JP5482419B2 - Semiconductor integrated circuit for regulator - Google Patents

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本発明は、直流電源装置さらには直流電圧を変換する電圧レギュレータにおけるラッシュ電流の低減技術に関し、例えばシリーズレギュレータを構成する半導体集積回路(レギュレータ用IC)に利用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a technique for reducing a rush current in a DC power supply apparatus and further a voltage regulator for converting a DC voltage, for example, a technique effective for use in a semiconductor integrated circuit (regulator IC) constituting a series regulator.

直流電圧入力端子と出力端子との間に設けられたトランジスタを制御して所望の電位の直流電圧を出力する電源装置としてシリーズレギュレータ(以下、レギュレータと略す)がある。かかるレギュレータを構成するレギュレータ用ICの出力端子には、負荷の変動にかかわらず出力電圧を一定にするため、比較的容量値の大きなコンデンサが接続されている。   There is a series regulator (hereinafter abbreviated as a regulator) as a power supply device that outputs a DC voltage of a desired potential by controlling a transistor provided between a DC voltage input terminal and an output terminal. A capacitor having a relatively large capacitance value is connected to the output terminal of the regulator IC that constitutes such a regulator in order to keep the output voltage constant regardless of the load variation.

そのため、レギュレータの起動時には、放電状態にあるこのコンデンサを一気に充電しようとして比較的大きな突入電流(いわゆるラッシュ電流)が流れることが知られている。レギュレータの起動時のラッシュ電流を低減するための発明としては、例えば特許文献1や特許文献2に記載されている発明がある。   For this reason, it is known that a relatively large inrush current (so-called rush current) flows when trying to charge the capacitor in a discharged state at once when the regulator is started. As an invention for reducing the rush current at the start-up of the regulator, there are inventions described in Patent Document 1 and Patent Document 2, for example.

実開昭59−178720号公報Japanese Utility Model Publication No. 59-178720 特開平6−4157号公報JP-A-6-4157

レギュレータにおいては、出力電圧を制御するため、図5に示すように、出力電圧をブリーダ抵抗R1,R2で分圧してフィードバック電圧VFBを生成し、誤差アンプAMPにおいて基準電圧Vrefとの電位差に応じた電圧を生成して電圧制御用トランジスタTr0のゲート端子を制御するように構成される。そして、誤差アンプに供給される基準電圧VrefはツェナーダイオードDzを用いて生成することが多い。上記特許文献1や特許文献2に記載されている電源装置においては、ツェナーダイオードDzと並列にコンデンサC1を設けて基準電圧Vrefの立ち上がりを緩やかにすることで、ラッシュ電流を防止するようにしている。   In the regulator, in order to control the output voltage, as shown in FIG. 5, the output voltage is divided by the bleeder resistors R1 and R2 to generate the feedback voltage VFB, and the error amplifier AMP responds to the potential difference from the reference voltage Vref. A voltage is generated to control the gate terminal of the voltage control transistor Tr0. The reference voltage Vref supplied to the error amplifier is often generated using a Zener diode Dz. In the power supply devices described in Patent Document 1 and Patent Document 2, a rush current is prevented by providing a capacitor C1 in parallel with the Zener diode Dz so as to moderate the rise of the reference voltage Vref. .

ところで、上記特許文献1や特許文献2に記載されている電源装置のように、起動時に電源スイッチをオンして直接入力電圧を立ち上げる方式の他に、近年においては、マイコンなどのシステム制御装置から供給されるチップイネーブル信号のような制御信号を立ち上げることでレギュレータを起動させる方式が採用されるようになって来ている。これにより、電源スイッチが不要になるという利点がある。また、このような起動方式のレギュレータにおいては、制御信号の立ち上がり速度を規制することで、ラッシュ電流を抑制することができるとともに、入力電圧の電位の異なるシステムにおいても同じような立ち上がり特性を実現することができる。   By the way, in addition to the method of turning on the power switch at the time of startup and directly raising the input voltage as in the power supply devices described in Patent Document 1 and Patent Document 2, in recent years, a system control device such as a microcomputer has been used. A method of starting up a regulator by raising a control signal such as a chip enable signal supplied from the factory has been adopted. This has the advantage that a power switch is not required. In addition, in such a start-up type regulator, it is possible to suppress the rush current by regulating the rising speed of the control signal, and to realize the same rising characteristic even in systems having different input voltage potentials. be able to.

しかしながら、マイコンから出力される制御信号は、一般に立ち上がり速度の速い信号であることが多いため、制御信号の立ち上がりを緩やかにするには抵抗と容量などからなる時定数回路を外付け回路として設ける必要があり、部品点数が増加するとともに、チップ内部にもラッシュ電流を抑制するための回路を追加する必要があるため、消費電流が増加するという課題がある。   However, since the control signal output from the microcomputer is generally a signal having a high rise speed, it is necessary to provide a time constant circuit composed of a resistor and a capacitor as an external circuit in order to moderate the rise of the control signal. As the number of components increases, it is necessary to add a circuit for suppressing the rush current inside the chip.

この発明は上記のような課題に着目してなされたもので、その目的とするところは、外部から回路をオン、オフ制御するための制御端子を有するシリーズレギュレータのような直流電源装置を構成する半導体集積回路において、制御信号による起動直後に出力端子に向かってラッシュ電流が流れるのを防止することにある。   The present invention has been made paying attention to the problems as described above, and the object thereof is to constitute a DC power supply device such as a series regulator having a control terminal for externally turning on / off the circuit. In a semiconductor integrated circuit, a rush current is prevented from flowing toward an output terminal immediately after activation by a control signal.

