JP5489005B2 - 溶接方法 - Google Patents
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溶接対象物Mとして、板厚が8mmの純チタン板を用い、2枚の純チタン板をその端面で突き合わせて、その突き合わせ部にアーク放電の電極1及びレーザ光2を表面側のみから1回走査して、突き合わせた純チタン板同士を溶接した。図1に示した構成において、レーザ光2の出力を10kW、アーク放電の電流値を150A、溶接速度(アーク放電及びレーザ光2の走査速度)を1m/分、レーザ光2の焦点を純チタン板の表面から8mm下方(板裏面)、前記表面におけるレーザ光2の照射位置とアーク放電との間の距離を2mm、溶接ワイヤの直径を1.2mmとした。この溶接ワイヤの素材として、溶接対象物Mと同じく純チタンを用いた。突き合わせ溶接時においてはI型開先を使用し、そのギャップは0〜1mmとした。
実施例1と同じ純チタン板を用い、レーザ光2の焦点を板表面から8mm下方(板裏面)(実施例1と同条件)、10mm下方(板裏面下2mm)、12mm下方(板裏面下4mm)として溶接を行い、板表面におけるスパッタの発生の有無、及び、ビードの外観を評価した。レーザ光2の焦点位置以外の実験条件は、実施例1に示した実験条件と同じである。なお、この実施例2は焦点位置を変えたときの板表面の観察が目的なので、純チタン板を突き合わせずに、その板表面にアーク放電の電極1及びレーザ光2の走査を直接行っている。
実施例1と同じ純チタン板を用い、レーザ光2の焦点を板表面から0mm(板表面)、2mm下方(表面下2mm)、4mm下方(板厚中心)、6mm下方(表面下6mm)として溶接を行い、板表面におけるスパッタの発生の有無、及び、ビードの外観を評価した。レーザ光の焦点位置以外の実験条件は、実施例1に示した実験条件と同じである。また、実施例2と同様に、板表面にアーク放電の電極1及びレーザ光2の走査を直接行っている。
溶接対象物Mとして、板厚が12mmの純チタン板を用い、2枚の純チタン板をその端面で突き合わせて、その突き合わせ部にアーク放電の電極1及びレーザ光2を表面側から1回走査し、その走査後に、裏面側から前記突き合わせ部にアーク放電の電極1及びレーザ光2を1回走査して、突き合わせた純チタン板同士を溶接した。図1に示した構成において、レーザ光2の出力を8kW、アーク放電の電流値を150A、溶接速度を2m/分、レーザ光2の焦点を純チタン板の表面から6mm下方(板厚中心)、前記表面におけるレーザ光2の照射位置とアーク放電との間の距離を2mm、溶接ワイヤの直径を1.2mmとした。この溶接ワイヤの素材として、溶接対象物Mと同じく純チタンを用いた。突き合わせ溶接時においてはI型開先を使用し、そのギャップは0〜1mmとした。
実施例3と同じ純チタン板を用い、レーザ光2の焦点を板表面から6mm下方(板厚中心)(実施例1と同条件)、9mm下方(板表面から板厚の3/4下方)、12mm下方(板裏面)として溶接を行い、板表面におけるスパッタ発生の有無、及び、ビードの外観を評価した。レーザ光2の焦点位置以外の実験条件は、実施例3に示した実験条件と同じである。なお、この実施例4は焦点位置を変えたときの板表面の観察が目的なので、純チタン板を突き合わせずに、その板表面にアーク放電の電極1及びレーザ光2の走査を直接行っている。
実施例3と同じ純チタン板を用い、レーザ光2の焦点を板表面から0mm(板表面)、3mm下方(板表面から板厚の1/4下方)として溶接を行い、板表面におけるスパッタの発生の有無、及び、ビードの外観を評価した。レーザ光2の焦点位置以外の実験条件は、実施例3に示した実験条件と同じである。また、実施例4と同様に、板表面にアーク放電の電極1及びレーザ光2の走査を直接行っている。
2 レーザ光
3 シールドガス供給部
4 シールドガス
5 バックシールド部
M 溶接対象物
Claims (3)
- 溶接対象物(M)同士の突き合わせ部に対して、アーク溶接とレーザ溶接を併用して溶接処理を行う溶接方法において、
前記溶接対象物(M)の表面側から、前記突き合わせ部に沿うように前記アーク溶接のアーク放電の電極(1)を走査して溶融池を形成し、レーザ溶接のレーザ光(2)を前記アーク放電に追随するように走査しつつこの溶融池に向けて照射し、前記レーザ光(2)の焦点が、前記溶接対象物(M)の裏面外側に位置していることを特徴とする溶接方法。 - 溶接対象物(M)同士の突き合わせ部に対し、アーク溶接とレーザ溶接を併用して溶接処理を行う溶接方法において、
前記溶接対象物(M)の表面側から、前記突き合わせ部に沿うように前記アーク溶接のアーク放電の電極(1)を走査して溶融池を形成し、レーザ溶接のレーザ光(2)を前記アーク放電に追随するように走査しつつこの溶融池に向けて照射し、前記レーザ光(2)の焦点が、前記溶接対象物(M)の厚み中心からその裏面までの間に位置しており、前記表面側からの前記アーク放電の電極(1)及びレーザ光(2)の走査後に、前記裏面側から、前記アーク放電の電極(1)及びレーザ光(2)のうち少なくとも一方を前記突き合わせ部に沿うように走査することを特徴とする溶接方法。 - 前記溶接対象物(M)の素材が、チタン、ニッケル、又は、チタン及びニッケルの少なくとも一方を含む合金であることを特徴とする請求項1又は2に記載の溶接方法。
Priority Applications (1)
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JP2011118751A JP5489005B2 (ja) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | 溶接方法 |
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JP2011118751A JP5489005B2 (ja) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | 溶接方法 |
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JP2012245538A JP2012245538A (ja) | 2012-12-13 |
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WO2024014292A1 (ja) * | 2022-07-13 | 2024-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ハイブリッド溶接方法 |
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