JP5515357B2

JP5515357B2 - Imaging device and imaging module using the same

Info

Publication number: JP5515357B2
Application number: JP2009077838A
Authority: JP
Inventors: 一彦末延
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2009-03-26
Filing date: 2009-03-26
Publication date: 2014-06-11
Anticipated expiration: 2029-03-26
Also published as: JP2010232396A

Description

本発明は、固体撮像装置及びこれを用いたモジュールに関するものである。 The present invention relates to a solid-state imaging device and a module using the same.

従来の一般的な固体撮像装置は、ＣＣＤ型やＣＭＯＳ型などの固体撮像素子と、該固体撮像素子を収容したいわゆるセラミックパッケージとから構成されている。下記特許文献１には、この固体撮像装置よりも小型軽量化した固体撮像装置として、ガラス基板上に外部へ電気信号を出力する端子電極群と、前記端子電極群上の周囲に設けられる絶縁性樹脂による突起枠と、前記端子電極群および前記突起枠が形成された面に対して導電性接着剤により接合された固体撮像素子と、前記固体撮像素子と前記ガラス基板との隙間のうち前記固体撮像素子の受光エリアを除く範囲を封止した封止樹脂とで構成された固体撮像装置が、開示されている。 A conventional general solid-state imaging device is constituted by a solid-state imaging device such as a CCD type or a CMOS type and a so-called ceramic package containing the solid-state imaging device. In Patent Document 1 below, as a solid-state imaging device that is smaller and lighter than this solid-state imaging device, a terminal electrode group that outputs an electrical signal to the outside on a glass substrate, and an insulating property provided around the terminal electrode group Protruding frame made of resin, a solid-state imaging device bonded with a conductive adhesive to the surface on which the terminal electrode group and the protruding frame are formed, and the solid in the gap between the solid-state imaging device and the glass substrate A solid-state imaging device configured with a sealing resin that seals a range excluding a light receiving area of an imaging element is disclosed.

また、下記特許文献２，３には、固体撮像素子とその入射側に配置され電気的接続部を有するユニットとを有するモジュールとして、アクチュエータを有するフォーカス機構又はズーム機構を備えたカメラモジュールが、開示されている。 Patent Documents 2 and 3 listed below disclose a camera module including a focus mechanism or a zoom mechanism having an actuator as a module having a solid-state imaging device and a unit disposed on the incident side thereof and having an electrical connection portion. Has been.

特開平６−２０４４４２号公報JP-A-6-204442 特開２００６−１３４６９６号公報JP 2006-134696 A 特開２００９−８８６５号公報JP 2009-8865 A

固体撮像装置やこれを用いたモジュールでは、更なる小型軽量化が要求されていることは言うまでもない。 Needless to say, solid state imaging devices and modules using the same are required to be further reduced in size and weight.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、従来の固体撮像装置やモジュールに比べて更に小型軽量化を図ることができる固体撮像装置及びこれを用いたモジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a solid-state imaging device that can be further reduced in size and weight as compared with conventional solid-state imaging devices and modules, and a module using the same. And

前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第１の態様による撮像装置は、入射した光を受光する受光領域と前記受光領域以外の周辺領域とが同一の面に設けられた撮像素子と、第１導体パターンが形成された第１面と前記第１面とは反対の面であって前記第１導体パターンと貫通ビアを介して電気的に接続される第２導体パターンが形成された第２面と有するガラス基板と、前記周辺領域に配置され、前記撮像素子と前記第１導電パターンとを電気的に接続されるバンプと、を備え、前記第２導体パターンは、前記第２面において前記バンプと前記受光領域との間に対応する位置に形成されているものである。 The following aspects are presented as means for solving the problems. An imaging device according to a first aspect includes an imaging device in which a light receiving region that receives incident light and a peripheral region other than the light receiving region are provided on the same surface, and a first surface on which a first conductor pattern is formed, A glass substrate having a second surface formed with a second conductor pattern that is opposite to the first surface and electrically connected to the first conductor pattern through a through via; and in the peripheral region And a bump that is electrically connected to the image sensor and the first conductive pattern, and the second conductor pattern corresponds to the space between the bump and the light receiving region on the second surface. It is formed at the position.

第２の態様による撮像装置は、前記第１の態様において、前記貫通ビアは、前記ガラス基板において前記バンプと前記受光領域との間に対応する位置に形成されているものである。In the imaging device according to a second aspect, in the first aspect, the through via is formed at a position corresponding to the gap between the bump and the light receiving region in the glass substrate.