本発明の他の目的は、消費電流を増加させることなく制御信号による起動直後に出力端子に向かってラッシュ電流が流れるのを防止できるようにすることにある。   Another object of the present invention is to prevent a rush current from flowing toward an output terminal immediately after startup by a control signal without increasing current consumption.

上記目的を達成するため、本発明は、直流電圧が入力される電圧入力端子と出力端子との間に接続された電圧制御用素子と、出力のフィードバック電圧に応じて前記電圧制御用素子を制御する誤差アンプを含む制御回路と、前記誤差アンプに入力される参照電圧を生成する定電圧生成回路と、外部より前記制御回路のオン、オフを指示する制御信号が入力される外部制御端子とを備えたレギュレータ用半導体集積回路であって、前記定電圧生成回路は、前記電圧入力端子または前記出力端子と接地電位端子との間に直列に接続されたデプレッション型MOSトランジスタからなる電流源と基準電圧回路を備え、前記電流源と前記基準電圧回路との接続ノードは、前記出力端子に出力される出力電圧の立ち上がり時間を調整するための外付けのコンデンサが接続可能な外部端子に接続され、前記基準電圧回路は、デプレッション型MOSトランジスタとエンハンスメント型MOSトランジスタが直列に接続され、それらのトランジスタのしきい値電圧によって決定される電圧を前記参照電圧として出力するように構成したものである。 To achieve the above object, the present invention controls a voltage control element connected between a voltage input terminal to which a DC voltage is input and an output terminal, and the voltage control element in accordance with an output feedback voltage. A control circuit including an error amplifier, a constant voltage generation circuit that generates a reference voltage input to the error amplifier, and an external control terminal to which a control signal that instructs on / off of the control circuit is input from the outside. A regulator semiconductor integrated circuit, wherein the constant voltage generation circuit includes a current source including a depletion type MOS transistor connected in series between the voltage input terminal or the output terminal and a ground potential terminal, and a reference voltage comprising a circuit, a connection node between the current source and the reference voltage circuit, an external for adjusting the rise time of the output voltage outputted to the output terminal The reference voltage circuit has a depletion type MOS transistor and an enhancement type MOS transistor connected in series, and a voltage determined by the threshold voltage of these transistors is used as the reference voltage. It is configured to output.

上記のような構成を有するレギュレータ用半導体集積回路によれば、制御信号による起動時に定電圧生成回路により生成される参照電圧が急速に立ち上がり電圧制御用素子が急にオン状態にされるのが回避され、それによって出力端子に向かってラッシュ電流が流れるのを防止できる。   According to the regulator semiconductor integrated circuit having the above-described configuration, the reference voltage generated by the constant voltage generation circuit at the time of start-up by the control signal is prevented from rising rapidly and the voltage control element from being turned on rapidly. Accordingly, it is possible to prevent a rush current from flowing toward the output terminal.

また、望ましくは、前記電流源および前記基準電圧回路は前記出力端子と接地電位端子との間に直列に接続されており、前記電圧入力端子と、前記電流源と前記基準電圧回路との接続ノードと、の間に設けられ、前記制御信号がオンを指示する状態に変化する起動時に、前記電圧入力端子から前記接続ノードへ一時的に電流を流す起動回路を設ける。   Preferably, the current source and the reference voltage circuit are connected in series between the output terminal and a ground potential terminal, and a connection node between the voltage input terminal, the current source and the reference voltage circuit. And an activation circuit that temporarily supplies a current from the voltage input terminal to the connection node at the time of activation when the control signal changes to a state instructing ON.

上記のような構成によれば、電流源および基準電圧回路が出力端子と接地電位端子との間に直列に接続されているため、入力電圧に含まれるノイズによる影響をなくして安定した電圧を出力することができる。また、起動回路が設けられているため、電流源および基準電圧回路を出力端子と接地電位端子との間に接続したとしても確実に起動させることができる。   According to the above configuration, since the current source and the reference voltage circuit are connected in series between the output terminal and the ground potential terminal, a stable voltage is output without being affected by noise included in the input voltage. can do. In addition, since the activation circuit is provided, even if the current source and the reference voltage circuit are connected between the output terminal and the ground potential terminal, the activation circuit can be reliably activated.

さらに、望ましくは、外付けのコンデンサが接続される前記外部端子と接地電位端子との間には、前記外部制御端子に入力される制御信号がオフを指示する状態に変化する際にオン状態にされて、前記外部端子に接続されているコンデンサの電荷を放電するスイッチ素子が接続されるように構成する。これにより、制御信号がオフを指示する状態に変化する際にコンデンサの電荷を放電することで、参照電圧を速やかに立ち下げて出力電圧を遮断することができる。   Further, preferably, an ON state is established between the external terminal to which an external capacitor is connected and the ground potential terminal when the control signal input to the external control terminal changes to a state instructing OFF. Then, the switch element for discharging the charge of the capacitor connected to the external terminal is connected. Thereby, when the control signal changes to a state instructing to turn off, the charge of the capacitor is discharged, so that the reference voltage can be quickly lowered to cut off the output voltage.

