JP5453824B2 - Organic EL device and method for manufacturing the same - Google Patents
Organic EL device and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP5453824B2 JP5453824B2 JP2009021390A JP2009021390A JP5453824B2 JP 5453824 B2 JP5453824 B2 JP 5453824B2 JP 2009021390 A JP2009021390 A JP 2009021390A JP 2009021390 A JP2009021390 A JP 2009021390A JP 5453824 B2 JP5453824 B2 JP 5453824B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low molecular
- ether compound
- hole transport
- layer
- transport layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 48
- -1 ether compound Chemical class 0.000 claims description 98
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 68
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 54
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 15
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 12
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 7
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 claims description 7
- FULDPTBMZFLVHV-UHFFFAOYSA-N 1-N,1-N,3-N,3-N,5-N,5-N-hexakis[4-(4-methylphenyl)phenyl]benzene-1,3,5-triamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)C=C1 FULDPTBMZFLVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2,3-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1C BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 2
- HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxyethoxy)propane Chemical compound CCCOCCOCCC HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGZCLRWCEUBEGO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propan-2-yloxyethoxy)propane Chemical compound CC(C)OCCOC(C)C MGZCLRWCEUBEGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWGJJEBPCVMBIG-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethoxy]propane Chemical compound CC(C)(C)OCCOC(C)(C)C KWGJJEBPCVMBIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWPKTBMRVATCBL-UHFFFAOYSA-N 3-[1-[1-[(2-methylphenyl)methyl]piperidin-4-yl]piperidin-4-yl]-1h-benzimidazol-2-one Chemical compound CC1=CC=CC=C1CN1CCC(N2CCC(CC2)N2C(NC3=CC=CC=C32)=O)CC1 CWPKTBMRVATCBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Nb+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Nb+5] OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl ether Chemical compound CC(C)(C)OC(C)(C)C AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、低分子ホール輸送材料と高分子発光層を用いた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子およびその製造方法に関し、特に、車載用表示素子として好適に用いることができる。 The present invention relates to an organic EL (electroluminescence) element using a low-molecular-weight hole transport material and a polymer light-emitting layer and a method for producing the same, and in particular, can be suitably used as an in-vehicle display element.
従来より、低分子型有機EL素子と高分子型有機EL素子がある。低分子型有機EL素子とする場合、高温耐久性が高く長寿命な有機EL素子の形成が可能である反面、真空蒸着装置(真空蒸着チャンバー)が何台も連なった大型の装置が必要となるため、製造コストが非常に高くなるという問題がある。一方、高分子型有機EL素子とする場合、製造プロセス中必要となる真空蒸着工程は陰極形成工程のみであり、それ以外は非真空プロセスを用いることができるので製造コストを低くすることが可能になる。しかしながら、その反面、PEDOT:PSSなどの高分子ホール輸送層の不安定さに起因した高温耐久性の低さ、短寿命、駆動に伴う電圧上昇といった問題が存在する。 Conventionally, there are a low molecular weight organic EL element and a high molecular weight organic EL element. In the case of a low molecular type organic EL element, it is possible to form an organic EL element having a high temperature durability and a long life, but on the other hand, a large apparatus in which a number of vacuum deposition apparatuses (vacuum deposition chambers) are connected is required. Therefore, there is a problem that the manufacturing cost becomes very high. On the other hand, in the case of a polymer type organic EL device, the vacuum deposition step required during the manufacturing process is only the cathode forming step, and other than that, a non-vacuum process can be used, so that the manufacturing cost can be reduced. Become. On the other hand, however, there are problems such as low high-temperature durability, short life, and voltage increase due to driving due to instability of the polymer hole transport layer such as PEDOT: PSS.
車載表示素子、特にセグメント表示素子として用いるには低コストで高温耐久性が高く長寿命な有機EL素子が必要であるため、このままでは双方共に用いることは困難である。 In order to use it as an in-vehicle display element, particularly as a segment display element, an organic EL element having low cost, high temperature durability and long life is required, so that it is difficult to use both as it is.
このため、真空蒸着法で形成される低分子ホール輸送層と塗布法で形成される高分子発光層との積層構造を採用することにより、上記したそれぞれの問題を解決した有機EL素子が考えられている。ところが、低分子ホール輸送層と高分子発光層とが接触した状態になっていると、高分子塗布液の溶媒に低分子ホール輸送層を構成する低分子材料が溶けてしまう。 For this reason, an organic EL device that solves each of the above problems by adopting a laminated structure of a low molecular hole transport layer formed by a vacuum deposition method and a polymer light emitting layer formed by a coating method is considered. ing. However, when the low molecular hole transport layer and the polymer light emitting layer are in contact with each other, the low molecular material constituting the low molecular hole transport layer is dissolved in the solvent of the polymer coating solution.
そこで、特許文献1において、高分子塗布液の溶媒に低分子ホール輸送層を構成する低分子材料が溶け難くなる構造の有機EL素子が提案されている。具体的には、低分子ホール輸送材料にシロキサン骨格を有する架橋性有機化合物、シランカップリング化合物を含む架橋性有機化合物、もしくは二重結合基、エポキシ基及び環状エーテル基のうち少なくとも1種類を含む架橋性有機化合物を混合させて蒸着し、蒸着後に熱重合、光重合、電子線重合させることで難溶化して、高分子塗布液の溶媒に低分子材料が溶け難くなるようにしている。
Therefore,
また、有機塗布膜の溶媒への難溶化技術としては、フォトリソグラフィー法で用いられている感光性塗布液を用いた光重合による難溶化も知られている。 In addition, as a technique for making an organic coating film hardly soluble in a solvent, it is also known that the organic coating film is hardly soluble by photopolymerization using a photosensitive coating solution used in a photolithography method.
しかしながら、特許文献1に示されるように蒸着後に熱重合、光重合、電子線重合させることによる難溶化や、感光性塗布液を用いた光重合による難溶化の手法では、不安定な架橋性官能基を含む材料を用いる必要があるために素子特性が不安定になり易い。また、重合し切れなかったラジカルが膜中に残存してしまうために短寿命化し易い。
However, as shown in
本発明は上記点に鑑みて、低分子ホール輸送層と高分子発光層とを積層する構造を採用しつつ、低分子ホール輸送層が高分子発光層に溶けることを抑制すると共に、素子特性の安定化および寿命向上を図ることができる有機EL素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above points, the present invention employs a structure in which a low molecular hole transport layer and a polymer light emitting layer are laminated, while suppressing the low molecular hole transport layer from being dissolved in the polymer light emitting layer, An object of the present invention is to provide an organic EL device capable of stabilizing and improving the lifetime and a method for producing the same.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、電極基板(1)と、電極基板(1)の上に形成されたホール注入電極(2)と、ホール注入電極(2)の上に形成され、低分子材料にて構成された低分子ホール輸送層(3)と、低分子ホール輸送層(3)をエーテル化合物にて表面処理することで形成され、エーテル化合物と前記低分子材料とが化学反応して生成された反応化合物にて構成された難溶化層(4)と、難溶化層(4)の表面に形成され、高分子材料にて構成された高分子発光層(5)と、高分子発光層(5)の上に形成された電子注入電極(6)と、を有することを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, an electrode substrate (1), a hole injection electrode (2) formed on the electrode substrate (1), and a hole injection electrode (2) A low molecular hole transport layer (3) formed of a low molecular material and a surface treatment of the low molecular hole transport layer (3) with an ether compound , the ether compound and the low molecular material And a slightly soluble layer (4) composed of a reaction compound produced by a chemical reaction with the polymer light emitting layer (5) formed on the surface of the hardly soluble layer (4) and composed of a polymer material. And an electron injection electrode (6) formed on the polymer light emitting layer (5).