第３の態様による撮像装置は、前記第１又は第２の態様において、前記第１導体パターンは、前記第２導体パターンの形成位置の対向した位置に形成されているものである。
第４の態様による撮像装置は、前記第１乃至第３のいずれかの態様において、前記第１導体パターンの形状と前記第２導体パターンの形状とは、同一であるものである。
第５の態様による撮像装置は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記撮像素子の大きさと前記ガラス基板の大きさとは、同一であり、前記ガラス基板は、前記撮像素子の前記受光領域及び前記周辺領域に対向して配置されているものである。
第６の態様による撮像装置は、前記第１乃至第５のいずれかの態様において、前記撮像素子の前記周辺領域と前記ガラス基板との間を封止する封止材を更に備えるものである。
第７の態様による撮像モジュールは、前記第１乃至第６のいずれかの態様による撮像装置と、前記第２導体パターンと電気的に接続される基板と、備えるものである。
第８の態様による撮像モジュールは、前記第７の態様において、前記基板は、前記第２面上に配置されるものである。
第９の態様による撮像モジュールは、前記第１乃至第６のいずれかの態様による撮像装置と、被写体像を前記撮像素子の前記受光面の結像させるレンズと前記ガラス基板の前記第２導体パターンと電気的に接続される接続端子とを有するレンズユニットと、を備えるものである。
第１０の態様による撮像モジュールは、前記第９の態様において、前記レンズユニットは、前記第２面上に配置されるものである。 In the imaging device according to a third aspect, in the first or second aspect, the first conductor pattern is formed at a position opposite to a formation position of the second conductor pattern.
In the imaging device according to the fourth aspect, in any one of the first to third aspects, the shape of the first conductor pattern and the shape of the second conductor pattern are the same.
In the imaging device according to a fifth aspect , in any one of the first to fourth aspects, the size of the imaging element and the size of the glass substrate are the same, and the glass substrate is the same as the imaging element. The light receiving area and the peripheral area are arranged opposite to each other.
In any one of the first to fifth aspects, an imaging device according to a sixth aspect further includes a sealing material that seals between the peripheral region of the imaging element and the glass substrate.
An imaging module according to a seventh aspect includes the imaging device according to any one of the first to sixth aspects, and a substrate that is electrically connected to the second conductor pattern.
In the imaging module according to an eighth aspect, in the seventh aspect, the substrate is disposed on the second surface.
An imaging module according to a ninth aspect includes an imaging device according to any one of the first to sixth aspects, a lens that forms a subject image on the light receiving surface of the imaging element, and the second conductor pattern of the glass substrate. And a lens unit having a connection terminal that is electrically connected.
The imaging module according to a tenth aspect is the ninth aspect, wherein the lens unit is disposed on the second surface.

本発明によれば、更に小型軽量化を図ることができる固体撮像装置及びこれを用いたモジュールを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a solid-state imaging device that can be further reduced in size and weight and a module using the same.

本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す概略平面図である。1 is a schematic plan view schematically showing a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention. 図１中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in alignment with the A-A 'line in FIG. 図１に示す固体撮像装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows each process of the manufacturing method of the solid-state imaging device shown in FIG. 図１に示す固体撮像装置の使用状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the use condition of the solid-state imaging device shown in FIG. 本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置と比較される比較例による固体撮像装置を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the solid-state imaging device by the comparative example compared with the solid-state imaging device by the 1st Embodiment of this invention. 図５中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view taken along line B-B ′ in FIG. 5. 図５に示す固体撮像装置の使用状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the use condition of the solid-state imaging device shown in FIG. 本発明の第２の実施の形態によるモジュールの使用状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the use condition of the module by the 2nd Embodiment of this invention. 図８に示すモジュールの使用状態を示す他の概略断面図である。It is another schematic sectional drawing which shows the use condition of the module shown in FIG. 本発明の第２の実施の形態によるモジュールと比較される比較例によるモジュールの使用状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the use condition of the module by the comparative example compared with the module by the 2nd Embodiment of this invention. 図１０に示すモジュールの使用状態を示す他の概略断面図である。It is another schematic sectional drawing which shows the use condition of the module shown in FIG. 本発明の第３の実施の形態によるモジュールを模式的に示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows typically the module by the 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明による固体撮像装置及びこれを用いたモジュールについて、図面を参照して説明する。 Hereinafter, a solid-state imaging device and a module using the same according to the present invention will be described with reference to the drawings.

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置１を模式的に示す概略平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic plan view schematically showing the solid-state imaging device 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.

本実施の形態による固体撮像装置１は、透明なガラス基板２と、チップとして構成されたＣＣＤ型やＣＭＯＳ型等の固体撮像素子３とを備えている。固体撮像素子３の図２中の上面側が光入射側となっており、ガラス基板２を介して入射した光を光電変換する。本実施の形態では、ガラス基板２及び固体撮像素子３は、平面視で同一の形状及び大きさを有している。もっとも、必ずしもこれに限らない。 The solid-state imaging device 1 according to the present embodiment includes a transparent glass substrate 2 and a solid-state imaging device 3 such as a CCD type or a CMOS type configured as a chip. The upper surface side in FIG. 2 of the solid-state imaging device 3 is a light incident side, and photoelectrically converts light incident through the glass substrate 2. In the present embodiment, the glass substrate 2 and the solid-state imaging device 3 have the same shape and size in plan view. However, it is not necessarily limited to this.