また、望ましくは、前記起動回路は、前記電圧入力端子と、前記電流源と前記基準電圧回路との接続ノードと、の間に直列形態に接続されたノーマリオンの第1のデプレッション型MOSトランジスタおよびゲート端子に前記制御信号に応じた電圧が印加されるエンハンスメント型MOSトランジスタを備え、
前記エンハンスメント型MOSトランジスタのゲート端子と接地電位端子との間には、前記誤差アンプに供給されるフィードバック電圧に応じて制御され参照電圧が立ち上がった後に前記エンハンスメント型MOSトランジスタをオンさせ、前記起動回路から流れる電流を遮断する第2スイッチ素子が接続されるように構成する。これにより、起動回路を少ない素子数で実現できるとともに、参照電圧が立ち上がった後は起動回路の電流を遮断して消費電流を低減することができる。
Preferably, the start-up circuit includes a normally-on first depletion type MOS transistor connected in series between the voltage input terminal and a connection node between the current source and the reference voltage circuit, and An enhancement-type MOS transistor having a voltage corresponding to the control signal applied to the gate terminal;
Between the gate terminal of the enhancement type MOS transistor and the ground potential terminal, the enhancement type MOS transistor is turned on after a reference voltage is controlled and rises according to a feedback voltage supplied to the error amplifier, and the start circuit The second switch element that cuts off the current flowing from is connected. As a result, the startup circuit can be realized with a small number of elements, and after the reference voltage rises, the current of the startup circuit can be cut off to reduce the current consumption.

さらに、望ましくは、前記エンハンスメント型MOSトランジスタのゲート端子と、前記外部制御端子もしくは該外部制御端子に入力される制御信号を反転する論理ゲート回路の出力端子と、の間には、ゲート端子とソース端子が結合された第2デプレッション型MOSトランジスタが接続されるように構成する。これにより、MOSトランジスタ(Tr7)がオンした際の消費電流を抑えることができる。   Further, preferably, between the gate terminal of the enhancement type MOS transistor and the output terminal of the logic gate circuit for inverting the control signal input to the external control terminal or the external control terminal, the gate terminal and the source A second depletion type MOS transistor having a terminal coupled is connected. Thereby, current consumption when the MOS transistor (Tr7) is turned on can be suppressed.

以上説明したように、本発明に従うと、外部から回路をオン、オフ制御するための制御端子を有するシリーズレギュレータのような直流電源装置を構成する半導体集積回路において、制御信号による起動直後に出力端子に向かってラッシュ電流が流れるのを防止することができる。また、消費電流を増加させることなく制御信号による起動直後に出力端子に向かってラッシュ電流が流れるのを防止できるようになるという効果がある。   As described above, according to the present invention, in a semiconductor integrated circuit constituting a DC power supply device such as a series regulator having a control terminal for externally turning on and off the circuit, an output terminal immediately after startup by a control signal It is possible to prevent a rush current from flowing toward Further, there is an effect that it is possible to prevent a rush current from flowing toward the output terminal immediately after startup by the control signal without increasing the current consumption.

本発明を適用したレギュレータ用ICの一実施形態を示す回路構成図である。It is a circuit block diagram which shows one Embodiment of IC for regulators to which this invention is applied. 図1のレギュレータ用ICの各部の電圧の変化を示すタイミングチャートである。2 is a timing chart showing changes in voltages at various parts of the regulator IC in FIG. 1. 図1のレギュレータ用ICの変形例を示す回路構成図である。FIG. 6 is a circuit configuration diagram showing a modification of the regulator IC of FIG. 1. 本発明を適用したレギュレータ用ICの第2の実施形態を示す回路構成図である。It is a circuit block diagram which shows 2nd Embodiment of IC for regulators to which this invention is applied. 従来の安定化電源回路(シリーズレギュレータ)の一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of the conventional stabilized power supply circuit (series regulator).

以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明を適用したシリーズレギュレータの一実施形態を示す。なお、図において、一点鎖線で囲まれた部分は、単結晶シリコンのような半導体チップ上に半導体集積回路(レギュレータIC)10として形成される。   FIG. 1 shows an embodiment of a series regulator to which the present invention is applied. In the figure, a portion surrounded by a one-dot chain line is formed as a semiconductor integrated circuit (regulator IC) 10 on a semiconductor chip such as single crystal silicon.

本実施形態のレギュレータIC10おいては、直流電圧VDDが印加される電圧入力端子INと出力端子OUTとの間に、Pチャネル型のMOSFET(絶縁ゲート型電界効果トランジスタ:以下MOSトランジスタと称する)からなる電圧制御用のトランジスタTr0が接続され、出力端子OUTと接地電位が印加されるグランド端子GNDとの間には、出力電圧を分圧するブリーダ抵抗R1,R2が直列に接続されている。   In the regulator IC 10 of this embodiment, a P-channel MOSFET (insulated gate field effect transistor: hereinafter referred to as a MOS transistor) is provided between a voltage input terminal IN to which a DC voltage VDD is applied and an output terminal OUT. The voltage control transistor Tr0 is connected, and bleeder resistors R1 and R2 for dividing the output voltage are connected in series between the output terminal OUT and the ground terminal GND to which the ground potential is applied.

このブリーダ抵抗R1,R2により分圧された電圧VFBが、上記電圧制御用のトランジスタTr0のゲート端子を制御する誤差アンプ11の非反転入力端子にフィードバックされている。そして、誤差アンプ11はフィードバック電圧VFBと参照電圧Vrefとの電位差に応じて電圧制御用のトランジスタTr0を制御して、出力電圧Voutが所望の電位になるように制御する。   The voltage VFB divided by the bleeder resistors R1 and R2 is fed back to the non-inverting input terminal of the error amplifier 11 that controls the gate terminal of the voltage control transistor Tr0. The error amplifier 11 controls the voltage control transistor Tr0 in accordance with the potential difference between the feedback voltage VFB and the reference voltage Vref so as to control the output voltage Vout to a desired potential.

