JP5520848B2 - Method for manufacturing flexible circuit board - Google Patents

Method for manufacturing flexible circuit board Download PDF

Info

Publication number
JP5520848B2
JP5520848B2 JP2011016793A JP2011016793A JP5520848B2 JP 5520848 B2 JP5520848 B2 JP 5520848B2 JP 2011016793 A JP2011016793 A JP 2011016793A JP 2011016793 A JP2011016793 A JP 2011016793A JP 5520848 B2 JP5520848 B2 JP 5520848B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring layer
circuit board
flexible circuit
layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011016793A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012156470A (en
Inventor
伸悦 藤元
靖浩 平戸
利之 中林
真 大野
哲平 西山
円 寺嶋
勝 安西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd filed Critical Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Priority to JP2011016793A priority Critical patent/JP5520848B2/en
Publication of JP2012156470A publication Critical patent/JP2012156470A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5520848B2 publication Critical patent/JP5520848B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、絶縁層と、パターン化された導体よりなる配線層とを含むフレキシブル回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a flexible circuit board including an insulating layer and a wiring layer made of a patterned conductor.

近年、携帯電話機、ハードディスク装置、プリンタ等の、可動部を有する電子機器において、フレキシブル回路基板が広く利用されている。このフレキシブル回路基板は、柔軟性を有する絶縁層と、パターン化された導体よりなり絶縁層の一方の面上に配置された配線層とを含んでいる。   In recent years, flexible circuit boards have been widely used in electronic devices having movable parts such as mobile phones, hard disk devices, and printers. This flexible circuit board includes a flexible insulating layer and a wiring layer made of a patterned conductor and disposed on one surface of the insulating layer.

フレキシブル回路基板は、上記絶縁層と、この絶縁層の一方の面上に配置された導体層とを含む積層体における導体層をエッチングによってパターニングすることによって製造される。導体層には銅箔が用いられることが多い。導体層に銅箔を用いた上記積層体は、銅張積層板と呼ばれる。以下、上記積層体が銅張積層板である場合の例について説明する。   The flexible circuit board is manufactured by patterning a conductive layer in a laminate including the insulating layer and a conductive layer disposed on one surface of the insulating layer by etching. Copper foil is often used for the conductor layer. The above laminate using a copper foil as the conductor layer is called a copper clad laminate. Hereinafter, the example in case the said laminated body is a copper clad laminated board is demonstrated.

近年、電子機器に対する薄型化、軽量化の要求が強いことから、フレキシブル回路基板には、薄く、柔軟性および耐屈曲特性が高いことが求められている。また、近年、電子機器において取り扱う情報量が増大していることから、情報を伝達するフレキシブル回路基板には配線層の微細化、高密度化が求められ、銅張積層板には導体層を微細にパターニングできることが求められている。これらの要求に応えるため、銅張積層板の設計、開発は、絶縁層と導体層を共に、薄く、柔軟性を高くする方向に進んでいる。   In recent years, there has been a strong demand for thinner and lighter electronic devices. Therefore, flexible circuit boards are required to be thin and have high flexibility and high bending resistance. In recent years, the amount of information handled in electronic devices has increased, and therefore, flexible circuit boards that transmit information are required to have finer and higher density wiring layers, and copper-clad laminates have finer conductor layers. It is demanded that patterning can be performed. In order to meet these requirements, the design and development of copper-clad laminates are progressing in the direction of making both insulating layers and conductor layers thinner and more flexible.

例えば特許文献1に記載されているように、銅張積層板において、導体層である銅箔にアニール(熱処理)を施すことによって、銅箔の耐屈曲特性を高めることができることが知られている。銅箔は、アニールを施されることにより、耐屈曲特性と共に柔軟性も高まる。   For example, as described in Patent Document 1, it is known that in a copper-clad laminate, the bending resistance of the copper foil can be improved by annealing (heat treatment) the copper foil that is the conductor layer. . When the copper foil is annealed, the flexibility is improved as well as the bending resistance.

特許文献2には、フレキシブル回路基板に関する技術ではないが、基板上に形成された薄膜回路の両端にパルス状の電気エネルギーを印加することによって、薄膜をアニールする技術が記載されている。なお、特許文献2に記載された技術におけるアニールの目的は、薄膜における応力の緩和や欠陥の回復であり、薄膜の耐屈曲特性や柔軟性を高めることではない。   Patent Document 2 describes a technique for annealing a thin film by applying pulsed electric energy to both ends of a thin film circuit formed on the substrate, although it is not related to a flexible circuit board. Note that the purpose of annealing in the technique described in Patent Document 2 is to relieve stress and recover defects in the thin film, not to improve the bending resistance and flexibility of the thin film.

特開2007−59892号公報JP 2007-59892 A 特開平6−37096号公報JP-A-6-37096

銅張積層板において、絶縁層と導体層を共に、薄くし、柔軟性を高くすると、フレキシブル回路基板に対する前述の要求に応えることが可能になる。しかし、この場合には、銅張積層板の剛性が低下するため、銅張積層板のハンドリング性が低下するという問題が発生する。銅張積層板のハンドリング性の低下は、銅張積層板およびフレキシブル回路基板製造における歩留まりの低下につながる。   In the copper-clad laminate, if both the insulating layer and the conductor layer are made thin and the flexibility is increased, it becomes possible to meet the above-mentioned demand for the flexible circuit board. However, in this case, since the rigidity of the copper-clad laminate is lowered, the handling property of the copper-clad laminate is lowered. The decrease in handling properties of the copper clad laminate leads to a decrease in yield in the production of the copper clad laminate and the flexible circuit board.

また、フレキシブル回路基板においても、柔軟性が高いとハンドリング性が低下するという問題が発生する。フレキシブル回路基板のハンドリング性の低下は、フレキシブル回路基板を用いた電子機器の製造作業の効率の低下につながる。   Further, even in a flexible circuit board, if flexibility is high, there arises a problem that handling property is lowered. The reduction in handling properties of the flexible circuit board leads to a reduction in the efficiency of the manufacturing work of electronic equipment using the flexible circuit board.

このように、従来は、銅張積層板およびフレキシブル回路基板において、柔軟性および耐屈曲特性を高くすることと、ハンドリング性を向上させることを両立することは難しかった。   As described above, in the conventional copper-clad laminate and flexible circuit board, it has been difficult to achieve both improvement in flexibility and bending resistance and improvement in handling properties.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、フレキシブル回路基板において屈曲させられる部分における柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板の製造に用いられる積層体のハンドリング性を向上させることができるようにしたフレキシブル回路基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and a first object thereof is a laminate used for manufacturing a flexible circuit board while enhancing flexibility and bending resistance in a portion to be bent in the flexible circuit board. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a flexible circuit board that can improve the handling of the body.

また、本発明の第2の目的は、フレキシブル回路基板において屈曲させられる部分における柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板の製造に用いられる積層体ならびにフレキシブル回路基板のハンドリング性を向上させることができるようにしたフレキシブル回路基板の製造方法を提供することにある。   In addition, the second object of the present invention is to improve the handling properties of the laminate and the flexible circuit board used in the manufacture of the flexible circuit board, while increasing the flexibility and the bending resistance in the bent portion of the flexible circuit board. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a flexible circuit board that can be made to operate.

本発明の製造方法によって製造されるフレキシブル回路基板は、互いに反対側に向いた第1および第2の面を有する絶縁層と、パターン化された金属よりなり絶縁層の第1の面上に配置された配線層とを含んでいる。   A flexible circuit board manufactured by the manufacturing method of the present invention includes an insulating layer having first and second surfaces facing away from each other and a patterned metal and is disposed on the first surface of the insulating layer. Wiring layer.

本発明のフレキシブル回路基板の製造方法は、
絶縁層と、配線層を構成する金属の多結晶体よりなり絶縁層の第1の面上に配置された導体層とを含む積層体を作製する工程と、
導体層をパターニングして予備配線層を形成する工程と、
予備配線層の少なくとも一部における金属の結晶粒の、予備配線層の厚み方向についての最大長の平均値が加熱前よりも大きくなって予備配線層が配線層になるように、予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程と
を備えている。
The method for producing a flexible circuit board of the present invention includes:
A step of producing a laminate including an insulating layer and a conductor layer made of a metal polycrystal constituting the wiring layer and disposed on the first surface of the insulating layer;
Forming a spare wiring layer by patterning the conductor layer;
In order that the average value of the maximum length in the thickness direction of the spare wiring layer of the metal crystal grains in at least a part of the spare wiring layer is larger than that before heating, the spare wiring layer becomes the wiring layer. And a step of heating at least a part.

本発明のフレキシブル回路基板の製造方法において、予備配線層の少なくとも一部における金属の結晶粒の、予備配線層の厚み方向についての最大長の平均値は、加熱後は加熱前の1.1倍以上であって、予備配線層の厚み以下となってもよい。   In the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention, the average value of the maximum length of the metal crystal grains in at least a part of the spare wiring layer in the thickness direction of the spare wiring layer is 1.1 times before heating and before heating. The thickness may be equal to or less than the thickness of the spare wiring layer.

また、本発明のフレキシブル回路基板の製造方法において、予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程により、予備配線層の少なくとも一部における縦弾性率が、加熱前よりも小さくなってもよい。この場合、予備配線層の少なくとも一部における縦弾性率は、加熱後は加熱前の0.5〜0.95倍の範囲内となってもよい。   In the method for manufacturing a flexible circuit board according to the present invention, the longitudinal elastic modulus in at least a part of the spare wiring layer may be smaller than that before the heating by heating at least a part of the spare wiring layer. In this case, the longitudinal elastic modulus in at least a part of the spare wiring layer may be within a range of 0.5 to 0.95 times before heating after heating.

また、本発明のフレキシブル回路基板の製造方法において、予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程は、予備配線層の一部のみを加熱してもよい。この場合、配線層は、加熱されなかった第1の部分と加熱された第2の部分とを含み、第2の部分における金属の結晶粒の、配線層の厚み方向についての最大長の平均値は、第1の部分における金属の結晶粒の、配線層の厚み方向についての最大長の平均値よりも大きくてもよい。第2の部分における金属の結晶粒の、配線層の厚み方向についての最大長の平均値は、第1の部分における金属の結晶粒の、配線層の厚み方向についての最大長の平均値の1.1倍以上であって、配線層の厚み以下であってもよい。また、第2の部分の縦弾性率は、第1の部分の縦弾性率よりも小さくてもよい。この場合、第2の部分の縦弾性率は、第1の部分の縦弾性率の0.5〜0.95倍の範囲内であってもよい。   In the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention, the step of heating at least a part of the spare wiring layer may heat only a part of the spare wiring layer. In this case, the wiring layer includes the first portion that has not been heated and the second portion that has been heated, and the average value of the maximum length of the metal crystal grains in the second portion in the thickness direction of the wiring layer. May be larger than the average value of the maximum lengths of the metal crystal grains in the first portion in the thickness direction of the wiring layer. The average value of the maximum length of the metal crystal grains in the second portion in the thickness direction of the wiring layer is 1 of the average value of the maximum length of the metal crystal grains in the first portion in the thickness direction of the wiring layer. It may be not less than 1 time and not more than the thickness of the wiring layer. Further, the longitudinal elastic modulus of the second portion may be smaller than the longitudinal elastic modulus of the first portion. In this case, the longitudinal elastic modulus of the second part may be in the range of 0.5 to 0.95 times the longitudinal elastic modulus of the first part.

また、本発明のフレキシブル回路基板の製造方法において、予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程は、予備配線層の少なくとも一部に通電してもよい。   In the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention, the step of heating at least a part of the spare wiring layer may energize at least a part of the spare wiring layer.

また、本発明のフレキシブル回路基板の製造方法において、配線層を構成する金属は銅であってもよい。この場合、導体層は、圧延銅箔よりなるものであってもよい。また、絶縁層は、ポリイミド樹脂または液晶ポリマーよりなるものであってもよい。   In the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention, the metal constituting the wiring layer may be copper. In this case, the conductor layer may be made of a rolled copper foil. The insulating layer may be made of a polyimide resin or a liquid crystal polymer.

本発明のフレキシブル回路基板の製造方法では、導体層をパターニングして予備配線層を形成した後に、予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程を行って配線層を形成する。この製造方法によれば、絶縁層と導体層を含む積層体の柔軟性を低くすることができる。これにより、積層体のハンドリング性を向上させることができる。また、本発明によれば、予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程により、予備配線層の少なくとも一部における金属の結晶粒の、予備配線層の厚み方向についての最大長の平均値が加熱前よりも大きくなる。これにより、フレキシブル回路基板において、配線層の少なくとも一部に対応する部分の柔軟性および耐屈曲特性を高くすることが可能になる。この部分は、フレキシブル回路基板において、屈曲させられる部分に適用することができる。以上のことから、本発明のフレキシブル回路基板の製造方法によれば、フレキシブル回路基板において屈曲させられる部分における柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板の製造に用いられる積層体のハンドリング性を向上させることが可能になるという効果を奏する。   In the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention, after forming the preliminary wiring layer by patterning the conductor layer, the wiring layer is formed by performing a process of heating at least a part of the preliminary wiring layer. According to this manufacturing method, the softness | flexibility of the laminated body containing an insulating layer and a conductor layer can be made low. Thereby, the handleability of a laminated body can be improved. Further, according to the present invention, the average value of the maximum length in the thickness direction of the spare wiring layer of the metal crystal grains in at least a part of the spare wiring layer is heated by the step of heating at least a part of the spare wiring layer. It will be bigger than before. Thereby, in the flexible circuit board, it is possible to increase the flexibility and the bending resistance of the portion corresponding to at least a part of the wiring layer. This part can be applied to a bent part in the flexible circuit board. From the above, according to the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention, the handling of the laminate used for the manufacture of the flexible circuit board while enhancing the flexibility and the bending resistance in the bent portion of the flexible circuit board. It is possible to improve the performance.

また、本発明において、予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程は、予備配線層の一部のみを加熱し、配線層は、加熱されなかった第1の部分と加熱された第2の部分とを含んでいてもよい。この場合には、フレキシブル回路基板において、配線層の第1の部分に対応する部分の柔軟性を低くすることができる。これにより、配線層全体の縦弾性率を小さくしてフレキシブル回路基板全体の柔軟性および耐屈曲特性を高くする場合に比べて、フレキシブル回路基板のハンドリング性を向上させることができる。その結果、フレキシブル回路基板において屈曲させられる部分における柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板の製造に用いられる積層体ならびにフレキシブル回路基板のハンドリング性を向上させることが可能になるという効果を奏する。   In the present invention, the step of heating at least a part of the spare wiring layer heats only a part of the spare wiring layer, and the wiring layer includes a first part that is not heated and a second part that is heated. And may be included. In this case, in the flexible circuit board, the flexibility of the portion corresponding to the first portion of the wiring layer can be reduced. Thereby, the handleability of the flexible circuit board can be improved as compared with the case where the longitudinal elastic modulus of the entire wiring layer is reduced to increase the flexibility and the bending resistance of the entire flexible circuit board. As a result, it is possible to improve the handling properties of the laminate and the flexible circuit board used in the manufacture of the flexible circuit board while increasing the flexibility and the bending resistance characteristics in the bent portion of the flexible circuit board. Play.

本発明の一実施の形態に係るフレキシブル回路基板の概略の構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a schematic configuration of a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention. 図1に示したフレキシブル回路基板の一部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a part of flexible circuit board shown in FIG. 図1に示したフレキシブル回路基板の使用時における第1の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 1st state at the time of use of the flexible circuit board shown in FIG. 図1に示したフレキシブル回路基板の使用時における第2の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 2nd state at the time of use of the flexible circuit board shown in FIG. 図1に示したフレキシブル回路基板の使用時における第3の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 3rd state at the time of use of the flexible circuit board shown in FIG. 本発明の一実施の形態に係るフレキシブル回路基板の製造方法における一工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one process in the manufacturing method of the flexible circuit board which concerns on one embodiment of this invention. 図6に示した工程に続く工程を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a step that follows the step shown in FIG. 6. 図7に示した工程に続く工程を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a step that follows the step shown in FIG. 7. 本発明による効果を確認するための実験で使用した試料を示す平面図である。It is a top view which shows the sample used in the experiment for confirming the effect by this invention. 実験で使用した試料1における配線層の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the wiring layer in the sample 1 used by experiment. 実験で使用した試料2における配線層の断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross section of the wiring layer in the sample 2 used by experiment.

以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1および図2を参照して、本発明の一実施の形態に係るフレキシブル回路基板の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係るフレキシブル回路基板の概略の構成を示す斜視図である。図2は、図1に示したフレキシブル回路基板の一部を示す斜視図である。図2において、ハッチングを付した面は断面を表している。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, the configuration of a flexible circuit board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a flexible circuit board according to the present embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing a part of the flexible circuit board shown in FIG. In FIG. 2, the hatched surface represents a cross section.

図2に示したように、本実施の形態に係るフレキシブル回路基板1は、絶縁材料よりなり柔軟性を有する絶縁層2と、配線層3とを含んでいる。絶縁層2は、互いに反対側に向いた第1の面2aと第2の面2bとを有している。配線層3は、パターン化された導体よりなり、絶縁層2の第1の面2a上に配置されている。図示しないが、フレキシブル回路基板1は、更に、絶縁材料よりなり柔軟性を有する保護層を含んでいてもよい。保護層は、第1の面2aおよび配線層3を覆うように配置される。また、フレキシブル回路基板1は、更に、パターン化された導体よりなり絶縁層2の第2の面2b上に配置された第2の配線層を含んでいてもよい。この場合、フレキシブル回路基板1は、更に、第2の面2bおよび第2の配線層を覆う第2の保護層を含んでいてもよい。   As shown in FIG. 2, the flexible circuit board 1 according to the present embodiment includes an insulating layer 2 made of an insulating material and having flexibility, and a wiring layer 3. The insulating layer 2 has a first surface 2a and a second surface 2b that face away from each other. The wiring layer 3 is made of a patterned conductor and is disposed on the first surface 2 a of the insulating layer 2. Although not shown, the flexible circuit board 1 may further include a protective layer made of an insulating material and having flexibility. The protective layer is disposed so as to cover the first surface 2 a and the wiring layer 3. The flexible circuit board 1 may further include a second wiring layer made of a patterned conductor and disposed on the second surface 2b of the insulating layer 2. In this case, the flexible circuit board 1 may further include a second protective layer that covers the second surface 2b and the second wiring layer.

