JP5432454B2 - フッ化水素からのデスフルランの分離/精製方法 - Google Patents
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Description
(a)デスフルランとフッ化水素とからなる粗混合物を生成する反応を行うステップ、
(b)前記粗混合物からデスフルランとフッ化水素とからなる共沸混合物を分留するステップ、および、
(c)前記共沸混合物からより純度の高いデスフルランを分離するステップ。
a.溶媒はデスフルランを抽出すべきであり、実質的にHFを抽出すべきではない。
b.溶媒はデスフルランから、例えば蒸留によって、容易に分離されるべきである。
(粗反応混合物からのデスフルラン/フッ化水素共沸混合物の除去)
6フィート×2インチのチューブにクロミア(chromia) 触媒が充填され、イソフルランと5モル当量のHFが蒸気の形態で150psigの圧力にて導入された。チューブから出た副産物HCl、デスフルラン、未反応イソフルランおよび未反応HFは、収集され、HClを除去するために150psigの圧力で蒸留された。HClが除去された後、反応混合物は総還流にて加熱された。150psigの圧力で、総括温度82℃で(overhead at 82 ℃) 収集された物質は、デスフルラン/フッ化水素共沸混合物であった。分析の結果、この共沸混合物の組成は、デスフルランが85重量%、HFが15重量%であることが測定された。下記表は、異なる温度での共沸混合物の沸点と組成を示している。
(−45℃への冷却によるHFからのデスフルランの分離)
デスフルラン(10.6グラム)とHF(2.7グラム)の混合物がチューブ内で−45℃に冷却された。この比率は25psigでの共沸混合物の適切な組成であり、それはこの温度で20分間留置された。このとき、最上層(top layer) が最下層(bottom layer)から分離され、それは3.1グラムの重量であった。最下層(2.4グラム)部分が除去され、HFのパーセントが分析された。分析により、実質的にデスフルランが濃縮された低層(lower layer) はHFを5重量%含んでいることが示された。
(HC−0.8オイルを用いたデスフルランの抽出)
等量のHFとHC−0.8オイルの混合物が0℃で15分間攪拌され、それに少量のデスフルランが添加された。この混合物が0℃で5分間攪拌され、次いで、各層が分離された。低層(lower layer) は除去された。等量のHC−0.8オイルによる第2の抽出が行われた。両抽出物は、GCによって分析され、それぞれにおけるデスフルランが調べられた。第1の抽出では、第2の抽出の2倍のデスフルラン量を有していた。有機抽出物は、まとめて重量測定された。抽出されたデスフルランの量は、理論値の84%であった。
Claims (27)
- デスフルラン(CF3 CFHOCF2 H)とフッ化水素との共沸混合物。
- 有機不純物を1%未満含む、請求項1に記載の共沸混合物。
- フッ化水素よりも低い温度で沸騰する、請求項1に記載の共沸混合物。
- 次のステップを含むデスフルラン(CF3 CFHOCF2 H)の製造方法:
(a)デスフルランとフッ化水素とからなる粗混合物を生成する反応を行うステップ、
(b)前記粗混合物からデスフルランとフッ化水素との共沸混合物を分留するステップ、および、
(c)前記共沸混合物から、前記共沸混合物内のデスフルランよりも高い純度の分離デスフルランを分離するステップ。 - 前記共沸混合物は有機不純物を1%未満含む、請求項4に記載の方法。
- 前記共沸混合物はフッ化水素よりも低い温度で沸騰する、請求項4に記載の方法。
- 前記粗混合物はデスフルランと未反応イソフルランと未反応フッ化水素とHClとを含み、前記方法が、分留によってそのHClを除去するステップと、その後に共沸混合物を分別蒸留するステップを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記分留が大気圧で行われる、請求項7に記載の方法。
- 前記分留がバッチ方式で行われる、請求項8に記載の方法。
- 前記分留が連続方式で行われる、請求項8に記載の方法。
- 前記分留が減圧下で行われる、請求項7に記載の方法。
- 前記分留がバッチ方式で行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記分留が連続方式で行われる、請求項11に記載の方法。
- 前記分留が昇圧下で行われる、請求項7に記載の方法。
- 前記分留がバッチ方式で行われる、請求項14に記載の方法。
- 前記分留が連続方式で行われる、請求項14に記載の方法。
- 前記分留が10〜220psigの圧力で行われる、請求項16に記載の方法。
- 前記分留が50〜150psigの圧力で行われる、請求項17に記載の方法。
- 前記分離デスフルランが水洗によって前記共沸混合物から分離される、請求項4に記載の方法。
- 前記分離デスフルランが、前記共沸混合物を、−20℃から−80℃までの範囲の温度で、それ以下では前記共沸混合物から2つの液層が形成される温度まで冷却し、しかる後に、共沸混合物に比べデスフルランが濃縮された層を分離することによって、前記共沸混合物から分離される、請求項4に記載の方法。
- 前記温度が−35℃から−55℃までの範囲である、請求項20に記載の方法。
- デスフルランが濃縮された前記層が水洗される、請求項21に記載の方法。
- デスフルランが濃縮された前記層が分留される、請求項21に記載の方法。
- 前記分離デスフルランが、クロロフルオロカーボン、クロロハイドロカーボン、フッ化エーテル、ハイドロフルオロカーボンおよび炭化水素からなる群から選ばれる溶媒を用いた溶媒抽出によって、前記共沸混合物から分離される、請求項4に記載の方法。
- 前記溶媒がテトラクロロヘキサフルオロブタンの混合物である、請求項24に記載の方法。
- デスフルラン(CF3 CFHOCF2 H)とフッ化水素(HF)を含む混合物からより純度の高いデスフルランを分離する方法であって、前記混合物を、−20℃から−80℃までの範囲の温度で、それ以下では前記混合物から2つの液層が形成される温度まで冷却するステップと、前記混合物に比べデスフルランが濃縮された層を分離するステップとを含む方法。
- デスフルラン(CF3 CFHOCF2 H)とフッ化水素(HF)を含む混合物からより純度の高いデスフルランを分離する方法であって、クロロフルオロカーボン、クロロハイドロカーボン、フッ化エーテル、ハイドロフルオロカーボンおよび炭化水素からなる群から選ばれる溶媒を用いた溶媒抽出を含む方法。
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