また、本実施形態のレギュレータIC10には、上記誤差アンプ11にバイアス電流を流すバイアス回路12、誤差アンプ11に供給する参照電圧Vrefを発生するためデプレッション型のMOSトランジスタを用いた参照電圧発生回路13、電源立ち上げ時に参照電圧発生回路13を起動させるための起動回路14が設けられている。   Further, the regulator IC 10 of the present embodiment includes a bias circuit 12 for supplying a bias current to the error amplifier 11 and a reference voltage generation circuit 13 using a depletion type MOS transistor for generating a reference voltage Vref to be supplied to the error amplifier 11. An activation circuit 14 for activating the reference voltage generation circuit 13 when the power is turned on is provided.

さらに、本実施形態のレギュレータIC10には、外部からチップをオン、オフ制御するための制御信号が入力されるチップイネーブル端子CEと、該端子へ入力される制御信号の立ち上がりの際に前記誤差アンプ11の反転入力端子に印加する参照電圧Vrefの立ち上がりを遅らせてラッシュ電流を防止するためのコンデンサC1をチップ外部にて接続するための外部端子CSが設けられている。   Further, the regulator IC 10 of the present embodiment includes a chip enable terminal CE to which a control signal for controlling on / off of the chip from the outside is input, and the error amplifier at the rise of the control signal input to the terminal. An external terminal CS is provided for connecting a capacitor C1 for delaying the rise of the reference voltage Vref applied to the inverting input terminal 11 to prevent a rush current from outside the chip.

上記バイアス回路12は、チップイネーブル端子CEに入力される信号によってオン、オフされるように構成されている。また、外部端子CSと接地点との間には、端子CEの入力信号が立ち下がった際にコンデンサC1の電荷を放電させて参照電圧Vrefを立ち下げて、電圧制御用トランジスタTr0を速やかにオフ状態にして出力を遮断するため、NチャネルMOSFETからなるスイッチMOSトランジスタTr4が設けられている。なお、本明細書においては、デプレッション型MOSトランジスタと断らないMOSトランジスタは、エンハンスメント型のトランジスタを意味するものとする。   The bias circuit 12 is configured to be turned on / off by a signal input to the chip enable terminal CE. Further, between the external terminal CS and the ground point, when the input signal of the terminal CE falls, the charge of the capacitor C1 is discharged, the reference voltage Vref is lowered, and the voltage control transistor Tr0 is quickly turned off. In order to shut off the output in the state, a switch MOS transistor Tr4 made of an N-channel MOSFET is provided. Note that in this specification, a depletion type MOS transistor and a MOS transistor that is not distinguished from each other mean an enhancement type transistor.

上記参照電圧発生回路13は、出力端子OUTとグランド端子GNDとの間に直列に接続されたデプレッション型のMOSトランジスタTr1,Tr2およびエンハンスメント型のMOSトランジスタTr3を備えている。そして、デプレッション型のMOSトランジスタTr2とエンハンスメント型のMOSトランジスタTr3のゲート端子同士が結合されかつTr2はゲート端子とソース端子が結合され、Tr3はゲート端子とドレイン端子が結合されることによって基準電圧回路を構成し、トランジスタTr1は該基準電圧回路に動作電流を流す電流源として機能する。   The reference voltage generation circuit 13 includes depletion type MOS transistors Tr1 and Tr2 and an enhancement type MOS transistor Tr3 connected in series between the output terminal OUT and the ground terminal GND. The gate terminals of the depletion type MOS transistor Tr2 and the enhancement type MOS transistor Tr3 are coupled to each other, the gate terminal and the source terminal are coupled to Tr2, and the gate terminal and the drain terminal are coupled to Tr3. The transistor Tr1 functions as a current source for flowing an operating current to the reference voltage circuit.

この基準電圧回路は、トランジスタTr2とTr3との接続ノードN2の電位が基準電圧Vrefとして取り出される。そして、上記電流源としてのトランジスタTr1と基準電圧回路(Tr2,Tr3)との接続ノードN1が、前記コンデンサC1が接続される外部端子CSに接続されている。   In this reference voltage circuit, the potential of the connection node N2 between the transistors Tr2 and Tr3 is taken out as the reference voltage Vref. A connection node N1 between the transistor Tr1 as the current source and the reference voltage circuit (Tr2, Tr3) is connected to an external terminal CS to which the capacitor C1 is connected.

従来より、ゲートとソースを結合したデプレッション型MOSFETとゲートとドレインを結合したエンハンスメント型のMOSトランジスタとを直列に接続した回路は、デプレッション型MOSトランジスタが定電流源として動作し、エンハンスメント型MOSトランジスタのソース・ドレイン間に発生する定電圧を基準電圧として出力する基準電圧回路として知られている。この基準電圧回路が発生する基準電圧Vrefは、2つのMOSトランジスタのしきい値電圧Vt(d)とVt(e)の差分Vt(e)−Vt(d)として表わされる。   Conventionally, a circuit in which a depletion type MOSFET in which a gate and a source are coupled and an enhancement type MOS transistor in which a gate and a drain are coupled is connected in series, the depletion type MOS transistor operates as a constant current source, and the enhancement type MOS transistor It is known as a reference voltage circuit that outputs a constant voltage generated between a source and a drain as a reference voltage. The reference voltage Vref generated by this reference voltage circuit is expressed as a difference Vt (e) −Vt (d) between the threshold voltages Vt (d) and Vt (e) of the two MOS transistors.