図1は、フレキシブル回路基板1の全体形状の一例を示している。この例では、フレキシブル回路基板1は、第1の端部1Aと第2の端部1Bとを有している。第2の端部1Bは、第1の端部1Aよりも幅が大きい。図1には、配線層3のパターンを簡略化して示している。フレキシブル回路基板1は、全体が柔軟性を有しているが、特に、使用時において屈曲させられる部分(以下、屈曲部という。)1Cを有している。   FIG. 1 shows an example of the overall shape of the flexible circuit board 1. In this example, the flexible circuit board 1 has a first end 1A and a second end 1B. The second end 1B is wider than the first end 1A. FIG. 1 shows a simplified pattern of the wiring layer 3. The flexible circuit board 1 has flexibility as a whole, but particularly has a portion (hereinafter, referred to as a bent portion) 1C that is bent during use.

絶縁層2は、絶縁性樹脂よりなり、その中でも柔軟性および耐熱性が良好なポリイミド樹脂または液晶ポリマーよりなることが好ましい。絶縁層2は、単層であってもよいし、複数層からなるものであってもよい。絶縁層2は、例えば、後にパターニングされて配線層3となる銅箔等の金属箔上に、ポリイミド樹脂または液晶ポリマーの樹脂溶液を塗布し、これを乾燥させて形成してもよい。あるいは、上記金属箔上に、ポリイミド樹脂の前駆体溶液を塗布し、これを熱処理によって乾燥およびイミド化して、絶縁層2を形成してもよい。あるいは、市販されているポリイミド樹脂または液晶ポリマーよりなる絶縁フィルムを上記金属箔に接着して、絶縁層2を形成してもよい。この場合には、必要に応じて、エポキシ樹脂や熱可塑性ポリイミド樹脂等からなる接着剤を用いて、絶縁フィルムを金属箔に接着してもよい。   The insulating layer 2 is made of an insulating resin, and is preferably made of a polyimide resin or a liquid crystal polymer having good flexibility and heat resistance. The insulating layer 2 may be a single layer or a plurality of layers. The insulating layer 2 may be formed, for example, by applying a polyimide resin or a liquid crystal polymer resin solution onto a metal foil such as a copper foil that will be patterned later to form the wiring layer 3 and then drying it. Alternatively, the insulating layer 2 may be formed by applying a polyimide resin precursor solution on the metal foil and drying and imidizing the precursor solution by heat treatment. Alternatively, the insulating layer 2 may be formed by bonding a commercially available insulating film made of polyimide resin or liquid crystal polymer to the metal foil. In this case, the insulating film may be bonded to the metal foil using an adhesive made of an epoxy resin, a thermoplastic polyimide resin, or the like as necessary.

絶縁層2の厚みは、特に限定されるものではないが、5〜100μmの範囲内であることが好ましい。フレキシブル回路基板1のうち特に高い屈曲性(柔軟性)が要求される部分における絶縁層2の厚みは、5〜30μmの範囲内であることが好ましい。絶縁層2の厚みが5μm未満であると、絶縁層2の絶縁性が十分に得られないおそれがある。一方、絶縁層2の厚みが大きくなると屈曲性が低下するため、絶縁層2の厚みの上限は、フレキシブル回路基板1が屈曲される程度等に応じて適宜、定められる。保護層の材料には、一般的に接着剤付きポリイミド樹脂が用いられ、保護層の厚みは、絶縁層2と同様に適宜、定められる。   Although the thickness of the insulating layer 2 is not specifically limited, It is preferable to exist in the range of 5-100 micrometers. It is preferable that the thickness of the insulating layer 2 in the portion of the flexible circuit board 1 where particularly high flexibility (flexibility) is required is in the range of 5 to 30 μm. If the thickness of the insulating layer 2 is less than 5 μm, the insulating property of the insulating layer 2 may not be sufficiently obtained. On the other hand, since the flexibility decreases when the thickness of the insulating layer 2 increases, the upper limit of the thickness of the insulating layer 2 is appropriately determined according to the degree to which the flexible circuit board 1 is bent. As a material for the protective layer, a polyimide resin with an adhesive is generally used, and the thickness of the protective layer is appropriately determined as in the case of the insulating layer 2.

フレキシブル回路基板1は、絶縁層2と、この絶縁層2の第1の面2a上に配置された導体層とを含む積層体における導体層をエッチングによってパターニングすることによって製造される。導体層は、配線層3を構成する金属よりなる。導体層には、例えば金属箔、特に銅箔が用いられる。導体層に銅箔を用いた積層体は、銅張積層板と呼ばれる。導体層に用いられる銅箔には、圧延銅箔と電解銅箔がある。一般的に、圧延銅箔は、電解銅箔よりも耐屈曲特性が高い。そのため、導体層に用いられる銅箔としては、圧延銅箔を用いることが好ましい。導体層に用いられる銅箔の厚みは、5〜30μmの範囲内であることが好ましく、9〜15μmの範囲内であることがより好ましい。銅箔の厚みが5μm未満であると、銅張積層板の剛性が小さくなりすぎて、フレキシブル回路基板1の製造時における銅張積層板のハンドリング性が低下する。一方、銅箔の厚みが30μmを超えると、フレキシブル回路基板1の柔軟性および耐屈曲特性が低下すると共にコストが高くなる。   The flexible circuit board 1 is manufactured by patterning a conductive layer in a laminated body including an insulating layer 2 and a conductive layer disposed on the first surface 2a of the insulating layer 2 by etching. The conductor layer is made of a metal constituting the wiring layer 3. For the conductor layer, for example, a metal foil, particularly a copper foil is used. A laminate using copper foil as the conductor layer is called a copper clad laminate. Copper foil used for the conductor layer includes rolled copper foil and electrolytic copper foil. In general, rolled copper foil has higher bending resistance than electrolytic copper foil. Therefore, it is preferable to use a rolled copper foil as the copper foil used for the conductor layer. The thickness of the copper foil used for the conductor layer is preferably in the range of 5 to 30 μm, and more preferably in the range of 9 to 15 μm. When the thickness of the copper foil is less than 5 μm, the rigidity of the copper-clad laminate becomes too small, and the handling properties of the copper-clad laminate at the time of manufacturing the flexible circuit board 1 are lowered. On the other hand, when the thickness of the copper foil exceeds 30 μm, the flexibility and bending resistance of the flexible circuit board 1 are lowered and the cost is increased.

次に、図3ないし図5を参照して、本実施の形態に係るフレキシブル回路基板1の使用例について説明する。図3ないし図5は、それぞれ、フレキシブル回路基板1の使用時における第1ないし第3の状態を示す斜視図である。この例では、フレキシブル回路基板1の第1の端部1Aにはコネクタ6が取り付けられ、第2の端部1Bには硬質プリント基板7が取り付けられている。フレキシブル回路基板1は、使用時には、必要に応じて、図1に示した屈曲部1Cにおいて任意の角度で屈曲させられる。   Next, a usage example of the flexible circuit board 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5 are perspective views showing first to third states when the flexible circuit board 1 is used. In this example, a connector 6 is attached to the first end 1A of the flexible circuit board 1, and a rigid printed board 7 is attached to the second end 1B. In use, the flexible circuit board 1 is bent at an arbitrary angle in the bent portion 1C shown in FIG.

図3は、フレキシブル回路基板1が屈曲部1Cにおいて屈曲していない状態(第1の状態)を示している。図4および図5は、それぞれ、フレキシブル回路基板1が屈曲部1Cにおいて屈曲している状態(第2および第3の状態)を示している。図4に示した第2の状態は、図3に示した状態から、フレキシブル回路基板1のうち、屈曲部1Cよりもコネクタ6(第1の端部1A)に近い部分が90度回転した状態である。図5に示した第3の状態は、図3に示した状態から、フレキシブル回路基板1のうち、屈曲部1Cよりもコネクタ6(第1の端部1A)に近い部分が180度回転した状態である。   FIG. 3 shows a state (first state) in which the flexible circuit board 1 is not bent at the bent portion 1C. 4 and 5 respectively show a state (second and third states) where the flexible circuit board 1 is bent at the bent portion 1C. The second state shown in FIG. 4 is a state in which a portion of the flexible circuit board 1 closer to the connector 6 (first end 1A) than the bent portion 1C is rotated 90 degrees from the state shown in FIG. It is. The third state shown in FIG. 5 is a state in which the portion of the flexible circuit board 1 closer to the connector 6 (first end 1A) than the bent portion 1C is rotated 180 degrees from the state shown in FIG. It is.

図2に示したように、本実施の形態における配線層3は、絶縁層2の第1の面2a上の互いに異なる位置に存在する第1の部分3Aと第2の部分3Bとを含んでいてもよい。第2の部分3Bの縦弾性率は、第1の部分3Aの縦弾性率よりも小さい。第2の部分3Bは、配線層3のうち、少なくとも、図1に示した屈曲部1C内に存在する部分を含んでいる。第2の部分3Bの縦弾性率は、例えば、第1の部分3Aの縦弾性率の0.5〜0.95倍の範囲内である。   As shown in FIG. 2, the wiring layer 3 in the present embodiment includes a first portion 3A and a second portion 3B that exist at different positions on the first surface 2a of the insulating layer 2. May be. The longitudinal elastic modulus of the second portion 3B is smaller than the longitudinal elastic modulus of the first portion 3A. The second portion 3B includes at least a portion of the wiring layer 3 that exists in the bent portion 1C shown in FIG. The longitudinal elastic modulus of the second portion 3B is, for example, in the range of 0.5 to 0.95 times the longitudinal elastic modulus of the first portion 3A.

本実施の形態では、特に、配線層3は、銅等の金属の多結晶体よりなる。第2の部分3Bにおける金属の結晶粒の、配線層3の厚み方向についての最大長の平均値は、第1の部分3Aにおける金属の結晶粒の、配線層3の厚み方向についての最大長の平均値よりも大きい。なお、配線層3の厚み方向とは、絶縁層2と配線層3が積層されている方向である。第2の部分3Bにおける金属の結晶粒の、配線層3の厚み方向についての最大長の平均値は、例えば、第1の部分3Aにおける金属の結晶粒の、配線層3の厚み方向についての最大長の平均値の1.1倍以上であって、配線層3の厚み以下である。以下、配線層3(第1の部分3A、第2の部分3B)における金属の結晶粒の、配線層3の厚み方向についての最大長の平均値を、平均結晶粒径と呼ぶ。平均結晶粒径は、配線層3の1個所以上、好ましくは複数個所の断面において、金属の複数の結晶粒の各々について、配線層3の厚み方向についての最大長を測定し、その平均値として算出される。   In the present embodiment, in particular, the wiring layer 3 is made of a polycrystal of a metal such as copper. The average value of the maximum length of the metal crystal grains in the second portion 3B in the thickness direction of the wiring layer 3 is the maximum length of the metal crystal grains in the first portion 3A in the thickness direction of the wiring layer 3. Greater than average value. The thickness direction of the wiring layer 3 is the direction in which the insulating layer 2 and the wiring layer 3 are laminated. The average value of the maximum length of the metal crystal grains in the second portion 3B in the thickness direction of the wiring layer 3 is, for example, the maximum value of the metal crystal grains in the first portion 3A in the thickness direction of the wiring layer 3. It is 1.1 times or more of the average value of the length and less than the thickness of the wiring layer 3. Hereinafter, the average value of the maximum length of the metal crystal grains in the wiring layer 3 (first portion 3A, second portion 3B) in the thickness direction of the wiring layer 3 is referred to as an average crystal grain size. For the average crystal grain size, the maximum length in the thickness direction of the wiring layer 3 is measured for each of a plurality of metal crystal grains in one or more, preferably a plurality of cross-sections of the wiring layer 3, and an average value thereof is obtained. Calculated.

なお、本実施の形態における配線層3は、第1の部分3Aと第2の部分3Bとを含まずに、全体が第2の部分3Bと同じ性質を有していてもよい。   Note that the wiring layer 3 in the present embodiment does not include the first portion 3A and the second portion 3B, and the whole may have the same properties as the second portion 3B.

次に、図6ないし図8を参照して、本実施の形態に係るフレキシブル回路基板1の製造方法について説明する。このフレキシブル回路基板1の製造方法では、始めに、図6に示したように、絶縁層2と、配線層3を構成する金属の多結晶体よりなり絶縁層2の第1の面2a上に配置された導体層30とを含む積層体10を作製する。絶縁層2と導体層30の形成方法は、既に説明した通りである。導体層30に銅箔を用いた積層体10は、銅張積層板である。次に、図7に示したように、導体層30をエッチングによってパターニングして予備配線層31を形成する。   Next, with reference to FIG. 6 thru | or FIG. 8, the manufacturing method of the flexible circuit board 1 which concerns on this Embodiment is demonstrated. In this method of manufacturing the flexible circuit board 1, first, as shown in FIG. 6, the insulating layer 2 and the polycrystal of the metal constituting the wiring layer 3 are formed on the first surface 2 a of the insulating layer 2. The laminate 10 including the conductor layer 30 arranged is produced. The method for forming the insulating layer 2 and the conductor layer 30 is as described above. The laminate 10 using copper foil for the conductor layer 30 is a copper-clad laminate. Next, as shown in FIG. 7, the conductor layer 30 is patterned by etching to form a spare wiring layer 31.

次に、図8に示したように、予備配線層31の少なくとも一部における金属の結晶粒の、予備配線層31の厚み方向についての最大長の平均値が加熱前よりも大きくなって予備配線層31が配線層3になるように、予備配線層31の少なくとも一部を加熱する。以下、この工程を熱処理工程と呼ぶ。また、配線層3の場合と同様に、予備配線層31における金属の結晶粒の、予備配線層31の厚み方向についての最大長の平均値も、平均結晶粒径と呼ぶ。   Next, as shown in FIG. 8, the average value of the maximum length of the metal crystal grains in at least a part of the spare wiring layer 31 in the thickness direction of the spare wiring layer 31 becomes larger than that before heating. At least a part of the preliminary wiring layer 31 is heated so that the layer 31 becomes the wiring layer 3. Hereinafter, this process is referred to as a heat treatment process. Similarly to the case of the wiring layer 3, the average value of the maximum length of the metal crystal grains in the spare wiring layer 31 in the thickness direction of the spare wiring layer 31 is also called the average crystal grain size.

第1の部分3Aと第2の部分3Bとを含む配線層3を形成する場合には、熱処理工程において、予備配線層31の一部のみを加熱する。全体が第2の部分3Bと同じ性質を有する配線層3を形成する場合には、熱処理工程において、予備配線層31の全体を加熱する。   When forming the wiring layer 3 including the first portion 3A and the second portion 3B, only a part of the preliminary wiring layer 31 is heated in the heat treatment step. When the wiring layer 3 having the same properties as the second portion 3B is formed as a whole, the entire preliminary wiring layer 31 is heated in the heat treatment step.

予備配線層31の少なくとも一部を加熱する方法としては、例えば、予備配線層31の少なくとも一部に通電する方法がある。以下、この方法について図8を参照して説明する。ここでは、予備配線層31の一部のみを加熱する場合について説明する。図8には、予備配線層31を構成する複数のライン31aであって、加熱される部分を含む複数のライン31aを示している。この方法では、各ライン31aのうち、加熱される部分の両端にそれぞれ通電用の電極41,42を接触させる。電極41,42は、例えば、一方向に長い形状を有している。これにより、電極41,42を、それぞれ複数のライン31aに同時に接触させることができる。次に、電極41,42間に所定の電圧を印加して、各ライン31aの電極41,42間の部分に通電する。一方向に長い形状の電極41,42を用いることにより、複数のライン31aのそれぞれの一部に対して一括して通電することができる。各ライン31aのうちの通電された部分は、ジュール熱を発生し、このジュール熱によって加熱される。各ライン31aのうちの、電極41,42間以外の部分は、通電されないため、ジュール熱を発生しない。このようにして、予備配線層31の一部のみが加熱される。   As a method of heating at least a part of the spare wiring layer 31, for example, there is a method of energizing at least a part of the spare wiring layer 31. Hereinafter, this method will be described with reference to FIG. Here, a case where only a part of the spare wiring layer 31 is heated will be described. FIG. 8 shows a plurality of lines 31a constituting the spare wiring layer 31 and including a portion to be heated. In this method, the current-carrying electrodes 41 and 42 are brought into contact with both ends of the heated portion of each line 31a. The electrodes 41 and 42 have, for example, a shape that is long in one direction. Thereby, the electrodes 41 and 42 can be simultaneously brought into contact with the plurality of lines 31a, respectively. Next, a predetermined voltage is applied between the electrodes 41 and 42 to energize the portion between the electrodes 41 and 42 of each line 31a. By using the electrodes 41 and 42 having a long shape in one direction, it is possible to energize a part of each of the plurality of lines 31a. The energized portion of each line 31a generates Joule heat and is heated by the Joule heat. Since portions other than between the electrodes 41 and 42 in each line 31a are not energized, no Joule heat is generated. In this way, only a part of the spare wiring layer 31 is heated.

