses in which an access member approaches or contacts a substrate in addition to a dispensing apparatus and a bonding apparatus in a semiconductor manufacturing apparatus.
P: 銀ペースト供給ポジション
Q: ペレットマウントポジション
S: 基板
ps,qs: 制御部
10: 搬送装置
11a,11b: レール
12: リードフレーム
20: グリッパ
36: 上把持部
37: 下把持部
50: クランパユニット
71: 距離センサ
75: 演算部
P: Silver paste supply position Q: Pellet mount position S: Substrate ps, qs: Control unit 10:
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010015422A JP5528829B2 (en) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010015422A JP5528829B2 (en) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011155122A JP2011155122A (en) | 2011-08-11 |
JP5528829B2 true JP5528829B2 (en) | 2014-06-25 |
Family
ID=44540885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010015422A Active JP5528829B2 (en) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5528829B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10192303B2 (en) * | 2012-11-12 | 2019-01-29 | Kla Tencor Corporation | Method and system for mixed mode wafer inspection |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11253869A (en) * | 1998-03-10 | 1999-09-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Coating device |
JP4403592B2 (en) * | 1998-11-12 | 2010-01-27 | 東レ株式会社 | Coating apparatus, substrate manufacturing method, and color filter manufacturing apparatus and manufacturing method using the same |
JP2004273805A (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Hikari:Kk | Chip mounting apparatus, chip mounting method, ic module manufacturing method, and computer program for controlling chip mounting apparatus |
JP4454245B2 (en) * | 2003-04-04 | 2010-04-21 | ニスカ株式会社 | Adhesive coating apparatus and image forming apparatus |
JP4673180B2 (en) * | 2005-10-13 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Coating apparatus and coating method |
-
2010
- 2010-01-27 JP JP2010015422A patent/JP5528829B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011155122A (en) | 2011-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3295529B2 (en) | IC component mounting method and device | |
CN106373914B (en) | Chip bonding device | |
US9357686B2 (en) | Dispensing apparatus having substrate inverter system and clamping system, and method for dispensing a viscous material on a substrate | |
JP2712960B2 (en) | Dip device | |
JP5528829B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
KR20110028588A (en) | Adaptive clamp width adjusting device | |
JP2012138612A (en) | Teaching method of handler and the handler | |
JP3545387B2 (en) | IC component mounting method and device | |
TWI605999B (en) | Detaching method and detaching apparatus | |
JP5052356B2 (en) | Screen printing method and apparatus | |
JP4832262B2 (en) | Component mounting equipment | |
JP2011014583A (en) | Electronic component transfer device | |
JP3671051B2 (en) | Electronic component bonding apparatus and bonding method | |
JP2010167322A (en) | Resin coater | |
JP2002234132A (en) | Screen printing machine | |
JP4799988B2 (en) | Flux transfer device for electronic component mounting equipment | |
JP2005332836A (en) | Electronic part mounting device | |
CN207542211U (en) | A kind of lead frame transmission mechanism for integrated circuit | |
KR100554628B1 (en) | Apparatus for bonding electronic parts and method of bonding electronic parts | |
WO2023021841A1 (en) | Substrate conveying device, substrate conveying method, and bonding device | |
JPS6139532A (en) | Bonding device | |
JP4999003B2 (en) | Electronic component measuring apparatus, control method thereof, and control program | |
JP4016202B2 (en) | Microwork loading method and apparatus | |
JP3634310B2 (en) | IC component mounting equipment | |
JP3545386B2 (en) | IC component mounting method and device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5528829 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |