JP5458785B2 - Method for manufacturing circuit protection element - Google Patents
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Description
本発明は、過電流が流れると回路を遮断して各種電子機器を保護する回路保護素子の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a circuit protection element that protects various electronic devices by interrupting a circuit when an overcurrent flows.
従来のこの種の回路保護素子の製造方法は、図4(a)に示すように、絶縁基板1の上面の両端部に一対の電極2を形成した後、この一対の上面電極2と電気的に接続されるエレメント部3を形成し、その後、このエレメント部3をレーザで切削して抵抗値調整用トリミング溝4を形成し、さらに、その後、図4(b)に示すように、エレメント部3をレーザで切削して溶断部形成用トリミング溝5を形成するようにしていた。
As shown in FIG. 4A, a conventional method for manufacturing a circuit protection element of this type is formed by forming a pair of
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
As prior art document information relating to the invention of this application, for example,
上記した従来の回路保護素子の製造方法においては、エレメント部3の抵抗値を測定しながら抵抗値調整用トリミング溝4をレーザで形成する場合、そのときに発生する熱によってエレメント部3の抵抗値が上昇するため、エレメント部3の理論値より高くなった抵抗値に基づいて抵抗値調整用トリミング溝4を形成することになり、これにより、精度の良い抵抗値が得られないという課題を有していた。
In the above-described conventional circuit protection element manufacturing method, when the resistance value adjusting trimming
本発明は上記従来の課題を解決するもので、高精度の抵抗値が得られる回路保護素子の製造方法を提供することを目的とするものである。 The present invention solves the above-described conventional problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a circuit protection element capable of obtaining a highly accurate resistance value.
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。 In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
本発明の請求項1に記載の発明は、絶縁基板の上面の両端部に一対の上面電極を形成するとともに前記絶縁基板に下地層を形成する工程と、前記一対の上面電極を橋絡し、かつ前記一対の上面電極と電気的に接続されるエレメント部を形成する工程と、このエレメント部にレーザによって溶断部形成用トリミング溝および抵抗値調整用トリミング溝を複数形成する工程と、前記エレメント部を覆うように絶縁層を形成する工程とを備え、前記複数の抵抗値調整用トリミング溝のうち最後に形成する抵抗値調整用トリミング溝の形成時のレーザ出射繰り返し周波数を、他の前記溶断部形成用トリミング溝の形成時のレーザ出射繰り返し周波数より低くなるように設定したもので、この製造方法によれば、抵抗値調整用トリミング溝の形成速度を遅くすることによって、抵抗値調整用トリミング溝を形成する際の発熱をエレメント部全体に拡散させることができるため、抵抗値調整用トリミング溝を形成する途中でエレメント部の抵抗値が上昇するのを低減させることができ、これにより、高精度の抵抗値が得られるという作用効果が得られるものである。
The invention according to
本発明の請求項2に記載の発明は、特に、前記複数の抵抗値調整用トリミング溝のうち最後に形成する抵抗値調整用トリミング溝の形成時のレーザ出射繰り返し周波数を、他の前記溶断部形成用トリミング溝の形成時のレーザ出射繰り返し周波数の1/10以下になるように設定したもので、この製造方法によれば、抵抗値調整用トリミング溝を形成する途中でエレメント部の抵抗値が上昇するのを大幅に低減させることができるため、より高精度の抵抗値が得られるという作用効果が得られるものである。
The invention according to
以上のように本発明の回路保護素子の製造方法は、エレメント部にレーザによって形成される複数の抵抗値調整用トリミング溝のうち最後に形成する抵抗値調整用トリミング溝の形成時のレーザ出射繰り返し周波数を、他の前記溶断部形成用トリミング溝の形成時のレーザ出射繰り返し周波数より低くなるように設定しているため、抵抗値調整用トリミング溝の形成速度を遅くすることができ、これにより、抵抗値調整用トリミング溝を形成する際の発熱をエレメント部全体に拡散させることができるため、抵抗値調整用トリミング溝を形成する途中でエレメント部の抵抗値が上昇するのを低減させることができ、これにより、高精度の抵抗値が得られるという優れた効果を奏するものである。 Manufacturing method of the circuit protection device of the present invention as described above, the last laser emission at the time of forming the resistance adjusting trimming groove formed among the plurality of resistors value adjustment trimming groove that will be formed by the laser element portion Since the repetition frequency is set to be lower than the laser emission repetition frequency when the other trimming grooves for forming the fusing part are formed, the formation speed of the resistance value adjusting trimming grooves can be slowed down. Since the heat generated when the resistance value adjusting trimming groove is formed can be diffused throughout the element portion, it is possible to reduce an increase in the resistance value of the element portion during the formation of the resistance value adjusting trimming groove. This provides an excellent effect that a highly accurate resistance value can be obtained.
以下、本発明の一実施の形態における回路保護素子について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, a circuit protection element according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明の一実施の形態における回路保護素子の一部切欠上面図、図2は図1のA−A線断面図である。 FIG. 1 is a partially cutaway top view of a circuit protection element according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
本発明の一実施の形態における回路保護素子は、図1、図2に示すように、絶縁基板11と、この絶縁基板11の上面の両端部に設けられた一対の上面電極12と、この一対の上面電極12を橋絡するように形成され、かつ前記一対の上面電極12と電気的に接続されるエレメント部13と、このエレメント部13と前記絶縁基板11との間に設けられた下地層14と、前記エレメント部13を覆うように設けられた絶縁層15とを備えた構成としているものである。
As shown in FIGS. 1 and 2, the circuit protection element according to the embodiment of the present invention includes an
また、前記エレメント部13には、第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝16a〜16fと一対の第1、第2の抵抗値調整用トリミング溝17a,17bが形成されるもので、これにより、エレメント部13は蛇行状となっている。なお、図1においては絶縁層15を省略している。
The
次に、本発明の一実施の形態における回路保護素子の製造方法について説明する。 Next, the manufacturing method of the circuit protection element in one embodiment of the present invention is explained.
図1、図2において、まず、Al2O3を96%含有するアルミナで方形状に構成された絶縁基板11の上面の両端部に、銀ペーストまたは銀を主成分とする銀パラジウム合金導体ペーストを印刷して焼成することにより一対の上面電極12を形成する。
1 and 2, first, silver paste or a silver-palladium alloy conductor paste containing silver as a main component is formed on both ends of the upper surface of an
次に、絶縁基板11の中央部に、有機溶剤と、珪藻土を50〜90体積%混合させた珪藻土およびシリコン樹脂の混合物とからなるペーストを印刷し、その後、150℃〜200℃程度で硬化させて有機溶剤を蒸発させることにより下地層14を形成する。
Next, a paste composed of an organic solvent and a mixture of diatomaceous earth and silicon resin mixed with 50 to 90% by volume of diatomaceous earth is printed on the central portion of the
なお、この下地層14は、熱伝導率が0.2W/m・K以下の珪藻土とシリコン樹脂で構成しているため、エレメント部13の熱が絶縁基板11内へ拡散するのを抑制することができ、これにより、応答性に優れた回路保護素子を得ることができる。
In addition, since this
また、前記下地層14は絶縁基板11の中央部だけでなく、一対の上面電極12の下面と重なるように、絶縁基板11の上面のほぼ全面に形成してもよい。このとき、下地層14を一対の上面電極12よりも先に形成する。
Further, the
次に、前記下地層14および一対の上面電極12の上面にエレメント部13を形成する。なお、このエレメント部13は一対の上面電極12間を橋絡して一対の上面電極12と電気的に接続されるように構成する。
Next, the
そして、このエレメント部13は、まず、Ti、Cuを順番にスパッタすることにより薄膜層13aを設け、その後、この薄膜層13aをめっき核として薄膜層13aの上面にNi、Cu、Agを順番に無電解めっきまたは電解めっきをしてめっき層13bを設けることにより形成されるものである。なお、このエレメント部13は薄膜層13aのみで形成してもよい。
The
次に、図3(a)に示すように、エレメント部13の中心部を、互いに対向するエレメント部13の側面からエレメント部13の中心方向に向かって交互にレーザで切削して6本の溶断部形成用トリミング溝(第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝)16a〜16fを順番に形成する。そして、通常、最も内側に形成された2本の第1、第2の溶断部形成用トリミング溝16a,16bで囲まれた領域が、過電流が印加されたときに溶融して遮断する溶断部18となる。また、この第1、第2の溶断部形成用トリミング溝16a,16bは互いにオーバーラップするように形成する。
Next, as shown in FIG. 3 (a), the center part of the
次に、図3(b)に示すように、溶断部形成用トリミング溝のうち最外部に位置する第5、第6の溶断部形成用トリミング溝16e,16fのさらに外側のエレメント部13のそれぞれに、抵抗値を測定しながら互いに対向するエレメント部13の側面からエレメント部13の中心方向に向かってレーザで切削して、第1の抵抗値調整用トリミング溝17a、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成し、そして、この第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝16a〜16fと第1、第2の抵抗値調整用トリミング溝17a,17bによってエレメント部13は蛇行状に形成する。
Next, as shown in FIG. 3B, each of the
このとき、第1の抵抗値調整用トリミング溝17aを形成した後、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成することにより抵抗値の微調整を行うようにしている。また、最後に形成する第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時のレーザ出射繰り返し周波数は、第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝16a〜16f、第1の抵抗値調整用トリミング溝17aの形成時のレーザ出射繰り返し周波数より低くなるように設定しているもので、例えば、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時のレーザ出射繰り返し周波数を1kHzとした場合、他のトリミング溝16a〜16f、17aの形成時のレーザ出射繰り返し周波数は10kHzとしている。なお、周波数とは、レーザ光線自体の周波数ではなく、1秒間にレーザが出射される回数をいう。
At this time, after the first resistance value adjusting trimming
そしてこの場合、第1の溶断部形成用トリミング溝16aが形成された同じエレメント部13の側面から第3、第5の溶断部形成用トリミング溝16c,16e、第1の抵抗値調整用トリミング溝17aが形成され、かつ第2の溶断部形成用トリミング溝16bが形成された同じエレメント部13の側面から第4、第6の溶断部形成用トリミング溝16d,16f、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bが形成されるもので、すなわち、第1の溶断部形成用トリミング溝16aの左側に、第1の溶断部形成用トリミング溝16aから近い順に、第4、第5の溶断部形成用トリミング溝16d,16e、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの3本を形成し、そして、第2の溶断部形成用トリミング溝16bの右側に、第2の溶断部形成用トリミング溝16bから近い順に、第3、第6の抵抗値調整用トリミング溝16c,16f、第1の抵抗値調整用トリミング溝17aの3本を形成している。
In this case, the third and fifth fusing part forming
なお、上記図1、図2、図3(a)(b)においては、溶断部形成用トリミング溝を6本形成したものについて説明したが、他の本数でも構わない。この場合、少なくとも2本の第1、第2の溶断部形成用トリミング溝16a,16bは形成して溶断部18を構成する必要がある。また、抵抗値調整用トリミング溝は2本形成したものについて説明したが、他の本数でも構わない。さらに、第1の抵抗値調整用トリミング溝17aも第2の抵抗値調整用トリミング溝17bと同様に、第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝16a〜16fの形成時のレーザ出射繰り返し周波数より低いレーザ出射繰り返し周波数で形成してもよい。
1, 2, 3 (a) and 3 (b), the description has been given of the case where six fusing part forming trimming grooves are formed, but other numbers may be used. In this case, it is necessary to form the
そして、図3(b)においては、第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝16a〜16f、第1、第2の抵抗値調整用トリミング溝17a,17bの先端部を、エレメント部13の短手方向の中央部(図1のA−A線)より対向するエレメント部13の側面の側に設けているが、必ずしもその必要はない。また、第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝16a〜16f、第1の抵抗値調整用トリミング溝17aの長さは略同一となっているが、それぞれの長さは違っていてもよい。一方、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bで抵抗値の微調整をするようにしていることから、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの長さは、他のトリミング溝の長さと異なる場合が多い。
3B, the first to sixth fusing part forming trimming
次に、シリコン等の樹脂を少なくとも溶断部18を覆うように形成して第1の絶縁層15aを設ける。その後、この第1の絶縁層15aの上面にエポキシ等の樹脂を少なくともエレメント部13を覆うように形成して第2の絶縁層15bを設けることにより、2層からなる絶縁層15を形成する。なお、図3(a)(b)では絶縁層15を省略している。
Next, a first insulating
次に、絶縁基板11の両端部においてエレメント部13の一部と重なるように樹脂銀ペーストを塗布して硬化させることにより端面電極層19を形成する。なお、この端面電極層19はスパッタ等の薄膜プロセスによって形成してもよい。
Next, the end
最後に、前記端面電極層19の表面に、ニッケルと錫の2層構造からなるめっき膜(図示せず)を形成して、本発明の一実施の形態における回路保護素子を製造するものである。
Finally, a plating film (not shown) having a two-layer structure of nickel and tin is formed on the surface of the end
なお、シート状の絶縁基板に複数のエレメント部13を形成し、その後分割して複数の回路保護素子を構成するようにすれば、生産性を向上させることができる。
Note that productivity can be improved if a plurality of
上記したように本発明の一実施の形態においては、一対の抵抗値調整用トリミング溝17a,17bのうち最後に形成する1本の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時のレーザ出射繰り返し周波数を、溶断部形成用トリミング溝16a〜16fの形成時のレーザ出射繰り返し周波数より低くなるように設定しているため、同じバイトサイズの場合、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成速度(レーザの移動速度)を他のトリミング溝16a〜16f、17aの形成速度より遅くすることができ、これにより、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成する際の発熱をエレメント部13全体に拡散させることができるため、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成する途中でエレメント部13の抵抗値が上昇するのを低減させることができ、これにより、高精度の抵抗値が得られるという効果が得られるものである。
As described above, in one embodiment of the present invention, the laser emission repetition frequency at the time of forming one resistance value adjusting
すなわち、レーザを照射してトリミング溝を形成するとエレメント部13が発熱してしまうが、最後に形成し抵抗値の微調整を行う第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成速度を遅くすれば、ある地点をレーザ照射したときに発生した熱は次の地点を照射するときには、エレメント部13全体に逃げているため、エレメント部13は高温とならない。そして、このエレメント部13が高温にならないことから、エレメント部13の抵抗値は理論値に近づくため、所定の抵抗値になるようにエレメント部13の抵抗値を測定しながら抵抗値調整用トリミング溝17bを形成した場合でも、所定の抵抗値に極めて近い抵抗値になるように第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成することができる。なお、レーザを出射している時間は同じで、レーザ出射繰り返し周波数が異なる場合は休止時間が異なることになる。したがって、上記した第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時のようにレーザ出射繰り返し周波数が低い場合は、休止時間が長くなり、冷却され易くなる。
That is, when the trimming groove is formed by irradiating the laser, the
また、本発明の回路保護素子では、エレメント部13の下面は熱伝導率の良いアルミナで構成された絶縁基板11が直接形成されておらず、熱伝導率の悪い下地層14に直接形成されているため、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bをエレメント部13に形成する際に発生する熱のほとんどは絶縁基板11側には逃げることはない。したがって、上記したように第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成速度を遅くすることによってエレメント部13が高温にならないようにすることが効果的であるといえる。
In the circuit protection element of the present invention, the lower surface of the
さらに、他の第1〜第6の溶断部形成用トリミング溝16a〜16fおよび第1の抵抗値調整用トリミング溝17aは、抵抗値の微調整に対しては効果はないため、遅い速度で形成する必要はなく、また、早い速度で形成した場合は、生産性が低下するのを防ぐことができる。
Furthermore, the other first to sixth fusing part forming trimming
さらにまた、シート状の絶縁基板に金属を当接しながら第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成すれば、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成する際にエレメント部13の抵抗値が上昇するのを低減させることができる。そして、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成速度を遅くするとき、レーザのパワーを小さく(エレメント部13を貫通できる程度に大きくする)すれば、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時のエレメント部13の温度上昇をより効果的に抑えることができる。
Furthermore, if the second resistance value adjusting
なお、前記第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時のレーザ出射繰り返し周波数を、溶断部形成用トリミング溝16a〜16fの形成時のレーザ出射繰り返し周波数の1/10以下になるように設定した場合は、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成する途中でエレメント部13の抵抗値が上昇するのを大幅に低減させることができるため、より高精度の抵抗値が得られるものである。
The laser emission repetition frequency when forming the second resistance value adjusting
また、製品が小型化すれば、レーザの照射による熱で高温になり易いため、本発明の一実施の形態のように、最後に形成し抵抗値の微調整を行う第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時のレーザ出射繰り返し周波数を低くすることによって、形成速度を遅くすることは特に有効となる。
Further, if the product is downsized, it is likely to become high temperature due to heat from laser irradiation. Therefore, as in the embodiment of the present invention, the second resistance value adjustment for fine adjustment of the resistance value that is formed last is performed. It is particularly effective to reduce the formation speed by lowering the laser emission repetition frequency when forming the trimming
そして、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bの形成時にエレメント部13の温度上昇を抑える方法として、同時にエアーを吹き付けたり、抵抗値測定に使用するプローブを熱伝導の良い材料で構成したり、下地層14を溶断部18のみの下面に形成したりする方法がある。そして、第1の抵抗値調整用トリミング溝17a形成直後の温度の影響を受けてエレメント部13の抵抗値が上昇した状態で第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成するのを防ぐには、シート状の絶縁基板に形成された複数のエレメント部13に第1の抵抗値調整用トリミング溝17aまで全て形成した後、第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを1個ずつ形成すればよい。この方法によれば、第1の抵抗値調整用トリミング溝17aの形成後第2の抵抗値調整用トリミング溝17bまでの時間がかかるため、第1の抵抗値調整用トリミング溝17a形成直後の温度が十分下がってから第2の抵抗値調整用トリミング溝17bを形成できる。
And as a method of suppressing the temperature rise of the
本発明に係る回路保護素子の製造方法は、高精度の抵抗値が得られるという効果を有するものであり、特に過電流が流れると回路を遮断して各種電子機器を保護する回路保護素子等において有用となるものである。 The method of manufacturing a circuit protection element according to the present invention has an effect that a highly accurate resistance value can be obtained. In particular, in a circuit protection element that protects various electronic devices by interrupting the circuit when an overcurrent flows. It will be useful.
11 絶縁基板
12 上面電極
13 エレメント部
14 下地層
15 絶縁層
16a〜16f 溶断部形成用トリミング溝
17a,17b 抵抗値調整用トリミング溝
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