このように、低分子ホール輸送層(3)をエーテル化合物にて表面処理することでエーテル化合物と前記低分子材料とが化学反応して生成された反応化合物にて構成された難溶化層(4)を形成することができる。この難溶化層(4)により、低分子ホール輸送層(3)の構成材料が高分子発光層(5)に溶け出すことを防止できる。したがって、低分子ホール輸送層(3)と高分子発光層(5)とを積層する構造を採用しつつ、低分子ホール輸送層(3)が高分子発光層(5)に溶けることを抑制すると共に、素子特性の安定化および寿命向上を図ることができる。 In this manner, the low-molecular hole transport layer (3) is surface-treated with an ether compound so that the poorly-solubilized layer (4 ) composed of a reaction compound generated by a chemical reaction between the ether compound and the low-molecular material. ) Can be formed. This hardly soluble layer (4) can prevent the constituent material of the low molecular hole transport layer (3) from being dissolved into the polymer light emitting layer (5). Therefore, the low molecular hole transport layer (3) is prevented from being dissolved in the polymer light emitting layer (5) while adopting a structure in which the low molecular hole transport layer (3) and the polymer light emitting layer (5) are laminated. At the same time, the device characteristics can be stabilized and the life can be improved.
また、低分子ホール輸送層(3)の構成材料としては、エーテル化合物と比較的高い分子間相互作用効果が得られるホール輸送性の高いトリフェニルアミン誘導体材料を用いることができる。また、低分子材料をN, N, N', N',N'',N''-Hexakis-(4'-methyl-biphenyl-4-yl)-benzene -1,3,5-triamine、エーテル化合物をジブチルエーテルとすることができ、難溶化層(4)が、X線電子分光スペクトルによる01sスペクトルにおいて、531eVから533eVの間のエーテル化合物に由来するピークと、529eVから531eVの間のエーテル化合物との反応化合物に由来するピークを有し、531eVから533eVの間のエーテル化合物に由来するピーク高さが529eVから531eVの間のエーテル化合物との反応化合物に由来するピーク高さよりも小さくされるようにしている。 Also, the material for the low-molecular hole transport layer (3), can be used d ether compound and a relatively high high intermolecular interaction effect of hole transport property obtained triphenylamine derivative material. In addition, low molecular weight materials such as N, N, N ', N', N '', N ''-Hexakis- (4'-methyl-biphenyl-4-yl) -benzene-1,3,5-triamine, ether The compound can be dibutyl ether, and the hardly soluble layer (4) has a peak derived from an ether compound between 531 eV and 533 eV and an ether compound between 529 eV and 531 eV in the 01 s spectrum by X-ray electron spectroscopy. So that the peak height derived from the ether compound between 531 eV and 533 eV is smaller than the peak height derived from the reaction compound with the ether compound between 529 eV and 531 eV. I have to.
請求項2ないし4に記載の発明は、上記請求項1に記載の発明の製造方法に関するものである。
The invention described in
具体的には、請求項2に記載したように、電極基板(1)を用意し、該電極基板(1)の上にホール注入電極(2)を形成する工程と、ホール注入電極(2)の上に、低分子材料にて構成された低分子ホール輸送層(3)を形成する工程と、低分子ホール輸送層(3)をエーテル化合物にて表面処理することでエーテル化合物と前記低分子材料とが化学反応して生成された反応化合物にて構成された難溶化層(4)を形成する工程と、難溶化層(4)の表面に、高分子材料にて構成された高分子発光層(5)を形成する工程と、高分子発光層(5)の上に電子注入電極(6)を形成する工程と、し、低分子ホール輸送層(3)を形成する工程では、低分子ホール輸送層(3)の構成材料としてトリフェニルアミン誘導体材料を用いると共に、低分子材料として、N, N, N', N', N'',N''-Hexakis-(4'-methyl-biphenyl -4-yl)-benzene-1,3,5-triamine を用い、難溶化層(4)を形成する工程として、エーテル化合物として、ジブチルエーテルを用い、難溶化層(4)として、X線電子分光スペクトルによる01sスペクトルにおいて、531eVから533eVの間のエーテル化合物に由来するピークと、529eVから531eVの間のエーテル化合物との反応化合物に由来するピークを有するものを形成する工程を有する製造方法により、請求項1に記載の有機EL素子を製造することができる。
Specifically, as described in
このように、低分子ホール輸送層(3)をエーテル化合物にて表面処理することでエーテル化合物と前記低分子材料とが化学反応して生成された反応化合物にて構成された難溶化層(4)を形成することができる。表面処理によって構成される難溶化層(4)の詳細構造に関しては定かではないが、低分子ホール輸送層(3)の表面にエーテル化合物がフィルム状にコーティングされた状態、低分子ホール輸送層(3)内にエーテル化合物を構成する分子が取り込まれて低分子材料との混合物となっている状態、もしくは、低分子ホール輸送層(3)を構成する低分子材料と化学反応してエーテル化合物となった状態のいずれかと想定される。このような製造方法により、請求項1に記載の有機EL素子を製造することができる。
In this manner, the low-molecular hole transport layer (3) is surface-treated with an ether compound so that the poorly-solubilized layer (4 ) composed of a reaction compound generated by a chemical reaction between the ether compound and the low-molecular material. ) Can be formed. Although the detailed structure of the poorly soluble layer (4) constituted by the surface treatment is not clear, the low molecular hole transport layer (3) is coated with an ether compound on the surface of the low molecular hole transport layer (3). 3) The state in which the molecules constituting the ether compound are incorporated into the mixture with the low molecular material, or the chemical reaction with the low molecular material constituting the low molecular hole transport layer (3) It is assumed that either By such a manufacturing method, the organic EL element according to
例えば、請求項3に記載したように、難溶化層(4)を形成する工程では、低分子ホール輸送層(3)の表面に対してエーテル化合物を含む溶液を塗布もしくはその溶液に浸漬することで難溶化層(4)を形成することができる。また、請求項4に記載したように、難溶化層(4)を形成する工程では、低分子ホール輸送層(3)の表面を、エーテル化合物を含む蒸気中に曝すことで難溶化層(4)を形成することもできる。
For example, as described in
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1は、本発明の実施形態に係る有機EL素子100の構成を示す概略断面図である。この図に示されるように、基板1の上に、ホール注入電極2、低分子ホール輸送層3、難溶化層4、高分子発光層5および電子注入電極6が順に積層された構造により、本実施形態にかかる有機EL素子100が構成されている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of an
このような構造の有機EL素子100は、例えば次のようにして製造される。まず、基板1の上にホール注入電極2を形成したのち、低分子ホール輸送層3を真空蒸着法により形成する。続いて、低分子ホール輸送層3の表面にエーテル化合物による表面処理を行うことにより、低分子ホール輸送層3と高分子発光層5の界面に難溶化層4を形成する。そして、高分子発光層5を塗布法にて形成したのち、電子注入電極6を真空蒸着法にて形成する。最後に、乾燥窒素雰囲気中にて図示しない金属缶の貼り合わせによる封止を行うことにより、図1に示す有機EL素子100が製造される。各工程間の搬送方法は特に限定されるものではないが、乾燥雰囲気中での搬送であることが望ましい。
The
なお、エーテル化合物による表面処理、高分子発光層の形成及び封止工程は限定されるものではないがグローブボックス等の乾燥不活性ガス雰囲気中で行われることが望ましい。また、封止方法は金属缶による封止以外にも、ガラスもしくはバリア付きフィルムの貼り合わせによる封止やシリコン窒化膜などの薄膜を直接形成する薄膜封止手法など様々な封止手法が適用可能である。 The surface treatment with the ether compound, the formation of the polymer light emitting layer, and the sealing step are not limited, but it is desirable to be performed in a dry inert gas atmosphere such as a glove box. In addition to sealing with metal cans, various sealing methods such as sealing by bonding glass or a film with a barrier, and thin film sealing methods for directly forming a thin film such as a silicon nitride film can be applied. It is.