ガラス基板２の表面には導体パターン４が形成され、ガラス基板２の裏面には導体パターン５が形成されている。導体パターン４，５は、固体撮像素子３の受光領域に対応する領域以外の領域において形成されている。表面の導体パターン４と裏面の導体パターン５とは、平面視でちょうど重なるように形成されている。図面では、導体パターン４，５がそれぞれ８個形成されているものとして示しているが、実際には、その数は信号の授受等に必要な数とされる。ガラス基板２には、対応する導体パターン４，５間を接続する貫通ビア６が形成されている。貫通ビア６は、ガラス基板２に形成された貫通孔に導電材料が充填されることによって構成されている。 A conductor pattern 4 is formed on the surface of the glass substrate 2, and a conductor pattern 5 is formed on the back surface of the glass substrate 2. The conductor patterns 4 and 5 are formed in a region other than the region corresponding to the light receiving region of the solid-state imaging device 3. The conductor pattern 4 on the front surface and the conductor pattern 5 on the back surface are formed so as to overlap each other in plan view. In the drawing, it is shown that eight conductor patterns 4 and 5 are formed, but in actuality, the number is the number necessary for transmission and reception of signals. The glass substrate 2 is formed with through vias 6 that connect the corresponding conductor patterns 4 and 5. The through via 6 is configured by filling a through hole formed in the glass substrate 2 with a conductive material.

固体撮像素子３には、導体パターン５に対応する位置にバンプ７がそれぞれ設けられている。固体撮像素子３は、このバンプ７によってガラス基板２の裏面の導体パターン５にフリップチップ接続されている。さらに、固体撮像素子３の周辺部とガラス基板２との間が、樹脂等の封止材８で封止されている。 The solid-state imaging device 3 is provided with bumps 7 at positions corresponding to the conductor patterns 5. The solid-state imaging device 3 is flip-chip connected to the conductor pattern 5 on the back surface of the glass substrate 2 by the bumps 7. Further, the periphery of the solid-state imaging device 3 and the glass substrate 2 are sealed with a sealing material 8 such as a resin.

ここで、本実施の形態による固体撮像装置１の製造方法の一例について、図３を参照して説明する。図３は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図２に対応している。 Here, an example of the manufacturing method of the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing each step of the manufacturing method, and corresponds to FIG.

まず、例えば０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ程度の厚さのガラス基板２を用意し、貫通ビア６を構成する貫通孔６ａを、レーザ加工等によりガラス基板２に形成する（図３（ａ））。次いで、例えば、導電性ペーストを貫通孔６ａに充填したり、金属材料をめっきにより貫通孔６ａに充填したり埋め込んだりすることによって、貫通孔６ａ内に導電材料を充填し、これによりガラス基板２に貫通ビア６を形成する（図３（ｂ））。引き続いて、フォトリソ工法や印刷工法等により、ガラス基板２の表裏に導体パターン４，５を形成する。その後、バンプ７を設けた固体撮像素子３を用意し、この固体撮像素子３を、バンプ７によってガラス基板２の裏面の導体パターン５にフリップチップ接続する（図３（ｃ））。最後に、固体撮像素子３の周辺部とガラス基板２との間を、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封止材８で封止する。これにより、本実施の形態による固体撮像装置１が完成する。 First, for example, a glass substrate 2 having a thickness of about 0.3 mm to 0.8 mm is prepared, and a through hole 6a constituting the through via 6 is formed in the glass substrate 2 by laser processing or the like (FIG. 3A). . Next, for example, the conductive material is filled in the through-hole 6a by filling the through-hole 6a with a conductive paste or by filling or filling the through-hole 6a with a metal material by plating, whereby the glass substrate 2 is filled. A through via 6 is formed in the substrate (FIG. 3B). Subsequently, conductor patterns 4 and 5 are formed on the front and back of the glass substrate 2 by a photolithographic method, a printing method, or the like. Thereafter, the solid-state imaging device 3 provided with the bumps 7 is prepared, and the solid-state imaging device 3 is flip-chip connected to the conductor pattern 5 on the back surface of the glass substrate 2 by the bumps 7 (FIG. 3C). Finally, the space between the peripheral portion of the solid-state imaging device 3 and the glass substrate 2 is sealed with a sealing material 8 such as epoxy resin or silicon resin. Thereby, the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment is completed.

本実施の形態による固体撮像装置１では、固体撮像素子３の各部が、バンプ７→ガラス基板２の裏面の導体パターン５→ガラス基板２の貫通ビア６→ガラス基板２の表面の導体パターン４の経路で、各導体パターン４に電気的に接続されているので、ガラス基板２の表面の導体パターン４を外部接続用電極として用いることができる。 In the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment, each part of the solid-state imaging device 3 includes the bumps 7 → the conductor pattern 5 on the back surface of the glass substrate 2 → the through via 6 on the glass substrate 2 → the conductor pattern 4 on the surface of the glass substrate 2. Since it is electrically connected to each conductor pattern 4 by the path, the conductor pattern 4 on the surface of the glass substrate 2 can be used as an external connection electrode.

