JP5435526B2 - 金属膜修飾ダイヤモンド材料の製造方法 - Google Patents
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 93
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical group S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 27
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 18
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 16
- 125000004354 sulfur functional group Chemical group 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 3
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003378 silver Chemical group 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000000259 anti-tumor effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N carbon disulfide-14c Chemical compound S=[14C]=S QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000012567 medical material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
その一例として表面に化学修飾を施すことにより、より高付加価値を有する材料となることが期待される。化学修飾を施す場合に、従来から特異な特性を有する官能基を導入することにより付加価値を高めることができる。
また、爆縮法によって異種元素として硫黄を含有する多結晶ダイヤモンド材料を得る方法(特許文献2参照)が知られているが、爆縮法は特殊な反応容器および熟練技術が必要である。
すなわち、この出願によれば、以下の発明が提供される。
〈1〉紫外線照射下でダイヤモンド材料と単体硫黄を反応させることにより硫黄原子を含む官能基をダイヤモンド材料表面に結合させたことを特徴とするダイヤモンド材料。
〈2〉硫黄原子を含む官能基がメルカプト基であることを特徴とする〈1〉に記載のダイヤモンド材料。
〈3〉〈1〉又は〈2〉に記載のダイヤモンド材料の硫黄を含む官能基を介して貴金属微粒子が結合した貴金属微粒子修飾ダイヤモンド材料。
〈4〉〈1〉又は〈2〉に記載のダイヤモンド材料の硫黄を含む官能基を介して貴金属薄膜が結合した貴金属薄膜修飾ダイヤモンド材料。
〈5〉貴金属が金又は銀であることを特徴とする〈3〉又は〈4〉に記載のダイヤモンド材料。
〈6〉紫外線照射下、ダイヤモンド材料と単体硫黄を反応させて、硫黄原子を含む官能基をダイヤモンド材料の表面に結合させることを特徴とする〈1〉に記載のダイヤモンド材料の製造方法。
〈7〉単体硫黄を有機溶媒中に添加して反応させることを特徴とする〈6〉に記載のダイヤモンド材料の製造方法。
〈8〉〈6〉又は〈7〉に記載の方法で得られたダイヤモンド材料と金属微粒子溶液と接触又は混合することを特徴とする〈3〉又は〈5〉に記載の金属微粒子修飾ダイヤモンド材料の製造方法。
〈9〉〈6〉又は〈7〉に記載の方法で得られたダイヤモンド材料と金属膜と接触又は混合することを特徴とする〈4〉又は〈5〉に記載の金属微粒子修飾ダイヤモンド材料の製造方法。
また、本発明の製造方法によれば、有毒ガス、特殊反応容器および特殊技術を使用することなく、常温の溶液中で紫外光照射をするだけの簡便な反応操作により、ダイヤモンド材料表面上に硫黄官能基を導入した(結合した)、新規なダイヤモンド材料を得ることができるという優れた効果を有する。
反応の高効率化のためには、254nm以下の波長を有する紫外光照射下に反応を行うことが好ましい。光量は、0.1〜100mW/cm2の範囲で照射される。
照射時間は1〜8時間程度が必要である。
溶媒量は、単体硫黄の使用量に応じて決定する。この反応原料を溶媒中に保存することができる量であれば差し支えないが、十分に溶媒中に混和することができ、かつ反応に際して光照射を十分に行うことができる量を必要とする。
このようなことを考慮して、単体硫黄5mgに対して、例えば、二硫化炭素を使用する場合には、0.5ml以上、4ml以下の二硫化炭素を使用することが望ましい。
このようにして得られる硫黄官能基化ダイヤモンド材料の同定は、表面に前記硫黄官能基が化学結合しているかどうかを各種の分析機器たとえばXPSなどを利用することにより行われる。
貴金属としては、金、銀、および白金族元素(ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミニウム、イリジウム、白金)が挙げられる。この中でも、金、銀が好ましく使用される。
また、硫黄官能基を介した金属微粒子修飾ダイヤモンド材料の同定は、前記と同様な各種の分析機器たとえばXPSなどを利用することにより行われる。
また、金属膜上に結合した硫黄官能基を介したダイヤモンド材料の同定は、各種の分析機器たとえばRamanなどを利用することにより行われる。
合成石英製の反応容器に、単体硫黄(5mg)を二硫化炭素(4ml)に溶解させ、ダイヤモンド粉末を入れた。
アルゴン雰囲気下で攪拌しつつ低圧水銀灯を室温で7時間照射した。その後、二硫化炭素溶液を除去し、ダイヤモンド粉末を二硫化炭素で洗浄し、減圧下で乾燥を行った。
反応後のダイヤモンド粉末のXPS測定を行った。図1に示すように、硫黄に由来するピークが観測され、表面上に硫黄を含む官能基が導入されたことが確認された。
合成石英製の反応容器に、単体硫黄(5mg)を二硫化炭素(4ml)に溶解させ、ダイヤモンド膜を入れた。
アルゴン雰囲気下で攪拌しつつ低圧水銀灯を室温で7時間照射した。その後、二硫化炭素溶液を除去し、ダイヤモンド膜を二硫化炭素で洗浄し、減圧下で乾燥を行った。