基板1は、例えば、透明なガラス、石英ガラス、バリア膜付きの樹脂基板や金属基板等よりなる電極基板で構成されている。
The
ホール注入電極2は、透明または半透明の電極を形成することのできる任意の導電性物質にて形成されている。具体的には、酸化物として酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化亜鉛アルミニウム、酸化亜鉛ガリウム、酸化チタンニオブ等を使用することができる。ただし、それらのうちでも特にITOは、低抵抗であること、耐溶剤性があること、透明性に優れていることなどの利点を有する好適な材料である。更に、アルミニウム、金、銀等の金属材料を蒸着して半透明の層を成膜する方法や、ポリアニリン等の有機半導体を用いる方法もあり、更に、その他の方法を用いることも可能である。ホール注入電極に対しては、必要に応じてエッチングによりパターニングを行っても良いし、UV処理やプラズマ処理などにより表面の活性化を行ってもよい。
The
低分子ホール輸送層3は、エーテル化合物と比較的高い分子間相互作用効果が得られるホール輸送性の高いトリフェニルアミン誘導体材料であることが望ましい。高分子発光層5を形成するための高分子材料塗布後に行われる溶媒乾燥工程において通常は120℃程度の加熱が行われるが、この加熱工程が低分子材料のガラス転移点を超えると低分子材料の凝集による界面荒さの増大や両者の混合などが起こって特性が悪化してしまうので、低分子材料のガラス転移点が高分子材料塗布後の溶媒乾燥温度以上、すなわち120℃以上の材料を低分子ホール輸送層3として用いるのが好ましい。これら条件を満たすものとして、具体的には、化学式3〜7に示す材料があげられる。
The low molecular
化学式3は、N, N, N', N', N'', N''-Hexakis-(4'-methyl-biphenyl-4-yl)-benzene-1,3,5-triamine (分子量1119、ガラス転移点 観測されず、融点402℃)、化学式4は、N, N, N', N',-Tetrakis-(4'-methyl-biphenyl-4-yl)- N'', N'',-biskis-(4'-methyl-phenyl)benzene -1,3,5-triamine (分子量976、ガラス転移点180℃)、化学式5は、t-Bu-TBATA(N, N, N', N', N'', N''-Hexakis(4'-tert-butylbiphenyl-4-yl)-tris(4-aminophenyl)amine)(分子量1540、ガラス転移点203℃)、化学式6は、Spiro-1-TAD(2,2',7,7'-tetrakis(diphenylamino)spiro-9,9'-bifluorene)(分子量973、ガラス転移点133℃)、化学式7は、TBPB(分子量793、ガラス転移点131.8℃)を表している。なお、ここでは化学式3〜7に示されたトリフェニルアミン誘導体材料の具体例に挙げたが、これら具体例に限定されるものではない。このような低分子ホール輸送層3に関しては、例えば、真空中にて低分子材料を加熱蒸発させて薄膜を形成する真空蒸着法により形成することができる。
Chemical formula 3 is N, N, N ′, N ′, N ″, N ″ -Hexakis- (4′-methyl-biphenyl-4-yl) -benzene-1,3,5-triamine (molecular weight 1119, Glass transition point not observed, melting point 402 ° C.), chemical formula 4 is N, N, N ′, N ′, -Tetrakis- (4′-methyl-biphenyl-4-yl) -N ″, N ″, -biskis- (4'-methyl-phenyl) benzene-1,3,5-triamine (molecular weight 976, glass transition point 180 ° C), chemical formula 5 is t-Bu-TBATA (N, N, N ', N' , N ″, N ″ -Hexakis (4′-tert-butylbiphenyl-4-yl) -tris (4-aminophenyl) amine) (molecular weight 1540, glass transition point 203 ° C.), chemical formula 6 is Spiro-1- TAD (2,2 ′, 7,7′-tetrakis (diphenylamino) spiro-9,9′-bifluorene) (molecular weight 973, glass transition point 133 ° C.), chemical formula 7 is TBPB (molecular weight 793, glass transition point 131. 8 ° C.). In addition, although it mentioned to the specific example of the triphenylamine derivative material shown by Chemical formula 3-7 here, it is not limited to these specific examples. Such a low molecular
また、低分子ホール輸送層3の構成材料の昇華温度は、真空度1Pa時において300℃以上であることが望ましい。これは、昇華温度が300℃より低いと、10-5Pa以下の高真空下で蒸着膜を形成する場合に蒸着温度が200℃以下になり、蒸着速度を制御することが困難になって、均一な膜密度の蒸着膜を形成することができないためである。
The sublimation temperature of the constituent material of the low molecular
低分子ホール輸送層3の形成手法として真空蒸着法を例に挙げたが、真空蒸着法以外にも、インクジェットや印刷やスピンコート等の塗布法、レーザー転写(LITI)法、気相成長法などを用いても構わない。ただし、有機EL素子の車載化のためには低分子ホール輸送層3の品質が重要であり、形成された膜の純度・密度・平坦性などを考えると最も高品質な膜が得られる真空蒸着法での形成が最も望ましい。さらに、形成された低分子ホール輸送層をさらに高品質化するために熱処理を行っても良い。
Although the vacuum vapor deposition method was mentioned as an example of the formation method of the low molecular
なお、ここでは、低分子ホール輸送層3を単層ホール注入電極2の上に形成した場合について説明したが、必ずしも単層構造にする必要はない。例えば、最も高分子発光層5側にエーテル化合物処理効果の高い低分子ホール輸送層を配置すると共に、この下に、より低コストもしくはホール移動度のより高い低分子ホール輸送層を配置したり、ホール注入効率のより高いホール注入層を積層した構造としても良い。このような構造にすることで有機EL素子のさらなる低コスト化や駆動電圧低減が可能となる。
Although the case where the low molecular
難溶化層4は、上述したように、低分子ホール輸送層3の表面にエーテル化合物による表面処理を行うことにより形成される。図2に、化学式3で示される低分子材料からなる低分子ホール輸送層3を真空蒸着法で形成した後、1,1'-ジブチルエーテルにより表面処理を行って形成された難溶化層表面のX線電子分光スペクトルを示す。エーテル化合物由来のピークに加えて、エーテル化合物と低分子材料の反応由来のピークが検出されたことから、エーテル化合物と低分子ホール輸送層3を構成する低分子材料との反応化合物が難溶化層構成材料であると考えられる。
As described above, the hardly
難溶化層4を形成するための表面処理に用いられるエーテル化合物としては、含まれる炭素原子数が5以上15以下であることが望ましい。さらに、下記の化学式1もしくは化学式2で示される化合物であって、R1、R2、R3が炭素原子数2以上6以下のアルキル基であることが望ましい。
As an ether compound used for the surface treatment for forming the poorly
(化1) R1−O−R2
(化2) R1−O−R2−O−R3
この条件を満たすエーテル化合物は、低分子ホール輸送層材料に対して高い分子間相互作用を示し、そのためこれにより処理された低分子ホール輸送層表面は高い溶媒難溶性を示す。また、エーテル化合物の沸点は50℃以上250℃以下であることが望ましい。沸点が50℃未満ではエーテル化合物がすぐ揮発してしまうため、十分な難溶化層4を形成できない可能性があり、沸点が250℃より高いと表面処理を行った後余分なエーテル化合物を除去するのに長時間高温での処理が必要となり生産性が低下するためである。
(Chemical formula 1) R1-O-R2
(Chemical Formula 2) R1-O-R2-O-R3