図４は、本実施の形態による固体撮像装置１の使用状態の一例として、固体撮像装置１をプリント基板１０に設置した状態を示す概略断面図であり、図２に対応している。例えば、本実施の形態による固体撮像装置１は、デジタル一眼レフカメラ及びその他のデジタルカメラ内において、図４に示すように、プリント基板１０に設置される。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state where the solid-state imaging device 1 is installed on the printed circuit board 10 as an example of a usage state of the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment, and corresponds to FIG. For example, the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment is installed on a printed circuit board 10 as shown in FIG. 4 in a digital single-lens reflex camera and other digital cameras.

プリント基板１０には、固体撮像素子３の受光領域に対応する領域に開口１０ａが形成されている。この例では、プリント基板１０として、いわゆる片面プリント基板が用いられている。プリント基板１０は、絶縁板１１と、絶縁板１１の一方の面に形成された配線パターン１２と、それらの上を覆う保護用の絶縁膜１３とを有している。絶縁膜１３の一部に開口が形成され、その開口から外部に露出した配線パターン１２の一部が、配線パターン１２の接続部１２ａとなっている。固体撮像装置１のガラス基板２の表面の導体パターン４が、この接続部１２ａに半田付け等により接続されている。なお、必要に応じて、導体パターン４と接続部１２ａとの間に、異方性導電膜（ＡＦＣ）を介在させてもよい。なお、図４に示す例では、プリント基板１０として、剛性を有するプリント基板が用いられているが、フレキシブルプリント基板を用いてもよい。 An opening 10 a is formed in the printed circuit board 10 in a region corresponding to the light receiving region of the solid-state imaging device 3. In this example, a so-called single-sided printed board is used as the printed board 10. The printed circuit board 10 includes an insulating plate 11, a wiring pattern 12 formed on one surface of the insulating plate 11, and a protective insulating film 13 that covers them. An opening is formed in a part of the insulating film 13, and a part of the wiring pattern 12 exposed to the outside from the opening serves as a connection portion 12 a of the wiring pattern 12. The conductor pattern 4 on the surface of the glass substrate 2 of the solid-state imaging device 1 is connected to the connecting portion 12a by soldering or the like. In addition, you may interpose an anisotropic conductive film (AFC) between the conductor pattern 4 and the connection part 12a as needed. In the example shown in FIG. 4, a rigid printed board is used as the printed board 10, but a flexible printed board may be used.

本実施の形態による固体撮像装置１では、固体撮像素子３の光入射側がガラス基板２と封止材８で封止され、固体撮像素子３がパッケージ内に収容されるものではないので、固体撮像素子をパッケージ内に収容した固体撮像装置に比べて格段に小型軽量化を図ることができる。そして、本実施の形態による固体撮像装置１では、前述したようにガラス基板２の表面の導体パターン４を外部接続用電極として用いることができるので、より小型軽量化を図ることができる。この点について、比較例と比較しつつ説明する。 In the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment, the light incident side of the solid-state imaging device 3 is sealed with the glass substrate 2 and the sealing material 8, and the solid-state imaging device 3 is not housed in the package. Compared to a solid-state imaging device in which an element is housed in a package, the size and weight can be significantly reduced. And in the solid-state imaging device 1 by this Embodiment, since the conductor pattern 4 on the surface of the glass substrate 2 can be used as an external connection electrode as mentioned above, size reduction and weight reduction can be achieved. This will be described in comparison with a comparative example.

図５は、本実施の形態による固体撮像装置１と比較される比較例による固体撮像装置２１を模式的に示す概略平面図であり、図１に対応している。図６は、図５中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図であり、図２に対応している。図７は、この比較例による固体撮像装置２１の使用状態を示す概略断面図であり、図４に対応している。図５乃至図７において、図１、図２及び図４中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。 FIG. 5 is a schematic plan view schematically showing a solid-state imaging device 21 according to a comparative example compared with the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment, and corresponds to FIG. 6 is a schematic sectional view taken along line B-B ′ in FIG. 5 and corresponds to FIG. 2. FIG. 7 is a schematic sectional view showing a use state of the solid-state imaging device 21 according to this comparative example, and corresponds to FIG. 5 to 7, the same or corresponding elements as those in FIGS. 1, 2 and 4 are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

この比較例による固体撮像装置２１が本実施の形態による固体撮像装置１と異なる所は、ガラス基板２の表面の導体パターン４及び貫通ビア６が形成されていない点と、ガラス基板２が固体撮像素子３の左右両側にはみ出すように図中左右方向に拡張され、ガラス基板２の左右のはみ出し部分にまで裏面の導体パターン５が延在している点と、プリント基板１０の開口１０ａが固体撮像素子３よりも大きくされている点と、プリント基板１０の上下が反転されている点と、ガラス基板２の左右のはみ出し部分上の導体パターン５がプリント基板１０の配線パターン１２の接続部１２ａに接続されている点のみである。 The solid-state imaging device 21 according to this comparative example is different from the solid-state imaging device 1 according to the present embodiment in that the conductive pattern 4 and the through via 6 on the surface of the glass substrate 2 are not formed, and the glass substrate 2 is solid-state imaging. The element 3 is extended in the left-right direction so as to protrude from the left and right sides of the element 3, and the conductive pattern 5 on the back surface extends to the left and right protruding portions of the glass substrate 2, and the opening 10 a of the printed board 10 is solid-state imaged. A point that is larger than the element 3, a point that the printed circuit board 10 is turned upside down, and a conductive pattern 5 on the left and right protruding portions of the glass substrate 2 are connected to the connection portion 12 a of the wiring pattern 12 of the printed circuit board 10. Only connected points.

この比較例では、ガラス基板２の裏面の導体パターン５が外部接続用電極として用いられているので、導体パターン５を固体撮像素子３からはみ出させるために、ガラス基板２が図中の左右両側に拡張しなければならず、その分、小型軽量化が阻害されている。 In this comparative example, since the conductor pattern 5 on the back surface of the glass substrate 2 is used as an external connection electrode, the glass substrate 2 is placed on both the left and right sides in the drawing in order to protrude the conductor pattern 5 from the solid-state imaging device 3. It must be expanded, and the size and weight reduction is obstructed accordingly.

これに対し、本実施の形態によれば、ガラス基板２の表面の導体パターン４を外部接続用電極として用いることができるので、ガラス基板２を固体撮像素子３からはみ出させる必要がなくなる。したがって、本実施の形態によれば、前記比較例に比べて、更に小型軽量化を図ることができるのである。 On the other hand, according to the present embodiment, since the conductor pattern 4 on the surface of the glass substrate 2 can be used as the external connection electrode, it is not necessary to protrude the glass substrate 2 from the solid-state imaging device 3. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to further reduce the size and weight as compared with the comparative example.

［第２の実施の形態］
図８は、本発明の第２の実施の形態によるモジュール１０１の使用状態（モジュール１０１をプリント基板１０に設置した状態）を示す概略断面図である。図９は、本実施の形態によるモジュール１０１の使用状態を示す、図８とは異なる断面に沿った概略断面図である。図８及び図９において、図５及び図６中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。 [Second Embodiment]
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a usage state (a state where the module 101 is installed on the printed circuit board 10) of the module 101 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a use state of the module 101 according to the present embodiment along a cross section different from that of FIG. 8 and 9, elements that are the same as or correspond to those in FIGS. 5 and 6 are given the same reference numerals, and redundant descriptions thereof are omitted.

本実施の形態によるモジュール１０１は、本発明の一実施の形態による固体撮像装置３１と、ユニット４１とから構成されている。本実施の形態によるモジュール１０１は、例えば携帯電話機において用いられるカメラモジュールとして構成されている。ユニット４１は、前記特許文献２や特許文献３に開示されたカメラモジュールにおいて主に固体撮像素子を除いた部分と同様の構成を有している。具体的には、ユニット４１は、被写体像を固体撮像素子に結像させるレンズと、レンズを駆動するアクチュエータを有するフォーカス機構又はズーム機構と、これらを保持するホルダ等とを有している。図８では、ユニット４１を簡略化して示しており、それらの要素の図示は省略している。本実施の形態では、ユニット４１は、電気的な接続を行うための接続部として、前記アクチュエータ等に信号や電源等を供給するための銅箔等からなる接続端子４２を、側方の下部に所定数有している。 The module 101 according to the present embodiment includes a solid-state imaging device 31 and a unit 41 according to an embodiment of the present invention. The module 101 according to the present embodiment is configured as a camera module used in, for example, a mobile phone. The unit 41 has the same configuration as that of the camera module disclosed in Patent Literature 2 and Patent Literature 3 except for the solid-state imaging device. Specifically, the unit 41 includes a lens that forms a subject image on a solid-state imaging device, a focus mechanism or a zoom mechanism that includes an actuator that drives the lens, a holder that holds these, and the like. In FIG. 8, the unit 41 is shown in a simplified manner, and illustration of those elements is omitted. In the present embodiment, the unit 41 has a connection terminal 42 made of copper foil or the like for supplying a signal, a power source or the like to the actuator or the like as a connection portion for making an electrical connection, on the lower side. Has a predetermined number.