反応後のダイヤモンド膜のXPS測定を行った。図2に示すように、硫黄に由来するピークが観測され、表面上に硫黄を含む官能基が導入されたことが確認された。
実施例1で得たダイヤモンド粉末に、金微粒子溶液(5ml)を加えて終夜攪拌した。その後、金微粒子溶液を除去し、ダイヤモンド粉末を水およびエタノールで洗浄し、減圧下に乾燥を行って金微粒子修飾ダイヤモンド粉末を得た。反応後の該微粒子修飾ダイヤモンド粉末のXPS測定を行った。図3に示すように、硫黄に由来するピークと金に由来するピークが観測され、表面上に硫黄を含む官能基を介して金微粒子が導入されたことが確認された。
実施例2で得たダイヤモンド膜に、金微粒子溶液(5ml)を加えて終夜攪拌した。その後、金微粒子溶液を除去し、ダイヤモンド膜を水およびエタノールで洗浄し、減圧下に乾燥を行って金微粒子修飾ダイヤモンド膜を得た。反応後の該微粒子修飾ダイヤモンド膜のXPS測定を行った。図4に示すように、硫黄に由来するピークと金に由来するピークが観測され、表面上に硫黄を含む官能基を介して金微粒子が導入されたことが確認された。
実施例1で得たダイヤモンド粉末(1mg)をヘキサン(2ml)に懸濁させ、金薄膜堆積シリコン基板を入れて1時間静置した。その後、ダイヤモンド粉末懸濁液を除去し、金薄膜堆積シリコン基板をヘキサンで洗浄し、減圧下に乾燥を行ってダイヤモンド粉末堆積基板を得た。反応後のダイヤモンド粉末堆積基板のRaman測定を行った。図5に示すように、ダイヤモンドに由来するピークが観測され、金薄膜堆積シリコン基板表面上に硫黄を含む官能基を介して、ダイヤモンド粉末が堆積したことが確認された。
本発明においては、ダイヤモンド材料表面上に硫黄官能基を導入することが重要であり、これに付随する条件変更は何れも本願発明に包含されるものである。そして、それらの付随する又は付加する条件は実施例に開示された技術を基礎に容易実施しかつ変更できることは理解されるべきである。
また、金属修飾の例として、実施では金を挙げたが、銀等の他の貴金属も同様に適用できることが確認されている。
このような金属の中で、銀等は抗菌性機能を備えている。金、銀等の修飾ダイヤモンドは、特に電子デバイス又は機能性材料として有用である。
Claims (2)
- 紫外線照射下、ダイヤモンド材料と単体硫黄を反応させて、硫黄原子を含む官能基をダイヤモンド材料に結合させた後、得られたダイヤモンド材料と金属膜とを接触又は混合することを特徴とする金属膜修飾ダイヤモンド材料の製造方法。
- 単体硫黄を有機溶媒中に添加して反応させることを特徴とする請求項1に記載の金属膜修飾ダイヤモンド材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007210954A JP5435526B2 (ja) | 2007-08-13 | 2007-08-13 | 金属膜修飾ダイヤモンド材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007210954A JP5435526B2 (ja) | 2007-08-13 | 2007-08-13 | 金属膜修飾ダイヤモンド材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009046319A JP2009046319A (ja) | 2009-03-05 |
JP5435526B2 true JP5435526B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=40498913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007210954A Active JP5435526B2 (ja) | 2007-08-13 | 2007-08-13 | 金属膜修飾ダイヤモンド材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5435526B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2532622B1 (en) * | 2010-02-04 | 2016-12-07 | Japan Science And Technology Agency | Process for functionalizing carbon nanotubes |
JP6143099B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2017-06-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ポリマー材料の表面処理方法 |
JP6820535B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-01-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スピーカ用振動板およびこれを用いたスピーカ |
SG11202103772WA (en) * | 2018-10-31 | 2021-05-28 | Daicel Corp | Fluorescent diamond and method for producing same |
CN115491639B (zh) * | 2022-10-14 | 2024-04-09 | 哈尔滨工业大学 | 表面改性金刚石膜片及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007137715A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ダイヤモンド材料及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-08-13 JP JP2007210954A patent/JP5435526B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009046319A (ja) | 2009-03-05 |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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