予備配線層31のうち、熱処理工程で加熱されない部分を第1の部分31Aと呼び、熱処理工程で加熱される部分を第2の部分31Bと呼ぶ。熱処理工程の前において、第1の部分31Aと第2の部分31Bにおける金属の平均結晶粒径は、実質的に等しい。熱処理工程では、予備配線層31のうち、第2の部分31Bのみが加熱され、加熱後の第2の部分31Bの平均結晶粒径は加熱前よりも大きくなる。その結果、熱処理工程により、第2の部分31Bにおける金属の平均結晶粒径は、第1の部分31Aにおける金属の平均結晶粒径よりも大きくなる。熱処理工程の後、予備配線層31の第1の部分31Aは配線層3の第1の部分3Aとなり、予備配線層31の第2の部分31Bは配線層3の第2の部分3Bとなる。従って、配線層3において、第2の部分3Bにおける金属の平均結晶粒径は、第1の部分3Aにおける金属の平均結晶粒径よりも大きい。   Of the preliminary wiring layer 31, a portion that is not heated in the heat treatment step is referred to as a first portion 31A, and a portion that is heated in the heat treatment step is referred to as a second portion 31B. Prior to the heat treatment step, the average crystal grain sizes of the metal in the first portion 31A and the second portion 31B are substantially equal. In the heat treatment step, only the second portion 31B of the preliminary wiring layer 31 is heated, and the average crystal grain size of the second portion 31B after heating becomes larger than that before heating. As a result, the average crystal grain size of the metal in the second portion 31B becomes larger than the average crystal grain size of the metal in the first portion 31A by the heat treatment step. After the heat treatment step, the first portion 31A of the auxiliary wiring layer 31 becomes the first portion 3A of the wiring layer 3, and the second portion 31B of the auxiliary wiring layer 31 becomes the second portion 3B of the wiring layer 3. Therefore, in the wiring layer 3, the average crystal grain size of the metal in the second portion 3B is larger than the average crystal grain size of the metal in the first portion 3A.

また、熱処理工程の前において、第1の部分31Aと第2の部分31Bにおける縦弾性率、柔軟性および耐屈曲特性は、それぞれ実質的に等しい。熱処理工程により、加熱後の第2の部分31Bの平均結晶粒径が加熱前よりも大きくなることにより、加熱後の第2の部分31Bの縦弾性率は加熱前よりも小さくなり、加熱後の第2の部分31Bの柔軟性および耐屈曲特性は加熱前よりも高くなる。その結果、熱処理工程により、第2の部分31Bの縦弾性率は第1の部分31Aよりも小さくなり、第2の部分31Bの柔軟性および耐屈曲特性は第1の部分31Aよりも高くなる。従って、配線層3において、第2の部分3Bの縦弾性率は第1の部分3Aよりも小さく、第2の部分3Bの柔軟性および耐屈曲特性は第1の部分3Aよりも高い。   In addition, before the heat treatment step, the longitudinal elastic modulus, flexibility, and bending resistance of the first portion 31A and the second portion 31B are substantially equal. By the heat treatment step, the average crystal grain size of the second portion 31B after heating becomes larger than that before heating, so that the longitudinal elastic modulus of the second portion 31B after heating becomes smaller than that before heating, and after the heating, The flexibility and bending resistance of the second portion 31B are higher than before heating. As a result, the longitudinal elastic modulus of the second portion 31B is smaller than that of the first portion 31A, and the flexibility and bending resistance of the second portion 31B are higher than those of the first portion 31A due to the heat treatment process. Therefore, in the wiring layer 3, the longitudinal elastic modulus of the second portion 3B is smaller than that of the first portion 3A, and the flexibility and bending resistance of the second portion 3B are higher than those of the first portion 3A.

なお、配線層3に用いられる銅等の金属の多結晶体において、加熱することによって、結晶粒径が大きくなり、縦弾性率が小さくなり、柔軟性および耐屈曲特性が高くなることは、フレキシブル回路基板の製造に関係する技術分野おける技術常識である。   In addition, in the polycrystalline body of metal such as copper used for the wiring layer 3, the heating increases the crystal grain size, decreases the longitudinal elastic modulus, and increases the flexibility and bending resistance. This is common technical knowledge in the technical field related to the manufacture of circuit boards.

図8に示した方法によって予備配線層31の全体を加熱する場合には、予備配線層31の全体に通電すればよい。この場合には、予備配線層31が加熱されて形成された配線層3の全体が、第2の部分3Bと同じ性質を有することになる。   When the entire spare wiring layer 31 is heated by the method shown in FIG. 8, the entire spare wiring layer 31 may be energized. In this case, the entire wiring layer 3 formed by heating the preliminary wiring layer 31 has the same properties as the second portion 3B.

以上説明したように、本実施の形態に係るフレキシブル回路基板1の製造方法では、導体層30をパターニングして予備配線層31を形成した後に、予備配線層31の少なくとも一部を加熱する工程を行って配線層3を形成する。この製造方法によれば、絶縁層2と導体層30を含む積層体10の段階では、導体層30における金属の平均結晶粒径を小さくして、積層体10の柔軟性を低くすることができる。これにより、積層体10のハンドリング性を向上させることができる。   As described above, in the method of manufacturing the flexible circuit board 1 according to the present embodiment, the step of heating at least a part of the preliminary wiring layer 31 after patterning the conductor layer 30 to form the preliminary wiring layer 31. Then, the wiring layer 3 is formed. According to this manufacturing method, at the stage of the laminate 10 including the insulating layer 2 and the conductor layer 30, the average crystal grain size of the metal in the conductor layer 30 can be reduced, and the flexibility of the laminate 10 can be reduced. . Thereby, the handleability of the laminated body 10 can be improved.

また、本実施の形態によれば、予備配線層31の少なくとも一部を加熱する工程により、予備配線層31の少なくとも一部における金属の平均結晶粒径が加熱前よりも大きくなる。これにより、フレキシブル回路基板1において、配線層3の少なくとも一部に対応する部分の柔軟性および耐屈曲特性を高くすることが可能になる。この部分は、フレキシブル回路基板1において、屈曲部1Cにすることができる。   Further, according to the present embodiment, the step of heating at least a part of the spare wiring layer 31 increases the average crystal grain size of the metal in at least a part of the spare wiring layer 31 than before heating. Thereby, in the flexible circuit board 1, it is possible to increase the flexibility and the bending resistance of the portion corresponding to at least a part of the wiring layer 3. This portion can be a bent portion 1 </ b> C in the flexible circuit board 1.

以上のことから、本実施の形態に係るフレキシブル回路基板1の製造方法によれば、フレキシブル回路基板1において屈曲部1Cにおける柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板1の製造に用いられる積層体10のハンドリング性を向上させることが可能になる。   From the above, according to the method for manufacturing the flexible circuit board 1 according to the present embodiment, the flexible circuit board 1 is used for manufacturing the flexible circuit board 1 while enhancing the flexibility and the bending resistance in the bent portion 1C. It becomes possible to improve the handling property of the laminated body 10 to be obtained.

また、本実施の形態において、予備配線層31の少なくとも一部を加熱する工程は、予備配線層31の一部のみを加熱してもよい。この場合には、配線層3は、加熱されなかった第1の部分3Aと加熱された第2の部分3Bとを含む。第2の部分3Bの平均結晶粒径は第1の部分3Aの平均結晶粒径よりも大きく、第2の部分3Bの縦弾性率は第1の部分3Aの縦弾性率よりも小さい。この場合、フレキシブル回路基板1において、配線層3の第1の部分3Aに対応する部分の柔軟性を低くすることができる。これにより、配線層3全体の縦弾性率を小さくしてフレキシブル回路基板1全体の柔軟性および耐屈曲特性を高くする場合に比べて、フレキシブル回路基板1のハンドリング性を向上させることができる。その結果、フレキシブル回路基板1において屈曲部1Cにおける柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板1の製造に用いられる積層体10ならびにフレキシブル回路基板1のハンドリング性を向上させることが可能になる。   In the present embodiment, the step of heating at least a part of the spare wiring layer 31 may heat only a part of the spare wiring layer 31. In this case, the wiring layer 3 includes a first portion 3A that has not been heated and a second portion 3B that has been heated. The average crystal grain size of the second portion 3B is larger than the average crystal grain size of the first portion 3A, and the longitudinal elastic modulus of the second portion 3B is smaller than the longitudinal elastic modulus of the first portion 3A. In this case, in the flexible circuit board 1, the flexibility of the portion corresponding to the first portion 3A of the wiring layer 3 can be reduced. Thereby, the handling property of the flexible circuit board 1 can be improved as compared with the case where the longitudinal elasticity modulus of the entire wiring layer 3 is reduced and the flexibility and bending resistance of the entire flexible circuit board 1 are increased. As a result, it is possible to improve the handleability of the laminate 10 and the flexible circuit board 1 used for manufacturing the flexible circuit board 1 while increasing the flexibility and bending resistance of the bent portion 1C in the flexible circuit board 1. Become.

次に、本発明による効果を確認するために行った実験について説明する。図9は、実験で作製した複数の試料の外観を示す平面図である。試料は、フレキシブル回路基板1に対応する。試料は、ポリイミド樹脂よりなる絶縁層2と、パターン化された導体よりなり絶縁層2の第1の面2a上に配置された配線層13とを備えている。絶縁層2の第1の面2aの形状は、一方向(図9における左右方向)に長い矩形である。配線層13は、ミアンダ形状を有している。より詳しく説明すると、配線層13は、絶縁層2の第1の面2aの長手方向(図9における左右方向)に延びる複数の直線状部分13aと、配線層13の全体がミアンダ形状となるように、隣接する2つの直線状部分13aの端部同士を連結する連結部分13bとを有している。ここで、直線状部分13aの幅(図9における上下方向の寸法)を線幅LWと定義し、隣接する2つの直線状部分13aの間隔を線間幅SWと定義する。試料において、線幅LWと線間幅SWは、いずれも75μmである。また、絶縁層2の厚みは16μm、配線層13の厚みは12μmである。   Next, an experiment conducted for confirming the effect of the present invention will be described. FIG. 9 is a plan view showing the appearance of a plurality of samples prepared in the experiment. The sample corresponds to the flexible circuit board 1. The sample includes an insulating layer 2 made of polyimide resin and a wiring layer 13 made of a patterned conductor and disposed on the first surface 2a of the insulating layer 2. The shape of the 1st surface 2a of the insulating layer 2 is a rectangle long in one direction (left-right direction in FIG. 9). The wiring layer 13 has a meander shape. More specifically, the wiring layer 13 has a plurality of linear portions 13a extending in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 9) of the first surface 2a of the insulating layer 2 and the entire wiring layer 13 has a meander shape. And a connecting portion 13b for connecting the ends of two adjacent linear portions 13a. Here, the width of the linear portion 13a (the vertical dimension in FIG. 9) is defined as a line width LW, and the interval between two adjacent linear portions 13a is defined as a line width SW. In the sample, the line width LW and the line width SW are both 75 μm. The insulating layer 2 has a thickness of 16 μm, and the wiring layer 13 has a thickness of 12 μm.

実験では、条件を変えて4つの試料、すなわち試料1、試料2、試料3および試料4を作製した。試料1ないし4は、具体的には、以下のようにして作製した。まず、絶縁層2と、この絶縁層2の第1の面2a上に配置された圧延銅箔よりなる導体層からなる積層体を作製した。なお、このような積層体は、新日鐵化学株式会社製のエスパネックス(登録商標)MシリーズMB12−16−12PRQ(製品名)としても販売されており、本実験では、その片面全面の銅箔をエッチングによって除去したものを用いた。次に、導体層をエッチングによってパターニングして、図9に示した配線層13と同じパターンの予備配線層を形成した。試料1に関しては、予備配線層を加熱する熱処理を行うことなく、予備配線層をそのまま配線層13として、試料1を完成させた。試料2ないし4を作製する際には、予備配線層を加熱する熱処理を行って配線層13を形成して、試料2ないし4を完成させた。予備配線層に対する熱処理は、予備配線層の両端に2つの通電用の電極を接触させ、2つの電極間に所定の電圧を印加して、予備配線層に通電することによって行った。これにより、ジュール熱によって予備配線層を加熱して、予備配線層を配線層13とした。   In the experiment, four samples, namely Sample 1, Sample 2, Sample 3, and Sample 4, were prepared under different conditions. Specifically, Samples 1 to 4 were produced as follows. First, the laminated body which consists of the insulating layer 2 and the conductor layer which consists of a rolled copper foil arrange | positioned on the 1st surface 2a of this insulating layer 2 was produced. In addition, such a laminate is also sold as Espanex (registered trademark) M series MB12-16-12PRQ (product name) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. The foil was removed by etching. Next, the conductor layer was patterned by etching to form a preliminary wiring layer having the same pattern as the wiring layer 13 shown in FIG. For sample 1, sample 1 was completed using the spare wiring layer as it was as wiring layer 13 without performing heat treatment for heating the spare wiring layer. When the samples 2 to 4 were produced, the wiring layer 13 was formed by performing a heat treatment for heating the preliminary wiring layer, and the samples 2 to 4 were completed. The heat treatment for the spare wiring layer was performed by bringing two energization electrodes into contact with both ends of the spare wiring layer, applying a predetermined voltage between the two electrodes, and energizing the spare wiring layer. Thus, the preliminary wiring layer was heated by Joule heat, and the preliminary wiring layer was used as the wiring layer 13.

試料2ないし4を作製する過程では、2つの電極間に印加する電圧を、0Vから30Vまで所定の時間(以下、30V到達時間という。)をかけて上昇させ、5分間だけ30Vに保持した。試料2、試料3、試料4を作製する際の30V到達時間は、それぞれ、86秒、24秒、76秒であった。また、試料2、試料3、試料4における予備配線層の加熱前の抵抗値は、それぞれ、61.49Ω、61.12Ω、62.18Ωであった。2つの電極間に30Vを印加しているときの試料2、試料3、試料4における予備配線層の温度は、いずれも約200℃前後であった。   In the process of preparing Samples 2 to 4, the voltage applied between the two electrodes was increased from 0 V to 30 V over a predetermined time (hereinafter referred to as 30 V arrival time) and held at 30 V for 5 minutes. The 30 V arrival times when producing Sample 2, Sample 3, and Sample 4 were 86 seconds, 24 seconds, and 76 seconds, respectively. Moreover, the resistance values before heating of the preliminary wiring layers in Sample 2, Sample 3, and Sample 4 were 61.49Ω, 61.12Ω, and 62.18Ω, respectively. The temperature of the preliminary wiring layer in Sample 2, Sample 3, and Sample 4 when 30 V was applied between the two electrodes was all about 200 ° C.

実験では、試料1ないし4について、配線層13の縦弾性率と、配線層13における金属の平均結晶粒径を測定した。平均結晶粒径は、配線層13の4個所の断面において、金属の複数の結晶粒の各々について、配線層13の厚み方向についての最大長を測定し、その平均値として算出した。   In the experiment, for samples 1 to 4, the longitudinal elastic modulus of the wiring layer 13 and the average crystal grain size of the metal in the wiring layer 13 were measured. The average crystal grain size was calculated as an average value obtained by measuring the maximum length in the thickness direction of the wiring layer 13 for each of the plurality of metal crystal grains in the four cross sections of the wiring layer 13.

また、実験では、試料1ないし4について、配線層13における単位断面積(75μm×12μm=900μm)あたりの金属の結晶粒の界面の長さ(以下、界面長さと記す。)を測定した。 In the experiment, the length of the interface of metal crystal grains per unit cross-sectional area (75 μm × 12 μm = 900 μm 2 ) in the wiring layer 13 was measured for samples 1 to 4 (hereinafter referred to as interface length).

また、実験では、試料1ないし4について、MIT法による屈曲試験を行って、それぞれの屈曲寿命を測定した。MIT法による屈曲試験は、試料の長手方向の第1の端部を固定し、第1の端部との反対側の第2の端部を含む試料の一部を往復回動させて行われる。また、屈曲試験の際には、配線層13に通電されて、配線層13の抵抗値が検出される。そして、配線層13の抵抗値が所定値以上になったときに配線層13が破断したと判断される。屈曲試験では、試験の開始から、配線層13が破断するまで、すなわち配線層13の抵抗値が所定値以上になるまでの試料の一部の往復回動の回数が、屈曲寿命として測定される。   In the experiment, samples 1 to 4 were subjected to a bending test by the MIT method, and each bending life was measured. The bending test by the MIT method is performed by fixing the first end portion in the longitudinal direction of the sample and reciprocatingly rotating a part of the sample including the second end portion opposite to the first end portion. . In the bending test, the wiring layer 13 is energized and the resistance value of the wiring layer 13 is detected. Then, when the resistance value of the wiring layer 13 becomes a predetermined value or more, it is determined that the wiring layer 13 is broken. In the bending test, the number of reciprocating rotations of a part of the sample from the start of the test until the wiring layer 13 breaks, that is, until the resistance value of the wiring layer 13 becomes a predetermined value or more is measured as the bending life. .

実験の結果を、下記の表1に示す。表1において、縦弾性率、平均結晶粒径、界面長さ、屈曲寿命における「倍率」は、試料1におけるそれらの値に対する試料2ないし4におけるそれらの値の比率を表している。   The results of the experiment are shown in Table 1 below. In Table 1, “magnification” in the longitudinal elastic modulus, average crystal grain size, interface length, and bending life represents the ratio of those values in samples 2 to 4 to those values in sample 1.

Figure 0005520848
Figure 0005520848

図10は、試料1における配線層13の断面を示している。図11は、試料2における配線層13の断面を示している。図10および図11における外縁以外の線は、結晶粒界を示している。図10に示した断面は、第1の部分3Aの断面の一例ならびに加熱前の第2の部分3Bの断面の一例と言える。また、図11に示した断面は、加熱後の第2の部分3Bの断面の一例と言える。   FIG. 10 shows a cross section of the wiring layer 13 in the sample 1. FIG. 11 shows a cross section of the wiring layer 13 in the sample 2. Lines other than the outer edges in FIGS. 10 and 11 indicate crystal grain boundaries. The cross section shown in FIG. 10 can be said to be an example of the cross section of the first portion 3A and the cross section of the second portion 3B before heating. Moreover, it can be said that the cross section shown in FIG. 11 is an example of the cross section of the 2nd part 3B after a heating.

表1に示されるように、予備配線層に熱処理を施して配線層13を形成した試料2ないし4では、予備配線層に熱処理を施すことなく配線層13を形成した試料1に比べて、縦弾性率および界面長さは小さく、平均結晶粒径および屈曲寿命は大きくなっている。実験結果から、平均結晶粒径が大きくなるほど、すなわち界面長さが小さくなるほど、縦弾性率は小さく、屈曲寿命は大きくなることが分かる。   As shown in Table 1, the samples 2 to 4 in which the wiring layer 13 is formed by performing heat treatment on the spare wiring layer are longer than the samples 1 in which the wiring layer 13 is formed without performing heat treatment on the spare wiring layer. The elastic modulus and interface length are small, and the average crystal grain size and bending life are large. From the experimental results, it can be seen that as the average crystal grain size increases, that is, as the interface length decreases, the longitudinal elastic modulus decreases and the bending life increases.

また、実験結果から、縦弾性率の倍率が0.95以下、平均結晶粒径の倍率が1.1以上、界面長さの倍率が0.79以下であれば、試料1に比べて屈曲寿命が有意に大きくなることが分かる。平均結晶粒径を大きくすることによって縦弾性率を小さくすることには限界があるが、実験結果から、少なくとも、縦弾性率の倍率を0.5まで小さくすることは可能であり、これにより、試料1に比べて屈曲寿命を大きくすることができることが分かる。このことから、第2の部分3Bの縦弾性率は、第1の部分3Aの縦弾性率の0.5〜0.95倍の範囲内であることが好ましいと言える。同様に、予備配線層31の第2の部分31Bにおける縦弾性率は、熱処理工程による加熱後は加熱前の0.5〜0.95倍の範囲内となることが好ましいと言える。   Also, from the experimental results, if the modulus of longitudinal elastic modulus is 0.95 or less, the magnification of average crystal grain size is 1.1 or more, and the magnification of interface length is 0.79 or less, the flex life is longer than that of sample 1. It can be seen that is significantly increased. Although there is a limit to reducing the longitudinal elastic modulus by increasing the average crystal grain size, from the experimental results, it is possible to reduce at least the magnification of the longitudinal elastic modulus to 0.5. It can be seen that the bending life can be increased as compared with Sample 1. From this, it can be said that the longitudinal elastic modulus of the second portion 3B is preferably in the range of 0.5 to 0.95 times the longitudinal elastic modulus of the first portion 3A. Similarly, it can be said that the longitudinal elastic modulus in the second portion 31B of the auxiliary wiring layer 31 is preferably in the range of 0.5 to 0.95 times before heating after heating by the heat treatment step.

また、平均結晶粒径の上限は、配線層3(予備配線層31)の厚みと等しい。従って、実験結果から、第2の部分3Bにおける金属の平均結晶粒径は、第1の部分3Aにおける金属の平均結晶粒径の1.1倍以上であって、配線層3の厚み以下であることが好ましいと言える。同様に、予備配線層31の第2の部分31Bにおける金属の平均結晶粒径は、熱処理工程による加熱後は加熱前の1.1倍以上であって、予備配線層31の厚み以下となることが好ましいと言える。   Further, the upper limit of the average crystal grain size is equal to the thickness of the wiring layer 3 (preliminary wiring layer 31). Therefore, from the experimental results, the average crystal grain size of the metal in the second portion 3B is 1.1 times or more the average crystal grain size of the metal in the first portion 3A and less than the thickness of the wiring layer 3. It can be said that it is preferable. Similarly, the average crystal grain size of the metal in the second portion 31B of the spare wiring layer 31 is 1.1 times or more of that before the heating and less than the thickness of the spare wiring layer 31 after the heating in the heat treatment step. Can be said to be preferable.

また、実験結果から、第2の部分3Bにおける界面長さは、第1の部分3Aにおける界面長さの0.35〜0.79倍の範囲内であることが好ましいと言える。同様に、予備配線層31の第2の部分31Bにおける界面長さは、熱処理工程による加熱後は加熱前の0.35〜0.79倍の範囲内となることが好ましいと言える。   From the experimental results, it can be said that the interface length in the second portion 3B is preferably in the range of 0.35 to 0.79 times the interface length in the first portion 3A. Similarly, it can be said that the interface length in the second portion 31B of the auxiliary wiring layer 31 is preferably within a range of 0.35 to 0.79 times before heating after heating by the heat treatment step.

以上説明した実験結果から、予備配線層31を加熱して配線層3を形成することにより、予備配線層31に比べて、配線層3における金属の平均結晶粒径を大きくすることができ、配線層3の縦弾性率を小さくすることができ、配線層3の柔軟性および耐屈曲特性を高くすることができることが分かる。   From the experimental results described above, by heating the preliminary wiring layer 31 to form the wiring layer 3, the average crystal grain size of the metal in the wiring layer 3 can be made larger than that of the preliminary wiring layer 31. It can be seen that the longitudinal elastic modulus of the layer 3 can be reduced, and the flexibility and bending resistance of the wiring layer 3 can be increased.

本実施の形態では、前述のように、予備配線層31の一部のみを加熱して、予備配線層31のうちの加熱されなかった部分よりなる第1の部分3Aと予備配線層31のうちの加熱された部分よりなる第2の部分3Bとを含む配線層3を形成してもよい。この場合には、前述のように、配線層3の第2の部分3Bに対応する部分の柔軟性および耐屈曲特性を、配線層3の第1の部分3Aに対応する部分に比べて高くすることが可能になり、屈曲部1Cにおける柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板1のハンドリング性を向上させることが可能になる。   In the present embodiment, as described above, only a part of the spare wiring layer 31 is heated, and the first part 3A including the unheated part of the spare wiring layer 31 and the spare wiring layer 31. The wiring layer 3 including the second portion 3B made of the heated portion may be formed. In this case, as described above, the flexibility and bending resistance of the portion corresponding to the second portion 3B of the wiring layer 3 are made higher than that of the portion corresponding to the first portion 3A of the wiring layer 3. This makes it possible to improve the handling properties of the flexible circuit board 1 while increasing the flexibility and bending resistance of the bent portion 1C.

また、本実施の形態に係るフレキシブル回路基板1の製造方法によれば、導体層30ならびにこれを含む積層体10(銅張積層板)の柔軟性を低くすることが可能になる。これにより、積層体10(銅張積層板)のハンドリング性を向上させることが可能になる。   Moreover, according to the manufacturing method of the flexible circuit board 1 which concerns on this Embodiment, it becomes possible to make the softness | flexibility of the conductor layer 30 and the laminated body 10 (copper clad laminated board) containing this low. Thereby, it becomes possible to improve the handleability of the laminated body 10 (copper clad laminated board).

ところで、導体層30における金属の平均結晶粒径が十分に大きくなるように、導体層30に対する熱処理を十分に行って積層体10を製造すると、積層体10のコストが高くなる。これに対し、本実施の形態では、積層体10の柔軟性を低くするために、導体層30における金属の平均結晶粒径は小さい方が好ましい。そのため、本実施の形態によれば、導体層30に対する熱処理を十分に行う必要はなく、これにより、積層体10のコストを低減することが可能になる。   By the way, if the laminated body 10 is manufactured by sufficiently performing the heat treatment on the conductive layer 30 so that the average crystal grain size of the metal in the conductive layer 30 is sufficiently large, the cost of the laminated body 10 is increased. On the other hand, in this Embodiment, in order to make the softness | flexibility of the laminated body 10 low, the one where the average crystal grain diameter of the metal in the conductor layer 30 is smaller is preferable. Therefore, according to the present embodiment, it is not necessary to sufficiently perform the heat treatment on the conductor layer 30, thereby reducing the cost of the multilayer body 10.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、予備配線層31の少なくとも一部を加熱する方法は、予備配線層31の少なくとも一部に通電する方法に限らず、予備配線層31の少なくとも一部にレーザ光等の高エネルギーの光を照射する方法等の他の方法であってもよい。また、予備配線層31の全体を加熱する場合には、加熱炉を用いて加熱してもよい。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible. For example, the method of heating at least a part of the spare wiring layer 31 is not limited to a method of energizing at least a part of the spare wiring layer 31, and high energy light such as a laser beam is applied to at least a part of the spare wiring layer 31. Other methods such as an irradiation method may be used. Moreover, when heating the whole preliminary wiring layer 31, you may heat using a heating furnace.

1…フレキシブル回路基板、1C…屈曲部、2…絶縁層、3…配線層、3A…第1の部分、3B…第2の部分、10…積層体、30…導体層、31…予備配線層、41,42…電極。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Flexible circuit board, 1C ... Bending part, 2 ... Insulating layer, 3 ... Wiring layer, 3A ... 1st part, 3B ... 2nd part, 10 ... Laminated body, 30 ... Conductive layer, 31 ... Reserve wiring layer , 41, 42 ... electrodes.

Claims (12)

互いに反対側に向いた第1および第2の面を有する絶縁層と、パターン化された金属よりなり前記絶縁層の第1の面上に配置された配線層とを含むフレキシブル回路基板の製造方法であって、
前記絶縁層と、前記配線層を構成する金属の多結晶体よりなり前記絶縁層の第1の面上に配置された導体層とを含む積層体を作製する工程と、
前記導体層をパターニングして予備配線層を形成する工程と、
前記予備配線層の少なくとも一部における金属の結晶粒の、前記予備配線層の厚み方向についての最大長の平均値が加熱前よりも大きくなって前記予備配線層が前記配線層になるように、前記予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程と
を備えたことを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。
A method of manufacturing a flexible circuit board, comprising: an insulating layer having first and second surfaces facing away from each other; and a wiring layer made of a patterned metal and disposed on the first surface of the insulating layer Because
Producing a laminate including the insulating layer and a conductor layer made of a metal polycrystal constituting the wiring layer and disposed on the first surface of the insulating layer;
Patterning the conductor layer to form a preliminary wiring layer;
The average value of the maximum length in the thickness direction of the spare wiring layer of the metal crystal grains in at least a part of the spare wiring layer is larger than before heating, so that the spare wiring layer becomes the wiring layer, And a step of heating at least a part of the preliminary wiring layer.
前記予備配線層の少なくとも一部における金属の結晶粒の、前記予備配線層の厚み方向についての最大長の平均値は、加熱後は加熱前の1.1倍以上であって、前記予備配線層の厚み以下となることを特徴とする請求項1記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   The average value of the maximum length of the metal crystal grains in at least a part of the spare wiring layer in the thickness direction of the spare wiring layer is 1.1 times or more before heating after heating, and the spare wiring layer The method for manufacturing a flexible circuit board according to claim 1, wherein the thickness is equal to or less than the thickness of the flexible circuit board. 前記予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程により、前記予備配線層の少なくとも一部における縦弾性率が、加熱前よりも小さくなることを特徴とする請求項1または2記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   3. The flexible circuit board according to claim 1, wherein the step of heating at least a part of the spare wiring layer reduces a longitudinal elastic modulus in at least a part of the spare wiring layer before heating. 4. Production method. 前記予備配線層の少なくとも一部における縦弾性率は、加熱後は加熱前の0.5〜0.95倍の範囲内となることを特徴とする請求項3記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   4. The method of manufacturing a flexible circuit board according to claim 3, wherein the longitudinal elastic modulus in at least a part of the preliminary wiring layer is within a range of 0.5 to 0.95 times after heating. 前記予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程は、前記予備配線層の一部のみを加熱し、前記配線層は、加熱されなかった第1の部分と加熱された第2の部分とを含み、前記第2の部分における金属の結晶粒の、前記配線層の厚み方向についての最大長の平均値は、前記第1の部分における金属の結晶粒の、前記配線層の厚み方向についての最大長の平均値よりも大きいことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   The step of heating at least a part of the preliminary wiring layer heats only a part of the preliminary wiring layer, and the wiring layer includes a first part that is not heated and a second part that is heated. The average value of the maximum length of the metal crystal grains in the second portion in the thickness direction of the wiring layer is the maximum length of the metal crystal grains in the first portion in the thickness direction of the wiring layer. 5. The method for manufacturing a flexible circuit board according to claim 1, wherein the average value is greater than an average value of 前記第2の部分における金属の結晶粒の、前記配線層の厚み方向についての最大長の平均値は、前記第1の部分における金属の結晶粒の、前記配線層の厚み方向についての最大長の平均値の1.1倍以上であって、前記配線層の厚み以下であることを特徴とする請求項5記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   The average value of the maximum length of the metal crystal grains in the second portion in the thickness direction of the wiring layer is the maximum length of the metal crystal grains in the first portion in the thickness direction of the wiring layer. 6. The method for manufacturing a flexible circuit board according to claim 5, wherein the average value is 1.1 times or more and not more than the thickness of the wiring layer. 前記第2の部分の縦弾性率は、前記第1の部分の縦弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項5または6記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a flexible circuit board according to claim 5, wherein a longitudinal elastic modulus of the second portion is smaller than a longitudinal elastic modulus of the first portion. 前記第2の部分の縦弾性率は、前記第1の部分の縦弾性率の0.5〜0.95倍の範囲内であることを特徴とする請求項7記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   8. The method of manufacturing a flexible circuit board according to claim 7, wherein the longitudinal elastic modulus of the second portion is in a range of 0.5 to 0.95 times the longitudinal elastic modulus of the first portion. . 前記予備配線層の少なくとも一部を加熱する工程は、前記予備配線層の少なくとも一部に通電することを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   9. The method of manufacturing a flexible circuit board according to claim 1, wherein the step of heating at least a part of the spare wiring layer energizes at least a part of the spare wiring layer. 前記配線層を構成する金属は銅であることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a flexible circuit board according to claim 1, wherein the metal constituting the wiring layer is copper. 前記導体層は、圧延銅箔よりなることを特徴とする請求項10記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a flexible circuit board according to claim 10, wherein the conductor layer is made of a rolled copper foil. 前記絶縁層は、ポリイミド樹脂または液晶ポリマーよりなることを特徴とする請求項1ないし11のいずれかに記載のフレキシブル回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a flexible circuit board according to claim 1, wherein the insulating layer is made of a polyimide resin or a liquid crystal polymer.
JP2011016793A 2011-01-28 2011-01-28 Method for manufacturing flexible circuit board Active JP5520848B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011016793A JP5520848B2 (en) 2011-01-28 2011-01-28 Method for manufacturing flexible circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011016793A JP5520848B2 (en) 2011-01-28 2011-01-28 Method for manufacturing flexible circuit board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012156470A JP2012156470A (en) 2012-08-16
JP5520848B2 true JP5520848B2 (en) 2014-06-11

Family

ID=46837848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011016793A Active JP5520848B2 (en) 2011-01-28 2011-01-28 Method for manufacturing flexible circuit board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5520848B2 (en)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3037444B2 (en) * 1990-12-12 2000-04-24 株式会社フジクラ Flat cable
JPH0521387A (en) * 1991-07-14 1993-01-29 Sony Corp Method of reduction in resistance of metal thin film
JPH0523341U (en) * 1991-09-09 1993-03-26 矢崎総業株式会社 Flexible electric circuit body
JP3007754B2 (en) * 1992-06-26 2000-02-07 日立電線株式会社 Flat cable manufacturing method
JPH08330708A (en) * 1995-05-30 1996-12-13 Sumitomo Metal Ind Ltd Manufacture of ceramic integrated circuit package
JP3064237B2 (en) * 1996-07-31 2000-07-12 京セラ株式会社 Wiring board and method of manufacturing the same
JPH11120841A (en) * 1997-10-20 1999-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Manufacture of high bending flat cable
JP4107242B2 (en) * 2004-01-23 2008-06-25 松下電器産業株式会社 Annealing method and substrate on which wiring is formed using the annealing method
JP4640260B2 (en) * 2006-05-19 2011-03-02 住友電気工業株式会社 Flat cable manufacturing method
TW200847867A (en) * 2007-04-26 2008-12-01 Mitsui Mining & Smelting Co Printed wire board and manufacturing method thereof, and electrolytic copper foil for copper-clad lamination board used for manufacturing the same
JP2009004482A (en) * 2007-06-20 2009-01-08 Olympus Corp Method for manufacturing wiring board
JP4872838B2 (en) * 2007-07-09 2012-02-08 三菱電機株式会社 Portable electronic devices
JP2009158382A (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Hitachi Cable Ltd Copper foil
JP2009185384A (en) * 2008-02-01 2009-08-20 Ls Mtron Ltd High flexible copper foil with low roughness and, manufacturing method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012156470A (en) 2012-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4672515B2 (en) Rolled copper alloy foil for bending
TWI466601B (en) Improvements for electrical circuits
JP2018504776A (en) High speed interconnects for printed circuit boards
JP4147298B2 (en) Flex-rigid printed wiring board and method for manufacturing flex-rigid printed wiring board
JP2009302494A (en) Chip resistor and method for manufacturing the same
JP2013089910A (en) Flexible printed board and manufacturing method of the same
JP2007149870A (en) Circuit board and manufacturing method therefor
JP4985894B2 (en) Signal line
TWI497535B (en) Micro-resistive device with soft material layer and manufacture method for the same
JP2014160776A (en) Circuit board and manufacturing method of the same
CN110085127B (en) Flexible display mother board and flexible display screen manufacturing method
TW201406229A (en) Printed circuit board and method for manufacturing the same
JP2009302343A (en) Multilayer substrate, and method of manufacturing the same
JP2011181621A (en) Flexible wiring board, and method of manufacturing the same
JP2017512373A (en) Wiring member and manufacturing method thereof
JP2010147442A (en) Flexible printed wiring board, method of manufacturing the same, and flexible printed circuit board
JP2009280855A (en) Rolled copper foil and method for producing the same
JP6252694B2 (en) Wiring member and manufacturing method thereof
JP5520848B2 (en) Method for manufacturing flexible circuit board
JP2012156469A (en) Flexible circuit board
JP2011114233A (en) Laminated wiring board and method of manufacturing the same
JP2009185364A (en) Rolled copper foil for flexible printed circuit board, and rolled copper foil for electroconductive member
KR101816484B1 (en) Heating film and its making method
JP5344036B2 (en) Circuit board and manufacturing method thereof
JP2015012099A (en) Flexible printed wiring board and method for manufacturing flexible printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130919

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140407

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5520848

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350