固体撮像装置３１は、図５及び図６に示す固体撮像装置２１を次のように改変したものである。すなわち、固体撮像装置３１では、基本的に固体撮像装置２１と同じ構造を持ちながら、ガラス基板２の裏面には、固体撮像素子３接続用の導体パターン５ａ（図９参照。図５及び図６中の導体パターン５に相当。）の他に、ユニット４１接続用の導体パターン５ｂが形成されている。導体パターン５ｂ（図８参照）は、固体撮像素子３のバンプ７には接続されていない。また、固体撮像装置３１では、ガラス基板２の表面にユニット４１接続用の導体パターン４ｂが形成され、それらの導体パターン５ｂ，４ｂ間を接続する貫通ビア６ｂがガラス基板２に形成されている。 The solid-state imaging device 31 is obtained by modifying the solid-state imaging device 21 shown in FIGS. 5 and 6 as follows. That is, the solid-state imaging device 31 basically has the same structure as the solid-state imaging device 21, but the conductive pattern 5 a for connecting the solid-state imaging device 3 (see FIG. 9, see FIG. In addition, the conductor pattern 5b for connecting the unit 41 is formed. The conductor pattern 5b (see FIG. 8) is not connected to the bumps 7 of the solid-state imaging device 3. In the solid-state imaging device 31, the conductor pattern 4 b for connecting the unit 41 is formed on the surface of the glass substrate 2, and the through via 6 b that connects the conductor patterns 5 b and 4 b is formed in the glass substrate 2.

ユニット４１は、ガラス基板２の表面側に配置されている。ユニット４１の接続端子４２は、固体撮像装置３１のガラス基板２の表面の導体パターン４ｂに半田付け等により接続されている。これにより、ユニット４１は、電気的にも機械的にも固体撮像装置３１に対して接続されている。 The unit 41 is disposed on the surface side of the glass substrate 2. The connection terminal 42 of the unit 41 is connected to the conductor pattern 4b on the surface of the glass substrate 2 of the solid-state imaging device 31 by soldering or the like. Thereby, the unit 41 is connected to the solid-state imaging device 31 both electrically and mechanically.

プリント基板１０の配線パターン１２の接続部１２ａは、固体撮像装置３１のガラス基板２の裏面の導体パターン５ａ，５ｂにそれぞれ対応して設けられている。接続部１２ａと導体パターン５ａ，５ｂとの間が、半田付け等により接続されている。なお、図８及び図９に示す例では、プリント基板１０として、剛性を有するプリント基板が用いられているが、フレキシブルプリント基板を用いてもよい。 Connection portions 12a of the wiring pattern 12 of the printed circuit board 10 are provided corresponding to the conductor patterns 5a and 5b on the back surface of the glass substrate 2 of the solid-state imaging device 31, respectively. The connection portion 12a and the conductor patterns 5a and 5b are connected by soldering or the like. In the example shown in FIGS. 8 and 9, a rigid printed board is used as the printed board 10, but a flexible printed board may be used.

本実施の形態によるモジュール１０１では、ユニット４１の接続端子４２が、ガラス基板２の表面の導体パターン４ｂ→ガラス基板２の貫通ビア６ｂ→ガラス基板２の裏面の導体パターン５ｂ→プリント基板１０の配線パターン１２の接続部１２ａの経路で、プリント基板１０の配線パターン１２に電気的に接続されている。本実施の形態では、ユニット４１をこのような経路でプリント基板１０の配線パターン１２に接続することができるので、ユニット４１の接続端子４２をプリント基板１０に直接接続する必要がなくなる。したがって、本実施の形態によれば、ユニット４１を小型軽量化することができ、ひいてはモジュール１０１を小型軽量化することができる。この点について、比較例と比較しつつ説明する。 In the module 101 according to the present embodiment, the connection terminal 42 of the unit 41 is connected to the conductive pattern 4b on the front surface of the glass substrate 2 → the through via 6b on the glass substrate 2 → the conductive pattern 5b on the back surface of the glass substrate 2 → the wiring on the printed circuit board 10. It is electrically connected to the wiring pattern 12 of the printed circuit board 10 through the path of the connection portion 12 a of the pattern 12. In the present embodiment, since the unit 41 can be connected to the wiring pattern 12 of the printed circuit board 10 through such a path, it is not necessary to directly connect the connection terminal 42 of the unit 41 to the printed circuit board 10. Therefore, according to the present embodiment, the unit 41 can be reduced in size and weight, and as a result, the module 101 can be reduced in size and weight. This will be described in comparison with a comparative example.

図１０は、本実施の形態によるモジュール１０１と比較される比較例によるモジュール１１１の使用状態を示す概略断面図であり、図８に対応している。図１１は、この比較例によるモジュール１１１の使用状態を示す、図１０とは異なる断面に沿った概略断面図であり、図９に対応している。図１０及び図１１において、図８及び図９並びに図５乃至図７中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。 FIG. 10 is a schematic sectional view showing a usage state of the module 111 according to the comparative example compared with the module 101 according to the present embodiment, and corresponds to FIG. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a use state of the module 111 according to this comparative example along a cross-section different from that in FIG. 10, and corresponds to FIG. 10 and 11, the same or corresponding elements as those in FIGS. 8 and 9 and FIGS. 5 to 7 are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof is omitted.

この比較例によるモジュール１１１が本実施の形態によるモジュール１０１と異なる所は、固体撮像装置３１に代えて、図５乃至図７に示す固体撮像装置２１が用いられている点と、ユニット４１の接続端子４２がガラス基板２から外側にはみ出すようにユニット４１が図中の左右方向に拡張されている点と、ユニット４１の接続端子４２がプリント基板１０の配線パターン１２の接続部１２ａに直接に半田付け等により接続されている点のみである。 The module 111 according to this comparative example is different from the module 101 according to the present embodiment in that the solid-state imaging device 21 shown in FIGS. 5 to 7 is used instead of the solid-state imaging device 31 and the connection of the unit 41 is performed. The unit 41 is extended in the left-right direction in the figure so that the terminal 42 protrudes outward from the glass substrate 2, and the connection terminal 42 of the unit 41 is soldered directly to the connection portion 12 a of the wiring pattern 12 of the printed circuit board 10. It is only the point connected by attaching.

この比較例では、ユニット４１の接続端子４２がガラス基板２を経由することなく直接にプリント基板１０の配線パターン１２の接続部１２ａに接続されているので、接続端子４２をガラス基板２からはみ出させるために、ユニット４１を図中の左右両側に拡張しなければならず、その分、ユニット４１（ひいてはモジュール１１１）の小型軽量化が阻害されている。 In this comparative example, since the connection terminal 42 of the unit 41 is directly connected to the connection part 12a of the wiring pattern 12 of the printed circuit board 10 without passing through the glass substrate 2, the connection terminal 42 protrudes from the glass substrate 2. For this reason, the unit 41 must be extended to the left and right sides in the figure, and accordingly, the unit 41 (and consequently the module 111) is prevented from being reduced in size and weight.

これに対し、本実施の形態によれば、ガラス基板２の表面の導体パターン４ｂをユニット４１接続用電極として用いることができるので、ユニット４１の接続端子４２をガラス基板２からはみ出させる必要がなくなる。したがって、本実施の形態によれば、前記比較例に比べて、ユニット４１（ひいてはモジュール１１１）の小型軽量化を図ることができるのである。 On the other hand, according to the present embodiment, since the conductor pattern 4b on the surface of the glass substrate 2 can be used as the unit 41 connection electrode, it is not necessary to protrude the connection terminal 42 of the unit 41 from the glass substrate 2. . Therefore, according to the present embodiment, the unit 41 (and consequently the module 111) can be reduced in size and weight as compared with the comparative example.

［第３の実施の形態］
図１２は、本発明の第３の実施の形態によるモジュール１２１を模式的に示す概略断面図である。図１２において、図１、図２及び図８中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。 [Third Embodiment]
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view schematically showing a module 121 according to the third embodiment of the present invention. 12, elements that are the same as or correspond to those in FIGS. 1, 2, and 8 are given the same reference numerals, and redundant descriptions thereof are omitted.

本実施の形態によるモジュール１２１は、図８中のユニット４１と、図１及び図２に示す固体撮像装置１と、ユニット４１と固体撮像装置１との間に配置されたプリント基板１３０とから構成されている。 The module 121 according to the present embodiment includes a unit 41 in FIG. 8, the solid-state imaging device 1 shown in FIGS. 1 and 2, and a printed circuit board 130 disposed between the unit 41 and the solid-state imaging device 1. Has been.

プリント基板１３０には、固体撮像素子３の受光領域に対応する領域に開口１３０ａが形成されている。この例では、プリント基板１３０として、いわゆる両面プリント基板が用いられている。プリント基板１３０は、絶縁板１３１と、絶縁板１３１の一方の面に形成された配線パターン１３２と、それらの上を覆う保護用の絶縁膜１３３と、絶縁板１３１の他方の面に形成された配線パターン１３４と、それらの上を覆う保護用の絶縁膜１３５と、を有している。絶縁膜１３３の一部に開口が形成され、その開口から外部に露出した配線パターン１３２の一部が、配線パターン１３２の接続部１３２ａとなっている。固体撮像装置１のガラス基板２の表面の導体パターン４が、この接続部１２ａに半田付け等により接続されている。なお、必要に応じて、導体パターン４と接続部１２ａとの間に、異方性導電膜（ＡＦＣ）を介在させてもよい。また、絶縁膜１３５の一部に開口が形成され、その開口から外部に露出した配線パターン１３４の一部が、配線パターン１３４の接続部１３４ａとなっている。なお、本実施の形態では、プリント基板１３０として、剛性を有するプリント基板が用いられているが、フレキシブルプリント基板を用いてもよい。 In the printed board 130, an opening 130 a is formed in a region corresponding to the light receiving region of the solid-state imaging device 3. In this example, a so-called double-sided printed board is used as the printed board 130. The printed circuit board 130 is formed on the insulating plate 131, the wiring pattern 132 formed on one surface of the insulating plate 131, a protective insulating film 133 that covers them, and the other surface of the insulating plate 131. A wiring pattern 134 and a protective insulating film 135 covering the wiring pattern 134 are provided. An opening is formed in a part of the insulating film 133, and a part of the wiring pattern 132 exposed to the outside from the opening serves as a connection portion 132 a of the wiring pattern 132. The conductor pattern 4 on the surface of the glass substrate 2 of the solid-state imaging device 1 is connected to the connecting portion 12a by soldering or the like. In addition, you may interpose an anisotropic conductive film (AFC) between the conductor pattern 4 and the connection part 12a as needed. An opening is formed in a part of the insulating film 135, and a part of the wiring pattern 134 exposed to the outside from the opening serves as a connection part 134 a of the wiring pattern 134. In the present embodiment, a rigid printed circuit board is used as the printed circuit board 130, but a flexible printed circuit board may be used.

