JP5485950B2 - プラズマ処理装置の制御方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 6
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 216
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明の第1の実施の形態にかかるプラズマ処理装置100の構成を図1に示す。プラズマ処理装置100は,導電性材料,例えばアルミニウムから成る処理容器(図示せず)を有している。この処理容器内には,被処理体であるウェハWに対して所定のプラズマ処理が施される処理室110が形成されている。
C1U=1500ステップ;
C2U=900ステップ;
L1L=100ステップ;
L2L=500ステップ;
C1U=1200ステップ;
C2U=600ステップ;
L1L=400ステップ;
L2L=550ステップ;
第2の実施の形態にかかるプラズマ処理装置およびその制御方法を図1,図10,および図11を参照しながら説明する。第2の実施の形態にかかるプラズマ処理装置は,図1に示した第1の実施の形態にかかるプラズマ処理装置100と略同一の構成を有する。また,第2の実施の形態にかかるプラズマ装置の制御方法は,第1の実施の形態にかかるプラズマ処理装置の制御方法と同様に,ウェハWに対するプラズマ処理の直前に下部電極であるサセプタ130に対してオーバーシュート電圧を印加することを特徴としている。
110:処理室
120:上部電極
130:サセプタ
141:第1高周波電源
143:第1整合器
145:HPF
147:第1高周波電力
151:第2高周波電源
153:第2整合器
155:LPF
157:第2高周波電力
170:静電チャック
180:フォーカスリング
182:カバーリング
C1U,C2U:可変キャパシタ
L1L,L2L:可変インダクタ
W:ウェハ
Claims (1)
- 処理室内に配置された第1電極と、
前記処理室内において前記第1電極に対向する位置に配置された第2電極と、
前記第2電極の外周縁部に、被処理体を囲むように配置されたフォーカスリングと、
前記第1電極に第1電力を供給する第1電力源を有する第1電力系と、
前記第2電極に第2電力を供給する第2電力源を有する第2電力系と、
前記第1電力系及び前記第2電力系を制御する制御部と、を備え、
前記第1電力系は、前記第1電力源側のインピーダンスと前記第1電極側のインピーダンスとを整合させる第1整合器をさらに有し、
前記第2電力系は、前記第2電力源側のインピーダンスと前記第2電極側のインピーダンスとを整合させる第2整合器をさらに有し、
前記処理室内にプラズマを発生させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の制御方法であって、
前記制御部は、前記第2電極上に前記被処理体を配置している状態で、プラズマ点火後であって前記プラズマ処理を開始する前の所定期間、前記プラズマ処理中に前記第2電極に印加される電圧よりも高い処理前電圧が前記第2電極に印加されるように、
前記第1整合器と前記第2整合器との少なくともいずれかのリアクタンスを調整することを特徴とする、プラズマ処理装置の制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011162076A JP5485950B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | プラズマ処理装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011162076A JP5485950B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | プラズマ処理装置の制御方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003138274A Division JP4846190B2 (ja) | 2003-05-16 | 2003-05-16 | プラズマ処理装置およびその制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011211241A JP2011211241A (ja) | 2011-10-20 |
JP5485950B2 true JP5485950B2 (ja) | 2014-05-07 |
Family
ID=44941897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011162076A Expired - Fee Related JP5485950B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | プラズマ処理装置の制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5485950B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6365060B1 (en) * | 1997-08-22 | 2002-04-02 | Tokyo Electron Limited | Method for controlling plasma processor |
JP4578651B2 (ja) * | 1999-09-13 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置、プラズマエッチング方法 |
JP4846190B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびその制御方法 |
-
2011
- 2011-07-25 JP JP2011162076A patent/JP5485950B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011211241A (ja) | 2011-10-20 |
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