An ether compound that satisfies this condition exhibits a high intermolecular interaction with the low molecular hole transport layer material, and thus the surface of the low molecular hole transport layer treated thereby exhibits a high solvent solubility. The boiling point of the ether compound is desirably 50 ° C. or higher and 250 ° C. or lower. If the boiling point is less than 50 ° C., the ether compound will be volatilized immediately, so there is a possibility that a sufficiently poorly
これらの条件を満たす具体例としてはジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル等が挙げられる。さらに具体的にはジプロピルエーテルとして1,1'-ジプロピルエーテル、ジ-iso-プロピルエーテル等、ジブチルエーテルとして1,1'-ジブチルエーテル、2,2'-ジブチルエーテル、ジ-tert-ブチルエーテル等、ジペンチルエーテルとして1,1'-ジペンチルエーテル、2,2'-ジペンチルエーテル、3,3'-ジペンチルエーテル等、ジヘキシルエーテルとして1,1'-ジヘキシルエーテル、2,2'-ジヘキシルエーテル、3,3'-ジヘキシルエーテル等、エチレングリコールジプロピルエーテルとしてエチレングリコール-1,1'-ジプロピルエーテル、エチレングリコールジ-iso-プロピルエーテル等、エチレングリコールジブチルエーテルとしてエチレングリコール-1,1'-ジブチルエーテル、エチレングリコール-2,2'-ジブチルエーテル、エチレングリコールジ-tert-ブチルエーテル等が挙げられる。
Specific examples satisfying these conditions include dipropyl ether, dibutyl ether, dipentyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dipropyl ether, ethylene glycol dibutyl ether and the like. More specifically, 1,1'-dipropyl ether, di-iso-propyl ether, etc. as dipropyl ether, 1,1'-dibutyl ether, 2,2'-dibutyl ether, di-tert-butyl ether as
難溶化層4を形成するためのエーテル化合物による低分子ホール輸送層3の表面処理方法としては、エーテル化合物を含む溶液をスピンコート法、ディップ法、スプレー法等で塗布する手法、もしくは溶液に浸漬する手法、エーテル化合物を含む蒸気中に曝す手法などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、量産性などを考慮すると前述の手法が望ましい。
As a surface treatment method of the low molecular weight
また、表面処理を行った後、表面に存在する余剰エーテル化合物を除去するために、アルコールや炭化水素系溶媒で低分子ホール輸送層の表面を洗浄するか低分子ホール輸送層3を加熱しても良い。このように、余剰エーテル化合物を除去することも可能であるため、エーテル化合物を含む溶液の濃度やエーテル化合物の蒸気濃度は、低分子ホール輸送層3の材料の分子構造を変質させない限り、特に限定されない。また、エーテル化合物による表面処理を行った低分子ホール輸送層3上に高分子発光層5を形成した後、加熱処理を行うことでエーテル化合物を揮発除去してもよい。加熱処理温度は低分子ホール輸送材料のガラス転移点以下、ガラス転移点がない場合は融点以下にすることが望ましい。これにより界面に残存する異種化合物であるエーテル化合物の量を減少させられるために、駆動電圧のさらなる低減や長寿命化が可能となる。但し、エーテル化合物を揮発させる場合に、低分子ホール輸送材料とエーテル化合物との間の反応性結合の一部が分解し難溶性が低下する場合があるため、効果を発現させるためには発光層塗布液溶媒への溶解度の低い低分子ホール輸送材料との組み合わせが望ましい。
In addition, after the surface treatment, the surface of the low molecular hole transport layer is washed with alcohol or a hydrocarbon solvent or the low molecular
さらに、難溶化効果をさらに強固なものにするために、熱処理を行っても良い。ただし、熱処理温度は低分子ホール輸送層3を構成する低分子材料のガラス転移点以下、ガラス転移点がない場合は融点以下にすることが望ましい。
Furthermore, heat treatment may be performed in order to further strengthen the poorly soluble effect. However, the heat treatment temperature is desirably below the glass transition point of the low molecular weight material constituting the low molecular
また、難溶化層4の膜厚は、10nm以下が好ましい。これは、難溶化層4は低分子ホール輸送層3と比べてホール移動度が低いためであり、難溶化層4の膜厚が10nmよりも厚いと駆動電圧を増加させるためである。
Further, the film thickness of the hardly
高分子発光層5は、高分子有機発光材料により構成されている。高分子有機発光材料としては、ポリフルオレン(PFO)系高分子、ポリフェニレンビニレン(PPV)系高分子、ポリビニルカルバゾール(PVK)系高分子などを用いることができ、蛍光性色素や燐光性色素を前記高分子やポリスチレン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリメチルメタクリレート系高分子等に分散させたもの等も用いることができる。これら高分子有機発光材料を、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルアニソール、ジメチルアニソール、テトラリン、安息香酸エチル、安息香酸メチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水などの単独または混合溶媒に溶解させて塗布液を調製し、その塗布液を使用した塗布法により高分子発光層を形成することができる。それら溶媒のうちでも特に、トルエン、キシレン、アニソール、メチルアニソール、ジメチルアニソール、テトラリン、安息香酸エチル、安息香酸メチル等の芳香族系溶媒は、高分子有機発光材料の溶解性が良く扱いも容易であることから、より好ましい溶媒である。 The polymer light emitting layer 5 is composed of a polymer organic light emitting material. As the polymer organic light emitting material, polyfluorene (PFO) polymer, polyphenylene vinylene (PPV) polymer, polyvinyl carbazole (PVK) polymer, etc. can be used. Those dispersed in a polymer, polystyrene polymer, polythiophene polymer, polymethyl methacrylate polymer, or the like can also be used. These high molecular organic light emitting materials are, for example, toluene, xylene, acetone, anisole, methylanisole, dimethylanisole, tetralin, ethyl benzoate, methyl benzoate, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate. The polymer light emitting layer can be formed by a coating method using a coating solution prepared by dissolving in water or the like alone or in a mixed solvent. Among these solvents, aromatic solvents such as toluene, xylene, anisole, methylanisole, dimethylanisole, tetralin, ethyl benzoate, and methyl benzoate are particularly easy to handle because of their high solubility in high-molecular organic light-emitting materials. Therefore, it is a more preferable solvent.