本実施の形態によるモジュール１２１においても、前記第２の実施の形態によるモジュール１１１と同様に、ユニット４１の接続端子４２をガラス基板２からはみ出させる必要がない。したがって、本実施の形態によれば、前述した図１０及び図１１に示す比較例に比べて、ユニット４１（ひいてはモジュール１１１）の小型軽量化を図ることができる。また、本実施の形態では、前記第２の実施の形態で用いられていた固体撮像装置３１に代えて、それよりも小型軽量化を図ることができる固体撮像装置１が用いられている。したがって、本実施の形態によれば、ユニット４１の点からのみならず、固体撮像装置１の点からも、モジュールの小型軽量化を図ることができる。 Also in the module 121 according to the present embodiment, it is not necessary to cause the connection terminal 42 of the unit 41 to protrude from the glass substrate 2 as in the module 111 according to the second embodiment. Therefore, according to the present embodiment, the unit 41 (and hence the module 111) can be reduced in size and weight as compared with the comparative example shown in FIGS. In the present embodiment, the solid-state imaging device 1 that can be reduced in size and weight is used instead of the solid-state imaging device 31 used in the second embodiment. Therefore, according to the present embodiment, not only from the point of the unit 41 but also from the point of the solid-state imaging device 1, the module can be reduced in size and weight.

以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明によるモジュールが有するユニットは、フォーカス機構又はズーム機構を有するユニットに限定されるものではなく、何らかの電気要素を有するものであればよい。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments. For example, the unit included in the module according to the present invention is not limited to the unit having the focus mechanism or the zoom mechanism, and may be any unit having any electrical element.

１，３１固体撮像装置
２ガラス基板
３固体撮像素子
４，５，５ａ，５ｂ導体パターン
６，６ｂ貫通ビア
７バンプ
８封止材
４１ユニット
４２接続端子
１０１，１２１モジュール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,31 Solid-state imaging device 2 Glass substrate 3 Solid-state image sensor 4, 5, 5a, 5b Conductive pattern 6, 6b Through-via 7 Bump 8 Sealing material 41 Unit 42 Connection terminal 101, 121 Module

Claims

An image sensor in which a light receiving region for receiving incident light and a peripheral region other than the light receiving region are provided on the same surface;
A first surface on which a first conductor pattern is formed and a surface opposite to the first surface, the second conductor pattern being electrically connected to the first conductor pattern via a through via. A glass substrate having two surfaces;
A bump disposed in the peripheral region and electrically connecting the image sensor and the first conductive pattern;
The image pickup apparatus, wherein the second conductor pattern is formed on the second surface at a position corresponding to between the bump and the light receiving region.

The imaging device according to claim 1,
The image pickup apparatus, wherein the through via is formed at a position corresponding to the bump and the light receiving region on the glass substrate.

In the imaging device according to claim 1 or 2,
The imaging device, wherein the first conductor pattern is formed at a position opposite to a position where the second conductor pattern is formed.

In the imaging device according to any one of claims 1 to 3,
The shape of the said 1st conductor pattern and the shape of the said 2nd conductor pattern are the same, The imaging device characterized by the above-mentioned.

In the imaging device according to any one of claims 1 to 4,
The size of the image sensor and the size of the glass substrate are the same,
The imaging apparatus, wherein the glass substrate is disposed to face the light receiving region and the peripheral region of the imaging element.

In the imaging device according to any one of claims 1 to 5,
An imaging apparatus, further comprising: a sealing material that seals between the peripheral region of the imaging element and the glass substrate.

The imaging device according to any one of claims 1 to 6,
A substrate electrically connected to the second conductor pattern;
An imaging module comprising:

The imaging module according to claim 7, wherein
The imaging module, wherein the substrate is disposed on the second surface.

The imaging device according to any one of claims 1 to 6,
A lens unit having a lens for forming an image of a subject on the light receiving surface of the image sensor and a connection terminal electrically connected to the second conductor pattern of the glass substrate;
An imaging module comprising:

The imaging module according to claim 9, wherein
The imaging module, wherein the lens unit is disposed on the second surface.