起動回路14は、直流電圧の入力端子INと参照電圧発生回路13のノードN1との間に直列形態に接続されたデプレッション型MOSトランジスタTr5,エンハンスメント型MOSトランジスタTr6と、該トランジスタTr6のゲート端子と接地点との間に接続されたMOSトランジスタTr7と、チップイネーブル端子CEに入力される制御信号を反転するインバータINV1,INV2のうち後段のINV2の出力端子と上記トランジスタTr6のゲート端子との間に接続されたデプレッション型MOSトランジスタTr8とを備える。トランジスタTr7はエンハンスメント型のMOSFETである。   The startup circuit 14 includes a depletion type MOS transistor Tr5 and an enhancement type MOS transistor Tr6 connected in series between the DC voltage input terminal IN and the node N1 of the reference voltage generation circuit 13, and a gate terminal of the transistor Tr6. Between the MOS transistor Tr7 connected between the ground point and the output terminal of the subsequent INV2 of the inverters INV1 and INV2 for inverting the control signal input to the chip enable terminal CE and the gate terminal of the transistor Tr6. A depletion type MOS transistor Tr8 is connected. The transistor Tr7 is an enhancement type MOSFET.

デプレッション型MOSトランジスタTr5は、ゲートとソースが結合されたノーマリオンのスイッチとして機能する。Tr6は、チップイネーブル端子CEに入力される制御信号の立ち上がりの際にオン状態に制御される。トランジスタTr7は基準電圧回路の起動後にトランジスタTr6をオフさせるための素子である。トランジスタTr8は、ゲートとソースが結合されており、Tr7がオンした際にTr8からTr7に流れる電流を制限し、これにより消費電流を抑えることができる。従って、トランジスタTr5,Tr6,Tr7,Tr8を合わせたものが起動回路である。   The depletion type MOS transistor Tr5 functions as a normally-on switch in which a gate and a source are coupled. Tr6 is controlled to be in an ON state at the rising edge of the control signal input to the chip enable terminal CE. The transistor Tr7 is an element for turning off the transistor Tr6 after the reference voltage circuit is activated. The transistor Tr8 has a gate and a source coupled to each other, and limits the current flowing from the Tr8 to the Tr7 when the Tr7 is turned on, thereby suppressing current consumption. Therefore, a combination of the transistors Tr5, Tr6, Tr7, and Tr8 is a starting circuit.

上記のように、ノーマリオンのトランジスタTr5の他に出力端子OUTに接続されたデプレッション型MOSトランジスタTr1を設けて、基準電圧Vrefを発生する基準電圧回路の動作電流を出力電圧側から流すようにしているのは、入力直流電圧VDDにノイズがのっていたとしても電圧制御用トランジスタTr0によって吸収され、出力電圧Voutにはノイズがほとんど現れないので、基準電圧Vrefが入力電圧にのっているノイズの影響を受けにくくなるためである。また、起動回路14を設けているのは、端子CEの制御信号の立ち上がり電圧制御用トランジスタTr0がオンされる前は、出力電圧Voutは0Vであり、トランジスタTr1がオンしても基準電圧回路へ電流が流れず基準電圧Vrefが立ち上がらないためである。   As described above, the depletion type MOS transistor Tr1 connected to the output terminal OUT is provided in addition to the normally-on transistor Tr5, so that the operating current of the reference voltage circuit for generating the reference voltage Vref flows from the output voltage side. The reason is that even if noise is present on the input DC voltage VDD, it is absorbed by the voltage control transistor Tr0 and almost no noise appears in the output voltage Vout. Therefore, the noise in which the reference voltage Vref is on the input voltage. It is because it becomes difficult to be influenced by. The start circuit 14 is provided because the output voltage Vout is 0 V before the rising voltage control transistor Tr0 of the control signal of the terminal CE is turned on, and even if the transistor Tr1 is turned on, the reference voltage circuit is provided. This is because no current flows and the reference voltage Vref does not rise.

次に、図1のレギュレータICの動作について、図2のタイミングチャートを用いて説明する。   Next, the operation of the regulator IC of FIG. 1 will be described using the timing chart of FIG.

図2(A)のように、チップイネーブル端子CEに入力される制御信号ENがロウレベルからハイレベル(VDD)に変化すると、バイアス回路12から電流が流されることで誤差アンプ11が活性化される。一方、起動回路14のMOSトランジスタTr6も制御信号ENがハイレベルになることでオン状態になるため、入力端子IN側からノーマリオンのトランジスタTr5および上記トランジスタTr6を通して電流I1が流され、外付けのコンデンサC1が充電される。   As shown in FIG. 2A, when the control signal EN input to the chip enable terminal CE changes from the low level to the high level (VDD), the error amplifier 11 is activated by the current flowing from the bias circuit 12. . On the other hand, since the MOS transistor Tr6 of the starter circuit 14 is also turned on when the control signal EN becomes high level, the current I1 flows from the input terminal IN side through the normally-on transistor Tr5 and the transistor Tr6, so Capacitor C1 is charged.

そして、ノードN1の電位がある程度高くなると基準電圧回路(Tr2,Tr3)が動作して基準電圧Vrefが立ち上がる。基準電圧Vrefが立ち上がる前は、誤差アンプ11の出力はハイレベルで電圧制御用トランジスタTr0はオフ状態にされているが、基準電圧Vrefが立ち上がると誤差アンプ11の出力が下がり電圧制御用トランジスタTr0がオン状態にされて、出力電圧Voutが立ち上がり始める。   When the potential of the node N1 becomes high to some extent, the reference voltage circuit (Tr2, Tr3) operates and the reference voltage Vref rises. Before the reference voltage Vref rises, the output of the error amplifier 11 is at a high level and the voltage control transistor Tr0 is turned off. However, when the reference voltage Vref rises, the output of the error amplifier 11 falls and the voltage control transistor Tr0 is turned off. The output voltage Vout starts to rise after being turned on.

また、出力電圧Voutがある程度高くなると、デプレッション型MOSトランジスタTr1から基準電圧回路(Tr2,Tr3)へ電流I2が流れ始めるとともに、ブリーダ抵抗R1,R2によって分圧される電圧VFBも高くなりMOSトランジスタTr7がオン状態にされ、トランジスタTr6のゲート電圧が接地電位まで下がる。すると、トランジスタTr6がオフしてノードN1へ流れる電流I1が急速に減少する(タイミングt1)。   When the output voltage Vout increases to some extent, the current I2 starts to flow from the depletion type MOS transistor Tr1 to the reference voltage circuit (Tr2, Tr3), and the voltage VFB divided by the bleeder resistors R1, R2 also increases, and the MOS transistor Tr7. Is turned on, and the gate voltage of the transistor Tr6 is lowered to the ground potential. Then, the transistor Tr6 is turned off, and the current I1 flowing to the node N1 decreases rapidly (timing t1).

一方、トランジスタTr1を通してノードN1へ流れる電流I2は、その後もしばらくの間はコンデンサC1を充電するのに消費されるため増加するが、コンデンサC1がフル充電の状態に近づくに従って減少し、コンデンサC1が完全に充電され出力電圧Voutが完全に立ち上がると、基準電圧回路(Tr2,Tr3)へ流す電流I3のみとなる。従って、C1を追加しても定常状態時の消費電流が増加しないということになる。   On the other hand, the current I2 flowing to the node N1 through the transistor Tr1 increases because it is consumed for charging the capacitor C1 for a while after that, but decreases as the capacitor C1 approaches a fully charged state. When fully charged and the output voltage Vout completely rises, only the current I3 flowing to the reference voltage circuit (Tr2, Tr3) is obtained. Therefore, even if C1 is added, the current consumption in the steady state does not increase.

上記のように構成された参照電圧発生回路13および起動回路14を備えたレギュレータICによれば、図2に示すように、端子CEの制御信号が急速に立ち上がったとしても、出力電圧Voutは徐々に立ち上がり、出力端子OUTに大きな平滑容量が接続されていたとしても、出力端子へ向かって流れるラッシュ電流が抑制されるようになる。コンデンサC1を設けない場合に比べて、ラッシュ電流を1/10以下にすることができる。   According to the regulator IC including the reference voltage generating circuit 13 and the starting circuit 14 configured as described above, as shown in FIG. 2, even if the control signal at the terminal CE rises rapidly, the output voltage Vout gradually increases. Even if a large smoothing capacitor is connected to the output terminal OUT, the rush current flowing toward the output terminal is suppressed. Compared to the case where the capacitor C1 is not provided, the rush current can be reduced to 1/10 or less.

また、本実施形態のレギュレータICでは、外部端子CSに接続するコンデンサC1の容量値を変えることで、出力電圧Voutの立ち上がり時間を調整することができるという利点がある。さらに、本実施形態のレギュレータICでは、VFBがTr7がオンするまで大きくなると起動回路14の電流が遮断されるため、定常状態におけるICの消費電流は増加しないという利点がある。   In addition, the regulator IC of this embodiment has an advantage that the rise time of the output voltage Vout can be adjusted by changing the capacitance value of the capacitor C1 connected to the external terminal CS. Furthermore, the regulator IC of the present embodiment has an advantage that the current consumption of the IC in a steady state does not increase because the current of the startup circuit 14 is cut off when VFB increases until Tr7 is turned on.

次に、起動時にチップイネーブル端子CEの入力制御信号がハイレベルからロウレベルに立ち下がった場合について説明する。端子CEの制御信号が立ち下がると、この信号を反転するインバータINV1〜INV3の出力がハイレベルへ変化してトランジスタTr4がオンされ、コンデンサC1の電荷が引き抜かれるため、ノードN1の電位が急速に下げられて基準電圧Vrefが立ち下がり、誤差アンプ11の出力が高くなって電圧制御用トランジスタTr0がオフ状態にされる。   Next, a case where the input control signal of the chip enable terminal CE falls from the high level to the low level at the time of activation will be described. When the control signal at the terminal CE falls, the outputs of the inverters INV1 to INV3 that invert this signal change to a high level, the transistor Tr4 is turned on, and the charge of the capacitor C1 is extracted, so that the potential of the node N1 rapidly As a result, the reference voltage Vref falls, the output of the error amplifier 11 increases, and the voltage control transistor Tr0 is turned off.

図3には、上記実施形態のレギュレータの変形例が示されている。   FIG. 3 shows a modification of the regulator of the above embodiment.

この変形例のレギュレータは、図1の実施形態における参照電圧発生回路13のデプレッション型MOSトランジスタTr1の代わりに抵抗R3を用いるようにしたものである。抵抗R3は基準電圧回路(Tr2,Tr3)に動作電流を供給する電流源として機能し、起動時にはその電流はコンデンサC1を充電するのに消費される。従って、この変形例のレギュレータにおいても、図1のレギュレータと同様に、制御信号による起動時に誤差アンプ11に入力される参照電圧Vrefの立ち上がりを緩やかにして、ラッシュ電流を抑制することができるという効果がある。   The regulator of this modification uses a resistor R3 instead of the depletion type MOS transistor Tr1 of the reference voltage generation circuit 13 in the embodiment of FIG. The resistor R3 functions as a current source that supplies an operating current to the reference voltage circuit (Tr2, Tr3), and that current is consumed to charge the capacitor C1 during startup. Therefore, in the regulator of this modified example, as in the regulator of FIG. 1, the rising of the reference voltage Vref input to the error amplifier 11 at the time of activation by the control signal can be moderated to suppress the rush current. There is.

また、この変形例においては、電圧制御用トランジスタTr0のゲート端子に接続され出力電流を制限するためのリミッタ回路15が設けられている。リミッタ回路15は、負荷の短絡などで出力電流が増加して出力電圧が低下し誤差アンプ11がトランジスタTr0により多くの電流を流すようにゲート電圧を下げようとしたときに、一定以上ゲート電圧が下がらないようにクランプをかけることで出力電流を制限する。したがって、電圧制御用トランジスタTr0に過電流が流れないように保護することができる。図1の実施形態のレギュレータにおいても、このようなリミッタ回路を設けるようにしても良い。   In this modification, a limiter circuit 15 is provided for limiting the output current, which is connected to the gate terminal of the voltage control transistor Tr0. The limiter circuit 15 causes the gate voltage to exceed a certain level when the output current increases due to a short circuit of the load, the output voltage decreases, and the error amplifier 11 attempts to decrease the gate voltage so that more current flows through the transistor Tr0. The output current is limited by clamping so that it does not fall. Therefore, it is possible to protect the overcurrent from flowing through the voltage control transistor Tr0. Such a limiter circuit may also be provided in the regulator of the embodiment of FIG.

図4には、本発明に係るレギュレータの第2の実施形態が示されている。   FIG. 4 shows a second embodiment of the regulator according to the present invention.

この実施形態がレギュレータは、図1の実施形態におけるデプレッション型のMOSトランジスタTr1,Tr2およびエンハンスメント型のMOSトランジスタTr3からなる参照電圧発生回路13を、入力端子側に設けたものである。この実施形態のレギュレータにおいても、トランジスタTr1とTr2の接続ノードN1にコンデンサC1を接続する外部端子CSを設けたことにより、図1のレギュレータと同様に、制御信号による起動時に誤差アンプ11に入力される参照電圧Vrefの立ち上がりを緩やかにして、ラッシュ電流を抑制することができるという効果がある。   In this embodiment, the regulator is provided with the reference voltage generation circuit 13 including the depletion type MOS transistors Tr1 and Tr2 and the enhancement type MOS transistor Tr3 in the embodiment of FIG. 1 on the input terminal side. Also in the regulator of this embodiment, by providing the external terminal CS for connecting the capacitor C1 to the connection node N1 of the transistors Tr1 and Tr2, as in the regulator of FIG. Thus, there is an effect that the rise of the reference voltage Vref can be moderated and the rush current can be suppressed.

また、第2の実施形態のレギュレータにおいては、起動回路14が不要になるという利点がある。ただし、図1のレギュレータに比べて入力直流電圧Vinにのっているノイズの影響を受け易いという不具合がある。従って、この実施形態のレギュレータは、入力直流電圧Vinがもともとノイズの少ない電源からの電圧であるようなシステムに使用すると有効である。   Further, the regulator according to the second embodiment has an advantage that the starting circuit 14 is not necessary. However, there is a problem in that it is more susceptible to noise on the input DC voltage Vin than the regulator of FIG. Therefore, the regulator of this embodiment is effective when used in a system in which the input DC voltage Vin is originally a voltage from a power source with little noise.

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、図1の回路においては、MOSトランジスタTr8をトランジスタTr6のゲート端子とインバータINV2の出力端子との間に設けているが、トランジスタTr6のゲート端子とチップイネーブル端子CEとの間に設けてもよい。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the circuit of FIG. 1, the MOS transistor Tr8 is provided between the gate terminal of the transistor Tr6 and the output terminal of the inverter INV2, but may be provided between the gate terminal of the transistor Tr6 and the chip enable terminal CE. Good.

さらに、前記実施形態においては、電圧制御用トランジスタTr0としてMOSFETを使用したものを示したが、MOSFETの代わりにバイポーラ・トランジスタを使用するようにしてもよい。また、前記実施形態においては、電圧制御用トランジスタTr0としてオンチップの素子を使用した場合を示したが、このトランジスタには比較的大きな電流が流されるので、外付けの素子として接続するように構成しても良い。   Furthermore, in the above-described embodiment, a MOSFET is used as the voltage control transistor Tr0. However, a bipolar transistor may be used instead of the MOSFET. In the above embodiment, an on-chip element is used as the voltage control transistor Tr0. However, since a relatively large current flows through the transistor, the transistor is configured to be connected as an external element. You may do it.

また、前記実施例においては、出力電圧を分圧するブリーダ抵抗R1,R2をチップ内部に設けているが、外付け抵抗を設けてチップ外部で分圧された電圧を外部端子から誤差アンプ11へ入力させるように構成することも可能である。   In the above embodiment, the bleeder resistors R1 and R2 that divide the output voltage are provided inside the chip. However, an external resistor is provided and the voltage divided outside the chip is input from the external terminal to the error amplifier 11. It is also possible to configure it.

以上の説明では、本発明をシリーズレギュレータに適用した例を説明したが、本発明にそれに限定されるものではなく、例えばリチウムイオン電池等の二次電池の充電を行なう充電装置のようなレギュレータに利用することができる。   In the above description, the example in which the present invention is applied to a series regulator has been described. However, the present invention is not limited to the present invention. For example, the present invention is applied to a regulator such as a charging device that charges a secondary battery such as a lithium ion battery. Can be used.

10 レギュレータIC
11 誤差アンプ
12 バイアス回路
13 参照電圧発生回路
14 起動回路
CE 外部制御端子(チップイネーブル端子)
Tr0 電圧制御用トランジスタ
Tr2,Tr3 基準電圧回路
10 Regulator IC
11 Error amplifier 12 Bias circuit 13 Reference voltage generation circuit 14 Startup circuit CE External control terminal (chip enable terminal)
Tr0 Voltage control transistor Tr2, Tr3 Reference voltage circuit

Claims (5)

直流電圧が入力される電圧入力端子と出力端子との間に接続された電圧制御用素子と、出力のフィードバック電圧に応じて前記電圧制御用素子を制御する誤差アンプを含む制御回路と、前記誤差アンプに入力される参照電圧を生成する定電圧生成回路と、外部より前記制御回路のオン、オフを指示する制御信号が入力される外部制御端子とを備えたレギュレータ用半導体集積回路であって、
前記定電圧生成回路は、前記電圧入力端子または前記出力端子と接地電位端子との間に直列に接続されたデプレッション型MOSトランジスタからなる電流源と基準電圧回路を備え、前記電流源と前記基準電圧回路との接続ノードは、前記出力端子に出力される出力電圧の立ち上がり時間を調整するための外付けのコンデンサが接続可能な外部端子に接続され、
前記基準電圧回路は、デプレッション型MOSトランジスタとエンハンスメント型MOSトランジスタが直列に接続され、それらのトランジスタのしきい値電圧によって決定される電圧を前記参照電圧として出力するように構成されていることを特徴とするレギュレータ用半導体集積回路。
A voltage control element connected between a voltage input terminal to which a DC voltage is input and an output terminal; a control circuit including an error amplifier that controls the voltage control element in accordance with an output feedback voltage; and the error A regulator semiconductor integrated circuit comprising a constant voltage generation circuit for generating a reference voltage input to an amplifier, and an external control terminal for receiving a control signal for instructing on / off of the control circuit from the outside,
The constant voltage generation circuit includes a current source and a reference voltage circuit including a depletion type MOS transistor connected in series between the voltage input terminal or the output terminal and a ground potential terminal, and the current source and the reference voltage The connection node with the circuit is connected to an external terminal to which an external capacitor for adjusting the rise time of the output voltage output to the output terminal can be connected,
The reference voltage circuit is configured such that a depletion type MOS transistor and an enhancement type MOS transistor are connected in series, and a voltage determined by a threshold voltage of these transistors is output as the reference voltage. A semiconductor integrated circuit for regulators.
前記電流源および前記基準電圧回路は前記出力端子と接地電位端子との間に直列に接続されており、
前記電圧入力端子と、前記電流源と前記基準電圧回路との接続ノードと、の間に設けられ、前記制御信号がオンを指示する状態に変化する起動時に、前記電圧入力端子から前記接続ノードへ一時的に電流を流す起動回路が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のレギュレータ用半導体集積回路。
The current source and the reference voltage circuit are connected in series between the output terminal and a ground potential terminal,
Provided between the voltage input terminal and a connection node between the current source and the reference voltage circuit, and from the voltage input terminal to the connection node at start-up when the control signal changes to a state instructing ON. 2. The regulator semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a start-up circuit that allows current to flow temporarily.
外付けのコンデンサが接続される前記外部端子と接地電位端子との間には、前記外部制御端子に入力される制御信号がオフを指示する状態に変化する際にオン状態にされて、前記外部端子に接続されているコンデンサの電荷を放電するスイッチ素子が接続されていることを特徴とする請求項2に記載のレギュレータ用半導体集積回路。   Between the external terminal to which an external capacitor is connected and the ground potential terminal, the external control terminal is turned on when the control signal input to the external control terminal changes to the off instruction state, and the external 3. The regulator semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein a switching element for discharging the charge of the capacitor connected to the terminal is connected. 前記起動回路は、前記電圧入力端子と、前記電流源と前記基準電圧回路との接続ノードと、の間に直列形態に接続されたノーマリオンの第1のデプレッション型MOSトランジスタおよびゲート端子に前記制御信号に応じた電圧が印加されるエンハンスメント型MOSトランジスタを備え、
前記エンハンスメント型MOSトランジスタのゲート端子と接地電位端子との間には、前記誤差アンプに供給されるフィードバック電圧に応じて制御され参照電圧が立ち上がった後に前記エンハンスメント型MOSトランジスタをオンさせ、前記起動回路から流れる電流を遮断する第2スイッチ素子が接続されていることを特徴とする請求項3に記載のレギュレータ用半導体集積回路。
The start-up circuit controls the normally-on first depletion type MOS transistor and gate terminal connected in series between the voltage input terminal and a connection node between the current source and the reference voltage circuit. An enhancement type MOS transistor to which a voltage according to a signal is applied is provided,
Between the gate terminal of the enhancement type MOS transistor and the ground potential terminal, the enhancement type MOS transistor is turned on after a reference voltage is controlled and rises according to a feedback voltage supplied to the error amplifier, and the start circuit The regulator semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein a second switch element that cuts off a current flowing from the second switch element is connected.
前記エンハンスメント型MOSトランジスタのゲート端子と、前記外部制御端子もしくは該外部制御端子に入力される制御信号を反転する論理ゲート回路の出力端子と、の間には、ゲート端子とソース端子が結合された第2デプレッション型MOSトランジスタが接続されていることを特徴とする請求項4に記載のレギュレータ用半導体集積回路。   A gate terminal and a source terminal are coupled between the gate terminal of the enhancement type MOS transistor and the output terminal of the logic control circuit that inverts the control signal input to the external control terminal or the external control terminal. 5. The semiconductor integrated circuit for a regulator according to claim 4, wherein a second depletion type MOS transistor is connected.
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