高分子発光層5を形成する際の塗布法としては、スピンコート法、インクジェット法、印刷法、ディップコート法、スプレー法等の手法を用いることができる。また、高分子発光層を塗布法で形成する際に溶媒を揮発させるために高温乾燥処理を行うが、この処理温度が低分子ホール輸送層材料のガラス転移点を超えると界面での両者の混合による特性の悪化などが起こってしまうため、低分子ホール輸送層材料のガラス転移点は一般的に用いられている乾燥温度である120℃以上であることが望ましい。 As a coating method for forming the polymer light emitting layer 5, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, a dip coating method, a spray method, or the like can be used. In addition, when a polymer light emitting layer is formed by a coating method, a high temperature drying treatment is performed to volatilize the solvent. When the treatment temperature exceeds the glass transition point of the low molecular hole transport layer material, the two are mixed at the interface. Therefore, the glass transition point of the low molecular hole transport layer material is preferably 120 ° C. or higher, which is a commonly used drying temperature.
電子注入電極6は、例えば低仕事関数電極構造で構成される。電子注入電極6としては、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウム等の金属電極との積層、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のハロゲン化物とアルミニウム等の金属電極との積層などを用いることができ、具体的にはAl/Ca、Al/Ba、Al/Li、Al/LiF、Al/CsF、Al/Ca/LiF、Al/BaOなどで構成される。 The electron injection electrode 6 has a low work function electrode structure, for example. The electron injection electrode 6 includes an alkali metal or alkaline earth metal, a laminate of an alkali metal or alkaline earth metal and a metal electrode such as aluminum, and an alkali metal or alkaline earth metal halide and a metal electrode such as aluminum. For example, Al / Ca, Al / Ba, Al / Li, Al / LiF, Al / CsF, Al / Ca / LiF, and Al / BaO can be used.
このようにして、本実施形態にかかる有機EL素子100が構成、製造される。次に、このような有機EL素子100の作用および効果について説明する。
In this way, the
本実施形態にかかる有機EL素子100では、真空蒸着法で形成される低分子ホール輸送層3と塗布法で形成される高分子発光層5との積層構造を採用することにより、低分子型有機EL素子や高分子型有機EL素子それぞれの問題を解決することが可能となる。
In the
すなわち、高分子型有機EL素子において問題となっている高分子ホール輸送層を、高温耐久性が高く安定した特性を有する真空蒸着法で形成された低分子ホール輸送層3に置き換えた高分子/低分子積層型有機EL素子とすることで、高温耐久性、寿命、駆動に伴う電圧上昇を改善することが可能となる。また、真空蒸着工程が2工程に増えるために高分子型有機EL素子よりは若干製造コストが高くなるものの、全工程真空蒸着が必要な低分子型有機EL素子と比較すれば、製造コストを低くすることが可能となる。
That is, the polymer / hole transport layer, which is a problem in the polymer type organic EL device, is replaced with a low molecular
このため、本実施形態の有機EL素子100を例えば車載表示素子、特にセグメント表示素子として用いることが可能となる。
For this reason, it becomes possible to use the
このような高分子/低分子積層型有機EL素子とする場合、低分子ホール輸送層3の上に高分子発光層5を塗布法で形成することになるため、低分子ホール輸送層3の構成材料が高分子発光層5の塗布液の溶媒に溶け出し、界面混合層が形成されるため発光効率が低下してしまう可能性がある。
In the case of such a polymer / low molecule stacked organic EL device, the polymer light emitting layer 5 is formed on the low molecular
しかしながら、本実施形態では、低分子ホール輸送層3をエーテル化合物で表面処理している。これにより、低分子ホール輸送層3と高分子発光層5との界面において反応化合物による難溶化層4を形成することができる。この難溶化層4を形成した状態で実験を行ったところ、難溶化層4の表面に高分子発光層5を塗布法で形成しても、低分子ホール輸送材料の高分子発光層塗布液の溶媒への溶け出しはほとんど無いことが確認された。
However, in this embodiment, the low molecular
したがって、本実施形態のように、低分子ホール輸送層3をエーテル化合物で表面処理することにより、発光効率の低下を抑制することができ、有機EL素子100を高効率な高分子/低分子積層型有機EL素子とすることが可能となる。また、高効率化はさらなる素子の長寿命化に繋がる。さらに、エーテル化合物による難溶化手法は、架橋性有機化合物を重合させて難溶化する手法に比べて、不安定な架橋性官能基を含まないために特性が長期にわたって安定であり、重合しきれなかったラジカルによる短寿命化現象も起こらないために素子の長寿命化も可能となる。このため、有機EL素子100を低コストで高温耐久性が高く長寿命が要求される車載用表示素子、特にセグメント表示素子として用いることが可能となる。
Therefore, as in the present embodiment, the surface treatment of the low molecular
なお、エーテル化合物の代わりに有機酸を用いる場合についても、同様の効果を得ることが可能であるが、有機酸を用いる場合には、有機酸を取り扱うために、有機酸に耐え得る容器が必要になるなど、装置コストが高くなる。これに対し、本実施形態のようにエーテル化合物による表面処理手法を用いる場合には、そのような制約がなく、安価な容器を使用できるため、装置コストを低減することが可能となる。 The same effect can be obtained when an organic acid is used instead of an ether compound. However, when an organic acid is used, a container that can withstand the organic acid is required to handle the organic acid. The device cost becomes high. On the other hand, when the surface treatment method using an ether compound is used as in this embodiment, there is no such restriction, and an inexpensive container can be used, so that the apparatus cost can be reduced.
以下、上記実施形態に対応した各種実施例について説明する。 Hereinafter, various examples corresponding to the above embodiment will be described.
(実施例1)
まず、基板1としてガラス基板を用い、このガラス基板上にホール注入電極2となるITO電極を150nm形成した。次に、低分子ホール輸送層3として、上述した化学式3で示されるN, N, N', N', N'', N''-Hexakis(4'-methyl-biphenyl-4-yl)-benzene-1,3,5-triamine(分子量1119、ガラス転移点観測されず、融点402℃)を真空蒸着法で60nm形成した。そして、このように基板1上に形成した低分子ホール輸送層3の表面を、1,1'-ジブチルエーテル溶液中に10分間浸漬させて塗布することで難溶化層4を形成し、さらに180℃で熱処理を行った。
Example 1
First, a glass substrate was used as the
続いて、この難溶化層4の上に、アメリカンダイソース社製Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-[2,1',3]-thiadiazole)] (ADS233YE)を精製して重量平均分子量約40000とした高分子発光材料をキシレン溶媒に溶解させた塗布液を用いてスピンコート法で塗布したのち、120℃で乾燥させることにより高分子発光層5を100nm形成した。
Subsequently, Poly [(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) -co- (1,4-benzo- [2,1 ', 3], manufactured by American Dye Source Co., Ltd., is formed on the hardly
さらに、電子注入電極6として、Al/Ca電極を真空蒸着法で形成したのち、最後にグローブボックス中で金属缶と素子が形成されたガラス基板とを光硬化樹脂で貼り合わせて作製素子を封止した試料を用意した。 Further, after forming an Al / Ca electrode as the electron injection electrode 6 by a vacuum deposition method, the metal can and the glass substrate on which the element is formed are finally bonded together with a photo-curing resin in a glove box to seal the fabricated element. A stopped sample was prepared.
また、比較例1として、エーテル化合物による表面処理を行わなかった以外は本実施例1と同様の構成の試料を用意した。 Further, as Comparative Example 1, a sample having the same configuration as that of Example 1 was prepared except that the surface treatment with the ether compound was not performed.
そして、実施例1の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例1の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、5.0となった。この結果より、エーテル化合物による表面処理を行わず、難溶化層4が形成されていない場合と比べて、大きな発光効率が得られており、高効率化が可能であることが確認された。
Then, the maximum luminous efficiency per unit current density of the samples of Example 1 I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 1 was I 0 (cd / A) The value was 5.0. From this result, it was confirmed that the surface treatment with the ether compound was not performed, and a large luminous efficiency was obtained compared with the case where the hardly
(実施例2)
本実施例では、実施例1とは異なるエーテル化合物を用い、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、エーテル化合物としてジ-iso-プロピルエーテルを用いた。
(Example 2)
In this example, a sample of the
そして、本実施例の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例1の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、1.5となった。この結果から、エーテル化合物の種類を変更しても、大きな発光効率が得られ、高効率化が可能であることが確認された。 Then, the maximum luminous efficiency of the unit current per density of samples of the present example I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 1 was I 0 (cd / A) The value was 1.5. From this result, it was confirmed that even if the type of the ether compound was changed, a large luminous efficiency was obtained and the efficiency could be increased.
(実施例3)
本実施例でも、実施例1とは異なるエーテル化合物を用い、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、エーテル化合物として1,1'-ジヘキシルエーテルを用いた。
(Example 3)
Also in this example, a sample of the
そして、本実施例の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例1の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、4.0となった。この結果から、エーテル化合物の種類を変更しても、大きな発光効率が得られ、高効率化が可能であることが確認された。 Then, the maximum luminous efficiency of the unit current per density of samples of the present example I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 1 was I 0 (cd / A) The value was 4.0. From this result, it was confirmed that even if the type of the ether compound was changed, a large luminous efficiency was obtained and the efficiency could be increased.
(実施例4)
本実施例でも、実施例1とは異なるエーテル化合物を用い、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、エーテル化合物としてエチレングリコールジエチルエーテルを用いた。
Example 4
Also in this example, a sample of the
そして、本実施例の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例1の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、2.0となった。この結果から、エーテル化合物としてエーテル化合物の種類を変更しても、大きな発光効率が得られ、高効率化が可能であることが確認された。 Then, the maximum luminous efficiency of the unit current per density of samples of the present example I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 1 was I 0 (cd / A) The value was 2.0. From this result, it was confirmed that even if the type of the ether compound was changed as the ether compound, large luminous efficiency was obtained and high efficiency was possible.
(実施例5)
本実施例では、エーテル化合物を含む蒸気中に低分子ホール輸送層3の表面を曝す手法により難溶化層4を形成し、それ以外に関しては実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、エーテル化合物として1,1'-ジブチルエーテルを用い、処理法として窒素ガス中で1,1'-ジブチルエーテルを80℃に熱することで飽和蒸気圧状態にした雰囲気中に低分子ホール輸送層3の表面を4時間暴露させる手法を行った。
(Example 5)
In the present embodiment, the poorly
そして、本実施例の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例1の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、4.2となった。この結果から、エーテル化合物の種類やエーテル化合物を用いた難溶化層4の形成手法を変更しても、大きな発光効率が得られ、高効率化が可能であることが確認された。
Then, the maximum luminous efficiency of the unit current per density of samples of the present example I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 1 was I 0 (cd / A) The value was 4.2. From this result, it was confirmed that even if the type of the ether compound and the method for forming the poorly
(実施例6)
本実施例では、エーテル化合物による表面処理を行い高分子層を形成した後、加熱処理を行うことでエーテル化合物を揮発除去する工程を行ったが、それ以外に関しては実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、エーテル化合物をエチレングリコールジエチルエーテルとし、高分子発光層5を形成後150℃の加熱処理を行った。
(Example 6)
In this example, after the surface treatment with the ether compound was performed to form the polymer layer, the step of volatilizing and removing the ether compound by performing the heat treatment was performed. Otherwise, the same method as in Example 1 was used. A sample of the
そして、本実施例の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例1の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、2.5となった。この結果から、エーテル化合物の種類を変更したり難溶化層4を形成した後にエーテル化合物を揮発除去しても、大きな発光効率が得られ、高効率化が可能であることが確認された。
Then, the maximum luminous efficiency of the unit current per density of samples of the present example I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 1 was I 0 (cd / A) The value was 2.5. From this result, it was confirmed that even if the type of ether compound was changed or the poorly
(実施例1〜6についての考察)
図3は、上記各実施例の単位電流密度あたりの最大発光効率I(cd/A)と比較例1の最大発光効率I0(cd/A)との比較結果I/I0をまとめた図表である。
(Consideration about Examples 1-6)
FIG. 3 is a chart summarizing comparison results I / I 0 between the maximum light emission efficiency I (cd / A) per unit current density in each of the above examples and the maximum light emission efficiency I 0 (cd / A) of Comparative Example 1. It is.
この図から分かるように、いずれの実施例も比較例1に比べて大きな発光効率が得られていることから、上記実施形態に示した有機EL素子100にて、高効率化が可能であることが分かる。
As can be seen from this figure, each of the examples has a higher luminous efficiency than that of Comparative Example 1. Therefore, the
また、実施例6では加熱処理によりエーテル化合物を揮発除去しているため、同様構成の実施例4と比較して更に発光効率を向上させることが可能になっている。このことから、加熱処理などを行ってエーテル化合物を揮発除去することが有効であることが分かる。 In Example 6, since the ether compound is volatilized and removed by heat treatment, the luminous efficiency can be further improved as compared with Example 4 having the same configuration. This shows that it is effective to volatilize and remove the ether compound by performing a heat treatment or the like.
また、図4は、実施例1及び比較例1を初期輝度600cd/m2にて25℃環境下で定電流駆動した場合の各輝度の時間変化を示した図である。この図から、実施例1は比較例1と比べて輝度の低下が少なく、安定で長寿命な素子であることが分かる。ここでは、実施例1を例に挙げたが、他の実施例においても同様の結果となる。このことからも、上記実施形態に示した有機EL素子100は長寿命化が図れていることが判る。
FIG. 4 is a diagram showing temporal changes in each luminance when Example 1 and Comparative Example 1 are driven at a constant current in an environment of 25 ° C. at an initial luminance of 600 cd / m 2 . From this figure, it can be seen that Example 1 is a stable and long-life element with less decrease in luminance than Comparative Example 1. Here, the example 1 is given as an example, but the same result is obtained in other examples. This also shows that the
(実施例7)
本実施例では、実施例1とは異なる構成材料によって低分子ホール輸送層3を構成したもおのであり、その他関しては、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、上述した化学式4で示されたN, N, N', N',-Tetrakis-(4'-methyl-
biphenyl-4-yl)- N'', N'',-biskis-(4'-methyl-phenyl)benzene -1,3,5-triamine (分子量976、ガラス転移点180℃)を低分子ホール輸送層3の構成材料として用いた。
(Example 7)
In this example, the low-molecular
Biphenyl-4-yl) -N ″, N ″,-biskis- (4′-methyl-phenyl) benzene-1,3,5-triamine (molecular weight 976, glass transition temperature 180 ° C.) transports low molecular holes Used as a constituent material of
また、比較例2として、エーテル化合物による表面処理を行わなかった以外は本実施例7と同様の構成の試料を用意した。 Further, as Comparative Example 2, a sample having the same configuration as that of Example 7 was prepared except that the surface treatment with the ether compound was not performed.
そして、本実施例の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例2の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、3.3となった。この結果から、低分子ホール輸送層3の構成材料を変更しても、大きな発光効率が得られ、高効率化が可能であることが確認された。
Then, the maximum luminous efficiency of the unit current per density of samples of the present example I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 2 was I 0 (cd / A) The value was 3.3. From this result, it was confirmed that even if the constituent material of the low molecular
(実施例8)
本実施例でも、実施例1とは異なる構成材料によって低分子ホール輸送層3を構成したもおのであり、その他関しては、実施例1と同様の手法により有機EL素子100の試料を製造した。具体的には、上述した化学式5で示されたt-Bu-TBATA(N, N, N', N', N'', N''-Hexakis(4'-tert-butylbiphenyl-4-yl)-tris(4-aminophenyl)amine)(分子量1540、ガラス転移点203℃)を低分子ホール輸送層3の構成材料として用いた。
(Example 8)
Also in the present example, the low molecular
また、比較例3として、エーテル化合物による表面処理を行わなかった以外は本実施例8と同様の構成の試料を用意した。 Further, as Comparative Example 3, a sample having the same configuration as that of Example 8 was prepared except that the surface treatment with the ether compound was not performed.
そして、本実施例の試料の単位電流密度あたりの最大発光効率をI(cd/A)、比較例3の試料の最大発光効率をI0(cd/A)とした時のI/I0の値は、2.9となった。この結果から、低分子ホール輸送層3の構成材料を変更しても、大きな発光効率が得られ、高効率化が可能であることが確認された。
Then, the maximum luminous efficiency of the unit current per density of samples of the present example I (cd / A), the I / I 0 when the maximum luminous efficiency of the sample of Comparative Example 3 was I 0 (cd / A) The value was 2.9. From this result, it was confirmed that even if the constituent material of the low molecular
以上の結果より、上記実施形態に示した有機EL素子100の低分子ホール輸送層3の構成材料として複数のトリフェニルアミン誘導体材料が有効であると言える。
From the above results, it can be said that a plurality of triphenylamine derivative materials are effective as a constituent material of the low molecular
1 基板
2 ホール注入電極
3 低分子ホール輸送層
4 難溶化層
5 高分子発光層
6 電子注入層
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記電極基板(1)の上に形成されたホール注入電極(2)と、
前記ホール注入電極(2)の上に形成され、低分子材料にて構成された低分子ホール輸送層(3)と、
前記低分子ホール輸送層(3)をエーテル化合物にて表面処理することで形成され、前記エーテル化合物と前記低分子材料とが化学反応して生成された反応化合物にて構成された難溶化層(4)と、
前記難溶化層(4)の表面に形成され、高分子材料にて構成された高分子発光層(5)と、
前記高分子発光層(5)の上に形成された電子注入電極(6)と、を有し、
前記低分子ホール輸送層(3)がトリフェニルアミン誘導体材料で構成されており、
前記低分子材料がN, N, N', N', N'', N''-Hexakis-(4'-methyl-biphenyl-4-yl)-benzene-1,3,5-triamine であり、前記エーテル化合物がジブチルエーテルであり、
前記難溶化層(4)は、X線電子分光スペクトルによる01sスペクトルにおいて、531eVから533eVの間のエーテル化合物に由来するピークと、529eVから531eVの間のエーテル化合物との反応化合物に由来するピークを有し、531eVから533eVの間のエーテル化合物に由来するピーク高さが529eVから531eVの間のエーテル化合物との反応化合物に由来するピーク高さよりも小さいことを特徴とする有機EL素子。 An electrode substrate (1);
A hole injection electrode (2) formed on the electrode substrate (1);
A low molecular hole transport layer (3) formed on the hole injection electrode (2) and composed of a low molecular material;
A poorly soluble layer (3) formed by subjecting the low molecular hole transport layer (3) to a surface treatment with an ether compound, and comprising a reaction compound produced by a chemical reaction between the ether compound and the low molecular material ( 4) and
A polymer light emitting layer (5) formed on the surface of the poorly soluble layer (4) and composed of a polymer material;
The polymer light emitting layer (5) an electron injection electrode formed on the (6), have a,
The low molecular hole transport layer (3) is composed of a triphenylamine derivative material,
The low molecular weight material is N, N, N ′, N ′, N ″, N ″ -Hexakis- (4′-methyl-biphenyl-4-yl) -benzene-1,3,5-triamine, The ether compound is dibutyl ether;
The hardly-solubilized layer (4) has a peak derived from an ether compound between 531 eV and 533 eV and a peak derived from a reaction compound with an ether compound between 529 eV and 531 eV in the 01 s spectrum by X-ray electron spectroscopy. And an organic EL element having a peak height derived from an ether compound between 531 eV and 533 eV smaller than a peak height derived from a reaction compound with an ether compound between 529 eV and 531 eV .
前記ホール注入電極(2)の上に、低分子材料にて構成された低分子ホール輸送層(3)を形成する工程と、
前記低分子ホール輸送層(3)をエーテル化合物にて表面処理することで、前記エーテル化合物と前記低分子材料とが化学反応して生成された反応化合物にて構成された難溶化層(4)を形成する工程と、
前記難溶化層(4)の表面に、高分子材料にて構成された高分子発光層(5)を形成する工程と、
前記高分子発光層(5)の上に電子注入電極(6)を形成する工程と、を有し、
前記低分子ホール輸送層(3)を形成する工程では、前記低分子ホール輸送層(3)の構成材料としてトリフェニルアミン誘導体材料を用いると共に、前記低分子材料として、N, N, N', N', N'', N''-Hexakis-(4'-methyl-biphenyl-4-yl)-benzene-1,3,5-triamine を用い、
前記難溶化層(4)を形成する工程は、前記エーテル化合物として、ジブチルエーテルを用い、前記難溶化層(4)として、X線電子分光スペクトルによる01sスペクトルにおいて、531eVから533eVの間のエーテル化合物に由来するピークと、529eVから531eVの間のエーテル化合物との反応化合物に由来するピークを有し、531eVから533eVの間のエーテル化合物に由来するピーク高さが529eVから531eVの間のエーテル化合物との反応化合物に由来するピーク高さよりも小さいものを形成する工程であることを特徴とする有機EL素子の製造方法。 Preparing an electrode substrate (1) and forming a hole injection electrode (2) on the electrode substrate (1);
Forming a low molecular hole transport layer (3) composed of a low molecular material on the hole injection electrode (2);
The poorly soluble layer (4) composed of a reaction compound produced by a chemical reaction between the ether compound and the low molecular material by surface-treating the low molecular hole transport layer (3) with an ether compound. Forming a step;
Forming a polymer light emitting layer (5) composed of a polymer material on the surface of the hardly soluble layer (4);
Have a, forming an electron injecting electrode (6) on the polymer light emitting layer (5),
In the step of forming the low molecular hole transport layer (3), a triphenylamine derivative material is used as a constituent material of the low molecular hole transport layer (3), and N, N, N ′, N ', N'',N''-Hexakis-(4'-methyl-biphenyl-4-yl) -benzene-1,3,5-triamine
In the step of forming the hardly soluble layer (4), dibutyl ether is used as the ether compound, and the hardly soluble layer (4) is an ether compound between 533 eV and 533 eV in the 01 s spectrum by X-ray electron spectroscopy. And a peak derived from a reaction compound with an ether compound between 529 eV and 531 eV and a peak height derived from an ether compound between 533 eV and 533 eV and an ether compound between 529 eV and 531 eV A method for producing an organic EL device, which is a step of forming a material having a peak height smaller than that of the reaction compound .
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009021390A JP5453824B2 (en) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | Organic EL device and method for manufacturing the same |
US12/736,214 US8461572B2 (en) | 2008-05-15 | 2009-05-14 | Organic luminescent device and manufacturing method thereof |
KR1020127027530A KR101314704B1 (en) | 2008-05-15 | 2009-05-14 | Organic luminescent device and process for producing the same |
KR1020107026933A KR101237831B1 (en) | 2008-05-15 | 2009-05-14 | Organic luminescent device and process for producing the same |
PCT/JP2009/002121 WO2009139172A1 (en) | 2008-05-15 | 2009-05-14 | Organic luminescent device and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009021390A JP5453824B2 (en) | 2009-02-02 | 2009-02-02 | Organic EL device and method for manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177617A JP2010177617A (en) | 2010-08-12 |
JP5453824B2 true JP5453824B2 (en) | 2014-03-26 |
Family
ID=42708224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009021390A Expired - Fee Related JP5453824B2 (en) | 2008-05-15 | 2009-02-02 | Organic EL device and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5453824B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010109937A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Method for forming thin film, method for forming multilayer thin film having the thin film therein, electronic device, and organic electroluminescence element |
JP6455126B2 (en) * | 2014-12-17 | 2019-01-23 | 株式会社デンソー | Organic EL device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4293808B2 (en) * | 2003-03-17 | 2009-07-08 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of organic EL device |
JP4631386B2 (en) * | 2004-02-25 | 2011-02-16 | 株式会社デンソー | Organic EL device |
JP2007042316A (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent element, display device and lighting system |
JP2007207655A (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic el display |
-
2009
- 2009-02-02 JP JP2009021390A patent/JP5453824B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010177617A (en) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101314704B1 (en) | Organic luminescent device and process for producing the same | |
JP5355857B2 (en) | An electronic device comprising an organic conductor and a semiconductor and an intermediate buffer layer made of a crosslinked polymer | |
JP5417279B2 (en) | Method for producing organic electroluminescence device and solution for organic electroluminescence device | |
JP6796065B2 (en) | Organic thin film laminate and organic electroluminescence device | |
TW201606436A (en) | Photopatternable compositions, patterned high k thin film dielectrics and related devices | |
KR20170093267A (en) | Compositions comprising organic semiconducting compounds | |
JP2011018922A (en) | Optical device | |
KR101103488B1 (en) | Light emitting device and Method for manufacturing the same | |
JP5453824B2 (en) | Organic EL device and method for manufacturing the same | |
JP5218131B2 (en) | Organic EL device | |
JP5217835B2 (en) | Organic EL device and method for manufacturing the same | |
JP5349385B2 (en) | Organic electronic device and method for manufacturing organic electronic device | |
JP6175968B2 (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
CN110718642B (en) | OLED device based on blended light emitting layer and preparation method thereof | |
CN113956866A (en) | Trimethylolpropane triacrylate doping-based quasi-two-dimensional perovskite thin film, preparation method thereof and light-emitting diode | |
JP6455126B2 (en) | Organic EL device and method for manufacturing the same | |
JP5360010B2 (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
JP5994592B2 (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
Chiba et al. | A Solution-Processable Small-Molecule Host for Phosphorescent Organic Light-Emitting Devices | |
JP6197682B2 (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
KR101544265B1 (en) | Charge transfer material containing vinyl end group and Organic light emitting device using the same | |
JP2015151464A (en) | Polymer semiconductor layer and organic electronic device prepared using the same | |
Rockett | Organic Semiconductors | |
CN115772341A (en) | Coating liquid for forming organic light-emitting layer or photosensitive layer, and method for producing same | |
JP2007048833A (en) | Organic deposition film and organic light emitting element using same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130403 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5453824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |